JPH11218783A - Production of thin-film element and production of liquid crystal display device - Google Patents

Production of thin-film element and production of liquid crystal display device

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JPH11218783A
JPH11218783A JP2205398A JP2205398A JPH11218783A JP H11218783 A JPH11218783 A JP H11218783A JP 2205398 A JP2205398 A JP 2205398A JP 2205398 A JP2205398 A JP 2205398A JP H11218783 A JPH11218783 A JP H11218783A
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JP
Japan
Prior art keywords
resin film
thin film
photosensitive resin
conductive thin
source electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP2205398A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiko Tanabe
佳彦 田辺
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH11218783A publication Critical patent/JPH11218783A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To embody the fine processing of contact holes and to improve the aperture ratio of a liquid crystal display device having high fineness and high density by improving the alignment accuracy of a conductive thin film to pattern shapes at the time of forming the contact holes in a photpsensitive resin film insulating the conductive thin film. SOLUTION: The photosensitive acrylic resin film 12 of the region [B] smaller than the pattern of a source electrode 28 in a source electrode 28 region is exposed and is then subjected to development by an alkaline soln. With the exposed region [B] removed by etching as a start, the alkaline soln. is penetrated between the photosensitive acrylic resin film 12 and the source electrode 28 and the photosensitive acrylic resin film 12 of the shape nearly resembling the shape of the pattern region [A] of the source electrode 28 by the weakness of the adhesion property to the alkaline soln. between the photosensitive acrylic resin film 12 and the source electrode 28 is peeled and removed, by which the contact hole 31 is formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、導電性薄膜を感光
性樹脂膜にて絶縁してなる薄膜素子の導電性薄膜上方に
形成されるコンタクトホール形成方法に関する。また本
発明は、感光性樹脂膜を介しスイッチング素子上方に形
成されるマトリクス状の画素電極を有してなる液晶表示
装置及び液晶表示装置の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a contact hole formed above a conductive thin film of a thin film element in which a conductive thin film is insulated by a photosensitive resin film. Further, the present invention relates to a liquid crystal display device having a matrix-shaped pixel electrode formed above a switching element via a photosensitive resin film, and a method of manufacturing the liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、液晶表示装置の画素の高精細化・
高密度化に伴い、構成材料の微細加工技術が求められて
いる。画素の高精細化は、液晶表示装置の表示領域にお
ける単位面積当たりの画素数を増加することにより達成
されるが、この画素数の増加は単位面積当たりの配線パ
ターンを増加することから、遮光領域の拡大を招く事と
も成り、結果的に画素の開口率を低下していた。
2. Description of the Related Art In recent years, the resolution of pixels of a liquid crystal display device has been increased.
With the increase in density, fine processing technology for constituent materials is required. Higher definition of pixels is achieved by increasing the number of pixels per unit area in the display area of the liquid crystal display device. However, this increase in the number of pixels increases the number of wiring patterns per unit area. And the aperture ratio of the pixel is reduced as a result.

【0003】このような画素の高精細化を得ようとする
と開口率の低下を来してしまうという相反する関係を改
善する手段のーつとして、特開平9−236826の様
に、アレイ基板上の画素電極を、厚みを持った絶縁膜を
間に挟んで配線上方に配置し、開口率の向上を図る方法
がある。このような画素電極を配線上方に配置する構造
に使用される絶縁膜には、上記の見かけの開口率の改善
といった役割の他に、配線層の凹凸による液晶表示装置
の表示むらを解消するための平坦化層の役割をも担って
いる。このため従来は、配線及び画素電極間に介在され
る絶縁膜として、厚膜化が容易な感光性有機樹脂膜が一
般に使用されている。
As one means for improving the conflicting relationship of reducing the aperture ratio in order to obtain such a high definition pixel, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-236826, There is a method of improving the aperture ratio by disposing the pixel electrode above the wiring with a thick insulating film interposed therebetween. The insulating film used for such a structure in which the pixel electrodes are arranged above the wirings has a role of improving the apparent aperture ratio as well as eliminating display unevenness of the liquid crystal display device due to unevenness of the wiring layer. Also plays the role of a flattening layer. For this reason, conventionally, a photosensitive organic resin film, which can be easily thickened, is generally used as an insulating film interposed between the wiring and the pixel electrode.

【0004】そして絶縁膜を介して配線上方に画素電極
を配置してなる構造を有するアレイ基板にあっては、絶
縁膜に画素電極及び配線間を結ぶコンタクトホールと称
される穴を形成し、このコンタクトホールにより、画素
コンタクトと称される配線及び画素電極間の電気的接続
を行っている。
In an array substrate having a structure in which a pixel electrode is arranged above a wiring via an insulating film, a hole called a contact hole connecting the pixel electrode and the wiring is formed in the insulating film. These contact holes provide electrical connection between a wiring called a pixel contact and a pixel electrode.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来、絶縁膜を介して
配線上方に画素電極を配置してなるアレイ基板は、絶縁
膜に形成されるコンタクトホールを介し配線及び画素電
極間の電気的接続を行うが、液晶表示装置の高精細化に
伴う構成材料の微細化の要求に従い、コンタクトホール
のパターン形成時、配線とのより高精度な位置合わせ技
術の確立が求められている。
Conventionally, an array substrate in which pixel electrodes are arranged above wirings with an insulating film interposed between the wirings and the pixel electrodes through contact holes formed in the insulating film. However, in accordance with the demand for miniaturization of the constituent material accompanying the high definition of the liquid crystal display device, it is required to establish a technique for more accurate alignment with the wiring when forming the pattern of the contact hole.

【0006】しかしながら、絶縁膜である感光性樹脂膜
は、アレイ基板の平坦化を図るために1〜6μm程度に
厚膜化される事を要求されるので、コンタクトホールを
パタ−ニングする際のレンズによる露光位置合わせの焦
点深度が深くなり、下層のアライメントマークへの高精
細な位置合わせが困難であるという問題がある。
However, the photosensitive resin film, which is an insulating film, is required to be thickened to about 1 to 6 μm in order to planarize the array substrate. There is a problem that the depth of focus of the exposure alignment by the lens becomes deep, and it is difficult to perform high-precision alignment with the lower alignment mark.

【0007】さらに、膜厚が1〜6μmと厚い感光性樹
脂膜をパタ−ニングするのに必要な露光量、すなわち露
光にかかる時間は、一般的なフォトレジストの数十倍を
要してしまうという問題も生じている。
Furthermore, the amount of exposure required for patterning a photosensitive resin film having a large thickness of 1 to 6 μm, that is, the time required for exposure, is several tens of times that of a general photoresist. The problem has arisen.

【0008】このため、前者の問題を解決するよう、感
光性樹脂膜が塗布された基板を載置するステージの移動
の機械的精度を向上させたり、或いはステージと向き合
うように設置された位置合わせ用のカメラの焦点方向の
レンズ移動の機械的精度を向上させ、オートフォーカス
の信頼度を増して位置精度を向上させている。又後者の
問題に対しては、感光性樹脂膜の露光終了後から現像開
始までの時間を短縮することにより全体としての製造時
間の短縮を図ったり、現像工程において、現像液濃度、
現像時間、シャワー圧力等の調整を行うことにより露光
時間の短縮を図るという方法が検討されている。
[0008] Therefore, in order to solve the former problem, the mechanical accuracy of the movement of the stage on which the substrate coated with the photosensitive resin film is mounted is improved, or the positioning provided so as to face the stage is performed. It improves the mechanical accuracy of the lens movement in the focal direction of the camera, and increases the reliability of the autofocus to improve the position accuracy. For the latter problem, the overall manufacturing time can be reduced by shortening the time from the end of exposure of the photosensitive resin film to the start of development.
A method of shortening the exposure time by adjusting the development time, shower pressure, and the like has been studied.

【0009】しかしながら、前者の位置合わせ精度に対
する対策としてのステージ或いはレンズの移動の機械的
精度の向上によるオートフォーカスの信頼性の向上には
限界があり、膜厚が1μm以上になると、焦点深度が深
くなり十分な精度を得られないという問題を依然として
残す一方、オートフォーカス時のエラーによる再調整が
発生されると、位置合わせに時間を要するという問題も
生じている。又後者の露光時間短縮を図る対策に関して
は、結果的に現像性能の低下をもたらすおそれを生じて
いた。
However, there is a limit in improving the reliability of autofocusing by improving the mechanical accuracy of the stage or lens movement as a measure against the former positioning accuracy. When the film thickness is 1 μm or more, the depth of focus is reduced. On the other hand, while the problem that the depth becomes too deep to obtain sufficient accuracy still remains, if a re-adjustment occurs due to an error during autofocusing, there also arises a problem that it takes time for alignment. As for the latter measure for shortening the exposure time, there has been a possibility that the developing performance may be reduced as a result.

【0010】そこで本発明は上記課題を除去するもの
で、コンタクトホールのパターンの位置合わせに長時間
を要する事無く且つ高い位置合わせ精度を得られると共
に、感光性樹脂膜の膜厚の増大に拘わらず、現像性能を
低下する事無く効率の良いパターニングを行える薄膜素
子のコンタクトホール形成方法、液晶表示装置及び液晶
表示装置の製造方法を提供する事を目的とする。
In view of the above, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to obtain a high alignment accuracy without requiring a long time for alignment of a contact hole pattern, and to increase the thickness of a photosensitive resin film. It is another object of the present invention to provide a method of forming a contact hole in a thin film element, a liquid crystal display device, and a method of manufacturing a liquid crystal display device, which can perform efficient patterning without deteriorating developing performance.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
する為の手段として、絶縁性基板上に所定パターンの導
電性薄膜をパターン形成する第1の工程と、前記導電性
薄膜を覆って絶縁性の感光性樹脂膜を成膜する第2の工
程と、前記感光性樹脂膜を露光した後現像液に浸すこと
により前記導電性薄膜上にコンタクトホールを形成する
第3の工程と、前記コンタクトホールを介して前記導電
性薄膜と接続される電極パターンを形成する第4の工程
とを具備し、前記感光性樹脂膜と前記導電性薄膜との間
の現像液に対する密着性が前記感光性樹脂膜と前記絶縁
性基板との間の現像液に対する密着性よりも弱く、前記
第3の工程において前記導電性薄膜パターンよりも小さ
い領域に露光した後前記感光性樹脂膜を現像液に浸すも
のである。
According to the present invention, as a means for solving the above-mentioned problems, a first step of patterning a conductive thin film having a predetermined pattern on an insulating substrate, A second step of forming an insulating photosensitive resin film, a third step of forming a contact hole on the conductive thin film by immersing the photosensitive resin film in a developer after exposing the photosensitive resin film, A fourth step of forming an electrode pattern connected to the conductive thin film via a contact hole, wherein the adhesion between the photosensitive resin film and the conductive thin film with respect to a developing solution is the photosensitive sensitivity. A method of dipping the photosensitive resin film in a developing solution after exposing to an area smaller than the conductive thin film pattern in the third step, which is weaker in adhesion to a developing solution between the resin film and the insulating substrate. It is.

【0012】又本発明は上記課題を解決する為の手段と
して、絶縁性基板上に配置される信号線及びこの信号線
と交差するよう配置される走査線との交点に配列される
スイッチング素子の所定パターンを有する導電性薄膜か
らなる接続領域に接続されマトリクス状に配置される画
素電極を有するアレイ基板及び、対向電極を有し前記ア
レイ基板に対向されする対向基板並びに、前記アレイ基
板及び前記対向基板の間に封入される液晶組成物とを有
する液晶表示装置の製造方法において、前記絶縁性基板
上に前記信号線及び前記走査線並びに前記スイッチング
素子をパターン形成する第1の工程と、前記信号線及び
前記走査線並びに前記スイッチング素子を覆って絶縁性
の感光性樹脂膜を成膜する第2の工程と、前記感光性樹
脂膜を露光した後現像液に浸すことにより前記導電性薄
膜上にコンタクトホールを形成する第3の工程と、前記
コンタクトホールを介して前記導電性薄膜と接続される
電極パターンを形成する第4の工程とを具備し、前記感
光性樹脂膜と前記導電性薄膜との間の現像液に対する密
着性が前記感光性樹脂膜と前記絶縁性基板との間の現像
液に対する密着性よりも弱く、前記第3の工程において
前記導電性薄膜パターンよりも小さい領域に露光した後
前記感光性樹脂膜を現像液に浸すものである。
According to the present invention, as a means for solving the above problems, a switching element arranged at an intersection of a signal line arranged on an insulating substrate and a scanning line arranged to intersect the signal line is provided. An array substrate having pixel electrodes connected to a connection region formed of a conductive thin film having a predetermined pattern and arranged in a matrix, a counter substrate having a counter electrode and facing the array substrate, and the array substrate and the counter A method of manufacturing a liquid crystal display device having a liquid crystal composition sealed between substrates, a first step of patterning the signal lines, the scanning lines, and the switching elements on the insulating substrate; A second step of forming an insulating photosensitive resin film covering the lines, the scanning lines, and the switching elements; and after exposing the photosensitive resin film to light. A third step of forming a contact hole on the conductive thin film by immersing in an image liquid; and a fourth step of forming an electrode pattern connected to the conductive thin film via the contact hole. The adhesiveness to the developer between the photosensitive resin film and the conductive thin film is weaker than the adhesiveness to the developer between the photosensitive resin film and the insulating substrate, and in the third step, After exposing an area smaller than the conductive thin film pattern, the photosensitive resin film is immersed in a developer.

【0013】そしてこの様な構成により本発明は、導電
性薄膜のパターン領域内において導電性薄膜及び感光性
樹脂膜の間に現像液を浸透させ、両膜間の密着性の弱さ
を利用して導電性薄膜のパターン領域内にて導電性薄膜
のパターンとほぼ相似形状の領域の感光性樹脂膜を剥離
除去することにより、感光性樹脂膜の膜厚の増大に拘わ
らず、位置合わせ精度に優れ且つ、現像性を損なう事無
く露光時間の短縮を可能とするコンタクトホールのパタ
−ニングを行うものである。
With such a configuration, the present invention allows a developer to penetrate between the conductive thin film and the photosensitive resin film in the conductive thin film pattern region, and utilizes the weak adhesion between the two films. In the pattern area of the conductive thin film, the photosensitive resin film in the area substantially similar in shape to the conductive thin film pattern is peeled off, so that the alignment accuracy can be improved regardless of the increase in the thickness of the photosensitive resin film. It is intended to perform contact hole patterning which is excellent and can shorten the exposure time without deteriorating the developability.

【0014】更に本発明は、導電性薄膜及び感光性樹脂
膜の間に現像液を浸透させるきっかけとして、導電性薄
膜のパターンより小さい領域の感光性樹脂膜を露光し、
現像時にはこの露光領域からアルカリ性溶液を浸透さ
せ、導電性薄膜のパターン領域内にて導電性薄膜のパタ
ーンとほぼ相似形状の領域を剥離除去することにより、
感光性樹脂膜の膜厚の増大に拘わらず、位置合わせ精度
に優れたコンタクトホールのパタ−ニングを行うもので
ある。
Further, according to the present invention, the photosensitive resin film in a region smaller than the pattern of the conductive thin film is exposed, as a trigger for penetrating the developer between the conductive thin film and the photosensitive resin film,
At the time of development, an alkaline solution is permeated from this exposed area, and in the pattern area of the conductive thin film, a region almost similar in shape to the pattern of the conductive thin film is peeled and removed.
The contact hole patterning with excellent alignment accuracy is performed regardless of the increase in the thickness of the photosensitive resin film.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の第1の実施の形態
を図1乃至図3を参照して説明する。10は、アクティ
ブマトリクス型の液晶表示装置の液晶表示パネルであ
り、スイッチング素子としてゲート上置き型のTFT1
1を用い、TFT11及び信号線26、走査線22上方
に成膜される感光性樹脂膜でありアルカリ可溶性の感光
性アクリル樹脂膜12を介し画素電極13がパターン形
成されるアレイ基板14と、対向基板16との間に液晶
組成物17を封入して成っている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Reference numeral 10 denotes a liquid crystal display panel of an active matrix type liquid crystal display device.
1 and an array substrate 14 on which the pixel electrodes 13 are patterned through a photosensitive acrylic resin film 12 which is a photosensitive resin film which is a photosensitive resin film formed above the TFT 11, the signal line 26, and the scanning line 22. The liquid crystal composition 17 is sealed between the substrate 16 and the substrate 16.

【0016】アレイ基板14は、透明絶縁基板18上に
活性層20a及び、活性層20aに不純物をドーピング
して成るドレイン領域20bとソース領域20cとを有
する半導体層20がパターン形成され、この半導体層2
0上には酸化シリコン(SiO2 )薄膜からなるゲート
絶縁膜21を介しモリブデン−タングステン(MoW)
合金薄膜からなり走査線22と一体のゲート電極23が
形成されている。
In the array substrate 14, a semiconductor layer 20 having an active layer 20a and a drain region 20b and a source region 20c obtained by doping the active layer 20a with impurities is formed on a transparent insulating substrate 18 by patterning. 2
On molybdenum-tungsten (MoW) via a gate insulating film 21 made of a silicon oxide (SiO 2 ) thin film
A gate electrode 23 made of an alloy thin film and integrated with the scanning line 22 is formed.

【0017】更に酸化シリコン(SiO2 )からなる絶
縁性基板である層間絶縁膜24を成膜した上には、厚さ
1000オングストロームのモリブデン−タングステン
(MoW)合金薄膜からなり、映像信号が供給される信
号線26と一体のドレイン電極27、接続領域であるソ
ース電極28が所定パターンに形成され、コンタクトホ
ール27a、28aを介しそれぞれドレイン領域20
b、ソース領域20cに接続され、TFT11を形成し
ている。このTFT11及び信号線26を形成した上に
は、厚さ2μmの感光性アクリル樹脂膜12を介しイン
ジウム錫酸化物(以下ITOと称する。)からなる画素
電極13がパターン形成され、ソース電極28領域内に
て、ソース電極28とほぼ相似形状に形成されるコンタ
クトホール31を介しソース電極28に接続されてい
る。ここで層間絶縁膜24と感光性アクリル樹脂膜12
との密着力に比し、ソース電極28と感光性アクリル樹
脂膜12との密着力の方が弱くされている。尚32は配
向膜である。
Further, an interlayer insulating film 24, which is an insulating substrate made of silicon oxide (SiO 2 ), is formed, and a molybdenum-tungsten (MoW) alloy thin film having a thickness of 1000 angstroms is supplied with a video signal. A drain electrode 27 integral with the signal line 26 and a source electrode 28 as a connection region are formed in a predetermined pattern, and the drain region 20 is formed through contact holes 27a and 28a, respectively.
b, connected to the source region 20c to form the TFT 11. On the TFT 11 and the signal line 26 formed, a pixel electrode 13 made of indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO) is pattern-formed via a photosensitive acrylic resin film 12 having a thickness of 2 μm. Is connected to the source electrode 28 via a contact hole 31 formed in a substantially similar shape to the source electrode 28. Here, the interlayer insulating film 24 and the photosensitive acrylic resin film 12
The adhesion between the source electrode 28 and the photosensitive acrylic resin film 12 is weaker than the adhesion between the source electrode 28 and the photosensitive acrylic resin film 12. 32 is an alignment film.

【0018】又対向基板16は、透明絶縁基板33上に
ITOからなる対向電極34及び配向膜36を有してい
る。又37、38は、偏光板である。
The opposing substrate 16 has an opposing electrode 34 made of ITO and an alignment film 36 on a transparent insulating substrate 33. Reference numerals 37 and 38 denote polarizing plates.

【0019】次にアレイ基板14上にて画素電極13を
ソース電極28と電気的に接続するためのコンタクトホ
ール31の製造方法について述べる。先ず透明絶縁基板
18上にて、TFT11を形成する。尚TFT11のソ
ース電極28は、層間絶縁膜24上に図3(a)に示す
ようにモリブデン−タングステン(MoW)合金薄膜2
8´をスパッタ装置を用いて1000オングストローム
の厚さに成膜した後、図3(b)に示すようにフォトリ
ソグラフィ技術により[SF6]ガスを用いたRIE
(リアクティブオンエッチング)装置を用いてエッチン
グする第1の工程を経て所定形状にパターン形成されて
なる。
Next, a method of manufacturing a contact hole 31 for electrically connecting the pixel electrode 13 to the source electrode 28 on the array substrate 14 will be described. First, the TFT 11 is formed on the transparent insulating substrate 18. The source electrode 28 of the TFT 11 is formed on the interlayer insulating film 24 by a molybdenum-tungsten (MoW) alloy thin film 2 as shown in FIG.
8 'was formed to a thickness of 1000 Å using a sputtering apparatus, and then RIE using [SF6] gas by photolithography as shown in FIG.
(Reactive-On Etching) A pattern is formed in a predetermined shape through a first step of etching using an apparatus.

【0020】次に図3(c)に示すようにソース電極2
8を有するTFT11上に、感光性アクリル樹脂膜12
をスピンコート法により2μmの厚さに塗布し第2の工
程を実施する。この後図3(d)に示す様に、ソース電
極28のパターン領域[A]内において、このパターン
領域[A]よりも小さい領域[B]の感光性アクリル樹
脂膜12をフォトマスク40を用いて露光する。なお、
モリブデン−タングステン(MoW)合金薄膜のパタ−
ニングに使用するフォトマスクと、感光性アクリル樹脂
のパタ−ニングに使用するフォトマスクは、各々別のフ
ォトマスクを用意しても良いが、同じフォトマスクを使
用することもできる。
Next, as shown in FIG.
A photosensitive acrylic resin film 12 on a TFT 11 having
Is applied to a thickness of 2 μm by spin coating, and the second step is performed. Thereafter, as shown in FIG. 3D, in the pattern region [A] of the source electrode 28, the photosensitive acrylic resin film 12 in a region [B] smaller than the pattern region [A] is formed using a photomask 40. Exposure. In addition,
Molybdenum-tungsten (MoW) alloy thin film pattern
Different photomasks may be prepared for the photomask used for the patterning and the photomask used for the patterning of the photosensitive acrylic resin, or the same photomask may be used.

【0021】次に、露光された感光性アクリル樹脂膜1
2をアルカリ性溶液によって現像する。この感光性アク
リル樹脂膜12の現像の際、アルカリ性溶液によってエ
ッチング除去された領域[B]から、ソース電極28の
パターン領域[A]内における感光性アクリル樹脂膜1
2とソース電極28との間にアルカリ性溶液が浸透し、
この浸透したアルカリ性溶液が、領域[A]のソース電
極28上の感光性アクリル樹脂膜12に剥離するきっか
けを与える。即ち現像時、ソース電極28と感光性アク
リル樹脂膜12との間のアルカリ性溶液に対する密着性
の弱さにより、ソース電極28上の感光性アクリル樹脂
膜12が図3(e)に示すように剥離除去され、ソース
電極28上にはソース電極28とほぼ相似形状のコンタ
クトホール31が形成される第3の工程が成される。尚
ここでの密着性とは、現像時間・現像液濃度に対する感
光性アクリル樹脂の剥離耐性を意味する。又層間絶縁膜
24上にあっては、層間絶縁膜24と感光性アクリル樹
脂膜12との間の密着性が高いことから、感光性アクリ
ル樹脂膜12の剥離を生じることは無い。
Next, the exposed photosensitive acrylic resin film 1
2 is developed with an alkaline solution. During the development of the photosensitive acrylic resin film 12, the photosensitive acrylic resin film 1 in the pattern region [A] of the source electrode 28 starts from the region [B] etched away by the alkaline solution.
The alkaline solution permeates between 2 and the source electrode 28,
The permeated alkaline solution gives a trigger to peel the photosensitive acrylic resin film 12 on the source electrode 28 in the region [A]. That is, at the time of development, the photosensitive acrylic resin film 12 on the source electrode 28 is peeled off as shown in FIG. 3 (e) due to the weak adhesion between the source electrode 28 and the photosensitive acrylic resin film 12 with an alkaline solution. The third step is performed in which the contact hole 31 having a substantially similar shape to the source electrode 28 is formed on the source electrode 28 after being removed. Here, the term "adhesion" means the peeling resistance of the photosensitive acrylic resin with respect to the developing time and the concentration of the developing solution. On the interlayer insulating film 24, since the adhesion between the interlayer insulating film 24 and the photosensitive acrylic resin film 12 is high, the photosensitive acrylic resin film 12 does not peel off.

【0022】次いで感光性アクリル樹脂膜12を焼成し
た後、図3(f)に示すようにスパッタ装置を用いて感
光性アクリル樹脂膜12上にITOを推積し、パタ−ニ
ングして画素電極13を形成し第4の工程を終了する。
更に配向膜32を塗布してアレイ基板14を完成する。
Next, after the photosensitive acrylic resin film 12 is baked, ITO is deposited on the photosensitive acrylic resin film 12 by using a sputtering device as shown in FIG. 13, and the fourth step is completed.
Further, an alignment film 32 is applied to complete the array substrate 14.

【0023】そしてアレイ基板14周辺部にシール剤
(図示せず)を塗布すると共に、画素領域にスペーサ
(図示せず)を散布し、配向膜32、36が向かい合う
よう、アレイ基板14と対向基板16とを一定の間隙を
保持して張り合わせ、両基板14、16間の間隙に液晶
組成物17を注入し、偏光板37、38を取着して液晶
表示パネル10を作製する。更に、図示しない外部駆動
回路もしくは同一基板上に形成された内部駆動回路を接
続し、バックライトもしくは投影装置を配置して液晶表
示装置を完成する。
Then, a sealant (not shown) is applied to the periphery of the array substrate 14 and a spacer (not shown) is sprayed on the pixel area so that the array substrate 14 and the counter substrate are opposed so that the alignment films 32 and 36 face each other. The liquid crystal display panel 10 is manufactured by injecting the liquid crystal composition 17 into the gap between the substrates 14 and 16 and attaching the polarizing plates 37 and 38 thereto. Further, an external drive circuit (not shown) or an internal drive circuit formed on the same substrate is connected, and a backlight or a projection device is arranged to complete a liquid crystal display device.

【0024】このように構成すれば、良好な絶縁性及び
平坦化性を得るため感光性アクリル樹脂膜12が厚膜化
されるにも拘わらず、ソース電極28と感光性アクリル
樹脂膜12間のアルカリ溶液に対する密着性の弱さを利
用して、ソース電極28領域内にて、ソース電極28よ
り小さい領域を露光後、アルカリ性溶液で現像すること
により、ソース電極28上方の感光性アクリル樹脂膜1
2を、ソース電極28とほぼ相似形状に剥離除去出来、
ソース電極28に対する位置合わせ精度の高いコンタク
トホール31を形成することができる。従って、従来の
ように移動の機械精度が高いステージやカメラを用い時
間をかけて位置合わせ操作をする事無く、ソース電極2
8のパターン形状に合わせてコンタクトホール31を容
易に微細加工出来、高精細・高密度の液晶表示装置にお
いても高開口率を保持でき、コントラストの良い高品位
の画像を得られる。
According to this structure, although the photosensitive acrylic resin film 12 is made thicker in order to obtain good insulation and flatness, the distance between the source electrode 28 and the photosensitive acrylic resin film 12 is increased. The photosensitive acrylic resin film 1 above the source electrode 28 is exposed by exposing a region smaller than the source electrode 28 in the region of the source electrode 28 and developing with an alkaline solution by utilizing the weak adhesion to the alkaline solution.
2 can be peeled and removed in a shape substantially similar to the source electrode 28,
A contact hole 31 with high positioning accuracy with respect to the source electrode 28 can be formed. Therefore, the source electrode 2 can be used without performing a time-consuming alignment operation using a stage or a camera having a high mechanical precision of movement as in the related art.
The contact hole 31 can be easily finely processed in accordance with the pattern shape of No. 8, and a high aperture ratio can be maintained even in a high-definition and high-density liquid crystal display device, and a high-quality image with good contrast can be obtained.

【0025】しかも、コンタクトホール31形成のため
の露光領域は[B]は、ソース電極28と感光性アクリ
ル樹脂膜12間のアルカリ性溶液に対する密着性の弱さ
により感光性アクリル樹脂膜12を剥離除去するきっか
けを与える程度の領域で良いことから、狭い領域に集中
して露光照射することにより、従来のようにコンタクト
ホール全域に露光する場合に比し、露光時間の短縮を図
れ、感光性アクリル樹脂膜12の厚膜化に拘わらず露光
時間の短縮を図れ、生産性を向上できる。
In addition, the exposed area for forming the contact hole 31 is [B] in which the photosensitive acrylic resin film 12 is peeled off due to the weak adhesion between the source electrode 28 and the photosensitive acrylic resin film 12 to an alkaline solution. The exposure time can be shortened compared to the conventional case where the entire contact hole is exposed by irradiating the exposure light in a narrow area, because the exposure area is enough to give Exposure time can be reduced irrespective of the thickness of the film 12, and productivity can be improved.

【0026】次に本発明の第2の実施の形態を図4及び
図5を参照して説明する。本実施の形態は、第1の実施
の形態における層間絶縁膜を2層構造とし、更に上層の
層間絶縁膜をパターン形成して、この層間絶縁膜のパタ
ーン上にソース電極をパターン形成するものであり、他
は第1の実施の形態と同一であることから同一部分につ
いては同一符号を付し、その説明を省略する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, the interlayer insulating film in the first embodiment has a two-layer structure, an upper interlayer insulating film is patterned, and a source electrode is patterned on the interlayer insulating film. The other parts are the same as those of the first embodiment, and therefore, the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0027】本実施の形態においては、図6(a)に示
すようにソース電極51下方にてゲート電極23上に第
1の層間絶縁膜52を成膜し、更に窒化珪素(SiN)
からなる第2の層間絶縁膜53をCVD装置を用いて6
000オングストロームの厚さに成膜する。次に図6
(b)に示すように第2の層間絶縁膜53をフォトリソ
グラフィー法で所定の形状にパターン形成し、[CF
4]ガスを用いたCDE(ケミカルドライエッチング)
装置を使用して、第2の層間絶縁膜53にソース電極用
コンタクトホール54を形成する。
In this embodiment, as shown in FIG. 6A, a first interlayer insulating film 52 is formed below the source electrode 51 and on the gate electrode 23, and furthermore, silicon nitride (SiN)
The second interlayer insulating film 53 made of
A film is formed to a thickness of 000 angstroms. Next, FIG.
As shown in (b), the second interlayer insulating film 53 is patterned into a predetermined shape by photolithography, and [CF
4] CDE (chemical dry etching) using gas
Using a device, a contact hole 54 for a source electrode is formed in the second interlayer insulating film 53.

【0028】次いで第1の実施の形態と同様に、図6
(c)に示すようにコンタクトホール56aを介しソー
ス領域20cに接続されるソース電極56を所定パター
ンに形成しTFT11を形成する。但し、ソース電極5
6は第2の層間絶縁膜53のソース電極用コンタクトホ
ール54に沿って凹状に形成される。
Next, as in the first embodiment, FIG.
As shown in (c), the source electrode 56 connected to the source region 20c via the contact hole 56a is formed in a predetermined pattern, and the TFT 11 is formed. However, the source electrode 5
6 is formed in a concave shape along the source electrode contact hole 54 of the second interlayer insulating film 53.

【0029】このTFT11及び信号線26を形成した
上に図6(d)に示すように感光性アクリル樹脂膜12
を塗布し、図6(e)に示すように領域[B]を露光す
る。次いでアルカリ性溶液により現像を行い、エッチン
グ除去された領域[B]をきっかけにアルカリ性溶液を
感光性アクリル樹脂膜12とソース電極56との間に浸
透し、ソース電極56と感光性アクリル樹脂膜12との
間のアルカリ性溶液に対する密着性の弱さにより、ソー
ス電極56上の感光性アクリル樹脂膜12を剥離除去
し、図6(f)に示すようにソース電極56上にソース
電極56とほぼ相似形状のコンタクトホール57を形成
する。更に焼成後図6(g)に示すように画素電極58
をパターン形成してコンタクトホール57底面にて凹状
の窪みを有するソース電極56と導通させる。この後第
1の実施の形態と同様にしてアレイ基板59を作成し、
液晶表示パネル60を作製し、液晶表示装置を完成す
る。
After forming the TFT 11 and the signal line 26, the photosensitive acrylic resin film 12 is formed as shown in FIG.
Is applied, and the region [B] is exposed as shown in FIG. Next, development is carried out with an alkaline solution, and the alkaline solution penetrates between the photosensitive acrylic resin film 12 and the source electrode 56 by using the region [B] which has been removed by etching, so that the source electrode 56 and the photosensitive acrylic resin film 12 6A, the photosensitive acrylic resin film 12 on the source electrode 56 is peeled off due to the weak adhesiveness to the alkaline solution, and the source electrode 56 has a substantially similar shape to the source electrode 56 as shown in FIG. Is formed. Further, after firing, the pixel electrode 58 as shown in FIG.
Is formed in a pattern to make conduction with the source electrode 56 having a concave depression at the bottom surface of the contact hole 57. Thereafter, an array substrate 59 is formed in the same manner as in the first embodiment,
The liquid crystal display panel 60 is manufactured, and the liquid crystal display device is completed.

【0030】このように構成すれば、第1の実施の形態
と同様絶縁性に優れ且つ平坦化性を得るため感光性アク
リル樹脂膜12が厚膜化されるにも拘わらず、エッチン
グ除去される領域[B]をきっかけにソース電極56上
方の感光性アクリル樹脂膜12を剥離除去することによ
り、ソース電極56とほぼ相似形状のコンタクトホール
57を形成することができる。従って、従来のように移
動の機械的精度の高いステージやカメラを用い時間をか
けて位置合わせ操作する必要が無く、ソース電極56の
パターン形状に合わせてコンタクトホール57を容易に
微細加工出来、高精細・高密度の液晶表示装置において
も高開口率を保持でき、コントラストの良い高品位の画
像を得られる。
According to this structure, the photosensitive acrylic resin film 12 is removed by etching in order to obtain excellent flatness and excellent insulating properties as in the first embodiment, despite the fact that the photosensitive acrylic resin film 12 is thickened. By exfoliating and removing the photosensitive acrylic resin film 12 above the source electrode 56 using the region [B], a contact hole 57 having a substantially similar shape to the source electrode 56 can be formed. Therefore, there is no need to perform a time-consuming alignment operation using a stage or a camera having high mechanical precision of movement as in the conventional case, and the contact hole 57 can be easily finely processed in accordance with the pattern shape of the source electrode 56, and high A high aperture ratio can be maintained even in a fine and high-density liquid crystal display device, and a high-quality image with good contrast can be obtained.

【0031】しかも、コンタクトホール57形成のため
の露光領域は[B]は、感光性アクリル樹脂膜12を剥
離除去するきっかけを与える程度の領域で良いことか
ら、その厚膜化に拘わらず従来のようにコンタクトホー
ル全域に露光する場合に比し、露光時間の短縮を図れ、
生産性を向上できる。
In addition, since the exposure area for forming the contact hole 57 may be an area which provides a trigger for peeling and removing the photosensitive acrylic resin film 12, the conventional exposure area can be used regardless of the thickness. As compared with the case where the entire contact hole is exposed, the exposure time can be reduced,
Productivity can be improved.

【0032】更に、第1及び第2の2層の層間絶縁膜5
2、53を設け、第2の層間絶縁膜53に凹状のソース
電極用コンタクトホール54を形成して、ソース電極5
6に凹状の窪みを形成することにより、ソース電極56
及び画素電極58をテーパを有して接続でき、コンタク
トホール58にて生じる画素電極の段切れを抑制でき、
製造時の歩留まり向上を図れる。しかもソース電極56
及び画素電極58の接続部におけるテーパ角は、第2の
層間絶縁膜53に形成されるソース電極用コンタクトホ
ール54の大きさを調整することにより容易に得られ
る。
Further, first and second two-layer interlayer insulating films 5
2 and 53, and a concave source electrode contact hole 54 is formed in the second interlayer insulating film 53 to form a source electrode 5
6, a source electrode 56 is formed.
And the pixel electrode 58 can be connected with a taper, and the disconnection of the pixel electrode caused by the contact hole 58 can be suppressed.
The yield at the time of manufacturing can be improved. Moreover, the source electrode 56
The taper angle at the connection portion of the pixel electrode 58 can be easily obtained by adjusting the size of the source electrode contact hole 54 formed in the second interlayer insulating film 53.

【0033】尚本発明は上記実施の形態に限られるもの
でなく、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であっ
て、例えば導電性薄膜や感光性樹脂膜の材料は任意であ
る。又膜厚も限定されないが、例えば3μmの導電性薄
膜の段差を平坦化するのに感光性樹脂膜の膜厚は最低限
3.9μm必要であり、感光性樹脂膜を用いて導電性薄
膜を被覆する際の凹凸を小さくするには、導電性薄膜の
膜厚を感光性樹脂膜の1/1.3以下とすることが好ま
しい。尚、感光性樹脂膜の膜厚が、焦点深度が深いため
にカメラのオートフォーカスが問題となる1μm以上で
あれば、従来のカメラを用いてのパターン位置合わせ精
度に比し、本発明の効果であるパターン位置合わせ精度
の向上をより効果的に発揮することとなる。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be changed without departing from the spirit of the present invention. For example, the material of the conductive thin film or the photosensitive resin film is arbitrary. Although the thickness is not limited, for example, the thickness of the photosensitive resin film is required to be at least 3.9 μm in order to flatten the step of the conductive thin film of 3 μm. In order to reduce unevenness when coating, the thickness of the conductive thin film is preferably set to 1 / 1.3 or less of the photosensitive resin film. If the thickness of the photosensitive resin film is 1 μm or more, at which autofocus of the camera becomes a problem due to a large depth of focus, the effect of the present invention can be improved as compared with the pattern alignment accuracy using a conventional camera. That is, the improvement of the pattern alignment accuracy can be more effectively exhibited.

【0034】また絶縁性基板である層間絶縁膜の材質も
酸化窒素珪素(SiOxNy)等でも良いし、その膜厚
も限定されないが、第3の実施の形態において、段切れ
等のコンタクト不良や、カップリングによるクロストー
クの発生を抑制するためには、ソース電極用コンタクト
ホールが形成される第2の層間絶縁膜を3000〜10
000オングストロームとする事が好ましい。
The material of the interlayer insulating film, which is an insulating substrate, may be silicon nitride oxide (SiOxNy) or the like, and the thickness thereof is not limited. In order to suppress the occurrence of crosstalk due to coupling, the second interlayer insulating film in which the contact hole for the source electrode is formed must be formed in a thickness of 3000 to 10
Preferably, the thickness is set to 2,000 angstroms.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、所
定のパターンに形成される導電性薄膜上に感光性樹脂膜
を成膜した後、両膜間にアルカリ性溶液を浸透させるこ
とにより、両膜間のアルカリ性溶液に対する密着性の弱
さを利用して導電性薄膜領域上方の感光性樹脂膜を導電
性薄膜とほぼ相似形状に剥離除去出来、位置合わせ精度
の高いコンタクトホールをパタ−ニングできる事から、
従来のように移動の機械精度の高いステージやカメラを
要する事無く、また位置合わせのための時間も要せず、
コンタクトホールの微細加工性を向上出来、高精細・高
密度の液晶表示装置においても開口率が高く良好なコン
トラストを得られ、表示品位を向上できる。また、コン
タクトホール形成時、露光を行う事無く導電性薄膜及び
感光性樹脂膜間にアルカリ性溶液を浸透させる場合は勿
論の事、露光を行ったとしても導電性薄膜及び感光性樹
脂膜間にアルカリ性溶液を浸透させるきっかけを作るた
め、導電性薄膜領域の一部を露光するのみであり、その
露光時間を従来に比し短縮できる事から感光性樹脂膜の
厚膜化に拘わらず、生産性の低下を防止できる。
As described above, according to the present invention, a photosensitive resin film is formed on a conductive thin film formed in a predetermined pattern, and then an alkaline solution is permeated between the two films. The photosensitive resin film above the conductive thin film area can be peeled off and removed in a shape almost similar to the conductive thin film by utilizing the weak adhesion between the two films to an alkaline solution, and the contact hole with high positioning accuracy can be patterned. From what you can do,
There is no need for a stage or camera with high mechanical precision of movement as before, and no time for positioning is required,
The fine workability of the contact hole can be improved, and even in a high-definition and high-density liquid crystal display device, a high aperture ratio and a good contrast can be obtained, and the display quality can be improved. In addition, when forming the contact hole, not only when the alkaline solution is allowed to penetrate between the conductive thin film and the photosensitive resin film without performing the exposure, but also when the exposure is performed, the alkaline solution is formed between the conductive thin film and the photosensitive resin film. It only exposes a part of the conductive thin film area in order to make the solution penetrate, and the exposure time can be shortened compared with the conventional one. Drop can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の液晶表示パネルを
示す一部概略断面図である。
FIG. 1 is a partial schematic cross-sectional view illustrating a liquid crystal display panel according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態のアレイ基板を示す
一部概略平面図である。
FIG. 2 is a partial schematic plan view showing the array substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施の形態のコンタクトホール
形成工程を示し、(a)はその層間絶縁膜上にモリブデ
ン−タングステン(MoW)合金薄膜を成膜した状態を
示し、(b)はそのソース電極をパタ−ニングした状態
を示し、(c)はそのソース電極及び層間絶縁膜上に感
光性アクリル樹脂膜を成膜した状態を示し、(d)はそ
の感光性アクリル樹脂膜の露光状態を示し、(e)はそ
の感光性アクリル樹脂膜にコンタクトホールをパタ−ニ
ングした状態を示し、(f)はその画素電極をパターン
形成した状態を示す概略説明図である。
3A and 3B show a contact hole forming step according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3A shows a state in which a molybdenum-tungsten (MoW) alloy thin film is formed on the interlayer insulating film, and FIG. Shows a state in which the source electrode is patterned, (c) shows a state in which a photosensitive acrylic resin film is formed on the source electrode and the interlayer insulating film, and (d) shows a state in which the photosensitive acrylic resin film is formed. FIG. 3E is a schematic explanatory view showing an exposure state, FIG. 4E shows a state in which a contact hole is patterned in the photosensitive acrylic resin film, and FIG.

【図4】本発明の第2の実施の形態の液晶表示パネルを
示す一部概略断面図である。
FIG. 4 is a partial schematic cross-sectional view showing a liquid crystal display panel according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2の実施の形態のコンタクトホール
形成工程を示し、(a)はその第1及び第2の層間絶縁
膜を成膜した状態を示し、(b)はその第2の層間絶縁
膜にソース電極用コンタクトホールをパタ−ニングした
状態を示し、(c)はそのソース電極をパタ−ニングし
た状態を示し、(d)はそのソース電極及び層間絶縁膜
上に感光性アクリル樹脂膜を成膜した状態を示し、
(e)はその感光性アクリル樹脂膜の露光状態を示し、
(f)はその感光性アクリル樹脂膜にコンタクトホール
をパタ−ニングした状態を示し、(g)はその画素電極
をパターン形成した状態を示す概略説明図である。
5A and 5B show a contact hole forming step according to a second embodiment of the present invention, wherein FIG. 5A shows a state in which first and second interlayer insulating films are formed, and FIG. (C) shows a state in which a source electrode contact hole is patterned in the interlayer insulating film, (c) shows a state in which the source electrode is patterned, and (d) shows a photosensitive layer on the source electrode and the interlayer insulating film. The state in which the acrylic resin film is formed is shown,
(E) shows an exposure state of the photosensitive acrylic resin film,
(F) is a schematic explanatory view showing a state in which contact holes are patterned in the photosensitive acrylic resin film, and (g) is a schematic explanatory view showing a state in which the pixel electrodes are patterned.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…液晶表示パネル 11…TFT 12…感光性アクリル樹脂膜 13…画素電極 14…アレイ基板 16…対向基板 17…液晶組成物 20…半導体層 21…ゲート絶縁膜 22…走査線 23…ゲート電極 24…層間絶縁膜 26…信号線 27…ドレイン電極 28…ソース電極 31…コンタクトホール 40…フォトマスク DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Liquid crystal display panel 11 ... TFT 12 ... Photosensitive acrylic resin film 13 ... Pixel electrode 14 ... Array substrate 16 ... Counter substrate 17 ... Liquid crystal composition 20 ... Semiconductor layer 21 ... Gate insulating film 22 ... Scanning line 23 ... Gate electrode 24 ... interlayer insulating film 26 ... signal line 27 ... drain electrode 28 ... source electrode 31 ... contact hole 40 ... photomask

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁性基板上に所定パターンの導電性薄
膜をパターン形成する第1の工程と、前記導電性薄膜を
覆って絶縁性の感光性樹脂膜を成膜する第2の工程と、
前記感光性樹脂膜を露光した後現像液に浸すことにより
前記導電性薄膜上にコンタクトホールを形成する第3の
工程と、前記コンタクトホールを介して前記導電性薄膜
と接続される電極パターンを形成する第4の工程とを具
備し、前記感光性樹脂膜と前記導電性薄膜との間の現像
液に対する密着性が前記感光性樹脂膜と前記絶縁性基板
との間の現像液に対する密着性よりも弱く、前記第3の
工程において前記導電性薄膜パターンよりも小さい領域
に露光した後前記感光性樹脂膜を現像液に浸す事を特徴
とする薄膜素子の製造方法。
A first step of patterning a conductive thin film having a predetermined pattern on an insulating substrate; a second step of forming an insulating photosensitive resin film over the conductive thin film;
A third step of forming a contact hole on the conductive thin film by immersing the photosensitive resin film in a developing solution after exposure, and forming an electrode pattern connected to the conductive thin film via the contact hole. And the adhesiveness to the developing solution between the photosensitive resin film and the conductive thin film is higher than the adhesiveness to the developing solution between the photosensitive resin film and the insulating substrate. And dipping the photosensitive resin film in a developing solution after exposing a region smaller than the conductive thin film pattern in the third step.
【請求項2】 感光性樹脂膜の現像をアルカリ性溶液で
行うことを特徴とする請求項1に記載の薄膜素子の製造
方法。
2. The method according to claim 1, wherein the development of the photosensitive resin film is performed with an alkaline solution.
【請求項3】 絶縁性基板上に配置される信号線及びこ
の信号線と交差するよう配置される走査線との交点に配
列されるスイッチング素子の所定パターンを有する導電
性薄膜からなる接続領域に接続されマトリクス状に配置
される画素電極を有するアレイ基板及び、対向電極を有
し前記アレイ基板に対向されする対向基板並びに、前記
アレイ基板及び前記対向基板の間に封入される液晶組成
物とを有する液晶表示装置の製造方法において、 前記絶縁性基板上に前記信号線及び前記走査線並びに前
記スイッチング素子をパターン形成する第1の工程と、
前記信号線及び前記走査線並びに前記スイッチング素子
を覆って絶縁性の感光性樹脂膜を成膜する第2の工程
と、前記感光性樹脂膜を露光した後現像液に浸すことに
より前記導電性薄膜上にコンタクトホールを形成する第
3の工程と、前記コンタクトホールを介して前記導電性
薄膜と接続される電極パターンを形成する第4の工程と
を具備し、前記感光性樹脂膜と前記導電性薄膜との間の
現像液に対する密着性が前記感光性樹脂膜と前記絶縁性
基板との間の現像液に対する密着性よりも弱く、前記第
3の工程において前記導電性薄膜パターンよりも小さい
領域に露光した後前記感光性樹脂膜を現像液に浸す事を
特徴とする液晶表示装置の製造方法。
3. A connection region comprising a conductive thin film having a predetermined pattern of switching elements arranged at intersections of signal lines arranged on an insulating substrate and scanning lines arranged to intersect the signal lines. An array substrate having pixel electrodes connected and arranged in a matrix, a counter substrate having a counter electrode and facing the array substrate, and a liquid crystal composition sealed between the array substrate and the counter substrate. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a first step of pattern-forming the signal lines, the scanning lines, and the switching elements on the insulating substrate;
A second step of forming an insulating photosensitive resin film covering the signal lines, the scanning lines, and the switching elements; and immersing the photosensitive resin film in a developer after exposing the photosensitive resin film to the conductive thin film. A third step of forming a contact hole thereon, and a fourth step of forming an electrode pattern connected to the conductive thin film through the contact hole, wherein the photosensitive resin film and the conductive The adhesiveness to the developing solution between the thin film and the photosensitive resin film is weaker than the adhesiveness to the developing solution between the insulating substrate and the insulating substrate, and in the third step, the area is smaller than the conductive thin film pattern. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising immersing the photosensitive resin film in a developer after exposure.
【請求項4】 感光性樹脂膜の現像をアルカリ性溶液で
行うことを特徴とする請求項3に記載の画像形成装置の
製造方法。
4. The method according to claim 3, wherein the development of the photosensitive resin film is performed with an alkaline solution.
JP2205398A 1998-02-03 1998-02-03 Production of thin-film element and production of liquid crystal display device Pending JPH11218783A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9726954B2 (en) 2012-06-25 2017-08-08 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate with thin film transistor and aperture portions, liquid crystal display device, and method for manufacturing active matrix substrate

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US9726954B2 (en) 2012-06-25 2017-08-08 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate with thin film transistor and aperture portions, liquid crystal display device, and method for manufacturing active matrix substrate

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