JPH1123481A - 微小物分析装置、および該微小物分析装置に用いられる微小物検出手段の調整装置 - Google Patents

微小物分析装置、および該微小物分析装置に用いられる微小物検出手段の調整装置

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JPH1123481A
JPH1123481A JP9172197A JP17219797A JPH1123481A JP H1123481 A JPH1123481 A JP H1123481A JP 9172197 A JP9172197 A JP 9172197A JP 17219797 A JP17219797 A JP 17219797A JP H1123481 A JPH1123481 A JP H1123481A
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JP
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minute object
minute
microanalyzer
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unit
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JP9172197A
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Eiji Kano
英司 狩野
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Advantest Corp
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  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 試料上の微小物を簡便に短時間で分析する。 【解決手段】 微小物分析装置1は、XYステージ3
と、光学ユニット4と、走査型電子銃5と、X線検出器
6と、二次電子検出器7とが真空容器1a内に収容され
て構成されている。光学ユニット4は、少なくとも、レ
ーザ光源(不図示)と光学系(不図示)とを備えたレー
ザモジュール10と、試料からの散乱光を検出する光検
出器12とが本体ステージ11に取り付けられて構成さ
れ、真空容器1aに対して着脱自在に設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
試料表面の微小物を検出し、検出された微小物の形状観
察や組成分析を行うための微小物分析装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年では、SEM等の電子顕微鏡の高倍
率化によって、肉眼では観察できないサブミクロン程度
の微小物を容易に観察できるようになった。しかし、直
径が200mm〜300mmの半導体ウエハの表面か
ら、大きさが1μm以下の微小なごみ、ウエハ上に作製
した微小配線、あるいはウエハ上に作製した微小配線の
欠陥部分等の微小物を検出して電子顕微鏡の視野内に納
めることには、多くの手間が必要とされる。
【0003】従来、例えば半導体ウエハの表面の微小物
を観察する際は、まず最初に、ウエハ上に照射したレー
ザビームの散乱光を検出する微小物検出装置によってウ
エハ上の微小物の位置を検出する。しかし、微小物検出
装置で検出できるのは微小物の位置と大きさだけであ
り、微小物の形状観察や組成分析を行うことはできな
い。そこで、検出した微小物の位置の座標情報に基づい
てウエハを移動させ、走査型電子顕微鏡による形状観察
や、EDX(エネルギー分散型X線分析)による組成分
析が行われる。このように微小物の観察・分析等を行う
ための微小物分析装置の一例が、特公平4−58622
号公報に開示されている。
【0004】図10は、特公平4−58622号公報に
開示された従来の微小物分析装置を示す構成図である。
【0005】図10に示すように、従来の微小物分析装
置101では、試料ステージ102が搭載された移動ス
テージ103をZ方向に昇降させる昇降機構104が真
空資料室105内に設置されている。昇降機構104
は、ねじシャフト106およびカップリング107を介
して接続されたモータ108によって駆動される。ま
た、移動ステージ103は、ねじシャフト109および
カップリング110を介して接続されたモータ111に
よって駆動され、後述する微小物検出部114のレーザ
照射領域内および走査型電子顕微鏡121の電子ビーム
照射領域内をX方向に移動する。さらに、試料ステージ
102はモータ112によってXY平面内で回転可能に
設けられている。また、試料ステージ102の上には検
査対象である試料113が載置される。
【0006】真空資料室105内には、レーザ光源11
5から照射されてビームエキスパンダ116を通過した
レーザビームを試料113上に照射する光学レンズ部1
17と、レーザビームが照射された試料113からの散
乱光を検出する検出器118とを有する微小物検出部1
14が設置されている。光学レンズ部117はレンズホ
ルダ119内に収納されている。レンズホルダ119は
モータ120によってX方向に移動され、試料ステージ
102上への進退が可能である。
【0007】また、微小物分析装置101には、試料1
13上に付着した微小物を観察するための走査型電子顕
微鏡121が備えられている。さらに、微小物分析装置
101には、モータ111,112に接続されたエンコ
ーダ122,123と検出器118に接続されたアンプ
124とから送られる微小物の位置情報を位置座標とし
て記憶する座標記憶部125と、座標記憶部125の座
標情報に基づいて微小物分析装置101を制御する制御
部126と、制御部126から送られる制御信号に基づ
いてモータ111,112を制御する試料走査部127
とが備えられている。
【0008】上記に示した微小物分析装置101は、微
小物検出モードと微小物分析モードとの2つの動作モー
ドを有する。最初に実行される微小物検出モードでは、
試料113からの散乱光を検出する検出器118に接続
されたアンプ124から出力される微小物検出信号と、
エンコーダ122,123から出力される座標信号とに
基づいて、試料113上の微小物の位置座標と大きさと
が座標記憶部125に記憶される。
【0009】次いで実行される微小物分析モードでは、
まず、制御部126によって座標記憶部125から読み
出された各微小物の位置座標が、制御信号として試料走
査部127に送られる。試料走査部127は、各微小物
の位置座標に基づいてモータ111,112を駆動制御
して、各微小物が走査型電子顕微鏡121の視野内(す
なわち走査型電子顕微鏡121からの電子ビームの照射
範囲内)に位置するように、試料ステージ102および
移動ステージ103を微小移動させる。これにより、微
小物の外観観察等の微小物分析が行われる。
【0010】以上のように微小物検出モードと微小物分
析モードとを実行することにより、試料113上の全て
の微小物について、微小物分析を行うことができる。
【0011】なお、走査型電子顕微鏡121が長焦点
(長作動距離)でない場合には、必要に応じて昇降機構
104を用いて試料ステージ102を昇降させることに
より、試料113を走査型電子顕微鏡121の焦点位置
(例えば図示の点線位置)にまで移動させることができ
るので、鮮明なSEM像(走査型電子顕微鏡像)が得ら
れる。また、微小物分析装置が反射電子検出器(不図
示)を備えている場合には、微小物や試料からの反射一
次電子を検出することにより、低速電子エネルギ損失ス
ペクトルを分析することができる。従って、微小物およ
び試料の表面の分析が可能であり、微小物および試料の
表面における分子の振動状態をも調べることができる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の微小物分
析装置では、レーザ光源やビームエキスパンダは真空資
料室外に設置され、光学レンズ部を収納したレンズホル
ダ、検出器、および走査型電子顕微鏡等の部材は真空試
料室内に設置されている。真空試料室内に設置されてい
るこれらの部材は、互いに干渉しないように、かつ微小
物の検出および分析効率が高くなるように最適な位置に
配置する必要があるため、それぞれの部材の位置調整に
は、多くの手間を要する。
【0013】また、微小物検出に用いられるレーザビー
ムのスポットサイズが数十μm程度であるのに対して、
微小物分析を行う際に走査型電子顕微鏡から照射される
電子ビームのスポットサイズは0.1μm以下である。
従って、レーザビームの照射領域に対する電子ビームの
照射領域が極めて小さいため、たとえ微小物の位置が検
出されても、その微小物に電子ビームを正確に照射する
ことは容易ではない。さらに、分析対象である微小物の
大きさが数μmから1μm以下である場合は、微小物分
析装置における試料ステージおよび移動ステージの位置
の再現精度はサブミクロンオーダーでなければならな
い。しかし、サブミクロンオーダーの位置再現精度を有
するステージでは移動速度を高速にすることができない
ため、直径が200mm〜300mmのウエハ等の試料
表面全体を短時間で検出することはできない。加えて、
前述のように微小物分析部のレンズホルダーが試料ステ
ージ上に対して進退可能である場合には、試料と走査型
電子顕微鏡との間の距離をレンズホルダーの高さの分だ
け大きくしなければならない。このとき、試料上の微小
物を詳明に観察するためには、昇降機構を用いて試料を
走査型電子顕微鏡の焦点位置にまで移動させる必要があ
る。しかし、移動させる機構が増えると、それぞれの移
動機構の位置再現精度の誤差が重ね合わせられてしまう
ため、電子ビーム照射位置への微小物の位置合わせがま
すます困難になる。
【0014】このように、従来の微小物分析装置によっ
ては、レーザビームを用いて検出した微小物の位置を正
確に再現し、微小物に電子ビームを正確に照射して微小
物の分析を行うことは困難である。そのため、オペレー
タが走査型電子顕微鏡を観察しながら試料ステージ等を
移動させて微小物の位置を補正する必要があり、高いス
ループットを必要とする製造ラインで使用したり、自動
計測に用いたりすることができない。
【0015】そこで本発明は、試料上の微小物を簡便に
短時間で分析することができる微小物分析装置を提供す
ることを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の微小物分析装置は、試料が載置されるステ
ージと、前記ステージに載置された試料上の微小物を光
学的に検出するための微小物検出手段と、前記微小物検
出手段によって検出された前記微小物を観察するための
微小物観察手段と、前記微小物検出手段によって検出さ
れた前記微小物の組成を分析するための微小物分析手段
とが真空容器内に収容されて構成されている微小物分析
装置において、前記微小物検出手段は、少なくとも、ス
ポットサイズが所望の大きさに調整されたレーザビーム
を前記試料に照射するレーザモジュール部と、レーザビ
ームが照射された前記試料からの散乱光を検出する光検
出部と、前記レーザモジュール部および前記光検出部が
取り付けられた本体ステージ部とにより構成され、前記
真空容器に対して着脱自在に設けられている。
【0017】これにより、レーザビームのスポットサイ
ズの調整、および光検出部での検出効率を最適化するた
めの光検出部の光軸調整等の微小物検出手段の各部調整
が、微小物検出手段を微小物分析装置の真空容器内に設
置する前に行われる。
【0018】また、前記微小物検出手段は、前記微小物
観察手段の前記試料上における微小物観察位置と前記微
小物分析手段の前記試料上における微小物分析位置との
少なくとも一方に対して、前記微小物検出手段の前記試
料上におけるレーザビーム照射位置を一致させて配置さ
れ、前記微小物検出手段には、前記微小物検出手段が前
記微小物観察手段による観察および前記微小物分析手段
による分析を妨げない位置にまで前記微小物検出手段を
移動させるための移動手段が備えられている。
【0019】このように構成された微小物分析装置で
は、微小物検出手段で微小物が検出されると、微小物検
出手段は微小物観察手段の観察および微小物分析手段の
分析を妨げない位置にまで退かされ、その後直ちに微小
物観察手段もしくは微小物分析手段によって微小物の観
察・分析が行われる。
【0020】さらに、前記移動手段には、前記微小物観
察手段の前記試料上における微小物観察位置もしくは前
記微小物分析手段の前記試料上における微小物分析位置
と前記微小物検出手段の前記試料上におけるレーザビー
ム照射位置とが一致する位置で前記微小物検出手段の移
動を停止させるためのストッパ部が備えられていること
により、微小物観察手段の微小物観察位置もしくは微小
物分析手段の微小物分析位置と微小物検出手段のレーザ
ビーム照射位置との位置合わせが確実に行われる。
【0021】また、前記移動手段には、前記微小物検出
手段の移動量を計測するための移動量計測部が備えられ
ていることにより、微小物検出手段の移動量が常にモニ
タされる。
【0022】前記移動量計測器は、エンコーダもしくは
レーザ干渉計であることが好ましい。
【0023】さらに、前記移動量計測器の計測結果に基
づいて前記移動手段の移動量を制御するためのフィード
バック制御装置が備えられていることにより、微小物観
察手段の微小物観察位置もしくは微小物分析手段の微小
物分析位置と微小物検出手段の微小物検出位置との位置
合わせが自動的に行われる。
【0024】また、前記微小物検出手段には、前記微小
物検出手段と前記試料との間隔を測定するための間隔セ
ンサ部が備えられていることにより、微小物検出手段を
微小物分析装置の真空容器内に取り付けた際に、試料上
におけるレーザビームのスポットサイズが予め調整され
たレーザビームのスポットサイズに正確に再現される。
【0025】加えて、前記微小物検出手段には、前記微
小物検出手段を移動させて前記微小物検出手段と前記試
料との間隔を調整するための間隔調整手段が備えられ、
さらに、前記間隔センサ部の測定結果に基づいて前記間
隔調整手段を制御するフィードバック制御装置が備えら
れていることにより、微小物検出手段と試料との間隔の
調整が自動的に行われる。
【0026】また、前記レーザモジュール部には、レー
ザビームを照射するレーザ光源部が少なくとも2つ備え
られていることにより、異なる方向から試料にレーザビ
ームが照射される。さらには、スポットサイズが異なる
複数のレーザビームが試料に照射される。
【0027】さらに、前記少なくとも2つのレーザ光源
部によりレーザアレイが構成されていてもよい。
【0028】また、前記光検出部はCCDで構成されて
いることにより、微小物検出手段では、試料上の微小物
の位置が検出されるとともに微小物の画像情報が得られ
る。なお、前記光検出部はフォトダイオードで構成され
ていてもよい。
【0029】さらには、前記微小物検出手段には、前記
光検出部が少なくとも2つ備えられていることにより、
各光検出部の検出能力が高精度ではない場合でも、各光
検出部からの検出信号を重ね合わせることにより、 S
/N比が向上して散乱光の信号とノイズとが区別され
る。なお、前記各光検出部はそれぞれフォトダイオード
で構成され、少なくとも2つの前記フォトダイオードに
よりフォトダイオードアレイが構成されていてもよい。
【0030】なお、前記微小物観察手段は、走査型電子
顕微鏡、反射電子顕微鏡、イオン顕微鏡、または原子間
力顕微鏡であることが望ましい。
【0031】また、前記微小物分析手段は、X線検出
器、オージェ電子検出器、飛行時間型二次イオン質量分
析器、またはレーザ・マイクロプローブ質量分析装置で
あることが望ましい。特に、前記微小物分析手段にレー
ザ・マイクロプローブ質量分析装置を用いることによ
り、検出した微小物に含有される元素や、微小物の分子
構造に関する情報が得らえる。
【0032】本発明の微小物検出手段の調整装置は、上
記発明の微小物分析装置に用いられる微小物検出手段の
調整装置であって、前記微小物検出手段を固定するため
の固定脚部を有する支持本体部と、前記レーザビームの
強度を検出するための光パワーメータ部と、ピンホール
が形成され前記光パワーメータ部の上方に配置された遮
光板部とを有する。
【0033】これにより、微小物検出手段を微小物分析
装置の真空容器内に設置する前に、レーザビームのスポ
ットサイズ、および光検出部での検出効率を最適化する
ための光検出部の光軸調整等の微小物検出手段の各部調
整が簡便に行われる。
【0034】さらに、前記微小物分析装置の真空容器内
に設置される各種装置の形状および配置を再現した位置
取り調整手段をさらに有する構成とすることにより、微
小物検出手段を微小物検出装置の真空容器内に設置する
前に、真空容器内の各種検出器等との干渉の有無が予め
確認される。
【0035】加えて、前記位置取り調整手段には前記微
小物分析装置の真空容器内に設置されているビーム源の
ビーム軸を再現するためのビーム軸再現手段が備えられ
ている構成とすることにより、微小物検出手段を微小物
検出装置の真空容器内に設置する前に、ビーム源のビー
ム軸と微小物検出手段の光軸とのビーム軸合わせが予め
行われる。
【0036】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
【0037】(第1の実施形態)図1は、本発明の微小
物分析装置の第1の実施形態の全体構成図である。
【0038】図1に示すように、本実施形態の微小物分
析装置1は、検査対象の半導体ウエハ2を載置するXY
ステージ3と、半導体ウエハ2上の微小物(微小なご
み、ウエハ上に作製された微小配線、あるいはウエハ上
に作製された微小配線の欠陥部分等を含む。以下同
じ。)を検出するための微小物検出手段としての光学ユ
ニット4と、半導体ウエハ2に電子ビームを照射するた
めの走査型電子銃5と、電子ビームが照射された半導体
ウエハ2から発生するX線を検出する微小物分析手段と
してのX線検出器6と、電子ビームが照射された半導体
ウエハ2から放出される二次電子を検出する二次電子検
出器7とを備えている。走査型電子銃5と二次電子検出
器7とは、微小物観察手段としての走査型電子顕微鏡を
構成している。なお、XYステージ3、光学ユニット
4、走査型電子銃5、X線検出器6、二次電子検出器7
は、真空容器1a内に収容されている。
【0039】XYステージ3は、駆動制御装置(不図
示)によってX方向およびY方向に移動される。また、
XYステージ3には、X方向およびY方向へのステージ
の移動量やステージの位置を計測するためのエンコーダ
が備えられていてもよい。ステージの移動量等をより正
確に計測する必要があるときには、エンコーダの代わり
にレーザ干渉計を用いてもよい。さらに、XYステージ
3は回転ステージであってもよい。
【0040】次に、図2および図3を用いて図1に示し
た光学ユニットについて説明する。図2は、図1に示し
た光学ユニットを示す構成図である。図2に示すよう
に、光学ユニット4は、レーザ光源8と光学系9とが組
み込まれたレーザモジュール10と、レーザモジュール
10が載置される本体ステージ11と、レーザビームが
照射された半導体ウエハ2(図1参照)からの散乱光を
検出する光検出器12とを有する。なお、光学ユニット
4は、真空容器1aに対して着脱自在に設けられてい
る。
【0041】レーザモジュール10に組み込まれた光学
系9は、レーザ光源8から照射されたレーザビームのス
ポットサイズを所望の大きさに調整するためのビームエ
キスパンダ9aや光学レンズ9b等の光学部品からな
る。本体ステージ11には、レーザモジュール10から
出射されたレーザビームを反射して本体ステージ11の
下方に配置されている半導体ウエハ2に照射させるため
の鏡13が備えられている。また、本体ステージ11に
は、鏡13で反射したレーザビームを下方に照射させ、
かつ半導体ウエハ2からの散乱光を光検出器12に到達
させるための切り抜き部11aが形成されている。レー
ザモジュール10、光検出器12、鏡13は本体ステー
ジ11上に取り付けられており、それぞれの取り付け位
置は微調整が可能となっている。
【0042】なお、光検出器12は、フォトダイオード
や、複数のフォトダイオードで構成されるフォトダイオ
ードアレイや、さらにはCCDを用いたものであっても
よい。特に、CCDを用いた場合には、微小物の検出と
ともに微小物の画像情報をも得ることができる。
【0043】図3は、図1および図2に示した光学ユニ
ットが搭載されたスポットサイズ調整装置を示す構成図
である。
【0044】光学ユニット4から照射されるレーザビー
ムのスポットサイズは、光学ユニット4を真空容器1a
から取り外した状態で、図3に示すような、微小物検出
手段の調整装置としてのスポットサイズ調整装置14に
よって調整することができる。スポットサイズ調整装置
14は、光学ユニット4を固定するための固定脚15a
を備えた支持本体部15と、レーザビームの強度を検出
するための光パワーメータ16と、ピンホール17aが
形成され光パワーメータ16の上方に配置された遮光板
17と、光パワーメータ16の高さを調整するための高
さ調整ステージ18とを有する。
【0045】光パワーメータ16は、支持本体部15上
の所望の位置に載置され、さらに高さ調整ステージ18
によって所望の高さとなるように調整されている。遮光
板17のピンホール17aは、所望のスポットサイズと
同じ大きさに形成されている。また、光学ユニット4
は、レーザビームがピンホール17aの中心を照射する
ように支持本体部15の固定脚15aに取り付けられて
いる。
【0046】上記のように構成されたスポットサイズ調
整装置14では、光学ユニット4からレーザビームを照
射して、光パワーメータ16にレーザビームを入射させ
る。次いで光学ユニット4の光学系9を調節し、光パワ
ーメータ16の出力値が最大になるまでレーザビームの
スポットサイズを徐々に大きくする。これにより、光パ
ワーメータ16の出力値が最大となるときのレーザビー
ムのスポットサイズが、遮光板17に形成されたピンホ
ール17aと同じ大きさになるので、レーザビームのス
ポットサイズを所望の大きさに調整することができる。
また、レーザビームのスポットサイズ調整を行うと同時
に、光検出器12の光軸を微調整して、光検出器12で
の光検出効率が最大になるようにする。
【0047】このようにしてレーザビームのスポットサ
イズが調整された光学ユニット4を、光学ユニット4の
本体ステージ11と半導体ウエハ2との距離が本体ステ
ージ11と光パワーメータ16との距離と同じとなるよ
うに微小物分析装置1内に設置することにより、所望の
レーザビームのスポットサイズで半導体ウエハ2を照射
することができる。
【0048】以上説明したように、スポットサイズ調整
装置14を用いることにより、光学ユニット4から照射
されるレーザビームのスポットサイズの調整および光検
出器12の光軸調整を、光学ユニット4を微小物分析装
置1に設置する前に簡便に行うことができる。従って、
微小物の検出行程の段階でレーザビームのスポットサイ
ズ調整や光検出器12の光軸調整を行う必要がないの
で、微小物の検出・分析を短時間で行うことができる。
【0049】次に、本実施形態の微小物分析装置1を用
いた微小物の検出および分析動作について、図1を用い
て説明する。
【0050】微小物分析装置1では、微小物の検出およ
び分析を行う前に、走査型電子銃5から半導体ウエハ2
に照射される電子ビームの照射位置、および光学ユニッ
ト4から半導体ウエハ2に照射されるレーザビームの照
射位置のそれぞれの位置合わせを行い、両照射位置同士
の距離を予め測定しておく。
【0051】次いで、光学ユニット4から半導体ウエハ
2にレーザビームを照射し、XYステージ3を微速移動
させて、半導体ウエハ2上を走査する。レーザビームが
微小物を照射すると、半導体ウエハ2から散乱光が放射
される。その散乱光を光検出器12で検出することによ
り、半導体ウエハ2上の微小物が検出される。微小物が
検出されたら、XYステージ3を移動させて微小物を電
子ビーム照射位置に配置し、走査型電子銃5から微小物
に電子ビームを照射する。半導体ウエハ2上における電
子ビーム照射位置は、微小物観察手段(すなわち走査型
電子銃5と二次電子検出器7とにより構成される走査型
電子顕微鏡)の微小物観察位置であるとともに、微小物
分析手段(すなわちX線検出器6)の微小物分析位置で
もある。電子ビームが照射された微小物からは、X線が
発生するとともに二次電子が放出される。微小物から発
生するX線をX線検出器6を用いて検出することによっ
て微小物の組成分析を行うことができ、放出された二次
電子を二次電子検出器7を用いて検出することによって
微小物のSEM像を得ることができる。
【0052】前述のように、電子ビーム照射位置とレー
ザビーム照射位置との間の距離は予め測定されており、
その距離は一定であるので、光学ユニット4で半導体ウ
エハ2上の微小物を検出した後、XYステージ3を前記
距離だけ移動させて微小物を電子ビーム照射位置に配置
することにより、微小物の検出後、速やかに微小物に電
子ビームを照射することができる。
【0053】なお、XYステージ3を移動させて微小物
を電子ビーム照射位置に配置する際には、XYステージ
3が有する移動誤差の範囲内で誤差が生じる。そのた
め、微小物の大きさがXYステージ3の移動誤差を無視
できないほど小さい場合には、微小物に電子ビームを照
射することができなくなるおそれがある。しかしなが
ら、微小物が上記のように小さい場合でも、走査型電子
銃5の電子ビームを走査し、一辺の長さがXYステージ
3の移動誤差と等しい四角形の領域を照射することによ
り、微小物に電子ビームを確実に照射することができ
る。
【0054】上述したように、本実施形態の微小物分析
装置1は、微小物を検出した後にXYステージ3を移動
させる距離が一定であり、加えて、XYステージ3の移
動誤差範囲の四角領域を走査型電子銃5で走査できるの
で、電子ビームを微小物に確実に照射することができ
る。そのため、オペレータがXYステージ3を移動させ
て電子ビーム照射位置に対する微小物の位置を補正する
必要がないので、微小物の検出および分析行程を全自動
化することもできる。
【0055】また、光検出器12を設置するスペースが
狭い等の理由で高精度な光検出能力を有する大型の光検
出器を真空容器1a内に設置できない場合には、複数の
光検出器を設置し、各光検出器からの検出信号を重ね合
わせることにより、 S/N比が向上して散乱光の信号
とノイズとを区別することができるので、微小物の検出
を高精度で行うことができる。従って、検出する微小物
の大きさが極端に小さくても、微小物を検出することが
できる。
【0056】さらに、例えば回路パターンが積層された
半導体集積回路を観察する場合には、光検出器12での
光の取り込み角度によって、半導体集積回路からの散乱
光強度の測定結果に差異が生じる。つまり、半導体集積
回路からの散乱光は、光検出部での光の取り込み角度に
よる方向依存性を有する。しかしながら、上記のように
複数の光検出器12を用いて散乱光を検出することによ
り、各光検出器12からの出力信号を比較することによ
って、散乱光の方向依存性を測定することができる。
【0057】また、光学ユニット4のレーザモジュール
10には複数のレーザ光源8を備えてもよい。これによ
り、異なる方向から半導体ウエハ2にレーザビームを照
射することができるので、半導体ウエハ2上の微小物を
効率よく、より確実に検出することができる。加えて、
スポットサイズが異なる複数のレーザビームを照射する
ことができるので、スポットサイズが大きいレーザビー
ムで微小物を効率よく検出できるとともに、スポットサ
イズが小さいレーザビームでその精度を向上させること
ができる。なお、光学ユニット4のレーザモジュール1
0に複数のレーザ光源8を備える場合には、レーザ光源
8を並べて配置することにより、レーザアレイを構成し
てもよい。
【0058】さらに、検査する微小物が比較的大きく、
半導体ウエハ2と走査型電子銃5との間隔を広く設けて
もSEM像の分解能が損なわれない場合には、光学ユニ
ット4が半導体ウエハ2上に対して進退自在となるよう
な移動機構(不図示)を光学ユニット4に備えてもよ
い。この場合には、半導体ウエハ2上のレーザビーム照
射位置が電子ビーム照射位置に重なる位置に光学ユニッ
トを配置する。光学ユニットで微小物が検出された後、
速やかに光学ユニットを移動させて、電子ビームを遮ら
ない位置にまで退かせれば、直ちに微小物に電子ビーム
を照射することができる。これにより、検出された微小
物を電子ビーム照射位置に配置するためにXYステージ
を移動させる必要がなくなるため、微小物の検出および
分析をより迅速に行うことができる。さらに、XYステ
ージの移動誤差を考慮することなく、電子ビームを微小
物に照射することができる。
【0059】また、本実施形態の微小物分析装置1で
は、微小物観察手段として走査型電子銃5と二次電子検
出器7とによる走査型電子顕微鏡が用いられているが、
走査型電子顕微鏡以外にも、反射電子顕微鏡、イオン顕
微鏡、原子間力顕微鏡等を用いてもよい。一方、微小物
分析手段はX線検出器に限られず、反射電子検出器、オ
ージェ電子検出器、飛行時間型二次イオン質量分析器
や、レーザ・マイクロプローブ質量分析装置等を用いて
もよい。特に、レーザ・マイクロプローブ質量分析装置
を用いた場合には、検出した微小物に含有される元素
や、微小物の分子構造に関する情報を得ることができ
る。
【0060】(第2の実施形態)図4は、本発明の微小
物分析装置の第2の実施形態を示す構成図、図5は図4
に示した光学ユニットを示す構成図である。
【0061】図4および図5に示すように、本実施形態
の微小物分析装置21における光学ユニット24では、
本体ステージ31に備えられている鏡33の一部、およ
びレーザモジュール30の一部が、本体ステージ31に
形成された切り抜き部31aの中に埋設されている。そ
の他、光学ユニット24におけるレーザ光源28、光学
系29、ビームエキスパンダ29a、光学レンズ29
b、光検出器32の構成は図1および図2に示した光学
ユニット4の構成と同様であるので、詳しい説明は省略
する。
【0062】また、図4に示す微小物分析装置21で
は、光学ユニット24のレーザビーム照射位置が走査型
電子銃5の電子ビーム照射位置に重なるような位置に光
学ユニット24が配置されており、さらに、光学ユニッ
ト24には、半導体ウエハ22上に対して進退自在とな
るような移動機構(不図示)が備えられている。その
他、真空容器21a、半導体ウエハ22、XYステージ
23、走査型電子銃25、X線検出器26、二次電子検
出器27の構成は図1に示した微小物分析装置1の構成
と同様であるので、詳しい説明は省略する。
【0063】以上の構成により、光学ユニット24で半
導体ウエハ22上の微小物が検出された後、速やかに光
学ユニット24を移動して電子ビームを遮らない位置に
まで退かせれば、直ちに微小物に電子ビームを照射する
ことができる。これにより、検出された微小物を電子ビ
ーム照射位置に配置するためにXYステージ23を移動
させる必要がなくなるため、微小物の検出および分析を
より迅速に行うことができる。さらに、XYステージ2
3の移動誤差を考慮することなく、電子ビームを微小物
に照射することができる。
【0064】なお、光学ユニット24から照射されるレ
ーザビームのスポットサイズは、図5に示すように、レ
ーザ光源28を真空容器21a内に設置し、さらに、鏡
33等を利用してレーザモジュール30の光学系29と
半導体ウエハ22との間のレーザビームの光路を短くす
ることにより、小さくすることができる。例えば、レー
ザ光源28として半導体レーザを用いた場合には、レー
ザビームのスポットサイズを10μm以下程度にまで小
さくすることができる。レーザビームのスポットサイズ
を小径化すれば、検出された微小物に電子ビームを照射
する際の精度を向上させることができる。
【0065】また、レーザビームのスポット内における
強度分布は均一ではなく、中心部分の強度が一番強いガ
ウシアン分布となっている。そのため、電子ビーム照射
位置をレーザビーム照射位置の中心に合わせることによ
り、レーザビームの実際のスポットサイズよりも高い精
度で微小物を電子ビーム照射位置に位置決めすることが
できる。なお、上記のようにして位置決めされた微小物
に電子ビームを照射する際には、任意の四角形領域を電
子ビームで走査することにより、微小物に確実に電子ビ
ームを照射させることができる。
【0066】なお、光学ユニット24の移動機構には、
光学ユニット24のレーザビーム照射位置が走査型電子
銃25の電子ビーム照射位置に重なったときに光学ユニ
ット24の移動を停止させるためのストッパ(不図示)
を設けてもよい。これにより、光学ユニット24のレー
ザビーム照射位置と走査型電子銃25の電子ビーム照射
位置との位置合わせを確実に行うことができる。あるい
は、光学ユニット24の移動機構にエンコーダやレーザ
干渉計(共に不図示)等の移動量計測器を設置すれば、
光学ユニット24の移動距離を常にモニタすることがで
き、光学ユニット24の位置を必要に応じて補正するこ
とができる。さらには、光学ユニット24の移動機構を
フィードバック制御するためのフィードバック制御装置
(不図示)を備え、これにより光学ユニット24の移動
機構をフィードバック制御することにより、レーザビー
ム照射位置と電子ビーム照射位置との位置合わせを自動
的に微調整することができる。
【0067】また、光学ユニット24に、本体ステージ
31と半導体ウエハ22との間隔を測定するための間隔
センサ(不図示)を設置すれば、光学ユニット24を微
小物分析装置21内に設置する際に、ビームスポット調
整装置14(図3参照)で光学ユニット24のビームス
ポット調整を行ったときの本体ステージ31と光パワー
メータ16(図3参照)との間隔を正確に再現すること
ができる。つまり、ビームスポット調整装置で調整され
たスポットサイズのレーザビームで、半導体ウエハ22
を照射することができる。
【0068】さらに、光学ユニット24と半導体ウエハ
22との間隔を調整するための間隔調整機構(不図示)
を光学ユニット24に設け、さらに、間隔センサの測定
結果に基づいて高さ調整機構をフィードバック制御する
ためのフィードバック制御装置(不図示)を備えること
により、光学ユニット24と半導体ウエハ22との間隔
を自動的に微調整することができる。
【0069】また、第1および第2実施形態では、微小
物検出手段の調整装置としてのスポットサイズ調整装置
として、図3に示すように、本体支持部15と、光パワ
ーメータ16と、遮光板17とを備えた例を示したが、
スポットサイズ調整装置には、微小物分析装置の真空容
器内に設置される検出器や電子銃などの各種装置の形状
および配置を正確に再現した、位置取り調整手段として
のダミーを設けてもよい。
【0070】図6は、図3に示したスポットサイズ調整
装置14の変形例を示す斜視図である。図6に示すよう
に、本変形例のスポットサイズ調整装置34には、微小
物分析装置1,21の真空容器1a,21a内に設置さ
れるX線検出器6,26や二次電子検出器7,27、走
査型電子銃5,25(いずれも図1もしくは図4参照)
などの各種装置の形状および配置を正確に再現した、X
線検出器ダミー39、走査型電子銃ダミー40、および
二次電子検出器ダミー(不図示)が設けられている。そ
の他、支持本体部35、固定脚35a、光パワーメータ
36、遮光板37、ピンホール37a、および高さ調整
ステージ38の各構成は、図3に示したスポットサイズ
調整装置14と同様であるので、詳しい説明は省略す
る。
【0071】上記のように、スポットサイズ調整装置3
4に検出器等のダミーを設けることにより、光学ユニッ
ト4,24を真空容器1a,21aに設置したときの、
各検出器6,7,26,27および走査型電子銃5,2
5等に対する光学ユニット4,24の位置取りを予め確
認することができる。このように、スポットサイズ調整
装置34によれば、光学ユニット4,24から照射され
るレーザビームのスポットサイズの調整および光検出器
12,32の光軸調整を行えるだけでなく、光学ユニッ
ト4,24を真空容器1a,21a内に設置する前に、
真空容器1a,21a内の検出器等との干渉の有無を予
め確認することができる。
【0072】さらに、図7に示すようなビーム軸再現手
段を用いれば、走査型電子銃5,25の電子ビーム軸と
光学ユニット4,24の光軸とのビーム軸合わせを、光
学ユニット4,24を真空容器1a,21a内に設置す
る前に予め行うことができる。図7は、走査型電子銃ダ
ミーの中心軸とピンホールとの位置合わせを行うための
ビーム軸再現手段を示す構成図である。
【0073】図7(a)もしくは図7(b)に示すよう
に、ビーム軸再現手段は、ピンホール37aが形成され
た遮光板37を把持した遮光板固定具41と、遮光板固
定具41の外径と同じ径の穴部42が形成された遮光板
フレーム43と、遮光板固定具41と同じ外径を有する
ビーム軸調整治具44およびピンホール位置調整治具4
5とを有する。なお、ビーム軸調整治具44の上端に
は、走査型電子銃ダミー40の下端の凸部40aに対応
した凹部44aが形成されている。
【0074】上記のビーム軸再現手段を用いた、走査型
電子銃5,25の電子ビーム軸と光学ユニット4,24
の光軸とのビーム軸合わせ行程は、まず最初に、図7
(a)に示すように、ビーム軸調整治具44を遮光板フ
レーム43の下側から穴部42に差し込む。次いで、走
査型電子銃ダミー40の位置を微動機構(不図示)によ
り微調整し、ビーム軸調整治具44の上端に形成された
凹部44aと走査型電子銃ダミー40の下端の凸部40
aとを合わせる。これにより、遮光板フレーム43の穴
部42に対する走査型電子銃ダミー40の中心軸(すな
わち走査型電子銃5,25の電子ビーム軸)が再現され
る。
【0075】次に、遮光板フレーム43からビーム軸調
整治具44を取り外し、図7(b)に示すように、ピン
ホール位置調整治具45を遮光板フレーム43の上側か
ら穴部42に差し込むとともに、遮光板37を把持した
遮光板固定具41を遮光板フレーム43の下側から穴部
42に差し込む。ピンホール位置調整治具45の下端
は、遮光板37が固定された遮光板固定具41の上端の
形状に合致する形状に形成されているため、遮光板固定
具41を遮光板フレーム43の下側から穴部42に差し
込んだときに、遮光板固定具41の上端がピンホール位
置調整治具45の下端にはまり込む位置で遮光板固定具
41を固定することにより、遮光板フレーム43の穴部
42の中心に対するピンホール37aの位置決め調整が
なされる。以上により、走査型電子銃ダミー40の中心
軸(すなわち走査型電子銃5,25の電子ビーム軸)と
ピンホール37a(すなわち光学ユニット4,24の光
軸)とのビーム軸合わせが完了する。
【0076】このように、ビーム軸再現手段を用いて走
査型電子銃5,25の電子ビーム軸と光学ユニット4,
24の光軸とのビーム軸合わせを予め行うことにより、
光学ユニット4,24を真空容器1a,21a内に設置
した後に走査型電子銃5,25の電子ビーム軸と光学ユ
ニット4,24の光軸との軸合わせを行う手間を省くこ
とができるので、微小物の分析を一層効率よく、短時間
で行うことができる。なお、上記に説明したビーム軸合
わせでは、走査型電子銃ダミー40の中心軸を再現した
後にピンホール37aの位置決め調整を行う例を示した
が、ビーム軸合わせは、ピンホール37aの位置決め調
整を行った後に走査型電子銃ダミー40の中心軸を再現
することによっても行うことができる。
【0077】また、走査型電子銃5,25の電子ビーム
軸と光学ユニット4,24の光軸とのビーム軸合わせ
は、図8に示すように、走査型電子銃ダミー50の下端
部に設けられた針51を用いて行うこともできる。
【0078】図8に示すように、ビーム軸再現手段とし
ての針51は、走査型電子銃ダミー50のうち走査型電
子銃5,25の電子ビーム照射位置に対応する位置に設
置されている。従って、針51の先端とピンホール37
aとの位置合わせを行うことにより、走査型電子銃5,
25の電子ビーム軸と光学ユニット4,24の光軸との
ビーム軸合わせが、光学ユニット4,24を微小物分析
装置1,21の真空容器内1a,21aに設置される前
に行われる。なお、針51に突出機構(不図示)を設け
て、走査型電子銃ダミー50内から針51を突出させ、
さらに走査型電子銃ダミー50内に針51を収納するこ
とができる構成としてもよい。
【0079】さらに、走査型電子銃5,25の電子ビー
ム軸と光学ユニット4,24の光軸とのビーム軸合わせ
は、図9に示すように、走査型電子銃ダミー60内に設
けられたレーザ光源61および光学系62を用いて行う
こともできる。
【0080】図9に示すように、走査型電子銃ダミー6
0の内部には、レーザビームを照射するレーザ光源61
と、レーザ光源61から照射されたレーザビームのビー
ム径を絞り込むための光学系62とが設置されている。
ビーム軸再現手段としてのレーザ光源61および光学系
62は、走査型電子銃ダミー60の下部から照射される
レーザビームのビーム軸が走査型電子銃5,25の電子
ビーム軸と一致するように設置されている。
【0081】このように構成された走査型電子銃ダミー
60では、まず、走査型電子銃ダミー60から照射され
たレーザビームがピンホール37aを通過するように、
走査型電子銃ダミー60とピンホール37aとの位置合
わせを行う。次に、ピンホール37aを通過してパワー
メータ(不図示)に到達するビーム光量が最大となるよ
うに、走査型電子銃ダミー60とピンホール37aとの
位置の微調整を行う。以上により、走査型電子銃5,2
5の電子ビーム軸と光学ユニット4,24の光軸とのビ
ーム軸合わせが、光学ユニット4,24を微小物分析装
置1,21の真空容器内1a,21aに設置される前に
行われる。
【0082】なお、上記では、微小物分析装置1,21
の真空容器1a,21a内に設置されるビーム源として
走査型電子銃5,25を用いて説明したが、位置取り調
整手段およびビーム軸再現手段を適用できるのはビーム
源が走査型電子銃である場合に限られず、その他、ビー
ム源はレーザ光源等であってもよい。
【0083】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の微小物分
析装置は、スポットサイズが所望の大きさに調整された
レーザビームを試料に照射するレーザモジュール部と、
試料からの散乱光を検出する光検出部と、それらの部材
が取り付けられた本体ステージ部とにより構成された微
小物検出手段が、微小物分析装置の真空容器に対して着
脱自在に設けられているので、レーザビームのスポット
サイズ調整や光検出部の光軸調整等の各部調整を微小物
検出手段が微小物分析装置の真空容器内に設置される前
に行えば、それらの調整を微小物の検出行程の段階で行
う必要がないため、微小物の検出・分析を短時間で簡便
に行うことができる。
【0084】また、微小物観察手段の微小物観察位置と
微小物分析手段の微小物分析位置との少なくとも一方に
対して、レーザビーム照射位置を一致させて微小物検出
手段を配置し、微小物検出手段に、微小物観察手段の観
察および微小物分析手段の分析を妨げない位置にまで微
小物検出手段を移動させるための移動手段を備えること
により、微小物を検出した後にステージを移動させて微
小物観察位置もしくは微小物分析位置に微小物の位置を
合わせる必要がないので、微小物の検出および観察・分
析をより迅速に行うことができる。
【0085】さらに、移動手段に、微小物観察手段の微
小物観察位置もしくは微小物分析手段の微小物分析位置
と微小物検出手段のレーザビーム照射位置とが一致する
位置で微小物検出手段の移動を停止させるためのストッ
パ部を備えることにより、微小物観察手段の微小物観察
位置もしくは微小物分析手段の微小物分析位置と微小物
検出手段のレーザビーム照射位置との位置合わせを確実
に行うことができる。
【0086】また、移動手段に移動量計測部を備えるこ
とにより、微小物検出手段の移動量を常にモニタするこ
とができ、微小物検出手段の位置を必要に応じて補正す
ることができる。
【0087】さらに、移動量計測器の計測結果に基づい
て移動手段の移動量を制御するためのフィードバック制
御装置を備えることにより、微小物観察手段の微小物観
察位置もしくは微小物分析手段の微小物分析位置と微小
物検出手段のレーザビーム照射位置との位置合わせを自
動的に行うことができる。
【0088】また、前記微小物検出手段に微小物検出手
段と試料との間隔を測定するための間隔センサ部を備え
ることにより、微小物検出手段を微小物分析装置の真空
容器内に取り付けた際に、試料上におけるレーザビーム
のスポットサイズを予め調整したレーザビームのスポッ
トサイズに正確に再現することができる。
【0089】加えて、微小物検出手段に微小物検出手段
と試料との間隔を調整するための間隔調整手段を備え、
さらに、間隔センサ部の測定結果に基づいて間隔調整手
段を制御するフィードバック制御装置を備えることによ
り、微小物検出手段と試料との間隔の調整を自動的に行
うことができる。
【0090】また、レーザモジュール部に、レーザビー
ムを照射するレーザ光源部を少なくとも2つ備えること
により、微小物を効率よくかつ精度よく検出することが
できる。
【0091】さらに、光検出部をCCDで構成すること
により、微小物検出手段では、試料上の微小物の位置を
検出するとともに微小物の画像情報を得ることができ
る。
【0092】さらには、微小物検出手段に少なくとも2
つの光検出部を備えることにより、各光検出部からの検
出信号を重ね合わせることによって、微小物の検出を高
精度で行うことができる。
【0093】本発明の微小物検出手段の調整装置は、上
記発明の微小物分析装置に用いられる微小物検出手段の
調整装置であって、微小物検出手段を固定するための固
定脚部を有する支持本体部と、レーザビームの強度を検
出するための光パワーメータ部と、ピンホールが形成さ
れ光パワーメータ部の上方に配置された遮光板部とを有
するので、微小物検出手段を微小物分析装置の真空容器
内に設置する前に、レーザビームのスポットサイズおよ
び光検出部の光軸調整等の微小物検出手段の各部調整を
簡便に行うことができる。
【0094】さらに、微小物分析装置の真空容器内に設
置される各種装置の形状および配置を再現した位置取り
調整手段をさら備えることにより、微小物検出手段を微
小物検出装置の真空容器内に設置する前に真空容器内の
各種検出器等との干渉の有無を予め確認できるので、異
物分析を迅速に行うことができる。
【0095】加えて、位置取り調整手段に、微小物分析
装置の真空容器内に設置されているビーム源のビーム軸
を再現するためのビーム軸再現手段を備えることによ
り、微小物検出手段を微小物検出装置の真空容器内に設
置する前にビーム源のビーム軸と微小物検出手段の光軸
とのビーム軸合わせを予め行えるので、異物分析を迅速
に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の微小物分析装置の第1の実施形態の全
体構成図である。
【図2】図1に示した光学ユニットを示す構成図であ
る。
【図3】図1および図2に示した光学ユニットが搭載さ
れたスポットサイズ調整装置を示す構成図である。
【図4】本発明の微小物分析装置の第2の実施形態を示
す構成図である。
【図5】図4に示した光学ユニットを示す構成図であ
る。
【図6】図3に示したスポットサイズ調整装置の変形例
を示す斜視図である。
【図7】走査型電子銃ダミーの中心軸とピンホールとの
位置合わせに用いられるビーム軸再現手段を示す構成図
である。
【図8】ビーム軸再現手段のさらなる変形例を示す構成
図である。
【図9】ビーム軸再現手段のさらなる変形例を示す構成
図である。
【図10】従来の微小物分析装置を示す構成図である。
【符号の説明】
1,21 微小物分析装置 1a,21a 真空容器 2,22 半導体ウエハ 3,23 XYステージ 4,24 光学ユニット 5,25 走査型電子銃 6,26 X線検出器 7,27 二次電子検出器 8,28,61 レーザ光源 9,29,62 光学系 9a,29a ビームエキスパンダ 9b,29b 光学レンズ 10,30 レーザモジュール 11,31 本体ステージ 12,32 光検出器 13,33 鏡 14,34 スポットサイズ調整装置 15,35 支持本体部 15a,35a 固定脚 16,36 光パワーメータ 17,37 遮光板 17a,37a ピンホール 18,38 高さ調整ステージ 39 X線検出器ダミー 40,50,60 走査型電子銃ダミー 40a 凸部 41 遮光板固定具 42 穴部 43 遮光板フレーム 44 ビーム軸調整治具 44a 凹部 45 ピンホール調整治具 51 針

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試料が載置されるステージと、前記ステ
    ージに載置された試料上の微小物を光学的に検出するた
    めの微小物検出手段と、前記微小物検出手段によって検
    出された前記微小物を観察するための微小物観察手段
    と、前記微小物検出手段によって検出された前記微小物
    の組成を分析するための微小物分析手段とが真空容器内
    に収容されて構成されている微小物分析装置において、 前記微小物検出手段は、少なくとも、スポットサイズが
    所望の大きさに調整されたレーザビームを前記試料に照
    射するレーザモジュール部と、レーザビームが照射され
    た前記試料からの散乱光を検出する光検出部と、前記レ
    ーザモジュール部および前記光検出部が取り付けられた
    本体ステージ部とにより構成され、前記真空容器に対し
    て着脱自在に設けられていることを特徴とする微小物分
    析装置。
  2. 【請求項2】 前記微小物検出手段は、前記微小物観察
    手段の前記試料上における微小物観察位置と前記微小物
    分析手段の前記試料上における微小物分析位置との少な
    くとも一方に対して、前記微小物検出手段の前記試料上
    におけるレーザビーム照射位置を一致させて配置され、
    前記微小物検出手段には、前記微小物検出手段が前記微
    小物観察手段による観察および前記微小物分析手段によ
    る分析を妨げない位置にまで前記微小物検出手段を移動
    させるための移動手段が備えられている請求項1記載の
    微小物分析装置。
  3. 【請求項3】 前記移動手段には、前記微小物観察手段
    の前記試料上における微小物観察位置もしくは前記微小
    物分析手段の前記試料上における微小物分析位置と前記
    微小物検出手段の前記試料上におけるレーザビーム照射
    位置とが一致する位置で前記微小物検出手段の移動を停
    止させるためのストッパ部が備えられている請求項2記
    載の微小物分析装置。
  4. 【請求項4】 前記移動手段には、前記微小物検出手段
    の移動量を計測するための移動量計測部が備えられてい
    る請求項3記載の微小物分析装置。
  5. 【請求項5】 前記移動量計測器は、エンコーダもしく
    はレーザ干渉計である請求項4記載の微小物分析装置。
  6. 【請求項6】 前記移動量計測器の計測結果に基づいて
    前記移動手段の移動量を制御するためのフィードバック
    制御装置が備えられている請求項4または5記載の微小
    物分析装置。
  7. 【請求項7】 前記微小物検出手段には、前記微小物検
    出手段と前記試料との間隔を測定するための間隔センサ
    部が備えられている請求項1から6のいずれか1項記載
    の微小物分析装置。
  8. 【請求項8】 前記微小物検出手段には、前記微小物検
    出手段を移動させて前記微小物検出手段と前記試料との
    間隔を調整するための間隔調整手段が備えられ、さら
    に、前記間隔センサ部の測定結果に基づいて前記間隔調
    整手段を制御するフィードバック制御装置が備えられて
    いる請求項7記載の微小物分析装置。
  9. 【請求項9】 前記レーザモジュール部には、レーザビ
    ームを照射するレーザ光源部が少なくとも2つ備えられ
    ている請求項1から8のいずれか1項記載の微小物分析
    装置。
  10. 【請求項10】 前記少なくとも2つのレーザ光源部に
    よりレーザアレイが構成されている請求項9記載の微小
    物分析装置。
  11. 【請求項11】 前記光検出部はCCDで構成されてい
    る請求項1から10のいずれか1項記載の微小物分析装
    置。
  12. 【請求項12】 前記光検出部はフォトダイオードで構
    成されている請求項1から10のいずれか1項記載の微
    小物分析装置。
  13. 【請求項13】 前記微小物検出手段には、前記光検出
    部が少なくとも2つ備えられている請求項1から11の
    いずれか1項記載の微小物分析装置。
  14. 【請求項14】 前記各光検出部はそれぞれフォトダイ
    オードで構成され、少なくとも2つの前記フォトダイオ
    ードによりフォトダイオードアレイが構成されている請
    求項13記載の微小物分析装置。
  15. 【請求項15】 前記微小物観察手段は走査型電子顕微
    鏡である請求項1から14のいずれか1項記載の微小物
    分析装置。
  16. 【請求項16】 前記微小物観察手段は反射電子顕微鏡
    である請求項1から14のいずれか1項記載の微小物分
    析装置。
  17. 【請求項17】 前記微小物観察手段はイオン顕微鏡で
    ある請求項1から14のいずれか1項記載の微小物分析
    装置。
  18. 【請求項18】 前記微小物観察手段は原子間力顕微鏡
    である請求項1から14のいずれか1項記載の微小物分
    析装置。
  19. 【請求項19】 前記微小物分析手段はX線検出器であ
    る請求項1から18のいずれか1項記載の微小物分析装
    置。
  20. 【請求項20】 前記微小物分析手段はオージェ電子検
    出器である請求項1から18のいずれか1項記載の微小
    物分析装置。
  21. 【請求項21】 前記微小物分析手段は飛行時間型二次
    イオン質量分析器である請求項1から18のいずれか1
    項記載の微小物分析装置。
  22. 【請求項22】 前記微小物分析手段はレーザ・マイク
    ロプローブ質量分析装置である請求項1から18のいず
    れか1項記載の微小物分析装置。
  23. 【請求項23】 請求項1から22のいずれか1項記載
    の微小物分析装置に用いられる微小物検出手段の調整装
    置であって、 前記微小物検出手段を固定するための固定脚部を有する
    支持本体部と、前記レーザビームの強度を検出するため
    の光パワーメータ部と、ピンホールが形成され前記光パ
    ワーメータ部の上方に配置された遮光板部とを有する、
    微小物検出手段の調整装置。
  24. 【請求項24】 前記微小物分析装置の真空容器内に設
    置される各種装置の形状および配置を再現した位置取り
    調整手段をさらに有する請求項23記載の微小物検出手
    段の調整装置。
  25. 【請求項25】 前記位置取り調整手段には前記微小物
    分析装置の真空容器内に設置されているビーム源のビー
    ム軸を再現するためのビーム軸再現手段が備えられてい
    る請求項24記載の微小物検出手段の調整装置。
JP9172197A 1997-06-27 1997-06-27 微小物分析装置、および該微小物分析装置に用いられる微小物検出手段の調整装置 Withdrawn JPH1123481A (ja)

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