JPH11223748A - 光半導体素子モジュール及び、偏波消光比の確認方法 - Google Patents
光半導体素子モジュール及び、偏波消光比の確認方法Info
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- JPH11223748A JPH11223748A JP2585798A JP2585798A JPH11223748A JP H11223748 A JPH11223748 A JP H11223748A JP 2585798 A JP2585798 A JP 2585798A JP 2585798 A JP2585798 A JP 2585798A JP H11223748 A JPH11223748 A JP H11223748A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光軸調整時において、最大の光出力と最大の
偏波消光比が同時に得られず、又、偏波の干渉によりフ
ェルールへの外力付加位置によっては、偏波消光比が劣
化し、さらに偏波消光比の値が変動することにより正確
な偏波消光比の値の見極めに熟練作業を要すると共に多
大な組立時間を必要とし、コストの増加を招く。 【解決手段】 光出力を最大に調整することにより、偏
波消光比も最大となるように部品を配置し、偏波消光比
劣化量の最も小さい外力付加位置からフェルールを固定
するとともに、正確な偏波消光比の値を得るために偏波
の干渉を抑制した。
偏波消光比が同時に得られず、又、偏波の干渉によりフ
ェルールへの外力付加位置によっては、偏波消光比が劣
化し、さらに偏波消光比の値が変動することにより正確
な偏波消光比の値の見極めに熟練作業を要すると共に多
大な組立時間を必要とし、コストの増加を招く。 【解決手段】 光出力を最大に調整することにより、偏
波消光比も最大となるように部品を配置し、偏波消光比
劣化量の最も小さい外力付加位置からフェルールを固定
するとともに、正確な偏波消光比の値を得るために偏波
の干渉を抑制した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光通信等に用い
られている光半導体素子モジュール及び、偏波消光比の
確認方法に関するものである。
られている光半導体素子モジュール及び、偏波消光比の
確認方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９（ａ）は従来の光半導体素子モジュ
ールを示す断面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ
−Ａ’線断面正面図であり、図９（ｃ）は図９（ｂ）の
Ｂ部の拡大図である。図において、１は半導体レーザ等
の発光素子、２は発光素子１からの出射光、３は発光素
子１からの出射光２を平行な光にするための第１のレン
ズ、４は発光素子１と第１のレンズ３を気密封止するた
めのパッケージ、５は第１のレンズ３により平行な光と
なった発光素子１からの出射光２を外部に取り出すため
の窓、６はパッケージ４から外部に取り出された出射光
２のうち特定な方位角の光を入射及び、出射するアイソ
レーター、７はアイソレーター６を通過した出射光２を
集光するための第２のレンズ、８は第２のレンズ７を接
着により保持するレンズホルダ、９は第２のレンズ７に
より集光された光が入射する偏波面保存型光ファイバ、
１０ａ及び１０ｂは偏波面保存型光ファイバ９に施され
た応力付与部、１１ａは応力付与部１０ａ及び１０ｂの
中心を結んだスロー軸、１１ｂはスロー軸１１ａの直交
方向のファースト軸、１２は偏波面保存型光ファイバ９
に入射する光の偏光方向、１３は偏波面保存型光ファイ
バ９を接着により保持するフェルール、１４はフェルー
ル１３の端面に施されている斜め研磨面の頂点、１５は
フェルール１３を保持するフェルールホルダ、１６はフ
ェルール１３をフェルールホルダ１５に固定するねじで
ある。
ールを示す断面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ
−Ａ’線断面正面図であり、図９（ｃ）は図９（ｂ）の
Ｂ部の拡大図である。図において、１は半導体レーザ等
の発光素子、２は発光素子１からの出射光、３は発光素
子１からの出射光２を平行な光にするための第１のレン
ズ、４は発光素子１と第１のレンズ３を気密封止するた
めのパッケージ、５は第１のレンズ３により平行な光と
なった発光素子１からの出射光２を外部に取り出すため
の窓、６はパッケージ４から外部に取り出された出射光
２のうち特定な方位角の光を入射及び、出射するアイソ
レーター、７はアイソレーター６を通過した出射光２を
集光するための第２のレンズ、８は第２のレンズ７を接
着により保持するレンズホルダ、９は第２のレンズ７に
より集光された光が入射する偏波面保存型光ファイバ、
１０ａ及び１０ｂは偏波面保存型光ファイバ９に施され
た応力付与部、１１ａは応力付与部１０ａ及び１０ｂの
中心を結んだスロー軸、１１ｂはスロー軸１１ａの直交
方向のファースト軸、１２は偏波面保存型光ファイバ９
に入射する光の偏光方向、１３は偏波面保存型光ファイ
バ９を接着により保持するフェルール、１４はフェルー
ル１３の端面に施されている斜め研磨面の頂点、１５は
フェルール１３を保持するフェルールホルダ、１６はフ
ェルール１３をフェルールホルダ１５に固定するねじで
ある。
【０００３】次に動作について説明する。発光素子１か
らの出射光２は第１のレンズ３により平行な光となり、
そのうちのファースト軸１１ｂ方向の光が主として、ス
ロー軸１１ａ方向の光が多少混在した状態でアイソレー
ター６に入射することになる。又、アイソレーター６に
入射したファースト軸１１ｂ方向の光は入射側からみて
４５度時計回りに回転して出射され、第２のレンズ７に
より集光された後、偏波面保存型光ファイバ９に入射す
る。従来、フェルール１３の端面に施された斜め研磨面
の頂点１４に対して、偏波面保存型光ファイバ９のスロ
ー軸１１ａの位置は任意であり、偏波面保存型光ファイ
バ９の光軸方向（Ｚ軸）、光軸直交方向（Ｘ軸、Ｙ軸）
及び、回転方向（θ軸）の光軸調整においては、偏波面
保存型光ファイバ９のＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸の光軸調整を
行ない、偏波面保存型光ファイバ９からの出力光の光出
力を所定の値に調整した後、偏波消光比の値を確認して
いるが、スロー軸１１ａの位置が任意であり、又目視で
は確認出来ないために一度の光軸調整において、偏波消
光比の規格を満足することはなく、θ軸を回転させ再度
Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の光軸調整を行なっている。図９の
例では偏波面保存型光ファイバ９に入射する光の偏光方
向１２と、偏波面保存型光ファイバ９のスロー軸１１ａ
とは４５度ずれていることになる。
らの出射光２は第１のレンズ３により平行な光となり、
そのうちのファースト軸１１ｂ方向の光が主として、ス
ロー軸１１ａ方向の光が多少混在した状態でアイソレー
ター６に入射することになる。又、アイソレーター６に
入射したファースト軸１１ｂ方向の光は入射側からみて
４５度時計回りに回転して出射され、第２のレンズ７に
より集光された後、偏波面保存型光ファイバ９に入射す
る。従来、フェルール１３の端面に施された斜め研磨面
の頂点１４に対して、偏波面保存型光ファイバ９のスロ
ー軸１１ａの位置は任意であり、偏波面保存型光ファイ
バ９の光軸方向（Ｚ軸）、光軸直交方向（Ｘ軸、Ｙ軸）
及び、回転方向（θ軸）の光軸調整においては、偏波面
保存型光ファイバ９のＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸の光軸調整を
行ない、偏波面保存型光ファイバ９からの出力光の光出
力を所定の値に調整した後、偏波消光比の値を確認して
いるが、スロー軸１１ａの位置が任意であり、又目視で
は確認出来ないために一度の光軸調整において、偏波消
光比の規格を満足することはなく、θ軸を回転させ再度
Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の光軸調整を行なっている。図９の
例では偏波面保存型光ファイバ９に入射する光の偏光方
向１２と、偏波面保存型光ファイバ９のスロー軸１１ａ
とは４５度ずれていることになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の光半導体素子モ
ジュールは以上のように構成されているので、フェルー
ル１３の端面に施された斜め研磨面の頂点１４に対し
て、偏波面保存型光ファイバ９のスロー軸１１ａの位置
が任意であった為、光軸調整時における光出力を所定の
値となるように調整すると高い偏波消光比が得られず、
逆に偏波消光比を最大となるように調整すると所定の光
出力が得られないという課題があった。又、偏波面保存
型光ファイバ９は、フェルール１３の円周方向からの外
力付加位置により、偏波消光比が大きく劣化するという
課題があった。さらに偏波面保存型光ファイバ９は、曲
げや発光素子１の駆動電流のレベルにより、偏波の干渉
が容易に発生し易いため、光軸調整時における偏波消光
比の値が変動し、どの値が正確な偏波消光比の値である
か見極めに熟練作業を要するとともに、多大な組立時間
を必要としコストの増加を招くという課題があった。
ジュールは以上のように構成されているので、フェルー
ル１３の端面に施された斜め研磨面の頂点１４に対し
て、偏波面保存型光ファイバ９のスロー軸１１ａの位置
が任意であった為、光軸調整時における光出力を所定の
値となるように調整すると高い偏波消光比が得られず、
逆に偏波消光比を最大となるように調整すると所定の光
出力が得られないという課題があった。又、偏波面保存
型光ファイバ９は、フェルール１３の円周方向からの外
力付加位置により、偏波消光比が大きく劣化するという
課題があった。さらに偏波面保存型光ファイバ９は、曲
げや発光素子１の駆動電流のレベルにより、偏波の干渉
が容易に発生し易いため、光軸調整時における偏波消光
比の値が変動し、どの値が正確な偏波消光比の値である
か見極めに熟練作業を要するとともに、多大な組立時間
を必要としコストの増加を招くという課題があった。
【０００５】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、偏波面保存型光ファイバのＸ、
Ｙ、Ｚ軸方向の光軸調整時において、光出力を所定の値
となるように調整することにより、高い偏波消光比を同
時に得るとともに、フェルールをフェルールホルダに固
定する際の偏波消光比の劣化を防止した光半導体素子モ
ジュールを得ることを目的とする。
めになされたもので、偏波面保存型光ファイバのＸ、
Ｙ、Ｚ軸方向の光軸調整時において、光出力を所定の値
となるように調整することにより、高い偏波消光比を同
時に得るとともに、フェルールをフェルールホルダに固
定する際の偏波消光比の劣化を防止した光半導体素子モ
ジュールを得ることを目的とする。
【０００６】また、この発明は、偏波面保存型光ファイ
バのＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の光軸調整時における偏波消光比
の値の変動を抑制し、正確な偏波消光比の値を短時間で
確認することができる光半導体素子モジュールを得るこ
とを目的とする。
バのＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の光軸調整時における偏波消光比
の値の変動を抑制し、正確な偏波消光比の値を短時間で
確認することができる光半導体素子モジュールを得るこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明による光半導
体素子モジュールは、偏波面保存型光ファイバに入射す
る光の偏光方向と、偏波面保存型光ファイバのスロー軸
とが一致するように、偏波面保存型光ファイバを保持し
たものである。
体素子モジュールは、偏波面保存型光ファイバに入射す
る光の偏光方向と、偏波面保存型光ファイバのスロー軸
とが一致するように、偏波面保存型光ファイバを保持し
たものである。
【０００８】また、第２の発明による光半導体素子モジ
ュールは、フェルールの円周方向からの外力付加位置を
偏波消光比の劣化量の小さい外力付加位置とし、当該外
力付加位置でフェルールとフェルールホルダを保持した
ものである。
ュールは、フェルールの円周方向からの外力付加位置を
偏波消光比の劣化量の小さい外力付加位置とし、当該外
力付加位置でフェルールとフェルールホルダを保持した
ものである。
【０００９】また、第３の発明による光半導体素子モジ
ュールの偏波消光比の確認方法は、偏波面保存型光ファ
イバのＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の光軸調整後、偏波面保存型光
ファイバを曲げてスロー軸とファースト軸の偏波の干渉
を大きく発生させた状態で、偏波保存型光ファイバから
の出力光の偏波消光比を確認するようにしたものであ
る。
ュールの偏波消光比の確認方法は、偏波面保存型光ファ
イバのＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の光軸調整後、偏波面保存型光
ファイバを曲げてスロー軸とファースト軸の偏波の干渉
を大きく発生させた状態で、偏波保存型光ファイバから
の出力光の偏波消光比を確認するようにしたものであ
る。
【００１０】また、第４の発明による光半導体素子モジ
ュールの偏波消光比の確認方法は、偏波面保存型光ファ
イバのＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の光軸調整後、偏波面保存型光
ファイバのスロー軸とファースト軸の偏波の干渉が起こ
りにくい、しきい値以下の電流で発光素子を駆動させ、
偏波保存型光ファイバからの出力光の偏波消光比を確認
するようにしたものである。
ュールの偏波消光比の確認方法は、偏波面保存型光ファ
イバのＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の光軸調整後、偏波面保存型光
ファイバのスロー軸とファースト軸の偏波の干渉が起こ
りにくい、しきい値以下の電流で発光素子を駆動させ、
偏波保存型光ファイバからの出力光の偏波消光比を確認
するようにしたものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１（ａ）はこの
発明の形態１を示す断面図であり、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡ−Ａ’線断面正面図であり、図１（ｃ）は図
１（ｂ）のＢ部の拡大図である。図において、１〜１６
は前記従来構造と同一のものである。但し、フェルール
１３の斜め研磨面の頂点１４に対して、光の入射側から
見て反時計方向に４５ｄｅｇ回転した位置に偏波面保存
型光ファイバ９のスロー軸１１ａを配置したものであ
る。
発明の形態１を示す断面図であり、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡ−Ａ’線断面正面図であり、図１（ｃ）は図
１（ｂ）のＢ部の拡大図である。図において、１〜１６
は前記従来構造と同一のものである。但し、フェルール
１３の斜め研磨面の頂点１４に対して、光の入射側から
見て反時計方向に４５ｄｅｇ回転した位置に偏波面保存
型光ファイバ９のスロー軸１１ａを配置したものであ
る。
【００１２】この発明の光半導体モジュールは以上のよ
うに構成されており、フェルール１３の斜め研磨面の頂
点１４に対して、偏波面保存型光ファイバ９のスロー軸
１１ａの位置はフェルール１３を光の入射側から見て、
反時計方向に４５ｄｅｇ回転した位置にある。これは、
偏波面保存型光ファイバ９のスロー軸１１ａの位置をあ
らかじめ確認した上で、スロー軸１１ａから時計方向に
４５ｄｅｇ回転した位置にフェルール１３の斜め研磨面
の頂点１４が配置されるように研磨することにより得ら
れる。偏波面保存型光ファイバ９のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の
光軸調整においては、フェルール１３の斜め研磨面の頂
点１４を基準として光軸装置に取り付け、偏波面保存型
光ファイバ９からの出力光の光出力を所定の値に調整す
ることにより、偏波面保存型光ファイバ９に入射する光
の偏光方向１２に、偏波面保存型光ファイバ９のスロー
軸１１ａを一致させることができ、偏波面保存型光ファ
イバ９のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の光軸調整時において光出力
を所定の値に調整することで高い偏波消光比を同時に得
ることが可能である。
うに構成されており、フェルール１３の斜め研磨面の頂
点１４に対して、偏波面保存型光ファイバ９のスロー軸
１１ａの位置はフェルール１３を光の入射側から見て、
反時計方向に４５ｄｅｇ回転した位置にある。これは、
偏波面保存型光ファイバ９のスロー軸１１ａの位置をあ
らかじめ確認した上で、スロー軸１１ａから時計方向に
４５ｄｅｇ回転した位置にフェルール１３の斜め研磨面
の頂点１４が配置されるように研磨することにより得ら
れる。偏波面保存型光ファイバ９のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の
光軸調整においては、フェルール１３の斜め研磨面の頂
点１４を基準として光軸装置に取り付け、偏波面保存型
光ファイバ９からの出力光の光出力を所定の値に調整す
ることにより、偏波面保存型光ファイバ９に入射する光
の偏光方向１２に、偏波面保存型光ファイバ９のスロー
軸１１ａを一致させることができ、偏波面保存型光ファ
イバ９のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の光軸調整時において光出力
を所定の値に調整することで高い偏波消光比を同時に得
ることが可能である。
【００１３】図２（ａ）はこの発明の実施の形態１を示
すファイバ端末部の断面図であり、図２（ｂ）は図２
（ａ）のＡ−Ａ’線断面正面図であり、図２（ｃ）は図
２（ｂ）のＢ部の拡大図である。図において、９〜１６
は図１の構造と同一のものである。但し、フェルールホ
ルダ１５は、偏波消光比の劣化量の小さい外力付加位置
にてフェルール１３とフェルールホルダ１５とを結合す
るために、ねじ１６の位置を偏波面保存型光ファイバ９
のスロー軸１１ａとを一致させたものである。
すファイバ端末部の断面図であり、図２（ｂ）は図２
（ａ）のＡ−Ａ’線断面正面図であり、図２（ｃ）は図
２（ｂ）のＢ部の拡大図である。図において、９〜１６
は図１の構造と同一のものである。但し、フェルールホ
ルダ１５は、偏波消光比の劣化量の小さい外力付加位置
にてフェルール１３とフェルールホルダ１５とを結合す
るために、ねじ１６の位置を偏波面保存型光ファイバ９
のスロー軸１１ａとを一致させたものである。
【００１４】図３は、偏波面保存型光ファイバ９のスロ
ー軸１１ａを基準（０ｄｅｇ）とし、フェルール１３の
円周方向からの外力付加位置による偏波消光比の変動を
実験により求めた一例を示したものである。図におい
て、縦軸は偏波面保存型光ファイバ９からの出力光の偏
波消光比の値を示し、横軸は偏波面保存型光ファイバ９
のスロー軸１１ａの延長線上を０ｄｅｇとし、ねじ１６
をフェルール１３の外周面に沿って回転させたときの回
転角度を示す。又、符号の＋は図２（ｂ）において、ね
じ１６を時計方向に回転させたことを示し、−はねじ１
６を反時計方向に回転させたことを示す。
ー軸１１ａを基準（０ｄｅｇ）とし、フェルール１３の
円周方向からの外力付加位置による偏波消光比の変動を
実験により求めた一例を示したものである。図におい
て、縦軸は偏波面保存型光ファイバ９からの出力光の偏
波消光比の値を示し、横軸は偏波面保存型光ファイバ９
のスロー軸１１ａの延長線上を０ｄｅｇとし、ねじ１６
をフェルール１３の外周面に沿って回転させたときの回
転角度を示す。又、符号の＋は図２（ｂ）において、ね
じ１６を時計方向に回転させたことを示し、−はねじ１
６を反時計方向に回転させたことを示す。
【００１５】フェルール１３の円周方向からの外力付加
位置による偏波消光比劣化量の最も小さい偏波面保存型
光ファイバ９のスロー軸１１ａの延長線上にフェルール
１３固定用ねじ１６を配置することにより、高い偏波消
光比を得ることが可能である。この実験の例では、スロ
ー軸１１ａを基準として±１０ｄｅｇまでの範囲におい
ては３０ｄＢ以上の高い偏波消光比を得ることが可能で
ある。
位置による偏波消光比劣化量の最も小さい偏波面保存型
光ファイバ９のスロー軸１１ａの延長線上にフェルール
１３固定用ねじ１６を配置することにより、高い偏波消
光比を得ることが可能である。この実験の例では、スロ
ー軸１１ａを基準として±１０ｄｅｇまでの範囲におい
ては３０ｄＢ以上の高い偏波消光比を得ることが可能で
ある。
【００１６】尚、この発明の実施の形態１において、偏
波消光比の最も小さいスロー軸１１ａの延長線上にフェ
ルール１３を固定するねじ１６を配置したが、必要とす
る偏波消光比量の範囲内であれば固定位置とその数は任
意で良く、且つ他の固定手段（例えばレーザビーム溶
接）を用いても同様の効果を得られることは言うまでも
ない。
波消光比の最も小さいスロー軸１１ａの延長線上にフェ
ルール１３を固定するねじ１６を配置したが、必要とす
る偏波消光比量の範囲内であれば固定位置とその数は任
意で良く、且つ他の固定手段（例えばレーザビーム溶
接）を用いても同様の効果を得られることは言うまでも
ない。
【００１７】実施の形態２．図４は、この発明の実施の
形態２を示すものであり、ある曲げ半径における１巻き
当たりの位相差の算出根拠の適正値を示すものである。
形態２を示すものであり、ある曲げ半径における１巻き
当たりの位相差の算出根拠の適正値を示すものである。
【００１８】図５はこの発明の実施の形態２を示すもの
であり、偏波面保存型光ファイバ９の１巻きの形状を示
すものである。
であり、偏波面保存型光ファイバ９の１巻きの形状を示
すものである。
【００１９】図６はこの発明の実施の形態２を示すもの
であり、偏波面保存型光ファイバ９の曲げ半径と１巻き
当たりの位相差の関係を示すものである。図において、
縦軸は偏波面保存型光ファイバ９を１巻きした時のスロ
ー軸１１ａとファースト軸１１ｂの位相差を示し、横軸
は偏波面保存型光ファイバ９を１巻きした時の曲げ半径
を示す。
であり、偏波面保存型光ファイバ９の曲げ半径と１巻き
当たりの位相差の関係を示すものである。図において、
縦軸は偏波面保存型光ファイバ９を１巻きした時のスロ
ー軸１１ａとファースト軸１１ｂの位相差を示し、横軸
は偏波面保存型光ファイバ９を１巻きした時の曲げ半径
を示す。
【００２０】この発明の光半導体素子モジュールに用い
る偏波面保存型光ファイバ９は、図６に示す通り曲げる
ことにより、スロー軸１１ａとファースト軸１１ｂの偏
波の干渉が容易に発生し易いことから、この発明による
偏波消光比の確認方法は、偏波面保存型光ファイバ９の
Ｘ、Ｙ、Ｚ経由方向の光軸調整を行ない、偏波面保存型
光ファイバ９からの出力光の光出力を所定の値に調整し
た後、偏波面保存型光ファイバ９を曲げてスロー軸１１
ａとファースト軸１１ｂの偏波の干渉を大きく発生させ
た状態で偏波面保存型光ファイバからの出力光の偏波消
光比を確認を行ない、値が規格を満足している場合、フ
ェルール１３をねじ１６にてフェルールホルダ１５に固
定し、レンズホルダ８とフェルールホルダ１５を接合す
る。偏波消光比の値が規格を満足していない場合には、
再度偏波面保存型光ファイバ９のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の光
軸調整を行ない前記方法にて偏波消光比の値を確認す
る。この確認方法により、正確な偏波消光比の値を短時
間で確認することが可能である。
る偏波面保存型光ファイバ９は、図６に示す通り曲げる
ことにより、スロー軸１１ａとファースト軸１１ｂの偏
波の干渉が容易に発生し易いことから、この発明による
偏波消光比の確認方法は、偏波面保存型光ファイバ９の
Ｘ、Ｙ、Ｚ経由方向の光軸調整を行ない、偏波面保存型
光ファイバ９からの出力光の光出力を所定の値に調整し
た後、偏波面保存型光ファイバ９を曲げてスロー軸１１
ａとファースト軸１１ｂの偏波の干渉を大きく発生させ
た状態で偏波面保存型光ファイバからの出力光の偏波消
光比を確認を行ない、値が規格を満足している場合、フ
ェルール１３をねじ１６にてフェルールホルダ１５に固
定し、レンズホルダ８とフェルールホルダ１５を接合す
る。偏波消光比の値が規格を満足していない場合には、
再度偏波面保存型光ファイバ９のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の光
軸調整を行ない前記方法にて偏波消光比の値を確認す
る。この確認方法により、正確な偏波消光比の値を短時
間で確認することが可能である。
【００２１】
【数１】
【００２２】数１は、偏波面保存型光ファイバ９のある
曲げ半径における１巻き当たりの位相差を算出するため
の数式であり、図４に示す適性値を数１に代入すること
により図６の結果が得られる。
曲げ半径における１巻き当たりの位相差を算出するため
の数式であり、図４に示す適性値を数１に代入すること
により図６の結果が得られる。
【００２３】実施の形態３．図７はこの発明の実施の形
態３を示すものであり、単一モードレーザーの干渉強度
の算出根拠の適性値を示すものである。
態３を示すものであり、単一モードレーザーの干渉強度
の算出根拠の適性値を示すものである。
【００２４】図８はこの発明の実施の形態３を示すもの
であり、単一モードレーザーの干渉強度と２光束間の遅
れ時間の関係を示すものである。図において、縦軸は干
渉強度を横軸はスロー軸とファースト軸の２光束間の遅
れ時間を示す。
であり、単一モードレーザーの干渉強度と２光束間の遅
れ時間の関係を示すものである。図において、縦軸は干
渉強度を横軸はスロー軸とファースト軸の２光束間の遅
れ時間を示す。
【００２５】数２に示すように、２光束間の遅れ時間τ
ｄは偏波面保存型光ファイバ９の構造により一定である
ことから、スペクトル線幅Δｆが小さい程干渉強度ｉは
大きくなる。光半導体素子モジュールを通常使用する状
態即ち、発光素子１をスペクトル線幅が小さい１０×１
０6 Ｈｚとなる電流にて駆動した場合、ここで使用する
偏波面保存型光ファイバ９の２光束間の遅れ時間が１．
９１×１０-12 ｓｅｃであることから、干渉強度の値は
１となる。この発明による偏波消光比の確認方法は、発
光素子１を通常使用する状態即ち、スペクトル線幅が小
さい１０×１０6 Ｈｚとなる電流にて駆動し、偏波面保
存型光ファイバ９のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の光軸調整を行な
い、偏波面保存型光ファイバ９からの出力光の先出力を
所定の値に調整した後、発光素子１を例えば、２．６×
１０13Ｈｚとスペクトル線幅の大きくなるしきい値以下
の電流にて駆動させて偏波面保存型光ファイバからの出
力光の偏波消光比の確認を行ない、値が規格を満足して
いる場合、フェルール１３をねじ１６にてフェルールホ
ルダ１５に固定し、レンズホルダ８とフェルールホルダ
１５を溶接により接合する。偏波消光比の値が規格を満
足していない場合には、再度前記方法にて偏波面保存型
光ファイバ９のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の光軸調整を行ない偏
波消光比の値を確認する。この確認方法により、正確な
偏波消光比の値を短時間で確認することが可能である。
ｄは偏波面保存型光ファイバ９の構造により一定である
ことから、スペクトル線幅Δｆが小さい程干渉強度ｉは
大きくなる。光半導体素子モジュールを通常使用する状
態即ち、発光素子１をスペクトル線幅が小さい１０×１
０6 Ｈｚとなる電流にて駆動した場合、ここで使用する
偏波面保存型光ファイバ９の２光束間の遅れ時間が１．
９１×１０-12 ｓｅｃであることから、干渉強度の値は
１となる。この発明による偏波消光比の確認方法は、発
光素子１を通常使用する状態即ち、スペクトル線幅が小
さい１０×１０6 Ｈｚとなる電流にて駆動し、偏波面保
存型光ファイバ９のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の光軸調整を行な
い、偏波面保存型光ファイバ９からの出力光の先出力を
所定の値に調整した後、発光素子１を例えば、２．６×
１０13Ｈｚとスペクトル線幅の大きくなるしきい値以下
の電流にて駆動させて偏波面保存型光ファイバからの出
力光の偏波消光比の確認を行ない、値が規格を満足して
いる場合、フェルール１３をねじ１６にてフェルールホ
ルダ１５に固定し、レンズホルダ８とフェルールホルダ
１５を溶接により接合する。偏波消光比の値が規格を満
足していない場合には、再度前記方法にて偏波面保存型
光ファイバ９のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向の光軸調整を行ない偏
波消光比の値を確認する。この確認方法により、正確な
偏波消光比の値を短時間で確認することが可能である。
【００２６】
【数２】
【００２７】数２は、通常使用する状態でのスペクトル
線幅と、しきい値以下の状態でのスペクトル線幅の、あ
る２光束間の遅れ時間における干渉強度を算出するため
の数式であり、図７に示す適正値を数２に代入すること
により図８の結果が得られる。
線幅と、しきい値以下の状態でのスペクトル線幅の、あ
る２光束間の遅れ時間における干渉強度を算出するため
の数式であり、図７に示す適正値を数２に代入すること
により図８の結果が得られる。
【００２８】
【発明の効果】この発明によれば、偏波面保存型光ファ
イバの光軸調整時において、光出力を所定の値となるよ
うに調整することにより、高い偏波消光比を得ることが
でき、さらにフェルールをフェルールホルダに固定する
際の偏波消光比の劣化を抑制した光半導体素子モジュー
ルが得られる。
イバの光軸調整時において、光出力を所定の値となるよ
うに調整することにより、高い偏波消光比を得ることが
でき、さらにフェルールをフェルールホルダに固定する
際の偏波消光比の劣化を抑制した光半導体素子モジュー
ルが得られる。
【００２９】また、この発明は偏波面保存型光ファイバ
の光軸調整時における偏波消光比の値の変動を抑制し、
正確な偏波消光比の値を短時間で確認することができる
光半導体素子モジュールを得られる。
の光軸調整時における偏波消光比の値の変動を抑制し、
正確な偏波消光比の値を短時間で確認することができる
光半導体素子モジュールを得られる。
【００３０】また上記実施の形態では、アイソレーター
に入射した光が４５度回転して出射される場合について
示したが、アイソレーターを２個便用して９０度回転し
て出射される場合についても同等の効果が得られる。
に入射した光が４５度回転して出射される場合について
示したが、アイソレーターを２個便用して９０度回転し
て出射される場合についても同等の効果が得られる。
【図１】 この発明による光半導体素子モジュールの実
施の形態１を示す断面図、ＡーＡ’線断面正面図及び、
Ｂ部の拡大図である。
施の形態１を示す断面図、ＡーＡ’線断面正面図及び、
Ｂ部の拡大図である。
【図２】 この発明による光半導体素子モジュールの実
施の形態１を示すファイバ端末部の断面図、Ａ部矢視図
及び、Ｂ部拡大図である。
施の形態１を示すファイバ端末部の断面図、Ａ部矢視図
及び、Ｂ部拡大図である。
【図３】 この発明による光半導体素子モジュールの実
施の形態１の外力付加位置に対する偏波消光比の変動を
示す図である。
施の形態１の外力付加位置に対する偏波消光比の変動を
示す図である。
【図４】 この発明による光半導体素子モジュールの偏
波消光比の確認方法の実施の形態２を示す適正値の表で
ある。
波消光比の確認方法の実施の形態２を示す適正値の表で
ある。
【図５】 この発明による光半導体素子モジュールの偏
波消光比の確認方法の実施の形態２を示す偏波面保存型
光ファイバの１巻きの形状を示す図である。
波消光比の確認方法の実施の形態２を示す偏波面保存型
光ファイバの１巻きの形状を示す図である。
【図６】 この発明による光半導体素子モジュールの偏
波消光比の確認方法の実施の形態２の偏波面保存型光フ
ァイバの曲げによるスロー軸と、ファースト軸の位相差
の関係を示す図である。
波消光比の確認方法の実施の形態２の偏波面保存型光フ
ァイバの曲げによるスロー軸と、ファースト軸の位相差
の関係を示す図である。
【図７】 この発明による光半導体素子モジュールの偏
波消光比の確認方法の実施の形態３を示す適正値の表で
ある。
波消光比の確認方法の実施の形態３を示す適正値の表で
ある。
【図８】 この発明による光半導体素子モジュールの偏
波消光比の確認方法の実施の形態３を示す単一モードレ
ーザーの干渉強度と２光束間の遅れ時間の関係を示す図
である。
波消光比の確認方法の実施の形態３を示す単一モードレ
ーザーの干渉強度と２光束間の遅れ時間の関係を示す図
である。
【図９】 従来の光半導体素子モジュールを示す断面
図、Ａ−Ａ’線断面正面図及び、Ｂ部の拡大図である。
図、Ａ−Ａ’線断面正面図及び、Ｂ部の拡大図である。
１ 発光素子、２ 出射光、３ 第１のレンズ、４ パ
ッケージ、５ 窓、６アイソレーター、７ 第２のレン
ズ、８ レンズホルダ、９ 偏波面保存型光ファイバ、
１０ａ 応力付与部、１０ｂ 応力付与部、１１ａ ス
ロー軸、１１ｂ ファースト軸、１２ 光の偏光方向、
１３ フェルール、１４ 頂点、１５フェルールホル
ダ、１６ ねじ。
ッケージ、５ 窓、６アイソレーター、７ 第２のレン
ズ、８ レンズホルダ、９ 偏波面保存型光ファイバ、
１０ａ 応力付与部、１０ｂ 応力付与部、１１ａ ス
ロー軸、１１ｂ ファースト軸、１２ 光の偏光方向、
１３ フェルール、１４ 頂点、１５フェルールホル
ダ、１６ ねじ。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体レーザ等の発光素子と、前記発光
素子の出射光を集光する第１のレンズと、前記発光素子
及び、前記第１のレンズを保持するためのパッケージ
と、前記発光素子の出射光のうち特定な方位角の光を通
過させるアイソレーターと、前記アイソレーターを通過
した前記発光素子の出射光を集光する第２のレンズと、
前記第２のレンズを保持するレンズホルダと、前記第２
のレンズを通過した前記発光素子の出射光が入射する偏
波面保存型光ファイバと、前記偏波面保存型光ファイバ
を保持するフェルールと、前記フェルールを保持するフ
ェルールホルダとを有する光半導体素子モジュールにお
いて、前記偏波面保存型光ファイバに入射する光の偏光
方向と、前記偏波面保存型光ファイバに施されている応
力付与部の中心を結んだスロー軸とが一致するように、
前記偏波面保存型光ファイバを保持したことを特徴とす
る光半導体素子モジュール。 - 【請求項２】 前記フェルールの円周方向からの外力付
加位置を前記偏波面保存型光ファイバの偏波消光比劣化
量の小さい外力付加位置とし、当該外力付加位置で前記
フェルールと前記フェルールホルダを保持したことを特
徴とする請求項１記載の光半導体素子モジュール。 - 【請求項３】 半導体レーザ等の発光素子と、前記発光
素子の出射光を集光する第１のレンズと、前記発光素子
及び、前記第１のレンズを保持するためのパッケージ
と、前記発光素子の出射光のうち特定な方位角の光を通
過させるアイソレータ−と、前記アイソレーターを通過
した前記発光素子の出射光を集光する第２のレンズと、
前記第２のレンズを保持するレンズホルダと、前記第２
のレンズを通過した前記発光素子の出射光が入射する偏
波面保存型光ファイバと、前記偏波面保存型光ファイバ
を保持するフェルールと、前記フェルールを保持するフ
ェルールホルダとを有する光半導体素子モジュールの光
軸調整時の偏波消光比の確認方法において、前記偏波面
保存型光ファイバを曲げ、偏波の干渉を大きく発生させ
た状態で、前記偏波面保存型光ファイバからの出力光の
偏波消光比を確認するようにしたことを特徴とする光半
導体素子モジュールの偏波消光比の確認方法。 - 【請求項４】 半導体レーザ等の発光素子と、前記発光
素子の出射光を集光する第１のレンズと、前記発光素子
及び、前記第１のレンズを保持するためのパッケージ
と、前記発光素子の出射光のうち特定な方位角の光を通
過させるアイソレーターと、前記アイソレーターを通過
した前記発光素子の出射光を集光する第２のレンズと、
前記第２のレンズを保持するレンズホルダと、前記第２
のレンズを通過した前記発光素子の出射光が入射する偏
波面保存型光ファイバと、前記偏波面保存型光ファイバ
を保持するフェルールと、前記フェルールを保持するフ
ェルールホルダとを有する光半導体素子モジュールの光
軸調整時の偏波消光比の確認方法において、しきい値以
下の電流で前記発光素子を駆動させ、前記偏波面保存型
光ファイバからの出力光の偏波消光比を確認するように
したことを特徴とする光半導体素子モジュールの偏波消
光比の確認方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2585798A JPH11223748A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 光半導体素子モジュール及び、偏波消光比の確認方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2585798A JPH11223748A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 光半導体素子モジュール及び、偏波消光比の確認方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11223748A true JPH11223748A (ja) | 1999-08-17 |
Family
ID=12177502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2585798A Pending JPH11223748A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 光半導体素子モジュール及び、偏波消光比の確認方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11223748A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101923188A (zh) * | 2010-06-22 | 2010-12-22 | 上海亨通光电科技有限公司 | 保偏光纤应力定轴方法 |
| CN106291806A (zh) * | 2016-09-05 | 2017-01-04 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 调节带连接头的保偏光纤工作轴向的方法及连接头 |
-
1998
- 1998-02-06 JP JP2585798A patent/JPH11223748A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101923188A (zh) * | 2010-06-22 | 2010-12-22 | 上海亨通光电科技有限公司 | 保偏光纤应力定轴方法 |
| CN106291806A (zh) * | 2016-09-05 | 2017-01-04 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 调节带连接头的保偏光纤工作轴向的方法及连接头 |
| CN106291806B (zh) * | 2016-09-05 | 2018-11-13 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 调节带连接头的保偏光纤工作轴向的方法及连接头 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040309 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |