JPH11177241A - Low temperature fired substrate - Google Patents
Low temperature fired substrateInfo
- Publication number
- JPH11177241A JPH11177241A JP34499897A JP34499897A JPH11177241A JP H11177241 A JPH11177241 A JP H11177241A JP 34499897 A JP34499897 A JP 34499897A JP 34499897 A JP34499897 A JP 34499897A JP H11177241 A JPH11177241 A JP H11177241A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- conductive paste
- green sheet
- low
- firing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 9
- 230000008602 contraction Effects 0.000 abstract 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910017309 Mo—Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は低温焼成基板に関
し、さらに詳しくは、反りが非常に少ない導体回路を形
成できる低温焼成基板に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low-temperature fired substrate, and more particularly, to a low-temperature fired substrate capable of forming a conductor circuit having very little warpage.
【０００２】[0002]
【従来の技術】本発明に関連する技術分野に用いられる
セラミック多層回路基板としては、アルミナ多層回路基
板が主に用いられていた。アルミナ多層回路基板を製造
するためには、アルミナの焼結を行うために１５００℃
以上の高温を必要とし、またその温度に耐えるための導
体材料としてＭｏ−ＭｎやＷ系の高温焼結用材料が使用
されていた。2. Description of the Related Art Alumina multilayer circuit boards have been mainly used as ceramic multilayer circuit boards used in the technical field related to the present invention. To manufacture an alumina multilayer circuit board, 1500 ° C.
A high temperature sintering material such as Mo-Mn or W has been used as a conductor material that requires the above high temperature and withstands the temperature.
【０００３】一方、最近ではアルミナよりも低温で焼成
することのできる低温焼成基板が徐々に用いられ始めて
いる。この低温焼成基板では、８００〜１０００℃の焼
成温度で焼結が可能となり、そのため導体材料もＭｏ−
ＭｎやＷよりも低抵抗のＡｇやＣｕが使用できるように
なり、高密度実装基板としてのＣＳＰ（チップサイズパ
ッケージ）、あるいはＭＣＭ（マルチチップモジュー
ル）に応用展開が図られつつある。On the other hand, recently, a low-temperature fired substrate that can be fired at a lower temperature than alumina has been gradually used. In this low-temperature fired substrate, sintering can be performed at a firing temperature of 800 to 1000 ° C., so that the conductor material is also Mo-
Ag and Cu, which have lower resistance than Mn and W, can be used, and their application to CSP (chip size package) as a high-density mounting substrate or MCM (multi-chip module) is being promoted.
【０００４】低温焼成基板は、一般にガラスフリット成
分とセラミック成分を混合したものであって、ガラスフ
リットの低融点を利用して低温度で焼結させて基板とす
るものである。[0004] A low-temperature fired substrate is generally a mixture of a glass frit component and a ceramic component, and is sintered at a low temperature using a low melting point of the glass frit to form a substrate.
【０００５】このような低温焼成基板を製造する方法
は、基板となるセラミックグリーンシート上に導電ペー
ストを印刷し、またセラミック層間の電気的接続をとる
ためにセラミックグリーンシートのバイアホール部に導
電ペーストを充填し、それらのグリーンシートを複数枚
積層した後一括で焼成する方法である。[0005] A method of manufacturing such a low-temperature fired substrate is to print a conductive paste on a ceramic green sheet as a substrate, and to form a conductive paste in a via hole portion of the ceramic green sheet to make electrical connection between ceramic layers. And firing a batch after laminating a plurality of those green sheets.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
して製造する低温焼成基板には、焼成後に基板に反りが
発生するという問題がある。それは、焼成時の収縮率の
異なる材料であるセラミックグリーンシートと導電ペー
ストを同時に焼成するために起こる現象であり、もしも
反りが発生すると基板として使用できないことは言うま
でもない。However, the low-temperature fired substrate manufactured in this manner has a problem that the substrate is warped after firing. This is a phenomenon that occurs because ceramic green sheets, which are materials having different shrinkage rates during firing, and a conductive paste are fired at the same time. If warpage occurs, it cannot be used as a substrate.
【０００７】本発明は従来の技術の有する上記のような
問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、反
りが非常に少ない導体回路を形成できる低温焼成基板を
提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and has as its object to provide a low-temperature fired substrate capable of forming a conductor circuit with very little warpage. .
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、導電ペーストの最大収縮速度を示す焼成温
度をグリーンシートのその温度以上とし、その導電ペー
ストを上記グリーンシートに印刷して焼成することによ
り、反りが非常に少ない導体回路を形成することができ
る。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a method for printing a conductive sheet on a green sheet by setting the firing temperature, which indicates the maximum shrinkage rate of the conductive paste, equal to or higher than that of the green sheet. By firing, a conductor circuit with very little warpage can be formed.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】すなわち、本発明の要旨は、導電
ペーストを印刷したグリーンシートを複数枚積層して低
温で焼成することによって得られる低温焼成基板であっ
て、導電ペーストの最大収縮速度を示す焼成温度がグリ
ーンシートの最大収縮速度を示す焼成温度以上であるこ
とを特徴とする低温焼成基板にある。The gist of the present invention is to provide a low-temperature fired substrate obtained by laminating a plurality of green sheets on which a conductive paste is printed and firing at a low temperature. The low-temperature fired substrate is characterized in that the firing temperature shown is equal to or higher than the firing temperature showing the maximum shrinkage rate of the green sheet.
【００１０】セラミックグリーンシートと導電ペースト
を同時に焼成したときに反りが発生するのは、グリーン
シートより導電ペーストの収縮の方が早く起こると、グ
リーンシートが焼結する前に導電ペーストが収縮してし
まい、その結果、反りの発生に至るものと考えられる。[0010] The reason why the warpage occurs when the ceramic green sheet and the conductive paste are simultaneously fired is that when the conductive paste shrinks faster than the green sheet, the conductive paste shrinks before the green sheet is sintered. As a result, it is considered that warpage occurs.
【００１１】そこで、本発明の低温焼成基板によれば、
以下に説明するように反りが非常に少ない導体回路を形
成できるのである。Therefore, according to the low-temperature fired substrate of the present invention,
As described below, a conductor circuit with very little warpage can be formed.
【００１２】すなわち、ある温度に設定したベルト式焼
成炉あるいはボックス炉でグリーンシートまたは導電ペ
ーストフィルムを焼成し、その設定温度における収縮率
を測定し、次いで、その設定温度を変えることによっ
て、各設定温度での収縮率を測定し、それをプロットし
てグリーンシートまたは導電ペーストフィルム（導電ペ
ースト）の収縮率曲線を得ることができる。また、ＴＭ
Ａ装置（温度機械式分析装置）を用いても、収縮率曲線
を得ることは可能である。そのような方法により測定し
た収縮率曲線の一例を図１に示す。That is, the green sheet or the conductive paste film is fired in a belt-type firing furnace or a box furnace set at a certain temperature, the shrinkage at the set temperature is measured, and then the set temperature is changed to change each set temperature. The shrinkage ratio at the temperature is measured, and plotted to obtain a shrinkage ratio curve of the green sheet or the conductive paste film (conductive paste). Also, TM
It is also possible to obtain a shrinkage rate curve by using an A apparatus (thermomechanical analyzer). FIG. 1 shows an example of a shrinkage rate curve measured by such a method.
【００１３】図１について説明すると、曲線１は約３．
６μｍのＡｇ粉末を用いた導電ペーストの収縮率曲線を
示したものであるが、収縮は約６００℃より始まり、約
７７０℃で最大の傾き、すなわち、最大収縮速度（単位
時間当たりの最大収縮率）を示し、徐々に収縮速度は小
さくなって約８５０℃でほぼ収縮はなくなる。一方、曲
線２はグリーンシート（Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2 ガラスとＡｌ
2Ｏ3を混合した系）の収縮率曲線であるが、収縮は約５
５０℃で始まり、約７３０℃で最大収縮速度を示し、約
８５０℃でほぼ収縮はなくなる。従って、図１では、導
電ペーストの最大収縮速度を示す焼成温度（７７０℃）
の方が、グリーンシートの最大収縮速度を示す焼成温度
（７３０℃）より高く、導電ペーストの方が遅く収縮す
る。その結果、セラミックグリーンシートと導電ペース
トを同時に焼成しても、反りが非常に少ない導体回路を
形成できるのである。Referring to FIG. 1, curve 1 is approximately 3.
FIG. 6 shows a shrinkage rate curve of a conductive paste using 6 μm Ag powder, in which shrinkage starts at about 600 ° C. and has a maximum slope at about 770 ° C., ie, a maximum shrinkage rate (maximum shrinkage rate per unit time). ), And the shrinkage rate gradually decreases, and almost no shrinkage occurs at about 850 ° C. On the other hand, curve 2 shows a green sheet (B 2 O 3 —SiO 2 glass and Al
Is a shrinkage curve of the 2 O 3 mixed system), shrinkage of about 5
Beginning at 50 ° C., it shows a maximum shrink rate at about 730 ° C., and at about 850 ° C., there is almost no shrinkage. Therefore, in FIG. 1, the firing temperature (770 ° C.) indicating the maximum shrinkage rate of the conductive paste is shown.
Is higher than the firing temperature (730 ° C.) that indicates the maximum shrinkage rate of the green sheet, and the conductive paste shrinks more slowly. As a result, even if the ceramic green sheet and the conductive paste are fired at the same time, a conductor circuit with very little warpage can be formed.
【００１４】[0014]
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。低温焼成基板用グリーンシートとして、Ｂ2Ｏ3−
ＳｉＯ2 ガラスとＡｌ2Ｏ3を混合した系のもの（以下
「グリーンシートＡ」という）とＬｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−
ＳｉＯ2系のもの（以下「グリーンシートＢ」という）
を用いた。このグリーンシートの厚みは、約１００μｍ
とした。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples. As the green sheet for low-temperature firing substrate, B 2 O 3 -
A mixture of SiO 2 glass and Al 2 O 3 (hereinafter referred to as “green sheet A”) and LiO 2 —Al 2 O 3 —
SiO 2 type (hereinafter referred to as “green sheet B”)
Was used. The thickness of this green sheet is about 100 μm
And
【００１５】また、導電ペーストとしては、以下の表１
に示す組成のＡｇ系のものを用い、Ａｇ粉末の粒子径を
変えたり、添加物を工夫することによって導電ペースト
の収縮率を変えた。そして、この導電ペーストを、離形
フィルム上にバーコーターで１００μｍ厚になるように
コーティングし、乾燥後導電ペーストフィルムを引き剥
がした。The conductive paste is shown in Table 1 below.
The shrinkage ratio of the conductive paste was changed by changing the particle diameter of Ag powder or devising an additive by using an Ag-based material having the composition shown in FIG. Then, this conductive paste was coated on a release film with a bar coater so as to have a thickness of 100 μm, and after drying, the conductive paste film was peeled off.
【００１６】収縮率は、乾燥後（８０℃×１５分後）の
上記グリーンシートまたは乾燥後の上記導電ペーストフ
ィルムそれぞれの長さ（Ｌ0） と焼成後のそれぞれの長
さ（Ｌ）を比べることによって算出した。すなわち、収
縮率（％）＝（（Ｌ0−Ｌ）／Ｌ0 ）×１００で求めら
れる。そのようにして求められる収縮率に基づいて図１
と同様の収縮率曲線を描き、その収縮率曲線より導電ペ
ーストフィルムの最大収縮速度を示す焼成温度を求め
た。その結果を表１に示す。The shrinkage ratio is obtained by comparing the length (L 0 ) of the green sheet or the dried conductive paste film after drying (after 80 ° C. for 15 minutes) with the length (L) after firing. It was calculated by: That is, shrinkage (%) = ((L 0 −L) / L 0 ) × 100. FIG. 1 is based on the shrinkage ratio thus obtained.
The same shrinkage rate curve was drawn, and the firing temperature showing the maximum shrinkage rate of the conductive paste film was determined from the shrinkage rate curve. Table 1 shows the results.
【００１７】また、反りの測定は、グリーンシート上に
導電ペーストを１０mm×１０mmのパターンでスクリーン
印刷し、９００℃で焼成した後の反り量を反りゲージで
測定し、その反り量からグリーンシートの厚みを差し引
いたものを反り量とし、その値を表１に示す。表１に示
す反り量は、２０μｍ以下のものが良好である。The warpage is measured by printing a conductive paste on a green sheet in a pattern of 10 mm × 10 mm and firing at 900 ° C. to measure the amount of warpage using a warp gauge. The value obtained by subtracting the thickness is defined as a warpage amount, and the value is shown in Table 1. The warpage shown in Table 1 is preferably 20 μm or less.
【００１８】なお、グリーンシートＡの最大収縮速度を
示す焼成温度は７６０℃であり、グリーンシートＢのそ
れは７２０℃である。The firing temperature at which the maximum shrinkage rate of the green sheet A is 760 ° C., and that of the green sheet B is 720 ° C.
【００１９】[0019]
【表１】 [Table 1]
【００２０】表１に明らかなように、導電ペーストの最
大収縮速度を示す焼成温度がグリーンシートのその温度
以上である実施例１〜６においては、反りの非常に少な
い良好な回路基板を得ることができる。As apparent from Table 1, in Examples 1 to 6 in which the firing temperature showing the maximum shrinkage rate of the conductive paste is equal to or higher than that of the green sheet, it is possible to obtain a good circuit board with very little warpage. Can be.
【００２１】一方、導電ペーストの最大収縮速度を示す
焼成温度がグリーンシートのその温度よりも低い比較例
１〜６においては、反り量が大きくなることが明らかで
ある。On the other hand, in Comparative Examples 1 to 6, in which the firing temperature at which the conductive paste shows the maximum shrinkage rate is lower than that of the green sheet, it is apparent that the amount of warpage is large.
【００２２】[0022]
【発明の効果】本発明によれば、反りが非常に少ない導
体回路を形成できる低温焼成基板を提供することができ
る。According to the present invention, it is possible to provide a low-temperature fired substrate capable of forming a conductor circuit with very little warpage.
【図１】グリーンシートまたは導電ペーストフィルムの
焼成温度と収縮率との関係を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a relationship between a firing temperature and a shrinkage rate of a green sheet or a conductive paste film.
Claims (1)
を複数枚積層して低温で焼成することによって得られる
低温焼成基板であって、導電ペーストの最大収縮速度を
示す焼成温度がグリーンシートの最大収縮速度を示す焼
成温度以上であることを特徴とする低温焼成基板。1. A low-temperature fired substrate obtained by laminating a plurality of green sheets on which a conductive paste is printed and firing at a low temperature, wherein the firing temperature indicating the maximum shrinkage rate of the conductive paste is the maximum shrinkage rate of the green sheet. A low-temperature fired substrate characterized by a firing temperature or higher.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34499897A JPH11177241A (en) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | Low temperature fired substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34499897A JPH11177241A (en) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | Low temperature fired substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11177241A true JPH11177241A (en) | 1999-07-02 |
Family
ID=18373595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34499897A Pending JPH11177241A (en) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | Low temperature fired substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11177241A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008262916A (en) * | 2008-05-26 | 2008-10-30 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | Silver powder for conductive paste, and conductive paste using silver powder |
-
1997
- 1997-12-15 JP JP34499897A patent/JPH11177241A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008262916A (en) * | 2008-05-26 | 2008-10-30 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | Silver powder for conductive paste, and conductive paste using silver powder |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0697565B2 (en) | Dielectric composition | |
| WO2000060613A1 (en) | Conductive paste, ceramic multilayer substrate, and method for manufacturing ceramic multilayer substrate | |
| CN100412995C (en) | Constrained sintering method for asymmetrical configurational dielectric layer | |
| JP3019138B2 (en) | Silver-based conductive paste and multilayer ceramic circuit board using the same | |
| JP2001185824A (en) | Ceramic wiring board and method of manufacturing it | |
| JP3416044B2 (en) | Conductive paste for low-temperature firing substrates | |
| JPH11177241A (en) | Low temperature fired substrate | |
| JP2629543B2 (en) | Via forming method for thick film printed board | |
| JP2676221B2 (en) | Glaze-treated ceramic substrate and method of manufacturing the same | |
| JP2001072473A (en) | Production of ceramic substrate | |
| US20040041309A1 (en) | Ceramic component and production method therefor | |
| JPH087646A (en) | Copper paste | |
| JP4231316B2 (en) | Manufacturing method of ceramic wiring board | |
| JP2002231049A (en) | Conductive paste | |
| JP2002076628A (en) | Manufacturing method of glass ceramic substrate | |
| JPH11135899A (en) | Ceramic circuit board | |
| JPH0831229A (en) | Copper paste | |
| JPS61278195A (en) | Multilayer circuit board and manufacture thereof | |
| JPH07202428A (en) | Production of multilayer circuit board | |
| JP2002290037A (en) | Method of manufacturing circuit board | |
| JPH06243716A (en) | Copper paste | |
| JPH0484494A (en) | Multilayer circuit board | |
| JP3210587B2 (en) | Low temperature firing ceramic circuit board | |
| JP2003078245A (en) | Method of manufacturing multilayer wiring substrate | |
| JPH03212993A (en) | Manufacture of multilayer ceramic circuit board and method for formation of via hole |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050721 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050726 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060117 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060223 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Effective date: 20060320 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Effective date: 20060414 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071003 |