JPH11204616A - Substrate processing apparatus and method - Google Patents
Substrate processing apparatus and methodInfo
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- JPH11204616A JPH11204616A JP1345298A JP1345298A JPH11204616A JP H11204616 A JPH11204616 A JP H11204616A JP 1345298 A JP1345298 A JP 1345298A JP 1345298 A JP1345298 A JP 1345298A JP H11204616 A JPH11204616 A JP H11204616A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置およ
び基板処理方法に関し、特に半導体デバイスや液晶表示
素子構成用の薄膜を形成又は加工する基板処理装置およ
び基板処理方法に関するものである。The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for forming or processing a thin film for forming a semiconductor device or a liquid crystal display element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図４は従来の基板処理装置を説明するた
めの概略横断面図である。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining a conventional substrate processing apparatus.
【０００３】基板搬送室１に、基板本処理室２、基板予
備加熱室３およびロードロック室４が真空室用の隔離弁
５、６および７をそれぞれ介して並列に連結されてい
る。基板搬送室１内には、基板搬送ロボット８が設けら
れている。A main substrate processing chamber 2, a substrate preheating chamber 3, and a load lock chamber 4 are connected in parallel to a substrate transfer chamber 1 via vacuum chamber isolation valves 5, 6, and 7, respectively. A substrate transfer robot 8 is provided in the substrate transfer chamber 1.
【０００４】また、基板本処理室２、基板予備加熱室３
およびロードロック室４の各室には各々独立の真空排気
機構を設けており、ロードロック室４以外は常時真空排
気されている。A main substrate processing chamber 2 and a substrate preheating chamber 3
Each of the load lock chambers 4 is provided with an independent vacuum exhaust mechanism, and the sections other than the load lock chamber 4 are constantly evacuated.
【０００５】大気中の基板を大気圧状態のロードロック
室４内に取り込み、その後ロードロック室４を真空排気
する。ロードロック室４内の基板を、真空搬送ロボット
８により基板搬送室１を通過して基板予備加熱室３に搬
入し、基板の予備加熱処理を行う。[0005] The substrate in the atmosphere is taken into the load lock chamber 4 under atmospheric pressure, and then the load lock chamber 4 is evacuated. The substrate in the load lock chamber 4 passes through the substrate transfer chamber 1 by the vacuum transfer robot 8 and is carried into the substrate preheating chamber 3, where the substrate is preheated.
【０００６】同様に基板予備加熱室３内の基板を基板本
処理室２に搬送し成膜、エッチング等の所定の処理を行
い、再びロードロック室４に搬入し大気中に払い出す。[0006] Similarly, the substrate in the substrate preheating chamber 3 is transferred to the main substrate processing chamber 2 and subjected to predetermined processing such as film formation and etching, and is again carried into the load lock chamber 4 and discharged to the atmosphere.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかし、基板取り込み
時にロードロック室４内に混入する酸素、水分、または
基板予備加熱中に基板予備加熱室において発生する酸
素、水分が基板搬送時に基板本処理室２内を汚染し素子
特性の劣化を引き起こす。However, oxygen and moisture mixed into the load lock chamber 4 when the substrate is taken in, or oxygen and moisture generated in the substrate preheating chamber during the substrate preheating, are caused by the substrate processing chamber during the substrate transfer. 2 contaminates and causes deterioration of device characteristics.
【０００８】また、基板本処理室２内の残留反応性ガス
や基板処理に伴う副生成物が、基板搬送時に基板搬送室
１内を汚染し、パーティクル発生の原因となる。In addition, residual reactive gas in the main substrate processing chamber 2 and by-products associated with substrate processing contaminate the substrate transfer chamber 1 during substrate transfer, causing particles to be generated.
【０００９】これら汚染は、基板搬送室１に搬入した基
板を次室に搬送する前に、基板搬送室１内を高真空排気
することで取り除くことができるが、汚染の影響を十分
小さくするには時間がかかる為、装置スループットが低
下する。[0009] These contaminants can be removed by evacuating the substrate transfer chamber 1 to a high vacuum before transferring the substrate carried into the substrate transfer chamber 1 to the next chamber. Takes a long time, and the apparatus throughput decreases.
【００１０】従って、本発明の目的は、基板搬送に伴う
汚染を高速で取り除くことができ、高歩留まり、高スル
ープットの基板処理装置および基板処理方法を提供する
ことにある。Accordingly, it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of removing contamination accompanying substrate transfer at a high speed, and having a high yield and a high throughput.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、基板
搬送室と、前記基板搬送室に並列に連結された第１およ
び第２の室とを備え、前記基板搬送室を介して前記第１
の室から前記第２の室に基板を搬送可能な基板処理装置
であって、前記第１の室から前記第２の室に前記基板を
搬送する際に、前記第１の室と前記基板搬送室とをそれ
ぞれ予め真空排気しておきその後前記第１の室と前記基
板搬送室とを連通させて前記第１の室から前記基板搬送
室に前記基板が搬送可能な状態にした後または前記基板
搬送室に前記基板を搬送した後前記基板搬送室に不活性
ガスを導入し、または前記第１の室と前記基板搬送室と
を連通させて前記第１の室から前記基板搬送室に前記基
板が搬送可能な状態にした後または前記基板搬送室に前
記基板を搬送した後前記基板搬送室を真空排気しその後
前記基板搬送室に不活性ガスを導入し、その後、前記基
板搬送室を真空排気し、その後、前記基板搬送室と前記
第２の室とを連通させて前記基板を前記第２の室に搬送
するようにしたことを特徴とする基板処理装置が提供さ
れる。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer chamber, and first and second chambers connected in parallel to the substrate transfer chamber, wherein the first and second chambers are connected via the substrate transfer chamber. First
A substrate processing apparatus capable of transporting a substrate from the first chamber to the second chamber, wherein the substrate processing apparatus transports the substrate from the first chamber to the second chamber. The first chamber and the substrate transfer chamber are evacuated in advance, and then the first chamber and the substrate transfer chamber are communicated with each other so that the substrate can be transferred from the first chamber to the substrate transfer chamber. After transferring the substrate to the transfer chamber, an inert gas is introduced into the substrate transfer chamber, or the first chamber communicates with the substrate transfer chamber, and the substrate is transferred from the first chamber to the substrate transfer chamber. After the substrate can be transported or after transporting the substrate to the substrate transport chamber, the substrate transport chamber is evacuated and then an inert gas is introduced into the substrate transport chamber, and then the substrate transport chamber is evacuated. And thereafter, communicates the substrate transfer chamber with the second chamber. Was a substrate processing apparatus is characterized in that so as to transport the substrate to the second chamber and is provided.
【００１２】また、請求項２によれば、前記第１の室か
ら前記第２の室に前記基板を搬送する際に、前記第１の
室と前記基板搬送室とをそれぞれ予め真空排気しておき
その後前記第１の室と前記基板搬送室とを連通させて前
記第１の室から前記基板搬送室に前記基板が搬送可能な
状態にした後または前記基板搬送室に前記基板を搬送し
た後前記基板搬送室に不活性ガスを導入し、その後、前
記基板搬送室を真空排気し、その後、前記基板搬送室と
前記第２の室とを連通させて前記基板を前記第２の室に
搬送するようにしたことを特徴とする請求項１記載の基
板処理装置が提供される。According to the second aspect, when transferring the substrate from the first chamber to the second chamber, the first chamber and the substrate transfer chamber are each evacuated beforehand. After that, after the first chamber and the substrate transfer chamber are communicated with each other so that the substrate can be transferred from the first chamber to the substrate transfer chamber, or after the substrate is transferred to the substrate transfer chamber. An inert gas is introduced into the substrate transfer chamber, and then the substrate transfer chamber is evacuated, and then the substrate transfer chamber and the second chamber are communicated to transfer the substrate to the second chamber. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
【００１３】上記のように、基板搬送室をまず真空排気
しておき、その後不活性ガスを導入し、その後再び基板
搬送室を真空排気することにより、第１の室から基板搬
送室に混入した不純物や反応副生成物等の濃度を急速に
下げることができる。その結果、装置を高スループット
なものとすることができる。しかも、第２の室に基板を
搬入する際に、第１の室から基板搬送室に混入する不純
物や反応副生成物等によって第２の室が汚染されること
を防止でき、高歩留まりな装置が実現できる。As described above, the substrate transfer chamber is first evacuated, then an inert gas is introduced, and then the substrate transfer chamber is evacuated again. The concentration of impurities and reaction by-products can be rapidly reduced. As a result, the device can have high throughput. In addition, when the substrate is carried into the second chamber, the second chamber can be prevented from being contaminated by impurities, reaction by-products, and the like mixed into the substrate transfer chamber from the first chamber, and a high-yield apparatus can be obtained. Can be realized.
【００１４】また、請求項３によれば、前記第１および
第２の室が真空室であることを特徴とする請求項１また
は２記載の基板処理装置が提供される。According to a third aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, wherein the first and second chambers are vacuum chambers.
【００１５】また、請求項４によれば、前記第１の室が
ロードロック室であり、前記第２の室が基板処理室であ
ることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置が提供
される。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the third aspect, wherein the first chamber is a load lock chamber, and the second chamber is a substrate processing chamber. Is done.
【００１６】また、請求項５によれば、前記第１および
第２の室が基板処理室であることを特徴とする請求項３
記載の基板処理装置が提供される。According to a fifth aspect of the present invention, the first and second chambers are substrate processing chambers.
A substrate processing apparatus as described above is provided.
【００１７】また、請求項６によれば、基板搬送室と、
前記基板搬送室に並列に連結されたロードロック室およ
び基板処理室とを備え、前記基板搬送室を介して前記ロ
ードロック室から前記基板処理室に基板を搬送可能な基
板処理装置であって、前記ロードロック室から前記基板
処理室に前記基板を搬送する際に、前記ロードロック室
を真空排気し、その後、前記ロードロック室に不活性ガ
スを導入し、その後、前記ロードロック室を真空排気
し、その後、前記ロードロック室と前記基板搬送室とを
連通させて前記ロードロック室から前記基板搬送室に前
記基板が搬送可能な状態にしまたは前記基板搬送室に前
記基板を搬送し、その後、前記基板搬送室を介して前記
基板を前記基板処理室に搬送するようにしたことを特徴
とする基板処理装置が提供される。Further, according to claim 6, a substrate transfer chamber,
A substrate processing apparatus comprising a load lock chamber and a substrate processing chamber connected in parallel to the substrate transfer chamber, and capable of transferring a substrate from the load lock chamber to the substrate processing chamber via the substrate transfer chamber, When transferring the substrate from the load lock chamber to the substrate processing chamber, the load lock chamber is evacuated, and then an inert gas is introduced into the load lock chamber, and then the load lock chamber is evacuated. Then, the load lock chamber and the substrate transfer chamber are communicated with each other so that the substrate can be transferred from the load lock chamber to the substrate transfer chamber or the substrate is transferred to the substrate transfer chamber. A substrate processing apparatus is provided, wherein the substrate is transferred to the substrate processing chamber via the substrate transfer chamber.
【００１８】このように、ロードロック室をまず真空排
気しておき、その後不活性ガスを導入し、その後再びロ
ードロック室を真空排気することにより、装置外部の大
気中からロードロック室に混入した酸素、水分等の不純
物等の濃度を急速に下げることができる。その結果、装
置を高スループットなものとすることができる。また、
ロードロック室から基板搬送室に混入する不純物等の濃
度を下げることができるので、基板処理室に基板を搬入
する際に、ロードロック室から基板搬送室に混入する不
純物等によって基板処理室が汚染されることを防止で
き、高歩留まりな装置が実現できる。さらに、通常はロ
ードロック室の容積は基板搬送室の容積よりも小さいの
で、基板搬送室において真空排気−不活性ガス導入−真
空排気を行って不純物等を除去するよりもロードロック
室で真空排気−不活性ガス導入−真空排気を行って不純
物等を除去するほうがより効率的に行える。As described above, the load lock chamber is evacuated first, an inert gas is introduced thereinto, and then the load lock chamber is evacuated again. The concentration of impurities such as oxygen and moisture can be rapidly reduced. As a result, the device can have high throughput. Also,
Since the concentration of impurities and the like mixed into the substrate transfer chamber from the load lock chamber can be reduced, when the substrate is carried into the substrate transfer chamber, the substrate processing chamber is contaminated by impurities and the like mixed into the substrate transfer chamber from the load lock chamber. Can be prevented, and a device with a high yield can be realized. Further, since the volume of the load lock chamber is usually smaller than the volume of the substrate transfer chamber, the load lock chamber is evacuated rather than performing vacuum evacuation, introduction of an inert gas, and vacuum evacuation in the substrate transfer chamber. -Introducing an inert gas-Evacuation to remove impurities and the like can be performed more efficiently.
【００１９】また、請求項７によれば、前記基板処理室
が、前記基板に成膜を行う成膜室、前記基板をエッチン
グするエッチング室、前記基板を予備加熱する予備加熱
室または前記基板の冷却を行う基板冷却室であることを
特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板処理
装置が提供される。Further, according to claim 7, the substrate processing chamber is a film forming chamber for forming a film on the substrate, an etching chamber for etching the substrate, a pre-heating chamber for pre-heating the substrate, or a pre-heating chamber for the substrate. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the substrate processing apparatus is a substrate cooling chamber that performs cooling.
【００２０】また、請求項８によれば、所定の圧力の不
活性ガスを所定の容量保持可能なガス溜めをさらに備
え、前記ガス溜めに保持された前記不活性ガスを前記基
板搬送室に導入することによって前記基板搬送室への前
記不活性ガスの導入を行い、または前記ガス溜めに保持
された前記不活性ガスを前記ロードロック室に導入する
ことによって前記ロードロック室への前記不活性ガスの
導入を行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか
に記載の基板処理装置が提供される。According to the present invention, a gas reservoir capable of holding a predetermined volume of an inert gas at a predetermined pressure is further provided, and the inert gas held in the gas reservoir is introduced into the substrate transfer chamber. The inert gas introduced into the load lock chamber by introducing the inert gas into the substrate transfer chamber, or by introducing the inert gas held in the gas reservoir into the load lock chamber. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7 is provided.
【００２１】このように、所定の圧力の不活性ガスを所
定の容量保持可能なガス溜めに保持された不活性ガスを
導入することによって、容易に正確な量の不活性ガスを
迅速に導入できる。As described above, by introducing an inert gas at a predetermined pressure into a gas reservoir capable of holding a predetermined volume, an accurate amount of the inert gas can be quickly and easily introduced. .
【００２２】また、請求項９によれば、基板搬送室と、
前記基板搬送室に並列に連結された第１および第２の室
とを備え、前記基板搬送室を介して前記第１の室から前
記第２の室に基板を搬送可能な基板処理装置を使用して
基板の処理を行う基板処理方法であって、前記第１の室
と前記基板搬送室とをそれぞれ予め真空排気しておきそ
の後前記第１の室と前記基板搬送室とを連通させて前記
第１の室から前記基板搬送室に前記基板が搬送可能な状
態にした後または前記基板搬送室に前記基板を搬送した
後前記基板搬送室に不活性ガスを導入し、または前記第
１の室と前記基板搬送室とを連通させて前記第１の室か
ら前記基板搬送室に前記基板が搬送可能な状態にした後
または前記基板搬送室に前記基板を搬送した後前記基板
搬送室を真空排気しその後前記基板搬送室に不活性ガス
を導入する第１の工程と、その後、前記基板搬送室を真
空排気する第２の工程と、その後、前記基板搬送室と前
記第２の室とを連通させて前記基板を前記第２の室に搬
送する第３の工程とを備えることを特徴とする基板処理
方法が提供される。According to the ninth aspect, the substrate transfer chamber includes:
A substrate processing apparatus comprising: a first chamber and a second chamber connected in parallel to the substrate transfer chamber, and capable of transferring a substrate from the first chamber to the second chamber via the substrate transfer chamber. A substrate processing method for processing a substrate, wherein the first chamber and the substrate transfer chamber are each evacuated in advance, and then the first chamber and the substrate transfer chamber are communicated with each other. An inert gas is introduced into the substrate transfer chamber after the substrate can be transferred from the first chamber to the substrate transfer chamber, or after the substrate is transferred to the substrate transfer chamber, or the first chamber And the substrate transfer chamber are communicated with each other so that the substrate can be transferred from the first chamber to the substrate transfer chamber, or after the substrate is transferred to the substrate transfer chamber, the substrate transfer chamber is evacuated. And then introducing a first inert gas into the substrate transfer chamber. A second step of evacuating the substrate transfer chamber, and a third step of connecting the substrate transfer chamber and the second chamber and transferring the substrate to the second chamber. And a substrate processing method.
【００２３】また、請求項１０によれば、前記第１の工
程が、前記第１の室と前記基板搬送室とをそれぞれ予め
真空排気しておきその後前記第１の室と前記基板搬送室
とを連通させて前記第１の室から前記基板搬送室に前記
基板が搬送可能な状態にした後または前記基板搬送室に
前記基板を搬送した後前記基板搬送室に不活性ガスを導
入する工程であることを特徴とする請求項９記載の基板
処理方法が提供される。According to a tenth aspect, in the first step, the first chamber and the substrate transfer chamber are each evacuated beforehand, and then the first chamber and the substrate transfer chamber are evacuated. After introducing the inert gas into the substrate transfer chamber after allowing the substrate to be transferred from the first chamber to the substrate transfer chamber or by transferring the substrate to the substrate transfer chamber. The substrate processing method according to claim 9 is provided.
【００２４】上記のように、基板搬送室をまず真空排気
しておき、その後不活性ガスを導入し、その後再び基板
搬送室を真空排気することにより、第１の室から基板搬
送室に混入した不純物や反応副生成物等の濃度を急速に
下げることができる。その結果、高スループットで基板
処理を行うことができる。しかも、第２の室に基板を搬
入する際に、第１の室から基板搬送室に混入する不純物
や反応副生成物等によって第２の室が汚染されることを
防止でき、高歩留まりで基板処理を行うことができる。As described above, the substrate transfer chamber is first evacuated, then an inert gas is introduced, and then the substrate transfer chamber is evacuated again. The concentration of impurities and reaction by-products can be rapidly reduced. As a result, substrate processing can be performed with high throughput. In addition, when the substrate is carried into the second chamber, the second chamber can be prevented from being contaminated by impurities, reaction by-products, and the like mixed into the substrate transfer chamber from the first chamber. Processing can be performed.
【００２５】また、請求項１１によれば、前記第１およ
び第２の室が真空室であることを特徴とする請求項９ま
たは１０記載の基板処理方法が提供される。According to the eleventh aspect, there is provided the substrate processing method according to the ninth or tenth aspect, wherein the first and second chambers are vacuum chambers.
【００２６】また、請求項１２によれば、前記第１の室
がロードロック室であり、前記第２の室が基板処理室で
あることを特徴とする請求項１１記載の基板処理方法が
提供される。According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing method according to the eleventh aspect, wherein the first chamber is a load lock chamber, and the second chamber is a substrate processing chamber. Is done.
【００２７】また、請求項１３によれば、前記第１およ
び第２の室が基板処理室であることを特徴とする請求項
１１記載の基板処理方法が提供される。According to a thirteenth aspect, the substrate processing method according to the eleventh aspect is provided, wherein the first and second chambers are substrate processing chambers.
【００２８】また、請求項１４によれば、前記第２の工
程と前記第３の工程との間に、前記基板搬送室に不活性
ガスを導入しその後前記基板搬送室を真空排気する工程
をさらに少なくとも１回分備えることを特徴とする請求
項９乃至１３のいずれかに記載の基板処理方法が提供さ
れる。According to a fourteenth aspect, a step of introducing an inert gas into the substrate transfer chamber and then evacuating the substrate transfer chamber between the second step and the third step. The substrate processing method according to any one of claims 9 to 13, wherein the substrate processing method is provided at least once.
【００２９】このような工程をさらに備えることによっ
て、第１の室から基板搬送室に混入した不純物や反応副
生成物等の濃度を急速にさらに下げることができる。By further providing such a step, the concentration of impurities, reaction by-products, and the like mixed into the substrate transfer chamber from the first chamber can be further reduced rapidly.
【００３０】また、請求項１５によれば、基板搬送室
と、前記基板搬送室に並列に連結されたロードロック室
および基板処理室とを備え、前記基板搬送室を介して前
記ロードロック室から前記基板処理室に基板を搬送可能
な基板処理装置を使用して基板の処理を行う基板処理方
法であって、前記ロードロック室を真空排気する第１の
工程と、その後、前記ロードロック室に不活性ガスを導
入する第２の工程と、その後、前記ロードロック室を真
空排気する第３の工程と、その後、前記ロードロック室
と前記基板搬送室とを連通させて前記ロードロック室か
ら前記基板搬送室に前記基板が搬送可能な状態にしまた
は前記基板搬送室に前記基板を搬送する第４の工程と、
その後、前記基板搬送室を介して前記基板を前記基板処
理室に搬送する第５の工程とを備えることを特徴とする
基板処理方法が提供される。According to a fifteenth aspect, there is provided a substrate transfer chamber, a load lock chamber and a substrate processing chamber connected to the substrate transfer chamber in parallel, and the load lock chamber is connected to the substrate transfer chamber via the substrate transfer chamber. A substrate processing method for processing a substrate using a substrate processing apparatus capable of transporting a substrate to the substrate processing chamber, wherein a first step of evacuating the load lock chamber and thereafter, A second step of introducing an inert gas, and then a third step of evacuating the load lock chamber, and thereafter, connecting the load lock chamber and the substrate transfer chamber to the load lock chamber so that the load lock chamber communicates with the substrate transfer chamber. A fourth step of allowing the substrate to be transferred to the substrate transfer chamber or transferring the substrate to the substrate transfer chamber;
Thereafter, a fifth step of transferring the substrate to the substrate processing chamber via the substrate transfer chamber is provided.
【００３１】このように、ロードロック室をまず真空排
気し、その後不活性ガスを導入し、その後再びロードロ
ック室を真空排気することにより、装置外部の大気中か
らロードロック室に混入した酸素、水分等の不純物等の
濃度を急速に下げることができる。その結果、高スルー
プットで基板処理を行うことができる。また、ロードロ
ック室から基板搬送室に混入する不純物等の濃度を下げ
ることができるので、基板処理室に基板を搬入する際
に、ロードロック室から基板搬送室に混入する不純物等
によって基板処理室が汚染されることを防止でき、高歩
留まりで基板処理を行うことができる。さらに、通常は
ロードロック室の容積は基板搬送室の容積よりも小さい
ので、基板搬送室において真空排気−不活性ガス導入−
真空排気を行って不純物等を除去するよりもロードロッ
ク室で真空排気−不活性ガス導入−真空排気を行って不
純物等を除去するほうがより効率的に行える。As described above, the load lock chamber is first evacuated, then an inert gas is introduced, and then the load lock chamber is evacuated again. The concentration of impurities such as moisture can be rapidly reduced. As a result, substrate processing can be performed with high throughput. In addition, since the concentration of impurities and the like mixed into the substrate transfer chamber from the load lock chamber can be reduced, when the substrate is loaded into the substrate transfer chamber, the impurities and the like mixed into the substrate transfer chamber from the load lock chamber cause the substrate processing chamber. Can be prevented from being contaminated, and substrate processing can be performed at a high yield. Further, since the volume of the load lock chamber is usually smaller than the volume of the substrate transfer chamber, the vacuum evacuation in the substrate transfer chamber is performed.
It is more efficient to remove impurities and the like by performing evacuation, introduction of an inert gas, and evacuation in the load lock chamber than removing the impurities and the like by performing vacuum evacuation.
【００３２】また、請求項１６によれば、前記第３の工
程と前記第４の工程との間に、前記ロードロック室に不
活性ガスを導入しその後前記ロードロック室を真空排気
する工程をさらに少なくとも１回分備えることを特徴と
する請求項１５記載の基板処理方法が提供される。According to a sixteenth aspect, between the third step and the fourth step, a step of introducing an inert gas into the load lock chamber and thereafter evacuating the load lock chamber is performed. The substrate processing method according to claim 15, further comprising at least one time.
【００３３】このような工程をさらに備えることによっ
て、第１の室から基板搬送室に混入した不純物や反応副
生成物等の濃度を急速にさらに下げることができる。By further providing such a step, the concentration of impurities, reaction by-products, and the like mixed into the substrate transfer chamber from the first chamber can be rapidly reduced.
【００３４】また、請求項１７によれば、前記基板処理
室が、前記基板に成膜を行う成膜室、前記基板をエッチ
ングするエッチング室、前記基板を予備加熱する予備加
熱室または前記基板の冷却を行う基板冷却室であること
を特徴とする請求項９乃至１６のいずれかに記載の基板
処理方法が提供される。According to a seventeenth aspect, the substrate processing chamber is a film forming chamber for forming a film on the substrate, an etching chamber for etching the substrate, a preheating chamber for preheating the substrate, or a preheating chamber for the substrate. A substrate processing method according to any one of claims 9 to 16, wherein the substrate processing chamber is a cooling chamber for cooling.
【００３５】また、請求項１８によれば、所定の圧力の
不活性ガスを所定の容量保持可能なガス溜めに保持され
た前記不活性ガスを前記基板搬送室に導入することによ
って前記基板搬送室への前記不活性ガスの導入を行い、
または所定の圧力の不活性ガスを所定の容量保持可能な
ガス溜めに保持された前記不活性ガスを前記ロードロッ
ク室に導入することによって前記ロードロック室への前
記不活性ガスの導入を行うことを特徴とする請求項９乃
至１７のいずれかに記載の基板処理方法が提供される。According to the eighteenth aspect, the inert gas at a predetermined pressure is introduced into the substrate transfer chamber by introducing the inert gas held in a gas reservoir capable of holding a predetermined capacity. Into the inert gas,
Alternatively, introducing the inert gas into the load lock chamber by introducing the inert gas held in a gas reservoir capable of holding an inert gas at a predetermined pressure to a predetermined capacity into the load lock chamber. A substrate processing method according to any one of claims 9 to 17, characterized in that it is provided.
【００３６】このように、所定の圧力の不活性ガスを所
定の容量保持可能なガス溜めに保持された不活性ガスを
導入することによって、容易に正確な量の不活性ガスを
迅速に導入できる。As described above, by introducing the inert gas at a predetermined pressure into the gas reservoir capable of holding the predetermined volume, an accurate amount of the inert gas can be quickly and easily introduced. .
【００３７】また、請求項１９によれば、第１および第
２の室を備え、前記第１の室から前記第２の室に基板を
搬送可能な基板搬送装置であって、前記第１の室から前
記第２の室に前記基板を搬送する際に、前記第１の室を
真空排気し、その後、前記第１の室に不活性ガスを導入
し、その後、前記第１の室を真空排気し、その後、前記
第１の室と前記第２の室とを連通させて前記第１の室か
ら前記第２の室に前記基板を搬送するようにしたことを
特徴とする基板搬送装置が提供される。According to a nineteenth aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer apparatus having first and second chambers, and capable of transferring a substrate from the first chamber to the second chamber. When transferring the substrate from the chamber to the second chamber, the first chamber is evacuated, and then an inert gas is introduced into the first chamber, and then the first chamber is evacuated. Exhausting, and thereafter, the first chamber and the second chamber are communicated with each other to transfer the substrate from the first chamber to the second chamber. Provided.
【００３８】また、請求項２０によれば、第１および第
２の室を備え、前記第１の室から前記第２の室に基板を
搬送可能な基板搬送装置を使用する基板搬送方法であっ
て、前記第１の室を真空排気する工程と、その後、前記
第１の室に不活性ガスを導入する工程と、その後、前記
第１の室を真空排気する工程と、その後、前記第１の室
と前記第２の室とを連通させて前記第１の室から前記第
２の室に前記基板を搬送する工程とを備えることを特徴
とする基板搬送方法が提供される。According to a twentieth aspect, there is provided a substrate transfer method using a substrate transfer device having first and second chambers and capable of transferring a substrate from the first chamber to the second chamber. Evacuation of the first chamber, then introducing an inert gas into the first chamber, evacuation of the first chamber, and then evacuation of the first chamber. And transferring the substrate from the first chamber to the second chamber by communicating the first chamber with the second chamber.
【００３９】上記のように、第１の室をまず真空排気
し、その後不活性ガスを導入し、その後再び第１の室を
真空排気することにより、第１の室に混入した不純物や
反応副生成物等の濃度を急速に下げることができる。そ
の結果、装置を高スループットなものとすることがで
き、また高スループットで基板処理をすることができ
る。しかも、第２の室に基板を搬入する際に、第１の室
から基板搬送室に混入する不純物や反応副生成物等によ
って第２の室が汚染されることを防止でき、高歩留まり
な装置が実現でき、また高歩留まりで基板処理を行うこ
とができる。As described above, the first chamber is first evacuated, then an inert gas is introduced, and then the first chamber is again evacuated to thereby remove impurities and reaction by-products mixed into the first chamber. The concentration of products and the like can be rapidly reduced. As a result, the apparatus can have high throughput, and substrate processing can be performed at high throughput. In addition, when the substrate is carried into the second chamber, the second chamber can be prevented from being contaminated by impurities, reaction by-products, and the like mixed into the substrate transfer chamber from the first chamber, and a high-yield apparatus can be obtained. And substrate processing can be performed with a high yield.
【００４０】[0040]
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態を図
面を参照して説明する。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００４１】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態の基板処理装置を説明するための概略横
断面図である。(First Embodiment) FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【００４２】本実施の形態の基板処理装置１００は、基
板搬送室１、基板本処理室２、基板予備加熱室３および
ロードロック室４を備えている。基板本処理室２におい
ては、プラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤおよびスパッタ成膜
等の成膜処理や、ドライエッチング等のエッチング処理
等の基板の処理が行われる。The substrate processing apparatus 100 of this embodiment includes a substrate transfer chamber 1, a main substrate processing chamber 2, a substrate preheating chamber 3, and a load lock chamber 4. In the main substrate processing chamber 2, substrate processing such as plasma CVD, low-pressure CVD, and film formation processing such as sputter film formation and etching processing such as dry etching is performed.
【００４３】基板搬送室１に、基板本処理室２、基板予
備加熱室３およびロードロック室４が真空室用の隔離弁
５、６および７をそれぞれ介して並列に連結されてい
る。基板搬送室１内には、基板搬送ロボット８が設けら
れている。A main substrate processing chamber 2, a substrate preheating chamber 3, and a load lock chamber 4 are connected to the substrate transfer chamber 1 in parallel via vacuum chamber isolation valves 5, 6, and 7, respectively. A substrate transfer robot 8 is provided in the substrate transfer chamber 1.
【００４４】基板搬送室１、基板本処理室２、基板予備
加熱室３およびロードロック室４の各室には、各々独立
の真空排気機構２１、２２、２３および２４をそれぞれ
接続しており、ロードロック室４以外は常時真空排気さ
れている。Each of the substrate transfer chamber 1, the main substrate processing chamber 2, the substrate preheating chamber 3, and the load lock chamber 4 is connected to an independent vacuum exhaust mechanism 21, 22, 23 and 24, respectively. The chambers other than the load lock chamber 4 are constantly evacuated.
【００４５】基板搬送室１には、不活性ガス導入機構３
０が接続されている。不活性ガス導入機構３０は、レギ
ュレータ１５、ガス導入弁１１、１２、配管１３、圧力
計１４を備えている。ガス導入弁１１、１２それらの間
に挟まれた配管１３および配管１３に接続された圧力計
１４によってガス溜め１０が構成されている。The substrate transfer chamber 1 has an inert gas introduction mechanism 3
0 is connected. The inert gas introduction mechanism 30 includes a regulator 15, gas introduction valves 11 and 12, piping 13, and a pressure gauge 14. A gas reservoir 10 is constituted by a pipe 13 sandwiched between the gas introduction valves 11 and 12 and a pressure gauge 14 connected to the pipe 13.
【００４６】ガス導入弁１２を閉じ、ガス導入弁１１を
開いた状態でレギュレータ１５から不活性ガスを供給
し、圧力計１４が所定の圧力を示すと、ガス導入弁１１
を閉じることによって、ガス溜め１０に所定の圧力の不
活性ガスを所定の容量保持することができる。その後、
ガス導入弁１２を開くことによって、容易に正確な量の
不活性ガスを基板搬送室１に迅速に導入できる。An inert gas is supplied from a regulator 15 with the gas introduction valve 12 closed and the gas introduction valve 11 opened, and when the pressure gauge 14 shows a predetermined pressure, the gas introduction valve 11 is closed.
By closing, the inert gas at a predetermined pressure can be held in the gas reservoir 10 at a predetermined volume. afterwards,
By opening the gas introduction valve 12, an accurate amount of the inert gas can be easily and quickly introduced into the substrate transfer chamber 1.
【００４７】本実施の形態の基板処理装置１００におい
ては、基板は次のようにして処理される。In the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, a substrate is processed as follows.
【００４８】まず、基板搬送室１、基板本処理室２、基
板予備加熱室３の各室は、各々独立の真空排気機構２
１、２２、２３によりそれぞれ常時真空排気されてい
る。First, each of the substrate transfer chamber 1, the main substrate processing chamber 2, and the substrate preheating chamber 3 is provided with an independent vacuum exhaust mechanism 2.
The pumps 1, 22, and 23 are constantly evacuated.
【００４９】この状態で、大気中の基板を大気圧状態の
ロードロック室４内に取り込み、その後ロードロック室
４を真空排気機構２４により真空排気する。その後、ロ
ードロック室４内の基板を、真空搬送ロボット８により
基板搬送室１を通過して基板予備加熱室３に搬入し、基
板の予備加熱処理を行う。In this state, the substrate in the atmosphere is taken into the load lock chamber 4 under the atmospheric pressure, and the load lock chamber 4 is evacuated by the evacuation mechanism 24. Thereafter, the substrate in the load lock chamber 4 is carried by the vacuum transfer robot 8 through the substrate transfer chamber 1 into the substrate pre-heating chamber 3, where the substrate is pre-heated.
【００５０】その後、同様に基板予備加熱室３内の基板
を基板本処理室２に搬送し成膜、エッチング等の所定の
処理を行い、再びロードロック室４に搬入し大気中に払
い出す。Thereafter, similarly, the substrate in the substrate preheating chamber 3 is transported to the main substrate processing chamber 2 and subjected to predetermined processing such as film formation and etching, and is again carried into the load lock chamber 4 and discharged to the atmosphere.
【００５１】このような処理方法において、本実施の形
態においては、ロードロック室４から予備加熱室３への
基板の搬送、予備加熱室３から基板本処理室２への基板
の搬送、および基板本処理室２からロードロック室４へ
の基板の搬送の際に、不活性ガス導入機構３０と真空排
気機構２１とを利用して基板搬送室１の不活性ガスによ
る回分パージを行なって、汚染物質の高速除去を行う。In such a processing method, in this embodiment, the transfer of the substrate from the load lock chamber 4 to the preheating chamber 3, the transfer of the substrate from the preheating chamber 3 to the main processing chamber 2, When the substrate is transferred from the main processing chamber 2 to the load lock chamber 4, the inert gas introduction mechanism 30 and the vacuum exhaust mechanism 21 are used to perform batch purging of the substrate transfer chamber 1 with the inert gas, thereby contaminating the substrate. High-speed removal of substances.
【００５２】より具体的には、次のようにして行う。な
お、次において、ロードロック室４から予備加熱室３へ
の基板の搬送の場合には、基板を取り出す室（チャン
バ）はロードロック室４であり、基板を受け取る室（チ
ャンバ）は予備加熱室３である。予備加熱室３から基板
本処理室２への基板の搬送の場合には、基板を取り出す
チャンバは予備加熱室３であり、基板を受け取るチャン
バは基板本処理室２である。また、基板本処理室２から
ロードロック室４への基板の搬送の場合には、基板を取
り出すチャンバは基板本処理室２であり、基板を受け取
るチャンバはロードロック室４である。More specifically, it is performed as follows. In the following, in the case of transferring the substrate from the load lock chamber 4 to the preheating chamber 3, the chamber (chamber) for taking out the substrate is the load lock chamber 4, and the chamber (chamber) for receiving the substrate is the preheating chamber. 3. In the case of transferring a substrate from the preheating chamber 3 to the main substrate processing chamber 2, the chamber for taking out the substrate is the preheating chamber 3, and the chamber for receiving the substrate is the main substrate processing chamber 2. In the case of transferring a substrate from the main substrate processing chamber 2 to the load lock chamber 4, the chamber for taking out the substrate is the main substrate processing chamber 2, and the chamber for receiving the substrate is the load lock chamber 4.
【００５３】工程１） まず、基板搬送室１、基板を取
り出す室（チャンバ）および基板を受け取る室（チャン
バ）を真空引きしておく。この場合には、基板搬送室１
と基板を取り出すチャンバとの間の隔離弁および基板搬
送室１と基板を受け取るチャンバとの間の隔離弁は閉じ
ておく。Step 1) First, the substrate transfer chamber 1, the chamber (chamber) for taking out the substrate, and the chamber (chamber) for receiving the substrate are evacuated. In this case, the substrate transfer chamber 1
The isolation valve between the substrate transfer chamber 1 and the chamber for receiving the substrate and the isolation valve between the substrate transfer chamber 1 and the chamber for receiving the substrate are closed.
【００５４】工程２） 一方では、ガス導入弁１２を閉
じた状態でガス導入弁１１を開きガス溜め１０内に不活
性ガス（例えばＮ2 、Ａｒ、Ｈｅ）を導入し、圧力計１
４及びレギュレータ１５で所定の圧力に調節する。余分
に不活性ガスが導入されないようにガス導入弁１１を閉
める。Step 2) On the other hand, with the gas introduction valve 12 closed, the gas introduction valve 11 is opened and an inert gas (eg, N 2 , Ar, He) is introduced into the gas reservoir 10 and the pressure gauge 1
4 and the regulator 15 are adjusted to a predetermined pressure. The gas introduction valve 11 is closed so that extra inert gas is not introduced.
【００５５】工程３） その後、基板を取り出すチャン
バー側の隔離弁を開き、基板搬送ロボット８を用いて、
基板を基板搬送室１内に搬入する。Step 3) Thereafter, the isolation valve on the chamber side for taking out the substrate is opened, and the substrate transport robot 8 is used to open the isolation valve.
The substrate is carried into the substrate transfer chamber 1.
【００５６】工程４） その後、ガス導入弁１２を開き
基板搬送室１内に不活性ガスを導入し、汚染物質を希釈
し、隔離弁を閉じる。Step 4) Thereafter, the gas introduction valve 12 is opened, an inert gas is introduced into the substrate transfer chamber 1, the contaminants are diluted, and the isolation valve is closed.
【００５７】工程５） その後、ガス導入弁１２を閉じ
て基板搬送室１内を真空排気機構２１により高真空まで
排気する。Step 5) Thereafter, the gas introduction valve 12 is closed, and the inside of the substrate transfer chamber 1 is evacuated to a high vacuum by the vacuum evacuation mechanism 21.
【００５８】工程６） その後、ガス導入弁１１を開き
ガス溜め１０に新たな不活性ガスを充填する。Step 6) Thereafter, the gas introduction valve 11 is opened, and the gas reservoir 10 is filled with a new inert gas.
【００５９】工程７） その後、基板を受け取るチャン
バー側の隔離弁を開き、基板を基板搬送ロボット８で基
板搬送室から搬出する。Step 7) Thereafter, the isolation valve on the chamber receiving the substrate is opened, and the substrate is unloaded from the substrate transfer chamber by the substrate transfer robot 8.
【００６０】工程８） その後、隔離弁を閉じる。Step 8) Thereafter, the isolation valve is closed.
【００６１】工程９） その後、ガス導入弁１２を開き
基板搬送室１内に不活性ガスを導入する。Step 9) Thereafter, the gas introduction valve 12 is opened to introduce an inert gas into the substrate transfer chamber 1.
【００６２】工程１０） その後、ガス導入弁１２を閉
じて基板搬送室１内を真空排気機構２１により高真空ま
で排気する。Step 10) Thereafter, the gas introduction valve 12 is closed, and the inside of the substrate transfer chamber 1 is evacuated to a high vacuum by the vacuum exhaust mechanism 21.
【００６３】工程１１） その後、ガス導入弁１１を開
きガス溜め１０に新たな不活性ガスを充填する。なお、
基板を取り出すチャンバーは、チャンバー内を大気圧に
戻すとき以外は、真空引きされている。Step 11) Thereafter, the gas introduction valve 11 is opened, and the gas reservoir 10 is filled with a new inert gas. In addition,
The chamber from which the substrate is taken out is evacuated except when the inside of the chamber is returned to the atmospheric pressure.
【００６４】工程１２） その後、工程３）に戻る。Step 12) Thereafter, the flow returns to step 3).
【００６５】なお、基板搬送時に、隔離弁を開けたまま
基板の入れ替えを行うような装置においては、上記基板
の搬入、搬出は、基板の入れ替えで統一され、工程７）
から工程４）にもどる流れとなる。In an apparatus in which the substrates are exchanged while the isolation valve is open during the transportation of the substrates, the loading and unloading of the substrates are unified by the exchange of the substrates.
And the flow returns to step 4).
【００６６】本実施の形態では、上記のように、予め基
板搬送室１を真空排気しておき、その後基板搬送室１に
不活性ガスを導入し、その後再び基板搬送室１を真空排
気し、その後に基板を受け取るチャンバー側の隔離弁を
開き基板を基板搬送ロボット８で基板搬送室から基板を
受け取るチャンバーに搬送しているので、ロードロック
室４から予備加熱室３へ基板を搬送する場合に基板取り
込み時にロードロック室４内に混入する酸素、水分等の
不純物、または基板予備加熱中に基板予備加熱室３にお
いて発生する酸素、水分等の不純物が基板搬送時に基板
本処理室２内を汚染し素子特性の劣化を引き起こすこと
が防止され、また、基板本処理室２内の残留反応性ガス
や基板処理に伴う副生成物が、基板搬送時に基板搬送室
１内を汚染し、パーティクル発生の原因となることも防
止される。In this embodiment, as described above, the substrate transfer chamber 1 is evacuated in advance, then an inert gas is introduced into the substrate transfer chamber 1, and then the substrate transfer chamber 1 is evacuated again. After that, the isolation valve on the chamber side for receiving the substrate is opened and the substrate is transferred from the substrate transfer chamber to the chamber for receiving the substrate by the substrate transfer robot 8, so that the substrate is transferred from the load lock chamber 4 to the preheating chamber 3. Impurities such as oxygen and moisture mixed in the load lock chamber 4 when the substrate is taken in, or impurities such as oxygen and moisture generated in the substrate preheating chamber 3 during the substrate preheating contaminate the inside of the main substrate processing chamber 2 during the transfer of the substrate. In addition, it is possible to prevent the deterioration of the device characteristics, and to prevent the residual reactive gas in the main substrate processing chamber 2 and by-products accompanying the substrate processing from contaminating the inside of the substrate transport chamber 1 at the time of transporting the substrate. It also prevented causing Tcl generated.
【００６７】そして、本実施の形態では、予め基板搬送
室１を真空排気しておき、その後基板搬送室１に不活性
ガスを導入し、その後再び基板搬送室１を真空排気する
ので、基板搬送室１内の汚染物質を高速に除去すること
ができ、その結果、装置のスループットを高めることが
できる。In this embodiment, the substrate transfer chamber 1 is evacuated in advance, an inert gas is introduced into the substrate transfer chamber 1, and then the substrate transfer chamber 1 is evacuated again. Contaminants in the chamber 1 can be removed at high speed, and as a result, the throughput of the apparatus can be increased.
【００６８】本実施の形態においては、上記のように、
不活性ガス導入機構３０と真空排気機構２１とを利用し
て基板搬送室１の不活性ガスによる回分パージを行なっ
て、汚染物質の高速除去を行った。ここで、不活性ガス
による回分パージとは、ある室を予め真空排気してお
き、その後その室に不活性ガスを導入し、その後再びそ
の室を真空排気すること、ならびに、その後その室への
不活性ガスの導入およびその室の真空排気を繰り返すこ
とをいう。このようにすれば、室内を単純に真空排気し
続けるよりも、迅速に室内の不純物濃度を下げることが
できる。上記本実施の形態においては、室を予め真空排
気しておきその後その室に不活性ガスを導入しその後再
びその室を真空排気するという１サイクルの回分パージ
を行ったが、その後、その室への不活性ガスの導入およ
びその室の真空排気を繰り返すことにより、さらに、不
純物濃度を減少させることができる。In the present embodiment, as described above,
Using the inert gas introduction mechanism 30 and the vacuum evacuation mechanism 21, batch purging of the substrate transfer chamber 1 with the inert gas was performed to remove contaminants at high speed. Here, batch purging with an inert gas means that a certain chamber is evacuated in advance, then an inert gas is introduced into the chamber, and then the chamber is evacuated again. This refers to repeating the introduction of an inert gas and the evacuation of the chamber. This makes it possible to quickly reduce the impurity concentration in the room, as compared with simply evacuating the room. In the above-described embodiment, the chamber is evacuated in advance, then an inert gas is introduced into the chamber, and then the chamber is evacuated again to perform one cycle of batch purging. By repeating the introduction of the inert gas and the evacuation of the chamber, the impurity concentration can be further reduced.
【００６９】図２は、本発明の実施の形態における基板
搬送室１内の圧力変動を説明するための図である。回分
パージにより、Ｎ2 等の不活性ガスを導入し、続いて真
空排気することによって、１０3 倍の圧力差が、３回起
きており、汚染物質を含むガスが１０9 倍の容量の清浄
な不活性ガスにより薄められたことになり、よって汚染
物質量としては１０-9倍に低減する。FIG. 2 is a diagram for explaining pressure fluctuation in the substrate transfer chamber 1 according to the embodiment of the present invention. The batch purge, by introducing an inert gas such as N 2, followed by vacuum evacuation, the pressure difference 10 3 times, and occurs three times, cleaning gas is 10 9 times the volume containing pollutants Therefore, the amount of contaminants is reduced to 10 -9 times.
【００７０】（第２の実施の形態）図３は、本発明の第
２の実施の形態の基板処理装置を説明するための概略横
断面図である。(Second Embodiment) FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【００７１】上述の第１の実施の形態では基板搬送室１
に不活性ガス導入機構３０を接続して基板搬送室１の回
分パージを行ったが、本実施の形態では、ロードロック
室４に不活性ガス導入機構３０を接続して、この不活性
ガス導入機構３０と真空排気機構２４とによりロードロ
ック室４の回分パージを行う点が第１の実施の形態と異
なるが、他の点は同様である。なお、この回分パージ
は、ロードロック室４から予備加熱室３に基板を搬送す
る際に行う。In the above-described first embodiment, the substrate transfer chamber 1
In this embodiment, the inert gas introduction mechanism 30 is connected to the load lock chamber 4, and the inert gas introduction mechanism 30 is connected to the load lock chamber 4. The point that the load lock chamber 4 is subjected to batch purging by the mechanism 30 and the evacuation mechanism 24 is different from the first embodiment, but the other points are the same. The batch purge is performed when the substrate is transferred from the load lock chamber 4 to the preheating chamber 3.
【００７２】より具体的には、次のようにして行う。More specifically, the operation is performed as follows.
【００７３】工程１） まず、基板搬送室１、基板本処
理室２、基板予備加熱室３を真空引きしておく。この場
合には、隔離弁５、６、７は閉じておく。Step 1) First, the substrate transfer chamber 1, the main substrate processing chamber 2, and the substrate preheating chamber 3 are evacuated. In this case, the isolation valves 5, 6, 7 are closed.
【００７４】工程２） 一方では、ガス導入弁１２を閉
じた状態でガス導入弁１１を開きガス溜め１０内に不活
性ガスを導入し、圧力計１４及びレギュレータ１５で所
定の圧力に調節する。余分に不活性ガスが導入されない
ようにガス導入弁１１を閉めておく。Step 2) On the other hand, while the gas introduction valve 12 is closed, the gas introduction valve 11 is opened to introduce an inert gas into the gas reservoir 10, and the pressure is adjusted to a predetermined pressure by the pressure gauge 14 and the regulator 15. The gas introduction valve 11 is closed so that extra inert gas is not introduced.
【００７５】工程３） その後、ロードロック室４に基
板処理装置２００の外部の大気中から基板を搬入する。Step 3) Thereafter, the substrate is loaded into the load lock chamber 4 from the atmosphere outside the substrate processing apparatus 200.
【００７６】工程４） その後、ロードロック室４を真
空排気機構２４によって真空排気する。Step 4) Thereafter, the load lock chamber 4 is evacuated by the evacuation mechanism 24.
【００７７】工程５） その後、ガス導入弁１２を開き
ロードロック室４１内に不活性ガスを導入し、汚染物質
を希釈する。Step 5) After that, the gas introduction valve 12 is opened to introduce an inert gas into the load lock chamber 41 to dilute the pollutants.
【００７８】工程６） その後、ロードロック室４を真
空排気機構２４によって真空排気する。一方では、ガス
溜め１０内に不活性ガスを溜めておく。Step 6) Thereafter, the load lock chamber 4 is evacuated by the evacuation mechanism 24. On the other hand, an inert gas is stored in the gas reservoir 10.
【００７９】工程７） その後、ガス導入弁１２を開き
ロードロック室４１内に不活性ガスを導入し、その後、
ロードロック室４を真空排気機構２４によって真空排気
する。必要に応じて、この工程７）を所定回数繰り返
す。場合によっては、この工程７）を省略してもよい。Step 7) Thereafter, the gas introduction valve 12 is opened to introduce an inert gas into the load lock chamber 41.
The load lock chamber 4 is evacuated by the evacuation mechanism 24. If necessary, this step 7) is repeated a predetermined number of times. In some cases, this step 7) may be omitted.
【００８０】工程８） その後、隔離弁７を開き、基板
搬送ロボット８を用いて、基板を基板搬送室１内に搬入
する。Step 8) Thereafter, the isolation valve 7 is opened, and the substrate is transferred into the substrate transfer chamber 1 using the substrate transfer robot 8.
【００８１】工程９） その後、隔離弁７を閉じる。Step 9) Thereafter, the isolation valve 7 is closed.
【００８２】工程１０） その後、隔離弁６を開け、基
板を基板搬送ロボット８で基板搬送室１から予備加熱室
３に搬入する。Step 10) Thereafter, the isolation valve 6 is opened, and the substrate is transferred from the substrate transfer chamber 1 to the preheating chamber 3 by the substrate transfer robot 8.
【００８３】工程１１） その後、隔離弁６を閉じる。Step 11) Thereafter, the isolation valve 6 is closed.
【００８４】このように、ロードロック室４をまず真空
排気し、その後不活性ガスを導入し、その後再びロード
ロック室４を真空排気することにより、装置外部の大気
中からロードロック室４に混入した酸素、水分等の不純
物等の濃度を急速に下げることができる。その結果、高
スループットで基板処理を行うことができる。また、ロ
ードロック室から基板搬送室４に混入する不純物等の濃
度を下げることができるので、予備加熱室３に基板を搬
入する際に、ロードロック室４から基板搬送室１に混入
する不純物等によって予備加熱室３が汚染されることを
防止でき、また、基板搬送室１の汚染も防止できるので
予備加熱後基板本処理室２に基板を搬送する際の基板搬
送室１からの汚染の混入も防止でき、その結果、高歩留
まりで基板処理を行うことができる。さらに、通常はロ
ードロック室４の容積は基板搬送室１の容積よりも小さ
い（例えば、約１／１０）ので、基板搬送室１において
真空排気−不活性ガス導入−真空排気を行って不純物等
を除去するよりもロードロック室４で真空排気−不活性
ガス導入−真空排気を行って不純物等を除去するほうが
より効率的に行え、パージ時間が少なくて済むか、もし
くは、より汚染物質の低減を図ることができる。As described above, the load lock chamber 4 is first evacuated, then an inert gas is introduced, and then the load lock chamber 4 is evacuated again. The concentration of impurities such as oxygen and moisture can be rapidly reduced. As a result, substrate processing can be performed with high throughput. Further, since the concentration of impurities and the like mixed in the substrate transfer chamber 4 from the load lock chamber can be reduced, the impurities and the like mixed in the substrate transfer chamber 1 from the load lock chamber 4 when the substrate is carried into the preheating chamber 3. Contamination of the pre-heating chamber 3 and contamination of the substrate transfer chamber 1 can be prevented, so that contamination from the substrate transfer chamber 1 when transferring a substrate to the main substrate processing chamber 2 after pre-heating can be prevented. As a result, substrate processing can be performed with a high yield. Furthermore, since the volume of the load lock chamber 4 is usually smaller than the volume of the substrate transfer chamber 1 (for example, about 1/10), the substrate transfer chamber 1 is evacuated, introduced with an inert gas, and evacuated to perform impurities, It is more efficient to remove the impurities and the like by performing evacuation, introduction of an inert gas, and evacuation in the load lock chamber 4 than in the case of removing the impurities, and the purging time can be reduced, or the pollutants can be further reduced. Can be achieved.
【００８５】なお、本実施の形態においては、ロードロ
ック室４から予備加熱室３への基板の搬送の際に、ロー
ドック室４内の回分パージを行ったが、第１の実施の形
態のように、基板搬送室１にも不活性ガス導入機構を連
結させて、予備加熱室３から基板本処理室２への基板の
搬送に基板搬送室１に連結した不活性ガス導入機構と真
空排気機構２１とを利用して基板搬送室１の不活性ガス
による回分パージを行なえば、基板予備加熱中に基板予
備加熱室３において発生する酸素、水分等の不純物が基
板搬送時に基板本処理室２内を汚染し素子特性の劣化を
引き起こすことが防止され、また、基板本処理室２から
ロードロック室４への基板の搬送の際に、基板搬送室１
に連結した不活性ガス導入機構と真空排気機構２１とを
利用して基板搬送室１の不活性ガスによる回分パージを
行なえば、基板本処理室２内の残留反応性ガスや基板処
理に伴う副生成物が、基板搬送時に基板搬送室１内を汚
染し、パーティクル発生の原因となることも防止され
る。In this embodiment, when the substrate is transferred from the load lock chamber 4 to the preliminary heating chamber 3, the batch purge in the load lock chamber 4 is performed. However, as in the first embodiment. In addition, an inert gas introduction mechanism is also connected to the substrate transfer chamber 1, and an inert gas introduction mechanism and a vacuum exhaust mechanism connected to the substrate transfer chamber 1 for transferring a substrate from the preheating chamber 3 to the main substrate processing chamber 2. By performing batch purging of the substrate transfer chamber 1 with an inert gas using the step 21, impurities such as oxygen and moisture generated in the substrate pre-heating chamber 3 during the substrate pre-heating can be generated in the substrate main processing chamber 2 during the substrate transfer. Is prevented from contaminating the substrate and deteriorating the element characteristics. Further, when the substrate is transferred from the main processing chamber 2 to the load lock chamber 4, the substrate transfer chamber 1
When the batch purging with the inert gas in the substrate transfer chamber 1 is performed using the inert gas introduction mechanism and the vacuum exhaust mechanism 21 connected to the substrate, the residual reactive gas in the main substrate processing chamber 2 and the secondary gas accompanying the substrate processing are removed. The product is also prevented from contaminating the inside of the substrate transfer chamber 1 during the transfer of the substrate and causing the generation of particles.
【００８６】なお、本発明の基板処理装置および基板処
理方法は、基板としてＳｉウェハ等の半導体ウェーハや
液晶表示素子形成用のガラス基板等を用いる場合に、特
に好適に用いられる。The substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention are particularly preferably used when a semiconductor wafer such as a Si wafer or a glass substrate for forming a liquid crystal display element is used as the substrate.
【００８７】[0087]
【発明の効果】以上に説明したように本発明を用いれ
ば、基板搬送室内またはロードロック室内の汚染物質を
高速で除去することができるようになり、高歩留まり、
高スループットの基板処理装置が実現でき、また、高歩
留まり、高スループットで基板処理ができるようにな
る。As described above, according to the present invention, the contaminants in the substrate transfer chamber or the load lock chamber can be removed at high speed, and the yield can be increased.
A high-throughput substrate processing apparatus can be realized, and high-yield, high-throughput substrate processing can be performed.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】本発明の第１の実施の形態の基板処理装置を説
明するための概略横断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態における基板搬送室内の圧
力変動を説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining pressure fluctuation in a substrate transfer chamber according to the embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２の実施の形態の基板処理装置を説
明するための概略横断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図４】従来の基板処理装置を説明するための概略横断
面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining a conventional substrate processing apparatus.
１…基板搬送室 ２…基板本処理室 ３…基板予備加熱室 ４…ロードロック室 ５、６、７…隔離弁 ８…基板搬送ロボット １０…ガス溜め １１、１２…ガス導入弁 １３…配管 １４…圧力計 １５…レギュレータ ２１、２２、２３、２４…真空排気機構 ３０…不活性ガス導入機構 １００、２００、３００…基板処理装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate transfer chamber 2 ... Substrate main processing chamber 3 ... Substrate preheating chamber 4 ... Load lock chamber 5, 6, 7 ... Isolation valve 8 ... Substrate transfer robot 10 ... Gas reservoir 11, 12 ... Gas introduction valve 13 ... Piping 14 ... pressure gauge 15 ... regulators 21, 22, 23, 24 ... vacuum evacuation mechanism 30 ... inert gas introduction mechanism 100, 200, 300 ... substrate processing apparatus
Claims (20)
結された第１および第２の室とを備え、前記基板搬送室
を介して前記第１の室から前記第２の室に基板を搬送可
能な基板処理装置であって、 前記第１の室から前記第２の室に前記基板を搬送する際
に、 前記第１の室と前記基板搬送室とをそれぞれ予め真空排
気しておきその後前記第１の室と前記基板搬送室とを連
通させて前記第１の室から前記基板搬送室に前記基板が
搬送可能な状態にした後または前記基板搬送室に前記基
板を搬送した後前記基板搬送室に不活性ガスを導入し、
または前記第１の室と前記基板搬送室とを連通させて前
記第１の室から前記基板搬送室に前記基板が搬送可能な
状態にした後または前記基板搬送室に前記基板を搬送し
た後前記基板搬送室を真空排気しその後前記基板搬送室
に不活性ガスを導入し、 その後、前記基板搬送室を真空排気し、 その後、前記基板搬送室と前記第２の室とを連通させて
前記基板を前記第２の室に搬送するようにしたことを特
徴とする基板処理装置。A first transfer chamber connected to the substrate transfer chamber in parallel with the first transfer chamber; a first transfer chamber connected to the first transfer chamber and a second transfer chamber connected to the first transfer chamber; A substrate processing apparatus capable of transporting a substrate, wherein when the substrate is transported from the first chamber to the second chamber, the first chamber and the substrate transport chamber are each pre-evacuated. After that, after the first chamber and the substrate transfer chamber are communicated with each other so that the substrate can be transferred from the first chamber to the substrate transfer chamber, or after the substrate is transferred to the substrate transfer chamber. Introducing an inert gas into the substrate transfer chamber,
Or after connecting the first chamber and the substrate transfer chamber to make the substrate transferable from the first chamber to the substrate transfer chamber, or after transferring the substrate to the substrate transfer chamber, The substrate transfer chamber is evacuated and then an inert gas is introduced into the substrate transfer chamber. Thereafter, the substrate transfer chamber is evacuated, and then the substrate transfer chamber and the second chamber are communicated with each other so that the substrate is removed. Wherein the substrate is transferred to the second chamber.
を搬送する際に、 前記第１の室と前記基板搬送室とをそれぞれ予め真空排
気しておきその後前記第１の室と前記基板搬送室とを連
通させて前記第１の室から前記基板搬送室に前記基板が
搬送可能な状態にした後または前記基板搬送室に前記基
板を搬送した後前記基板搬送室に不活性ガスを導入し、 その後、前記基板搬送室を真空排気し、 その後、前記基板搬送室と前記第２の室とを連通させて
前記基板を前記第２の室に搬送するようにしたことを特
徴とする請求項１記載の基板処理装置。2. When the substrate is transferred from the first chamber to the second chamber, the first chamber and the substrate transfer chamber are each evacuated beforehand, and then the first chamber is evacuated. And the substrate transfer chamber are communicated with each other so that the substrate can be transferred from the first chamber to the substrate transfer chamber, or after the substrate is transferred to the substrate transfer chamber, the substrate transfer chamber is inactive. A gas is introduced, and thereafter, the substrate transfer chamber is evacuated, and thereafter, the substrate transfer chamber is communicated with the second chamber to transfer the substrate to the second chamber. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein
とを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。3. A substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said first and second chambers are vacuum chambers.
記第２の室が基板処理室であることを特徴とする請求項
３記載の基板処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein said first chamber is a load lock chamber, and said second chamber is a substrate processing chamber.
ることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。5. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein said first and second chambers are substrate processing chambers.
結されたロードロック室および基板処理室とを備え、前
記基板搬送室を介して前記ロードロック室から前記基板
処理室に基板を搬送可能な基板処理装置であって、 前記ロードロック室から前記基板処理室に前記基板を搬
送する際に、 前記ロードロック室を真空排気し、 その後、前記ロードロック室に不活性ガスを導入し、 その後、前記ロードロック室を真空排気し、 その後、前記ロードロック室と前記基板搬送室とを連通
させて前記ロードロック室から前記基板搬送室に前記基
板が搬送可能な状態にしまたは前記基板搬送室に前記基
板を搬送し、 その後、前記基板搬送室を介して前記基板を前記基板処
理室に搬送するようにしたことを特徴とする基板処理装
置。6. A substrate transfer chamber, a load lock chamber and a substrate processing chamber connected in parallel to the substrate transfer chamber, wherein a substrate is transferred from the load lock chamber to the substrate processing chamber via the substrate transfer chamber. A transferable substrate processing apparatus, wherein when transferring the substrate from the load lock chamber to the substrate processing chamber, the load lock chamber is evacuated, and then an inert gas is introduced into the load lock chamber. After that, the load lock chamber is evacuated, and then the load lock chamber and the substrate transfer chamber are communicated with each other so that the substrate can be transferred from the load lock chamber to the substrate transfer chamber, or the substrate transfer is performed. A substrate processing apparatus, wherein the substrate is transported to a chamber, and then the substrate is transported to the substrate processing chamber via the substrate transport chamber.
成膜室、前記基板をエッチングするエッチング室、前記
基板を予備加熱する予備加熱室または前記基板の冷却を
行う基板冷却室であることを特徴とする請求項１乃至６
のいずれかに記載の基板処理装置。7. The substrate processing chamber may be a film forming chamber for forming a film on the substrate, an etching chamber for etching the substrate, a preheating chamber for preheating the substrate, or a substrate cooling chamber for cooling the substrate. 7. The method according to claim 1, wherein:
A substrate processing apparatus according to any one of the above.
可能なガス溜めをさらに備え、前記ガス溜めに保持され
た前記不活性ガスを前記基板搬送室に導入することによ
って前記基板搬送室への前記不活性ガスの導入を行い、
または前記ガス溜めに保持された前記不活性ガスを前記
ロードロック室に導入することによって前記ロードロッ
ク室への前記不活性ガスの導入を行うことを特徴とする
請求項１乃至７のいずれかに記載の基板処理装置。8. The substrate transfer chamber further comprising a gas reservoir capable of holding a predetermined volume of inert gas at a predetermined pressure, and introducing the inert gas held in the gas reservoir into the substrate transfer chamber. Into the inert gas,
8. The method according to claim 1, wherein the inert gas is introduced into the load lock chamber by introducing the inert gas held in the gas reservoir into the load lock chamber. The substrate processing apparatus according to any one of the preceding claims.
結された第１および第２の室とを備え、前記基板搬送室
を介して前記第１の室から前記第２の室に基板を搬送可
能な基板処理装置を使用して基板の処理を行う基板処理
方法であって、 前記第１の室と前記基板搬送室とをそれぞれ予め真空排
気しておきその後前記第１の室と前記基板搬送室とを連
通させて前記第１の室から前記基板搬送室に前記基板が
搬送可能な状態にした後または前記基板搬送室に前記基
板を搬送した後前記基板搬送室に不活性ガスを導入し、
または前記第１の室と前記基板搬送室とを連通させて前
記第１の室から前記基板搬送室に前記基板が搬送可能な
状態にした後または前記基板搬送室に前記基板を搬送し
た後前記基板搬送室を真空排気しその後前記基板搬送室
に不活性ガスを導入する第１の工程と、 その後、前記基板搬送室を真空排気する第２の工程と、 その後、前記基板搬送室と前記第２の室とを連通させて
前記基板を前記第２の室に搬送する第３の工程とを備え
ることを特徴とする基板処理方法。9. A semiconductor device comprising: a substrate transfer chamber; and first and second chambers connected in parallel to the substrate transfer chamber, wherein the first chamber is connected to the second chamber via the substrate transfer chamber. A substrate processing method for processing a substrate using a substrate processing apparatus capable of transporting a substrate, wherein the first chamber and the substrate transport chamber are each evacuated beforehand, and then the first chamber is After the substrate is transferred to the substrate transfer chamber from the first chamber by communicating with the substrate transfer chamber, or after the substrate is transferred to the substrate transfer chamber, an inert gas is supplied to the substrate transfer chamber. And introduced
Or after connecting the first chamber and the substrate transfer chamber to make the substrate transferable from the first chamber to the substrate transfer chamber, or after transferring the substrate to the substrate transfer chamber, A first step of evacuating the substrate transfer chamber and then introducing an inert gas into the substrate transfer chamber; a second step of evacuating the substrate transfer chamber; and And a third step of transferring the substrate to the second chamber while communicating with the second chamber.
気しておきその後前記第１の室と前記基板搬送室とを連
通させて前記第１の室から前記基板搬送室に前記基板が
搬送可能な状態にした後または前記基板搬送室に前記基
板を搬送した後前記基板搬送室に不活性ガスを導入する
工程であることを特徴とする請求項９記載の基板処理方
法。10. The first step, wherein the first chamber and the substrate transfer chamber are each evacuated beforehand, and then the first chamber and the substrate transfer chamber are communicated with each other to form the first chamber. A step of introducing an inert gas into the substrate transfer chamber after the substrate can be transferred from the chamber to the substrate transfer chamber or after transferring the substrate to the substrate transfer chamber. Item 10. The substrate processing method according to Item 9.
ことを特徴とする請求項９または１０記載の基板処理方
法。11. The substrate processing method according to claim 9, wherein said first and second chambers are vacuum chambers.
前記第２の室が基板処理室であることを特徴とする請求
項１１記載の基板処理方法。12. The first chamber is a load lock chamber.
The substrate processing method according to claim 11, wherein the second chamber is a substrate processing chamber.
あることを特徴とする請求項１１記載の基板処理方法。13. The substrate processing method according to claim 11, wherein said first and second chambers are substrate processing chambers.
に、 前記基板搬送室に不活性ガスを導入しその後前記基板搬
送室を真空排気する工程をさらに少なくとも１回分備え
ることを特徴とする請求項９乃至１３のいずれかに記載
の基板処理方法。14. The method according to claim 14, further comprising at least one step of introducing an inert gas into the substrate transfer chamber and then evacuating the substrate transfer chamber between the second step and the third step. The substrate processing method according to any one of claims 9 to 13, wherein:
連結されたロードロック室および基板処理室とを備え、
前記基板搬送室を介して前記ロードロック室から前記基
板処理室に基板を搬送可能な基板処理装置を使用して基
板の処理を行う基板処理方法であって、 前記ロードロック室を真空排気する第１の工程と、 その後、前記ロードロック室に不活性ガスを導入する第
２の工程と、 その後、前記ロードロック室を真空排気する第３の工程
と、 その後、前記ロードロック室と前記基板搬送室とを連通
させて前記ロードロック室から前記基板搬送室に前記基
板が搬送可能な状態にしまたは前記基板搬送室に前記基
板を搬送する第４の工程と、 その後、前記基板搬送室を介して前記基板を前記基板処
理室に搬送する第５の工程とを備えることを特徴とする
基板処理方法。15. A semiconductor device comprising: a substrate transfer chamber; a load lock chamber and a substrate processing chamber connected in parallel to the substrate transfer chamber;
A substrate processing method for processing a substrate using a substrate processing apparatus capable of transporting a substrate from the load lock chamber to the substrate processing chamber via the substrate transport chamber, the method further comprising evacuating the load lock chamber. Step 1, a second step of introducing an inert gas into the load lock chamber, a third step of evacuating the load lock chamber, and then transporting the load lock chamber and the substrate. A fourth step of bringing the substrate into a transferable state from the load lock chamber to the substrate transfer chamber by transferring the substrate to the substrate transfer chamber or transferring the substrate to the substrate transfer chamber; and A fifth step of transferring the substrate to the substrate processing chamber.
に、 前記ロードロック室に不活性ガスを導入しその後前記ロ
ードロック室を真空排気する工程をさらに少なくとも１
回分備えることを特徴とする請求項１５記載の基板処理
方法。16. At least one step of introducing an inert gas into the load lock chamber and then evacuating the load lock chamber between the third step and the fourth step.
The substrate processing method according to claim 15, wherein the substrate processing method is provided.
う成膜室、前記基板をエッチングするエッチング室、前
記基板を予備加熱する予備加熱室または前記基板の冷却
を行う基板冷却室であることを特徴とする請求項９乃至
１６のいずれかに記載の基板処理方法。17. The substrate processing chamber may be a deposition chamber for forming a film on the substrate, an etching chamber for etching the substrate, a preheating chamber for preheating the substrate, or a substrate cooling chamber for cooling the substrate. 17. The substrate processing method according to claim 9, wherein:
持可能なガス溜めに保持された前記不活性ガスを前記基
板搬送室に導入することによって前記基板搬送室への前
記不活性ガスの導入を行い、または所定の圧力の不活性
ガスを所定の容量保持可能なガス溜めに保持された前記
不活性ガスを前記ロードロック室に導入することによっ
て前記ロードロック室への前記不活性ガスの導入を行う
ことを特徴とする請求項９乃至１７のいずれかに記載の
基板処理方法。18. Introducing the inert gas held in a gas reservoir capable of holding a predetermined pressure of an inert gas at a predetermined pressure into the substrate transfer chamber to transfer the inert gas to the substrate transfer chamber. Introducing the inert gas at a predetermined pressure into the load lock chamber by introducing the inert gas held in a gas reservoir capable of holding a predetermined volume of the inert gas into the load lock chamber. 18. The substrate processing method according to claim 9, wherein introduction is performed.
室から前記第２の室に基板を搬送可能な基板搬送装置で
あって、 前記第１の室から前記第２の室に前記基板を搬送する際
に、 前記第１の室を真空排気し、 その後、前記第１の室に不活性ガスを導入し、 その後、前記第１の室を真空排気し、 その後、前記第１の室と前記第２の室とを連通させて前
記第１の室から前記第２の室に前記基板を搬送するよう
にしたことを特徴とする基板搬送装置。19. A substrate transfer apparatus, comprising: a first chamber and a second chamber, capable of transferring a substrate from the first chamber to the second chamber, wherein the substrate is transferred from the first chamber to the second chamber. When the substrate is transferred to the first chamber, the first chamber is evacuated, and then an inert gas is introduced into the first chamber. Thereafter, the first chamber is evacuated. A substrate transfer device, wherein the substrate is transferred from the first chamber to the second chamber by communicating the first chamber with the second chamber.
室から前記第２の室に基板を搬送可能な基板搬送装置を
使用する基板搬送方法であって、 前記第１の室を真空排気する工程と、 その後、前記第１の室に不活性ガスを導入する工程と、 その後、前記第１の室を真空排気する工程と、 その後、前記第１の室と前記第２の室とを連通させて前
記第１の室から前記第２の室に前記基板を搬送する工程
とを備えることを特徴とする基板搬送方法。20. A substrate transfer method using a substrate transfer device having first and second chambers and capable of transferring a substrate from the first chamber to the second chamber, wherein the first chamber is provided. Evacuation of the gas; then introducing an inert gas into the first chamber; evacuation of the first chamber; and then evacuation of the first chamber and the second chamber. Transporting the substrate from the first chamber to the second chamber by communicating with a chamber.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1345298A JP3361986B2 (en) | 1998-01-07 | 1998-01-07 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1345298A JP3361986B2 (en) | 1998-01-07 | 1998-01-07 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204616A true JPH11204616A (en) | 1999-07-30 |
| JP3361986B2 JP3361986B2 (en) | 2003-01-07 |
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ID=11833545
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1345298A Expired - Lifetime JP3361986B2 (en) | 1998-01-07 | 1998-01-07 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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| JP (1) | JP3361986B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008034740A (en) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Load lock device, substrate processing apparatus and substrate processing system equipped therewith |
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-
1998
- 1998-01-07 JP JP1345298A patent/JP3361986B2/en not_active Expired - Lifetime
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