JPH11212021A - Laser light radiating device - Google Patents

Laser light radiating device

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Publication number
JPH11212021A
JPH11212021A JP1433498A JP1433498A JPH11212021A JP H11212021 A JPH11212021 A JP H11212021A JP 1433498 A JP1433498 A JP 1433498A JP 1433498 A JP1433498 A JP 1433498A JP H11212021 A JPH11212021 A JP H11212021A
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JP
Japan
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mask
laser beam
kaleidoscope
laser
light
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Application number
JP1433498A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Obara
隆 小原
Atsushi Takada
淳 高田
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the laser beam of high uniformity removing the effect of interference fringes generated at the exit of a kaleidoscope by arranging a mask for selectively transmitting laser light outputted from the kaleidoscope for making uniform laser light intensity. SOLUTION: The laser light made incident through an incident lens 7 into a kaleidoscope 8 is repeatedly reflected inside of the kaleidoscope 8 and reaches an exit 8E. At the exit 8E of this kaleidoscope 8, the laser light has the distribution of light intensity generating interference fringes (b). When the laser light having this intensity distribution is passed through a mask 20, since a light transmissible part is formed only at the center of the mask 20, the peripheral part having the interference fringes is cut and only the beam center having the high uniformity of light intensity is transmitted. Therefore, the light intensity distribution of laser beams transmitted through the mask 20 becomes in a uniform rectangular from (c). The image of this laser beam is formed into spot and an object W to be irradiated is uniformly irradiated.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体装
置の製造技術で、微細なホールや溝上にスパッタ法によ
りCuを堆積させて、それにエネルギービームを照射し
て溶融させ、Cuによる埋込み配線を形成する際等に用
いる、レーザ光の強度分布を空間的に均一にする装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing technique, for example, in which Cu is deposited on fine holes or grooves by a sputtering method, and is irradiated with an energy beam to be melted. The present invention relates to an apparatus for spatially uniformizing the intensity distribution of a laser beam, which is used when forming the laser beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の配線材料は、一般に、アル
ミニウム合金が使用されている。しかしながら近年、特
に徴微細パターンで超高速動作が要求される半導体装置
については、(イ)配線の微細化に伴う電流密度の増
大、(ロ)配線抵抗の増大、(ハ)エレクトロマイグレ
ーションの問題、(ニ)配線遅延の増大による動作速度
の低下が懸念されている。
2. Description of the Related Art Generally, an aluminum alloy is used as a wiring material of a semiconductor device. However, in recent years, especially for semiconductor devices that require ultra-high-speed operation with fine patterns, (a) increase in current density due to miniaturization of wiring, (b) increase in wiring resistance, (c) problems of electromigration, (D) There is a concern that the operating speed may be reduced due to an increase in wiring delay.

【0003】そのため、エレクトロマイグレーション耐
性が高く、アルミニウムよりも電気抵抗の低いCuを用
いた配線が試みられている。Cu配線を形成する場合
は、Cuは蒸気圧が低い化合物が無くドライエッチング
が難しいので、埋め込み構造の配線を形成することが要
求される。
For this reason, wiring using Cu, which has high electromigration resistance and lower electric resistance than aluminum, has been attempted. When forming a Cu wiring, it is required to form a wiring having a buried structure because Cu has no compound having a low vapor pressure and dry etching is difficult.

【0004】埋め込み構造の配線形成法の一つに、絶縁
膜上に形成された穴や溝パターン上にスパッタ法により
Cuを形成し、エキシマレーザ光を照射してCu膜を溶
融させて穴や溝パターンに埋め込み、その後の化学的機
械的研磨技術(CMP)により配線内のCuを残して、
それ以外の絶縁膜上のCu配線膜を研磨・除去して基板
上の全面に層間絶縁膜を堆積させる。
[0004] One of the methods of forming a wiring having a buried structure is to form Cu on a hole or a groove pattern formed on an insulating film by a sputtering method and irradiate an excimer laser beam to melt the Cu film to form a hole or a groove. Embedded in the groove pattern, leaving the Cu in the wiring by the subsequent chemical mechanical polishing technique (CMP),
The Cu wiring film on the other insulating film is polished and removed, and an interlayer insulating film is deposited on the entire surface of the substrate.

【0005】特に、エキシマレーザ光を照射して、Cu
を穴や溝パターンを確実に埋め込むためには、空間的に
均一に加熱する必要があり、そのためにはレーザ光を空
間的に均一化する必要がある。
[0005] In particular, by excimer laser light irradiation, Cu
In order to reliably bury the hole or groove pattern, it is necessary to uniformly heat the space, and for that purpose, it is necessary to make the laser beam spatially uniform.

【0006】このレーザ光の空間的強度分布を均一化
(ホモジナイズ)させる光学系として、カライドスコー
プ方式のビームホモジナイザが用いられることが多い。
A kaleidoscope-type beam homogenizer is often used as an optical system for homogenizing the spatial intensity distribution of the laser light.

【0007】カライドスコープ方式のビームホモジナイ
ザは、図11に示すように図示しないレーザ発振器の光
軸上の前方に入射レンズ7、カライドスコープ8、結像
レンズ9の順で配置されている。入射レンズ7によりレ
ーザ発振器から発振されたレーザ光Lが集光されてカラ
イドスコープ8に入射し、入射したレーザ光Lはカライ
ドスコープ8の中で反射を繰返してカライドスコープ8
の出口8Eで均一化される。そして、この均一化ビーム
を結像レンズ9により被照射物Wに結像し、被照射物W
に所望の処理を行う。
As shown in FIG. 11, the kaleidoscope-type beam homogenizer is arranged in the order of an incident lens 7, a kaleidoscope 8, and an imaging lens 9 in front of an optical axis of a laser oscillator (not shown). The laser light L oscillated from the laser oscillator by the incident lens 7 is condensed and incident on the kaleidoscope 8, and the incident laser light L is repeatedly reflected in the kaleidoscope 8 and
At the outlet 8E. Then, the uniformized beam is imaged on the irradiation target W by the imaging lens 9, and the irradiation target W
The desired processing is performed.

【0008】カライドスコープ8は4角筒又は4角柱の
形状で、4角筒のものは4つの内面が反射ミラーで構成
され、カライドスコープ8の入口から入射したレーザ光
Lが筒内の4つの反射ミラーで反射を繰返すことによっ
て、出口で均一化されたレーザビームが得られる。ま
た、4角柱のものは光学ガラス製の4角柱で、入口から
入射したレーザ光Lは光学ガラス壁面で反射を繰返し出
口で均一化したレーザビームを出力する。
The kaleidoscope 8 has the shape of a quadrilateral cylinder or a quadrangular prism. The quadrilateral cylinder has four inner surfaces formed by reflection mirrors, and the laser light L incident from the entrance of the kaleidoscope 8 is provided inside the cylinder. By repeating the reflection with the four reflection mirrors, a uniform laser beam is obtained at the exit. The rectangular prism is a quadrangular prism made of optical glass, and the laser beam L incident from the entrance repeatedly reflects on the optical glass wall surface and outputs a laser beam uniform at the exit.

【0009】この際の出力端でのレーザビームLBの均
一化特性は、光学系を構成する入射レンズ7の焦点距
離、カライドスコープ8の光導波路径、カライドスコー
プ8の長さによって定められる反射回数に依存する。も
ちろんカライドスコープ8での反射回数が多いほど均一
度は向上する。
At this time, the uniformity of the laser beam LB at the output end is determined by the focal length of the incident lens 7 constituting the optical system, the diameter of the optical waveguide of the kaleidoscope 8, and the length of the kaleidoscope 8. It depends on the number of reflections. Of course, the greater the number of reflections on the kaleidoscope 8, the better the uniformity.

【0010】また、図12(a)に示すようにカライド
スコープ8は出射する光導波路径8dがカライドスコー
プが存在しなかった場合の入射レンズからの出力に比べ
て1/45程度になる。
Further, as shown in FIG. 12 (a), the diameter of the exiting optical waveguide 8d of the kaleidoscope 8 is about 1/45 of the output from the incident lens when no kaleidoscope is present. .

【0011】また、カライドスコープ8の出口8Eであ
る出力端では、図12(b)に示すようにレーザ光Lの
干渉効果により干渉縞が発生する。この干渉縞の発生領
域はカライドスコープ8に入射するレーザ光Lの持つ空
間的位相に依存する。
At the output end which is the exit 8E of the kaleidoscope 8, interference fringes are generated due to the interference effect of the laser light L as shown in FIG. The region where the interference fringes occur depends on the spatial phase of the laser light L incident on the kaleidoscope 8.

【0012】例えば、図13に示すようにエキシマレー
ザ光LのX方向とY方向の空間位相を測定すると、干渉
強度が5%以下になるのはX方向で400μm、Y方向
で200μm程度の空間内での干渉縞が発生する。この
発生した干渉縞は当然均一化ビームの均一度を低下させ
る。
For example, when the spatial phase of the excimer laser light L in the X direction and the Y direction is measured as shown in FIG. 13, the interference intensity is reduced to 5% or less in a space of about 400 μm in the X direction and about 200 μm in the Y direction. Interference fringes occur in the inside. The generated interference fringes naturally lower the uniformity of the uniformized beam.

【0013】なお、空間的位相は、図14に示すような
干渉縞測定光学系により測定することが出来る。この光
学系は2枚のハーフミラー15、16と全反射ミラー1
7とミラーMとスクリーン18とで構成されている。こ
の構成でミラーMをX及びY方向にずらすことにより、
空間的位相がどの程度であるか測定することが出来る。
The spatial phase can be measured by an interference fringe measuring optical system as shown in FIG. This optical system includes two half mirrors 15 and 16 and a total reflection mirror 1.
7, a mirror M, and a screen 18. By shifting the mirror M in the X and Y directions in this configuration,
The degree of the spatial phase can be measured.

【0014】この方法の応用例が特開平6−11001
0号公報に開示されている。すなわち、図15に示すよ
うに、レーザ光Lは光軸上に配置されたプリズムPと入
射レンズ7を通過してカライドスコープ8に入射する。
カライドスコープ8はその内面が入射したレーザ光Lを
反射するように四角筒状の形状であるため、入射したレ
ーザ光Lはカライドスコープ8の内面で反射を繰返して
強度分布が均一化されてカライドスコープ8から出射す
る。
An application example of this method is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H6-111001.
No. 0 discloses this. That is, as shown in FIG. 15, the laser light L passes through the prism P and the incident lens 7 arranged on the optical axis and enters the kaleidoscope 8.
Since the kaleidoscope 8 has a rectangular cylindrical shape such that its inner surface reflects the incident laser light L, the incident laser light L is repeatedly reflected on the inner surface of the kaleidoscope 8 to make the intensity distribution uniform. Out of the callide scope 8.

【0015】カライドスコープ8から出射したレーザ光
Lは、結像レンズ9を介して被照射部Wの表面にスポッ
トSとして結像し被照射物Wの所定個所を正確に照射す
る。
The laser light L emitted from the kaleidoscope 8 forms an image as a spot S on the surface of the irradiated portion W through the imaging lens 9 and accurately irradiates a predetermined portion of the irradiated object W.

【0016】なお、この方法でプリズムPが使用されて
いるのは、入射レンズ7によりレーザ光Lがカライドス
コープ8の入射口近傍で集光する際に、レーザ光Lの集
中によるエアーブレークダウンが発生するのを防止する
ためで、レーザ光Lの集光部を複数個設けている。
The reason why the prism P is used in this method is that when the laser beam L is condensed near the entrance of the kaleidoscope 8 by the incident lens 7, the air breakdown due to the concentration of the laser beam L In order to prevent the occurrence of the laser beam L, a plurality of laser light condensing portions are provided.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】カライドスコープ方式
のホモジナイザは、カライドスコープ内で入射したレー
ザ光が反射を繰返すことによって出射端で均一化する
が、この反射の繰返し数は図12(a)に示すように、
カライドスコープの出射端でのビームサイズをカライド
スコープの光導波路径の大きさに細分化し一個所に折り
たたんでいる。
In the homogenizer of the kaleidoscope system, the laser beam incident in the kaleidoscope is made to be uniform at the output end by being repeatedly reflected. The number of repetitions of this reflection is shown in FIG. ),
The beam size at the exit end of the kaleidoscope is subdivided into the size of the optical waveguide diameter of the kaleidoscope and folded at one location.

【0018】このため得られる均一化ビームのエッジ部
ではレーザ光の位相が等しいため、図12(b)に示す
ように均一化ビームのエッジ部を拡大すると干渉縞が発
生している。このため、高い均一度が得られない。
For this reason, since the phase of the laser beam is equal at the edge of the obtained uniform beam, interference fringes occur when the edge of the uniform beam is enlarged as shown in FIG. For this reason, high uniformity cannot be obtained.

【0019】なお、レーザ光には、空間的可干渉性と呼
ばれる性質があるため、ビーム内での位置が近い光同士
が干渉しあう場合は干渉効果が高くなる。また、反射面
近傍では反射した光と反射していない光の空間的可干渉
性が高くなるので干渉効果が高い。
Since the laser light has a property called spatial coherence, the interference effect is enhanced when lights close to each other in the beam interfere with each other. Further, in the vicinity of the reflection surface, the spatial coherence of the reflected light and the unreflected light increases, so that the interference effect is high.

【0020】また、レーザ光の重なりによる干渉縞の発
生は、重なるレーザ光の光強度が等しいほど顕著とな
り、重なり合うレーザ光の光強度差が大きいほど干渉効
果は小さくなる。
Further, the occurrence of interference fringes due to the overlapping of the laser beams becomes more pronounced as the light intensity of the overlapping laser beams becomes equal, and the interference effect becomes smaller as the light intensity difference between the overlapping laser beams becomes larger.

【0021】従って、カライドスコープでレーザ光の光
強度分布を均一化する方法では、入射レーザ光の光強度
分布が滑らかな場合、重なり合うレーザ光の光強度がよ
り等しいのは反射面、つまり側面に近いところであり、
カライドスコープ出口での干渉縞もビーム周辺部に生じ
易い。
Therefore, in the method of making the light intensity distribution of the laser light uniform with the kaleidoscope, when the light intensity distribution of the incident laser light is smooth, the light intensity of the overlapping laser light is more equal to the reflection surface, that is, the side surface. Close to
Interference fringes at the exit of the kaleidoscope are also likely to occur around the beam.

【0022】なお、この干渉縞で生じる強度分布は被照
射物に結像される際も保たれてしまうので、レーザ照射
強度の均一度の低下に影響を及ぼす。
Note that the intensity distribution generated by the interference fringes is maintained even when an image is formed on an object to be illuminated, thereby affecting the reduction in the uniformity of the laser irradiation intensity.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、レーザ
発振器から発振されるレーザ光の光軸上に設置された入
射レンズと、この入射レンズの前記光軸上の前方に設け
られたカライドスコープと、このカライドスコープの端
部或いは前記光軸上における前記レーザ光の出射側に設
けられ、前記カライドスコープから出力されるレーザ光
を選択的に透過するマスクと、このマスクの前記光軸上
における前記レーザ光の出射側に設けられた結像光学系
とを有することを特徴とするレーザ光照射装置にある。
According to the present invention, an incident lens provided on an optical axis of a laser beam oscillated from a laser oscillator, and a laser provided in front of the incident lens on the optical axis. A ride scope, a mask provided at an end of the kaleidoscope or on an emission side of the laser light on the optical axis, and selectively transmitting laser light output from the kaleidoscope; An imaging optical system provided on the emission side of the laser light on the optical axis.

【0024】また本発明によれば、前記マスクはテーパ
状の開口部断面をもつマスクであることを特徴とするレ
ーザ光照射装置にある。
According to the invention, there is provided a laser beam irradiation apparatus, wherein the mask is a mask having a tapered opening cross section.

【0025】また本発明によれば、前記マスクは前記レ
ーザ光を散乱させる部位を有するマスクであることを特
徴とするレーザ光照射装置にある。
According to the present invention, there is provided a laser beam irradiation apparatus, wherein the mask is a mask having a portion for scattering the laser beam.

【0026】また本発明によれば、前記散乱させる部位
を有するマスクはすりガラスにより前記レーザ光の出射
部が形成されているマスクであり、かつ、このすりガラ
スを有するマスクは前記カライドスコープの光導波路径
の中心位置を基準にし、その光導波路径より小さい径の
部分は透過率が前記すりガラスよりも高いことを特徴と
するレーザ光照射装置にある。
According to the present invention, the mask having the scattered portion is a mask in which the emission portion of the laser light is formed by frosted glass, and the mask having the frosted glass is an optical waveguide of the kaleidoscope. A laser beam irradiation apparatus is characterized in that a portion having a diameter smaller than the optical waveguide diameter with respect to the center position of the path diameter has a transmittance higher than that of the ground glass.

【0027】また本発明によれば、前記すりガラスの材
質はアモルファスニ酸化シリコン又はホウケイ酸クラウ
ンガラスで、かつ、すりガラス部の面粗さは0.5μm
以上であることを特徴とするレーザ光照射装置にある。
According to the present invention, the ground glass is made of amorphous silicon dioxide or borosilicate crown glass, and the ground glass has a surface roughness of 0.5 μm.
There is provided a laser beam irradiation apparatus characterized by the above.

【0028】また本発明によれば、前記マスクはメタル
により形成されているマスクであり、かつ、このメタル
により形成されているマスクは前記カライドスコープの
光導波路径の中心位置を基準にし、その光導波路径より
小さい径の開口が設けられていることを特徴とするレー
ザ光照射装置にある。
Further, according to the present invention, the mask is a mask formed of metal, and the mask formed of metal is based on the center position of the optical waveguide diameter of the kaleidoscope. The laser light irradiation device is characterized in that an opening having a diameter smaller than the diameter of the optical waveguide is provided.

【0029】また本発明によれば、前記メタルにより形
成されているマスクの材質は80%以上の反射率又は2
500℃以上の融点の性質を有することを特徴とするレ
ーザ光照射装置にある。
According to the present invention, the material of the mask formed of the metal has a reflectance of 80% or more or a reflectance of 2% or more.
A laser light irradiation apparatus characterized by having a melting point of 500 ° C. or higher.

【0030】また本発明によれば、前記マスクに設けら
れた、前記カライドスコープの光導波路径の中心位置を
基準にし、その光導波路径より小さい径の透光部は、光
導波路周辺の4辺のそれぞれから200μm以上離れて
いることを特徴とするレーザ光照射装置にある。
Further, according to the present invention, a light-transmitting portion provided on the mask and having a diameter smaller than the diameter of the optical waveguide with respect to the center position of the optical waveguide diameter of the kaleidoscope is formed around the optical waveguide. A laser beam irradiation device is characterized by being separated from each of the sides by 200 μm or more.

【0031】また本発明によれば、前記カライドスコー
プは、レーザ光入射口には密閉して遮光したピンホール
板を、かつ、レーザ光出射口には密閉して遮光したマス
クを有し、前記ピンホール板と前記マスクの各々の遮光
部はレーザ光に対する反射処理が施されていることを特
徴とするレーザ光照射装置にある。
Further, according to the present invention, the kaleidoscope has a hermetically shielded pinhole plate at a laser beam entrance, and a hermetically shielded mask at a laser beam exit. The light-shielding portion of each of the pinhole plate and the mask is subjected to a reflection process with respect to a laser beam.

【0032】また本発明によれば、前記カライドスコー
プは多角筒又は多角柱であることを特徴とするレーザ光
照射装置にある。
According to the present invention, the kaleidoscope is a polygonal cylinder or a polygonal column.

【0033】[0033]

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0034】まず、本発明に関係する半導体装置の製造
工程の概要を図1に基づいて説明すると、図1は各製造
工程における基板とその上に形成される各層の断面構造
を示したものである。
First, an outline of a manufacturing process of a semiconductor device according to the present invention will be described with reference to FIG. 1. FIG. 1 shows a cross-sectional structure of a substrate and respective layers formed thereon in each manufacturing process. is there.

【0035】図1(a)に示すようにシリコンの基板1
の上に形成された絶縁膜2の上に配線溝3(幅が0.6
μm、深さが0.3μm、溝の総延長が約50mm)を
形成する。次に図1(b)のようにスパッタ法で絶縁膜
2の上に厚さが約0.3μmのCu膜4を形成する。そ
の後に、図1(c)に示すようにXeClエキシマレー
ザ光LをCu膜4に照射して溶融させることにより配線
溝3内にCuを埋込む。このCuが埋込まれた状態で図
1(d)に示すように化学的・機械研磨技術(CMP)
により配線溝3内のCuを残して、それ以外の絶縁膜2
の上のCu配線膜5を研磨・除去する。次に、図1
(e)示すようにCVD法により基板1の上の全面に層
間絶縁膜6を形成する。
As shown in FIG. 1A, a silicon substrate 1
The wiring groove 3 (having a width of 0.6) is formed on the insulating film 2 formed thereon.
μm, a depth of 0.3 μm, and a total extension of the groove of about 50 mm). Next, as shown in FIG. 1B, a Cu film 4 having a thickness of about 0.3 μm is formed on the insulating film 2 by a sputtering method. Thereafter, as shown in FIG. 1C, the Cu film 4 is irradiated with XeCl excimer laser light L to melt the Cu film, thereby burying Cu in the wiring groove 3. In the state where the Cu is embedded, as shown in FIG.
To leave the Cu in the wiring groove 3 and the other insulating film 2
Is polished and removed. Next, FIG.
(E), an interlayer insulating film 6 is formed on the entire surface of the substrate 1 by the CVD method.

【0036】その後に層間絶縁膜6に図示しない層間接
続口を開口し、その上に第2層目のCu配線を形成す
る。更に、その上にパッシベーション膜を形成してパッ
ドを形成する。
Thereafter, an interlayer connection port (not shown) is opened in the interlayer insulating film 6, and a second-layer Cu wiring is formed thereon. Further, a passivation film is formed thereon to form a pad.

【0037】上述のXeClエキシマレーザ光LのCu
膜4への照射の際は、照射するレーザビームLBの空間
的強度分布の均一化が要求される。この要求を満たすた
めにはカライドスコープによるレーザビームLBの均一
化手段が用いられる。
The Cu of the above-described XeCl excimer laser beam L
When irradiating the film 4, it is required that the spatial intensity distribution of the irradiating laser beam LB be uniform. In order to satisfy this requirement, a means for making the laser beam LB uniform by a kaleidoscope is used.

【0038】以下に、更に詳細に各実施の形態を説明す
る。
Hereinafter, each embodiment will be described in more detail.

【0039】(実施の形態1)図2(a)〜(c)に基
づいて説明すると、図示しないレーザ発振器から発振さ
れたレーザ光Lは、光軸上に順次配置された入射レンズ
7、カライドスコープ8、マスク20と結像レンズ9を
経由して被照射物Wの所定位置を照射する。
(Embodiment 1) Referring to FIGS. 2A to 2C, a laser beam L oscillated from a laser oscillator (not shown) is provided with an incident lens 7 and a laser beam sequentially arranged on an optical axis. A predetermined position of the irradiation object W is irradiated via the ride scope 8, the mask 20 and the imaging lens 9.

【0040】入射レンズ7を介してカライドスコープ8
内に入射されたレーザ光Lは、カライドスコープ8内で
反射を繰返しカライドスコープ8の出口8Eに到達す
る。このカライドスコープ8の出口8Eでは、レーザ光
Lの光強度分布は発生した干渉縞のために図2(b)に
示す強度分布となる。
Callide scope 8 through incident lens 7
The laser light L incident on the inside repeatedly reaches the outlet 8E of the kaleidoscope 8 repeatedly in the kaleidoscope 8. At the exit 8E of the kaleidoscope 8, the light intensity distribution of the laser light L becomes the intensity distribution shown in FIG. 2B due to the generated interference fringes.

【0041】この強度分布を持つレーザ光Lがマスク2
0を通過すると、マスク20は中心部のみに透光部が形
成されているため、干渉縞のある周辺部はカットされ光
強度の均一度が高いビーム中心部のみが透過する。
The laser beam L having this intensity distribution is applied to the mask 2
When the light passes through 0, the mask 20 has a light-transmitting portion formed only in the central portion, so that the peripheral portion having the interference fringes is cut, and only the central portion of the beam having a high degree of uniformity of the light intensity is transmitted.

【0042】従って、マスク20を透過したレーザビー
ムLBの光強度分布は図2(c)のように均一な光強度
分布の矩形状になる。このレーザビームLBを所定の倍
率でスポットに結像させて被照射物Wを均一に照射す
る。
Accordingly, the light intensity distribution of the laser beam LB transmitted through the mask 20 becomes a rectangular shape having a uniform light intensity distribution as shown in FIG. The laser beam LB is focused on a spot at a predetermined magnification to uniformly irradiate the irradiation object W.

【0043】図3はマスク20にメタルマスク20mを
用いた例で、この場合、カライドスコープ8の光導波路
径をd×dとすると、メタルマスク20mはカライドス
コープ8の光導波路径8dの中心位置に対して(d−
a)×(d−a)の開口部Hを有するするメタルマスク
20mとする。ただし、d>aとし、a/2は干渉縞発
生領域とする。従って、光導波路の各一辺dからメタル
マスク20mにより両端の干渉縞発生部a/2がそれぞ
れカットされメタルマスク20mを透過したレーザ光は
干渉縞の無い均一化された光のみとなる。
FIG. 3 shows an example in which a metal mask 20m is used as the mask 20. In this case, assuming that the diameter of the optical waveguide of the kaleidoscope 8 is d × d, the metal mask 20m is smaller than the diameter of the optical waveguide 8d of the kaleidoscope 8. (D-
a) A metal mask 20m having an opening H of × (da). However, d> a, and a / 2 is an interference fringe generation area. Therefore, the interference fringe generating portions a / 2 at both ends are cut off from each side d of the optical waveguide by the metal mask 20m, and the laser light transmitted through the metal mask 20m is only uniform light without interference fringes.

【0044】なお、メタルマスク20mの両面は鏡面加
工を施し、カライドスコープ8の光導波路の出口8E端
部に発生する干渉縞領域の光束をメタルマスク20mに
吸収させ均一化ビームに干渉縞の発生を回避させた。た
だし、メタルマスク20mはレーザ光Lを吸収するた
め、レーザのエネルギーはメタルマスク20mを溶融し
ないレベルに抑制する必要があるのは勿論である。図4
(a)はこの実施の態様で得られた均一化ビームのビー
ムプロファイルで、図4(b)は従来の均一化ビームの
プロファイルを示している。
Incidentally, both surfaces of the metal mask 20m are mirror-finished, and the luminous flux of the interference fringe region generated at the end of the exit 8E of the optical waveguide of the kaleidoscope 8 is absorbed by the metal mask 20m so that a uniform beam is formed. Occurrence was avoided. However, since the metal mask 20m absorbs the laser beam L, it is needless to say that the energy of the laser must be suppressed to a level that does not melt the metal mask 20m. FIG.
FIG. 4A shows a beam profile of a uniform beam obtained in this embodiment, and FIG. 4B shows a profile of a conventional uniform beam.

【0045】(実施の形態2)光学系全体の基本構造
は、図5(a)に示すように実施の形態1と同様なので
同様部分の説明は省略する。この実施の形態ではマスク
として中心部にテーパ状の穴Htが設けられたテーパ状
マスク20tを用いている。
(Embodiment 2) The basic structure of the entire optical system is the same as that of Embodiment 1 as shown in FIG. In this embodiment, a tapered mask 20t having a tapered hole Ht at the center is used as a mask.

【0046】カライドスコープ8に入射したレーザ光L
はその出口8Eで光強度分布が、発生した干渉縞によっ
て図5(b)に示す強度分布となる。この強度分布のレ
ーザ光Lがテーパ状マスク20tを透過すると干渉縞の
あるビーム周辺部はカットされ、レーザ光L強度の均一
度が高いビームの中心部のみが透過する。
The laser light L incident on the kaleidoscope 8
The light intensity distribution at the exit 8E becomes the intensity distribution shown in FIG. 5B due to the generated interference fringes. When the laser beam L having this intensity distribution passes through the tapered mask 20t, the peripheral portion of the beam having the interference fringes is cut, and only the central portion of the beam having a high degree of uniformity of the laser beam L intensity is transmitted.

【0047】従って、テーパ状マスク20tを透過後の
レーザ光Lの光強度分布は図5(c)に示すようにな
り、この分布のレーザ光Lを結像レンズ9により所定の
倍率ですポットに結像させて被照射物Wを均一に照射す
る。
Accordingly, the light intensity distribution of the laser light L after passing through the tapered mask 20t is as shown in FIG. 5C, and the laser light L having this distribution is supplied to the pot at a predetermined magnification by the imaging lens 9. An image is formed and the object to be irradiated W is uniformly irradiated.

【0048】なお、テーパ状マスク20tを用いること
によって、結像面を明確にし、また、スポットにおいて
くっきりした像を得ることが出来た。
The use of the tapered mask 20t made it possible to clarify the image plane and obtain a sharp image at the spot.

【0049】(実施の形態3)光学系全体の基本構造
は、図6(a)に示すように実施の形態1と同様なので
同様部分の説明は省略する。この実施の形態ではマスク
として散乱型マスク20dを用いた。この散乱型マスク
20dは全体が散乱板で形成され、かつ、中心部にレー
ザ光Lを透過する穴Hdが設けられている。
(Embodiment 3) The basic structure of the entire optical system is the same as that of Embodiment 1 as shown in FIG. In this embodiment, a scattering mask 20d is used as a mask. The scattering mask 20d is entirely formed of a scattering plate, and has a hole Hd for transmitting the laser beam L at the center.

【0050】カライドスコープ8に入射したレーザ光L
はその出口8Eで光強度分布が、発生した干渉縞によっ
て図5(b)に示す強度分布となる。この強度分布のレ
ーザ光Lが散乱型マスク20dを透過すると干渉縞のあ
るビーム周辺部は散乱され、レーザ光L強度の均一度が
高いビームの中心部のみが透過する。従って、散乱型マ
スク20を透過後のレーザ光Lの光強度分布は図6
(b)に示すようになる。この分布のレーザ光Lを結像
レンズ9により所定の倍率でポットに結像させて被照射
物Wを均一に照射する。
The laser light L incident on the kaleidoscope 8
The light intensity distribution at the exit 8E becomes the intensity distribution shown in FIG. 5B due to the generated interference fringes. When the laser beam L having this intensity distribution passes through the scattering mask 20d, the peripheral portion of the beam having the interference fringes is scattered, and only the central portion of the beam having a high degree of uniformity of the laser beam L intensity is transmitted. Therefore, the light intensity distribution of the laser beam L after passing through the scattering mask 20 is shown in FIG.
The result is as shown in FIG. The laser beam L having this distribution is imaged on the pot at a predetermined magnification by the imaging lens 9 to uniformly irradiate the irradiation object W.

【0051】なお、散乱型マスク20を用いた場合、散
乱が十分大きければ散乱されたレーザ光Lのうち、結像
レンズ9を通過する割合は小さく、被照射物Wに結像さ
れても光強度は弱い。一方、マスク20の穴を透過した
レーザ光Lは光強度均一度が高くレーザ光L強度は強
い。
When the scattering mask 20 is used, if the scattering is sufficiently large, the ratio of the scattered laser light L that passes through the imaging lens 9 is small. The strength is weak. On the other hand, the laser light L transmitted through the hole of the mask 20 has a high light intensity uniformity and a high laser light L intensity.

【0052】図7に散乱型マスク20dとしてすりガラ
スを用いた例を示す。この場合、カライドスコープ8の
光導波路の径をd×dとすると、すりガラスマスク20
gはカライドスコープ8光導波路径8dの中心位置に対
して(d−a)×(d−a)が透明なすりガラスマスク
20gとする。ただし、d>aとし、a/2は干渉縞発
生領域とする。
FIG. 7 shows an example in which ground glass is used as the scattering mask 20d. In this case, if the diameter of the optical waveguide of the kaleidoscope 8 is d × d, the ground glass mask 20
g is a ground glass mask 20g that is (da) × (da) transparent to the center position of the kaleidoscope 8 optical waveguide diameter 8d. However, d> a, and a / 2 is an interference fringe generation area.

【0053】すりガラス部の面粗さは、0.5μm以上
とし、カライドスコープ8の被接触面のみをすりガラス
加工する。また、材質はアモルファスニ酸シリコン又は
ホウヶイ酸クラウンガラスとする。これによれば、紫外
線に対して高い透過率を得ることが出来るからである。
The surface roughness of the ground glass part is 0.5 μm or more, and only the contacted surface of the kaleidoscope 8 is ground glass. The material is amorphous silicon nitrate or borosilicate crown glass. According to this, it is possible to obtain a high transmittance for ultraviolet rays.

【0054】すりガラスマスク20gの厚さは、1m
m、2mm、5mmのものを用いた。これにより、カラ
イドスコープ8の光導波路の出口8Eに発生する干渉縞
領域の光束をすりガラスにより拡散させ、均一化ビーム
に干渉縞が発生するのを回避するようにした。図8
(a)はこの実施の態様で得られた均一化ビームのビー
ムプロファイルで、図8(b)は従来の均一化ビームの
プロファイルを示している。
The thickness of the ground glass mask 20 g is 1 m
m, 2 mm and 5 mm were used. As a result, the luminous flux in the interference fringe region generated at the exit 8E of the optical waveguide of the kaleidoscope 8 is diffused by frosted glass to avoid the occurrence of interference fringes in the uniform beam. FIG.
FIG. 8A shows a beam profile of a uniform beam obtained in this embodiment, and FIG. 8B shows a profile of a conventional uniform beam.

【0055】また、図9はカライドスコープ8の出射端
面に選択的にすりガラス加工を施したもので、この場合
はすりガラスマスク20gを別に設ける必要はない。
FIG. 9 shows that the exit end face of the kaleidoscope 8 is selectively ground glass processing. In this case, it is not necessary to separately provide a ground glass mask 20g.

【0056】このすりガラス加工も、カライドスコープ
8光導波路径8dの中心位置に対して(d−a)×(d
−a)が透明なすりガラスマスク20とする。ただし、
d>aとし、a/2は干渉縞発生領域とする。
This ground glass processing is also performed with respect to the center of the diameter of the optical waveguide 8d of the kaleidoscope 8 (d−a) × (d
-A) is a transparent ground glass mask 20. However,
Let d> a and a / 2 is the interference fringe generation area.

【0057】これにより、カライドスコープ8の光導波
路の出口8Eに発生する干渉縞領域の光束をすりガラス
により拡散させ、均一化ビームに干渉縞が発生するのを
回避するようにした。
Thus, the luminous flux of the interference fringe region generated at the exit 8E of the optical waveguide of the kaleidoscope 8 is diffused by frosted glass to avoid the occurrence of interference fringes in the uniform beam.

【0058】(実施の形態4)光学系全体の基本構造
は、図10(a)に示すように実施の形態1と同様なの
で同様部分の説明は省略する。この実施の形態ではカラ
イドスコープ8の入射側にピンホール31を設け、ま
た、出口8E側にマスク20を有している。なお、ピン
ホール31の面とマスク20の面の内側はレーザ光Lを
高反射するような処理が施されている。
(Embodiment 4) The basic structure of the entire optical system is the same as that of Embodiment 1 as shown in FIG. In this embodiment, a pinhole 31 is provided on the incident side of the kaleidoscope 8, and a mask 20 is provided on the exit 8E side. The inside of the surface of the pinhole 31 and the inside of the surface of the mask 20 are subjected to a process for highly reflecting the laser beam L.

【0059】図示しないレーザ発振器から発振されたレ
ーザ光Lは、入射レンズ7を介してピンホールを通過し
てカライドスコープ8に入射する。カライドスコープ8
の内面で反射を繰返して出口8Eに到達する。その出口
8Eで光強度分布が、発生した干渉縞によって図10
(b)に示す強度分布となる。この強度分布のレーザ光
Lがマスク20を透過すると干渉縞のあるビーム周辺部
は散乱され、レーザ光L強度の均一度が高いビームの中
心部のみが透過する。
Laser light L oscillated from a laser oscillator (not shown) passes through a pinhole via an incident lens 7 and enters a kaleidoscope 8. Callide scope 8
The reflection is repeated on the inner surface of the light emitting device and reaches the outlet 8E. At the exit 8E, the light intensity distribution is changed by the generated interference fringes as shown in FIG.
The intensity distribution shown in FIG. When the laser beam L having this intensity distribution passes through the mask 20, the peripheral portion of the beam having the interference fringes is scattered, and only the central portion of the beam having a high degree of uniformity of the laser beam L intensity is transmitted.

【0060】従って、マスク20を透過後のレーザ光L
の光強度分布は図10(c)に示すようになる。この分
布のレーザ光Lを結像レンズ9により所定の倍率ですポ
ットに結像させて被照射物Wを均一に照射する。
Accordingly, the laser beam L transmitted through the mask 20
Is as shown in FIG. 10 (c). The laser beam L having this distribution is imaged on a pot at a predetermined magnification by the imaging lens 9 to uniformly irradiate the irradiation object W.

【0061】一方、カライドスコープ8のマスク20面
で反射したレーザ光Lはカライドスコープ8内で反射を
繰返しながら入口側へ戻っていくが、入口のピンホール
面で反射され、再びカライドスコープ8の内部で反射を
繰返しマスク20に到達し、そのうちの一部はマスク2
0を透過して結像レンズ9でスポットへ結像され、残り
はマスク20で反射して同様の繰返しを行う。
On the other hand, the laser beam L reflected on the mask 20 surface of the kaleidoscope 8 returns to the entrance side while repeating reflection in the kaleidoscope 8, but is reflected on the pinhole surface at the entrance and again The reflection repeatedly reaches the mask 20 inside the scope 8, and a part of the light reaches the mask 2.
0 is transmitted through the imaging lens 9 to form an image on a spot, and the rest is reflected by the mask 20 to perform the same repetition.

【0062】これにより、マスク20の非透過部で処理
されていたレーザ光Lを有効に利用することが出来る。
Thus, the laser beam L that has been processed in the non-transmissive portion of the mask 20 can be effectively used.

【0063】[0063]

【発明の効果】以上のように本発明は、カライドスコー
プを用いたレーザ光強度を均一化する光学系において、
カライドスコープから出力されたレーザ光を選択的に透
過する種々のマスク等を配置することにより、カライド
スコープの出口部で発生する干渉縞の影響を除去した均
一度の高いレーザビームLBを得ることが出来た。
As described above, the present invention relates to an optical system using a kaleidoscope for equalizing the intensity of a laser beam.
By arranging various masks and the like that selectively transmit the laser light output from the kaleidoscope, a highly uniform laser beam LB free of the influence of interference fringes generated at the outlet of the kaleidoscope is obtained. I was able to do it.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に関する半導体製造装置の各製造工程に
おける基板とその上に形成される各層の断面構造を示し
た説明図。
FIG. 1 is an explanatory view showing a cross-sectional structure of a substrate and respective layers formed thereon in respective manufacturing steps of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

【図2】(a)本発明の一実施の形態を示す構成図。
(b)カライドスコープの出口での、レーザ光の光強度
分布が発生した干渉縞の影響を受けた波形図。(c)マ
スクを透過したレーザビームの光強度分布はを示す波形
図。
FIG. 2A is a configuration diagram illustrating an embodiment of the present invention.
(B) Waveform diagram at the exit of the kaleidoscope affected by the interference fringes in which the light intensity distribution of the laser light has occurred. (C) Waveform diagram showing the light intensity distribution of the laser beam transmitted through the mask.

【図3】マスクにメタルマスクを用いた例を示す説明
図。
FIG. 3 is an explanatory view showing an example in which a metal mask is used as a mask.

【図4】(a)メタルマスクを用いた際の均一化ビーム
のビームプロファイル。(b)は従来の均一化ビームの
プロファイル。
FIG. 4A shows a beam profile of a uniformized beam when a metal mask is used. (B) is a profile of a conventional uniform beam.

【図5】(a)本発明の外の一実施の形態を示す構成
図。(b)カライドスコープの出口での、レーザ光の光
強度分布が発生した干渉縞の影響を受けた波形図。
(c)マスクを透過したレーザビームの光強度分布はを
示す波形図。
FIG. 5 (a) is a configuration diagram showing another embodiment of the present invention. (B) Waveform diagram at the exit of the kaleidoscope affected by the interference fringes in which the light intensity distribution of the laser light has occurred.
(C) Waveform diagram showing the light intensity distribution of the laser beam transmitted through the mask.

【図6】(a)本発明の更に外の一実施の形態を示す構
成図。(b)マスクを透過したレーザビームの光強度分
布はを示す波形図。
FIG. 6 (a) is a configuration diagram showing another embodiment of the present invention. FIG. 3B is a waveform diagram showing a light intensity distribution of the laser beam transmitted through the mask.

【図7】散乱型マスクとして、すりガラスを用いた例を
示す説明図。
FIG. 7 is an explanatory view showing an example in which ground glass is used as a scattering mask.

【図8】(a)マスクにすりガラスを用いた際の得られ
た均一化ビームのビームプロファイル。(b)は従来の
均一化ビームのプロファイル。
FIG. 8A shows a beam profile of a uniform beam obtained when frosted glass is used as a mask. (B) is a profile of a conventional uniform beam.

【図9】カライドスコープの出射端面に選択的にすりガ
ラス加工を施した例を示す説明図。
FIG. 9 is an explanatory view showing an example in which a ground glass processing is selectively performed on an emission end face of a kaleidoscope.

【図10】(a)カライドスコープの入射側にピンホー
ルを設け、また、出口側にマスクを設けた例の説明図。
(b)カライドスコープの出口での、レーザ光の光強度
分布が発生した干渉縞の影響を受けた波形図。(c)マ
スクを透過したレーザビームの光強度分布はを示す波形
図。
FIG. 10A is an explanatory view of an example in which a pinhole is provided on the incident side of the kaleidoscope and a mask is provided on the exit side.
(B) Waveform diagram at the exit of the kaleidoscope affected by the interference fringes in which the light intensity distribution of the laser light has occurred. (C) Waveform diagram showing the light intensity distribution of the laser beam transmitted through the mask.

【図11】カライドスコープ方式のビームホモジナイザ
の構成図。
FIG. 11 is a configuration diagram of a kaleidoscope type beam homogenizer.

【図12】(a)カライドスコープから出射する光導波
路径と、カライドスコープが存在しなかった場合の入射
レンズからの出力径の比較を示す説明図。(b)レーザ
光の干渉効果により干渉縞が発生する波形の拡大図。
FIG. 12A is an explanatory diagram showing a comparison between the diameter of an optical waveguide emitted from a kaleidoscope and the diameter of an output from an incident lens in the absence of a kaleidoscope. (B) An enlarged view of a waveform in which interference fringes occur due to the interference effect of laser light.

【図13】エキシマレーザ光のX方向とY方向の空間位
相を測定し、空間内での干渉縞の発生を示すグラフ。
FIG. 13 is a graph showing the occurrence of interference fringes in space by measuring the spatial phase of the excimer laser light in the X and Y directions.

【図14】干渉縞測定光学系の構成図。FIG. 14 is a configuration diagram of an interference fringe measurement optical system.

【図15】カライドスコープ方式のビームホモジナイザ
の従来例を示す構成図。
FIG. 15 is a configuration diagram showing a conventional example of a kaleidoscope type beam homogenizer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板、2…絶縁膜、3…配線溝、4…Cu膜、6…
層間絶縁膜、7…入射レンズ、8…カライドスコープ、
9…結像レンズ、20…マスク、20m…メタルマス
ク、20t…テ―パマスク、20d…散乱型マスク、2
0g…すりガラスマスク
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... substrate, 2 ... insulating film, 3 ... wiring groove, 4 ... Cu film, 6 ...
Interlayer insulating film, 7: incident lens, 8: kaleidoscope,
9: imaging lens, 20: mask, 20m: metal mask, 20t: tape mask, 20d: scattering mask, 2
0g: ground glass mask

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザ発振器から発振されるレーザ光の
光軸上に設置された入射レンズと、 この入射レンズの前記光軸上の前方に設けられたカライ
ドスコープと、 このカライドスコープの端部或いは前記光軸上における
前記レーザ光の出射側に設けられ、前記カライドスコー
プから出力されるレーザ光を選択的に透過するマスク
と、 このマスクの前記光軸上における前記レーザ光の出射側
に設けられた結像光学系とを有することを特徴とするレ
ーザ光照射装置。
1. An incident lens provided on an optical axis of a laser beam oscillated from a laser oscillator, a kaleidoscope provided in front of the incident lens on the optical axis, and an end of the kaleidoscope A mask provided on a portion or on the optical axis on the emission side of the laser beam, for selectively transmitting the laser beam output from the kaleidoscope; and an emission side of the laser beam on the optical axis of the mask And an imaging optical system provided in the laser beam irradiation apparatus.
【請求項2】 前記マスクはテーパ状の開口部断面をも
つマスクであることを特徴とする請求項1記載のレーザ
光照射装置。
2. The laser beam irradiation apparatus according to claim 1, wherein said mask is a mask having a tapered opening section.
【請求項3】 前記マスクは前記レーザ光を散乱させる
部位を有するマスクであることを特徴とする請求項1記
載のレーザ光照射装置。
3. The laser beam irradiation apparatus according to claim 1, wherein the mask is a mask having a portion that scatters the laser beam.
【請求項4】 前記散乱させる部位を有するマスクはす
りガラスにより前記レーザ光の出射部が形成されている
マスクであり、かつ、このすりガラスを有するマスクは
前記カライドスコープの光導波路径の中心位置を基準に
し、その光導波路径より小さい径の部分は透過率が前記
すりガラスよりも高いことを特徴とする請求項3記載の
レーザ光照射装置。
4. A mask having the scattered portion is a mask in which the laser light emitting portion is formed by frosted glass, and the mask having the frosted glass has a center position of an optical waveguide diameter of the kaleidoscope. The laser beam irradiation device according to claim 3, wherein a portion having a diameter smaller than the diameter of the optical waveguide has a transmittance higher than that of the ground glass.
【請求項5】 前記すりガラスの材質はアモルファスニ
酸化シリコン又はホウケイ酸クラウンガラスで、かつ、
すりガラス部の面粗さは0.5μm以上であることを特
徴とする請求項3記載のレーザ光照射装置。
5. The material of the ground glass is amorphous silicon dioxide or borosilicate crown glass, and
4. The laser beam irradiation device according to claim 3, wherein the surface roughness of the ground glass portion is 0.5 μm or more.
【請求項6】 前記マスクはメタルにより形成されてい
るマスクであり、かつ、このメタルにより形成されてい
るマスクは前記カライドスコープの光導波路径の中心位
置を基準にし、その光導波路径より小さい径の開口が設
けられていることを特徴とする請求項1記載のレーザ光
照射装置。
6. The mask formed of a metal, and the mask formed of the metal is smaller than the diameter of the optical waveguide with respect to the center position of the optical waveguide diameter of the kaleidoscope. The laser beam irradiation device according to claim 1, wherein an opening having a diameter is provided.
【請求項7】 前記メタルにより形成されているマスク
の材質は80%以上の反射率又は2500℃以上の融点
の性質を有することを特徴とする請求項6記載のレーザ
光照射装置。
7. The laser beam irradiation apparatus according to claim 6, wherein a material of the mask formed of the metal has a property of a reflectance of 80% or more or a melting point of 2500 ° C. or more.
【請求項8】 前記マスクに設けられた、前記カライド
スコープの光導波路径の中心位置を基準にし、その光導
波路径より小さい径の透光部は、光導波路周辺の4辺の
それぞれから200μm以上離れていることを特徴とす
る請求項4及び6記載のレーザ光照射装置。
8. A light-transmitting portion provided on the mask and having a diameter smaller than the diameter of the optical waveguide of the kaleidoscope based on the center position of the optical waveguide of the kaleidoscope is 200 μm from each of four sides around the optical waveguide. 7. The laser beam irradiation device according to claim 4, wherein the laser beam irradiation devices are separated from each other.
【請求項9】 前記カライドスコープは、レーザ光入射
口には密閉して遮光したピンホール板を、かつ、レーザ
光出射口には密閉して遮光したマスクを有し、前記ピン
ホール板と前記マスクの各々の遮光部はレーザ光に対す
る反射処理が施されていることを特徴とする請求項1記
載のレーザ光照射装置。
9. The kaleidoscope has a hermetically sealed light-shielded pinhole plate at a laser light entrance, and a hermetically sealed light-shielded mask at a laser light emission opening. 2. The laser beam irradiation apparatus according to claim 1, wherein each light shielding portion of the mask is subjected to a reflection process with respect to a laser beam.
【請求項10】 前記カライドスコープは多角筒又は多
角柱であることを特徴とする請求項1記載のレーザ光照
射装置。
10. The laser beam irradiation apparatus according to claim 1, wherein said kaleidoscope is a polygonal cylinder or a polygonal column.
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