JPH11177403A - Reset signal detection circuit - Google Patents

Reset signal detection circuit

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JPH11177403A
JPH11177403A JP35239597A JP35239597A JPH11177403A JP H11177403 A JPH11177403 A JP H11177403A JP 35239597 A JP35239597 A JP 35239597A JP 35239597 A JP35239597 A JP 35239597A JP H11177403 A JPH11177403 A JP H11177403A
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JP
Japan
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charge storage
charge
input terminal
mos transistor
discharge
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JP35239597A
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Inventor
Hidekazu Ishii
英一 石井
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Nippon Steel Corp
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Nippon Steel Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To detect a reset voltage without consuming current from a power supply in a standby state. SOLUTION: A charge storage means 1 stores charges fed from a main body circuit via a charge storage switch means 2 in the operating mode, and the reset signal detection circuit consumes the charges stored in the main body circuit, since the charge storage switch means 2 becomes open in the standby mode so as to electrically isolate the main body circuit from the reset signal detection circuit. Furthermore, the charges stored in the charge storage means 1 are discharged via a stored charge discharge means 3' then it is detected that a voltage applied to a first input terminal IN1 has reached the level lower than a prescribed voltage. Thus, the voltage for resetting the main body circuit is surely detected, without consuming the charges stored in the main body circuit.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はリセット信号検出回
路に係わり、特に、子機の動作電力を親機から送信する
データキャリアシステムの子機に用いて好適なものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reset signal detection circuit, and more particularly, to a reset signal detection circuit suitable for use in a slave unit of a data carrier system for transmitting operating power of a slave unit from a master unit.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近、データキャリアシステムでは、子
機は動作電源を持たず、親機から供給される高周波信号
を内蔵アンテナで受信して整流し、動作電力を生成する
ことが多くなってきている。
2. Description of the Related Art Recently, in a data carrier system, a slave unit does not have an operating power source, and a high frequency signal supplied from a master unit is received and rectified by a built-in antenna to generate operating power. I have.

【0003】したがって、親機から高周波信号が常に送
信されている場合には、動作中の電力を常に生成するこ
とができるので、動作電力が不足する不都合は生じな
い。しかし、信号の変調方式あるいは信号を伝送する手
順によっては、親機から子機に信号が送信されない非給
電期間が設定されることがある。
[0003] Therefore, when a high-frequency signal is constantly transmitted from the master unit, power during operation can always be generated, so that there is no inconvenience of insufficient operating power. However, depending on the signal modulation method or the procedure for transmitting the signal, a non-power supply period during which no signal is transmitted from the parent device to the child device may be set.

【0004】上記非給電期間が設定されると、その間は
動作電力を生成することができなくなるので、子機にお
いては電力供給が途絶えてしまうことにより回路が暴走
することがある。このような問題を防ぐために、データ
保持用コンデンサを子機に配設し、上記データ保持用コ
ンデンサに蓄えた電荷でデータを保持するようにするス
タンバイモードを備えるようにしている。
[0004] When the non-power supply period is set, no operating power can be generated during that period, so that in the slave unit, the power supply is cut off and the circuit may run away. In order to prevent such a problem, a standby mode is provided in which a data holding capacitor is provided in the slave unit and data is held by the electric charge stored in the data holding capacitor.

【0005】また、上記スタンバイモードにおいては、
子機では非給電期間中は動作を停止することにより消費
電力を最小にして、上記内部の保持コンデンサの電荷に
より、動作停止直前の状態のデータを保持するようにし
ている。
In the standby mode,
In the slave unit, the power consumption is minimized by stopping the operation during the non-power supply period, and the data of the state immediately before the stop of the operation is held by the charge of the internal holding capacitor.

【0006】ところで、データキャリアの使用環境で
は、親機に近づけられたときに子機は動作を開始して、
親機と通信を行うことにより予め設定された所定の動作
を行うようにしている。しかし、子機の動作が開始され
てから、一連のデータ転送および処理が完了する前に親
機の通信可能領域から子機が取り出されたり、あるいは
通信可能領域に留まっているものの、親機に対する子機
の向きが変わったことにより、親機から子機へ信号が伝
送されなくなることがある。
By the way, in a use environment of a data carrier, a slave starts operating when approached to a master,
A predetermined operation set in advance is performed by communicating with the master unit. However, after the operation of the slave unit is started and before a series of data transfer and processing is completed, the slave unit is taken out of the communicable area of the master unit or remains in the communicable area. Due to the change in the orientation of the slave, the signal may not be transmitted from the master to the slave.

【0007】このような場合も考慮してデータキャリア
システムは構築されるので、子機を親機に再度近づける
指示が出されたり、処理完了の表示が出ない等の応答が
親機から出されるようになっている。
Since the data carrier system is constructed in consideration of such a case as well, a response such as an instruction to bring the slave unit closer to the master unit again or no display indicating the completion of processing is issued from the master unit. It has become.

【0008】よって、処理中に通信が突然に途絶えても
子機が暴走することはなく、通信が途絶えたときには動
作を停止してスタンバイモードに移行し、子機内のデー
タ保持用コンデンサの電荷が残っている限り動作直前の
状態を保持するようになされている。
Therefore, even if the communication is suddenly interrupted during the processing, the slave does not run away. When the communication is interrupted, the operation is stopped and the mode shifts to the standby mode, and the charge of the data holding capacitor in the slave is reduced. As long as it remains, the state immediately before the operation is maintained.

【0009】ところで、上記データ保持用コンデンサに
蓄積可能な電荷量をそれほど多くすることは困難なの
で、データを保持することが可能な時間には所定の限界
がある。そこで、スタンバイ時間が長くなり、データを
保持することが困難になった場合には、子機の状態を初
期状態にリセットするようにしている。このリセットを
確実に行うためには、リセット電圧を確実に検出する必
要があり、従来よりリセット信号検出回路を子機に設け
てリセット電圧を検出している。
Since it is difficult to increase the amount of charge that can be stored in the data holding capacitor, there is a predetermined limit to the time during which data can be held. Therefore, when the standby time becomes long and it becomes difficult to hold the data, the state of the slave unit is reset to the initial state. In order to perform this reset reliably, it is necessary to reliably detect the reset voltage. Conventionally, a reset signal detection circuit is provided in the slave unit to detect the reset voltage.

【0010】図3に、従来のリセット信号検出回路の一
例を示す。このリセット信号検出回路は、N型MOSト
ランジスタQ21、22を配設し、これらのトランジス
タQ21、22のソースに本体回路の電源電圧VDDを印
加している。そして、上記N型MOSトランジスタQ2
1のゲートには基準電源20から基準電圧を加え、上記
N型MOSトランジスタQ22のゲートにはソースと同
じ電源電圧VDDを印加している。
FIG. 3 shows an example of a conventional reset signal detection circuit. This reset signal detection circuit includes N-type MOS transistors Q21 and Q22, and applies the power supply voltage V DD of the main circuit to the sources of these transistors Q21 and Q22. Then, the N-type MOS transistor Q2
The reference voltage from the reference power supply 20 is applied to the gate of the transistor 1, and the same power supply voltage V DD as the source is applied to the gate of the N-type MOS transistor Q22.

【0011】また、上記N型MOSトランジスタQ2
1、22のドレインにはP型MOSトランジスタQ2
3、24のソースが接続されるとともに、これらのMO
SトランジスタQ23、24のゲートが、MOSトラン
ジスタQ24のドレインに共通に接続され、MOSトラ
ンジスタQ23のドレインが出力端子OUTに接続され
ている。
The N-type MOS transistor Q2
P-type MOS transistors Q2
3, 24 sources are connected and these MOs
The gates of the S transistors Q23 and Q24 are commonly connected to the drain of the MOS transistor Q24, and the drain of the MOS transistor Q23 is connected to the output terminal OUT.

【0012】さらに、上記N型MOSトランジスタQ2
1、22のドレインにはN型MOSトランジスタQ2
5、26のソースがそれぞれ接続されていて、上記N型
MOSトランジスタQ25、26のゲートがバイアス回
路27に接続されている。また、上記N型MOSトラン
ジスタQ25、26ののドレインが接地電位に接続され
ている。
Further, the N-type MOS transistor Q2
N-type MOS transistors Q2
The sources of the transistors 5 and 26 are connected to each other, and the gates of the N-type MOS transistors Q25 and Q26 are connected to the bias circuit 27. The drains of the N-type MOS transistors Q25 and Q26 are connected to the ground potential.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】上述のように構成され
た従来のリセット信号検出回路の場合、基準電圧20と
電源電圧VDDとを比較し、上記電源電圧VDDが設定値よ
りも低下すると上記出力端子OUTからリセット信号を
出力するように動作する。
[SUMMARY OF THE INVENTION When a conventional reset signal detection circuit configured as described above, compares the reference voltage 20 and the power supply voltage V DD, when the power supply voltage V DD falls below the set value It operates so as to output a reset signal from the output terminal OUT.

【0014】したがって、図3に示した従来のリセット
信号検出回路によれば、本体回路においてデータを保持
することが困難になったことを良好に検出することがで
きる。しかし、上記リセット信号検出回路における基準
電源20は電力を消費するとともに、電圧を比較する動
作時にも電力消費が生じる問題があった。
Therefore, according to the conventional reset signal detection circuit shown in FIG. 3, it is possible to detect satisfactorily that it becomes difficult to hold data in the main circuit. However, there is a problem that the reference power supply 20 in the reset signal detection circuit consumes power and also consumes power during the operation of comparing voltages.

【0015】そこで、スタンバイモードにおいては基準
電圧をコンデンサによる保持電圧に切り換えたり、比較
回路における消費電流を押さえるために間欠動作を行っ
たりしているが、間欠動作をさせるタイミングを発生さ
せる回路も含めて消費電流を無くすことができない問題
があった。
Therefore, in the standby mode, the reference voltage is switched to the holding voltage by the capacitor, and the intermittent operation is performed in order to suppress the current consumption in the comparison circuit. Therefore, there is a problem that current consumption cannot be eliminated.

【0016】本発明は上述の問題点にかんがみ、スタン
バイ中に本体回路の電流を消費すること無しにリセット
電圧を検出できるようにすることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, an object of the present invention is to make it possible to detect a reset voltage without consuming current of a main circuit during standby.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明のリセット信号検
出回路は、本体回路の動作電圧が印加される第1の入力
端子と、上記本体回路から送られるモード切り換え信号
を入力するための第2の入力端子と、上記第1の入力端
子を介して上記本体回路から入力される電荷を蓄積する
電荷蓄積手段と、上記モード切り換え信号が動作モード
のときにオン動作して上記第1の入力端子と上記電荷蓄
積手段とを閉回路に接続し、上記本体回路からの電荷を
上記電荷蓄積手段に蓄積するとともに、上記モード切り
換え信号がスタンバイモードのときにはオフ動作して上
記電荷蓄積手段と上記本体回路とを電気的に切り離す電
荷蓄積用スイッチ手段と、 上記第1の入力端子に印加
されている電圧が所定の電圧値よりも高いときにはオフ
動作して上記電荷蓄積手段を電荷蓄積状態に保持すると
ともに、上記第1の入力端子に印加されている電圧が所
定の電圧値よりも低いときにはオン動作して上記電荷蓄
積手段に蓄積されている電荷を放電させるようにする蓄
積電荷放電手段と、上記蓄積電荷放電手段を介して放電
される上記電荷蓄積手段の放電電荷に基いて、上記第1
の入力端子に印加されている電圧が所定の電圧値よりも
低くなっとことを検出する検出回路と、上記検出回路の
検出結果をリセット信号として外部に出力するリセット
信号出力端子とを具備することを特徴としている。
According to the present invention, there is provided a reset signal detecting circuit comprising: a first input terminal to which an operating voltage of a main circuit is applied; and a second input terminal for inputting a mode switching signal sent from the main circuit. An input terminal, an electric charge accumulating means for accumulating electric charge input from the main circuit via the first input terminal, and an on-operation when the mode switching signal is in an operation mode, the first input terminal And the charge storage means are connected to a closed circuit, and charges from the main circuit are stored in the charge storage means. When the mode switching signal is in a standby mode, the charge storage means and the main circuit are turned off. A charge storage switch for electrically disconnecting the charge storage device from the first input terminal; and turning off the charge storage device when the voltage applied to the first input terminal is higher than a predetermined voltage value. The charge means is held in a charge storage state, and when the voltage applied to the first input terminal is lower than a predetermined voltage value, an ON operation is performed to discharge the charge stored in the charge storage means. Based on the discharged charge of the charge storage means discharged through the stored charge discharge means,
A detection circuit for detecting that the voltage applied to the input terminal of the first circuit becomes lower than a predetermined voltage value, and a reset signal output terminal for outputting the detection result of the detection circuit to the outside as a reset signal. It is characterized by.

【0018】また、本発明の他の特徴とするところは、
上記第1の入力端子に印加される本体回路の動作電圧
は、本体回路の電源電圧であることを特徴としている。
Another feature of the present invention is that
The operating voltage of the main circuit applied to the first input terminal is a power supply voltage of the main circuit.

【0019】また、本発明のその他の特徴とするところ
は、上記検出回路は、上記蓄積電荷放電手段を介して放
電される上記電荷蓄積手段の放電電荷を蓄積し、蓄積電
荷量に応じた電圧を発生させる放電電荷蓄積用コンデン
サを有することを特徴としている。
According to another feature of the present invention, the detection circuit accumulates the discharge charge of the charge storage means discharged through the storage charge discharge means, and stores a voltage corresponding to the amount of the stored charge. Characterized in that it has a capacitor for accumulating discharge charges that generates

【0020】また、本発明のその他の特徴とするところ
は、上記リセット信号出力端子は、MOSトランジスタ
のゲート端子に接続されることを特徴としている。ま
た、本発明のその他の特徴とするところは、本体回路に
供給されている動作電圧が印加される第1の入力端子
と、上記本体回路から送られるモード切り換え信号を入
力するための第2の入力端子と、上記第1の入力端子を
介して本体回路から入力される電荷を蓄積する電荷蓄積
用コンデンサと、上記第1の入力端子にソースが接続さ
れるとともに、上記電荷蓄積用コンデンサにドレインが
接続され、さらに、そのゲートが上記第2の入力端子に
接続されていて、上記モード切り換え信号が動作モード
のときにはオン動作して上記第1の入力端子と上記電荷
蓄積用コンデンサとを閉回路に接続して上記電荷蓄積用
コンデンサに電荷を蓄積するとともに、上記モード切り
換え信号がスタンバイモードのときにはオフ動作して上
記電荷蓄積用コンデンサと上記本体回路とを電気的に切
り離すようにするスイッチ用MOSトランジスタと、上
記スイッチ用MOSトランジスタのドレインおよび上記
電荷蓄積用コンデンサにソースが接続されるとともに、
そのゲートが上記第1の入力端子に接続されていて、上
記第1の入力端子に印加されている電圧が所定の電圧値
よりも高いときにはオフ動作し、上記第1の入力端子に
印加されている電圧が所定の電圧値よりも低いときには
オン動作して上記電荷蓄積用コンデンサに蓄積されてい
る電荷を放電させる放電用MOSトランジスタと、上記
放電用MOSトランジスタを介して放電される上記電荷
蓄積用コンデンサの放電電荷を蓄積し、蓄積電荷量に応
じた電圧を発生させる放電電荷蓄積用コンデンサと、上
記放電電荷蓄積用コンデンサと並列に接続されていて、
上記放電用MOSトランジスタがオフしているときのリ
ーク電流によって上記放電電荷蓄積用コンデンサが充電
されるのを防止するバイパス用MOSトランジスタと、
上記放電電荷蓄積用コンデンサで発生させた電圧をリセ
ット信号として外部に出力するリセット信号出力端子
と、上記放電電荷蓄積用コンデンサと並列に接続される
とともに、そのゲートが上記第2の入力端子に接続さ
れ、上記モード切り換え信号が動作モードのときにはオ
ン動作して上記放電電荷蓄積用コンデンサを放電状態に
保持するとともに、上記モード切り換え信号がスタンバ
イモードのときにはオフ動作して上記放電電荷蓄積用コ
ンデンサを電荷蓄積状態にする蓄積制御用MOSトラン
ジスタと、上記蓄積制御用MOSトランジスタのゲート
と上記リセット信号出力端子との間に介設された極性反
転回路とを具備することを特徴としている。
Another feature of the present invention is that the reset signal output terminal is connected to a gate terminal of a MOS transistor. Another feature of the present invention is that a first input terminal to which an operating voltage supplied to the main body circuit is applied and a second input terminal for inputting a mode switching signal sent from the main body circuit. An input terminal, a charge storage capacitor for storing charge input from the main circuit through the first input terminal, a source connected to the first input terminal, and a drain connected to the charge storage capacitor. And the gate is connected to the second input terminal, and when the mode switching signal is in the operation mode, it is turned on to close the first input terminal and the charge storage capacitor. To store the charge in the charge storage capacitor, and when the mode switching signal is in the standby mode, turn off to operate the charge storage capacitor. A MOS transistor switch for the capacitors and the body circuit to electrically disconnect, with the source to the drain and the charge storage capacitor of the MOS transistor for the switch is connected,
When the gate is connected to the first input terminal and the voltage applied to the first input terminal is higher than a predetermined voltage value, the gate is turned off, and the gate is connected to the first input terminal. When the applied voltage is lower than a predetermined voltage value, a discharging MOS transistor that is turned on to discharge the charge stored in the charge storage capacitor, and a charge storage transistor that is discharged through the discharge MOS transistor. A capacitor for accumulating discharge charge of the capacitor and generating a voltage corresponding to the amount of accumulated charge, and a capacitor for discharge charge accumulation, which is connected in parallel with the capacitor for discharge charge accumulation,
A bypass MOS transistor for preventing the discharge charge storage capacitor from being charged by a leakage current when the discharge MOS transistor is off;
A reset signal output terminal for outputting a voltage generated by the discharge charge storage capacitor as a reset signal to the outside, and a gate connected to the second input terminal while being connected in parallel with the discharge charge storage capacitor When the mode switching signal is in the operation mode, the operation is turned on to hold the discharge charge storage capacitor in a discharging state, and when the mode switching signal is in the standby mode, the operation is turned off to charge the discharge charge storage capacitor. It is characterized by comprising a storage control MOS transistor for setting a storage state, and a polarity inversion circuit interposed between the gate of the storage control MOS transistor and the reset signal output terminal.

【0021】また、本発明のその他の特徴とするところ
は、上記リセット信号出力端子は、MOSトランジスタ
のゲート端子に接続されることを特徴としている。
Another feature of the present invention is that the reset signal output terminal is connected to a gate terminal of a MOS transistor.

【0022】また、本発明のその他の特徴とするところ
は、上記スイッチ用MOSトランジスタをP型のMOS
トランジスタとするとともに、上記P型のMOSトラン
ジスタと並列に第2のスイッチ用MOSトランジスタと
してN型のMOSトランジスタを接続し、上記第2のス
イッチ用MOSトランジスタのゲートに上記極性反転回
路の出力を供給することを特徴としている。
Another feature of the present invention is that the switching MOS transistor is a P-type MOS transistor.
A transistor, and an N-type MOS transistor is connected in parallel with the P-type MOS transistor as a second switching MOS transistor, and the output of the polarity inversion circuit is supplied to the gate of the second switching MOS transistor. It is characterized by doing.

【0023】[0023]

【作用】本発明は上記技術手段を有するので、動作モー
ド時には電荷蓄積用スイッチ手段を介して本体回路から
供給される電荷が電荷蓄積手段に蓄積され、スタンバイ
モード時には上記電荷蓄積用スイッチ手段がオフするこ
とにより、上記本体回路とリセット信号検出回路とが電
気的に絶縁されるので、上記本体回路に蓄積されている
電荷がスタンバイモード時にリセット信号検出回路によ
って消費されることがなくなる。
Since the present invention has the above technical means, the electric charge supplied from the main circuit through the electric charge accumulation switch means is accumulated in the electric charge accumulation means in the operation mode, and the electric charge accumulation switch means is turned off in the standby mode. By doing so, the main body circuit and the reset signal detection circuit are electrically insulated, so that the charge stored in the main body circuit is not consumed by the reset signal detection circuit in the standby mode.

【0024】また、スタンバイモードになると、上記電
荷蓄積手段に蓄積された電荷が蓄積電荷放電手段を介し
て放電されるとともに、上記電荷蓄積手段の放電電荷に
基いて、上記第1の入力端子に印加されている電圧が所
定の電圧値よりも低くなっとことが検出される。
In the standby mode, the charge stored in the charge storage means is discharged through the stored charge discharging means, and the first input terminal is connected to the first input terminal based on the discharge charge of the charge storage means. It is detected that the applied voltage is lower than a predetermined voltage value.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、本発明のリセット信号検出
回路の第1の実施形態を図面を参照して説明する。図1
は、本発明の第1の実施形態を示す回路図である。図1
に示したように、本実施の形態のリセット信号検出回路
は、第1の入力端子IN1、第2の入力端子IN2、お
よび出力端子OUTを有している。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a first embodiment of a reset signal detection circuit according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG.
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention. FIG.
As shown in the figure, the reset signal detection circuit of the present embodiment has a first input terminal IN1, a second input terminal IN2, and an output terminal OUT.

【0026】上記第1の入力端子IN1には、電荷蓄積
用スイッチ手段2を構成する第1のスイッチ手段SW1
の一端が接続されるとともに、第1のMOSトランジス
タQ1 のゲートが接続されている。また、上記第1のス
イッチ手段SW1 の他端には上記第1のMOSトランジ
スタQ1 のソースが接続されている。
The first input terminal IN1 is connected to the first switch means SW 1 constituting the charge storage switch means 2.
One end is connected to the first gate of the MOS transistor Q 1 is connected. Further, the first source of the MOS transistor Q 1 is connected to the said first end of the switch means SW 1.

【0027】すなわち、上記第1のMOSトランジスタ
1 のソースは、上記第1のスイッチ手段SW1 を介し
て第1の入力端子IN1に接続されている。また、上記
第1のスイッチ手段SW1 の他端に、第1のコンデンサ
1 が接続されている。上記第1のコンデンサC1 は電
荷蓄積手段1を構成するコンデンサである。
[0027] That is, the first source of the MOS transistor Q 1 is connected to the first input terminal IN1 through the first switch means SW 1. Further, in the first end of the switch means SW 1, the first capacitor C 1 is connected. The first capacitor C 1 is a capacitor constituting the charge storage means 1.

【0028】上記第1のMOSトランジスタQ1 は蓄積
電荷放電手段3を構成するトランジスタであり、そのド
レインは第2のMOSトランジスタQ2 のソースに接続
されている。また、上記第2のMOSトランジスタQ2
のソースには、第2のMOSトランジスタQ2 のゲー
ト、第2のコンデンサC2 の一端、第2のスイッチ手段
SW2 の一端、および出力端子OUTがそれぞれ接続さ
れている。上記第2のMOSトランジスタQ2 および第
2のコンデンサC2 によって検出回路4が構成されてい
る。
[0028] MOS transistors to Q 1 the first is a transistor constituting the accumulated charge-discharge unit 3, its drain connected to the source of the second MOS transistor Q 2. Further, the second MOS transistor Q 2
The sources, a second MOS transistor Q 2 of the gate, the second end of the capacitor C 2, the second switch means SW 2 at one end, and the output terminal OUT are connected. The detection circuit 4 is constituted by the second MOS transistor Q 2 and the second capacitor C 2 .

【0029】また、上記第2のMOSトランジスタQ2
のドレイン、上記第1および第2のコンデンサC1 、C
2 の他端、および第2のスイッチ手段SW2 の他端が基
準電位(接地電位)に接続されている。本実施の形態で
は、上記第2のスイッチ手段SW2 をN型MOSトラン
ジスタQ4 により構成している。
Further, the second MOS transistor Q 2
, The first and second capacitors C 1 , C 1
2 of the other end, and a second end of the switch means SW 2 is connected to a reference potential (ground potential). In the present embodiment, the said second switch means SW 2 is composed of N-type MOS transistor Q 4.

【0030】上述のように構成された本実施の形態のリ
セット信号検出回路は、不図示の本体回路がスタンバイ
モードであるか否かを検出するために、上記第1の入力
端子IN1と検出対象の電位点、例えば、電源電圧VDD
とを接続している。
The reset signal detection circuit of the present embodiment configured as described above detects whether the main circuit (not shown) is in the standby mode and is connected to the first input terminal IN1. Potential point, for example, the power supply voltage V DD
And are connected.

【0031】また、第2のスイッチ手段SW2 にもスタ
ンバイモードの切り換え信号が入力されるようになされ
ており、不図示の本体回路が動作しているときには、第
1のスイッチ手段SW1 および第2のスイッチ手段SW
2 が共にオンするように制御される。また、不図示の本
体回路がスタンバイモードになったときには、第1のス
イッチ手段SW1 および第2のスイッチ手段SW2 が共
にオフするように制御される。
Further, in the second switch means SW 2 have been made as a switching signal in the standby mode is entered, when the main body circuit (not shown) is in operation, the first switch means SW 1 and the 2 switch means SW
2 are controlled to be turned on together. Further, when the main body circuit (not shown) is in standby mode, the first switch means SW 1 and the second switch means SW 2 is controlled to be turned off together.

【0032】図1の例では、P型MOSトランジスタQ
3 により第1のスイッチ手段SW1が構成され、N型M
OSトランジスタQ4 によって第2のスイッチ手段SW
2 が構成されている。したがって、上述したような制御
を実現するために、上記第2の入力端子IN2に入力さ
れた信号を上記P型MOSトランジスタQ3 のゲートに
直接供給するとともに、極性反転回路INVを介して上
記N型MOSトランジスタQ4 のゲートに供給するよう
にしている。
In the example of FIG. 1, the P-type MOS transistor Q
3 constitutes the first switch means SW 1 , and the N-type M
The second switching means SW by the OS transistor Q 4
2 are configured. Therefore, in order to realize the control as described above, the second signal input to the input terminal IN2 is supplied directly to the gate of the P-type MOS transistor Q 3, the via the polarity inversion circuit INV N It is to be supplied to the gate of the type MOS transistor Q 4.

【0033】また、第1のコンデンサC1 に対して第2
のコンデンサC2 は1/3〜1/30程度の大きさに設
定するとともに、第2のMOSトランジスタQ2 は第2
のMOSトランジスタQ1 と同じ程度の面積〜数倍の面
積に設定している。さらに、出力端子OUTに接続され
る外部回路は、MOSトランジスタのゲート、例えば、
単純なCMOSインバータゲートに限定している。
Further, the second capacitor is connected to the first capacitor C 1 .
Of the capacitor C 2 is set to about 1/3 to 1/30, and the second MOS transistor Q 2 is
It is set to several times the area - the area of the MOS transistor the same extent as the Q 1 of. Further, an external circuit connected to the output terminal OUT includes a gate of a MOS transistor, for example,
It is limited to a simple CMOS inverter gate.

【0034】次に、上述のように構成された本実施の形
態のリセット信号検出回路の動作を説明する。不図示の
本体回路が動作しているときには、第1のスイッチ手段
SW1 がオンしているので、第1のMOSトランジスタ
1 のゲートおよびソースに印加される電圧は共に、第
1の入力端子IN1に印加される電圧となっている。し
たがって、この場合には不図示の本体回路の電源電圧V
DDとなっている。
Next, the operation of the reset signal detection circuit of the present embodiment having the above-described configuration will be described. When the main body circuit (not shown) is in operation, since the first switch means SW 1 is turned on, the voltage applied to the first MOS transistor the gate and the source of Q 1 is both a first input terminal This is the voltage applied to IN1. Therefore, in this case, the power supply voltage V
DD .

【0035】この場合、ゲートとソースの電位が等しい
ので、第1のMOSトランジスタQ1 はオフとなり、動
作電流は流れない。また、第1のスイッチ手段SW1
オンしているので、第1のコンデンサC1 は電源電圧V
DDの電位まで充電される。また、第2のスイッチ手段S
2 もオンしているので、出力端子OUTは基準電位に
接続されることになり、出力端子OUTの論理レベルは
“L”レベルとなっている。
[0035] In this case, since the potential of the gate and the source are equal, the first MOS transistor Q 1 is turned off, the operating current does not flow. Further, since the first switch means SW 1 is turned on, the first capacitor C 1 is the power supply voltage V
It is charged to the potential of DD . Also, the second switch means S
Since W 2 is also turned on, the output terminal OUT will be connected to a reference potential, the logic level of the output terminal OUT is in the "L" level.

【0036】そして、本体回路がスタンバイモードに移
行すると、上記第2の入力端子IN2に入力されたスタ
ンバイモード切り換え信号を受けて第1のスイッチ手段
SW1 および第2のスイッチ手段SW2 はオフする。こ
のとき、不図示の本体回路の電源電圧VDDが動作時と同
じか、あるいは動作電流が無くなったためにやや上昇し
ている。この状態において、第1のMOSトランジスタ
1 はオフしているので、第1のコンデンサC1 に蓄積
された電荷は放電されない。したがって、このときの出
力端子OUTの論理レベルは“L”レベルのままであ
る。
When the main circuit shifts to the standby mode, the first switch means SW 1 and the second switch means SW 2 are turned off in response to the standby mode switching signal input to the second input terminal IN 2 . . At this time, the power supply voltage V DD of the unillustrated main body circuit is the same as that during operation, or slightly rises because the operating current has disappeared. In this state, the first MOS transistor Q 1 is so turned off, the charge accumulated in the first capacitor C 1 is not discharged. Therefore, the logic level of the output terminal OUT at this time remains at "L" level.

【0037】ところで、第1のMOSトランジスタQ1
が、トランジスタの動作としてオフしていても、構造上
のPN接合の逆バイアスによる微小なリーク電流がソー
スからドレインに流れる。そこで、本実施の形態におい
ては、上記リーク電流分を同じようにオフさせている第
2のMOSトランジスタQ2 を介して接地に流して補償
している。
By the way, the first MOS transistor Q 1
However, even when the transistor is turned off, a small leak current due to the reverse bias of the PN junction on the structure flows from the source to the drain. Therefore, in the present embodiment, the leakage current is compensated by flowing to the ground via the second MOS transistor Q2 which is similarly turned off.

【0038】スタンバイ時間が長く継続することによ
り、不図示の本体回路の電源電圧VDDが降下すると、ゲ
ートに加わる電圧が低下するので第1のMOSトランジ
スタQ1 がオンする。これにより、第1のコンデンサC
1 に充電されていた電荷が第1のMOSトランジスタQ
1 を通って第2のコンデンサC2 に移動し、その端子電
圧が上昇するので、出力端子OUTの電位が上昇する。
When the power supply voltage V DD of the main circuit (not shown) drops due to the long standby time, the voltage applied to the gate drops, so that the first MOS transistor Q 1 turns on. Thereby, the first capacitor C
The charge that has been charged to 1 becomes the first MOS transistor Q
1 moves the second to the capacitor C 2 through, so that the terminal voltage rises, the potential of the output terminal OUT rises.

【0039】このとき、出力端子OUTに接続される負
荷に直流電力のパスがあると電位が上がらないが、上記
したように、出力端子OUTにはMOSトランジスタの
ゲートしか接続されていないので、出力端子OUTの電
位は問題なく上昇する。
At this time, if the load connected to the output terminal OUT has a DC power path, the potential does not rise. However, as described above, only the gate of the MOS transistor is connected to the output terminal OUT. The potential of the terminal OUT rises without any problem.

【0040】ちなみに、不図示の本体回路の方が回路規
模が大きいので、リーク電流も大きい。このため、本実
施の形態のリセット信号検出回路の第1のコンデンサC
1 の容量は小さくても、不図示の本体回路の電源電圧V
DDよりも長時間にわたって電位を保持することができ
る。
Incidentally, since the main circuit (not shown) has a larger circuit scale, the leakage current is larger. For this reason, the first capacitor C of the reset signal detection circuit of the present embodiment is
Although the capacity of 1 is small, the power supply voltage V
The potential can be held for a longer time than DD .

【0041】次に、図2を参照しながら本発明の第2の
実施の形態を示す。図2に示した例、第1のスイッチ手
段SW1 の制御切り換え時、特に、オフさせるときの正
方向に振れる制御信号で第1のコンデンサC1 の電位が
変化しないようにするために、その容量を大きくすると
ともに、第5のN型MOSトランジスタQ5 を配設し、
上記第5のMOSトランジスタQ5 に逆位相の制御信号
を印加することで影響を減らすようにしている。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Example shown in FIG. 2, when the first control switching of the switch means SW 1, in particular, to ensure that the potential of the first capacitor C 1 by a control signal that swings in the positive direction is not changed when turning off, the with a larger capacity, it is disposed an N-type MOS transistor Q 5 of the fifth,
And to reduce the effect by applying a control signal of opposite phase to the MOS transistor Q 5 of the fifth.

【0042】なお、上述した実施の形態においては、第
1のコンデンサC1 に充電されていた電荷を第2のコン
デンサC2 に移動させ、その端子電圧を上昇させること
によりリセット信号を生成するようにして例を示した。
このようにすると、放電された電荷を第2のコンデンサ
2 に蓄えておくので、検出タイミングによる制約をう
けることがなく、第1のコンデンサC1 の電荷放電を精
度良く検出することができる。
In the above-described embodiment, the charge stored in the first capacitor C 1 is moved to the second capacitor C 2, and the reset signal is generated by increasing the terminal voltage of the second capacitor C 2. An example was shown.
In this way, since the electric charge discharged set aside in the second capacitor C 2, without being restricted by the detection timing, the first charge and discharge of the capacitor C 1 can be accurately detected.

【0043】しかし、上記第1のコンデンサC1 の電荷
放電を検出してリセット信号を生成する方法は、種々の
方法を用いることができる。例えば、第2のコンデンサ
2の代わりに負荷抵抗を配設し、上記第1のコンデン
サC1 の電荷放電により上記負荷抵抗の端子電圧を上昇
させるようにしてもよい。
However, various methods can be used as a method of detecting the discharge of the first capacitor C 1 and generating the reset signal. For example, to dispose the load resistor to the second place of the capacitor C 2, the charge and discharge of the first capacitor C 1 may be to increase the terminal voltage of the load resistor.

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明は上述したように、本発明によれ
ば、動作モード時には電荷蓄積用スイッチ手段を介して
本体回路から供給される電荷を電荷蓄積手段に蓄積し、
スタンバイモード時には上記電荷蓄積用スイッチ手段を
オフさせることにより、上記本体回路とリセット信号検
出回路とを電気的に絶縁するとともに、上記電荷蓄積手
段に蓄積した電荷を放電し、上記電荷蓄積手段の放電電
荷に基いて、上記第1の入力端子に印加されている本体
回路の電圧が所定の電圧値よりも低くなったことを示す
リセット電圧を検出するようにしたので、上記本体回路
の電圧値が低下したことを小規模な回路により確実に検
出できるとともに、上記本体回路に蓄積した電荷をスタ
ンバイモード時に消費しないようにすることができる。
According to the present invention, as described above, according to the present invention, in the operation mode, the electric charge supplied from the main circuit through the electric charge accumulation switch means is accumulated in the electric charge accumulation means.
In the standby mode, by turning off the charge storage switch means, the main body circuit and the reset signal detection circuit are electrically insulated, and the charge stored in the charge storage means is discharged. Since the reset voltage indicating that the voltage of the main circuit applied to the first input terminal is lower than a predetermined voltage value is detected based on the charge, the voltage value of the main circuit is detected. The decrease can be reliably detected by a small-scale circuit, and the electric charge accumulated in the main circuit can be prevented from being consumed in the standby mode.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態を示す回路図であ
る。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施の形態を示す回路図であ
る。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図3】従来例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電荷蓄積手段 2 電荷蓄積用スイッチ手段 3 蓄積電荷放電手段 4 検出回路 IN1 第1の入力端子 IN2 第2の入力端子 Q1 第1のMOSトランジスタ Q2 第2のMOSトランジスタ Q3 第3のMOSトランジスタ Q4 第4のMOSトランジスタ SW1 第1のスイッチ手段 SW2 第2のスイッチ手段REFERENCE SIGNS LIST 1 charge storage means 2 charge storage switch means 3 stored charge discharge means 4 detection circuit IN1 First input terminal IN2 Second input terminal Q 1 First MOS transistor Q 2 Second MOS transistor Q 3 Third MOS transistor Q 4 Fourth MOS transistor SW 1 First switch means SW 2 Second switch means

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 本体回路の動作電圧が印加される第1の
入力端子と、 上記本体回路から送られるモード切り換え信号を入力す
るための第2の入力端子と、 上記第1の入力端子を介して上記本体回路から入力され
る電荷を蓄積する電荷蓄積手段と、 上記モード切り換え信号が動作モードのときにオン動作
して上記第1の入力端子と上記電荷蓄積手段とを閉回路
に接続し、上記本体回路からの電荷を上記電荷蓄積手段
に蓄積するとともに、上記モード切り換え信号がスタン
バイモードのときにはオフ動作して上記電荷蓄積手段と
上記本体回路とを電気的に切り離す電荷蓄積用スイッチ
手段と、 上記第1の入力端子に印加されている電圧が所定の電圧
値よりも高いときにはオフ動作して上記電荷蓄積手段を
電荷蓄積状態に保持するとともに、上記第1の入力端子
に印加されている電圧が所定の電圧値よりも低いときに
はオン動作して上記電荷蓄積手段に蓄積されている電荷
を放電させるようにする蓄積電荷放電手段と、 上記蓄積電荷放電手段を介して放電される上記電荷蓄積
手段の放電電荷に基いて、上記第1の入力端子に印加さ
れている電圧が所定の電圧値よりも低くなっとことを検
出する検出回路と、 上記検出回路の検出結果をリセット信号として外部に出
力するリセット信号出力端子とを具備することを特徴と
するリセット信号検出回路。
A first input terminal to which an operating voltage of a main circuit is applied; a second input terminal for inputting a mode switching signal sent from the main circuit; and a first input terminal. Charge accumulation means for accumulating the electric charge inputted from the main body circuit, and turning on when the mode switching signal is in an operation mode to connect the first input terminal and the charge accumulation means to a closed circuit; Charge storage switch means for storing charge from the main body circuit in the charge storage means, and turning off when the mode switching signal is in a standby mode to electrically disconnect the charge storage means and the main body circuit; When the voltage applied to the first input terminal is higher than a predetermined voltage value, an off operation is performed to hold the charge storage means in a charge storage state, When the voltage applied to the first input terminal is lower than a predetermined voltage value, the stored charge discharging means turns on to discharge the charge stored in the charge storage means; A detection circuit for detecting that a voltage applied to the first input terminal is lower than a predetermined voltage value based on a discharge charge of the charge storage means discharged through the detection circuit; A reset signal output terminal for outputting a detection result of the above to the outside as a reset signal.
【請求項2】 上記第1の入力端子に印加される本体回
路の動作電圧は、本体回路の電源電圧であることを特徴
とする請求項1に記載のリセット信号検出回路。
2. The reset signal detection circuit according to claim 1, wherein the operating voltage of the main circuit applied to the first input terminal is a power supply voltage of the main circuit.
【請求項3】 上記検出回路は、上記蓄積電荷放電手段
を介して放電される上記電荷蓄積手段の放電電荷を蓄積
し、蓄積電荷量に応じた電圧を発生させる放電電荷蓄積
用コンデンサを有することを特徴とする請求項1または
2に記載のリセット信号検出回路。
3. The discharge circuit according to claim 2, wherein the detection circuit includes a discharge charge storage capacitor that stores the discharge charge of the charge storage means discharged through the storage charge discharge means and generates a voltage corresponding to the amount of the stored charge. The reset signal detection circuit according to claim 1 or 2, wherein:
【請求項4】 上記リセット信号出力端子は、MOSト
ランジスタのゲート端子に接続されることを特徴とする
請求項3に記載のリセット信号検出回路。
4. The reset signal detection circuit according to claim 3, wherein said reset signal output terminal is connected to a gate terminal of a MOS transistor.
【請求項5】 本体回路に供給されている動作電圧が印
加される第1の入力端子と、 上記本体回路から送られるモード切り換え信号を入力す
るための第2の入力端子と、 上記第1の入力端子を介して本体回路から入力される電
荷を蓄積する電荷蓄積用コンデンサと、 上記第1の入力端子にソースが接続されるとともに、上
記電荷蓄積用コンデンサにドレインが接続され、さら
に、そのゲートが上記第2の入力端子に接続されてい
て、上記モード切り換え信号が動作モードのときにはオ
ン動作して上記第1の入力端子と上記電荷蓄積用コンデ
ンサとを閉回路に接続して上記電荷蓄積用コンデンサに
電荷を蓄積するとともに、上記モード切り換え信号がス
タンバイモードのときにはオフ動作して、上記本体回路
と上記電荷蓄積用コンデンサとを電気的に切り離すよう
にするスイッチ用MOSトランジスタと、 上記スイッチ用MOSトランジスタのドレインおよび上
記電荷蓄積用コンデンサにソースが接続されるととも
に、そのゲートが上記第1の入力端子に接続されてい
て、上記第1の入力端子に印加されている電圧が所定の
電圧値よりも高いときにはオフ動作し、上記第1の入力
端子に印加されている電圧が所定の電圧値よりも低いと
きにはオン動作して上記電荷蓄積用コンデンサに蓄積さ
れている電荷を放電させる放電用MOSトランジスタ
と、 上記放電用MOSトランジスタを介して放電される上記
電荷蓄積用コンデンサの放電電荷を蓄積し、蓄積電荷量
に応じた電圧を発生させる放電電荷蓄積用コンデンサ
と、 上記放電電荷蓄積用コンデンサと並列に接続されてい
て、上記放電用MOSトランジスタがオフしているとき
のリーク電流によって上記放電電荷蓄積用コンデンサが
充電されるのを防止するバイパス用MOSトランジスタ
と、 上記放電電荷蓄積用コンデンサで発生させた電圧をリセ
ット信号として外部に外部に出力するリセット信号出力
端子と、 上記放電電荷蓄積用コンデンサと並列に接続されるとと
もに、そのゲートが上記第2の入力端子に接続され、上
記モード切り換え信号が動作モードのときにはオン動作
して上記放電電荷蓄積用コンデンサを放電状態に保持す
るとともに、上記モード切り換え信号がスタンバイモー
ドのときにはオフ動作して上記放電電荷蓄積用コンデン
サを電荷蓄積状態にする蓄積制御用MOSトランジスタ
と、 上記蓄積制御用MOSトランジスタのゲートと上記リセ
ット信号出力端子との間に介設された極性反転回路とを
具備することを特徴とするリセット信号検出回路。
5. A first input terminal to which an operating voltage supplied to a main body circuit is applied; a second input terminal for inputting a mode switching signal sent from the main body circuit; A charge storage capacitor for storing charge input from the main body circuit via an input terminal; a source connected to the first input terminal; a drain connected to the charge storage capacitor; Is connected to the second input terminal, and is turned on when the mode switching signal is in the operation mode to connect the first input terminal and the charge storage capacitor to a closed circuit to connect the charge storage capacitor In addition to accumulating electric charge in the capacitor, the capacitor is turned off when the mode switching signal is in the standby mode, and the main circuit and the electric charge storage capacitor are electrically connected. A switching MOS transistor to be electrically disconnected, a source connected to the drain of the switching MOS transistor and the charge storage capacitor, and a gate connected to the first input terminal; When the voltage applied to the first input terminal is higher than a predetermined voltage value, the operation is turned off. When the voltage applied to the first input terminal is lower than the predetermined voltage value, the operation is turned on. A discharge MOS transistor for discharging the charge stored in the charge storage capacitor; and a discharge charge of the charge storage capacitor discharged through the discharge MOS transistor; and a voltage corresponding to the amount of stored charge. The discharge charge storage capacitor to be generated, and the discharge charge storage capacitor connected in parallel with the discharge charge storage capacitor. A bypass MOS transistor for preventing the discharge charge storage capacitor from being charged by a leak current when the use MOS transistor is off; and a voltage generated by the discharge charge storage capacitor as a reset signal to the outside. A reset signal output terminal to be output to the outside and the discharge charge storage capacitor are connected in parallel, and the gate is connected to the second input terminal. A storage control MOS transistor for holding the discharge charge storage capacitor in a discharge state and turning off the discharge charge storage capacitor when the mode switching signal is in a standby mode to place the discharge charge storage capacitor in a charge storage state; MOS transistor gate and reset signal Reset signal detection circuit, characterized by comprising a polarity inversion circuit which is interposed between the force terminal.
【請求項6】 上記リセット信号出力端子は、外部回路
のMOSトランジスタのゲート端子に接続されることを
特徴とする請求項5に記載のリセット信号検出回路。
6. The reset signal detection circuit according to claim 5, wherein said reset signal output terminal is connected to a gate terminal of a MOS transistor of an external circuit.
【請求項7】 上記スイッチ用MOSトランジスタをP
型のMOSトランジスタとするとともに、上記P型のM
OSトランジスタと並列に第2のスイッチ用MOSトラ
ンジスタとしてN型のMOSトランジスタを接続し、上
記第2のスイッチ用MOSトランジスタのゲートに上記
極性反転回路の出力を供給することを特徴とする請求項
6に記載のリセット信号検出回路。
7. The switching MOS transistor is P
And the P-type MOS transistor
7. An N-type MOS transistor is connected as a second switch MOS transistor in parallel with an OS transistor, and an output of the polarity inversion circuit is supplied to a gate of the second switch MOS transistor. 2. The reset signal detection circuit according to 1.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001339285A (en) * 2000-05-29 2001-12-07 Texas Instr Japan Ltd Power-off detecting circuit
WO2020214377A1 (en) * 2019-04-18 2020-10-22 Xilinx, Inc. Switch leakage compensation circuits
US11223162B2 (en) 2017-12-26 2022-01-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Air cleaner and home appliance

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