JPH11239002A - 移相器 - Google Patents
移相器Info
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- JPH11239002A JPH11239002A JP3883798A JP3883798A JPH11239002A JP H11239002 A JPH11239002 A JP H11239002A JP 3883798 A JP3883798 A JP 3883798A JP 3883798 A JP3883798 A JP 3883798A JP H11239002 A JPH11239002 A JP H11239002A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 位相遅延量を連続的に調整することができ、
システムの低コスト化を図ることができ、かつコンパク
トな移相器を提供する。 【解決手段】 移相器１は、金属平板２上に強誘電体層
３を形成し、さらにその上に金属ストリップ４を形成し
たものである。金属ストリップ４と金属平板２の間の直
流電圧を変化させると、強誘電体層３の誘電率が変化し
てマイクロ波αの位相遅延量が変化する。したがって、
直流電圧を調整することで位相遅延量を連続的に調整で
きる。
システムの低コスト化を図ることができ、かつコンパク
トな移相器を提供する。 【解決手段】 移相器１は、金属平板２上に強誘電体層
３を形成し、さらにその上に金属ストリップ４を形成し
たものである。金属ストリップ４と金属平板２の間の直
流電圧を変化させると、強誘電体層３の誘電率が変化し
てマイクロ波αの位相遅延量が変化する。したがって、
直流電圧を調整することで位相遅延量を連続的に調整で
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は移相器に関し、特
に、１ＴＨｚ以下の電磁波の位相を遅延させるための遅
延量の制御が可能な移相器に関する。
に、１ＴＨｚ以下の電磁波の位相を遅延させるための遅
延量の制御が可能な移相器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、マイクロ波通信を行なう分野
では、マイクロ波の位相を所望の角度だけ遅延させるた
めの移相器が用いられている。
では、マイクロ波の位相を所望の角度だけ遅延させるた
めの移相器が用いられている。
【０００３】図７は、そのような従来の移相器３０の構
成を示す図である。図７を参照して、この移相器３０
は、導波管３９によってマイクロ波が伝送されるシステ
ムで用いられるものであり、導波管３９の中心軸に沿っ
て配置された複数段（図では４段）のトロイダル３１〜
３４を備える。トロイダル３１〜３４は、フェリ磁性体
で形成され、順に２倍ずつ長くなっている。トロイダル
３１〜３４には、それぞれドライブワイヤ３５〜３８が
挿通されている。
成を示す図である。図７を参照して、この移相器３０
は、導波管３９によってマイクロ波が伝送されるシステ
ムで用いられるものであり、導波管３９の中心軸に沿っ
て配置された複数段（図では４段）のトロイダル３１〜
３４を備える。トロイダル３１〜３４は、フェリ磁性体
で形成され、順に２倍ずつ長くなっている。トロイダル
３１〜３４には、それぞれドライブワイヤ３５〜３８が
挿通されている。
【０００４】ドライブワイヤ３５〜３８に所定のパルス
電流を流すと、トロイダル３１〜３４が磁化されて導波
管３９内の透磁率が変化し、マイクロ波の位相が遅延す
る。磁化されたトロイダル３１〜３４は、それぞれマイ
クロ波の位相を２２．５°，４５°，９０°，１８０°
遅延させる。したがって、パルス電流を流すワイヤ３５
〜３８の組合せを変えることにより、０〜３６０°の範
囲で２２．５°単位でマイクロ波の位相遅延量を調整で
きる。
電流を流すと、トロイダル３１〜３４が磁化されて導波
管３９内の透磁率が変化し、マイクロ波の位相が遅延す
る。磁化されたトロイダル３１〜３４は、それぞれマイ
クロ波の位相を２２．５°，４５°，９０°，１８０°
遅延させる。したがって、パルス電流を流すワイヤ３５
〜３８の組合せを変えることにより、０〜３６０°の範
囲で２２．５°単位でマイクロ波の位相遅延量を調整で
きる。
【０００５】図８は、従来の他の移相器４０の構成を示
す回路図である。図８を参照して、この移相器４０は、
マイクロストリップ線路によってマイクロ波が伝送され
るシステムで用いられるものであり、入出力端子４０
ａ，４０ｂ間に直列接続された複数（図では４つ）のダ
イオード４１〜４４と、それぞれダイオード４１〜４４
に並列接続されたマイクロストリップ線路４５〜４８と
を備える。
す回路図である。図８を参照して、この移相器４０は、
マイクロストリップ線路によってマイクロ波が伝送され
るシステムで用いられるものであり、入出力端子４０
ａ，４０ｂ間に直列接続された複数（図では４つ）のダ
イオード４１〜４４と、それぞれダイオード４１〜４４
に並列接続されたマイクロストリップ線路４５〜４８と
を備える。
【０００６】ダイオード４１〜４４の各々には、対応の
ダイオードに順バイアス電圧を与えて導通させるための
直流電源（図示せず）が設けられている。マイクロスト
リップ線路４５〜４８は、順に２倍ずつ長くなってい
て、それぞれマイクロ波の位相を２２．５°，４５°，
９０°，１８０°遅延させる。したがって、導通させる
ダイオード４１〜４４の組合せを変えることにより、０
〜３６０°の範囲で２２．５°単位でマイクロ波の位相
遅延量を調整できる。
ダイオードに順バイアス電圧を与えて導通させるための
直流電源（図示せず）が設けられている。マイクロスト
リップ線路４５〜４８は、順に２倍ずつ長くなってい
て、それぞれマイクロ波の位相を２２．５°，４５°，
９０°，１８０°遅延させる。したがって、導通させる
ダイオード４１〜４４の組合せを変えることにより、０
〜３６０°の範囲で２２．５°単位でマイクロ波の位相
遅延量を調整できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図７の移相器
３０では、フェリ磁性体製のトロイダル３１〜３４を用
いていたので、装置サイズが大きくなり、装置重量が大
きくなるという問題があった。また、ドライブワイヤ３
５〜３８の各々に高出力のパルス電流発生装置が必要で
あり、システムがコスト高になっていた。
３０では、フェリ磁性体製のトロイダル３１〜３４を用
いていたので、装置サイズが大きくなり、装置重量が大
きくなるという問題があった。また、ドライブワイヤ３
５〜３８の各々に高出力のパルス電流発生装置が必要で
あり、システムがコスト高になっていた。
【０００８】また、図８の移相器４０では、長いマイク
ロストリップ線路４５〜４８を用いていたので、装置サ
イズが大きくなるという問題があった。また、ダイオー
ド４１〜４４を導通／非導通にするための複数の直流電
源およびそれらの制御装置が必要であり、システムがコ
スト高になっていた。
ロストリップ線路４５〜４８を用いていたので、装置サ
イズが大きくなるという問題があった。また、ダイオー
ド４１〜４４を導通／非導通にするための複数の直流電
源およびそれらの制御装置が必要であり、システムがコ
スト高になっていた。
【０００９】また、いずれの移相器３０，４０も、位相
遅延量を２２．５°単位でしか調整できず、位相遅延量
を連続的に調整することができなかった。トロイダル３
１〜３４やマイクロストリップ線路４５〜４８の数を増
やせば位相遅延量をより小さな角度で調整することもで
きるが、より多くのパルス発生装置などが必要となりコ
スト高になってしまう。
遅延量を２２．５°単位でしか調整できず、位相遅延量
を連続的に調整することができなかった。トロイダル３
１〜３４やマイクロストリップ線路４５〜４８の数を増
やせば位相遅延量をより小さな角度で調整することもで
きるが、より多くのパルス発生装置などが必要となりコ
スト高になってしまう。
【００１０】それゆえに、この発明の主たる目的は、位
相遅延量を連続的に調整することができ、システムの低
コスト化を図ることができ、かつコンパクトな移相器を
提供することである。
相遅延量を連続的に調整することができ、システムの低
コスト化を図ることができ、かつコンパクトな移相器を
提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
１ＴＨｚ以下の電磁波の位相を遅延させるための遅延量
の制御が可能な移相器であって、互いに対向して設けら
れ、電磁波を伝送するとともに、一方と他方の間に遅延
量を制御するための電磁波よりも低い周波数の制御電圧
が印加される１対の伝送線、および１対の伝送線の間に
設けられ、制御電圧に応じてその誘電率が変化する絶縁
性物質を備えたものである。
１ＴＨｚ以下の電磁波の位相を遅延させるための遅延量
の制御が可能な移相器であって、互いに対向して設けら
れ、電磁波を伝送するとともに、一方と他方の間に遅延
量を制御するための電磁波よりも低い周波数の制御電圧
が印加される１対の伝送線、および１対の伝送線の間に
設けられ、制御電圧に応じてその誘電率が変化する絶縁
性物質を備えたものである。
【００１２】請求項２に係る発明では、請求項１に係る
発明の絶縁性物質は、強誘電性物質を含む。
発明の絶縁性物質は、強誘電性物質を含む。
【００１３】請求項３に係る発明では、請求項２に係る
発明の強誘電性物質は、微粒子化されてポリマ中に分散
されている。
発明の強誘電性物質は、微粒子化されてポリマ中に分散
されている。
【００１４】請求項４に係る発明では、請求項１に係る
発明の絶縁性物質は、反強誘電性物質を含む。
発明の絶縁性物質は、反強誘電性物質を含む。
【００１５】請求項５に係る発明では、請求項４に係る
発明の反強誘電性物質は、微粒子化されてポリマ中に分
散されている。
発明の反強誘電性物質は、微粒子化されてポリマ中に分
散されている。
【００１６】請求項６に係る発明では、請求項１に係る
発明の絶縁性物質は、液晶性物質を含む。
発明の絶縁性物質は、液晶性物質を含む。
【００１７】請求項７に係る発明では、請求項６に係る
発明の液晶性物質は、微粒子化されてポリマ中に分散さ
れている。
発明の液晶性物質は、微粒子化されてポリマ中に分散さ
れている。
【００１８】請求項８に係る発明では、請求項１から７
のいずれかに係る発明の制御電圧は、直流電圧である。
のいずれかに係る発明の制御電圧は、直流電圧である。
【００１９】
【発明の実施の形態】［実施の形態１］図１はこの発明
の実施の形態１による移相器１の構成を示す斜視図、図
２は図１のＸ−Ｘ′線断面図である。
の実施の形態１による移相器１の構成を示す斜視図、図
２は図１のＸ−Ｘ′線断面図である。
【００２０】図１および図２を参照して、この移相器１
は、マイクロストリップ線路によってマイクロ波αが伝
送されるシステムで用いられるものであり、金属平板２
上に強誘電体層３を形成し、強誘電体層３上に金属スト
リップ４を形成したものである。強誘電体層３は、具体
的にはＢａＴｉＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 等の
単結晶層または多結晶層である。マイクロ波αは、周波
数が１ＧＨｚ〜１ＴＨｚの電磁波である。
は、マイクロストリップ線路によってマイクロ波αが伝
送されるシステムで用いられるものであり、金属平板２
上に強誘電体層３を形成し、強誘電体層３上に金属スト
リップ４を形成したものである。強誘電体層３は、具体
的にはＢａＴｉＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 等の
単結晶層または多結晶層である。マイクロ波αは、周波
数が１ＧＨｚ〜１ＴＨｚの電磁波である。
【００２１】この移相器１が通常のマイクロストリップ
線路と異なる点は、マイクロストリップ線路の絶縁層が
強誘電体層３で置換されている点である。
線路と異なる点は、マイクロストリップ線路の絶縁層が
強誘電体層３で置換されている点である。
【００２２】通常のマイクロストリップ線路では、金属
平板と金属ストリップの間に絶縁層が設けられ、この絶
縁層によって金属平板と金属ストリップの間隔が一定に
保たれて線路の特性インピーダンスが一定に保たれる。
絶縁層の材料としては、構造的に十分な強度を有し、マ
イクロ波αの損失が小さく、かつ直流電圧が印加されて
もその誘電率εが変化しない材料、具体的にはＦＲＰ、
テフロンなどが選択される。
平板と金属ストリップの間に絶縁層が設けられ、この絶
縁層によって金属平板と金属ストリップの間隔が一定に
保たれて線路の特性インピーダンスが一定に保たれる。
絶縁層の材料としては、構造的に十分な強度を有し、マ
イクロ波αの損失が小さく、かつ直流電圧が印加されて
もその誘電率εが変化しない材料、具体的にはＦＲＰ、
テフロンなどが選択される。
【００２３】これに対して本願の移相器１は、強誘電体
層３に直流電圧を印加すると、直流電圧の大きさに応じ
てその誘電率εが変化することを積極的に利用するもの
である。
層３に直流電圧を印加すると、直流電圧の大きさに応じ
てその誘電率εが変化することを積極的に利用するもの
である。
【００２４】すなわち、マイクロ波αが強誘電体層３中
を伝搬すると、マイクロ波αの位相遅延量φは、次式で
示されるように、強誘電体層３の誘電率εの１／２乗に
比例する。
を伝搬すると、マイクロ波αの位相遅延量φは、次式で
示されるように、強誘電体層３の誘電率εの１／２乗に
比例する。
【００２５】
【数１】
【００２６】ここで、Ｌは強誘電体層３の長さ、λ０は
自由空間を伝搬するマイクロ波αの波長、λはそのマイ
クロ波αが強誘電体層３中を伝搬するときの波長であ
る。したがって、強誘電体層３に印加する直流電圧を調
整して強誘電体層３の誘電率εを調整することにより、
マイクロ波αの位相遅延量φを調整することができる。
自由空間を伝搬するマイクロ波αの波長、λはそのマイ
クロ波αが強誘電体層３中を伝搬するときの波長であ
る。したがって、強誘電体層３に印加する直流電圧を調
整して強誘電体層３の誘電率εを調整することにより、
マイクロ波αの位相遅延量φを調整することができる。
【００２７】図３は、この移相器１の位相遅延率（ｄｅ
ｇ／ｍｍ）の電界強度（ｋＶ／ｍｍ）依存性を例示する
図である。
ｇ／ｍｍ）の電界強度（ｋＶ／ｍｍ）依存性を例示する
図である。
【００２８】強誘電体層３としては、ＢａＴｉＯ3 の単
結晶層を形成した。マイクロ波αの周波数は、２０ＧＨ
ｚとした。位相遅延率（ｄｅｇ／ｍｍ）は、移相器１を
通過することによって生じたマイクロ波αの位相遅延量
φを移相器１の線路長Ｌで除算したものである。
結晶層を形成した。マイクロ波αの周波数は、２０ＧＨ
ｚとした。位相遅延率（ｄｅｇ／ｍｍ）は、移相器１を
通過することによって生じたマイクロ波αの位相遅延量
φを移相器１の線路長Ｌで除算したものである。
【００２９】金属平板２を接地し、金属ストリップ４と
金属平板２の間にコイル５および可変直流電源６を直列
接続して、強誘電体層３の電界強度（ｋＶ／ｍｍ）を調
整した。コイル５は、マイクロ波αから可変直流電源６
を保護するためのローパスフィルタである。電界強度
（ｋＶ／ｍｍ）は、金属ストリップ４と金属平板２の間
の直流電圧を強誘電体層３の膜厚で除算したものであ
る。
金属平板２の間にコイル５および可変直流電源６を直列
接続して、強誘電体層３の電界強度（ｋＶ／ｍｍ）を調
整した。コイル５は、マイクロ波αから可変直流電源６
を保護するためのローパスフィルタである。電界強度
（ｋＶ／ｍｍ）は、金属ストリップ４と金属平板２の間
の直流電圧を強誘電体層３の膜厚で除算したものであ
る。
【００３０】電界強度（ｋＶ／ｍｍ）を０から１．０ま
で増加させると、位相遅延率（ｄｅｇ／ｍｍ）は１７か
ら１０まで徐々に減少した。したがって、移相器１の線
路長Ｌを１ｍｍとすれば、直流電圧を５００Ｖ程度変化
させれば位相遅延量を４°変化させることができること
がわかった。
で増加させると、位相遅延率（ｄｅｇ／ｍｍ）は１７か
ら１０まで徐々に減少した。したがって、移相器１の線
路長Ｌを１ｍｍとすれば、直流電圧を５００Ｖ程度変化
させれば位相遅延量を４°変化させることができること
がわかった。
【００３１】この実施の形態では、マイクロストリップ
線路の絶縁層を強誘電体層３で置換し、金属ストリップ
４と金属平板２の間の直流電圧を調整することによって
マイクロ波の位相遅延量φを調整する。したがって、直
流電圧を調整することで位相遅延量φを連続的に調整で
きる。また、１つの小電力の可変直流電源６のみで位相
遅延量φを調整できるので、高出力のパルス電流発生装
置などが必要であった従来に比べ、システムの低コスト
化が図られる。また、マイクロストリップ線路と同形状
で、線路長Ｌも短くて済むので、装置サイズが従来より
も小さくなる。
線路の絶縁層を強誘電体層３で置換し、金属ストリップ
４と金属平板２の間の直流電圧を調整することによって
マイクロ波の位相遅延量φを調整する。したがって、直
流電圧を調整することで位相遅延量φを連続的に調整で
きる。また、１つの小電力の可変直流電源６のみで位相
遅延量φを調整できるので、高出力のパルス電流発生装
置などが必要であった従来に比べ、システムの低コスト
化が図られる。また、マイクロストリップ線路と同形状
で、線路長Ｌも短くて済むので、装置サイズが従来より
も小さくなる。
【００３２】なお、この実施の形態では、強誘電体層３
の具体例としてＢａＴｉＯ3 の単結晶層を使用したが、
ＢａＴｉＯ3 に限るものではなく、強誘電体であれば何
でもよい。たとえばＬｉＮｂＯ3 でもよいし、ＬｉＴａ
Ｏ3 でもよい。また、単結晶でなくても多結晶層でもよ
い。
の具体例としてＢａＴｉＯ3 の単結晶層を使用したが、
ＢａＴｉＯ3 に限るものではなく、強誘電体であれば何
でもよい。たとえばＬｉＮｂＯ3 でもよいし、ＬｉＴａ
Ｏ3 でもよい。また、単結晶でなくても多結晶層でもよ
い。
【００３３】また、強誘電体でなくても、電界強度によ
って誘電率εが変化する絶縁性物質であれば何でもよ
い。たとえば、ＰｂＺｒＯ3 のような反強誘電体でもよ
いし、液晶性材料でもよい。
って誘電率εが変化する絶縁性物質であれば何でもよ
い。たとえば、ＰｂＺｒＯ3 のような反強誘電体でもよ
いし、液晶性材料でもよい。
【００３４】また、この実施の形態では、金属ストリッ
プ４と金属平板２の間に直流電圧を印加したが、直流電
圧に限るものではなく、マイクロ波αよりも低い周波数
の電圧であれば交流電圧でもよい。この場合は、交流電
圧の振幅、周波数を調整することにより、マイクロ波α
の位相遅延量φを調整できる。
プ４と金属平板２の間に直流電圧を印加したが、直流電
圧に限るものではなく、マイクロ波αよりも低い周波数
の電圧であれば交流電圧でもよい。この場合は、交流電
圧の振幅、周波数を調整することにより、マイクロ波α
の位相遅延量φを調整できる。
【００３５】［実施の形態２］図４は、この発明の実施
の形態２による移相器１０の構成を示す断面図であっ
て、図２と対比される図である。
の形態２による移相器１０の構成を示す断面図であっ
て、図２と対比される図である。
【００３６】図４の移相器１０が図１の移相器１と異な
る点は、強誘電体層３が強誘電体微粒子／ポリマ分散層
１１で置換されている点である。強誘電体を微粒子化し
てポリマ中に分散させたのは、製造方法の容易化を図る
とともに、微粒子１２／ポリマ１３の成分比を変えて位
相遅延率を所望の値に調整するためである。
る点は、強誘電体層３が強誘電体微粒子／ポリマ分散層
１１で置換されている点である。強誘電体を微粒子化し
てポリマ中に分散させたのは、製造方法の容易化を図る
とともに、微粒子１２／ポリマ１３の成分比を変えて位
相遅延率を所望の値に調整するためである。
【００３７】図５は、この移相器１０の位相遅延率（ｄ
ｅｇ／ｍｍ）の電界強度（ｋＶ／ｍｍ）依存性を例示す
る図である。強誘電体微粒子１２としては直径１μｍの
ＢａＴｉＯ3 の単結晶粒子を使用し、微粒子１２をポリ
マ１３中に分散させて分散層１１を形成した。微粒子１
２／ポリマ１３の成分比は８０％とした。
ｅｇ／ｍｍ）の電界強度（ｋＶ／ｍｍ）依存性を例示す
る図である。強誘電体微粒子１２としては直径１μｍの
ＢａＴｉＯ3 の単結晶粒子を使用し、微粒子１２をポリ
マ１３中に分散させて分散層１１を形成した。微粒子１
２／ポリマ１３の成分比は８０％とした。
【００３８】電界強度（ｋＶ／ｍｍ）を０から１．０ま
で増加させると、位相遅延率（ｄｅｇ／ｍｍ）は０．２
から０．０５まで徐々に減少した。したがって、移相器
１０の線路長Ｌを１０ｍｍとし直流電圧を１ｋＶ程度変
化させれば位相遅延量φを１．５°程度変化させること
ができることがわかった。また、実施の形態１に比べ、
位相遅延率（ｄｅｇ／ｍｍ）が１／１００程度に小さく
なることがわかった。また、微粒子１２／ポリマ１３の
成分比を変えれば、位相遅延率（ｄｅｇ／ｍｍ）が変化
すると考えられる。
で増加させると、位相遅延率（ｄｅｇ／ｍｍ）は０．２
から０．０５まで徐々に減少した。したがって、移相器
１０の線路長Ｌを１０ｍｍとし直流電圧を１ｋＶ程度変
化させれば位相遅延量φを１．５°程度変化させること
ができることがわかった。また、実施の形態１に比べ、
位相遅延率（ｄｅｇ／ｍｍ）が１／１００程度に小さく
なることがわかった。また、微粒子１２／ポリマ１３の
成分比を変えれば、位相遅延率（ｄｅｇ／ｍｍ）が変化
すると考えられる。
【００３９】この実施の形態では、実施の形態１と同じ
効果が得られる他、強誘電体微粒子１２をポリマ１３中
に分散させた分散層１１を使用するので、強誘電体の単
結晶層を使用していた実施の形態１に比べて容易に製造
できる。また、微粒子１２／ポリマ１３の成分比を調整
することにより、位相遅延率を調整できる。
効果が得られる他、強誘電体微粒子１２をポリマ１３中
に分散させた分散層１１を使用するので、強誘電体の単
結晶層を使用していた実施の形態１に比べて容易に製造
できる。また、微粒子１２／ポリマ１３の成分比を調整
することにより、位相遅延率を調整できる。
【００４０】なお、図６に示すように、金属ストリップ
４と金属平板２の間に強誘電体層２１とポリマ層２２を
交互に積層してもよい。この移相器２０では、強誘電体
層２１／ポリマ層２２の膜厚比を調整することにより、
位相遅延率を容易に調整できる。
４と金属平板２の間に強誘電体層２１とポリマ層２２を
交互に積層してもよい。この移相器２０では、強誘電体
層２１／ポリマ層２２の膜厚比を調整することにより、
位相遅延率を容易に調整できる。
【００４１】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【００４２】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る移相器
は、電磁波を伝送するとともに、一方と他方の間に電磁
波の位相遅延量を制御するための制御電圧が印加される
１対の伝送線と、１対の伝送線間に設けられ、制御電圧
に応じて誘電率が変化する絶縁性物質とを備える。した
がって、制御電圧を調整することで位相遅延量を連続的
に調整できる。また、制御電圧を発生するための小電力
の電源のみで位相遅延量を調整できるので、高出力のパ
ルス電流発生装置などを必要としていた従来に比べ、シ
ステムの低コスト化が図られる。また、通常の伝送線路
と同形状なので、装置サイズが小さくて済む。
は、電磁波を伝送するとともに、一方と他方の間に電磁
波の位相遅延量を制御するための制御電圧が印加される
１対の伝送線と、１対の伝送線間に設けられ、制御電圧
に応じて誘電率が変化する絶縁性物質とを備える。した
がって、制御電圧を調整することで位相遅延量を連続的
に調整できる。また、制御電圧を発生するための小電力
の電源のみで位相遅延量を調整できるので、高出力のパ
ルス電流発生装置などを必要としていた従来に比べ、シ
ステムの低コスト化が図られる。また、通常の伝送線路
と同形状なので、装置サイズが小さくて済む。
【００４３】好ましくは、絶縁性物質は、強誘電性物
質、反強誘電性物質、または液晶性物質を含む。これに
より、誘電率を大きく変化させ、電磁波の位相遅延量を
大きく変化させることができる。
質、反強誘電性物質、または液晶性物質を含む。これに
より、誘電率を大きく変化させ、電磁波の位相遅延量を
大きく変化させることができる。
【００４４】また好ましくは、強誘電性物質などは、微
粒子化されてポリマ中に分散される。この場合は、微粒
子／ポリマの成分比を調整することにより、誘電率を調
整できる。
粒子化されてポリマ中に分散される。この場合は、微粒
子／ポリマの成分比を調整することにより、誘電率を調
整できる。
【００４５】また好ましくは、制御電圧は直流電圧とさ
れる。これにより、小電力の可変直流電源のみで位相遅
延量を調整できるので、システムの一層の低コスト化が
図られる。
れる。これにより、小電力の可変直流電源のみで位相遅
延量を調整できるので、システムの一層の低コスト化が
図られる。
【図１】この発明の実施の形態１による移相器の構成を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ′線断面図である。
【図３】図１に示した移相器における位相遅延率の電界
強度依存性を例示する図である。
強度依存性を例示する図である。
【図４】この発明の実施の形態２による移相器の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】図４に示した移相器における位相遅延率の電界
強度依存性を例示する図である。
強度依存性を例示する図である。
【図６】図４に示した移相器の改良例を示す図である。
【図７】従来の移相器の構成を示す斜視図である。
【図８】従来の他の移相器の構成を示す回路図である。
１，１０，２０，３０，４０ 移相器 ２ 金属平板 ３，２１ 強誘電体層 ４ 金属ストリップ ５ コイル ６ 直流電源 １２ 強誘電体微粒子 １３，２２ ポリマ ３１〜３４ トロイダル ３５〜３８ ドライブワイヤ ４１〜４４ ダイオード ４５〜４８ マイクロストリップ線路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西村 昭 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友電 気工業株式会社大阪製作所内 (72)発明者 斉藤 瓊郎 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友電 気工業株式会社大阪製作所内 (72)発明者 大見 則親 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友電 気工業株式会社大阪製作所内
Claims (8)
- 【請求項１】 １ＴＨｚ以下の電磁波の位相を遅延させ
るための遅延量の制御が可能な移相器であって、 互いに対向して設けられ、前記電磁波を伝送するととも
に、一方と他方の間に前記遅延量を制御するための前記
電磁波よりも低い周波数の制御電圧が印加される１対の
伝送線、および前記１対の伝送線の間に設けられ、前記
制御電圧に応じてその誘電率が変化する絶縁性物質を備
える、移相器。 - 【請求項２】 前記絶縁性物質は、強誘電性物質を含
む、請求項１に記載の移相器。 - 【請求項３】 前記強誘電性物質は、微粒子化されてポ
リマ中に分散されている、請求項２に記載の移相器。 - 【請求項４】 前記絶縁性物質は、反強誘電性物質を含
む、請求項１に記載の移相器。 - 【請求項５】 前記反強誘電性物質は、微粒子化されて
ポリマ中に分散されている、請求項４に記載の移相器。 - 【請求項６】 前記絶縁性物質は、液晶性物質を含む、
請求項１に記載の移相器。 - 【請求項７】 前記液晶性物質は、微粒子化されてポリ
マ中に分散されている、請求項６に記載の移相器。 - 【請求項８】 前記制御電圧は、直流電圧である、請求
項１から請求項７のいずれかに記載の移相器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3883798A JPH11239002A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 移相器 |
| PCT/JP1999/000742 WO1999043036A1 (fr) | 1998-02-20 | 1999-02-18 | Dephaseur et antenne a balayage |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3883798A JPH11239002A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 移相器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11239002A true JPH11239002A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12536333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3883798A Withdrawn JPH11239002A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11239002A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100385737C (zh) * | 2006-02-20 | 2008-04-30 | 浙江大学 | 用bst陶瓷材料制作的微型电控波束扫描阵列微带天线 |
| WO2012076745A1 (en) * | 2010-12-09 | 2012-06-14 | Nokia Corporation | A voltage-tunable phase shifter and associated methods |
| US8508318B2 (en) | 2007-03-16 | 2013-08-13 | Nec Corporation | Transmission line filter |
| CN108054498A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-05-18 | 江西沃格光电股份有限公司 | 微波充电的超表面天线制备方法及装置 |
| WO2020161992A1 (ja) * | 2019-02-06 | 2020-08-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | フェーズドアレイアンテナ装置 |
-
1998
- 1998-02-20 JP JP3883798A patent/JPH11239002A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8803636B2 (en) | 2010-12-09 | 2014-08-12 | Nokia Corporation | Apparatus and associated methods |
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| CN108054498B (zh) * | 2017-12-06 | 2020-10-16 | 江西沃格光电股份有限公司 | 微波充电的超表面天线制备方法及装置 |
| WO2020161992A1 (ja) * | 2019-02-06 | 2020-08-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | フェーズドアレイアンテナ装置 |
| JP2020127155A (ja) * | 2019-02-06 | 2020-08-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | フェーズドアレイアンテナ装置 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |