JPH11236605A - ニッケル粉の製造方法 - Google Patents
ニッケル粉の製造方法Info
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- JPH11236605A JPH11236605A JP5591398A JP5591398A JPH11236605A JP H11236605 A JPH11236605 A JP H11236605A JP 5591398 A JP5591398 A JP 5591398A JP 5591398 A JP5591398 A JP 5591398A JP H11236605 A JPH11236605 A JP H11236605A
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- nicl
- nickel powder
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 還元反応速度の上昇、生成されるニッケル粉
の平均粒径の細かな制御および未反応NiCl2 ガスの抑制
を可能とし、生産効率の向上が図られるニッケル粉の製
造方法を提供する。 【解決手段】 NiCl2 ガスを、水素ガス供給管２１から
水素ガスが供給されて水素ガス雰囲気とされた還元炉２
内に、還元温度（９００〜１１００℃）における線速
（理想気体を仮定した計算値）を１〜３０ｍ／秒の範囲
をもって、かつその分圧を０．５〜１．０に設定して噴
出させる。
の平均粒径の細かな制御および未反応NiCl2 ガスの抑制
を可能とし、生産効率の向上が図られるニッケル粉の製
造方法を提供する。 【解決手段】 NiCl2 ガスを、水素ガス供給管２１から
水素ガスが供給されて水素ガス雰囲気とされた還元炉２
内に、還元温度（９００〜１１００℃）における線速
（理想気体を仮定した計算値）を１〜３０ｍ／秒の範囲
をもって、かつその分圧を０．５〜１．０に設定して噴
出させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品用導電ペ
ーストフィラー等に用いられて好適なニッケル粉の製造
方法に関する。
ーストフィラー等に用いられて好適なニッケル粉の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇなどの導電性の金属粉
末は、積層セラミックコンデンサの内部電極形成用とし
て有用であり、とりわけニッケル粉は、そのような用途
として最近注目されている。中でも乾式の製造方法によ
って製造したニッケル超微粉が有望視されている。特
に、コンデンサの小型化、大容量化に伴い、内部電極の
薄層化・低抵抗化等の要求から、粒径１．０μｍ以下の
超微粉が要望されている。
末は、積層セラミックコンデンサの内部電極形成用とし
て有用であり、とりわけニッケル粉は、そのような用途
として最近注目されている。中でも乾式の製造方法によ
って製造したニッケル超微粉が有望視されている。特
に、コンデンサの小型化、大容量化に伴い、内部電極の
薄層化・低抵抗化等の要求から、粒径１．０μｍ以下の
超微粉が要望されている。
【０００３】このような微細なニッケル粉を製造する方
法の１つとして、気相還元法が挙げられる。例えば、特
開平８−２４６００１号公報では、固体塩化ニッケルを
加熱蒸発（昇華）させてNiCl2 ガスを充満させた反応器
内に、水素ガスをアルゴンガス等の不活性ガスとともに
供給して還元反応を起こさせ、ニッケル粉を析出させる
方法が開示されている。同方法によれば、平均粒径が
０．１〜１．０μｍのニッケル粉の生成が可能とされて
いる。
法の１つとして、気相還元法が挙げられる。例えば、特
開平８−２４６００１号公報では、固体塩化ニッケルを
加熱蒸発（昇華）させてNiCl2 ガスを充満させた反応器
内に、水素ガスをアルゴンガス等の不活性ガスとともに
供給して還元反応を起こさせ、ニッケル粉を析出させる
方法が開示されている。同方法によれば、平均粒径が
０．１〜１．０μｍのニッケル粉の生成が可能とされて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記公報に
開示されているようなニッケル粉の製造方法によると、
反応器内のNiCl2 の蒸発速度が遅いため還元反応速度を
上げるのに限界があり、また、NiCl2 ガスが未反応のま
ま残存したり、あるいはNiCl2 ガスの全てを還元反応さ
せるには時間が長くかかったりするなどにより、生産効
率に劣ることが想定される。さらに、生成されるニッケ
ル粉の平均粒径が０．１〜１．０μｍと微細になり得た
としても、その範囲内で粒径を制御する要望には応えら
れないものである。したがって本発明は、還元反応速度
の向上、生成されるニッケル粉の平均粒径の細かな制御
および未反応NiCl2 ガスの抑制を可能とし、生産効率の
向上が図られるニッケル粉の製造方法を提供することを
目的としている。
開示されているようなニッケル粉の製造方法によると、
反応器内のNiCl2 の蒸発速度が遅いため還元反応速度を
上げるのに限界があり、また、NiCl2 ガスが未反応のま
ま残存したり、あるいはNiCl2 ガスの全てを還元反応さ
せるには時間が長くかかったりするなどにより、生産効
率に劣ることが想定される。さらに、生成されるニッケ
ル粉の平均粒径が０．１〜１．０μｍと微細になり得た
としても、その範囲内で粒径を制御する要望には応えら
れないものである。したがって本発明は、還元反応速度
の向上、生成されるニッケル粉の平均粒径の細かな制御
および未反応NiCl2 ガスの抑制を可能とし、生産効率の
向上が図られるニッケル粉の製造方法を提供することを
目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、まず、従来
のようにNiCl2 ガス雰囲気中に水素ガスを供給する方法
が反応速度の限界と未反応NiCl2 ガスの発生を惹起して
おり、これとは逆に、水素ガス雰囲気中にNiCl2 ガスを
送り込めば、それらの不具合を解消することができるの
ではないかと推測した。そして、実際に水素ガス雰囲気
中にNiCl2 ガスを噴出という形態で送り込み、ニッケル
粉を生成する実験を重ねて定量的に解析を試みた。その
結果、上記不具合が解消されるに至り、さらに、NiCl2
ガスの噴出速度および分圧が、生成されるニッケル粉の
粒径に影響し、具体的には、噴出速度および分圧がある
範囲内において平均粒径が０．１〜１．０μｍとなり、
かつ噴出速度が速いほど、また分圧が低いほど、粒径が
小さくなることを見い出した。よって本発明はこのよう
な知見に基づいてなされたもので、分圧が０．５〜１．
０のNiCl2 ガスを、還元性ガス雰囲気とされた還元炉内
に、線速１〜３０ｍ／秒で供給することを特徴としてい
る。なお、NiCl2 ガスとしては、例えば、NiCl 2 を蒸発
させて得たもの、あるいは金属ニッケルを塩化して生成
したものなどを用いることができる。
のようにNiCl2 ガス雰囲気中に水素ガスを供給する方法
が反応速度の限界と未反応NiCl2 ガスの発生を惹起して
おり、これとは逆に、水素ガス雰囲気中にNiCl2 ガスを
送り込めば、それらの不具合を解消することができるの
ではないかと推測した。そして、実際に水素ガス雰囲気
中にNiCl2 ガスを噴出という形態で送り込み、ニッケル
粉を生成する実験を重ねて定量的に解析を試みた。その
結果、上記不具合が解消されるに至り、さらに、NiCl2
ガスの噴出速度および分圧が、生成されるニッケル粉の
粒径に影響し、具体的には、噴出速度および分圧がある
範囲内において平均粒径が０．１〜１．０μｍとなり、
かつ噴出速度が速いほど、また分圧が低いほど、粒径が
小さくなることを見い出した。よって本発明はこのよう
な知見に基づいてなされたもので、分圧が０．５〜１．
０のNiCl2 ガスを、還元性ガス雰囲気とされた還元炉内
に、線速１〜３０ｍ／秒で供給することを特徴としてい
る。なお、NiCl2 ガスとしては、例えば、NiCl 2 を蒸発
させて得たもの、あるいは金属ニッケルを塩化して生成
したものなどを用いることができる。
【０００６】すなわち本発明では、NiCl2 ガスの噴出速
度および分圧を、生成されるニッケル粉の粒径制御因子
としている。まず、NiCl2 ガスの噴出速度は、理想気体
を仮定した還元温度（例えば９００〜１１００℃）にお
ける計算値では１〜３０ｍ／秒の場合に平均粒径が０．
１〜１．０μｍのニッケル粉を生成することができる。
さらにこの範囲の中で、０．１〜０．３μｍのような小
粒径のニッケル粉を生成する場合には、およそ５〜２０
ｍ／秒、また、０．４〜１．０μｍのニッケル粉を生成
する場合には、およそ１〜１５ｍ／秒が好ましく、NiCl
2 ガスの噴出速度が速いほどニッケル粉の平均粒径を微
細化することができる。一方、NiCl2 ガスの分圧は、Ni
Cl2 ガスを還元炉内に噴出させる際に、窒素ガスやアル
ゴンガス等の不活性ガスを混合することにより目的の範
囲内に調整することができる。そして、NiCl2 ガスの分
圧を０．５〜１．０の範囲とすることにより０．１〜
１．０μｍの平均粒径を得ることができ、とりわけ粒径
０．２〜０．５μｍといった小粒径のニッケル粉を生成
する場合には、分圧０．６〜０．９程度が好適である。
NiCl2 ガスの分圧を高めるとニッケル粉の粒径を増大さ
せることができ、逆にNiCl2 ガスの分圧を低めるとニッ
ケル粉の粒径を小さくすることができる。
度および分圧を、生成されるニッケル粉の粒径制御因子
としている。まず、NiCl2 ガスの噴出速度は、理想気体
を仮定した還元温度（例えば９００〜１１００℃）にお
ける計算値では１〜３０ｍ／秒の場合に平均粒径が０．
１〜１．０μｍのニッケル粉を生成することができる。
さらにこの範囲の中で、０．１〜０．３μｍのような小
粒径のニッケル粉を生成する場合には、およそ５〜２０
ｍ／秒、また、０．４〜１．０μｍのニッケル粉を生成
する場合には、およそ１〜１５ｍ／秒が好ましく、NiCl
2 ガスの噴出速度が速いほどニッケル粉の平均粒径を微
細化することができる。一方、NiCl2 ガスの分圧は、Ni
Cl2 ガスを還元炉内に噴出させる際に、窒素ガスやアル
ゴンガス等の不活性ガスを混合することにより目的の範
囲内に調整することができる。そして、NiCl2 ガスの分
圧を０．５〜１．０の範囲とすることにより０．１〜
１．０μｍの平均粒径を得ることができ、とりわけ粒径
０．２〜０．５μｍといった小粒径のニッケル粉を生成
する場合には、分圧０．６〜０．９程度が好適である。
NiCl2 ガスの分圧を高めるとニッケル粉の粒径を増大さ
せることができ、逆にNiCl2 ガスの分圧を低めるとニッ
ケル粉の粒径を小さくすることができる。
【０００７】ところで、NiCl2 ガスと還元性ガスによる
還元反応が進行する際、還元炉内へのNiCl2 ガスの噴出
部からは、ＬＰＧなどの気体燃料の燃焼炎に似たよう
な、下方に延びる輝炎（以下、火炎と称する）が発生す
る。この火炎が乱れるとニッケル粉の安定生成に影響を
及ぼすので、還元炉内に供給する還元性ガスが火炎を乱
すようなことがあってはならない。そのためには、NiCl
2 ガスが炉内に略垂直下方に噴出され、かつ還元性ガス
の供給部が、NiCl2 ガスの噴出部よりも上方に配置され
ている縦型還元炉を用いることが好ましい。さらに火炎
に乱れを起こさせないためには、還元性ガスの縦方向の
線速が、NiCl2 ガスの噴出速度の１／５０〜１／３０
０、好ましくは１／８０〜１／２５０がよい。このよう
に還元性ガスの供給状態を制御することにより、実質的
には静的還元性ガス雰囲気中へNiCl2ガスが噴出する好
ましい状態となる。
還元反応が進行する際、還元炉内へのNiCl2 ガスの噴出
部からは、ＬＰＧなどの気体燃料の燃焼炎に似たよう
な、下方に延びる輝炎（以下、火炎と称する）が発生す
る。この火炎が乱れるとニッケル粉の安定生成に影響を
及ぼすので、還元炉内に供給する還元性ガスが火炎を乱
すようなことがあってはならない。そのためには、NiCl
2 ガスが炉内に略垂直下方に噴出され、かつ還元性ガス
の供給部が、NiCl2 ガスの噴出部よりも上方に配置され
ている縦型還元炉を用いることが好ましい。さらに火炎
に乱れを起こさせないためには、還元性ガスの縦方向の
線速が、NiCl2 ガスの噴出速度の１／５０〜１／３０
０、好ましくは１／８０〜１／２５０がよい。このよう
に還元性ガスの供給状態を制御することにより、実質的
には静的還元性ガス雰囲気中へNiCl2ガスが噴出する好
ましい状態となる。
【０００８】また、本発明によれば、還元性ガス雰囲気
中にNiCl2 ガスを噴出させるから、NiCl2 ガスの噴出速
度を速くすることにより還元反応速度を上げることが可
能であるとともに、NiCl2 ガスが未反応のまま残存する
ことが回避され、よって生産効率の向上が図られる。
中にNiCl2 ガスを噴出させるから、NiCl2 ガスの噴出速
度を速くすることにより還元反応速度を上げることが可
能であるとともに、NiCl2 ガスが未反応のまま残存する
ことが回避され、よって生産効率の向上が図られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の一実施形態を説明する。本実施形態は、まず、金属ニ
ッケルを塩化してNiCl2 ガスを生成する塩化工程と、そ
のNiCl2 ガスを水素ガス（還元性ガス）雰囲気の還元炉
内に噴出させてニッケル粉を生成する還元工程と、この
後の、ニッケル粉の冷却工程および回収工程とを備えて
いる。これら工程を、順を追って説明していく。
の一実施形態を説明する。本実施形態は、まず、金属ニ
ッケルを塩化してNiCl2 ガスを生成する塩化工程と、そ
のNiCl2 ガスを水素ガス（還元性ガス）雰囲気の還元炉
内に噴出させてニッケル粉を生成する還元工程と、この
後の、ニッケル粉の冷却工程および回収工程とを備えて
いる。これら工程を、順を追って説明していく。
【００１０】Ａ．塩化工程 塩化工程は、図１に示すような塩化炉１を用いて行うと
好適である。塩化炉１の上端面には、原料金属ニッケル
Ｍを供給するための原料供給管１１が設けられる。ま
た、塩化炉１の上側部には塩素ガス供給管１４が接続さ
れ、下側部には不活性ガス供給管１５が接続される。塩
化炉１の周囲には加熱手段１０が配置され、塩化炉１の
下端面には移送管兼ノズル（NiCl2 ガスの噴出部：以
下、単にノズルという）１７が接続される。塩化炉１は
縦型、横型を問わないが、固体−ガス接触反応を均一に
行うためには縦型が好ましい。塩素ガスは、流量計測し
て連続的に塩素ガス供給管１４から供給される。塩化炉
１およびその他の部材は、石英ガラス製が好ましい。ノ
ズル１７は後述する還元炉２の上端面に接続され、塩化
炉１で発生するNiCl2 ガス等を還元炉２へ移送する機能
を有する。また、ノズル１７の下端部は、還元炉２内に
突出してNiCl2 ガス噴出ノズルとして機能する。なお、
塩化炉１の底部には、図１に示すような網１６を設け、
網１６の上に金属ニッケルＭを堆積させるとよい。
好適である。塩化炉１の上端面には、原料金属ニッケル
Ｍを供給するための原料供給管１１が設けられる。ま
た、塩化炉１の上側部には塩素ガス供給管１４が接続さ
れ、下側部には不活性ガス供給管１５が接続される。塩
化炉１の周囲には加熱手段１０が配置され、塩化炉１の
下端面には移送管兼ノズル（NiCl2 ガスの噴出部：以
下、単にノズルという）１７が接続される。塩化炉１は
縦型、横型を問わないが、固体−ガス接触反応を均一に
行うためには縦型が好ましい。塩素ガスは、流量計測し
て連続的に塩素ガス供給管１４から供給される。塩化炉
１およびその他の部材は、石英ガラス製が好ましい。ノ
ズル１７は後述する還元炉２の上端面に接続され、塩化
炉１で発生するNiCl2 ガス等を還元炉２へ移送する機能
を有する。また、ノズル１７の下端部は、還元炉２内に
突出してNiCl2 ガス噴出ノズルとして機能する。なお、
塩化炉１の底部には、図１に示すような網１６を設け、
網１６の上に金属ニッケルＭを堆積させるとよい。
【００１１】出発原料である金属ニッケルＭの形態は問
わないが、接触効率、圧力損失上昇防止の観点から、粒
状、塊状、板状、粉などが好ましく、またその純度は慨
して９９．５％以上が好ましい。塩化炉１内の金属ニッ
ケルＭの充填層高は、塩素供給速度、塩化炉温度、連続
運転時間、金属ニッケルＭの形状などをもとに、供給塩
素ガスがNiCl2 ガスに変換されるに十分な範囲に適宜設
定すればよい。塩化炉１内の温度は、反応を十分進める
ために８００℃以上とし、ニッケルの融点である１４８
３℃以下とする。反応速度と塩化炉１の耐久性を考慮す
ると、実用的には９００〜１１００℃の範囲が好まし
い。そして、金属ニッケルＭが充填された塩化炉１への
塩素ガスの連続供給は、NiCl2 ガスの連続発生をもたら
す。そして、塩素ガス供給量がNiCl2 ガスの発生量を支
配するから、後述する還元反応を支配し、その結果、目
的とする製品すなわちニッケル粉が生産可能になる。な
お、塩素ガス供給の詳細は、後述する還元工程の項でよ
り具体的に説明する。
わないが、接触効率、圧力損失上昇防止の観点から、粒
状、塊状、板状、粉などが好ましく、またその純度は慨
して９９．５％以上が好ましい。塩化炉１内の金属ニッ
ケルＭの充填層高は、塩素供給速度、塩化炉温度、連続
運転時間、金属ニッケルＭの形状などをもとに、供給塩
素ガスがNiCl2 ガスに変換されるに十分な範囲に適宜設
定すればよい。塩化炉１内の温度は、反応を十分進める
ために８００℃以上とし、ニッケルの融点である１４８
３℃以下とする。反応速度と塩化炉１の耐久性を考慮す
ると、実用的には９００〜１１００℃の範囲が好まし
い。そして、金属ニッケルＭが充填された塩化炉１への
塩素ガスの連続供給は、NiCl2 ガスの連続発生をもたら
す。そして、塩素ガス供給量がNiCl2 ガスの発生量を支
配するから、後述する還元反応を支配し、その結果、目
的とする製品すなわちニッケル粉が生産可能になる。な
お、塩素ガス供給の詳細は、後述する還元工程の項でよ
り具体的に説明する。
【００１２】塩化工程で発生したNiCl2 ガスは、そのま
まノズル１７から還元工程に移送するか、場合によって
は、不活性ガス供給管１５から窒素ガスやアルゴンガス
などの不活性ガスを、NiCl2 ガスに対し０〜７０モル％
混合し、この混合ガスを還元工程に移送する。この不活
性ガスの供給は、ニッケル粉の粒径制御因子となる。不
活性ガスの過剰な混合は、不活性ガスの無駄な消費とな
ることはもちろん、エネルギ−損失となって不経済であ
る。このような観点から、ノズル１７を通過する混合ガ
スの好ましいNiCl2 ガスの分圧は、全圧を１．０とした
ときに０．３〜１．０、好ましくは０．５〜１．０の範
囲、とりわけ粒径０．２〜０．５μｍといった小粒径の
ニッケル粉を製造する場合には、分圧は０．６〜０．９
程度が好適である。そして、前述のようにNiCl2 ガスの
発生量は塩素ガス供給量により任意に調整することがで
き、また、NiCl2 ガスの分圧も不活性ガス供給量で任意
に調整することができる。
まノズル１７から還元工程に移送するか、場合によって
は、不活性ガス供給管１５から窒素ガスやアルゴンガス
などの不活性ガスを、NiCl2 ガスに対し０〜７０モル％
混合し、この混合ガスを還元工程に移送する。この不活
性ガスの供給は、ニッケル粉の粒径制御因子となる。不
活性ガスの過剰な混合は、不活性ガスの無駄な消費とな
ることはもちろん、エネルギ−損失となって不経済であ
る。このような観点から、ノズル１７を通過する混合ガ
スの好ましいNiCl2 ガスの分圧は、全圧を１．０とした
ときに０．３〜１．０、好ましくは０．５〜１．０の範
囲、とりわけ粒径０．２〜０．５μｍといった小粒径の
ニッケル粉を製造する場合には、分圧は０．６〜０．９
程度が好適である。そして、前述のようにNiCl2 ガスの
発生量は塩素ガス供給量により任意に調整することがで
き、また、NiCl2 ガスの分圧も不活性ガス供給量で任意
に調整することができる。
【００１３】Ｂ．還元工程 塩化工程で発生したNiCl2 ガスは、連続的に還元工程に
移送される。還元工程は、図１に示すような縦型還元炉
２を用いて行うことが望ましい。この還元炉２の上端部
には、上記ノズル１７が下方へ突出させられる。また、
還元炉２の上端面であってノズル１７の噴出口よりも上
方には水素ガス供給管（還元性ガスの供給部）２１が接
続され、還元炉２の下側部には冷却ガス供給管２２が接
続される。また、還元炉２の周囲には、加熱手段２０が
配置される。ノズル１７は、後述するように、塩化炉１
から還元炉２内へNiCl2 ガス（不活性ガスを含む場合が
ある）を、好ましい流速で噴出する機能を有する。
移送される。還元工程は、図１に示すような縦型還元炉
２を用いて行うことが望ましい。この還元炉２の上端部
には、上記ノズル１７が下方へ突出させられる。また、
還元炉２の上端面であってノズル１７の噴出口よりも上
方には水素ガス供給管（還元性ガスの供給部）２１が接
続され、還元炉２の下側部には冷却ガス供給管２２が接
続される。また、還元炉２の周囲には、加熱手段２０が
配置される。ノズル１７は、後述するように、塩化炉１
から還元炉２内へNiCl2 ガス（不活性ガスを含む場合が
ある）を、好ましい流速で噴出する機能を有する。
【００１４】NiCl2 ガスと水素ガスによる還元反応が進
行する際、ノズル１７の先端部からは、ＬＰＧなどの気
体燃料の燃焼炎に似たような、下方に延びる火炎Ｆが形
成される。還元炉２への水素ガス供給量は、NiCl2 ガス
の化学当量、すなわち、塩化炉１へ供給する塩素ガスの
化学当量の１．０〜３．０倍程度、好ましくは１．１〜
２．５倍程度であるが、これに限定するものではない。
しかしながら、水素ガスを過剰に供給すると還元炉２内
に大きな水素流れをもたらし、ノズル１７からのNiCl2
ガス噴出流が乱れて不均一な還元反応の原因になるとと
もに、消費されないガス放出をもたらして不経済であ
る。また、還元反応の温度は反応完結に十分な温度以上
であればよいが、固体状のニッケル粉を生成する方が取
扱いが容易なので、ニッケルの融点以下が好ましい。反
応速度、還元炉２の耐久性、経済性を考慮すると９００
℃〜１１００℃が実用的であるが、特にこれに限るもの
ではない。
行する際、ノズル１７の先端部からは、ＬＰＧなどの気
体燃料の燃焼炎に似たような、下方に延びる火炎Ｆが形
成される。還元炉２への水素ガス供給量は、NiCl2 ガス
の化学当量、すなわち、塩化炉１へ供給する塩素ガスの
化学当量の１．０〜３．０倍程度、好ましくは１．１〜
２．５倍程度であるが、これに限定するものではない。
しかしながら、水素ガスを過剰に供給すると還元炉２内
に大きな水素流れをもたらし、ノズル１７からのNiCl2
ガス噴出流が乱れて不均一な還元反応の原因になるとと
もに、消費されないガス放出をもたらして不経済であ
る。また、還元反応の温度は反応完結に十分な温度以上
であればよいが、固体状のニッケル粉を生成する方が取
扱いが容易なので、ニッケルの融点以下が好ましい。反
応速度、還元炉２の耐久性、経済性を考慮すると９００
℃〜１１００℃が実用的であるが、特にこれに限るもの
ではない。
【００１５】上記のとおり塩化工程に供給された塩素ガ
スは、実質的に同モル量のNiCl2 ガスとなり、これが還
元原料とされる。NiCl2 ガスもしくはNiCl2 −不活性ガ
ス混合ガスのノズル１７先端からの噴出速度（線速）を
調整することにより、得られるニッケル粉Ｐの粒径を適
切化することができる。すなわち、ノズル径が一定であ
れば、塩化工程への塩素供給量と不活性ガス供給量によ
って、還元炉２で生成されるニッケル粉Ｐの粒径を、目
的の範囲（０．１〜１．０μｍ）に調整することができ
る。ノズル１７先端における好ましいガスの線速（NiCl
2 ガスおよび不活性ガスの合計（還元温度でのガス供給
量に換算した計算値））は、９００〜１１００℃の還元
温度において１〜３０ｍ／秒に設定される。また、０．
１〜０．３μｍのような小粒径のニッケル粉を製造する
場合には、１０〜２５ｍ／秒、好ましくは１０〜２０ｍ
／秒、また、０．４〜１．０μｍのニッケル粉を製造す
る場合には、１〜１５ｍ／秒、好ましくは１〜１０ｍ／
秒が適当である。
スは、実質的に同モル量のNiCl2 ガスとなり、これが還
元原料とされる。NiCl2 ガスもしくはNiCl2 −不活性ガ
ス混合ガスのノズル１７先端からの噴出速度（線速）を
調整することにより、得られるニッケル粉Ｐの粒径を適
切化することができる。すなわち、ノズル径が一定であ
れば、塩化工程への塩素供給量と不活性ガス供給量によ
って、還元炉２で生成されるニッケル粉Ｐの粒径を、目
的の範囲（０．１〜１．０μｍ）に調整することができ
る。ノズル１７先端における好ましいガスの線速（NiCl
2 ガスおよび不活性ガスの合計（還元温度でのガス供給
量に換算した計算値））は、９００〜１１００℃の還元
温度において１〜３０ｍ／秒に設定される。また、０．
１〜０．３μｍのような小粒径のニッケル粉を製造する
場合には、１０〜２５ｍ／秒、好ましくは１０〜２０ｍ
／秒、また、０．４〜１．０μｍのニッケル粉を製造す
る場合には、１〜１５ｍ／秒、好ましくは１〜１０ｍ／
秒が適当である。
【００１６】さらに、水素ガスの還元炉２内での軸方向
（縦方向）の線速は、NiCl2 ガスの噴出速度（線速）の
１／５０〜１／３００程度、好ましくは１／８０〜１／
２５０がよく、これに加え、水素ガス供給管２１がノズ
ル１７の噴出口よりも上方に存していることにより、実
質的には静的水素ガス雰囲気中へNiCl2 ガスがノズル１
７から噴出される。したがって、前記火炎Ｆに乱れは起
きず、ニッケル粉の安定生成がなされる。さらに、火炎
Ｆに乱れを起こさせないための配慮として、水素ガス供
給管２１からの水素ガスの供給方向が、火炎側に向かな
いようにすると好ましい。
（縦方向）の線速は、NiCl2 ガスの噴出速度（線速）の
１／５０〜１／３００程度、好ましくは１／８０〜１／
２５０がよく、これに加え、水素ガス供給管２１がノズ
ル１７の噴出口よりも上方に存していることにより、実
質的には静的水素ガス雰囲気中へNiCl2 ガスがノズル１
７から噴出される。したがって、前記火炎Ｆに乱れは起
きず、ニッケル粉の安定生成がなされる。さらに、火炎
Ｆに乱れを起こさせないための配慮として、水素ガス供
給管２１からの水素ガスの供給方向が、火炎側に向かな
いようにすると好ましい。
【００１７】Ｃ．冷却工程 冷却工程は、図１に示すように、還元炉２内のノズル１
７と反対側の空間部分で行なうことができ、あるいは、
還元炉２の出口に接続した別の容器を用いることも可能
である。なお、ここでいう冷却とは、還元反応で生成し
たガス流（塩酸ガスを含む）におけるニッケル粒子の成
長を停止もしくは抑制するために行う操作であり、具体
的には、還元反応を終えた１０００℃付近のガス流を４
００〜８００℃程度まで急冷する操作を意味する。もち
ろん、これ以下の温度まで冷却を行ってもかまわない。
７と反対側の空間部分で行なうことができ、あるいは、
還元炉２の出口に接続した別の容器を用いることも可能
である。なお、ここでいう冷却とは、還元反応で生成し
たガス流（塩酸ガスを含む）におけるニッケル粒子の成
長を停止もしくは抑制するために行う操作であり、具体
的には、還元反応を終えた１０００℃付近のガス流を４
００〜８００℃程度まで急冷する操作を意味する。もち
ろん、これ以下の温度まで冷却を行ってもかまわない。
【００１８】冷却を行うための好ましい例として、火炎
Ｆの先端から下方の空間部分に不活性ガスを吹き込むよ
うに構成することができる。具体的には、冷却ガス供給
管２２より窒素ガスを吹き込むことで、ガス流を冷却す
ることができる。不活性ガスを吹き込むことにより、ニ
ッケル粉Ｐの凝集を防止しつつ粒径制御を行うことがで
きる。冷却ガス供給管２２は、１個所もしくは還元炉２
の上下方向に位置を変化させ複数個所に設けることで、
冷却条件を任意に変更することができ、これによって粒
径制御をより精度よく行なうことができる。
Ｆの先端から下方の空間部分に不活性ガスを吹き込むよ
うに構成することができる。具体的には、冷却ガス供給
管２２より窒素ガスを吹き込むことで、ガス流を冷却す
ることができる。不活性ガスを吹き込むことにより、ニ
ッケル粉Ｐの凝集を防止しつつ粒径制御を行うことがで
きる。冷却ガス供給管２２は、１個所もしくは還元炉２
の上下方向に位置を変化させ複数個所に設けることで、
冷却条件を任意に変更することができ、これによって粒
径制御をより精度よく行なうことができる。
【００１９】Ｄ．回収工程 以上の工程を経たニッケル粉Ｐと塩酸ガスおよび不活性
ガスの混合ガスは回収工程へ移送され、そこで、混合ガ
スからニッケル粉Ｐが分離回収される。分離回収には、
例えば、バグフィルター、水中捕集分離手段、油中捕集
分離手段および磁気分離手段の１種または２種以上の組
合せが好適であるが、これに限定されるものではない。
たとえば、バグフィルターによってニッケル粉Ｐを捕集
する場合、冷却工程で生成したニッケル粉Ｐと塩酸ガス
および不活性ガスの混合ガスをバグフィルターに導き、
ニッケル粉Ｐだけを回収してもよい。油中捕集分離を用
いる場合には、炭素数１０〜１８のノルマルパラフィン
または軽油を使用するのが好適である。水中もしくは油
中捕集を用いる場合には、捕集液にポリオキシアルキレ
ングリコール、ポリオキシプロピレングリコールまたは
それらの誘導体（モノアルキルエーテル、モノエステ
ル）あるいは、ソルビタン、ソルビタンモノエステル等
の界面活性剤、ベンゾトリアゾールまたはその誘導体に
代表される金属不活性剤、フェノール系、あるいはアミ
ン系など公知の酸化防止剤、これらの１種または２種以
上を１０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍ程度添加すると、金属
粉末粒子の凝集防止や防錆に効果的である。このように
して回収されたニッケル粉は、水洗・乾燥され、最終的
な製品とされる。
ガスの混合ガスは回収工程へ移送され、そこで、混合ガ
スからニッケル粉Ｐが分離回収される。分離回収には、
例えば、バグフィルター、水中捕集分離手段、油中捕集
分離手段および磁気分離手段の１種または２種以上の組
合せが好適であるが、これに限定されるものではない。
たとえば、バグフィルターによってニッケル粉Ｐを捕集
する場合、冷却工程で生成したニッケル粉Ｐと塩酸ガス
および不活性ガスの混合ガスをバグフィルターに導き、
ニッケル粉Ｐだけを回収してもよい。油中捕集分離を用
いる場合には、炭素数１０〜１８のノルマルパラフィン
または軽油を使用するのが好適である。水中もしくは油
中捕集を用いる場合には、捕集液にポリオキシアルキレ
ングリコール、ポリオキシプロピレングリコールまたは
それらの誘導体（モノアルキルエーテル、モノエステ
ル）あるいは、ソルビタン、ソルビタンモノエステル等
の界面活性剤、ベンゾトリアゾールまたはその誘導体に
代表される金属不活性剤、フェノール系、あるいはアミ
ン系など公知の酸化防止剤、これらの１種または２種以
上を１０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍ程度添加すると、金属
粉末粒子の凝集防止や防錆に効果的である。このように
して回収されたニッケル粉は、水洗・乾燥され、最終的
な製品とされる。
【００２０】なお、上記一実施形態では、塩化炉により
金属ニッケルＭを塩化してNiCl2 ガスを得ているが、こ
の他には、例えばNiCl2 ガスを蒸発させてNiCl2 ガスを
得るなど、NiCl2 ガスを得る手段はいかなるものであっ
てもかまわない。
金属ニッケルＭを塩化してNiCl2 ガスを得ているが、こ
の他には、例えばNiCl2 ガスを蒸発させてNiCl2 ガスを
得るなど、NiCl2 ガスを得る手段はいかなるものであっ
てもかまわない。
【００２１】
【実施例】次に、具体的な実施例を示して本発明をより
明らかにする。 ［実施例１−NiCl2 ガスの噴出速度の違い］図１に示す
還元炉２内を１０００℃に保持し、この還元炉２内に水
素ガス供給管２１から水素ガスを連続的に供給して炉内
を水素ガス雰囲気とした。次いで、塩化炉１により生成
したNiCl2 ガスをノズル１７から還元炉２内に噴出さ
せ、ニッケル粉を得た。水素ガスの流量およびNiCl2 ガ
スの噴出速度をそれぞれ変化させて得たニッケル粉をサ
ンプルＡ、Ｂ、Ｃとした。なお、NiCl2 ガスの分圧は全
て一定の０．８３とした。これらサンプルをＳＥＭ写真
で観察し、また、ＢＥＴ法で平均粒径を求めた。その結
果を、表１に示す。
明らかにする。 ［実施例１−NiCl2 ガスの噴出速度の違い］図１に示す
還元炉２内を１０００℃に保持し、この還元炉２内に水
素ガス供給管２１から水素ガスを連続的に供給して炉内
を水素ガス雰囲気とした。次いで、塩化炉１により生成
したNiCl2 ガスをノズル１７から還元炉２内に噴出さ
せ、ニッケル粉を得た。水素ガスの流量およびNiCl2 ガ
スの噴出速度をそれぞれ変化させて得たニッケル粉をサ
ンプルＡ、Ｂ、Ｃとした。なお、NiCl2 ガスの分圧は全
て一定の０．８３とした。これらサンプルをＳＥＭ写真
で観察し、また、ＢＥＴ法で平均粒径を求めた。その結
果を、表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１から、NiCl2 ガスの噴出速度が速けれ
ば速いほど生成されたニッケル粉の平均粒径は小さくな
ることが確認され、これに基づき、NiCl2 ガスの噴出速
度を調整することにより、ニッケル粉の粒径を制御する
ことができることが明らかとなった。
ば速いほど生成されたニッケル粉の平均粒径は小さくな
ることが確認され、これに基づき、NiCl2 ガスの噴出速
度を調整することにより、ニッケル粉の粒径を制御する
ことができることが明らかとなった。
【００２４】［実施例２−NiCl2 ガスの分圧の違い］図
１に示す還元炉２内を１０００℃に保持し、この還元炉
２内に水素ガス供給管２１から水素ガスを５５Ｎｌ／分
の流量で供給して炉内を水素ガス雰囲気とした。次い
で、塩化炉１により生成したNiCl2 ガスに、不活性ガス
供給管１５から窒素ガスを混合させてNiCl2 ガスの分圧
を調整し、その混合ガスを、ノズル１７から還元炉２内
に３０〜５０Ｎｌ／分の流量で噴出させ、ニッケル粉を
得た。NiCl2 ガスの分圧を変化させて得たニッケル粉を
サンプルＤ、Ｅ、Ｆとした。なお、ノズル１７からのガ
ス噴出速度は、３〜５ｍ／秒とした。これらサンプルを
ＳＥＭ写真で観察し、また、ＢＥＴ法で平均粒径を求め
た。その結果を、表２に示す。
１に示す還元炉２内を１０００℃に保持し、この還元炉
２内に水素ガス供給管２１から水素ガスを５５Ｎｌ／分
の流量で供給して炉内を水素ガス雰囲気とした。次い
で、塩化炉１により生成したNiCl2 ガスに、不活性ガス
供給管１５から窒素ガスを混合させてNiCl2 ガスの分圧
を調整し、その混合ガスを、ノズル１７から還元炉２内
に３０〜５０Ｎｌ／分の流量で噴出させ、ニッケル粉を
得た。NiCl2 ガスの分圧を変化させて得たニッケル粉を
サンプルＤ、Ｅ、Ｆとした。なお、ノズル１７からのガ
ス噴出速度は、３〜５ｍ／秒とした。これらサンプルを
ＳＥＭ写真で観察し、また、ＢＥＴ法で平均粒径を求め
た。その結果を、表２に示す。
【００２５】
【表２】
【００２６】表２から、NiCl2 ガスの分圧が低ければ低
いほど生成されたニッケル粉の平均粒径は小さくなるこ
とが確認され、これに基づき、NiCl2 ガスの分圧を調整
することにより、ニッケル粉の粒径を制御することがで
きることが明らかとなった。
いほど生成されたニッケル粉の平均粒径は小さくなるこ
とが確認され、これに基づき、NiCl2 ガスの分圧を調整
することにより、ニッケル粉の粒径を制御することがで
きることが明らかとなった。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のニッケル
粉の製造方法によれば、NiCl2 ガスと還元性ガスの還元
反応速度の上昇、生成されるニッケル粉の平均粒径の細
かな制御および未反応NiCl2 ガスの抑制を可能とし、生
産効率の向上が図られる。
粉の製造方法によれば、NiCl2 ガスと還元性ガスの還元
反応速度の上昇、生成されるニッケル粉の平均粒径の細
かな制御および未反応NiCl2 ガスの抑制を可能とし、生
産効率の向上が図られる。
【図１】 本発明の一実施形態に係るニッケル粉の製造
装置の一例を示す縦断面図である。
装置の一例を示す縦断面図である。
２…還元炉、１７…移送管兼ノズル（NiCl2 ガスの噴出
部）、２１…水素ガス供給管（還元性ガスの供給部）、
Ｐ…ニッケル粉。
部）、２１…水素ガス供給管（還元性ガスの供給部）、
Ｐ…ニッケル粉。
Claims (3)
- 【請求項１】 分圧が０．５〜１．０のNiCl2 ガスを、
還元性ガス雰囲気とされた還元炉内に、線速１〜３０ｍ
／秒で供給することを特徴とするニッケル粉の製造方
法。 - 【請求項２】 NiCl2 ガスが炉内に略垂直下方に噴出さ
れ、かつ還元性ガスの供給部が、NiCl2 ガスの噴出部よ
りも上方に配置されている縦型還元炉を用いることを特
徴とする請求項１に記載のニッケル粉の製造方法。 - 【請求項３】 還元性ガスの縦方向の線速が、前記NiCl
2 ガスの噴出速度の１／５０〜１／３００であることを
特徴とする請求項１または２に記載のニッケル粉の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5591398A JPH11236605A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | ニッケル粉の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5591398A JPH11236605A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | ニッケル粉の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11236605A true JPH11236605A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=13012362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5591398A Pending JPH11236605A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | ニッケル粉の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11236605A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101699881B1 (ko) * | 2015-08-13 | 2017-01-25 | 서울대학교산학협력단 | 단분산 금속 미세입자의 제조방법 |
| KR101699879B1 (ko) * | 2015-08-13 | 2017-01-25 | 서울대학교산학협력단 | 금속 미세입자의 형상 제어 방법 |
| KR20170020135A (ko) * | 2015-08-13 | 2017-02-22 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 단분산 니켈 미세입자의 제조방법 |
| KR20170020142A (ko) * | 2015-08-13 | 2017-02-22 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 니켈 미세입자의 형상 제어 방법 |
| KR20190018288A (ko) * | 2017-08-14 | 2019-02-22 | 한국생산기술연구원 | 고순도 금속분말 제조용 수직형 열처리로 및 이를 이용한 고순도 금속분말 제조방법 |
-
1998
- 1998-02-20 JP JP5591398A patent/JPH11236605A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101699881B1 (ko) * | 2015-08-13 | 2017-01-25 | 서울대학교산학협력단 | 단분산 금속 미세입자의 제조방법 |
| KR101699879B1 (ko) * | 2015-08-13 | 2017-01-25 | 서울대학교산학협력단 | 금속 미세입자의 형상 제어 방법 |
| KR20170020135A (ko) * | 2015-08-13 | 2017-02-22 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 단분산 니켈 미세입자의 제조방법 |
| KR20170020142A (ko) * | 2015-08-13 | 2017-02-22 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 니켈 미세입자의 형상 제어 방법 |
| KR20190018288A (ko) * | 2017-08-14 | 2019-02-22 | 한국생산기술연구원 | 고순도 금속분말 제조용 수직형 열처리로 및 이를 이용한 고순도 금속분말 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20051011 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |