JPH11211689A - Micro-heater for gas sensor - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ガスセンサ素子を
均等に加熱するための小型化接触燃焼式ガスセンサ用マ
イクロヒータ関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a miniature micro-heater for a catalytic combustion type gas sensor for uniformly heating a gas sensor element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１２は、従来の接触燃焼式ガスセンサ
の検出回路を示す結線図である。Ｒ1及びＲ2は、それぞ
れ、固定抵抗１０１及び固定抵抗１０２の抵抗値であ
り、Ｒ3及びＲ4 は、それぞれ、補償素子１０４及びガ
ス検知素子１０３の抵抗値である。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及び
Ｒ4は、ホィーストンブリッジを形成している。ガス検
知素子１０３は、例えば、白金コイルの周囲に貴金属の
担持されたアルミナ担体が固着されたものである。補償
素子１０４は、ガス検知素子と同一の構造のものである
が、ガス検知素子の貴金属に代えて酸化銅が担持された
ものである。2. Description of the Related Art FIG. 12 is a connection diagram showing a detection circuit of a conventional catalytic combustion type gas sensor. R1 and R2 are the resistance values of the fixed resistance 101 and the fixed resistance 102, respectively, and R3 and R4 are the resistance values of the compensation element 104 and the gas detection element 103, respectively. R1, R2, R3 and R4 form a Wheatstone bridge. The gas detection element 103 is, for example, an element in which an alumina carrier carrying a noble metal is fixed around a platinum coil. The compensating element 104 has the same structure as the gas detecting element, but has copper oxide carried thereon in place of the noble metal of the gas detecting element.
【０００３】可燃性ガスが存在しないときは、ホィース
トンブリッジ回路は平衡して、Ｒ1×Ｒ4＝Ｒ2×Ｒ3 と
なり、検出計に示される負荷の電圧は０Ｖとなる。一
方、雰囲気に可燃性ガスが含まれると、ガス検知素子１
０３において、可燃性ガスが燃焼し、そのため、白金コ
イルの温度が上昇して、その抵抗値Ｒ4 が増大し、そし
て、補償素子１０４においては、可燃性ガスは、燃焼せ
ず、そのため、抵抗値Ｒ3 は変化しない。それらの結
果、ホィーストンブリッジ回路の平衡が破れて、検出計
１５に負荷の電圧が表示される。[0003] When no flammable gas is present, the Wheatstone bridge circuit is balanced and R1 x R4 = R2 x R3, and the load voltage indicated by the detector becomes 0V. On the other hand, if the combustible gas is contained in the atmosphere, the gas detection element 1
At 03, the flammable gas burns, so the temperature of the platinum coil rises, its resistance R4 increases, and at the compensating element 104, the flammable gas does not burn, and R3 does not change. As a result, the balance of the Wheatstone bridge circuit is broken, and the voltage of the load is displayed on the detector 15.
【０００４】図１３は、従来の小型化接触燃焼式ガスセ
ンサを示す平面図であり、そして、図１４は、図１３の
Ｘ−Ｘ線断面図である。FIG. 13 is a plan view showing a conventional miniaturized catalytic combustion type gas sensor, and FIG. 14 is a sectional view taken along line XX of FIG.
【０００５】図１３、図１４に示されるように、絶縁体
層（断熱域）１１０がシリコン基体１１１の上に熱酸化
膜によるストッパー層１１２を介して橋絡部を形成す
る。橋絡部は、空洞部の上に橋渡しされる。この橋絡部
に金属薄膜抵抗体１０７Ａ、１０７Ｂ、１０７Ｃ及び１
０７Ｄが積層され、そして、シリコン基体１１１の上に
は、絶縁体層１１０を介して電極１０９Ａ及び１０９Ｂ
が積層されている。電極１０９Ａは、電源印加用端子で
あり、電極１０９Ｂは、出力端子である。金属薄膜抵抗
体１０７Ａ、１０７Ｂ、１０７Ｃ及び１０７Ｄは、ジグ
ザグの形状を示し、ホィーストンブリッジ回路を形成し
ている。ホィーストンブリッジ回路の一つの枝片を形成
する金属薄膜抵抗体１０７Ａ及び１０７Ｂは、保護層１
０８により被覆されている。ホィーストンブリッジ回路
の他の枝片を形成する金属薄膜抵抗体１０７Ｃ及び１０
７Ｄは、それぞれ、補償層１０６及びガス検知層１０５
により被覆されている。[0005] As shown in FIGS. 13 and 14, an insulator layer (heat insulation area) 110 forms a bridge portion on a silicon substrate 111 via a stopper layer 112 made of a thermal oxide film. The bridge is bridged over the cavity. The metal thin film resistors 107A, 107B, 107C and 1
07D are stacked, and electrodes 109A and 109B are formed on the silicon base 111 via an insulator layer 110.
Are laminated. The electrode 109A is a power supply terminal, and the electrode 109B is an output terminal. The metal thin film resistors 107A, 107B, 107C and 107D have a zigzag shape and form a Wheatstone bridge circuit. The metal thin-film resistors 107A and 107B forming one branch of the Wheatstone bridge circuit are connected to the protective layer 1
08. Metal thin film resistors 107C and 10 forming another branch of the Wheatstone bridge circuit
7D shows a compensation layer 106 and a gas detection layer 105, respectively.
Coated with
【０００６】前記金属薄膜抵抗体１０７Ａ、１０７Ｂ、
１０７Ｃ及び１０７Ｄは、このような従来の小型化接触
燃焼式ガスセンサにおいて、可燃ガスが触媒の存在下に
燃焼するのに必要な温度を維持するために設けられ、加
熱体として機能し、また、マイクロヒータとしても機能
している。[0006] The metal thin film resistors 107A, 107B,
107C and 107D are provided in such a conventional miniaturized catalytic combustion type gas sensor in order to maintain a temperature required for combustible gas to burn in the presence of a catalyst, function as a heating element, and serve as a micro element. It also functions as a heater.
【０００７】図１５は、かかる従来のマイクロヒータの
上面図である。図１５に示すように、従来のマイクロヒ
ータ１３０は、均熱域１２２にマイクロヒータ１２１を
配し、これに電流を流すことで高温を得ている。マイク
ロヒータ１２１の両端には、それぞれ、電極１２４ａ及
び電極１２４ｂが設けられている。図１３及び図１５に
それぞれ示されている絶縁体層（断熱域）１１０及び断
熱域１２３は、マイクロヒータで発熱した熱が基体を伝
わって外部に逃げないように配置されている。FIG. 15 is a top view of such a conventional micro heater. As shown in FIG. 15, in the conventional micro heater 130, a micro heater 121 is arranged in a soaking zone 122, and a high temperature is obtained by flowing a current through the micro heater 121. At both ends of the microheater 121, an electrode 124a and an electrode 124b are provided, respectively. The insulating layer (heat insulating area) 110 and the heat insulating area 123 shown in FIG. 13 and FIG. 15, respectively, are arranged so that heat generated by the microheater does not escape to the outside through the base.
【０００８】このようにガスセンサを小型化する場合、
シリコンのような基板上に薄膜ヒータ、ガス感知体膜、
絶縁体膜等を形成しなければならない。When the size of the gas sensor is reduced as described above,
Thin film heater, gas sensing film on a substrate such as silicon,
An insulator film or the like must be formed.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】図１５に示すような従
来のマイクロヒータは、電池のような低消費電流による
発熱を利用するものであるところ、その断熱域１２３
は、支持部としての機能も有したものとなっていので、
充分な断熱が得られず、そのために、均熱域１２２の外
側の部分の温度が比較的低くなっていた。そして、従来
のマイクロヒータは、直列の電熱ヒータで配置している
ため、ヒータ抵抗のどの部分でも同じ電流ｉ 0 が流れて
いるので、前記したような温度分布が発生すると、温度
の高い部分の抵抗ｒが高くなり、その分発熱量ｑ（＝ｒ
ｉ0 2）も大きくなり、その結果、ヒータ内の温度差がさ
らに大きくなるものとなっていた。FIG. 15 is a block diagram showing the configuration of a conventional system.
The conventional micro heater has low current consumption like a battery
Where heat is used, the heat insulation area 123 is used.
Has also functioned as a support,
Sufficient heat insulation cannot be obtained, and therefore,
The temperature on the side was relatively low. And conventional
Micro heaters are arranged in series with electric heaters
Therefore, the same current i 0Flows
Therefore, when the temperature distribution as described above occurs,
The resistance r of the portion where the temperature is high increases, and the heat value q (= r
i0 Two) Also increases, and as a result, the temperature difference in the heater decreases.
Had become much larger.
【００１０】そのために、従来のマイクロヒータを設け
た小型化接触燃焼式ガスセンサは、少ない消費電力で感
知精度を高くすることができない、という問題があっ
た。Therefore, the conventional miniaturized contact combustion type gas sensor provided with a micro heater has a problem that the sensing accuracy cannot be increased with low power consumption.
【００１１】本発明は、かかる問題を解決することを目
的としている。即ち、本発明は、少ない消費電力で感知
精度を高くした小型化接触燃焼式ガスセンサ用のマイク
ロヒータを提供することを目的とする。An object of the present invention is to solve such a problem. That is, an object of the present invention is to provide a micro heater for a miniaturized contact combustion type gas sensor which has high sensing accuracy with low power consumption.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本第１発明は、上記目的
を達成するために、断熱域によって囲まれた略矩形の均
熱域の全域にわたって薄膜状のヒータ抵抗を格子状に設
けたことを特徴とするガスセンサ用マイクロヒータであ
る。According to the first aspect of the present invention, in order to achieve the above object, a thin-film heater resistor is provided in a grid pattern over the entire region of a substantially rectangular soaking region surrounded by a heat insulating region. A micro heater for a gas sensor characterized by the following.
【００１３】本第２発明は、第１発明において、マイク
ロヒータの格子の対角線方向に位置する角部にそれぞれ
電極を設けたことを特徴としている。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, electrodes are provided at corners of the grid of the micro-heater which are located in diagonal directions.
【００１４】本第３発明は、第１発明において、マイク
ロヒータの格子の向かい合う両最外端に配置された薄膜
状ヒータ抵抗の辺の中央部にそれぞれ電極を設けたこと
を特徴としている。According to a third aspect of the present invention, in the first aspect, an electrode is provided at a central portion of a side of the thin film heater resistor disposed at both outermost ends of the micro-heater opposed to each other.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１６】図１は、本発明の一実施の形態を示す小型
化接触燃焼式ガスセンサ用マイクロヒータの上面図であ
る。FIG. 1 is a top view of a micro heater for a miniaturized catalytic combustion type gas sensor according to an embodiment of the present invention.
【００１７】図１において、１０は、格子状のマイクロ
ヒータである。格子状のマイクロヒータ１０は、薄膜状
のヒータ抵抗１によって構成されている。格子状のマイ
クロヒータ１０は、絶縁体層５の面に設けられた略矩形
の均熱域２の全域にわたって設けられ、その周囲には、
断熱域３が取り囲むように設けられている。ヒータ抵抗
１０の格子の最外端に配置された薄膜状のヒータ抵抗１
ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄによって形成される４角の対角線
方向に位置する一方の角部及び他方の角部には、電極４
ａ及び電極４ｂがそれぞれ配置されている。In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a grid-like micro heater. The lattice-shaped micro heater 10 is constituted by a thin-film heater resistor 1. The grid-shaped micro heater 10 is provided over the entire area of the substantially rectangular soaking area 2 provided on the surface of the insulator layer 5, and around it,
The heat insulating area 3 is provided so as to surround it. A thin-film heater resistor 1 disposed at the outermost end of a grid of heater resistors 10
a, 1b, 1c, and 1d, one side and the other corner located in the diagonal direction of the four corners are provided with electrodes 4
a and the electrode 4b are arranged respectively.
【００１８】図１のようなマイクロヒータの構造では、
縦方向の温度分布をみると、温度の高い部分の抵抗ｒh
及び温度の低い部分抵抗ｒlの関係は、ｒh＞ｒlとな
り、電流はｒl 側に多く流れる。そのために、各の発
熱量ｑh （＝ｖｉh ）、ｑl （＝ｖｉl ）はｑh＜ｑ
l となり、温度の低い方の発熱が大きくなる。これによ
り、マイクロヒータ内の温度差は小さくなる。そして、
この均熱域の構造では、特に、コーナー部の温度が下が
りやすいので、図１に示されるマイクロヒータの構造で
は、そのコーナ部の発熱が大きくなり、そのために、温
度分布をより均一にすることができる。また、横方向の
温度調整はあまりきかないが、ヒータ抵抗の周囲に断熱
域を設けて断熱を良くすることにより十分に解決でき
る。さらに、温度分布を良くしたい場合には、各抵抗線
の大きさを調整することもできる。In the structure of the micro heater as shown in FIG.
Looking at the temperature distribution in the vertical direction, the resistance r h
And relationships low partial resistance r l temperature is, r h> r l, and the current flows more to r l side. Therefore, the calorific values q h (= vi h ) and q l (= vi l ) are q h <q
l , and the heat generation at the lower temperature increases. Thereby, the temperature difference in the micro heater becomes small. And
In the structure of the soaking region, particularly, the temperature of the corner portion is apt to decrease, so in the structure of the micro-heater shown in FIG. 1, the heat generation in the corner portion becomes large, so that the temperature distribution is made more uniform. Can be. Although the temperature adjustment in the lateral direction is not so easy, it can be sufficiently solved by providing an adiabatic area around the heater resistor to improve the heat insulation. Furthermore, when it is desired to improve the temperature distribution, the size of each resistance wire can be adjusted.
【００１９】図２は、本発明の他の一実施の形態を示す
小型化接触燃焼式ガスセンサ用マイクロヒータの底面図
であり、図３は、その部分拡大説明図である。FIG. 2 is a bottom view of a micro heater for a miniaturized catalytic combustion type gas sensor showing another embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a partially enlarged explanatory view thereof.
【００２０】図２において、２０は、格子状のマイクロ
ヒータである。格子状のマイクロヒータ２０は、薄膜状
のヒータ抵抗１１によって構成されている。格子状のマ
イクロヒータ２０は、絶縁体層１５の面に設けられた略
矩形の均熱域１２の全域にわたって設けられ、その周囲
には、断熱域１３が取り囲むように設けられている。マ
イクロヒータの格子の向かい合う両最外端に配置された
薄膜状のヒータ抵抗１１ａ、１１ｃ又は１ｂ、１ｄによ
る辺の中央部には、電極１４ａ及び電極１４ｂがそれぞ
れ配置されている。In FIG. 2, reference numeral 20 denotes a grid-like micro heater. The lattice-shaped micro heater 20 is constituted by the thin-film heater resistor 11. The lattice-shaped micro-heater 20 is provided over the entire region of the substantially rectangular heat equalizing region 12 provided on the surface of the insulator layer 15, and the heat insulating region 13 is provided therearound. An electrode 14a and an electrode 14b are respectively disposed at the center of the sides formed by the thin film heater resistors 11a, 11c or 1b, 1d disposed at both outermost ends of the grid of the micro heater facing each other.
【００２１】図２のようなマイクロヒータの構造では、
縦方向の薄膜状のヒータには、電流調整分の電流しか流
れない。その理由は、次のとおりである。In the structure of the micro heater as shown in FIG.
In the vertical thin film heater, only the current for the current adjustment flows. The reason is as follows.
【００２２】即ち、図３において、電流は、ＡからＢの
方向に流れる。Ａ−Ｃ、Ａ−Ｄ、Ｃ−Ｂ及びＤ−Ｂの４
個の抵抗に着目すると、これでホイーストンブリッジを
形成していることがわかる。４個の抵抗の温度が同じで
あれば、各抵抗は等しくなるので、抵抗Ｃ−Ｄ間には電
流が流れない。しかし、実際には、センサ内の温度分布
があるので、各抵抗部分の温度は同じではない。したが
って、抵抗体の抵抗温度特性により、４個の抵抗の抵抗
値が異なり、抵抗Ｃ−Ｄ間に調整分の電流が流れること
になる。この電流値は、明らかに他の４個の抵抗に流れ
る電流よりかなり少ない。図２の構成のマイクロヒータ
は、このホイーストンブリッジ抵抗が多数ある構造にな
っていることから、縦方向（ＣーＤ）の抵抗には、電流
調整分の電流しか流れないことがわかる。That is, in FIG. 3, the current flows in the direction from A to B. 4 of AC, AD, CB, and DB
Focusing on the individual resistors, it can be seen that this forms a Wheatstone bridge. If the temperatures of the four resistors are the same, the respective resistors are equal, so that no current flows between the resistors C and D. However, in practice, the temperature of each resistance portion is not the same because of the temperature distribution in the sensor. Therefore, the resistance values of the four resistors differ depending on the resistance temperature characteristics of the resistors, and a current for adjustment flows between the resistors C and D. This current value is clearly significantly less than the current flowing through the other four resistors. Since the micro-heater having the configuration shown in FIG. 2 has a structure having a large number of Wheatstone bridge resistors, it can be seen that only the current for the current adjustment flows through the resistance in the vertical direction (CD).
【００２３】そして、この均熱域の構造では、特に、コ
ーナー部の温度が下がりやすいので、図２に示されるマ
イクロヒータの構造は、そのコーナ部の発熱が大きくな
り、そのために、均熱域の温度分布をより均一にするこ
とができる。また、上記図１のマイクロヒータと同様
に、横方向の温度調整はあまりきかないが、ヒータ抵抗
の周囲に断熱域設けて断熱を良くすることにより十分に
解決でき、さらに、温度分布を良くしたい場合には、各
抵抗線の大きさを調整することもできる。In the structure of the heat equalizing region, particularly, the temperature of the corner portion tends to decrease. Therefore, the structure of the microheater shown in FIG. 2 generates a large amount of heat in the corner portion. Temperature distribution can be made more uniform. As in the case of the micro-heater of FIG. 1, the temperature adjustment in the horizontal direction is not so easy, but it can be sufficiently solved by providing a heat insulating area around the heater resistor to improve the heat insulation, and furthermore, to improve the temperature distribution. In this case, the size of each resistance wire can be adjusted.
【００２４】[0024]
【実施例】図４（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例を
示す概略工程別断面説明図である。以下、工程順に説明
する。4 (a) to 4 (d) are schematic sectional explanatory views showing one embodiment of the present invention. Hereinafter, description will be made in the order of steps.
【００２５】(1) （ａ）に示すように、厚さ４０００Å
の熱酸化膜をストッパー層２２として有する厚さ４００
μｍのシリコンウエハよりなる基体２１の表面及び裏面
にそれぞれスパッタリングにより厚さ１μｍの窒化ケイ
素膜よりなる絶縁体層２３及び絶縁体層２４を形成し
た。基体２１は、本実施例ではシリコンウエハを用いた
が、その他の半導体基板、アルミナ、ジルコニア、ムラ
イト等のセラミックス基板、或いは、サファイア、ガー
ネット等の酸化物単結晶基板を用いてもかまわない。 (2) （ｂ）に示すように、絶縁体層２３の上に電子ビー
ム蒸着法により厚さ０．５μｍのＰｔ金属膜を成膜し、
フォトリソグラフィによりマイクロヒータ２５及び配線
２６にパターニングした。前記金属膜としては、Ａｌ、
Ａｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＩＴＯ等の金属膜でも良い。 (3) （ｃ）に示すように、前記マイクロヒータ２５及び
配線２６の上に触媒を担持した多孔質セラミックスを成
膜し、フォトリソグラフィによりガス検知部２７をマイ
クロヒータ２５の上にパターニングした。この際、補償
素子を形成する場合には、触媒を変えるか、又は、触媒
を担持しないセラミックスを成膜すればよい。 (4) 次に、（ｄ）に示すように、前記窒化ケイ素膜より
なる絶縁体層２４をマスクとして裏面よりシリコン基体
２１をエッチングしてマイクロヒータを保持するための
橋絡部を形成した。(1) As shown in FIG.
Thickness 400 having a thermal oxide film as a stopper layer 22
An insulating layer 23 and an insulating layer 24 each made of a silicon nitride film having a thickness of 1 μm were formed on the front surface and the back surface of a substrate 21 made of a silicon wafer having a thickness of 1 μm by sputtering, respectively. Although a silicon wafer is used as the base 21 in this embodiment, another semiconductor substrate, a ceramic substrate such as alumina, zirconia, or mullite, or an oxide single crystal substrate such as sapphire or garnet may be used. (2) As shown in (b), a Pt metal film having a thickness of 0.5 μm is formed on the insulator layer 23 by an electron beam evaporation method.
The micro heater 25 and the wiring 26 were patterned by photolithography. As the metal film, Al,
A metal film such as Au, Pd, Ni, Cu, and ITO may be used. (3) As shown in (c), a porous ceramic carrying a catalyst was formed on the micro heater 25 and the wiring 26, and the gas detection part 27 was patterned on the micro heater 25 by photolithography. At this time, when forming the compensating element, the catalyst may be changed or ceramics not supporting the catalyst may be formed. (4) Next, as shown in (d), the silicon substrate 21 was etched from the back surface using the insulator layer 24 made of the silicon nitride film as a mask to form a bridge for holding the microheater.
【００２６】図５は、マイクロヒータの素子の中心部か
ら側面部までの温度分布のシュミレーション結果（以
下、「シュミレーション結果」という）を示すグラフで
あって、図１５で示される従来のマイクロヒータのもの
である。図６は、図２で示される本発明のマイクロヒー
タのシュミレーション結果を示すグラフである。図７
は、図１で示される本発明のマイクロヒータのシュミレ
ーション結果を示すグラフである。図８〜１０は、前記
図５〜７のシュミレーション結果を示すマイクロヒータ
に均熱体を設けた場合のシュミレーション結果を示すグ
ラフである。図１１は、前記図５〜１０のシュミレーシ
ョン結果を示すマイクロヒータの消費電力−ガス感度の
関係を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing a simulation result (hereinafter, referred to as a "simulation result") of the temperature distribution from the center to the side surface of the element of the microheater. Things. FIG. 6 is a graph showing a simulation result of the micro heater of the present invention shown in FIG. FIG.
2 is a graph showing a simulation result of the micro heater of the present invention shown in FIG. FIGS. 8 to 10 are graphs showing simulation results in the case where a heat equalizer is provided in the microheater showing the simulation results of FIGS. FIG. 11 is a graph showing the relationship between power consumption and gas sensitivity of the microheater showing the simulation results of FIGS.
【００２７】図５及び図６において、点線は、可燃性ガ
スの引火温度であり、そして、斜線部は、不必要な熱量
を示している。図５で示される温度分布を有する従来の
マイクロヒータは、図６で示される温度分布を有する本
発明のマイクロヒータに比べて、明らかに同じ感度で不
要な熱量を消費していることがわかる。即ち、感度を同
じにした場合、本発明の図２で示されるマイクロヒータ
は、従来の図１５で示される形状のマイクロヒータに対
して、消費電力が大幅に節約できることがわかる。図１
１によれば、前記図５〜１０のシュミレーション結果を
示すマイクロヒータにおけるセンサの最大感度は、どれ
も同じであるが、それらのガス感度を発生させる消費電
力に大きな違いが生じる。即ち、温度分布の良いマイク
ロヒータによるガスセンサでは、少ない消費電力で高感
度のセンサ特性を得ることができる。In FIGS. 5 and 6, the dotted line indicates the ignition temperature of the combustible gas, and the hatched portion indicates the unnecessary heat. It can be seen that the conventional micro-heater having the temperature distribution shown in FIG. 5 consumes an unnecessary amount of heat at the same sensitivity as the micro-heater of the present invention having the temperature distribution shown in FIG. That is, when the sensitivity is the same, it can be seen that the microheater shown in FIG. 2 of the present invention can greatly reduce the power consumption as compared with the conventional microheater having the shape shown in FIG. FIG.
According to No. 1, the maximum sensitivity of the sensors in the micro heaters showing the simulation results of FIGS. 5 to 10 is the same, but there is a great difference in the power consumption for generating the gas sensitivity. That is, a gas sensor using a micro heater having a good temperature distribution can obtain high-sensitivity sensor characteristics with low power consumption.
【００２８】以上、本発明によれば、マイクロヒータの
均熱域の温度分布をより均一にしたので、これを用いた
小型化接触燃焼式ガスセンサの感知精度を高くすること
ができると共に消費電力が大幅に節約できる。また、そ
のガス検知部の一部の温度が必要以上に高くなることが
なくなり、その結果、これを用いた小型化接触燃焼式ガ
スセンサの耐久性が向上する。As described above, according to the present invention, the temperature distribution in the soaking region of the micro-heater is made more uniform, so that the sensing accuracy of the miniaturized catalytic combustion type gas sensor using the same can be increased and the power consumption can be reduced. Significant savings. Further, the temperature of a part of the gas detecting portion does not become unnecessarily high, and as a result, the durability of the miniaturized catalytic combustion type gas sensor using the same is improved.
【００２９】[0029]
【発明の効果】少ない消費電力で感知精度を高くし且つ
耐久性を向上させた小型化接触燃焼式ガスセンサ用のマ
イクロヒータを提供することができる。According to the present invention, it is possible to provide a micro heater for a miniaturized contact combustion type gas sensor which has high sensing accuracy with low power consumption and improved durability.
【図１】本発明の一実施の形態を示す小型化接触燃焼式
ガスセンサ用マイクロヒータの底面図である。FIG. 1 is a bottom view of a micro heater for a miniaturized catalytic combustion type gas sensor showing an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の他の一実施の形態を示す小型化接触燃
焼式ガスセンサ用マイクロヒータの底面図である。FIG. 2 is a bottom view of a micro heater for a miniaturized catalytic combustion type gas sensor according to another embodiment of the present invention.
【図３】図２の部分拡大説明図である。FIG. 3 is a partially enlarged explanatory view of FIG. 2;
【図４】本発明の一実施例を示す概略工程別断面説明図
である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional explanatory view showing a process according to an embodiment of the present invention.
【図５】図１５で示される従来のマイクロヒータのシュ
ミレーション結果を示すグラフである。5 is a graph showing a simulation result of the conventional micro heater shown in FIG.
【図６】図２で示される本発明のマイクロヒータのシュ
ミレーション結果を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing a simulation result of the micro heater of the present invention shown in FIG.
【図７】図１で示される本発明のマイクロヒータのシュ
ミレーション結果を示すグラフである。FIG. 7 is a graph showing a simulation result of the micro heater of the present invention shown in FIG.
【図８】図５のシュミレーション結果を示すマイクロヒ
ータに均熱体を設けた場合のシュミレーション結果を示
すグラフである。8 is a graph showing a simulation result in a case where a soaking body is provided in the microheater showing the simulation result of FIG. 5;
【図９】図６のシュミレーション結果を示すマイクロヒ
ータに均熱体を設けた場合のシュミレーション結果を示
すグラフである。FIG. 9 is a graph showing a simulation result when a soaking body is provided in the microheater showing the simulation result of FIG. 6;
【図１０】図７のシュミレーション結果を示すマイクロ
ヒータに均熱体を設けた場合のシュミレーション結果を
示すグラフである。FIG. 10 is a graph showing a simulation result when a soaking body is provided in the microheater showing the simulation result of FIG. 7;
【図１１】図５〜１０のシュミレーション結果を示すマ
イクロヒータの消費電力−ガス感度特性を示すグラフで
ある。FIG. 11 is a graph showing power consumption-gas sensitivity characteristics of the microheater showing the simulation results of FIGS.
【図１２】従来の小型化接触燃焼式ガスセンサの検出回
路を示す結線図である。FIG. 12 is a connection diagram showing a detection circuit of a conventional miniaturized catalytic combustion type gas sensor.
【図１３】従来の小型化接触燃焼式ガスセンサを示す平
面図である。FIG. 13 is a plan view showing a conventional miniaturized catalytic combustion type gas sensor.
【図１４】図１３のＸ−Ｘ線断面図である。FIG. 14 is a sectional view taken along line XX of FIG. 13;
【図１５】従来のマイクロヒータの上面図である。FIG. 15 is a top view of a conventional micro heater.
１、１１ 薄膜状のヒータ抵抗 １ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ 最外端に配置された薄膜状の
ヒータ抵抗 １１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ 最外端に配置された
薄膜状のヒータ抵抗 ２、１２ 均熱域 ３、１３ 断熱域 ４ａ、４ｂ 電極 ５、１５ 絶縁体層 １０、２０ マイクロヒータ1, 11 Thin-film heater resistances 1a, 1b, 1c, 1d Thin-film heater resistances 11a, 11b, 11c, 11d Thin-film heater resistances arranged at the outermost ends 2, 12 Average Heat zone 3, 13 Heat insulation zone 4a, 4b Electrode 5, 15 Insulator layer 10, 20 Micro heater
Claims (3)
の全域にわたって薄膜状のヒータ抵抗を格子状に設けた
ことを特徴とするガスセンサ用マイクロヒータ。1. A micro-heater for a gas sensor, wherein thin-film heater resistors are provided in a grid pattern over a substantially rectangular heat equalizing region surrounded by a heat insulating region.
置する角部にそれぞれ電極を設けたことを特徴とする請
求項１記載のガスセンサ用マイクロヒータ。2. The micro-heater for a gas sensor according to claim 1, wherein electrodes are provided at corners of the grid of the micro-heater located in diagonal directions.
外端に配置された薄膜状のヒータ抵抗の辺の中央部にそ
れぞれ電極を設けたことを特徴とする請求項１記載のガ
スセンサ用マイクロヒータ。3. The micro-heater for a gas sensor according to claim 1, wherein an electrode is provided at the center of each side of the thin-film heater resistor disposed at both outermost ends of the micro-heater opposed to each other.
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ID=11701938
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1998
- 1998-01-20 JP JP00876298A patent/JP3537077B2/en not_active Expired - Lifetime
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