JPH11223646A - Measuring method and device for volume resistivity of ceramic - Google Patents
Measuring method and device for volume resistivity of ceramicInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明が属する技術分野】本発明は、セラミックス基材
の所定領域の体積抵抗率を測定するための方法に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for measuring a volume resistivity of a predetermined region of a ceramic substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在、半導体ウエハーの搬送、露光、化
学的気相成長法、物理的気相成長法、スパッタリング等
の成膜プロセス、微細加工、洗浄、プラズマエッチン
グ、ダイシング等の工程において、半導体ウエハーを吸
着し、保持するために、静電チャックが使用されてい
る。こうした静電チャックの基材として、緻密質セラミ
ックスが注目されており、特に急激な温度変化によって
破壊しないような耐熱衝撃性を備えている材料として、
緻密質の窒化アルミニウム、窒化珪素、アルミナ等が注
目されている。2. Description of the Related Art At present, semiconductor wafers are transported, exposed, chemically vapor-grown, physically vapor-grown, sputtered, and other film-forming processes, microfabrication, cleaning, plasma etching, dicing, and the like. Electrostatic chucks have been used to attract and hold wafers. Dense ceramics have attracted attention as a base material for such electrostatic chucks, and as a material having thermal shock resistance that does not break down due to sudden temperature changes,
Attention has been focused on dense aluminum nitride, silicon nitride, alumina, and the like.
【０００３】また、ホットプレス法によるセラミックス
の加圧焼成法は、窒化珪素、炭化珪素、窒化アルミニウ
ム等の各種のセラミックスの焼結のために使用されてき
ている。本出願人は、特開平５−３１８４２７号公報に
おいて、スリーブの内側面と、パンチの成形体と接触す
る表面とを、グラファイトホイル等の耐熱性箔片によっ
て被覆することを提案した。また、本出願人は、特願平
７−２１８１５８号明細書において、セラミックスヒー
ター、セラミックス静電チャック、セラミックス高周波
電極装置、セラミックスサセプター等の半導体製造用装
置の基材を製造するために、窒化アルミニウムセラミッ
クスをホットプレスすることを開示している。この公報
に記載の方法においては、型内に窒化アルミニウム粉末
の成形体を収容するのに際して、成形体とスリーブとの
間、成形体とスペーサーとの間に、グラファイトホイル
を被覆し、この被覆によって成形体の周囲の雰囲気を制
御し、成形体とスリーブおよびスペーサーとの反応を防
止している。[0003] A pressure firing method of ceramics by a hot press method has been used for sintering various ceramics such as silicon nitride, silicon carbide, and aluminum nitride. The present applicant has proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-318427 that the inner surface of the sleeve and the surface that comes into contact with the molded body of the punch are covered with a heat-resistant foil piece such as graphite foil. Also, the applicant of the present application has disclosed in Japanese Patent Application No. 7-218158, aluminum nitride to manufacture a base material of a semiconductor manufacturing device such as a ceramic heater, a ceramic electrostatic chuck, a ceramic high-frequency electrode device, and a ceramic susceptor. It discloses hot pressing ceramics. In the method described in this publication, when a molded body of aluminum nitride powder is accommodated in a mold, a graphite foil is coated between the molded body and the sleeve, and between the molded body and the spacer. The atmosphere around the molding is controlled to prevent the reaction between the molding, the sleeve and the spacer.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、こうした方法
によって、ホットプレス法で、静電チャック電極等の金
属電極が埋設されたセラミックス部材を量産していく過
程で、次の問題点が新たに発生してくることが判明し
た。即ち、例えば静電チャックを製造する際には、前述
の方法で電極の埋設されたセラミックス基材を作製した
後、各製品について、この基材の体積抵抗率を一定の範
囲内に制御する必要がある。なぜなら、静電チャックに
おいては、その基材、特に電極と半導体ウエハーとの間
にある絶縁性誘電層の体積抵抗率によって半導体ウエハ
ーの吸着力が定まるからである。しかし、実際に静電チ
ャックを製造した後で、その基材の体積抵抗率を正確に
測定することは困難であった。However, the following problems newly arise in the process of mass-producing ceramic members in which metal electrodes such as electrostatic chuck electrodes are embedded by the hot press method by such a method. It turned out to be. That is, for example, when manufacturing an electrostatic chuck, it is necessary to control the volume resistivity of this base material within a certain range for each product after preparing the ceramic base material in which the electrodes are embedded by the method described above. There is. This is because in an electrostatic chuck, the attraction force of the semiconductor wafer is determined by the volume resistivity of the base material, particularly the insulating dielectric layer between the electrode and the semiconductor wafer. However, it has been difficult to accurately measure the volume resistivity of the substrate after actually manufacturing the electrostatic chuck.
【０００５】本発明者は、ＪＩＳ Ｃ２１４１に記載さ
れている体積抵抗率の測定方法によって、静電チャック
の絶縁層誘電層の体積抵抗率を測定することを試みた。
この方法では、基本的に、円盤形状の試料を目的物から
切り出し、この試料の表面に電流測定用主電極とガード
電極を設け、裏面に電圧印加用電極を設け、電流測定用
主電極と電圧印加用電極との間に所定の電圧を印加し、
各電極間に流れる電流の大きさを測定する。しかし、こ
の方法では、静電チャックの元になる焼成体から試料を
切り出す必要があるので、その焼成体は破壊される。The present inventor tried to measure the volume resistivity of the dielectric layer of the insulating layer of the electrostatic chuck by the method of measuring the volume resistivity described in JIS C2141.
In this method, a disk-shaped sample is basically cut out from an object, a main electrode for current measurement and a guard electrode are provided on the surface of the sample, a voltage application electrode is provided on the back surface, and the main electrode for current measurement is Apply a predetermined voltage between the application electrode and
The magnitude of the current flowing between each electrode is measured. However, in this method, since it is necessary to cut out a sample from a fired body that is a source of the electrostatic chuck, the fired body is destroyed.
【０００６】本発明の課題は、セラミックス基材の所定
領域の体積抵抗率を測定するための新たな方法を提供す
ることである。An object of the present invention is to provide a new method for measuring the volume resistivity of a predetermined region of a ceramic substrate.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミックス
基材の所定領域の体積抵抗率を測定するための方法であ
って、セラミックス基材中に所定領域に隣接して電気伝
導体を埋設し、所定領域の表面側に、電圧印加用電極、
電流測定用主電極およびこの電流測定用主電極と電圧印
加用電極とを電気的に遮蔽するガード電極を設け、電圧
印加用電極から電気伝導体を介して電流測定用主電極に
対して電流を流し、この電流値を測定することによって
所定領域の体積抵抗率を測定することを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a method for measuring the volume resistivity of a predetermined area of a ceramic substrate, wherein an electric conductor is embedded in the ceramic substrate adjacent to the predetermined area. , A voltage application electrode on the surface side of the predetermined area,
A main electrode for current measurement and a guard electrode for electrically shielding the main electrode for current measurement and the electrode for voltage application are provided, and a current is supplied from the electrode for voltage application to the main electrode for current measurement via an electric conductor. The volume resistivity of a predetermined region is measured by measuring the current value.
【０００８】本発明によれば、後述するように、セラミ
ックス基材の所定領域の体積抵抗率を、基材から試料を
切り出すことなく、正確に測定することができる。According to the present invention, as described later, the volume resistivity of a predetermined region of a ceramic base can be accurately measured without cutting out a sample from the base.
【０００９】本発明のセラミックス部材は、特に半導体
製造用装置として有用であり、例えば、セラミックス基
材中に抵抗発熱体を埋設したセラミックスヒーター、基
材中に静電チャック用電極を埋設したセラミック静電チ
ャック、基材中に抵抗発熱体と静電チャック用電極を埋
設した静電チャック付きヒーター、基材中にプラズマ発
生用電極を埋設した高周波発生用電極装置のような、能
動型装置として有用である。The ceramic member of the present invention is particularly useful as an apparatus for manufacturing semiconductors. For example, a ceramic heater in which a resistance heating element is embedded in a ceramic substrate, and a ceramic static electrode in which an electrode for electrostatic chuck is embedded in a substrate. Useful as active devices, such as electric chucks, heaters with electrostatic chucks in which resistance heating elements and electrodes for electrostatic chucks are embedded in the base material, and high-frequency generation electrode devices in which the electrodes for plasma generation are embedded in the base material It is.
【００１０】電気伝導体は、好ましくは、基材を構成す
るセラミックスの焼成温度で安定な高融点金属、例えば
タンタル，タングステン，モリブデン，白金，レニウ
ム、ハフニウム及びこれらの合金によって形成する。基
材を構成するセラミックスとしては、窒化アルミニウ
ム、窒化珪素、炭化珪素、窒化ホウ素、アルミナ等を例
示できる。The electric conductor is preferably formed of a metal having a high melting point, such as tantalum, tungsten, molybdenum, platinum, rhenium, hafnium, or an alloy thereof, which is stable at the firing temperature of the ceramic constituting the base material. Examples of the ceramic constituting the base material include aluminum nitride, silicon nitride, silicon carbide, boron nitride, and alumina.
【００１１】基材中に所定領域と隣接して埋設する電気
伝導体は、印刷法によって形成された電気伝導体であっ
てよく、また金属バルク体であってよい。The electric conductor buried adjacent to the predetermined area in the base material may be an electric conductor formed by a printing method, or may be a bulk metal body.
【００１２】金属バルク体としては、次のものを例示で
きる。 （１）平板状の金属バルク体。 （２）平板状の金属バルク体の中に多数の小空間が形成
されているもの。これには、多数の小孔を有する板状体
からなる金属バルク体や、網状の金属バルク体を含む。
多数の小孔を有する板状体としては、エッチングメタ
ル、パンチングメタルを例示できる。Examples of the metal bulk body include the following. (1) A flat metal bulk body. (2) A large number of small spaces are formed in a flat metal bulk. This includes a metal bulk body composed of a plate-like body having a large number of small holes and a net-shaped metal bulk body.
Examples of the plate having a large number of small holes include an etching metal and a punching metal.
【００１３】体積抵抗率を測定するべき所定領域の形態
は限定されないが、好ましくは、平板状の領域であり、
所定領域の表面が平面状である。Although the form of the predetermined area where the volume resistivity is to be measured is not limited, it is preferably a flat area.
The surface of the predetermined area is planar.
【００１４】以下、図面を参照しつつ、更に具体的に説
明する。図１、図２は、それぞれ、本発明の測定方法を
概略的に示す模式的断面図である。Hereinafter, a more specific description will be given with reference to the drawings. 1 and 2 are schematic cross-sectional views schematically showing the measurement method of the present invention.
【００１５】盤状のセラミックス製品１の基材２の内部
に、好ましくは平板状の金属バルク体からなる電気伝導
体３が埋設されている。電気伝導体３はセラミックス基
材中にセラミックスと共に一体焼結されており、電気伝
導体３の周囲のセラミックスには継ぎ目ないし接合面が
ない。基材２は、裏面２ｂ側にある厚さの大きい本体部
分４と、表面２ａ側にある厚さが小さい所定領域５とか
らなる。An electric conductor 3, preferably made of a flat metal bulk, is embedded in a base material 2 of a disc-shaped ceramic product 1. The electric conductor 3 is integrally sintered together with the ceramic in the ceramic base material, and the ceramic around the electric conductor 3 has no joint or joint surface. The substrate 2 includes a main body portion 4 having a large thickness on the back surface 2b side and a predetermined region 5 having a small thickness on the front surface 2a side.
【００１６】所定領域５の表面２ａ側には、電圧印加用
電極６、電流測定用主電極８、およびガード電極７が形
成されている。ガード電極７は、電流測定用主電極８の
全周を包囲しており、これによって電流測定用主電極８
と電圧印加用電極６とを電気的に遮蔽している。電圧印
加用電極６上、電流測定用主電極８上、ガード電極７上
には、それぞれ、端子９、１１、１０が設置されてお
り、電気的に接続されている。端子９は直流電源１２に
接続されており、端子１０はアース１５に接続されてお
り、端子１１は電流計１４に接続されている。On the surface 2a side of the predetermined region 5, a voltage application electrode 6, a current measurement main electrode 8, and a guard electrode 7 are formed. The guard electrode 7 surrounds the entire circumference of the main electrode 8 for current measurement, and thereby the main electrode 8 for current measurement.
And the voltage application electrode 6 are electrically shielded. Terminals 9, 11, and 10 are provided on the voltage application electrode 6, the current measurement main electrode 8, and the guard electrode 7, respectively, and are electrically connected. Terminal 9 is connected to DC power supply 12, terminal 10 is connected to ground 15, and terminal 11 is connected to ammeter 14.
【００１７】電圧印加用電極６および電流測定用主電極
８は、それぞれ、電気伝導体３に対して対向しており、
電気伝導体３はアースされておらず、絶縁性が相対的に
高い基材２内に埋設されている。この結果、電圧印加用
電極９から電気伝導体３に向かって矢印Ａのように電流
が流れ、電気伝導体３から電流測定用主電極８に向かっ
て矢印Ｂのように電流が流れる。この電流の大きさを電
流計１４によって測定し、次の式から所定領域５の体積
抵抗率を算出する。The voltage application electrode 6 and the current measurement main electrode 8 are opposed to the electric conductor 3, respectively.
The electric conductor 3 is not grounded and is buried in the base material 2 having a relatively high insulating property. As a result, a current flows from the voltage applying electrode 9 toward the electric conductor 3 as indicated by an arrow A, and a current flows from the electric conductor 3 toward the current measuring main electrode 8 as indicated by an arrow B. The magnitude of this current is measured by the ammeter 14, and the volume resistivity of the predetermined region 5 is calculated from the following equation.
【数１】ρV （Ω・ｍ）＝（Ａ／２ｄ）・ＲV （ρV は体積抵抗率（Ω・ｃｍ）であり、Ａは主電極の
面積（ｍ2 ）であり、ｄは所定領域５の厚み（ｃｍ）で
あり、ＲV は体積抵抗（Ω・ｃｍ）である。）Ρ V (Ω · m) = (A / 2d) · R V (ρ V is the volume resistivity (Ω · cm), A is the area of the main electrode (m 2 ), and d is The thickness (cm) of the predetermined region 5 and R V is the volume resistance (Ω · cm).)
【００１８】本発明によれば、所定領域の体積抵抗率の
みを他の部分とは切り離して非破壊で測定する新しい方
法を提供できる。そして、例えばセラミックス製品１が
静電チャックである場合には、所定領域５は絶縁性誘電
層であり、表面２ａは半導体ウエハーの吸着面である。
本体部分４には、まだ静電チャック電極３の端子を接続
していない。従って、本発明によれは、静電チャック電
極に接続される端子を基材２内に埋設する前に、絶縁性
誘電層５の体積抵抗率を測定することができる。According to the present invention, a new method for non-destructively measuring only the volume resistivity of a predetermined region separately from other portions can be provided. For example, when the ceramic product 1 is an electrostatic chuck, the predetermined region 5 is an insulating dielectric layer, and the surface 2a is a suction surface of a semiconductor wafer.
The terminals of the electrostatic chuck electrode 3 have not been connected to the main body portion 4 yet. Therefore, according to the present invention, the volume resistivity of the insulating dielectric layer 5 can be measured before the terminal connected to the electrostatic chuck electrode is embedded in the substrate 2.
【００１９】本発明においては、図２に示すように、電
圧印加用電極６の面積Ｃを、電流測定用主電極８の面積
Ｄの５倍以上とすることが特に好ましく、これによって
測定値のバラツキが一層小さくなることが判明した。こ
の理由は明らかではないが、電圧印加用電極６から所定
領域の表面に沿って流れる表面電流が影響しているかも
しれない。In the present invention, as shown in FIG. 2, it is particularly preferable that the area C of the voltage applying electrode 6 is at least five times the area D of the current measuring main electrode 8, thereby obtaining the measured value. It has been found that the variation becomes even smaller. Although the reason for this is not clear, the surface current flowing from the voltage application electrode 6 along the surface of the predetermined region may have an effect.
【００２０】[0020]
【実施例】以下、更に具体的な実験結果について述べ
る。 （実施例１）まず図２に示す形態の静電チャックを製造
した。具体的には、還元窒化法によって得られた窒化ア
ルミニウム粉末を使用し、この粉末にアクリル系樹脂バ
インダーを添加し、噴霧造粒装置によって造粒し、造粒
顆粒を得た。この造粒顆粒を成形し、直径２００ｍｍ、
厚さ３０ｍｍの円盤状予備成形体を作製した。この際、
成形体の中に電極を埋設した。この際の成形圧力を２０
０ｋｇ／ｃｍ2 とした。電極としては、モリブデン製の
金網を使用した。この金網としては、直径φ０．２０ｍ
のモリブデン線を、１インチ当たり５０本の密度で編ん
だ金網を使用した。EXAMPLES Hereinafter, more specific experimental results will be described. (Example 1) First, an electrostatic chuck having the form shown in FIG. 2 was manufactured. Specifically, an aluminum nitride powder obtained by a reduction nitriding method was used, an acrylic resin binder was added to the powder, and the mixture was granulated by a spray granulator to obtain granules. This granulated granule is molded and has a diameter of 200 mm.
A disc-shaped preform having a thickness of 30 mm was produced. On this occasion,
An electrode was embedded in the molded body. The molding pressure at this time is 20
0 kg / cm 2 . A molybdenum wire mesh was used as an electrode. The wire mesh has a diameter of 0.20m
Was used at a density of 50 wires per inch.
【００２１】この円盤状成形体をホットプレス型中に収
容し、密封した。昇温速度３００℃／時間で温度を上昇
させ、この際、室温〜１３００℃の温度範囲で減圧を行
った。この温度の上昇と同時にプレス圧力を上昇させ
た。最高温度を１９００℃とし、最高温度で５時間保持
し、焼結体を得た。この焼結体を機械加工し、更に仕上
げ加工して、絶縁性誘電層５の厚さを平均１ｍｍにし、
基材２の厚さを２０ｍｍにした。The disc-shaped compact was housed in a hot press mold and sealed. The temperature was increased at a rate of 300 ° C./hour, and the pressure was reduced in a temperature range from room temperature to 1300 ° C. The press pressure was raised at the same time as the temperature was raised. The maximum temperature was set to 1900 ° C., and maintained at the maximum temperature for 5 hours to obtain a sintered body. This sintered body is machined and further processed to make the thickness of the insulating dielectric layer 5 1 mm on average,
The thickness of the substrate 2 was set to 20 mm.
【００２２】次いで、ナミックス株式会社製の銀ペース
ト「ユニメック導電ペースト」を使用し、各電極６、
７、８を形成した。具体的には、各電極に対応する形態
となるように銀ペーストを塗布し、基材１を乾燥機内に
収容し、１５０℃で３０分間乾燥を行い、基材を室温ま
で冷却した。電圧印加用電極６は、５０ｍｍ×５０ｍｍ
の正方形とし、電流測定用主電極８は、１０ｍｍ×１０
ｍｍの正方形とし、ガード電極７は、幅５ｍｍとした。
電極６の中心と電極８の中心との距離を１００ｍｍとし
た。Next, using a silver paste "Unimec conductive paste" manufactured by Namics Corporation, each electrode 6,
Nos. 7 and 8 were formed. Specifically, a silver paste was applied so as to have a form corresponding to each electrode, the substrate 1 was accommodated in a drier, dried at 150 ° C. for 30 minutes, and the substrate was cooled to room temperature. The electrode 6 for voltage application is 50 mm × 50 mm
And the main electrode 8 for current measurement is 10 mm × 10
mm, and the guard electrode 7 had a width of 5 mm.
The distance between the center of the electrode 6 and the center of the electrode 8 was 100 mm.
【００２３】各電極の上にステンレス製の端子９、１
０、１１を載せ、電極９と１１との間に１１００ボルト
の電圧を印加した。印加電圧の大きさは、絶縁性誘電層
５内における電界強度が５００Ｖ／ｍｍとなるように、
設定した。電圧の印加を開始してから６０秒後に、電流
測定用主電極８からアースに流れる電流値を測定した。
この測定を合計６回繰り返して行い、この際１回ごとに
電圧の極性を変更した。１、２回目の測定値はバラツキ
か多いので排除し，３−６回目の測定値を採用し、その
平均値から体積抵抗率を算出したところ、１．３×１０
12Ω・ｃｍであった。A stainless steel terminal 9, 1 is placed on each electrode.
0 and 11 were placed, and a voltage of 1100 volts was applied between the electrodes 9 and 11. The magnitude of the applied voltage is set so that the electric field strength in the insulating dielectric layer 5 becomes 500 V / mm.
Set. Sixty seconds after the start of voltage application, the value of the current flowing from the current measuring main electrode 8 to the ground was measured.
This measurement was repeated six times in total, and the polarity of the voltage was changed each time. The first and second measured values were excluded because they varied widely, the 3rd to 6th measured values were adopted, and the volume resistivity was calculated from the average value.
It was 12 Ω · cm.
【００２４】次に、絶縁性誘電層５から試料を切り出
し、ＪＩＳ Ｃ２１４１に従って体積抵抗率を測定し
た。印加電圧の大きさは、絶縁性誘電層５内における電
界強度が５００Ｖ／ｍｍとなるように、設定した。この
結果、１．２×１０12Ω・ｃｍであった。Next, a sample was cut out from the insulating dielectric layer 5 and its volume resistivity was measured in accordance with JIS C2141. The magnitude of the applied voltage was set so that the electric field strength in the insulating dielectric layer 5 was 500 V / mm. As a result, it was 1.2 × 10 12 Ω · cm.
【００２５】（実施例２）実施例１と同様にして静電チ
ャックを製造し、その誘電層の体積抵抗率を測定した。
ただし、電圧印加用電極６は直径２０ｍｍの円形とし、
電流測定用主電極１１は直径５．６４ｍｍの円形とし
た。この時の体積抵抗率の測定値は３．２×１０11Ω・
ｃｍであった。Example 2 An electrostatic chuck was manufactured in the same manner as in Example 1, and the volume resistivity of the dielectric layer was measured.
However, the voltage applying electrode 6 is a circle having a diameter of 20 mm,
The current measuring main electrode 11 was a circle having a diameter of 5.64 mm. At this time, the measured value of the volume resistivity was 3.2 × 10 11 Ω ·
cm.
【００２６】次に、絶縁性誘電層５から寸法３０ｍｍ×
３０ｍｍ×０．９５ｍｍの試料を切り出し、ＪＩＳ Ｃ
２１４１に従って体積抵抗率を測定した。印加電圧の大
きさは、絶縁性誘電層５内における電界強度が５００Ｖ
／ｍｍとなるように、設定した。この結果、２．９×１
０11Ω・ｃｍであった。Next, a size of 30 mm ×
A sample of 30 mm x 0.95 mm was cut out and JIS C
The volume resistivity was measured according to 2141. The magnitude of the applied voltage is such that the electric field strength in the insulating dielectric layer 5 is 500 V
/ Mm. As a result, 2.9 × 1
0 11 Ω · cm.
【００２７】（実施例３）実施例１において、電流測定
用主電極８を、１０ｍｍ×１０ｍｍの正方形とし、電圧
印加用電極６を正方形とし、その各辺の長さを、表１に
示すように１０−５０ｍｍの間で変更した。そして、各
例について、実施例１と同様にして体積抵抗率を測定
し、同様の測定を５セット繰り返した時のこれらの体積
抵抗率の平均値、および最大値と最小値を表１に示す。Example 3 In Example 1, the current measuring main electrode 8 was a square of 10 mm × 10 mm, the voltage applying electrode 6 was a square, and the length of each side was as shown in Table 1. Between 10 and 50 mm. Then, for each example, the volume resistivity was measured in the same manner as in Example 1, and the average value, the maximum value, and the minimum value of these volume resistivity when five sets of the same measurement were repeated are shown in Table 1. .
【００２８】[0028]
【表１】 [Table 1]
【００２９】表１の結果から分かるように、電圧印加用
電極６の面積を電流測定用主電極７の面積よりも大きく
し、特には５倍以上とすることによって、体積抵抗率の
測定値のバラツキが一層小さくなる。As can be seen from the results in Table 1, the area of the voltage application electrode 6 is made larger than the area of the current measurement main electrode 7, and in particular, 5 times or more, so that the measured value of the volume resistivity can be reduced. Variations are further reduced.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、セ
ラミックス基材の所定領域の体積抵抗率を測定するため
の新たな方法を提供できる。As described above, according to the present invention, a new method for measuring the volume resistivity of a predetermined region of a ceramic substrate can be provided.
【図１】本発明の一実施形態に係るセラミックス基材の
体積抵抗率の測定方法を示すための概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a method for measuring a volume resistivity of a ceramic base material according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の他の一実施形態に係るセラミックス基
材の体積抵抗率の測定方法を示すための概略断面図であ
り、電圧印加用電極６の面積Ｃが電流測定用主電極８の
面積Ｄよりも大きい。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a method for measuring a volume resistivity of a ceramic base material according to another embodiment of the present invention, wherein an area C of a voltage application electrode 6 is equal to that of a current measurement main electrode 8; It is larger than the area D.
【符号の説明】 １ セラミックス製品，２ セラミックス基材，３ 電
気伝導体，４ 基材の本体部分，５ 基材の所定領域，
６ 電圧印加用電極，７ ガード電極，８ 電流測定用
主電極，９、１０、１１ 端子，１２ 直流電源，１４
電流計，１５ アース[Description of Signs] 1 ceramic product, 2 ceramic base material, 3 electric conductor, 4 main body portion of base material, 5 predetermined area of base material,
6 Voltage application electrode, 7 Guard electrode, 8 Current measurement main electrode, 9, 10, 11 terminals, 12 DC power supply, 14
Ammeter, 15 ground
Claims (6)
を測定するための方法であって、 前記セラミックス基材中に前記所定領域に隣接して電気
伝導体を埋設し、前記所定領域の表面側に、電圧印加用
電極、電流測定用主電極およびこの電流測定用主電極と
前記電圧印加用電極とを電気的に遮蔽するガード電極を
設け、前記電圧印加用電極から前記電気伝導体を介して
前記電流測定用主電極に対して電流を流し、この電流値
を測定することによって前記所定領域の体積抵抗率を測
定することを特徴とする、セラミックスの体積抵抗率の
測定方法。1. A method for measuring a volume resistivity of a predetermined region of a ceramic substrate, comprising: burying an electric conductor adjacent to the predetermined region in the ceramic substrate; On the side, a voltage application electrode, a current measurement main electrode and a guard electrode for electrically shielding the current measurement main electrode and the voltage application electrode are provided, and the guard electrode is provided from the voltage application electrode via the electric conductor. Flowing a current to the main electrode for current measurement, and measuring the value of the current to measure the volume resistivity of the predetermined region.
壊することなく測定することを特徴とする、請求項１記
載のセラミックスの体積抵抗率の測定方法。2. The method for measuring a volume resistivity of a ceramic according to claim 1, wherein the volume resistivity of the predetermined region is measured without breaking the substrate.
体を前記基材の外部に対して電気的に接続することな
く、前記所定領域の体積抵抗率を測定することを特徴と
する、請求項１または２記載のセラミックスの体積抵抗
率の測定方法。3. The volume resistivity of the predetermined area is measured without electrically connecting the electric conductor embedded in the base to the outside of the base. The method for measuring the volume resistivity of a ceramic according to claim 1 or 2.
用主電極の面積の５倍以上、２５倍以下であることを特
徴とする、請求項１−３のいずれか一つの請求項に記載
のセラミックスの体積抵抗率の測定方法。4. The method according to claim 1, wherein an area of said voltage applying electrode is not less than 5 times and not more than 25 times of an area of said current measuring main electrode. The method for measuring the volume resistivity of the ceramics described.
を測定するための装置であって、 前記セラミックス基材中に前記所定領域に隣接して埋設
されている電気伝導体、前記所定領域の表面側に設けら
れている電圧印加用電極、前記所定領域の表面側に設け
られている電流測定用主電極、この電流測定用主電極と
前記電圧印加用電極とを電気的に遮蔽するガード電極、
前記電圧印加用電極に接続されている直流電源および前
記電流測定用主電極に接続されている直流電流計を備え
ており、前記電圧印加用電極から前記電気伝導体を介し
て前記電流測定用主電極に対して電流を流し、この電流
値を測定することによって前記所定領域の体積抵抗率を
測定することを特徴とする、セラミックスの体積抵抗率
の測定装置。5. An apparatus for measuring a volume resistivity of a predetermined area of a ceramic substrate, comprising: an electric conductor embedded in the ceramic substrate adjacent to the predetermined area; A voltage application electrode provided on the front surface side, a current measurement main electrode provided on the surface side of the predetermined region, a guard electrode for electrically shielding the current measurement main electrode and the voltage application electrode ,
A DC ammeter connected to the voltage applying electrode and a DC ammeter connected to the current measuring main electrode, wherein the DC current meter is connected to the voltage measuring electrode via the electric conductor. An apparatus for measuring the volume resistivity of ceramics, characterized in that a current is applied to an electrode, and the current value is measured to measure the volume resistivity of the predetermined region.
ことを特徴とする、請求項５記載のセラミックスの体積
抵抗率の測定装置。6. An apparatus for measuring the volume resistivity of ceramic according to claim 5, wherein said electric conductor is an electrostatic chuck electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2538398A JPH11223646A (en) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | Measuring method and device for volume resistivity of ceramic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2538398A JPH11223646A (en) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | Measuring method and device for volume resistivity of ceramic |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11223646A true JPH11223646A (en) | 1999-08-17 |
Family
ID=12164353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2538398A Withdrawn JPH11223646A (en) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | Measuring method and device for volume resistivity of ceramic |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11223646A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008151581A (en) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Ngk Insulators Ltd | Apparatus for measuring volume resistivity of dielectric layer in electrostatic chuck and measuring method using the same |
| CN104678181A (en) * | 2015-03-23 | 2015-06-03 | 攀钢集团研究院有限公司 | Method for measuring resistivity of steel rail |
-
1998
- 1998-02-06 JP JP2538398A patent/JPH11223646A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100936205B1 (en) * | 2006-12-15 | 2010-01-11 | 니뽄 가이시 가부시키가이샤 | Volume resistivity measurement apparatus for dielectric layer of electrostatic chuck and measurement method using the same |
| US7710130B2 (en) | 2006-12-15 | 2010-05-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Volume resistivity measurement apparatus for dielectric layer of electrostatic chuck and measurement method using the apparatus |
| CN104678181A (en) * | 2015-03-23 | 2015-06-03 | 攀钢集团研究院有限公司 | Method for measuring resistivity of steel rail |
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