JPH11213307A - Magnetic disk device and thermal asperity cancelling method applied to this device - Google Patents

Magnetic disk device and thermal asperity cancelling method applied to this device

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JPH11213307A
JPH11213307A JP1887798A JP1887798A JPH11213307A JP H11213307 A JPH11213307 A JP H11213307A JP 1887798 A JP1887798 A JP 1887798A JP 1887798 A JP1887798 A JP 1887798A JP H11213307 A JPH11213307 A JP H11213307A
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JP
Japan
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pair
elements
gain
head
thermal asperity
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Application number
JP1887798A
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Japanese (ja)
Inventor
Tadashi Nakano
正 中野
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To remove a noise component included in a reproduced signal by a head regardless of a variance in characteristics of an MR element pair of the DSMR(dual stripe magneto-resistive) head in the case of the occurrence of TA(thermal asperity) or the like. SOLUTION: Signals reproduced by MR(magneto-resistive) elements MR1 and MR2 of a DSMR head 1-i (i=0,1) are amplified by variable gain amplifiers 21-1 and 21-2 in a head channel 2, and both of these outputs are amplified by a differential amplifier 22 and are outputted to a read channel 3. If a noise higher than a reference level is included in the signal outputted to the read channel 3, the occurrence of TA is detected by a TA detection circuit 4. If the signal outputted to the read channel 3 cannot be correctly decoded at this time, a CPU 6 performs individual gain switching operation of amplifiers 21-1 and 21-2 on the condition of at least TA detection during the read retry processing while changing the combination of gains up to all combinations till correct read is performed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ディスクからのデ
ータ再生に1対のMR素子を有する2重ストライプ磁気
抵抗ヘッドを用いた磁気ディスク装置及び同装置に適用
される熱アスペリティキャンセル方法に関する。
The present invention relates to a magnetic disk drive using a double stripe magnetoresistive head having a pair of MR elements for reproducing data from a disk, and a thermal asperity canceling method applied to the magnetic disk drive.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置の高記録密度化
(高容量化)を実現するために、磁気抵抗(Magneto Re
sistive ;MR)ヘッドと呼ばれる読み出し(再生)専
用ヘッドを採用した磁気ディスク装置が増加してきてい
る。しかし、磁気抵抗ヘッドを用いた磁気ディスク装置
では、ディスク面に微小な突起があった場合には、ヘッ
ドが当該突起との接触(衝突)により発生する熱で再生
波形(リード信号波形)が乱される、即ち再生波形がD
C的に変化して(1〜2μs程度の時間の変化で、周波
数的には低い)ベースライン(再生波形の振幅の中心ラ
イン)がシフトする熱アスペリティ(Thermal Asperit
y;TA)という現象のために、リードエラー等の原因
となる問題があった。
2. Description of the Related Art In recent years, in order to realize a high recording density (high capacity) of a magnetic disk drive, a magnetic resistance (Magneto-Resistant) has been developed.
Magnetic disk devices employing read-only (playback) heads called sistive (MR) heads are increasing. However, in a magnetic disk device using a magnetoresistive head, when a minute projection is present on the disk surface, the reproduction waveform (read signal waveform) is disturbed by heat generated by the head coming into contact (collision) with the projection. That is, the reproduced waveform is D
A thermal asperity (Thermal Asperit) in which the baseline (the center line of the amplitude of the reproduced waveform) shifts in a C-like manner (a change in time of about 1 to 2 μs and a low frequency) shifts.
y; TA), there is a problem that causes a read error and the like.

【0003】そこで、特開平9−231505号公報で
は、1対の磁気抵抗素子(MR素子)を有する2重スト
ライプ磁気抵抗(Dual Stripe Magneto Resistive )ヘ
ッド(以下、DSMRヘッドと称する)を用い、当該D
SMRヘッドから読み込んだ信号に含まれる、TA発生
に起因する低周波の変動信号(ノイズ)を差動増幅器に
て除去する技術と、TA発生を検出する技術とが記載さ
れている。この技術(先行技術)によれば、TA発生に
起因する変動信号は同相信号として現れることから、差
動増幅器の同相除去の特性により、DSMRヘッドから
読み込んだ信号(リード信号)に含まれるTA成分(ノ
イズ成分)を減衰することが可能となる。
[0003] Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-231505 discloses a dual stripe magnetoresistive (hereinafter referred to as DSMR) head having a pair of magnetoresistive elements (MR elements). D
A technique for removing a low-frequency fluctuation signal (noise) caused by the occurrence of TA included in a signal read from the SMR head by a differential amplifier and a technique for detecting the occurrence of TA are described. According to this technique (prior art), a fluctuation signal caused by the occurrence of TA appears as an in-phase signal. Therefore, the TA signal included in the signal (read signal) read from the DSMR head is used due to the common-mode removal characteristic of the differential amplifier. A component (noise component) can be attenuated.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記したように、DS
MRヘッドを用いた磁気ディスク装置においては、TA
発生に起因する同相ノイズ成分(変動信号)は、1対
(2層)のMR素子(MR膜)の差動出力により、ある
程度キャンセルされるため、1つ(1層)のMR素子を
有する通常のMRヘッドを用いた場合と比較すると、T
A発生の影響は小さい。
As described above, the DS
In a magnetic disk drive using an MR head, TA
The common-mode noise component (fluctuation signal) resulting from the generation is canceled to some extent by the differential output of a pair (two layers) of MR elements (MR films). Compared to the case using the MR head of
The effect of A generation is small.

【0005】しかしながら、DSMRヘッドの1対のM
R素子の各々の磁気抵抗特性(温度上昇特性、放熱特
性)が同一でない限り、TAに起因するベースラインシ
フトの量に差が生じる。そのため、上記公報に記載され
た先行技術では、ノイズ成分が全てキャンセルされるわ
けではなく、リードエラー等の原因となる可能性が残る
という問題があった。
However, a pair of M in the DSMR head
Unless the magnetoresistance characteristics (temperature rise characteristics, heat radiation characteristics) of the R elements are the same, there will be a difference in the amount of baseline shift due to TA. Therefore, the prior art described in the above publication has a problem in that not all noise components are canceled, and there is a possibility that a read error or the like remains.

【0006】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
でその目的は、DSMRヘッドをなす1対のMR素子の
出力と差動増幅器との間に独立にゲインを切り替え設定
することが可能な1対のゲイン可変アンプが設けられた
ヘッドチャネルを備え、少なくとも熱アスペリティ(T
A)の発生時には、当該1対のゲイン可変アンプの各ゲ
インを個々に設定することで、対応する1対のMR素子
間に特性のばらつきがあっても、当該1対のMR素子の
各々の再生信号に含まれるベースライン変動等のノイズ
成分量をほぼ等しくすることができ、もって当該1対の
MR素子の各々の再生信号に対する差動出力からノイズ
成分を除去することができる磁気ディスク装置及び同装
置に適用される熱アスペリティキャンセル方法を提供す
ることにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object the ability to independently switch and set the gain between the outputs of a pair of MR elements forming a DSMR head and a differential amplifier. A head channel provided with a pair of variable gain amplifiers, and at least a thermal asperity (T
At the time of the occurrence of A), each gain of the pair of variable gain amplifiers is individually set so that even if there is a variation in characteristics between the corresponding pair of MR elements, each of the pair of variable gain amplifiers has a characteristic. A magnetic disk drive capable of making the amounts of noise components such as baseline fluctuations included in the reproduction signal substantially equal, and thereby removing the noise component from the differential output of the pair of MR elements for each reproduction signal. An object of the present invention is to provide a thermal asperity canceling method applied to the apparatus.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の観点に係
る磁気ディスク装置は、ディスクからのデータ再生に1
対のMR素子を有するDSMRヘッド(2重ストライプ
磁気抵抗ヘッド)を用いた磁気ディスク装置において、
上記DSMRヘッドの1対のMR素子により再生された
信号をそれぞれ増幅するための、ゲインを個々に複数段
階切り替え設定可能な1対のゲイン可変アンプ、及びこ
の1対のゲイン可変アンプの両出力信号を差動増幅する
差動増幅器を有するヘッドチャネルと、上記DSMRヘ
ッドの1対のMR素子により再生された信号をもとにT
A(熱アスペリティ)発生を検出するTA検出回路と、
このTA検出回路によるTA発生検出に応じて、上記1
対のゲイン可変アンプのゲインを個々に切り替えるゲイ
ン切り替え制御手段とを備えたことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a magnetic disk drive for reproducing data from a disk.
In a magnetic disk drive using a DSMR head (double stripe magnetoresistive head) having a pair of MR elements,
A pair of variable gain amplifiers each capable of individually setting a plurality of levels of gain for amplifying signals reproduced by the pair of MR elements of the DSMR head, and both output signals of the pair of variable gain amplifiers Channel based on a signal reproduced by a pair of MR elements of the DSMR head and a head channel having a differential amplifier
A TA detection circuit for detecting A (thermal asperity) generation;
According to the detection of TA occurrence by the TA detection circuit,
Gain switching control means for individually switching the gains of the pair of variable gain amplifiers.

【0008】このような構成においては、TAが発生し
た場合に、DSMRヘッドの1対のMR素子に対応した
1対のゲイン可変アンプのゲインをゲイン切り替え制御
手段が個々に切り替えることで、当該1対のMR素子の
磁気抵抗特性のばらつきに起因するTA成分(ノイズ成
分)の量の差をなくすことが可能となる。この結果、差
動増幅器の同相除去の特性により、TA成分をキャンセ
ルして、リード信号のベースラインシフト量を最小にす
ることができる。
In such a configuration, when TA occurs, the gain switching control means individually switches the gains of a pair of variable gain amplifiers corresponding to the pair of MR elements of the DSMR head, whereby the 1 It is possible to eliminate the difference in the amount of the TA component (noise component) caused by the variation in the magnetoresistive characteristics of the paired MR elements. As a result, the TA component can be canceled by the common-mode removal characteristic of the differential amplifier, and the amount of the baseline shift of the read signal can be minimized.

【0009】したがって、上記したゲイン切り替え制御
手段によるゲイン切り替えを、リードエラーが発生した
場合のリトライ処理時に、少なくともTA検出回路によ
るTA発生検出を条件として行うならば、リトライに成
功してリードエラーを解消することが可能となる。ま
た、上記のゲイン切り替えを、リードチャネルの各種パ
ラメータの設定値(ローパスフィルタのカットオフ周波
数など)を変更してのリトライ(通常リトライ)でもリ
ードエラーが解消されない場合、更にはハイパスフィル
タを通すことで低周波のノイズ成分(TA成分)を減少
するなどの対策を施してのリトライ(TAリトライ)で
もリードエラーが解消されない場合に、行うようにして
もよい。
Therefore, if the gain switching by the above gain switching control means is performed at least on the condition that the TA detection circuit detects the occurrence of TA at the time of the retry processing when a read error occurs, the retry succeeds and the read error is detected. It can be eliminated. In addition, if the read error is not eliminated by retrying (normal retry) by changing the set values of various parameters of the read channel (such as the cut-off frequency of the low-pass filter), the gain should be further passed through the high-pass filter. In the case where the read error is not eliminated by retry (TA retry) taking measures such as reducing the low frequency noise component (TA component), the method may be performed.

【0010】ところで、ディスクの各々の面側にそれぞ
れDSMRヘッドが配置される構成、更には複数のディ
スクが積層して設けられ、各ディスクの少なくとも一方
の面側にDSMRヘッドが配置される構成の磁気ディス
ク装置では、各DSMRヘッド毎に1対のゲイン可変ア
ンプ(及び差動アンプ)が設けられる。この場合、リー
ドの対象となるディスク面側のDSMRヘッドに対応す
る1対のゲイン可変アンプだけを対象にゲイン切り替え
を行っても、各DSMRヘッド毎の1対のゲイン可変ア
ンプを対象にゲイン切り替えを行っても構わない。
By the way, a structure in which a DSMR head is arranged on each surface side of a disk, and a structure in which a plurality of disks are stacked and provided, and a DSMR head is arranged on at least one surface side of each disk. In a magnetic disk drive, a pair of variable gain amplifiers (and differential amplifiers) is provided for each DSMR head. In this case, even if gain switching is performed only for a pair of variable gain amplifiers corresponding to the DSMR head on the disk surface side to be read, gain switching is performed for only one pair of variable gain amplifiers for each DSMR head. You can go.

【0011】さて、上記した第1の観点に係る磁気ディ
スク装置の構成では、1回のゲイン切り替えだけでTA
成分がキャンセルされる最適ゲインが設定されるとは限
らず、最悪の場合には、全てのゲインの組み合わせにつ
いてゲイン切り替えが行われる可能性がある。
In the configuration of the magnetic disk drive according to the first aspect described above, the TA is changed only by one gain switching.
The optimum gain at which the component is canceled is not always set, and in the worst case, the gain may be switched for all combinations of gains.

【0012】そこで、本発明の第2の観点に係る磁気デ
ィスク装置は、上記のゲイン可変アンプ(即ちゲインを
複数段階切り替え設定可能なアンプ)に代えて、一定の
範囲内で任意のゲインに切り替え設定することが可能な
ゲイン可変アンプを用いる他に、DSMRヘッドの上記
1対のMR素子の各々のバイアス電圧を計測するバイア
ス電圧測定回路を新たに設けると共に、このバイアス電
圧測定回路を用いて予めDSMRヘッドの上記1対のM
R素子の各バイアス電圧を計測しておき、上記TA発生
検出に応じて、上記計測しておいたバイアス電圧の比の
逆数で決まるゲイン比で当該DSMRヘッドに対応する
上記1対のゲイン可変アンプのゲインを個々に設定する
ゲイン切り替え制御手段を設けたことを特徴とする。
Therefore, a magnetic disk drive according to a second aspect of the present invention switches an arbitrary gain within a certain range, instead of the variable gain amplifier (that is, an amplifier whose gain can be switched in a plurality of stages). In addition to using a variable gain amplifier that can be set, a bias voltage measuring circuit for measuring the bias voltage of each of the pair of MR elements of the DSMR head is newly provided, and the bias voltage measuring circuit is used in advance to measure the bias voltage. The pair of M of the DSMR head
The bias voltage of each R element is measured in advance, and the pair of gain variable amplifiers corresponding to the DSMR head at a gain ratio determined by the reciprocal of the measured bias voltage ratio in response to the detection of the TA occurrence. The gain switching control means for individually setting the gains is provided.

【0013】このような構成においては、予め計測して
おいたDSMRヘッドの1対のMR素子のバイアス電圧
の比の逆数で決まるゲイン比で当該DSMRヘッドに対
応する1対のゲイン可変アンプのゲインが設定されるこ
とから、TAによるノイズの影響を最小にした状態で動
作可能となる。特に、上記のゲイン設定をTA発生に伴
うリードエラー時のリトライ処理の中で行うことで、前
記第1の観点に係る磁気ディスク装置のように、1対の
ゲイン可変アンプのゲインを切り替える動作を繰り返し
てノイズの影響が解消できるゲインを求めるよりも、リ
トライ時間の短縮が可能となる。
In such a configuration, the gain of a pair of variable gain amplifiers corresponding to the DSMR head is determined by a gain ratio determined in advance by the reciprocal of the bias voltage ratio of the pair of MR elements of the DSMR head. Is set, it is possible to operate in a state where the influence of noise due to TA is minimized. In particular, by performing the gain setting in the retry process at the time of a read error accompanying the occurrence of TA, the operation of switching the gain of the pair of variable gain amplifiers as in the magnetic disk device according to the first aspect is performed. The retry time can be shortened rather than repeatedly obtaining a gain that can eliminate the influence of noise.

【0014】ここで、上記計測されたDSMRヘッドの
1対のMR素子の各々のバイアス電圧、または当該バイ
アス電圧の比、または当該バイアス電圧の逆数で決まる
ゲイン比、または当該ゲイン比で決まる上記1対のゲイ
ン可変アンプのゲインを不揮発性記憶手段に記憶してお
く構成を適用するならば、容易に再利用可能となる。
Here, the measured bias voltage of each of the pair of MR elements of the DSMR head, the ratio of the bias voltage, the gain ratio determined by the reciprocal of the bias voltage, or the above-described 1 determined by the gain ratio. If a configuration in which the gain of the pair of variable gain amplifiers is stored in the non-volatile storage means is applied, it can be easily reused.

【0015】なお,計測した1対のMR素子のバイアス
電圧の比の逆数で決まるゲイン比で、上記1対のゲイン
可変アンプのゲインを常時設定するようにしても構わな
い。この場合、り常時TA成分がキャンセル可能な状態
で動作可能となる。
The gain of the pair of variable gain amplifiers may always be set at a gain ratio determined by the reciprocal of the ratio of the measured bias voltages of the pair of MR elements. In this case, operation is possible in a state where the TA component can always be canceled.

【0016】ところで、DSMRヘッドの特性、具体的
には1対のMR素子の磁気抵抗特性は経時変化するた
め、上記のバイアス電圧も変化する。したがって、磁気
ディスク装置の電源投入時毎に、或いは所定の起動回数
毎というように、定期的に上記のバイアス電圧測定を行
って最新のバイアス電圧を取得し、その最新のバイアス
電圧の比から決定される最新のゲイン比を用いてゲイン
切り替え(ゲイン設定)を行う構成とするとよい。
Incidentally, since the characteristics of the DSMR head, specifically, the magnetoresistive characteristics of the pair of MR elements change with time, the above-mentioned bias voltage also changes. Accordingly, the above-described bias voltage measurement is periodically performed to acquire the latest bias voltage at every power-on of the magnetic disk device or at a predetermined number of startups, and is determined from the ratio of the latest bias voltage. The gain may be switched (gain setting) using the latest gain ratio.

【0017】また、DSMRヘッドの特性は、DSMR
ヘッド個々に異なるのが一般的である。したがって、複
数のDSMRヘッドを備えた磁気ディスク装置では、各
DSMRヘッド毎に1対のMR素子のバイアス電圧を計
測して、そのバイアス電圧、または当該バイアス電圧の
比、または当該バイアス電圧の逆数で決まるゲイン比、
または当該ゲイン比で決まる1対のゲイン可変アンプの
ゲインを、DSMRヘッド別に不揮発性記憶手段に記憶
しておき、選択されているヘッドに応じて選択使用可能
な構成とすればよい。
The characteristics of the DSMR head are as follows.
Generally, the heads are different. Therefore, in a magnetic disk drive having a plurality of DSMR heads, the bias voltage of a pair of MR elements is measured for each DSMR head, and the bias voltage, the ratio of the bias voltage, or the reciprocal of the bias voltage is measured. Determined gain ratio,
Alternatively, the configuration may be such that the gain of a pair of variable gain amplifiers determined by the gain ratio is stored in the non-volatile storage means for each DSMR head, and can be selectively used according to the selected head.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につき
図面を参照して説明する。 [第1の実施形態]図1は本発明の第1の実施形態に係
るTA検出・キャンセル機能を有する磁気ディスク装置
の概略構成を示すブロック図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. [First Embodiment] FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a magnetic disk drive having a TA detection / cancellation function according to a first embodiment of the present invention.

【0019】同図において、DSMRヘッド1-0,1-1
は再生専用ヘッドであり、それぞれ1対のMR素子MR
1,MR2を有している。ここでは単一枚のディスクを
備えた磁気ディスク装置を想定しており、DSMRヘッ
ド1-0は図示せぬディスク(磁気記録媒体)の一方の面
に対応して設けられ、DSMRヘッド1-1は当該ディス
クの他方の面に対応して設けられている。
In FIG. 1, DSMR heads 1-0, 1-1
Are read-only heads, each of which has a pair of MR elements MR
1 and MR2. Here, a magnetic disk device having a single disk is assumed, and a DSMR head 1-0 is provided corresponding to one surface of a disk (magnetic recording medium) not shown, and a DSMR head 1-1 is provided. Is provided corresponding to the other surface of the disk.

【0020】DSMRヘッド1-i(i=0,1)は、周
知のように、外部磁界変化により抵抗値が変化すること
を利用するもので、ディスクに記録されたデータを読み
出すための上記1対のMR素子MR1,MR2を差動出
力するように接続して構成される。DSMRヘッド1-i
による磁気記録データの再生は、MR素子MR1,MR
2に一定のセンス電流(バイアス電流)IB を供給する
ことにより、ディスク上に記録されたデータを磁界の変
化によるMR素子MR1,MR2の両端の電圧変化とし
て検出することで行われる。なお、図1では、DSMR
ヘッド1-iと対をなして設けられる記録ヘッドは省略さ
れている。
As is well known, the DSMR head 1-i (i = 0, 1) utilizes the fact that the resistance value changes due to a change in an external magnetic field, and the above-mentioned 1 for reading data recorded on a disk. A pair of MR elements MR1 and MR2 are connected so as to output differentially. DSMR head 1-i
Of magnetic recording data by the MR elements MR1 and MR1
2 is supplied with a constant sense current (bias current) IB, thereby detecting data recorded on the disk as a voltage change across the MR elements MR1 and MR2 due to a change in the magnetic field. Note that, in FIG.
The recording head provided as a pair with the head 1-i is omitted.

【0021】MR素子MR1,MR2の一端は共に共通
(コモン)端子(COM)に接続されており、他端はゲ
イン可変アンプ21-1,21-2の入力に接続されてい
る。アンプ21-1,21-2のゲインα1,α2は、後述
するCPU6からの制御(ヘッドチャネル制御)により
切り替え設定される。ここでは、アンプ21-1,21-2
のゲインα1,α2は、予め定められた複数種類、例え
ば2種類の値の中から切り替え設定が可能なようになっ
ており、具体的にはCPU6からのゲイン切り替え設定
ビットb1,b2により設定される。
One end of each of the MR elements MR1 and MR2 is connected to a common terminal (COM), and the other end is connected to the input of a variable gain amplifier 21-1 or 21-2. The gains α1 and α2 of the amplifiers 21-1 and 21-2 are switched and set by control (head channel control) from the CPU 6 described later. Here, the amplifiers 21-1 and 21-2
The gains α1 and α2 can be switched from a plurality of predetermined values, for example, two values. Specifically, the gains α1 and α2 are set by gain switching setting bits b1 and b2 from the CPU 6. You.

【0022】アンプ21-1,21-2の出力は差動アンプ
22の各入力に接続されている。ヘッド選択回路23
は、DSMRヘッド1-0,1-1に対応した各差動アンプ
22の出力のいずれか1つを、後述するCPU6からの
ヘッド選択信号に応じて選択する。
The outputs of the amplifiers 21-1 and 21-2 are connected to the respective inputs of the differential amplifier 22. Head selection circuit 23
Selects any one of the outputs of the differential amplifiers 22 corresponding to the DSMR heads 1-0 and 1-1 according to a head selection signal from the CPU 6 described later.

【0023】ヘッドチャネル2は、上記ゲイン可変アン
プ21-1,21-2、差動アンプ22、及びヘッド選択回
路23を備えている。このヘッドチャネル2の特徴は、
DSMRヘッド1-1,1-2によりディスクから読み取ら
れたアナログ出力(アナログ再生出力)を増幅する一
方、図示せぬライトチャネルから送られてくる書き込み
データに従い記録ヘッドにライト信号(ライト電流)を
出力する周知の機能の他に、ゲイン可変アンプ21-1,
21-2に対するCPU6の制御により、MR素子MR
1,MR2毎にゲインα1,α2を複数段階(ここでは
2段階)切り替え設定できる新規な機能を有しているこ
とにある。本実施形態においてヘッドチャネル2は、集
積回路化(IC化)されている。
The head channel 2 includes the variable gain amplifiers 21-1 and 21-2, a differential amplifier 22, and a head selection circuit 23. The feature of this head channel 2 is that
While amplifying the analog output (analog reproduction output) read from the disk by the DSMR heads 1-1 and 1-2, a write signal (write current) is supplied to the recording head in accordance with write data sent from a write channel (not shown). In addition to the well-known function of outputting, the variable gain amplifier 21-1,
The MR element MR
The present invention has a novel function of switching and setting the gains α1 and α2 in a plurality of stages (here, two stages) for each of the MR1 and MR2. In this embodiment, the head channel 2 is formed into an integrated circuit (IC).

【0024】ヘッドチャネル2にはリードチャネル3が
接続されている。リードチャネル3は、ヘッドチャネル
2により差動処理された(ヘッド選択回路23からの)
アナログ出力(リード信号)を入力し、例えばNRZコ
ードへのデータ再生動作に必要な信号処理を行うデコー
ド機能、及びヘッド位置決め制御等のサーボ処理に必要
なデータ(バーストデータ)を抽出する処理を行う信号
処理機能を有する。リードチャネル3は、ヘッドチャネ
ル2からのリード信号を一定の振幅に増幅するためのA
GC(自動利得制御)アンプ、リード信号に含まれる高
域ノイズを除去するためのローパスフィルタ(LP
F)、リード信号に含まれる低域ノイズを除去するため
のハイパスフィルタ(HPF)、サンプリングクロック
を生成するPLL(位相ロックループ)回路(いずれも
図示せず)等を備えている。本実施形態において、HP
Fは通常のリード動作時にはオフされていて用いられ
ず、後述するTAリトライ(第1のTAリトライ)の場
合のみオンされる(用いられる)。なお、ディスク11
へのデータ記録に必要な信号処理を行うエンコード機能
を有するライトチャネルは省略されている。
The read channel 3 is connected to the head channel 2. The read channel 3 is subjected to the differential processing by the head channel 2 (from the head selection circuit 23).
An analog output (read signal) is input, and a decoding function for performing signal processing necessary for data reproduction operation to, for example, an NRZ code, and a processing for extracting data (burst data) necessary for servo processing such as head positioning control are performed. It has a signal processing function. The read channel 3 has an A for amplifying a read signal from the head channel 2 to a constant amplitude.
GC (automatic gain control) amplifier, low-pass filter (LP) for removing high-frequency noise contained in read signals
F), a high-pass filter (HPF) for removing low-frequency noise included in the read signal, a PLL (phase locked loop) circuit for generating a sampling clock (both not shown), and the like. In the present embodiment, the HP
F is turned off and not used during a normal read operation, and is turned on (used) only in the case of a TA retry (first TA retry) described later. The disk 11
A write channel having an encoding function for performing signal processing necessary for recording data into the data channel is omitted.

【0025】TA検出回路4は、リードチャネル3によ
り入力されたヘッドチャネル2からのリード信号の振幅
を監視することで、当該信号に規定のレベル以上の変動
信号(ノイズ成分)が含まれるTA発生を検出し、その
旨を示すTA検出信号41をCPU6に出力する。この
TA検出回路4には、特開平9−231505号公報に
記載されているような熱アスペリティ検出器を用いるこ
とができる。
The TA detection circuit 4 monitors the amplitude of the read signal from the head channel 2 input by the read channel 3 to generate a TA signal including a fluctuation signal (noise component) of a specified level or more. And outputs a TA detection signal 41 indicating that to the CPU 6. As the TA detection circuit 4, a thermal asperity detector as described in JP-A-9-231505 can be used.

【0026】本実施形態において、リードチャネル3、
ライトチャネル、及びTA検出回路4は、IC化された
リード/ライト回路(リード/ライトIC)を構成して
いる。
In this embodiment, the read channel 3,
The write channel and the TA detection circuit 4 constitute a read / write circuit (read / write IC) formed as an IC.

【0027】CPU6は、例えばワンチップのマイクロ
プロセッサである。このCPU6は、ROM(Read Onl
y Memory)7に格納されている制御プログラム70に従
って磁気ディスク装置内の各部を制御する主制御装置を
なす。CPU6はリードエラー時には、後述する第1の
リード条件を変えてのリード動作の再試行(以下、通常
リトライと称する)を行う他、当該通常リトライに失敗
し、且つTA検出回路4によりTAが検出された場合に
は、TAリトライを行う。TAリトライには、後述する
第2のリード条件を変更してリード動作の再試行を行う
第1のTAリトライと、ゲイン可変アンプ21-1,21
-2のゲインα1,α2(第3のリード条件)を変更して
リード動作の再試行を行う第2のTAリトライがある。
ここでは、第1のTAリトライにても正常にリードでき
ない場合に、第2のTAリトライが行われる。この第2
のTAリトライにおける第3のリード条件の変更動作、
即ちゲイン切り替え動作は、正常にリードが行えるまで
繰り返し行われる。但し、切り替え可能な全てのゲイン
の組み合わせについて行っても正しくリードできなかっ
た場合には、エラー終了となる。また、正常にリードで
きた場合には、該当するセクタ、即ちTAが発生した欠
陥セクタに代替セクタを割り当てて当該代替セクタにリ
ードしたデータを書き込む代替処理(リアサイン処理)
を行う。
The CPU 6 is, for example, a one-chip microprocessor. This CPU 6 has a ROM (Read Onl
The main controller controls each unit in the magnetic disk device according to the control program 70 stored in the y memory 7. When a read error occurs, the CPU 6 performs a retry of a read operation by changing a first read condition described later (hereinafter, referred to as a normal retry), fails in the normal retry, and detects a TA by the TA detection circuit 4. If so, a TA retry is performed. The TA retry includes a first TA retry in which a second read condition described later is changed and the read operation is retried, and a gain variable amplifier 21-1 or 21.
There is a second TA retry for changing the gain α1, α2 (third read condition) of −2 and retrying the read operation.
Here, if reading cannot be performed normally even in the first TA retry, the second TA retry is performed. This second
Change operation of the third read condition in the TA retry of
That is, the gain switching operation is repeatedly performed until reading can be performed normally. However, if reading cannot be performed correctly even when all of the switchable gain combinations are performed, an error is terminated. If the data can be read normally, a replacement process is performed in which a replacement sector is assigned to a corresponding sector, that is, a defective sector in which a TA has occurred, and the read data is written in the replacement sector (reassignment process).
I do.

【0028】CPU6には、HDC(ディスクコントロ
ーラ)8が接続されている。HDC8は、ホスト装置
(図示せず)との間のコマンド、データの通信を制御す
ると共に、リードチャネル3(リード時)またはライト
チャネル(ライト時)との間のデータの通信を制御す
る。HDC8は、リードチャネル3により復号されたリ
ードデータを対象とするECC(エラー検出訂正)処理
を行うECC機能を有している。このHDC8には、リ
ード/ライトデータがキャッシュ方式で格納される、例
えばRAM等で構成されるバッファメモリ9(バッファ
RAM)9が接続されている。
An HDC (disk controller) 8 is connected to the CPU 6. The HDC 8 controls communication of commands and data with a host device (not shown), and controls data communication with the read channel 3 (at the time of reading) or the write channel (at the time of writing). The HDC 8 has an ECC function of performing an ECC (error detection and correction) process on the read data decoded by the read channel 3. The HDC 8 is connected to a buffer memory 9 (buffer RAM) 9 configured by, for example, a RAM or the like, in which read / write data is stored in a cache system.

【0029】次に、図1の構成のリード時の動作を、図
2のフローチャートを参照して説明する。まず、ホスト
装置から図1のディスク装置にリードコマンドが与えら
れ、そのリードコマンドの指定するディスクリードが行
われたものとする(ステップ201)。もし、正常にリ
ードできなかった場合(ステップ202)、CPU6
は、第1のリード条件である、DSMRヘッド1-i(i
は0または1)の位置決め制御のためのオフセット(目
標位置のトラック中心からのずれ量)、(リードチャネ
ル3に設けられた)ローパスフィルタのカットオフ周波
数、及びECC処理で訂正可能なビット長(バースト
値)を切り替え設定してリード動作を再試行する通常リ
トライを行う(ステップ203)。
Next, the read operation of the configuration of FIG. 1 will be described with reference to the flowchart of FIG. First, it is assumed that a read command is given from the host device to the disk device of FIG. 1 and a disk read specified by the read command has been performed (step 201). If the data cannot be read normally (step 202), the CPU 6
Is the first read condition, DSMR head 1-i (i
Is 0 or 1) an offset (a deviation amount of a target position from a track center) for positioning control, a cutoff frequency of a low-pass filter (provided in the read channel 3), and a bit length (correctable by ECC processing) A normal retry of switching and setting the burst value and retrying the read operation is performed (step 203).

【0030】もし、通常リトライに失敗した場合には
(ステップ204)、CPU6はTA検出回路4により
TA発生が検出されているか否かを判定する(ステップ
205)。ここでの判定は次のように行われる。
If the normal retry fails (step 204), the CPU 6 determines whether the TA detection circuit 4 has detected the occurrence of a TA (step 205). The determination here is performed as follows.

【0031】まず、TA検出回路4には、DSMRヘッ
ド1-iによりディスクから読み取られたリード信号が、
ヘッドチャネル2内で差動処理され、更にリードチャネ
ル3内でAGCアンプにより増幅されて入力される。T
A検出回路4は、このリード信号の振幅が予め定められ
た閾値を超えている場合にはTAが発生しているものと
して、有効なTA検出信号41をCPU6に出力する。
そこでCPU6は、TA検出回路4から有効なTA検出
信号41が出力されているか否かにより、TA発生の有
無を判定する(ステップ205)。
First, a read signal read from the disk by the DSMR head 1-i is input to the TA detection circuit
The signal is subjected to differential processing in the head channel 2 and further amplified and input by the AGC amplifier in the read channel 3. T
When the amplitude of the read signal exceeds a predetermined threshold, the A detection circuit 4 determines that a TA has occurred and outputs a valid TA detection signal 41 to the CPU 6.
Therefore, the CPU 6 determines whether or not a TA has occurred, based on whether or not a valid TA detection signal 41 is output from the TA detection circuit 4 (step 205).

【0032】本実施形態では、再生ヘッドにDSMRヘ
ッド1-iを使用していることから、TA発生に起因する
低周波の同相ノイズ成分(変動信号)は、1対(2層)
のMR素子MR1,MR2の差動出力により、ある程度
キャンセルされる。しかしながら、MR素子MR1,M
R2の磁気抵抗特性が異なる場合には、図3に示すよう
に、MR素子MR1,MR2間でTAに起因するベース
ラインシフトの量に差が生じるため、同図に示すよう
に、MR1,MR2の差動出力(MR1−MR2)によ
ってもノイズ成分が全てキャンセルされるわけではな
く、上記のようにTA検出回路4によりTA発生として
検出されることもある。
In this embodiment, since the DSMR head 1-i is used as the reproducing head, the low-frequency common-mode noise component (fluctuation signal) caused by the occurrence of the TA has a pair (two layers).
Is canceled to some extent by the differential outputs of the MR elements MR1 and MR2. However, the MR elements MR1, M
If the magnetoresistive characteristics of R2 are different, as shown in FIG. 3, there is a difference in the amount of the baseline shift caused by TA between MR elements MR1 and MR2, and therefore, as shown in FIG. All of the noise components are not canceled by the differential output (MR1-MR2), but may be detected by the TA detection circuit 4 as the occurrence of TA as described above.

【0033】そこでCPU6は、TA発生を判定した場
合には、リード信号に含まれる低周波のノイズ成分を減
らすためにリードチャネル3内のHPFをオンすると共
に、当該リードチャネル3内のAGCアンプ及びPLL
回路の状態をホールドし、その状態でリード動作を再試
行する第1のTAリトライを行う(ステップ206〜2
08)。
When the CPU 6 determines that TA has occurred, the CPU 6 turns on the HPF in the read channel 3 in order to reduce low frequency noise components included in the read signal. PLL
A first TA retry for holding the circuit state and retrying the read operation in that state is performed (steps 206 to 2).
08).

【0034】もし、第1のTAリトライに失敗した場合
には(ステップ209)、CPU6は本発明に直接関係
する第2のTAリトライを次のように行う。まずCPU
6は、MR素子MR1,MR2による再生出力を増幅す
るヘッドチャネル2内のゲイン可変アンプ21-1,21
-2のゲインα1,α2をゲイン切り替え設定ビットb
1,b2により切り替え設定する(ステップ210)。
ここでは、アンプ21-j(j=1,2)のゲインαj
は、ゲイン切り替え設定ビットbjが論理“0”の場合
に第1のゲイン値αに、論理“1”の場合に第2のゲイ
ン値βに設定される。なお、初期状態においては、アン
プ21-1,21-2のゲインα1,α2は、いずれもαに
設定される。
If the first TA retry fails (step 209), the CPU 6 performs the second TA retry directly related to the present invention as follows. First CPU
Reference numeral 6 denotes variable gain amplifiers 21-1 and 21 in the head channel 2 for amplifying the reproduction output by the MR elements MR1 and MR2.
-2 gain α1, α2 gain switching setting bit b
Switching setting is performed by using 1 and b2 (step 210).
Here, the gain αj of the amplifier 21-j (j = 1, 2)
Is set to the first gain value α when the gain switching setting bit bj is logic “0”, and to the second gain value β when the gain switching setting bit bj is logic “1”. In the initial state, the gains α1 and α2 of the amplifiers 21-1 and 21-2 are both set to α.

【0035】CPU6は、アンプ21-1,21-2のゲイ
ンα1,α2をゲイン切り替え設定ビットb1,b2に
より切り替え設定すると、リード動作を再試行する。さ
て、DSMRヘッド1-iのMR素子MR1,MR2の再
生出力(ヘッド出力)をvMR1 ,vMR2 とすると、ゲイ
ンがα1,α2のゲイン可変アンプ21-1,21-2の出
力VMR1 ,VMR2 は次のようになる。
When the gains α1 and α2 of the amplifiers 21-1 and 21-2 are switched by the gain switching setting bits b1 and b2, the CPU 6 retries the read operation. Assuming that the reproduction outputs (head outputs) of the MR elements MR1 and MR2 of the DSMR head 1-i are vMR1 and vMR2, the outputs VMR1 and VMR2 of the gain variable amplifiers 21-1 and 21-2 having gains α1 and α2 are as follows. become that way.

【0036】VMR1 =α1×vMR1 VMR2 =α2×vMR2 以上の式から明らかなように、MR素子MR1,MR2
による再生出力vMR1,vMR2 がTAの影響で異なって
いても、つまり同相ノイズ成分(ベースラインシフト)
の量に差があっても、ゲイン可変アンプ21-1,21-2
のゲインα1,α2が切り替えられるならば、ほぼ同じ
レベルにすることも可能である。もし、同相ノイズ成分
(ベースラインシフト)の量をほぼ同じにできたなら
ば、差動アンプ22の同相除去の特性により、ノイズ成
分が十分に減衰される。この場合、TAが解消(キャン
セル)されて、正常にリードできる可能性が高くなる。
VMR1 = α1 × vMR1 VMR2 = α2 × vMR2 As is apparent from the above equation, the MR elements MR1 and MR2
Output differences vMR1 and vMR2 due to the influence of TA, that is, in-phase noise components (baseline shift)
Variable gain amplifiers 21-1 and 21-2 even if there is a difference in
If the gains α1 and α2 are switched, it is possible to set the gains to almost the same level. If the amount of the common-mode noise component (baseline shift) can be made substantially the same, the noise component is sufficiently attenuated due to the common-mode removal characteristic of the differential amplifier 22. In this case, the TA is canceled (canceled), and the possibility of normal reading is increased.

【0037】図4に、図3の状態から、例えばアンプ2
1-2のゲイン(MR素子MR2側のゲイン)α2だけを
それまでより大きな値に切り替えた結果、差動アンプ2
2の出力、即ちMR1,MR2の差動出力(MR1−M
R2)ではノイズ成分が十分に減衰されている様子を示
す。
FIG. 4 shows the state of FIG.
As a result of switching only the gain 1-2 (gain on the MR element MR2 side) α2 to a larger value, the differential amplifier 2
2 output, that is, the differential outputs of MR1 and MR2 (MR1-M
R2) shows that the noise component is sufficiently attenuated.

【0038】もし、以上のリトライで正常にリードでき
た場合には(ステップ211)、CPU6は、該当する
セクタ、即ちTAが検出された欠陥セクタに代替セクタ
を割り当てて当該代替セクタにリードしたデータを書き
込むリアサイン処理を行う(ステップ212)。そして
CPU6は、ステップ204(通常リトライ)で切り替
えられた第1のリード条件(オフセット、ローパスフィ
ルタのカットオフ周波数、バースト値)、ステップ20
6〜208(第1のTAリトライ)で切り替えられた第
2のリード条件(AGCアンプの状態、HPFの状態、
PLL回路の状態)、ステップ210(第2のリトラ
イ)で切り替えられた第3のリード条件(アンプ21-
1,21-2のゲインα1,α2)を初期状態に戻してリ
ード動作(リードコマンドの実行)を終了する。
If the data can be read normally by the above retry (step 211), the CPU 6 assigns a substitute sector to the corresponding sector, that is, the defective sector in which the TA is detected, and reads the data read from the substitute sector. Is performed (step 212). Then, the CPU 6 sets the first read condition (offset, cut-off frequency of low-pass filter, burst value) switched in step 204 (normal retry), step 20
6 to 208 (first TA retry), the second read condition (AGC amplifier state, HPF state,
The state of the PLL circuit), the third read condition (the amplifier 21-) switched in step 210 (second retry).
The gains α1, α2 of 1, 21-2) are returned to the initial state, and the read operation (execution of the read command) is completed.

【0039】これに対し、上記第2のリトライでも正常
にリードできなかった場合(ステップ211)、CPU
6はアンプ21-1,21-2に対するゲインα1,α2の
切り替え設定が全ての組み合わせについて行われたか否
かを調べる(ステップ213)。ここでは、初期状態の
α1=α2=α(b1=b2=0)からα1=α,α2
=β(b1=0,b2=1)へ、更には次の組み合わせ
であるα1=β,α2=α(b1=1,b2=0)への
切り替え設定が未だ行われていないならば、CPU6は
未だ切り替え設定されていないゲインα1,α2の組み
合わせが残っているものとして、ステップ210に戻っ
て次の組み合わせのゲインα1,α2に切り替え設定し
て、リード動作を再試行する。
On the other hand, if the data cannot be read normally even in the second retry (step 211), the CPU
6 checks whether or not the switching settings of the gains α1 and α2 for the amplifiers 21-1 and 21-2 have been performed for all combinations (step 213). Here, from the initial state α1 = α2 = α (b1 = b2 = 0), α1 = α, α2
= Β (b1 = 0, b2 = 1) and further to the next combination α1 = β, α2 = α (b1 = 1, b2 = 0), the CPU 6 Assuming that the combination of the gains α1 and α2 for which the switching has not been set remains, the process returns to step 210 to switch and set the gain to the next combination of α1 and α2, and retry the read operation.

【0040】このようにして、ゲインα1,α2の切り
替え設定を全ての組み合わせについて行っても正しくリ
ードできなかったならば(ステップ211,213)、
CPU6はデータエラーを判定し、ホスト装置に対して
警告を通知する(ステップ214)。そしてCPU6
は、上記第1乃至第3のリード条件を初期状態に戻して
リード動作(リードコマンドの実行)を終了する。
As described above, if the read is not correctly performed even if the switching setting of the gains α1 and α2 is performed for all combinations (steps 211 and 213),
The CPU 6 determines a data error and notifies a warning to the host device (step 214). And CPU6
Returns the first to third read conditions to the initial state and ends the read operation (execution of the read command).

【0041】なお、以上に述べた第1の実施形態では、
ゲイン可変アンプ21-1,21-2のゲイン切り替えを第
2のTAリトライ時に行う場合について説明したが、通
常リトライ時、或いは第1のTAリトライ時に行うよう
にしてもよい。第1のTAリトライ時に行う場合には、
第2のTAリトライは不要となる。また、TA発生が検
出されたことだけをもって、TA成分がキャンセルされ
るように、ゲイン切り替えを行うようにしても構わな
い。 [第2の実施形態]図5は本発明の第2の実施形態に係
るTA検出・キャンセル機能を有する磁気ディスク装置
の概略構成を示すブロック図であり、図1と同一部分に
は同一符号を付して説明を省略する。なお図5では、作
図の都合上、DSMRヘッド1-1の系統については省略
してある。
In the first embodiment described above,
Although the case where the gain switching of the variable gain amplifiers 21-1 and 21-2 is performed at the time of the second TA retry has been described, it may be performed at the time of the normal retry or the first TA retry. When performing at the time of the first TA retry,
The second TA retry becomes unnecessary. Further, the gain may be switched so that the TA component is canceled only by detecting the occurrence of TA. [Second Embodiment] FIG. 5 is a block diagram showing a schematic configuration of a magnetic disk drive having a TA detecting / cancelling function according to a second embodiment of the present invention. The description is omitted here. In FIG. 5, the system of the DSMR head 1-1 is omitted for convenience of drawing.

【0042】図5の構成が図1の構成と異なる第1の点
は、図1中のヘッドチャネル2に代えてヘッドチャネル
20が設けられていることである。このヘッドチャネル
20では、図1中のゲイン可変アンプ21-1,21-2、
即ち予め定められた複数種類(第1の実施形態では2種
類)のゲインのいずれかにディジタル的に切り替え設定
することが可能なゲイン可変アンプ21-1,21-2に代
えて、一定の範囲内で任意のゲイン値にアナログ的に切
り替え設定することが可能なゲイン可変アンプ210-
1,210-2が用いられている。
The first difference between the configuration in FIG. 5 and the configuration in FIG. 1 is that a head channel 20 is provided instead of the head channel 2 in FIG. In this head channel 20, variable gain amplifiers 21-1 and 21-2 in FIG.
That is, instead of the variable gain amplifiers 21-1 and 21-2 which can be digitally switched and set to any of a plurality of predetermined types (two types in the first embodiment), a fixed range Variable gain amplifier 210- which can be switched to an arbitrary gain value in an analog manner
1, 210-2 are used.

【0043】ヘッドチャネル20には、アンプ210-
1,210-2のゲインを指定するための複数ビット構成
のゲイン切り替え制御データD1,D2をアナログデー
タに変換するD/A(ディジタル/アナログ)変換器2
11-1,211-2が新たに設けられている。このD/A
変換器211-1,211-2の出力はゲイン切り替え設定
信号としてアンプ210-1,210-2に供給される。ヘ
ッドチャネル20にはまた、MR素子MR1,MR2の
バイアス電圧VMR1 ,VMR2 を測定するためのバイアス
電圧測定回路212も新たに設けられている。このバイ
アス電圧測定回路212は、例えばヘッド選択回路23
により選択された差動アンプ22の両出力を測定するも
ので、その出力を半波整流器で半波整流した後、ピーク
ホールド回路によりピークホールドし、そのピーホール
ド値をA/D(アナログ/ディジタル)変換器によりA
/D変換することで、実現される。なお、バイアス電圧
測定回路212をリードチャネル3側に設けることも可
能である。
The head channel 20 includes an amplifier 210-
D / A (digital / analog) converter 2 for converting gain switching control data D1 and D2 of a plurality of bits for designating the gain of 1, 210-2 into analog data
11-1 and 211-2 are newly provided. This D / A
The outputs of the converters 211-1 and 211-2 are supplied to the amplifiers 210-1 and 210-2 as gain switching setting signals. The head channel 20 is further provided with a bias voltage measuring circuit 212 for measuring the bias voltages VMR1 and VMR2 of the MR elements MR1 and MR2. The bias voltage measuring circuit 212 includes, for example, the head selecting circuit 23
The two outputs of the differential amplifier 22 selected by the above are measured. After the outputs are half-wave rectified by a half-wave rectifier, the peak-hold circuit is peak-held, and the peak-hold value is A / D (analog / digital). ) A
This is realized by / D conversion. Note that the bias voltage measurement circuit 212 can be provided on the read channel 3 side.

【0044】図5の構成が図1の構成と異なる第2の点
は、書き替え可能な不揮発性記憶装置としての例えばE
EPROM(Electrically Erasable and Programmable
Read Only Memory )10が新たに設けられると共に、
図1中の制御プログラム70に代えて、制御プログラム
700がROM7に格納されていることである。EEP
ROM10には、後述するゲイン比α′2/α′1を各
MRヘッド1-i(i=0,1)別に格納するための領域
が確保されている。また制御プログラム700は、各D
SMRヘッド1-iのMR素子MR1,MR2の各々のバ
イアス電圧を計測して、例えばそのバイアス電圧比の逆
数で決まるゲイン比をEEPROM10に記憶してお
き、第2のTAリトライ時に、そのゲイン比(選択され
ているDSMRヘッド1-iに固有のゲイン比)で対応す
るゲイン可変アンプ210-1,210-2のゲインを設定
するための処理ルーチンを含む。
The second difference between the configuration in FIG. 5 and the configuration in FIG. 1 is that, for example, an E as a rewritable nonvolatile storage device is used.
EPROM (Electrically Erasable and Programmable
Read Only Memory) 10 is newly provided,
A control program 700 is stored in the ROM 7 instead of the control program 70 in FIG. EEP
The ROM 10 has an area for storing a gain ratio α′2 / α′1 described later for each MR head 1-i (i = 0, 1). In addition, the control program 700
The bias voltage of each of the MR elements MR1 and MR2 of the SMR head 1-i is measured, and for example, a gain ratio determined by the reciprocal of the bias voltage ratio is stored in the EEPROM 10, and the gain ratio is determined at the time of the second TA retry. A processing routine for setting the gain of the variable gain amplifiers 210-1 and 210-2 corresponding to (the gain ratio specific to the selected DSMR head 1-i) is included.

【0045】次に、図5の構成の動作を説明する。ま
ず、MR素子MR1,MR2の最適なゲイン比α′2/
α′1を決定するための処理について、図6のフローチ
ャートを参照して説明する。
Next, the operation of the configuration shown in FIG. 5 will be described. First, the optimum gain ratio α′2 // of the MR elements MR1 and MR2
The processing for determining α′1 will be described with reference to the flowchart in FIG.

【0046】本実施形態においてCPU6は、磁気ディ
スク装置の電源が投入される都度、その際に行われる初
期化処理の中で、制御プログラム700に従って以下の
処理を行う。
In this embodiment, each time the power of the magnetic disk device is turned on, the CPU 6 performs the following processing according to the control program 700 in the initialization processing performed at that time.

【0047】まずCPU6は、ヘッドチャネル20(内
のヘッド選択回路23を制御して)DSMRヘッド1-i
(iは0または1)を選択し、ヘッドチャネル20によ
り当該DSMRヘッド1-iのMR素子MR1,MR2に
一定のバイアス電流(センス電流)IB を供給させて、
当該MR素子MR1,MR2のバイアス電圧(に対応す
る、ヘッド選択回路23の出力側で観測されるゲイン可
変アンプ210-1,210-2の出力電圧)VMR1 ,VMR
2 をバイアス電圧測定回路212により測定させる(ス
テップ601,602)。このバイアス電圧VMR1 ,V
MR2 は、MR素子MR1,MR2の抵抗値をRMR1 ,R
MR2 、ゲイン可変アンプ210-1,210-2のゲインα
1,α2を初期ゲインαとすると、次のように表され
る。
First, the CPU 6 controls the head channel 20 (by controlling the head selection circuit 23 therein) to obtain the DSMR head 1-i.
(I is 0 or 1), and a constant bias current (sense current) IB is supplied to the MR elements MR1 and MR2 of the DSMR head 1-i by the head channel 20.
The bias voltages of the MR elements MR1 and MR2 (the corresponding output voltages of the variable gain amplifiers 210-1 and 210-2 observed at the output side of the head selection circuit 23) VMR1 and VMR
2 is measured by the bias voltage measuring circuit 212 (steps 601 and 602). These bias voltages VMR1, VMR
MR2 sets the resistance values of MR elements MR1 and MR2 to RMR1 and RMR1.
MR2, gain α of variable gain amplifiers 210-1 and 210-2
Assuming that 1, α2 is the initial gain α, the initial gain is expressed as follows.

【0048】 次にCPU6は、バイアス電圧測定回路212により測
定されたバイアス電圧VMR1 ,VMR2 の比をMR素子M
R2,MR1の最適なゲイン比α′2/α′1として求
め、EEPROM10の所定領域に格納されている、D
SMRヘッド1-iについての旧ゲイン比(初期値は1)
を当該求めた最新のゲイン比に更新する(ステップ60
3,604)。このゲイン比α′2/α′1は、次式に
示すように、MR素子MR1,MR2の抵抗値RMR1 ,
RMR2 の比に一致する。
[0048] Next, the CPU 6 compares the ratio of the bias voltages VMR1 and VMR2 measured by the bias voltage measurement circuit 212 with the MR element M
The optimum gain ratio α′2 / α′1 of R2 and MR1 is determined and stored in a predetermined area of the EEPROM 10.
Old gain ratio for SMR head 1-i (initial value is 1)
Is updated to the obtained latest gain ratio (step 60).
3,604). The gain ratio α′2 / α′1 is determined by the resistance values RMR1 and RMR1 of the MR elements MR1 and MR2, as shown in the following equation.
It matches the ratio of RMR2.

【0049】 上記したように、本実施形態では以上の処理を磁気ディ
スク装置の電源投入時の初期化処理の中で行うようにし
ている。その理由は、各DSMRヘッド1-iのMR素子
MR1,MR2の抵抗値RMR1 ,RMR2 の経時変化を考
慮して、常に最新の抵抗値RMR1 ,RMR2 を得るように
しているためである。なお、一定の起動回数毎に以上の
動作を行うようにしてもよい。その他、磁気ディスク装
置の製造段階で以上の動作を行うようにしても構わな
い。但し、この場合には、MR素子MR1,MR2の抵
抗値RMR1 ,RMR2 が経時変化しないことを前提とす
る。
[0049] As described above, in the present embodiment, the above processing is performed in the initialization processing when the power of the magnetic disk device is turned on. The reason is that the latest resistance values RMR1 and RMR2 are always obtained in consideration of the aging of the resistance values RMR1 and RMR2 of the MR elements MR1 and MR2 of each DSMR head 1-i. The above operation may be performed every fixed number of activations. In addition, the above operation may be performed at the stage of manufacturing the magnetic disk device. However, in this case, it is assumed that the resistance values RMR1 and RMR2 of the MR elements MR1 and MR2 do not change with time.

【0050】CPU6は、以上のゲイン比α′2/α′
1を決定してEEPROM10に格納する一連の処理
(ステップ601〜604)を全てのDSMRヘッド1
-iについて繰り返し実行する(ステップ605)。その
理由は、MR素子MR1,MR2の抵抗値RMR1 ,RMR
2 の比は、一般にDSMRヘッド1-i毎に異なるためで
ある。
The CPU 6 calculates the gain ratio α'2 / α '
1 is determined and stored in the EEPROM 10 (steps 601 to 604).
-i is repeatedly executed (step 605). The reason is that the resistance values RMR1 and RMR of the MR elements MR1 and MR2.
This is because the ratio of 2 generally differs for each DSMR head 1-i.

【0051】次に、図5の構成のリード時の動作を、図
7のフローチャートを参照して説明する。なお、ステッ
プ701〜709の処理は、前記第1の実施形態におけ
るステップ201〜209の処理と同一であるので、説
明を省略する。
Next, the read operation of the configuration of FIG. 5 will be described with reference to the flowchart of FIG. The processing in steps 701 to 709 is the same as the processing in steps 201 to 209 in the first embodiment, and a description thereof will not be repeated.

【0052】まず、DSMRヘッド1-0を用いたリード
において、TAが発生したために正常にリードできず、
通常リトライ、更には第1のTAリトライを行っても正
しくリードできなかったものとする(ステップ701〜
709)。この場合、CPU6は以下に述べる第2のT
Aリトライを行う。
First, in reading using the DSMR head 1-0, normal reading cannot be performed because TA has occurred.
Even if a normal retry and further a first TA retry are performed, it is assumed that the data cannot be read correctly (steps 701 to 701).
709). In this case, the CPU 6 performs the second T described below.
Perform A retry.

【0053】まず、TAが発生した場合のDSMRヘッ
ド1-0のMR素子MR1,MR2の抵抗値はRMR1 ,R
MR2 から変化する。このときのMR素子MR1,MR2
の抵抗値をβ1 RMR1 ,β2 RMR2 とすると、ヘッドチ
ャネル20内のバイアス電圧測定回路212で計測され
るDSMRヘッド1-0のMR素子MR1,MR2のバイ
アス電圧(に対応するゲイン可変アンプ210-1,21
0-2の出力電圧)V′MR1 ,V′MR2 は、次のようにな
る。
First, when TA occurs, the resistance values of the MR elements MR1 and MR2 of the DSMR head 1-0 are RMR1 and RMR.
Changes from MR2. The MR elements MR1 and MR2 at this time
Are resistance values of β1 RMR1 and β2 RMR2, the variable gain amplifier 210-1 corresponding to the bias voltages of the MR elements MR1 and MR2 of the DSMR head 1-0 measured by the bias voltage measurement circuit 212 in the head channel 20. , 21
Output voltages 0-2) V'MR1 and V'MR2 are as follows.

【0054】V′MR1 =β1 RMR1 ×IB ×α V′MR2 =β2 RMR2 ×IB ×α ここでβ1 RMR1 とβ2 RMR2 が大きく異なる場合、差
動アンプ22の同相除去の特性によっても、ノイズ成分
は十分に減衰されずに、上記のように通常リトライ、更
には第1のTAリトライによっても、正常にリードでき
ない場合もあり得る。
V'MR1 = β1 RMR1 × IB × α V′MR2 = β2 RMR2 × IB × α Here, when β1 RMR1 and β2 RMR2 are significantly different, the noise component is also affected by the common mode removal characteristic of the differential amplifier 22. It may not be possible to read normally due to the normal retry as described above, or even the first TA retry, without being sufficiently attenuated.

【0055】そこでCPU6は、EEPROM10から
DSMRヘッド1-0についてのゲイン比α′2/α′1
を取り出して、D/A変換器211-1にはゲインα′1
を表すゲイン切り替え制御データD1を、D/A変換器
211-2にはゲインα′2を表すゲイン切り替え制御デ
ータD2を出力することで、ゲイン可変アンプ210-
1,210-2のゲインを変更する(ステップ710)。
なお本実施形態では、ゲイン比α′2/α′1を保ちな
がら、α′1の値がゲイン可変アンプ210-1の初期ゲ
インαに一致するように、α′2の値を設定している。
このため、ゲイン可変アンプ210-1のゲインについて
はデータD1による切り替え設定は必ずしも行う必要は
ない。勿論、ゲイン比α′2/α′1を保ちながら、
α′2の値がゲイン可変アンプ210-2の初期ゲインα
に一致するように、α′1の値を設定するようにしても
構わない。
Then, the CPU 6 determines the gain ratio α'2 / α'1 for the DSMR head 1-0 from the EEPROM 10.
And the D / A converter 211-1 has a gain α′1
Is output to the D / A converter 211-2 by outputting the gain switching control data D2 representing the gain α'2, whereby the gain variable amplifier 210- is output.
1, the gain of 210-2 is changed (step 710).
In the present embodiment, while maintaining the gain ratio α′2 / α′1, the value of α′2 is set so that the value of α′1 matches the initial gain α of the gain variable amplifier 210-1. I have.
Therefore, the switching of the gain of the variable gain amplifier 210-1 by the data D1 is not necessarily performed. Of course, while maintaining the gain ratio α′2 / α′1,
The value of α′2 is the initial gain α of the variable gain amplifier 210-2.
The value of α′1 may be set so as to match

【0056】以上のゲイン変更処理の結果、DSMRヘ
ッド1-0のMR素子MR1,MR2のバイアス電圧(に
対応するゲイン可変アンプ21-10,210-2の出力電
圧)V′MR1 ,V′MR2 は次のようになる。
As a result of the above gain changing process, the bias voltages of the MR elements MR1 and MR2 of the DSMR head 1-0 (the corresponding output voltages of the variable gain amplifiers 21-10 and 210-2) V'MR1 and V'MR2. Is as follows.

【0057】V′MR1 =β1 RMR1 ×IB ×α′1 V′MR2 =β2 RMR2 ×IB ×α′2 ここでα′2/α′1=RMR1 /RMR2 であり、またβ
1 とβ2 とはほぼ等しい。したがって、V′MR1 とV′
MR2 とをほぼ等しくすることが可能となる。この場合、
差動アンプ22の同相除去の特性によりノイズ成分を十
分に減衰してTAを解消し、正常にリードできる可能性
を高めることができる。しかも、MR素子MR1,MR
2の抵抗値の比に対応した適切なゲインを1回で設定で
きるため、前記第1の実施形態のようにゲイン切り替え
を繰り返してノイズの影響が解消できるゲインを求める
のに比べて、第2のTAリトライに要する時間を短縮す
ることができる。
V′MR1 = β1 RMR1 × IB × α′1 V′MR2 = β2 RMR2 × IB × α′2 where α′2 / α′1 = RMR1 / RMR2 and β
1 and β2 are almost equal. Therefore, V 'MR1 and V'
It is possible to make MR2 substantially equal. in this case,
The noise component can be sufficiently attenuated by the common-mode removal characteristic of the differential amplifier 22 to eliminate TA and increase the possibility of normal reading. Moreover, the MR elements MR1, MR
Since an appropriate gain corresponding to the ratio of the resistance values of 2 can be set at one time, the gain can be eliminated by repeating the gain switching as in the first embodiment to eliminate the effect of noise. The time required for the TA retry can be shortened.

【0058】以上の結果、正常にリードできた場合には
(ステップ711)、CPU6は、該当するセクタに代
替セクタを割り当てて当該代替セクタにリードしたデー
タを書き込むリアサイン処理を行う(ステップ71
2)。
As a result of the above, when the data can be read normally (step 711), the CPU 6 performs a reassignment process of allocating a substitute sector to the corresponding sector and writing the read data to the substitute sector (step 71).
2).

【0059】なお、以上に述べた第2の実施形態では、
予め求めておいたゲイン比α′2/α′1でのゲイン設
定を第2のTAリトライ時に行う場合について説明した
が、通常リトライ時、或いは第1のTAリトライ時に行
うようにしてもよい。第1のTAリトライ時に行う場合
には、第2のTAリトライは不要となる。また、リード
エラーとならなくてもTA発生が検出された場合には、
TA成分をキャンセルするために、上記ゲイン比α′2
/α′1でのゲイン設定を行うようにしても構わない。
この他に、ゲイン可変アンプ210-1,210-2のゲイ
ン比を定常的に(最新の)α′1/α′2となるように
して、常にTA成分がキャンセル可能な状態で動作させ
るようにしても構わない。
In the second embodiment described above,
The case where the gain setting at the gain ratio α′2 / α′1 determined in advance is performed at the time of the second TA retry has been described, but may be performed at the time of the normal retry or the first TA retry. When performing at the time of the first TA retry, the second TA retry becomes unnecessary. Also, if TA occurrence is detected even without a read error,
In order to cancel the TA component, the gain ratio α′2
The gain may be set at / α′1.
In addition to this, the gain ratio of the variable gain amplifiers 210-1 and 210-2 is constantly set to (the latest) α′1 / α′2, and the amplifier is always operated in a state where the TA component can be canceled. It does not matter.

【0060】また、第2の実施形態では、ゲイン比α′
2/α′1をEEPROM10に格納するものとして説
明したが、当該ゲイン比α′2/α′1の算出のもとに
なった、バイアス電圧VMR1 ,VMR2 、バイアス電圧比
VMR1 /VMR2 (=抵抗比RMR1 /RMR2 )、または当
該ゲイン比α′2/α′1で決まるゲイン可変アンプ2
10-1,210-2のゲインを格納するようにしてもよ
い。
In the second embodiment, the gain ratio α '
Although 2 / α′1 has been described as being stored in the EEPROM 10, the bias voltages VMR1 and VMR2 and the bias voltage ratio VMR1 / VMR2 (= resistor) used to calculate the gain ratio α′2 / α′1 Ratio RMR1 / RMR2) or the variable gain amplifier 2 determined by the gain ratio α′2 / α′1.
The gains of 10-1 and 210-2 may be stored.

【0061】[0061]

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、T
A等が発生した場合に、DSMRヘッドをなす1対のM
R素子の出力と差動増幅器との間に設けられた1対のゲ
イン可変アンプのゲインを個々に切り替え設定するよう
にしたので、上記MR素子の各々の特性にばらつきがあ
っても、その特性のばらつきに起因するTA成分(ノイ
ズ成分)の量の差をなくすことができ、差動増幅器の同
相除去の特性により、TA成分をキャンセルすることが
可能となる。
As described in detail above, according to the present invention, T
When A or the like occurs, a pair of Ms forming the DSMR head
The gains of a pair of variable gain amplifiers provided between the output of the R element and the differential amplifier are individually switched and set. The difference in the amount of the TA component (noise component) caused by the variation of the differential amplifier can be eliminated, and the TA component can be canceled by the common-mode removal characteristic of the differential amplifier.

【0062】また、本発明によれば、DSMRヘッドを
なす1対のMR素子の各々のバイアス電圧を予め計測
し、TA等が発生した場合、特にTA発生に伴うリード
リトライ時に、当該1対のMR素子の出力と差動増幅器
との間に設けられた1対のゲイン可変アンプのゲインを
上記予め計測したバイアス電圧の比の逆数で決まるゲイ
ン比となるように切り替え設定するようにしたので、上
記MR素子の各々の特性にばらつきがあっても、その特
性のばらつきに起因するTA成分(ノイズ成分)の量の
差を短時間になくすことができ、差動増幅器の同相除去
の特性により、TA成分をキャンセルすることが可能と
なる。
Further, according to the present invention, the bias voltage of each of a pair of MR elements forming the DSMR head is measured in advance, and when a TA or the like occurs, particularly when a read retry is performed due to the TA, the pair of MR elements is measured. Since the gain of a pair of variable gain amplifiers provided between the output of the MR element and the differential amplifier is switched so as to have a gain ratio determined by the reciprocal of the previously measured bias voltage ratio, Even if there are variations in the characteristics of the MR elements, the difference in the amount of the TA component (noise component) due to the variations in the characteristics can be eliminated in a short time. The TA component can be canceled.

【0063】また本発明によれば、上記1対のゲイン可
変アンプのゲイン比を、定常的に上記バイアス電圧の比
の逆数で決まるゲイン比となるようにすることで、常に
TA成分がキャンセル可能な状態で動作させることもで
きる。
Further, according to the present invention, the TA component can always be canceled by setting the gain ratio of the pair of gain variable amplifiers to a gain ratio that is constantly determined by the reciprocal of the bias voltage ratio. It can be operated in any state.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係るTA検出・キャ
ンセル機能を有する磁気ディスク装置の概略構成を示す
ブロック図。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a magnetic disk drive having a TA detection / cancellation function according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同実施形態におけるリード時の動作を説明する
ためのフローチャート。
FIG. 2 is a flowchart for explaining an operation at the time of reading in the embodiment.

【図3】同実施形態において、MR素子MR1,MR2
の磁気抵抗特性が異なるために、MR1,MR2間でT
Aに起因するベースラインシフトの量に差が生じた結
果、MR1,MR2の差動出力(MR1−MR2)によ
ってもノイズ成分が十分にはキャンセルされていない例
を示す波形図。
FIG. 3 is a diagram showing MR elements MR1 and MR2 according to the first embodiment;
Are different in MR characteristics between MR1 and MR2.
FIG. 9 is a waveform diagram showing an example in which a noise component is not sufficiently canceled even by the differential outputs (MR1-MR2) of MR1 and MR2 as a result of a difference in the amount of baseline shift caused by A.

【図4】図3の状態でMR2側のゲイン(アンプ21-2
のゲイン)を上げた結果、TAに起因するMR1,MR
2間のベースラインシフト量の差が解消され、これによ
りMR1,MR2の差動出力(MR1−MR2)によっ
てノイズ成分が十分にキャンセルされた例を示す波形
図。
4 is a diagram showing the gain (amplifier 21-2) on the MR2 side in the state of FIG.
Gain), MR1 and MR caused by TA
FIG. 9 is a waveform chart showing an example in which the difference in the baseline shift amount between the two is eliminated and the noise component is sufficiently canceled by the differential outputs (MR1-MR2) of MR1 and MR2.

【図5】本発明の第2の実施形態に係るTA検出・キャ
ンセル機能を有する磁気ディスク装置の概略構成を示す
ブロック図。
FIG. 5 is a block diagram showing a schematic configuration of a magnetic disk drive having a TA detection / cancellation function according to a second embodiment of the present invention.

【図6】同実施形態において、MR素子MR2,MR1
の最適なゲイン比α′2/α′1を決定するための処理
を説明するためのフローチャート。
FIG. 6 is a diagram showing the MR elements MR2 and MR1 according to the first embodiment;
Is a flowchart for explaining a process for determining the optimum gain ratio α′2 / α′1 of FIG.

【図7】同実施形態におけるリード時の動作を説明する
ためのフローチャート。
FIG. 7 is an exemplary flowchart for explaining the operation at the time of reading in the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1-0,1-1…DSMRヘッド(2重ストライプ磁気抵抗
ヘッド) 2,20…ヘッドチャネル 3…リードチャネル 4…TA検出回路(熱アスペリティ検出回路) 6…CPU(ゲイン切り替え制御手段) 7…ROM 8…HDC 10…EEPROM(不揮発性記憶手段) 21-1,21-2,210-1,210-2…ゲイン可変アン
プ 22…差動アンプ(差動増幅器) 23…ヘッド選択回路 70,700…制御プログラム 211-1,211-2…D/A変換器 212…バイアス電圧測定回路
1-0, 1-1 ... DSMR head (double stripe magnetoresistive head) 2,20 ... Head channel 3 ... Read channel 4 ... TA detection circuit (thermal asperity detection circuit) 6 ... CPU (gain switching control means) 7 ... ROM 8 HDC 10 EEPROM (non-volatile storage means) 21-1, 21-2, 210-1, 210-2 Variable gain amplifier 22 Differential amplifier (differential amplifier) 23 Head selection circuit 70, 700 ... Control programs 211-1 and 211-2 ... D / A converters 212 ... Bias voltage measurement circuits

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ディスクからのデータ再生に1対のMR
素子を有する2重ストライプ磁気抵抗ヘッドを用いた磁
気ディスク装置において、 前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のMR素
子により再生された信号をそれぞれ増幅するための、ゲ
インを個々に複数段階切り替え設定可能な1対のゲイン
可変アンプ、及び前記1対のゲイン可変アンプの両出力
信号を差動増幅する差動増幅器を有するヘッドチャネル
と、 前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のMR素
子により再生された信号をもとに熱アスペリティ発生を
検出する熱アスペリティ検出回路と、 前記熱アスペリティ検出回路による熱アスペリティ発生
検出に応じて、前記1対のゲイン可変アンプのゲインを
個々に切り替えるゲイン切り替え制御手段とを具備する
ことを特徴とする磁気ディスク装置。
1. A pair of MRs for reproducing data from a disk
In a magnetic disk drive using a double-stripe magnetoresistive head having elements, gains for individually amplifying signals reproduced by the pair of MR elements of the double-stripe magnetoresistive head are individually switched in a plurality of stages. A head channel having a pair of settable variable gain amplifiers, a differential amplifier for differentially amplifying both output signals of the pair of variable gain amplifiers, and the pair of MR elements of the double stripe magnetoresistive head A thermal asperity detection circuit for detecting thermal asperity occurrence based on the signal reproduced by the above, and gain switching for individually switching gains of the pair of gain variable amplifiers according to thermal asperity occurrence detection by the thermal asperity detection circuit. A magnetic disk drive comprising a control unit.
【請求項2】 ディスクからのデータ再生に1対のMR
素子を有する2重ストライプ磁気抵抗ヘッドを用いた磁
気ディスク装置において、 前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のMR素
子により再生された信号をそれぞれ増幅するための、ゲ
インを個々に複数段階切り替え設定可能な1対のゲイン
可変アンプ、及び前記1対のゲイン可変アンプの両出力
信号を差動増幅する差動増幅器を有するヘッドチャネル
と、 前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のMR素
子により再生された信号をもとに熱アスペリティ発生を
検出する熱アスペリティ検出回路と、 リードエラーが発生した場合のリトライ処理時には、少
なくとも前記熱アスペリティ検出回路による熱アスペリ
ティ発生検出を条件として、前記1対のゲイン可変アン
プのゲインを個々に切り替える動作を、ゲインの組み合
わせを変えながらリードエラーが解消されるまで全組み
合わせを上限に繰り返すゲイン切り替え制御手段とを具
備することを特徴とする磁気ディスク装置。
2. A pair of MRs for reproducing data from a disk.
In a magnetic disk drive using a double-stripe magnetoresistive head having elements, gains for individually amplifying signals reproduced by the pair of MR elements of the double-stripe magnetoresistive head are individually switched in a plurality of stages. A head channel having a pair of settable variable gain amplifiers, a differential amplifier for differentially amplifying both output signals of the pair of variable gain amplifiers, and the pair of MR elements of the double stripe magnetoresistive head A thermal asperity detection circuit for detecting the occurrence of thermal asperity based on the signal reproduced by the method, and at the time of retry processing when a read error occurs, the thermal asperity detection circuit detects at least the thermal asperity occurrence by the thermal asperity detection circuit. The operation of individually switching the gains of variable gain amplifiers Magnetic disk apparatus characterized by comprising a gain switching control means for repeating the upper limit on the total combined until a read error is eliminated while changing.
【請求項3】 ディスクからのデータ再生に1対のMR
素子を有する2重ストライプ磁気抵抗ヘッドを用いた磁
気ディスク装置において、 前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のMR素
子により再生された信号をそれぞれ増幅するための、一
定の範囲内で任意のゲインに個々に切り替え設定するこ
とが可能な1対のゲイン可変アンプ、及び前記1対のゲ
イン可変アンプの両出力信号を差動増幅する差動増幅器
を有するヘッドチャネルと、 前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のMR素
子の各々のバイアス電圧を計測するバイアス電圧測定回
路と、 前記バイアス電圧測定回路を用いて予め前記2重ストラ
イプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のMR素子の各々のバイ
アス電圧を計測しておき、そのバイアス電圧の比の逆数
で決まるゲイン比で前記1対のゲイン可変アンプのゲイ
ンを設定するゲイン切り替え制御手段とを具備すること
を特徴とする磁気ディスク装置。
3. A pair of MRs for reproducing data from a disk.
In a magnetic disk drive using a double-stripe magnetoresistive head having an element, an arbitrary signal within a certain range for amplifying signals reproduced by the pair of MR elements of the double-stripe magnetoresistive head, respectively. A head channel having a pair of variable gain amplifiers that can be individually switched and set to gain, a differential amplifier for differentially amplifying both output signals of the pair of variable gain amplifiers, and the double stripe magnetoresistive A bias voltage measuring circuit for measuring a bias voltage of each of the pair of MR elements of the head; and a bias voltage of each of the pair of MR elements of the double stripe magneto-resistive head in advance using the bias voltage measuring circuit. Is measured, and the gain of the pair of variable gain amplifiers is set at a gain ratio determined by the reciprocal of the bias voltage ratio. Magnetic disk apparatus characterized by comprising a gain switching control unit that.
【請求項4】 ディスクからのデータ再生に1対のMR
素子を有する2重ストライプ磁気抵抗ヘッドを用いた磁
気ディスク装置において、 前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のMR素
子により再生された信号をそれぞれ増幅するための、一
定の範囲内で任意のゲインに個々に切り替え設定するこ
とが可能な1対のゲイン可変アンプ、及び前記1対のゲ
イン可変アンプの両出力信号を差動増幅する差動増幅器
を有するヘッドチャネルと、 前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のMR素
子の各々のバイアス電圧を計測するバイアス電圧測定回
路と、 前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のMR素
子により再生された信号をもとに熱アスペリティ発生を
検出する熱アスペリティ検出回路と、 前記バイアス電圧測定回路を用いて予め前記2重ストラ
イプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のMR素子の各々のバイ
アス電圧を計測しておき、前記熱アスペリティ検出回路
による熱アスペリティ発生検出に応じて、前記計測して
おいた1対のMR素子のバイアス電圧の比の逆数で決ま
るゲイン比で前記1対のゲイン可変アンプのゲインを設
定するゲイン切り替え制御手段とを具備することを特徴
とする磁気ディスク装置。
4. A pair of MRs for reproducing data from a disk
In a magnetic disk drive using a double-stripe magnetoresistive head having an element, an arbitrary signal within a certain range for amplifying signals reproduced by the pair of MR elements of the double-stripe magnetoresistive head, respectively. A head channel having a pair of variable gain amplifiers that can be individually switched and set to gain, a differential amplifier for differentially amplifying both output signals of the pair of variable gain amplifiers, and the double stripe magnetoresistive A bias voltage measuring circuit for measuring a bias voltage of each of the pair of MR elements of the head; and detecting a thermal asperity occurrence based on signals reproduced by the pair of MR elements of the double stripe magnetoresistive head. A thermal asperity detecting circuit, and the bias voltage measuring circuit, The bias voltage of each of the pair of MR elements is measured, and is determined by the reciprocal of the ratio of the measured bias voltage of the pair of MR elements according to the detection of the occurrence of thermal asperity by the thermal asperity detection circuit. A magnetic disk drive comprising: gain switching control means for setting a gain of the pair of variable gain amplifiers with a gain ratio.
【請求項5】 ディスクからのデータ再生に1対のMR
素子を有する2重ストライプ磁気抵抗ヘッドを用いた磁
気ディスク装置において、 前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のMR素
子により再生された信号をそれぞれ増幅するための、一
定の範囲内で任意のゲインに個々に切り替え設定するこ
とが可能な1対のゲイン可変アンプ、及び前記1対のゲ
イン可変アンプの両出力信号を差動増幅する差動増幅器
を有するヘッドチャネルと、 前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のMR素
子の各々のバイアス電圧を計測するバイアス電圧測定回
路と、 前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のMR素
子により再生された信号をもとに熱アスペリティ発生を
検出する熱アスペリティ検出回路と、 前記バイアス電圧測定回路を用いて予め前記2重ストラ
イプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のMR素子の各々のバイ
アス電圧を計測しておき、リードエラーが発生した場合
のリトライ処理時には、少なくとも前記熱アスペリティ
検出回路による熱アスペリティ発生検出を条件として、
前記計測しておいた1対のMR素子のバイアス電圧の比
の逆数で決まるゲイン比で前記1対のゲイン可変アンプ
のゲインを設定するゲイン切り替え制御手段とを具備す
ることを特徴とする磁気ディスク装置。
5. A pair of MRs for reproducing data from a disk.
In a magnetic disk drive using a double-stripe magnetoresistive head having an element, an arbitrary signal within a certain range for amplifying signals reproduced by the pair of MR elements of the double-stripe magnetoresistive head, respectively. A head channel having a pair of variable gain amplifiers that can be individually switched and set to gain, a differential amplifier for differentially amplifying both output signals of the pair of variable gain amplifiers, and the double stripe magnetoresistive A bias voltage measuring circuit for measuring a bias voltage of each of the pair of MR elements of the head; and detecting a thermal asperity occurrence based on signals reproduced by the pair of MR elements of the double stripe magnetoresistive head. A thermal asperity detecting circuit, and the bias voltage measuring circuit, The bias voltage of each of the pair of MR elements is measured in advance, and at the time of retry processing when a read error occurs, at least the condition of thermal asperity detection by the thermal asperity detection circuit is set as a condition.
A magnetic disk comprising: gain switching control means for setting the gain of the pair of variable gain amplifiers at a gain ratio determined by the reciprocal of the ratio of the measured bias voltage of the pair of MR elements. apparatus.
【請求項6】 前記ゲイン切り替え制御手段により前記
バイアス電圧測定回路を用いて計測された前記1対のM
R素子の各々のバイアス電圧、または当該バイアス電圧
の比、または当該バイアス電圧の逆数で決まるゲイン
比、または当該ゲイン比で決まる前記1対のゲイン可変
アンプのゲインを記憶しておくための不揮発性記憶手段
を更に具備し、 前記ゲイン切り替え制御手段は、前記不揮発性記憶手段
に記憶されている情報に従って前記1対のゲイン可変ア
ンプのゲインを設定することを特徴とする請求項3乃至
請求項5のいずれかに記載の磁気ディスク装置。
6. The pair of M measured by the gain switching control means using the bias voltage measurement circuit.
Non-volatile memory for storing the bias voltage of each of the R elements, the ratio of the bias voltage, the gain ratio determined by the reciprocal of the bias voltage, or the gain of the pair of variable gain amplifiers determined by the gain ratio 6. The memory according to claim 3, further comprising a storage unit, wherein the gain switching control unit sets a gain of the pair of variable gain amplifiers according to information stored in the nonvolatile storage unit. The magnetic disk device according to any one of the above.
【請求項7】 ディスクからデータを再生するための1
対のMR素子を有する2重ストライプ磁気抵抗ヘッド
と、前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のM
R素子により再生された信号をそれぞれ増幅するため
の、ゲインを個々に複数段階切り替え設定可能な1対の
ゲイン可変アンプ、及び前記1対のゲイン可変アンプの
両出力信号を差動増幅する差動増幅器を有するヘッドチ
ャネルと、前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1
対のMR素子により再生された信号をもとに熱アスペリ
ティ発生を検出する熱アスペリティ検出回路とを備えた
磁気ディスク装置に適用される熱アスペリティキャンセ
ル方法であって、 前記熱アスペリティ検出回路により熱アスペリティ発生
が検出されている場合のリードリトライ時には、前記1
対のゲイン可変アンプのゲインを個々に切り替える動作
を、ゲインの組み合わせを変えながらリトライに成功す
るまで全組み合わせを上限に繰り返すことを特徴とする
熱アスペリティキャンセル方法。
7. A method for reproducing data from a disk.
A double-stripe magnetoresistive head having a pair of MR elements; and the pair of Ms of the double-stripe magnetoresistive head.
A pair of variable gain amplifiers for individually amplifying and setting a plurality of gains for individually amplifying the signals reproduced by the R elements, and a differential amplifier for differentially amplifying both output signals of the pair of variable gain amplifiers A head channel having an amplifier; and the first channel of the double stripe magnetoresistive head.
A thermal asperity canceling method applied to a magnetic disk drive comprising: a thermal asperity detecting circuit for detecting occurrence of thermal asperity based on signals reproduced by a pair of MR elements. At the time of read retry when occurrence is detected,
A thermal asperity cancellation method characterized by repeating the operation of individually switching the gains of a pair of variable gain amplifiers while changing the combination of gains until all the combinations are successfully retried.
【請求項8】 ディスクからデータを再生するための1
対のMR素子を有する2重ストライプ磁気抵抗ヘッド
と、前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のM
R素子により再生された信号をそれぞれ増幅するため
の、一定の範囲内で任意のゲインに個々に切り替え設定
することが可能な1対のゲイン可変アンプ、及び前記1
対のゲイン可変アンプの両出力信号を差動増幅する差動
増幅器を有するヘッドチャネルとを備えた磁気ディスク
装置に適用される熱アスペリティキャンセル方法であっ
て、 予め前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のM
R素子の各々のバイアス電圧を計測しておき、その電圧
比の逆数で決まるゲイン比で前記1対のゲイン可変アン
プのゲインを設定することを特徴とする熱アスペリティ
キャンセル方法。
8. A method for reproducing data from a disk.
A double-stripe magnetoresistive head having a pair of MR elements; and the pair of Ms of the double-stripe magnetoresistive head.
A pair of variable gain amplifiers each capable of individually switching and setting an arbitrary gain within a certain range for amplifying a signal reproduced by the R element;
A thermal asperity canceling method applied to a magnetic disk drive having a head channel having a differential amplifier for differentially amplifying both output signals of a pair of variable gain amplifiers. A pair of M
A thermal asperity canceling method, wherein a bias voltage of each of the R elements is measured, and a gain of the pair of variable gain amplifiers is set at a gain ratio determined by a reciprocal of the voltage ratio.
【請求項9】 ディスクからデータを再生するための1
対のMR素子を有する2重ストライプ磁気抵抗ヘッド
と、前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のM
R素子により再生された信号をそれぞれ増幅するため
の、一定の範囲内で任意のゲインに個々に切り替え設定
することが可能な1対のゲイン可変アンプ、及び前記1
対のゲイン可変アンプの両出力信号を差動増幅する差動
増幅器を有するヘッドチャネルと、前記2重ストライプ
磁気抵抗ヘッドの前記1対のMR素子により再生された
信号をもとに熱アスペリティ発生を検出する熱アスペリ
ティ検出回路とを備えた磁気ディスク装置に適用される
熱アスペリティキャンセル方法であって、 予め前記2重ストライプ磁気抵抗ヘッドの前記1対のM
R素子の各々のバイアス電圧を計測し、 前記熱アスペリティ検出回路により熱アスペリティ発生
が検出されている場合のリードリトライ時には、前記計
測した1対のMR素子の各バイアス電圧の比の逆数で決
まるゲイン比で前記1対のゲイン可変アンプのゲインを
設定することを特徴とする熱アスペリティキャンセル方
法。
9. A method for reproducing data from a disc.
A double-stripe magnetoresistive head having a pair of MR elements; and the pair of Ms of the double-stripe magnetoresistive head.
A pair of variable gain amplifiers each capable of individually switching and setting an arbitrary gain within a certain range for amplifying a signal reproduced by the R element;
A thermal asperity is generated based on a head channel having a differential amplifier for differentially amplifying both output signals of a pair of variable gain amplifiers and a signal reproduced by the pair of MR elements of the double stripe magnetoresistive head. A thermal asperity canceling method applied to a magnetic disk drive provided with a thermal asperity detecting circuit for detecting the pair of Ms.
The bias voltage of each of the R elements is measured, and at the time of read retry when the thermal asperity detection circuit detects the occurrence of thermal asperity, a gain determined by the reciprocal of the ratio of the measured bias voltages of the pair of MR elements is used. A thermal asperity canceling method, wherein a gain of the pair of variable gain amplifiers is set by a ratio.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008135128A (en) * 2006-11-29 2008-06-12 Fujitsu Ltd Head ic, read circuit, and medium memory device
JP2008249645A (en) * 2007-03-30 2008-10-16 Tdk Corp Current detection circuit, and initialization method for current detection circuit
KR100899824B1 (en) 2006-09-20 2009-05-27 후지쯔 가부시끼가이샤 Head ic, read circuit, and media storage device

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