JPH11231537A - Positive photosensitive composition - Google Patents

Positive photosensitive composition

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JPH11231537A
JPH11231537A JP10033205A JP3320598A JPH11231537A JP H11231537 A JPH11231537 A JP H11231537A JP 10033205 A JP10033205 A JP 10033205A JP 3320598 A JP3320598 A JP 3320598A JP H11231537 A JPH11231537 A JP H11231537A
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JP
Japan
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group
acid
resin
embedded image
compound
Prior art date
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Application number
JP10033205A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiaki Aoso
利明 青合
Shiro Tan
史郎 丹
Toru Fujimori
亨 藤森
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH11231537A publication Critical patent/JPH11231537A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain the positive photosensitive composition enhanced in sensitivity and resolution and pattern profiles without changing the pattern profiles and the sensitivity and the like by incorporating a compound for generating an acid and a resin having specified repeating structural units. SOLUTION: The positive photosensitive composition contains the compound to be allowed to generate an acid by irradiation with active light or radiation and the resin having the repeating structural units represented by formulae I and II and formulae I and III, and in formulae I-III, R1 is an H atom or a methyl group; each of R2 and R3 is, independently, an H atom or an optionally substituted alkyl or aryl group, but at least one of them is a group except an H atom; R4 is an optionally substituted cycloalkyl or alkenyl group or the like; R5 is a group represented by -C(R8 )(R9 )(R10 ) or the like; and each of (m) and (n) is, independently, an integer of 0-3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、平版印刷板やIC
等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基
板の製造、更にその他のフォトファブリケーション工程
に使用されるポジ型感光性組成物に関するものである。
[0001] The present invention relates to a lithographic printing plate or an IC.
The present invention relates to a positive photosensitive composition used in a semiconductor manufacturing process such as the above, a circuit substrate such as a liquid crystal and a thermal head, and other photofabrication processes.

【0002】[0002]

【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物として、米
国特許第4,491,628号、欧州特許第249,139号等に記載さ
れている化学増幅系レジスト組成物がある。化学増幅系
ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光等の放射線の照射に
より露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反応に
よって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に対す
る溶解性を変化させパターンを基板上に形成させるパタ
ーン形成材料である。
2. Description of the Related Art As a positive photoresist composition, there is a chemically amplified resist composition described in U.S. Pat. No. 4,491,628 and EP 249,139. The chemically amplified positive resist composition generates an acid in the exposed portion by irradiation with radiation such as far ultraviolet light, and the reaction using the acid as a catalyst dissolves the active radiation-irradiated portion and the non-irradiated portion in the developing solution. This is a pattern forming material that changes the properties and forms a pattern on a substrate.

【0003】このような例として、光分解により酸を発
生する化合物と、アセタール又はO,N−アセタール化
合物との組合せ(特開昭48−89003号)、オルト
エステル又はアミドアセタール化合物との組合せ(特開
昭51−120714号)、主鎖にアセタール又はケタ
ール基を有するポリマーとの組合せ(特開昭53−13
3429号)、エノールエーテル化合物との組合せ(特
開昭55−12995号)、N−アシルイミノ炭酸化合
物化合物との組合せ(特開昭55−126236号)、
主鎖にオルトエステル基を有するポリマーとの組合せ
(特開昭56−17345号)、第3級アルキルエステ
ル化合物との組合せ(特開昭60−3625号)、シリ
ルエステル化合物との組合せ(特開昭60−10247
号)、及びシリルエーテル化合物との組合せ(特開昭6
0−37549号、特開昭60−121446号)等を
挙げることができる。これらは原理的に量子収率が1を
越えるため、高い感光性を示す。
Examples of such a combination include a combination of a compound capable of generating an acid by photolysis with an acetal or an O, N-acetal compound (Japanese Patent Application Laid-Open No. 48-89003), a combination of an orthoester or an amide acetal compound ( Combination with a polymer having an acetal or ketal group in the main chain (JP-A-53-172014).
3429), a combination with an enol ether compound (JP-A-55-12995), a combination with an N-acyliminocarbonate compound (JP-A-55-126236),
Combination with a polymer having an orthoester group in the main chain (JP-A-56-17345), combination with a tertiary alkyl ester compound (JP-A-60-3625), combination with a silyl ester compound (JP-A-60-3625) Showa 60-10247
No.) and a combination with a silyl ether compound (Japanese Unexamined Patent Publication No.
0-37549, JP-A-60-112446) and the like. These have high photosensitivity because the quantum yield exceeds 1 in principle.

【0004】同様に、室温経時下では安定であるが、酸
存在下加熱することにより分解し、アルカリ可溶化する
系として、例えば、特開昭59−45439号、特開昭
60−3625号、特開昭62−229242号、特開
昭63−27829号、特開昭63−36240号、特
開昭63−250642号、Polym.Eng.Sce.,23巻、101
2頁(1983);ACS.Sym.242巻、11頁(1984);Semicond
uctor World 1987年、11月号、91頁;Macromolecules,2
1巻、1475頁(1988);SPIE,920巻、42頁(1988)等に
記載されている露光により酸を発生する化合物と、第3
級又は2級炭素(例えばt-ブチル、2-シクロヘキセニ
ル)のエステル又は炭酸エステル化合物との組合せ系が
挙げられる。これらの系も高感度を有し、且つ、ナフト
キノンジアジド/ノボラツク樹脂系と比べて、Deep-UV
領域での吸収が小さいことから、前記の光源短波長化に
有効な系となり得る。
Similarly, systems which are stable under aging at room temperature, but are decomposed by heating in the presence of an acid and solubilized in alkali are disclosed in, for example, JP-A-59-45439, JP-A-60-3625, JP-A-62-2229242, JP-A-63-27829, JP-A-63-36240, JP-A-63-250542, Polym.Eng.Sce., Vol. 23, 101
2 (1983); ACS.Sym. 242, 11 (1984); Semicond
uctor World 1987, November, p. 91; Macromolecules, 2
Vol. 1, p. 1475 (1988); SPIE, vol. 920, p. 42 (1988);
Combination systems with esters or carbonate compounds of primary or secondary carbons (eg t-butyl, 2-cyclohexenyl). These systems also have high sensitivity and have a deep-UV compared to the naphthoquinonediazide / novolak resin system.
Since the absorption in the region is small, it can be an effective system for shortening the wavelength of the light source.

【0005】上記ポジ型化学増幅レジストは、アルカリ
可溶性樹脂、放射線露光によつて酸を発生する化合物
(光酸発生剤)、及び酸分解性基を有するアルカリ可溶
性樹脂に対する溶解阻止化合物から成る3成分系と、酸
との反応により分解しアルカリ可溶となる基を有する樹
脂と光酸発生剤からなる2成分系に大別できる。これら
2成分系あるいは3成分系のポジ型化学増幅レジストに
おいては、露光により光酸発生剤からの酸を介在させ
て、熱処理により分解後現像してレジストパターンを得
るものである。ここで、露光から熱処理(PEB処理)
までの放置時間が長くなるに従い、この発生した酸が拡
散したり、また雰囲気中の塩基性不純物によりレジスト
表面部の酸が失活してしまい、感度、更に現像後のレジ
ストパターンのプロファイル(T−トップ形状)や線幅
等が変化してしまうという問題があった。特に、酸分解
性基がt−BOC基、t−ブチルエステル基等の酸分解
活性化エネルギーが比較的大きい基の場合、感度低下、
T−トップの形成が大きな問題となる。これに対しアセ
タール基、テトラヒドロピラニルエーテル基、シリルエ
ーテル基等の酸分解活性化エネルギーが小さい基では、
これらの問題は緩和される一方、パターンの線幅が細く
なるという問題が生じる。
The above-mentioned positive chemically amplified resist comprises three components comprising an alkali-soluble resin, a compound capable of generating an acid upon exposure to radiation (photoacid generator), and a compound inhibiting dissolution of the alkali-soluble resin having an acid-decomposable group. It can be roughly classified into a two-component system comprising a resin having a group which is decomposed by the reaction with an acid and becomes alkali-soluble and a photoacid generator. In these two-component or three-component positive chemically amplified resists, an acid from a photoacid generator is interposed by exposure, decomposed by heat treatment, and then developed to obtain a resist pattern. Here, from exposure to heat treatment (PEB treatment)
As the standing time until the exposure becomes longer, the generated acid is diffused, and the acid on the resist surface is deactivated by basic impurities in the atmosphere, so that the sensitivity and the profile of the developed resist pattern (T -Top shape), line width, and the like. In particular, when the acid-decomposable group is a group having a relatively large acid-decomposition activation energy such as a t-BOC group or a t-butyl ester group, the sensitivity is reduced,
The formation of the T-top is a major problem. On the other hand, in a group having a small acid decomposition activation energy such as an acetal group, a tetrahydropyranyl ether group, and a silyl ether group,
While these problems are alleviated, a problem arises in that the line width of the pattern is reduced.

【0006】一方、これらの問題に対し、t−BOC基
等の酸分解の活性化エネルギーの大きい基とアセタール
基等の酸分解の活性化エネルギーの小さい基を組み合わ
せる技術が報告されている。例えば特開平8−1586
4号、同8−262721号、同9−6002号、同9
−6003号、同9−179301号、同9−2211
7号、同9−127698号、同9−222732号、
同9−222733号、同9−244246号に記載さ
れたt−BOC基を有する樹脂とアセタール基を有する
樹脂を併用する系、更に特開平6−273934号、同
8−123032号、同9−211864号、同9−2
11866号に記載されたt−BOC基等の酸分解の活
性化エネルギーの大きい基とアセタール基等の酸分解の
活性化エネルギーの小さい基を同一分子中に有する樹脂
を使用する系が挙げられる。しかし、これらの系におい
てもt−BOC等の基の低酸分解性の影響でプロファイ
ル(T−top形状)、感度変化の改良が不充分であ
り、解像度等の性能の向上にも限界があった。
On the other hand, to solve these problems, a technique has been reported in which a group having a high activation energy for acid decomposition such as a t-BOC group is combined with a group having a low activation energy for acid decomposition such as an acetal group. For example, Japanese Unexamined Patent Publication No.
No. 4, No. 8-262721, No. 9-6002, No. 9
-6003, 9-179301, 9-2211
No. 7, No. 9-1227698, No. 9-222732,
Nos. 9-222733 and 9-244246, in which a resin having a t-BOC group and a resin having an acetal group are used in combination. Further, JP-A-6-273934, JP-A-8-123032, and No. 211864, 9-2
A system using a resin having a group having a large activation energy for acid decomposition such as a t-BOC group and a group having a small activation energy for acid decomposition such as an acetal group described in No. 11866 in the same molecule is exemplified. However, even in these systems, the profile (T-top shape) and the change in sensitivity are insufficiently improved due to the low acid decomposability of groups such as t-BOC, and the improvement in performance such as resolution is limited. Was.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、露光
後経時によるパターン形状変化、感度変化等がなくな
り、それにより感度、解像度、パターンプロファイルが
向上したポジ型感光性組成物を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a positive photosensitive composition in which the pattern shape and the sensitivity do not change over time after exposure, thereby improving the sensitivity, resolution and pattern profile. It is.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が、ポジ型
化学増幅系において、下記の特定の構造単位を含む樹脂
を用いることで達成されることを見出し、本発明に到達
した。即ち、本発明は、下記構成である。 (1)(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生
する化合物、(B)下記一般式(I)及び(II)で表さ
れる繰り返し構造単位を有する樹脂、並びに(C)下記
一般式(I)及び(III)で表される繰り返し構造単位を
有する樹脂を含有することを特徴とするポジ型感光性組
成物。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies while paying attention to the above characteristics, and as a result, the object of the present invention is to use a resin containing the following specific structural unit in a positive-type chemical amplification system. It has been found that this is achieved by the above, and the present invention has been achieved. That is, the present invention has the following configuration. (1) (A) a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, (B) a resin having a repeating structural unit represented by the following general formulas (I) and (II), and (C) a general formula shown below. A positive photosensitive composition comprising a resin having a repeating structural unit represented by (I) or (III).

【0009】[0009]

【化2】 Embedded image

【0010】一般式(I)〜(III)中、R1〜R7は以
下のとおりである。R1は、水素原子又はメチル基を表
す。R2及びR3は、同一又は異なって、水素原子、置換
基を有していてもよい、アルキル基又はアリール基を表
す。但し、R2及びR3の少なくともいずれかは水素原子
以外の基である。R4は、置換基を有していてもよい、
シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はア
リール基を表す。R5は、−C(R8)(R9)(R10)、又は
−C(R11)(R12)(OR13)で示される基を表す。ここ
で、R8〜R12は、同一又は異なって、水素原子、置換
基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル
基、アルケニル基、アルキニル基又はアリール基を表
し、R13は、置換基を有していてもよい、アルキル基、
シクロアルキル基又はアリール基を表す。但し、R8
10のうち少なくとも2つは水素原子以外の基である。
6及びR7は、同一又は異なって、ハロゲン原子、ヒド
ロキシル基、置換基を有していてもよい、アルキル基、
アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アシル基又
はアシロキシ基を表す。また、上記R2〜R4、R8〜R
10、及びR11〜R13のそれぞれのうちの2つが結合して
環を形成してもよい。m及びnは、同一又は異なって、
0〜3の整数を示す。
In the general formulas (I) to (III), R 1 to R 7 are as follows. R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 2 and R 3 are the same or different and each represent a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group or aryl group. However, at least one of R 2 and R 3 is a group other than a hydrogen atom. R 4 may have a substituent,
Represents a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aryl group. R 5 represents a group represented by —C (R 8 ) (R 9 ) (R 10 ) or —C (R 11 ) (R 12 ) (OR 13 ). Here, R 8 to R 12 are the same or different, a hydrogen atom, which may have a substituent, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aryl group, R 13 is, An alkyl group which may have a substituent,
Represents a cycloalkyl group or an aryl group. However, R 8
At least two of R 10 are groups other than a hydrogen atom.
R 6 and R 7 are the same or different and are each a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group which may have a substituent,
Represents an aryl group, an aralkyl group, an alkoxy group, an acyl group or an acyloxy group. In addition, the above R 2 to R 4 , R 8 to R
And two of R 11 to R 13 may combine to form a ring. m and n are the same or different,
Shows an integer of 0 to 3.

【0011】(2)酸により分解し得る基を有し、アル
カリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する、分
子量3,000以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物を
含有することを特徴とする上記(1)に記載のポジ型感
光性組成物。
(2) A low-molecular acid-decomposable dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3,000 or less, which has a group decomposable by an acid and whose solubility in an alkali developing solution is increased by the action of an acid. The positive photosensitive composition as described in (1) above, which is characterized in that:

【0012】(3)水に不溶でアルカリ水溶液に可溶な
樹脂を含有することを特徴とする上記(1)又は(2)
に記載のポジ型感光性組成物。
(3) The above (1) or (2), which contains a resin which is insoluble in water and soluble in an aqueous alkali solution.
4. The positive photosensitive composition according to item 1.

【0013】本発明の上記ポジ型感光性組成物は、上記
一般式(III)で表されるアセタール基等を有する繰り返
し構造単位を含有する樹脂と、一般式(II)で表される
シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、又は
アリール基が結合したカーボネート基を有する繰り返し
構造単位を含有する樹脂とを併用することで、t−BO
C等の基で見られた酸分解性が適度に向上し、露光後経
時によるパターン形状変化(T−top形状)、感度変
化がなくなり、それにより感度、解像度、パターンプロ
ファイルが大きく向上する。
The positive photosensitive composition of the present invention comprises a resin containing a repeating structural unit having an acetal group or the like represented by the general formula (III) and a cycloalkyl compound represented by the general formula (II) Group, an alkenyl group, an alkynyl group, or a resin containing a repeating structural unit having a carbonate group to which an aryl group is bonded to form t-BO.
The acid-decomposability observed with a group such as C is appropriately improved, and a change in pattern shape (T-top shape) and a change in sensitivity over time after exposure are eliminated, thereby greatly improving sensitivity, resolution, and pattern profile.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明のポジ型感光性組成
物に使用する成分について詳細に説明する。まず、上記
一般式(I)及び(II)で示される繰り返し構造単位を
有する樹脂(B)、並びに一般式(I)及び(III)で
で示される繰り返し構造単位を有する樹脂(C)につい
て説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, components used in the positive photosensitive composition of the present invention will be described in detail. First, the resin (B) having a repeating structural unit represented by the general formulas (I) and (II) and the resin (C) having a repeating structural unit represented by the general formulas (I) and (III) will be described. I do.

【0015】上記式中、R2,R3,R6,R7のアルキル
基としては、好ましくは置換基を有していてもよい,メ
チル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec
−ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オク
チル基等の炭素数1〜8個のものが挙げられる。R2
3,R4,R6,R7のアリール基としては、好ましくは
置換基を有していてもよい、フェニル基、トリル基、キ
シリル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基
等の炭素数6〜14個のものが挙げられる。R4のシク
ロアルキル基としては、好ましくは置換基を有していて
もよい、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の炭素
数3〜10個のものが挙げられる。アルケニル基として
は、好ましくは置換基を有していてもよい、ビニル基、
プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、
ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数2〜6個
のものが挙げられる。アルキニル基としては、好ましく
は置換基を有していてもよい、アセチル基、プロパルギ
ル基等の炭素数2〜6個のものが挙げられる。
In the above formula, the alkyl group of R 2 , R 3 , R 6 and R 7 is preferably an optionally substituted methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec
Examples thereof include those having 1 to 8 carbon atoms such as -butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, and octyl group. R 2 ,
The aryl group of R 3 , R 4 , R 6 , and R 7 is preferably an aryl group which may have a substituent, such as a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a cumenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group. 6-14. As the cycloalkyl group for R 4 , those having 3 to 10 carbon atoms, such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and an adamantyl group, which may have a substituent, are preferably exemplified. As the alkenyl group, preferably a vinyl group which may have a substituent,
Propenyl group, allyl group, butenyl group, pentenyl group,
Examples thereof include those having 2 to 6 carbon atoms such as a hexenyl group and a cyclohexenyl group. The alkynyl group preferably has 2 to 6 carbon atoms, such as an acetyl group and a propargyl group, which may have a substituent.

【0016】R6,R7のハロゲン原子としては、フッ
素、塩素、臭素、沃素が好ましい。アラルキル基として
は、好ましくは置換基を有していてもよい、ベンジル
基、ナフチルメチル基、フェネチル基等の炭素数7〜1
2個のものが挙げられる。アルコキシル基としては、好
ましくは置換基を有していてもよい、メトキシ基、エト
キシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基等の炭素数1〜8個のものが挙げられる。アシル基
としては、好ましくは置換基を有していてもよい、ホル
ミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、
ベンゾイル基等の炭素数1〜8個のものが挙げられる。
アシロキシ基としては、好ましくは置換基を有していて
もよい、アセトキシ基、プロパノイルオキシ基、ブタノ
イルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等の炭素数2〜10
個のものが挙げられる。
As the halogen atom for R 6 and R 7 , fluorine, chlorine, bromine and iodine are preferred. The aralkyl group preferably has a carbon number of 7 to 1 such as a benzyl group, a naphthylmethyl group and a phenethyl group, which may have a substituent.
There are two. Examples of the alkoxyl group preferably include those having 1 to 8 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a hydroxyethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group which may have a substituent. As the acyl group, a formyl group, an acetyl group, a propanoyl group, a butanoyl group, which may have preferably a substituent,
Those having 1 to 8 carbon atoms such as a benzoyl group are exemplified.
The acyloxy group preferably has 2 to 10 carbon atoms such as an acetoxy group, a propanoyloxy group, a butanoyloxy group and a benzoyloxy group which may have a substituent.
Individual ones.

【0017】R8〜R12のアルキル基、シクロアルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、及びR
13のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基はR2
〜R7で示したものと同様のものが好ましい。R2
4、R8〜R10、及びR11〜R13のそれぞれのうちの2
つが結合して形成される環としては、置換基を有してい
てもよい、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペン
チル、シクロヘキシル等の3〜8員環が挙げられる。
The alkyl, cycloalkyl, alkenyl, alkynyl, aryl, and R 8 to R 12
The alkyl group, cycloalkyl group and aryl group of 13 are R 2
Preferably the same as that shown in to R 7. R 2 ~
2 of each of R 4 , R 8 to R 10 , and R 11 to R 13
Examples of the ring formed by bonding one to another include a 3- to 8-membered ring such as cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl and cyclohexyl which may have a substituent.

【0018】また、上記各置換基の更なる置換基として
は、好ましくはヒドロキシル基;ハロゲン原子(フッ
素、塩素、臭素、ヨウ素);ニトロ基;シアノ基;アミ
ド基;スルホンアミド基;上記R2 、R3 、R6 、R7
のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエ
トキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブ
トキシ基等の炭素数1〜8個のアルコキシ基;メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカ
ルボニル基;ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等
のアシル基;アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシ
ロキシ基;カルボキシ基等が挙げられる。
[0018] As further substituents of the above substituents, preferably hydroxyl groups; halogen atoms (fluorine, chlorine, bromine, iodine), nitro groups, cyano groups, amide groups, sulfonamide group; R 2 above , R 3 , R 6 , R 7
Alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms such as methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group, butoxy group; alkoxycarbonyl group such as methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group; formyl group Acyl groups such as acetyl group, benzoyl group and the like; acyloxy groups such as acetoxy group and butyryloxy group; carboxy group.

【0019】これら一般式(I)及び(II)で示される
繰り返し構造単位を有する樹脂(B)、並びに一般式
(I)及び(III)で示される繰り返し構造単位を有する
樹脂(C)は、例えば以下に示す方法で合成することが
できる。
The resin (B) having the repeating structural units represented by the general formulas (I) and (II) and the resin (C) having the repeating structural units represented by the general formulas (I) and (III) are: For example, it can be synthesized by the following method.

【0020】即ち、樹脂(B)は、一般式(I)で示さ
れる構造単位を与える重合性モノマーを単独重合又は共
重合させて得られた樹脂中のヒドロキシル基を、一般式
(II)のカーボネート基で示される基になるように修
飾、変換する方法;一般式(I)及び(II)で示される
構造単位を与える重合性モノマーを共重合する方法;一
般式(II)で示される構造単位を与える重合性モノマー
を単独重合又は共重合した後に、一般式(II)のカーボ
ネート基の一部を加水分解して一般式(I)の構造単位
に変換する方法等により合成することができる。
That is, the resin (B) is prepared by homopolymerizing or copolymerizing a polymerizable monomer giving a structural unit represented by the general formula (I) with a hydroxyl group in the resin. A method of modifying and converting to a group represented by a carbonate group; a method of copolymerizing a polymerizable monomer giving a structural unit represented by general formulas (I) and (II); a structure represented by general formula (II) After homopolymerization or copolymerization of a polymerizable monomer giving a unit, it can be synthesized by a method of hydrolyzing a part of a carbonate group of the general formula (II) to convert it into a structural unit of the general formula (I). .

【0021】樹脂(C)の場合も同様に、一般式(I)
で示される構造単位を与える重合性モノマーを単独重合
又は共重合させて得られた樹脂中のヒドロキシル基を、
一般式(III)のR5で示される基になるように修飾、変
換する方法;一般式(I)及び(III)で示される構造
単位を与える重合性モノマーを共重合する方法;一般式
(III)で示される構造単位を与える重合性モノマーを
単独重合又は共重合した後に、一般式(III)のR5基の
一部を加水分解して一般式(I)の構造単位に変換する
方法により合成することができる。
Similarly, in the case of the resin (C), the compound represented by the general formula (I)
A hydroxyl group in a resin obtained by homopolymerizing or copolymerizing a polymerizable monomer giving a structural unit represented by
A method of modifying and converting to a group represented by R 5 in the general formula (III); a method of copolymerizing a polymerizable monomer giving a structural unit represented by the general formulas (I) and (III); A method of homopolymerizing or copolymerizing a polymerizable monomer giving the structural unit represented by III), and then hydrolyzing a part of the R 5 group of the general formula (III) to convert it into the structural unit of the general formula (I) Can be synthesized by

【0022】具体的には、上記一般式(I)で示される
構造単位を与える重合性モノマーを適当な溶媒及び触媒
を用い、例えば、特開平2−25850号、同3−22
3860号、同4−211258号、同5−24968
2号等に記載されたラジカル重合法で単独重合又は他の
重合性モノマーと共重合させた後、得られた樹脂中のヒ
ドロキシル基を、例えば特開昭60−52845号、特
開平5−19482号、同4−219757号、同4−
251259号、同5−249682号、同4−211
258号、同5−181279号、同6−83059
号、同6−194841号等に記載の方法により、一般
式(II)のカーボネート基に修飾、変換することにより
樹脂(B)が、そして一般式(III)のOR5基に修飾、
変換することにより樹脂(C)が合成される。また、一
般式(I)及び(II)、又は一般式(I)及び(III)で
示される構造単位を与えるモノマー、更に必要に応じて
他の重合性モノマーを上記ラジカル重合法等で共重合す
ることにより樹脂(B)及び(C)が合成される。ま
た、一般式(II)及び(III)で示される構造単位を与
えるモノマー、更に必要に応じて他の重合性モノマーを
上記ラジカル重合法;特開平4−350657号、同4
−350658号、同6−41221号、同6−412
22号、同6−65332号、同6−65333号等に
記載されたリビングアニオン重合法等で単独重合又は共
重合した後、一般式(II)のカーボネート基の一部を分
解してヒドロキシル基に変換することにより樹脂(C)
が、一般式(III)のOR5基の一部を加水分解してヒド
ロキシル基に変換することにより樹脂(B)が合成され
る。この方法の場合、ヒドロキシル基含量調整のため、
ヒドロキシル基を再度一般式(II)のカーボネート基又
は一般式(III)のOR5基に修飾、変換してもよい。
Specifically, a polymerizable monomer giving the structural unit represented by the above general formula (I) is prepared by using a suitable solvent and catalyst, for example, as described in JP-A-2-25850 and JP-A-3-22-22.
No. 3860, No. 4-211258, No. 5-24968
After homopolymerization or copolymerization with another polymerizable monomer by the radical polymerization method described in JP-A No. 2 (1993) -195, etc., the hydroxyl group in the obtained resin is replaced with, for example, JP-A-60-52845 and JP-A-5-19482. Nos. 4-219757 and 4-
No. 251259, No. 5-249682, No. 4-211
No. 258, No. 5-181279, No. 6-83059
No. 6,194,841 and the like, the resin (B) is modified and converted to a carbonate group of the general formula (II), and the OR 5 group of the general formula (III) is modified.
By the conversion, the resin (C) is synthesized. Further, a monomer giving the structural units represented by the general formulas (I) and (II) or the general formulas (I) and (III), and if necessary, other polymerizable monomers are copolymerized by the above radical polymerization method or the like. By doing so, the resins (B) and (C) are synthesized. Further, a monomer giving the structural units represented by the general formulas (II) and (III) and, if necessary, other polymerizable monomers can be prepared by the radical polymerization method described in JP-A-4-350657;
-350658, 6-41221, 6-412
No. 22, No. 6-65332, No. 6-65333, etc., after homopolymerization or copolymerization by a living anionic polymerization method or the like, a part of the carbonate group of the general formula (II) is decomposed to give a hydroxyl group. By converting to resin (C)
However, the resin (B) is synthesized by hydrolyzing a part of the OR 5 group of the general formula (III) to convert it into a hydroxyl group. In the case of this method, in order to adjust the hydroxyl group content,
The hydroxyl group may be modified and converted again into a carbonate group of the general formula (II) or an OR 5 group of the general formula (III).

【0023】このような一般式(I)で表される構造単
位を与える重合性モノマーの具体例としては、以下に示
すものが挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。
Specific examples of the polymerizable monomer giving the structural unit represented by the general formula (I) include the following, but are not limited thereto.

【0024】[0024]

【化3】 Embedded image

【0025】[0025]

【化4】 Embedded image

【0026】一般式(II)で示される構造単位を与える
重合性モノマーの具体例としては、上記化合物例(I−
1)〜(I−23)のヒドロキシル基を以下の基(a
1)〜(a16)で置換したものが挙げられる。
Specific examples of the polymerizable monomer giving the structural unit represented by the general formula (II) include the above-mentioned compound examples (I-
1) to (I-23) are converted to the following groups (a)
1) to (a16).

【0027】[0027]

【化5】 Embedded image

【0028】また、一般式(III) で示される構造単位を
与える重合性モノマーの具体例としては、上記化合物例
(I−1)〜(I−23)のヒドロキシル基を以下の基
(a17)〜(a36)で置換したものが挙げられる
が、これらに限定されるものではない。
Further, as specific examples of the polymerizable monomer giving the structural unit represented by the general formula (III), the hydroxyl group of the above compound examples (I-1) to (I-23) is replaced with the following group (a17) To (a36), but not limited thereto.

【0029】[0029]

【化6】 Embedded image

【0030】またこれらの重合性モノマーと共重合し得
る他の重合性モノマーとしては、以下に示すものが含ま
れる。例えば、アクリル酸エステル類、アクリルアミド
類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類、ア
リル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、ス
チレン類、クロトン酸エステル類等から選ばれる付加重
合性不飽和結合を1個有する化合物である。
Other polymerizable monomers copolymerizable with these polymerizable monomers include those shown below. For example, it has one addition-polymerizable unsaturated bond selected from acrylates, acrylamides, methacrylates, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, styrenes, crotonates, and the like. Compound.

【0031】具体的には、例えばアクリル酸エステル
類、例えばアルキル(アルキル基の炭素原子数は1〜1
0のものが好ましい)アクリレート(例えば、アクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、ア
クリル酸t−ブチル、アクリル酸t−アミル、アクリル
酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、クロルエチル
アクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、
2,2−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、5
−ヒドロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプ
ロパンモノアクリレート、ペンタエリスリトールモノア
クリレート、グリシジルアクリレート、ベンジルアクリ
レート、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルア
クリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、2
−テトラヒドロピラニルアクリレート等)、アリールア
クリレート(例えばフェニルアクリレート等)、シリル
アクリレート(例えば、t−ブチルジメチルシリルアク
リレート等);
Specifically, for example, acrylates such as alkyl (the alkyl group has 1 to 1 carbon atoms)
Acrylates (eg, methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, t-butyl acrylate, t-amyl acrylate, ethylhexyl acrylate, octyl acrylate, chloroethyl acrylate, 2-hydroxyethyl) Acrylate,
2,2-dimethylhydroxypropyl acrylate, 5
-Hydroxypentyl acrylate, trimethylolpropane monoacrylate, pentaerythritol monoacrylate, glycidyl acrylate, benzyl acrylate, methoxybenzyl acrylate, furfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, 2
-Tetrahydropyranyl acrylate, etc.), aryl acrylate (eg, phenyl acrylate, etc.), silyl acrylate (eg, t-butyldimethylsilyl acrylate, etc.);

【0032】メタクリル酸エステル類、例えば、アルキ
ル(アルキル基の炭素原子数は1〜10のものが好まし
い)メタクリレート(例えば、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、t−ブチルメタクリレート、
t−アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、
シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレー
ト、クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリ
レート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、4−ヒ
ドロキシブチルメタクリレート、5−ヒドロキシペンチ
ルメタクリレート、2,2−ジメチル−3−ヒドロキシ
プロピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノ
メタクリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレ
ート、グリシジルメタクリレート、フルフリルメタクリ
レート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、2−
テトラヒドロピラニルメタクリレート等)、アリールメ
タクリレート(例えば、フェニルメタクリレート、クレ
ジルメタクリレート、ナフチルメタクリレート等)、シ
リルメタクリレート(例えば、トリメチルシリルメタク
リレート、t−ブチルジメチルシリルメタクリレート
等);
Methacrylic esters, for example, alkyl (alkyl having preferably 1 to 10 carbon atoms) methacrylate (for example, methyl methacrylate,
Ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, t-butyl methacrylate,
t-amyl methacrylate, hexyl methacrylate,
Cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, chlorobenzyl methacrylate, octyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 2,2-dimethyl-3-hydroxypropyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, penta Erythritol monomethacrylate, glycidyl methacrylate, furfuryl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, 2-
Tetrahydropyranyl methacrylate, etc.), aryl methacrylate (eg, phenyl methacrylate, cresyl methacrylate, naphthyl methacrylate, etc.), silyl methacrylate (eg, trimethylsilyl methacrylate, t-butyldimethylsilyl methacrylate, etc.);

【0033】アクリルアミド類、例えばアクリルアミ
ド、N−アルキルアクリルアミド、(アルキル基として
は、炭素原子数1〜10のもの、例えば、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、t−ブチル基、ヘプチ
ル基、オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒ
ドロキシエチル基、ベンジル基等がある。)、N−アリ
ールアクリルアミド、(アリール基としては、例えばフ
ェニル基、トリル基、ニトロフェニル基、ナフチル基、
シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基等があ
る。)、N,N−ジアルキルアクリルアミド(アルキル
基としては、炭素原子数1〜10のもの、例えば、メチ
ル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチルヘキ
シル基、シクロヘキシル基等がある。)、N,N−ジア
リールアクリルアミド(アリール基としては、例えばフ
ェニル基等がある。)、N−メチル−N−フェニルアク
リルアミド、N−ヒドロキシエチル−N−メチルアクリ
ルアミド、N−2−アセトアミドエチル−N−アセチル
アクリルアミド等;
Acrylamides, for example, acrylamide, N-alkylacrylamide, (where the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a t-butyl group, a heptyl group Octyl group, cyclohexyl group, benzyl group, hydroxyethyl group, benzyl group, etc.), N-arylacrylamide, (for example, phenyl group, tolyl group, nitrophenyl group, naphthyl group,
Examples include a cyanophenyl group and a hydroxyphenyl group. ), N, N-dialkylacrylamide (an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, for example, a methyl group, an ethyl group, a butyl group, an isobutyl group, an ethylhexyl group, a cyclohexyl group, etc.); N-diarylacrylamide (an aryl group includes, for example, a phenyl group), N-methyl-N-phenylacrylamide, N-hydroxyethyl-N-methylacrylamide, N-2-acetamidoethyl-N-acetylacrylamide and the like ;

【0034】メタクリルアミド類、例えば、メタクリル
アミド、N−アルキルメタクリルアミド(アルキル基と
しては、炭素原子数1〜10のもの、例えばメチル基、
エチル基、t−ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキ
シエチル基、シクロヘキシル基等がある。)、N−アリ
ールメタクリルアミド(アリール基としては、フェニル
基、ヒドロキシフェニル基、カルボキシフェニル基等が
ある。)、N,N−ジアルキルメタクリルアミド(アル
キル基としては、エチル基、プロピル基、ブチル基等が
ある。)、N,N−ジアリールメタクリルアミド(アリ
ール基としては、フェニル基等がある。)、N−ヒドロ
キシエチル−N−メチルメタクリルアミド、N−メチル
−N−フェニルメタクリルアミド、N−エチル−N−フ
ェニルメタクリルアミド等;
Methacrylamides, for example, methacrylamide, N-alkyl methacrylamide (an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, for example, a methyl group,
Examples include an ethyl group, a t-butyl group, an ethylhexyl group, a hydroxyethyl group, and a cyclohexyl group. ), N-arylmethacrylamide (aryl groups include phenyl, hydroxyphenyl, carboxyphenyl, etc.), N, N-dialkylmethacrylamide (alkyl groups include ethyl, propyl, butyl) ), N, N-diarylmethacrylamide (the aryl group includes a phenyl group and the like), N-hydroxyethyl-N-methylmethacrylamide, N-methyl-N-phenylmethacrylamide, N- Ethyl-N-phenylmethacrylamide and the like;

【0035】アリル化合物、例えば、アリルエステル類
(例えば、酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸
アリル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステ
アリン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、
乳酸アリル等)、アリルオキシエタノール等;
Allyl compounds such as allyl esters (eg, allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, allyl palmitate, allyl stearate, allyl benzoate, allyl acetoacetate,
Allyl lactate, etc.), allyloxyethanol, etc .;

【0036】ビニルエーテル類、例えば、アルキルビニ
ルエーテル(例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチ
ルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキ
シルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、
エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエ
ーテル、1−メチル−2,2−ジメチルプロピルビニル
エーテル、2−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキ
シエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニル
エーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエ
チルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチル
ビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒド
ロフルフリルビニルエーテル等)、ビニルアリールエー
テル(例えばビニルフェニルエーテル、ビニルトリルエ
ーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−2,
4−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエーテ
ル、ビニルアントラニルエーテル等);
Vinyl ethers such as alkyl vinyl ethers (for example, hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethylhexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether,
Ethoxyethyl vinyl ether, chloroethyl vinyl ether, 1-methyl-2,2-dimethylpropyl vinyl ether, 2-ethylbutyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, diethylene glycol vinyl ether, dimethylaminoethyl vinyl ether, diethylaminoethyl vinyl ether, butylaminoethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, Tetrahydrofurfuryl vinyl ether, etc.), vinyl aryl ethers (eg, vinyl phenyl ether, vinyl tolyl ether, vinyl chlorophenyl ether, vinyl-2,
4-dichlorophenyl ether, vinyl naphthyl ether, vinyl anthranyl ether, etc.);

【0037】ビニルエステル類、例えば、ビニルブチレ
ート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテ
ート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビ
ニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジ
クロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニル
ブトキシアセテート、ビニルフェニルアセテート、ビニ
ルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−
フェニルブチレート、ビニルシクロヘキシルカルボキシ
レート、安息香酸ビニル、サルチル酸ビニル、クロル安
息香酸ビニル、テトラクロル安息香酸ビニル、ナフトエ
酸ビニル等;
Vinyl esters, for example, vinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl valate, vinyl caproate, vinyl chloroacetate, vinyl dichloroacetate, vinyl methoxy acetate, vinyl butoxy acetate , Vinylphenyl acetate, vinyl acetoacetate, vinyl lactate, vinyl-β-
Phenylbutyrate, vinylcyclohexylcarboxylate, vinyl benzoate, vinyl salicylate, vinyl chlorobenzoate, vinyl tetrachlorobenzoate, vinyl naphthoate, and the like;

【0038】スチレン類、例えばスチレン、アルキルス
チレン(例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレン、
トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルスチレ
ン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキシル
スチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレン、
ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフルオ
ルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセトキ
シメチルスチレン等)、アルコキシスチレン(例えば、
メトキシスチレン、4−メトキシ−3−メチルスチレ
ン、ジメトキシスチレン等)、ハロゲンスチレン(例え
ば、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリクロルス
チレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルスチレ
ン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードスチレ
ン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、2−ブ
ロム−4−トリフルオルメチルスチレン、4−フルオル
−3−トリフルオルメチルスチレン等)、4−アセトキ
シスチレン、4−カルボキシスチレン、α−メチルスチ
レン;
Styrenes such as styrene, alkyl styrene (eg, methyl styrene, dimethyl styrene,
Trimethylstyrene, ethylstyrene, diethylstyrene, isopropylstyrene, butylstyrene, hexylstyrene, cyclohexylstyrene, decylstyrene,
Benzylstyrene, chloromethylstyrene, trifluoromethylstyrene, ethoxymethylstyrene, acetoxymethylstyrene, etc.), alkoxystyrene (for example,
Methoxystyrene, 4-methoxy-3-methylstyrene, dimethoxystyrene and the like), halogen styrene (for example, chlorostyrene, dichlorostyrene, trichlorostyrene, tetrachlorostyrene, pentachlorostyrene, bromostyrene, dibromostyrene, iodostyrene, Fluorostyrene, trifluorostyrene, 2-bromo-4-trifluoromethylstyrene, 4-fluoro-3-trifluoromethylstyrene, etc.), 4-acetoxystyrene, 4-carboxystyrene, α-methylstyrene;

【0039】クロトン酸エステル類、例えば、クロトン
酸アルキル(例えば、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘ
キシル、グリセリンモノクロトネート等);イタコン酸
ジアルキル類(例えば、イタコン酸ジメチル、イタコン
酸ジエチル、イタコン酸ジブチル等);マレイン酸ある
いはフマール酸のジアルキル類(例えば、ジメチルマレ
レート、ジブチルフマレート等);アクリル酸、メタク
リル酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニ
トリル、マレイノニトリル、フマロニトリル、無水マレ
イン酸、マレイミド、N−アルキルマレイミド、N−ア
リールマレイミド(アリール基としては、フェニル基、
ヒドロキシフェニル基等がある)等がある。その他、共
重合可能である付加重合性不飽和化合物を用いることが
できる。
Crotonic esters, for example, alkyl crotonates (for example, butyl crotonate, hexyl crotonate, glycerin monocrotonate, etc.); dialkyl itaconates (for example, dimethyl itaconate, diethyl itaconate, dibutyl itaconate, etc.) Dialkyl maleic acid or fumaric acid (eg, dimethyl maleate, dibutyl fumarate, etc.); acrylic acid, methacrylic acid, maleimide, acrylonitrile, methacrylonitrile, maleinonitrile, fumaronitrile, maleic anhydride, maleimide, N -Alkylmaleimide, N-arylmaleimide (as the aryl group, a phenyl group,
And a hydroxyphenyl group). In addition, copolymerizable addition-polymerizable unsaturated compounds can be used.

【0040】樹脂(B)及び樹脂(C)中の一般式
(I)、(II)、及び(III)で示される繰り返し単位
は、各々一種単独で、又は二種以上を組み合わせて使用
することができる。樹脂(B)又は樹脂(C)中の一般
式(I)で示される構造単位の含量は、好ましくは30
〜90モル%、より好ましくは40〜85モル%、更に
好ましくは50〜80モル%である。樹脂(B)におけ
る一般式(II)で示される構造単位の含量は、好ましく
は3〜70モル%、より好ましくは5〜50モル%、更
に好ましくは10〜35モル%である。樹脂(C)にお
ける一般式(III)で示される構造単位の含量は、好ま
しくは5〜70モル%、より好ましくは10〜50モル
%、更に好ましくは15〜45モル%である。また共重
合体においては、アルカリ現像液に対する良好な現像性
を維持するために、アルカリ可溶性基、例えばフェノー
ル性水酸基、カルボキシル基が導入され得るように他の
重合性モノマーを選択することができる。
The repeating units represented by the general formulas (I), (II) and (III) in the resin (B) and the resin (C) may be used alone or in combination of two or more. Can be. The content of the structural unit represented by the general formula (I) in the resin (B) or the resin (C) is preferably 30.
-90 mol%, more preferably 40-85 mol%, still more preferably 50-80 mol%. The content of the structural unit represented by the general formula (II) in the resin (B) is preferably 3 to 70 mol%, more preferably 5 to 50 mol%, and still more preferably 10 to 35 mol%. The content of the structural unit represented by the general formula (III) in the resin (C) is preferably 5 to 70 mol%, more preferably 10 to 50 mol%, and still more preferably 15 to 45 mol%. In the copolymer, another polymerizable monomer can be selected so that an alkali-soluble group such as a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group can be introduced in order to maintain good developability in an alkali developing solution.

【0041】上記の方法により合成される本発明の樹脂
(B)及び樹脂(C)の分子量は、重量平均(Mw:ポ
リスチレン標準)で2,000以上、好ましくは3,0
00〜200,000であり、より好ましくは5,00
0〜50,000である。また分散度(Mw/Mn)
は、好ましくは1.0〜4.0、より好ましくは1.0
〜2.0、特に好ましくは1.0〜1.6であり、分散
度が小さい程、耐熱性が良好となる。
The molecular weight of the resin (B) and the resin (C) of the present invention synthesized by the above method has a weight average (Mw: polystyrene standard) of 2,000 or more, preferably 3.0 or more.
00 to 200,000, more preferably 5,000.
0 to 50,000. The degree of dispersion (Mw / Mn)
Is preferably 1.0 to 4.0, more preferably 1.0 to 4.0.
-2.0, particularly preferably 1.0-1.6, and the smaller the degree of dispersion, the better the heat resistance.

【0042】上記樹脂(B)及び樹脂(C)の本発明の
感光性組成物中(塗布溶媒を除く)の含量は、両樹脂を
合わせて50〜99重量%が好ましく、より好ましくは
65〜97%である。また樹脂(B)と(C)の比率
((B)/(C))は、重量比で、5/1〜1/10が
好ましく、より好ましくは3/1〜1/5、更に好まし
くは2/1〜1/3である。
The content of the resin (B) and the resin (C) in the photosensitive composition of the present invention (excluding the coating solvent) is preferably from 50 to 99% by weight, more preferably from 65 to 99% by weight. 97%. The weight ratio of the resins (B) and (C) ((B) / (C)) is preferably 5/1 to 1/10, more preferably 3/1 to 1/5, and still more preferably. 2/1 to 1/3.

【0043】一般式(I)及び(II)で示される繰り返
し構造単位を有する樹脂(B)と、一般式(I)及び
(III)で示される繰り返し構造単位を有する樹脂
(C)の具体例を以下に示すが、本発明がこれらに限定
されるものではない。下記具体例中、m/nは、モル比
で、好ましくは85/15〜65/35であり、m/n
/pは、モル比で、好ましくは75/15/10〜40
/35/25である。
Specific examples of the resin (B) having the repeating structural units represented by the general formulas (I) and (II) and the resin (C) having the repeating structural units represented by the general formulas (I) and (III) Are shown below, but the present invention is not limited to these. In the following specific examples, m / n is preferably a molar ratio of 85/15 to 65/35, and m / n
/ P is a molar ratio, preferably 75/15/10 to 40
/ 35/25.

【0044】[0044]

【化7】 Embedded image

【0045】[0045]

【化8】 Embedded image

【0046】[0046]

【化9】 Embedded image

【0047】[0047]

【化10】 Embedded image

【0048】[0048]

【化11】 Embedded image

【0049】[0049]

【化12】 Embedded image

【0050】[0050]

【化13】 Embedded image

【0051】[0051]

【化14】 Embedded image

【0052】[0052]

【化15】 Embedded image

【0053】[0053]

【化16】 Embedded image

【0054】[0054]

【化17】 Embedded image

【0055】次に、活性光線又は放射線の照射により酸
を発生する化合物(A)を説明する。本発明で使用され
る活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生す
る化合物(A)としては、光カチオン重合の光開始剤、
光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色
剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている公知
の光により酸を発生する化合物及びそれらの混合物を適
宜に選択して使用することができる。
Next, the compound (A) which generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation will be described. The compound (A) that is decomposed by irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid used in the present invention includes a photoinitiator for cationic photopolymerization,
A photoinitiator for photoradical polymerization, a photobleaching agent for dyes, a photochromic agent, or a compound capable of generating an acid by known light used in a microresist or the like and a mixture thereof are appropriately selected and used. be able to.

【0056】たとえば S.I.Schlesinger,Photogr.Sci.E
ng.,18,387(1974)、T.S.Bal etal,Polymer,21,423(198
0)等に記載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055
号、同4,069,056号、同 Re 27,992号、特願平3-140,140
号等に記載のアンモニウム塩、D.C.Necker etal,Macrom
olecules,17,2468(1984)、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Con
f.Rad.Curing ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988)、米国特許第
4,069,055号、同4,069,056号等に記載のホスホニウム
塩、J.V.Crivello etal,Macromorecules,10(6),1307(19
77)、Chem.&Eng.News,Nov.28,p31(1988)、欧州特許第10
4,143号、米国特許第339,049 号、同第410,201号、特開
平2-150,848号、特開平2-296,514号等に記載のヨードニ
ウム塩、J.V.Crivello etal,Polymer J.17,73(1985)、
J.V.Crivello etal.J.Org.Chem.,43,3055(1978)、W.R.W
att etal,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,22,1789(1
984) 、J.V.Crivello etal,Polymer Bull.,14,279(198
5)、J.V.Crivello etal,Macromorecules,14(5),1141(19
81)、J.V.Crivello etal,J.PolymerSci.,Polymer Chem.
Ed.,17,2877(1979)、欧州特許第370,693 号、同3,902,1
14号、同233,567号、同297,443号、同297,442号、米国
特許第4,933,377号、同161,811号、同410,201号、同33
9,049号、同4,760,013号、同4,734,444号、同2,833,827
号、獨国特許第2,904,626号、同3,604,580号、同3,604,
581号等に記載のスルホニウム塩、J.V.Crivello etal,M
acromorecules,10(6),1307(1977)、J.V.Crivello etal,
J.PolymerSci.,Polymer Chem.Ed., 17,1047(1979) 等に
記載のセレノニウム塩、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.R
ad.Curing ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988)等に記載のアル
ソニウム塩等のオニウム塩、米国特許第3,905,815号、
特公昭46-4605 号、特開昭48-36281号、特開昭55-32070
号、特開昭60-239736号、特開昭61-169835 号、特開昭6
1-169837号、特開昭62-58241号、特開昭62-212401号、
特開昭63-70243号、特開昭63-298339号等に記載の有機
ハロゲン化合物、K.Meier etal,J.Rad.Curing,13(4),26
(1986)、T.P.Gilletal,Inorg.Chem.,19,3007(1980)、D.
Astruc,Acc.Chem.Res.,19(12),377(1896)、特開平2-161
445号等に記載の有機金属/有機ハロゲン化物、S.Hayas
e etal,J.Polymer Sci.,25,753(1987)、E.Reichmanis et
al,J.Pholymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,23,1(1985)、Q.
Q.Zhu etal,J.Photochem.,36,85,39,317(1987)、B.Amit
etal,Tetrahedron Lett.,(24)2205(1973)、D.H.R.Barton
etal,J.Chem Soc.,3571(1965)、 P.M.Collins etal,J.C
hem.SoC.,Perkin I,1695(1975)、M.Rudinstein etal,Tet
rahedron Lett.,(17),1445(1975)、J.W.Walker etalJ.A
m.Chem.Soc.,110,7170(1988)、S.C.Busman etal,J.Imagi
ng Technol.,11(4),191(1985)、H.M.Houlihan etal,Maco
rmolecules,21,2001(1988)、P.M.Collins etal,J.Chem.S
oc.,Chem.Commun.,532(1972)、S.Hayase etal,Macromole
cules,18,1799(1985)、E.Reichmanis etal,J.Electroche
m.Soc.,Solid State Sci.Technol.,130(6)、 F.M.Houlih
an etal,Macromolcules,21,2001(1988)、 欧州特許第029
0,750号、同046,083号、同156,535号、同271,851号、同
0,388,343号、 米国特許第3,901,710号、同4,181,531
号、特開昭60-198538号、特開昭53-133022号等に記載の
o−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TU
NOOKA etal,Polymer Preprints Japan,35(8)、G.Berner
etal,J.Rad.Curing,13(4)、W.J.Mijs etal,Coating Tech
nol.,55(697),45(1983),Akzo、H.Adachi etal,Polymer
Preprints,Japan,37(3)、欧州特許第0199,672号、同8451
5号、同199,672号、同044,115号、同0101,122号、米国
特許第618,564号、同4,371,605号、同4,431,774号、特
開昭64-18143号、特開平2-245756号、特願平3-140109号
等に記載のイミノスルフォネ−ト等に代表される光分解
してスルホン酸を発生する化合物、特開昭61-166544号
等に記載のジスルホン化合物を挙げることができる。
For example, SISchlesinger, Photogr.Sci.E
ng., 18,387 (1974), TSBal etal, Polymer, 21,423 (198
0) etc., U.S. Pat.No.4,069,055
No. 4,069,056, Re 27,992, Japanese Patent Application No. 3-140,140
Salt, DCNecker etal, Macrom
olecules, 17, 2468 (1984), CSwen et al, Teh, Proc. Con
f.Rad.Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct (1988), U.S. Patent No.
Nos. 4,069,055 and 4,069,056, and phosphonium salts described in JVCrivello et al., Macromorecules, 10 (6), 1307 (19
77), Chem. & Eng. News, Nov. 28, p31 (1988), European Patent No. 10
No. 4,143, U.S. Pat.Nos. 339,049, 410,201, JP-A-2-150,848, iodonium salts described in JP-A-2-296,514, etc., JVCrivello et al., Polymer J. 17, 73 (1985),
JVCrivello et al. J. Org.Chem., 43, 3055 (1978), WRW
att etal, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 22, 1789 (1
984), JVCrivello etal, Polymer Bull., 14,279 (198
5), JVCrivello etal, Macromorecules, 14 (5), 1141 (19
81), JVCrivello etal, J. PolymerSci., Polymer Chem.
Ed., 17,2877 (1979), European Patent Nos. 370,693, 3,902,1
No. 14, 233,567, 297,443, 297,442, U.S. Patent Nos. 4,933,377, 161,811, 410,201, 33
9,049, 4,760,013, 4,734,444, 2,833,827
No. 2,904,626, 3,604,580, 3,604,
No. 581 etc., sulfonium salt, JVCrivello etal, M
acromorecules, 10 (6), 1307 (1977), JVCrivello etal,
J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 1047 (1979), etc., selenonium salts, CSwen et al., Teh, Proc. Conf.R
onium salts such as arsonium salts described in ad.Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct (1988), U.S. Pat.No. 3,905,815,
JP-B-46-4605, JP-A-48-36281, JP-A-55-32070
No., JP-A-60-239736, JP-A-61-169835, JP-A-61-169835
No. 1-169837, JP-A-62-58241, JP-A-62-212401,
JP-A-63-70243, organic halogen compounds described in JP-A-63-298339, etc., K. Meier et al., J. Rad.Curing, 13 (4), 26
(1986), TPGilletal, Inorg.Chem., 19,3007 (1980), D.
Astruc, Acc.Chem.Res., 19 (12), 377 (1896), JP-A-2-161
Organometallic / organic halides described in No. 445, S. Hayas
e etal, J. Polymer Sci., 25, 753 (1987), E. Reichmanis et.
al, J.Pholymer Sci., Polymer Chem. Ed., 23, 1 (1985), Q.
Q. Zhu et al., J. Photochem., 36, 85, 39, 317 (1987), B. Amit
etal, Tetrahedron Lett., (24) 2205 (1973), DHRBarton
etal, J. Chem Soc., 3571 (1965), PMCollins etal, JC
hem.SoC., Perkin I, 1695 (1975), M. Rudinstein et al., Tet
rahedron Lett., (17), 1445 (1975), JWWalker etal J.A
m. Chem. Soc., 110, 7170 (1988), SCBusman et al., J. Imagi
ng Technol., 11 (4), 191 (1985), HM Houlihan et al, Maco
rmolecules, 21, 2001 (1988), PM Collins et al., J. Chem. S.
oc., Chem.Commun., 532 (1972), S.Hayase et al, Macromole
cules, 18, 1799 (1985), E. Reichmanis et al., J. Electroche
m.Soc., Solid State Sci.Technol., 130 (6), FMHoulih
an etal, Macromolcules, 21, 2001 (1988), EP 029
0,750, 046,083, 156,535, 271,851,
0,388,343, U.S. Pat.Nos. 3,901,710, 4,181,531
JP-A-60-198538, JP-A-53-133022 and the like, a photoacid generator having an o-nitrobenzyl-type protecting group, M.TU
NOOKA etal, Polymer Preprints Japan, 35 (8), G. Berner
etal, J.Rad.Curing, 13 (4), WJMijs etal, Coating Tech
nol., 55 (697), 45 (1983), Akzo, H. Adachi et al, Polymer
Preprints, Japan, 37 (3), European Patent Nos. 0199,672 and 8451
No. 5, No. 199,672, No. 044,115, No. 0101,122, U.S. Pat.Nos. 618,564, 4,371,605, 4,431,774, JP-A-64-18143, JP-A-2-245756, Japanese Patent Application No. 3 Compounds which generate sulfonic acid upon photolysis, such as iminosulfonate described in JP-A-140109, etc., and disulfone compounds described in JP-A-61-166544 are exemplified.

【0057】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化
合物、たとえば、M.E.Woodhouse etal,J.Am.Chem.So
c.,104,5586(1982)、S.P.Pappas etal,J.Imaging Sc
i.,30(5),218(1986)、S.Kondo etal,Makromol.Chem.,Ra
pid Commun.,9,625(1988)、Y.Yamadaetal,Makromol.Che
m.,152,153,163(1972) 、J.V.Crivello etal,J.Polymer
Sci.,Polymer Chem.Ed., 17,3845(1979)、米国特許第3,
849,137号、獨国特許第3914407号、特開昭63-26653号、
特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-1460
38 号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開
昭63-146029号等に記載の化合物を用いることができ
る。
Further, a group that generates an acid by these lights,
Alternatively, a compound having a compound introduced into the main chain or side chain of a polymer, for example, MEWoodhouse et al., J. Am. Chem.
c., 104, 5586 (1982), SPPappas etal, J. Imaging Sc
i., 30 (5), 218 (1986), S. Kondo et al., Makromol.Chem., Ra.
pid Commun., 9,625 (1988), Y.Yamadaetal, Makromol.Che
m., 152, 153, 163 (1972), JVCrivello etal, J. Polymer
Sci., Polymer Chem. Ed., 17,3845 (1979), U.S. Pat.
No. 849,137, Dokoku Patent No. 3914407, JP-A-63-26653,
JP-A-55-164824, JP-A-62-69263, JP-A-63-1460
No. 38, JP-A-63-163452, JP-A-62-153853, JP-A-63-146029 and the like can be used.

【0058】更にV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、米国
特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光
により酸を発生する化合物も使用することができる。
Further, VNRPillai, Synthesis, (1), 1 (198
0), A. Abad etal, Tetrahedron Lett., (47) 4555 (1971),
Compounds that generate an acid by light described in DHR Barton et al., J. Chem. Soc., (C), 329 (1970), U.S. Pat. No. 3,779,778, and EP 126,712 can also be used.

【0059】上記活性光線又は放射線の照射により分解
して酸を発生する化合物(A)の中で、特に有効に用い
られるものについて以下に説明する。 (1)トリハロメチル基が置換した下記一般式(PAG
1)で表されるオキサゾール誘導体又は一般式(PAG
2)で表されるS−トリアジン誘導体。
Among the compounds (A) which decompose upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid, those which are particularly effectively used are described below. (1) The following general formula (PAG) substituted with a trihalomethyl group
The oxazole derivative represented by 1) or the general formula (PAG)
An S-triazine derivative represented by 2).

【0060】[0060]

【化18】 Embedded image

【0061】式中、R1は置換もしくは未置換のアリー
ル基、アルケニル基、R2は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、アルキル基、又は−CY3をし
めす。Y3 は塩素原子又は臭素原子を示す。具体的には
以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定され
るものではない。
In the formula, R 1 represents a substituted or unsubstituted aryl group, alkenyl group, and R 2 represents a substituted or unsubstituted aryl group, alkenyl group, alkyl group, or —CY 3 . Y 3 represents a chlorine atom or a bromine atom. Specific examples include the following compounds, but the present invention is not limited thereto.

【0062】[0062]

【化19】 Embedded image

【0063】[0063]

【化20】 Embedded image

【0064】[0064]

【化21】 Embedded image

【0065】(2)下記の一般式(PAG3)で表され
るヨードニウム塩、又は一般式(PAG4)で表される
スルホニウム塩。
(2) An iodonium salt represented by the following formula (PAG3) or a sulfonium salt represented by the following formula (PAG4).

【0066】[0066]

【化22】 Embedded image

【0067】式中、Ar1及びAr2は、同一又は異なっ
て、置換もしくは未置換のアリール基を示す。ここで、
好ましい置換基としては、アルキル基、ハロアルキル
基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ニ
トロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヒ
ロドキシ基、メルカプト基及びハロゲン原子が挙げられ
る。
In the formula, Ar 1 and Ar 2 are the same or different and each represents a substituted or unsubstituted aryl group. here,
Preferred substituents include an alkyl group, a haloalkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkoxy group, a nitro group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a hydroxy group, a mercapto group, and a halogen atom.

【0068】R3,R4,及びR5は、同一又は異なっ
て、置換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示
す。好ましくは炭素数6〜14のアリール基、炭素数1
〜8のアルキル基及びそれらの置換誘導体である。ここ
で、好ましい置換基としては、アリール基に対しては炭
素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルキル
基、ニトロ基、カルボキシル基、ヒドロキシ基及びハロ
ゲン原子であり、アルキル基に対しては炭素数1〜8の
アルコキシ基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル
基である。
R 3 , R 4 and R 5 are the same or different and each represents a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. Preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, 1 carbon atom
To 8 alkyl groups and substituted derivatives thereof. Here, preferable substituents are an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a nitro group, a carboxyl group, a hydroxy group and a halogen atom with respect to the aryl group. In contrast, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, a carboxyl group, and an alkoxycarbonyl group.

【0069】Z-は対アニオンを示し、例えばBF4 -
AsF6 -、PF6 -、SbF6 -、SiF6 2-、ClO4 -
CF3SO3−、C49SO3 -等のパーフルオロアルカン
スルホン酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン
酸アニオン等のハロゲン置換ベンゼンスルホン酸アニオ
ン、直鎖、分枝、又は環状のアルキル基、アルコキシ基
置換のベンゼンスルホン酸アニオン、又は縮合多核芳香
族スルホン酸アニオン、更にスルホン酸基含有染料等を
挙げることができるがこれらに限定されるものではな
い。
[0069] Z - represents a counter anion, for example BF 4 -,
AsF 6 -, PF 6 -, SbF 6 -, SiF 6 2-, ClO 4 -,
CF 3 SO 3 -, C 4 F 9 SO 3 - etc. perfluoroalkane sulfonate anion, halogen-substituted benzenesulfonic acid anion such as pentafluorobenzenesulfonic acid anion, a straight-chain, branched, or cyclic alkyl group, an alkoxy Examples thereof include, but are not limited to, a group-substituted benzenesulfonate anion, a condensed polynuclear aromatic sulfonic acid anion, and a sulfonic acid group-containing dye.

【0070】またR3,R4,R5のうちの2つ及びA
1、Ar2は、それぞれの単結合又は置換基を介して結
合してもよい。
Further, two of R 3 , R 4 and R 5 and A
r 1 and Ar 2 may be bonded via a single bond or a substituent.

【0071】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples include the following compounds, but are not limited thereto.

【0072】[0072]

【化23】 Embedded image

【0073】[0073]

【化24】 Embedded image

【0074】[0074]

【化25】 Embedded image

【0075】[0075]

【化26】 Embedded image

【0076】[0076]

【化27】 Embedded image

【0077】[0077]

【化28】 Embedded image

【0078】[0078]

【化29】 Embedded image

【0079】[0079]

【化30】 Embedded image

【0080】[0080]

【化31】 Embedded image

【0081】[0081]

【化32】 Embedded image

【0082】[0082]

【化33】 Embedded image

【0083】[0083]

【化34】 Embedded image

【0084】一般式(PAG3)、(PAG4)で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、たとえばJ.W.Knapcz
yk etal,J.Am.Chem.Soc.,91,145(1969)、A.L.Maycok et
al,J.Org.Chem.,35,2532,(1970)、E.Goethas etal ,Bul
l.Soc.Chem.Belg.,73,546,(1964) 、H.M.Leicester、J.A
me.Chem.Soc.,51,3587(1929)、J.V.Crivello etal,J.Po
lym.Chem.Ed.,18,2677(1980)、米国特許第2,807,648 号
及び同4,247,473 号、特開昭53-101,331号等に記載の方
法により合成することができる。
The above onium salts represented by the general formulas (PAG3) and (PAG4) are known, for example, JWKnapcz
yk et al., J. Am. Chem. Soc., 91, 145 (1969), ALMaycok et.
al, J. Org. Chem., 35, 2532, (1970), E. Goethas et al., Bul
l.Soc.Chem.Belg., 73,546, (1964), HM Leicester, JA
me.Chem.Soc., 51,3587 (1929), JVCrivello etal, J.Po
Chem. Ed., 18, 2677 (1980), U.S. Pat. Nos. 2,807,648 and 4,247,473, JP-A-53-101,331, and the like.

【0085】(3)下記一般式(PAG5)で表される
ジスルホン誘導体又は一般式(PAG6)で表されるイ
ミノスルホネート誘導体。
(3) Disulfone derivatives represented by the following formula (PAG5) or iminosulfonate derivatives represented by the following formula (PAG6).

【0086】[0086]

【化35】 Embedded image

【0087】式中Ar3、Ar4は各々独立に置換もしく
は未置換のアリール基を示す。R6は置換もしくは未置
換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換もしくは
未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基
を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。
In the formula, Ar 3 and Ar 4 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group. R 6 represents a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. A represents a substituted or unsubstituted alkylene group, alkenylene group, or arylene group. Specific examples include the following compounds, but are not limited thereto.

【0088】[0088]

【化36】 Embedded image

【0089】[0089]

【化37】 Embedded image

【0090】[0090]

【化38】 Embedded image

【0091】[0091]

【化39】 Embedded image

【0092】[0092]

【化40】 Embedded image

【0093】これらの活性光線又は放射線の照射により
分解して酸を発生する化合物の添加量は、感光性組成物
の全重量(塗布溶媒を除く)を基準として通常0.01
〜20重量%の範囲で用いられ、好ましくは0.1〜1
0重量%、更に好ましくは1〜5重量%の範囲で使用さ
れる。
The amount of the compound capable of decomposing upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid is usually 0.01 to 0.01% based on the total weight of the photosensitive composition (excluding the coating solvent).
To 20% by weight, preferably 0.1 to 1% by weight.
0% by weight, more preferably 1 to 5% by weight.

【0094】次に、本発明において好ましく用いられる
水不溶でアルカリ水溶液に可溶な樹脂(以下、アルカリ
可溶性樹脂ともいう)について説明する。アルカリ可溶
性樹脂の添加は、レジスト膜の耐熱性の向上、感度の向
上、現像時のアルカリ溶解性の向上並びに調整等の点で
好ましい。本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂とし
ては、例えばノボラック樹脂、水素化ノボラツク樹脂、
アセトン−ピロガロール樹脂、o−ポリヒドロキシスチ
レン、m−ポリヒドロキシスチレン、p−ポリヒドロキ
シスチレン、水素化ポリヒドロキシスチレン、ハロゲン
もしくはアルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ヒドロ
キシスチレン−N−置換マレイミド共重合体、o/p−
及びm/p−ヒドロキシスチレン共重合体、ポリヒドロ
キシスチレンの水酸基に対する一部O−アルキル化物
(例えば、5〜30モル%のO−メチル化物、O−(1
−メトキシ)エチル化物、O−(1−エトキシ)エチル
化物、O−2−テトラヒドロピラニル化物、O−(t−
ブトキシカルボニル)メチル化物等)もしくはO−アシ
ル化物(例えば、5〜30モル%のo−アセチル化物、
O−(t−ブトキシ)カルボニル化物等)、スチレン−
無水マレイン酸共重合体、スチレン−ヒドロキシスチレ
ン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン
共重合体、カルボキシル基含有メタクリル系樹脂及びそ
の誘導体を挙げることができるが、これらに限定される
ものではない。特に好ましいアルカリ可溶性樹脂はノボ
ラック樹脂及びo−ポリヒドロキシスチレン、m−ポリ
ヒドロキシスチレン、p−ポリヒドロキシスチレン及び
これらの共重合体、アルキル置換ポリヒドロキシスチレ
ン、ポリヒドロキシスチレンの一部O−アルキル化、も
しくはO−アシル化物、スチレン−ヒドロキシスチレン
共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共
重合体である。該ノボラック樹脂は所定のモノマーを主
成分として、酸性触媒の存在下、アルデヒド類と付加縮
合させることにより得られる。
Next, a water-insoluble resin which is preferably used in the present invention and is soluble in an aqueous alkali solution (hereinafter also referred to as an alkali-soluble resin) will be described. The addition of an alkali-soluble resin is preferred in terms of improving the heat resistance of the resist film, improving the sensitivity, improving and adjusting the alkali solubility during development, and the like. As the alkali-soluble resin used in the present invention, for example, a novolak resin, a hydrogenated novolak resin,
Acetone-pyrogallol resin, o-polyhydroxystyrene, m-polyhydroxystyrene, p-polyhydroxystyrene, hydrogenated polyhydroxystyrene, halogen- or alkyl-substituted polyhydroxystyrene, hydroxystyrene-N-substituted maleimide copolymer, o / p-
And m / p-hydroxystyrene copolymer, partially O-alkylated product relative to hydroxyl group of polyhydroxystyrene (for example, 5 to 30 mol% of O-methylated product, O- (1
-Methoxy) ethylated product, O- (1-ethoxy) ethylated product, O-2-tetrahydropyranylated product, O- (t-
Butoxycarbonyl) methylated product) or O-acylated product (for example, 5 to 30 mol% o-acetylated product,
O- (t-butoxy) carbonyl compound, etc.), styrene-
Maleic anhydride copolymer, styrene-hydroxystyrene copolymer, α-methylstyrene-hydroxystyrene copolymer, carboxyl group-containing methacrylic resin and derivatives thereof, but are not limited thereto. . Particularly preferred alkali-soluble resins are novolak resins and o-polyhydroxystyrene, m-polyhydroxystyrene, p-polyhydroxystyrene and copolymers thereof, alkyl-substituted polyhydroxystyrene, partial O-alkylation of polyhydroxystyrene, Or an O-acylated product, a styrene-hydroxystyrene copolymer, or an α-methylstyrene-hydroxystyrene copolymer. The novolak resin is obtained by subjecting a given monomer as a main component to addition condensation with an aldehyde in the presence of an acidic catalyst.

【0095】所定のモノマーとしては、フェノール、m
−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール等のク
レゾール類、2,5−キシレノール、3,5−キシレノ
ール、3,4−キシレノール、2,3−キシレノール等
のキシレノール類、m−エチルフェノール、p−エチル
フェノール、o−エチルフェノール、p−t−ブチルフ
ェノール、p−オクチルフエノール、2,3,5−トリ
メチルフェノール等のアルキルフェノール類、p−メト
キシフェノール、m−メトキシフェノール、3,5−ジ
メトキシフェノール、2−メトキシ−4−メチルフェノ
ール、m−エトキシフェノール、p−エトキシフェノー
ル、m−プロポキシフェノール、p−プロポキシフェノ
ール、m−ブトキシフェノール、p−ブトキシフェノー
ル等のアルコキシフェノール類、2−メチル−4−イソ
プロピルフェノール等のビスアルキルフェノール類、m
−クロロフェノール、p−クロロフェノール、o−クロ
ロフェノール、ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノー
ルA、フェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトー
ル等のヒドロキシ芳香化合物を単独もしくは2種類以上
混合して使用することができるが、これらに限定される
ものではない。
As the predetermined monomer, phenol, m
Cresols such as -cresol, p-cresol and o-cresol, xylenols such as 2,5-xylenol, 3,5-xylenol, 3,4-xylenol and 2,3-xylenol, m-ethylphenol, p- Alkylphenols such as ethylphenol, o-ethylphenol, pt-butylphenol, p-octylphenol, 2,3,5-trimethylphenol, p-methoxyphenol, m-methoxyphenol, 3,5-dimethoxyphenol, Alkoxyphenols such as -methoxy-4-methylphenol, m-ethoxyphenol, p-ethoxyphenol, m-propoxyphenol, p-propoxyphenol, m-butoxyphenol and p-butoxyphenol, 2-methyl-4-isopropyl Fenault Bis-alkylphenols etc., m
Hydroxychloro compounds such as -chlorophenol, p-chlorophenol, o-chlorophenol, dihydroxybiphenyl, bisphenol A, phenylphenol, resorcinol, and naphthol can be used alone or as a mixture of two or more, but are not limited thereto. It is not something to be done.

【0096】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセ
トアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−
フェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズア
ルデヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒド
ロキシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒ
ド、m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズア
ルデヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベ
ンズアルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メ
チルベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、
p−メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデ
ヒド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラー
ル、クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール
体、例えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール
等を使用することができるが、これらの中で、ホルムア
ルデヒドを使用するのが好ましい。これらのアルデヒド
類は、単独でもしくは2種類以上組み合わせて用いられ
る。酸性触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ
酸等を使用することができる。
Examples of the aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, benzaldehyde, phenylacetaldehyde, α-phenylpropylaldehyde, β-
Phenylpropylaldehyde, o-hydroxybenzaldehyde, m-hydroxybenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, o-chlorobenzaldehyde, m-chlorobenzaldehyde, p-chlorobenzaldehyde, o-nitrobenzaldehyde, m-nitrobenzaldehyde, p-nitrobenzaldehyde, o -Methylbenzaldehyde, m-methylbenzaldehyde,
p-Methylbenzaldehyde, p-ethylbenzaldehyde, pn-butylbenzaldehyde, furfural, chloroacetaldehyde, and their acetal compounds, such as chloroacetaldehyde diethyl acetal, among which formaldehyde is used Is preferred. These aldehydes are used alone or in combination of two or more. As the acidic catalyst, hydrochloric acid, sulfuric acid, formic acid, acetic acid, oxalic acid and the like can be used.

【0097】こうして得られたノボラック樹脂の重量平
均分子量は、1,000〜30,000の範囲であるこ
とが好ましい。1,000未満では未露光部の現像後の
膜減りが大きく、30,000を越えると現像速度が小
さくなってしまう。特に好適なのは2,000〜20,
000の範囲である。また、ノボラック樹脂以外の前記
ポリヒドロキシスチレン、及びその誘導体、共重合体の
重量平均分子量は、2000以上、好ましくは5000
〜200000、より好ましくは10000〜1000
00である。また、レジスト膜の耐熱性を向上させると
いう観点からは、25000以上が好ましい。ここで、
重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフ
ィーのポリスチレン換算値をもって定義される。本発明
に於けるこれらのアルカリ可溶性樹脂は2種類以上混合
して使用してもよい。アルカリ可溶性樹脂の使用量は、
感光性組成物の全重量(溶媒を除く)を基準として、1
0〜50重量%、好ましくは20〜40重量%である。
The novolak resin thus obtained preferably has a weight average molecular weight in the range of 1,000 to 30,000. If it is less than 1,000, the film loss of the unexposed portion after development is large, and if it exceeds 30,000, the developing speed is reduced. Particularly preferred are 2,000-20,
000. In addition, the weight average molecular weight of the polyhydroxystyrene other than the novolak resin, its derivative, and the copolymer is 2,000 or more, preferably 5,000.
~ 200,000, more preferably 10,000-1000
00. Further, from the viewpoint of improving the heat resistance of the resist film, 25,000 or more is preferable. here,
The weight average molecular weight is defined as a value in terms of polystyrene by gel permeation chromatography. In the present invention, these alkali-soluble resins may be used as a mixture of two or more kinds. The amount of alkali-soluble resin used is
1 based on the total weight of the photosensitive composition (excluding the solvent)
It is 0 to 50% by weight, preferably 20 to 40% by weight.

【0098】次に本発明において、好ましく用いられる
酸分解性溶解阻止化合物を説明する。酸分解性溶解阻止
化合物を用いることは、露光後加熱時の膜収縮を低減
し、また未露光部の溶解阻止性の向上、従って露光、未
露光部間の溶解ディスクリミネーションの向上という点
で好ましい。本発明に用いられる酸分解性溶解阻止化合
物としては、その構造中に酸で分解し得る基を少なくと
も2個有し、該酸分解性基間の距離が最も離れた位置に
おいて、酸分解性基を除く結合原子を少なくとも8個経
由する化合物である。本発明において、好ましくは酸分
解性溶解阻止化合物は、その構造中に酸で分解し得る基
を少なくとも2個有し、該酸分解性基間の距離が最も離
れた位置において、酸分解性基を除く結合原子を少なく
とも10個、好ましくは少なくとも11個、更に好まし
くは少なくとも12個経由する化合物、又は酸分解性基
を少なくとも3個有し、該酸分解性基間の距離が最も離
れた位置において、酸分解性基を除く結合原子を少なく
とも9個、好ましくは少なくとも10個、更に好ましく
は少なくとも11個経由する化合物である。又、上記結
合原子の好ましい上限は50個、更に好ましくは30個
である。本発明において、酸分解性溶解阻止化合物が、
酸分解性基を3個以上、好ましくは4個以上有する場
合、又酸分解性基を2個有するものにおいても、該酸分
解性基が互いにある一定の距離以上離れている場合、ア
ルカリ可溶性樹脂に対する溶解阻止性が著しく向上す
る。なお、本発明における酸分解性基間の距離は、酸分
解性基を除く、経由結合原子数で示される。例えば、以
下の化合物(1),(2)の場合、酸分解性基間の距離
は、各々結合原子4個であり、化合物(3)では結合原
子12個である。
Next, the acid-decomposable dissolution inhibiting compound preferably used in the present invention will be described. The use of an acid-decomposable dissolution inhibiting compound reduces film shrinkage upon heating after exposure, and improves dissolution inhibition of unexposed portions, and thus improves dissolution discrimination between exposed and unexposed portions. preferable. The acid-decomposable dissolution inhibiting compound used in the present invention has at least two acid-decomposable groups in its structure, and at the position where the distance between the acid-decomposable groups is farthest away, the acid-decomposable group Is a compound having at least 8 bonding atoms excluding. In the present invention, the acid-decomposable dissolution-inhibiting compound preferably has at least two groups capable of being decomposed by an acid in its structure, and at the position where the distance between the acid-decomposable groups is farthest away, the acid-decomposable group A compound having at least 10, preferably at least 11, and more preferably at least 12 bonding atoms excluding the above, or a position where the distance between the acid-decomposable groups is the longest, having at least three acid-decomposable groups Is a compound having at least 9, preferably at least 10, and more preferably at least 11 bonding atoms excluding an acid-decomposable group. The preferred upper limit of the number of the bonding atoms is 50, more preferably 30. In the present invention, the acid-decomposable dissolution inhibiting compound is
When the acid-decomposable group has three or more, preferably four or more, or two acid-decomposable groups, if the acid-decomposable groups are separated from each other by a certain distance or more, the alkali-soluble resin Significantly improves the dissolution inhibiting property against In addition, the distance between the acid-decomposable groups in the present invention is represented by the number of via bond atoms excluding the acid-decomposable groups. For example, in the case of the following compounds (1) and (2), the distance between the acid-decomposable groups is 4 bonding atoms, and in the compound (3), the bonding atom is 12 bonding atoms.

【0099】[0099]

【化41】 Embedded image

【0100】また、本発明の酸分解性溶解阻止化合物
は、1つのベンゼン環上に複数個の酸分解性基を有して
いてもよいが、好ましくは、1つのベンゼン環上に1個
の酸分解性基を有する骨格から構成される化合物であ
る。更に、本発明の酸分解性溶解阻止化合物の分子量は
3,000以下が好ましく、より好ましくは500〜
3,000、更に好ましくは1,000〜2,500で
ある。
Further, the acid-decomposable dissolution-inhibiting compound of the present invention may have a plurality of acid-decomposable groups on one benzene ring, but preferably one compound on one benzene ring. A compound composed of a skeleton having an acid-decomposable group. Further, the molecular weight of the acid-decomposable dissolution inhibiting compound of the present invention is preferably 3,000 or less, more preferably 500 to
It is 3,000, more preferably 1,000 to 2,500.

【0101】本発明の好ましい実施態様においては、酸
により分解し得る基、即ち−COO−A0 、−O−B0
基を含む基としては、−R0−COO−A0、又は−Ar
−O−B0で示される基が挙げられる。ここでA0は、−
C(R01)(R02)(R03)、−Si(R01)(R02
(R0 3)もしくは−C(R04)(R05)−O−R06基を
示す。B0は、A0又は−CO−O−A0基を示す。
01、R02、R03、R04及びR05は、それぞれ同一でも
相異していてもよく、水素原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を示し、R
06はアルキル基もしくはアリール基を示す。但し、R01
〜R03の内少なくとも2つは水素原子以外の基であり、
又、R01〜R03、及びR04〜R06の内の2つの基が結合
して環を形成してもよい。R0は置換基を有していても
よい2価以上の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を示
し、−Ar−は単環もしくは多環の置換基を有していて
もよい2価以上の芳香族基を示す。
In a preferred embodiment of the present invention, an acid-decomposable group, ie, -COO-A 0 , -OB 0.
The group containing a group, -R 0 -COO-A 0, or -Ar
Include groups represented by -O-B 0. Where A 0 is −
C ( R01 ) ( R02 ) ( R03 ), -Si ( R01 ) ( R02 )
Shows the (R 0 3) or -C (R 04) (R 05 ) -O-R 06 group. B 0 represents A 0 or a —CO—OA 0 group.
R 01 , R 02 , R 03 , R 04 and R 05 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group or an aryl group;
06 represents an alkyl group or an aryl group. Where R 01
At least two of to R 03 is a group other than a hydrogen atom,
Further, two groups out of R 01 to R 03 and R 04 to R 06 may combine to form a ring. R 0 represents a divalent or higher valent aliphatic or aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, and -Ar- represents a divalent or higher valent which may have a monocyclic or polycyclic substituent. Shows an aromatic group.

【0102】ここで、アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル
基、t−ブチル基の様な炭素数1〜4個のものが好まし
く、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な
炭素数3〜10個のものが好ましく、アルケニル基とし
てはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の
様な炭素数2〜4個のものが好ましく、アリール基とし
てはフエニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル
基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数6〜1
4個のものが好ましい。また、置換基としては水酸基、
ハロゲン原子(フツ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ
基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基・エトキ
シ基・ヒドロキシエトキシ基・プロポキシ基・ヒドロキ
シプロポキシ基・n−ブトキシ基・イソブトキシ基・s
ec−ブトキシ基・t−ブトキシ基等のアルコキシ基、
メトキシカルボニル基・エトキシカルボニル基等のアル
コキシカルボニル基、ベンジル基・フエネチル基・クミ
ル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル
基・アセチル基・ブチリル基・ベンゾイル基・シアナミ
ル基・バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等の
アシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基・
プロペニルオキシ基・アリルオキシ基・ブテニルオキシ
基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノ
キシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等の
アリールオキシカルボニル基を挙げることができる。
Here, the alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group and a t-butyl group. Preferred are those having 3 to 10 carbon atoms such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclohexyl group and adamantyl group, and alkenyl groups having 2 to 2 carbon atoms such as vinyl group, propenyl group, allyl group and butenyl group. Preferably, the aryl group has 6 to 1 carbon atoms such as phenyl, xylyl, toluyl, cumenyl, naphthyl and anthracenyl.
Four are preferred. Further, as a substituent, a hydroxyl group,
Halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), nitro group, cyano group, the above alkyl group, methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, s
an alkoxy group such as an ec-butoxy group and a t-butoxy group,
Alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group, aralkyl groups such as benzyl group, phenethyl group and cumyl group, aralkyloxy groups, acyl groups such as formyl group, acetyl group, butyryl group, benzoyl group, cyanamyl group, and valeryl group. Group, an acyloxy group such as a butyryloxy group, the above alkenyl group, a vinyloxy group.
Examples thereof include an alkenyloxy group such as a propenyloxy group, an allyloxy group, and a butenyloxy group, an aryloxy group such as the above-described aryl group and phenoxy group, and an aryloxycarbonyl group such as a benzoyloxy group.

【0103】好ましくは、シリルエーテル基、クミルエ
ステル基、アセタール基、テトラヒドロピラニルエーテ
ル基、エノールエーテル基、エノールエステル基、第3
級のアルキルエーテル基、第3級のアルキルエステル
基、第3級のアルキルカーボネート基等である。更に好
ましくは、第3級アルキルエステル基、第3級アルキル
カーボネート基、クミルエステル基、テトラヒドロピラ
ニルエーテル基である。
Preferably, a silyl ether group, a cumyl ester group, an acetal group, a tetrahydropyranyl ether group, an enol ether group, an enol ester group,
And a tertiary alkyl ester group and a tertiary alkyl carbonate group. More preferred are a tertiary alkyl ester group, a tertiary alkyl carbonate group, a cumyl ester group, and a tetrahydropyranyl ether group.

【0104】酸分解性溶解阻止化合物としては、好まし
くは、特開平1−289946号、特開平1−2899
47号、特開平2−2560号、特開平3−12895
9号、特開平3−158855号、特開平3−1793
53号、特開平3−191351号、特開平3−200
251号、特開平3−200252号、特開平3−20
0253号、特開平3−200254号、特開平3−2
00255号、特開平3−259149号、特開平3−
279958号、特開平3−279959号、特開平4
−1650号、特開平4−1651号、特開平4−11
260号、特開平4−12356号、特開平4−123
57号、特願平3−33229号、特願平3−2307
90号、特願平3−320438号、特願平4−251
57号、特願平4−52732号、特願平4−1032
15号、特願平4−104542号、特願平4−107
885号、特願平4−107889号、同4−1521
95号等の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物の
フエノール性OH基の一部もしくは全部を上に示した
基、−R0−COO−A0もしくはB0基で結合し、保護
した化合物が含まれる。
As the acid-decomposable dissolution-inhibiting compound, those described in JP-A-1-289946 and JP-A-1-2899 are preferred.
No. 47, JP-A-2-2560, JP-A-3-12895
9, JP-A-3-158855, JP-A-3-1793
No. 53, JP-A-3-191351, JP-A-3-200
No. 251, JP-A-3-200252, JP-A-3-20
0253, JP-A-3-200254, JP-A-3-2
0255, JP-A-3-259149, JP-A-3-259
279958, JP-A-3-279959, JP-A-4
JP-A-1650, JP-A-4-1651, JP-A-4-11
No. 260, JP-A-4-12356, JP-A-4-123
No. 57, Japanese Patent Application No. 3-33229, Japanese Patent Application No. 3-2307
No. 90, Japanese Patent Application No. 3-320438, Japanese Patent Application No. 4-251
No. 57, Japanese Patent Application No. 4-52732, Japanese Patent Application No. 4-1032
No. 15, Japanese Patent Application No. 4-104542, Japanese Patent Application No. 4-107
No. 885, Japanese Patent Application No. 4-107889 and No. 4-1521
Compounds in which some or all of the phenolic OH groups of the polyhydroxy compound described in the specification such as No. 95 are bonded and protected by the above-mentioned groups, -R 0 -COO-A 0 or B 0 groups, included.

【0105】更に好ましくは、特開平1−289946
号、特開平3−128959号、特開平3−15885
5号、特開平3−179353号、特開平3−2002
51号、特開平3−200252号、特開平3−200
255号、特開平3−259149号、特開平3−27
9958号、特開平4−1650号、特開平4−112
60号、特開平4−12356号、特開平4−1235
7号、特願平4−25157号、特願平4−10321
5号、特願平4−104542号、特願平4−1078
85号、特願平4−107889号、同4−15219
5号の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物を用い
たものが挙げられる。
More preferably, JP-A-1-289946.
JP-A-3-128959, JP-A-3-15885
5, JP-A-3-179353, JP-A-3-2002
No. 51, JP-A-3-200252, JP-A-3-200
255, JP-A-3-259149, JP-A-3-27
9958, JP-A-4-1650, JP-A-4-112
No. 60, JP-A-4-12356, JP-A-4-1235
7, Japanese Patent Application No. 4-25157, Japanese Patent Application No. 4-10321
No. 5, Japanese Patent Application No. 4-104542, Japanese Patent Application No. 4-1078
No. 85, Japanese Patent Application Nos. 4-107889 and 4-15219
No. 5 using the polyhydroxy compound described in the specification.

【0106】より具体的には、一般式[I]〜[XV
I]で表される化合物が挙げられる。
More specifically, general formulas [I] to [XV]
The compound represented by I] is mentioned.

【0107】[0107]

【化42】 Embedded image

【0108】[0108]

【化43】 Embedded image

【0109】[0109]

【化44】 Embedded image

【0110】[0110]

【化45】 Embedded image

【0111】ここで、R1,R2,R3,R4:同一でも異
なっていてもよく、水素原子、−R0−COO−A0もし
くはB0基、 R1:−CO−,−COO−,−NHCONH−,−N
HCOO−,−O−,−S−,−SO−,−SO2 −,
−SO3 −,もしくは
Here, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 may be the same or different, and represent a hydrogen atom, a —R 0 —COO—A 0 or B 0 group, and R 1 : —CO—, — COO-, -NHCONH-, -N
HCOO -, - O -, - S -, - SO -, - SO 2 -,
-SO 3- , or

【0112】[0112]

【化46】 Embedded image

【0113】ここで、G=2〜6 但し、G=2の時は
4,R5のうち少なくとも一方はアルキル基、 R4,R5:同一でも異なっていてもよく、水素原子,ア
ルキル基,アルコキシ基,−OH,−COOH,−C
N,ハロゲン原子,−R6−COOR7,もしくは−R8
−OH(R6,R8:アルキレン基、R7:水素原子,ア
ルキル基,アリール基,もしくはアラルキル基)、 R2,R3,R9〜R12,R15,R17〜R21,R25
27,R30〜R32,R37〜R42,R46〜R49及びR51
同一でも異なってもよく、水素原子,水酸基,アルキル
基,アルコキシ基,アシル基,アシロキシ基,アリール
基,アリールオキシ基,アラルキル基,アラルキルオキ
シ基,ハロゲン原子,ニトロ基,カルボキシル基,シア
ノ基,もしくは −N(R13)(R14)(R13,R14:H,アルキル基,もしくは
アリール基)、 R16:単結合,アルキレン基,もしくは
[0113] Here, G = 2 to 6, provided that at least one alkyl group of R 4, R 5 when the G = 2, R 4, R 5: may be the same or different, a hydrogen atom, an alkyl Group, alkoxy group, -OH, -COOH, -C
N, a halogen atom, —R 6 —COOR 7 , or —R 8
—OH (R 6 , R 8 : alkylene group, R 7 : hydrogen atom, alkyl group, aryl group or aralkyl group), R 2 , R 3 , R 9 to R 12 , R 15 , R 17 to R 21 , R 25 ~
R 27, R 30 ~R 32, R 37 ~R 42, R 46 ~R 49 and R 51:
May be the same or different, and include a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, an aralkyl group, an aralkyloxy group, a halogen atom, a nitro group, a carboxyl group, a cyano group, or -N (R 13) (R 14 ) (R 13, R 14: H, alkyl or aryl group,), R 16: a single bond, an alkylene group or,

【0114】[0114]

【化47】 Embedded image

【0115】R22,R24:同一でも異なってもよく、単
結合,アルキレン基,−O−,−S−,−CO−,もし
くはカルボキシル基、 R23:水素原子,アルキル基,アルコキシ基,アシル
基,アシロキシ基,アリール基,ニトロ基,水酸基,シ
アノ基,もしくはカルボキシル基、但し、水酸基の水素
がt−ブトキシカルボニル基で置換されていてもよい、 R28,R29:同一でも異なってもよく、メチレン基,低
級アルキル置換メチレン基,ハロメチレン基,もしくは
ハロアルキル基、但し本願において低級アルキル基とは
炭素数1〜4のアルキル基を指す、 R33〜R36:同一でも異なってもよく、水素原子,もし
くはアルキル基、 R43〜R45:同一でも異なってもよく、水素原子,アル
キル基,アルコキシ基,アシル基,もしくはアシロキシ
基、 R50:水素原子,t−ブトキシカルボニル基,もしくは
R 22 and R 24 may be the same or different and are a single bond, an alkylene group, —O—, —S—, —CO— or a carboxyl group; R 23 : a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group; An acyl group, an acyloxy group, an aryl group, a nitro group, a hydroxyl group, a cyano group, or a carboxyl group, provided that the hydrogen of the hydroxyl group may be substituted with a t-butoxycarbonyl group. R 28 , R 29 : same or different A methylene group, a lower alkyl-substituted methylene group, a halomethylene group, or a haloalkyl group, provided that the lower alkyl group in the present application refers to an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R 33 to R 36 may be the same or different. , A hydrogen atom, or an alkyl group, R 43 to R 45 : may be the same or different, and represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an acyl group, or an Siloxy group, R 50 : hydrogen atom, t-butoxycarbonyl group, or

【0116】[0116]

【化48】 Embedded image

【0117】R52,R53:同一でも異なってもよく、水
素原子,低級アルキル基,低級ハロアルキル基,もしく
はアリール基、 R54〜R57:同一でも異なっていてもよく、水素原子,
水酸基,ハロゲン原子,ニトロ基,シアノ基,カルボニ
ル基,アルキル基,アルコキシ基,アルコキシカルボニ
ル基,アラルキル基,アラルキルオキシ基,アシル基,
アシロキシ基,アルケニル基,アルケニルオキシ基,ア
リール基,アリールオキシ基,もしくはアリールオキシ
カルボニル基、但し、各4個の同一記号の置換基は同一
の基でなくてもよい、 Y:−CO−,もしくは−SO2−、 Z,B:単結合,もしくは−O−、 A:メチレン基,低級アルキル置換メチレン基,ハロメ
チレン基,もしくはハロアルキル基、 E:単結合,もしくはオキシメチレン基、 a〜z,a1〜y1:複数の時、()内の基は同一又は異なっ
ていてもよい、 a〜q、s,t,v,g1〜i1,k1〜m1,o1,q1,s1,u1:0もしくは
1〜5の整数、 r,u,w,x,y,z,a1〜f1,p1,r1,t1,v1〜x1:0もしくは1〜
4の整数、 j1,n1,z1,a2,b2,c2,d2:0もしくは1〜3の整数、z1,a
2,c2,d2のうち少なくとも1つは1以上、 y1:3〜8の整数、 (a+b),(e+f+g),(k+l+m),(q+r+s),(w+x+y),(c1+d1),(g1+
h1+i1+j1),(o1+p1),(s1+t1)≧2、 (j1+n1)≦3、 (r+u),(w+z),(x+a1),(y+b1),(c1+e1),(d1+f1),(p1+r1),
(t1+v1),(x1+w1)≦4、但し一般式[V]の場合は(w+
z),(x+a1)≦5、 (a+c),(b+d),(e+h),(f+i),(g+j),(k+n),(l+o),(m+p),(q
+t),(s+v),(g1+k1),(h1+l1),(i1+m1),(o1+q1),(s1+u1)
≦5、 を表す。
R 52 and R 53, which may be the same or different, are a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower haloalkyl group, or an aryl group; R 54 to R 57, which may be the same or different, a hydrogen atom;
Hydroxyl group, halogen atom, nitro group, cyano group, carbonyl group, alkyl group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, aralkyl group, aralkyloxy group, acyl group,
An acyloxy group, an alkenyl group, an alkenyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, or an aryloxycarbonyl group, provided that the four substituents having the same symbol do not have to be the same group; Y: —CO—, Or —SO 2 —, Z, B: a single bond or —O—, A: a methylene group, a lower alkyl-substituted methylene group, a halomethylene group, or a haloalkyl group; E: a single bond or an oxymethylene group; a1 to y1: When plural, the groups in parentheses may be the same or different. a to q, s, t, v, g1 to i1, k1 to m1, o1, q1, s1, u1: 0 or Integer of 1 to 5, r, u, w, x, y, z, a1 to f1, p1, r1, t1, v1 to x1: 0 or 1
An integer of 4, j1, n1, z1, a2, b2, c2, d2: an integer of 0 or 1 to 3, z1, a
2, at least one of c2, d2 is 1 or more, y1: an integer of 3 to 8, (a + b), (e + f + g), (k + l + m), (q + r + s ), (w + x + y), (c1 + d1), (g1 +
h1 + i1 + j1), (o1 + p1), (s1 + t1) ≧ 2, (j1 + n1) ≦ 3, (r + u), (w + z), (x + a1), (y + b1), (c1 + e1), (d1 + f1), (p1 + r1),
(t1 + v1), (x1 + w1) ≦ 4, provided that (w +
z), (x + a1) ≦ 5, (a + c), (b + d), (e + h), (f + i), (g + j), (k + n), (l + o), (m + p), (q
+ t), (s + v), (g1 + k1), (h1 + l1), (i1 + m1), (o1 + q1), (s1 + u1)
≦ 5.

【0118】[0118]

【化49】 Embedded image

【0119】[0119]

【化50】 Embedded image

【0120】[0120]

【化51】 Embedded image

【0121】[0121]

【化52】 Embedded image

【0122】好ましい化合物骨格の具体例を以下に示
す。
Specific examples of preferred compound skeletons are shown below.

【0123】[0123]

【化53】 Embedded image

【0124】[0124]

【化54】 Embedded image

【0125】[0125]

【化55】 Embedded image

【0126】[0126]

【化56】 Embedded image

【0127】[0127]

【化57】 Embedded image

【0128】[0128]

【化58】 Embedded image

【0129】[0129]

【化59】 Embedded image

【0130】[0130]

【化60】 Embedded image

【0131】[0131]

【化61】 Embedded image

【0132】[0132]

【化62】 Embedded image

【0133】[0133]

【化63】 Embedded image

【0134】[0134]

【化64】 Embedded image

【0135】[0135]

【化65】 Embedded image

【0136】[0136]

【化66】 Embedded image

【0137】[0137]

【化67】 Embedded image

【0138】[0138]

【化68】 Embedded image

【0139】[0139]

【化69】 Embedded image

【0140】[0140]

【化70】 Embedded image

【0141】[0141]

【化71】 Embedded image

【0142】化合物(1)〜(63)中のRは、水素原
子、
R in the compounds (1) to (63) represents a hydrogen atom,

【0143】[0143]

【化72】 Embedded image

【0144】を表す。但し、少なくとも2個、もしくは
構造により3個は水素原子以外の基であり、各置換基R
は同一の基でなくてもよい。
Represents the following. However, at least two or three depending on the structure are groups other than hydrogen atoms, and each substituent R
May not be the same group.

【0145】酸分解性溶解阻止化合物の添加量は、感光
性組成物の全重量(溶媒を除く)を基準として3〜50
重量%であり、好ましくは5〜35重量%、更に好まし
くは10〜20重量%の範囲である。
The amount of the acid-decomposable dissolution inhibiting compound to be added is 3 to 50 based on the total weight of the photosensitive composition (excluding the solvent).
%, Preferably 5 to 35% by weight, more preferably 10 to 20% by weight.

【0146】本発明の感光性組成物には必要に応じて、
更に染料、顔料、可塑剤、界面活性剤、光増感剤、有機
塩基性化合物及び現像液に対する溶解性を促進させるフ
エノール性水酸基を2個以上有する化合物等を含有させ
ることができる。
In the photosensitive composition of the present invention, if necessary,
Further, dyes, pigments, plasticizers, surfactants, photosensitizers, organic basic compounds, compounds having two or more phenolic hydroxyl groups for promoting solubility in a developing solution, and the like can be contained.

【0147】本発明で使用できるフェノール性水酸基を
2個以上有する化合物は、好ましくは分子量1000以
上のフェノール化合物である。また、分子中に少なくと
も2個のフェノール性ヒドロキシル基を有することが必
要であるが、これが10を越えると、現像ラチチュード
の改良効果が失われる。また、フェノ−ル性水酸基と芳
香環との比が0.5未満では膜厚依存性が大きく、ま
た、現像ラチチュードが狭くなる傾向がある。この比が
1.4を越えると該組成物の安定性が劣化し、高解像力
及び良好な膜厚依存性を得るのが困難となって好ましく
ない。
The compound having two or more phenolic hydroxyl groups that can be used in the present invention is preferably a phenol compound having a molecular weight of 1,000 or more. Further, it is necessary to have at least two phenolic hydroxyl groups in the molecule, but if it exceeds 10, the effect of improving the development latitude is lost. When the ratio of the phenolic hydroxyl group to the aromatic ring is less than 0.5, the film thickness dependency is large, and the development latitude tends to be narrow. If this ratio exceeds 1.4, the stability of the composition deteriorates, and it becomes difficult to obtain high resolution and good film thickness dependency, which is not preferable.

【0148】このフェノール化合物の好ましい添加量は
アルカリ可溶性樹脂に対して2〜50重量%であり、更
に好ましくは5〜30重量%である。30重量%を越え
た添加量では、現像残渣が悪化し、また現像時にパター
ンが変形するという新たな欠点が発生して好ましくな
い。
The preferred addition amount of the phenol compound is 2 to 50% by weight, more preferably 5 to 30% by weight, based on the alkali-soluble resin. An addition amount exceeding 30% by weight is not preferable because the development residue deteriorates and a new defect that the pattern is deformed during development occurs.

【0149】このような分子量1000以下のフェノー
ル化合物は、例えば、特開平4−122938号、特開
平2−28531号、米国特許第4916210号、欧
州特許第219294号等に記載の方法を参考にして、
当業者に於て容易に合成することが出来る。フェノール
化合物の具体例を以下に示すが、本発明で使用できる化
合物はこれらに限定されるものではない。
Such a phenol compound having a molecular weight of 1000 or less can be prepared by, for example, referring to the methods described in JP-A-4-122938, JP-A-2-28531, US Pat. ,
It can be easily synthesized by those skilled in the art. Specific examples of the phenol compound are shown below, but the compounds that can be used in the present invention are not limited to these.

【0150】レゾルシン、フロログルシン、2,3,4
−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3′,
4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセト
ン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルコシド、2,
4,2′,4′−ビフェニルテトロール、4,4′−チ
オビス(1,3−ジヒドロキシ)ベンゼン、2,2′,
4,4′−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、2,
2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェニルスルフォ
キシド、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェ
ニルスルフォン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メ
タン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロ
ヘキサン、4,4−(α−メチルベンジリデン)ビスフ
ェノール、α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、
α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1−エチル−4−イソプロピルベンゼン、1,2,2−
トリス(ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,2−
トリス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロパン、2,2,5,5−テトラキス(4−ヒドロキ
シフェニル)ヘキサン、1,2−テトラキス(4−ヒド
ロキシフェニル)エタン、1,1,3−トリス(ヒドロ
キシフェニル)ブタン、パラ〔α,α,α′,α′−テ
トラキス(4−ヒドロキシフェニル)〕−キシレン等を
挙げることができる。
Resorcin, phloroglucin, 2, 3, 4
-Trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-
Tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3 ',
4 ', 5'-hexahydroxybenzophenone, acetone-pyrogallol condensation resin, fluoroglucoside,
4,2 ', 4'-biphenyltetrol, 4,4'-thiobis (1,3-dihydroxy) benzene, 2,2',
4,4'-tetrahydroxydiphenyl ether, 2,
2 ', 4,4'-tetrahydroxydiphenylsulfoxide, 2,2', 4,4'-tetrahydroxydiphenylsulfone, tris (4-hydroxyphenyl) methane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) Cyclohexane, 4,4- (α-methylbenzylidene) bisphenol, α, α ′, α ″ -tris (4-hydroxyphenyl) -1,3,5-triisopropylbenzene,
α, α ', α "-tris (4-hydroxyphenyl)-
1-ethyl-4-isopropylbenzene, 1,2,2-
Tris (hydroxyphenyl) propane, 1,1,2-
Tris (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)
Propane, 2,2,5,5-tetrakis (4-hydroxyphenyl) hexane, 1,2-tetrakis (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,1,3-tris (hydroxyphenyl) butane, para [α, α , Α ', α'-tetrakis (4-hydroxyphenyl)]-xylene.

【0151】本発明で用いることのできる好ましい有機
塩基性化合物とは、フェノールよりも塩基性の強い化合
物である。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。好ま
しい化学的環境として、下記式(XVII)〜(XXI)構造を
挙げることがでる。
Preferred organic basic compounds that can be used in the present invention are compounds that are more basic than phenol. Among them, a nitrogen-containing basic compound is preferable. Preferred chemical environments include the following formulas (XVII) to (XXI).

【0152】[0152]

【化73】 Embedded image

【0153】更に好ましい化合物は、一分子中に異なる
化学的環境の窒素原子を2個以上有する含窒素塩基性化
合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のア
ミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もし
くはアルキルアミノ基を有する化合物である。好ましい
具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置
換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置
換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のア
ミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダーゾル、
置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換
のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換も
しくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾ
リン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは
未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモル
フォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフ
ォリン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ基、
アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール
基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、ア
シル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。特に好ましい
化合物として、グアニジン、1,1−ジメチルグアニジ
ン、1,1,3,3,−テトラメチルグアニジン、2−
アミノピリジン、3−アミノピリジン、4−アミノピリ
ジン、2−ジメチルアミノピリジン、4−ジメチルアミ
ノピリジン、2−ジエチルアミノピリジン、2−(アミ
ノメチル)ピリジン、2−アミノ−3−メチルピリジ
ン、2−アミノ−4−メチルピリジン、2−アミノ−5
−メチルピリジン、2−アミノ−6−メチルピリジン、
3−アミノエチルピリジン、4−アミノエチルピリジ
ン、3−アミノピロリジン、ピペラジン、N−(2−ア
ミノエチル)ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピ
ペリジン、4−アミノ−2,2,6,6−テトラメチル
ピペリジン、4−ピペリジノピペリジン、2−イミノピ
ペリジン、1−(2−アミノエチル)ピロリジン、ピラ
ゾール、3−アミノ−5−メチルピラゾール、5−アミ
ノ−3−メチル−1−p−トリルピラゾール、ピラジ
ン、2−(アミノメチル)−5−メチルピラジン、ピリ
ミジン、2,4−ジアミノピリミジン、4,6−ジヒド
ロキシピリミジン、2−ピラゾリン、3−ピラゾリン、
N−アミノモルフォリン、N−(2−アミノエチル)モ
ルフォリン等が挙げられるがこれに限定されるものでは
ない。
Further preferred compounds are nitrogen-containing basic compounds having two or more nitrogen atoms having different chemical environments in one molecule, and particularly preferred is a ring structure containing a substituted or unsubstituted amino group and a nitrogen atom. Or a compound having an alkylamino group. Preferred specific examples include substituted or unsubstituted guanidine, substituted or unsubstituted aminopyridine, substituted or unsubstituted aminoalkylpyridine, substituted or unsubstituted aminopyrrolidine, substituted or unsubstituted indazol,
Substituted or unsubstituted pyrazole, substituted or unsubstituted pyrazine, substituted or unsubstituted pyrimidine, substituted or unsubstituted purine, substituted or unsubstituted imidazoline, substituted or unsubstituted pyrazoline, substituted or unsubstituted piperazine, substituted Or, unsubstituted aminomorpholine, substituted or unsubstituted aminoalkylmorpholine and the like can be mentioned. Preferred substituents are an amino group,
An aminoalkyl group, an alkylamino group, an aminoaryl group, an arylamino group, an alkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, a nitro group, a hydroxyl group, and a cyano group. As particularly preferred compounds, guanidine, 1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetramethylguanidine, 2-
Aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-dimethylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine, 2-diethylaminopyridine, 2- (aminomethyl) pyridine, 2-amino-3-methylpyridine, 2-amino -4-methylpyridine, 2-amino-5
-Methylpyridine, 2-amino-6-methylpyridine,
3-aminoethylpyridine, 4-aminoethylpyridine, 3-aminopyrrolidine, piperazine, N- (2-aminoethyl) piperazine, N- (2-aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,2,6,6 -Tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-iminopiperidine, 1- (2-aminoethyl) pyrrolidine, pyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 5-amino-3-methyl-1-p- Tolylpyrazole, pyrazine, 2- (aminomethyl) -5-methylpyrazine, pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline,
Examples include, but are not limited to, N-aminomorpholine, N- (2-aminoethyl) morpholine, and the like.

【0154】これらの含窒素塩基性化合物は、単独であ
るいは2種以上一緒に用いられる。含窒素塩基性化合物
の使用量は、組成物(溶媒を除く)100重量部に対
し、通常、0.001〜10重量部、好ましくは0.0
1〜5重量部である。0.001重量部未満では本発明
の効果が得られない。一方、10重量部を超えると感度
の低下や非露光部の現像性が悪化する傾向がある。
These nitrogen-containing basic compounds are used alone or in combination of two or more. The amount of the nitrogen-containing basic compound to be used is generally from 0.001 to 10 parts by weight, preferably from 0.01 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the composition (excluding the solvent).
1 to 5 parts by weight. If the amount is less than 0.001 part by weight, the effects of the present invention cannot be obtained. On the other hand, if it exceeds 10 parts by weight, the sensitivity tends to decrease and the developability of the unexposed part tends to deteriorate.

【0155】好適な染料としては油性染料及び塩基性染
料がある。具体的にはオイルイエロー#101、オイル
イエロー#103、オイルピンク#312、オイルグリ
ーンBG、オイルブルーBOS,オイルブルー#60
3、オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイル
ブラックT−505(以上オリエント化学工業株式会社
製)、クリスタルバイオレット(CI42555)、メ
チルバイオレット(CI42535)、ローダミンB
(CI45170B)、マラカイトグリーン(CI42
000)、メチレンブルー(CI52015)等を挙げ
ることができる。
Suitable dyes include oil dyes and basic dyes. Specifically, Oil Yellow # 101, Oil Yellow # 103, Oil Pink # 312, Oil Green BG, Oil Blue BOS, Oil Blue # 60
3. Oil black BY, oil black BS, oil black T-505 (all manufactured by Orient Chemical Co., Ltd.), crystal violet (CI42555), methyl violet (CI42535), rhodamine B
(CI45170B), malachite green (CI42
000), methylene blue (CI52015) and the like.

【0156】更に、下記に挙げるような分光増感剤を添
加し、使用する光酸発生剤が吸収を持たない遠紫外より
長波長領域に増感させることで、本発明の感光性組成物
をi又はg線に感度を持たせることができる。好適な分
光増感剤としては、具体的にはベンゾフェノン、p,
p’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、p,p’
−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、2−クロ
ロチオキサントン、アントロン、9−エトキシアントラ
セン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェノチアジ
ン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフラビン、
セトフラビン−T、9,10−ジフェニルアントラセ
ン、9−フルオレノン、アセトフェノン、フェナントレ
ン、2−ニトロフルオレン、5−ニトロアセナフテン、
ベンゾキノン、2−クロロ−4−ニトロアニリン、N−
アセチル−p−ニトロアニリン、p−ニトロアニリ
ン、、N−アセチル−4−ニトロ−1−ナフチルアミ
ン、ピクラミド、アントラキノン、2−エチルアントラ
キノン、2−tert−ブチルアントラキノン1,2−ベン
ズアンスラキノン、3−メチル−1,3−ジアザ−1,
9−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、1,2−
ナフトキノン、3,3’−カルボニル−ビス(5,7−
ジメトキシカルボニルクマリン)及びコロネン等である
がこれらに限定されるものではない。また、これらの分
光増感剤は、光源の遠紫外光の吸光剤としても使用可能
である。この場合、吸光剤は基板からの反射光を低減
し、レジスト膜内の多重反射の影響を少なくさせること
で定在波改良の効果を発現する。
Further, the photosensitive composition of the present invention is sensitized by adding a spectral sensitizer as described below and sensitizing the photoacid generator to be used in a longer wavelength region than far ultraviolet where the photoacid generator has no absorption. Sensitivity can be given to i or g rays. Suitable spectral sensitizers include, specifically, benzophenone, p,
p'-tetramethyldiaminobenzophenone, p, p '
-Tetraethylethylaminobenzophenone, 2-chlorothioxanthone, anthrone, 9-ethoxyanthracene, anthracene, pyrene, perylene, phenothiazine, benzyl, acridine orange, benzoflavin,
Cetoflavin-T, 9,10-diphenylanthracene, 9-fluorenone, acetophenone, phenanthrene, 2-nitrofluorene, 5-nitroacenaphthene,
Benzoquinone, 2-chloro-4-nitroaniline, N-
Acetyl-p-nitroaniline, p-nitroaniline, N-acetyl-4-nitro-1-naphthylamine, picramide, anthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone 1,2-benzanthraquinone, 3- Methyl-1,3-diaza-1,
9-benzanthrone, dibenzalacetone, 1,2-
Naphthoquinone, 3,3′-carbonyl-bis (5,7-
Dimethoxycarbonylcoumarin) and coronene, but are not limited thereto. Further, these spectral sensitizers can also be used as a light absorbing agent for far ultraviolet light of a light source. In this case, the light absorber reduces the reflected light from the substrate and reduces the influence of multiple reflections in the resist film, thereby exhibiting the effect of improving the standing wave.

【0157】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロ
リドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶
媒を単独あるいは混合して使用する。
The photosensitive composition of the present invention is dissolved in a solvent in which each of the above components is dissolved, and coated on a support. Examples of the solvent used herein include ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate. , Propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate,
Ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran and the like are preferable, and these solvents are used alone or in combination.

【0158】上記溶媒に界面活性剤を加えることもでき
る。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイ
ルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル
類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、
ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリ
オキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシ
エチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー
類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミ
テート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノ
オレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタント
リステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリ
オキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチ
レンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレン
ソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビ
タントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタ
ン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフト
ップEF301,EF303,EF352(新秋田化成
(株)製)、メガファックF171,F173 (大日
本インキ(株)製)、フロラ−ドFC430,FC43
1(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG71
0,サーフロンS−382,SC101,SC102,
SC103,SC104,SC105,SC106(旭
硝子(株)製)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)や
アクリル酸系もしくはメタクリル酸系(共)重合ポリフ
ローNo.75,No.95(共栄社油脂化学工業
(株)製)等を挙げることができる。これらの界面活性
剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分100重量部
当たり、通常、2重量部以下、好ましくは1重量部以下
である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよい
し、また、いくつかの組み合わせで添加することもでき
る。
A surfactant may be added to the above solvents. Specifically, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenol ether,
Polyoxyethylene alkyl allyl ethers such as polyoxyethylene nonylphenol ether, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, Sorbitan fatty acid esters such as sorbitan tristearate, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan tristearate Surfactants such as polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as acrylates and the like, F-top EF301, E 303, EF352 (manufactured by Shin Akita Kasei Co., Ltd.), Megafac F171, F173 (manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd.), Flora - de FC430, FC43
1 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard AG71
0, Surflon S-382, SC101, SC102,
Fluorinated surfactants such as SC103, SC104, SC105 and SC106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), and acrylic or methacrylic (co) polymerized polyflow No. 75, no. 95 (manufactured by Kyoeisha Yushi Kagaku Kogyo KK) and the like. The amount of these surfactants is usually 2 parts by weight or less, preferably 1 part by weight or less, per 100 parts by weight of the solids in the composition of the present invention. These surfactants may be added alone or in some combination.

【0159】上記感光性組成物を精密集積回路素子の製
造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリ
コン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法
により塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを
行い現像することにより良好なレジストパターンを得る
ことができる。
The above-mentioned photosensitive composition is applied on a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) to be used in the manufacture of precision integrated circuit devices by a suitable application method such as a spinner or a coater, and then passed through a predetermined mask. By exposing, baking and developing, a good resist pattern can be obtained.

【0160】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカ
リ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加し
て使用することもできる。
Examples of the developer for the photosensitive composition of the present invention include:
Sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate,
Inorganic alkalis such as sodium silicate, sodium metasilicate and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, and triethylamine and methyldiethylamine Use alkaline aqueous solutions such as triamines, alcoholamines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, and cyclic amines such as pyrrole and pichelidine. be able to. Further, an appropriate amount of an alcohol or a surfactant may be added to the above alkaline aqueous solution.

【0161】[0161]

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the contents of the present invention are not limited thereto.

【0162】[合成例1(構造例(b1)の樹脂の合
成)]ポリ(p−ヒドロキシスチレン)(重量平均分子
量10,800、分散度1.1;ポリスチレン標準)2
4.0g(0.20モル)を無水THF200mlに溶
解した。この溶液にピリジン1.90g(0.024モ
ル)を添加し、更にジ−(2−シクロプロピル−2−プ
ロピル)ジカーボネート10.8g(0.040モル)
を加え、室温にて12時間撹拌した。反応液をイオン交
換水3Lに激しく撹拌しながら投入し、析出したポリマ
ーを水洗した。真空下、40℃にて乾燥し、白色粉体2
7.4gを得た。NMR測定により、この粉体が本発明
の構造例(b1)の樹脂(m/n=81/19:モル
比)であることを確認した。GPC測定により分子量を
測定したところ、重量平均で11,400(ポリスチレ
ン標準)、分散度1.2であった。
[Synthesis Example 1 (Synthesis of Resin of Structural Example (b1))] Poly (p-hydroxystyrene) (weight average molecular weight 10,800, dispersity 1.1; polystyrene standard) 2
4.0 g (0.20 mol) were dissolved in 200 ml of anhydrous THF. 1.90 g (0.024 mol) of pyridine is added to this solution, and 10.8 g (0.040 mol) of di- (2-cyclopropyl-2-propyl) dicarbonate is further added.
Was added and stirred at room temperature for 12 hours. The reaction solution was poured into 3 L of ion-exchanged water with vigorous stirring, and the precipitated polymer was washed with water. Dry at 40 ° C under vacuum to obtain a white powder 2
7.4 g were obtained. By NMR measurement, it was confirmed that this powder was the resin (m / n = 81/19: molar ratio) of Structural Example (b1) of the present invention. When the molecular weight was measured by GPC measurement, the weight average was 11,400 (polystyrene standard) and the dispersity was 1.2.

【0163】[合成例2(構造例(b4)の樹脂の合
成)]合成例1において、ジ−(2−シクロプロピル−
2−プロピル)ジカーボネートの代わりにジ−(2−ビ
ニル−2−プロピル)ジカーボネート9.69g(0.
040モル)を使用する他は、合成例1と同様にして白
色粉体27.1gを得た。NMR測定により、この粉体
が本発明の構造例(b4)の樹脂(m/n=82/1
8:モル比)であることを確認した。GPC測定により
分子量を測定したところ、重量平均で11,200(ポ
リスチレン標準)、分散度1.2であった。
[Synthesis Example 2 (Synthesis of Resin of Structural Example (b4))] In Synthesis Example 1, di- (2-cyclopropyl-
9.69 g of di- (2-vinyl-2-propyl) dicarbonate (0.
Except for using 040 mol), 27.1 g of a white powder was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1. According to NMR measurement, this powder was found to be the resin (m / n = 82/1) of the structural example (b4) of the present invention.
8: molar ratio). When the molecular weight was measured by GPC measurement, the weight average was 11,200 (polystyrene standard) and the dispersity was 1.2.

【0164】[合成例3〜10(樹脂(B)の合成)]
以下合成例1、2と同様にして、下記表1に示す組成比
を有する、樹脂(B)を合成した。
[Synthesis Examples 3 to 10 (Synthesis of Resin (B))]
In the same manner as in Synthesis Examples 1 and 2, a resin (B) having a composition ratio shown in Table 1 below was synthesized.

【0165】[0165]

【表1】 [Table 1]

【0166】[合成例11(構造例(c1)の樹脂の合
成)]ポリ(p−ヒドロキシスチレン)(重量平均分子
量10,800、分散度1.1;ポリスチレン標準)2
4.0g(0.20モル)を無水THF200mlに溶
解した。この溶液にエチルビニルエーテル4.54g
(0.063モル)、及び触媒としてp−トルエンスル
ホン酸の5%THF溶液0.1gを添加し、室温にて2
時間撹拌した。その後、反応液をイオン交換水3Lに激
しく撹拌しながら投入し、析出したポリマーを水洗し
た。真空下、40℃にて乾燥し、白色粉体27.5gを
得た。NMR測定により、この粉体が本発明の構造例
(c1)の樹脂(m/n=70/30:モル比)である
ことを確認した。GPC測定により分子量を測定したと
ころ、重量平均で11,800(ポリスチレン標準)、
分散度1.2であった。
[Synthesis Example 11 (Synthesis of Resin of Structural Example (c1))] Poly (p-hydroxystyrene) (weight average molecular weight 10,800, dispersity 1.1; polystyrene standard) 2
4.0 g (0.20 mol) were dissolved in 200 ml of anhydrous THF. 4.54 g of ethyl vinyl ether was added to this solution.
(0.063 mol) and 0.1 g of a 5% THF solution of p-toluenesulfonic acid as a catalyst.
Stirred for hours. Thereafter, the reaction solution was poured into 3 L of ion-exchanged water with vigorous stirring, and the precipitated polymer was washed with water. It was dried at 40 ° C. under vacuum to obtain 27.5 g of a white powder. By NMR measurement, it was confirmed that this powder was the resin of structural example (c1) of the present invention (m / n = 70/30: molar ratio). When the molecular weight was measured by GPC measurement, the weight average was 11,800 (polystyrene standard),
The dispersity was 1.2.

【0167】[合成例12(構造例(c2)の樹脂の合
成)]合成例1において、エチルビニルエーテルの代わ
りにi−ブチルエチルエーテル6.31g(0.63モ
ル)を使用する他は、合成例1と同様にして白色粉体2
8.3gを得た。NMR測定により、この粉体が本発明
の構造例(c2)の樹脂(m/n=69/31:モル
比)であることを確認した。GPC測定により分子量を
測定したところ、重量平均で11,600(ポリスチレ
ン標準)、分散度1.2であった。
[Synthesis Example 12 (Synthesis of Resin of Structural Example (c2))] In Synthesis Example 1, except that 6.31 g (0.63 mol) of i-butylethyl ether was used instead of ethyl vinyl ether. White powder 2 as in Example 1
8.3 g were obtained. By NMR measurement, it was confirmed that this powder was the resin of structural example (c2) of the present invention (m / n = 69/31: molar ratio). When the molecular weight was measured by GPC measurement, the weight average was 11,600 (polystyrene standard) and the dispersity was 1.2.

【0168】[合成例13〜22(本発明の樹脂(C)
の合成)]以下合成例11、12と同様にして、下記表
2に示す組成比を有する樹脂(C)を合成した。
[Synthesis Examples 13 to 22 (Resin (C) of the present invention)
In the same manner as in Synthesis Examples 11 and 12, a resin (C) having a composition ratio shown in Table 2 below was synthesized.

【0169】[0169]

【表2】 [Table 2]

【0170】(実施例1〜12及び比較例1〜3)上記
合成例で合成した樹脂(B)及び樹脂(C)(実施例)
あるいは別の樹脂(比較例)を用いて、レジストを調製し
た。そのときの処方を表3に示す。なお、光酸発生剤の
使用量は、いずれも0.1gであり、添加剤の添加量
は、使用した場合、0.3gである。
(Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 3) Resin (B) and resin (C) synthesized in the above synthesis examples (Examples)
Alternatively, a resist was prepared using another resin (Comparative Example). Table 3 shows the prescription at that time. The amount of the photoacid generator used was 0.1 g in all cases, and the amount of the additive was 0.3 g when used.

【0171】[0171]

【表3】 [Table 3]

【0172】表3において使用した略号は下記の内容を
表す。 <ポリマー>( )内はモル比 PHS/St p-ヒドロキシスチレン/スチレン共重合体
(85/15)(重量平均分子量:25,000) PHS/EES p-ヒドロキシスチレン/1−エトキシエト
キシスチレン共重合体(70/30)(重量平均分子
量:12,000) PHS/TBOCS p-ヒドロキシスチレン/t-ブトキシカルボ
ニルオキシスチレン共重合体(80/20)(重量平均
分子量:13,000)
The abbreviations used in Table 3 represent the following contents. <Polymer> In parentheses, molar ratio is PHS / St p-hydroxystyrene / styrene copolymer (85/15) (weight average molecular weight: 25,000) PHS / EES p-hydroxystyrene / 1-ethoxyethoxystyrene copolymer Combined (70/30) (weight average molecular weight: 12,000) PHS / TBOCS p-hydroxystyrene / t-butoxycarbonyloxystyrene copolymer (80/20) (weight average molecular weight: 13,000)

【0173】[感光性組成物の調製と評価]表3に示す
各成分に4−ジメチルアミノピリジン0.03gを加
え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト9.5gに溶解し、0.2μmのフィルターで濾過し
てレジスト溶液を作成した。このレジスト溶液を、スピ
ンコーターを利用して、シリコンウエハー上に塗布し、
130℃、60秒間真空吸着型のホットプレートで乾燥
して、膜厚0.76μmのレジスト膜を得た。このレジ
スト膜に、248nmKrFエキシマレーザーステツパ
ー(NA=0.42)を用いて露光を行った。露光直
後、及び露光1時間後にそれぞれ110℃の真空吸着型
ホットプレートで60秒間加熱を行い、ただちに2.3
8%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(T
MAH)水溶液で60秒間浸漬し、30秒間水でリンス
して乾燥した。このようにして得られたシリコンウエハ
ー上のパターンの露光直後及び露光1時間後に加熱処理
した場合のプロファイル、感度、解像力を各々下記のよ
うに評価し、比較した。その結果を表4に示す。
[Preparation and Evaluation of Photosensitive Composition] To each of the components shown in Table 3 was added 0.03 g of 4-dimethylaminopyridine, dissolved in 9.5 g of propylene glycol monomethyl ether acetate, and filtered through a 0.2 μm filter. Thus, a resist solution was prepared. This resist solution is applied on a silicon wafer using a spin coater,
The resist film was dried on a vacuum adsorption type hot plate at 130 ° C. for 60 seconds to obtain a resist film having a thickness of 0.76 μm. This resist film was exposed using a 248 nm KrF excimer laser stepper (NA = 0.42). Immediately after exposure and one hour after exposure, heating was performed for 60 seconds on a vacuum suction type hot plate at 110 ° C., and immediately 2.3.
8% tetramethylammonium hydroxide (T
MAH) dipped in an aqueous solution for 60 seconds, rinsed with water for 30 seconds and dried. The profiles, sensitivities, and resolving powers of the thus-obtained patterns on the silicon wafer immediately after exposure and one hour after exposure were evaluated and compared as described below. Table 4 shows the results.

【0174】〔プロファイル〕このようにして得られた
シリコンウエハー上のパターンを走査型電子顕微鏡で観
察し、レジストのプロファイルを評価した。 〔感度〕感度は、0.30μmのマスクパターンを再現
する最少の露光量により評価した。 〔解像力〕解像力は、0.30μmのマスクパターンを
再現する最少の露光量の限界解像力により評価した。
[Profile] The pattern on the silicon wafer thus obtained was observed with a scanning electron microscope to evaluate the resist profile. [Sensitivity] Sensitivity was evaluated based on the minimum exposure dose for reproducing a 0.30 μm mask pattern. [Resolving power] The resolving power was evaluated based on the minimum resolving power of the minimum exposure amount for reproducing a mask pattern of 0.30 μm.

【0175】[0175]

【表4】 [Table 4]

【0176】表4の結果から、以下のことが明らかであ
る。本発明のポジ型感光性組成物は、良好なプロファイ
ル、高感度、及び高解像力を有し、露光後の経時変化が
ない。一方、比較例1〜3の場合は、露光後の経時によ
る感度、解像力、及びプロファイルの変化が大きく、本
発明のポジ型感光性組成物の場合と比べて劣っている。
From the results in Table 4, the following is clear. The positive photosensitive composition of the present invention has a good profile, high sensitivity, and high resolution, and does not change with time after exposure. On the other hand, in the cases of Comparative Examples 1 to 3, the changes in sensitivity, resolution, and profile over time after exposure were large, and were inferior to those of the positive photosensitive composition of the present invention.

【0177】[0177]

【発明の効果】本発明の化学増幅型のポジ型感光性組成
物は、露光後経時によるパターン形状変化、感度変化等
がなくなり、その結果、感度、解像度、及びパターンプ
ロファイルが向上している。
According to the chemical amplification type positive photosensitive composition of the present invention, there is no change in pattern shape and sensitivity with the passage of time after exposure, and as a result, sensitivity, resolution and pattern profile are improved.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】(A)活性光線又は放射線の照射により酸
を発生する化合物、(B)下記一般式(I)及び(II)
で表される繰り返し構造単位を有する樹脂、並びに
(C)下記一般式(I)及び(III)で表される繰り返し
構造単位を有する樹脂を含有することを特徴とするポジ
型感光性組成物。 【化1】 一般式(I)〜(III)中、R1〜R7は以下のとおりで
ある。R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2及びR
3は、同一又は異なって、水素原子、置換基を有してい
てもよい、アルキル基又はアリール基を表す。但し、R
2及びR3の少なくともいずれかは水素原子以外の基であ
る。R4は、置換基を有していてもよい、シクロアルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基又はアリール基を表
す。R5は、−C(R8)(R9)(R10)、又は−C(R11)(R
12)(OR13)で示される基を表す。ここで、R8〜R
12は、同一又は異なって、水素原子、置換基を有してい
てもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基又はアリール基を表し、R13は、置換
基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基
又はアリール基を表す。但し、R8〜R10のうち少なく
とも2つは水素原子以外の基である。R6及びR7は、同
一又は異なって、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換
基を有していてもよい、アルキル基、アリール基、アラ
ルキル基、アルコキシ基、アシル基又はアシロキシ基を
表す。また、上記R2〜R4、R8〜R10、及びR11〜R
13のそれぞれのうちの2つが結合して環を形成してもよ
い。m及びnは、同一又は異なって、0〜3の整数を示
す。
(1) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation; (B) a compound represented by the following general formulas (I) and (II):
And a resin having a repeating structural unit represented by the following general formulas (I) and (III): (C) a resin having a repeating structural unit represented by the following general formulas (I) and (III): Embedded image In the general formulas (I) to (III), R 1 to R 7 are as follows. R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. R 2 and R
3 represents the same or different and represents a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group which may have a substituent. Where R
At least one of 2 and R 3 is a group other than a hydrogen atom. R 4 represents a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aryl group which may have a substituent. R 5 is, -C (R 8) (R 9) (R 10), or -C (R 11) (R
12 ) represents a group represented by (OR 13 ). Here, R 8 to R
12 is the same or different and represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aryl group which may have a substituent, and R 13 has a substituent Represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group. However, at least two of R 8 to R 10 are groups other than hydrogen atoms. R 6 and R 7 are the same or different and represent a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkoxy group, an acyl group or an acyloxy group which may have a substituent. In addition, R 2 to R 4 , R 8 to R 10 , and R 11 to R
Two of each of 13 may combine to form a ring. m and n are the same or different and each represent an integer of 0-3.
【請求項2】 酸により分解し得る基を有し、アルカリ
現像液中での溶解度が酸の作用により増大する、分子量
3,000以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物を含有
することを特徴とする請求項1に記載のポジ型感光性組
成物。
2. A low molecular weight acid-decomposable dissolution inhibiting compound having a molecular weight of 3,000 or less, which has a group decomposable by an acid and whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid. The positive photosensitive composition according to claim 1, wherein
【請求項3】 水に不溶でアルカリ水溶液に可溶な樹脂
を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載のポ
ジ型感光性組成物。
3. The positive photosensitive composition according to claim 1, further comprising a resin which is insoluble in water and soluble in an aqueous alkali solution.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6531259B1 (en) 1999-06-21 2003-03-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pattern formation method and pattern formation material
US6673523B2 (en) 1999-03-09 2004-01-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pattern formation method
JP2011209682A (en) * 2009-10-16 2011-10-20 Fujifilm Corp Photosensitive resin composition, method of forming cured film, cured film, organic el display device and liquid crystal display device

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