JPH11202036A - Magnetic sensor - Google Patents
Magnetic sensorInfo
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- JPH11202036A JPH11202036A JP10015014A JP1501498A JPH11202036A JP H11202036 A JPH11202036 A JP H11202036A JP 10015014 A JP10015014 A JP 10015014A JP 1501498 A JP1501498 A JP 1501498A JP H11202036 A JPH11202036 A JP H11202036A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は特に回転センサーへ
の使用に適した磁気センサーに関し、小形でかつ強い磁
界を発生する機器の近くでも使用することのできる磁気
センサーに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic sensor particularly suitable for use as a rotation sensor, and more particularly to a magnetic sensor which is small and can be used near an apparatus which generates a strong magnetic field.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のこの種の磁気センサーとしては、
例えばコイルと永久磁石を使用した電磁発電式の磁気セ
ンサーが広く知られている。この磁気センサーは検出端
面に磁性体が近接−離隔することにより、センサー内を
通る磁束が変化してコイルの両端に交流電圧を発生させ
るものである。2. Description of the Related Art Conventional magnetic sensors of this type include:
For example, an electromagnetic power generation type magnetic sensor using a coil and a permanent magnet is widely known. In this magnetic sensor, when a magnetic body approaches or separates from the detection end face, the magnetic flux passing through the sensor changes, and an alternating voltage is generated at both ends of the coil.
【0003】このような電磁発電式の磁気センサーにお
いては充分な出力を得ようとする場合、コイルの巻数を
増やしたり磁石を強力なものにする必要があった。しか
しコイルの巻数を増やすとセンサーが大型化してしまう
という問題がある。また磁石を強力なものにするにはそ
れに伴い鉄心なども大型化し材料費が高くなる。さらに
は電磁発電式のものは検出対象となる磁性体の移動速度
によって出力が変動するという問題があり、特に低速領
域においては充分な出力が得られない可能性がある。In order to obtain a sufficient output in such an electromagnetic power generation type magnetic sensor, it is necessary to increase the number of turns of the coil or to make the magnet strong. However, increasing the number of turns of the coil causes a problem that the sensor becomes large. In order to make the magnet strong, the size of the iron core and the like are increased, and the material cost is increased. Further, the electromagnetic power generation type has a problem that the output fluctuates depending on the moving speed of the magnetic substance to be detected, and there is a possibility that a sufficient output cannot be obtained particularly in a low speed region.
【0004】そこで電磁発電式の他に磁電変換素子とし
てホール素子や、ホール素子と増幅回路等を組み合わせ
たホールICを使用する半導体方式のものが知られてい
る。ホール素子は磁束密度に応じてアナログ的な出力を
行なうものであり、ホールICはこのホール素子の出力
を内部で処理しON−OFF信号を出力するものであ
る。両者は本質的に変わりはないが、ここではホールI
Cを例にとって図2及び図3を参照して説明する。図2
は磁電変換素子であるホールICの特性図である。この
特性図の横軸はホールIC内のホール素子の検知面を通
過する磁束のうち検知面に直交する磁束成分(以下、ホ
ールICに対する直交磁束成分と称する)の密度と方向
を表し、ホールICに対する直交磁束成分の密度が0に
なる点を挟んで磁束成分の方向は正逆反転している。ま
た縦軸はホールICの出力電圧を示している。ホールI
Cには図2(A)に示すように磁束密度0点を挟んでほ
ぼ対称に動作点が設定された交番磁界タイプと、図2
(B)に示すように動作点がどちらかの磁極側に若干シ
フトしている片側磁界タイプとがあるが動作方式に関し
てはどちらの場合も同様である。Therefore, in addition to the electromagnetic power generation type, a semiconductor type using a Hall element as a magnetoelectric conversion element or a Hall IC combining a Hall element and an amplifier circuit is known. The Hall element performs an analog output according to the magnetic flux density. The Hall IC internally processes the output of the Hall element and outputs an ON-OFF signal. Both are essentially the same, but here, Hall I
C will be described as an example with reference to FIGS. FIG.
3 is a characteristic diagram of a Hall IC that is a magnetoelectric conversion element. The horizontal axis of this characteristic diagram represents the density and direction of a magnetic flux component (hereinafter, referred to as an orthogonal magnetic flux component to the Hall IC) perpendicular to the detection surface of the magnetic flux passing through the detection surface of the Hall element in the Hall IC. The direction of the magnetic flux component is reversed in the normal and reverse directions with respect to the point where the density of the orthogonal magnetic flux component becomes zero with respect to. The vertical axis indicates the output voltage of the Hall IC. Hall I
FIG. 2C shows an alternating magnetic field type in which operating points are set substantially symmetrically with respect to a magnetic flux density of 0 point as shown in FIG.
As shown in (B), there is a one-side magnetic field type in which the operating point is slightly shifted to one of the magnetic poles, but the operation method is the same in both cases.
【0005】ホールICは外部から受ける磁束の強度に
よって出力電圧Voutを高出力状態H及び低出力状態L
に切り替えるものであって、ホールICに対する直交磁
束成分密度が図2の左側から右側に変化していき動作磁
束密度Bopを越えた時点で出力電圧VoutはHからLへ
変化する。また低出力状態Lで磁束密度が復帰磁束密度
Brp以下になると出力電圧はLからHに変化する。The Hall IC changes the output voltage Vout to a high output state H and a low output state L depending on the intensity of the magnetic flux received from the outside.
The output voltage Vout changes from H to L when the orthogonal magnetic flux component density for the Hall IC changes from left to right in FIG. 2 and exceeds the operating magnetic flux density Bop. When the magnetic flux density becomes equal to or lower than the return magnetic flux density Brp in the low output state L, the output voltage changes from L to H.
【0006】このホールICを磁電変換素子として使用
した磁気センサーには、ホールICと磁石の位置関係を
固定し検出対象となる鉄などの磁性体を近接離隔させる
ことによってホールICを通過する磁束の分布を変動さ
せるものや、磁束を発生する磁石自体を検出対象として
保護対象機器の回転部などに取り付けることにより移動
してホールICに対する磁束分布を変動させるものがあ
る。この磁気センサーをカーエアコン用コンプレッサー
に使用した場合の動作について説明する。通常、カーエ
アコン用コンプレッサーはエンジンからベルトなどを介
して駆動力を得ており、電磁クラッチによって駆動力の
伝達及び解除が行われる。磁気センサーはこのコンプレ
ッサーの回転を検出し、コンプレッサーが何らかの原因
により拘束状態となり回転不能になった場合には電磁ク
ラッチの連結を解除することによりエンジン等には影響
を及ぼさないようにするものである。図3は横軸に磁気
センサーの端面と検出対象となる磁性体等との距離D
を、また縦軸には磁気センサー内のホールICに直交す
る磁束成分密度Bを示しこの両者の関係を表した図であ
る。従来のような磁気センサーの特性の例を示す図3
(B)においては、検出対象の位置によってホールIC
に直交する磁束成分密度は例えば曲線L3で示すような
特性で変化をする。In a magnetic sensor using this Hall IC as a magnetoelectric conversion element, the positional relationship between the Hall IC and a magnet is fixed, and a magnetic substance such as iron, which is a detection target, is moved closer to or away from the magnetic sensor, so that the magnetic flux passing through the Hall IC is reduced. There is a type that changes the distribution, and a type that changes the magnetic flux distribution with respect to the Hall IC by moving by attaching the magnet itself that generates the magnetic flux as a detection target to a rotating part of the device to be protected. The operation when this magnetic sensor is used for a compressor for a car air conditioner will be described. Usually, a compressor for a car air conditioner obtains a driving force from an engine via a belt or the like, and the driving force is transmitted and released by an electromagnetic clutch. The magnetic sensor detects the rotation of the compressor, and when the compressor becomes locked due to some cause and cannot rotate, disconnects the electromagnetic clutch so that the engine will not be affected. . FIG. 3 shows the distance D between the end face of the magnetic sensor and the magnetic material to be detected on the horizontal axis.
And the vertical axis shows the magnetic flux component density B orthogonal to the Hall IC in the magnetic sensor, showing the relationship between the two. FIG. 3 shows an example of characteristics of a conventional magnetic sensor.
In (B), the Hall IC depends on the position of the detection target.
The magnetic flux component density orthogonal to the above changes with a characteristic as shown by a curve L3, for example.
【0007】この例の場合、センサー単独時にはホール
ICに直交する磁束密度成分は復帰磁束密度Brp以下に
設定され、検出対象である磁性体が近接−離隔するとこ
の磁束密度成分が変化してN極またはS極の側にシフト
される。この例においては近接することによってS極側
にシフトされている。ここで外部からの漏洩磁束などに
よる影響がない場合、片側磁界タイプのホールICを用
いることにより検出対象の動作による信号を得るために
は、ホールICに直交する磁束密度成分が動作磁束密度
Bop及び復帰磁束密度Brpの範囲を越えて変化するよう
に検出対象の移動範囲を位置Dc及びDdを含む様にす
ればよく検出対象の移動距離は少なくともd2以上必要
なことがわかる。In this example, when the sensor is used alone, the magnetic flux density component orthogonal to the Hall IC is set to be equal to or lower than the return magnetic flux density Brp. Or it is shifted to the south pole side. In this example, the position is shifted to the S pole side by approaching. Here, in the case where there is no influence from the leakage magnetic flux from the outside, in order to obtain a signal due to the operation of the detection target by using the one-sided magnetic field type Hall IC, the magnetic flux density component orthogonal to the Hall IC becomes the operating magnetic flux density Bop and It is sufficient that the moving range of the detection target includes the positions Dc and Dd so as to change beyond the range of the return magnetic flux density Brp, and the moving distance of the detection target needs to be at least d2 or more.
【0008】しかしながら図3(B)において磁気セン
サーの周辺に取り付けられた機器などによる外部からの
漏洩磁束密度のホールICに対する直交磁束成分が曲線
L2によって示すように大きく動作磁束密度Bopを上回
ってしまう程に高い場合には、例えばその合成磁束は曲
線L3+L2で示すように磁気センサーと磁性体の如き
検出対象との距離Dが図中で示す範囲内にある間は動作
磁束密度Bopより下がらなくなり磁気センサーからの出
力は常に高出力状態となってしまう。つまり磁気センサ
ーが従来と同じ位置にあり磁性体がd2程度の距離を近
接−離隔しただけではホールICの動作及び復帰のため
に磁束密度を横切る形で直交磁束成分の変化をさせるこ
とができず、磁気センサーとしての出力を変化させるこ
とができない。尚、この図3に於いて漏洩磁束は電磁ク
ラッチが完全につながれた状態での値を示し、クラッチ
可動板の吸引または釈放瞬間のリラクタンスの変動中は
含まない場合の定常状態の磁束密度を示している。However, in FIG. 3B, the orthogonal magnetic flux component of the leakage magnetic flux density from the outside by a device mounted around the magnetic sensor with respect to the Hall IC greatly exceeds the operating magnetic flux density Bop as shown by a curve L2. When the distance D between the magnetic sensor and the detection target such as a magnetic material is within the range shown in the figure, the synthetic magnetic flux does not drop below the operating magnetic flux density Bop, as shown by the curve L3 + L2. The output from the sensor is always in a high output state. In other words, if the magnetic sensor is at the same position as the conventional one and the magnetic body is close to or separated by a distance of about d2, the orthogonal magnetic flux component cannot be changed across the magnetic flux density for the operation and return of the Hall IC. However, the output of the magnetic sensor cannot be changed. In FIG. 3, the leakage magnetic flux indicates a value in a state where the electromagnetic clutch is completely connected, and indicates a steady state magnetic flux density when the reluctance at the moment of suction or release of the clutch movable plate is not included. ing.
【0009】またホールICと1個の永久磁石を一つの
ハウジング内に載置した磁気センサーにおいては、磁気
センサーを小形にしてなおかつ充分に動作させることは
より困難である。このことについて図3(C)を参照し
ながら説明する。ホールICに直交する漏洩磁束は前述
の例と同じく曲線L2で示されている。例えば漏洩磁束
と磁石の磁束の向きが同じである場合には両者の合成磁
束は当然この曲線L2よりも強くなり、ホールICの動
作磁束密度Bop及び復帰磁束密度Brpよりも小さくなる
ことはなく出力の切り替えは行われないことは言うまで
もないので説明は省略する。Further, in a magnetic sensor in which a Hall IC and one permanent magnet are mounted in one housing, it is more difficult to make the magnetic sensor compact and operate sufficiently. This will be described with reference to FIG. The leakage magnetic flux orthogonal to the Hall IC is indicated by a curve L2 as in the above-described example. For example, when the direction of the leakage magnetic flux and the direction of the magnetic flux of the magnet are the same, the combined magnetic flux of the two is naturally stronger than this curve L2, and is not smaller than the operating magnetic flux density Bop and the return magnetic flux density Brp of the Hall IC, and the output is smaller. Needless to say, the switching is not performed, and the description is omitted.
【0010】次に磁石を漏洩磁束と打ち消し合う方向に
磁束が向くようにした場合にも、通常は磁石表面の磁束
密度は漏洩磁束に比較して非常に高いため、ホールIC
を通過する磁束が逆方向に強くなりすぎるためにホール
ICと磁石とを隣接させることはできない。そこでホー
ルICと磁石の間の距離を大きくしたり鉄心などの形状
を工夫することで磁束を分散させてホールICを通過す
る磁束密度を下げる必要がある。ここでホールICと磁
石の間の距離を大きくしてホールICに達する磁束密度
を下げる場合には、充分な距離を得るためには磁石とホ
ールICとを内蔵している磁気センサー自体の小形化が
困難になる。Next, even when the magnetic flux is directed in the direction to cancel the leakage magnetic flux, the magnetic flux density on the surface of the magnet is usually much higher than the leakage magnetic flux.
The Hall IC and the magnet cannot be adjacent to each other because the magnetic flux passing through the hole becomes too strong in the opposite direction. Therefore, it is necessary to reduce the magnetic flux density passing through the Hall IC by dispersing the magnetic flux by increasing the distance between the Hall IC and the magnet or devising the shape of the iron core or the like. Here, when the distance between the Hall IC and the magnet is increased to reduce the magnetic flux density reaching the Hall IC, in order to obtain a sufficient distance, the magnetic sensor itself containing the magnet and the Hall IC must be downsized. Becomes difficult.
【0011】これに対して磁石をより小さなものにして
大きな鉄心を取り付けるなどして磁束密度を下げるべ
く、鉄心の形状を工夫した場合には磁石とホールICと
の距離を大きくするものと比較してさほどセンサーの大
型化を招くことなく、前記合成磁束を動作及び復帰磁束
密度付近にまで下げることができる。この状態を図3
(C)に示す。しかしながら磁性体の移動に伴って曲線
L2で示されるホールICに直交する漏洩磁束密度が変
化するのと同時に漏洩磁束と逆向きにかかる曲線L4で
示される磁石からの磁束もまた変化する。そのため磁性
体が磁気センサーに近接したときに磁束密度が増加する
分を磁石からの磁束が相殺してしまうために曲線L4+
L2で示す合成磁束の変化率は少なくなってしまう。On the other hand, when the shape of the iron core is devised so as to reduce the magnetic flux density by mounting a large iron core with a smaller magnet, the distance between the magnet and the Hall IC is increased. The synthesized magnetic flux can be reduced to near the operation and return magnetic flux densities without significantly increasing the size of the sensor. This state is shown in FIG.
It is shown in (C). However, along with the movement of the magnetic material, the leakage magnetic flux density perpendicular to the Hall IC shown by the curve L2 changes, and at the same time, the magnetic flux from the magnet shown by the curve L4 applied in the opposite direction to the leakage magnetic flux also changes. Therefore, the magnetic flux from the magnet cancels out the increase in the magnetic flux density when the magnetic body approaches the magnetic sensor.
The change rate of the synthetic magnetic flux indicated by L2 is reduced.
【0012】つまりここで仮に磁石からホールICを通
る磁束密度が一定であれば、漏洩磁束L2はそのままの
曲線形状で図の下方にオフセットされるためその変化率
を利用することができ、磁性体の近接離隔により動作及
び復帰磁束密度を通過するような変化を得ることができ
る。しかし実際には磁石もまた磁性体との距離による影
響を受け、曲線L4に示すように磁性体が接近すると磁
束密度が漏洩磁束とは逆の方向に強くなるので、漏洩磁
束L2と磁石からの磁束L4とを合わせた合成磁束L4
+L2ではそれぞれの磁束の変化率が相殺されてしまい
ほとんど変化しなくなる。そのため合成磁束L4+L2
は動作磁束密度Bop及び復帰磁束密度Brpの範囲を越え
て変化することが難しくなる。That is, if the magnetic flux density passing from the magnet to the Hall IC is constant, the leakage magnetic flux L2 is offset in the same curve shape downward in the figure, and the rate of change can be used. Can be obtained so as to pass through the operation and return magnetic flux densities. However, in practice, the magnet is also affected by the distance from the magnetic body, and when the magnetic body approaches as shown by the curve L4, the magnetic flux density becomes stronger in the direction opposite to the leakage magnetic flux. Combined magnetic flux L4 combined with magnetic flux L4
At + L2, the rate of change of each magnetic flux is canceled out and hardly changes. Therefore, the combined magnetic flux L4 + L2
Becomes difficult to change beyond the range of the operating magnetic flux density Bop and the return magnetic flux density Brp.
【0013】そこで出願人は、特願平9−145875
号において磁界発生用の磁石と磁電変換素子とを有し、
磁性体の近接及び離隔による磁界の変化を検知する磁気
センサーにおいて、前記磁石は少なくとも2個で構成さ
れるとともに前記磁電変換素子を検出方向に対して挟む
ように配置し且つ同極同士が向い合うように配置したこ
とを特徴とする磁気センサーを提唱した。この磁気セン
サーは同極同士を向かい合わせ近接させた磁石の間で両
磁石を結ぶ方向の磁束成分を打ち消しあう位置に磁気感
応素子を配置している。このように構成することによ
り、磁石間を結ぶ短い距離方向の磁束成分は一方の磁石
表面では正の方向に最大になり、中間地点で0になり、
他方の磁石表面で負の方向に最大になる。これに対して
磁石が一つの場合は磁石表面で磁束が最大になる点は同
じであるが、磁束成分が0になるのはその表面から無限
遠の位置であり磁束密度の変化率も低い。このように磁
石を二つ使用することにより両磁石間を結ぶ方向の磁束
成分密度の変化率は従来のものと比べて大きくなり、磁
気センサーの検出端面に磁性体が近接−離隔することに
よる磁気感応素子を通過する磁束の変化量を大きくでき
る。[0013] Accordingly, the applicant has filed Japanese Patent Application No. 9-145875.
No. 2 has a magnet for generating a magnetic field and a magnetoelectric conversion element,
In a magnetic sensor that detects a change in a magnetic field due to proximity and separation of a magnetic body, the magnet is configured with at least two magnets, and the magnetoelectric conversion element is arranged so as to be sandwiched in a detection direction, and the same poles face each other. A magnetic sensor characterized by being arranged as described above was proposed. In this magnetic sensor, a magnetically sensitive element is disposed at a position where a magnetic flux component in a direction connecting both magnets is canceled between magnets having the same poles facing each other. With this configuration, the magnetic flux component in the short distance direction connecting between the magnets becomes maximum in the positive direction on one of the magnet surfaces, becomes 0 at the intermediate point,
It becomes maximum in the negative direction at the other magnet surface. On the other hand, when the number of magnets is one, the point at which the magnetic flux becomes maximum on the magnet surface is the same, but the magnetic flux component becomes zero at a position at infinity from the surface and the rate of change of the magnetic flux density is low. By using two magnets in this way, the rate of change of the magnetic flux component density in the direction connecting the two magnets becomes larger than that of the conventional one, and the magnetism due to the magnetic body approaching and separating from the detection end face of the magnetic sensor. The amount of change in magnetic flux passing through the sensitive element can be increased.
【0014】[0014]
【発明が解決しようとする課題】この磁気センサーの使
用環境の一つとして前述したようにカーエアコン用コン
プレッサーの回転検出があげられる。これはコンプレッ
サーが何らかの原因により拘束状態となり回転不能にな
った場合においてもこれを駆動しているエンジン等には
影響を及ぼさないようにするものであり、磁気センサー
からの回転検出信号が途切れるとエンジンとコンプレッ
サーとを連結する電磁クラッチへの通電を遮断する事に
よりその接続が解除され、エンジンやコンプレッサー駆
動用のベルト等の損傷を防ぐことができる。As described above, one of the use environments of the magnetic sensor is to detect the rotation of a compressor for a car air conditioner. This is to prevent the engine that is driving the compressor from rotating even if the compressor becomes locked due to some cause and does not affect the engine.If the rotation detection signal from the magnetic sensor is interrupted, the engine will stop. By disconnecting the power supply to the electromagnetic clutch that connects the compressor and the compressor, the connection is released, and damage to the engine and the belt for driving the compressor can be prevented.
【0015】しかしながら、比較的小さな磁束変化を検
出する磁気センサーをカーエアコン用コンプレッサーに
取り付けると、強い磁界を発生する電磁クラッチからの
漏洩磁束が磁気センサーに及ぶために電磁クラッチの動
作中は常に磁気センサーの検出部はセンサーの動作範囲
を超えた磁束密度となり、そのままでは磁性体の近接−
離隔による磁束変化を検出することができなくなるとい
う問題があった。However, when a magnetic sensor for detecting a relatively small change in magnetic flux is attached to a compressor for a car air conditioner, a magnetic flux leaking from the electromagnetic clutch which generates a strong magnetic field reaches the magnetic sensor. The detection part of the sensor has a magnetic flux density exceeding the operating range of the sensor, and as it is
There has been a problem that a change in magnetic flux due to separation cannot be detected.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】そこで本発明の磁気セン
サーは、保護対象機器またはその周辺機器が発生する磁
束の通る磁気回路内に配置され、磁界発生用の磁石と磁
電変換素子とを有し、前記磁気回路の磁束は磁電変換素
子の検知面に於ける直交磁束成分を有し、磁性体の近接
及び離隔による磁界の変化を検知する磁気センサーにお
いて、前記磁石は磁電変換素子に対して充分に出力変化
を行わせる強度の磁束を発生するものであり、該磁石は
少なくとも2個で構成されるとともに前記磁電変換素子
を検出方向に対して挟むように配置し且つ同極同士が向
い合うように配置し、磁石間の磁電変換素子の検知面に
於ける直交磁束成分密度がほぼ0になる磁束の釣り合い
位置をあらかじめ磁電変換素子の位置から所定のオフセ
ット量に設定し、保護対象機器の動作しているときに前
記保護対象機器またはその周辺機器が発生する磁束は定
常的なものであり、この磁束を合成することにより前記
磁石間の磁束密度がほぼ0になる位置が磁電変換素子の
検知面上若しくはその近傍に移動されるべく前記磁石の
磁電変換素子に対する磁束の釣り合い位置に変更させる
ようにしたことを特徴とする。Accordingly, a magnetic sensor according to the present invention is disposed in a magnetic circuit through which a magnetic flux generated by a device to be protected or its peripheral device passes, and includes a magnet for generating a magnetic field and a magnetoelectric conversion element. The magnetic flux of the magnetic circuit has an orthogonal magnetic flux component on the detection surface of the magneto-electric conversion element, and in a magnetic sensor for detecting a change in a magnetic field due to the proximity and separation of a magnetic body, the magnet is sufficient for the magneto-electric conversion element. The magnet is composed of at least two magnets, and the magnet is arranged so as to sandwich the magneto-electric conversion element in the detection direction, and the same poles face each other. Are arranged in a predetermined offset amount from the position of the magneto-electric conversion element in advance, where the orthogonal magnetic flux component density on the sensing surface of the magneto-electric conversion element between the magnets is substantially zero. When the device to be protected is operating, the magnetic flux generated by the device to be protected or its peripheral devices is stationary, and by synthesizing this magnetic flux, the position where the magnetic flux density between the magnets becomes almost zero is determined. The magnet is changed to a position where the magnetic flux of the magnet is balanced with the magneto-electric conversion element so as to be moved to or near the detection surface of the magneto-electric conversion element.
【0017】このようにあらかじめ取り付け位置におけ
るホールICに対する直交磁束成分の密度と方向を考慮
し磁束の釣り合い位置を磁電変換素子の位置から所定量
オフセットさせておくことにより、この磁気センサーを
所定の磁界を発生する周辺機器の近傍に取り付けた時に
その機器による磁束を受けて磁気センサーの磁束釣り合
い位置は所定量オフセットして磁電変換素子上またはそ
の近傍を磁束の釣り合う位置とすることができる。その
ため近傍に強い磁界を発生する電気機器等が存在して
も、例えば磁電変換素子としてホールICの様に比較的
磁束密度の低い範囲で高精度に動作する素子を使用する
事が可能になり、周囲から及ぼされる磁束の影響を実質
的に無視でき磁性体の近接−離隔により確実に信号を出
力することができる。In this way, by taking into account the density and direction of the orthogonal magnetic flux component with respect to the Hall IC at the mounting position in advance, the magnetic flux balance position is offset by a predetermined amount from the position of the magneto-electric conversion element, so that the magnetic sensor can be operated at a predetermined magnetic field. When the magnetic sensor is mounted near a peripheral device which generates magnetic flux, the magnetic flux balance position of the magnetic sensor is offset by a predetermined amount due to the magnetic flux generated by the device, and the magnetic flux can be balanced on or near the magnetoelectric conversion element. Therefore, even if there is an electric device or the like that generates a strong magnetic field in the vicinity, it is possible to use an element that operates with high accuracy in a relatively low magnetic flux density range, such as a Hall IC, for example, as a magnetoelectric element, The influence of the magnetic flux exerted from the surroundings can be substantially neglected, and a signal can be output reliably due to the proximity / separation of the magnetic material.
【0018】また他の特徴は、前記保護対象機器または
その周辺機器が発生する磁束の磁気回路の磁電変換素子
の検知面に於ける直交磁束成分は、磁電変換素子を通る
磁束密度を保護対象機器の動作に連動して変化するもの
としたことにある。Another feature is that the orthogonal magnetic flux component of the magnetic flux generated by the device to be protected or its peripheral device on the detection surface of the magneto-electric conversion element of the magnetic circuit determines the magnetic flux density passing through the magneto-electric conversion element. That changes in conjunction with the operation of.
【0019】また他の特徴は磁電変換素子を有する本体
と、別体とされた磁界発生用の磁石とからなり、保護対
象機器の動作部分に前記磁石を取り付け、この磁石の近
接及び離隔による磁束密度の変化を検知する磁気センサ
ーにおいて、センサー本体は保護対象機器またはその周
辺機器が発生する磁束の通る磁気回路内に配置され、該
磁気回路は保護対象機器の動作に伴って磁電変換素子を
通る磁束密度を変化するものであり、磁界発生用磁石は
磁電変換素子に対して前記磁気回路による磁電変換素子
の検知面に直交する磁束成分を実質的に打ち消す方向に
磁束を発生するように取り付けられることにある。Another feature is that it comprises a main body having a magneto-electric conversion element and a separate magnet for generating a magnetic field. The magnet is attached to an operating portion of a device to be protected, and a magnetic flux caused by the proximity and separation of the magnet. In a magnetic sensor for detecting a change in density, a sensor main body is disposed in a magnetic circuit through which a magnetic flux generated by a device to be protected or its peripheral device passes, and the magnetic circuit passes through a magneto-electric conversion element with the operation of the device to be protected. The magnet for generating a magnetic field is attached to the magneto-electric conversion element so as to generate a magnetic flux in a direction that substantially cancels a magnetic flux component orthogonal to a detection surface of the magneto-electric conversion element by the magnetic circuit. It is in.
【0020】このように保護対象機器の動作に伴って磁
気回路内の磁性体の位置が変化することにより磁気回路
内を通過する磁束密度が変化するものにおいて、この磁
気回路上に磁気センサーを載置する事により、保護対象
機器の動作時には磁気センサーそのものによる磁束密度
変化と磁気回路による磁束密度変化を重ね合わせること
ができ、磁気センサー内の磁電変換素子に対する直交磁
束成分密度の変化をより大きくする事ができセンサーと
しての動作をより確実にし、且つ小型化を容易にするこ
とができる。As described above, in a device in which the magnetic flux density passing through the magnetic circuit changes due to a change in the position of the magnetic material in the magnetic circuit accompanying the operation of the device to be protected, a magnetic sensor is mounted on the magnetic circuit. When the protection target device operates, the change in magnetic flux density by the magnetic sensor itself and the change in magnetic flux density by the magnetic circuit can be overlapped during operation of the device to be protected, and the change in the orthogonal magnetic flux component density with respect to the magnetoelectric conversion element in the magnetic sensor is further increased. As a result, the operation as a sensor can be made more reliable, and downsizing can be facilitated.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下、図を参照しながら本発明の
磁気センサーの実施の形態を実施例にもとづいて説明す
る。図1に断面図で示す磁気センサー1は磁電変換素子
であるホールIC2とこのホールICを挟む形で配置さ
れた二つの磁界発生用の磁石たる希土類磁石3A,3B
を有している。この磁石3A,3Bは図示左右方向に着
磁されており、互いに同極、例えばS極同士をホールI
C2に向けている。また磁石とホールICとの距離は鉄
心4A,4Bで規定されている。またこの鉄心4A,4
Bの形状は磁石3A,3Bの磁束をホールIC上に集中
させるための形状とされている。本実施例で希土類磁石
を使用しているのは低温時にも減磁しないからであり、
使用環境がそれほど厳しくない場合にはフェライト磁石
などを使用することは充分可能である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view of a magnetic sensor according to an embodiment of the present invention. A magnetic sensor 1 shown in a cross-sectional view in FIG. 1 has a Hall IC 2 as a magnetoelectric conversion element and two rare-earth magnets 3A and 3B as magnets for generating a magnetic field arranged so as to sandwich the Hall IC 2.
have. The magnets 3A and 3B are magnetized in the left-right direction in the figure, and have the same polarity, for example, S poles with the hole I.
I'm aiming for C2. The distance between the magnet and the Hall IC is defined by the iron cores 4A and 4B. In addition, this iron core 4A, 4
The shape B is a shape for concentrating the magnetic flux of the magnets 3A and 3B on the Hall IC. The reason for using a rare earth magnet in the present embodiment is that it does not demagnetize even at low temperatures,
When the use environment is not so severe, it is sufficiently possible to use a ferrite magnet or the like.
【0022】ここで磁石3A,3Bが前述のように互い
に同極をホールIC2に向けられ、両磁石の間でホール
ICの検知面に対する直交磁束成分を実質的に打ち消し
あう位置を有するようにした理由について説明する。図
5のグラフは図6に示すように2個の磁石3A,3Bの
同極同士を距離d0の間隔で向かい合わせた場合の磁石
間の磁束密度分布を示したものである。このグラフの横
軸には磁石3Aの表面に対する垂直方向への距離Dを、
また縦軸にはこの垂直方向成分の磁束密度Bをとり、両
者の関係を示したものである。例えばここで磁石3Bを
取り除いたと仮定すると、磁石3Aからの磁束は曲線B
1に示す如く磁石表面であるD=0の位置ではB0であ
り、変化率を減少しながら無限遠で0に近づいていく。Here, the magnets 3A and 3B are directed to the Hall IC 2 with the same polarity to each other as described above, and have a position between the two magnets to substantially cancel the orthogonal magnetic flux component with respect to the detection surface of the Hall IC. The reason will be described. The graph of FIG. 5 shows the magnetic flux density distribution between the two magnets 3A and 3B when the same poles face each other at a distance d0 as shown in FIG. The horizontal axis of this graph represents the distance D in the vertical direction to the surface of the magnet 3A,
The vertical axis indicates the magnetic flux density B of the vertical component, and shows the relationship between the two. For example, assuming that the magnet 3B has been removed here, the magnetic flux from the magnet 3A is represented by a curve B
As shown in FIG. 1, at the position of D = 0 on the magnet surface, it is B0, and approaches 0 at infinity while decreasing the change rate.
【0023】例えば磁気センサー内の磁石表面の磁束密
度は非常に高く、例えば実施例で使用している希土類磁
石を使用した場合などには磁石表面の磁束密度は約20
00ガウスにも及ぶ。これに対して保護対象機器から磁
気センサーが受ける漏洩磁束密度は対象機器や取り付け
位置によって異なるが通常数十ガウスであり、保護対象
機器からの漏洩磁束とバランスをとるためには磁石3A
とホールICの検知面2Aとの距離を大きくする必要が
ある。そのため、磁石を一つにした場合には部品点数こ
そ少なくなるもののセンサーの小形化にはつながらな
い。また弱い磁石を使用すれば磁石とホールICとの距
離を大きくしないで済むが、この場合には検出対象との
接近時と離隔時の距離の差を大きくしなければ充分な磁
束密度の変化を得ることができなくなるという問題があ
る。また磁束B1は0以下にはなり得ないので、交番磁
界タイプのホールICは使用できない。For example, the magnetic flux density on the magnet surface in the magnetic sensor is very high. For example, when the rare earth magnet used in the embodiment is used, the magnetic flux density on the magnet surface is about 20%.
As many as 00 Gauss. On the other hand, the leakage magnetic flux density received by the magnetic sensor from the device to be protected differs depending on the device to be protected and the mounting position, but is usually several tens of gauss.
It is necessary to increase the distance between the hole IC and the detection surface 2A of the Hall IC. Therefore, if one magnet is used, the number of parts is reduced, but the size of the sensor is not reduced. If a weak magnet is used, the distance between the magnet and the Hall IC does not need to be increased, but in this case, a sufficient change in magnetic flux density can be achieved unless the difference between the distance to the detection target and the distance to the detection target is increased. There is a problem that cannot be obtained. Further, since the magnetic flux B1 cannot be 0 or less, an alternating magnetic field type Hall IC cannot be used.
【0024】これに対して本発明の場合には複数の磁石
により磁界を相殺する構造であるため、磁石単体の強さ
に関係なくホールICの検知面に対して直交する方向の
磁束密度を0ガウス程度にすることができるので磁石の
選定が容易になり且つ磁気センサーを小形化できる。ま
た強い磁石を使用することにより磁石間の磁束密度変化
率、特に磁気センサーの検出領域付近での変化率を大き
くすることができセンサーとしての感度を上げることが
できる。On the other hand, in the case of the present invention, since the magnetic field is canceled by a plurality of magnets, the magnetic flux density in the direction orthogonal to the detection surface of the Hall IC is reduced to 0 regardless of the strength of the magnet alone. Since it can be made to be about Gaussian, it is easy to select a magnet and the magnetic sensor can be downsized. Also, by using a strong magnet, the rate of change of the magnetic flux density between the magnets, particularly the rate of change near the detection region of the magnetic sensor, can be increased, and the sensitivity as a sensor can be increased.
【0025】つまり図5を参照すると、磁石3Aの表面
からd0の位置に同極を対向させて磁石3Bを配置する
ことにより、磁気センサーの軸方向に対する磁石3Aか
らの磁束B1と磁石3Bからの磁束B2との合成磁束は
曲線B1+B2に示す様になる。つまり合成磁束密度は
磁石3A表面では最大になり、その中間で一旦0ガウス
つまり釣り合い位置になると共にこの釣り合い位置を境
に磁束の方向が正逆反転し、磁石3B表面では逆方向に
最大になる。この合成磁束は図5からも判るように距離
Dに対する磁束密度Bの変化率が大きく、磁石が一つの
場合と比較して狭い範囲dで動作磁束密度Bopから復帰
磁束密度Brpへの変化を行うことができる。こうして磁
気センサー内に2個の磁石を配置することによりセンサ
ーの小形化と高感度化を実現している。また磁石3A,
3Bに対するホールIC内の検知面2Aの位置関係を調
節することによりホールICに対して直交する磁束成分
密度を0ガウス以下にする事ができるので、交番磁界タ
イプのホールICを使用することもできる。なお、ここ
では説明を簡単にするために磁石とホールICとの位置
関係を変えることによってホールICに対する合成磁束
を調整する例について説明したが、例えば磁気センサー
1においては鉄心4A,4Bの形状を変更することでそ
れぞれの磁石3A,3Bからの磁束を調整してホールI
Cに対する合成磁束が調整される。That is, referring to FIG. 5, by arranging the magnet 3B with the same polarity facing the position of d0 from the surface of the magnet 3A, the magnetic flux B1 from the magnet 3A and the magnetic flux B1 from the magnet 3B in the axial direction of the magnetic sensor. The combined magnetic flux with the magnetic flux B2 is as shown by the curve B1 + B2. In other words, the composite magnetic flux density is maximum on the surface of the magnet 3A, temporarily becomes 0 gauss, that is, a balanced position in the middle, and the direction of the magnetic flux is reversed forward and reverse at the balanced position, and is maximized in the reverse direction on the surface of the magnet 3B. . As can be seen from FIG. 5, this synthetic magnetic flux has a large change rate of the magnetic flux density B with respect to the distance D, and changes from the operating magnetic flux density Bop to the return magnetic flux density Brp in a narrower range d than in the case of one magnet. be able to. Thus, by arranging two magnets in the magnetic sensor, the size of the sensor is reduced and the sensitivity is increased. In addition, magnet 3A,
By adjusting the positional relationship of the sensing surface 2A in the Hall IC with respect to the Hall IC 3B, the magnetic flux component density perpendicular to the Hall IC can be reduced to 0 Gauss or less, so that an alternating magnetic field type Hall IC can be used. . Here, for the sake of simplicity, an example has been described in which the combined magnetic flux with respect to the Hall IC is adjusted by changing the positional relationship between the magnet and the Hall IC. For example, in the magnetic sensor 1, the shapes of the iron cores 4A and 4B are changed. By changing the magnetic flux from the magnets 3A and 3B, the Hall I
The resultant magnetic flux for C is adjusted.
【0026】保護対象機器から磁気センサーが受ける漏
洩磁束密度は対象機器や取り付け位置によって異なる
が、例えば実施例のカーエアコン用コンプレッサーに取
り付けた場合には電磁クラッチからの漏洩磁束密度は6
0ガウス程度である。そのため磁気センサー内の磁束分
布はこの漏洩磁束によるホールICに直交する磁束密度
成分をうち消す程度にオフセットされている。The leakage magnetic flux density received by the magnetic sensor from the device to be protected varies depending on the device to be protected and the mounting position. For example, when the magnetic sensor is mounted on the compressor for a car air conditioner of the embodiment, the leakage magnetic flux density from the electromagnetic clutch is 6%.
It is about 0 Gauss. Therefore, the magnetic flux distribution in the magnetic sensor is offset to such an extent that the magnetic flux density component orthogonal to the Hall IC due to the leakage magnetic flux is eliminated.
【0027】図1に示すように本実施例においては磁石
3Aの背面に補助鉄心5が設けられている。そのため磁
石3AからホールICに向かう磁束の方が磁石3Bから
の磁束よりも強くなり、磁束の釣り合い位置は磁石3B
側にオフセットされている。このオフセット量は磁気セ
ンサー1が取り付けられる保護対象機器においてセンサ
ーが受ける漏洩磁束の強さ及び方向によって設定される
ものであり、例えば補助鉄心5を設ける代わりに鉄心4
A,4Bの形状を変えたり、磁石3A,3Bそれぞれの
強さを変えることによっても調整可能である。As shown in FIG. 1, in this embodiment, an auxiliary iron core 5 is provided on the back surface of the magnet 3A. Therefore, the magnetic flux from the magnet 3A toward the Hall IC becomes stronger than the magnetic flux from the magnet 3B, and the magnetic flux is balanced by the magnet 3B.
Offset to the side. This offset amount is set according to the strength and direction of the leakage magnetic flux received by the sensor in the device to be protected to which the magnetic sensor 1 is attached. For example, instead of providing the auxiliary core 5, the core 4
Adjustment can also be made by changing the shape of A, 4B or by changing the strength of each of the magnets 3A, 3B.
【0028】これらの部品は一体化して非磁性体のケー
ス6に収納され、合成樹脂などの充填材7により封着固
定されている。ホールIC2からは制御信号及び検出信
号の入出力を行なう複数のリード端子8が引き出され、
このリード端子8のそれぞれに電気的に接続された端子
9が外部に導出されている。本実施例では内部の部品を
ケースに入れ充填材で封入したものを例に述べている
が、例えば内部の部品がケース内に確実に固定され且つ
使用上問題の無い程度の封止がなされるのであれば充填
材は必ずしも必要はなく、また逆に全体を樹脂等により
モールド成形することによりケースを省略してもよいこ
とは言うまでもない。These components are integrally housed in a nonmagnetic case 6 and sealed and fixed by a filler 7 such as a synthetic resin. From the Hall IC 2, a plurality of lead terminals 8 for inputting / outputting a control signal and a detection signal are drawn out.
Terminals 9 electrically connected to the respective lead terminals 8 are led out. In this embodiment, an example is described in which the internal components are put into a case and sealed with a filler, but for example, the internal components are securely fixed in the case and sealed to the extent that there is no problem in use. In this case, the filler is not always necessary. On the contrary, it is needless to say that the case may be omitted by molding the whole with resin or the like.
【0029】この磁気センサー1に外部からの磁束が働
かない状態では磁束の釣り合い位置が磁電変換素子であ
るホールICの検知面から大きくオフセットされている
ために、従来のような単に鉄などの磁性体が近接−離隔
するのみの方法では、この釣り合い位置の移動量を磁気
センサーが動作するのに充分な量とするような磁束変化
は起こらない。この磁気センサー1を保護対象機器に取
り付け、該保護対象機器の動作時に保護対象機器または
その周辺機器が発生する磁束の密度や方向などを考慮し
て磁気センサー1内の磁束分布をオフセットしておくこ
とにより、漏洩磁束が流れたときに磁電変換素子付近が
所定の磁束密度となるようにされており、磁気センサー
として確実に動作するようにしている。また磁気センサ
ーを近接−離隔する磁性体を含む磁気回路上に配置する
ことにより、前記磁性体の移動に伴う漏洩磁束密度の変
化を利用して磁気センサーに対する磁束変化をより大き
なものにすることにより磁気センサーの確実な出力変化
を実現している。In a state in which no magnetic flux from the outside acts on the magnetic sensor 1, the balanced position of the magnetic flux is largely offset from the detection surface of the Hall IC, which is a magneto-electric conversion element. In a method in which the body is only close to / separated from the body, there is no change in magnetic flux such that the amount of movement of the balance position is sufficient for the operation of the magnetic sensor. The magnetic sensor 1 is attached to the device to be protected, and the magnetic flux distribution in the magnetic sensor 1 is offset in consideration of the density and direction of the magnetic flux generated by the device to be protected or its peripheral devices during the operation of the device to be protected. Thus, when the leakage magnetic flux flows, a predetermined magnetic flux density is provided in the vicinity of the magnetoelectric conversion element, so that the magnetic sensor operates reliably as a magnetic sensor. Further, by arranging the magnetic sensor on a magnetic circuit including a magnetic material that is close to / separated from the magnetic circuit, by using a change in the leakage magnetic flux density accompanying the movement of the magnetic material, the change in magnetic flux to the magnetic sensor can be increased. It realizes a reliable output change of the magnetic sensor.
【0030】この点について磁気センサーを保護対象機
器であるカーエアコン用のコンプレッサーに取り付けた
場合を例に説明する。まず磁気センサーのコンプレッサ
ー上における働きについて説明する。図4に示すカーエ
アコン用のコンプレッサー201はプーリー202と図
示しないベルトを介して自動車のエンジンと連結され
る。ここでコンプレッサー201の回転軸203とプー
リー202との間には電磁クラッチ204が取り付けら
れており、通常時には電磁クラッチはつながれておら
ず、プーリー202は自由に回転可能であり、エンジン
から伝えられた回転はコンプレッサーの回転軸203に
は伝えられない。This point will be described by taking as an example a case where the magnetic sensor is mounted on a compressor for a car air conditioner which is a device to be protected. First, the operation of the magnetic sensor on the compressor will be described. 4 is connected to an automobile engine via a pulley 202 and a belt (not shown). Here, an electromagnetic clutch 204 is attached between the rotating shaft 203 of the compressor 201 and the pulley 202, and the electromagnetic clutch is not normally connected, and the pulley 202 is freely rotatable, and transmitted from the engine. The rotation is not transmitted to the rotary shaft 203 of the compressor.
【0031】電磁クラッチ204のコイル204Aに通
電する事によりプーリーと連動して回転する摩擦板20
2Aに磁性体のクラッチ板205が押しつけられてクラ
ッチを接続し、クラッチ板205と連結された回転軸2
03を介してスクロール式圧縮機部206を駆動する。
このコンプレッサー201には圧縮機部206の動作状
態を検出するために磁気センサー1が取り付けられてお
り、圧縮機部の回転運動に連動する磁性体からなる検出
対象の近接離隔の動きを検知して信号を出力する。実施
例においてはスクロールの自転防止機構として設けられ
た磁性体からなるオルダムリング207の往復運動を検
出して出力信号電圧の高低を切り替えるようにされてい
る。この磁気センサー1は検出端面6Aを鉄系材料等の
磁性体から構成された検出対象であるオルダムリング2
07に対面させ、検出対象の近接位置と離隔位置との間
で出力が変化するように取付られている。電磁クラッチ
204を駆動する回路は圧縮機部206が何らかの原因
により拘束状態となり回転不能になった場合においても
これを駆動しているエンジンには影響を及ぼさないよう
にするために磁気センサー1からの回転検出信号を常に
監視している。ここで回転検出信号が高出力状態または
低出力状態のまま変化しなくなると異常と判断して電磁
クラッチへの通電を遮断する事によりエンジンとコンプ
レッサーとの連結が解除され、エンジンやタイミングベ
ルト等の損傷を防ぐことができる。When the coil 204A of the electromagnetic clutch 204 is energized, the friction plate 20 rotates in conjunction with the pulley.
2A, a clutch plate 205 made of a magnetic material is pressed to connect the clutch, and the rotating shaft 2 connected to the clutch plate 205
The scroll type compressor unit 206 is driven via the control unit 03.
The compressor 201 is provided with a magnetic sensor 1 for detecting the operation state of the compressor unit 206, and detects the movement of the proximity and separation of a detection target made of a magnetic material in conjunction with the rotational movement of the compressor unit. Output a signal. In this embodiment, the output signal voltage is switched between high and low by detecting the reciprocating motion of the Oldham ring 207 made of a magnetic material provided as a scroll rotation preventing mechanism. This magnetic sensor 1 has a detection end face 6A formed of a magnetic material such as an iron-based material or the like.
07, and is attached so that the output changes between the proximity position and the separation position of the detection target. The circuit for driving the electromagnetic clutch 204 is provided with a signal from the magnetic sensor 1 so as not to affect the engine driving the compressor unit 206 even if the compressor unit 206 becomes locked due to some cause and cannot rotate. The rotation detection signal is constantly monitored. Here, when the rotation detection signal does not change in the high output state or the low output state, it is determined that there is an abnormality, and the connection between the engine and the compressor is released by cutting off the energization to the electromagnetic clutch, and the engine, the timing belt, etc. Damage can be prevented.
【0032】続いてこの場合の磁気センサー1の動作に
ついて説明する。ここで請求項1の発明においては、漏
洩磁束は例えばコンプレッサー近傍に置かれた磁束を発
生する周辺機器からのものであり、オルダムリングを通
過しない磁気回路を構成し、その磁束密度は定常的な値
である。磁気センサー1内の磁束分布は予めオフセット
され漏洩磁束が打ち消されるように設定されているた
め、磁気センサー1内の磁束変化は従来例と同様にオル
ダムリング207と磁石3A,3Bとの位置関係の変化
によるもののみに依存する。この場合の磁束密度は図示
は省略するが、例えば図3(A)に示す曲線L1をその
ままの形状で0ガウス付近にオフセットさせたものとな
る。例えば実施例のようなコンプレッサーに於けるオル
ダムリングの移動量で、この磁束密度はホールIC2の
取り付け位置において約5〜10ガウス程度の変動幅が
得られる。この状態でも磁気センサーは使用可能である
が、ホールICの動作磁束密度Bopと復帰磁束密度Brp
との差は数ガウスあるので、そのままではホールICの
機種の選択範囲が狭くなり、また動作点に対する磁束密
度の調整精度は若干厳しくなる。Next, the operation of the magnetic sensor 1 in this case will be described. Here, in the invention of claim 1, the leakage magnetic flux is, for example, from a peripheral device that generates a magnetic flux placed in the vicinity of the compressor, and constitutes a magnetic circuit that does not pass through the Oldham ring. Value. Since the magnetic flux distribution in the magnetic sensor 1 is set in advance so as to offset the leakage magnetic flux, the change in the magnetic flux in the magnetic sensor 1 changes the positional relationship between the Oldham ring 207 and the magnets 3A and 3B as in the conventional example. It depends only on the change. The magnetic flux density in this case is not shown, but is obtained by, for example, offsetting the curve L1 shown in FIG. For example, with the amount of movement of the Oldham ring in the compressor as in the embodiment, the magnetic flux density has a fluctuation range of about 5 to 10 Gauss at the mounting position of the Hall IC 2. Even in this state, the magnetic sensor can be used, but the operating magnetic flux density Bop of the Hall IC and the return magnetic flux density Brp
Since there is a difference of several Gauss, the selection range of the model of the Hall IC is narrowed as it is, and the accuracy of adjusting the magnetic flux density with respect to the operating point becomes slightly strict.
【0033】これに対して請求項2の発明においては、
漏洩磁束は例えば前述の電磁クラッチ204が発生し、
磁性体である回転軸203やオルダムリング207を介
して磁気センサー1中にバイパスするものである。まず
コンプレッサー201の電磁コイル204Aに通電され
ていない間は漏洩磁束は発生せず、また磁気センサー1
内の磁束分布は予めオフセットされているために磁電変
換素子であるホールICはオルダムリング207の停止
位置に関わらず高出力状態、または低出力状態に保たれ
る。実施例の場合、図3(A)の曲線L1として示され
ているように磁気センサー1単体の状態でホールICに
直交する磁束成分はN極側にオフセットされている。こ
のオフセット量は保護対象機器及びその周辺機器の発生
する磁界の強さによって決定される。例えば本実施例に
おいては磁気センサー1内を通過する電磁コイルからの
漏洩磁束密度が約60ガウスであり、これに合わせて磁
気センサーの鉄心及び補助鉄心を選定しオフセットされ
ている。On the other hand, in the invention of claim 2,
The leakage magnetic flux is generated by, for example, the above-described electromagnetic clutch 204,
The magnetic material is bypassed into the magnetic sensor 1 via the rotating shaft 203 and the Oldham ring 207 which are magnetic materials. First, no leakage magnetic flux is generated while the electromagnetic coil 204A of the compressor 201 is not energized.
The Hall IC, which is a magnetoelectric conversion element, is kept in a high output state or a low output state regardless of the stop position of the Oldham ring 207 because the magnetic flux distribution in the inside is offset in advance. In the case of the embodiment, the magnetic flux component orthogonal to the Hall IC in the state of the magnetic sensor 1 alone is offset to the N pole side as shown by a curve L1 in FIG. This offset amount is determined by the strength of the magnetic field generated by the device to be protected and its peripheral devices. For example, in this embodiment, the leakage magnetic flux density from the electromagnetic coil passing through the inside of the magnetic sensor 1 is about 60 gauss, and the core and the auxiliary core of the magnetic sensor are selected and offset according to this.
【0034】コンプレッサー201の駆動時には、電磁
クラッチ204を連結するために電磁コイル204Aに
通電される。このとき電磁コイル204Aは摩擦板20
2Aとクラッチ板205を連結させるための強い磁界を
発生してその主磁気回路はクラッチ板205を摩擦板2
02Aに接続するための吸引力を発生する。この漏洩磁
束は前述した従来例と同じであるので図3(A)の曲線
L2として示す。この図3(A)における漏洩磁束は前
述の図3(B)と同じく電磁クラッチが完全につながれ
た状態における関係を示す。磁気センサー1内の予めオ
フセットされた磁束分布はこの漏洩磁束によりほぼキャ
ンセルされ、磁束の釣り合い位置は磁気センサー内のホ
ールICの検出位置付近にまで移動する。実施例では磁
気センサー1の磁気オフセット量を若干大きくすること
により、漏洩磁束と合成された磁束は曲線L1+L2で
示されるように従来例と比べて若干引き下げられてい
る。このように電磁コイル204Aに通電し電磁クラッ
チ204が連結されると圧縮機部206が回転し、オル
ダムリング207が往復運動を始める。こうして磁気セ
ンサー1に対してオルダムリング207は近接−離隔を
繰り返し、それに伴い磁気センサー1内の磁束分布は変
化する。When the compressor 201 is driven, the electromagnetic coil 204A is energized to connect the electromagnetic clutch 204. At this time, the electromagnetic coil 204A is
The main magnetic circuit generates a strong magnetic field for connecting the clutch plate 205 and the clutch plate 205 to the friction plate 2.
Generates a suction force for connecting to 02A. Since this leakage magnetic flux is the same as the above-mentioned conventional example, it is shown as a curve L2 in FIG. The leakage magnetic flux in FIG. 3A shows a relationship in a state where the electromagnetic clutch is completely connected, as in FIG. 3B. The magnetic flux distribution offset in advance in the magnetic sensor 1 is almost canceled by the leakage magnetic flux, and the balanced position of the magnetic flux moves to the vicinity of the detection position of the Hall IC in the magnetic sensor. In the embodiment, by slightly increasing the magnetic offset amount of the magnetic sensor 1, the magnetic flux combined with the leakage magnetic flux is slightly reduced as compared with the conventional example as shown by the curve L1 + L2. When the electromagnetic coil 204A is energized in this way and the electromagnetic clutch 204 is connected, the compressor unit 206 rotates and the Oldham ring 207 starts reciprocating. Thus, the Oldham ring 207 repeatedly approaches and separates from the magnetic sensor 1, and the magnetic flux distribution in the magnetic sensor 1 changes accordingly.
【0035】本実施例においてはこのように近接−離隔
する検出対象たる磁性体を含む磁気回路上に磁気センサ
ー1を載置したことにより、例えば磁性体であるオルダ
ムリング207の近接−離隔による磁気センサー1の検
出端面6Aとのエアギャップの変化に伴い磁気回路内を
通る漏洩磁束の強度も変化するため、磁気センサー1は
圧縮機部の回転に対してより大きな磁束密度変化を得る
ことができる。例えば実施例においてはオルダムリング
の上死点と下死点ではホールICの位置に於いて漏洩磁
束密度は5〜10ガウス変化する。前述のオルダムリン
グのみによる磁束密度変化と合わせてホールICを通る
磁束密度は圧縮機部の回転に伴い10〜20ガウス程変
化させることができるのでホールICの動作復帰範囲に
対して充分に余裕が生じ、ホールICの選定や組付時の
位置決め作業が容易になる。In this embodiment, since the magnetic sensor 1 is mounted on the magnetic circuit including the magnetic material to be detected and approached and separated as described above, for example, the magnetic force due to the proximity and separation of the Oldham ring 207 which is a magnetic material is obtained. Since the strength of the leakage magnetic flux passing through the magnetic circuit changes with the change of the air gap between the sensor 1 and the detection end face 6A, the magnetic sensor 1 can obtain a larger change in the magnetic flux density with respect to the rotation of the compressor unit. . For example, in the embodiment, the leakage magnetic flux density changes by 5 to 10 gauss at the position of the Hall IC at the top dead center and the bottom dead center of the Oldham ring. The magnetic flux density passing through the Hall IC can be changed by about 10 to 20 gauss with the rotation of the compressor unit together with the magnetic flux density change due to only the Oldham ring described above, so that there is sufficient margin for the operation return range of the Hall IC. As a result, the selection operation of the Hall IC and the positioning work at the time of assembly are facilitated.
【0036】これを図3(A)で説明すると、合成後の
磁束L1+L2は検出対象であるオルダムリングの如き
磁性体とセンサーとの距離Dに対する磁束密度Bの変化
率が大きいため、動作磁束密度Bopとなる検出対象の位
置Daと復帰磁束密度Brpとなる検出対象の位置Dbと
の移動距離d1は、前述の従来例によるd2よりも小さ
くできる。換言すると検出対象は同一の移動距離であり
ながら磁束密度変化を大きくすることができる。これは
磁気センサー単体の場合に有している磁束密度の変化に
加えて、オルダムリングが磁気センサーと近接離隔する
ことによる磁気センサーに対する漏洩磁束のパイパス量
変化が重ね合わされるために合成された磁束の変化率は
大きくなるものである。さらに磁気センサーのオフセッ
ト量を適宜設定することにより動作及び復帰磁束密度B
op,Brpに対応する検出対象の位置Da,Dbや移動距
離d1をある程度任意に選ぶことができる。Referring to FIG. 3A, the magnetic flux L1 + L2 after the synthesis has a large change rate of the magnetic flux density B with respect to the distance D between the sensor and the magnetic substance such as the Oldham ring, so that the operating magnetic flux density is large. The moving distance d1 between the position Da of the detection target that becomes Bop and the position Db of the detection target that becomes the return magnetic flux density Brp can be made smaller than d2 according to the above-described conventional example. In other words, the change in the magnetic flux density can be increased while the detection target has the same moving distance. This is because, in addition to the change in the magnetic flux density of the magnetic sensor alone, the magnetic flux synthesized because the change in the bypass amount of the leakage magnetic flux to the magnetic sensor due to the proximity of the Oldham ring to the magnetic sensor is superimposed. Change rate increases. Further, by appropriately setting the offset amount of the magnetic sensor, the operation and return magnetic flux density B
It is possible to arbitrarily select the positions Da and Db of the detection target corresponding to op and Brp and the moving distance d1 to some extent.
【0037】次に他の実施形態について説明する。図7
は前述の実施例と同様のカーエアコン用コンプレッサー
201に磁気センサーが取り付けられた状態を示す部分
拡大図である。この磁気センサー11はセンサー本体1
2とこれとは別体とされた磁界発生用の永久磁石13と
で構成され、本体12内には磁電変換素子としてのホー
ルIC14が配置されている。磁石13はコンプレッサ
ー201内のオルダムリング207先端に検知対象とし
て取り付けられ、コンプレッサーの動作時には磁気セン
サー11の検出端面11Aに対して近接−離隔するよう
にされている。また、この実施例においても図示は省略
するがコンプレッサー201は前述の例と同様に電磁ク
ラッチを有しており、センサー本体12と磁石13は共
に電磁クラッチからの漏洩磁束による磁気回路中に配置
される。磁石13はこの漏洩磁束による磁気センサーに
対する直交磁束成分を実質的に打ち消すことができるよ
うに配置されており、センサー本体12への近接−離隔
によってホールIC14を通る磁束を動作磁束密度から
復帰磁束密度までを含んだ範囲で変化させる。Next, another embodiment will be described. FIG.
FIG. 4 is a partially enlarged view showing a state where a magnetic sensor is attached to a compressor 201 for a car air conditioner similar to the above-described embodiment. This magnetic sensor 11 is a sensor body 1
2 and a separate permanent magnet 13 for generating a magnetic field, and a Hall IC 14 as a magnetoelectric conversion element is disposed in the main body 12. The magnet 13 is attached to the tip of the Oldham ring 207 in the compressor 201 as a detection target, and is arranged so as to be close to and apart from the detection end face 11A of the magnetic sensor 11 when the compressor operates. Also in this embodiment, although not shown, the compressor 201 has an electromagnetic clutch as in the above-described example, and the sensor body 12 and the magnet 13 are both arranged in a magnetic circuit due to magnetic flux leaking from the electromagnetic clutch. You. The magnet 13 is arranged so as to substantially cancel the orthogonal magnetic flux component due to the leakage magnetic flux with respect to the magnetic sensor, and changes the magnetic flux passing through the Hall IC 14 from the operating magnetic flux density to the return magnetic flux density by approaching / separating from the sensor main body 12. It is changed in the range including up to.
【0038】この実施例の場合にはセンサー本体に対し
て検出対象として磁石が近接離隔するようにされている
ために、前述の例のような磁性体を近接離隔するものと
比較して同じ移動量でも磁電変換素子を通る磁束密度を
大きく変化させることができる。この場合にも漏洩磁束
の強度に合わせて磁石の種類やセンサー本体に近接した
時の距離などを選定することにより、磁気センサーに対
する直交磁束成分密度の変動範囲を任意の値にする事が
できる。そのためホールICには交番磁界タイプも片側
磁界タイプも使用することが可能である。磁束密度の変
化によるセンサーの動作に関しては前述の例と同様なの
で説明を省略する。In the case of this embodiment, since the magnet is arranged to be close to and separated from the sensor body as a detection object, the same movement is made as compared with the case where the magnetic body is close to and separated as in the above-described example. Even the amount can greatly change the magnetic flux density passing through the magnetoelectric conversion element. Also in this case, the variation range of the orthogonal magnetic flux component density with respect to the magnetic sensor can be set to an arbitrary value by selecting the type of the magnet, the distance when approaching the sensor body, and the like according to the strength of the leakage magnetic flux. Therefore, it is possible to use an alternating magnetic field type or a one-side magnetic field type for the Hall IC. The operation of the sensor due to the change in the magnetic flux density is the same as that in the above-described example, and the description is omitted.
【0039】上述した磁気センサーは被検出部である磁
性体若しくは磁石の近接及び離隔による磁束変化により
出力を変化させるものである。上述の説明ではオルダム
リングの様な磁性体のほぼ直線方向の動きを検知する場
合について説明しているが、磁性体を回転軸などに取り
付けてその近接離隔を検出するものとしても使用できる
ことは言うまでもない。The above-described magnetic sensor changes its output by a change in magnetic flux due to the proximity and separation of a magnetic body or a magnet as a portion to be detected. In the above description, the case of detecting a substantially linear movement of a magnetic body such as an Oldham ring is described. However, it is needless to say that the magnetic body can be used to detect the proximity or separation by attaching the magnetic body to a rotating shaft or the like. No.
【0040】[0040]
【発明の効果】本発明の磁気センサーにおいては保護対
象機器またはその周辺機器が発生する磁束の通る磁気回
路内に配置される磁気センサーにおいて、複数の磁石を
同極同士が向い合うように配置して、磁石間の磁束密度
がほぼ0になる磁束の釣り合い位置をあらかじめ磁電変
換素子の位置から所定のオフセット量に設定し、保護対
象機器の動作しているときに前記保護対象機器またはそ
の周辺機器が発生する定常的な磁束を合成することによ
り前記磁石間の磁束密度がほぼ0になる位置が磁電変換
素子上若しくはその近傍に移動されるべく前記磁石の磁
電変換素子に対する磁束の釣り合いを調整している。そ
のため磁気センサーを所定の磁界を発生する周辺機器の
近傍に取り付けた時に漏洩磁束を受けて磁気センサーの
磁束釣り合い位置を磁電変換素子上またはその近傍位置
とすることができる。そのため近傍に強い磁界を発生す
る機器等が存在しても、例えばホールICの様に比較的
磁束密度の低い範囲で動作する磁電変換素子を使用する
事が可能になり、周囲から及ぼされる磁束の影響を実質
的に無視でき磁性体の近接離隔により確実に信号を出力
することができる。According to the magnetic sensor of the present invention, in a magnetic sensor arranged in a magnetic circuit through which a magnetic flux generated by a device to be protected or its peripheral device passes, a plurality of magnets are arranged so that the same poles face each other. Thus, a balanced position of the magnetic flux at which the magnetic flux density between the magnets becomes substantially 0 is set in advance to a predetermined offset amount from the position of the magnetoelectric conversion element, and the target device or its peripheral device is operated when the target device is operating. The balance of the magnetic flux of the magnet with respect to the magneto-electric conversion element is adjusted so that the position where the magnetic flux density between the magnets becomes substantially zero is moved to or near the magneto-electric conversion element by synthesizing the steady magnetic flux generated. ing. Therefore, when the magnetic sensor is mounted in the vicinity of a peripheral device that generates a predetermined magnetic field, it receives a leakage magnetic flux, so that the magnetic flux balanced position of the magnetic sensor can be set to a position on or near the magnetoelectric conversion element. Therefore, even if there is a device or the like that generates a strong magnetic field in the vicinity, it is possible to use a magnetoelectric conversion element that operates in a range where the magnetic flux density is relatively low, such as a Hall IC, for example. The influence can be substantially ignored and a signal can be output reliably due to the close proximity of the magnetic material.
【0041】また前記保護対象機器またはその周辺機器
が発生する磁束の磁気回路の磁電変換素子の検知面に於
ける直交磁束成分は、磁電変換素子を通る磁束密度を保
護対象機器の動作に連動して変化するものとしたことに
より、保護対象機器の動作時には磁気センサーそのもの
による磁束密度変化と磁気回路による磁束密度変化を重
ね合わせることができ、磁気センサー内の磁電変換素子
に対する直交磁束成分密度の変化をより大きくする事が
できセンサーとしての動作を容易にすることができる。The orthogonal magnetic flux component of the magnetic flux generated by the device to be protected or its peripheral device on the detection surface of the magneto-electric conversion element of the magnetic circuit changes the magnetic flux density passing through the magneto-electric conversion device in conjunction with the operation of the device to be protected. When the device to be protected is operating, the change in magnetic flux density due to the magnetic sensor itself and the change in magnetic flux density due to the magnetic circuit can be superimposed. Can be made larger and the operation as a sensor can be facilitated.
【0042】さらに複数の磁石により磁電変換素子に対
して直交する磁束を実質的に打ち消しあう構造とするこ
とにより、磁石単体の強さは特に問題ではなくなるので
従来と比較して磁石の選定を容易にできる。また希土類
磁石などの強い磁石を使用することにより磁石間の磁束
密度変化率、特に磁気センサーの検出領域である0ガウ
ス付近での変化率を大きくすることができるため、セン
サーとしての感度を上げながらも磁気センサーを小形化
できる。Further, by adopting a structure in which a plurality of magnets substantially cancel out magnetic fluxes perpendicular to the magneto-electric conversion element, the strength of the single magnet is not particularly a problem, so that selection of the magnet is easier than in the conventional case. Can be. Also, by using a strong magnet such as a rare-earth magnet, the rate of change in magnetic flux density between magnets, especially in the vicinity of 0 gauss, which is the detection area of the magnetic sensor, can be increased, thereby increasing the sensitivity as a sensor. Can also downsize the magnetic sensor.
【図1】本発明の磁気センサーの実施例FIG. 1 shows an embodiment of a magnetic sensor according to the present invention.
【図2】本発明の磁気センサーに使用する磁電変換素子
の特性図FIG. 2 is a characteristic diagram of a magnetoelectric conversion element used for the magnetic sensor of the present invention.
【図3】磁気センサーと検出対象との距離と磁電変換素
子を通る磁束密度との関係を示す特性図FIG. 3 is a characteristic diagram showing a relationship between a distance between a magnetic sensor and a detection target and a magnetic flux density passing through a magnetoelectric conversion element.
【図4】図1の磁気センサーをカーエアコン用コンプレ
ッサーに取り付けた状態を示す一部断面図FIG. 4 is a partial sectional view showing a state where the magnetic sensor of FIG. 1 is attached to a compressor for a car air conditioner.
【図5】磁気センサー動作説明のための磁気特性図FIG. 5 is a magnetic characteristic diagram for explaining the operation of the magnetic sensor.
【図6】図5の説明のための模式図FIG. 6 is a schematic diagram for explaining FIG. 5;
【図7】本発明の別の実施例をカーエアコン用コンプレ
ッサーに取り付けた状態を示す部分拡大図FIG. 7 is a partially enlarged view showing a state where another embodiment of the present invention is attached to a compressor for a car air conditioner.
1:磁気センサー 2:ホールIC(磁電変換素子) 3A,3B:磁石(磁界発生用磁石) 4A,4B:鉄心 5:補助鉄心 6:ケース 7:充填材 13:磁界発生用磁石 201:カーエアコン用コンプレッサー(保護対象機
器) 207:オルダムリング(検出対象)1: Magnetic sensor 2: Hall IC (Magnetoelectric conversion element) 3A, 3B: Magnet (magnet for generating magnetic field) 4A, 4B: Iron core 5: Auxiliary iron core 6: Case 7: Filler 13: Magnet for generating magnetic field 201: Car air conditioner Compressor (protection target equipment) 207: Oldham ring (detection target)
Claims (3)
する磁束の通る磁気回路内に配置され、磁界発生用の磁
石と磁電変換素子とを有し、前記磁気回路の磁束は磁電
変換素子の検知面に於ける直交磁束成分を有し、磁性体
の近接及び離隔による磁界の変化を検知する磁気センサ
ーにおいて、前記磁石は磁電変換素子に対して充分に出
力変化を行わせる強度の磁束を発生するものであり、該
磁石は少なくとも2個で構成されるとともに前記磁電変
換素子を検出方向に対して挟むように配置し且つ同極同
士が向い合うように配置し、磁石間の磁電変換素子の検
知面に於ける直交磁束成分密度がほぼ0になる磁束の釣
り合い位置をあらかじめ磁電変換素子の位置から所定の
オフセット量に設定し、保護対象機器の動作していると
きに前記保護対象機器またはその周辺機器が発生する磁
束は定常的なものであり、この磁束を合成することによ
り前記磁石間の磁束密度がほぼ0になる位置が磁電変換
素子の検知面上若しくはその近傍に移動されるべく前記
磁石の磁電変換素子に対する磁束の釣り合い位置に変更
させるようにしたことを特徴とする磁気センサー。1. A device for protection or a peripheral device thereof, which is disposed in a magnetic circuit through which a magnetic flux generated by the device passes and has a magnet for generating a magnetic field and a magnetoelectric transducer, wherein the magnetic flux of the magnetic circuit is detected by the magnetoelectric transducer. In a magnetic sensor having an orthogonal magnetic flux component in a plane and detecting a change in a magnetic field due to proximity and separation of a magnetic body, the magnet generates a magnetic flux having a strength enough to cause an output change to a magnetoelectric conversion element. The magnets are composed of at least two magnets, and the magneto-electric conversion elements are arranged so as to be sandwiched in the detection direction and are arranged so that the same poles face each other. The equilibrium position of the magnetic flux at which the orthogonal magnetic flux component density on the surface is substantially zero is set in advance to a predetermined offset amount from the position of the magnetoelectric conversion element, and the target device is protected when the target device is operating. The magnetic flux generated by the magnet or its peripheral device is stationary, and by synthesizing this magnetic flux, the position where the magnetic flux density between the magnets becomes almost zero is moved to or near the detection surface of the magnetoelectric conversion element. A magnetic sensor wherein the magnetic flux is changed to a position where the magnetic flux of the magnet is balanced with the magnetoelectric conversion element as much as possible.
発生する磁束の磁気回路の磁電変換素子の検知面に於け
る直交磁束成分は、磁電変換素子を通る磁束密度を保護
対象機器の動作に連動して変化するものであることを特
徴とする請求項1の磁気センサー。2. The orthogonal magnetic flux component of the magnetic flux generated by the device to be protected or its peripheral device on the detection surface of the magneto-electric conversion element of the magnetic circuit is linked to the magnetic flux density passing through the magneto-electric conversion element in conjunction with the operation of the device to be protected. 2. The magnetic sensor according to claim 1, wherein the magnetic sensor changes.
れた磁界発生用の磁石とからなり、保護対象機器の動作
部分に前記磁石を取り付け、この磁石の近接及び離隔に
よる磁束密度の変化を検知する磁気センサーにおいて、
センサー本体は保護対象機器またはその周辺機器が発生
する磁束の通る磁気回路内に配置され、該磁気回路は保
護対象機器の動作に伴って磁電変換素子を通る磁束密度
を変化するものであり、磁界発生用磁石は磁電変換素子
に対して前記磁気回路による磁電変換素子の検知面に直
交する磁束成分を実質的に打ち消す方向に磁束を発生す
るように取り付けられることを特徴とする磁気センサ
ー。3. A main body having a magnetoelectric conversion element, and a separate magnet for generating a magnetic field, wherein the magnet is attached to an operating portion of a device to be protected, and a change in magnetic flux density due to proximity and separation of the magnet. In a magnetic sensor that detects
The sensor body is arranged in a magnetic circuit through which a magnetic flux generated by the device to be protected or its peripheral device passes, and the magnetic circuit changes the magnetic flux density passing through the magnetoelectric conversion element with the operation of the device to be protected. A magnetic sensor, wherein the generating magnet is attached to the magnetoelectric conversion element so as to generate a magnetic flux in a direction substantially canceling a magnetic flux component orthogonal to a detection surface of the magnetoelectric conversion element by the magnetic circuit.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10015014A JPH11202036A (en) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | Magnetic sensor |
AU59547/98A AU694712B1 (en) | 1997-05-19 | 1998-03-25 | Protecting device for car air conditioner |
KR1019980011001A KR100283447B1 (en) | 1997-05-19 | 1998-03-30 | Protective device for automobile air conditioner |
US09/050,002 US5931008A (en) | 1997-05-19 | 1998-03-30 | Protecting device for car air conditioner |
CA002233850A CA2233850C (en) | 1997-05-19 | 1998-03-31 | Protecting device for car air conditioner |
CN98106165A CN1105043C (en) | 1997-05-19 | 1998-04-02 | Protecting device for car air conditioner |
FR9804094A FR2763288A1 (en) | 1997-05-19 | 1998-04-02 | Compressor mounted protecting device for car air conditioner |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10015014A JPH11202036A (en) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | Magnetic sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11202036A true JPH11202036A (en) | 1999-07-30 |
Family
ID=11877032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10015014A Pending JPH11202036A (en) | 1997-05-19 | 1998-01-08 | Magnetic sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11202036A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009139252A (en) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Tokai Rika Co Ltd | Position sensor |
JP2012031739A (en) * | 2010-07-28 | 2012-02-16 | Denso Corp | Mounting structure of lock sensor |
JP2016035456A (en) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | マイクロナス ゲー・エム・ベー・ハー | Magnetic field measuring device |
JPWO2015050109A1 (en) * | 2013-10-02 | 2017-03-09 | 株式会社ニコン | Encoder scale, encoder, drive device and stage device |
CN109756221A (en) * | 2017-11-03 | 2019-05-14 | 梅特勒-托利多(常州)测量技术有限公司 | Hall key |
CN111712717A (en) * | 2019-01-18 | 2020-09-25 | 艾礼富电子(深圳)有限公司 | Magnetic field detection device using hall element or hall IC, and proximity sensor using magnetic field detection device |
-
1998
- 1998-01-08 JP JP10015014A patent/JPH11202036A/en active Pending
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