JPH11207959A - Substrate, its manufacture, and pattern formation method - Google Patents

Substrate, its manufacture, and pattern formation method

Info

Publication number
JPH11207959A
JPH11207959A JP1623798A JP1623798A JPH11207959A JP H11207959 A JPH11207959 A JP H11207959A JP 1623798 A JP1623798 A JP 1623798A JP 1623798 A JP1623798 A JP 1623798A JP H11207959 A JPH11207959 A JP H11207959A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
affinity
fluid
substrate
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1623798A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3539179B2 (en
Inventor
Sadao Kanbe
貞男 神戸
Shunichi Seki
関  俊一
Hitoshi Fukushima
均 福島
Hiroshi Kiguchi
浩史 木口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP1623798A priority Critical patent/JP3539179B2/en
Publication of JPH11207959A publication Critical patent/JPH11207959A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3539179B2 publication Critical patent/JP3539179B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate suitable to form a pattern by an ink-jet method whereby a fluid body before dried does not spread too much when forming the pattern and the pattern is not divided after the fluid body is dried. SOLUTION: This substrate is provided with affinity areas 10 affinitive to a predetermined fluid body 12 and non-affinity areas 11 non-affinitive to the fluid body 12. The affinity areas 10 are arranged in a predetermined pattern (shape, size and arrangement) in the non-affinity areas 11, so that the fluid body 12 can be adhered continuously to a constant area over a plurality of affinity areas in the substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、インクジェット式
記録ヘッドの工業的応用に係り、特に、インクジェット
方式によって任意のパターンを形成するための基板の改
良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an industrial application of an ink jet recording head, and more particularly to an improvement of a substrate for forming an arbitrary pattern by an ink jet system.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体プロセス等で用いる基板は、シリ
コン等で構成されている。従来、当該シリコン基板から
集積回路等を製造するために、リソグラフィー法等が使
用されていた。
2. Description of the Related Art A substrate used in a semiconductor process or the like is made of silicon or the like. Conventionally, a lithography method or the like has been used to manufacture an integrated circuit or the like from the silicon substrate.

【0003】このリソグラフィー法は、シリコンウェハ
上にレジストと呼ばれる感光材を薄く塗布し、ガラス乾
板に写真製版で作成した集積回路パターンを光で焼き付
けて転写する。転写されたレジストパターンにイオン等
を打ち込んで、配線パターンや素子を形成していくもの
であった。
In this lithography method, a photosensitive material called a resist is thinly applied on a silicon wafer, and an integrated circuit pattern prepared by photolithography is transferred to a glass dry plate by light printing. The wiring pattern and the element are formed by implanting ions or the like into the transferred resist pattern.

【0004】上記リソグラフィー法を用いるには、写真
製版、レジスト塗布、露光、現像等の工程を必要として
いたため、設備の整った半導体工場等でなければ、微細
パターンの作成ができなかった。このため、微細パター
ンの形成は、複雑な工程管理とコストを要するのが常識
であった。
[0004] The use of the lithography method requires steps such as photolithography, resist coating, exposure, and development, so that a fine pattern cannot be formed unless a semiconductor factory or the like is well-equipped. For this reason, it has been common sense that formation of a fine pattern requires complicated process management and cost.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、超LSIほ
どの微細パターンまではいかなくても、μmのオーダー
のパターンを、簡単に、安価に、かつ工場等の設備を用
いることなく、製造することができるものとすれば、工
業的に無限の需要が考えられる。
However, it is desired to easily and inexpensively manufacture a pattern on the order of μm without using a facility such as a factory, even if it is not as fine as an ultra LSI. If it can be done, industrially unlimited demand is conceivable.

【0006】ところで、用紙の任意の位置にインクを吐
出する技術としてインクジェット方式がある。インクジ
ェット方式の応用は、主として印字を目的としてプリン
タに用いられてきた。インクジェット方式でインクを吐
出するインクジェット式記録ヘッドは、任意の流動体を
ノズル穴から吐出可能に構成されており、いままでは、
流動体としてインクを用い、インクジェット式記録ヘッ
ドからインクを吐出させ、対象面である用紙上に印字を
行うものであった。このインクジェット式記録ヘッドの
解像度は、例えば400bpiと微細であるため、個々
のノズル穴から工業的用途に使える流動体を吐出できれ
ば、μmオーダーの幅で任意のパターンが形成できると
考えられる。
Incidentally, there is an ink jet method as a technique for discharging ink at an arbitrary position on a sheet. The application of the ink jet system has been mainly used for a printer for printing. An ink jet recording head that discharges ink by an ink jet method is configured to be able to discharge an arbitrary fluid from a nozzle hole.
Ink is used as a fluid, the ink is ejected from an ink jet recording head, and printing is performed on paper as a target surface. Since the resolution of the ink jet recording head is as fine as 400 bpi, for example, it is considered that an arbitrary pattern can be formed with a width on the order of μm if a fluid that can be used for industrial purposes can be discharged from each nozzle hole.

【0007】インクジェット方式によれば、工場のよう
な設備を要せず、インクを他の工業的流動体に変えれば
パターン形成ができるので、インクジェット方式を工業
的用途に応用することは大変好ましい。
According to the ink jet system, a pattern can be formed by changing the ink to another industrial fluid without using equipment such as a factory, so that it is very preferable to apply the ink jet system to industrial applications.

【0008】さて、インクジェット方式を利用してパタ
ーン形成を行う場合に障害が生じる。対象面に到達する
と、インクジェット式記録ヘッドから吐出される液滴は
一定の面積に広がる(以下一の液滴が対象面に到達する
ことを「着弾する」と称する)。着弾した液滴の広がり
は、液滴の速度および対象面と当該流動体の接触角に応
じて決まる。
[0008] In the case where a pattern is formed by using an ink jet system, an obstacle occurs. When the droplet reaches the target surface, the droplet discharged from the ink jet recording head spreads over a certain area (hereinafter, the arrival of one droplet at the target surface is referred to as “landing”). The spread of the landed droplet depends on the speed of the droplet and the contact angle between the target surface and the fluid.

【0009】しかしながら、インクジェット方式を工業
的に応用する場合、吐出される流動体の液滴が着弾して
大きく広がるため、半導体プロセス等に用いるような微
細なパターンを形成できないという不都合が生じる。
However, when the ink jet system is industrially applied, since the discharged liquid droplets land and spread widely, there is a disadvantage that a fine pattern used in a semiconductor process or the like cannot be formed.

【0010】また、着弾時に互いに接触して適度に広が
っていた液滴のパターンが、乾燥とともに分離され、パ
ターンを維持できないという不都合も生じうる。
[0010] In addition, the pattern of the droplets that have spread appropriately in contact with each other at the time of impact may be separated with drying, and the pattern may not be maintained.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】この不都合を解決するた
めに、本願発明者は、吐出される液滴が流動体であると
いうインクジェットの特性に鑑み、表面張力を利用し
て、パターンの適度な広がりを維持する方法を考えた。
In order to solve this inconvenience, the present inventor considers the characteristics of an ink-jet that a droplet to be ejected is a fluid, and uses a surface tension to form an appropriate pattern. I figured out a way to keep it spread.

【0012】すなわち、本発明の第1の課題は、流動体
に対し親和性のある領域と親和性のない領域とを用いる
ことにより、流動体の表面張力により、微細なパターン
形成を可能とする基板を提供することである。
That is, a first object of the present invention is to enable formation of a fine pattern by the surface tension of a fluid by using a region having an affinity for a fluid and a region having no affinity for the fluid. To provide a substrate.

【0013】本発明の第2の課題は、流動体に対し親和
性のある領域と親和性のない領域とを配置した基板を形
成可能とすることにより、流動体の表面張力により、微
細なパターン形成を可能とする基板の製造方法を提供す
ることである。
A second object of the present invention is to make it possible to form a substrate in which a region having affinity for a fluid and a region having no affinity for the fluid are formed, so that a fine pattern is formed by the surface tension of the fluid. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a substrate that can be formed.

【0014】本発明の第3の課題は、本発明の基板にパ
ターンを形成するために適当なパターン形成方法を提供
することである。
A third object of the present invention is to provide a pattern forming method suitable for forming a pattern on the substrate of the present invention.

【0015】ここで、流動体とは、インクのみならず、
工業的用途に用いることができ、ノズルから吐出可能な
粘度を備えた媒体である。水性であると油性であるとを
問わない。また、混合物がコロイド状に混入していても
よい。
Here, the fluid means not only the ink but also the ink.
It is a medium having a viscosity that can be used for industrial purposes and can be discharged from a nozzle. It does not matter whether it is aqueous or oily. Further, the mixture may be mixed in a colloidal state.

【0016】また、親和性があるとは、流動体に対する
接触角が相対的に小さいことをいい、親和性がないと
は、流動体に対する相対的に接触角が大きいことをい
う。この両表現は、流動体に対する膜の挙動を明らかに
するために、便宜上対比して用いられるものである。
Also, having affinity means having a relatively small contact angle with a fluid, and having no affinity means having a relatively large contact angle with a fluid. These expressions are used for convenience to clarify the behavior of the membrane with respect to the fluid.

【0017】本発明は、所定の流動体に対し親和性のあ
る親和性領域と、流動体に対し親和性のない非親和性領
域と、を備え、親和性領域が非親和性領域のなかで、所
定のパターン(形状、大きさおよび配列)で配置される
ことにより、複数の親和性領域にまたがる一定の面積に
流動体を連続して付着可能に構成された基板である。
The present invention comprises an affinity region having an affinity for a predetermined fluid, and a non-affinity region having no affinity for the fluid, wherein the affinity region is one of the non-affinity regions. Is a substrate that is arranged in a predetermined pattern (shape, size, and arrangement) so that a fluid can be continuously attached to a fixed area over a plurality of affinity regions.

【0018】例えば、パターンは、一のパターンに流動
体が付着した場合でも、当該流動体の表面張力によって
隣接するパターンに当該流動体が移動することを禁止可
能に配置されている。
For example, the patterns are arranged so that even if a fluid adheres to one pattern, the fluid is prevented from moving to an adjacent pattern due to the surface tension of the fluid.

【0019】また、例えば、パターンは、各々の親和性
領域が線状パターンに形成されている。
In the pattern, for example, each affinity region is formed in a linear pattern.

【0020】さらに、例えば、パターンは、各々の親和
性領域が、所定の形状(球状、多角形状)をした点状パ
ターンに形成されている。
Further, for example, in the pattern, each affinity region is formed in a dot pattern having a predetermined shape (spherical or polygonal).

【0021】ここで、点状パターンは、隣接する点状パ
ターンと接触して配置されることは好ましい。
Here, it is preferable that the dot pattern is arranged in contact with an adjacent dot pattern.

【0022】本発明は、基台上に、所定の流動体に対し
親和性のある親和性領域または流動体に対し親和性のな
い非親和性領域のいずれか一方が、他方の領域に対し
て、所定のパターンで配置されるように、当該一方の領
域を形成するパターン形成工程を備えることにより、複
数の親和性領域にまたがる一定の面積に流動体を連続し
て付着可能にした基板の製造方法である。
According to the present invention, one of an affinity region having an affinity for a predetermined fluid and a non-affinity region having no affinity for a fluid is provided on a base with respect to the other region. Manufacturing a substrate in which a fluid can be continuously attached to a certain area over a plurality of affinity regions by providing a pattern forming step of forming the one region so as to be arranged in a predetermined pattern. Is the way.

【0023】例えば、パターン形成工程は、基台上に所
定の金属により金属層を形成する工程と、基台上に形成
された金属層にエネルギーをパターンに応じて選択的に
供給し、エネルギーが供給された領域の金属を除去する
工程と、金属がパターンに応じて除去された基台を、硫
黄化合物を含む混合液に浸漬する工程と、を備える。
For example, the pattern forming step includes a step of forming a metal layer on the base with a predetermined metal, and a step of selectively supplying energy to the metal layer formed on the base in accordance with a pattern, thereby reducing the energy. The method includes a step of removing the metal in the supplied region, and a step of immersing the base from which the metal has been removed according to the pattern in a mixed solution containing a sulfur compound.

【0024】ここで、硫黄化合物は、流動体に対する親
和性に関し、基板と反対の性質を備える。
Here, the sulfur compound has a property opposite to that of the substrate with respect to the affinity for the fluid.

【0025】また、例えば、パターン形成工程は、流動
体に対し親和性のある単量体と流動体に対し親和性のな
い単量体とから構成される共重合化合物を、基台上に膜
状に形成するものである。
For example, in the pattern forming step, a copolymer compound composed of a monomer having an affinity for the fluid and a monomer having no affinity for the fluid is coated on the base by a film. It is formed in a shape.

【0026】さらに、例えば、パターン形成工程は、基
台上に所定の物質を層状に形成する工程と、物質をパタ
ーンに応じマスクするマスク工程と、マスクがされた基
台にエネルギーを供給し、マスクがされていない領域の
物質を除去する工程と、を備える。
Further, for example, the pattern forming step includes a step of forming a predetermined substance in a layer on the base, a mask step of masking the substance according to the pattern, and supplying energy to the masked base. Removing the material in the unmasked region.

【0027】さらにまた、パターン形成工程は、基台に
対しパターンに応じてマスクする工程と、マスクがされ
た基台をプラズマ加工する工程と、プラズマ加工により
解離を生じた分子を改質処理する工程と、を備える。
Further, the pattern forming step includes a step of masking the base in accordance with a pattern, a step of performing plasma processing on the masked base, and a step of modifying molecules that have been dissociated by the plasma processing. And a step.

【0028】またパターン形成工程は、基台に対し前記
パターンに応じてマスクする工程と、前記マスクがされ
た基台に紫外線を照射して表面を改質処理する工程と、
を備える。
The pattern forming step includes: a step of masking the base in accordance with the pattern; a step of irradiating the masked base with ultraviolet rays to modify the surface;
Is provided.

【0029】また、例えば、パターン形成工程は、基台
全面に電荷を与える工程と、パターンに応じ電荷が与え
られた基台表面にレーザ光を照射する工程と、レーザ光
が照射されず電荷が消滅しなかった荷電領域に所定の物
質を結合させる工程と、を備える。
Further, for example, the pattern forming step includes a step of applying electric charges to the entire surface of the base, a step of irradiating the base surface to which electric charges are applied in accordance with the pattern with a laser beam, Bonding a predetermined substance to the charged region that has not disappeared.

【0030】さらに、例えば、パターン形成工程は、基
台上に、所定の物質をパターンの応じて設ける工程を備
える。
Further, for example, the pattern forming step includes a step of providing a predetermined substance on the base according to the pattern.

【0031】ここで、上記した物質は、流動体に対する
親和性に関し、基台と反対の性質を備えるものである。
Here, the above-mentioned substance has the opposite property to the base with respect to the affinity for the fluid.

【0032】本発明は、本発明の基板にパターンを形成
するパターン形成方法であって、流動体の液滴を吐出可
能に設けられたインクジェット式記録ヘッドを任意のパ
ターンに従って駆動する工程と、パターンに沿って移動
するインクジェット式記録ヘッドのノズル穴から流動体
の液滴を吐出させることにより、基板上に当該流動体に
よるパターンを形成する工程と、を備えたパターン形成
方法である。
According to the present invention, there is provided a pattern forming method for forming a pattern on a substrate according to the present invention, comprising the steps of: driving an ink jet recording head provided so as to be capable of discharging liquid droplets according to an arbitrary pattern; Forming a pattern of the fluid on the substrate by discharging droplets of the fluid from the nozzle holes of the ink jet recording head moving along the line.

【0033】ここで、パターンを形成する工程は、イン
クジェット式記録ヘッドに設けられ、流動体を充填可能
に構成されたキャビティに対し当該流動体を供給し、当
該キャビティに体積変化を生じさせることが可能に構成
された圧電体素子に任意のパターンに応じた電圧を印加
することにより、ノズル穴から流動体の液滴を吐出させ
る。
Here, the step of forming a pattern includes supplying the fluid to a cavity provided in the ink jet recording head and configured to be capable of filling the fluid, and causing a volume change in the cavity. By applying a voltage according to an arbitrary pattern to the piezoelectric element configured so as to be able to discharge droplets of the fluid from the nozzle holes.

【0034】[0034]

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための最
良の形態を、図面を参照して説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0035】(実施形態1)本発明の実施形態1は、イ
ンクジェット式記録ヘッド等から流動体を吐出させて任
意のパターンを形成するために適する基板の構造に関す
る。
(Embodiment 1) Embodiment 1 of the present invention relates to a substrate structure suitable for forming an arbitrary pattern by discharging a fluid from an ink jet recording head or the like.

【0036】図1に、本実施形態1の基板の平面図を示
す。同図(a)は平面図であり、同図(b)は同図
(a)を断面AAから見た図であり、同図(c)は同図
(b)の変形例である。
FIG. 1 is a plan view of a substrate according to the first embodiment. FIG. 1A is a plan view, FIG. 1B is a view of FIG. 1A viewed from a cross section AA, and FIG. 1C is a modified example of FIG. 1B.

【0037】同図(a)に示すように、本実施形態1の
基板1aは、所定の流動体に対し親和性のある親和性領
域10と、流動体に対し親和性のない非親和性領域11
と、を備えている。
As shown in FIG. 3A, the substrate 1a of the first embodiment includes an affinity region 10 having an affinity for a predetermined fluid and a non-affinity region having no affinity for the fluid. 11
And

【0038】同図(b)に示すように、基板1aは、流
動体に対し親和性のない組成を有する基台100a上
で、親和性を持たせたい領域10に親和性膜101aを
形成して構成される。または、同図(c)に示すよう
に、基板1aは、流動体に対し親和性のある組成を有す
る基台100b上で、親和性を排除したい領域11に非
親和性膜101bを形成して構成される。
As shown in FIG. 2B, an affinity film 101a is formed on a substrate 100a having a composition having no affinity for a fluid in a region 10 to be given an affinity. It is composed. Alternatively, as shown in FIG. 3C, the substrate 1a is formed by forming a non-affinity film 101b on the region 11 from which affinity is to be eliminated on a base 100b having a composition having an affinity for a fluid. Be composed.

【0039】ここで親和性であるか非親和性であるか
は、パターン形成対象である流動体がどのような性質を
備えているかで決まる。例えば親水性のある流動体であ
れば、親水性のある組成が親和性を示し、疎水性のある
組成が非親和性を示す。逆に親油性のある流動体であれ
ば、親水性のある組成が非親和性を示し、疎水性のある
組成が親和性を示す。流動体を何にするかは、インクジ
ェット方式の工業的応用対象によって種々に変更して適
用することになる。
Here, the affinity or the non-affinity is determined by the properties of the fluid to be patterned. For example, in the case of a fluid having a hydrophilic property, a composition having a hydrophilic property indicates affinity and a composition having a hydrophobic property indicates non-affinity. Conversely, for a lipophilic fluid, a hydrophilic composition indicates non-affinity, and a hydrophobic composition indicates affinity. What to use for the fluid will be changed and applied variously depending on the industrial application object of the ink jet system.

【0040】流動体の性質に対応する基台100および
親和性領域を構成する膜の組成例を表1に示す。
Table 1 shows composition examples of the base 100 and the film constituting the affinity region corresponding to the properties of the fluid.

【0041】[0041]

【表1】 [Table 1]

【0042】本実施形態1では、親和性領域10の形状
を点状パターン、特に円状になるよう形成する。そのた
めに円状の親和性膜101aを親和性のない基台100
a上に形成するか、円状の穴が設けられた非親和性膜1
01bを親和性のある基台100b上に形成して構成さ
れる。
In the first embodiment, the affinity region 10 is formed to have a dot-like pattern, particularly a circular shape. For this purpose, the circular affinity film 101a is attached to the base 100 having no affinity.
Non-affinity film 1 formed on a or a circular hole
01b is formed on the base 100b having affinity.

【0043】各親和性領域10のパターン形状は、正円
状でなく、楕円状でもよい。また、図1(a)の基板1
aのように、各パターンが互いに接することなく配置さ
れるものでも、図2の基板1bのように、各パターンが
互いに接して配置されるものでもよい。
The pattern shape of each affinity region 10 may be an ellipse, not a perfect circle. Further, the substrate 1 shown in FIG.
As shown in FIG. 2A, the patterns may be arranged without being in contact with each other, or the patterns may be arranged in contact with each other as in the substrate 1b of FIG.

【0044】各パターンの形状、大きさおよび疎密につ
いては、流動体の有する表面張力の大きさ、例えば接触
角の大きさや、液滴の大きさに応じて適宜変更可能であ
る。例えば、図3の基板1cのように、方形状のパター
ンを散点的に設けてもよい。さらに図4の基板1dのよ
うに、方形状のパターンが互いに一部で接触するように
市松模様状に設けてもよい。また、図5の基板1eのよ
うに、三角形状のパターンを散点的に設けてもよい。さ
らに図6の基板1fのように、三角形状のパターンが互
いに一部で接触するように設けてもよい。さらに、図7
の基板1gのように、線状のパターンを設けてもよい。
The shape, size, and density of each pattern can be appropriately changed according to the magnitude of the surface tension of the fluid, for example, the magnitude of the contact angle and the size of the droplet. For example, as in the case of the substrate 1c in FIG. 3, a rectangular pattern may be provided at scattered points. Further, as in the case of the substrate 1d in FIG. 4, the rectangular patterns may be provided in a checkered pattern so that the rectangular patterns partially contact each other. Further, as in the case of the substrate 1e in FIG. 5, a triangular pattern may be provided at scattered points. Further, like a substrate 1f in FIG. 6, triangular patterns may be provided so as to partially contact each other. Further, FIG.
A linear pattern may be provided like the substrate 1g.

【0045】このように点状パターンや線状パターンは
その形状によらず、種々に変形して適用することが可能
である。点状パターンや線状パターンの大きさや配置に
ついては以下に述べる。
As described above, the dot pattern and the linear pattern can be applied in various modifications regardless of their shapes. The size and arrangement of the dot pattern and the linear pattern will be described below.

【0046】(作用)図9および図10に、従来の基板
に対しインクジェット式記録ヘッドより液滴を吐出した
場合の液滴付着の様子を示す。
(Operation) FIGS. 9 and 10 show how droplets adhere to a conventional substrate when droplets are ejected from an ink jet recording head.

【0047】図9(a)は、基台100に液滴12を複
数滴吐出した場合の断面図であり、図10(a)はその
平面図である。本発明の表面処理をしていない基板に液
滴12を連続して吐出すると、図9(a)から判るよう
に、着弾した液滴の表面張力により、それぞれの液滴1
2は連続する。ただし液滴12の広がりを阻止する境界
が何もないので、図10(a)に示すように、各液滴は
つながってはいるが、その輪郭が着弾したときの位置の
乱れ以上に広がってしまう。溶媒成分が少ない場合、こ
の輪郭が広がったまま固化するので微細なパターンを形
成することは困難である。
FIG. 9A is a sectional view when a plurality of droplets 12 are discharged onto the base 100, and FIG. 10A is a plan view thereof. When the droplets 12 are continuously discharged onto the substrate not subjected to the surface treatment of the present invention, as can be seen from FIG.
2 is continuous. However, since there is no boundary for preventing the spread of the droplet 12, each droplet is connected as shown in FIG. 10A, but the outline spreads more than the disturbance of the position when the outline lands. I will. When the amount of the solvent component is small, it is difficult to form a fine pattern because the solidification is continued while the outline is widened.

【0048】溶媒成分が多い場合、液滴を乾燥させると
液滴中の溶媒成分が除去され、各液滴は着弾した位置で
収縮していく。付着位置に制限がないので、図9(b)
および図10(b)に示すように、最初つながっていた
液滴12も分離された島12bとなる。着弾した液滴の
繋がりは、そのままパターンとして導電性を持たせる必
要があるにもかかわらず、上記のように島12bとなっ
て分離してしまうのでは、パターンとして役に立たたな
い。
When the solvent component is large, when the droplet is dried, the solvent component in the droplet is removed, and each droplet contracts at the position where the droplet lands. Since there is no restriction on the attachment position, FIG.
As shown in FIG. 10B, the droplets 12 that were initially connected also become isolated islands 12b. Despite the necessity of imparting conductivity as a pattern, the connection of the landed droplets is useless as a pattern if they are separated as islands 12b as described above.

【0049】図8を参照して本発明の表面処理を施した
本実施形態1における基板の作用を説明する。同図
(a)は、図2の基板1bに、液滴を吐出したときの基
板上における液滴の形を示す。同図(b)は、図7の基
板に液滴を吐出したときの基板上における液滴の形を示
す。図8(a)(b)におけるいずれのパターンの場合
にも、インクジェット式記録ヘッドからの液滴は、ライ
ンL3に沿って着弾するものとする。
Referring to FIG. 8, the operation of the substrate according to the first embodiment subjected to the surface treatment of the present invention will be described. FIG. 2A shows the shape of the droplet on the substrate when the droplet is discharged onto the substrate 1b of FIG. FIG. 7B shows the shape of the droplet on the substrate when the droplet is discharged onto the substrate of FIG. In any of the patterns shown in FIGS. 8A and 8B, it is assumed that the droplet from the ink jet recording head lands along the line L3.

【0050】図8(a)に示すように、基板上に着弾し
た液滴12は親和性領域10では十分に広がる。しかし
非親和性領域11からは排除され、表面張力にしたがっ
て隣接する親和性領域10に引き込まれる。したがって
表面張力が働いて引き込まれた後は同図に示すように、
親和性領域10のみに液滴12が付着する。ヘッドから
の液滴の吐出方向が多少ずれても、ラインL2からL4
までの一定の幅に着弾すれば、付着する液滴12は常に
ラインL2からL4の間の親和性領域10に乗る。親和
性領域10は互いに分離しているか、一点で接している
だけなので、直接着弾しない限り、一つの親和性領域1
0に乗った液滴12が隣接する親和性領域10に侵入す
ることがない。液滴12が乗っている親和性領域10の
隣には、必ず液滴12が乗っている親和性領域10が、
接しているかわずかに離れているかしているので、液滴
12同士が表面張力で互いに連結される。したがって液
滴12が着弾した軌跡に沿ってつながるので、パターン
が連続する。液滴12が乗った親和性領域10では液滴
が満ちた状態となっているので、この液滴が乾燥しても
連結していた隣接する液滴と分離されることはない。
As shown in FIG. 8A, the droplet 12 that has landed on the substrate spreads sufficiently in the affinity region 10. However, it is excluded from the non-affinity region 11 and drawn into the adjacent affinity region 10 according to the surface tension. Therefore, after being pulled in by the surface tension, as shown in the figure,
The droplet 12 adheres only to the affinity region 10. Even if the ejection direction of the droplets from the head is slightly shifted, the lines L2 to L4
If the liquid droplets 12 land on a certain width, the attached droplets 12 always ride on the affinity region 10 between the lines L2 and L4. Since the affinity regions 10 are separated from each other or only touch each other at one point, one affinity region 1 is used unless it directly impacts.
The droplet 12 on 0 does not enter the adjacent affinity region 10. Next to the affinity region 10 on which the droplet 12 is mounted, the affinity region 10 on which the droplet 12 is always mounted,
Since they are in contact with or slightly apart from each other, the droplets 12 are connected to each other by surface tension. Therefore, since the droplets 12 are connected along the trajectory of the landing, the pattern is continuous. Since the droplets are filled in the affinity region 10 on which the droplets 12 are loaded, even if the droplets are dried, they are not separated from adjacent droplets that have been connected.

【0051】以上から判るように、点状パターンの場
合、点状パターンの大きさは、一つの親和性領域10で
は着弾した液滴の量を載せきれず周囲に漏れる程度であ
ることが好ましい。点状パターンが液滴に比べて小さす
ぎると、個々の親和性領域の境界で発生する表面張力が
弱すぎて液滴の広がりを阻止できず、通常の基板に吐出
したときと変わらなくなっていまう。また、点状パター
ンが液滴に比べ小さすぎると、個々の親和性領域の境界
まで液滴が達せず、その輪郭が歪んだり、パターンが分
断されるおそれが生ずる。
As can be seen from the above, in the case of a dot pattern, it is preferable that the size of the dot pattern is such that the amount of landed droplets in one affinity region 10 cannot be loaded and leaks to the periphery. If the dot pattern is too small compared to the droplet, the surface tension generated at the boundary between the individual affinity regions is too weak to prevent the spread of the droplet, and it will not be different from the case when ejected to a normal substrate . If the dot pattern is too small compared to the droplet, the droplet does not reach the boundary of each affinity region, and the contour may be distorted or the pattern may be divided.

【0052】したがって、点状パターンの大きさと液滴
の量との関係は、流動体の接触角にもよるが、液滴が着
弾して通常広がる面積よりも点状パターンの面積を若干
小さめにしておくのが好ましい。
Therefore, the relationship between the size of the dot pattern and the amount of the droplet depends on the contact angle of the fluid, but the area of the dot pattern is made slightly smaller than the area where the droplet lands and spreads normally. It is preferable to keep it.

【0053】また、親和性領域の点状パターンの配置
は、個々のパターンが互いに点接触する程度が好まし
い。個々のパターンが接触し完全に繋がると、親和性領
域境界における表面張力の阻止ができず、隣接する親和
性領域に無制限に液滴が侵入するおそれがあるからであ
る。逆に点状パターンが離れ過ぎると、液滴の連続性が
阻害され、液滴パターンの分離を起こすからである。
The arrangement of the dot patterns in the affinity region is preferably such that the individual patterns are in point contact with each other. If the individual patterns come into contact with each other and are completely connected, the surface tension cannot be prevented at the boundary of the affinity region, and there is a possibility that the droplet may enter the adjacent affinity region indefinitely. Conversely, if the dot patterns are too far apart, the continuity of the droplets will be impaired, causing separation of the droplet patterns.

【0054】一方、図8(b)の線状パターンでは、液
滴12がラインL3に沿って着弾しており、隣接する液
滴12と連結されている。この線状パターンでは、液滴
12がラインL2からL4の間に着弾する限り、ライン
L3を中心する液滴の繋がりに吸収され、ラインL2か
らL4の幅より液滴が広がらない。またラインL3は連
続しているので、重なり合うように液滴12が着弾する
限り、液滴パターンが分断されることはない。
On the other hand, in the linear pattern shown in FIG. 8B, the droplet 12 has landed along the line L3 and is connected to the adjacent droplet 12. In this linear pattern, as long as the droplet 12 lands between the lines L2 and L4, it is absorbed by the connection of the droplets centered on the line L3, and the droplet does not spread beyond the width of the lines L2 to L4. Further, since the line L3 is continuous, the droplet pattern is not divided as long as the droplet 12 lands so as to overlap.

【0055】線状パターンでは、線状の親和性領域10
の幅が着弾する液滴12の径より狭い方が好ましい。こ
のような親和性領域10の幅であれば、その境界におい
て液滴の表面張力が働き、液滴パターンの輪郭も線状に
なるからである。
In the linear pattern, the linear affinity region 10
Is preferably smaller than the diameter of the droplet 12 to be landed. If the width of the affinity region 10 is such, the surface tension of the droplet acts on the boundary, and the contour of the droplet pattern becomes linear.

【0056】(パターン形成方法)次に本実施形態の基
板を使用してパターンを形成する方法を説明する。上記
した基板によれば、液滴を塗布した場合にその液滴の付
着場所を超えてパターンが広がったり乾燥時に収縮して
パターンが分断されることがないので、任意の方法でパ
ターンを描くことができる。しかし微細パターンを高速
に任意の形状に描く場合には、インクジェット方式によ
って描くことが好ましい。以下インクジェット方式を適
用して、本実施形態1の基板に対するパターン形成を説
明する。
(Pattern Forming Method) Next, a method of forming a pattern using the substrate of this embodiment will be described. According to the above-described substrate, when a droplet is applied, the pattern does not spread beyond the location where the droplet is attached or shrinks during drying, and the pattern is not divided, so that the pattern is drawn by an arbitrary method. Can be. However, when a fine pattern is drawn at a high speed in an arbitrary shape, it is preferable to draw by an ink jet method. The pattern formation on the substrate of the first embodiment will be described below by applying the ink jet method.

【0057】まずインクジェット式記録ヘッドの構造を
説明する。図19は、インクジェット式記録ヘッド2の
分解斜視図である。同図に示すように、インクジェット
式記録ヘッド2は、ノズル211の設けられたノズルプ
レート21、および振動板23の設けられた圧力室基板
22を、筐体25に嵌め込んで構成される。圧力室基板
22は、例えばシリコンをエッチングして形成され、キ
ャビティ(圧力室)221、側壁222およびリザーバ
223等が形成されている。
First, the structure of the ink jet recording head will be described. FIG. 19 is an exploded perspective view of the ink jet recording head 2. As shown in the figure, the ink jet recording head 2 is configured by fitting a nozzle plate 21 provided with nozzles 211 and a pressure chamber substrate 22 provided with a vibration plate 23 in a housing 25. The pressure chamber substrate 22 is formed by etching, for example, silicon, and has a cavity (pressure chamber) 221, a side wall 222, a reservoir 223, and the like.

【0058】図20に、ノズルプレート21、圧力室基
板22および振動板23を積層して構成されるインクジ
ェット式記録ヘッド2の主要部構造の斜視図一部断面図
を示す。同図に示すように、インクジェット式記録ヘッ
ド2の主要部は、圧力室基板22をノズルプレート21
と振動板23で挟み込んだ構造を備える。ノズルプレー
ト21は、圧力室基板22と貼り合わせられたときにキ
ャビティ221に対応する位置に配置されるように、ノ
ズル穴211が形成されている。圧力室基板22には、
シリコン単結晶基板等をエッチングすることにより、各
々が圧力室として機能可能にキャビティ221が複数設
けられる。キャビティ221間は側壁222で分離され
ている。各キャビティ221は、供給口224を介して
共通の流路であるリザーバ223に繋がっている。振動
板23は、例えば熱酸化膜等により構成される。振動板
23上のキャビティ221に相当する位置には、圧電体
素子24が形成されている。また、振動板23にはイン
クタンク口231が設けられ、図示しないインクタンク
から任意の流動体を供給可能に構成されている。圧電体
素子24は、例えばPZT素子等を上部電極および下部
電極(図示せず)とで挟んだ構造を備える。
FIG. 20 is a perspective view and a partial cross-sectional view of a main structure of an ink jet recording head 2 formed by laminating a nozzle plate 21, a pressure chamber substrate 22, and a vibration plate 23. As shown in the figure, the main part of the ink jet type recording head 2 includes a pressure chamber substrate 22 and a nozzle plate 21.
And a structure sandwiched by the diaphragm 23. The nozzle plate 21 is formed with a nozzle hole 211 so as to be arranged at a position corresponding to the cavity 221 when the nozzle plate 21 is bonded to the pressure chamber substrate 22. In the pressure chamber substrate 22,
By etching a silicon single crystal substrate or the like, a plurality of cavities 221 are provided so that each can function as a pressure chamber. The cavities 221 are separated by side walls 222. Each cavity 221 is connected to a reservoir 223 which is a common flow path via a supply port 224. The diaphragm 23 is made of, for example, a thermal oxide film. A piezoelectric element 24 is formed at a position corresponding to the cavity 221 on the vibration plate 23. The diaphragm 23 is provided with an ink tank port 231 so that an arbitrary fluid can be supplied from an ink tank (not shown). The piezoelectric element 24 has a structure in which, for example, a PZT element or the like is sandwiched between an upper electrode and a lower electrode (not shown).

【0059】図21を参照してインクジェット式記録ヘ
ッド2の吐出原理を示す。同図は図20のA−Aの線に
おける断面図である。流動体12は、図示しないインク
タンクから、振動板23に設けられたインクタンク口2
31を介してリザーバ223内に供給される。流動体1
2は、このリザーバ223から供給口224を通して、
各キャビティ221に流入する。圧電体素子24は、そ
の上部電極と下部電極との間に電圧を加えると、その体
積が変化する。この体積変化が振動板23を変形させ、
キャビティ21の体積を変化させる。
The ejection principle of the ink jet recording head 2 will be described with reference to FIG. FIG. 20 is a sectional view taken along line AA of FIG. The fluid 12 is supplied from an ink tank (not shown) to the ink tank port 2 provided on the diaphragm 23.
It is supplied to the reservoir 223 via the ref. Fluid 1
2 from the reservoir 223 through the supply port 224
It flows into each cavity 221. The volume of the piezoelectric element 24 changes when a voltage is applied between the upper electrode and the lower electrode. This volume change deforms the diaphragm 23,
The volume of the cavity 21 is changed.

【0060】電圧を加えない状態では振動板23の変形
がない。ところが、電圧を加えると、同図の破線で示す
位置まで、振動板23bや変形後24bの圧電素子が変
形する。キャビティ21内の体積が変化すると、キャビ
ティ21に満たされた流動体12の圧力が高まる。ノズ
ル穴211には流動体12が供給され、液滴12が吐出
される。
When no voltage is applied, the diaphragm 23 is not deformed. However, when a voltage is applied, the diaphragm 23b and the piezoelectric element after deformation 24b are deformed to the position indicated by the broken line in FIG. When the volume in the cavity 21 changes, the pressure of the fluid 12 filled in the cavity 21 increases. The fluid 12 is supplied to the nozzle hole 211, and the droplet 12 is discharged.

【0061】次に図18を参照してパターン形成方法を
示す。同図(a)に示すように、インクジェット式記録
ヘッド2を、任意のパターンに沿って移動させながら、
圧電体素子24を連続的に駆動して、流動体12の液滴
を本発明の基板1に吐出する。基板1には、親和性領域
10が設けられているので、その境界に沿って液滴12
が乗る。液滴12が親和性領域10に沿って保持される
作用は前記した通りである。総てのパターンについて液
滴12を吐出させると、同図(b)に示すように、パタ
ーンに沿った領域の親和性領域10には連続的に液滴1
2が乗っている状態になる。間隙のある親和性領域1
0’があると、その間隙を超えて液滴12が繋がる。イ
ンクジェット式記録ヘッド2から吐出される液滴12の
量と移動速度を適当に制御すれば、パターンが切れるこ
となく基板1上に形成される。パターン形成後には、熱
処理等、流動体を定着させるための任意の工程を経て、
パターン形成を完了させる。
Next, a pattern forming method will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1A, while moving the ink jet recording head 2 along an arbitrary pattern,
The piezoelectric element 24 is continuously driven to discharge droplets of the fluid 12 onto the substrate 1 of the present invention. Since the affinity region 10 is provided on the substrate 1, the droplet 12
Get on. The function of keeping the droplet 12 along the affinity region 10 is as described above. When the droplets 12 are ejected for all the patterns, as shown in FIG. 4B, the droplets 1 are continuously placed in the affinity region 10 in the region along the pattern.
2 is in a state of riding. Gap affinity region 1
When there is 0 ', the droplet 12 is connected beyond the gap. If the amount and the moving speed of the droplets 12 ejected from the ink jet recording head 2 are appropriately controlled, the pattern is formed on the substrate 1 without being cut. After pattern formation, through any process such as heat treatment to fix the fluid,
Complete pattern formation.

【0062】上記したように、本実施形態1によれば、
点状パターンまたは線状パターンに親和性領域を配置し
たので、基板に着弾した液滴が広がり過ぎず、かつ液滴
の連続による液滴パターンが分断されることがない。し
たがってインクジェット方式等により任意のパターンを
基板上に作成するためのユニバーサル基板として適する
基板を提供することができる。
As described above, according to the first embodiment,
Since the affinity regions are arranged in a dot pattern or a linear pattern, the droplets landed on the substrate do not spread too much, and the droplet pattern due to the continuous droplets is not broken. Therefore, a substrate suitable as a universal substrate for forming an arbitrary pattern on the substrate by an inkjet method or the like can be provided.

【0063】(実施形態2)本発明の実施形態2は、上
記実施形態1で説明した基板を製造するための方法に関
する。特に本形態では硫黄化合物の自己集合化単分子膜
を利用する。
(Embodiment 2) Embodiment 2 of the present invention relates to a method for manufacturing the substrate described in Embodiment 1 above. In particular, in the present embodiment, a self-assembled monomolecular film of a sulfur compound is used.

【0064】(原理説明)図12に基づいて、硫黄化合
物がチオール化合物である場合の自己集合化の原理を説
明する。本実施形態では、基台に金属層を設けそれを硫
黄化合物を含む溶解液に浸漬して自己集合化単分子膜を
形成する。チオール化合物は、同図(a)に示すよう
に、尾の部分がメルカプト基で構成される。これを、1
〜10mMのエタノール溶液に溶解する。この溶液に、
同図(b)のように金の膜を浸漬し、室温で1時間程度
放置すると、チオール化合物が金の表面に自発的に集合
してくる(同図(c))。そして、金の原子と硫黄原子
とが共有結合的に結合し、金の表面に二次元的にチオー
ル分子の単分子膜が形成される(同図(d))。この膜
の厚さは、硫黄化合物の分子量にもよるが、10〜50
オングストローム程度である。硫黄化合物の組成を調整
することにより、自己集合化単分子膜を流動体に対し親
和性にしたり非親和性にしたり自由に設定できる。
(Explanation of Principle) The principle of self-assembly when the sulfur compound is a thiol compound will be described with reference to FIG. In the present embodiment, a metal layer is provided on a base and immersed in a solution containing a sulfur compound to form a self-assembled monolayer. The thiol compound has a tail portion composed of a mercapto group as shown in FIG. This is 1
Dissolve in 10 mM ethanol solution. In this solution,
When the gold film is immersed and left at room temperature for about 1 hour as shown in FIG. 3B, the thiol compound spontaneously aggregates on the surface of the gold (FIG. 3C). Then, the gold atom and the sulfur atom are covalently bonded, and a monomolecular film of a thiol molecule is formed two-dimensionally on the surface of the gold (FIG. 3D). The thickness of this film depends on the molecular weight of the sulfur compound, but is
Angstroms. By adjusting the composition of the sulfur compound, the self-assembled monolayer can be freely set to have an affinity or a non-affinity for the fluid.

【0065】硫黄化合物としてはチオール化合物が好ま
しい。ここで、チオール化合物とは、メルカプト基(−
SH; mercapt group)を持つ有機化合物(R−SH;
Rはアルキル基(alkyl group)等の炭化水素基)の総
称をいう。
As the sulfur compound, a thiol compound is preferable. Here, the thiol compound refers to a mercapto group (-
Organic compounds having an SH (mercapt group) (R-SH;
R is a general term for a hydrocarbon group such as an alkyl group.

【0066】表2に、流動体が親水性である場合と親油
性である場合に分けて、チオール化合物の代表的な組成
を示す。n、mは自然数とする。
Table 2 shows typical compositions of thiol compounds for the case where the fluid is hydrophilic and the case where the fluid is lipophilic. n and m are natural numbers.

【0067】[0067]

【表2】 [Table 2]

【0068】表2から判るように、硫黄化合物単分子膜
を親水性にしたり親油性にしたり組成を変えることで自
由に設定できる。硫黄化合物を親水性にした場合には、
基板を親油性にし、硫黄化合物を親油性にした場合に
は、基板を親水性に選ぶ。
As can be seen from Table 2, the sulfur compound monomolecular film can be freely set by making it hydrophilic or lipophilic or by changing the composition. When the sulfur compound is made hydrophilic,
When the substrate is made lipophilic and the sulfur compound is made lipophilic, the substrate is chosen to be hydrophilic.

【0069】(製造方法)図11に、本実施形態2にお
ける製造方法の製造工程断面図を示す。この図は、例え
ば前記図1(b)または(c)に対応する切断面から見
た断面図である。
(Manufacturing Method) FIG. 11 is a sectional view showing a manufacturing process of the manufacturing method according to the second embodiment. This figure is a sectional view seen from a cut surface corresponding to, for example, FIG. 1 (b) or (c).

【0070】金属層形成工程(図11(a)): 金属
層形成工程では、基台100上に金属層101を形成す
る。基台100は、流動体に応じて流動体に対し親和性
にするか非親和性にするかが選択される。基台100上
に金属層101を設ける。金属層としては、化学的・物
理的な安定性から金(Au)が好ましい。その他、硫黄
化合物を化学的に吸着する銀(Ag)、銅(Cu)、イ
ンジウム(In)、ガリウム−砒素(Ga−As)等の
金属であってもよい。金属層の形成は、湿式メッキ、真
空蒸着法、真空スパッタ法等の公知の技術が使用でき
る。金属の薄膜を一定の厚さで均一に形成できる成膜法
であれば、その種類に特に限定されるものではない。金
属層の役割は、硫黄化合物層を固定することであるた
め、金属層自体は極めて薄くてもよい。そのため、一般
に500〜2000オングストローム程度の厚みでよ
い。
Metal Layer Forming Step (FIG. 11A): In the metal layer forming step, the metal layer 101 is formed on the base 100. The base 100 is selected to have affinity or non-affinity for the fluid depending on the fluid. A metal layer 101 is provided on a base 100. As the metal layer, gold (Au) is preferable from the viewpoint of chemical and physical stability. In addition, metals such as silver (Ag), copper (Cu), indium (In), and gallium-arsenic (Ga-As) that chemically adsorb a sulfur compound may be used. For the formation of the metal layer, known techniques such as wet plating, vacuum evaporation, and vacuum sputtering can be used. The type of the film is not particularly limited as long as it is a film forming method capable of uniformly forming a metal thin film with a constant thickness. Since the role of the metal layer is to fix the sulfur compound layer, the metal layer itself may be extremely thin. Therefore, the thickness may be generally about 500 to 2000 angstroms.

【0071】なお、基板100によっては金属層101
と基台100との密着性が悪くなる。このようなときは
金属層101と基台100との密着性を向上させるため
に、基台と金属との間に中間層を形成する。中間層は、
基台100と金属層101との間の結合力を強める素
材、例えば、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、タン
タル(Ta)ノズルれか、あるいはそれらの合金(Ni
−Cr等)であることが好ましい。中間層を設ければ、
基台100と金属層101との結合力が増し、機械的な
摩擦に対し、硫黄化合物層が剥離し難くなる。金属層1
01の下に中間層を形成する場合には、例えばCrを1
00〜300オングストロームの厚さで真空スパッタ
法、またはイオンプレーティング法により形成する。
Note that depending on the substrate 100, the metal layer 101
And the base 100 are inferior in adhesion. In such a case, an intermediate layer is formed between the base and the metal in order to improve the adhesion between the metal layer 101 and the base 100. The middle layer is
A material that increases the bonding force between the base 100 and the metal layer 101, for example, a nickel (Ni), chromium (Cr), tantalum (Ta) nozzle, or an alloy thereof (Ni
-Cr or the like). By providing an intermediate layer,
The bonding force between the base 100 and the metal layer 101 increases, so that the sulfur compound layer hardly peels off due to mechanical friction. Metal layer 1
In the case where an intermediate layer is formed under layer No. 01, for example,
It is formed by a vacuum sputtering method or an ion plating method with a thickness of 00 to 300 angstroms.

【0072】パターン形成工程(図11(b)): パ
ターン形成工程では、基台100上に形成した金属層1
01のうち親和性領域または非親和性領域のいずれかに
エネルギーを与えて金属を蒸発させる。エネルギーとし
ては光が好ましく、特に短波長の高エネルギーを供給可
能なレーザ光が好ましい。レーザ光を射出するピックア
ップ30を、親和性領域または非親和性領域のパターン
に合わせてレーザ光を射出させながら移動させる。レー
ザ光が照射された領域は、金属層101を形成する金属
が蒸発するため、基台100が露出する。なお、パター
ンは、実施形態1で示したように各種のパターンを適用
することが可能である。
Pattern Forming Step (FIG. 11B): In the pattern forming step, the metal layer 1 formed on the base 100 is
01, energy is applied to either the affinity region or the non-affinity region to evaporate the metal. The energy is preferably light, and particularly preferably laser light capable of supplying short wavelength high energy. The pickup 30 that emits laser light is moved while emitting laser light in accordance with the pattern of the affinity region or the non-affinity region. In the region irradiated with the laser light, the base 100 is exposed because the metal forming the metal layer 101 evaporates. Note that various patterns can be applied to the pattern as described in the first embodiment.

【0073】硫黄化合物浸漬工程(図11(c)):
硫黄化合物浸漬工程では、金属層のパターンが形成され
た基板を、硫黄化合物の溶解液に浸漬し、自己集合化単
分子膜102を形成する。まず自己集合化単分子膜10
2に用いたい組成のチオール化合物をエタノールまたは
イソプロピルアルコールのような有機溶剤に溶かした溶
液を用意する。この膜を非親水性に組成したい場合には
アルキル基を有する硫黄化合物を用い、親水性にしたい
場合にはOH基またはCO2H基を有する硫黄化合物を
用いる。その溶液中に金属層101を形成した基台10
0を浸漬する。浸漬条件は、溶液の硫黄化合物濃度が
0.01mMで、溶液温度が常温から50℃程度、浸漬
時間が5分から30分程度とする。浸漬処理の間、硫黄
化合物層の形成を均一に行うべく、溶液の撹拌あるいは
循環を行う。
Sulfur compound immersion step (FIG. 11C):
In the sulfur compound immersion step, the substrate on which the metal layer pattern is formed is immersed in a sulfur compound solution to form a self-assembled monomolecular film 102. First, the self-assembled monolayer 10
2. Prepare a solution in which a thiol compound having a composition to be used is dissolved in an organic solvent such as ethanol or isopropyl alcohol. To make this film non-hydrophilic, a sulfur compound having an alkyl group is used, and to make it hydrophilic, a sulfur compound having an OH group or a CO 2 H group is used. The base 10 having the metal layer 101 formed in the solution
Soak 0. The immersion conditions are such that the concentration of the sulfur compound in the solution is 0.01 mM, the solution temperature is from normal temperature to about 50 ° C., and the immersion time is about 5 to 30 minutes. During the immersion treatment, the solution is stirred or circulated in order to uniformly form the sulfur compound layer.

【0074】金属表面の清浄さえ保てれば、硫黄分子が
自ら自己集合化し単分子膜を形成するため、厳格な条件
管理が不要な工程である。浸漬が終了するころには、金
の表面にだけ強固な付着性を有する硫黄分子の単分子膜
が形成される。
As long as the surface of the metal is kept clean, the sulfur molecules self-assemble to form a monomolecular film, so that strict condition control is not required. By the end of the immersion, a monomolecular film of sulfur molecules having a strong adhesive property only on the surface of gold is formed.

【0075】最後に基台表面に付着した溶解液を洗浄し
て除去する。金層以外の部分に付着したチオール分子は
共有結合をしていないので、エチルアルコールによるリ
ンス等、簡単な洗浄により除去される。
Finally, the solution attached to the surface of the base is washed and removed. Since the thiol molecules attached to portions other than the gold layer do not have a covalent bond, they are removed by simple washing such as rinsing with ethyl alcohol.

【0076】以上の工程により、自己集合化単分子膜1
02が親水性または非親水性、基台100の露出部分が
非親水性または親水性である基板1が製造される。この
基板に吐出する流動体が親水性である場合には、図11
(c)に示すように自己集合化単分子膜102部分が親
和性領域10、基台102の露出部分が非親和性領域1
1となる。
By the above steps, the self-assembled monolayer 1
The substrate 1 is manufactured in which 02 is hydrophilic or non-hydrophilic and the exposed portion of the base 100 is non-hydrophilic or hydrophilic. When the fluid discharged onto the substrate is hydrophilic, FIG.
As shown in (c), the self-assembled monolayer 102 portion is the affinity region 10, and the exposed portion of the base 102 is the non-affinity region 1.
It becomes 1.

【0077】上記したように、本実施形態2によれば、
硫黄化合物の自己集合化単分子膜を用いることにより、
インクジェット方式の工業的応用に適した基板を製造で
きる。特に、硫黄化合物の自己集合化単分子膜は摩耗に
強く、物理的、化学的耐性が高いので、工業用品である
基板に適する。また硫黄化合物を選択すれば、基台の性
質に応じて自由に自己集合化単分子膜を基板親水性にも
非親水性にもできる。さらにレーザ光を用いれば、微細
なパターンを形成できるので、流動体の液滴を表面張力
で保持するために適するパターンを形成できる。
As described above, according to the second embodiment,
By using a self-assembled monolayer of sulfur compounds,
A substrate suitable for industrial application of the ink jet system can be manufactured. In particular, a self-assembled monolayer of a sulfur compound is resistant to abrasion and has high physical and chemical resistance, and thus is suitable for a substrate that is an industrial product. If a sulfur compound is selected, the self-assembled monolayer can be freely made hydrophilic or non-hydrophilic depending on the properties of the base. Further, if a laser beam is used, a fine pattern can be formed, so that a pattern suitable for holding droplets of a fluid at surface tension can be formed.

【0078】(実施形態3)本発明の実施形態3は、共
重合化合物を用いて上記実施形態1で説明した基板を製
造するための方法に関する。
(Embodiment 3) Embodiment 3 of the present invention relates to a method for manufacturing the substrate described in Embodiment 1 using a copolymer compound.

【0079】(原理説明)共重合(copolymer)化合物
とは、二種またはそれ以上の単量体(モノマー)を用い
て、それらを成分として含む重合体化合物をいう。本実
施形態では少なくとも単量体の一方を流動体に対し親和
性を示す材料に選択し、単量体の他方を流動体に対し非
親和性を示す材料に選択する。この共重合化合物は、こ
の複数の単量体が一又は二以上の分子のブロックを単位
としたラメラ(lamella)構造を備える。ラメラ構造と
は、板状のブロック単位が一定の規則にしたがって集合
してとる構造である。ブロック単位を構成する分子が親
和性であったり非親和性であったりするので、この共重
合化合物を基台の一面に配置し固定すれば、基板は親和
性領域と非親和性領域が微細に配置された本発明の基板
構造をとることになる。
(Explanation of Principle) The term “copolymer” refers to a polymer compound containing two or more monomers and containing them as components. In this embodiment, at least one of the monomers is selected as a material having an affinity for the fluid, and the other monomer is selected as a material having an affinity for the fluid. The copolymer compound has a lamella structure in which the plurality of monomers are in units of one or more molecular blocks. The lamella structure is a structure in which plate-like block units are collected according to a certain rule. Since the molecules constituting the block unit may have affinity or non-affinity, if this copolymer compound is arranged and fixed on one surface of the base, the substrate will have fine affinity regions and non-affinity regions. The substrate structure of the present invention will be adopted.

【0080】表3に、本実施形態で用いることのできる
共重合化合物の組成例を示す。
Table 3 shows composition examples of the copolymer compound that can be used in the present embodiment.

【0081】[0081]

【表3】 [Table 3]

【0082】(製造方法)図13を参照して本実施形態
の製造方法を説明する。
(Manufacturing Method) The manufacturing method of this embodiment will be described with reference to FIG.

【0083】共重合体化合物混合工程(図13
(a)): まず疎水性を示すモノマー(単量体)をイ
オン重合により重合させ、適当な分子量の疎水性高分子
104を得る。そしてこの高分子104に親水性のモノ
マー103を入れて重合させ、親水性部分と疎水性部分
よりなるブロック共重合体105を得る。触媒としては
ブチルリチウム、ナフタリンナトリウムが用いられる。
溶媒としてはTHFを用いる。
The copolymer compound mixing step (FIG. 13)
(A)): First, a monomer exhibiting hydrophobicity is polymerized by ionic polymerization to obtain a hydrophobic polymer 104 having an appropriate molecular weight. Then, the hydrophilic monomer 103 is added to the polymer 104 and polymerized to obtain a block copolymer 105 composed of a hydrophilic portion and a hydrophobic portion. As the catalyst, butyllithium and sodium naphthalene are used.
THF is used as the solvent.

【0084】塗布工程(図13(b)): 前記工程で
得たブロック共重合体の溶液105(例えばトリクロロ
エチレン)を基台100上にキャスティング法により注
ぐ。次いでこれを静置することによって溶媒を除去し乾
燥させる。
Coating Step (FIG. 13B): The block copolymer solution 105 (for example, trichloroethylene) obtained in the above step is poured onto the base 100 by a casting method. Then, the solvent is removed by allowing it to stand and dried.

【0085】なお、本実施形態では基台100が直接イ
ンクジェット方式によって吐出される流動体に触れるこ
とがないので、基台の組成が親和性であるか非親和性で
あるかを問わず、一定の機械的強度があれば任意の材料
を適用可能である。
In this embodiment, since the base 100 does not come into direct contact with the fluid ejected by the ink-jet method, the base 100 has a constant composition regardless of whether it has an affinity or a non-affinity. Any material can be applied as long as the material has the mechanical strength described above.

【0086】なお、高分子薄膜成長法、すなわちプラズ
マ重合法(plasma polymerization)を用いて共重合化
合物層を形成してもよい。プラズマ重合法は、親和性を
備える単量体ガスと非親和性を備える単量体ガスとの混
合ガスを用いる。この混合ガスをグロー放電によって活
性化し、その重合膜を基台100上に生成させるおので
ある。共重合化合物層の生成にはプラズマ重合装置を用
いる。プラズマ重合条件として、ガス流量、ガス圧力、
放電周波数および放電電力を、この混合ガスに合わせて
設定する。
The copolymer compound layer may be formed by using a polymer thin film growth method, that is, a plasma polymerization method. The plasma polymerization method uses a mixed gas of a monomer gas having an affinity and a monomer gas having a non-affinity. This mixed gas is activated by glow discharge, and a polymer film is generated on the base 100. A plasma polymerization apparatus is used for forming the copolymer compound layer. As plasma polymerization conditions, gas flow rate, gas pressure,
The discharge frequency and discharge power are set according to the mixed gas.

【0087】上記実施形態3によれば、共重合化合物を
用いたので、微細な分子レベルのラメラ構造により、本
発明の基板を製造することができる。この基板は共重合
化合物の生成と塗布のみで親和性領域と非親和性領域と
をランダムに配置することができるので、製造工程が簡
略化され、コストを下げることができる。
According to the third embodiment, since the copolymer compound is used, the substrate of the present invention can be manufactured with a fine molecular level lamella structure. In this substrate, the affinity region and the non-affinity region can be randomly arranged only by generation and application of the copolymer compound, so that the manufacturing process can be simplified and the cost can be reduced.

【0088】(実施形態4)本発明の実施形態4は、パ
ラフィン等の有機物質を用いて上記実施形態1で説明し
た基板を製造するための方法に関する。
(Embodiment 4) Embodiment 4 of the present invention relates to a method for manufacturing the substrate described in Embodiment 1 using an organic substance such as paraffin.

【0089】(製造方法)図14を参照して本実施形態
の製造方法を説明する。
(Manufacturing Method) The manufacturing method of this embodiment will be described with reference to FIG.

【0090】パラフィン層形成工程(図14(a)):
パラフィン層形成工程では、基台100にパラフィン
を塗布しパラフィン層106を形成する工程である。パ
ラフィンが非親水性であるため、基台100の組成は親
水性のものを使用する。例えば、4−ビニルピロリド
ン、エチレンオキシド、ビニルアルコール、セルロー
ス、酢酸ビニル等を使用する。パラフィンの塗布は、ロ
ールコート法、スピンコート法、スプレーコート法、ダ
イコート法、バーコート法等の塗布法、各種印刷法、転
写法等の方法を適用可能である。
Step of forming paraffin layer (FIG. 14A):
In the paraffin layer forming step, paraffin is applied to the base 100 to form the paraffin layer 106. Since paraffin is non-hydrophilic, the composition of the base 100 is hydrophilic. For example, 4-vinylpyrrolidone, ethylene oxide, vinyl alcohol, cellulose, vinyl acetate and the like are used. The paraffin can be applied by a coating method such as a roll coating method, a spin coating method, a spray coating method, a die coating method or a bar coating method, various printing methods, and a transfer method.

【0091】マスク形成工程(図14(b)): マス
ク形成工程は、パラフィン層106上にマスク107を
形成する工程である。マスク107は非親水性領域がマ
スクで覆われるようなパターンで形成する。マスク材料
としては、露光マスク、エマルションマスク、ハードマ
スク等種々のマスクが形成できる。露光マスクを使用す
る場合には、クロム、酸化クロム、シリコン、酸化シリ
コン、酸化膜などを、真空蒸着、スパッタリング、CV
D法等で形成する。なお、マスクパターンは、実施形態
1で示したように各種のパターンを適用することが可能
である。
Mask Forming Step (FIG. 14B): The mask forming step is a step of forming a mask 107 on the paraffin layer 106. The mask 107 is formed in a pattern such that the non-hydrophilic region is covered with the mask. Various masks such as an exposure mask, an emulsion mask, and a hard mask can be formed as the mask material. When using an exposure mask, chromium, chromium oxide, silicon, silicon oxide, oxide film, etc. are deposited by vacuum evaporation, sputtering, CV
It is formed by the D method or the like. Note that various patterns can be applied to the mask pattern as described in the first embodiment.

【0092】エネルギー付与工程(図14(c)):
エネルギー付与工程は、マスク107を形成したパラフ
ィン層106にエネルギーを与え、マスクで覆われてい
ない領域のパラフィンを除去する工程である。エネルギ
ーとしては光、熱、光及び熱の三者が考えられるが、特
定の微細領域のパラフィンを除去するために光を用いる
のが好ましい。例えば、短波長のレーザ光をマスク10
7上から照射し、露出しているパラフィンを蒸発させ
る。
Energy application step (FIG. 14C):
The energy application step is a step of applying energy to the paraffin layer 106 on which the mask 107 is formed to remove paraffin in a region not covered by the mask. Light, heat, light, and heat can be considered as energy, but light is preferably used to remove paraffin in a specific minute region. For example, a short-wavelength laser beam is
7. Irradiate from above to evaporate the exposed paraffin.

【0093】マスク除去工程(図14(d)): マス
ク除去工程は、マスク107を除去する工程である。マ
スク107の除去は公知の有機溶剤を用いる。
Mask Removal Step (FIG. 14D): The mask removal step is a step of removing the mask 107. The removal of the mask 107 uses a known organic solvent.

【0094】以上の製造工程により、パラフィン層10
6が非親水性(非親和性)領域10となり、基台100
の露出領域が親水性(親和性)領域11となる。なお、
インクジェット式記録ヘッドより吐出する流動体が親油
性である場合には、パラフィン層106が親和性領域と
なり、基台100が非親和性領域となる。
By the above manufacturing steps, the paraffin layer 10
6 becomes the non-hydrophilic (non-affinity) region 10 and the base 100
Becomes the hydrophilic (affinity) region 11. In addition,
When the fluid ejected from the ink jet recording head is lipophilic, the paraffin layer 106 becomes an affinity region, and the base 100 becomes a non-affinity region.

【0095】上記したように実施形態4によれば、パラ
フィンを用いて本発明の基板を製造することができる。
According to the fourth embodiment as described above, the substrate of the present invention can be manufactured using paraffin.

【0096】(実施形態5)本発明の実施形態5は、プ
ラズマ処理により実施形態1の基板を製造するものであ
る。
(Embodiment 5) In Embodiment 5 of the present invention, the substrate of Embodiment 1 is manufactured by plasma processing.

【0097】(原理説明)プラズマ処理は所定の気圧下
で高電圧のグロー放電を行って基板の表面改質を行う方
法である。ガラスやプラスチックのような絶縁性基板に
プラズマ処理を行うと、基板表面に多量の未反応基と架
橋層が存在して、待機または酸素雰囲気にさらすと未反
応基が酸化され、カルボニル基、水酸基を形成する。こ
れらの基は極性を備えているため親水性がある。一方ガ
ラスやプラスチックの多くは非親水性を備える。したが
って部分的なプラズマ処理によって親水性の領域および
非親水性の領域を生成可能である。
(Explanation of Principle) The plasma processing is a method of performing a high-voltage glow discharge under a predetermined atmospheric pressure to modify the surface of a substrate. When plasma treatment is performed on an insulating substrate such as glass or plastic, a large amount of unreacted groups and a cross-linked layer are present on the substrate surface. To form These groups are polar and therefore hydrophilic. On the other hand, many glasses and plastics are non-hydrophilic. Therefore, a hydrophilic region and a non-hydrophilic region can be generated by partial plasma treatment.

【0098】(製造方法)図15を参照して本実施形態
の製造方法を説明する。
(Manufacturing Method) The manufacturing method of this embodiment will be described with reference to FIG.

【0099】マスク形成工程(図15(a)): マス
ク形成工程は基台100の上にマスク109を施す工程
である。基台100としてはプラズマ照射によって未反
応基が出現しうる素材、所定のプラスチック、表面をテ
フロン加工されたガラス基板等を用いる。マスク109
は、基台100上で非親水性にしたい領域のみマスクが
かかるようにパターン形成される。マスク材料として
は、露光マスク、エマルションマスク、ハードマスク等
種々のマスクが形成できる。露光マスクを使用する場合
には、クロム、酸化クロム、シリコン、酸化シリコン、
酸化膜などを、真空蒸着、スパッタリング、CVD法等
で形成する。なお、マスクパターンは、実施形態1で示
したように各種のパターンを適用することが可能であ
る。
Mask Forming Step (FIG. 15A): The mask forming step is a step of applying a mask 109 on the base 100. As the base 100, a material in which unreacted groups can appear by plasma irradiation, a predetermined plastic, a glass substrate whose surface is processed with Teflon, or the like is used. Mask 109
Is patterned so that only a region to be made non-hydrophilic on the base 100 is masked. Various masks such as an exposure mask, an emulsion mask, and a hard mask can be formed as the mask material. When using an exposure mask, chrome, chromium oxide, silicon, silicon oxide,
An oxide film or the like is formed by vacuum evaporation, sputtering, a CVD method, or the like. Note that various patterns can be applied to the mask pattern as described in the first embodiment.

【0100】プラズマ照射工程(図15(b)): プ
ラズマ照射工程はマスク109を施した基台100上に
プラズマ照射33する工程である。例えば10―1〜1
00Paのアルゴンガス中でネオントランスを用いて、
数百ボルトから数千ボルトの電圧を印加しグロー放電さ
せる。この他、ラジオ周波数帯の放電電源を用いて容量
結合または誘電結合により放電プラズマを形成する方
法、マイクロ波電力を導波管によって放電容器に供給し
て放電プラズマを形成させる方法等を適用する。
Plasma Irradiating Step (FIG. 15B): The plasma irradiating step is a step of irradiating the base 100 with the mask 109 with plasma 33. For example, 10 -1 to 1
Using neon transformer in argon gas of 00 Pa,
Glow discharge is performed by applying a voltage of several hundred volts to several thousand volts. In addition, a method of forming discharge plasma by capacitive or dielectric coupling using a discharge power source in a radio frequency band, a method of supplying microwave power to a discharge vessel through a waveguide to form discharge plasma, and the like are applied.

【0101】この処理により、プラズマ中に活性粒子と
してイオン、電子、励起原子または分子およびラジカル
等が発生し、基台100表面の高分子の分子構造が変化
する。つまりプラズマ33が照射された部分に多量の未
反応基や架橋層が出現する。
By this treatment, ions, electrons, excited atoms or molecules, radicals and the like are generated as active particles in the plasma, and the molecular structure of the polymer on the surface of the base 100 changes. That is, a large amount of unreacted groups and a crosslinked layer appear in a portion irradiated with the plasma 33.

【0102】表面改質工程(図15(c)): 表面改
質工程は、プラズマ処理された基台100表面を酸化し
表面を改質する工程である。上記プラズマ処理によって
未反応基や架橋層が出現した基台100を、大気または
酸素雰囲気下にさらす。基台100表面の未反応基は酸
化されて、水酸基やカルボニル基を生ずる。これら極性
基は水に対して濡れやすい親水性を示す。一方マスクさ
れプラズマ処理されなかった領域はプラスチックのまま
であり非親水性を示す。
Surface Modification Step (FIG. 15C): The surface modification step is a step of oxidizing the surface of the base 100 subjected to the plasma treatment and modifying the surface. The base 100 on which the unreacted groups and the crosslinked layer have appeared by the plasma treatment is exposed to the atmosphere or an oxygen atmosphere. Unreacted groups on the surface of the base 100 are oxidized to generate hydroxyl groups and carbonyl groups. These polar groups show hydrophilicity that easily wets with water. On the other hand, the areas which are masked and not subjected to the plasma treatment remain plastic and are non-hydrophilic.

【0103】したがってプラズマ処理された領域が親和
性領域10となり、プラズマ処理されなかった領域が非
親和性領域11となる。
Therefore, the area subjected to the plasma processing becomes the affinity area 10, and the area not subjected to the plasma processing becomes the non-affinity area 11.

【0104】上記のように本実施形態5によれば、プラ
ズマ処理により基台を構成する一部領域の分子構造を変
更することで、非親水性の膜を親水性の膜に変更できる
ので、新たな層を形成することなく実施形態1の基板を
提供することができる。分子レベルの組成が変更される
のでこの基板は安定である。
As described above, according to the fifth embodiment, the non-hydrophilic film can be changed to a hydrophilic film by changing the molecular structure of the partial region constituting the base by the plasma treatment. The substrate of Embodiment 1 can be provided without forming a new layer. This substrate is stable because the composition at the molecular level is changed.

【0105】なおプラズマ照射の代わりに紫外線を照射
することによっても非親水性の膜を親水性の膜に変更す
ることができる。
The non-hydrophilic film can be changed to a hydrophilic film by irradiating ultraviolet rays instead of plasma irradiation.

【0106】(実施形態6)本発明の実施形態6は、基
板を電荷を与えることで実施形態1の基板を製造するも
のである。
(Embodiment 6) In Embodiment 6 of the present invention, the substrate of Embodiment 1 is manufactured by applying electric charge to the substrate.

【0107】(製造方法)図16を参照して本実施形態
の製造方法を説明する。
(Manufacturing Method) The manufacturing method of this embodiment will be described with reference to FIG.

【0108】電荷印加工程(図16(a)):電荷印加
工程は、基台100を表面改質して電荷を生じさせるも
のである。基台100としてはポリエチレンテレフタレ
ートを用いる。基台100表面に電荷112を印加する
ためにはコロナ放電を用いる。
Charge application step (FIG. 16A): The charge application step involves modifying the surface of the base 100 to generate charges. As the base 100, polyethylene terephthalate is used. Corona discharge is used to apply the electric charge 112 to the surface of the base 100.

【0109】脱チャージ工程(図16(b)): 脱チ
ャージ工程は、基台100に印加された電荷を除去する
工程である。脱チャージを行うためには、基台100の
表面にエネルギーを供給して行う。例えば、レーザ光3
4を実施形態1に示したような親和性領域あるいは非親
和性領域のパターンに合わせて照射する。照射された基
台100上の領域からは電荷が除去される。
Decharging Step (FIG. 16B): The discharging step is a step of removing the electric charge applied to the base 100. In order to perform the decharging, energy is supplied to the surface of the base 100. For example, laser light 3
4 is irradiated according to the pattern of the affinity region or the non-affinity region as described in the first embodiment. Electric charges are removed from the irradiated area on the base 100.

【0110】膜形成工程(図16(c)): 膜形成工
程は、基台100表面に膜114を形成する工程であ
る。基台100表面に微粒子を含有する樹脂粉末等を帯
電させた後、基台100の表面にばらまき、膜を形成す
る。基台100を流動媒体に対し親和性にし膜113を
非親和性にするか、基台100を非親和性にし膜113
を親和性にするかは任意である。
Film Forming Step (FIG. 16C): The film forming step is a step of forming a film 114 on the surface of the base 100. After charging the resin powder or the like containing fine particles on the surface of the base 100, the resin powder is dispersed on the surface of the base 100 to form a film. Either make the base 100 compatible with the fluid medium and make the membrane 113 incompatible, or make the base 100 incompatible and make the membrane 113 incompatible.
Is optional.

【0111】なお、ペットフィルムにコロナ放電を適用
することでも親和性パターンと非親和性パターンが混在
した基板を製造することができる。まずコロナ放電を起
こさせる一方の電極として櫛歯状の電極を用い他方の電
極として平坦な電極を用いる。この両電極間にペットフ
ィルムを通過させると、このペットフィルムがストライ
プ状または点状に帯電する。このペットフィルム上に帯
電したインクを着弾させるとパターンが形成される。イ
ンクを親水性にしておけばペットフィルムが撥水性を示
すので、インク着弾後のペットフィルムを本発明の基板
として使用することが可能である。
A substrate in which an affinity pattern and a non-affinity pattern are mixed can also be manufactured by applying corona discharge to a pet film. First, a comb-shaped electrode is used as one electrode for generating corona discharge, and a flat electrode is used as the other electrode. When a pet film is passed between the two electrodes, the pet film is charged in stripes or dots. When the charged ink lands on the pet film, a pattern is formed. If the ink is made hydrophilic, the pet film exhibits water repellency, so that the pet film after the ink has landed can be used as the substrate of the present invention.

【0112】上記したように本実施形態6では、基板を
脱チャージすることにより親和性領域および非親和性領
域を備えて実施形態1の基板を製造できる。
As described above, in the sixth embodiment, the substrate of the first embodiment can be manufactured by providing the affinity region and the non-affinity region by discharging the substrate.

【0113】(実施形態7)本発明の実施形態7は基台
に直接膜を形成していく方法である。
(Embodiment 7) Embodiment 7 of the present invention is a method of forming a film directly on a base.

【0114】(製造方法)図17を参照して本実施形態
の製造方法を説明する。
(Manufacturing Method) The manufacturing method of this embodiment will be described with reference to FIG.

【0115】印刷工程(図17(a)): 印刷工程
は、所定の印刷方法により流動体に対し親和性を有する
膜あるいは親和性のない膜を形成する工程である。基台
100に塗布する膜材料114bとして、インクジェッ
ト式記録ヘッドから吐出される流動体に対し非親和性の
材料を用いた場合には、基台100の材料を親和性の材
料で構成する。膜材料114bとして、流動体に親和性
の材料を用いた場合には、基台100の材料を非親和性
の材料で工程する。印刷方法としては、親和性領域また
は非親和性領域に対応するパターンを設けた版115を
用いて、これにローラ35等を用いて膜材料114bを
塗布し、圧力を加えて版115上の膜材料を基台100
上に映す方法をいう。版115は、その形状により凸
版、平板、凹版、孔版、静電気や磁気を用いる方法等を
適用することが可能である。すなわち、公知の印刷方法
であって膜材料をインクの代わりに適用可能な印刷方法
を適宜適用できる。
Printing Step (FIG. 17A): The printing step is a step of forming a film having an affinity for a fluid or a film having no affinity by a predetermined printing method. When a material that is incompatible with the fluid ejected from the ink jet recording head is used as the film material 114b applied to the base 100, the material of the base 100 is formed of an affinity material. When a material having an affinity for a fluid is used as the film material 114b, the material of the base 100 is processed using a material having a non-affinity. As a printing method, using a plate 115 provided with a pattern corresponding to an affinity region or a non-affinity region, a film material 114b is applied to the plate 115 using a roller 35 or the like, and a pressure is applied to the film material 114b on the plate 115. Material base 100
Refers to the method of showing on top. Depending on the shape of the plate 115, a relief plate, a flat plate, an intaglio, a stencil, a method using static electricity or magnetism, or the like can be applied. That is, a known printing method that can apply a film material instead of ink can be appropriately applied.

【0116】また、刷毛のようなもので基板100の上
を擦って膜材料を不均一に付着させるラビング法を用い
てもよい。ラビング法によれば版115を必要としな
い。
A rubbing method may be used in which a film material is rubbed on the substrate 100 with a brush to make the film material adhere non-uniformly. According to the rubbing method, the plate 115 is not required.

【0117】定着方法(図17(b)): 膜材料11
4bが基台100に転写されたら、熱処理等公知の技術
を適用して膜材料114を安定化させ、膜114を形成
する。
Fixing method (FIG. 17B): film material 11
When 4b is transferred to the base 100, the film material 114 is stabilized by applying a known technique such as heat treatment, and the film 114 is formed.

【0118】上記したように本実施形態7によれば、直
接基台に材料を付着させる方法によっても実施形態1に
示すような基板を製造することができる。
As described above, according to the seventh embodiment, the substrate as shown in the first embodiment can be manufactured by a method of directly attaching a material to the base.

【0119】(その他の変形例)本発明は上記実施形態
によらず種々に変形して適用することが可能である。
(Other Modifications) The present invention can be applied in various modifications without depending on the above embodiment.

【0120】基板に設けるパターンは、実施形態1で示
したものは単なる例示であり、これに拘らず種々に変更
が可能である。点状パターン、線状パターンともその大
きさ、形状および配置を種々に変更可能である。これら
の要素は、流動体の性質に対応して定まるものだからで
ある。
The patterns provided on the substrate are those shown in the first embodiment are merely examples, and various changes can be made regardless of this. The size, shape and arrangement of both the dot pattern and the linear pattern can be variously changed. This is because these factors are determined according to the properties of the fluid.

【0121】また、基板を製造する方法は、上記実施形
態2から実施形態7のものに限定されず、最終的に親和
性領域と非親和性領域とに分かれるものであれば、種々
に変形することが可能である。
Further, the method of manufacturing the substrate is not limited to those of the above-described second to seventh embodiments, and may be variously modified as long as it is finally divided into an affinity region and a non-affinity region. It is possible.

【0122】なお、非親水性の基板を一部親水性にする
表面処理として、シランカップリング剤を用いる方法、
酸化アルミニウムやシリカ等の多孔質膜を形成する方
法、PVA等の吸水性有機膜を係止枝する方法、アルゴ
ン等で逆スパッタをかける方法、コロナ放電、紫外線の
照射、オゾン処理、脱脂処理等、公知の種々の方法を適
用することができる。
As a surface treatment for making the non-hydrophilic substrate partially hydrophilic, a method using a silane coupling agent,
A method for forming a porous film such as aluminum oxide or silica, a method for locking a water-absorbing organic film such as PVA, a method for applying reverse sputtering with argon or the like, a corona discharge, ultraviolet irradiation, an ozone treatment, a degreasing treatment, etc. Various known methods can be applied.

【0123】[0123]

【発明の効果】本発明によれば、流動体に対し親和性の
ある領域と親和性のない領域とを用いたので、インクジ
ェット方式等によって吐出された流動体の表面張力によ
り、微細なパターンが形成可能な基板を提供できる。
According to the present invention, since a region having an affinity for a fluid and a region having no affinity for the fluid are used, a fine pattern can be formed by the surface tension of the fluid discharged by an ink jet method or the like. A formable substrate can be provided.

【0124】したがって、従来、工場等において高価な
設備により、多数の工程をかけて形成せざるを得なかっ
た微細パターンが、容易にかつ安価に製造可能となる。
Therefore, a fine pattern, which had to be formed by a large number of steps using expensive equipment in a factory or the like, can be easily and inexpensively manufactured.

【0125】本発明によれば、流動体に対し親和性のあ
る領域と親和性のない領域とを配置する工程を備えたの
で、インクジェット方式等によって吐出された流動体の
表面張力により、微細なパターン形成が可能な基板の製
造方法を提供できる。
According to the present invention, a step of arranging a region having an affinity for a fluid and a region having no affinity for the fluid is provided. A method for manufacturing a substrate capable of forming a pattern can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態1の基板(点状の円形パターン)であ
り、(a)は平面図、(b)はその断面図、(c)はそ
の変形例である。
FIGS. 1A and 1B show a substrate (dot-like circular pattern) according to a first embodiment, wherein FIG. 1A is a plan view, FIG. 1B is a cross-sectional view thereof, and FIG.

【図2】実施形態1の基板の変形例である。FIG. 2 is a modification of the substrate of the first embodiment.

【図3】実施形態1の基板の変形例(方形パターン疎)
における平面図である。
FIG. 3 is a modified example of the substrate of the first embodiment (square pattern sparse).
FIG.

【図4】実施形態1の基板の変形例(方形パターン密)
における平面図である。
FIG. 4 is a modified example of the substrate according to the first embodiment (square pattern dense).
FIG.

【図5】実施形態1の基板の変形例(三角パターン疎)
における平面図である。
FIG. 5 is a modified example of the substrate according to the first embodiment (a triangular pattern is sparse).
FIG.

【図6】実施形態1の基板の変形例(三角パターン密)
における平面図である。
FIG. 6 is a modified example of the substrate according to the first embodiment (dense triangular pattern).
FIG.

【図7】実施形態1の基板の変形例(線状パターン)に
おける平面図である。
FIG. 7 is a plan view of a modified example (linear pattern) of the substrate according to the first embodiment.

【図8】実施形態1における基板の作用を説明する図で
ある。(a)は点状パターンの場合、(b)は線状パタ
ーンの場合である。
FIG. 8 is a diagram illustrating an operation of the substrate according to the first embodiment. (A) shows the case of a dot pattern, and (b) shows the case of a linear pattern.

【図9】通常の基板に液滴を吐出した場合の断面図であ
り、(a)は吐出直後、(b)は乾燥後である。
FIGS. 9A and 9B are cross-sectional views when droplets are ejected onto a normal substrate, wherein FIG. 9A shows a state immediately after ejection and FIG.

【図10】通常の基板に液滴を吐出した場合の平面図で
あり、(a)は吐出直後、(b)は乾燥後である。
FIGS. 10A and 10B are plan views when droplets are ejected onto a normal substrate, wherein FIG. 10A shows a state immediately after ejection and FIG. 10B shows a state after drying.

【図11】実施形態2の基板の製造方法である。FIG. 11 shows a method of manufacturing a substrate according to the second embodiment.

【図12】硫黄化合物の自己集合化の説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram of self-assembly of a sulfur compound.

【図13】実施形態3の基板の製造方法である。FIG. 13 shows a method of manufacturing a substrate according to a third embodiment.

【図14】実施形態4の基板の製造方法である。FIG. 14 shows a method of manufacturing a substrate according to a fourth embodiment.

【図15】実施形態5の基板の製造方法である。FIG. 15 shows a method of manufacturing a substrate according to a fifth embodiment.

【図16】実施形態6の基板の製造方法である。FIG. 16 shows a method of manufacturing a substrate according to a sixth embodiment.

【図17】実施形態7の基板の製造方法である。FIG. 17 shows a method of manufacturing a substrate according to a seventh embodiment.

【図18】本発明のパターン形成方法の工程図である。FIG. 18 is a process chart of the pattern forming method of the present invention.

【図19】インクジェット式記録ヘッドの分解斜視図で
ある。
FIG. 19 is an exploded perspective view of the ink jet recording head.

【図20】インクジェット式記録ヘッドの主要部の斜視
図一部断面図である。
FIG. 20 is a perspective view, partly in section, of a main part of an ink jet recording head.

【図21】インクジェット式記録ヘッドのインク吐出原
理説明図である。
FIG. 21 is a diagram illustrating the principle of ink ejection of an ink jet recording head.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、1a、1b,1c,1d,1e、1f、1g…基
板、 10…親和性領域、 11…非親和性領域、 100…基台
1, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f, 1g: substrate, 10: affinity region, 11: non-affinity region, 100: base

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H05K 3/10 H01L 21/02 Z // H01L 21/02 (72)発明者 木口 浩史 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI H05K 3/10 H01L 21/02 Z // H01L 21/02 (72) Inventor Hiroshi Kiguchi 3-5-5 Yamato, Suwa-shi, Nagano Prefecture Seiko Epson Inside the corporation

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の流動体に対し親和性のある親和性
領域と、 前記流動体に対し親和性のない非親和性領域と、を備
え、 前記親和性領域が前記非親和性領域のなかで、所定のパ
ターンで配置されることにより、複数の前記親和性領域
にまたがる一定の面積に前記流動体を連続して付着可能
に構成された基板。
1. A non-affinity region having an affinity region having an affinity for a predetermined fluid, and a non-affinity region having no affinity for the fluid, wherein the affinity region is one of the non-affinity regions. And a substrate arranged in a predetermined pattern so that the fluid can be continuously attached to a predetermined area over a plurality of the affinity regions.
【請求項2】 前記パターンは、一のパターンに前記流
動体が付着した場合でも、当該流動体の表面張力によっ
て隣接するパターンに当該流動体が移動することを禁止
可能に配置されている請求項1に記載の基板。
2. The pattern is arranged such that even if the fluid adheres to one pattern, the fluid is prevented from moving to an adjacent pattern due to the surface tension of the fluid. 2. The substrate according to 1.
【請求項3】 前記パターンは、各々の前記親和性領域
が線状パターンに形成されている請求項1に記載の基
板。
3. The substrate according to claim 1, wherein each of the affinity regions is formed in a linear pattern.
【請求項4】 前記パターンは、各々の前記親和性領域
が、所定の形状(球状、多角形状)をした点状パターン
に形成されている請求項1に記載の基板。
4. The substrate according to claim 1, wherein each of the affinity regions is formed in a dot pattern having a predetermined shape (spherical or polygonal).
【請求項5】 前記点状パターンは、隣接する点状パタ
ーンと接触して配置される請求項4に記載の基板。
5. The substrate according to claim 4, wherein the dot pattern is arranged in contact with an adjacent dot pattern.
【請求項6】 基台上に、所定の流動体に対し親和性の
ある親和性領域または前記流動体に対し親和性のない非
親和性領域のいずれか一方が、他方の前記領域に対し
て、所定のパターンで配置されるように、当該一方の領
域を形成するパターン形成工程を備えることにより、複
数の前記親和性領域にまたがる一定の面積に前記流動体
を連続して付着可能にした基板の製造方法。
6. A substrate according to claim 1, wherein one of an affinity region having an affinity for a predetermined fluid and a non-affinity region having no affinity for said fluid is placed on the base with respect to said other region. A pattern forming step of forming the one region so as to be arranged in a predetermined pattern, so that the fluid can be continuously attached to a certain area over a plurality of the affinity regions. Manufacturing method.
【請求項7】 前記パターン形成工程は、前記基台上に
所定の金属により金属層を形成する工程と、前記基台上
に形成された金属層にエネルギーを前記パターンに応じ
て選択的に供給し、エネルギーが供給された領域の金属
を除去する工程と、前記金属が前記パターンに応じて除
去された基台を、硫黄化合物を含む混合液に浸漬する工
程と、を備える請求項6に記載の基板の製造方法。
7. The pattern forming step includes forming a metal layer on the base with a predetermined metal, and selectively supplying energy to the metal layer formed on the base in accordance with the pattern. The method according to claim 6, further comprising the steps of: removing a metal in a region to which energy has been supplied; and immersing the base from which the metal has been removed according to the pattern in a mixed solution containing a sulfur compound. Substrate manufacturing method.
【請求項8】 前記硫黄化合物は、前記流動体に対する
親和性に関し、前記基板と反対の性質を備える請求項7
に記載の基板の製造方法。
8. The substrate according to claim 7, wherein the sulfur compound has a property opposite to that of the substrate with respect to an affinity for the fluid.
3. The method for manufacturing a substrate according to item 1.
【請求項9】 前記パターン形成工程は、前記流動体に
対し親和性のある単量体と前記流動体に対し親和性のな
い単量体とから構成される共重合化合物を、前記基台上
に膜状に形成するものである請求項6に記載の基板の製
造方法。
9. The pattern forming step includes the step of: adding a copolymer compound composed of a monomer having an affinity for the fluid and a monomer having no affinity for the fluid on the base. The method for manufacturing a substrate according to claim 6, wherein the substrate is formed in a film shape.
【請求項10】 前記パターン形成工程は、前記基台上
に所定の物質を層状に形成する工程と、前記物質を前記
パターンに応じマスクするマスク工程と、前記マスクが
された基台にエネルギーを供給し、前記マスクがされて
いない領域の前記物質を除去する工程と、を備える請求
項6に記載の基板の製造方法。
10. The pattern forming step includes: forming a predetermined substance in a layer on the base; masking the substance in accordance with the pattern; and applying energy to the base on which the mask is provided. 7. The method of manufacturing a substrate according to claim 6, further comprising: supplying and removing the substance in a region where the mask is not provided.
【請求項11】 前記パターン形成工程は、前記基台に
対し前記パターンに応じてマスクする工程と、前記マス
クがされた基台をプラズマ加工する工程と、前記プラズ
マ加工により解離を生じた分子を改質処理する工程と、
を備える請求項6に記載の基板の製造方法。
11. The pattern forming step includes: a step of masking the base in accordance with the pattern; a step of performing plasma processing on the masked base; and a step of generating molecules dissociated by the plasma processing. A step of performing a reforming process;
The method for manufacturing a substrate according to claim 6, comprising:
【請求項12】 前記パターン形成工程は、前記基台に
対し前記パターンに応じてマスクする工程と、前記マス
クがされた基台に紫外線を照射して表面を改質処理する
工程と、を備える請求項6に記載の基板の製造方法。
12. The pattern forming step includes a step of masking the base in accordance with the pattern, and a step of irradiating the masked base with ultraviolet rays to modify the surface. A method for manufacturing a substrate according to claim 6.
【請求項13】 前記パターン形成工程は、前記基台全
面に電荷を与える工程と、前記パターンに応じ前記電荷
が与えられた基台表面にレーザ光を照射する工程と、前
記レーザ光が照射されず電荷が消滅しなかった荷電領域
に所定の物質を結合させる工程と、を備える請求項6に
記載の基板の製造方法。
13. The pattern forming step includes: applying a charge to the entire surface of the base; irradiating a laser beam to a surface of the base provided with the charge according to the pattern; 7. The method of manufacturing a substrate according to claim 6, further comprising: bonding a predetermined substance to a charged region in which the charge has not disappeared.
【請求項14】 前記パターン形成工程は、前記基台上
に、所定の物質を前記パターンの応じて設ける工程を備
える請求項6に記載の基板の製造方法。
14. The method according to claim 6, wherein the pattern forming step includes a step of providing a predetermined substance on the base according to the pattern.
【請求項15】 前記物質は、前記流動体に対する親和
性に関し、前記基台と反対の性質を備えるものである請
求項10または請求項14のいずれか一項に記載の基板
の製造方法。
15. The method of manufacturing a substrate according to claim 10, wherein the substance has a property opposite to the base with respect to affinity for the fluid.
【請求項16】 請求項1乃至請求項5のいずれか一項
に記載の基板にパターンを形成するパターン形成方法で
あって、 前記流動体の液滴を吐出可能に設けられたインクジェッ
ト式記録ヘッドを任意のパターンに従って駆動する工程
と、 前記パターンに沿って移動する前記インクジェット式記
録ヘッドのノズル穴から前記流動体の液滴を吐出させる
ことにより、前記基板上に当該流動体によるパターンを
形成する工程と、を備えたパターン形成方法。
16. A pattern forming method for forming a pattern on a substrate according to claim 1, wherein said ink jet recording head is provided so as to be capable of discharging droplets of said fluid. Driving the liquid according to an arbitrary pattern, and forming a pattern by the fluid on the substrate by discharging droplets of the fluid from nozzle holes of the ink jet recording head moving along the pattern. And a step of forming a pattern.
【請求項17】 前記パターンを形成する工程は、前記
インクジェット式記録ヘッドに設けられ、前記流動体を
充填可能に構成されたキャビティに対し当該流動体を供
給し、当該キャビティに体積変化を生じさせることが可
能に構成された圧電体素子に任意のパターンに応じた電
圧を印加することにより、前記ノズル穴から前記流動体
の液滴を吐出させる請求項16に記載のパターン形成方
法。
17. The step of forming a pattern includes supplying the fluid to a cavity provided in the ink jet recording head and configured to be capable of filling the fluid, and causing a volume change in the cavity. 17. The pattern forming method according to claim 16, wherein a liquid droplet of the fluid is discharged from the nozzle hole by applying a voltage according to an arbitrary pattern to the piezoelectric element configured to be able to perform the operation.
JP1623798A 1998-01-28 1998-01-28 A substrate, a method of manufacturing a substrate, an integrated circuit, and a method of manufacturing an integrated circuit. Expired - Fee Related JP3539179B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1623798A JP3539179B2 (en) 1998-01-28 1998-01-28 A substrate, a method of manufacturing a substrate, an integrated circuit, and a method of manufacturing an integrated circuit.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1623798A JP3539179B2 (en) 1998-01-28 1998-01-28 A substrate, a method of manufacturing a substrate, an integrated circuit, and a method of manufacturing an integrated circuit.

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003374392A Division JP4181481B2 (en) 2003-11-04 2003-11-04 substrate
JP2003374393A Division JP3956930B2 (en) 2003-11-04 2003-11-04 substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11207959A true JPH11207959A (en) 1999-08-03
JP3539179B2 JP3539179B2 (en) 2004-07-07

Family

ID=11910960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1623798A Expired - Fee Related JP3539179B2 (en) 1998-01-28 1998-01-28 A substrate, a method of manufacturing a substrate, an integrated circuit, and a method of manufacturing an integrated circuit.

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3539179B2 (en)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004518298A (en) * 2001-01-24 2004-06-17 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Method of providing strip on substrate
US6774021B2 (en) 2002-06-07 2004-08-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Pattern forming method and pattern forming device
US6810814B2 (en) 2002-04-16 2004-11-02 Seiko Epson Corporation Method for fabricating pattern, apparatus for fabricating pattern, conductive film wiring, method for fabricating device, electro-optical apparatus, and electronic apparatus
JP2005116571A (en) * 2003-10-02 2005-04-28 Nikon Corp Aligner and method of manufacturing device
WO2005077549A1 (en) * 2004-02-17 2005-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and display device, and method for manufacturing thereof
JP2005268761A (en) * 2004-02-17 2005-09-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Pattern forming method, thin film transistor, display, and those manufacturing method, and television receiver
JP2006278982A (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Seiko Epson Corp Semiconductor device, manufacturing method thereof, display device and electronic device
US7138304B2 (en) 2003-05-16 2006-11-21 Seiko Epson Corporation Method for forming thin film pattern, device and production method therefor, electro-optical apparatus and electronic apparatus, and production method for active matrix substrate
JP2007049178A (en) * 2004-02-17 2007-02-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Thin film transistor, and method of manufacturing same
US7226819B2 (en) 2003-10-28 2007-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Methods for forming wiring and manufacturing thin film transistor and droplet discharging method
US7235415B2 (en) 2003-05-28 2007-06-26 Seiko Epson Corporation Film pattern formation method, device and method for manufacturing the same, electro-optical device, electronic device, and method for manufacturing active matrix substrate
US7364769B2 (en) 2003-05-13 2008-04-29 Ricoh Company, Ltd. Apparatus and method for formation of a wiring pattern on a substrate, and electronic devices and producing methods thereof
US7374977B2 (en) 2003-12-17 2008-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Droplet discharge device, and method for forming pattern, and method for manufacturing display device
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7615488B2 (en) 2004-03-19 2009-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming pattern, thin film transistor, display device and method for manufacturing the same, and television device
US7635889B2 (en) 2005-01-28 2009-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7642038B2 (en) 2004-03-24 2010-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming pattern, thin film transistor, display device, method for manufacturing thereof, and television apparatus
US7648229B2 (en) 2006-08-02 2010-01-19 Seiko Epson Corporation Liquid jet head and its manufacturing method
US7662432B2 (en) 2007-01-18 2010-02-16 Seiko Epson Corporation Pattern formation method
US7812355B2 (en) 2004-03-03 2010-10-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same, liquid crystal television, and EL television
US7820465B2 (en) 2006-03-02 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for a circuit pattern, a thin film transistor and an electronic appliance
US7939888B2 (en) 2004-01-26 2011-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and television device using the same
US7968461B2 (en) 2003-10-28 2011-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming wiring, method for manufacturing thin film transistor and droplet discharging method
WO2013065683A1 (en) 2011-11-02 2013-05-10 富士フイルム株式会社 Base material for forming electroconductive pattern, circuit board, and method for producing each

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004518298A (en) * 2001-01-24 2004-06-17 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Method of providing strip on substrate
US6810814B2 (en) 2002-04-16 2004-11-02 Seiko Epson Corporation Method for fabricating pattern, apparatus for fabricating pattern, conductive film wiring, method for fabricating device, electro-optical apparatus, and electronic apparatus
US7146910B2 (en) 2002-04-16 2006-12-12 Seiko Epson Corporation Method for fabricating pattern, apparatus for fabricating pattern, conductive film wiring, method for fabricating device, electro-optical apparatus, and electronic apparatus
US6774021B2 (en) 2002-06-07 2004-08-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Pattern forming method and pattern forming device
US7364769B2 (en) 2003-05-13 2008-04-29 Ricoh Company, Ltd. Apparatus and method for formation of a wiring pattern on a substrate, and electronic devices and producing methods thereof
US7138304B2 (en) 2003-05-16 2006-11-21 Seiko Epson Corporation Method for forming thin film pattern, device and production method therefor, electro-optical apparatus and electronic apparatus, and production method for active matrix substrate
US7235415B2 (en) 2003-05-28 2007-06-26 Seiko Epson Corporation Film pattern formation method, device and method for manufacturing the same, electro-optical device, electronic device, and method for manufacturing active matrix substrate
JP2005116571A (en) * 2003-10-02 2005-04-28 Nikon Corp Aligner and method of manufacturing device
US7968461B2 (en) 2003-10-28 2011-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming wiring, method for manufacturing thin film transistor and droplet discharging method
US7226819B2 (en) 2003-10-28 2007-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Methods for forming wiring and manufacturing thin film transistor and droplet discharging method
US8278204B2 (en) 2003-10-28 2012-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Methods for forming wiring and manufacturing thin film transistor and droplet discharging method
US7875542B2 (en) 2003-10-28 2011-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Methods for forming wiring and manufacturing thin film transistor and droplet discharging method
US7374977B2 (en) 2003-12-17 2008-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Droplet discharge device, and method for forming pattern, and method for manufacturing display device
US7939888B2 (en) 2004-01-26 2011-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and television device using the same
JP2007049178A (en) * 2004-02-17 2007-02-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Thin film transistor, and method of manufacturing same
US7951710B2 (en) 2004-02-17 2011-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film transistor and display device
US8318601B2 (en) 2004-02-17 2012-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film transistor and display device
WO2005077549A1 (en) * 2004-02-17 2005-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and display device, and method for manufacturing thereof
KR101127889B1 (en) * 2004-02-17 2012-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Thin film transistor and display device, and method for manufacturing thereof
JP2005268761A (en) * 2004-02-17 2005-09-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Pattern forming method, thin film transistor, display, and those manufacturing method, and television receiver
US7812355B2 (en) 2004-03-03 2010-10-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same, liquid crystal television, and EL television
US7615488B2 (en) 2004-03-19 2009-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming pattern, thin film transistor, display device and method for manufacturing the same, and television device
US7642038B2 (en) 2004-03-24 2010-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming pattern, thin film transistor, display device, method for manufacturing thereof, and television apparatus
US8222636B2 (en) 2004-03-24 2012-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming pattern, thin film transistor, display device, method for manufacturing thereof, and television apparatus
US9356152B2 (en) 2005-01-28 2016-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7635889B2 (en) 2005-01-28 2009-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US8188465B2 (en) 2005-03-30 2012-05-29 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, display device, and electronic instrument
US7799618B2 (en) 2005-03-30 2010-09-21 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, display device, and electronic instrument
JP2006278982A (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Seiko Epson Corp Semiconductor device, manufacturing method thereof, display device and electronic device
JP4636921B2 (en) * 2005-03-30 2011-02-23 セイコーエプソン株式会社 Display device manufacturing method, display device, and electronic apparatus
US7820465B2 (en) 2006-03-02 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for a circuit pattern, a thin film transistor and an electronic appliance
US7648229B2 (en) 2006-08-02 2010-01-19 Seiko Epson Corporation Liquid jet head and its manufacturing method
US7662432B2 (en) 2007-01-18 2010-02-16 Seiko Epson Corporation Pattern formation method
WO2013065683A1 (en) 2011-11-02 2013-05-10 富士フイルム株式会社 Base material for forming electroconductive pattern, circuit board, and method for producing each
JP2013118362A (en) * 2011-11-02 2013-06-13 Fujifilm Corp Base material for conductive pattern formation, circuit board, and method for manufacturing the same
US20140231124A1 (en) * 2011-11-02 2014-08-21 Fujifilm Corporation Base material for forming electroconductive pattern, circuit board, and method for producing each
CN104025723A (en) * 2011-11-02 2014-09-03 富士胶片株式会社 Base material for forming electroconductive pattern, circuit board, and method for producing each
TWI562691B (en) * 2011-11-02 2016-12-11 Fujifilm Corp Conductive-pattern forming base material, circuit board, and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP3539179B2 (en) 2004-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3539179B2 (en) A substrate, a method of manufacturing a substrate, an integrated circuit, and a method of manufacturing an integrated circuit.
JP3606047B2 (en) Substrate manufacturing method
JP3780700B2 (en) Pattern forming method, pattern forming apparatus, pattern forming plate, pattern forming plate manufacturing method, color filter manufacturing method, conductive film manufacturing method, and liquid crystal panel manufacturing method
US6696225B1 (en) Substrate and manufacturing method thereof
JP4177846B2 (en) Metal pattern and manufacturing method thereof
US6599582B2 (en) Pattern formation method and substrate manufacturing apparatus
JP4791357B2 (en) Method for reducing adhesion between a molded area and a mold pattern
TWI318139B (en) Method of coating
US20080047930A1 (en) Method to form a pattern of functional material on a substrate
JP2007296509A (en) Formation method of high-resolution pattern
JP2006154354A (en) Forming method of color filter
JP2006156426A (en) Method of forming conductive pattern
WO2005014289A1 (en) Liquid jetting device, liquid jetting method, and method of forming wiring pattern on circuit board
JP3956930B2 (en) substrate
JP4181481B2 (en) substrate
KR102120040B1 (en) Etchingless printing type method for forming micro electrode pattern
JP2006352156A (en) Pattern forming substrate
JP2001288578A (en) Method for producing fine structure, fine structure and substrate for forming the same
JP2003234561A (en) Conductive pattern material
US20180332712A1 (en) High-resolution printing technique
JP2004114378A (en) Plate making method and device
JP2004349719A (en) Substrate for forming pattern and its manufacturing method
JP5067096B2 (en) Method for producing conductive pattern sheet
KR20040069748A (en) Inkjet printhead and manufacturing method thereof
KR20050112457A (en) Method of fabricating ink jet head having anti-wetting layer

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040302

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040315

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080402

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090402

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090402

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100402

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110402

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110402

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120402

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140402

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees