JPH11200018A - Vacuum deposition method by electron gun heating system - Google Patents

Vacuum deposition method by electron gun heating system

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JPH11200018A
JPH11200018A JP381498A JP381498A JPH11200018A JP H11200018 A JPH11200018 A JP H11200018A JP 381498 A JP381498 A JP 381498A JP 381498 A JP381498 A JP 381498A JP H11200018 A JPH11200018 A JP H11200018A
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JP
Japan
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dent
crucible
electron beam
electron gun
flattening
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JP381498A
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Inventor
Takeshi Kuragaki
丈志 倉垣
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for recovering the reduction of the efficiency of vapor deposition caused by the formation of a dent on the surface of a vapor depositing material in a crucible applied with electron beam irradiation in the field of electron beam vacuum deposition technology of high m.p. metals or the like and to provide a device therefor. SOLUTION: This method includes a stage in which vapor deposition treatment is executed while a dent 22 caused by an electron beam 30, of an evaporating material 2 is a crucible 21 is monitored by a dent detecting method and a stage in which the vapor deposition treatment is discontinued, and the dent on the surface of the evaporating material in the crucible is flattened by electron beam irradiation, and the dent detecting method is the one in which the electric current of an electron gun filament 3 is regulated for obtaining a certain film thickness speed according to the data of a film thickness gauge 5, and the filament electric current is compared with the set electric current value.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高融点金属等の電
子ビーム真空蒸着技術の分野で、電子線照射したルツボ
内の蒸着材料の表面の凹み形成に伴う蒸着能率低下を回
復するための方法とその装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the field of electron beam vacuum deposition of high melting point metals and the like, and a method for recovering a reduction in deposition efficiency due to the formation of a depression on the surface of a deposition material in a crucible irradiated with an electron beam. And its equipment.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子ビーム照射による真空蒸着法は、高
融点金属の薄膜を基板等の表面に蒸着形成する方法とし
て、半導体装置製造等の分野で広く使用されているが、
この方法は、真空容器中で水冷銅ルツボ内に保持した金
属などの蒸発材料の表面に電子ビームを照射して、蒸発
材料の溶融表面から蒸発した蒸気を対象物の表面の被着
し、皮膜形成をするものである。
2. Description of the Related Art Vacuum deposition by electron beam irradiation is widely used in the field of semiconductor device manufacturing and the like as a method for depositing a thin film of a high melting point metal on a surface of a substrate or the like.
This method irradiates an electron beam onto the surface of an evaporating material such as a metal held in a water-cooled copper crucible in a vacuum vessel, deposits vapor evaporated from the molten surface of the evaporating material on the surface of the object, and forms a film. It is what forms.

【0003】この方法で、蒸着を続けると、ルツボ内蒸
発材料は、電子ビームの照射部位が強く溶融蒸発し、そ
の周囲はルツボ壁により冷却されるので、照射部位が優
先的に凹み、表面の凹みが生じると、凹みからの金属材
料の蒸発速度が減じるので、一定の膜厚速度が制御でき
ない。このため、凹みが大きくなると、膜形成速度ない
し製膜速度を確保するためには、蒸着処理を一旦中断し
て、電子ビームによりスィープしながら表面を溶融して
平坦化したり、蒸発材料の表面凹みに材料補充して、そ
れを再溶解して表面均一化することがなされていた。表
面均一化後に蒸着処理が再開される。このようにして、
従来は、蒸着処理と、蒸発材料表面均一化処理とを、手
動で、交互に切替えて行われていた。
[0003] When the vapor deposition is continued by this method, the irradiation material of the crucible melts and evaporates strongly in the electron beam irradiation area, and the surrounding area is cooled by the crucible wall. When the depression occurs, the evaporation rate of the metal material from the depression decreases, so that a constant film thickness rate cannot be controlled. For this reason, when the dent becomes large, in order to secure a film forming speed or a film forming speed, the vapor deposition process is temporarily interrupted, and the surface is melted and flattened while being swept by an electron beam, or the surface dent of the evaporation material is made. , And re-dissolve it to make the surface uniform. After the surface is made uniform, the deposition process is restarted. In this way,
Conventionally, the deposition process and the evaporation material surface uniformization process have been manually and alternately switched.

【0004】従来の技術には、ルツボ内蒸発材料の表面
凹みに関して、特開平3−146659号公報に、フィ
ラメント側で測定した分子線強度が低下するに従って、
ルツボないし容器上の材料を前方に、即ち、電子ビーム
側へ順次傾動させて、電子ビームを常に表面凹みが浅い
状態で照射し、一定の膜厚速度で蒸発させることが開示
されている。この例では、膜厚計としては、水晶振動子
センサを使用して、センサで分子線強度が常に一定にな
るように傾動制御されている。
[0004] In the prior art, regarding the surface dents of the evaporation material in the crucible, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 3-14659 discloses that as the molecular beam intensity measured on the filament side decreases,
It is disclosed that a material on a crucible or a container is sequentially tilted forward, that is, toward the electron beam side, so that the electron beam is always irradiated with a shallow surface dent and evaporated at a constant film thickness rate. In this example, a quartz oscillator sensor is used as a film thickness meter, and tilt control is performed by the sensor so that the molecular beam intensity is always constant.

【0005】また、先行技術、特開平5−339714
号公報には、電子ビーム蒸発方法に関して、回転ルツボ
中の蒸発材料源に対して、表面に照射する電子ビーム
を、回転中心を通って、直径方向に偏向して左右に振
り、しかも、周速度の大きい周辺部で照射強度が大きく
なるように特殊な偏向磁極を配したものがある。
In the prior art, Japanese Patent Laid-Open No. 5-339714.
Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2000-171873 discusses an electron beam evaporation method, in which an electron beam irradiating the surface is deflected in a diametric direction through a center of rotation and is swung right and left with respect to an evaporating material source in a rotating crucible. In some cases, a special deflection magnetic pole is arranged so that the irradiation intensity is increased in the peripheral portion where the intensity is large.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】電子ビーム照射を続け
るとルツボ内金属材料の表面に凹みが生じ、その凹み部
からの蒸発速度が低下するので、電子ビームのパワーを
上げるために、フィラメント電流を増加させることがな
されるが、これに伴い、蒸着源の加熱条件が変わって、
対象物上に蒸着形成された膜質と膜厚の均一性が低下す
ると言う問題があった。このような問題に関して、凹み
部の修復を自動化するには、凹みの大きさを自動的に的
確に検出する必要がある。
If the irradiation of the electron beam is continued, the surface of the metal material in the crucible is depressed, and the evaporation rate from the depressed portion is reduced. Therefore, the filament current is increased in order to increase the power of the electron beam. However, the heating conditions of the evaporation source change,
There has been a problem that the quality and uniformity of the film thickness formed by vapor deposition on the object are reduced. Regarding such a problem, in order to automate the repair of the dent, it is necessary to automatically and accurately detect the size of the dent.

【0007】さらに他の上記の先行技術は、いずれも蒸
着処理過程で、電子ビームの偏向又はルツボの傾動によ
り連続的に電子ビームによる蒸発をさせ、その膜成長速
度を一定に保持できる利点があるが、上記の特開平3−
146659号公報の方法は、ルツボを傾動させるため
に、大面積の蒸着処理や、多数枚のウエハーをバッチ式
で蒸着処理するには適しない。また、上記の特開平5−
339714号公報の電子ビーム蒸発方法は、蒸着源上
部に大掛かりな偏向磁極を配する必要があり、蒸着源へ
のビーム径を絞る必要のある蒸着処理、例えば、リフト
オフプロセスには、蒸着処理中に上記の電子ビームを偏
向する方法は、製膜基板に対する蒸発点の相対位置が変
位するので、好ましくない。さらに、一般に、蒸着処理
中にルツボを回転させる方法は、多層蒸着のために複数
の蒸発源を備えるルツボには、適用困難である。
[0007] The above-mentioned other prior arts have the advantage that, during the vapor deposition process, the electron beam is continuously evaporated by deflection of the electron beam or tilting of the crucible, and the film growth rate can be kept constant. However, the above-mentioned JP-A-3-
The method disclosed in Japanese Patent No. 146659 is not suitable for a large-area deposition process or a batch-type deposition process for a large number of wafers because the crucible is tilted. In addition, the above-mentioned Japanese Unexamined Patent Publication No.
In the electron beam evaporation method disclosed in 339714, it is necessary to dispose a large deflection magnetic pole above the evaporation source, and to perform the evaporation process in which the beam diameter to the evaporation source needs to be narrowed, for example, during the lift-off process, The above method of deflecting the electron beam is not preferable because the position of the evaporation point relative to the film forming substrate is displaced. Furthermore, in general, the method of rotating a crucible during a deposition process is difficult to apply to a crucible having a plurality of evaporation sources for multilayer deposition.

【0008】本発明は、以上の問題に鑑みて、電子銃加
熱方式の真空蒸着の過程で生じるルツボ内の蒸着材料の
表面凹みを自動的に検出してこれを自動的に修復するた
めの真空蒸着方法を提供しようとするものである。本発
明は、真空蒸着過程で生じるルツボ内の蒸着材料の表面
凹みを検出して修復することのできる自動制御装置を備
えた、真空蒸着装置を提供しようとするものである。
In view of the above problems, the present invention provides a vacuum for automatically repairing and automatically detecting a surface dent of a vapor deposition material in a crucible generated in a vacuum vapor deposition process of an electron gun heating method. It is intended to provide a vapor deposition method. An object of the present invention is to provide a vacuum deposition apparatus having an automatic control device capable of detecting and repairing a surface dent of a deposition material in a crucible generated in a vacuum deposition process.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の真空蒸着方法
は、ルツボ内の蒸発材料の電子ビームによる凹みを凹み
検出方法により監視しながら蒸着処理を行う過程と、凹
み検出方法により凹みを検出したときに、蒸着処理を中
断して、電子ビーム照射によりルツボ内の蒸発材料表面
の凹みを平坦化する過程と、を含む電子銃加熱方式の真
空蒸着方法であって、その特徴は、上記の凹み検出方法
が、膜厚計のデータにより一定膜厚レートのための電子
銃フィラメント電流を制御することと、当該フィラメン
ト電流が設定値に達した時に凹みを検出することにあ
る。
According to the vacuum vapor deposition method of the present invention, a vapor deposition process is performed while monitoring a dent of an evaporating material in a crucible by an electron beam by a dent detection method, and a dent is detected by the dent detection method. A process of interrupting the deposition process and flattening the dents on the surface of the evaporating material in the crucible by electron beam irradiation, and a vacuum deposition method of an electron gun heating method, the feature of which is that the dents The detection method is to control the electron gun filament current for a constant film thickness rate based on the data of the film thickness meter, and to detect a dent when the filament current reaches a set value.

【0010】膜厚計は、直接又は間接に蒸着膜を測定し
うる装置を広く言い、ルツボ内の蒸発材料の照射部から
電子ビーム照射により蒸発放散される粒子の蒸発速度を
検出することのできる計測装置も含まれる。
[0010] A film thickness meter broadly refers to a device capable of directly or indirectly measuring a vapor-deposited film, and is capable of detecting an evaporation rate of particles vaporized and dissipated by an electron beam irradiation from an irradiation portion of an evaporation material in a crucible. Measuring devices are also included.

【0011】本発明は、蒸着処理中に、凹みが形成され
始めると蒸発量が減り始め、これを検出する膜厚計から
のデータにより膜厚速度、従って、蒸発速度が一定に保
持できるように電子銃フィラメント電流を増加させ、こ
れにより、電子銃からの電子ビームの量、即ち電子ビー
ム電流を増加させ、凹み部への入熱を高めて蒸発量を確
保する。このようなフィードバック制御中に電子銃フィ
ラメント電流が予め設定された電流値より大きくなる
と、凹みを検出した信号を出して、蒸着処理を中断し
て、自動的に凹みを平坦化する過程に移行するのであ
る。
According to the present invention, the amount of evaporation starts to decrease when a dent starts to be formed during the vapor deposition process, and the film thickness speed, and thus the evaporation speed, can be kept constant by the data from the film thickness meter for detecting this. The electron gun filament current is increased, thereby increasing the amount of the electron beam from the electron gun, that is, the electron beam current, and increasing the heat input to the recess to secure the evaporation amount. If the electron gun filament current becomes larger than a preset current value during such feedback control, a signal that detects a dent is output, the vapor deposition process is interrupted, and the process shifts to a process of automatically flattening the dent. It is.

【0012】本発明において、別の凹み検出方法が採用
でき、これには、レーザ光が照射されたルツボ内の蒸発
材料表面からの反射レーザ光により凹みを検出する方法
も含まれる。電子ビーム照射位置にレーザ光を照射し
て、その反射光を検出して、反射レーザ光の出力から、
凹み大きさを検出する方法である。
In the present invention, another dent detection method can be employed, including a method of detecting a dent by a laser beam reflected from a surface of an evaporation material in a crucible irradiated with a laser beam. Laser light is irradiated to the electron beam irradiation position, the reflected light is detected, and from the output of the reflected laser light,
This is a method for detecting the size of the dent.

【0013】本発明の真空蒸着方法において、凹み検出
の後に、上記の凹みの平坦化がなされるが、凹み平坦化
方法には、電子ビームの照射位置を固定してルツボを概
ね水平に1方向又は2方向移動をさせることを含む。
In the vacuum deposition method of the present invention, the above-mentioned dents are flattened after the dents are detected. In the dent flattening method, the irradiation position of the electron beam is fixed and the crucible is moved substantially horizontally in one direction. Or, it includes moving in two directions.

【0014】凹み平坦化方法には、従来の如く、ルツボ
を固定して、ルツボ内の蒸発材料表面に電子ビームを偏
向移動ないし走査して、凹みを埋めて平坦化する方法も
採用される。これら電子ビームにより凹みを埋める平坦
化方法に代えて、或いは、それと共に、凹みへの蒸発材
料を補充追加し、電子ビーム照射により表面を平均化す
ることもなされる。
As a method of flattening a dent, a method of fixing a crucible and deflecting or moving or scanning an electron beam on the surface of the evaporation material in the crucible to fill the dent and flatten as in the prior art is also employed. Instead of, or in addition to, the flattening method of filling the depressions with the electron beam, the evaporation material is additionally added to the depressions, and the surface is averaged by electron beam irradiation.

【0015】本発明の電子銃加熱方式の真空蒸着方法
は、また、蒸着処理中に同時に凹み発生を回避して蒸着
を継続する方法が含まれる。即ち、この方法は、ルツボ
内の蒸発材料の表面上の電子ビームによる照射位置を装
置に対して固定してルツボを概ね水平に1方向又は2方
向移動をさせながら、蒸着処理を行うのである。
The electron gun heating type vacuum evaporation method of the present invention also includes a method of avoiding the occurrence of dents during the evaporation process and continuing the evaporation. In other words, in this method, the evaporation position is performed while the irradiation position of the electron beam on the surface of the evaporating material in the crucible is fixed to the apparatus and the crucible is moved substantially horizontally in one or two directions.

【0016】電子ビームの照射部位は、ルツボの移動に
より常に更新されるから、その蒸発速度も一定に保持す
ることができる。これにより、特に、蒸発材料上の電子
ビームによる照射位置を、蒸着対象物、例えば製膜基板
に対して固定するので、基板に対する蒸着方向を常に一
定に保持できる利点がある。このように、この蒸着方法
は、製膜基板に対する蒸発点の相対位置が変位しないの
で、蒸着源へのビーム径を絞る必要のある蒸着処理、例
えば、リフトオフプロセスには、好適に利用することが
できる。
Since the irradiation area of the electron beam is constantly updated by the movement of the crucible, the evaporation rate can be kept constant. Thereby, in particular, since the irradiation position of the electron beam on the evaporation material is fixed with respect to the object to be evaporated, for example, a film-forming substrate, there is an advantage that the evaporation direction with respect to the substrate can always be kept constant. As described above, since the relative position of the evaporation point with respect to the film forming substrate is not displaced, this evaporation method can be suitably used for evaporation processing in which the beam diameter to the evaporation source needs to be reduced, for example, a lift-off process. it can.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】実施の形態1.先ず、本発明の蒸
着処理をする過程と凹み平坦化する過程に区分する真空
蒸着方法においては、蒸着過程では、ルツボ内の蒸発材
料の電子ビームによる凹みを凹み検出方法により監視し
ながら蒸着処理を行い、平坦化する過程では、凹み検出
方法により凹みを検出したときに、蒸着処理を中断し
て、電子ビーム照射によりルツボ内の蒸発材料表面の凹
みを平坦化するものである。平坦化が終了すれば、蒸着
過程に戻り凹み検出を続けられる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 First, in the vacuum deposition method of the present invention, which is divided into a vapor deposition process and a concave flattening process, in the vapor deposition process, the vapor deposition material in the crucible is monitored while monitoring the concave by the electron beam by the concave detection method. In the process of flattening, when a dent is detected by the dent detection method, the evaporation process is interrupted, and the dent on the surface of the evaporation material in the crucible is flattened by electron beam irradiation. When the planarization is completed, the process returns to the vapor deposition process, and the dent detection can be continued.

【0018】電子銃フィラメント電流の制御を利用する
本発明の真空蒸着方法に利用可能な装置を以下に示す。
図1は、本発明の真空蒸着装置とその制御系統図を示す
が、真空蒸着装置は、真空チャンバー9内の空間90
に、蒸着される基板11を固定する基板支持部材1を、
この例では、上方に配置し、基板11に対面するよう
に、蒸発材料2を収容したルツボ21(通常は、水冷銅
ルツボ)が、下方に配置され、真空チャンバー内空間9
0が真空システム(不図示)により、所要の真空度に保
持される。
The apparatus which can be used in the vacuum deposition method of the present invention utilizing the control of the electron gun filament current is described below.
FIG. 1 shows a vacuum deposition apparatus of the present invention and a control system diagram thereof.
The substrate supporting member 1 for fixing the substrate 11 to be deposited is
In this example, a crucible 21 (usually a water-cooled copper crucible) containing the evaporating material 2 is disposed below and is disposed above the substrate 11 so as to face the substrate 11.
0 is maintained at a required degree of vacuum by a vacuum system (not shown).

【0019】上記のルツボ21の下部には、電子ビーム
用の電子銃(不図示)のフィラメント3が配置され、電
子ビーム30の経路と交叉するように偏向磁界Hを形成
するための磁極(不図示)が配置され、電子銃より発生
した電子ビームが偏向磁界Hより偏向されて、ルツボ上
の蒸発材料の上に照射するように偏向磁界が調整されて
いる。
Below the crucible 21 is disposed a filament 3 of an electron gun (not shown) for an electron beam, and a magnetic pole (not shown) for forming a deflection magnetic field H so as to cross the path of the electron beam 30. (Illustration) is arranged, and the deflection magnetic field is adjusted so that the electron beam generated from the electron gun is deflected by the deflection magnetic field H and irradiated onto the evaporation material on the crucible.

【0020】先ず、この電子銃加熱式の真空蒸着方法の
第1の凹み検出方法では、真空蒸着装置は、膜厚計5と
して、水晶振動素子が、基板11の近くで、蒸発した金
属を検出可能な位置に固定され、電子銃フィラメント電
流を制御する電流制御器61が設けられて、電流制御器
61は、蒸着処理中に膜厚計5からのデータ信号が、電
流制御器61に入力されて、電流制御器61が膜厚計よ
り測定した厚み速度が一様になるように電子銃フィラメ
ント3の電流を制御するものである。
First, in the first dent detection method of the electron gun heating type vacuum evaporation method, the vacuum evaporation apparatus uses the film thickness meter 5 to detect the evaporated metal in the vicinity of the substrate 11 by using a quartz vibrating element. A current controller 61 fixed to a possible position and controlling the electron gun filament current is provided. The current controller 61 receives a data signal from the film thickness meter 5 during the vapor deposition process and inputs the data signal to the current controller 61. The current controller 61 controls the current of the electron gun filament 3 so that the thickness speed measured by the film thickness meter becomes uniform.

【0021】さらに、凹み検出手段は、電流制御器61
のフィラメント電流データと、電流設定器63の設定電
流データとを比較する電流値モニタ62が設けられ、電
流値モニタ62は、フィラメント電流データと設定電流
データとを比較する比較器を備えて、フィラメント電流
データが、設定電流データより大きいことを検知した時
は、凹み検出信号、即ち、平坦化信号を、平坦化手段6
4に出力し、この信号は、蒸着過程を中断させ、平坦化
過程に移行させる。
Further, the dent detecting means includes a current controller 61.
A current value monitor 62 for comparing the filament current data of the current setting device with the set current data of the current setting device 63 is provided. The current value monitor 62 includes a comparator for comparing the filament current data with the set current data. When it is detected that the current data is larger than the set current data, the dent detection signal, that is, the flattening signal is sent to the flattening means 6.
4, which interrupts the deposition process and transitions to a planarization process.

【0022】このような装置で真空蒸着する過程では、
初期の電子ビーム電流で電子銃からの電子ビーム30を
照射し、ルツボ21内の蒸発材料の照射部位が加熱され
て順次蒸発する。これに従い、電子ビーム照射部位に凹
み22が形成され、通常は、蒸発速度が低下する。そこ
で、膜厚計5により、蒸発速度、即ち、膜厚速度を検出
して、電流制御器61に膜厚速度のデータを適時送り、
電流制御器がフィラメント電流を増加させて、フィラメ
ント−ルツボ間の印加電圧一定の下で、電子ビーム電流
が増加し、照射部位の凹み部がより高温になり、凹みか
らの蒸発速度を略一定に維持することができる。
In the process of vacuum deposition with such an apparatus,
The electron beam 30 is irradiated from the electron gun with the initial electron beam current, and the irradiated portion of the crucible 21 with the evaporation material is heated and evaporates sequentially. Accordingly, a depression 22 is formed at the electron beam irradiation site, and usually, the evaporation rate is reduced. Therefore, the evaporation rate, that is, the film thickness rate is detected by the film thickness meter 5, and the data of the film thickness rate is sent to the current controller 61 as appropriate.
The current controller increases the filament current, and under a constant applied voltage between the filament and the crucible, the electron beam current increases, the dent of the irradiation site becomes hotter, and the evaporation rate from the dent becomes almost constant. Can be maintained.

【0023】さらに、フィラメント電流を大きくする
と、凹み22からの材料の蒸着により基板11上の蒸着
膜の性質の変化や異常を生じる惧れがある。そこで、電
流設定器63には、蒸着過程から平坦化過程に移行する
フィラメント電流を予め設定しておくが、この設定フィ
ラメント電流は、ある電流値を越えると基板11上の蒸
着膜の性質の変化や異常を生じる前の適当な電流値を定
めておく。
Furthermore, when the filament current is increased, there is a possibility that the properties of the deposited film on the substrate 11 may be changed or abnormal due to the deposition of the material from the recess 22. Therefore, a filament current that shifts from the vapor deposition process to the flattening process is set in advance in the current setting device 63. When the set filament current exceeds a certain current value, the property of the deposited film on the substrate 11 changes. And an appropriate current value before an abnormality occurs.

【0024】電流値モニタ62では、電源制御器からの
フィラメント電流を監視し、設定フィラメント電流と比
較して、実際のフィラメント電流が設定電流を越えたと
きに、凹み検出信号、即ち、平坦化信号を平坦化手段6
4に出力し、蒸着過程を一旦中断して、平坦化の過程に
移行する。
The current value monitor 62 monitors the filament current from the power supply controller and compares it with the set filament current. When the actual filament current exceeds the set current, a dent detection signal, that is, a flattening signal Flattening means 6
4 to temporarily suspend the vapor deposition process and shift to a flattening process.

【0025】さらに、本発明の第2の凹み検出方法とし
て、光学的センサを使用するものであるが、図2に示す
ように、これには、ルツボ21内の蒸発材料2の表面の
凹み対応部にレーザ光53を照射するレーザ照射器51
と、凹み対応部からの反射レーザ光53を受光する受光
器が、真空槽90内に固定されて、凹み検出器を構成し
ており、凹み対応部での凹みが形成され深くなると、凹
み底部での反射レーザ光が、凹み縁部で妨げられて反射
光が受光器に到達しないような配置が好ましい。これに
より受光器により凹み検出信号を平坦化手段に出力す
る。
Further, an optical sensor is used as the second dent detecting method according to the present invention. As shown in FIG. 2, this method corresponds to the dent on the surface of the evaporation material 2 in the crucible 21. Irradiator 51 that irradiates laser beam 53 to the part
And a light receiver for receiving the reflected laser beam 53 from the concave corresponding portion is fixed in the vacuum chamber 90 to constitute a concave detector. When the concave in the concave corresponding portion is formed and becomes deep, the concave bottom portion is formed. The arrangement is preferably such that the reflected laser light at the above is obstructed by the concave edge so that the reflected light does not reach the light receiver. Thereby, the dent detection signal is output to the flattening means by the light receiver.

【0026】次に、本発明の平坦化の方法ないし平坦化
手段に関して、図3にその機構を示す。第1の凹み平坦
化法として、図3(A)に示すものは、ルツボ21内の
蒸発材料2表面に、電子ビーム30を照射しながら偏向
磁界Hを制御して掃引し、これにより、表面の凹み22
凹みを溶融した材料で埋めて平坦化するものである。こ
の場合は、ルツボを固定し、偏向磁界Hを調整すること
により電子ビーム30の照射位置を掃引する操作を行
う。この操作は、上記凹み検出信号により開始される
が、平滑化手段として偏向磁界H用磁石電流制御装置
(不図示)により、磁石電流の制御により行うことがで
きる。
Next, the mechanism of the flattening method or flattening means of the present invention is shown in FIG. As a first dent flattening method, the one shown in FIG. 3 (A) sweeps the surface of the evaporation material 2 in the crucible 21 while controlling the deflection magnetic field H while irradiating the electron beam 30 with the surface. Dent 22
The recesses are filled with a molten material to flatten them. In this case, an operation of sweeping the irradiation position of the electron beam 30 by fixing the crucible and adjusting the deflection magnetic field H is performed. This operation is started by the dent detection signal, but can be performed by controlling the magnet current by a magnet current controller (not shown) for the deflection magnetic field H as a smoothing means.

【0027】この平坦化の過程では、操作に先立って、
シャッタ7により、ルツボ21と基板保持部材1との間
を遮断する。凹みが平坦化された過程後は、再度、蒸着
処理の過程を、同様にして、行うことができる。
In this flattening process, prior to the operation,
The shutter 7 shuts off the space between the crucible 21 and the substrate holding member 1. After the process of flattening the recess, the process of the vapor deposition process can be performed again in the same manner.

【0028】第2の凹み平坦化法として、図3(B)
は、別の平坦化手段であるが、電子ビーム30の照射位
置をほぼ固定して、ルツボを往復移動させることによ
り、ルツボ21内の蒸発材料2の表面照射位置を移動さ
せ、これにより、表面の凹み22凹みを溶融した材料で
埋めて平坦化するものである。ルツボ21は、移動台
(不図示)に固定され、移動台が水平の1方向に往復移
動させるもので、特に、2方向に、前後左右に移動させ
るものである
As a second flattening method, FIG.
Is another flattening means. The irradiation position of the evaporating material 2 in the crucible 21 is moved by reciprocating the crucible with the irradiation position of the electron beam 30 substantially fixed, thereby The recess 22 is filled with a molten material to make it flat. The crucible 21 is fixed to a moving table (not shown), and reciprocates the moving table in one horizontal direction. In particular, the crucible 21 moves forward, backward, left and right in two directions.

【0029】第3の凹み平坦化法として、図3(C)
は、さらに別の平坦化手段64が、材料補充用の小さな
容器8とその移動手段から成るものを示す。容器8は、
真空槽内のルツボ21の直上に移動することができる移
動手段(不図示)に配置され、予め、容器8内に少量の
蒸発材料20が入れてある。平坦化信号が入力される
と、蒸着過程を一旦中断して、容器8をルツボ上に移動
させ(図3(C)の左図)、次いで容器8内の蒸発材料
20を凹み22内に落とし込んで(図3(C)の右
図)、次いで、容器を後退させた後に、電子ビームを照
射して蒸着を開始する。
FIG. 3 (C) shows a third method of flattening a dent.
Shows that the further flattening means 64 comprises a small container 8 for material replenishment and its moving means. Container 8
A small amount of evaporating material 20 is placed in the container 8 in advance, which is arranged on a moving means (not shown) that can move directly above the crucible 21 in the vacuum chamber. When a flattening signal is input, the vapor deposition process is temporarily interrupted, the container 8 is moved onto a crucible (the left diagram in FIG. 3C), and then the evaporation material 20 in the container 8 is dropped into the recess 22. Then, after the container is retracted, the electron beam is irradiated to start vapor deposition.

【0030】もっとも、容器8から蒸発材料20を凹み
22内に落とし込んで補充したあと、上記の第1または
第2の平坦化法(図3(A)、(B)に示すように方
法)で、補充した蒸発材料20を電子ビーム照射して凹
み22を平坦化してもよい。このな蒸着材料を補充する
方法は、上記の如く電子ビーム照射で平坦化する第1又
は第2の平坦化法と共に併用することもできる。
However, after the evaporating material 20 is dropped from the container 8 into the recess 22 and replenished, the first or second flattening method (the method shown in FIGS. 3A and 3B) is used. The recess 22 may be flattened by irradiating the replenished evaporation material 20 with an electron beam. Such a method of replenishing the evaporation material can be used together with the first or second flattening method of flattening by electron beam irradiation as described above.

【0031】この第3の凹み平坦化法は、蒸発金属材料
の自動補充化により、蒸着源表面の高さが常に均一とな
り、さらに、膜質の均一性が向上する利点がある。
The third dent flattening method has the advantage that the height of the surface of the evaporation source is always made uniform and the uniformity of the film quality is improved by automatic replenishment of the evaporated metal material.

【0032】(実施例)以上の第1又は第2の凹み検出
方法は、第1ないし第3のいずれの凹み平坦化方法とも
組み合わせることができる。以下に実施例を示す。
(Embodiment) The first or second dent detection method described above can be combined with any of the first to third dent flattening methods. Examples will be described below.

【0033】実施例1.実施例1として、好ましくは、
第1の凹み検出法(図1)と第1の平坦化法(図3
(A))との組合せが利用される。即ち、蒸着処理中
は、膜厚計によるデータによりフィラメント電流を制御
し、フィラメント電流が設定電流を越えた時に電流モニ
タが平坦化信号を出力して、シャッタを遮断し、電子ビ
ーム用の偏向磁界Hを自動的に調整して、電子ビームを
凹みの周囲を掃引しながら、凹みを埋めて材料表面を平
坦化する。平坦化を終了した時、再度、シャッタを開け
て、電子ビーム用の偏向磁界Hを固定して、所定の位置
で電子ビームを照射し、膜厚計で分子線速度を計測しな
がら、蒸着を行う。この方法は、電子ビーム用の偏向磁
界Hを調整するだけで簡単に平坦化過程を自動化できる
利点がある。
Embodiment 1 As Example 1, preferably,
First dent detection method (FIG. 1) and first planarization method (FIG. 3)
(A)) is used. That is, during the deposition process, the filament current is controlled by the data from the film thickness meter, and when the filament current exceeds the set current, the current monitor outputs a flattening signal, shuts off the shutter, and sets the deflection magnetic field for the electron beam. By automatically adjusting H, the electron beam is swept around the dent while filling the dent to flatten the material surface. When the planarization is completed, the shutter is opened again, the deflection magnetic field H for the electron beam is fixed, the electron beam is irradiated at a predetermined position, and the vapor deposition is performed while measuring the molecular beam velocity with a film thickness meter. Do. This method has an advantage that the flattening process can be easily automated simply by adjusting the deflection magnetic field H for the electron beam.

【0034】実施例2.実施例2として、第1の凹み検
出法(図1)と第2の平坦化法(図3(B))との組合
せがある。即ち、膜厚計によるデータによりフィラメン
ト電流を制御し、フィラメント電流が設定電流を越えた
時に電流モニタが平坦化信号を出力して、シャッタを遮
断し、電子ビームを固定したまま、ルツボの移動台を駆
動装置により自動的に2方向に前後左右に移動させて、
電子ビームを凹みの周囲を溶解しながら材料表面の凹み
を埋めて材料表面を平坦化する。平坦化を終了した時、
再度、シャッタを開けて、実施例1と同様に所定位置に
ルツボを固定させて、所定の材料表面の位置で電子ビー
ムを照射し、膜厚計で分子線速度を計測しながら、蒸着
を行う。この方法は、電子ビームの照射位置をほぼ常時
固定して、ルツボの移動を監視しながら、平坦化でき
る。
Embodiment 2 FIG. As the second embodiment, there is a combination of the first dent detection method (FIG. 1) and the second flattening method (FIG. 3B). That is, the filament current is controlled based on the data from the film thickness meter, and when the filament current exceeds the set current, the current monitor outputs a flattening signal, shuts off the shutter, and fixes the electron beam while holding the moving stage of the crucible. Is automatically moved back and forth and left and right in two directions by the drive device,
The surface of the material is flattened by filling the depression on the surface of the material while dissolving the electron beam around the depression. When flattening is finished,
The shutter is opened again, the crucible is fixed at a predetermined position in the same manner as in Example 1, an electron beam is irradiated at a predetermined material surface position, and vapor deposition is performed while measuring a molecular beam velocity with a film thickness meter. . According to this method, the irradiation position of the electron beam is fixed almost always, and the flattening can be performed while monitoring the movement of the crucible.

【0035】実施の形態2.本発明のもう1つの実施の
形態は、真空蒸着法が、ルツボ内の蒸発材料の表面上の
電子ビームによる照射位置を装置に対して固定してルツ
ボを概ね水平に1方向又は2方向移動をさせながら、蒸
着処理を継続的に行う方法である。このための装置は、
図3(B)に示した平坦化手段がそのまま適用すること
ができる。従って、この方法は、電子ビーム30の照射
位置をほぼ固定して、ルツボを往復移動させることによ
り、ルツボ21内の蒸発材料2の表面照射位置を移動さ
せ、これにより、表面に深い凹み22を形成することな
く、加熱して蒸着させる。ルツボ21は、移動台(不図
示)に固定され、移動台が水平の1方向に往復移動させ
ることもでき、移動台は、直交する2方向に移動させる
ものでもよい。
Embodiment 2 In another embodiment of the present invention, the vacuum evaporation method is to move the crucible substantially horizontally in one or two directions by fixing the irradiation position of the electron beam on the surface of the evaporation material in the crucible with respect to the apparatus. This is a method in which the vapor deposition process is continuously performed while being performed. The device for this is
The flattening means shown in FIG. 3B can be applied as it is. Therefore, in this method, the irradiation position of the evaporating material 2 in the crucible 21 is moved by reciprocating the crucible with the irradiation position of the electron beam 30 substantially fixed, thereby forming a deep recess 22 on the surface. It heats and vapor-deposits, without forming. The crucible 21 is fixed to a moving table (not shown), and the moving table can be reciprocated in one horizontal direction. The moving table may be moved in two orthogonal directions.

【0036】この実施の形態の真空蒸着法は、蒸発材料
上の電子ビームによる照射位置を、製膜基板に対して固
定するので、基板に対する蒸着方向を常に一定に保持で
きる利点がある。従って、この蒸着方法は、蒸着を継続
したままで凹みを回避でき、しかもその蒸着は、製膜基
板に対する蒸発点の相対位置が変位しないので、蒸着源
へのビーム径を絞る必要のある蒸着処理、例えば、リフ
トオフプロセスには、好適に利用することができる。
The vacuum deposition method of this embodiment has an advantage that the irradiation position of the electron beam on the evaporation material is fixed with respect to the film-forming substrate, so that the direction of vapor deposition on the substrate can always be kept constant. Therefore, according to this vapor deposition method, the dent can be avoided while the vapor deposition is continued, and since the relative position of the vaporization point with respect to the film forming substrate is not displaced, the vapor deposition processing in which the beam diameter to the vapor deposition source needs to be narrowed is required. For example, it can be suitably used for a lift-off process.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明の電子銃加熱方式の蒸着方法は、
蒸着処理中のルツボ内の蒸発材料の凹み検出方法に、膜
厚計のデータにより一定膜厚速度のために電子銃フィラ
メント電流を制御し、当該フィラメント電流を設定電流
値と比較する方法であり、凹みを検出したときに、蒸着
処理を中断して、電子ビーム照射によりルツボ内の蒸発
材料表面の凹みを平坦化する過程を設けたから、フィラ
メント電流モニタだけで、凹みを量的に且つ連続的に、
しかも蒸着膜の性質が変化するまでに的確に把握でき、
従って、蒸着過程と平坦化過程とを完全に自動化するこ
とができる。
According to the present invention, there is provided an electron gun heating type evaporation method.
The method for detecting the dent of the evaporating material in the crucible during the vapor deposition process, controlling the electron gun filament current for a constant film thickness speed by the data of the film thickness meter, and comparing the filament current with the set current value, When a dent is detected, the evaporation process is interrupted, and a process of flattening the dent on the surface of the evaporating material in the crucible by electron beam irradiation is provided. ,
Moreover, it is possible to accurately grasp the properties of the deposited film until it changes,
Therefore, the deposition process and the planarization process can be completely automated.

【0038】本発明の電子銃加熱方式の蒸着方法は、上
記の凹み検出方法が、レーザ光照射されたルツボ内の蒸
発材料表面からの反射レーザ光により凹みを検出する方
法であるので、凹みを光学的に非接触的に、しかも蒸着
過程で電子ビームの停止中で検出できるので、蒸着過程
と平坦化過程とを一層完全に自動化することができる。
In the electron gun heating type vapor deposition method of the present invention, the above-described dent detection method is a method of detecting the dent by the reflected laser light from the surface of the evaporation material in the crucible irradiated with the laser beam. Since the detection can be performed optically in a non-contact manner and while the electron beam is stopped during the vapor deposition process, the vapor deposition process and the planarization process can be more completely automated.

【0039】本発明の電子銃加熱方式の蒸着方法は、特
に、平坦化方法が、ルツボ内の蒸発材料の表面に電子ビ
ームの照射部位を掃引して、該表面を平坦化するので、
電子ビームの照射部位を掃引を偏向磁場を使用して簡便
に平坦化できる。
In the vapor deposition method using an electron gun heating method according to the present invention, in particular, the flattening method flattens the surface of the evaporating material in the crucible by sweeping the irradiation area of the electron beam.
An electron beam irradiation site can be easily flattened by using a deflection magnetic field.

【0040】本発明の平坦化方法が、電子ビームの照射
位置を固定してルツボを概ね水平に1方向又は2方向移
動をさせて、該表面を平坦化する方法であるとき、ルツ
ボの移動制御により、照射部位に対するルツボの位置を
確認的に実施できる利点がある。特に、誤照射によるル
ツボの溶損等の不測事故を防止し得る等の利点がある。
When the flattening method of the present invention is a method of fixing the irradiation position of the electron beam and moving the crucible in one direction or two directions substantially horizontally to flatten the surface, the movement control of the crucible is performed. Thereby, there is an advantage that the position of the crucible with respect to the irradiation site can be confirmed. In particular, there is an advantage that unexpected accidents such as melting of the crucible due to erroneous irradiation can be prevented.

【0041】本発明の平坦化方法として蒸発材料の補充
であるときは、蒸発金属材料の自動補充化により、蒸着
源表面の高さが常に均一となり、さらに、膜質の均一性
が向上する利点がある。
When the evaporation material is replenished as the flattening method of the present invention, the automatic replenishment of the evaporated metal material has the advantage that the height of the surface of the evaporation source is always uniform and the uniformity of the film quality is improved. is there.

【0042】本発明の電子銃加熱方式の蒸着方法が、電
子ビームによる照射位置を装置に対して固定してルツボ
を概ね水平に1方向又は2方向移動をさせながら、蒸着
処理を行うので、蒸発材料上の電子ビームによる照射位
置を、製膜基板に対して固定するので、基板に対する蒸
着方向を常に一定に保持でき、小さな製膜基板に対して
は、基板上の蒸着方向を平行にすることができる利点が
ある。このように、この蒸着方法は、蒸着を継続したま
まで凹みを回避でき、しかもその蒸着は、蒸着源へのビ
ーム径を絞る必要のある蒸着処理、例えば、リフトオフ
プロセスには、好適に利用することができる。
In the vapor deposition method of the electron gun heating method of the present invention, the vapor deposition process is performed while the irradiation position by the electron beam is fixed to the apparatus and the crucible is moved in one direction or two directions substantially horizontally. The irradiation position of the electron beam on the material is fixed with respect to the film-forming substrate, so that the direction of vapor deposition on the substrate can be kept constant. For small film-forming substrates, the direction of vapor deposition on the substrate should be parallel. There are advantages that can be. As described above, this vapor deposition method can avoid a dent while continuing vapor deposition, and moreover, the vapor deposition is preferably used for a vapor deposition process in which a beam diameter to a vapor deposition source needs to be reduced, for example, a lift-off process. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の電子銃加熱方式の蒸着装置を示す模式
的断面図と制御系統図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view and a control system diagram showing an electron gun heating type vapor deposition apparatus of the present invention.

【図2】本発明の他の電子銃加熱方式の蒸着装置を示す
図1同様図。
FIG. 2 is a view similar to FIG. 1, showing another electron gun heating type vapor deposition apparatus of the present invention.

【図3】本発明の凹み平坦化過程における蒸着装置を示
す模式的断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a vapor deposition apparatus in the process of flattening a dent according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板保持部材 2 蒸発材料 21 ルツボ 22 凹み 3 電子銃フィラメント 30 電子ビーム 5 膜厚計 51 レーザ照射器 52 レーザ受光器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate holding member 2 Evaporation material 21 Crucible 22 Depression 3 Electron gun filament 30 Electron beam 5 Film thickness meter 51 Laser irradiator 52 Laser receiver

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子銃加熱方式の真空蒸着方法におい
て、 ルツボ内の蒸発材料の電子ビームによる凹みを凹み検出
方法により監視しながら蒸着処理を行う過程と、 当該凹み検出方法により凹みを検出したときに、蒸着処
理を中断して、電子ビーム照射によりルツボ内の蒸発材
料表面の凹みを平坦化する過程と、を含み、 上記の凹み検出方法が、膜厚計のデータにより一定膜厚
速度のために電子銃フィラメント電流を制御し、当該フ
ィラメント電流を設定電流値と比較する方法である電子
銃加熱方式の真空蒸着方法。
In a vacuum deposition method using an electron gun heating method, a step of performing a deposition process while monitoring a dent of an evaporation material in a crucible due to an electron beam by a dent detection method, and detecting a dent by the dent detection method. Interrupting the deposition process and flattening the dents on the surface of the evaporating material in the crucible by irradiating an electron beam. The electron gun heating type vacuum deposition method is a method of controlling the electron gun filament current and comparing the filament current with a set current value.
【請求項2】 電子銃加熱方式の真空蒸着方法におい
て、 ルツボ内の蒸発材料の電子ビームによる凹みを凹み検出
方法により監視しながら蒸着処理を行う過程と、 凹み検出方法により凹みを検出したときに、蒸着処理を
中断して、電子ビーム照射によりルツボ内の蒸発材料表
面の凹みを平坦化する過程と、を含み、 上記の凹み検出方法が、レーザ光照射されたルツボ内の
蒸発材料表面からの反射レーザ光により凹みを検出する
方法である電子銃加熱方式の真空蒸着方法。
2. A vacuum vapor deposition method using an electron gun heating method, wherein a vapor deposition process is performed while monitoring a dent of an evaporating material in a crucible by an electron beam by a dent detection method, and when a dent is detected by the dent detection method. Interrupting the deposition process and flattening the dents on the surface of the evaporating material in the crucible by electron beam irradiation. A vacuum deposition method using an electron gun heating method, which is a method for detecting a dent by reflected laser light.
【請求項3】 上記の凹み平坦化の方法が、ルツボ内の
蒸発材料の表面に電子ビームの照射部位を掃引して、該
表面を平坦化することを含む請求項1または2の電子銃
加熱方式の真空蒸着方法。
3. The electron gun heating method according to claim 1, wherein said method of flattening the dents includes sweeping an electron beam irradiation site on a surface of the evaporation material in the crucible to flatten the surface. Vacuum deposition method.
【請求項4】 上記の凹み平坦化の方法が、電子ビーム
の照射位置を固定してルツボを概ね水平に1方向又は2
方向移動をさせて、該表面を平坦化することを含む請求
項1または2の電子銃加熱方式の真空蒸着方法。
4. The flattening method according to claim 1, wherein the irradiation position of the electron beam is fixed and the crucible is moved horizontally in one direction or two directions.
3. An electron gun heating type vacuum deposition method according to claim 1, further comprising the step of moving the surface to flatten the surface.
【請求項5】 上記の凹み平坦化の方法が、該凹みへ蒸
発材料を補充追加し、電子ビーム照射により表面を平均
化する請求項1又は2記載の電子銃加熱方式の真空蒸着
方法。
5. The electron gun heating type vacuum deposition method according to claim 1, wherein the method of flattening the dents replenishes and adds an evaporating material to the dents and averages the surface by electron beam irradiation.
【請求項6】 電子銃加熱方式の真空蒸着方法におい
て、 ルツボ内の蒸発材料の表面上の電子ビームによる照射位
置を装置に対して固定してルツボを概ね水平に1方向又
は2方向移動をさせながら、蒸着処理を行うことを含む
電子銃加熱方式の真空蒸着方法。
6. A vacuum evaporation method using an electron gun heating method, wherein the irradiation position of the electron beam on the surface of the evaporation material in the crucible is fixed with respect to the apparatus, and the crucible is moved substantially horizontally in one or two directions. A vacuum deposition method of an electron gun heating method including performing a deposition process.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8133528B2 (en) 2007-01-30 2012-03-13 Canon Anelva Corporation Electron gun evaporation apparatus and film formation method using the electron gun evaporation apparatus
CN106191779A (en) * 2015-04-30 2016-12-07 北京科技大学 A kind of polymer vacuum electron beam evaporation coating machine
CN114657516A (en) * 2020-12-23 2022-06-24 山东浪潮华光光电子股份有限公司 Method for evaporating thick chromium metal layer by using single crucible

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