JPH11195576A - Aligner - Google Patents

Aligner

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Publication number
JPH11195576A
JPH11195576A JP9366723A JP36672397A JPH11195576A JP H11195576 A JPH11195576 A JP H11195576A JP 9366723 A JP9366723 A JP 9366723A JP 36672397 A JP36672397 A JP 36672397A JP H11195576 A JPH11195576 A JP H11195576A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure apparatus
exposure
lens
substance
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP9366723A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuyuki Suzuki
康之 鈴木
Kenji Ando
謙二 安藤
Minoru Otani
実 大谷
Riyuuji Hiroo
竜二 枇榔
Hidehiro Kanazawa
秀宏 金沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP9366723A priority Critical patent/JPH11195576A/en
Publication of JPH11195576A publication Critical patent/JPH11195576A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an aligner capable of reducing the deterioration of its performance at any exposure wavelength for a long time of period by coating a high transmitting, fading resistant, and hydrophobic substance for the wavelength of an exposure light on a surface of an optical device existing in an optical light path, and putting a trap mechanism for a hydrophilic impurity in a vessel. SOLUTION: At least a part of an optical system is covered by a chamber capable of being sealed from an outside air and the inside of the chamber is purged by an impurity, metallic compound, organic compound, and the like, and oxidizing gas with its moisture removed. The vessel has a mechanism of trapping a hydrophilic material and at least a part of a lens surface and a mirror 206 surface, through which the exposing light enters are coated by a hydrophobic substance transparent for ultraviolet radiation of wavelengths from 160 to 380 nm. The ultraviolet light passing through a reticle 14 enters a sealing chamber 102 which seals a demagnifying exposing lens group 15 disposed in a mirror cylinder 16 and transcribes a pattern of the reticle 14 on a semiconductor wafer 17 through a demagnifying exposing lens group 15.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
等に用いられる露光装置に関し、特に縮小露光系を含む
ステッパ露光装置等の露光装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to an exposure apparatus such as a stepper exposure apparatus including a reduction exposure system.

【0002】[0002]

【従来の技術】ステッパ露光装置は、レチクルないしマ
スク(本明細書ではまとめてレチクルと呼ぶ)上のパタ
ーンを1/10ないし1/5に縮小して半導体ウエハ上
のフォトレジスト膜等の露光対象物上に結像させる。半
導体装置の高集積化、小型化に伴い、ステッパ露光装置
の露光波長は水銀ランプのg線からi線へと短波長化
し、さらにはエキシマレーザのKrFレーザ光やArF
レーザ光へと短波長化を進めている。これらの露光に用
いられる紫外線は、フォトンエネルギーが高く、照射さ
れたフォトレジスト等の感光体に化学変化を生じさせ、
レチクルパターンを露光対象物上に形成させる。
2. Description of the Related Art A stepper exposure apparatus reduces a pattern on a reticle or mask (collectively referred to as a reticle in this specification) to 1/10 to 1/5 to expose a photoresist film or the like on a semiconductor wafer. An image is formed on an object. With the increase in integration and miniaturization of semiconductor devices, the exposure wavelength of a stepper exposure apparatus has been shortened from a g-line of a mercury lamp to an i-line, and further, a KrF laser beam of an excimer laser or an ArF
Shortening the wavelength to laser light is in progress. The ultraviolet light used for these exposures has a high photon energy and causes a chemical change in a photoreceptor such as an irradiated photoresist.
A reticle pattern is formed on an exposure target.

【0003】図4は、従来のステッパ露光装置を示す。
図4においては、照明系の鏡筒401内に、紫外線を発
光するランプ41と、ランプ41から発した光をレチク
ル44上に照射するためのコンデンサレンズ42が配置
されている。ランプ41から発し、コンデンサレンズ4
2で平行光束にされた光はレチクル44を照射する。さ
らに、レチクル44の開口部を通過した紫外光は、投影
系鏡筒402内を通過し、縮小投影系レンズ群45によ
って集束され、半導体ウエハ47上に塗布されたフォト
レジスト膜を露光する。なお、半導体ウエハ47は、ベ
ース48上に固定されたXYステージ49に載置されて
いる。半導体ウエハ47上に塗布されたフォトレジスト
膜を、図4で省略されているシャッタや絞り等により、
適当な照度で露光した後、XYステージ49を移動し、
同様の手順で繰り返し露光を行なう。
FIG. 4 shows a conventional stepper exposure apparatus.
In FIG. 4, a lamp 41 that emits ultraviolet light and a condenser lens 42 for irradiating light emitted from the lamp 41 onto a reticle 44 are arranged in a lens barrel 401 of an illumination system. Emitted from lamp 41, condenser lens 4
The light collimated in 2 irradiates the reticle 44. Further, the ultraviolet light that has passed through the opening of the reticle 44 passes through the inside of the projection system barrel 402, is focused by the reduction projection system lens group 45, and exposes the photoresist film applied on the semiconductor wafer 47. Note that the semiconductor wafer 47 is mounted on an XY stage 49 fixed on a base 48. The photoresist film applied on the semiconductor wafer 47 is removed by a shutter, a diaphragm, etc., which are omitted in FIG.
After exposing with an appropriate illuminance, the XY stage 49 is moved,
Exposure is repeatedly performed in the same procedure.

【0004】ステッパの処理速度を高めるためには、照
明系および露光系の全レンズ群を透過する光量を大き
く、安定化することが必要で、また、フレアや露光対象
物上の照度ムラは極力抑えなければならない。通常、透
過率を高め、フレアを抑えるために、レンズ表面に露光
波長に対する反射防止膜を形成する。またミラー表面に
は、反射率を高め、光量を増大するために、金属および
誘電体多層膜で構成される増反射膜が形成される。
In order to increase the processing speed of the stepper, it is necessary to stabilize and stabilize the amount of light transmitted through all the lens groups of the illumination system and the exposure system, and to minimize flare and uneven illuminance on the object to be exposed. Must be suppressed. Usually, an antireflection film for an exposure wavelength is formed on the lens surface in order to increase transmittance and suppress flare. Further, on the mirror surface, an enhanced reflection film composed of a metal and a dielectric multilayer film is formed in order to increase the reflectance and increase the amount of light.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】g線、およびi線のス
テッパを長期間使用すると、図4における照明系レンズ
群42や投影系縮小レンズ群45を構成するレンズ表面
や、図示しないミラー表面の紫外線露光光の照射された
部分にくもりや、有機物が堆積する。一般的にこれらレ
ンズやミラー等の光学素子の表面には露光波長に対する
反射防止膜や増反射膜等がコーティングされており、く
もりや有機物が堆積することで反射率が変化するため
に、光学系全系の透過率が減少するとともに、露光光の
散乱も発生していた。くもりの堆積や有機物付着が光学
系を構成する光学素子の面内においてムラがあると、露
光対象物上の照度ムラとなってしまうこともあった。ま
た、レンズ群表面に付着した堆積物が露光光を吸収する
場合には、同様にレンズの透過率の減少や、レンズ面内
の透過率のムラが生じる。さらには、露光光の吸収によ
ってレンズ等の温度変化を起こし、露光性能を劣化す
る。このような状態になると、ステッパの投影照度が減
少し、照度ムラが発生し、フレア等が大きくなり、また
焦点位置ずれ、解像性能の劣化など、性能が全体として
低下してしまう。
If the g-line and i-line steppers are used for a long period of time, the lens surfaces constituting the illumination system lens group 42 and the projection system reduction lens group 45 in FIG. Clouds and organic matter accumulate on the portion irradiated with the ultraviolet exposure light. In general, the surfaces of these optical elements such as lenses and mirrors are coated with an antireflection film or an antireflection film for the exposure wavelength, and the reflectivity changes due to cloudiness and the deposition of organic substances. As the transmittance of the entire system decreased, scattering of exposure light also occurred. If the fogging and the organic substance adhere to the surface of the optical element constituting the optical system, the illuminance on the object to be exposed may become uneven. Further, when the deposit adhering to the lens group surface absorbs the exposure light, similarly, the transmittance of the lens decreases and the transmittance in the lens surface becomes uneven. Further, absorption of the exposure light causes a temperature change of the lens and the like, thereby deteriorating the exposure performance. In such a state, the projected illuminance of the stepper decreases, illuminance unevenness occurs, flare and the like increase, and the performance as a whole degrades, such as a shift in focus position and deterioration in resolution performance.

【0006】露光波長がエキシマKrFレーザ(248
nm)、ArFレーザ(193nm)と短波長になり、
フォトンエネルギーのエネルギー密度が大きくなると、
レンズ表面に付着していた分解除去されやすい有機の付
着物は、レーザの照射によりレンズ表面から酸化除去さ
れ、レーザ照射停止時には、有機物の再付着が起るとい
うように、短期間においても露光面での照度が変化する
などの問題があった。
The exposure wavelength is excimer KrF laser (248
nm) and ArF laser (193 nm).
When the energy density of photon energy increases,
Organic substances that are easily decomposed and removed from the lens surface are oxidized and removed from the lens surface by laser irradiation, and when laser irradiation is stopped, organic substances are re-adhered. There was a problem such as the change in illuminance.

【0007】一方で、高フォトンエネルギーにより光学
系が置かれている雰囲気中の不純物物質から新たな活性
種が形成され、低エネルギー光では生成されなかった新
たな付着物の堆積を生じるという問題があった。
On the other hand, there is a problem that new active species are formed from impurity substances in the atmosphere where the optical system is placed due to high photon energy, and new deposits which are not generated by low energy light are deposited. there were.

【0008】以上の問題点を解決するために、特開平7
−201702では非酸化性ガスであるN2 等のガスで
鏡筒内を充填する改善策が開示されている。また、特開
平7−273016ではシールガラスでレンズ等への付
着を防止し、シールガラスを交換可能にすることで、性
能劣化を防止する改善策が開示されている。
In order to solve the above problems, Japanese Patent Laid-Open No.
Improvements to filling the barrel with gas such as N 2 are disclosed -201702 a non-oxidizing gas in. Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-273016 discloses an improvement measure for preventing performance deterioration by preventing sticking to a lens or the like with a seal glass and making the seal glass replaceable.

【0009】しかしながら、鏡筒内をN2 で充填して、
酸化反応を抑制することはできても、鏡筒内には、レン
ズと鏡筒固定のための接着剤や、鏡筒内部表面に付着し
た有機物等の酸素も含む汚染物質が大量に存在するた
め、完全に酸化を防止することは非常に困難である。ま
た、酸化によらない付着物堆積を防ぐこともできない。
さらには、付着の原因となる不純物物質は非常に低濃度
でも、レンズ表面に吸着して濃縮され、レンズ表面で反
応してしまうため、長期にわたって付着物を生じないレ
ベルに不純物を除去することは事実上非常に困難であっ
た。すなわち、鏡筒内部の不純物の付着や、紫外光によ
る不純物の解離、合成反応等による堆積による光学性能
の劣化を防止するには十分でない。
However, the inside of the lens barrel is filled with N 2 ,
Although the oxidation reaction can be suppressed, the lens barrel contains a large amount of contaminants including oxygen, such as adhesives for fixing the lens and the lens barrel, and organic substances attached to the inner surface of the lens barrel. It is very difficult to completely prevent oxidation. Further, it is impossible to prevent the deposition of deposits due to oxidation.
Furthermore, even if the impurity substance causing the adhesion is very low in concentration, it is adsorbed and concentrated on the lens surface and reacts on the lens surface. It was very difficult in practice. That is, it is not enough to prevent the adhesion of impurities inside the lens barrel, the dissociation of impurities due to ultraviolet light, and the deterioration of optical performance due to deposition due to a synthesis reaction or the like.

【0010】また、縮小露光系レンズ群は交換が非常に
困難であるなど、従来の対策では対応できないという問
題点となっている。
[0010] Further, there is a problem that conventional measures cannot cope with the problem, for example, it is very difficult to replace the reduction exposure system lens group.

【0011】本発明の目的は、いずれの露光波長におい
ても、長期間性能の劣化が少ない露光装置を提供するこ
とである。
An object of the present invention is to provide an exposure apparatus in which the performance is not deteriorated for a long time at any exposure wavelength.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明の露光装置は、光源から発した光をレンズやミ
ラー等の光学素子を含む光路上を通過させ、レチクルを
通して露光対象物上に露光する露光装置において、前記
光学素子の少なくとも一部を密封容器で覆い容器内の不
純物濃度を低くするためにクリーンな酸化性ガスでパー
ジ可能とし、光路上に存在する光学素子の表面に露光光
の波長で透過率が高く、かつ耐光性および疎水性を有す
る物質のコーティングを施すとともに、該容器内に親水
性不純物トラップ機構を設置し、親水性不純物ガスを吸
着除去可能な構成とする。
In order to achieve the above object, an exposure apparatus according to the present invention passes light emitted from a light source on an optical path including an optical element such as a lens or a mirror, and passes the light on an object to be exposed through a reticle. In an exposure apparatus, at least a part of the optical element is covered with a sealed container and can be purged with a clean oxidizing gas to reduce the impurity concentration in the container, and the surface of the optical element existing on the optical path is exposed. A coating of a substance having high light transmittance and high light resistance and hydrophobicity at the wavelength of light is provided, and a hydrophilic impurity trap mechanism is provided in the container so that the hydrophilic impurity gas can be adsorbed and removed.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の一形態で
は、光源からの光束をレンズおよびミラーを含む光学系
を介して通過させ、レチクルを通して、露光対象物上に
露光する露光装置において、前記光学系の少なくとも一
部を外気と遮断可能な容器で覆い、金属化合物や有機化
合物等の不純物および水分を除去した酸化性ガスで該容
器内をパージ可能な構成とするとともに、該容器内にお
いて親水基をもつ物質をトラップする機構を有し、露光
光の入射するレンズ表面やミラー表面の少なくとも一部
の表面には160nm〜380nmの紫外光に対して透
明で、疎水性を有する物質がコーティングされているこ
とを特徴とする。
According to a preferred embodiment of the present invention, there is provided an exposure apparatus for passing a light beam from a light source through an optical system including a lens and a mirror, and exposing the light onto an object to be exposed through a reticle. At least a part of the optical system is covered with a container capable of blocking the outside air, and the inside of the container is purged with an oxidizing gas from which impurities such as metal compounds and organic compounds and moisture have been removed. It has a mechanism for trapping a substance having a group, and at least a part of a lens surface or a mirror surface on which exposure light is incident is coated with a substance that is transparent to ultraviolet light of 160 nm to 380 nm and has hydrophobicity. It is characterized by having.

【0014】前記レンズ表面にコーティングされる疎水
性物質は、例えば屈折率が露光波長において1.35〜
1.52の範囲の低屈折率材料からなり、露光光の反射
防止性能を具現化する多層膜構成の一部として最表面に
位置させる。この疎水性物質としては、例えば、CaF
2 もしくはCaF2 を含む化合物が好ましく用いられ
る。また、前記光学素子の表面にコーティングされる疎
水性物質は、露光光吸収率が十分に低い(例えば0.1
%以下)ものであれば、CaF2 等以外であってもよ
い。その場合、疎水性コーティングの消衰係数kおよび
膜厚d(nm)が以下の条件を満たすことが望ましい。 d < 20nm k*d < 0.02nm 前記トラップ機構において、トラップに用いられる物質
としては、親水性コーティング、TiO2 もしくはTi
2 を含む化合物のコーティング、ケイ酸もしくはケイ
酸を主成分とするゲル状物質、または活性炭もしくは活
性灰を主成分とする物質を用いることができる。前記親
水性コーティングを形成する親水性物質は水に対する静
止接触角が30°以下であり、疎水性物質は水に対する
静止接触角が50°以上であることが好ましい。
The hydrophobic substance coated on the lens surface has, for example, a refractive index of 1.35 or more at an exposure wavelength.
It is made of a material having a low refractive index in the range of 1.52, and is positioned on the outermost surface as a part of a multilayer film configuration that realizes antireflection performance of exposure light. As the hydrophobic substance, for example, CaF
Compounds containing 2 or CaF 2 are preferably used. In addition, the hydrophobic substance coated on the surface of the optical element has a sufficiently low exposure light absorptance (for example, 0.1%).
% Or less), other than CaF 2 or the like. In that case, it is desirable that the extinction coefficient k and the film thickness d (nm) of the hydrophobic coating satisfy the following conditions. d <20 nm k * d <0.02 nm In the trapping mechanism, the substance used for the trap may be a hydrophilic coating, TiO 2 or Ti
A coating of a compound containing O 2 , silicic acid or a gel-like substance based on silicic acid, or a substance based on activated carbon or activated ash can be used. Preferably, the hydrophilic substance forming the hydrophilic coating has a static contact angle with water of 30 ° or less, and the hydrophobic substance has a static contact angle with water of 50 ° or more.

【0015】前記トラップに用いられる親水性物質がT
iO2 またはTiO2 を含む化合物コーティングである
場合、該親水性物質表面に380nmより短波長の紫外
線を照射する機構をさらに設けることが好ましい。
The hydrophilic substance used in the trap is T
If a compound coating comprising iO 2 or TiO 2, further it is preferable to provide a mechanism for irradiating ultraviolet light shorter than 380nm in the hydrophilic material surface.

【0016】[0016]

【作用】上記の構成によれば、光路上に存在するレンズ
およびミラー保持環境下に存在する水酸基、カルボキシ
ル基、カルボニル基、アミノ基、スルホン基等の親水基
をもつ不純物物質が、レンズおよびミラー表面に吸着し
難くなるため、表面での露光光による該不純物物質の解
離や重合等の反応を抑えることが可能になる。また、気
層中で露光光により解離生成された親水性の不純物物質
がレンズおよびミラー表面へ堆積することを防止するこ
とができる。
According to the above construction, the lens and the mirror have an impurity substance having a hydrophilic group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, a carbonyl group, an amino group or a sulfone group existing in the mirror holding environment. Since it is difficult to be adsorbed on the surface, it is possible to suppress a reaction such as dissociation or polymerization of the impurity substance due to exposure light on the surface. Further, it is possible to prevent the hydrophilic impurity substance dissociated and generated by the exposure light in the gas layer from depositing on the lens and mirror surfaces.

【0017】さらには、不純物を可能な限り除去したガ
スでパージすることで、レンズおよびミラー設置雰囲気
中の不純物物質濃度を低下し、付着物がレンズおよびミ
ラー表面に吸着もしくは合成するのを抑えるとともに、
除去しきれない有機系付着物を、酸化性雰囲気において
紫外線を照射することで酸化除去することができる。ま
た、該光学素子保持環境中の親水性不純物物質を吸着除
去することで、レンズおよびミラー表面での不純物濃度
を紫外線による反応生成物を生じないレベルにまで低下
でき、露光装置の光学性能を長期間にわたって安定化す
る。
Furthermore, by purging with a gas from which impurities are removed as much as possible, the concentration of impurity substances in the atmosphere where the lens and mirror are installed is reduced, and the adhering substances are prevented from adsorbing or synthesizing on the lens and mirror surfaces. ,
Organic substances that cannot be completely removed can be oxidized and removed by irradiating ultraviolet rays in an oxidizing atmosphere. Further, by absorbing and removing the hydrophilic impurity substance in the optical element holding environment, the impurity concentration on the surface of the lens and the mirror can be reduced to a level that does not generate a reaction product due to ultraviolet rays, and the optical performance of the exposure apparatus is extended. Stabilizes over time.

【0018】性能の劣化したエキシマ(ArF)レーザ
露光レンズをフーリエ変換赤外分光装置(以下FTIR
と表示)によって分析し、各種のハイドロカーボン、カ
ルボン酸化合物、アクリルアミド、硫酸塩、珪酸塩等の
化合物がレンズ表面上に堆積していることを発見した。
An excimer (ArF) laser exposure lens whose performance has deteriorated is connected to a Fourier transform infrared spectrometer (hereinafter referred to as FTIR).
), And found that various compounds such as hydrocarbons, carboxylic acid compounds, acrylamide, sulfates, and silicates were deposited on the lens surface.

【0019】未使用の同一レンズ系を分析したところ、
各種のハイドロカーボンが検出された。従って、カルボ
ン酸化合物、アクリルアミド、硫酸塩、珪酸塩等は、雰
囲気中の成分やレンズアセンブリからのアウトガス成分
が反応して形成されたと判断することができる。通常、
大気中に放置されたサンプル上には各種ハイドロカーボ
ンが付着することが知られており、ハイドロカーボンに
ついては大気中で付着したものと光化学反応により形成
されたものかの区別が出来ていないが、通常のレンズ作
成工程中や洗浄後にレンズ表面に付着することは明らか
になっている。
Analysis of the same unused lens system showed that
Various hydrocarbons were detected. Therefore, it can be determined that the carboxylic acid compound, acrylamide, sulfate, silicate and the like are formed by the reaction of the components in the atmosphere and the outgas components from the lens assembly. Normal,
It is known that various hydrocarbons adhere to the sample left in the air, and it is not possible to distinguish between hydrocarbons that adhere in the air and those that are formed by photochemical reactions, It has been clarified that it adheres to the lens surface during the normal lens making process and after cleaning.

【0020】また、カルボン酸化合物、アクリルアミ
ド、硫酸塩、珪酸塩等の付着がどのような表面で起りや
すいか検討するため、レンズ表面に形成されている反射
防止膜の最表面層に親水性を有する、一部をHで終端し
たSiO2 を主成分とする薄膜を用いたもの、および疎
水性を有するCaF2 を主成分とする薄膜を用いたもの
に、露光装置の使用環境でレーザを照射した結果、親水
性表面を有する膜表面にのみ付着物が認められ、疎水性
表面には付着が認められなかった。前述したように、一
般にほとんどすべての表面にはハイドロカーボンが付着
し、このため、ほとんどの表面は疎水性を示すが、酸素
を含む環境中でArFレーザのような紫外線を照射する
と付着したハイドロカーボンは除去され、一部をHで終
端したSiO2 を主成分とするような薄膜は親水性を示
すようになる。
Further, in order to examine on which surface the carboxylic acid compound, acrylamide, sulfate, silicate and the like are likely to adhere, the outermost surface layer of the antireflection film formed on the lens surface should be made hydrophilic. Irradiate a laser using a thin film mainly composed of SiO 2 partially terminated with H and a thin film mainly composed of CaF 2 having hydrophobicity in a use environment of an exposure apparatus. As a result, deposits were found only on the surface of the film having a hydrophilic surface, and no attachment was found on the hydrophobic surface. As described above, hydrocarbons generally adhere to almost all surfaces. Therefore, most surfaces show hydrophobicity. However, when ultraviolet rays such as an ArF laser are irradiated in an environment containing oxygen, the hydrocarbons adhere to the surface. Is removed, and a thin film mainly composed of SiO 2 partially terminated with H becomes hydrophilic.

【0021】以上の結果から、レーザ照射環境中に存在
する親水基を有する不純物物質がレンズ表面に吸着し、
そこで紫外線レーザ照射エネルギーによる解離、合成等
の反応が生じ付着物が生成されることが判明した。本発
明は以上のような経緯に基づいてなされたものである。
From the above results, the impurity substance having a hydrophilic group existing in the laser irradiation environment is adsorbed on the lens surface,
Then, it was found that reactions such as dissociation and synthesis by the irradiation energy of the ultraviolet laser were generated, and attached matter was generated. The present invention has been made based on the above background.

【0022】[0022]

【実施例1】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明
する。図1は本発明の一実施例に係るi線露光装置の要
部概略図である。図において、101は照明系レンズ封
止チャンバ、102は投影系レンズ封止チャンバ、10
3は酸素ガスボンベ、104はガス純化装置、105は
ガス排出孔、106は最表面に疎水性材料を用いた反射
防止膜、107は親水性コーティングである。
Embodiment 1 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view of a main part of an i-line exposure apparatus according to one embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 101 denotes an illumination system lens sealing chamber; 102, a projection system lens sealing chamber;
3 is an oxygen gas cylinder, 104 is a gas purifier, 105 is a gas discharge hole, 106 is an antireflection film using a hydrophobic material on the outermost surface, and 107 is a hydrophilic coating.

【0023】図1を用いて本発明の実施例1について詳
しく説明する。図1において、11は光源としての発光
管であり、紫外線および遠紫外線等を放射する高輝度の
発光部を有している。発光管11から放射された紫外線
はコンデンサレンズ12や、本概略図では省略したi線
フィルタ、ミラー、オプティカルインテグレータおよび
ズームレンズ等の光学部品によって、レチクルを均一に
照明するよう調整されている。レチクル14を通った紫
外光は、鏡筒16内に収められた縮小露光系レンズ群1
5を密封する封止チャンバ102内に入射し、さらに縮
小露光レンズ群15を経て、半導体ウエハ17上にレチ
クル14のパターンを転写する。なお、半導体ウエハ1
7は、ベース18上に固定されたXYステージ19に載
置されている。鏡筒16内には縮小露光レンズ群15と
鏡筒16を接着する接着剤や、レンズ固定治具などがあ
るが図1においては図示を省略している。
Embodiment 1 of the present invention will be described in detail with reference to FIG. In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a light-emitting tube as a light source, which has a high-luminance light-emitting portion that emits ultraviolet light, far ultraviolet light, and the like. Ultraviolet rays emitted from the arc tube 11 are adjusted by a condenser lens 12 and optical components such as an i-line filter, a mirror, an optical integrator, and a zoom lens, which are omitted in the schematic diagram, so as to uniformly illuminate the reticle. The ultraviolet light that has passed through the reticle 14 is transmitted to the reduction exposure lens group 1 contained in the lens barrel 16.
Then, the pattern of the reticle 14 is transferred onto the semiconductor wafer 17 via the reduction exposure lens group 15. The semiconductor wafer 1
7 is mounted on an XY stage 19 fixed on a base 18. The lens barrel 16 includes an adhesive for bonding the reduction exposure lens group 15 and the lens barrel 16, a lens fixing jig, and the like, but is not shown in FIG.

【0024】酸素ガスボンベ103およびガス純化器1
04により純化された酸素ガスを封止チャンバ102内
に導入する。ここで用いる酸素ガスはクリーンルーム内
に混入する有機溶剤や有機金属系ガスの他、光化学反応
によって固形物を生成する不純物ガスを封止チャンバ1
02内より除去し、不純物レベルを可能な限り低く抑え
るようにしている。封止チャンバ102内にある鏡筒1
6には、この純化された酸素ガスが縮小露光系レンズ群
15に効率よく行き渡るように、貫通孔108が開けら
れている。この酸素ガスを封止チャンバ102内にしば
らく流し、鏡筒内の不純物ガスを十分に置換する。その
後、酸素ガスを流しながら露光を行なう。
Oxygen gas cylinder 103 and gas purifier 1
The oxygen gas purified by 04 is introduced into the sealing chamber 102. The oxygen gas used here is not only an organic solvent and an organic metal-based gas mixed into the clean room, but also an impurity gas that generates a solid by a photochemical reaction.
02, so as to keep the impurity level as low as possible. Lens barrel 1 in sealed chamber 102
6, a through hole 108 is formed so that the purified oxygen gas can efficiently reach the reduction exposure lens group 15. This oxygen gas is flowed into the sealing chamber 102 for a while to sufficiently replace the impurity gas in the lens barrel. Thereafter, exposure is performed while flowing oxygen gas.

【0025】露光装置の光学性能を安定化するために
は、露光光の照射される光学素子の光学性能の安定化が
必要で、すなわちレンズ透過率やミラー反射率等の光学
性能を劣化する不純物の付着、堆積を防止することが肝
要である。一般に、レンズやミラー表面には多層の反射
防止膜や増反射膜が形成されており、わずかな付着、堆
積でも光学性能が大幅に変化してしまう。
In order to stabilize the optical performance of an exposure apparatus, it is necessary to stabilize the optical performance of an optical element irradiated with exposure light, that is, impurities that deteriorate optical performance such as lens transmittance and mirror reflectance. It is important to prevent the adhesion and deposition of ash. In general, a multilayer antireflection film or a multi-reflection film is formed on the surface of a lens or a mirror, and even a small amount of adhesion or deposition greatly changes the optical performance.

【0026】封止チャンバ102内は純化された酸素ガ
スでパージされ、非常に不純物の少ない環境に維持され
てはいるが、レンズ鏡筒内にはレンズと鏡筒の接着剤
や、鏡筒表面に吸着している不純物等が存在し、いかに
不純物を除去しようとも限界がある。鏡筒内に存在する
不純物は鏡筒内表面において、吸着・脱離を繰り返し、
いずれはパージガスである酸素とともに鏡筒外に貫通孔
108より排出される。しかしながら、完全に不純物を
除去するには非常に時間がかかり、また、装置のメンテ
ナンス等により、パージガスを停止せざるを得ず、この
間に鏡筒内が再汚染されることにもなり、完全に不純物
のない環境下で露光を行なうことは非常に困難である。
Although the inside of the sealing chamber 102 is purged with purified oxygen gas and maintained in an environment with very few impurities, the adhesive between the lens and the lens barrel and the surface of the lens barrel are kept in the lens barrel. There are impurities and the like adsorbed on the surface, and there is a limit no matter how much impurities are removed. The impurities present in the lens barrel repeatedly adsorb and desorb on the lens barrel inner surface,
Either is discharged through the through-hole 108 to the outside of the lens barrel together with oxygen as a purge gas. However, it takes a very long time to completely remove impurities, and the purge gas has to be stopped due to maintenance of the apparatus, and during this time, the inside of the lens barrel is re-contaminated. It is very difficult to perform exposure in an environment free from impurities.

【0027】このような状況において、レンズやミラー
等の光学部品上に不純物の付着、堆積をなくすために
は、不純物を除去するのみならず、付着物の除去、堆積
の防止を行なわねばならない。付着物は、各種のハイド
ロカーボンや、カルボン酸化合物、アクリルアミド等で
あるが、ハイドロカーボンは紫外線照射の有無によらず
付着が起こり、酸化性雰囲気で紫外線を照射することで
酸化除去できる。そのために、本実施例ではレンズ環境
を酸素雰囲気とし、紫外線の露光光が照射されること
で、酸化除去できる構成としている。一方、水酸基、カ
ルボキシル基、カルボニル基、アミノ基、スルホン基等
を有する親水性不純物は、紫外線のエネルギーによっ
て、分解・重合し、付着物として堆積し、酸化除去でき
ない堆積物が形成される原因となることがある。
Under these circumstances, in order to eliminate the adhesion and deposition of impurities on optical components such as lenses and mirrors, it is necessary not only to remove the impurities but also to remove the deposits and prevent the deposition. The deposits are various hydrocarbons, carboxylic acid compounds, acrylamide, and the like. The hydrocarbons adhere regardless of irradiation with ultraviolet rays, and can be oxidized and removed by irradiating with ultraviolet rays in an oxidizing atmosphere. For this purpose, in the present embodiment, the lens environment is set to an oxygen atmosphere, and the lens is configured to be oxidized and removed by irradiating ultraviolet exposure light. On the other hand, hydrophilic impurities having a hydroxyl group, a carboxyl group, a carbonyl group, an amino group, a sulfone group, etc. are decomposed and polymerized by the energy of ultraviolet rays, deposit as deposits, and cause deposits that cannot be removed by oxidation. May be.

【0028】このような親水性不純物は疎水性表面にお
ける付着、滞留時間が親水性表面に対しては非常に短く
なる。この結果、疎水性表面で紫外線のエネルギーによ
り解離・重合等の反応を起こす確率が低くなり、付着物
を形成し難くなる。
[0028] The adhesion and retention time of such a hydrophilic impurity on the hydrophobic surface becomes very short for the hydrophilic surface. As a result, the probability of causing reactions such as dissociation and polymerization on the hydrophobic surface due to the energy of ultraviolet rays is reduced, and it is difficult to form deposits.

【0029】そこで、本実施例ではわずかな堆積も防止
するために、レンズ上に最表面に疎水性材料を用いた多
層反射防止膜106を形成している。図1では1枚のレ
ンズにのみ疎水性材料を用いた反射防止膜が形成されて
いるように示されているが、露光光が照射される全光学
素子表面にコーティングすることがより望ましい。ここ
で用いられる疎水性材料は、使用する紫外露光光に対す
る光耐久性に優れていることが必要であり、さらには紫
外露光光の透過率が高く、吸収のない材料を用いなけれ
ばならない。疎水性コーティングとしては一般にアルキ
ル基や、フェニル基などをもつ有機材料が用いられる
が、紫外線露光装置では、非常に高強度の紫外線が用い
られ、耐久性の面から望ましくない。光耐久性のないコ
ーティングでは、紫外線により分解され汚染源となる可
能性もある。したがって、光耐久性の優れた無機材料が
より適している。本実施例の疎水性コーティングとして
は、レンズ表面の反射防止コーティングの最表面層(エ
アー隣接層)を疎水性を有するコーティングとするた
め、屈折率が1.35〜1.52程度の低屈折率材料で
あることが望ましく、CaF2 コーティングおよびCa
2 を主成分とするコーティングを使用した。CaF2
コーティングは160nm〜可視域にわたって、吸収が
なく、光耐久性に優れているため、反射防止膜の最表面
コーティングとして好適な材料である。
Therefore, in this embodiment, a multilayer antireflection film 106 made of a hydrophobic material is formed on the outermost surface of the lens in order to prevent a slight deposition. Although FIG. 1 shows that an antireflection film using a hydrophobic material is formed only on one lens, it is more preferable to coat the surface of all optical elements irradiated with exposure light. The hydrophobic material used here needs to have excellent light durability against ultraviolet exposure light to be used, and further, a material having high transmittance of ultraviolet exposure light and having no absorption must be used. As the hydrophobic coating, an organic material having an alkyl group, a phenyl group, or the like is generally used. However, in an ultraviolet exposure apparatus, extremely high-intensity ultraviolet rays are used, which is not desirable in terms of durability. Non-light-resistant coatings can be degraded by UV radiation and become a source of contamination. Therefore, an inorganic material having excellent light durability is more suitable. As the hydrophobic coating of this embodiment, since the outermost layer (air adjacent layer) of the antireflection coating on the lens surface is a coating having hydrophobicity, the refractive index is as low as about 1.35 to 1.52. Preferably, the material is a CaF 2 coating and Ca
The F 2 using a coating as a main component. CaF 2
Since the coating has no absorption in the range of 160 nm to the visible region and has excellent light durability, it is a suitable material as the outermost surface coating of the antireflection film.

【0030】本実施例では疎水性コーティングを反射防
止膜の最表面コーティングとして用いたが、必ずしも反
射防止に寄与するコーティングである必要はなく、光学
性能に影響しない厚さ20nm以下のコーティングでも
付着物防止には同様の効果が得られる。この程度の厚さ
であれば、露光光波長において吸収があっても使用可能
であり、疎水性コーティングの消衰係数kと膜厚d(n
m)の関係が d<20nmかつk*d<0.02 であることが望ましい。これは吸収になおすと0.1%
に相当し、これ以上の吸収では光学素子の温度上昇を招
き、露光性能が劣化する。膜厚が厚すぎると反射特性に
影響を及ぼし、例えばCaF2 のような屈折率の低いコ
ーティングの場合、反射防止膜やハーフミラー表面にコ
ーティングすると反射率の変化を招く結果となる。20
nm以下の厚さであれば、特別な場合を除き、光学性能
を意識することなくコーティングを施すことができる。
In this embodiment, the hydrophobic coating is used as the outermost coating of the anti-reflection film. However, the coating does not necessarily have to contribute to the anti-reflection coating. A similar effect can be obtained for prevention. With this thickness, it can be used even if it absorbs at the exposure light wavelength, and the extinction coefficient k and the film thickness d (n
It is desirable that the relationship of m) is d <20 nm and k * d <0.02. This translates to 0.1% absorption
If the absorption exceeds this, the temperature of the optical element rises, and the exposure performance deteriorates. If the film thickness is too large, the reflection characteristics will be affected. For example, in the case of a coating having a low refractive index such as CaF 2 , coating the antireflection film or the surface of the half mirror will result in a change in the reflectance. 20
If the thickness is not more than nm, the coating can be applied without considering the optical performance, except in special cases.

【0031】従来、誘電体ミラー表面には屈折率の高い
材料が使われていたが、ミラーの場合、本実施例に示す
ように最表面をCaF2 のような屈折率の低い材料をコ
ーティングしても反射特性にはほとんど影響がない。す
なわち、ミラーの場合、吸収がなければ厚さを特に限定
する必要はないが、通常、消衰係数が0であることはな
く、吸収の面から上記の範囲内であることが望ましい。
Conventionally, a material having a high refractive index has been used for the surface of a dielectric mirror. In the case of a mirror, as shown in this embodiment, the outermost surface is coated with a material having a low refractive index such as CaF 2. Even so, there is almost no effect on the reflection characteristics. That is, in the case of a mirror, the thickness does not need to be particularly limited as long as there is no absorption. However, usually, the extinction coefficient is not 0, and it is desirable that the extinction coefficient is within the above range in terms of absorption.

【0032】また、レンズ保持環境中の親水性不純物濃
度を極力抑えるために、鏡筒内面に親水性コーティング
107を施し、トラップする構成としている。鏡筒16
内に導入するガスの除去しきれなかった不純物をレンズ
近傍でトラップすることができるので、レンズ表面に吸
着する不純物ガス濃度を減少するのに非常に効果が高
い。この親水性コーティング107表面には経時的にハ
イドロカーボン等の疎水性膜が付着するが、この疎水膜
はレンズ表面同様常に酸化除去することができ、不純物
トラップを長期間安定して行なうことができる。親水性
コーティング107としては、蒸気圧が低く、ガスの発
生を起こさない無機材料が適しており、水素終端された
SiO2 等の金属酸化物等が適している。
In order to minimize the concentration of hydrophilic impurities in the lens holding environment, a hydrophilic coating 107 is applied to the inner surface of the lens barrel and trapped. Lens barrel 16
Since the impurities that cannot be completely removed from the gas introduced into the inside can be trapped in the vicinity of the lens, it is very effective in reducing the concentration of the impurity gas adsorbed on the lens surface. A hydrophobic film such as a hydrocarbon adheres to the surface of the hydrophilic coating 107 over time, but this hydrophobic film can be constantly oxidized and removed like the lens surface, and the impurity trap can be stably performed for a long period of time. . As the hydrophilic coating 107, an inorganic material which has a low vapor pressure and does not generate gas is suitable, and a metal oxide such as hydrogen-terminated SiO 2 is suitable.

【0033】本実施例では、親水性不純物のトラップに
親水性コーティング107を鏡筒内面に施しているが、
親水性不純物のトラップとして、ケイ酸もしくはケイ酸
を主成分とするゲル状物質または、活性炭もしくは活性
炭を主成分とする物質のように、表面積が大きく、親水
性不純物を大量に吸着除去できるトラップであれば良
い。
In this embodiment, the hydrophilic coating 107 is applied to the inner surface of the lens barrel to trap the hydrophilic impurities.
As a trap for hydrophilic impurities, a trap having a large surface area and capable of adsorbing and removing a large amount of hydrophilic impurities, such as silicic acid or a gel-like substance mainly composed of silicic acid, or a substance mainly composed of activated carbon. I just want it.

【0034】こうして、露光装置の光学性能を変化させ
るレンズやミラー表面の付着物の堆積を防止し、さらに
付着するハイドロカーボンを常に除去でき、露光装置の
性能を長期間に渡って安定化することが出来る。
In this way, it is possible to prevent deposition of deposits on the surface of the lens or mirror that change the optical performance of the exposure apparatus, and to further remove the attached hydrocarbon, thereby stabilizing the performance of the exposure apparatus for a long period of time. Can be done.

【0035】本実施例ではi線露光装置を例示したが、
g線、エキシマKrF、ArF等の露光装置において
も、レンズやミラー等の光学素子の表面の付着物除去お
よび堆積防止効果によって、光学性能が安定化する。本
実施例ではパージガスとして酸素ガスを用いているが、
酸素ガスにN2 やAr等の不活性ガスを混入しても、ハ
イドロカーボンの酸化除去性能に変化を与えない程度で
あれば良い。好適な酸素濃度は0.5%以上である。こ
のパージガスとしては極力レンズ鏡筒内の不純物を除去
した環境を安価に維持でき、大気と屈折率の差が少ない
ガスを用いることが望ましく、酸素ガスまたは酸素ガス
とN2 もしくはArガスとの混合ガス等が適している。
In this embodiment, an i-line exposure apparatus has been described.
Even in an exposure apparatus such as g-line, excimer KrF, or ArF, the optical performance is stabilized by the effect of removing deposits on the surfaces of optical elements such as lenses and mirrors and preventing deposition. In this embodiment, oxygen gas is used as the purge gas,
Even if an inert gas such as N 2 or Ar is mixed with the oxygen gas, it is sufficient that the oxygen gas removal performance is not changed. A suitable oxygen concentration is 0.5% or more. As the purge gas, it is desirable to use a gas which can maintain an environment in which impurities in the lens barrel are removed as much as possible and which has a small difference in refractive index from the atmosphere. Oxygen gas or a mixture of oxygen gas and N 2 or Ar gas is preferable. Gas and the like are suitable.

【0036】露光波長がエキシマArFの193nmの
場合、光路上に存在する酸素ガスは露光光を吸収するた
め、可能な限り除去する必要がある。従ってこの場合、
酸化性ガスとして酸素ガスを使うことは好ましくない。
このような場合、露光の合間に定期的にオゾンガスを流
し、レンズや親水性表面に付着したハイドロカーボンを
取り除くなどの対策をとる。
When the exposure wavelength is 193 nm for excimer ArF, the oxygen gas existing on the optical path absorbs the exposure light and must be removed as much as possible. So in this case,
It is not preferable to use oxygen gas as the oxidizing gas.
In such a case, measures such as removing ozone attached to the lens or the hydrophilic surface by periodically flowing ozone gas between exposures are taken.

【0037】また、本実施例では縮小露光系レンズのみ
の付着防止の実施例を示したが、照明系レンズについて
も、ガス導入機構、循環孔、排出孔、疎水性表面コーテ
ィングを利用すれば、まったく同様の処理が可能である
ことは言うまでもない。
In this embodiment, the embodiment in which only the contraction exposure system lens is prevented from being adhered is shown. However, the illumination system lens can also be provided by using a gas introduction mechanism, a circulation hole, a discharge hole, and a hydrophobic surface coating. It goes without saying that exactly the same processing is possible.

【0038】なお、封止チャンバ101、102の露光
光照射部の大気側には付着物が形成されやすいが、この
部分には防着ガラス等を配置し、着脱容易にして交換す
る。
Deposits are likely to be formed on the atmosphere side of the exposure light irradiating portions of the sealing chambers 101 and 102, but anti-adhesion glass or the like is arranged in this portion to facilitate attachment / detachment and replacement.

【0039】図1に示した露光装置を用いれば、レンズ
表面に付着して反射率を変化させたり、i線を散乱、吸
収するような物質の付着防止や除去が可能になり、透過
率、照度ムラが変化せず、長期間安定して露光すること
が可能になる。また、レンズ群を分解し清掃するなどの
手間がかからず、装置を効率よく使用することが出来
る。
The use of the exposure apparatus shown in FIG. 1 makes it possible to change the reflectance by adhering to the lens surface and to prevent or remove substances that scatter and absorb i-rays. Irradiation unevenness does not change, and stable exposure can be performed for a long period of time. In addition, it is not necessary to disassemble and clean the lens group, and the apparatus can be used efficiently.

【0040】[0040]

【実施例2】図2に本発明の第2の実施例を示す。図2
において、106は疎水性コーティング、201,21
0は親水性を有する活性酸素生成触媒、202は紫外線
ランプ、203はガス混合・切り替え器、204はガス
純化器、205はKrFエキシマレーザ、206はミラ
ー、207は窒素ガス、208は酸素ガス、209は紫
外線透過可能な封止ボックスである。
Embodiment 2 FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention. FIG.
In 106, a hydrophobic coating, 201, 21
0 is an active oxygen generating catalyst having hydrophilicity, 202 is an ultraviolet lamp, 203 is a gas mixing / switching device, 204 is a gas purifier, 205 is a KrF excimer laser, 206 is a mirror, 207 is a nitrogen gas, 208 is an oxygen gas, Reference numeral 209 denotes a sealing box that can transmit ultraviolet light.

【0041】図2を用い本実施例について詳しく説明す
る。レーザ205から放射されたレーザ光はミラー20
6、コンデンサレンズ13ならびに本概略図では省略し
たオプティカルインテグレータおよびズームレンズ等の
光学部品によって、レチクル14を均一に照明するよう
調整されている。レチクル14を通ったレーザ光は、鏡
筒16内に収められた縮小露光系レンズ群15を密封す
る封止ボックス209内に入射し、さらに縮小露光レン
ズ群15を経てウエハ17上にレチクル14のパターン
を転写する。
This embodiment will be described in detail with reference to FIG. The laser beam emitted from the laser 205 is
6. The reticle 14 is adjusted to be uniformly illuminated by the condenser lens 13 and optical components such as an optical integrator and a zoom lens which are omitted in the schematic diagram. The laser beam that has passed through the reticle 14 enters a sealing box 209 that seals the reduction exposure lens group 15 housed in the lens barrel 16, and further passes through the reduction exposure lens group 15 onto the wafer 17. Transfer the pattern.

【0042】図2の光学系において、鏡筒16内には縮
小露光レンズ群15と鏡筒16を接着する接着剤やレン
ズ固定治具などがあるが図示を省略している。また、疎
水性コーティング106が縮小露光レンズ群15の1つ
のレンズの表面にのみコーティングされているように図
示されているが、他のレンズ表面や、さらにミラー20
6およびコンデンサレンズ13の表面にも施すことがよ
り望ましい。
In the optical system of FIG. 2, the lens barrel 16 includes an adhesive for bonding the reduction exposure lens group 15 and the lens barrel 16, a lens fixing jig, and the like, but is not shown. Further, although the hydrophobic coating 106 is illustrated as being coated only on the surface of one lens of the reduction exposure lens group 15, the other lens surface and the mirror 20
It is more desirable to apply it also to the surface of the condenser lens 6 and the condenser lens 13.

【0043】露光を行なう前に、窒素ガス207および
酸素ガス208を所定の混合比でガス混合・切り替え器
203ならびに図2では省略したガスボンベのレギュレ
ータおよびマスフローメータにより混合したガスを純化
器204で純化し、封止ボックス209内を十分にパー
ジする。ここで使用する窒素ガスおよび酸素ガスは、ハ
イドロカーボン、有機金属およびNH4 等のデポジショ
ンを起こす不純物を極力除去したものとし、純化器20
4の寿命を延ばすようにしている。
Prior to exposure, a gas obtained by mixing a nitrogen gas 207 and an oxygen gas 208 at a predetermined mixing ratio with a gas mixing / switching unit 203 and a gas cylinder regulator and a mass flow meter not shown in FIG. Then, the inside of the sealing box 209 is sufficiently purged. The nitrogen gas and oxygen gas used here are those from which impurities such as hydrocarbons, organic metals and NH 4 which cause deposition are removed as much as possible.
4 is designed to extend its life.

【0044】窒素・酸素混合ガスでパージした後、紫外
線ランプ202を点灯し、封止ボックス209内にコー
ティングされた活性酸素生成触媒201に紫外線を照射
する。この時、活性酸素生成触媒201としては親水性
を有するように表面を加工したTiO2 もしくはTiO
2 を含む化合物の薄膜を用いることができる。また、封
止ボックス209は触媒に有効に紫外性が照射されるよ
う、紫外線の透過率が高い材料、例えば石英等が適して
いる。
After purging with a mixed gas of nitrogen and oxygen, the ultraviolet lamp 202 is turned on to irradiate the active oxygen generating catalyst 201 coated in the sealing box 209 with ultraviolet light. At this time, the active oxygen generating catalyst 201 is made of TiO 2 or TiO 2 whose surface is processed to have hydrophilicity.
A thin film of a compound containing 2 can be used. The sealing box 209 is preferably made of a material having a high transmittance of ultraviolet rays, for example, quartz or the like so that the catalyst is effectively irradiated with ultraviolet rays.

【0045】親水性を有するTiO2 もしくはTiO2
を含む化合物の薄膜は、封止ボックス209内の親水性
不純物のトラップとして機能する。親水性を有するTi
2表面に吸着した親水性不純物およびハイドロカーボ
ン等の有機汚染物質は親水性表面であったTiO2 表面
を疎水性に変え、徐々にトラップ効果は減少してしま
う。ここで、TiO2 は380nm以下の紫外線を照射
することで、表面に付着した有機汚染物質を除去する効
果があることが知られている。本実施例においても、ト
ラップ効果の減少したTiO2 薄膜に紫外線を照射した
ところ、TiO2表面に付着した不純物物質を除去でき
ることがわかった。すなわち、酸素雰囲気中でTiO2
薄膜に紫外線を照射することで、トラップ性能を回復で
きる。付着した有機汚染物質は、活性酸素の効果によ
り、H2 OやCO2 等のガス成分に変化し、パージガス
によって排出口105より封止ボックス209外へ排出
される。本実施例では活性酸素生成触媒薄膜の裏面側か
ら紫外線を照射する構成となるため、薄膜の厚さは0.
1μm〜10μm程度であることが望ましい。
TiO 2 or TiO 2 having hydrophilicity
The thin film of the compound containing contains functions as a trap for hydrophilic impurities in the sealing box 209. Hydrophilic Ti
Organic contaminants such as hydrophilic impurities and hydrocarbons adsorbed on the O 2 surface change the hydrophilic TiO 2 surface to hydrophobic, and the trapping effect gradually decreases. Here, it is known that TiO 2 has an effect of removing organic contaminants adhering to the surface by irradiating ultraviolet rays of 380 nm or less. Also in this example, when the TiO 2 thin film having the reduced trapping effect was irradiated with ultraviolet rays, it was found that the impurity substances attached to the TiO 2 surface could be removed. That is, TiO 2 in an oxygen atmosphere
By irradiating the thin film with ultraviolet rays, the trap performance can be restored. The attached organic contaminants are changed into gas components such as H 2 O and CO 2 by the effect of active oxygen, and are discharged from the outlet 105 to the outside of the sealing box 209 by the purge gas. In this embodiment, since the structure is such that ultraviolet light is irradiated from the back side of the active oxygen generation catalyst thin film, the thickness of the thin film is 0.1 mm.
It is desirable that it is about 1 μm to 10 μm.

【0046】一方、鏡筒16の内面にコーティングされ
た活性酸素生成触媒210は露光中、常に露光光が散乱
された紫外線で照射されており、表面の付着物を分解除
去して親水性を維持し、不純物トラップとして機能する
ことができる。疎水性コーティング106が施されたレ
ンズやミラーの表面には親水性不純物が付着しにくいた
め、紫外線と付着物の反応によるカルボン酸塩、硫酸
塩、珪酸塩等の堆積をおさえることができる。
On the other hand, the active oxygen-generating catalyst 210 coated on the inner surface of the lens barrel 16 is constantly irradiated with the ultraviolet light in which the exposure light is scattered during the exposure. Then, it can function as an impurity trap. Since hydrophilic impurities are unlikely to adhere to the surface of the lens or mirror on which the hydrophobic coating 106 is applied, deposition of carboxylate, sulfate, silicate, and the like due to the reaction between the ultraviolet light and the deposit can be suppressed.

【0047】以上のように、レンズやミラー等の光学素
子を清浄な酸化性ガス雰囲気下におき、光学素子表面に
は疎水性薄膜を形成し、素子を取り囲む容器内面には親
水性コーティングを施すとともに、該親水性コーティン
グをTiO2 、もしくはTiO2 化合物の活性酸素生成
触媒薄膜とし、該活性酸素生成触媒薄膜に紫外線を照射
する機構を設けることによって露光器の光学性能を長期
間に渡って安定に維持することが可能となる。
As described above, an optical element such as a lens or a mirror is placed in a clean oxidizing gas atmosphere, a hydrophobic thin film is formed on the surface of the optical element, and a hydrophilic coating is applied to the inner surface of the container surrounding the element. At the same time, the hydrophilic coating is made of TiO 2 or a TiO 2 compound active oxygen generation catalyst thin film, and a mechanism for irradiating the active oxygen generation catalyst thin film with ultraviolet light to stabilize the optical performance of the exposure device for a long period of time. Can be maintained.

【0048】なお、本実施例では窒素・酸素混合ガスを
使用しているが、酸素ガス、または酸素ガスとAr、N
e等の不活性ガスの混合ガスでも良く、また、金属不純
物、有機不純物等を除去した空気でも良い。但し、安価
で、高純度のガスが入手でき、屈折率が大気と同程度の
ものであることが望ましい。
In this embodiment, a nitrogen / oxygen mixed gas is used. However, oxygen gas, or oxygen gas and Ar, N
A mixed gas of an inert gas such as e may be used, or air from which metal impurities, organic impurities, and the like have been removed may be used. However, it is desirable that an inexpensive, high-purity gas can be obtained, and that the refractive index be similar to that of the atmosphere.

【0049】本実施例ではKrFエキシマレーザによる
露光であるため、酸素ガスを0.5%以上導入しつつ露
光を行なうことが可能である。しかし、ArFエキシマ
レーザによる露光を行なう場合、光路上の酸素ガスは露
光光を吸収するため、ガス混合・切り替え器203によ
り、露光中は酸素ガスを導入せず、ウエハやマスクの交
換時、ロット切り替え時または一定時間ごと等、定期的
に酸素ガスを導入してレーザを照射し、親水性表面に付
着した不純物の除去を行なう。
In this embodiment, since exposure is performed by a KrF excimer laser, it is possible to perform exposure while introducing oxygen gas at 0.5% or more. However, when performing exposure with an ArF excimer laser, the oxygen gas on the optical path absorbs the exposure light. Therefore, the gas mixing / switching unit 203 does not introduce the oxygen gas during the exposure. At the time of switching or at regular time intervals, oxygen gas is introduced periodically and laser irradiation is performed to remove impurities adhering to the hydrophilic surface.

【0050】また、本実施例では、鏡筒16の内面にコ
ーティングされた活性酸素生成触媒薄膜210だけでな
く、封止ボックス209内面にも活性酸素生成触媒薄膜
201を設け、かつ封止ボックス209の外側にこの活
性酸素生成触媒薄膜201を照射する紫外線照射装置2
02を設けているが、汚染物質が少ない状態が維持でき
れば、鏡筒内面にコーティングされた活性酸素生成触媒
薄膜210だけでも鏡筒16内の不純物をトラップし露
光性能を維持することができる。
In this embodiment, not only the active oxygen generation catalyst thin film 210 coated on the inner surface of the lens barrel 16 but also the active oxygen generation catalyst thin film 201 is provided on the inner surface of the sealed box 209. UV irradiator 2 for irradiating this active oxygen generating catalyst thin film 201 outside
However, if the state in which the amount of contaminants is small can be maintained, impurities in the lens barrel 16 can be trapped by only the active oxygen generation catalyst thin film 210 coated on the inner surface of the lens barrel and exposure performance can be maintained.

【0051】また、酸素ガス208と純化器204の間
にオゾン発生器を設置し、定期的にオゾンガス等の活性
なガスを封止ボックス209内に導入しても、親水性表
面に付着した有機薄膜の除去でき、トラップ効果を維持
することができ、露光性能安定化の効果が得られる。
Further, an ozone generator is installed between the oxygen gas 208 and the purifier 204, and even if an active gas such as an ozone gas is periodically introduced into the sealing box 209, the organic substance adhering to the hydrophilic surface can be obtained. The thin film can be removed, the trap effect can be maintained, and the effect of stabilizing the exposure performance can be obtained.

【0052】[0052]

【実施例3】図3はクリーンルーム環境下でArFエキ
シマレーザを基板上に照射し、基板表面の水との静止接
触角と、レーザパワー10mJ/cm2 、1×108
ョット照射における基板上の堆積物質量の関係を示した
グラフである。
[Embodiment 3] FIG. 3 shows that an ArF excimer laser is irradiated on a substrate in a clean room environment, the stationary contact angle of the substrate surface with water, the laser power is 10 mJ / cm 2 , and the substrate is irradiated with 1 × 10 8 shots. It is the graph which showed the relationship of the amount of deposited material.

【0053】図から明らかなように、静止接触角が増加
するに伴い、堆積物の析出量が減少する。図のレーザパ
ワー10mJ/cm2 、1×108 ショット照射後の質
量変化から、静止接触角が50°以上であれば、ほとん
ど堆積物の付着が認められず、露光器の性能安定化の仕
様を満足できることがわかった。一方、静止接触角が3
0°以下であれば堆積物が析出し、不純物のトラップと
しての効果が期待できる。
As is apparent from the figure, as the static contact angle increases, the amount of deposits decreases. From the change in mass after the laser power of 10 mJ / cm 2 and 1 × 10 8 shots shown in the figure, if the static contact angle is 50 ° or more, almost no deposits are observed, and the specifications for stabilizing the performance of the exposure device Was found to be satisfactory. On the other hand, when the static contact angle is 3
If it is 0 ° or less, deposits are deposited, and an effect as an impurity trap can be expected.

【0054】以上の結果から、レンズやミラー等の紫外
線露光光が照射される光学素子表面には水との静止接触
角が50°以上になるよう、疎水性コーティングを施
し、一方で、該光学素子を取り囲む鏡筒等の容器内表面
には水との静止接触角が30°以下となるような親水性
コーティングを施すことによって、紫外線の照射による
光学素子表面への堆積物の付着を抑え、光学特性を安定
化することができる。また、このような構成とすること
で、露光装置の露光量、照度ムラ等を安定化でき、露光
装置の稼働率を向上することができる。
From the above results, a hydrophobic coating is applied to the surface of the optical element such as a lens or a mirror to be irradiated with ultraviolet exposure light so that the static contact angle with water is 50 ° or more. By applying a hydrophilic coating such that the static contact angle with water is 30 ° or less on the inner surface of a container such as a lens barrel surrounding the element, adhesion of deposits to the optical element surface due to ultraviolet irradiation is suppressed, Optical characteristics can be stabilized. In addition, with such a configuration, the exposure amount, illuminance unevenness, and the like of the exposure apparatus can be stabilized, and the operation rate of the exposure apparatus can be improved.

【0055】本実施例では、疎水性コーティングとして
CaF2 およびCaF2 、SiO2の化合物薄膜を用い
その組成比を変化させて静止接触角を変化させた。これ
は、これらの無機材料が真空紫外線波長域においても光
耐久性に優れ、吸収もなく、安定した材料であるからで
あるが、疎水性を有し、真空紫外線波長域においても光
耐久性に優れ、吸収がなければどのような材料でも使用
可能であり、一般に弗化物が適している。親水性材料に
ついては、本実施例では水素終端されたSiO2 を用い
ているが、親水性材料に関しては、紫外線に対する光耐
久性、吸収の問題はなく、各種の酸化物、シリカゲル、
活性炭等の表面積が大きく、親水性不純物を吸着しやす
いものが適している。
In this example, a thin film of CaF 2 and a compound thin film of CaF 2 and SiO 2 was used as the hydrophobic coating, and the static contact angle was changed by changing the composition ratio. This is because these inorganic materials are excellent in light durability even in the vacuum ultraviolet wavelength region, are not absorbed, and are stable materials, but they have hydrophobicity and light durability in the vacuum ultraviolet wavelength region. Any material that is excellent, without absorption, can be used, and fluorides are generally suitable. In the present embodiment, hydrogen-terminated SiO 2 is used for the hydrophilic material. However, for the hydrophilic material, there is no problem of light durability against ultraviolet light and absorption, and various oxides, silica gel,
Activated carbon or the like having a large surface area and easily adsorbing hydrophilic impurities is suitable.

【0056】[0056]

【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明した露光装
置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図5は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、
液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等)の製造のフローを示す。ステップ1(回路設計)で
はデバイスのパターン設計を行なう。ステップ2(マス
ク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作
する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコンや
ガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4
(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立
て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製された
ウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージ
ング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6
(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
(ステップ7)される。
Next, an embodiment of a device production method using the above-described exposure apparatus will be described.
FIG. 5 shows a micro device (a semiconductor chip such as an IC or an LSI,
2 shows a flow of manufacturing a liquid crystal panel, a CCD, a thin-film magnetic head, a micromachine, and the like. In step 1 (circuit design), a device pattern is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the designed pattern. On the other hand, in step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon or glass. Step 4
The (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). including. Step 6
In (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).

【0057】図6は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では上記説明した光学系を有する露光
装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光
する。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像
する。ステップ18(エッチング)では現像したレジス
ト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥
離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
FIG. 6 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 15
In (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step 16 (exposure), the circuit pattern on the mask is printed and exposed on the wafer by the exposure apparatus having the above-described optical system. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

【0058】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
By using the production method of this embodiment, it is possible to produce a highly integrated device, which was conventionally difficult to produce, at low cost.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
紫外線を用いる露光装置を長期間にわたって安定に動作
させることができる。
As described above, according to the present invention,
An exposure apparatus using ultraviolet light can be stably operated for a long period of time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施例に係る露光装置のレンズ系
を示す概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a lens system of an exposure apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の他の実施例に係る露光装置のレンズ
系を示す概略断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view showing a lens system of an exposure apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の実施例に係るレンズ表面および不純
物トラップコーティングの静止接触角と堆積物の関係を
示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a static contact angle and a deposit on a lens surface and an impurity trap coating according to an example of the present invention.

【図4】 従来の技術による露光装置のレンズ系を示す
概略断面図である。
FIG. 4 is a schematic sectional view showing a lens system of an exposure apparatus according to a conventional technique.

【図5】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a flow of manufacturing a micro device.

【図6】 図5におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a detailed flow of a wafer process in FIG. 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11:光源、12:コンデンサレンズ、14:レチク
ル、15:縮小露光系レンズ、16:鏡筒、17:シリ
コンウエハ、101,102:封止チャンバ、103:
酸素ガス、104:ガス純化器、105:ガス排出口、
106:疎水性コーティング、107:親水性コーティ
ング、108:ガス排出用貫通口、201,210:親
水性を有する活性酸素生成触媒、202:紫外線ラン
プ、203:ガス混合・切り替え器、204:ガス純化
器、205:KrFエキシマレーザ、206:ミラー、
207:窒素ガス、208:酸素ガス、209:紫外線
透過可能な封止ボックス。
11: light source, 12: condenser lens, 14: reticle, 15: reduction exposure system lens, 16: lens barrel, 17: silicon wafer, 101, 102: sealing chamber, 103:
Oxygen gas, 104: gas purifier, 105: gas outlet,
106: hydrophobic coating, 107: hydrophilic coating, 108: through-hole for gas discharge, 201, 210: active oxygen generating catalyst having hydrophilicity, 202: ultraviolet lamp, 203: gas mixing / switching device, 204: gas purification , 205: KrF excimer laser, 206: mirror,
207: Nitrogen gas, 208: Oxygen gas, 209: Sealing box that can transmit ultraviolet rays.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 枇榔 竜二 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 金沢 秀宏 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Ryoji Bilo, Inventor 3- 30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Hidehiro Kanazawa 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inc.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光源からの露光光束を光学系を介して通
過させ、レチクルを通して露光対象物上に露光する露光
装置において、 前記光学系の少なくとも一部を外気と遮断する容器と、
金属化合物、有機化合物等の不純物および水分を除去し
た酸化性ガスで該容器内をパージする手段と、該容器内
において親水基をもつ物質をトラップするトラップ機構
とを有し、前記光学系を構成する光学素子の表面のうち
少なくとも一部の表面には160nm〜380nmの紫
外光に対して透明で、疎水性を有する物質がコーティン
グされていることを特徴とする露光装置。
1. An exposure apparatus for passing an exposure light beam from a light source through an optical system and exposing an exposure target object through a reticle, comprising: a container for shielding at least a part of the optical system from outside air;
The optical system includes means for purging the inside of the container with an oxidizing gas from which impurities such as metal compounds and organic compounds and moisture have been removed, and a trap mechanism for trapping a substance having a hydrophilic group in the container. An exposure apparatus characterized in that at least a part of the surface of the optical element to be coated is coated with a substance that is transparent to ultraviolet light of 160 nm to 380 nm and has hydrophobicity.
【請求項2】 前記光学素子がレンズであり、該レンズ
の表面にコーティングされる疎水性物質の屈折率が露光
波長において1.35〜1.52の範囲の低屈折率材料
からなる、露光光の反射防止性能を具現化する多層膜の
一部であり、該多層膜の最表面に位置することを特徴と
する請求項1記載の露光装置。
2. The exposure light according to claim 1, wherein the optical element is a lens, and a hydrophobic substance coated on the surface of the lens is made of a low-refractive-index material whose refractive index is in a range of 1.35 to 1.52 at an exposure wavelength. 2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus is a part of a multilayer film that realizes the anti-reflection performance of the above, and is located on the outermost surface of the multilayer film.
【請求項3】 前記疎水性物質がCaF2 またはCaF
2 を含む化合物であることを特徴とする請求項1または
2記載の露光装置。
3. The method according to claim 1, wherein the hydrophobic substance is CaF 2 or CaF 2.
3. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus is a compound containing 2.
【請求項4】 前記光学素子の表面にコーティングされ
る疎水性物質の消衰係数kおよび膜厚d(nm)が d < 20nm k*d < 0.02nm の条件を満たすことを特徴とする請求項1記載の露光装
置。
4. An extinction coefficient k and a film thickness d (nm) of a hydrophobic substance coated on a surface of the optical element satisfy a condition of d <20 nm k * d <0.02 nm. Item 2. An exposure apparatus according to Item 1.
【請求項5】 前記トラップ機構において、トラップに
用いられる物質が、親水性コーティングであることを特
徴とする請求項1記載の露光装置。
5. The exposure apparatus according to claim 1, wherein in the trap mechanism, a substance used for the trap is a hydrophilic coating.
【請求項6】 前記疎水性物質の水に対する静止接触角
が50°以上であり、前記親水性コーティングの水に対
する静止接触角が30°以下であることを特徴とする請
求項1記載の露光装置。
6. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a static contact angle of the hydrophobic substance with water is 50 ° or more, and a static contact angle of the hydrophilic coating with water is 30 ° or less. .
【請求項7】 前記トラップ機構において、トラップに
用いられる物質がTiO2 またはTiO2 を含む化合物
のコーティングであって、該親水性物質表面に380n
mより短波長の紫外線を照射する機構をさらに有する請
求項1記載の露光装置。
7. In the trap mechanism, the substance used for the trap is TiO 2 or a coating of a compound containing TiO 2 , and 380 nm is applied to the surface of the hydrophilic substance.
The exposure apparatus according to claim 1, further comprising a mechanism for irradiating ultraviolet rays having a wavelength shorter than m.
【請求項8】 前記トラップ機構において、トラップに
用いられる物質がケイ酸もしくはケイ酸を主成分とする
ゲル状物質であることを特徴とする請求項1記載の露光
装置。
8. The exposure apparatus according to claim 1, wherein in the trap mechanism, a substance used for the trap is silicic acid or a gel-like substance containing silicic acid as a main component.
【請求項9】 前記トラップ機構において、トラップに
用いられる物質が活性炭もしくは活性灰を主成分とする
物質であることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
9. The exposure apparatus according to claim 1, wherein in the trap mechanism, a substance used for the trap is a substance containing activated carbon or activated ash as a main component.
【請求項10】 請求項1〜9のいずれかに記載の露光
装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバ
イス製造方法。
10. A device manufacturing method, comprising manufacturing a device using the exposure apparatus according to claim 1.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7061573B2 (en) 2000-04-14 2006-06-13 Canon Kabushiki Kaisha Contamination prevention in optical system
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