JPH11211675A - クラック検査方法 - Google Patents
クラック検査方法Info
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- JPH11211675A JPH11211675A JP10017609A JP1760998A JPH11211675A JP H11211675 A JPH11211675 A JP H11211675A JP 10017609 A JP10017609 A JP 10017609A JP 1760998 A JP1760998 A JP 1760998A JP H11211675 A JPH11211675 A JP H11211675A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 太陽電池モジュールの構成部材である光起電
力素子の半導体層に発生したクラックを正確に且つ簡易
な操作で検出する。 【解決手段】 クラック１０１の発生した上層１０５は
溶解せず、下層１０４を溶解する溶解液をクラック１０
１に滴下し、下層１０４のクラック１０１周辺を溶解し
て空洞部１０６を形成し、該空洞部１０６上の上層１０
５を窪ませることにより、上層１０５表面のクラック１
０１周辺に黒帯１０２を形成し、微細なクラック１０１
を顕在化し、観察する。
力素子の半導体層に発生したクラックを正確に且つ簡易
な操作で検出する。 【解決手段】 クラック１０１の発生した上層１０５は
溶解せず、下層１０４を溶解する溶解液をクラック１０
１に滴下し、下層１０４のクラック１０１周辺を溶解し
て空洞部１０６を形成し、該空洞部１０６上の上層１０
５を窪ませることにより、上層１０５表面のクラック１
０１周辺に黒帯１０２を形成し、微細なクラック１０１
を顕在化し、観察する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池モジュー
ルやプリント配線板などに用いられる積層体に発生した
クラックの検査方法に関し、特に、高倍率で観察しない
と検出できないような微小なクラックの検査方法に関す
る。
ルやプリント配線板などに用いられる積層体に発生した
クラックの検査方法に関し、特に、高倍率で観察しない
と検出できないような微小なクラックの検査方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】高集積プリント配線板には、微細な回路
形成が要求され、小さなスルーホール加工も必要であ
る。スルーホール形成の加工条件が悪いと、スルーホー
ルの周囲にクラックが発生することがある。このクラッ
クはプリント配線板の信頼性を損なうものであるから、
該クラックの発生の有無を確認する必要があり、従来、
以下のようなクラック観察方法が提案されている。
形成が要求され、小さなスルーホール加工も必要であ
る。スルーホール形成の加工条件が悪いと、スルーホー
ルの周囲にクラックが発生することがある。このクラッ
クはプリント配線板の信頼性を損なうものであるから、
該クラックの発生の有無を確認する必要があり、従来、
以下のようなクラック観察方法が提案されている。
【０００３】特開平５−１８９１０号公報に記載されて
いるクラックの観察方法は、クラック内に蛍光剤を浸透
させた後、この蛍光材に紫外線、可視光線、Ｘ線、α
線、β線などを照射し、蛍光剤を励起して得られる蛍光
を観察する方法である。
いるクラックの観察方法は、クラック内に蛍光剤を浸透
させた後、この蛍光材に紫外線、可視光線、Ｘ線、α
線、β線などを照射し、蛍光剤を励起して得られる蛍光
を観察する方法である。
【０００４】また、特開平６−１１４６１号公報には、
伸線または圧延加工によって製造された平鋼線の表面の
クラックの検査方法について記載されている。当該検査
方法は、平鋼線の表面に油を塗布し、その後、２５０℃
〜４５０℃でブルーイング処理を行い、平鋼線の表面上
に現れる色彩の変化によりクラックを観察する方法であ
る。
伸線または圧延加工によって製造された平鋼線の表面の
クラックの検査方法について記載されている。当該検査
方法は、平鋼線の表面に油を塗布し、その後、２５０℃
〜４５０℃でブルーイング処理を行い、平鋼線の表面上
に現れる色彩の変化によりクラックを観察する方法であ
る。
【０００５】さらに、自動制御により正確に検出できる
クラック検出装置が、特開平５−２８１１４９号公報で
提案されている。該方法は、ウエハ上に発生したクラッ
クを検出するのに光ビームを走査し、その反射光の結像
位置のずれからウエハ上のクラックを検出する方法であ
る。
クラック検出装置が、特開平５−２８１１４９号公報で
提案されている。該方法は、ウエハ上に発生したクラッ
クを検出するのに光ビームを走査し、その反射光の結像
位置のずれからウエハ上のクラックを検出する方法であ
る。
【０００６】また、超音波顕微鏡により非破壊で材料の
内部のクラックを検出する方法や、アコースティックミ
ッションにより、クラック形成で生じる音波を検出する
方法なども報告されている。
内部のクラックを検出する方法や、アコースティックミ
ッションにより、クラック形成で生じる音波を検出する
方法なども報告されている。
【０００７】従来、上記のようなクラック観察方法や検
出方法等を利用して、クラックが発生しない加工条件の
検討や、製造工程でのクラック有無の検査を行ってい
た。
出方法等を利用して、クラックが発生しない加工条件の
検討や、製造工程でのクラック有無の検査を行ってい
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】屋根材一体型太陽電池
モジュールは補強材上に半導体基板を樹脂封止した構成
であり、該補強材を加工して屋根材の機能を持たしてい
る。従って、該屋根材の加工時に半導体基板も同様に加
工され、その条件によっては該半導体基板の加工部分に
クラックが発生する場合がある。半導体基板にクラック
が発生すると、太陽電池モジュールの信頼性が損なわれ
る恐れが有る。従って、太陽電池モジュールの開発にお
いては、クラックが発生しないような加工条件の検討が
行われているが、前記したような従来のクラック観察方
法、検出方法では以下のような問題点があった。
モジュールは補強材上に半導体基板を樹脂封止した構成
であり、該補強材を加工して屋根材の機能を持たしてい
る。従って、該屋根材の加工時に半導体基板も同様に加
工され、その条件によっては該半導体基板の加工部分に
クラックが発生する場合がある。半導体基板にクラック
が発生すると、太陽電池モジュールの信頼性が損なわれ
る恐れが有る。従って、太陽電池モジュールの開発にお
いては、クラックが発生しないような加工条件の検討が
行われているが、前記したような従来のクラック観察方
法、検出方法では以下のような問題点があった。
【０００９】例えば、前記特開平５−１８９１０号公報
に記載された方法は、蛍光剤をクラックに浸透させるた
めに、サンプルを蛍光液の中に浸漬し、減圧してクラ
ック内を脱法する、加圧する、超音波振動する、ま
たは、サンプルを加熱した後蛍光液に浸漬する、方法
のいずれかのうち少なくとも２つ以上を組み合わせるこ
とが好ましいと述べられている。即ち、蛍光液をクラッ
ク内に浸透させるのが難しく、上記のような作業が必要
となり、工程が煩雑である。
に記載された方法は、蛍光剤をクラックに浸透させるた
めに、サンプルを蛍光液の中に浸漬し、減圧してクラ
ック内を脱法する、加圧する、超音波振動する、ま
たは、サンプルを加熱した後蛍光液に浸漬する、方法
のいずれかのうち少なくとも２つ以上を組み合わせるこ
とが好ましいと述べられている。即ち、蛍光液をクラッ
ク内に浸透させるのが難しく、上記のような作業が必要
となり、工程が煩雑である。
【００１０】また、蛍光液に浸漬させるためには、サン
プルはある程度の大きさに限られ、太陽電池モジュール
のような大きなサンプルの場合には、検査用に小片を切
り出す必要がある。しかしながら、当該小片の切り出し
時の振動、圧力、歪み等のストレスによって、新たにク
ラックが発生する可能性があり、製造工程上のクラック
を正確に把握できないという問題がある。
プルはある程度の大きさに限られ、太陽電池モジュール
のような大きなサンプルの場合には、検査用に小片を切
り出す必要がある。しかしながら、当該小片の切り出し
時の振動、圧力、歪み等のストレスによって、新たにク
ラックが発生する可能性があり、製造工程上のクラック
を正確に把握できないという問題がある。
【００１１】また、前記特開平６−１１４６１号公報に
記載された方法は、クラックに油を塗布して２５０℃〜
４５０℃の高温で処理するため、例えば積層体である場
合には、熱収縮率の違いでクラックが発生する場合があ
り、また、ガラス転移温度が低い材質の場合には溶解し
てしまうため、材質によっては当該方法を用いることが
できない。
記載された方法は、クラックに油を塗布して２５０℃〜
４５０℃の高温で処理するため、例えば積層体である場
合には、熱収縮率の違いでクラックが発生する場合があ
り、また、ガラス転移温度が低い材質の場合には溶解し
てしまうため、材質によっては当該方法を用いることが
できない。
【００１２】その他、光ビームの反射による検出方法、
超音波顕微鏡による検出方法、アコースティックエミッ
ションによる検出方法などは、いずれも装置が大がかり
で特殊であるため、容易に利用することができない。
超音波顕微鏡による検出方法、アコースティックエミッ
ションによる検出方法などは、いずれも装置が大がかり
で特殊であるため、容易に利用することができない。
【００１３】本発明の目的は、上記問題点を解決したク
ラックの検出方法を提供することにある。具体的には、
特殊な装置や高温処理などが不要で、簡易な工程でクラ
ックを検出し得る方法であり、特に、太陽電池モジュー
ルなどの大型の積層体について正確にクラックを検出し
得る方法を提供することにある。
ラックの検出方法を提供することにある。具体的には、
特殊な装置や高温処理などが不要で、簡易な工程でクラ
ックを検出し得る方法であり、特に、太陽電池モジュー
ルなどの大型の積層体について正確にクラックを検出し
得る方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、積層体に発生
したクラックを、顕在化処理した後、観察することを特
徴とするクラック検査方法である。
したクラックを、顕在化処理した後、観察することを特
徴とするクラック検査方法である。
【００１５】本発明においては、クラックを顕在化処理
した後に観察するため、低倍率でも微細なクラックを確
認することができ、また、詳細な観察を行うために小片
を切り出す必要があっても、該切り出し作業で生じたク
ラックとは区別し得るため、製造工程上発生したクラッ
クを正確に把握することができる。
した後に観察するため、低倍率でも微細なクラックを確
認することができ、また、詳細な観察を行うために小片
を切り出す必要があっても、該切り出し作業で生じたク
ラックとは区別し得るため、製造工程上発生したクラッ
クを正確に把握することができる。
【００１６】本発明において上記顕在化処理として好ま
しくは、溶解液を用いた溶解処理を用いる。この方法
は、積層体の上層は溶解せず、下層を溶解する溶解液を
クラックより浸透させ、下層を溶解して空洞部を形成す
ることにより、該空洞部上の上層を窪ませる方法で、ク
ラックが実際よりも大きな黒帯となって容易に観察され
る。
しくは、溶解液を用いた溶解処理を用いる。この方法
は、積層体の上層は溶解せず、下層を溶解する溶解液を
クラックより浸透させ、下層を溶解して空洞部を形成す
ることにより、該空洞部上の上層を窪ませる方法で、ク
ラックが実際よりも大きな黒帯となって容易に観察され
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明において、顕在化処理とし
ては、先に挙げた溶解処理が好ましい。以下、溶解処理
により顕在化する工程を例に挙げて本発明を説明する。
ては、先に挙げた溶解処理が好ましい。以下、溶解処理
により顕在化する工程を例に挙げて本発明を説明する。
【００１８】図１は積層体に発生したクラックを溶解処
理により顕在化した後の該積層体の断面を模式的に示す
図である。図中（ａ）は上面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’
断面図である。図中、１０１はクラック、１０２は黒
帯、１０３は基板、１０４は下層、１０５は上層、１０
６は空洞部である。本実施形態においては、クラック１
０１は上層１０５に発生していた場合を示すが、該クラ
ックが下層１０４内に及んでいても構わない。
理により顕在化した後の該積層体の断面を模式的に示す
図である。図中（ａ）は上面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’
断面図である。図中、１０１はクラック、１０２は黒
帯、１０３は基板、１０４は下層、１０５は上層、１０
６は空洞部である。本実施形態においては、クラック１
０１は上層１０５に発生していた場合を示すが、該クラ
ックが下層１０４内に及んでいても構わない。
【００１９】本実施形態において、上層１０５は溶解せ
ず、下層１０４を溶解する溶解液を積層体の表面、即ち
上層１０５に滴下し、所定の時間放置した後水洗浄し、
乾燥する。上記溶解液はクラック１０１内に浸透し、ク
ラック１０１の周辺の下層１０４を溶解する。その結
果、下層１０４に空洞部１０６が形成され、上層１０５
が窪んでクラック１０１周辺に黒帯１０２が形成され
る。この黒帯１０２によってクラック１０１の低倍率観
察が可能となる。
ず、下層１０４を溶解する溶解液を積層体の表面、即ち
上層１０５に滴下し、所定の時間放置した後水洗浄し、
乾燥する。上記溶解液はクラック１０１内に浸透し、ク
ラック１０１の周辺の下層１０４を溶解する。その結
果、下層１０４に空洞部１０６が形成され、上層１０５
が窪んでクラック１０１周辺に黒帯１０２が形成され
る。この黒帯１０２によってクラック１０１の低倍率観
察が可能となる。
【００２０】本発明の検査方法において検出されるクラ
ック１０１は、材料のひび割れ、欠損等であり、その大
きさに特に制限はないが、数百〜数千Åの幅のクラック
について本発明にかかる顕在化処理の効果が大きい。
ック１０１は、材料のひび割れ、欠損等であり、その大
きさに特に制限はないが、数百〜数千Åの幅のクラック
について本発明にかかる顕在化処理の効果が大きい。
【００２１】本発明の検査方法の対象となる積層体は、
特に限定はないが、基板上に複数種の層が積層されてい
るもの、例えば、プリント基板、太陽電池モジュールの
構成部材である光起電力素子において本発明は好ましく
適用される。これらの積層体は、通常、基板上に電極層
や半導体層等機能層を複数有しいる。
特に限定はないが、基板上に複数種の層が積層されてい
るもの、例えば、プリント基板、太陽電池モジュールの
構成部材である光起電力素子において本発明は好ましく
適用される。これらの積層体は、通常、基板上に電極層
や半導体層等機能層を複数有しいる。
【００２２】本発明にかかる積層体の基板１０３として
は、積層体の補強材の役割をするもので、該基板の上に
様々な機能層が形成されている。基板自体が導電性で電
極層として作用する場合もある。具体的には、ステンレ
ス、銅、鉄、アルミニウム、ポリイミド、ポリエチレン
テレフタレート等などが用いられている。
は、積層体の補強材の役割をするもので、該基板の上に
様々な機能層が形成されている。基板自体が導電性で電
極層として作用する場合もある。具体的には、ステンレ
ス、銅、鉄、アルミニウム、ポリイミド、ポリエチレン
テレフタレート等などが用いられている。
【００２３】本発明において、積層体の上層１０５は、
本発明により検出したいクラックが存在する積層体中の
層であり、半導体層であることが多い。その理由は、プ
リント基板や光起電力素子等の積層体の信頼性に影響す
るのは半導体層にクラックが発生した場合がほとんど
で、ダイオード特性が変化し、ショートやマイグレーシ
ョン等が生じるからである。具体的には、アモルファス
シリコン層、単結晶シリコン層、薄膜多結晶シリコン層
などであり、これら半導体は一般的に溶解しにくいた
め、本発明の顕在化処理の好ましい形態である溶解処理
に最適である。
本発明により検出したいクラックが存在する積層体中の
層であり、半導体層であることが多い。その理由は、プ
リント基板や光起電力素子等の積層体の信頼性に影響す
るのは半導体層にクラックが発生した場合がほとんど
で、ダイオード特性が変化し、ショートやマイグレーシ
ョン等が生じるからである。具体的には、アモルファス
シリコン層、単結晶シリコン層、薄膜多結晶シリコン層
などであり、これら半導体は一般的に溶解しにくいた
め、本発明の顕在化処理の好ましい形態である溶解処理
に最適である。
【００２４】また、本発明にかかる上層１０５は表面層
でなくても良く、図１の上層１０５上にさらに他の機能
層が存在する場合には、該機能層を剥離して、或いは溶
解処理に用いる溶解液によって溶解除去して上層１０５
が露出するようにすれば良い。
でなくても良く、図１の上層１０５上にさらに他の機能
層が存在する場合には、該機能層を剥離して、或いは溶
解処理に用いる溶解液によって溶解除去して上層１０５
が露出するようにすれば良い。
【００２５】本発明にかかる下層１０４は、溶解処理に
よって溶解され得る層であり、上層１０５が半導体層で
ある場合には、当該下層１０４は電極層であることが多
く、例えば、金属や金属酸化物で形成される。金属や金
属酸化物は半導体に比べて溶解し易く、溶解液の選択が
容易である。具体的には、アルミニウム、酸化亜鉛、酸
化インジウムなどであり、特に酸化亜鉛は酸にもアルカ
リにも溶解することから、本発明にかかる溶解処理によ
る顕在化に適している。
よって溶解され得る層であり、上層１０５が半導体層で
ある場合には、当該下層１０４は電極層であることが多
く、例えば、金属や金属酸化物で形成される。金属や金
属酸化物は半導体に比べて溶解し易く、溶解液の選択が
容易である。具体的には、アルミニウム、酸化亜鉛、酸
化インジウムなどであり、特に酸化亜鉛は酸にもアルカ
リにも溶解することから、本発明にかかる溶解処理によ
る顕在化に適している。
【００２６】本発明にかかる溶解処理に用いられる溶解
液は、下層１０４を溶解し、上層１０５を溶解しないも
のである。上記したような、下層１０４が金属や金属酸
化物、上層１０５が半導体である積層体については、酸
性水溶液、例えば希硝酸等が好ましく用いられる。他に
も希塩酸、フェノール酸などが挙げられる。また、酸性
水溶液に限らず、アルカリ性水溶液、有機溶剤などを用
いられる。具体的には、例えば水酸化ナトリウムやジク
ロロメタン等が用いられるが、有害性の少ない希硝酸が
特に好ましい。
液は、下層１０４を溶解し、上層１０５を溶解しないも
のである。上記したような、下層１０４が金属や金属酸
化物、上層１０５が半導体である積層体については、酸
性水溶液、例えば希硝酸等が好ましく用いられる。他に
も希塩酸、フェノール酸などが挙げられる。また、酸性
水溶液に限らず、アルカリ性水溶液、有機溶剤などを用
いられる。具体的には、例えば水酸化ナトリウムやジク
ロロメタン等が用いられるが、有害性の少ない希硝酸が
特に好ましい。
【００２７】本発明によれば、クラック１０１を顕在化
処理するため、該顕在化処理の後に切り出し作業を行っ
たとしても、該切り出し作業で発生したクラックとは容
易に区別することができる。よって、先ず顕在化処理を
施し、ルーペ等によってクラック１０１の有無のみを確
認し、クラックが発生していた場合にのみ当該領域を切
り出して電子顕微鏡等により詳しく観察し、クラックの
幅や長さなどを測定することにより、製造工程で発生し
たクラックを正確に把握することができる。
処理するため、該顕在化処理の後に切り出し作業を行っ
たとしても、該切り出し作業で発生したクラックとは容
易に区別することができる。よって、先ず顕在化処理を
施し、ルーペ等によってクラック１０１の有無のみを確
認し、クラックが発生していた場合にのみ当該領域を切
り出して電子顕微鏡等により詳しく観察し、クラックの
幅や長さなどを測定することにより、製造工程で発生し
たクラックを正確に把握することができる。
【００２８】本発明にかかる顕在化処理ではクラックが
実際よりも大きく観察されるため、例えば１３０倍程度
の低倍率で検出することが可能で、広い視野でクラック
の発生分布を観察することもできる。
実際よりも大きく観察されるため、例えば１３０倍程度
の低倍率で検出することが可能で、広い視野でクラック
の発生分布を観察することもできる。
【００２９】
【実施例】図２に本発明の実施例において検査対象とし
た屋根材一体型太陽電池モジュールの斜視図を示す。当
該モジュールは補強板２０１であるガルバニウム鋼板上
に、光起電力素子としてアモルファスシリコン半導体基
板がラミネートにより樹脂封止されている。図中、２０
２が樹脂封止された素子である。当該モジュールは平板
状態で上記半導体基板がラミネートされ、その後ローラ
ーフォーマー加工、プレス加工により、図２のような形
態に成形される。この加工により、光起電力素子２０２
は引張、圧縮のストレスを受け、引張が大きな部分、例
えば山部２０３でクラックが発生し易い。よって、この
クラックの発生を防止する検討を行う上で、当該クラッ
クの観察が必要であった。
た屋根材一体型太陽電池モジュールの斜視図を示す。当
該モジュールは補強板２０１であるガルバニウム鋼板上
に、光起電力素子としてアモルファスシリコン半導体基
板がラミネートにより樹脂封止されている。図中、２０
２が樹脂封止された素子である。当該モジュールは平板
状態で上記半導体基板がラミネートされ、その後ローラ
ーフォーマー加工、プレス加工により、図２のような形
態に成形される。この加工により、光起電力素子２０２
は引張、圧縮のストレスを受け、引張が大きな部分、例
えば山部２０３でクラックが発生し易い。よって、この
クラックの発生を防止する検討を行う上で、当該クラッ
クの観察が必要であった。
【００３０】図３は図２のモジュールから切り出した山
部の小片サンプルの断面模式図である。補強板２０１の
上に、光起電力素子３０４が樹脂３０７で封止されてい
る。光起電力素子３０４は製造工程での傷付きを防止す
るため、保護膜３０５としてアクリルシリコンがコーテ
ィングされている。さらに表面側の汚れ防止層を兼ねた
絶縁層３０６としてフッ素フィルム、裏面側の絶縁層３
０３としてポリエステルテレフタレートフィルム、及び
これらを接着する充填層３０２ａ〜３０２ｃとしてエチ
レンビニルアセテートによりラミネートされている。
部の小片サンプルの断面模式図である。補強板２０１の
上に、光起電力素子３０４が樹脂３０７で封止されてい
る。光起電力素子３０４は製造工程での傷付きを防止す
るため、保護膜３０５としてアクリルシリコンがコーテ
ィングされている。さらに表面側の汚れ防止層を兼ねた
絶縁層３０６としてフッ素フィルム、裏面側の絶縁層３
０３としてポリエステルテレフタレートフィルム、及び
これらを接着する充填層３０２ａ〜３０２ｃとしてエチ
レンビニルアセテートによりラミネートされている。
【００３１】小片サンプルは図２のモジュールから切り
出しており、約１０ｍｍ角サイズである。切り出し方法
はバンドソーで大きく切断した後、精密砥石で所定の大
きさまで切り出す。
出しており、約１０ｍｍ角サイズである。切り出し方法
はバンドソーで大きく切断した後、精密砥石で所定の大
きさまで切り出す。
【００３２】図４は上記小片サンプルの表面を剥離し、
光起電力素子３０４の表面を露出させた状態の断面模式
図であり、光起電力素子３０４の細部を拡大して示して
いる。本実施例の光起電力素子３０４は、ステンレス製
の基板４０２上に、光反射層４０３としてアルミニウム
層、光拡散層４０４として酸化亜鉛層、光起電力層４０
５としてアモルファスシリコン層、透明電極層４０６と
して酸化インジウム層が順次形成されており、クラック
４０７が複数本存在し、その深さは光拡散層４０４まで
及んでおり、その幅は約１００Å程度である。
光起電力素子３０４の表面を露出させた状態の断面模式
図であり、光起電力素子３０４の細部を拡大して示して
いる。本実施例の光起電力素子３０４は、ステンレス製
の基板４０２上に、光反射層４０３としてアルミニウム
層、光拡散層４０４として酸化亜鉛層、光起電力層４０
５としてアモルファスシリコン層、透明電極層４０６と
して酸化インジウム層が順次形成されており、クラック
４０７が複数本存在し、その深さは光拡散層４０４まで
及んでおり、その幅は約１００Å程度である。
【００３３】尚、表面側の絶縁層３０６、充填層３０２
ｃは、単純にラジオペンチで剥ぎ取り、保護膜３０５は
市販の塗膜剥離剤を用いて剥離した。
ｃは、単純にラジオペンチで剥ぎ取り、保護膜３０５は
市販の塗膜剥離剤を用いて剥離した。
【００３４】図５に図４の小片サンプルに本発明にかか
る溶解処理を施し、クラック４０７を顕在化した後の断
面模式図を示す。本実施例においては、溶解液として３
％硝酸を用い、当該小片サンプルに該溶解液を滴下して
３分間放置した後洗浄した。当該処理により、透明電極
層４０６が溶解して除去され、クラック４０７より溶解
液が浸透して下層である光拡散層４０４と光反射層４０
３が溶解した。その結果、各クラック４０７の周辺に空
洞部５０１が形成され、光起電力層４０５が窪んで該光
起電力層４０５表面のクラック４０７周辺に黒帯５０２
が発生した。
る溶解処理を施し、クラック４０７を顕在化した後の断
面模式図を示す。本実施例においては、溶解液として３
％硝酸を用い、当該小片サンプルに該溶解液を滴下して
３分間放置した後洗浄した。当該処理により、透明電極
層４０６が溶解して除去され、クラック４０７より溶解
液が浸透して下層である光拡散層４０４と光反射層４０
３が溶解した。その結果、各クラック４０７の周辺に空
洞部５０１が形成され、光起電力層４０５が窪んで該光
起電力層４０５表面のクラック４０７周辺に黒帯５０２
が発生した。
【００３５】上記サンプルのクラックの有無及びその発
生分布を電子顕微鏡により観察したところ、１３０倍で
も判別することができた。
生分布を電子顕微鏡により観察したところ、１３０倍で
も判別することができた。
【００３６】尚、本実施例においては、本発明にかかる
顕在化処理の効果を確認するために、小片サンプルを切
り出してから顕在化処理を施したが、前記したように、
小片サンプルを切り出す前に顕在化処理を施すことによ
り、顕在化しなかったクラックをサンプル切り出し時に
発生したクラックとして区別することができる。
顕在化処理の効果を確認するために、小片サンプルを切
り出してから顕在化処理を施したが、前記したように、
小片サンプルを切り出す前に顕在化処理を施すことによ
り、顕在化しなかったクラックをサンプル切り出し時に
発生したクラックとして区別することができる。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、低倍率でも微細なクラ
ックを観察することができるため、電子顕微鏡、光学顕
微鏡、ルーペ等で観察することができ、特殊な装置や煩
雑な工程が不要で安価に実施することができる。また、
低倍率で観察できるため、観察視野が広く、クラック発
生分布も同時に観察することができる。さらに、クラッ
クの幅や長さ、形状など詳細な観察を行う場合でも、予
めルーペ等でクラックの有無を検出した後、あらためて
検出されたクラックについて電子顕微鏡等により観察す
れば良いため、効率良く観察を行うことができる。
ックを観察することができるため、電子顕微鏡、光学顕
微鏡、ルーペ等で観察することができ、特殊な装置や煩
雑な工程が不要で安価に実施することができる。また、
低倍率で観察できるため、観察視野が広く、クラック発
生分布も同時に観察することができる。さらに、クラッ
クの幅や長さ、形状など詳細な観察を行う場合でも、予
めルーペ等でクラックの有無を検出した後、あらためて
検出されたクラックについて電子顕微鏡等により観察す
れば良いため、効率良く観察を行うことができる。
【００３８】本発明の顕在化処理を溶解処理により実施
することにより、耐熱性のない積層体においても好まし
く適用することができる。また、当該処理は小片の切り
出し前に行うことができるため、切り出し工程で発生す
るクラックと区別することができ、製造工程で発生した
クラックを正確に把握することができる。
することにより、耐熱性のない積層体においても好まし
く適用することができる。また、当該処理は小片の切り
出し前に行うことができるため、切り出し工程で発生す
るクラックと区別することができ、製造工程で発生した
クラックを正確に把握することができる。
【図１】本発明の一実施形態の顕在化処理を施した後の
積層体のクラック周辺部を拡大した模式図である。
積層体のクラック周辺部を拡大した模式図である。
【図２】本発明の実施例でクラック検出対象とした屋根
材一体型太陽電池モジュールの斜視図である。
材一体型太陽電池モジュールの斜視図である。
【図３】図２のモジュールより切り出した小片サンプル
の断面模式図である。
の断面模式図である。
【図４】図３の小片サンプルの表面を剥離した後の光起
電力素子部分の拡大断面模式図である。
電力素子部分の拡大断面模式図である。
【図５】図４の小片サンプルに本発明にかかる顕在化処
理を施した後の様子を示す断面模式図である。
理を施した後の様子を示す断面模式図である。
１０１ クラック １０２ 黒帯 １０３ 基板 １０４ 下層 １０５ 上層 １０６ 空洞部 ２０１ 補強材 ２０２ 光起電力素子 ２０３ 山部 ３０２ａ〜３０２ｃ 充填層 ３０３，３０６ 絶縁層 ３０４ 光起電力素子 ３０５ 保護膜 ３０７ 樹脂 ４０２ 基板 ４０３ 光反射層 ４０４ 光拡散層 ４０５ 光起電力層 ４０６ 透明電極層 ４０６ 透明電極層 ４０７ クラック ５０１ 空洞部 ５０２ 黒帯
フロントページの続き (72)発明者 松下 正明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 高林 明治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 積層体に発生したクラックを、顕在化処
理した後、観察することを特徴とするクラック検査方
法。 - 【請求項２】 上記積層体が、基板上に少なくとも２層
の異なる層を有している請求項１記載のクラック検査方
法。 - 【請求項３】 上記顕在化処理が、積層体の基板側の下
層は溶解し、上層は溶解しない溶解液を上記クラックよ
り浸透させ、該下層を溶解して空洞部を形成し、該空洞
部上の上層を窪ませることによりクラックを顕在化する
処理である請求項２記載のクラック検査方法。 - 【請求項４】 上記上層が半導体層である請求項２また
は３記載のクラック検査方法。 - 【請求項５】 上記半導体層がアモルファスシリコン層
である請求項４記載のクラック検査方法。 - 【請求項６】 上記下層が金属酸化物層である請求項２
〜５いずれかに記載のクラック検査方法。 - 【請求項７】 上記金属酸化物層が亜鉛酸化物層である
請求項６記載のクラック検査方法。 - 【請求項８】 上記溶解液が酸性水溶液である請求項３
〜７いずれかに記載のクラック検査方法。 - 【請求項９】 上記顕在化処理の後に、所望の領域を小
片に切り出して観察を行う請求項１〜８いずれかに記載
のクラック検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01760998A JP3679594B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | クラック検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01760998A JP3679594B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | クラック検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11211675A true JPH11211675A (ja) | 1999-08-06 |
| JP3679594B2 JP3679594B2 (ja) | 2005-08-03 |
Family
ID=11948638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01760998A Expired - Fee Related JP3679594B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | クラック検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3679594B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004132951A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-04-30 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 層の完全性に関するウェハの水準を検出する方法 |
| CN111766256A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-10-13 | 铜陵华科电子材料有限公司 | 一种线路板基材表面白点的检查方法 |
| US11519865B2 (en) * | 2020-02-28 | 2022-12-06 | Disco Corporation | Crack detection method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5562310B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2014-07-30 | 康一 高橋 | 構造物の劣化検査方法 |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP01760998A patent/JP3679594B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN111766256A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-10-13 | 铜陵华科电子材料有限公司 | 一种线路板基材表面白点的检查方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3679594B2 (ja) | 2005-08-03 |
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