JPH1123873A - Method for slitting optical waveguide component - Google Patents

Method for slitting optical waveguide component

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JPH1123873A
JPH1123873A JP9172690A JP17269097A JPH1123873A JP H1123873 A JPH1123873 A JP H1123873A JP 9172690 A JP9172690 A JP 9172690A JP 17269097 A JP17269097 A JP 17269097A JP H1123873 A JPH1123873 A JP H1123873A
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JP
Japan
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slit
optical waveguide
forming
core
component
Prior art date
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Application number
JP9172690A
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Japanese (ja)
Inventor
Shuichi Tamura
修一 田村
Takeo Shimizu
健男 清水
Akira Mugino
明 麦野
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Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the slitting method for an optical waveguide component which facilitates the formation of a slit, prolongs the life of a blade, and hardly cracks the slit. SOLUTION: The slit 27 for inserting an optical component into an optical waveguide core 22 is formed by etching and mechanical cutting in an optical waveguide component having an optical waveguide formed of an inside clad 21, the optical waveguide core 22, and an outside clad 23 on an Si substrate 10. Consequently, The cutting quantity of the hard optical waveguide part becomes small and damage to the blade 20 at the time of the formation of the slit 27 is reduced. The etched slit 27 hardly cracks.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、Si基板上に形成
された光導波路コアの所定箇所に、光学部品(誘電体多
層膜フィルターや反射ミラーなど)を挿入するためのス
リットを良好な形状に効率よく形成する方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a slit for inserting an optical component (such as a dielectric multilayer filter or a reflection mirror) at a predetermined position in an optical waveguide core formed on a Si substrate. The present invention relates to a method for efficiently forming the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】光導波路部品は、図12に示すように、S
i基板10上に光導波路20を設けたもので、前記光導波路
20は、内側クラッド21、光導波路コア22、外側クラッド
23などから構成される。この光導波路部品は、例えば、
Si基板10上に石英を主原料とする内側クラッド層21を
形成し、その上に光導波路コア22層を形成し、前記光導
波路コア22層の光導波路コア22となる以外の箇所をエッ
チングにより除去し、そのあとに外側クラッド層23を形
成することにより製造される。ところで、光導波路コア
22には、図13に示すように、光学部品を挿入するための
スリット27が光導波路コア22を横切る方向に形成される
ことが多い。スリット27は光損失を抑えるため数十μm
程度の巾wに形成する必要があり、その形成にはエッチ
ング法またはダイシングソーによる機械的切削法などが
用いられる。前記ダイシングソーのブレード(刃)に
は、通常、巾狭切削に適したメタル系材料でボンドされ
たブレードが用いられる。
2. Description of the Related Art As shown in FIG.
An optical waveguide 20 is provided on an i-substrate 10.
20 is an inner cladding 21, an optical waveguide core 22, an outer cladding
Consists of 23 and others. This optical waveguide component is, for example,
An inner cladding layer 21 mainly made of quartz is formed on a Si substrate 10, an optical waveguide core 22 layer is formed thereon, and portions of the optical waveguide core 22 other than the optical waveguide core 22 are etched by etching. It is manufactured by removing and then forming the outer cladding layer 23. By the way, the optical waveguide core
13, a slit 27 for inserting an optical component is often formed in a direction crossing the optical waveguide core 22, as shown in FIG. Slit 27 is several tens of μm to suppress light loss
It needs to be formed to a width w of the order of magnitude, and an etching method or a mechanical cutting method using a dicing saw is used for the formation. As the blade (blade) of the dicing saw, a blade bonded with a metal material suitable for narrow cutting is usually used.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、光導波路コア
22にスリット27を形成するのは、光導波路は石英製で硬
いためブレードが傷み易く、また図14に示すようにスリ
ット27に欠け26が生じ、それが光導波路コア22にまで達
すると光損失が増大するという問題があった。本発明の
目的は、スリット形成でのブレードの寿命を長くでき、
しかもスリットに欠けが生じ難い光導波路部品へのスリ
ット形成方法を提供することにある。
However, an optical waveguide core is required.
The reason why the slit 27 is formed in the optical waveguide 22 is that the optical waveguide is made of quartz and hard, so that the blade is easily damaged, and as shown in FIG. However, there is a problem that the number increases. An object of the present invention is to lengthen the life of a blade in slit formation,
Moreover, it is an object of the present invention to provide a method for forming a slit in an optical waveguide component in which the slit is unlikely to be chipped.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
Si基板上に内側クラッド、光導波路コア、外側クラッ
ドからなる光導波路が設けられた光導波路部品に、エッ
チングと機械的切削により前記コアに光学部品を挿着す
るスリットを形成することを特徴とする光導波路部品へ
のスリット形成方法である。
According to the first aspect of the present invention,
A slit for inserting an optical component into the core by etching and mechanical cutting is formed in an optical waveguide component provided with an optical waveguide comprising an inner clad, an optical waveguide core, and an outer clad on a Si substrate. This is a method for forming a slit in an optical waveguide component.

【0005】請求項2記載の発明は、Si基板上に内側
クラッド、光導波路コア、外側クラッドからなる光導波
路が設けられた光導波路部品の前記コアに光学部品を挿
着するスリットの形成方法において、該スリットを形成
する位置の前記外側クラッドに所定深さの溝をエッチン
グにより形成し、該溝を辿って機械的切削によりスリッ
トを形成することを特徴とする光導波路部品へのスリッ
ト形成方法である。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of forming a slit for inserting an optical component into the core of an optical waveguide component provided with an optical waveguide comprising an inner cladding, an optical waveguide core and an outer cladding on a Si substrate. Forming a groove of a predetermined depth in the outer cladding at a position where the slit is to be formed by etching, and forming a slit by mechanical cutting along the groove to form a slit in the optical waveguide component. is there.

【0006】請求項3記載の発明は、光導波路部品のコ
アに光学部品を挿着するスリットを形成する方法におい
て、該スリットを、該スリットを形成する位置に突起部
を設けたSi基板上に内側クラッド、光導波路コア、外
側クラッドを順次設け、前記Si基板上に設けた突起部
に沿って機械的に切削して形成することを特徴とする光
導波路部品へのスリット形成方法である。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of forming a slit for inserting an optical component into a core of an optical waveguide component, the slit being formed on a Si substrate having a projection at a position where the slit is formed. An inner clad, an optical waveguide core, and an outer clad are sequentially provided, and are formed by mechanically cutting along a projection provided on the Si substrate.

【0007】請求項4記載の発明は、光導波路部品のコ
アに光学部品を挿着するスリットを形成する方法におい
て、該スリットを、該スリットを形成する位置に突起部
を設けたSi基板上に内側クラッド、光導波路コア、外
側クラッドを順次設け、前記Si基板上に設けた突起部
に沿って外側クラッド面から所定の深さにエッチング溝
を形成し、該溝を辿って機械的に切削して形成すること
を特徴とする光導波路部品へのスリット形成方法であ
る。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of forming a slit for inserting an optical component into a core of an optical waveguide component, the slit being formed on a Si substrate having a projection at a position where the slit is formed. An inner clad, an optical waveguide core, and an outer clad are sequentially provided, an etching groove is formed at a predetermined depth from the outer clad surface along the projection provided on the Si substrate, and the groove is mechanically cut along the groove. This is a method for forming a slit in an optical waveguide component.

【0008】請求項5記載の発明は、請求項3に記載の
Si基板に設けた突起部が内側クラッドを貫通している
ことを特徴とする光導波路部品へのスリット形成方法で
ある。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for forming a slit in an optical waveguide component, wherein the protrusion provided on the Si substrate according to the third aspect penetrates the inner cladding.

【0009】請求項6記載の発明は、請求項4に記載の
Si基板に設けた突起部が内側クラッドを貫通している
ことを特徴とする光導波路部品へのスリット形成方法で
ある。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for forming a slit in an optical waveguide component, wherein the projection provided on the Si substrate according to the fourth aspect penetrates the inner cladding.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の光導波路部品へ
のスリット形成方法を図を参照して具体的に説明する。
図1は請求項1記載のスリット形成方法の第1の例を示
す縦断面図である。この方法は、予め光導波路コア(以
下コアと略記する)22部分から内側クラッド21を貫通す
るエッチング部24を形成しておき、このエッチング部24
を辿るようにブレード30で基板10を切削してスリット27
を形成し製造するものである。図2はスリット形成中の
図である。エッチング部24の巾がブレード30の厚さより
若干広くなっているため、ブレード30は硬質の光導波路
20部分とは全く接触しない。従ってブレード30は殆ど劣
化しない。また予めエッチング部24が形成されているの
で切削時にスリットに欠けが生じ難い。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for forming a slit in an optical waveguide component according to the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a first example of the slit forming method according to the first aspect. According to this method, an etching portion 24 penetrating through the inner cladding 21 from an optical waveguide core (hereinafter abbreviated as core) 22 is formed in advance, and the etching portion 24 is formed.
Cut the substrate 10 with the blade 30 so that
Is formed and manufactured. FIG. 2 is a view during the formation of the slit. The width of the etched portion 24 is slightly wider than the thickness of the blade 30, so that the blade 30 is a hard optical waveguide.
No contact with 20 parts at all. Therefore, the blade 30 hardly deteriorates. Further, since the etched portion 24 is formed in advance, the slit is unlikely to be chipped during cutting.

【0011】図3は、請求項1記載のスリット形成方法
の第2の例を示す縦断面図である。図3の光導波路部品
のエッチング部24はコア22を少し越えたところまで形成
されている。図4は、請求項2記載のスリット形成方法
の例を示す縦断面図である。光導波路部品のエッチング
部24はコア22の手前まで形成されている。本実施例でも
予めエッチング部24が形成されているので切削時にスリ
ット27に欠けが生じ難い。また硬質の光導波路20部分の
切削量がエッチング部24だけ少なくなり、ブレード30の
傷みが低減される。ブレードの傷み低減とスリット部分
の欠け抑制以外に、エッチング時間が短く生産性が高い
という利点がある。図4に示したものはスリットがブレ
ード切削面となるためコア22部のスリット幅が均一にな
る。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a second example of the slit forming method according to the first aspect. The etched portion 24 of the optical waveguide component shown in FIG. 3 is formed to a position slightly beyond the core 22. FIG. 4 is a vertical sectional view showing an example of the slit forming method according to the second aspect. The etched portion 24 of the optical waveguide component is formed up to just before the core 22. Also in this embodiment, since the etching portion 24 is formed in advance, the slit 27 is not easily chipped during cutting. In addition, the amount of cutting of the hard optical waveguide 20 is reduced only in the etched portion 24, and damage to the blade 30 is reduced. In addition to reducing damage to the blade and suppressing chipping of the slit portion, there is an advantage that the etching time is short and the productivity is high. In the example shown in FIG. 4, since the slit serves as a blade cutting surface, the slit width of the core 22 becomes uniform.

【0012】前記エッチング部24は、図12に示した光導
波路部品の表面を、エッチング部24以外の箇所をフォト
リソグラフィー法により選択的にエッチングすることに
より容易に形成できる。エッチング部24の形成箇所はコ
ア22部を含めても含めなくても良い。エッチング深さは
光導波路全体でも、その一部でも、またはSi基板に食
込む深さでも良い。前記エッチングにはドライエッチン
グ法、リアクティブイオンエッチング法、ウエットエッ
チング法などが適用できる。
The etching portion 24 can be easily formed by selectively etching the surface of the optical waveguide component shown in FIG. 12 except for the etching portion 24 by photolithography. The location where the etched portion 24 is formed may or may not include the core 22 portion. The etching depth may be the entire optical waveguide, a part thereof, or a depth penetrating the Si substrate. For the etching, a dry etching method, a reactive ion etching method, a wet etching method, or the like can be applied.

【0013】図5、6は請求項1のスリット形成方法の
第4の例を示すそれぞれ縦断面図および平面図である。
このものは、スリットを形成する部分のうちコア22部を
外れた部分を線状にエッチングしたもので、該エッチン
グ線を辿って機械的に切削してスリットを形成する。こ
のようにスリットを形成するとスリットが必ずブレード
切削面となり、スリット幅が均一になる。また硬質の光
導波路部分の切削量がエッチング部24だけ少なくなりブ
レードの傷みが低減される。図5、6に示した方法は、
エッチング法などの制約から、エッチング面をコア22の
長さ方向に対して垂直に形成するのが困難で、エッチン
グ24部をコア22部に形成するとコア部のスリット巾が広
くなり、またスリット巾が不均一になるような場合に適
する。
FIGS. 5 and 6 are a longitudinal sectional view and a plan view, respectively, showing a fourth example of the slit forming method according to the present invention.
This is a portion obtained by linearly etching a portion of the portion forming the slit that is outside the core 22 portion, and mechanically cutting along the etching line to form the slit. When the slit is formed in this way, the slit always becomes a blade cutting surface, and the slit width becomes uniform. Further, the amount of cutting of the hard optical waveguide portion is reduced only in the etched portion 24, and damage to the blade is reduced. The method shown in FIGS.
It is difficult to form the etched surface perpendicular to the length direction of the core 22 due to limitations such as the etching method.If the etched portion is formed in the core 22 portion, the slit width of the core portion is increased, and the slit width is increased. This is suitable for the case where is uneven.

【0014】図7、8は請求項3のスリット形成方法の
第1の例を示す縦断面図および平面図である。このもの
はスリットを形成する部分のうちコア22部を除く部分に
突起部25を形成したSi基板10上に光導波路20を設けた
もので、該突起部25に沿って機械的に切削してスリット
を形成する。このものはコア部が切削面となりその幅が
均一になる。また硬質の光導波路部分の切削量がSi基
板の突起部25だけ少なくなるが、突起部25の高さが光導
波路20の厚さに等しいので、ブレードの傷みは著しく低
減される。突起部25をコア22部を除いて形成する理由
は、突起部25をエッチングで形成すると突起部25が断面
台形状に形成される場合が多く、コア22部のスリット巾
を狭く形成できなくなるためである。図9は請求項3の
スリット形成方法の第2の例を示す縦断面図および平面
図である。このものは突起部25が光導波路20の厚さの半
分を占めている。
FIGS. 7 and 8 are a longitudinal sectional view and a plan view showing a first example of the slit forming method according to the third aspect. This is one in which the optical waveguide 20 is provided on the Si substrate 10 in which the projection 25 is formed in a portion excluding the core 22 among the slit forming portions, and is mechanically cut along the projection 25. Form a slit. In this case, the core portion becomes a cutting surface and its width becomes uniform. Further, the amount of cutting of the hard optical waveguide portion is reduced by the protrusion 25 of the Si substrate, but since the height of the protrusion 25 is equal to the thickness of the optical waveguide 20, damage to the blade is significantly reduced. The reason for forming the protruding portion 25 except for the core 22 portion is that, when the protruding portion 25 is formed by etching, the protruding portion 25 is often formed in a trapezoidal cross section, so that the slit width of the core 22 portion cannot be formed narrower. It is. FIG. 9 is a longitudinal sectional view and a plan view showing a second example of the slit forming method according to the third aspect. In this case, the protrusion 25 occupies half of the thickness of the optical waveguide 20.

【0015】図10,11 は請求項4のスリット形成方法の
例を示す縦断面図である。このものは、スリットを形成
する部分のうちコア部を除く部分に突起部25を形成した
Si基板10上に光導波路20を設け、該突起部25に沿って
線状にエッチングしたもので、該エッチング線を辿って
機械的に切削してスリットを形成する。このものはコア
部が切削面となりその幅が均一になる上、スリットの欠
けも生じ難い。また硬質の光導波路部分の切削量がエッ
チング部24と突起部25だけ少なくなりブレードの傷みが
低減される。図10,11 に示したものは、突起部を低く、
エッチングを浅くすることができ、従って突起部または
エッチング部のみを形成する場合に較べてエッチング時
間を短縮できる。突起部を断続的に形成し、エッチング
部を連続的に形成するなどしても良い。図11に示したも
のは、切削する硬質の光導波路部分が極めて少なくブレ
ードの傷みが著しく低減される。
FIGS. 10 and 11 are longitudinal sectional views showing an example of the slit forming method according to the fourth aspect. This is one in which an optical waveguide 20 is provided on a Si substrate 10 in which a protrusion 25 is formed in a portion excluding a core portion among slit forming portions, and is linearly etched along the protrusion 25. A slit is formed by mechanically cutting along the etching line. In this case, the core portion becomes a cutting surface, the width of which becomes uniform, and the chipping of the slit hardly occurs. In addition, the amount of cutting of the hard optical waveguide portion is reduced only in the etched portion 24 and the protruding portion 25, and damage to the blade is reduced. The one shown in FIGS. 10 and 11 has a lower projection,
The etching can be made shallower, so that the etching time can be shortened as compared with the case where only the protrusions or the etched portions are formed. The protrusions may be formed intermittently, and the etching portions may be formed continuously. In FIG. 11, the hard optical waveguide portion to be cut is extremely small, and the damage to the blade is significantly reduced.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上に述べたように、本発明のスリット
形成方法によれば、硬質の光導波路部分の切削量がエッ
チング部または/およびSi基板の突起部だけ少なくな
り、スリット形成時のブレードの傷みが低減される。コ
ア部を切削するものはコア部が切削面となりその幅が均
一になる。エッチング部を設けたものはスリットの欠け
が生じ難い。依って、工業上顕著な効果を奏する。
As described above, according to the slit forming method of the present invention, the amount of cutting of the hard optical waveguide portion is reduced only in the etched portion and / or the protruding portion of the Si substrate. Damage is reduced. When the core portion is cut, the core portion becomes a cut surface and its width becomes uniform. In the case where the etching portion is provided, the slit is less likely to be chipped. Therefore, an industrially remarkable effect is achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】請求項1のスリット形成方法の第1の例を示す
縦断面図である。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a first example of the slit forming method of the first embodiment.

【図2】図1のスリットを入れた状態の縦断面図であ
る。
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a state where a slit of FIG. 1 is inserted.

【図3】請求項1のスリット形成方法の第2の例を示す
縦断面図である。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a second example of the slit forming method according to the first embodiment.

【図4】請求項2のスリット形成方法の第3の例を示す
縦断面図である。
FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a third example of the slit forming method according to claim 2;

【図5】請求項1のスリット形成方法の第4の例を示す
縦断面図である。
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a fourth example of the slit forming method according to the first embodiment.

【図6】図5の平面図である。FIG. 6 is a plan view of FIG. 5;

【図7】請求項3のスリット形成方法の第2の例を示す
縦断面図である。
FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing a second example of the slit forming method according to claim 3;

【図8】図7の平面図である。FIG. 8 is a plan view of FIG. 7;

【図9】請求項3のスリット形成方法の第3の例を示す
縦断面図である。
FIG. 9 is a longitudinal sectional view showing a third example of the slit forming method according to the third embodiment.

【図10】請求項4のスリット形成方法の第2の例を示す
縦断面図である。
FIG. 10 is a longitudinal sectional view showing a second example of the slit forming method according to claim 4.

【図11】請求項4のスリット形成方法の第3の例を示す
縦断面図である。
FIG. 11 is a longitudinal sectional view showing a third example of the slit forming method according to claim 4.

【図12】光導波路部品の縦断面図である。FIG. 12 is a longitudinal sectional view of the optical waveguide component.

【図13】スリットを入れた光導波路部品の縦断面図であ
る。
FIG. 13 is a longitudinal sectional view of an optical waveguide component having slits.

【図14】スリットに欠けが生じた光導波路部品の縦断面
図である。
FIG. 14 is a longitudinal sectional view of an optical waveguide component in which a slit has been broken.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 Si基板 20 光導波路 21 内側クラッド 22 光導波路コア 23 外側クラッド 24 エッチング部 25 突起部 26 欠け 27 スリット 30 ブレード 10 Si substrate 20 Optical waveguide 21 Inner cladding 22 Optical waveguide core 23 Outer cladding 24 Etching part 25 Projection part 26 Chipping 27 Slit 30 Blade

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 Si基板上に内側クラッド、光導波路コ
ア、外側クラッドからなる光導波路が設けられた光導波
路部品に、エッチングと機械的切削により前記コアに光
学部品を挿着するスリットを形成することを特徴とする
光導波路部品へのスリット形成方法。
1. A slit for inserting an optical component into said core by etching and mechanical cutting in an optical waveguide component having an optical waveguide comprising an inner cladding, an optical waveguide core, and an outer cladding provided on a Si substrate. A method for forming a slit in an optical waveguide component.
【請求項2】 Si基板上に内側クラッド、光導波路コ
ア、外側クラッドからなる光導波路が設けられた光導波
路部品の前記コアに光学部品を挿着するスリットの形成
方法において、該スリットを形成する位置の前記外側ク
ラッドに所定深さの溝をエッチングにより形成し、該溝
を辿って機械的切削によりスリットを形成することを特
徴とする光導波路部品へのスリット形成方法。
2. A method for forming a slit for inserting an optical component into the core of an optical waveguide component provided with an optical waveguide comprising an inner cladding, an optical waveguide core, and an outer cladding on a Si substrate. A method for forming a slit in an optical waveguide component, comprising: forming a groove of a predetermined depth in the outer cladding at a position by etching; and forming a slit by mechanical cutting following the groove.
【請求項3】 光導波路部品のコアに光学部品を挿着す
るスリットを形成する方法において、該スリットを、該
スリットを形成する位置に突起部を設けたSi基板上に
内側クラッド、光導波路コア、外側クラッドを順次設
け、前記Si基板上に設けた突起部に沿って機械的に切
削して形成することを特徴とする光導波路部品へのスリ
ット形成方法。
3. A method for forming a slit for inserting an optical component into a core of an optical waveguide component, comprising: forming a slit on a Si substrate having a projection at a position where the slit is formed; Forming a slit on the optical waveguide component by sequentially providing an outer cladding and mechanically cutting the protrusion along the protrusion provided on the Si substrate.
【請求項4】 光導波路部品のコアに光学部品を挿着す
るスリットを形成する方法において、該スリットを、該
スリットを形成する位置に突起部を設けたSi基板上に
内側クラッド、光導波路コア、外側クラッドを順次設
け、前記Si基板上に設けた突起部に沿って外側クラッ
ド面から所定の深さにエッチング溝を形成し、該溝を辿
って機械的に切削して形成することを特徴とする光導波
路部品へのスリット形成方法。
4. A method of forming a slit for inserting an optical component into a core of an optical waveguide component, comprising: forming a slit on a Si substrate provided with a projection at a position where the slit is formed; An outer cladding is sequentially provided, an etching groove is formed at a predetermined depth from the outer cladding surface along the protrusion provided on the Si substrate, and the groove is formed by mechanically cutting along the groove. Forming a slit in the optical waveguide component.
【請求項5】 請求項3に記載のSi基板に設けた突起
部が内側クラッドを貫通していることを特徴とする光導
波路部品へのスリット形成方法。
5. A method for forming a slit in an optical waveguide component, wherein the projection provided on the Si substrate according to claim 3 penetrates the inner cladding.
【請求項6】 請求項4に記載のSi基板に設けた突起
部が内側クラッドを貫通していることを特徴とする光導
波路部品へのスリット形成方法。
6. A method for forming a slit in an optical waveguide component, wherein the projection provided on the Si substrate according to claim 4 penetrates the inner cladding.
JP9172690A 1997-06-30 1997-06-30 Method for slitting optical waveguide component Pending JPH1123873A (en)

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JP9172690A JPH1123873A (en) 1997-06-30 1997-06-30 Method for slitting optical waveguide component

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JP9172690A JPH1123873A (en) 1997-06-30 1997-06-30 Method for slitting optical waveguide component

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7197220B2 (en) 2002-03-13 2007-03-27 Nec Corporation Optical waveguide device and fabricating method thereof
JP2010113055A (en) * 2008-11-05 2010-05-20 Ntt Electornics Corp Optical waveguide device and method for producing the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7197220B2 (en) 2002-03-13 2007-03-27 Nec Corporation Optical waveguide device and fabricating method thereof
US7477823B2 (en) 2002-03-13 2009-01-13 Nec Corporation Optical waveguide device and fabricating method thereof
US7672559B2 (en) 2002-03-13 2010-03-02 Nec Corporation Optical waveguide device and fabricating method thereof
JP2010113055A (en) * 2008-11-05 2010-05-20 Ntt Electornics Corp Optical waveguide device and method for producing the same

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