JPH11236388A - Silicon-containing compound and post-treatment in production of silicon-containing polymer - Google Patents
Silicon-containing compound and post-treatment in production of silicon-containing polymerInfo
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- JPH11236388A JPH11236388A JP10288447A JP28844798A JPH11236388A JP H11236388 A JPH11236388 A JP H11236388A JP 10288447 A JP10288447 A JP 10288447A JP 28844798 A JP28844798 A JP 28844798A JP H11236388 A JPH11236388 A JP H11236388A
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、シリル化合物とエ
チニル化合物より金属水素化物、金属化合物類または典
型元素金属を触媒として産業上有用な含ケイ素化合物お
よび含ケイ素ポリマーを製造する方法において、反応液
を水溶液で処理することにより触媒を除去する後処理方
法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing an industrially useful silicon-containing compound and polymer using a metal hydride, a metal compound or a typical element metal as a catalyst from a silyl compound and an ethynyl compound. And a post-treatment method for removing a catalyst by treating the catalyst with an aqueous solution.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、シリル化合物とアセチレン化合物
よりアセチレン結合を有する含ケイ素化合物または含ケ
イ素ポリマーを合成する方法としては、J. F. Harrodら
の論文に記載されている塩化第一銅を触媒、アミン化合
物を助触媒とする方法(Hua Qin Liu and John F. Harr
od, Canadian Journal of Chemistry, Vol. 68, 1100-1
105 (1990))、本発明者らが提案した塩基性金属酸化物
触媒を使用する方法(例えば特開平5−345825、
特開平5−194541)が知られている。本発明者ら
はさらに金属水素化物触媒を使用する方法(特開平10
−120689)や金属化合物類を見いだしたが、これ
らの触媒は水の存在下でSi−C≡C結合やSi−H結
合の加水分解作用を有する塩基性水酸化物になるため、
反応終了後反応液より触媒を除去する必要があった。2. Description of the Related Art Conventionally, as a method for synthesizing a silicon-containing compound or a silicon-containing polymer having an acetylene bond from a silyl compound and an acetylene compound, cuprous chloride described in a paper by JF Harrod et al. With cocatalyst (Hua Qin Liu and John F. Harr
od, Canadian Journal of Chemistry, Vol. 68, 1100-1
105 (1990)), a method using a basic metal oxide catalyst proposed by the present inventors (for example, see JP-A-5-345825,
Japanese Patent Laid-Open No. 194541/1993 is known. The present inventors have further conducted a method using a metal hydride catalyst (Japanese Unexamined Patent Publication No.
-120689) and metal compounds, but since these catalysts become basic hydroxides having a hydrolytic action of Si—C≡C bond or Si—H bond in the presence of water,
After the completion of the reaction, it was necessary to remove the catalyst from the reaction solution.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、前記課
題を解決するために鋭意検討した結果、金属水素化物、
金属化合物類または典型元素金属を触媒としたアセチレ
ン結合を有する含ケイ素化合物または含ケイ素ポリマー
の製造においては、反応溶液を水溶液で処理することに
より触媒が簡便に除去できることを見いだした。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present inventors have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, have found that metal hydrides,
In the production of a silicon-containing compound or polymer having an acetylene bond using a metal compound or a typical element metal as a catalyst, it has been found that the catalyst can be easily removed by treating the reaction solution with an aqueous solution.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明はR4-m −SiH
m (式中、mは4以下の正の整数であり、Rは炭素数1
から30のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、
芳香族基でありハロゲン原子、水酸基、アミノ基、カル
ボキシル基、エーテル基を含んでいてもよい。mが1ま
たは2であるときRは各々が同じでも異なっていてもよ
い。)で表されるシリル化合物とR1 −C≡CH(式
中、R1 は水素原子または炭素数1から30のアルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族基であり、ハ
ロゲン原子、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エー
テル基を含んでいてもよい。)で表されるエチニル化合
物を金属水素化物、金属化合物類または典型元素金属の
存在下に反応させることにより一般式(1)(化4)SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to R 4-m -SiH.
m (where m is a positive integer of 4 or less, and R is 1 carbon atom)
To 30 alkyl groups, alkenyl groups, alkynyl groups,
It is an aromatic group and may contain a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, or an ether group. When m is 1 or 2, each R may be the same or different. Silyl compound with R 1 -C≡CH (wherein represented by), R 1 represents an alkyl group having 1 to 30 number of hydrogen atoms or carbon atoms, an alkenyl group, an alkynyl group, an aromatic group, a halogen atom, a hydroxyl group, An ethynyl compound represented by the formula (1) (which may contain an amino group, a carboxyl group or an ether group) is reacted in the presence of a metal hydride, a metal compound or a typical elemental metal. )
【0005】[0005]
【化4】 (式中、mは4以下の正の整数であり、Rは炭素数1か
ら30のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳
香族基でありハロゲン原子、水酸基、アミノ基、カルボ
キシル基、エーテル基を含んでいてもよい。mが1また
は2であるときRは各々が同じでも異なっていてもよ
い。R1 は水素原子または炭素数1から30のアルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族基でありハロ
ゲン原子、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エーテ
ル基を含んでいてもよい。iはm以下の正の整数であ
る。)で表されるシリルアセチレン化合物を製造する方
法において、反応終了後反応液を水溶液で処理すること
により触媒を除去することを特徴とする後処理方法を提
供するものである。Embedded image (In the formula, m is a positive integer of 4 or less, and R is an alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, or aromatic group having 1 to 30 carbon atoms, and is a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, an ether group. And when m is 1 or 2, each R may be the same or different, and R 1 is a hydrogen atom or an alkyl, alkenyl, alkynyl, or aromatic group having 1 to 30 carbon atoms. In the method for producing a silylacetylene compound represented by the formula (1), the reaction may be terminated by a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, or an ether group, and i is a positive integer of m or less. An object of the present invention is to provide a post-treatment method characterized by removing a catalyst by treating a post-reaction liquid with an aqueous solution.
【0006】また本発明はR2 −SiH2 −R3 (式
中、R2 及びR3 は互いに独立に、水素原子または炭素
数1から30のアルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、芳香族基であり、これらの基はハロゲン原子、水酸
基、アミノ基、カルボキシル基、エーテル基を含んでい
てもよい。)で表されるヒドロシリル化合物と一般式
(2)(化5)In the present invention, R 2 —SiH 2 —R 3 (wherein R 2 and R 3 independently represent a hydrogen atom or an alkyl, alkenyl, alkynyl or aromatic group having 1 to 30 carbon atoms) These groups may include a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, and an ether group.) And a hydrosilyl compound represented by the general formula (2):
【0007】[0007]
【化5】 (式中、R4 は炭素数1から30のアルキレン基、アル
ケニレン基、アルキニレン基、二価の芳香族基、芳香族
基が直接または架橋員を介して炭素数1から30のアル
キレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、芳香族基
と連結した基であり、これらの基はハロゲン原子、水酸
基、アミノ基、カルボキシル基、エーテル基を含んでい
てもよい。nは0または4以下の正の整数である。)で
表されるジエチニル化合物を金属水素化物、金属化合物
類または典型元素金属の存在下に反応させることにより
一般式(3)(化6)Embedded image (Wherein, R 4 represents an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenylene group, an alkynylene group, a divalent aromatic group, an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, directly or via a bridge member, alkenylene A group linked to a group, an alkynylene group or an aromatic group, which may include a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, or an ether group, and n is a positive integer of 0 or 4 or less. Is reacted in the presence of a metal hydride, a metal compound or a typical elemental metal to obtain a compound represented by the general formula (3):
【0008】[0008]
【化6】 (式中、R2 及びR3 は互いに独立に、水素原子または
炭素数1から30のアルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、芳香族基であり、R4 は炭素数1から30のア
ルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、二価の
芳香族基、芳香族基が直接または架橋員を介して炭素数
1から30のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニ
レン基、芳香族基と連結した基であり、これらの基はハ
ロゲン原子、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エー
テル基を含んでいてもよい。nは0または4以下の正の
整数である。)で表される繰り返し単位を含むアセチレ
ン結合を有する含ケイ素ポリマーを製造する方法におい
て、反応終了後反応液を水溶液で処理することにより触
媒を除去することを特徴とする後処理方法を提供するも
のである。Embedded image (Wherein, R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group, an alkynyl group, or an aromatic group; R 4 is an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms; Alkenylene group, alkynylene group, divalent aromatic group, a group in which an aromatic group is linked to an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, alkenylene group, alkynylene group, or aromatic group directly or via a crosslinking member; May have a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, or an ether group. N is 0 or a positive integer of 4 or less.) It is an object of the present invention to provide a post-treatment method for producing a silicon polymer, wherein the catalyst is removed by treating the reaction solution with an aqueous solution after the completion of the reaction.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】本発明の後処理方法の特徴は、要
約すると、R4-m −SiHm で表されるシリル化合物と
R1 −C≡CHで表されるエチニル化合物を金属水素化
物、金属化合物類または典型元素金属の存在下で反応さ
せることにより一般式(1)で表されるシリルアセチレ
ン化合物を製造する方法において、反応溶液を酸性また
は中性の水溶液で処理することにより触媒を簡便に除去
できることにある。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The characteristics of the post-treatment method of the present invention can be summarized as follows: a silyl compound represented by R 4-m -SiH m and an ethynyl compound represented by R 1 -C≡CH are metal hydrides. A method of producing a silylacetylene compound represented by the general formula (1) by reacting in the presence of a metal compound or a typical elemental metal, wherein the reaction solution is treated with an acidic or neutral aqueous solution to form a catalyst. It can be easily removed.
【0010】また、R2 −SiH2 −R3 で表されるヒ
ドロシリル化合物と一般式(2)で表されるジエチニル
化合物を金属水素化物、金属化合物類または典型元素金
属の存在下で反応させることにより一般式(3)で表さ
れる繰り返し単位を含むアセチレン結合を有する含ケイ
素ポリマーを製造する方法において、反応溶液を酸性ま
たは中性の水溶液で処理することにより触媒を簡便に除
去できることにある。The method further comprises reacting a hydrosilyl compound represented by R 2 —SiH 2 —R 3 with a diethynyl compound represented by the general formula (2) in the presence of a metal hydride, a metal compound or a typical element metal. In the method for producing a silicon-containing polymer having an acetylene bond containing a repeating unit represented by the general formula (3), the catalyst can be easily removed by treating the reaction solution with an acidic or neutral aqueous solution.
【0011】一般式(1)で表されるシリルアセチレン
化合物を製造する方法において、反応溶液を酸性または
中性の水溶液で処理することにより触媒を除去する方法
について述べる。反応溶液は、一般式(1)で表される
シリルアセチレン化合物を製造するために、R4-m −S
iHm で表されるシリル化合物とR1 −C≡CHで表さ
れるエチニル化合物を金属水素化物、金属化合物類また
は典型元素金属の存在下無溶媒であるいは溶媒とともに
で所定の温度で所定の時間反応させることにより得られ
る(特開平10−120689)。In the method for producing the silylacetylene compound represented by the general formula (1), a method for removing the catalyst by treating the reaction solution with an acidic or neutral aqueous solution will be described. The reaction solution was prepared using R 4-m -S to produce the silylacetylene compound represented by the general formula (1).
A silyl compound represented by iH m and an ethynyl compound represented by R 1 -C≡CH are mixed with or without a solvent in the presence of a metal hydride, a metal compound or a typical elemental metal at a predetermined temperature for a predetermined time. It is obtained by reacting (JP-A-10-120689).
【0012】反応装置は原料を供給する部分、反応容器
内部の撹拌装置、反応容器の温度を制御する部分などか
らなる。本反応は、無溶媒もしくは溶媒中で反応させる
ことができる。容器内に原料のR4-m −SiHm で表さ
れるシリル化合物とR1 −C≡CHで表されるエチニル
化合物および触媒である金属水素化物、金属化合物類ま
たは典型元素金属、さらに必要に応じて溶媒を仕込む。
金属水素化物は溶液、懸濁液、あるいは溶媒に溶解する
ことなくそのままの状態で仕込むことができる。これら
の容器への仕込の順序は特に限定するものではない。反
応溶液を所定の温度に制御しつつ、撹拌しながら所定の
時間反応させる。The reactor comprises a part for supplying raw materials, a stirring device inside the reactor, a part for controlling the temperature of the reactor, and the like. This reaction can be carried out without a solvent or in a solvent. In a container, a raw material silyl compound represented by R 4-m -SiH m and an ethynyl compound represented by R 1 -C≡CH, and a metal hydride, a metal compound or a typical element metal as a catalyst, Charge the solvent accordingly.
The metal hydride can be charged as it is without being dissolved in a solution, suspension or solvent. The order of charging these containers is not particularly limited. The reaction solution is allowed to react for a predetermined time while being stirred while being controlled at a predetermined temperature.
【0013】原料のR4-m −SiHm で表されるシリル
化合物としては、具体的にはメチルシラン、ジメチルシ
ラン、トリメチルシラン、エチルシラン、ジエチルシラ
ン、トリエチルシラン、フェニルシラン、ジフェニルシ
ラン、トリフェニルシラン、ヘキシルシラン、ビニルシ
ラン、アリルシラン、エチニルシラン、2−プロピニル
シラン、ベンゾイルシラン、トリフルオロメチルシラ
ン、(3, 3, 3−トリフルオロプロピル)シラン、4
−シリルトルエン、4−シリルスチレン、4−シリル−
α,α,α−トリフルオロトルエン、メトキシシラン、
ジメトキシラン、トリメトキシシラン、エトキシシラ
ン、ジエトキシシラン、トリエトキシシランなどが挙げ
られる。The silyl compound represented by the raw material R 4-m -SiH m is, specifically, methylsilane, dimethylsilane, trimethylsilane, ethylsilane, diethylsilane, triethylsilane, phenylsilane, diphenylsilane, triphenylsilane. , Hexylsilane, vinylsilane, allylsilane, ethynylsilane, 2-propynylsilane, benzoylsilane, trifluoromethylsilane, (3,3,3-trifluoropropyl) silane, 4
-Silyltoluene, 4-silylstyrene, 4-silyl-
α, α, α-trifluorotoluene, methoxysilane,
Examples include dimethoxysilane, trimethoxysilane, ethoxysilane, diethoxysilane, triethoxysilane and the like.
【0014】また、原料のR1 −C≡CHで表されるエ
チニル化合物としては、具体的には、アセチレン、プロ
ピン、1−ブチン、1−ヘキシン、ビニルアセチレン、
ジアセチレン、フェニルアセチレン、エチニルシクロヘ
キサン、4−エチニルトルエン、4−エチニルアニリ
ン、3−エチニルアニリンなどが挙げられる。Examples of the ethynyl compound represented by R 1 -C≡CH as a raw material include acetylene, propyne, 1-butyne, 1-hexyne, vinyl acetylene,
Examples include diacetylene, phenylacetylene, ethynylcyclohexane, 4-ethynyltoluene, 4-ethynylaniline, and 3-ethynylaniline.
【0015】使用し得る触媒は金属水素化物、金属化合
物類または典型元素金属である。金属水素化物としては
金属水素化合物、複合金属水素化合物およびこれらの水
素の一部がアルキル基、アリル基、アルコキシ基、シア
ノ基などで置き換わった化合物などが挙げられる。金属
水素化合物としては、LiH、NaH、KHなどの1族
典型元素水素化物、CaH2 などの2族典型元素水素化
合物、BH3 、AlH3 などの13族典型元素水素化合
物などが挙げられる。また、複合金属水素化合物として
はLiBH4 、NaBH4 、KBH4 、Mg(BH4 )
2 、Ca(BH4 )2 、Ba(BH4 )2 、Sr(BH
4 )2 、Zn(BH4 )2 、Al(BH4 )3 、LiA
lH4 、NaAlH4 、(CH3 )4 NBH4 、(n−
C4H9 )4 NBH4 などが挙げられる。また、水素の
一部が他の置換基で置き換わった化合物としては、Li
BH(C2 H5 )3 、LiBH(s−C4 H9 )3 、K
BH(C6 H5 )3 、NaBH(OCH3 )3 、NaB
H(OC6 H5 )3 、NaBH(OCOCH3 )3 、N
aBH3 CN、(i−C3 H7 )2 AlH、(i−C4
H9 )2 AlH、LiAlH2 (OC2 H5 )2 、Li
AlH(OC2H5 )3 、LiAlH(OC(C
2 H5 )3 )3 、LiAlH(OC(CH3 ) 3 )3 、
NaAlH2 (OCH2 CH2 CH3 )2 、NaAlH
2 (C2 H5 ) 2 、SnH(n−C4 H9 )3 、SnH
(C6 H5 )3 などが挙げられる。これらの金属水素化
物は単独であるいは二種以上を混合して使用することが
できる。[0015] Catalysts which can be used are metal hydrides, metal compounds.
Object or typical elemental metal. As metal hydride
Metal hydrides, composite metal hydrides and their water
Part of the alkyl is an alkyl group, an allyl group, an alkoxy group,
And a compound replaced with a phenyl group. metal
Examples of hydrogen compounds include Group 1 compounds such as LiH, NaH, and KH.
Typical element hydride, CaHTwoGroup 2 typical element hydrogenation
Compound, BHThree, AlHThreeGroup 13 typical element hydrogenation
Things. Also, as a composite metal hydride
Is LiBHFour, NaBHFour, KBHFour, Mg (BHFour)
Two, Ca (BHFour)Two, Ba (BHFour)Two, Sr (BH
Four)Two, Zn (BHFour)Two, Al (BHFour)Three, LiA
1HFour, NaAlHFour, (CHThree)FourNBHFour, (N-
CFourH9)FourNBHFourAnd the like. Also, hydrogen
Compounds partially substituted by other substituents include Li
BH (CTwoHFive)Three, LiBH (s-CFourH9)Three, K
BH (C6HFive)Three, NaBH (OCHThree)Three, NaB
H (OC6HFive)Three, NaBH (OCOCHThree)Three, N
aBHThreeCN, (i-CThreeH7)TwoAlH, (i-CFour
H9)TwoAlH, LiAlHTwo(OCTwoHFive)Two, Li
AlH (OCTwoHFive)Three, LiAlH (OC (C
TwoHFive)Three)Three, LiAlH (OC (CHThree) Three)Three,
NaAlHTwo(OCHTwoCHTwoCHThree)Two, NaAlH
Two(CTwoHFive) Two, SnH (n-CFourH9)Three, SnH
(C6HFive)ThreeAnd the like. Hydrogenation of these metals
Products may be used alone or as a mixture of two or more.
it can.
【0016】金属化合物類とは金属原子に炭化水素基、
アルコキシ基、アミノ基などが結合した化合物であり、
これらの置換基の他に水素原子やハロゲン原子が金属と
結合していてもよい。この金属化合物類は有機金属化合
物類、金属アルコキシド類および金属アミド類に大別で
きる。Metal compounds are hydrocarbon groups on the metal atom,
A compound to which an alkoxy group, an amino group, etc. are bonded,
In addition to these substituents, a hydrogen atom or a halogen atom may be bonded to the metal. These metal compounds can be roughly classified into organometallic compounds, metal alkoxides and metal amides.
【0017】有機金属化合物類としてはアルキル基、ア
ルキニル基、アルケニル基、アリール基などの炭化水素
基が1種の金属と結合した有機金属および二種以上の金
属と結合した複合有機金属などが挙げられる。Examples of the organometallic compounds include an organic metal in which a hydrocarbon group such as an alkyl group, an alkynyl group, an alkenyl group, and an aryl group is bonded to one metal, and a composite organic metal in which two or more metals are bonded. Can be
【0018】金属元素としてはリチウム、ナトリウム、
カリウム、ルビジウム、セシウムなどの1族典型元素、
ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウ
ム、バリウムなどの2族典型元素、ホウ素、アルミニウ
ムなどの13族典型元素およびカドミニウム、亜鉛など
の12族遷移金属元素などが挙げられる。As the metal element, lithium, sodium,
Group 1 typical elements such as potassium, rubidium and cesium,
Examples include Group 2 typical elements such as beryllium, magnesium, calcium, strontium, and barium; Group 13 typical elements such as boron and aluminum; and Group 12 transition metal elements such as cadmium and zinc.
【0019】これらの金属元素に結合するアルキル基、
アルキニル、アルケニル、アリール基などの炭化水素基
としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペ
ンチル基、シクロペンタジエニル基、ヘキシル基、シク
ロヘキシル基、オクチル基、ビニル基、アリル基、1−
プロペニル基、エチニル基、ヘキシニル基、フェニルエ
チニル基、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、メチ
ルベンジル基、トリル基、メシチル基、ジフェニルメチ
ル基、トリフェニルメチル基、スチリル基、α−メチル
ベンジル基などが挙げられる。ただし、金属の価数が2
以上である場合または複合有機金属ではこれらの有機基
の他にフルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基など
のハロゲン基、水素原子、メトキシ基やエトキシ基など
のアルコキシ基またはアミノ基などが結合していてもよ
い。An alkyl group bonded to these metal elements,
Alkynyl, alkenyl, hydrocarbon groups such as aryl groups such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, t-butyl, pentyl, cyclopentadienyl, hexyl, Cyclohexyl group, octyl group, vinyl group, allyl group, 1-
Propenyl, ethynyl, hexynyl, phenylethynyl, phenyl, naphthyl, benzyl, methylbenzyl, tolyl, mesityl, diphenylmethyl, triphenylmethyl, styryl, α-methylbenzyl, etc. Is mentioned. However, the valence of the metal is 2
In the above case or in the composite organic metal, in addition to these organic groups, a halogen group such as a fluoro group, a chloro group, a bromo group, an iodo group, a hydrogen atom, an alkoxy group such as a methoxy group or an ethoxy group, or an amino group is bonded. It may be.
【0020】アルキル基、アルキニル、アルケニル、ア
リール基などの炭化水素基が金属と結合した有機金属化
合物類としては、具体的には、メチルリチウム、エチル
リチウム、プロピルリチウム、イソプロピルリチウム、
n−ブチルリチウム、イソブチルリチウム、t−ブチル
リチウム、ペンチルリチウム、ヘキシルリチウム、シク
ロヘキシルリチウム、オクチルリチウム、ビニルリチウ
ム、アリルリチウム、1−プロペニルリチウム、エチニ
ルリチウム、1−ヘキシニルリチウム、フェニルリチウ
ム、ナフチルリチウム、ベンジルリチウム、メチルベン
ジルリチウム、トリルリチウム、メシチルリチウム、ジ
フェニルメチルリチウム、トリフェニルメチルリチウ
ム、スチリルリチウム、α−メチルベンジルリチウム、
フェニルエチニルリチウム、メチルナトリウム、エチル
ナトリウム、プロピルナトリウム、イソプロピルナトリ
ウム、n−ブチルナトリウム、ペンチルナトリウム、シ
クロペンタジエニルナトリウム、ヘキシルナトリウム、
エチニルナトリウム、1−ヘキシニルナトリウム、フェ
ニルナトリウム、ナフチルナトリウム、フェニルエチニ
ルナトリウム、メチルカリウム、エチルカリウム、プロ
ピルカリウム、イソプロピルカリウム、n−ブチルカリ
ウム、イソブチルカリウム、t−ブチルカリウム、フェ
ニルカリウム、ナフチルカリウム、フェニルエチニルカ
リウム、エチルルビジウム、n−ブチルルビジウム、フ
ェニルルビジウム、エチルセシウム、n−ブチルセシウ
ム、t−ブチルセシウム、フェニルセシウム、ジエチル
ベリリウム、ジプロピルベリリウム、ジn−ブチルベリ
リウム、ジフェニルベリリウム、エチルベリリウムクロ
ライド、n−ブチルベリリウムクロライド、フェニルベ
リリウムクロライド、エチルベリリウムブロマイド、ブ
チルベリリウムブロマイド、フェニルベリリウムブロマ
イド、エチルベリリウムアイオダイド、n−ブチルベリ
リウムアイオダイド、フェニルベリリウムアイオダイ
ド、ジエチルマグネシウム、ジn−ブチルマグネシウ
ム、ジt−ブチルマグネシウム、ジヘキシルマグネシウ
ム、ジフェニルマグネシウム、エチルマグネシウムフル
オライド、n−ブチルマグネシウムフルオライド、ヘキ
シルマグネシウムフルオライド、フェニルマグネシウム
フルオライド、エチルマグネシウムクロライド、ブチル
マグネシウムクロライド、t−ブチルマグネシウムクロ
ライド、ヘキシルマグネシウムクロライド、フェニルマ
グネシウムクロライド、エチルマグネシウムブロマイ
ド、ブチルマグネシウムブロマイド、ヘキシルマグネシ
ウムブロマイド、フェニルマグネシウムブロマイド、エ
チルマグネシウムアイオダイド、n−ブチルマグネシウ
ムアイオダイド、ヘキシルマグネシウムアイオダイド、
フェニルマグネシウムアイオダイド、エチルマグネシウ
ムハイドライド、エチルマグネシウムエトキシド、ジエ
チルカルシウム、ジn−ブチルカルシウム、ジヘキシル
カルシウム、ジフェニルカルシウム、エチルカルシウム
クロライド、n−ブチルカルシウムクロライド、フェニ
ルカルシウムクロライド、エチルカルシウムブロマイ
ド、n−ブチルカルシウムブロマイド、フェニルカルシ
ウムブロマイド、エチルカルシウムアイオダイド、n−
ブチルカルシウムアイオダイド、フェニルカルシウムア
イオダイド、ジエチルストロンチウム、ジブチルストロ
ンチウム、ジヘキシルストロンチウム、ジフェニルスト
ロンチウム ジメチルバリウム、ジエチルバリウム、ジ
プロピルバリウム、ジn−ブチルバリウム、ジt−n−
ブチルバリウム、ジペンチルバリウム、ジヘキシルバリ
ウム、ジフェニルバリウム、ジエチニルバリウム、ジ
(1−ヘキシニル)バリウム、ジ(フェニル)バリウ
ム、ジナフチルバリウム、ジベンジルバリウム、ジトリ
ルバリウム、ジメシチルバリウム、ビス(ジフェニルメ
チル)バリウム、ビス(トリフェニルメチル)バリウ
ム、スチリル)バリウム、ジ(α−メチルベンジル)バ
リウム、ジ(フェニルエチニル)バリウム、ジ(3ーエ
チニルフェニルエチニル)バリウム、ジ(4ーエチニル
フェニルエチニル)バリウム、エチルバリウムクロライ
ド、エチルバリウムブロマイド、エチルバリウムアイオ
ダイド、エチニルバリウムハイドライド、フェニルエチ
ニルバリウムハイドライド、エチルバリウムエトキシ
ド、プロピルバリウムプロポキシド、ブチルバリウムブ
トキシド、エチニルバリウムエトキシド、フェニルエチ
ニルバリウムプロポキシド、フェニルエチニルバリウム
ブトキシド、エチルバリウムアミド、フェニルバリウム
アミド、トリエチルボラン、トリプロピルボラン、トリ
n−ブチルボラン、トリt−n−ブチルボラン、トリヘ
キシルボラン、トリフェニルボラン、トリエチルアルミ
ニウム、トリプロピルアルミニウム、トリn−ブチルア
ルミニウム、トリヘキシルアルミニウム、トリフェニル
アルミニウム、クロロジエチルアルミニウム、クロロジ
プロピルアルミニウム、クロロジn−ブチルアルミニウ
ム、クロロジフェニルアルミニウム、ブロモジエチルア
ルミニウム、ジエチル亜鉛、ジプロピル亜鉛、ジヘキシ
ル亜鉛、ジフェニル亜鉛、ジエチルカドミウム、ジプロ
ピルカドミウム、ジヘキシルカドミウム、ジフェニルカ
ドミウムなどが挙げられる。Examples of the organometallic compounds in which a hydrocarbon group such as an alkyl group, an alkynyl, an alkenyl, and an aryl group is bonded to a metal include, specifically, methyl lithium, ethyl lithium, propyl lithium, isopropyl lithium,
n-butyllithium, isobutyllithium, t-butyllithium, pentyllithium, hexyllithium, cyclohexyllithium, octyllithium, vinyllithium, allyllithium, 1-propenyllithium, ethynyllithium, 1-hexynyllithium, phenyllithium, naphthyllithium , Benzyllithium, methylbenzyllithium, tolyllithium, mesityllithium, diphenylmethyllithium, triphenylmethyllithium, styryllithium, α-methylbenzyllithium,
Phenylethynyl lithium, methyl sodium, ethyl sodium, propyl sodium, isopropyl sodium, n-butyl sodium, pentyl sodium, cyclopentadienyl sodium, hexyl sodium,
Ethynyl sodium, 1-hexynyl sodium, phenyl sodium, naphthyl sodium, phenylethynyl sodium, methyl potassium, ethyl potassium, propyl potassium, isopropyl potassium, n-butyl potassium, isobutyl potassium, t-butyl potassium, phenyl potassium, naphthyl potassium, Phenylethynyl potassium, ethyl rubidium, n-butyl rubidium, phenyl rubidium, ethyl cesium, n-butyl cesium, t-butyl cesium, phenyl cesium, diethyl beryllium, dipropyl beryllium, di-n-butyl beryllium, diphenyl beryllium, ethyl beryllium chloride , N-butyl beryllium chloride, phenyl beryllium chloride, ethyl beryllium bromide, butyl beryllium chloride Mide, phenyl beryllium bromide, ethyl beryllium iodide, n-butyl beryllium iodide, phenyl beryllium iodide, diethyl magnesium, di-n-butyl magnesium, di-t-butyl magnesium, dihexyl magnesium, diphenyl magnesium, ethyl magnesium fluoride, n -Butyl magnesium fluoride, hexyl magnesium fluoride, phenyl magnesium fluoride, ethyl magnesium chloride, butyl magnesium chloride, t-butyl magnesium chloride, hexyl magnesium chloride, phenyl magnesium chloride, ethyl magnesium bromide, butyl magnesium bromide, hexyl magnesium bromide, Phenyl magnesium Amide, ethylmagnesium iodide, n- butylmagnesium iodide, hexyl magnesium iodide,
Phenyl magnesium iodide, ethyl magnesium hydride, ethyl magnesium ethoxide, diethyl calcium, di-n-butyl calcium, dihexyl calcium, diphenyl calcium, ethyl calcium chloride, n-butyl calcium chloride, phenyl calcium chloride, ethyl calcium bromide, n-butyl Calcium bromide, phenyl calcium bromide, ethyl calcium iodide, n-
Butyl calcium iodide, phenyl calcium iodide, diethyl strontium, dibutyl strontium, dihexyl strontium, diphenyl strontium dimethyl barium, diethyl barium, dipropyl barium, di-n-butyl barium, di-t-n-
Butyl barium, dipentyl barium, dihexyl barium, diphenyl barium, diethynyl barium, di (1-hexynyl) barium, di (phenyl) barium, dinaphthyl barium, dibenzyl barium, ditolyl barium, dimesityl barium, bis (diphenyl Methyl) barium, bis (triphenylmethyl) barium, styryl) barium, di (α-methylbenzyl) barium, di (phenylethynyl) barium, di (3-ethynylphenylethynyl) barium, di (4-ethynylphenylethynyl) Barium, ethyl barium chloride, ethyl barium bromide, ethyl barium iodide, ethynyl barium hydride, phenyl ethynyl barium hydride, ethyl barium ethoxide, propyl barium pro Oxide, butyl barium butoxide, ethynyl barium ethoxide, phenyl ethynyl barium propoxide, phenyl ethynyl barium butoxide, ethyl barium amide, phenyl barium amide, triethyl borane, tripropyl borane, tri n-butyl borane, tri-n-butyl borane, tri Hexyl borane, triphenyl borane, triethyl aluminum, tripropyl aluminum, tri n-butyl aluminum, trihexyl aluminum, triphenyl aluminum, chlorodiethyl aluminum, chlorodipropyl aluminum, chlorodi n-butyl aluminum, chlorodiphenyl aluminum, bromodiethyl aluminum , Diethyl zinc, dipropyl zinc, dihexyl zinc, diphenyl zinc, diethyl cadmium , Dipropyl cadmium, dihexyl cadmium, diphenyl cadmium and the like.
【0021】また、有機金属化合物類の中で複合有機金
属としては、リチウムテトラエチルアルミニウム、リチ
ウムテトラヘキシニルアルミニウム、リチウムテトラ
(フェニルエチニル)アルミニウム、リチウムトリ(フ
ェニルエチニル)アルミニウムエトキシド、リチウムジ
(フェニルエチニル)アルミニウムジエトキシド、ナト
リウムテトラエチルアルミニウム、ナトリウムテトラヘ
キシニルアルミニウム、ナトリウムテトラ(フェニルエ
チニル)アルミニウム、リチウムトリエチル亜鉛、リチ
ウムトリ(フェニルエチニル)亜鉛、ナトリウムトリエ
チル亜鉛、ナトリウムトリ(フェニルエチニル)亜鉛、
カルシウムテトラエチル亜鉛、カルシウムテトラプロピ
ル亜鉛、ストロンチウムテトラエチル亜鉛、ストロンチ
ウムテトラプロピル亜鉛などが挙げられる。Among the organometallic compounds, the composite organic metal includes lithium tetraethylaluminum, lithium tetrahexynylaluminum, lithium tetra (phenylethynyl) aluminum, lithium tri (phenylethynyl) aluminum ethoxide, and lithium di (phenylethynyl). ) Aluminum diethoxide, sodium tetraethylaluminum, sodium tetrahexynylaluminum, sodium tetra (phenylethynyl) aluminum, lithium triethylzinc, lithium tri (phenylethynyl) zinc, sodium triethylzinc, sodium tri (phenylethynyl) zinc,
Examples include calcium tetraethyl zinc, calcium tetrapropyl zinc, strontium tetraethyl zinc, strontium tetrapropyl zinc, and the like.
【0022】アルコキシド類としてはアルコキシ基と結
合する金属が一種である金属アルコキシド化合物および
二種であるヘテロ金属アルコキシド化合物に分けられ
る。アルコキシ基が結合する金属元素としてはリチウ
ム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウムなど
の1族典型元素、ベリリウム、マグネシウム、カルシウ
ム、ストロンチウム、バリウムなどの2族典型元素、ホ
ウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウムなどの13
族典型元素、イットリウムなどの3族遷移金属元素、チ
タン、ジルコニウムなどの4族遷移金属元素、ニオブな
どの5族遷移金属元素、クロムなどの6族遷移金属元
素、マンガンなどの7族遷移金属元素、鉄などの8族遷
移金属元素、コバルトなどの9族遷移金属元素、ニッケ
ルなどの10族遷移金属元素、銅などの11族遷移金属
元素および亜鉛などの12族遷移金属元素などが挙げら
れる。The alkoxides are classified into metal alkoxide compounds in which the metal bonded to the alkoxy group is one kind and heterometal alkoxide compounds in which the metal is two kinds. Examples of the metal element to which the alkoxy group is bonded include group 1 typical elements such as lithium, sodium, potassium, rubidium and cesium, group 2 typical elements such as beryllium, magnesium, calcium, strontium and barium, and boron, aluminum, gallium and indium. 13
Group III transition metal elements such as Group III transition metal elements such as titanium and zirconium; Group V transition metal elements such as niobium; Group 6 transition metal elements such as chromium; and Group 7 transition metal elements such as manganese And a Group 8 transition metal element such as iron, a Group 9 transition metal element such as cobalt, a Group 10 transition metal element such as nickel, a Group 11 transition metal element such as copper, and a Group 12 transition metal element such as zinc.
【0023】これらの金属元素に結合するアルコキシ基
としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソ
プロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、t−
ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オ
クチルオキシ基、アリルオキシ基、ベンジルオキシ基、
フェノキシ基、ナフチルオキシ基、メトキシエトキシ
基、メトキシエトキシエトキシ基、メトキシプロポキシ
基などが挙げられる。ただし、金属の価数が2以上であ
る場合またはヘテロ金属アルコキシド化合物ではこれら
のアルコキシ基の他にアルキル基、アルキニル基、アル
ケニル基、アリール基などの炭化水素基、フルオロ基、
クロロ基、ブロモ基、ヨード基などのハロゲン基、水素
原子またはアミノ基などが結合していてもよい。The alkoxy groups bonded to these metal elements include methoxy, ethoxy, propoxy, isopropoxy, n-butoxy, isobutoxy, t-
Butoxy, pentyloxy, hexyloxy, octyloxy, allyloxy, benzyloxy,
Phenoxy, naphthyloxy, methoxyethoxy, methoxyethoxyethoxy, methoxypropoxy and the like. However, when the valence of the metal is 2 or more or in a heterometal alkoxide compound, in addition to these alkoxy groups, alkyl groups, alkynyl groups, alkenyl groups, hydrocarbon groups such as aryl groups, fluoro groups,
A halogen group such as a chloro group, a bromo group and an iodo group, a hydrogen atom or an amino group may be bonded.
【0024】アルコキシ基が1族典型金属元素と結合し
た金属アルコキシド化合物としては、具体的には、リチ
ウムメトキシド、リチウムエトキシド、リチウムプロポ
キシド、リチウムイソプロポキシド、リチウムn−ブト
キシド、リチウムイソブトキシド、リチウムt−ブトキ
シド、リチウムペンチルオキシド、リチウムヘキシルオ
キシド、リチウムオクチルオキシド、リチウムアリルオ
キシド、リチウムベンジルオキシド、リチウムフェノキ
シド、リチウムナフチルオキシド、リチウムメトキシエ
トキシド、リチウムメトキシエトキシエトキシド、リチ
ウムメトキシプロポキシド、ナトリウムメトキシド、ナ
トリウムエトキシド、ナトリウムプロポキシド、ナトリ
ウムイソプロポキシド、ナトリウムn−ブトキシド、ナ
トリウムイソブトキシド、ナトリウムt−ブトキシド、
ナトリウムヘキシルオキシド、ナトリウムオクチルオキ
シド、ナトリウムフェノキシド、ナトリウムメトキシエ
トキシド、ナトリウムメトキシエトキシエトキシド、ナ
トリウムメトキシプロポキシド、カリウムエトキシド、
カリウムプロポキシド、カリウムt−ブトキシド、カリ
ウムフェノキシド、カリウムナフチルオキシド、ルビジ
ウムエトキシド、ルビジウムt−ブトキシド、ルビジウ
ムベンジルオキシド、ルビジウムフェノキシド、セシウ
ムエトキシド、セシウムプロポキシド、セシウムt−ブ
トキシド、などが挙げられる。Specific examples of the metal alkoxide compound in which an alkoxy group is bonded to a group 1 typical metal element include lithium methoxide, lithium ethoxide, lithium propoxide, lithium isopropoxide, lithium n-butoxide, and lithium isobutoxide. , Lithium t-butoxide, lithium pentyl oxide, lithium hexyl oxide, lithium octyl oxide, lithium allyl oxide, lithium benzyl oxide, lithium phenoxide, lithium naphthyl oxide, lithium methoxy ethoxide, lithium methoxy ethoxy ethoxide, lithium methoxy propoxide, sodium Methoxide, sodium ethoxide, sodium propoxide, sodium isopropoxide, sodium n-butoxide, sodium isobutoxide Sid, sodium t- butoxide,
Sodium hexyl oxide, sodium octyl oxide, sodium phenoxide, sodium methoxy ethoxide, sodium methoxy ethoxy ethoxide, sodium methoxy propoxide, potassium ethoxide,
Examples include potassium propoxide, potassium t-butoxide, potassium phenoxide, potassium naphthyl oxide, rubidium ethoxide, rubidium t-butoxide, rubidium benzyl oxide, rubidium phenoxide, cesium ethoxide, cesium propoxide, cesium t-butoxide, and the like.
【0025】アルコキシ基が2族典型金属元素と結合し
た金属アルコキシド化合物としては、具体的には、ベリ
リウムジ(エトキシド)、ベリリウムジ(n−ブトキシ
ド)、ベリリウムジ(イソブトキシド)、ベリリウムジ
(t−ブトキシド)、ベリリウムジ(ヘキシルオキシ
ド)、ベリリウムジ(フェノキシド)、マグネシウムジ
(エトキシド)、マグネシウムジ(プロポキシド)、マ
グネシウムジ(イソプロポキシド)、マグネシウムジ
(n−ブトキシド)、マグネシウムジ(t−ブトキシ
ド)、マグネシウムジ(ヘキシルオキシド)、マグネシ
ウムジ(フェノキシド)、マグネシウムジ(メトキシエ
トキシド)、カルシウムジ(エトキシド)、カルシウム
ジ(プロポキシド)、カルシウムジ(イソプロポキシ
ド)、カルシウムジ(n−ブトキシド)、カルシウムジ
(イソブトキシド)、カルシウムジ(t−ブトキシ
ド)、カルシウムジ(ヘキシルオキシド)、カルシウム
ジ(オクチルオキシド)、カルシウムジ(フェノキシ
ド)、カルシウムジ(メトキシエトキシド)、カルシウ
ムジ(メトキシプロポキシド)、ストロンチウムジ(エ
トキシド)、ストロンチウムジ(プロポキシド)、スト
ロンチウムジ(イソプロポキシド)、ストロンチウムジ
(n−ブトキシド)、ストロンチウムジ(t−ブトキシ
ド)、ストロンチウムジ(ヘキシルオキシド)、ストロ
ンチウムジ(フェノキシド)、ストロンチウムジ(メト
キシエトキシド)、バリウムジ(メトキシド)、バリウ
ムジ(エトキシド)、バリウムジ(プロポキシド)、バ
リウムジ(イソプロポキシド)、バリウムジ(n−ブト
キシド)、バリウムジ(イソブトキシド)、バリウムジ
(s−ブトキシド)、バリウムジ(t−ブトキシド)、
バリウムジ(ペンチルオキシド)、バリウムジ(ヘキシ
ルオキシド)、バリウムジ(オクチルオキシド)、バリ
ウムジ(ベンジルオキシド)、バリウムジ(フェノキシ
ド)、バリウムジ(メトキシエトキシド)、バリウムジ
(メトキシエトキシエトキシド)、バリウムジ(メトキ
シプロポキシド)などが挙げられる。Specific examples of the metal alkoxide compound in which an alkoxy group is bonded to a group 2 typical metal element include beryllium di (ethoxide), beryllium di (n-butoxide), beryllium di (isobutoxide), and beryllium di (t). -Butoxide), beryllium di (hexyl oxide), beryllium di (phenoxide), magnesium di (ethoxide), magnesium di (propoxide), magnesium di (isopropoxide), magnesium di (n-butoxide), magnesium di (t) -Butoxide), magnesium di (hexyl oxide), magnesium di (phenoxide), magnesium di (methoxyethoxide), calcium di (ethoxide), calcium di (propoxide), calcium di (isopropoxide), calcium di (n − Toxide), calcium di (isobutoxide), calcium di (t-butoxide), calcium di (hexyl oxide), calcium di (octyl oxide), calcium di (phenoxide), calcium di (methoxy ethoxide), calcium di (methoxy ethoxy) (Propoxide), strontium di (ethoxide), strontium di (propoxide), strontium di (isopropoxide), strontium di (n-butoxide), strontium di (t-butoxide), strontium di (hexyl oxide), strontium di (Phenoxide), strontium di (methoxy ethoxide), barium di (methoxide), barium di (ethoxide), barium di (propoxide), barium di (isopropoxide), barium di (n- Tokishido), barium di (isobutoxides), barium di (s- butoxide), barium di (t- butoxide),
Barium di (pentyl oxide), barium di (hexyl oxide), barium di (octyl oxide), barium di (benzyl oxide), barium di (phenoxide), barium di (methoxy ethoxide), barium di (methoxy ethoxy ethoxide), barium di (methoxy propoxide) And the like.
【0026】アルコキシ基が13族典型金属元素と結合
した金属アルコキシド化合物としては、具体的には、ボ
ロントリ(エトキシド)、ボロントリ(プロポキシ
ド)、ボロントリ(イソプロポキシド)、ボロントリ
(n−ブトキシド)、ボロントリ(イソブトキシド)、
ボロントリ(t−ブトキシド)、ボロントリ(フェノキ
シド)、アルミニウムトリ(エトキシド)、アルミニウ
ムトリ(プロポキシド)、アルミニウムトリ(イソプロ
ポキシド)、アルミニウムトリ(n−ブトキシド)、ア
ルミニウムトリ(t−ブトキシド)、ガリウムトリ(エ
トキシド)、ガリウムトリ(プロポキシド)、ガリウム
トリ(イソプロポキシド)、ガリウムトリ(n−ブトキ
シド)、ガリウムトリ(イソブトキシド)、ガリウムト
リ(t−ブトキシド)、ガリウムトリ(ヘキシルオキシ
ド)、ガリウムトリ(フェノキシド)、、インジウムト
リ(エトキシド)、インジウムトリ(プロポキシド)、
インジウムトリ(イソプロポキシド)などが挙げられ
る。Specific examples of metal alkoxide compounds in which an alkoxy group is bonded to a group 13 typical metal element include boron tri (ethoxide), boron tri (propoxide), boron tri (isopropoxide), boron tri (n-butoxide), Boron tri (isobutoxide),
Boron tri (t-butoxide), boron tri (phenoxide), aluminum tri (ethoxide), aluminum tri (propoxide), aluminum tri (isopropoxide), aluminum tri (n-butoxide), aluminum tri (t-butoxide), gallium Tri (ethoxide), gallium tri (propoxide), gallium tri (isopropoxide), gallium tri (n-butoxide), gallium tri (isobutoxide), gallium tri (t-butoxide), gallium tri (hexyl oxide), Gallium tri (phenoxide), indium tri (ethoxide), indium tri (propoxide),
Indium tri (isopropoxide) and the like can be mentioned.
【0027】アルコキシ基が3族遷移金属元素と結合し
た金属アルコキシド化合物としては、具体的には、イッ
トリウムトリ(エトキシド)、イットリウムトリ(イソ
プロポキシドシド)、イットリウムトリ(メトキシエト
キシドシド)などが挙げられる。Specific examples of the metal alkoxide compound in which an alkoxy group is bonded to a Group 3 transition metal element include yttrium tri (ethoxide), yttrium tri (isopropoxide side), and yttrium tri (methoxyethoxide side). No.
【0028】アルコキシ基が4族遷移金属元素と結合し
た金属アルコキシド化合物としては、具体的には、チタ
ンテトラ(エトキシド)、チタンテトラ(プロポキシ
ド)、チタンテトラ(イソプロポキシド)、チタンテト
ラ(メトキシエトキシド)、ジルコニウムテトラ(エト
キシド)、ジルコニウムテトラ(プロポキシド)、ジル
コニウムテトラ(イソプロポキシド)、ジルコニウムテ
トラ(メトキシエトキシド)などが挙げられる。Specific examples of the metal alkoxide compound in which an alkoxy group is bonded to a Group 4 transition metal element include titanium tetra (ethoxide), titanium tetra (propoxide), titanium tetra (isopropoxide), and titanium tetra (methoxy). (Ethoxide), zirconium tetra (ethoxide), zirconium tetra (propoxide), zirconium tetra (isopropoxide), zirconium tetra (methoxyethoxide) and the like.
【0029】アルコキシ基が5族遷移金属元素と結合し
た金属アルコキシド化合物としては、具体的には、ニオ
ブペンタ(エトキシド)などが挙げられる。アルコキシ
基が6族遷移金属元素と結合した金属アルコキシド化合
物としては、具体的には、クロムトリ(エトキシド)、
クロムトリ(イソプロポキシド)などが挙げられる。ア
ルコキシ基が7族遷移金属元素と結合した金属アルコキ
シド化合物としては、具体的には、マンガンジ(メトキ
シド)、マンガンジ(エトキシド)などが挙げられる。Specific examples of the metal alkoxide compound in which an alkoxy group is bonded to a group V transition metal element include niobium penta (ethoxide). Specific examples of the metal alkoxide compound in which an alkoxy group is bonded to a Group 6 transition metal element include chromium tri (ethoxide),
Chromium tri (isopropoxide) and the like. Specific examples of the metal alkoxide compound in which an alkoxy group is bonded to a Group 7 transition metal element include manganese di (methoxide) and manganese di (ethoxide).
【0030】アルコキシ基が8族遷移金属元素と結合し
た金属アルコキシド化合物としては、具体的には、鉄ト
リ(エトキシド)などが挙げられる。アルコキシ基が9
族遷移金属元素と結合した金属アルコキシド化合物とし
ては、具体的には、コバルトジ(メトキシド)、コバル
トジ(エトキシド)などが挙げられる。アルコキシ基が
10族遷移金属元素と結合した金属アルコキシド化合物
としては、具体的には、ニッケルジ(エトキシド)、ニ
ッケルジ(メトキシド)などが挙げられる。Specific examples of the metal alkoxide compound in which an alkoxy group is bonded to a Group VIII transition metal element include iron tri (ethoxide). 9 alkoxy groups
Specific examples of the metal alkoxide compound bonded to the group III transition metal element include cobalt di (methoxide) and cobalt di (ethoxide). Specific examples of the metal alkoxide compound in which an alkoxy group is bonded to a Group 10 transition metal element include nickel di (ethoxide) and nickel di (methoxide).
【0031】アルコキシ基が11族遷移金属元素と結合
した金属アルコキシド化合物としては、具体的には、銅
ジ(メトキシド)、銅ジ(エトキシド)、銅ジ(プロポ
キシド)、銅ジ(イソプロポキシド)、銅ジ(n−ブト
キシド)、銅ジ(t−ブトキシド)、銅ジ(メトキシエ
トキシド)などが挙げられる。アルコキシ基が12族遷
移金属元素と結合した金属アルコキシド化合物として
は、具体的には、亜鉛ジエトキシド、亜鉛ジ(メトキシ
エトキシド)などが挙げられる。Specific examples of the metal alkoxide compound in which an alkoxy group is bonded to a Group 11 transition metal element include copper di (methoxide), copper di (ethoxide), copper di (propoxide), and copper di (isopropoxide). ), Copper di (n-butoxide), copper di (t-butoxide), copper di (methoxy ethoxide) and the like. Specific examples of the metal alkoxide compound in which an alkoxy group is bonded to a Group 12 transition metal element include zinc diethoxide and zinc di (methoxy ethoxide).
【0032】ヘテロ金属アルコキシド化合物としては、
具体的には、リチウムアルミニウムテトラメトキシド、
リチウムアルミニウムテトラエトキシド、リチウムアル
ミニウムテトラプロポキシド、ナトリウムアルミニウム
テトラブトキシド、ナトリウムアルミニウムテトラメト
キシド、ナトリウムアルミニウムテトラエトキシド、ナ
トリウムアルミニウムテトラプロポキシド、ナトリウム
アルミニウムテトラブトキシド、カリウムアルミニウム
テトラメトキシド、カリウムアルミニウムテトラエトキ
シド、カリウムアルミニウムテトラプロポキシド、カリ
ウムアルミニウムテトラブトキシドなどが挙げられる。As the hetero metal alkoxide compound,
Specifically, lithium aluminum tetramethoxide,
Lithium aluminum tetraethoxide, lithium aluminum tetrapropoxide, sodium aluminum tetrabutoxide, sodium aluminum tetramethoxide, sodium aluminum tetraethoxide, sodium aluminum tetrapropoxide, sodium aluminum tetrabutoxide, potassium aluminum tetramethoxide, potassium aluminum tetraethoxy And potassium aluminum tetrapropoxide, potassium aluminum tetrabutoxide and the like.
【0033】金属アミド類とは、本発明ではアンモニ
ア、第1または第2アミンの水素原子1個が金属原子で
置換した金属アミド化合物;アンモニアまたは第1アミ
ンの水素の原子2個が金属原子で置換した金属イミド化
合物;およびアンモニアの水素原子3個が金属原子で置
換した金属ニトリド化合物を意味する。In the present invention, a metal amide is a metal amide compound in which one hydrogen atom of ammonia or a primary or secondary amine is substituted with a metal atom; and two hydrogen atoms of ammonia or a primary amine are metal atoms. A substituted metal imide compound; and a metal nitride compound in which three hydrogen atoms of ammonia have been replaced by metal atoms.
【0034】第1または第2アミンとしてはメチルアミ
ン、ジメチルアミン、エチルアミン、エチルアミン、プ
ロピルアミン、ジプロピルアミン、イソプロピルアミ
ン、ジイソプロピルアミン、ブチルアミン、ジブチルア
ミン、イソブチルアミン、ジイソブチルアミン、t−ブ
チルアミン、ジt−ブチルアミン、ペンチルアミン、ジ
ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ジヘキシルアミン、
オクチルアミン、アリルアミン、ジアリルアミン、トリ
メチルシリルアミン、ビス(トリメチルシリル)アミ
ン、アニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。The primary or secondary amine may be methylamine, dimethylamine, ethylamine, ethylamine, propylamine, dipropylamine, isopropylamine, diisopropylamine, butylamine, dibutylamine, isobutylamine, diisobutylamine, t-butylamine, t-butylamine, pentylamine, dipentylamine, hexylamine, dihexylamine,
Octylamine, allylamine, diallylamine, trimethylsilylamine, bis (trimethylsilyl) amine, aniline, diphenylamine and the like can be mentioned.
【0035】置換する金属元素としてはリチウム、ナト
リウム、カリウム、ルビジウム、セシウムなどの1族典
型元素及びベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ス
トロンチウム、バリウムなどの2族典型元素が挙げられ
る。ただし、金属の価数が2以上である場合はこれらの
金属原子に水素原子またはフルオロ基、クロロ基、ブロ
モ基、ヨード基などのハロゲン基、アルキル基、アルキ
ニル基、アルケニル基、アリール基などの炭化水素基、
メトキシ基やエトキシ基などのアルコキシ基などが結合
していてもよい。The metal elements to be substituted include group 1 typical elements such as lithium, sodium, potassium, rubidium and cesium and group 2 typical elements such as beryllium, magnesium, calcium, strontium and barium. However, when the valence of the metal is 2 or more, these metal atoms may be a hydrogen atom or a halogen group such as a fluoro group, a chloro group, a bromo group, an iodo group, an alkyl group, an alkynyl group, an alkenyl group, an aryl group, or the like. Hydrocarbon groups,
An alkoxy group such as a methoxy group or an ethoxy group may be bonded.
【0036】水素原子と置換する金属原子が1族典型金
属元素である金属アミド化合物としては、具体的には、
リチウムアミド、リチウムメチルアミド、リチウムジメ
チルアミド、リチウムエチルアミド、リチウムジエチル
アミド、リチウムプロピルアミド、リチウムジプロピル
アミド、リチウムイソプロピルアミド、リチウムジイソ
プロピルアミド、リチウムブチルアミド、リチウムジブ
チルアミド、リチウムイソブチルアミド、リチウムジイ
ソブチルアミド、リチウムt−ブチルアミド、リチウム
ジt−ブチルアミド、リチウムペンチルアミド、リチウ
ムジペンチルアミド、リチウムヘキシルアミド、リチウ
ムジヘキシルアミド、リチウムオクチルアミド、リチウ
ムアリルアミド、リチウムジアリルアミド、リチウムト
リメチルシリルアミド、リチウムビス(トリメチルシリ
ル)アミド、リチウムフェニルアミド、リチウムジフェ
ニルアミド、ナトリウムアミド、ナトリウムジメチルア
ミド、ナトリウムジエチルアミド、ナトリウムジプロピ
ルアミド、ナトリウムジイソプロピルアミド、ナトリウ
ムジブチルアミド、ナトリウムジイソブチルアミド、ナ
トリウムジt−ブチルアミド、ナトリウムジペンチルア
ミド、ナトリウムヘキシルアミド、ナトリウムジヘキシ
ルアミド、ナトリウムジアリルアミド、ナトリウムトリ
メチルシリルアミド、ナトリウムビス(トリメチルシリ
ル)アミド、ナトリウムジフェニルアミド、カリウムア
ミド、カリウムジメチルアミド、カリウムジエチルアミ
ド、カリウムジプロピルアミド、カリウムイソプロピル
アミド、カリウムジイソプロピルアミド、カリウムジブ
チルアミド、カリウムイソブチルアミド、カリウムジイ
ソブチルアミド、カリウムビス(トリメチルシリル)ア
ミド、カリウムジフェニルアミド、ルビジウムアミド、
ルビジウムジエチルアミド、ルビジウムジイソプロピル
アミド、ルビジウムジブチルアミド、ルビジウムビス
(トリメチルシリル)アミド、セシウムアミド、セシウ
ムジメチルアミド、セシウムジエチルアミド、セシウム
ジイソプロピルアミド、セシウムジブチルアミド、セシ
ウムビス(トリメチルシリル)アミドなどが挙げられ
る。As the metal amide compound in which the metal atom replacing the hydrogen atom is a group 1 typical metal element, specifically,
Lithium amide, lithium methylamide, lithium dimethylamide, lithium ethylamide, lithium diethylamide, lithium propylamide, lithium dipropylamide, lithium isopropylamide, lithium diisopropylamide, lithium butylamide, lithium dibutylamide, lithium isobutylamide, lithium diisobutylamide , Lithium t-butylamide, lithium di-t-butylamide, lithium pentylamide, lithium dipentylamide, lithium hexylamide, lithium dihexylamide, lithium octylamide, lithium allylamide, lithium diallylamide, lithium trimethylsilylamide, lithium bis (trimethylsilyl) amide, Lithium phenylamide, lithium diphenylamide, nato Sodium amide, sodium dimethylamide, sodium diethylamide, sodium dipropylamide, sodium diisopropylamide, sodium dibutylamide, sodium diisobutylamide, sodium di-t-butylamide, sodium dipentylamide, sodium hexylamide, sodium dihexylamide, sodium diallylamide, sodium trimethylsilyl Amide, sodium bis (trimethylsilyl) amide, sodium diphenylamide, potassium amide, potassium dimethylamide, potassium diethylamide, potassium dipropylamide, potassium isopropylamide, potassium diisopropylamide, potassium dibutylamide, potassium isobutylamide, potassium diisobutylamide, potassium bis (G Methylsilyl) amide, potassium diphenyl amide, rubidium amide,
Examples include rubidium diethylamide, rubidium diisopropylamide, rubidium dibutylamide, rubidium bis (trimethylsilyl) amide, cesium amide, cesium dimethylamide, cesium diethylamide, cesium diisopropylamide, cesium dibutylamide, and cesium bis (trimethylsilyl) amide.
【0037】水素原子と置換する金属原子が2族典型金
属元素である金属アミド化合物としては、具体的には、
ベリリウムジアミド、ベリリウムビス(ジメチルアミ
ド)、ベリリウムビス(ジエチルアミド)、ベリリウム
ビス(ジプロピルアミド)、ベリリウムビス(ジブチル
アミド)、ベリリウムビス(ビス(トリメチルシリル)
アミド)、ベリリウムビス(ジフェニルアミド)、マグ
ネシウムジアミド、マグネシウムビス(ジメチルアミ
ド)、マグネシウムビス(ジエチルアミド)、マグネシ
ウムビス(ジプロピルアミド)、マグネシウムビス(イ
ソプロピルアミド)、マグネシウムビス(ジイソプロピ
ルアミド)、マグネシウムビス(ジブチルアミド)、マ
グネシウムビス(ジイソブチルアミド)、マグネシウム
ビス(t−ブチルアミド)、マグネシウムビス(ジt−
ブチルアミド)、マグネシウムビス(ジヘキシルアミ
ド)、マグネシウムビス(ジアリルアミド)、マグネシ
ウムビス(トリメチルシリルアミド)、マグネシウムビ
ス(ビス(トリメチルシリル)アミド)、マグネシウム
ビス(フェニルアミド)、マグネシウムビス(ジフェニ
ルアミド)、カルシウムジアミド、カルシウムビス(メ
チルアミド)、カルシウムビス(ジメチルアミド)、カ
ルシウムビス(エチルアミド)、カルシウムビス(ジエ
チルアミド)、カルシウムビス(プロピルアミド)、カ
ルシウムビス(ジプロピルアミド)、カルシウムビス
(イソプロピルアミド)、カルシウムビス(ジイソプロ
ピルアミド)、カルシウムビス(ジブチルアミド)、カ
ルシウムビス(ジt−ブチルアミド)、カルシウムビス
(ジヘキシルアミド)、カルシウムビス(ジアリルアミ
ド)、カルシウムビス(ビス(トリメチルシリル)アミ
ド)、カルシウムビス(ジフェニルアミド)、ストロン
チウムジアミド、ストロンチウムビス(ジメチルアミ
ド)、ストロンチウムビス(ジエチルアミド)、ストロ
ンチウムビス(ジプロピルアミド)、ストロンチウムビ
ス(ジイソプロピルアミド)、ストロンチウムビス(ジ
ブチルアミド)、ストロンチウムビス(ジt−ブチルア
ミド)、ストロンチウムビス(ジヘキシルアミド)、ス
トロンチウムビス(ビス(トリメチルシリル)アミ
ド)、ストロンチウムビス(ジフェニルアミド)、バリ
ウムジアミド、バリウムビス(メチルアミド)、バリウ
ムビス(ジメチルアミド)、バリウムビス(エチルアミ
ド)、バリウムビス(ジエチルアミド)、バリウムビス
(プロピルアミド)、バリウムビス(ジプロピルアミ
ド)、バリウムビス(イソプロピルアミド)、バリウム
ビス(ジイソプロピルアミド)、バリウムビス(ブチル
アミド)、バリウムビス(ジブチルアミド)、バリウム
ビス(イソブチルアミド)、バリウムビス(ジイソブチ
ルアミド)、バリウムビス(t−ブチルアミド)、バリ
ウムビス(ジt−ブチルアミド)、バリウムビス(ペン
チルアミド)、バリウムビス(ジペンチルアミド)、バ
リウムビス(ヘキシルアミド)、バリウムビス(ジヘキ
シルアミド)、バリウムビス(オクチルアミド)、バリ
ウムビス(アリルアミド)、バリウムビス(ジアリルア
ミド)、バリウムビス(トリメチルシリルアミド)、バ
リウムビス(ビス(トリメチルシリル)アミド)、バリ
ウムビス(フェニルアミド)、バリウムビス(ジフェニ
ルアミド)、バリウム(ヒドロ)アミド、バリウム(ヒ
ドロ)ジメチルアミドなどが挙げられる。As the metal amide compound in which the metal atom replacing the hydrogen atom is a Group 2 typical metal element, specifically,
Beryllium diamide, beryllium bis (dimethylamide), beryllium bis (diethylamide), beryllium bis (dipropylamide), beryllium bis (dibutylamide), beryllium bis (bis (trimethylsilyl))
Amide), beryllium bis (diphenylamide), magnesium diamide, magnesium bis (dimethylamide), magnesium bis (diethylamide), magnesium bis (dipropylamide), magnesium bis (isopropylamide), magnesium bis (diisopropylamide), magnesium bis (Dibutylamide), magnesium bis (diisobutylamide), magnesium bis (t-butylamide), magnesium bis (di-t-
Butylamide), magnesium bis (dihexylamide), magnesium bis (diallylamide), magnesium bis (trimethylsilylamide), magnesium bis (bis (trimethylsilyl) amide), magnesium bis (phenylamide), magnesium bis (diphenylamide), calcium diamide , Calcium bis (methylamide), calcium bis (dimethylamide), calcium bis (ethylamide), calcium bis (diethylamide), calcium bis (propylamide), calcium bis (dipropylamide), calcium bis (isopropylamide), calcium bis (Diisopropylamide), calcium bis (dibutylamide), calcium bis (di-t-butylamide), calcium bis (dihexylamide) Calcium bis (diallylamide), calcium bis (bis (trimethylsilyl) amide), calcium bis (diphenylamide), strontium diamide, strontium bis (dimethylamide), strontium bis (diethylamide), strontium bis (dipropylamide), strontium bis (Diisopropylamide), strontium bis (dibutylamide), strontium bis (di-t-butylamide), strontium bis (dihexylamide), strontium bis (bis (trimethylsilyl) amide), strontium bis (diphenylamide), barium diamide, barium bis (Methylamide), barium bis (dimethylamide), barium bis (ethylamide), barium bis (diethylamide), barium Mbis (propylamide), barium bis (dipropylamide), barium bis (isopropylamide), barium bis (diisopropylamide), barium bis (butylamide), barium bis (dibutylamide), barium bis (isobutylamide), barium bis (Diisobutylamide), barium bis (t-butylamide), barium bis (di-t-butylamide), barium bis (pentylamide), barium bis (dipentylamide), barium bis (hexylamide), barium bis (dihexylamide), Barium bis (octylamide), barium bis (allylamide), barium bis (diallylamide), barium bis (trimethylsilylamide), barium bis (bis (trimethylsilyl) amide), barium bis (f Enylamide), barium bis (diphenylamide), barium (hydro) amide, barium (hydro) dimethylamide, and the like.
【0038】水素原子と置換する金属原子が1族典型金
属元素である金属イミド化合物としては、具体的には、
リチウムイミド、リチウムメチルイミド、リチウムエチ
ルイミド、リチウムプロピルイミド、リチウムイソプロ
ピルイミド、リチウムブチルイミド、リチウムイソブチ
ルイミド、リチウムt−ブチルイミド、リチウムペンチ
ルイミド、リチウムヘキシルイミド、リチウムオクチル
イミド、リチウムアリルイミド、リチウムトリメチルシ
リルイミド、リチウムフェニルイミド、ナトリウムイミ
ド、ナトリウムメチルイミド、ナトリウムエチルイミ
ド、ナトリウムプロピルイミド、ナトリウムイソプロピ
ルイミド、ナトリウムブチルイミド、ナトリウムイソブ
チルイミド、ナトリウムt−ブチルイミド、ナトリウム
ペンチルイミド、ナトリウムヘキシルイミド、ナトリウ
ムオクチルイミド、ナトリウムアリルイミド、ナトリウ
ムトリメチルシリルイミド、ナトリウムフェニルイミ
ド、カリウムイミド、カリウムエチルイミド、カリウム
プロピルイミド、カリウムブチルイミド、カリウムヘキ
シルイミド、カリウムフェニルイミド、ルビジウムイミ
ド、ルビジウムエチルイミド、ルビジウムブチルイミ
ド、ルビジウムイソブチルイミド、ルビジウムt−ブチ
ルイミド、セシウムエチルイミド、セシウムブチルイミ
ドなどが挙げられる。Examples of the metal imide compound in which the metal atom replacing the hydrogen atom is a group 1 typical metal element include:
Lithium imide, lithium methyl imide, lithium ethyl imide, lithium propyl imide, lithium isopropyl imide, lithium butyl imide, lithium isobutyl imide, lithium t-butyl imide, lithium pentyl imide, lithium hexyl imide, lithium octyl imide, lithium allyl imide, lithium trimethyl silyl Imide, lithium phenylimide, sodium imide, sodium methyl imide, sodium ethyl imide, sodium propyl imide, sodium isopropyl imide, sodium butyl imide, sodium isobutyl imide, sodium t-butyl imide, sodium pentyl imide, sodium hexyl imide, sodium octyl imide, Sodium allyl imide, sodium trimethylsilyl Imide, sodium phenylimide, potassium imide, potassium ethyl imide, potassium propyl imide, potassium butyl imide, potassium hexyl imide, potassium phenyl imide, rubidium imide, rubidium ethyl imide, rubidium butyl imide, rubidium isobutyl imide, rubidium t-butyl imide, cesium Ethyl imide, cesium butyl imide and the like can be mentioned.
【0039】水素原子と置換する金属原子が2族典型金
属元素である金属イミド化合物としては、具体的には、
ベリリウムイミド、ベリリウムエチルイミド、ベリリウ
ムブチルイミド、ベリリウムt−ブチルイミド、リリウ
ムヘキシルイミド、ベリリウムトリメチルシリルイミ
ド、ベリリウムフェニルイミド、マグネシウムイミド、
マグネシウムエチルイミド、マグネシウムプロピルイミ
ド、マグネシウムイソプロピルイミド、マグネシウムブ
チルイミド、マグネシウムt−ブチルイミド、マグネシ
ウムペンチルイミド、マグネシウムヘキシルイミド、マ
グネシウムトリメチルシリルイミド、マグネシウムフェ
ニルイミド、カルシウムイミド、カルシウムメチルイミ
ド、カルシウムエチルイミド、カルシウムプロピルイミ
ド、カルシウムイソプロピルイミド、カルシウムブチル
イミド、カルシウムイソブチルイミド、カルシウムt−
ブチルイミド、カルシウムヘキシルイミド、カルシムア
リルイミド、カルシウムトリメチルシリルイミド、カル
シウムフェニルイミド、ストロンチウムイミド、ストロ
ンチウムエチルイミド、ストロンチウムプロピルイミ
ド、ストロンチウムイソプロピルイミド、ストロンチウ
ムブチルイミド、ストロンチウムt−ブチルイミド、ス
トロンチウムヘキシルイミド、ストロンチウムオクチル
イミド、ストロンチウムアリルイミド、ストロンチウム
トリメチルシリルイミド、ストロンチウムフェニルイミ
ド、バリウムイミド、バリウムメチルイミド、バリウム
エチルイミド、バリウムプロピルイミド、バリウムイソ
プロピルイミド、バリウムブチルイミド、バリウムイソ
ブチルイミド、バリウムt−ブチルイミド、バリウムペ
ンチルイミド、バリウムヘキシルイミド、バリウムオク
チルイミド、バリウムアリルイミド、バリウムトリメチ
ルシリルイミド、バリウムフェニルイミドなどが挙げら
れる。As the metal imide compound in which the metal atom replacing the hydrogen atom is a Group 2 typical metal element, specifically,
Beryllium imide, beryllium ethyl imide, beryllium butyl imide, beryllium t-butyl imide, lylium hexyl imide, beryllium trimethylsilyl imide, beryllium phenyl imide, magnesium imide,
Magnesium ethyl imide, magnesium propyl imide, magnesium isopropyl imide, magnesium butyl imide, magnesium t-butyl imide, magnesium pentyl imide, magnesium hexyl imide, magnesium trimethylsilyl imide, magnesium phenyl imide, calcium imide, calcium methyl imide, calcium ethyl imide, calcium propyl Imide, calcium isopropyl imide, calcium butyl imide, calcium isobutyl imide, calcium t-
Butyl imide, calcium hexyl imide, calcium allylmimide, calcium trimethylsilyl imide, calcium phenyl imide, strontium imide, strontium ethyl imide, strontium propyl imide, strontium isopropyl imide, strontium butyl imide, strontium t-butyl imide, strontium hexyl imide, strontium octyl imide, Strontium allyl imide, strontium trimethylsilyl imide, strontium phenyl imide, barium imide, barium methyl imide, barium ethyl imide, barium propyl imide, barium isopropyl imide, barium butyl imide, barium isobutyl imide, barium t-butyl imide, barium pentyl imide, barium Arm hexyl imide, barium octyl imide, barium allyl imide, barium trimethylsilyl imide, barium phenyl imide.
【0040】金属ニトリド化合物としてはリチウムニト
リド、ナトリウムニトリド、カリウムニトリド、ルビジ
ウムニトリド、セシウムニトリド、ベリリウムニトリ
ド、マグネシウムニトリド、カルシウムニトリド、スト
ロンチウムニトリド、バリウムニトリドなどが挙げられ
る。これらの金属化合物類は単独であるいは二種以上を
混合して使用することができる。Examples of the metal nitride compound include lithium nitride, sodium nitride, potassium nitride, rubidium nitride, cesium nitride, beryllium nitride, magnesium nitride, calcium nitride, strontium nitride, barium nitride and the like. Can be These metal compounds can be used alone or in combination of two or more.
【0041】典型元素金属としてはリチウム、ナトリウ
ム、カリウム、ルビジウム、セシウムなどの1族典型元
素金属、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、スト
ロンチウム、バリウムなどの2族典型元素金属が挙げら
れる。これらの金属はそのまま用いてもかまわないが、
特に2族典型元素金属は活性化した微粒子状態で使用す
ることが望ましい。活性化した金属微粒子を得る方法と
してはリチウム/芳香族錯体によりハロゲン化金属を還
元する方法(H. Xiong, and R. D. Rieke, Journal of
Organic Chemistry, Vol. 54, 3247-3249 (1989)., T.
Wu, H. Xiong, and R. D. Rieke, Journal of Organic
Chemistry, Vol. 55, 5045-5051 (1990)., A. Yanagisa
wa, S. Habaue, K. Yasue, and H. Yamamoto, Journal
of American Chemical Society, Vol. 116, 6130-6141
(1994).)やカリウムによりハロゲン化金属を還元する
方法(T. P. Burns, and R. D. Rieke, Journal of Org
anic Chemistry, Vol. 52, 3674-3680 (1987))、金属
蒸気と溶媒を同時に凝縮させる方法(K. J. Klabunde,
H. F. Efner, L. Satek, and W. Donley, Journal of O
rganometallic Chemistry, Vol. 71 309-313 (1974))
などが挙げられる。The typical element metals include Group 1 typical element metals such as lithium, sodium, potassium, rubidium and cesium, and Group 2 typical element metals such as beryllium, magnesium, calcium, strontium and barium. These metals can be used as they are,
In particular, the Group 2 element metal is desirably used in the form of activated fine particles. As a method of obtaining activated metal fine particles, a method of reducing a metal halide with a lithium / aromatic complex (H. Xiong, and RD Rieke, Journal of
Organic Chemistry, Vol. 54, 3247-3249 (1989)., T.
Wu, H. Xiong, and RD Rieke, Journal of Organic
Chemistry, Vol. 55, 5045-5051 (1990)., A. Yanagisa
wa, S. Habaue, K. Yasue, and H. Yamamoto, Journal
of American Chemical Society, Vol. 116, 6130-6141
(1994).) And methods for reducing metal halides with potassium (TP Burns, and RD Rieke, Journal of Org
anic Chemistry, Vol. 52, 3674-3680 (1987)), a method of simultaneously condensing a metal vapor and a solvent (KJ Klabunde,
HF Efner, L. Satek, and W. Donley, Journal of O
rganometallic Chemistry, Vol. 71 309-313 (1974))
And the like.
【0042】原料のR4-m −SiHm で表されるシリル
化合物とR1 −C≡CHで表されるエチニル化合物の仕
込みの比率は特に限定するものではないが、好ましくは
エチニル化合物100mmolに対しlmmolからl
0000mmolである。触媒である金属水素化物、金
属化合物類または典型元素金属は単独であるいは二種以
上を混合して使用することができる。触媒使用量はR1
−C≡CHで表されるエチニル化合物100mmolに
対し0.0001mmolから200mmolである。The ratio of the raw materials of the silyl compound represented by R 4-m -SiH m and the ethynyl compound represented by R 1 -C≡CH is not particularly limited, but is preferably 100 mmol of the ethynyl compound. On the other hand, from lmmol to l
0000 mmol. The metal hydride, metal compound or typical element metal as a catalyst can be used alone or in combination of two or more. The amount of catalyst used is R 1
0.0001 mmol to 200 mmol for 100 mmol of the ethynyl compound represented by -C≡CH.
【0043】溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプ
タン、オクタンなどの飽和脂肪族系炭化水素溶媒や、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、メシチ
レンのような芳香族系炭化水素溶媒や、ジエチルエーテ
ル、n−ブチルエーテル、アニソール、ジフェニルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ビス(2−メ
トキシエチル)エーテル、1,2−ビス(2−メトキシ
エトキシ)エタンのようなエーテル系溶媒や、ジクロロ
メタン、クロロホルムのような含ハロゲン溶媒や、N−
メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミドのような有機極性溶媒及びこれらの混合溶媒
が使用できる。溶媒の量は原料のR1−C≡CHで表さ
れるエチニル化合物1mmolに対して0.1〜40m
lが好ましい。Examples of the solvent include saturated aliphatic hydrocarbon solvents such as pentane, hexane, heptane, and octane; aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, and mesitylene; diethyl ether; Ether solvents such as butyl ether, anisole, diphenyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, bis (2-methoxyethyl) ether, 1,2-bis (2-methoxyethoxy) ethane, and halogen-containing solvents such as dichloromethane and chloroform; N-
Organic polar solvents such as methylpyrrolidone, dimethylformamide, dimethylacetamide, and mixed solvents thereof can be used. The amount of the solvent is 0.1 to 40 m per 1 mmol of the raw material ethynyl compound represented by R 1 -C の CH.
l is preferred.
【0044】反応温度は0〜300℃、より好ましくは
20〜150℃である。反応圧力は常圧、加圧のいづれ
でもかまわない。反応時間は反応温度などにより異なる
が0.1〜200時間が適切である。The reaction temperature is from 0 to 300 ° C, more preferably from 20 to 150 ° C. The reaction pressure may be normal pressure or pressurization. Although the reaction time varies depending on the reaction temperature and the like, 0.1 to 200 hours is appropriate.
【0045】生成物の精製は、反応液に何も処理を施さ
ない状態で行ってもかまわないが、反応液を水中に分散
させることにより触媒を分解分離した後で行うことが好
ましい。触媒を分解分離する水は酸性、中性のいずれで
もかまわないがHF、HCl、HBr、HI、H2 SO
4 、HNO3 、H2 CO3 、H3 PO4 、HClO2、
H2 S、H2 SO3 、H2 S2 O3 などの無機酸または
HCOOH、CH3 COOH、C6 H5 COOH、蓚酸
などの有機酸によりpH0〜pH5の酸性状態にしたも
のが好ましい。水の量は触媒1mmolに対し0.4m
l〜400mlである。無溶媒または水に対する溶解度
が5wt%以上の反応溶媒を使用した場合は分散させる
前に脱水乾燥したベンゼン、トルエン、キシレンなどの
芳香族系炭化水素溶媒を原料のR1 −C≡CHで表され
るエチニル化合物1mmolに対し0.1ml〜40m
l加えておくことが好ましい。The purification of the product may be carried out without any treatment of the reaction solution, but is preferably carried out after dispersing the reaction solution in water to decompose and separate the catalyst. The water for decomposing and separating the catalyst may be acidic or neutral, but may be HF, HCl, HBr, HI, H 2 SO
4 , HNO 3 , H 2 CO 3 , H 3 PO 4 , HClO 2 ,
It is preferable to use an inorganic acid such as H 2 S, H 2 SO 3 , H 2 S 2 O 3 or an acid such as HCOOH, CH 3 COOH, C 6 H 5 COOH, oxalic acid or the like to make it acidic to pH 0 to pH 5 . The amount of water is 0.4 m per 1 mmol of the catalyst.
1 to 400 ml. When no solvent or a reaction solvent having a solubility in water of 5% by weight or more is used, an aromatic hydrocarbon solvent such as benzene, toluene, or xylene that has been dehydrated and dried before dispersion is represented by R 1 -C≡CH as a raw material. 0.1 ml to 40 m per 1 mmol of ethynyl compound
It is preferable to add l.
【0046】前記の触媒を分解分離する方法についてさ
らに詳しく説明すると、反応液を水中に分散させる方法
としては、水溶中に反応液を注ぎ撹拌する方法、反応液
中に水溶液を注ぎ撹拌する方法、水溶液と反応液を同時
に一つの容器に注ぎ撹拌する方法のいずれでもかまわな
いが、水溶液中に反応液を注ぎ撹拌する方法が望まし
い。混合および撹拌により反応液を水中に分散させ触媒
を水層側に移動させた後、有機層を分離する。有機層は
さらに水溶液で1回〜10回洗浄することが好ましい。
水溶液の使用量は反応液中の生成物濃度、触媒の種類お
よび濃度により異なるが、触媒1mmolに対し0.4
ml〜400mlである。水溶液として酸性水溶液を使
用する場合、酸の濃度は酸の種類により異なるが、水溶
液のpHが0〜5の範囲になる濃度である。中性水溶液
は純水またはpHが6〜9の範囲の無機塩または有機塩
の水溶液である。The method of decomposing and separating the catalyst will be described in more detail. The method of dispersing the reaction solution in water includes a method of pouring and stirring the reaction solution in an aqueous solution, a method of pouring and stirring the aqueous solution in the reaction solution, Any method may be employed in which the aqueous solution and the reaction solution are simultaneously poured into one container and stirred, but a method in which the reaction solution is poured into the aqueous solution and stirred is preferable. The reaction liquid is dispersed in water by mixing and stirring to move the catalyst to the aqueous layer side, and then the organic layer is separated. The organic layer is preferably further washed once to ten times with an aqueous solution.
The amount of the aqueous solution varies depending on the product concentration in the reaction solution, the type and concentration of the catalyst.
ml to 400 ml. When an acidic aqueous solution is used as the aqueous solution, the concentration of the acid varies depending on the type of the acid, but the concentration is such that the pH of the aqueous solution is in the range of 0 to 5. The neutral aqueous solution is pure water or an aqueous solution of an inorganic salt or an organic salt having a pH in the range of 6 to 9.
【0047】無溶媒または水に対する溶解度が5wt%
以上の反応溶媒を使用した場合は分散させる前に水に対
する溶解度が5wt%未満の脱水乾燥したベンゼン、ト
ルエン、キシレンなどの芳香族系炭化水素溶媒を原料の
R1 −C≡CHで表されるエチニル化合物の仕込み1m
molに対し0.1ml〜40mlの割合で反応液に加
えておくことが好ましい。これらの溶媒は脱水乾燥を行
わずに水溶液側に加えておいてもよい。また、水に対す
る溶解度が5wt%未満の溶媒として芳香族溶媒の他に
クロロホルムなどの含ハロゲン溶媒、ペンタン、ヘキサ
ン、ヘプタン、オクタンなどの飽和脂肪族系炭化水素を
使用することもできる。これらの溶媒は単独でまたは二
種以上を混合して使用することができる。No solvent or solubility in water is 5 wt%
When the above reaction solvent is used, an aromatic hydrocarbon solvent such as benzene, toluene, xylene or the like having a solubility in water of less than 5 wt% before dispersing is represented by R 1 -C≡CH as a raw material. 1m charge of ethynyl compound
It is preferable to add to the reaction solution in a ratio of 0.1 ml to 40 ml based on mol. These solvents may be added to the aqueous solution side without performing dehydration drying. In addition, as a solvent having a solubility in water of less than 5 wt%, in addition to an aromatic solvent, a halogen-containing solvent such as chloroform, and a saturated aliphatic hydrocarbon such as pentane, hexane, heptane, and octane can be used. These solvents can be used alone or in combination of two or more.
【0048】酸性水溶液による触媒除去を行った場合、
反応液はそのままでもかまわないが、中性の水または水
溶液による洗浄により酸成分を除去することが好まし
い。酸成分を除去するための洗浄回数は酸の種類、使用
量により異なるが洗浄した水のpHが6以上になるまで
であり、通常1回〜30回程度である。反応液(油層)
と水層の分離が悪い場合はLiCl、NaCl、Na2
SO4 、NaNO3 、KCl、MgCl2 、CaCl2
などの無機塩の水溶液を使用することが好ましい。水の
使用量は反応液1mlに対し0.01〜100mlであ
る。When the catalyst is removed with an acidic aqueous solution,
The reaction solution may be used as it is, but it is preferable to remove the acid component by washing with neutral water or an aqueous solution. The number of washings for removing the acid component varies depending on the type and amount of the acid used, but is until the pH of the washed water becomes 6 or more, and is usually about 1 to 30 times. Reaction liquid (oil layer)
If the separation of the aqueous layer from the water is poor, use LiCl, NaCl, Na 2
SO 4 , NaNO 3 , KCl, MgCl 2 , CaCl 2
It is preferable to use an aqueous solution of an inorganic salt such as The amount of water used is 0.01 to 100 ml per 1 ml of the reaction solution.
【0049】以上の触媒除去操作後、蒸留、カラム分
離、抽出、再結晶などの方法により反応液より生成物の
分離精製を行うが、反応液は分離精製の前に乾燥剤によ
り水を除去しておくことが好ましい。乾燥剤はP
2 O5 、H2 SO4 などの酸性乾燥剤、モレキュラーシ
ーブ、シリカゲル、アルミナ、Na2 SO4 、Na2 C
O3 、MgSO4 、Mg(ClO4 )2 、CaSO4 、
CaCl2 、CuSO4 などの中性乾燥剤が使用できる
が、中性乾燥剤を使用することが好ましい。乾燥剤の量
は乾燥剤の種類や溶媒の種類により異なるが、反応液1
mlに対し0.01g〜50gである。乾燥時間は乾燥
剤の種類や量、溶媒の種類により異なるが5分〜100
日、望ましくは12時間〜10日である。After the above-described catalyst removal operation, the product is separated and purified from the reaction solution by a method such as distillation, column separation, extraction, or recrystallization, and the reaction solution is dried with a desiccant before separation and purification. It is preferable to keep it. The desiccant is P
Acidic desiccant such as 2 O 5 , H 2 SO 4 , molecular sieve, silica gel, alumina, Na 2 SO 4 , Na 2 C
O 3 , MgSO 4 , Mg (ClO 4 ) 2 , CaSO 4 ,
Neutral drying agents such as CaCl 2 and CuSO 4 can be used, but it is preferable to use neutral drying agents. The amount of the desiccant varies depending on the type of the desiccant and the type of the solvent.
It is 0.01 g to 50 g per ml. The drying time varies depending on the type and amount of the desiccant and the type of the solvent, but is from 5 minutes to 100 minutes.
Days, preferably 12 hours to 10 days.
【0050】次に、一般式(3)で表される繰り返し単
位を含むアセチレン結合を有する含ケイ素ポリマーを製
造において、反応溶液を酸性または中性水溶液で処理す
ることにより触媒を除去する方法について述べる。反応
溶液は、一般式(3)で表される繰り返し単位を含むア
セチレン結合を有する含ケイ素ポリマーを製造するため
に、R2 −SiH2 −R3 で表されるシリル化合物と一
般式(2)で表されるジエチニル化合物を金属水素化
物、金属化合物類または典型元素金属の存在下無溶媒で
あるいは溶媒とともにで所定の温度で所定の時間反応さ
せることにより得られる(特開平10−12068
9)。Next, a method for removing the catalyst by treating the reaction solution with an acidic or neutral aqueous solution in the production of a silicon-containing polymer having an acetylene bond containing a repeating unit represented by the general formula (3) will be described. . The reaction solution contains a silyl compound represented by R 2 —SiH 2 —R 3 and a silyl compound represented by the general formula (2) in order to produce a silicon-containing polymer having an acetylene bond containing a repeating unit represented by the general formula (3). Is obtained by reacting the diethynyl compound represented by the formula (1) with or without a solvent in the presence of a metal hydride, a metal compound or a typical element metal at a predetermined temperature at a predetermined temperature for a predetermined time (JP-A-10-12068).
9).
【0051】反応装置は原料を供給する部分、反応容器
内部の撹拌装置、反応容器の温度を制御する部分などか
らなる。本反応は、無溶媒もしくは溶媒中で反応させる
ことができる。容器内に原料のR2 −SiH2 −R3 で
表されるヒドロシリル化合物と一般式(2)で表される
ジエチニル化合物および触媒である金属水素化物、金属
化合物類または典型元素金属、さらに必要に応じて溶媒
を仕込む。金属水素化物、金属化合物類または典型元素
金属は溶液状態、懸濁状態、あるいは溶媒に溶解するこ
となくそのままの状態で仕込むことができる。反応溶液
を所定の温度に制御しつつ、撹拌しながら所定の時間反
応させる。The reactor comprises a part for supplying raw materials, a stirring device inside the reactor, a part for controlling the temperature of the reactor, and the like. This reaction can be carried out without a solvent or in a solvent. In a container, a raw material hydrosilyl compound represented by R 2 —SiH 2 —R 3 , a diethynyl compound represented by the general formula (2) and a metal hydride, a metal compound or a typical element metal as a catalyst, Charge the solvent accordingly. The metal hydride, metal compound or typical elemental metal can be charged in a solution state, a suspension state, or as it is without being dissolved in a solvent. The reaction solution is allowed to react for a predetermined time while being stirred while being controlled at a predetermined temperature.
【0052】原料のR2 −SiH2 −R3 で表されるヒ
ドロシリル化合物としてはメチルシラン、ジメチルシラ
ン、エチルシラン、ジエチルシラン、フェニルシラン、
ジフェニルシラン、ヘキシルシラン、ビニルシラン、ア
リルシラン、エチニルシラン、1−シリル−2−プロピ
ン、ベンゾイルシラン、トリフルオロメチルシラン、1
−シリル−3, 3, 3−トリフルオロプロパン、4−シ
リルトルエン、4−シリルスチレン、4−シリルエチニ
ルトルエン、4−シリル−α,α,α−トリフルオロト
ルエン、メトキシシラン、ジメトキシシランシラン、エ
トキシシラン、ジエトキシシランなどが挙げられる。Hydrosilyl compounds represented by R 2 —SiH 2 —R 3 as raw materials include methylsilane, dimethylsilane, ethylsilane, diethylsilane, phenylsilane, and the like.
Diphenylsilane, hexylsilane, vinylsilane, allylsilane, ethynylsilane, 1-silyl-2-propyne, benzoylsilane, trifluoromethylsilane, 1
-Silyl-3,3,3-trifluoropropane, 4-silyltoluene, 4-silylstyrene, 4-silylethynyltoluene, 4-silyl-α, α, α-trifluorotoluene, methoxysilane, dimethoxysilanesilane, Ethoxysilane, diethoxysilane and the like can be mentioned.
【0053】また、原料の一般式(2)で表されるジエ
チニル化合物としては、具体的にはジアセチレン、m−
ジエチニルベンゼン、p−ジエチニルベンゼン、o−ジ
エチニルベンゼン、3, 5−ジエチニルトルエン、2,
7−ジエチニルナフタレン、5, 10−ジエチニルアン
トラセン、4, 4' −ジエチニルビフェニル、ビス(4
−エチニルフェニル)メタン、2, 2−ビス(p−エチ
ニルフェニル)プロパン、2, 2−ビス(p−エチニル
フェニル)トリフルオロプロパン、ビス(4−エチニル
フェニル)エーテル、2, 2−ビス(p−エチニルフェ
ニル)スルフォン、2, 6−ジエチニルピリジン、2,
5−ジエチニルチオフェン、化学式(4)(化7)The diethynyl compound represented by the general formula (2) as a raw material is specifically, diacetylene, m-
Diethynylbenzene, p-diethynylbenzene, o-diethynylbenzene, 3,5-diethynyltoluene, 2,
7-diethynylnaphthalene, 5,10-diethynylanthracene, 4,4′-diethynylbiphenyl, bis (4
-Ethynylphenyl) methane, 2,2-bis (p-ethynylphenyl) propane, 2,2-bis (p-ethynylphenyl) trifluoropropane, bis (4-ethynylphenyl) ether, 2,2-bis (p -Ethynylphenyl) sulfone, 2,6-diethynylpyridine, 2,
5-diethynylthiophene, chemical formula (4)
【0054】[0054]
【化7】 、化学式(5)(化8)Embedded image , Chemical formula (5)
【0055】[0055]
【化8】 、化学式(6)(化9)Embedded image , Chemical formula (6)
【0056】[0056]
【化9】 、化学式(7)(化10)Embedded image , Chemical formula (7)
【0057】[0057]
【化10】 、化学式(8)(化11)Embedded image , Chemical formula (8)
【0058】[0058]
【化11】 である。Embedded image It is.
【0059】触媒の金属水素化物、金属化合物類または
典型元素金属としては一般式(1)で表されるシリルア
セチレン化合物を製造する際に使用できるものと同じも
のが使用できる。原料のR2 −SiH2 −R3 で表され
るヒドロシリル化合物と一般式(2)で表されるジエチ
ニル化合物の比率は特に限定するものではないが好まし
くはジエチニル化合物100mmolに対しl0mmo
lからl000mmolである。触媒である金属水素化
物、金属化合物類または典型元素金属は単独であるいは
二種以上を混合して使用することができる。触媒使用量
はジエチニル化合物100mmolに対し0.0001
mmolから200mmolである。As the metal hydride, metal compound or typical elemental metal of the catalyst, the same ones that can be used for producing the silylacetylene compound represented by the general formula (1) can be used. The ratio of the raw material, the hydrosilyl compound represented by R 2 —SiH 2 —R 3 , to the diethynyl compound represented by the general formula (2) is not particularly limited, but is preferably 10 mmol per 100 mmol of the diethynyl compound.
1 to 1000 mmol. The metal hydride, metal compound or typical element metal as a catalyst can be used alone or in combination of two or more. The amount of the catalyst used is 0.0001 per 100 mmol of the diethynyl compound.
It is from 200 mmol to 200 mmol.
【0060】溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、エチルベンゼン、メシチレンのような芳香族炭化
水素系溶媒や、ジエチルエーテル、n−ブチルエーテ
ル、アニソール、ジフェニルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、ビス(2−メトキシエチル)エーテ
ル、1,2−ビス(2−メトキシエトキシ)エタンのよ
うなエーテル系溶媒や、ジクロロメタン、クロロホルム
のような含ハロゲン溶媒や、N−メチルピロリドン、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドのような有
機極性溶媒及びこれらの混合溶媒が使用できる。溶媒の
量は原料のジエチニル化合物1mmolに対して0.1
〜40mlが好ましい。また、溶媒に含まれる水分が触
媒の活性を低下させる場合があるので、溶媒は予め脱水
乾燥したものを用いるのが好ましい。反応温度は0〜3
00℃、より好ましくは20〜150℃である。反応圧
力は常圧、加圧のいづれでもかまわない。反応時間は反
応温度などにより異なるが0.1〜200時間が適切で
ある。Examples of the solvent include aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene and mesitylene, diethyl ether, n-butyl ether, anisole, diphenyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, bis (2-methoxyethyl) ether Solvents such as 1,2-bis (2-methoxyethoxy) ethane, halogen-containing solvents such as dichloromethane and chloroform, and organic polar solvents such as N-methylpyrrolidone, dimethylformamide, and dimethylacetamide; Can be used. The amount of the solvent is 0.1 to 1 mmol of the starting diethynyl compound.
~ 40 ml is preferred. Further, since water contained in the solvent may reduce the activity of the catalyst, it is preferable to use a solvent which has been previously dehydrated and dried. Reaction temperature is 0-3
00 ° C, more preferably 20 to 150 ° C. The reaction pressure may be normal pressure or pressurization. Although the reaction time varies depending on the reaction temperature and the like, 0.1 to 200 hours is appropriate.
【0061】生成物の精製は、反応液に何も処理を施さ
ない状態で行ってもかまわないが、反応液を水中に分散
させることにより触媒を分解分離した後で行うことが好
ましい。触媒を分解分離する水は酸性、中性のいずれで
もかまわないがHF、HCl、HBr、HI、H2 SO
4 、HNO3 、H2 CO3 、H3 PO4 、HClO2、
H2 S、H2 SO3 、H2 S2 O3 などの無機酸または
HCOOH、CH3 COOH、C6 H5 COOH、蓚酸
などの有機酸によりpH0〜pH5の酸性状態にしたも
のが好ましい。水の量は触媒1mmolに対し0.4m
l〜400mlである。無溶媒または水に対する溶解度
が5wt%以上の反応溶媒を使用した場合は分散させる
前に脱水乾燥したベンゼン、トルエン、キシレンなどの
芳香族系炭化水素溶媒を原料の一般式(2)で表される
ジエチニル化合物1mmolに対し0.1ml〜40m
l加えておくことが好ましい。The purification of the product may be carried out without any treatment of the reaction solution, but is preferably carried out after dispersing the reaction solution in water to decompose and separate the catalyst. The water for decomposing and separating the catalyst may be acidic or neutral, but may be HF, HCl, HBr, HI, H 2 SO
4 , HNO 3 , H 2 CO 3 , H 3 PO 4 , HClO 2 ,
It is preferable to use an inorganic acid such as H 2 S, H 2 SO 3 , H 2 S 2 O 3 or an acid such as HCOOH, CH 3 COOH, C 6 H 5 COOH, oxalic acid or the like to make it acidic to pH 0 to pH 5 . The amount of water is 0.4 m per 1 mmol of the catalyst.
1 to 400 ml. In the case of using no solvent or a reaction solvent having a solubility in water of 5% by weight or more, an aromatic hydrocarbon solvent such as benzene, toluene, or xylene which has been dehydrated and dried before dispersing is represented by the general formula (2) as a raw material. 0.1 ml to 40 m per 1 mmol of diethynyl compound
It is preferable to add l.
【0062】前記の触媒を分解分離する方法についてさ
らに詳しく説明すると、反応液を水中に分散させる方法
としては、水溶中に反応液を注ぎ撹拌する方法、反応液
中に水溶液を注ぎ撹拌する方法、水溶液と反応液を同時
に一つの容器に注ぎ撹拌する方法のいずれでもかまわな
いが、水溶液中に反応液を注ぎ撹拌する方法が望まし
い。混合および撹拌により反応液を水中に分散させ触媒
を水層側に移動させた後、有機層を分離する。有機層は
さらに水溶液で1回〜10回洗浄することが好ましい。
水溶液の使用量は反応液中の生成物濃度、触媒の種類お
よび濃度により異なるが、触媒1mmolに対し0.4
ml〜400mlである。水溶液として酸性水溶液を使
用する場合、酸の濃度は酸の種類により異なるが、水溶
液のpHが0〜5の範囲になる濃度である。中性水溶液
は純水またはpHが6〜9の範囲の無機塩または有機塩
の水溶液である。The method of decomposing and separating the catalyst will be described in more detail. As a method of dispersing the reaction solution in water, a method of pouring and stirring the reaction solution in an aqueous solution, a method of pouring and stirring the aqueous solution in the reaction solution, Any method may be employed in which the aqueous solution and the reaction solution are simultaneously poured into one container and stirred, but a method in which the reaction solution is poured into the aqueous solution and stirred is preferable. The reaction liquid is dispersed in water by mixing and stirring to move the catalyst to the aqueous layer side, and then the organic layer is separated. The organic layer is preferably further washed once to ten times with an aqueous solution.
The amount of the aqueous solution varies depending on the product concentration in the reaction solution, the type and concentration of the catalyst.
ml to 400 ml. When an acidic aqueous solution is used as the aqueous solution, the concentration of the acid varies depending on the type of the acid, but the concentration is such that the pH of the aqueous solution is in the range of 0 to 5. The neutral aqueous solution is pure water or an aqueous solution of an inorganic salt or an organic salt having a pH in the range of 6 to 9.
【0063】無溶媒または水に対する溶解度が5wt%
以上の反応溶媒を使用した場合は分散させる前に水に対
する溶解度が5wt%未満の脱水乾燥したベンゼン、ト
ルエン、キシレンなどの芳香族系炭化水素溶媒を原料の
一般式(2)で表されるジエチニル化合物の仕込み1m
molに対し0.1ml〜40mlの割合で反応液に加
えておくことが好ましい。これらの溶媒は脱水乾燥を行
わずに水溶液側に加えておいてもよい。また、水に対す
る溶解度が5wt%未満の溶媒として芳香族溶媒の他に
クロロホルムなどの含ハロゲン溶媒、ペンタン、ヘキサ
ン、ヘプタン、オクタンなどの飽和脂肪族系炭化水素を
使用することもできる。これらの溶媒は単独でまたは二
種以上を混合して使用することができる。No solvent or solubility in water is 5 wt%
In the case where the above reaction solvent is used, before dispersing, a dehydrogenated aromatic hydrocarbon solvent such as benzene, toluene, xylene or the like having a solubility in water of less than 5% by weight is used as a starting material for diethynyl represented by the general formula (2). Compound preparation 1m
It is preferable to add to the reaction solution in a ratio of 0.1 ml to 40 ml based on mol. These solvents may be added to the aqueous solution side without performing dehydration drying. In addition, as a solvent having a solubility in water of less than 5 wt%, in addition to an aromatic solvent, a halogen-containing solvent such as chloroform, and a saturated aliphatic hydrocarbon such as pentane, hexane, heptane, and octane can be used. These solvents can be used alone or in combination of two or more.
【0064】酸性水溶液による触媒除去を行った場合、
反応液はそのままでもかまわないが、中性の水または水
溶液による洗浄により酸成分を除去することが好まし
い。酸成分を除去するための洗浄回数は酸の種類、使用
量により異なるが洗浄した水のpHが6以上になるまで
であり、通常1回〜30回程度である。反応液(油層)
と水層の分離が悪い場合はLiCl、NaCl、Na2
SO4 、NaNO3 、KCl、MgCl2 、CaCl2
などの無機塩の水溶液を使用することが好ましい。水の
使用量は反応液1mlに対し0.01〜100mlであ
る。When the catalyst is removed with an acidic aqueous solution,
The reaction solution may be used as it is, but it is preferable to remove the acid component by washing with neutral water or an aqueous solution. The number of washings for removing the acid component varies depending on the type and amount of the acid used, but is until the pH of the washed water becomes 6 or more, and is usually about 1 to 30 times. Reaction liquid (oil layer)
If the separation of the aqueous layer from the water is poor, use LiCl, NaCl, Na 2
SO 4 , NaNO 3 , KCl, MgCl 2 , CaCl 2
It is preferable to use an aqueous solution of an inorganic salt such as The amount of water used is 0.01 to 100 ml per 1 ml of the reaction solution.
【0065】以上の触媒除去操作後、カラム分離、析出
などの方法により反応液より生成物の分離精製を行う
が、反応液は分離精製の前に乾燥剤により水を除去して
おくことが好ましい。乾燥剤はP2 O5 、H2 SO4 な
どの酸性乾燥剤、モレキュラーシーブ、シリカゲル、ア
ルミナ、Na2 SO4 、Na2 CO3 、MgSO4 、M
g(ClO4 )2 、CaSO4 、CaCl2 、CuSO
4 などの中性乾燥剤が使用できるが、中性乾燥剤を使用
することが好ましい。乾燥剤の量は乾燥剤の種類や溶媒
の種類により異なるが、反応液1mlに対し0.01g
〜50gである。乾燥時間は乾燥剤の種類や量、溶媒の
種類により異なるが5分〜100日、望ましくは12時
間〜10日である。After the above-described catalyst removal operation, the product is separated and purified from the reaction solution by a method such as column separation or precipitation. It is preferable that the reaction solution be dried with a desiccant before separation and purification. . The desiccant is an acidic desiccant such as P 2 O 5 , H 2 SO 4 , molecular sieve, silica gel, alumina, Na 2 SO 4 , Na 2 CO 3 , MgSO 4 , M
g (ClO 4 ) 2 , CaSO 4 , CaCl 2 , CuSO
Although a neutral desiccant such as 4 can be used, it is preferable to use a neutral desiccant. The amount of the desiccant varies depending on the type of the desiccant and the type of the solvent, but 0.01 g per 1 ml of the reaction solution.
5050 g. The drying time varies depending on the type and amount of the desiccant and the type of the solvent, but is 5 minutes to 100 days, preferably 12 hours to 10 days.
【0066】ポリマーを析出分離する場合に使用できる
貧溶媒にはペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンな
どの脂肪族炭化水素やメタノール、エタノール、プロパ
ノールなどの脂肪族アルコールが挙げられる。貧溶媒の
使用量は原料のジエチニル化合物1mmolに対して
0.01〜200ml、より好ましくは0.1〜50m
lである。Examples of the poor solvent which can be used for separating and separating the polymer include aliphatic hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane and octane, and aliphatic alcohols such as methanol, ethanol and propanol. The amount of the poor solvent used is 0.01 to 200 ml, more preferably 0.1 to 50 m, per 1 mmol of the raw material diethynyl compound.
l.
【0067】[0067]
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例によって説
明する。 実施例1 100mlのガラス製容器の内部に磁気撹拌子を設置
し、容器内を高純度窒素ガスで置換した。続いて容器内
に原料のフェニルシラン5.7g(53mmol)、フ
ェニルアセチレン5.4g(53mmol)、溶媒のビ
ス(2−メトキシエチル)エーテル10ml、触媒のL
iAlH4 0.103g(2.7mmol)を仕込み、
120℃で20時間撹拌を行った。反応後、反応液をG
C(ガスクロマトグラフィー)で分析した。生成物とし
てフェニルエチニル(フェニル)シラン(収率42%)
およびビス(フェニルエチニル)(フェニル)シラン
(収率9%)が得られた。また、反応率はフェニルシラ
ン53%、フェニルアセチレン56%であった。この結
果より、金属水素化物触媒により簡便にシリルアセチレ
ン化合物が製造できることが示された。反応液に脱水ト
ルエン20mlを加え、1規定塩酸水溶液20ml中に
分散させた。有機相を1規定塩酸水溶液5mlで洗浄
後、イオン交換水5mlづつで水相のpHが6になるま
で洗浄し、CaSO 4 10gにより一晩乾燥を行った。
エバポレーターにて反応液を9.2gまで濃縮した。反
応液中のリチウムの残存量を測定したところ1μg/g
未満であった。The present invention will be described below with reference to examples and comparative examples.
I will tell. Example 1 A magnetic stirrer was installed inside a 100 ml glass container.
Then, the inside of the container was replaced with high-purity nitrogen gas. Then in the container
5.7 g (53 mmol) of phenylsilane as a raw material
5.4 g (53 mmol) of phenylacetylene, solvent
(2-methoxyethyl) ether 10 ml, catalyst L
iAlHFour0.103 g (2.7 mmol) was charged,
Stirring was performed at 120 ° C. for 20 hours. After the reaction, the reaction solution is G
The analysis was performed by C (gas chromatography). As a product
Phenylethynyl (phenyl) silane (yield 42%)
And bis (phenylethynyl) (phenyl) silane
(Yield 9%) was obtained. The reaction rate is phenylsila
53% and phenylacetylene 56%. This result
From the results, the silyl acetylene is more easily
It was shown that the compound could be prepared. Dehydrate the reaction solution
Add 20 ml of Ruen and add to 20 ml of 1N aqueous hydrochloric acid.
Dispersed. Wash the organic phase with 5 ml of 1N aqueous hydrochloric acid
Thereafter, the pH of the aqueous phase is adjusted to 6 with 5 ml of ion-exchanged water.
And washed with CaSO FourDrying overnight with 10 g.
The reaction solution was concentrated to 9.2 g with an evaporator. Anti
When the residual amount of lithium in the reaction solution was measured, it was 1 μg / g.
Was less than.
【0068】実施例2 70mlの耐圧ステンレス容器内にフェニルシラン5.
8g(53mmol)、m−ジエチニルベンゼン6.7
g(53mmol)、溶媒としてテトラヒドロフラン1
0ml、触媒としてLiAlH4 0.100g(2.
6mmol)を密封し、120℃で20時間撹拌を行っ
た。反応液をGCで分析したところフェニルシランの反
応率は76%、m−ジエチニルベンゼンの反応率は92
%であった。反応液に脱水トルエン20mlを加え、1
規定塩酸水溶液20ml中に分散させた。有機相を1規
定塩酸水溶液5mlで洗浄後、純水5mlずつで水相の
pHが6になるまで洗浄した。CaSO4 10gにより
一晩脱水を行った後、0.7kPaで52時間真空乾燥
をおこない8.4gのポリマーを得た(収率67%)。
GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)に
よるスチレン換算重量平均分子量は2400であった。
ポリマー中のリチウムの残存量を測定したところ1μg
/g未満であった。Example 2 Phenylsilane was placed in a 70 ml pressure-resistant stainless steel container.
8 g (53 mmol), m-diethynylbenzene 6.7
g (53 mmol), tetrahydrofuran 1 as a solvent
0 ml, LiAlH 4 0.100 g as catalyst (2.
6 mmol) was sealed and stirred at 120 ° C. for 20 hours. The reaction mixture was analyzed by GC to find that the conversion of phenylsilane was 76% and that of m-diethynylbenzene was 92%.
%Met. 20 ml of dehydrated toluene was added to the reaction solution, and 1
It was dispersed in 20 ml of a normal aqueous hydrochloric acid solution. The organic phase was washed with 5 ml of a 1 N aqueous hydrochloric acid solution and then with 5 ml of pure water until the pH of the aqueous phase reached 6. After dehydrating overnight with 10 g of CaSO 4, vacuum drying was performed at 0.7 kPa for 52 hours to obtain 8.4 g of a polymer (yield 67%).
The weight average molecular weight in terms of styrene measured by GPC (gel permeation chromatography) was 2,400.
When the residual amount of lithium in the polymer was measured, it was 1 μg.
/ G.
【0069】比較例1 実施例2と同じ反応操作によりスチレン換算重量平均分
子量2200のポリマー反応溶液を得た。塩酸水溶液に
よる触媒除去操作を行わず、そのまま反応液を濃縮後、
真空乾燥により溶媒およびモノマーを除去し、ポリマー
8.9gを得た。ポリマー中のリチウムの残存量は20
00μg/gであった。Comparative Example 1 A polymer reaction solution having a weight average molecular weight in terms of styrene of 2200 was obtained by the same reaction procedure as in Example 2. Without performing the catalyst removal operation with an aqueous hydrochloric acid solution, the reaction solution was concentrated as it was,
The solvent and monomer were removed by vacuum drying to obtain 8.9 g of a polymer. The residual amount of lithium in the polymer is 20
It was 00 μg / g.
【0070】実施例3 シリル化合物としてフェニルシラン5.8g(54mm
ol)、エチニル化合物としてフェニルアセチレン5.
3g(52mmol)、溶媒のビス(2−メトキシエチ
ル)エーテル10ml、触媒としてn−ブチルリチウム
ヘキサン溶液0.103g(n−ブチルリチウム0.3
2mmol相当)を使用しその他は実施例1と同様にし
て反応を行った。反応後、反応液をGC(ガスクロマト
グラフィー)で分析した。生成物としてフェニルエチニ
ル(フェニル)シラン(収率44%)およびビス(フェ
ニルエチニル)(フェニル)シラン(収率9%)が得ら
れた。また、反応率はフェニルシラン62%、フェニル
アセチレン77%であった。実施例1と同様の後処理を
行った後、エバポレーターにて反応液を10.6gまで
濃縮した。反応液中のリチウムの残存量を測定したとこ
ろ1μg/g未満であった。Example 3 As a silyl compound, 5.8 g (54 mm) of phenylsilane was used.
ol) and phenylacetylene as an ethynyl compound.
3 g (52 mmol), 10 ml of bis (2-methoxyethyl) ether as a solvent, and 0.103 g of n-butyllithium hexane solution as a catalyst (0.3 ml of n-butyllithium)
The reaction was carried out in the same manner as in Example 1 except for using 2 mmol). After the reaction, the reaction solution was analyzed by GC (gas chromatography). Phenylethynyl (phenyl) silane (44% yield) and bis (phenylethynyl) (phenyl) silane (9% yield) were obtained as products. The reaction rates were phenylsilane 62% and phenylacetylene 77%. After performing the same post-treatment as in Example 1, the reaction solution was concentrated to 10.6 g with an evaporator. When the amount of lithium remaining in the reaction solution was measured, it was less than 1 μg / g.
【0071】実施例4 フェニルアセチレンの代わりにm−ジエチニルベンゼン
6.7g(53mmol)を使用し、その他の条件は実
施例3と同様にして80℃で20時間撹拌を行った。反
応液をGCで分析したところフェニルシランの反応率は
64%、m−ジエチニルベンゼンの反応率は76%であ
った。実施例2と同様の後処理を行った後、0.7kP
aで50時間真空乾燥をおこない8.4gのポリマーを
得た(収率67%)。GPC(ゲルパーミエーションク
ロマトグラフィー)によるポリスチレン換算重量平均分
子量は約2200であった。ポリマー中のリチウムの残
存量を測定したところ1μg/g未満であった。Example 4 6.7 g (53 mmol) of m-diethynylbenzene was used in place of phenylacetylene, and stirring was carried out at 80 ° C. for 20 hours under the same conditions as in Example 3. The reaction solution was analyzed by GC. As a result, the conversion of phenylsilane was 64%, and the conversion of m-diethynylbenzene was 76%. After the same post-processing as in Example 2, 0.7 kP
Vacuum drying was performed at 50a for 50 hours to obtain 8.4 g of a polymer (yield 67%). The weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC (gel permeation chromatography) was about 2,200. When the residual amount of lithium in the polymer was measured, it was less than 1 μg / g.
【0072】実施例5 触媒としてリチウムビス(トリメチルシリル)アミド
1.04mol/lヘキサン溶液0.30ml(0.3
1mmol)を用いその他の条件は実施例4と同様にし
て80℃で8時間撹拌を行った。反応液をGCで分析し
たところフェニルシランの反応率は65%、m−ジエチ
ニルベンゼンの反応率は78%であった。反応液に脱水
トルエン20mlを加え、1規定塩酸水溶液20ml中
に分散させた。有機相を1規定塩酸水溶液5mlで洗浄
後、塩化ナトリウム13wt%水溶液5mlづつで水相
のpHが6になるまで洗浄した。CaSO4 により脱
水を行った後、0.7kPaで50時間真空乾燥をおこ
ない7.9gのポリマーを得た(収率68%)。ポリマ
ー中のリチウムの残存量を測定したところ1μg/g未
満であった。Example 5 0.30 ml (0.34 ml) of a 1.04 mol / l hexane solution of lithium bis (trimethylsilyl) amide was used as a catalyst.
1 mmol), and the mixture was stirred at 80 ° C. for 8 hours under the other conditions as in Example 4. The reaction mixture was analyzed by GC. As a result, the conversion of phenylsilane was 65%, and the conversion of m-diethynylbenzene was 78%. 20 ml of dehydrated toluene was added to the reaction solution and dispersed in 20 ml of a 1N aqueous hydrochloric acid solution. The organic phase was washed with 5 ml of a 1 N aqueous hydrochloric acid solution, and then washed with 5 ml of a 13 wt% aqueous sodium chloride solution until the pH of the aqueous phase reached 6. After dehydration with CaSO 4, vacuum drying was performed at 0.7 kPa for 50 hours to obtain 7.9 g of a polymer (yield: 68%). When the residual amount of lithium in the polymer was measured, it was less than 1 μg / g.
【0073】実施例6 触媒としてバリウムジイソプロポキシド0.26mmo
l、ジエチニル化合物としてm−ジエチニルベンゼン
6.2g(49mmol)を使用し、その他の条件は実
施例23と同様にして80℃で3.75時間撹拌を行っ
た。反応液をGCで分析したところフェニルシランの反
応率は90%、m−ジエチニルベンゼンの反応率は98
%であった。実施例5と同様の後処理を行った後、0.
7kPaで12時間真空乾燥をおこない9.8gの黄色
ポリマーを得た(収率83%)。GPC(ゲルパーミエ
ーションクロマトグラフィー)によるスチレン換算重量
平均分子量は約53万であった。ポリマー中のバリウム
の残存量を測定したところ2μg/g未満であった。Example 6 Barium diisopropoxide 0.26 mmol as catalyst
l, 6.2 g (49 mmol) of m-diethynylbenzene was used as a diethynyl compound, and stirring was performed at 80 ° C. for 3.75 hours under the other conditions in the same manner as in Example 23. When the reaction solution was analyzed by GC, the conversion of phenylsilane was 90%, and the conversion of m-diethynylbenzene was 98%.
%Met. After the same post-processing as in Example 5,
Vacuum drying was performed at 7 kPa for 12 hours to obtain 9.8 g of a yellow polymer (83% yield). The weight average molecular weight in terms of styrene measured by GPC (gel permeation chromatography) was about 530,000. When the residual amount of barium in the polymer was measured, it was less than 2 μg / g.
【0074】比較例2 実施例6と同じ反応操作によりスチレン換算重量平均分
子量48万のポリマー反応溶液を得た。塩酸水溶液によ
る触媒除去操作を行わず、そのまま反応液を濃縮後、真
空乾燥により溶媒およびモノマーを除去し、ポリマー1
0.1gを得た。ポリマー中のバリウムの残存量は34
00μg/gであった。Comparative Example 2 A polymer reaction solution having a weight average molecular weight in terms of styrene of 480,000 was obtained by the same reaction procedure as in Example 6. The reaction solution was concentrated without removing the catalyst with an aqueous hydrochloric acid solution, and the solvent and the monomer were removed by vacuum drying.
0.1 g was obtained. The residual amount of barium in the polymer is 34
It was 00 μg / g.
【0075】合成例1 文献(A. Yanagisawa, S. Habaue, K. Yasue, and H. Y
amamoto, Journal ofAmerican Chemical Society, Vol.
116, 6130-6141 (1994) )にもとづき活性バリウムT
HF(テトラヒドロフラン)懸濁液を作製した。ヨウ化
バリウム二水和物0.482g(1.13mmol)を
150℃、0.4kPaで3時間加熱処理し無水のヨウ
化バリウム0.443gを得た。ビフェニル0.389
g(2.52mmol)とリチウム 0.017g
(2.45mmol)をTHF5.6ml中で反応させ
てリチウム/ビフェニル錯体とし、無水ヨウ化バリウム
0.443gをTHF5mlに懸濁させた溶液と反応さ
せることにより活性バリウムTHF懸濁液10.11g
を得た。Synthesis Example 1 Literature (A. Yanagisawa, S. Habaue, K. Yasue, and H. Y
amamoto, Journal of American Chemical Society, Vol.
116, 6130-6141 (1994))
An HF (tetrahydrofuran) suspension was prepared. 0.482 g (1.13 mmol) of barium iodide dihydrate was heated at 150 ° C. and 0.4 kPa for 3 hours to obtain 0.443 g of anhydrous barium iodide. Biphenyl 0.389
g (2.52 mmol) and lithium 0.017 g
(2.45 mmol) in 5.6 ml of THF to form a lithium / biphenyl complex, and react with 0.443 g of anhydrous barium iodide in 5 ml of THF to react with 10.11 g of an active barium THF suspension.
I got
【0076】実施例7 原料としてフェニルシラン5.5g(51mmol)、
フェニルアセチレン5.4g(53mmol)、触媒と
して合成例1で作製したバリウム懸濁液2.49g(バ
リウム0.28mmol相当)を使用し、その他の条件
は実施例1と同様にして80℃で8時間撹拌を行った。
反応後、反応液をGC(ガスクロマトグラフィー)で分
析した。生成物としてフェニルエチニル(フェニル)シ
ラン(収率28%)およびビス(フェニルエチニル)
(フェニル)シラン(収率5%)が得られた。また、反
応率はフェニルシラン44%、フェニルアセチレン41
%であった。実施例1と同様の後処理を行った後、エバ
ポレーターにて反応液を7.9gまで濃縮した。反応液
中のバリウムの残存量を測定したところ2μg/g未満
であった。Example 7 5.5 g (51 mmol) of phenylsilane as a raw material,
Using 5.4 g (53 mmol) of phenylacetylene and 2.49 g (corresponding to 0.28 mmol of barium) of the barium suspension prepared in Synthesis Example 1 as a catalyst, the other conditions were the same as those in Example 1 at 80 ° C. Stirring was performed for hours.
After the reaction, the reaction solution was analyzed by GC (gas chromatography). Phenylethynyl (phenyl) silane (28% yield) and bis (phenylethynyl) as products
(Phenyl) silane (5% yield) was obtained. The reaction rate was 44% for phenylsilane and 41% for phenylacetylene.
%Met. After performing the same post-treatment as in Example 1, the reaction solution was concentrated to 7.9 g with an evaporator. When the residual amount of barium in the reaction solution was measured, it was less than 2 μg / g.
【0077】実施例8 フェニルアセチレンの代わりにm−ジエチニルベンゼン
6.7g(53mmol)を使用し、バリウム懸濁液を
4.78g(バリウム0.53mmol相当)とし、そ
の他の条件は実施例6と同様にして80℃で8時間撹拌
を行った。反応液をGCで分析したところフェニルシラ
ンの反応率は68%、m−ジエチニルベンゼンの反応率
は78%であった。実施例2と同様の後処理を行った
後、0.7kPaで50時間真空乾燥をおこない7.6
gのポリマーを得た(収率62%)。GPC(ゲルパー
ミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン
換算重量平均分子量は約1900であった。ポリマー中
のバリウムの残存量を測定したところ2μg/g未満で
あった。以上の結果より、触媒除去操作により簡便に触
媒が除去できることは明らかである。Example 8 Instead of phenylacetylene, 6.7 g (53 mmol) of m-diethynylbenzene was used, and 4.78 g of barium suspension (equivalent to 0.53 mmol of barium) was used. The mixture was stirred at 80 ° C. for 8 hours in the same manner as described above. When the reaction solution was analyzed by GC, the conversion of phenylsilane was 68%, and the conversion of m-diethynylbenzene was 78%. After the same post-treatment as in Example 2, vacuum drying was performed at 0.7 kPa for 50 hours, and 7.6 was obtained.
g polymer was obtained (62% yield). The weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC (gel permeation chromatography) was about 1900. When the residual amount of barium in the polymer was measured, it was less than 2 μg / g. From the above results, it is clear that the catalyst can be easily removed by the catalyst removing operation.
【0078】[0078]
【発明の効果】金属水素化物、金属化合物類または典型
元素金属を触媒とし、シリル化合物とエチニル化合物か
らシリルアセチレン化合物を、ヒドロシリル化合物とジ
エチニル化合物より含ケイ素ポリマーを製造する方法に
おいて、反応終了後反応液を酸性または中性水溶液で処
理することにより触媒を除去することができた。According to the method for producing a silylacetylene compound from a silyl compound and an ethynyl compound and a silicon-containing polymer from a hydrosilyl compound and a diethynyl compound using a metal hydride, a metal compound or a typical element metal as a catalyst, the reaction after the reaction is completed. The catalyst could be removed by treating the liquor with an acidic or neutral aqueous solution.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 正義 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 藤掛 史朗 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Masayoshi Ito 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside (72) Inventor Shiro Fujikake 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Mitsui Chemical Co., Ltd.
Claims (2)
正の整数であり、Rは炭素数1から30のアルキル基、
アルケニル基、アルキニル基、芳香族基でありハロゲン
原子、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エーテル基
を含んでいてもよい。mが1または2であるときRは各
々が同じでも異なっていてもよい。)で表されるシリル
化合物とR1 −C≡CH(式中、R1 は水素原子または
炭素数1から30のアルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、芳香族基であり、ハロゲン原子、水酸基、アミ
ノ基、カルボキシル基、エーテル基を含んでいてもよ
い。)で表されるエチニル化合物を金属水素化物、金属
化合物類または典型元素金属の存在下に反応させること
により一般式(1)(化1) 【化1】 (式中、mは4以下の正の整数であり、Rは炭素数1か
ら30のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳
香族基でありハロゲン原子、水酸基、アミノ基、カルボ
キシル基、エーテル基を含んでいてもよい。mが1また
は2であるときRは各々が同じでも異なっていてもよ
い。R1 は水素原子または炭素数1から30のアルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族基でありハロ
ゲン原子、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エーテ
ル基を含んでいてもよい。iはm以下の正の整数であ
る。)で表されるシリルアセチレン化合物を製造する方
法において、反応終了後反応液を水溶液で処理すること
により触媒を除去することを特徴とする後処理方法。1. R 4-m —SiH m (where m is a positive integer of 4 or less, R is an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms,
It is an alkenyl group, an alkynyl group, or an aromatic group, and may contain a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, or an ether group. When m is 1 or 2, each R may be the same or different. Silyl compound with R 1 -C≡CH (wherein represented by), R 1 represents an alkyl group having 1 to 30 number of hydrogen atoms or carbon atoms, an alkenyl group, an alkynyl group, an aromatic group, a halogen atom, a hydroxyl group, An ethynyl compound represented by the formula (1) (which may contain an amino group, a carboxyl group, or an ether group) is reacted in the presence of a metal hydride, a metal compound or a typical elemental metal. ) (In the formula, m is a positive integer of 4 or less, and R is an alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, or aromatic group having 1 to 30 carbon atoms, and is a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, an ether group. And when m is 1 or 2, each R may be the same or different, and R 1 is a hydrogen atom or an alkyl, alkenyl, alkynyl, or aromatic group having 1 to 30 carbon atoms. In the method for producing a silylacetylene compound represented by the formula (1), the reaction may be terminated by a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, or an ether group, and i is a positive integer of m or less. A post-treatment method comprising removing the catalyst by treating the post-reaction solution with an aqueous solution.
R3 は互いに独立に、水素原子または炭素数1から30
のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族基
であり、これらの基はハロゲン原子、水酸基、アミノ
基、カルボキシル基、エーテル基を含んでいてもよ
い。)で表されるヒドロシリル化合物と一般式(2)
(化2) 【化2】 (式中、R4 は炭素数1から30のアルキレン基、アル
ケニレン基、アルキニレン基、二価の芳香族基、芳香族
基が直接または架橋員を介して炭素数1から30のアル
キレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、芳香族基
と連結した基であり、これらの基はハロゲン原子、水酸
基、アミノ基、カルボキシル基、エーテル基を含んでい
てもよい。nは0または4以下の正の整数である。)で
表されるジエチニル化合物を金属水素化物、金属化合物
類または典型元素金属の存在下に反応させることにより
一般式(3)(化3) 【化3】 (式中、R2 及びR3 は互いに独立に、水素原子または
炭素数1から30のアルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、芳香族基であり、R4 は炭素数1から30のア
ルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、二価の
芳香族基、芳香族基が直接または架橋員を介して炭素数
1から30のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニ
レン基、芳香族基と連結した基であり、これらの基はハ
ロゲン原子、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エー
テル基を含んでいてもよい。nは0または4以下の正の
整数である。)で表される繰り返し単位を含むアセチレ
ン結合を有する含ケイ素ポリマーを製造する方法におい
て、反応終了後反応液を水溶液で処理することにより触
媒を除去することを特徴とする後処理方法。2. R 2 —SiH 2 —R 3 (wherein R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom or a carbon atom having 1 to 30 carbon atoms.
Alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, and aromatic group, and these groups may include a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, and an ether group. ) And a general formula (2)
(Chemical formula 2) (Wherein, R 4 represents an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenylene group, an alkynylene group, a divalent aromatic group, an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, directly or via a bridge member, alkenylene A group linked to a group, an alkynylene group or an aromatic group, which may include a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, or an ether group, and n is a positive integer of 0 or 4 or less. Is reacted in the presence of a metal hydride, a metal compound or a typical elemental metal to give a general formula (3). (Wherein, R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group, an alkynyl group, or an aromatic group; R 4 is an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms; Alkenylene group, alkynylene group, divalent aromatic group, a group in which an aromatic group is linked to an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, alkenylene group, alkynylene group, or aromatic group directly or via a crosslinking member; May have a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, or an ether group. N is 0 or a positive integer of 4 or less.) In a method for producing a silicon polymer, a post-treatment method comprising removing a catalyst by treating a reaction solution with an aqueous solution after completion of the reaction.
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