JPH11204316A - Manufacture of chip-type resistor and structure of board used therefor - Google Patents

Manufacture of chip-type resistor and structure of board used therefor

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Publication number
JPH11204316A
JPH11204316A JP10006459A JP645998A JPH11204316A JP H11204316 A JPH11204316 A JP H11204316A JP 10006459 A JP10006459 A JP 10006459A JP 645998 A JP645998 A JP 645998A JP H11204316 A JPH11204316 A JP H11204316A
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JP
Japan
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substrate
material substrate
rod
shaped
insulating
Prior art date
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Application number
JP10006459A
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Japanese (ja)
Inventor
Takafumi Katsuno
尊文 勝野
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH11204316A publication Critical patent/JPH11204316A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the manufacturing cost of a chip-type resistor by making defective products mixed in conforming products easily sortable, when many chip-type resistors or multiple chip type resistors are manufactured from a single board. SOLUTION: When extra insulating substrates 2' which become defective products are integrally provided at both ends of bar-like boards in each of which a plurality of insulating substrates 2 are formed integrally side by side, of a board A, slit-like through-holes A6 are drilled through the board A between each bar-like board and through the parts of the extra insulating substrates 2'. Consequently, the formation of side-face electrodes constituting terminal electrodes 5 (upper electrodes 5a and side-face electrodes) of chip-type resistors (or multiple chip type resistors) on the side faces 2a and 2b' of the substrates 2' can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、一つのチップ型絶
縁基板に一つの抵抗膜を形成して成るチップ型抵抗器と
か、或いは、一つのチップ型絶縁基板に複数個の抵抗膜
を形成して成る多連のチップ型抵抗器を製造する方法、
及び、その製造に際して使用する素材基板の構造に関す
るものである。
The present invention relates to a chip type resistor in which one resistive film is formed on one chip type insulating substrate, or a plurality of resistive films formed in one chip type insulating substrate. A method of manufacturing a series of chip resistors comprising:
Further, the present invention relates to a structure of a material substrate used for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、前記したチップ型抵抗器1は、
図1に示すように、チップ型の絶縁基板2の上面に、一
つの抵抗膜3及びこれを覆う黒色のカバーコート4を形
成する一方、前記絶縁基板2の左右両側面部に、前記抵
抗膜3の両端に対する端子電極5(但し、この両端子電
極5は、絶縁基板2の上面に形成した導電ペースト製の
上面電極5aと、絶縁基板2の左右両側面2a,2bに
形成した導電ペースト製の側面電極5b、及び、これら
上面電極5a及び側面電極5bの表面にニッケルメッキ
層を下地として半田又は錫メッキ層を形成した金属メッ
キ層とによって構成される)を形成すると言うように構
成されている。
2. Description of the Related Art Generally, the above-mentioned chip type resistor 1 has
As shown in FIG. 1, one resistive film 3 and a black cover coat 4 covering the resistive film 3 are formed on the upper surface of a chip-type insulating substrate 2, while the resistive film 3 is formed on both left and right side portions of the insulating substrate 2. (The two terminal electrodes 5 are electrically conductive paste upper electrodes 5a formed on the upper surface of the insulating substrate 2 and the conductive paste upper electrodes 5a and 2b formed on the left and right side surfaces 2a and 2b of the insulating substrate 2). And a metal plating layer formed by forming a solder or tin plating layer with a nickel plating layer as a base on the surfaces of the upper surface electrode 5a and the side electrode 5b. .

【0003】また、前記した多連のチップ型抵抗器11
は、図2に示すように、チップ型の絶縁基板12の上面
に、複数個の抵抗膜13及びこれを覆う黒色のカバーコ
ート14を形成する一方、前記絶縁基板12の左右両側
面部に、前記各抵抗膜13の各々の両端に対する複数個
の端子電極15(但し、この両端子電極15は、絶縁基
板12の上面に形成した導電ペースト製の上面電極15
aと、絶縁基板12の左右両側面12a,12bに形成
した導電ペースト製の側面電極15b、及び、これら上
面電極15a及び側面電極15bの表面にニッケルメッ
キ層を下地として半田又は錫メッキ層を形成した金属メ
ッキ層とによって構成される)を形成すると言うように
構成されている。
In addition, the aforementioned multiple chip type resistors 11
As shown in FIG. 2, a plurality of resistive films 13 and a black cover coat 14 covering the resistive films 13 are formed on an upper surface of a chip-type insulating substrate 12, and the left and right side surfaces of the insulating substrate 12 A plurality of terminal electrodes 15 for both ends of each resistive film 13 (however, these two terminal electrodes 15 are electrically conductive paste upper surface electrodes 15 formed on the upper surface of the insulating substrate 12)
a, a side electrode 15b made of conductive paste formed on the left and right side surfaces 12a and 12b of the insulating substrate 12, and a solder or tin plating layer formed on the surface of the upper electrode 15a and the side electrode 15b with a nickel plating layer as a base. (Formed of a metal plating layer).

【0004】そして、前記チップ型抵抗器1の製造に際
して、従来は、以下に述べるような方法が採用されてい
る(特開昭56−148804号公報等を参照)。すな
わち、先づ、図15に示すように、前記絶縁基板2の多
数個を横方向に並べて一体化して棒状素材基板A1に
し、更に、この棒状素材基板A1の複数本を並べて一体
化して成る素材基板Aを用意する。
In the manufacture of the chip resistor 1, the following method has conventionally been employed (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-148804). First, as shown in FIG. 15, a plurality of the insulating substrates 2 are arranged side by side in the horizontal direction and integrated to form a rod-shaped material substrate A1, and further, a plurality of the rod-shaped material substrates A1 are arranged and integrated. A substrate A is prepared.

【0005】なお、前記素材基板Aの周囲には、余白部
A2,A3が一体的に設けられ、また、素材基板Aの表
面には、当該素材基板Aを、前記各棒状素材基板A1ご
とにブレイクするための複数本の縦ブレイク溝A4と、
前記各棒状素材基板A1を、各絶縁基板2ごとにブレイ
クするための複数本の横ブレイク溝A5とが刻設されて
いる。
[0005] Margins A2 and A3 are integrally provided around the material substrate A, and the material substrate A is provided on the surface of the material substrate A for each of the bar-shaped material substrates A1. A plurality of vertical break grooves A4 for breaking;
A plurality of horizontal break grooves A5 for breaking each rod-shaped material substrate A1 for each insulating substrate 2 are engraved.

【0006】次いで、前記素材基板Aの表面のうち前記
各絶縁基板2の部分に、図16に示すように、抵抗膜3
を形成したのち、図17に示すように、導電ペースト製
の上面電極5aを形成する。更に、前記素材基板Aの表
面のうち前記各絶縁基板2の部分に、前記各抵抗膜3に
対してトリミング調整を施したのち、図17に二点鎖線
で示すように、各抵抗膜3を覆う黒色のカバーコート4
を形成する。
Next, as shown in FIG. 16, a resistive film 3 is formed on the surface of the material substrate A on each of the insulating substrates 2.
Then, as shown in FIG. 17, an upper surface electrode 5a made of a conductive paste is formed. Further, after performing trimming adjustment for each of the resistance films 3 on a portion of each of the insulating substrates 2 on the surface of the material substrate A, as shown by a two-dot chain line in FIG. Black cover coat 4
To form

【0007】次いで、前記素材基板Aを、その周囲にお
ける各余白部A2,A3を除去したのち、各縦ブレイク
溝A4に沿って、図18に示すように、各棒状素材基板
A1ごとにブレイクする。そして、この棒状素材基板A
1における左右両長手側面、つまり、当該棒状素材基板
A1の各絶縁基板2における左右両側面2a,2bに対
して、図19に示すように、導電ペースト製の側面電極
5bを形成したのち、この棒状素材基板A1を、各横ブ
レイク溝A5に沿って、各絶縁基板2ごとにブレイクす
る。
Then, after removing the blank portions A2 and A3 around the material substrate A, the material substrate A is broken along the vertical break grooves A4 for each bar-shaped material substrate A1 as shown in FIG. . And this rod-shaped material substrate A
As shown in FIG. 19, side electrodes 5b made of conductive paste are formed on both left and right long side surfaces in FIG. 1, that is, on both right and left side surfaces 2a and 2b of each insulating substrate 2 of the rod-shaped material substrate A1. The rod-shaped material substrate A1 is broken for each insulating substrate 2 along each horizontal break groove A5.

【0008】次いで、この絶縁基板2の多数個に対して
バレルメッキ処理を施すことにより、各絶縁基板2にお
ける両上面電極5a及び両側面電極5bの表面に、下地
としてのニッケルメッキ層を含む金属メッキ層を形成し
て、図1に示すチップ型抵抗器1とする。ところで、前
記棒状素材基板A1における両長手側面、つまり、当該
棒状素材基板A1の各絶縁基板2における左右両側面2
a,2bに対して導電ペースト製の側面電極5bを形成
するに際して、従来は、例えば、特公平3−52201
号公報等に記載されているように、この棒状素材基板A
1における両長手側面、つまり、当該棒状素材基板A1
の各絶縁基板2における左右両側面2a,2bを、ロー
ラの表面に刻設され、且つ、導電ペーストを充填した長
溝内に押し込むことにより、この両長手側面2a,2b
に対して側面電極5b用の導電ペーストを塗着すると言
う方法が採用されている。
Next, by subjecting a large number of the insulating substrates 2 to a barrel plating process, a metal containing a nickel plating layer as a base is formed on the surface of both upper surface electrodes 5a and both side electrodes 5b of each insulating substrate 2. After forming a plating layer, the chip resistor 1 shown in FIG. 1 is obtained. Incidentally, both longitudinal side surfaces of the rod-shaped material substrate A1, that is, both right and left side surfaces 2 of each insulating substrate 2 of the rod-shaped material substrate A1.
In forming the side electrode 5b made of a conductive paste on a and 2b, conventionally, for example, Japanese Patent Publication No. 3-52201
As described in Japanese Patent Application Publication No.
1, that is, the rod-shaped material substrate A1
By pressing the left and right side surfaces 2a, 2b of each of the insulating substrates 2 into a long groove engraved on the surface of the roller and filled with a conductive paste, the two long side surfaces 2a, 2b are formed.
In this case, a method of applying a conductive paste for the side electrode 5b is adopted.

【0009】また、このように棒状素材基板A1におけ
る左右両長手側面、つまり、当該棒状素材基板A1の各
絶縁基板2における左右両側面2a,2bに対して導電
ペースト製の側面電極5bを形成するに際しては、この
棒状素材基板A1の両端部をクランクしなければならな
いことに加えて、この棒状素材基板A1がローラにおけ
る長溝に対してローラの軸線方向にずれることになり、
換言すると、棒状素材基板A1における左右両長手側面
2a,2bに対する長手方向に沿った導電ペーストの塗
着長さが左右両長手側面2a,2bの長手方向に沿って
ずれることになるから、側面電極5b用の導電ペースト
を、前記棒状素材基板A1における全ての絶縁基板2に
ついて均一に塗着することができない事態、つまり、棒
状素材基板A1における両端部における絶縁基板2に対
して側面電極5bう完全か形状で形成することが事態が
発生する。
Further, as described above, the side electrodes 5b made of conductive paste are formed on the left and right longitudinal sides of the rod-shaped substrate A1, that is, on the left and right sides 2a and 2b of each insulating substrate 2 of the rod-shaped substrate A1. In this case, in addition to cranking both ends of the rod-shaped material substrate A1, the rod-shaped material substrate A1 is shifted in the axial direction of the roller with respect to the long groove in the roller,
In other words, the length of the conductive paste applied to the left and right long side surfaces 2a and 2b of the rod-shaped material substrate A1 along the longitudinal direction is shifted in the longitudinal direction of the left and right long side surfaces 2a and 2b. A situation in which the conductive paste for 5b cannot be applied uniformly to all the insulating substrates 2 in the rod-shaped material substrate A1, that is, the side electrodes 5b are completely applied to the insulating substrates 2 at both ends of the rod-shaped material substrate A1. A situation arises in that it is formed in a shape.

【0010】そこで、従来は、前記絶縁基板2の複数個
を横に並べて一体化した棒状素材基板A1の両端に、捨
て絶縁基板2′を各々少なくとも一つずつ一体的に設け
て、この両端における少なくとも一つの捨て絶縁基板
2′にて、棒状素材基板A1をクランプすると共に、前
記両長手側面2a,2bに対する長手方向に沿った導電
ペーストの塗着長さのずれを吸収するようにしている。
Therefore, conventionally, at least one discarded insulating substrate 2 'is integrally provided at each end of a rod-shaped material substrate A1 in which a plurality of the insulating substrates 2 are arranged side by side and integrated. The bar-shaped material substrate A1 is clamped by at least one waste insulating substrate 2 ', and the deviation of the applied length of the conductive paste along the longitudinal direction with respect to the two longitudinal side surfaces 2a and 2b is absorbed.

【0011】なお、前記捨て絶縁基板2′には、その表
面に黒色のカバーコート4を形成する場合と、これを一
切形成しないと場合とがある。
The discarded insulating substrate 2 'has a case where a black cover coat 4 is formed on its surface and a case where it is not formed at all.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】この従来の方法は、前
記棒状素材基板A1のうちその両端に使用した各捨て絶
縁基板2′は、不良品であるから、この捨て絶縁基板
2′による不良品は、棒状素材基板A1を各絶縁基板2
及び各捨て絶縁基板2′ごとにブレイクしたあとにおい
て当該棒状素材基板A1のうち各絶縁基板2による良品
と分けるように選別しなければならない。
According to this conventional method, the discarded insulating substrates 2 'used at both ends of the rod-shaped material substrate A1 are defective. Means that the rod-shaped material substrate A1 is
After breaking each discarded insulating substrate 2 ', the rod-shaped material substrate A1 must be sorted so as to be distinguished from non-defective products by each insulating substrate 2.

【0013】そして、前記不良品になる捨て絶縁基板
2′における左右両側面に形成される側面電極5bに
は、棒状素材基板A1における左右両長手側面、つま
り、当該棒状素材基板A1の各絶縁基板2における左右
両側面2a,2bに対する長手方向に沿った導電ペース
トの塗着長さが左右両長手側面2a,2bの長手方向に
沿ってずれることに起因して、長い短いが発生すること
になり、側面電極5bが短い不良品の場合には、金属メ
ッキ処理によりこれに含まれる磁性体のニッケルが少な
い一方、良品は、その両端子電極5に磁性体であるニッ
ケルを多く含んでいることから、前記不良品と良品と
を、磁石を使用した選別装置によって、早い速度で能率
良く確実に高い精度で選別することができる。
The left and right longitudinal sides of the rod-shaped material substrate A1, ie, the insulating substrates of the rod-shaped material substrate A1, are applied to the side electrodes 5b formed on the left and right sides of the discarded insulating substrate 2 'which is defective. 2, the length of the conductive paste applied to the left and right side surfaces 2a and 2b along the longitudinal direction is shifted along the longitudinal direction of the left and right long side surfaces 2a and 2b. When the side electrode 5b is a defective product having a short side, the magnetic material contains a small amount of nickel in the magnetic material due to the metal plating process, while the non-defective product contains a large amount of the magnetic material nickel in both terminal electrodes 5. In addition, the defective product and the non-defective product can be efficiently and reliably sorted at a high speed at a high speed by a sorting device using a magnet.

【0014】しかし、その反面、捨て絶縁基板2′に対
して側面電極5bが長く形成される不良品の場合には、
金属メッキ処理により磁性体であるニッケルを多く含む
ことになるので、磁石を使用した選別装置に選別するこ
とができず、全ての絶縁基板2及び捨て絶縁基板2′に
ついて一つずつカメラで撮影してその画像を処理するこ
とにより、良否を判別するようにして選別しなければな
らず、早い速度で選別することができないから、チップ
型抵抗器の製造に要するコストがその分だけ可成りアッ
プするばかりか、選別するときの精度が低くて良品の部
品に不良品が多々混入すると言う問題があった。
However, on the other hand, in the case of a defective product in which the side electrode 5b is formed longer than the waste insulating substrate 2 ',
Since a large amount of nickel, which is a magnetic substance, is contained by the metal plating process, it is not possible to sort by a sorting device using a magnet, and all the insulating substrates 2 and the discarded insulating substrates 2 'are photographed one by one with a camera. By processing the image, it is necessary to make a selection so as to judge pass / fail, and it is not possible to select at a high speed, so that the cost required for manufacturing the chip type resistor is considerably increased by that much. In addition, there is a problem that the accuracy in sorting is low, and many defective products are mixed in non-defective components.

【0015】また、図2に示す多連のチップ型抵抗器1
1も、前記と同様な方法にて製造されているので、同様
の問題があった。本発明は、これらの問題を解消した製
造方法と、その製造方法に使用する素材基板の構造とを
提供することを技術的課題とするものである。
Also, a multiple chip type resistor 1 shown in FIG.
No. 1 was also manufactured by the same method as described above, and thus had the same problem. It is a technical object of the present invention to provide a manufacturing method which solves these problems and a structure of a material substrate used in the manufacturing method.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明の製造方法は、「チップ型絶縁基板の複数
個を横に並べて一体化すると共に両端の各々に少なくと
も一つの捨て絶縁基板を一体的に設けて成る棒状素材基
板の複数本を、互いに平行に並べて一体化して構成した
素材基板を製作する工程と、前記素材基板の表面のうち
各絶縁基板の箇所に抵抗膜、上面電極及びカバーコート
を形成する工程と、前記素材基板を、各棒状素材基板ご
とにブレイクする工程と、棒状素材基板における両長手
側面、つまり、当該棒状素材基板の各絶縁基板における
両側面に側面電極を形成する工程と、前記棒状素材基板
を、前記各絶縁基板及び捨て絶縁基板ごとにブレイクし
たのち、金属メッキ処理する工程とから成るチップ型抵
抗器の製造方法において、前記素材基板に、これに抵抗
膜等を形成する以前に、その各棒状素材基板の間のうち
捨て絶縁基板の部分にスリット状の貫通孔を棒状素材基
板の長手方向に沿って延びるように穿設することを特徴
とする。」また、本発明における素材基板の構造は、
「チップ型絶縁基板の複数個を横に並べて一体化すると
共に両端の各々に少なくとも一つの捨て絶縁基板を一体
的に設けて成る棒状素材基板の複数本を、互いに平行に
並べて一体化して構成した素材基板において、前記素材
基板のうち各棒状素材基板の間で、且つ、前記各捨て絶
縁基板の部分に、スリット状の貫通孔を棒状素材基板の
長手方向に沿って延びるように穿設する。」と言う構成
にした。
In order to achieve this technical object, a manufacturing method according to the present invention comprises the steps of integrating a plurality of chip-type insulating substrates side by side and integrating at least one discarded insulating substrate at each of both ends. A plurality of rod-shaped material substrates integrally provided with each other are arranged in parallel with each other to form a material substrate, and a resistive film and a top electrode are formed on each insulating substrate on the surface of the material substrate. And forming a cover coat, the step of breaking the material substrate for each rod-shaped material substrate, and both longitudinal side surfaces of the rod-shaped material substrate, that is, side electrodes on both side surfaces of each insulating substrate of the rod-shaped material substrate. Forming a rod-shaped material substrate, breaking the rod-shaped material substrate for each of the insulating substrate and the discarded insulating substrate, and then performing a metal plating process. Prior to forming a resistive film or the like on the material substrate, a slit-shaped through hole is formed in a portion of the discarded insulating substrate between the respective bar-shaped material substrates so as to extend along the longitudinal direction of the bar-shaped material substrate. The structure of the material substrate in the present invention is as follows.
"A plurality of chip-shaped insulating substrates are arranged side by side and integrated, and a plurality of rod-shaped material substrates integrally provided with at least one discarded insulating substrate at each of both ends are arranged in parallel and integrated with each other. In the material substrate, a slit-shaped through hole is formed between the respective rod-shaped material substrates in the material substrate and in each of the discarded insulating substrates so as to extend along the longitudinal direction of the rod-shaped material substrate. ".

【0017】[0017]

【発明の作用・効果】このように、素材基板に、これに
抵抗膜等を形成する以前に、その各棒状素材基板間のう
ち捨て絶縁基板の部分にスリット状の貫通孔を棒状素材
基板の長手方向に沿って延びるように穿設することによ
り、素材基板を各棒状素材基板ごとにブレイクしたと
き、この棒状素材基板の両端における各捨て絶縁基板の
左右両側面は、当該棒状素材基板における各絶縁基板の
左右両側面よりも、前記のようにスリット状の貫通孔を
設けた分だけ凹むことになるから、前記棒状素材基板の
左右両長手側面に対して側面電極を形成するに際して、
各捨て絶縁基板の左右両側面に対して、棒状素材基板に
おける左右両長手側面に対する長手方向に沿った導電ペ
ーストの塗着長さが左右両長手側面の長手方向に沿って
ずれることに起因して、側面電極が長い長さに形成され
ることを確実に回避でき、換言すると、前記各捨て絶縁
基板の左右両側面に形成される側面電極を極く短いもの
にすることができるのである。
As described above, before forming a resistive film or the like on the material substrate, a slit-shaped through hole is formed in the portion of the discarded insulating substrate between the respective rod-shaped material substrates in the longitudinal direction of the rod-shaped material substrate. When the material substrate is broken for each rod-shaped material substrate by drilling so as to extend along the direction, the left and right side surfaces of each discarded insulating substrate at both ends of the rod-shaped material substrate are each insulated in the rod-shaped material substrate. From the left and right side surfaces of the substrate, since it will be recessed by the amount provided with the slit-shaped through hole as described above, when forming side electrodes on both left and right long side surfaces of the rod-shaped material substrate,
For the left and right side surfaces of each discarded insulating substrate, the coating length of the conductive paste along the longitudinal direction with respect to the left and right long side surfaces of the rod-shaped substrate is shifted along the left and right long side surfaces. That is, it is possible to reliably prevent the side electrodes from being formed with a long length, in other words, it is possible to make the side electrodes formed on the left and right side surfaces of each of the waste insulating substrates extremely short.

【0018】この場合において、「請求項4」に記載し
たように、スリット状貫通孔の一端を、絶縁基板と捨て
絶縁基板との間におけるブレイク溝に連続することによ
り、各捨て絶縁基板の左右両側面に対して、側面電極が
形成されていることを一切回避でき、換言すると、前記
各捨て絶縁基板の左右両側面に形成される側面電極を皆
無にすることができるのである。
In this case, as described in claim 4, by connecting one end of the slit-shaped through hole to a break groove between the insulating substrate and the waste insulating substrate, the left and right sides of each waste insulating substrate are formed. The formation of side electrodes on both side surfaces can be avoided at all, in other words, the side electrodes formed on the left and right side surfaces of each of the waste insulating substrates can be completely eliminated.

【0019】すなわち、本発明によると、棒状素材基板
における左右長手側面に対して側面電極を形成するに際
して、当該棒状素材基板のうち両端の捨て絶縁基板の側
面に、側面電極が長い長さに形成されることを回避でき
るか、側面電極が形成されていることを一切回避でき、
ひいては、その後における金属メッキ処理に際して、前
記各捨て絶縁基板に磁性体のニッケルが多く含まれるこ
とを極く少量に止めることができるから、全く回避でき
ることにより、この捨て絶縁基板による不良品を、各絶
縁基板による良品と選別にする場合に、磁石を使用した
選別装置によって、早い速度で能率良く確実、且つ、高
い精度で選別することができるから、この分だけチップ
型抵抗器の製造コストを低減できると共に、良品の部品
に不良品が混入することを確実に低減できると言う効果
を有する。
That is, according to the present invention, when the side electrodes are formed on the left and right longitudinal side surfaces of the rod-shaped material substrate, the side electrodes are formed on the side surfaces of the discarded insulating substrates at both ends of the rod-shaped material substrate. Can be avoided, or the formation of the side electrode can be avoided at all,
In addition, in the subsequent metal plating process, it is possible to minimize the amount of magnetic nickel contained in each of the discarded insulating substrates to a very small amount. When sorting from non-defective products by using an insulating substrate, the sorting device using magnets enables fast, efficient, reliable and high-precision sorting, thus reducing the manufacturing cost of chip-type resistors. In addition to this, there is an effect that it is possible to surely reduce the possibility that a defective part is mixed into a good part.

【0020】また、「請求項3」に記載したように、捨
て絶縁基板における横幅寸法を、各絶縁基板における横
幅寸法と等しくか、略等しくすることにより、棒状素材
基板を各絶縁基板及び各捨て絶縁基板ごとにブレイクす
るときにおいて、各絶縁基板のうち捨て絶縁基板に隣接
する絶縁基板における横幅寸法が所定値よりも大きくな
る頻度を少なくなるから、不良品の発生率を低減できる
利点がある。
Further, as set forth in claim 3, by setting the width of the discarded insulating substrate equal to or substantially equal to the width of each of the insulating substrates, the rod-shaped material substrate is separated from each of the insulating substrates and each of the discarded substrates. When a break is performed for each insulating substrate, the frequency at which the width dimension of the insulating substrate adjacent to the waste insulating substrate among the insulating substrates becomes larger than a predetermined value is reduced, so that there is an advantage that the incidence of defective products can be reduced.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
について説明する。図3〜図11は、図1に示すチップ
型抵抗器を製造する場合の実施の形態である。この図に
おいて、符号Aは、セラミック製の素材基板を示し、こ
の素材基板Aは、図3に示すように、前記図1に示すチ
ップ型抵抗器1を構成する絶縁基板2の多数個を横方向
に並べて一体化して棒状素材基板A1にし、更に、この
棒状素材基板A1の複数本を並べて一体化して成るもの
で、この素材基板Aにおける各棒状素材基板A1の左右
両端の各々には、前記各絶縁基板2と同じ大きさの捨て
絶縁基板2′が少なくとも一つずつ一体的に設けられて
いる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 3 to 11 show an embodiment in the case where the chip resistor shown in FIG. 1 is manufactured. In this drawing, reference numeral A denotes a ceramic material substrate, and this material substrate A, as shown in FIG. 3, lays a large number of insulating substrates 2 constituting the chip resistor 1 shown in FIG. The rod-shaped material substrate A1 is arranged and integrated in a direction, and a plurality of the rod-shaped material substrates A1 are further arranged and integrated. At least one waste insulating substrate 2 'having the same size as each insulating substrate 2 is integrally provided.

【0022】なお、前記素材基板Aの周囲には、余白部
A2,A3が一体的に設けられ、また、素材基板Aの表
面には、当該素材基板Aを、前記各棒状素材基板A1ご
とにブレイクするための複数本の縦ブレイク溝A4と、
前記各棒状素材基板A1を、各絶縁基板2及び各捨て絶
縁基板2′ごとにブレイクするための複数本の横ブレイ
ク溝A5とが刻設されている。
In addition, margins A2 and A3 are integrally provided around the material substrate A, and the material substrate A is provided on the surface of the material substrate A for each of the bar-shaped material substrates A1. A plurality of vertical break grooves A4 for breaking;
A plurality of horizontal break grooves A5 for breaking each rod-shaped material substrate A1 for each insulating substrate 2 and each discarded insulating substrate 2 'are engraved.

【0023】この素材基板Aは、セラミックグリーンを
打ち抜きプレスしたのち、高い温度で焼成することによ
って製造されるもので、これをセラミックグリーンから
打ち抜きプレスするとき、同時に、当該素材基板Aのう
ち各棒状素材基板A1の間で、且つ、前記各捨て絶縁基
板2′の部分を、パンチにて幅Sのスリット状に打ち抜
くことにより、前記の部分に、スリット状の貫通孔A6
を棒状素材基板A1の長手方向に沿って延びるように穿
設する。
This material substrate A is manufactured by punching and pressing a ceramic green and then firing at a high temperature. By punching a portion of each waste insulating substrate 2 'between the material substrates A1 and a slit having a width S with a punch, a slit-shaped through hole A6 is formed in the portion.
Is formed so as to extend along the longitudinal direction of the rod-shaped material substrate A1.

【0024】そして、前記素材基板Aの表面のうち前記
各絶縁基板2の部分に、図4に示すように、抵抗膜3を
形成したのち、図5に示すように、導電ペースト製の上
面電極5aを形成する(なお、上面電極5aの方を先
に、抵抗膜3の方を後で形成するようにしても良い)。
更に、前記素材基板Aの表面のうち前記各絶縁基板2の
部分に、前記各抵抗膜3に対してトリミング調整を施し
たのち、図5に二点鎖線で示すように、各抵抗膜3を覆
う黒色のカバーコート4を形成する。
Then, as shown in FIG. 4, a resistive film 3 is formed on each of the insulating substrates 2 on the surface of the material substrate A, and then, as shown in FIG. 5a is formed (the upper electrode 5a may be formed first, and the resistive film 3 may be formed later).
Further, after performing trimming adjustment on each of the resistance films 3 on the portion of each of the insulating substrates 2 on the surface of the material substrate A, as shown by a two-dot chain line in FIG. A black cover coat 4 for covering is formed.

【0025】次いで、前記素材基板Aを、その周囲にお
ける各余白部A2,A3を除去したのち、各縦ブレイク
溝A4に沿って、図6に示すように、各棒状素材基板A
1ごとにブレイクしたのち、この棒状素材基板A1にお
ける左右両長手側面、つまり、当該棒状素材基板A1の
各絶縁基板2における左右両側面2a,2bに対して、
図7に示すように、前記従来と同じ方法にて導電ペース
トによる側面電極5bを形成する。
Next, after removing the blank portions A2 and A3 around the material substrate A, each bar-shaped material substrate A is formed along each vertical break groove A4 as shown in FIG.
After each break, the left and right longitudinal sides of the rod-shaped substrate A1, that is, the left and right sides 2a and 2b of each insulating substrate 2 of the rod-shaped substrate A1,
As shown in FIG. 7, the side electrode 5b made of a conductive paste is formed by the same method as in the related art.

【0026】この場合において、前記したように、素材
基板Aのうち各棒状素材基板A1の間で、且つ、前記各
捨て絶縁基板2′の部分に、幅Sのスリット状貫通孔A
6を棒状素材基板A1の長手方向に沿って延びるように
穿設したことにより、この棒状素材基板A1の両端にお
ける各捨て絶縁基板2′の左右両側面2a′,2b′
は、当該棒状素材基板A1における左右両長手側面、つ
まり、当該棒状素材基板A1の各絶縁基板2における左
右両側面2a,2bよりも、前記スリット状貫通孔A6
における幅Sの半分の寸法(S/2)だけ内側に凹むこ
とになるから、例えば、特公平3−52201号公報等
に記載されているように、この棒状素材基板A1におけ
る両長手側面、つまり、当該棒状素材基板A1の各絶縁
基板2における左右両側面2a,2bを、ローラの表面
に刻設され、且つ、導電ペーストを充填した長溝内に押
し込むことにより、この各絶縁基板2における両側面2
a,2bに対して側面電極用の導電ペーストを塗着する
場合において、この棒状素材基板A1の両端をクランプ
したも、また、棒状素材基板A1がローラにおける長溝
に対してローラの軸線方向にずれても、換言すると、棒
状素材基板における左右両長手側面に対する長手方向に
沿った導電ペーストの塗着長さが左右両長手側面の長手
方向に沿ってずれても、前記各捨て絶縁基板2′の左右
両側面2a′,2b′に側面電極5bが長い長さにわた
って形成されることを確実に回避することができ、換言
すると、前記各捨て絶縁基板2′の左右両側面2a′,
2b′に形成される側面電極5bを極く短いものにする
ことができるのである。
In this case, as described above, the slit-shaped through-holes A having a width S are provided between the respective bar-shaped material substrates A1 of the material substrate A and in the respective discarded insulating substrates 2 '.
6 is formed so as to extend along the longitudinal direction of the rod-shaped material substrate A1, so that the left and right side surfaces 2a 'and 2b' of each discarded insulating substrate 2 'at both ends of the rod-shaped material substrate A1.
Are longer than the left and right longitudinal sides of the rod-shaped material substrate A1, that is, both the left and right side surfaces 2a and 2b of the insulating substrate 2 of the rod-shaped material substrate A1.
Is inwardly recessed by half the dimension of the width S (S / 2) of the rod-shaped material substrate A1, for example, as described in Japanese Patent Publication No. 3-52201. By pressing the left and right side surfaces 2a and 2b of each insulating substrate 2 of the rod-shaped material substrate A1 into a long groove which is engraved on the surface of the roller and filled with a conductive paste, the both side surfaces of each insulating substrate 2 are formed. 2
When the conductive paste for the side electrode is applied to a and 2b, both ends of the rod-shaped material substrate A1 are clamped, and the rod-shaped material substrate A1 is displaced in the axial direction of the roller with respect to the long groove in the roller. In other words, in other words, even if the application length of the conductive paste along the longitudinal direction with respect to the left and right longitudinal sides of the rod-shaped material substrate is shifted along the longitudinal direction of both the left and right longitudinal sides, each of the waste insulating substrates 2 ′ It is possible to reliably prevent the side electrode 5b from being formed on the left and right side surfaces 2a 'and 2b' over a long length. In other words, the left and right side surfaces 2a 'and 2a'
The side electrode 5b formed in 2b 'can be made extremely short.

【0027】このように、棒状素材基板A1に対して側
面電極5bを形成すると、この棒状素材基板A1を、各
横ブレイク溝A5に沿って、各絶縁基板2及び各捨て絶
縁基板2′ごとにブレイクし、次いで、この絶縁基板2
の多数個に対してバレルによるニッケルメッキ処理を施
したのち、バレルによる半田又は錫メッキ処理を施すこ
とにより、各絶縁基板2における両上面電極5a及び両
側面電極5bの表面に、下地としてのニッケルメッキ層
を含む金属メッキ層を形成して、チップ型抵抗器1の完
成製品にする。
As described above, when the side electrodes 5b are formed on the rod-shaped raw material substrate A1, the rod-shaped raw material substrate A1 is divided into the respective insulating substrates 2 and the respective discarded insulating substrates 2 'along the horizontal break grooves A5. Break, then the insulating substrate 2
Are subjected to a nickel plating process using a barrel, and then a soldering or tin plating process is performed using a barrel, so that the surface of both upper surface electrodes 5a and both side surface electrodes 5b on each insulating substrate 2 is coated with nickel as a base. A metal plating layer including a plating layer is formed to obtain a finished product of the chip resistor 1.

【0028】ところで、この完成製品の中には、前記棒
状素材基板A1の両端に使用した捨て絶縁基板2′によ
る不良品が混入しているが、この捨て絶縁基板2′によ
る不良品は、これに側面電極5bが長い長さにわたって
形成されていないことにより、メッキに処理に際してこ
れに含まれるニッケルを極く少量に止めることができる
から、この捨て絶縁基板2′による不良品を、各絶縁基
板2による良品と選別にする場合に、磁石を使用した選
別装置によって、早い速度で能率良く確実、且つ、高い
精度で選別することができるのである。
By the way, in this finished product, defective products due to the discarded insulating substrate 2 'used at both ends of the rod-shaped material substrate A1 are mixed. Since the side electrode 5b is not formed over a long length, the nickel contained in the plating can be kept to a very small amount during the plating process. In the case of sorting from non-defective products according to 2, the sorting device using magnets can perform sorting quickly, efficiently, reliably and with high accuracy.

【0029】この実施の形態において、前記棒状素材基
板A1の両端に一体的に設ける捨て絶縁基板は、図8に
示すように、第1の捨て絶縁基板2′と第2の捨て絶縁
基板2″の二つすると言う複数個の捨て絶縁基板に構成
し、第1の捨て絶縁基板2′に対してのみスリット状の
貫通孔A6を設けたり、或いは、二点鎖線で示すよう
に、スリット状の貫通孔A6″を、複数個の各捨て絶縁
基板2′,2″にわたって設けるように構成しても良い
のである。
In this embodiment, the discarded insulating substrates provided integrally at both ends of the rod-shaped material substrate A1 are, as shown in FIG. 8, a first discarded insulating substrate 2 'and a second discarded insulating substrate 2 ". And a slit-shaped through-hole A6 is provided only in the first discarded insulating substrate 2 ', or as shown by a two-dot chain line, The through hole A6 "may be provided so as to extend over each of the plurality of discarded insulating substrates 2 ', 2".

【0030】また、本発明者の実験によると、前記捨て
絶縁基板2′における横幅寸法W′は、図10に示すよ
うに、各絶縁基板2における横幅寸法Wより大きくした
り、或いは、小さくしても良いが、このように、捨て絶
縁基板2′における横幅寸法W′を各絶縁基板2におけ
る横幅寸法Wより大きく又は小さくした場合には、棒状
素材基板A1を、例えば、実公平3−39745号公報
に記載されているように、大小一対のローラの間に送り
込むか、或いは、実公平6−44081号公報に記載さ
れているように、ベルトとローラとの間に送り込むこと
により、各横ブレイク溝A5に沿って各絶縁基板2及び
各捨て絶縁基板2′ごとにブレイクするときに、絶縁基
板2と捨て絶縁基板2′との境目が、図10に実線Bで
示すように割れる頻度が多くなるから、横幅寸法がW″
と言うように所定値Wよりも大きくなる不良品の発生率
が高くなるのであった。
According to the experiment of the present inventor, as shown in FIG. 10, the width W 'of the waste insulating substrate 2' is set to be larger or smaller than the width W of each insulating substrate 2. However, when the width W 'of the discarded insulating substrate 2' is larger or smaller than the width W of each insulating substrate 2, the rod-shaped material substrate A1 may be replaced with, for example, Japanese Utility Model 3-39745. As described in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. Hei 6-44081, the paper is fed between a pair of large and small rollers, or as described in Japanese Utility Model Publication No. 6-44081. When each insulating substrate 2 and each discarded insulating substrate 2 'are broken along the break groove A5, the boundary between the insulating substrate 2 and each discarded insulating substrate 2' is broken as shown by a solid line B in FIG. Since the degree is increased, the width dimension W "
As a result, the incidence of defective products larger than the predetermined value W increases.

【0031】これに対して、前記捨て絶縁基板2′にお
ける横幅寸法W′を、前記図3〜図8に示すように、各
絶縁基板2における横幅寸法Wと等しいか、或いは、略
同じにした場合には、棒状素材基板A1を、例えば、実
公平3−39745号公報等に記載されているように、
大小一対のローラの間に送り込むことにより、横ブレイ
ク溝A5に沿って各絶縁基板2及び各捨て絶縁基板2′
ごとにブレイクするときに、絶縁基板2と捨て絶縁基板
2′との境目が、横ブレイク溝A5から裏面に向かって
略真っ直ぐ割れて、図10に実線Bで示すように割れる
頻度を少なくことができるから、横幅寸法が所定値Wを
越えて大きくなると言う不良品の発生を大幅に低減でき
るのであった。
On the other hand, as shown in FIGS. 3 to 8, the width W 'of the waste insulating substrate 2' is equal to or substantially equal to the width W of each insulating substrate 2. In such a case, the rod-shaped material substrate A1 is, for example, as described in Japanese Utility Model Publication No. 3-39745 or the like.
By feeding between the pair of large and small rollers, each insulating substrate 2 and each discarded insulating substrate 2 ′ along the horizontal break groove A5.
When breaking each time, the boundary between the insulating substrate 2 and the discarded insulating substrate 2 ′ is broken almost straight from the lateral break groove A <b> 5 toward the back surface, and the frequency of breaking as shown by the solid line B in FIG. 10 is reduced. Therefore, it is possible to significantly reduce the occurrence of defective products whose width is increased beyond the predetermined value W.

【0032】更にまた、前記捨て絶縁基板2′に対して
設ける前記スリット状の貫通孔A6の一端部を、図11
に示すように、絶縁基板2と捨て絶縁基板2′との間に
おける横ブレイク溝A5に連続するように構成すること
により、棒状素材基板A1の左右両長手側面つまり、当
該棒状素材基板A1の各絶縁基板2における左右両側面
2a,2bに対して側面電極5bを形成するに際して、
前記捨て絶縁基板2′の左右両側面2a′,2b′に側
面電極5bが形成されることを皆無にすることができる
のである。
Further, one end of the slit-shaped through hole A6 provided for the waste insulating substrate 2 'is
As shown in FIG. 5, by being configured to be continuous with the lateral break groove A5 between the insulating substrate 2 and the discarded insulating substrate 2 ', both left and right longitudinal side surfaces of the rod-shaped substrate A1, that is, each of the rod-shaped substrate A1 When forming the side electrodes 5b on the left and right side surfaces 2a, 2b of the insulating substrate 2,
The formation of the side electrodes 5b on the left and right side surfaces 2a 'and 2b' of the discarded insulating substrate 2 'can be eliminated.

【0033】次に、図12〜図14は、前記図2に示し
た多連のチップ型抵抗器11に対する実施の形態を示
す。この図12において、符号A′は、前記多連のチッ
プ型抵抗器11を製造するに際して使用する素材基板で
あり、この素材基板A′は、前記した実施の形態と同様
に、前記多連のチップ型抵抗器11を構成する絶縁基板
12の多数個を横方向に並べて一体化して棒状素材基板
A1′にし、更に、この棒状素材基板A1′の複数本を
並べて一体化して成るもので、この素材基板A′におけ
る各棒状素材基板A1′の左右両端の各々には、前記各
絶縁基板12と同じ大きさの捨て絶縁基板12′が少な
くとも一つずつ一体的に設けられ、且つ、前記素材基板
A′のうち各棒状素材基板A1′の間で、且つ、前記各
捨て絶縁基板12′の部分には、スリット状の貫通孔A
6′が棒状素材基板A1′の長手方向に沿って延びるよ
うに穿設されている。
FIGS. 12 to 14 show an embodiment of the multiple chip type resistor 11 shown in FIG. In FIG. 12, reference numeral A ′ denotes a material substrate used for manufacturing the multiple chip type resistor 11, and the material substrate A ′ is the same as the above-described embodiment. A large number of insulating substrates 12 constituting the chip-type resistor 11 are arranged side by side in the horizontal direction and integrated to form a rod-shaped material substrate A1 ', and furthermore, a plurality of the rod-shaped material substrates A1' are arranged and integrated. At least one discarded insulating substrate 12 'having the same size as each of the insulating substrates 12 is integrally provided on each of the left and right ends of each bar-shaped raw substrate A1' in the raw substrate A '. A ', a slit-shaped through-hole A is provided between each rod-shaped material substrate A1' and in each discarded insulating substrate 12 '.
6 'is provided so as to extend along the longitudinal direction of the rod-shaped material substrate A1'.

【0034】また、前記素材基板A′の周囲には、余白
部A2′,A3′が一体的に設けられ、また、素材基板
A′の表面には、当該素材基板A′を、前記各棒状素材
基板A1′ごとにブレイクするための複数本の縦ブレイ
ク溝A4′と、前記各棒状素材基板A1′を、各絶縁基
板12及び各捨て絶縁基板12′ごとにブレイクするた
めの複数本の横ブレイク溝A5′とが刻設されている。
In addition, margins A2 'and A3' are integrally provided around the material substrate A ', and the material substrate A' is provided with A plurality of vertical break grooves A4 'for breaking each material substrate A1' and a plurality of horizontal break grooves A4 'for breaking each rod-shaped material substrate A1' for each insulating substrate 12 and each discarded insulating substrate 12 '. A break groove A5 'is engraved.

【0035】そして、以下、前記実施形態と同様に、前
記素材基板A′の上面のうち各絶縁基板12の箇所に、
抵抗膜13、上面電極15a及びカバーコート14を形
成すると言う各工程を経たのち、この素材基板A′を、
縦ブレイク溝A4′に沿って各棒状素材基板A1′ごと
にブレイクする。次いで、この棒状素材基板A1′にお
ける左右両長手側面、つまり、当該棒状素材基板A1′
の各絶縁基板12における左右両側面12a,12bに
対して側面電極15bを形成する工程を経たのち、この
棒状素材基板A1′を、横ブレイク溝A5′に沿って各
絶縁基板12及び各捨て絶縁基板12′ごとにブレイク
し、そして、金属メッキ処理を施することにより、図2
に示す多連チップ型抵抗器11の完成製品にするのであ
る。
Then, in the same manner as in the above embodiment, a portion of each insulating substrate 12 on the upper surface of the material substrate A 'is
After each step of forming the resistive film 13, the upper electrode 15a and the cover coat 14, this material substrate A 'is
Breaking is performed for each bar-shaped material substrate A1 'along the vertical break groove A4'. Next, the left and right longitudinal sides of the rod-shaped material substrate A1 ', that is, the rod-shaped material substrate A1'
After the step of forming side electrodes 15b on the left and right side surfaces 12a and 12b of each insulating substrate 12, the rod-shaped material substrate A1 'is separated from each insulating substrate 12 and each waste insulating material along a horizontal break groove A5'. By breaking each substrate 12 'and applying a metal plating process, FIG.
Is a completed product of the multiple chip type resistor 11 shown in FIG.

【0036】この場合においても、前記素材基板A′の
うち各棒状素材基板A1′の間で、且つ、各捨て絶縁基
板12′の部分に、スリット状の貫通孔A6′を棒状素
材基板A1′の長手方向に沿って延びるように穿設した
ことにより、前記棒状素材基板A1′における左右両長
手側面、つまり、当該棒状素材基板A1′の各絶縁基板
12における左右両側面12a,12bに対して側面電
極15bを形成するときに、前記各捨て絶縁基板12に
おける左右両側面12a,12bに側面電極15bが長
い長さにわたって形成されることを確実に回避できるの
である。
Also in this case, a slit-shaped through-hole A6 'is formed between the rod-shaped material substrates A1' and the discarded insulating substrates 12 'in the material substrate A'. Is formed so as to extend along the longitudinal direction of the rod-shaped material substrate A1 ', that is, with respect to the left and right side surfaces 12a and 12b of the insulating substrate 12 of the rod-shaped material substrate A1'. When the side electrode 15b is formed, it is possible to reliably prevent the side electrode 15b from being formed on the left and right side surfaces 12a and 12b of each of the waste insulating substrates 12 over a long length.

【0037】なお、この実施の形態においても、棒状素
材基板A1′の両端に一体的に設ける捨て絶縁基板を、
図13に示すように、第1の捨て絶縁基板12′と第2
の捨て絶縁基板12″の二つすると言う複数個の捨て絶
縁基板に構成し、第1の捨て絶縁基板12′に対しての
みスリット状の貫通孔A6′を設けたり、或いは、二点
鎖線で示すように、スリット状の貫通孔を、複数個の各
捨て絶縁基板12′,12″にわたって設けるように構
成しても良いのである。
In this embodiment, the discarded insulating substrates provided integrally at both ends of the rod-shaped material substrate A1 'are also used.
As shown in FIG. 13, the first discarded insulating substrate 12 'and the second
A plurality of discarded insulating substrates 12 ″ of the same type, and a slit-shaped through-hole A6 ′ is provided only in the first discarded insulating substrate 12 ′, or by a two-dot chain line. As shown, a slit-shaped through-hole may be provided over a plurality of discarded insulating substrates 12 ', 12 ".

【0038】また、図14に示すように、前記捨て絶縁
基板12′における横幅寸法W1を、絶縁基板12にお
ける横幅寸法W0と等しくか、又は略等しくすることに
より、不良品の発生率を低減できるように構成したり、
或いは、前記捨て絶縁基板12′に対して設ける前記ス
リット状の貫通孔A6′の一端部を、絶縁基板12と捨
て絶縁基板12′との間における横ブレイク溝A5′に
連続することにより、前記捨て絶縁基板12′の左右両
側面12a′,12b′に側面電極5bが形成されるこ
とを皆無にしたりすることができることは言うまでもな
い。
Further, as shown in FIG. 14, by setting the width W1 of the waste insulating substrate 12 'equal to or substantially equal to the width W0 of the insulating substrate 12, the incidence of defective products can be reduced. Or to configure
Alternatively, one end of the slit-shaped through-hole A6 'provided for the discarded insulating substrate 12' is connected to a lateral break groove A5 'between the insulating substrate 12 and the discarded insulating substrate 12', whereby Needless to say, it is possible to completely eliminate the formation of the side electrode 5b on the left and right side surfaces 12a 'and 12b' of the discarded insulating substrate 12 '.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】チップ型抵抗器を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a chip resistor.

【図2】多連のチップ型抵抗器を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a multiple chip type resistor.

【図3】本発明の第1の実施形態において前記図1のチ
ップ型抵抗器の製造に際して使用する素材基板の斜視図
である。
FIG. 3 is a perspective view of a material substrate used in manufacturing the chip resistor of FIG. 1 in the first embodiment of the present invention.

【図4】前記図3の素材基板の上面に対して上面電極を
形成した状態を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a state in which an upper surface electrode is formed on the upper surface of the material substrate of FIG. 3;

【図5】前記図3の素材基板の上面に対して抵抗膜及び
カバーコートを形成した状態を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a state in which a resistive film and a cover coat are formed on the upper surface of the material substrate of FIG. 3;

【図6】前記図3の素材基板を棒状素材基板ごとにブレ
イクした状態を示す斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing a state in which the material substrate of FIG. 3 is broken for each rod-shaped material substrate.

【図7】前記図6の棒状素材基板に対して側面電極を形
成した状態を示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing a state in which side electrodes are formed on the rod-shaped material substrate of FIG. 6;

【図8】本発明の第1の実施形態において使用する素材
基板の変形例を示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing a modification of the material substrate used in the first embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第1の実施形態において使用する素材
基板の別の変形例を示す平面図である。
FIG. 9 is a plan view showing another modification of the material substrate used in the first embodiment of the present invention.

【図10】図9のX−X視断面図である。FIG. 10 is a sectional view taken along line XX of FIG. 9;

【図11】本発明の第1の実施形態において使用する素
材基板の更に別の変形例を示す平面図である。
FIG. 11 is a plan view showing still another modification of the material substrate used in the first embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第2の実施形態において前記図2の
多連チップ型抵抗器の製造に際して使用する素材基板の
平面図である。
FIG. 12 is a plan view of a material substrate used in manufacturing the multiple chip resistor of FIG. 2 in the second embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第2の実施形態において使用する素
材基板の変形例を示す平面図である。
FIG. 13 is a plan view showing a modification of the material substrate used in the second embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第2の実施形態において使用する素
材基板の別の変形例を示す平面図である。
FIG. 14 is a plan view showing another modification of the material substrate used in the second embodiment of the present invention.

【図15】従来の方法において前記図1のチップ型抵抗
器の製造に際して使用する素材基板の斜視図である。
FIG. 15 is a perspective view of a material substrate used for manufacturing the chip resistor of FIG. 1 in a conventional method.

【図16】前記図15の素材基板の上面に対して上面電
極を形成した状態を示す斜視図である。
FIG. 16 is a perspective view showing a state in which an upper surface electrode is formed on the upper surface of the material substrate of FIG. 15;

【図17】前記図15の素材基板の上面に対して抵抗膜
及びカバーコートを形成した状態を示す斜視図である。
FIG. 17 is a perspective view showing a state in which a resistive film and a cover coat are formed on the upper surface of the material substrate of FIG. 15;

【図18】前記図15の素材基板を棒状素材基板にブレ
イクした状態を示す斜視図である。
18 is a perspective view showing a state in which the material substrate of FIG. 15 is broken on a rod-shaped material substrate.

【図19】前記図18の棒状素材基板に対して側面電極
を形成した状態を示す斜視図である。
FIG. 19 is a perspective view showing a state in which side electrodes are formed on the rod-shaped material substrate of FIG. 18;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 チップ型抵抗器 2 絶縁基板 2a,2b 絶縁基板の側面 3 抵抗膜 4 カバーコート 5 端子電極 5a 端子電極のうち上面電極 5b 端子電極のうち側面電極 11 多連のチップ型抵抗器 12 絶縁基板 12a,12b 絶縁基板の側面 13 抵抗膜 14 カバーコート 15 端子電極 15a 端子電極のうち上面電極 15b 端子電極のうち側面電極 A,A′ 素材基板 A1,A1′ 棒状素材基板 A4,A4′ 縦ブレイク溝 A5,A5′ 横ブレイク溝 A6,A6′ スリット状貫通孔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chip type resistor 2 Insulating substrate 2a, 2b Side surface of insulating substrate 3 Resistive film 4 Cover coat 5 Terminal electrode 5a Top electrode among terminal electrodes 5b Side electrode among terminal electrodes 11 Multiple chip resistors 12 Insulating substrate 12a , 12b Side surface of insulating substrate 13 Resistive film 14 Cover coat 15 Terminal electrode 15a Upper electrode among terminal electrodes 15b Side electrode among terminal electrodes A, A 'Material substrate A1, A1' Rod material substrate A4, A4 'Vertical break groove A5 , A5 'Horizontal break groove A6, A6' Slit-shaped through hole

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】チップ型絶縁基板の複数個を横に並べて一
体化すると共に両端の各々に少なくとも一つの捨て絶縁
基板を一体的に設けて成る棒状素材基板の複数本を、互
いに平行に並べて一体化して構成した素材基板を製作す
る工程と、前記素材基板の表面のうち各絶縁基板の箇所
に抵抗膜、上面電極及びカバーコートを形成する工程
と、前記素材基板を、各棒状素材基板ごとにブレイクす
る工程と、棒状素材基板における両長手側面、つまり、
当該棒状素材基板の各絶縁基板における両側面に側面電
極を形成する工程と、前記棒状素材基板を、前記各絶縁
基板及び捨て絶縁基板ごとにブレイクしたのち、金属メ
ッキ処理する工程とから成るチップ型抵抗器の製造方法
において、 前記素材基板に、これに抵抗膜等を形成する以前に、そ
の各棒状素材基板の間のうち捨て絶縁基板の部分にスリ
ット状の貫通孔を棒状素材基板の長手方向に沿って延び
るように穿設することを特徴とするチップ型抵抗器の製
造方法。
1. A plurality of chip-shaped insulating substrates are arranged side by side and integrated, and a plurality of rod-shaped material substrates integrally provided with at least one discarded insulating substrate at each end are arranged in parallel with each other and integrated. A step of forming a material substrate formed by forming, a step of forming a resistive film, a top electrode, and a cover coat on each insulating substrate on the surface of the material substrate; and forming the material substrate for each rod-shaped material substrate. Breaking process and both longitudinal side surfaces of the rod-shaped material substrate, that is,
A chip type comprising: a step of forming side electrodes on both side surfaces of each insulating substrate of the rod-shaped material substrate; and a step of performing a metal plating process after breaking the rod-shaped material substrate for each of the insulating substrates and the discarded insulating substrates. In the method of manufacturing a resistor, before forming a resistive film or the like on the material substrate, a slit-shaped through hole is formed in a portion of the discarded insulating substrate between the respective bar-shaped material substrates in a longitudinal direction of the bar-shaped material substrate. A method of manufacturing a chip-type resistor, wherein the chip-type resistor is provided so as to extend along the same.
【請求項2】チップ型絶縁基板の複数個を横に並べて一
体化すると共に両端の各々に少なくとも一つの捨て絶縁
基板を一体的に設けて成る棒状素材基板の複数本を、互
いに平行に並べて一体化して構成した素材基板におい
て、 前記素材基板のうち各棒状素材基板の間で、且つ、前記
各捨て絶縁基板の部分に、スリット状の貫通孔を棒状素
材基板の長手方向に沿って延びるように穿設したことを
特徴とするチップ型抵抗器の製造に使用する素材基板の
構造。
2. A plurality of bar-shaped material substrates, each of which includes a plurality of chip-type insulating substrates arranged side by side and integrated with each other and at least one discarded insulating substrate integrally provided at each end thereof, is arranged in parallel with each other and integrated. In the raw material substrate, a slit-shaped through-hole extends along the longitudinal direction of the rod-shaped raw material substrate between the respective rod-shaped raw material substrates of the raw material substrate, and in each of the discarded insulating substrates. The structure of a material substrate used for manufacturing a chip type resistor characterized by being drilled.
【請求項3】前記請求項2において、前記捨て絶縁基板
における横幅寸法を、各絶縁基板における横幅寸法と等
しいか、略等しくしたことを特徴とするチップ型抵抗器
の製造に使用する素材基板の構造。
3. A material substrate for use in the manufacture of a chip type resistor according to claim 2, wherein a lateral width of said waste insulating substrate is equal to or substantially equal to a lateral width of each insulating substrate. Construction.
【請求項4】前記請求項2において、スリット状貫通孔
の一端を、絶縁基板と捨て絶縁基板との間におけるブレ
イク溝に連続することを特徴とするチップ型抵抗器の製
造に使用する素材基板の構造。
4. A material substrate for use in the manufacture of a chip resistor according to claim 2, wherein one end of the slit-shaped through hole is continuous with a break groove between the insulating substrate and the discarded insulating substrate. Structure.
JP10006459A 1998-01-16 1998-01-16 Manufacture of chip-type resistor and structure of board used therefor Pending JPH11204316A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9583463B2 (en) 2014-07-29 2017-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Array resistor and semiconductor module

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