JPH11176871A - Optoelectric transducer and manufacture thereof - Google Patents

Optoelectric transducer and manufacture thereof

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Publication number
JPH11176871A
JPH11176871A JP10081065A JP8106598A JPH11176871A JP H11176871 A JPH11176871 A JP H11176871A JP 10081065 A JP10081065 A JP 10081065A JP 8106598 A JP8106598 A JP 8106598A JP H11176871 A JPH11176871 A JP H11176871A
Authority
JP
Japan
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light
insulating base
base material
photoelectric conversion
main surface
Prior art date
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Pending
Application number
JP10081065A
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Japanese (ja)
Inventor
Michiko Ono
美智子 小野
Masao Segawa
雅雄 瀬川
Shin Aoki
慎 青木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP10081065A priority Critical patent/JPH11176871A/en
Publication of JPH11176871A publication Critical patent/JPH11176871A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81909Post-treatment of the bump connector or bonding area
    • H01L2224/81951Forming additional members, e.g. for reinforcing

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To simplify a manufacturing process, and to reduce cost largely by forming a junction film bonding a shading plate and an insulating base material and forming a spacer forming a gap filled with the junction film shaped between the shading plate and the insulating base material. SOLUTION: An electrode pattern 15 and a bump 19 corresponding to the electrode pattern 15 are connected electrically through conductive particles contained in an anisotropic conductive film 17. Micro-lenses 20 and a color filter 20a are formed on the light-receiving surface of the optoelectric transducer 13. A circular spacer 21 is projected to a section just under a site, where the bump 19 on a surface, to which the electrode pattern 15 of an insulating base material 14 is not formed, is joined. Accordingly, since a gap corresponding to the spacer 21 is formed between the insulating base material 14 and an optical glass plate 11 and the anisotropic conductive film 17 is penetrated into the gap, the insulating base material 14 and the optical glass plate 11 are bonded firmly.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばCCD(
harge oupled evice)素子など
の光電変換装置及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a CCD ( C
harge C oupled D evice) photoelectric conversion device and a manufacturing method thereof and an element related.

【0002】[0002]

【従来の技術】電気素子を小型パッケージ内に収納した
電子部品は、産業用に幅広く使用されている。とりわ
け、CCD素子を用いた光電変換素子は、例えばITV
カメラ等の応用範囲が広い。このようなCCD素子は,
産業用として小型化の要求が特に強く、軽薄短小化の開
発にしのぎを削っている。この光電変換素子の実装につ
いては、本件出願人が先に出願した特願平6−1115
34号に記載されており、以下、これを図17及び図1
8に示して説明する。
2. Description of the Related Art Electronic components in which an electric element is housed in a small package are widely used for industrial purposes. In particular, photoelectric conversion elements using CCD elements are, for example, ITV
Wide range of applications such as cameras. Such a CCD device is
The demand for miniaturization is particularly strong for industrial use, and the development of lighter, thinner and more compact is compelling. The mounting of this photoelectric conversion element is described in Japanese Patent Application No. 6-1115 filed earlier by the present applicant.
No. 34, which is hereinafter referred to as FIG. 17 and FIG.
8 and will be described.

【0003】図17は、パッケージの製造プロセスを示
す分解斜視図であり、CCD素子1と可撓性基板2およ
び光学ガラス板3から構成される。これらを、後述する
プロセスにより接続すると、図18の断面構造を示すパ
ッケージが完成する。
FIG. 17 is an exploded perspective view showing a manufacturing process of a package, which comprises a CCD element 1, a flexible substrate 2, and an optical glass plate 3. When these are connected by a process described later, a package having the cross-sectional structure of FIG. 18 is completed.

【0004】つぎに、図17を用い、図18のパッケー
ジの製造プロセスについて説明する。まず、光学ガラス
板3と配線基板2を予め塗布した接着剤3aにより接着
する(図17(a),(b)及び図18参照)。配線基
板2には、予め可撓性の絶縁性基材2aの中央に開口部
2cが形成されている。前記接着剤3aは、例えば紫外
線硬化型の接着剤であって絶縁性基材2aの裏面に例え
ばディスペンス法又はスクリーン印刷法などにより塗布
する。つぎに、電極パターン2bの周囲に、異方性導電
膜4を形成する(図17(c)参照)。そして、CCD
素子1を異方性導電膜4上から熱圧着により電極パター
ン2bに接続する(図17(d)参照)。
Next, a manufacturing process of the package shown in FIG. 18 will be described with reference to FIG. First, the optical glass plate 3 and the wiring board 2 are adhered with an adhesive 3a applied in advance (see FIGS. 17A, 17B and 18). In the wiring board 2, an opening 2c is formed in the center of a flexible insulating base material 2a in advance. The adhesive 3a is, for example, an ultraviolet-curable adhesive, and is applied to the back surface of the insulating substrate 2a by, for example, a dispensing method or a screen printing method. Next, an anisotropic conductive film 4 is formed around the electrode pattern 2b (see FIG. 17C). And CCD
The element 1 is connected to the electrode pattern 2b from above the anisotropic conductive film 4 by thermocompression (see FIG. 17D).

【0005】このとき、パッケージ内には、空間部2c
が形成され、この空間部2cによりCCD素子1に形成
されたマイクロレンズ5による集光効果が高められる構
造となっている。
At this time, the space 2c is provided in the package.
Are formed, and the light converging effect of the microlens 5 formed in the CCD element 1 is enhanced by the space 2c.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来法
によれば、光学ガラス板3と配線基板2との接続を接着
剤3aにより行っているが、光学ガラス板3と配線基板
2との接続面積は非常に小さく、接着剤3aを配線基板
2に安定塗布させることが困難となる欠点を有してい
る。
However, according to the conventional method, the connection between the optical glass plate 3 and the wiring board 2 is made by the adhesive 3a, but the connection area between the optical glass plate 3 and the wiring board 2 is increased. Has a disadvantage that it is difficult to apply the adhesive 3a to the wiring board 2 stably.

【0007】また、接着剤3aとして紫外線硬化型の接
着剤を使用した場合、光学ガラス板3を接着する工程と
紫外線を照射する工程を別にする必要があり、生産性低
下の一因となっていた。
When an ultraviolet-curable adhesive is used as the adhesive 3a, it is necessary to separate the step of bonding the optical glass plate 3 from the step of irradiating ultraviolet rays, which is one of the causes of a decrease in productivity. Was.

【0008】さらに、従来の光電変換装置の製造方法で
は、配線基板2と光学ガラス板3との接着工程と、配線
基板2とCCD素子1との接続工程を別々にする必要が
あり、これらの2工程を必要とする製造設備を用いるざ
るを得なかった。また、上記2工程間の段取りに大きな
手間をかける必要があった。
Further, in the conventional method for manufacturing a photoelectric conversion device, it is necessary to separate the step of bonding the wiring substrate 2 and the optical glass plate 3 from the step of connecting the wiring substrate 2 and the CCD element 1 to each other. A manufacturing facility that required two steps had to be used. In addition, it was necessary to take a great deal of trouble in setting up the two steps.

【0009】本発明は、上記事情を勘案してなされたも
ので、上記技術的課題を解決することにより、製造工程
が簡便化し、且つ、製造コストを大幅に低減することの
できる光電変換装置及びその製造方法を提供することを
目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and by solving the above technical problems, a photoelectric conversion device capable of simplifying a manufacturing process and greatly reducing a manufacturing cost. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method thereof.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1の光電変換装置
は、一方の主面に受光面が形成され且つ前記受光面の周
辺部に沿って突設された突起電極を有する板状の光電変
換素子と、開口部が形成された絶縁基材と、前記絶縁基
材の一方の主面に被着され前記突起電極が接続されるリ
ード状の電極パターンと、前記絶縁基材の他方の主面の
前記開口部を覆う位置に接着され且つ前記開口部を介し
て前記受光面にて受光される光を透過する透光板と、前
記突起電極と前記電極パターンを接続するとともに前記
透光板と前記絶縁基材とを接着する接合膜と、前記透光
板と前記絶縁基材との間に設けられ前記接合膜が充填さ
れるギャップを形成するスペーサとを具備する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a photoelectric conversion device having a plate-like shape having a light receiving surface formed on one main surface and having a projecting electrode protruding along a peripheral portion of the light receiving surface. A conversion element, an insulating base material having an opening formed therein, a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base material and connected to the protruding electrode, and the other main part of the insulating base material. A light-transmitting plate adhered to a position of the surface covering the opening and transmitting light received on the light-receiving surface through the opening; and a light-transmitting plate connecting the projecting electrode and the electrode pattern. And a spacer provided between the light-transmitting plate and the insulating base to form a gap filled with the bonding film.

【0011】請求項2の光電変換装置は、一方の主面に
受光面が形成され且つ前記受光面の周辺部に沿って突設
された突起電極を有する板状の光電変換素子と、開口部
が形成された絶縁基材と、前記絶縁基材の一方の主面に
被着され前記突起電極が接続されるリード状の電極パタ
ーンと、前記絶縁基材の他方の主面の前記開口部を覆う
位置に接着され且つ前記開口部を介して前記受光面にて
受光される光を透過する透光板と、前記突起電極と前記
電極パターンを接続するとともに前記透光板と前記絶縁
基材とを接着する異方性導電膜とを具備し、前記透光板
には前記絶縁基材との間に前記接合膜が充填されるギャ
ップを形成する段差が形成されている。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a photoelectric conversion device having a plate-shaped photoelectric conversion element having a light receiving surface formed on one main surface and having a protruding electrode protruding along a periphery of the light receiving surface. Formed on the insulating base material, a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base material and connected to the protruding electrode, and the opening on the other main surface of the insulating base material. A light-transmitting plate that is adhered to a covering position and transmits light received on the light-receiving surface through the opening, and that connects the protruding electrode and the electrode pattern and that the light-transmitting plate and the insulating base material And an anisotropic conductive film for adhering the insulating film, and the light transmitting plate is provided with a step for forming a gap between the insulating substrate and the insulating substrate, the gap being filled with the bonding film.

【0012】請求項3の光電変換装置は、一方の主面に
受光面が形成され且つ前記受光面の周辺部に沿って突設
された突起電極を有する板状の光電変換素子と、開口部
が形成された絶縁基材と、前記絶縁基材の一方の主面に
被着され前記突起電極が接続されるリード状の電極パタ
ーンと、前記絶縁基材の他方の主面の前記開口部を覆う
位置に接着され且つ前記開口部を介して前記受光面にて
受光される光を透過する透光板と、前記突起電極と前記
電極パターンを接続するとともに前記透光板と前記絶縁
基材とを接着する接合膜とを具備し、前記絶縁基材の前
記透光板への接着部位には前記透光板との間に前記接合
膜が充填されるギャップを形成する通孔が穿設されてい
る。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a photoelectric conversion device having a plate-like photoelectric conversion element having a light receiving surface formed on one main surface and having a projecting electrode protruding along a peripheral portion of the light receiving surface. Formed on the insulating base material, a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base material and connected to the protruding electrode, and the opening on the other main surface of the insulating base material. A light-transmitting plate that is adhered to a covering position and transmits light received on the light-receiving surface through the opening, and that connects the protruding electrode and the electrode pattern and that the light-transmitting plate and the insulating base material And a bonding film for bonding the insulating base material to the light-transmitting plate, and a through-hole forming a gap filled with the bonding film between the insulating substrate and the light-transmitting plate is formed. ing.

【0013】請求項4の光電変換装置は、一方の主面に
受光面が形成され且つ前記受光面の周辺部に沿って突設
された突起電極を有する板状の光電変換素子と、開口部
が形成された絶縁基材と、前記絶縁基材の一方の主面に
被着され前記突起電極が接続されるリード状の電極パタ
ーンと、前記絶縁基材の他方の主面の前記開口部を覆う
位置に接着され且つ前記開口部を介して前記受光面にて
受光される光を透過する透光板と、前記突起電極と前記
電極パターンを接続する接合膜と、前記透光板と前記絶
縁基材との間に介挿され且つ前記透光板の一方の主面全
体を被覆するシート状の透光性接着膜とを具備する。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a photoelectric conversion device having a plate-like photoelectric conversion element having a light receiving surface formed on one main surface and having a protruding electrode protruding along a periphery of the light receiving surface. Formed on the insulating base material, a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base material and connected to the protruding electrode, and the opening on the other main surface of the insulating base material. A light-transmitting plate adhered to the covering position and transmitting light received on the light-receiving surface through the opening, a bonding film connecting the protruding electrode and the electrode pattern, the light-transmitting plate and the insulation And a sheet-shaped translucent adhesive film interposed between the base material and the entire one main surface of the translucent plate.

【0014】請求項5の光電変換装置は、請求項1乃至
請求項4の光電変換装置において、接合膜が異方性導電
膜である。請求項6の光電変換装置は、至請求項4の光
電変換装置において、前記透光板はフィルム状をなす。
According to a fifth aspect of the present invention, in the photoelectric conversion device of the first to fourth aspects, the bonding film is an anisotropic conductive film. According to a sixth aspect of the present invention, in the photoelectric conversion device according to the fourth aspect, the light transmitting plate has a film shape.

【0015】請求項7の光電変換装置の製造方法は、一
方の主面に受光面が形成され且つ前記受光面の周辺部に
沿って突設された突起電極を有する板状の光電変換素子
と、開口部が形成された絶縁基材と、前記絶縁基材の一
方の主面に被着され前記突起電極が接続されるリード状
の電極パターンと、前記絶縁基材の他方の主面の前記開
口部を覆う位置に接着され且つ前記開口部を介して前記
受光面にて受光される光を透過する透光板と、前記突起
電極と前記電極パターンを接続するとともに前記透光板
と前記絶縁基材とを接着する接合膜とを具備する光電変
換装置の製造方法において、前記接合膜を介して前記突
起電極を対応する前記電極パターンに接続すると同時
に、前記絶縁基材を前記透光板に接着する。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a photoelectric conversion device, comprising: a plate-shaped photoelectric conversion element having a light-receiving surface formed on one main surface and having a projecting electrode protruding along a peripheral portion of the light-receiving surface; An insulating base having an opening formed therein, a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base and connected to the protruding electrode, and the other main surface of the insulating base. A light-transmitting plate adhered to a position covering the opening and transmitting light received on the light-receiving surface through the opening; connecting the protruding electrode to the electrode pattern; In a method for manufacturing a photoelectric conversion device, comprising: a bonding film for bonding a base material; and connecting the projecting electrodes to the corresponding electrode patterns via the bonding film, and simultaneously connecting the insulating base material to the light-transmitting plate. Glue.

【0016】請求項8の光電変換装置の製造方法は、一
方の主面に受光面が形成され且つ前記受光面の周辺部に
沿って突設された突起電極を有する板状の光電変換素子
と、開口部が形成された絶縁基材と、前記絶縁基材の一
方の主面に被着され前記突起電極が接続されるリード状
の電極パターンと、前記絶縁基材の他方の主面の前記開
口部を覆う位置に接着され且つ前記開口部を介して前記
受光面にて受光される光を透過する透光板と、前記突起
電極と前記電極パターンを接続する接合膜と、前記透光
板と前記絶縁基材との間に介挿され且つ前記透光板の一
方の主面全体を被覆するシート状の透光性接着膜とを具
備する光電変換装置の製造方法において、前記透光性接
着膜が接着された前記透光板を前記絶縁基材に前記透光
性接着膜を介して接着する。請求項9の光電変換装置の
製造方法は、請求項7又は請求項8において、接合膜
が、異方性導電膜である。
According to a eighth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a photoelectric conversion device, comprising: a plate-shaped photoelectric conversion element having a light receiving surface formed on one main surface and having a projecting electrode protruding along a peripheral portion of the light receiving surface; An insulating base having an opening formed therein, a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base and connected to the protruding electrode, and the other main surface of the insulating base. A light-transmitting plate adhered to a position covering the opening and transmitting light received on the light-receiving surface through the opening, a bonding film connecting the protruding electrode and the electrode pattern, and the light-transmitting plate And a sheet-shaped light-transmitting adhesive film interposed between the light-transmitting plate and one of the main surfaces of the light-transmitting plate. The light-transmitting plate to which the adhesive film is adhered is provided on the insulating base material through the light-transmitting adhesive film. Chakusuru. According to a ninth aspect of the present invention, in the method of the seventh or eighth aspect, the bonding film is an anisotropic conductive film.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
を参照して詳述する。図1は、この一実施形態の光電変
換装置を示している。この光電変換装置は、例えば主面
がほぼ矩形(例えば5mm×5mm)をなす厚さ0.1
〜5mm程度の光学ガラス板11と、この光学ガラス板
11の一方の主面に接着されたTAB(ape
tomated onding)テープからなる配線
基板12と、この配線基板12に接続された例えばCC
D素子などの光電変換素子13とを具備している。
An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a photoelectric conversion device according to the embodiment. This photoelectric conversion device has, for example, a thickness of 0.1 mm in which the main surface is substantially rectangular (for example, 5 mm × 5 mm).
An optical glass plate 11 of about to 5 mm, TAB bonded to one main surface of the optical glass plate 11 (T ape A u
tomated B onding) and the wiring board 12 made of a tape, connected to the wiring board 12 has been example CC
And a photoelectric conversion element 13 such as a D element.

【0018】しかして、光学ガラス板11は、透光性
で、その厚さは、光学設計で決定される。また、光学ガ
ラス板11として、光学ローパスフィルターを用い、こ
の機能を併用させてもよい。さらに、赤外カットフィル
タ等と前記ローパスフィルタを積層したガラスを用いて
もよい。さらには、汎用ガラスに赤外線カットフィルタ
の蒸着膜を形成した透光性基板を用いてもよい。また、
光学ガラス板11は、透光性の部材であれば、例えば水
晶、シリコン等の無機質あるいはポリエチレン等の有機
材料でもよい。
Thus, the optical glass plate 11 is translucent, and its thickness is determined by optical design. In addition, an optical low-pass filter may be used as the optical glass plate 11, and this function may be used in combination. Further, glass in which an infrared cut filter or the like and the low-pass filter are laminated may be used. Further, a light-transmitting substrate in which a vapor-deposited film of an infrared cut filter is formed on general-purpose glass may be used. Also,
The optical glass plate 11 may be made of an inorganic material such as quartz or silicon or an organic material such as polyethylene as long as it is a translucent member.

【0019】一方、配線基板12は、黒色且つ可撓性の
絶縁基材14と、この絶縁基材14上に形成された銅リ
ードからなる電極パターン15とからなっている。そし
て、絶縁基材14は、ポリイミド・ポリアミド・ポリエ
ステル、または、フェノール・ガラスエポキシ樹脂等と
紙・ガラス基板の複合基板からなる。また、絶縁基材1
4の厚さは、例えば25〜100μm程度のフィルム状
をなしている。しかして、この絶縁基材14には、矩形
をなす開口部16が形成されている。この開口部16
は、光学ガラス板11を介して入光した光を通過させる
ためのものである。
On the other hand, the wiring board 12 is composed of a black and flexible insulating base material 14 and an electrode pattern 15 made of copper leads formed on the insulating base material 14. The insulating substrate 14 is made of a composite substrate of a polyimide, a polyamide, a polyester, a phenol, a glass epoxy resin or the like and a paper / glass substrate. Also, the insulating substrate 1
4 has a film shape of, for example, about 25 to 100 μm. Thus, a rectangular opening 16 is formed in the insulating base material 14. This opening 16
Is for passing the light that has entered through the optical glass plate 11.

【0020】一方、電極パターン15は、図2に示すよ
うに、厚さが例えば18μm〜35μmの例えば銅リー
ドであって、この銅リードの幅は、例えば100μm程
度である。そして、電極パターン15は、開口部16を
挟んで対向する絶縁基材14の部分16a,16bの絶
縁基材14上に所定の間隔をもって形成されている。し
たがって、隣接する電極パターン15間には、常に絶縁
基材14が露呈する。なお、開口部16の対向する絶縁
基材14の部分16a,16b以外の他の部分6c,1
6dの絶縁基材14上にも、電極パターンを形成しても
よい。
On the other hand, as shown in FIG. 2, the electrode pattern 15 is, for example, a copper lead having a thickness of, for example, 18 μm to 35 μm, and the width of the copper lead is, for example, about 100 μm. The electrode patterns 15 are formed at predetermined intervals on the insulating base material 14 at portions 16a and 16b of the insulating base material 14 opposed to each other with the opening 16 interposed therebetween. Therefore, the insulating base material 14 is always exposed between the adjacent electrode patterns 15. Note that other portions 6c, 1 other than the portions 16a, 16b of the insulating base material 14 facing the opening 16 are provided.
An electrode pattern may also be formed on the 6d insulating substrate 14.

【0021】なお、TABテープからなる配線基板12
の代わりに自由に折り曲げることができない基板を用い
てもよい。この場合の基板は、黒色とした方がよい。こ
れにより反射を防止でき、不要輻射の入射を防止でき
る。この場合、黒色の材質の基板を用いてもよいし、基
板に黒色の塗料を塗布してもよい。
The wiring board 12 made of TAB tape
Alternatively, a substrate that cannot be bent freely may be used. In this case, the substrate is preferably black. Thereby, reflection can be prevented, and incidence of unnecessary radiation can be prevented. In this case, a black substrate may be used, or a black paint may be applied to the substrate.

【0022】しかして、配線基板12は、光学ガラス板
11に対して、異方性導電膜17を介して接着されてい
る。この異方性導電膜17は、例えば熱硬化型のエポキ
シ樹脂に、直径が1〜10μm程度の例えば金などの導
電粒子を3〜30容積%程度分散させ、加熱・加圧する
ことにより形成される。
The wiring substrate 12 is bonded to the optical glass plate 11 via the anisotropic conductive film 17. The anisotropic conductive film 17 is formed by, for example, dispersing conductive particles of, for example, gold having a diameter of about 1 to 10 μm, for example, about 3 to 30% by volume in a thermosetting epoxy resin, and applying heat and pressure. .

【0023】さらに、光電変換素子13は、その受光面
に例えば41万画素を有し、その大きさは、例えば4×
4mm、かつ、厚さは、例えば0.6mmである。ま
た、光電変換素子13の受光面外周部には、図3に示す
ように、2辺に沿って大きさが例えば100μm×10
0μmの電極パッド18が形成されている。しかして、
電極パッド18には、球状をなし突起電極として機能す
るバンプ19が形成されている。これらバンプ19の大
きさは、外径が例えば50〜200μm、且つ、高さが
例えば10〜50μmである。上記バンプ19は、例え
ばφ20〜30μm程度の金ワイヤを用いてワイヤボン
ディング法により形成した後、レベリングにより高さを
均一に整形することにより得ることができる。
Further, the photoelectric conversion element 13 has, for example, 410,000 pixels on its light receiving surface and a size of, for example, 4 ×
4 mm and the thickness is, for example, 0.6 mm. In addition, as shown in FIG. 3, the size of the photoelectric conversion element 13 along the two sides is, for example, 100 μm × 10
An electrode pad 18 of 0 μm is formed. Then
The electrode pad 18 is formed with a bump 19 having a spherical shape and functioning as a protruding electrode. The size of the bumps 19 is, for example, 50 to 200 μm in outer diameter and 10 to 50 μm in height, for example. The bumps 19 can be obtained by forming the bumps 19 using a gold wire having a diameter of about 20 to 30 μm by a wire bonding method, and then uniformly shaping the heights by leveling.

【0024】前記電極パターン15と、これに対応した
バンプ19は、前記異方性導電膜17中に含有される導
電粒子を介して電気的に接続されている。さらに、光電
変換素子13の受光面には、マイクロレンズ20及びカ
ラーフィルタ20aが形成されていて、光電変換素子1
3は、開口部16及びマイクロレンズ20及びカラーフ
ィルタ20aを介して光を受光するようになっている。
The electrode patterns 15 and the corresponding bumps 19 are electrically connected via conductive particles contained in the anisotropic conductive film 17. Further, a microlens 20 and a color filter 20 a are formed on the light receiving surface of the photoelectric conversion element 13.
Numeral 3 receives light through the opening 16, the micro lens 20, and the color filter 20a.

【0025】しかして、絶縁基材14の電極パターン1
5が形成されていない面のバンプ19が接続されている
部位直下には、厚さ数10μm且つ直径数mm以下の円
形状スペーサ21が突設されている。したがって、絶縁
基材14と光学ガラス板11との間には、スペーサ21
に対応したギャップが形成され、このギャップ中に前記
異方性導電膜17が浸入することにより、絶縁基材14
と光学ガラス板11とは強固に接着されている。
The electrode pattern 1 on the insulating base material 14
A circular spacer 21 having a thickness of several tens of μm and a diameter of several mm or less is protruded immediately below a portion where the bumps 19 are connected on the surface where no 5 is formed. Therefore, the spacer 21 is provided between the insulating base 14 and the optical glass plate 11.
Is formed, and the anisotropic conductive film 17 penetrates into the gap, whereby the insulating base material 14 is formed.
And the optical glass plate 11 are firmly bonded.

【0026】このスペーサ21は、エッチング法、めっ
き法、蒸着法等により形成することができる。しかし
て、異方性導電膜17は、電極パターン15とバンプ1
9を電気的且つ機械的に接続する機能、及び、絶縁基材
14と光学ガラス板11を機械的に接合する機能、及
び、開口部16等により生じた中空部を外部から封止す
る機能、の3つの機能を果たしている。
The spacer 21 can be formed by an etching method, a plating method, an evaporation method, or the like. Thus, the anisotropic conductive film 17 is formed between the electrode pattern 15 and the bump 1.
9 electrically and mechanically, and mechanically joining the insulating base material 14 and the optical glass plate 11, and sealing the hollow portion formed by the opening 16 and the like from the outside. It has three functions.

【0027】なお、スペーサ21の上にバンプを形成す
ることにより高さを調節するようにしてもよい。また、
絶縁基材14側でなく、光学ガラス板11側に例えば蒸
着法によりスペーサを形成するようにしてもよい。
The height may be adjusted by forming a bump on the spacer 21. Also,
A spacer may be formed on the optical glass plate 11 side, for example, by a vapor deposition method, instead of the insulating base material 14 side.

【0028】かくして、この実施形態の光電変換装置
は、絶縁基材14の電極パターン15が形成されていな
い面側には、スペーサ21が突設されているので、絶縁
基材14と光学ガラス板11との間には、このスペーサ
21に対応したギャップが形成され、このギャップ中に
適量の異方性導電膜17が確実に充填される結果、絶縁
基材14と光学ガラス板11との機械的接合強度の信頼
性を著しく高めることができる。
Thus, in the photoelectric conversion device of this embodiment, since the spacer 21 is protruded on the surface of the insulating base 14 on which the electrode pattern 15 is not formed, the insulating base 14 and the optical glass plate are provided. A gap corresponding to the spacer 21 is formed between the insulating base material 11 and the optical glass plate 11. The reliability of the mechanical bonding strength can be significantly increased.

【0029】なお、異方性導電膜17又は光学ガラス板
11に通気孔を設けることにより受光空間ALを外気と
同じ環境とし、高湿中における結露を防止するようにし
てもよい。さらに、防塵を目的として、通気孔を、シリ
コン等の湿度の出入りの早い樹脂で封止するようにして
もよい。
By providing a vent in the anisotropic conductive film 17 or the optical glass plate 11, the light receiving space AL may be set to the same environment as the outside air to prevent dew condensation in high humidity. Further, for the purpose of dust prevention, the ventilation hole may be sealed with a resin such as silicon which is quickly humidified.

【0030】つぎに、上記構成の光電変換装置の製造方
法について述べる。この実施形態の光電変換装置の製造
方法は、図4に示すように、固定治具22に光学ガラス
板11を保持させる光学ガラス板保持工程(図4のS1
及び図5(a)参照)と、この光学ガラス板保持工程に
て保持されている光学ガラス板11の外周部に異方性導
電膜17を塗布する第1異方性導電膜塗布工程(図4の
S2及び図5(a)参照)と、この第1異方性導電膜塗
布工程後に配線基板12を異方性導電膜17を介して光
学ガラス板11の上に位置決め・搭載する配線基板積層
工程(図4のS3及び図5(b)参照)と、この配線基
板積層工程後に異方性導電膜17を配線基板12の開口
部16の周縁部に沿って塗布する第2異方性導電膜塗布
工程(図4のS4及び図5(b)参照)と、この第2異
方性導電膜塗布工程後に光電変換素子13をそのバンプ
19が絶縁基材14の対応する電極パターン15位置に
くるよう位置決め・搭載する光電変換素子搭載工程(図
4のS5及び図5(c)参照)と、この光電変換素子搭
載工程後に加圧ツールTにより光電変換素子13を例え
ば150〜170°Cにて20〜100秒程度熱圧着し
熱硬化型樹脂からなる異方性導電膜17により光電変換
素子13のバンプ19を絶縁基材14の対応する電極パ
ターン15に電気的及び機械的に接続するとともに絶縁
基材14を光学ガラス板11に接着する熱圧着工程(図
4のS6及び図5(c)参照)とからなっている。
Next, a method of manufacturing the photoelectric conversion device having the above configuration will be described. As shown in FIG. 4, the method for manufacturing the photoelectric conversion device according to this embodiment includes an optical glass plate holding step (S1 in FIG. 4) of holding the optical glass plate 11 on the fixing jig 22.
And FIG. 5A) and a first anisotropic conductive film applying step of applying an anisotropic conductive film 17 to an outer peripheral portion of the optical glass plate 11 held in the optical glass plate holding step (FIG. 4 and S5 of FIG. 5), and a wiring board for positioning and mounting the wiring board 12 on the optical glass plate 11 via the anisotropic conductive film 17 after the first anisotropic conductive film applying step. A laminating step (see S3 of FIG. 4 and FIG. 5B), and a second anisotropic conductive film 17 is applied along the periphery of the opening 16 of the wiring board 12 after the wiring board laminating step. After the conductive film applying step (see S4 of FIG. 4 and FIG. 5B), and after the second anisotropic conductive film applying step, the bumps 19 of the photoelectric conversion element 13 are positioned on the corresponding electrode patterns 15 of the insulating base material 14. 4 and 5 for positioning and mounting the photoelectric conversion element c)) and after the photoelectric conversion element mounting step, the photoelectric conversion element 13 is thermocompression-bonded with a pressing tool T at, for example, 150 to 170 ° C. for about 20 to 100 seconds to form an anisotropic conductive film made of a thermosetting resin. A thermocompression bonding step of electrically and mechanically connecting the bumps 19 of the photoelectric conversion element 13 to the corresponding electrode patterns 15 of the insulating base material 14 and bonding the insulating base material 14 to the optical glass plate 11 (S6 in FIG. 4) And FIG. 5 (c)).

【0031】しかして、光学ガラス板保持工程に用いら
れる固定治具22は、例えば、鋼製であって、その寸法
は、光学ガラス板11を保持できる大きさの直方体をな
している。そして、その上面には、光学ガラス板11を
嵌合・保持する嵌合穴23が形成されている。この嵌合
穴23の深さは、光学ガラス板11の厚さとほぼ等しく
設けられている。
The fixing jig 22 used in the optical glass plate holding step is made of, for example, steel and has a rectangular parallelepiped large enough to hold the optical glass plate 11. A fitting hole 23 for fitting and holding the optical glass plate 11 is formed on the upper surface. The depth of the fitting hole 23 is provided substantially equal to the thickness of the optical glass plate 11.

【0032】また、固定治具22の上面の嵌合穴23に
隣接した部位には例えば4本の位置決めピン24が突設
されている。そして、配線基板積層工程においては、位
置決めピン24に配線基板12に予め穿設された位置決
め穴(図示せず)に係合させることにより、配線基板1
2を光学ガラス板11に対して正確に位置決めすること
ができるようになっている。
Further, for example, four positioning pins 24 are protruded from a portion adjacent to the fitting hole 23 on the upper surface of the fixing jig 22. In the wiring board laminating step, the positioning pins 24 are engaged with positioning holes (not shown) formed in the wiring board 12 in advance, so that the wiring board 1
2 can be accurately positioned with respect to the optical glass plate 11.

【0033】なお、固定治具22の表面に真空吸気孔を
開口させ、光学ガラス板11及び配線基板12を適時に
真空吸着させるようにしてもよい。しかして、第1異方
性導電膜塗布工程及び第2異方性導電膜塗布工程におけ
る異方性導電膜17の塗布は、例えばディスペンサ法に
より行う。この場合の異方性導電膜17の粘度は、例え
ば5000cps程度が好適している。また、第2異方
性導電膜塗布工程における異方性導電膜17の塗布は、
ディスペンサの注出部の径が0.2mmの場合に、塗布
圧1.5〜3.0kgで塗布スピード1〜3mm/秒の
時に、配線基板12上に塗布される部分は、幅が0.2
mmで高さが60〜90μmの最適量を得ることができ
た。なお、第1異方性導電膜塗布工程における異方性導
電膜17の塗布量は、第2異方性導電膜塗布工程におけ
る異方性導電膜17の塗布量の1/5以下とする。
A vacuum suction hole may be opened in the surface of the fixing jig 22 so that the optical glass plate 11 and the wiring board 12 are vacuum-sucked in a timely manner. The application of the anisotropic conductive film 17 in the first anisotropic conductive film applying step and the second anisotropic conductive film applying step is performed by, for example, a dispenser method. In this case, the viscosity of the anisotropic conductive film 17 is preferably, for example, about 5000 cps. Further, the application of the anisotropic conductive film 17 in the second anisotropic conductive film application step is performed as follows.
In the case where the diameter of the dispensing part of the dispenser is 0.2 mm, the width of the part to be applied on the wiring substrate 12 at the application pressure of 1.5 to 3.0 kg and the application speed of 1 to 3 mm / sec is 0. 2
An optimum amount of 60-90 μm in mm was obtained. In addition, the application amount of the anisotropic conductive film 17 in the first anisotropic conductive film application step is set to 1/5 or less of the application amount of the anisotropic conductive film 17 in the second anisotropic conductive film application step.

【0034】さらに、熱圧着工程においては、第1異方
性導電膜塗布工程及び第2異方性導電膜塗布工程におい
て塗布された異方性導電膜17は、その量に応じて広が
り光電変換素子13の外周部及び開口部16の内周部に
フィレット25が形成される。
Further, in the thermocompression bonding step, the anisotropic conductive film 17 applied in the first anisotropic conductive film applying step and the second anisotropic conductive film applying step spreads in accordance with the amount thereof, and the photoelectric conversion is performed. Fillets 25 are formed on the outer periphery of the element 13 and the inner periphery of the opening 16.

【0035】一方、絶縁基材14と光学ガラス板11と
の間には、スペーサ21に対応したギャップが形成され
ているので、このギャップ中には前記第1異方性導電膜
塗布工程にて塗布された異方性導電膜17が充填されて
いる。
On the other hand, since a gap corresponding to the spacer 21 is formed between the insulating base material 14 and the optical glass plate 11, the gap is formed in the gap by the first anisotropic conductive film applying step. The applied anisotropic conductive film 17 is filled.

【0036】よって、このギャップ中に充填された異方
性導電膜17及びフィレット25により、電極パターン
15とバンプ19が電気的且つ機械的に確実に接続され
るとともに、絶縁基材14と光学ガラス板11を機械的
に強固に接合する。
Thus, the electrode pattern 15 and the bump 19 are reliably electrically and mechanically connected by the anisotropic conductive film 17 and the fillet 25 filled in the gap, and the insulating substrate 14 and the optical glass The plate 11 is mechanically firmly joined.

【0037】さらに、この実施形態の光電変換装置の製
造方法は、電極パターン15とバンプ19との電気的且
つ機械的接続工程、並びに、絶縁基材14と光学ガラス
板11との機械的接合工程を同時に行うようにしている
ので、生産性が飛躍的に向上する。
Further, the method of manufacturing the photoelectric conversion device according to this embodiment includes a step of electrically and mechanically connecting the electrode pattern 15 and the bump 19 and a step of mechanically joining the insulating substrate 14 and the optical glass plate 11. Are performed at the same time, so that productivity is dramatically improved.

【0038】なお、この実施形態の光電変換装置の製造
方法においては、異方性導電膜17は、第1異方性導電
膜塗布工程及び第2異方性導電膜塗布工程の2工程に分
けて塗布しているが、第1異方性導電膜塗布工程による
塗布を省略してもよい。この場合、絶縁基材14と光学
ガラス板11との間のギャップ中への異方性導電膜17
の充填は、熱圧着工程におけるフィレット25の形成の
際、液状状態の異方性導電膜17が開口部16を経由し
て、ギャップ中へ回り込むことにより行われる(図5の
部分30参照)。
In the method of manufacturing a photoelectric conversion device according to this embodiment, the anisotropic conductive film 17 is divided into two steps, a first anisotropic conductive film applying step and a second anisotropic conductive film applying step. However, the application in the first anisotropic conductive film application step may be omitted. In this case, the anisotropic conductive film 17 is inserted into the gap between the insulating base material 14 and the optical glass plate 11.
Is filled by the liquid-state anisotropic conductive film 17 passing through the opening 16 into the gap when the fillet 25 is formed in the thermocompression bonding step (see the portion 30 in FIG. 5).

【0039】また、異方性導電膜17の供給を上記のよ
うにペーストにて行う代わりに、フィルム状にて供給す
るようにしてもよい。つぎに、第2の実施形態の光電変
換装置について述べる。なお、第1の実施形態と同一部
分には、同一記号を付し、詳細な説明を省略する。
The anisotropic conductive film 17 may be supplied in the form of a film instead of the paste as described above. Next, a photoelectric conversion device according to a second embodiment will be described. The same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0040】図6は、第2の実施形態の光電変換装置を
示している。この光電変換装置においては、光学ガラス
板11には、赤外線を選択的に透過しない厚さが例えば
数10μmの赤外線カット層31が蒸着法などにより形
成されている。そして、この赤外線カット層31は、光
学ガラス板11の外周部が欠落していて、段差状の第1
ギャップ形成部32をなしている。さらに、バンプ19
が接続部位直下を除く内側領域には矩形溝をなす第2ギ
ャップ形成部33が形成されている。
FIG. 6 shows a photoelectric conversion device according to the second embodiment. In this photoelectric conversion device, an infrared cut layer 31 having a thickness of, for example, several tens of μm that does not selectively transmit infrared light is formed on the optical glass plate 11 by a vapor deposition method or the like. The infrared cut layer 31 has a stepped first optical glass plate in which the outer peripheral portion of the optical glass plate 11 is missing.
The gap forming part 32 is formed. Furthermore, bump 19
A second gap forming portion 33 forming a rectangular groove is formed in an inner region except for a portion immediately below the connection portion.

【0041】このように、第2の実施形態の光電変換装
置は、第1ギャップ形成部32及び第2ギャップ形成部
33が形成されているので、第1異方性導電膜塗布工程
及び第2異方性導電膜塗布工程において塗布された異方
性導電膜17は、その量に応じて広がり光電変換素子1
3の外周部及び内周部にフィレット25が形成されると
ともに、第1ギャップ形成部32及び第2ギャップ形成
部33中に適量の異方性導電膜17が確実に充填される
結果、絶縁基材14と光学ガラス板11との機械的接合
強度の信頼性を著しく高めることができる。
As described above, in the photoelectric conversion device of the second embodiment, since the first gap forming section 32 and the second gap forming section 33 are formed, the first anisotropic conductive film coating step and the second The anisotropic conductive film 17 applied in the anisotropic conductive film application step spreads in accordance with the amount thereof, and the photoelectric conversion element 1
As a result, the fillet 25 is formed on the outer and inner peripheral portions of the first gap forming portion 3, and the first gap forming portion 32 and the second gap forming portion 33 are surely filled with an appropriate amount of the anisotropic conductive film 17. The reliability of the mechanical bonding strength between the material 14 and the optical glass plate 11 can be significantly increased.

【0042】なお、上記第2の実施形態の光電変換装置
において、第1ギャップ形成部32のみを形成し、第2
ギャップ形成部33を省略しても、絶縁基材14と光学
ガラス板11との機械的接合強度の信頼性を十分に得る
ことができる。
In the photoelectric conversion device according to the second embodiment, only the first gap forming portion 32 is formed and the second gap forming portion 32 is formed.
Even if the gap forming part 33 is omitted, the reliability of the mechanical bonding strength between the insulating base material 14 and the optical glass plate 11 can be sufficiently obtained.

【0043】また、第1ギャップ形成部32及び第2ギ
ャップ形成部33の形成を赤外線カット層31を介する
ことなく、第1ギャップ形成部32及び第2ギャップ形
成部33を、光学ガラス板11に、例えば機械加工など
により直接形成するようにしてもよい(図7参照)。
Further, the first gap forming section 32 and the second gap forming section 33 are formed on the optical glass plate 11 without forming the first gap forming section 32 and the second gap forming section 33 via the infrared cut layer 31. Alternatively, it may be formed directly by, for example, machining (see FIG. 7).

【0044】つぎに、第3の実施形態の光電変換装置に
ついて述べる。なお、第1の実施形態と同一部分には、
同一記号を付し、詳細な説明を省略する。図8及び図9
は、第3の実施形態の光電変換装置を示している。この
光電変換装置においては、第1の実施形態の光電変換装
置のスペーサ21及び第2の実施形態の光電変換装置の
第1ギャップ形成部32及び第2ギャップ形成部33に
対応したものはない。その代わり、絶縁基材14には、
開口部16に沿って矩形状のギャップ形成溝41が形成
されている。このギャップ形成溝41は、連続した通孔
であるので、絶縁基材14のロの字状をなす先端部は、
銅リードである電極パターン15を介してのみその本体
部に接続されていて、ギャップ形成溝41を形成するた
めの枠片部42をなしている。
Next, a photoelectric conversion device according to a third embodiment will be described. The same parts as those in the first embodiment include:
The same symbols are given and detailed description is omitted. 8 and 9
Indicates a photoelectric conversion device according to the third embodiment. In this photoelectric conversion device, there is no one corresponding to the spacer 21 of the photoelectric conversion device of the first embodiment and the first gap forming portion 32 and the second gap forming portion 33 of the photoelectric conversion device of the second embodiment. Instead, the insulating substrate 14
A rectangular gap forming groove 41 is formed along the opening 16. Since the gap forming groove 41 is a continuous through hole, the front end of the insulating base material 14 having a square shape is
It is connected to the main body only through the electrode pattern 15 which is a copper lead, and forms a frame piece 42 for forming the gap forming groove 41.

【0045】このように、第3の実施形態の光電変換装
置は、ギャップ形成溝41が形成されているので、第1
異方性導電膜形成工程及び第2異方性導電膜形成工程に
おいて塗布された異方性導電膜17は、熱圧着工程にお
いて、ギャップ形成溝41を介しての円滑な流動が可能
になるとともに、異方性導電膜17が充填される一定の
ギャップが確保される結果、所望の健全なフィレット2
5が形成されるので、絶縁基材14と光学ガラス板11
との機械的接合強度の信頼性を著しく高めることができ
る。
As described above, in the photoelectric conversion device according to the third embodiment, since the gap forming groove 41 is formed, the first
The anisotropic conductive film 17 applied in the anisotropic conductive film forming step and the second anisotropic conductive film forming step can flow smoothly through the gap forming groove 41 in the thermocompression bonding step. As a result, a certain gap for filling the anisotropic conductive film 17 is ensured, so that a desired sound fillet 2 is formed.
5 are formed, the insulating base material 14 and the optical glass plate 11 are formed.
The reliability of the mechanical joining strength with the metal can be significantly improved.

【0046】なお、上記第3の実施形態の光電変換装置
において、枠状の連続通孔であるギャップ形成溝41の
代わりに、図10に示すように、開口部16に沿う複数
の断続的通孔からなるギャップ形成溝52を採用しても
よい。この場合、断続的通孔は、電極パターン(銅リー
ド)15が形成された2辺16a,16bに沿う電極パ
ターン(銅リード)15間に絶縁基材14に等間隔で穿
設された小通孔51aと、他の2辺16c,16dの開
口部16に沿って絶縁基材14に穿設された長穴状の大
通孔51bとからなっている。
In the photoelectric conversion device of the third embodiment, as shown in FIG. 10, a plurality of intermittent passages along the opening 16 are provided instead of the gap forming grooves 41 which are frame-shaped continuous passages. A gap forming groove 52 composed of a hole may be employed. In this case, the intermittent through-holes are formed in the insulating base 14 at equal intervals between the electrode patterns (copper leads) 15 along the two sides 16a and 16b on which the electrode patterns (copper leads) 15 are formed. It is composed of a hole 51a and a long hole 51b formed in the insulating base 14 along the opening 16 of the other two sides 16c and 16d.

【0047】この場合も、異方性導電膜17は、を介し
て熱圧着工程における流動が容易になるとともに、異方
性導電膜17が充填される一定のギャップが確保される
結果、健全なフィレット25が形成される結果、絶縁基
材14と光学ガラス板11との機械的接合強度の信頼性
を著しく高めることができる。
In this case as well, the flow of the anisotropic conductive film 17 in the thermocompression bonding step becomes easy, and a certain gap for filling the anisotropic conductive film 17 is ensured. As a result of the formation of the fillet 25, the reliability of the mechanical bonding strength between the insulating base material 14 and the optical glass plate 11 can be significantly improved.

【0048】この場合、大通孔51bの代わりにすべて
小通孔51aによりギャップ形成溝52を構成させても
同様の効果を奏する。つぎに、本発明の第4の実施形態
を図11を参照して詳述する。
In this case, the same effect can be obtained even if the gap forming groove 52 is constituted by the small through holes 51a instead of the large through holes 51b. Next, a fourth embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

【0049】なお、第1の実施形態の光電変換装置と同
一箇所には同一記号を付し、詳細な説明を省略する。す
なわち、この光電変換装置においては、絶縁基材14と
光学ガラス板11との間に透光性樹脂膜71が介挿され
ている。この透光性樹脂膜71は、光学ガラス板11全
面に接着されているもので、厚さが例えば25〜100
μmの両面接着シートである。この透光性樹脂膜71の
材質としては、例えばアクリル樹脂が好適している。こ
の透光性樹脂膜71は、透光性を有しているので、光学
ガラス板11を被覆しても遮光することがなく、光を通
過させるために、額縁状に加工する必要はない。
The same parts as those in the photoelectric conversion device of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. That is, in this photoelectric conversion device, the translucent resin film 71 is interposed between the insulating base material 14 and the optical glass plate 11. The translucent resin film 71 is adhered to the entire surface of the optical glass plate 11 and has a thickness of, for example, 25 to 100.
μm double-sided adhesive sheet. As a material of the translucent resin film 71, for example, an acrylic resin is suitable. Since the light-transmitting resin film 71 has a light-transmitting property, the light-transmitting resin film 71 does not shield light even when the optical glass plate 11 is covered, and does not need to be processed into a frame shape in order to transmit light.

【0050】しかして、実施形態の光電変換装置は、透
光性樹脂膜71が介挿されていることにより、絶縁基材
14と光学ガラス板11を機械的に接合するとともに、
開口部16等により生じた中空部を完全に封止すること
ができ、装置としての信頼性向上に役立つ。
Thus, in the photoelectric conversion device of the embodiment, the insulating base material 14 and the optical glass plate 11 are mechanically joined by interposing the translucent resin film 71,
The hollow portion created by the opening 16 or the like can be completely sealed, which contributes to improving the reliability of the device.

【0051】つぎに、第4の実施形態の光電変換装置の
製造方法について説明する。すなわち、第4の実施形態
の光電変換装置の製造方法は、光学ガラス板11の一方
の主面に透光性樹脂膜71を貼り合せる透光性樹脂膜接
着工程(図12のS11及び図13(a)参照)と、こ
の透光性樹脂膜71を介して光学ガラス板11と配線基
板12とを位置決め・接着する配線基板積層工程(図1
2のS12及び図13(b)参照)と、この配線基板積
層工程後に異方性導電膜17を配線基板12の開口部1
6の周縁部に沿って塗布する異方性導電膜塗布工程(図
12のS13及び図13(c)参照)と、この異方性導
電膜塗布工程後に光電変換素子13をそのバンプ19が
絶縁基材14の対応する電極パターン15位置にくるよ
う位置決め・搭載する光電変換素子搭載工程(図12の
S14及び図13(d)参照)と、この光電変換素子搭
載工程後に加圧ツールにより光電変換素子13を例えば
150〜170°Cにて20〜100秒程度熱圧着し熱
硬化型樹脂からなる異方性導電膜17により光電変換素
子13のバンプ19を絶縁基材14の対応する電極パタ
ーン15に電気的及び機械的に接続するとともに絶縁基
材14を光学ガラス板11に接着する熱圧着工程(図1
2のS15及び図13(e)参照)とからなっている。
Next, a method of manufacturing the photoelectric conversion device according to the fourth embodiment will be described. That is, in the method of manufacturing the photoelectric conversion device according to the fourth embodiment, the light-transmitting resin film bonding step of bonding the light-transmitting resin film 71 to one main surface of the optical glass plate 11 (S11 in FIG. 12 and FIG. 1A) and a wiring board laminating step of positioning and bonding the optical glass plate 11 and the wiring board 12 via the light-transmitting resin film 71 (FIG. 1).
2 and S13 in FIG. 13) and after the wiring board laminating step, the anisotropic conductive film 17 is placed in the opening 1 of the wiring board 12.
6 and S13 of FIG. 12 and FIG. 13C, and the bumps 19 insulate the photoelectric conversion element 13 after the anisotropic conductive film application step. A photoelectric conversion element mounting step (see S14 and FIG. 13 (d) of FIG. 12) for positioning and mounting to correspond to the position of the corresponding electrode pattern 15 on the base material 14, and after the photoelectric conversion element mounting step, photoelectric conversion by a pressing tool is performed. The element 13 is thermocompression-bonded at, for example, 150 to 170 ° C. for about 20 to 100 seconds, and the bump 19 of the photoelectric conversion element 13 is formed by the anisotropic conductive film 17 made of a thermosetting resin. Thermo-compression bonding step of electrically and mechanically connecting the substrate and bonding the insulating base material 14 to the optical glass plate 11 (FIG. 1)
2 (S15) and FIG. 13 (e)).

【0052】前記透光性樹脂膜接着工程におけるシート
状をなす透光性樹脂膜71を常温にて例えば2.0kg/c
m2で加圧することにより行う。このような第4の実施形
態の光電変換装置の製造方法は、従来のように、接着剤
を配線基板12の開口部16の周縁部に沿って塗布(例
えばポッティング法,スクリーン印刷法などにより)す
る段取りの手間がなくなり、生産性向上に役立つ。
The light-transmitting resin film 71 in the form of a sheet in the light-transmitting resin film bonding step is, for example, 2.0 kg / c at room temperature.
This is performed by pressurizing with m2. In the method of manufacturing the photoelectric conversion device according to the fourth embodiment, an adhesive is applied along the periphery of the opening 16 of the wiring board 12 (for example, by a potting method, a screen printing method, or the like) as in the related art. This eliminates the hassle of setup and helps to improve productivity.

【0053】つぎに、本発明の第5の実施形態を図14
を参照して詳述する。なお、第1の実施形態の光電変換
装置と同一箇所には同一記号を付し、詳細な説明を省略
する。
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
It will be described in detail with reference to FIG. Note that the same parts as those of the photoelectric conversion device of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0054】すなわち、この光電変換装置においては、
絶縁基材14に透光性基板72が透光性樹脂膜73を介
して接着されている。前記透光性樹脂膜73は、厚さが
例えば25〜100μmの両面接着シートである。この
透光性樹脂膜71の材質としては、例えばアクリル樹脂
が好適している。この透光性樹脂膜71は、透光性を有
しているので、透光性基板72を被覆しても遮光するこ
とがなく、光を通過させるために、額縁状に加工する必
要はない。一方、透光性基板72は、ポリイミド・ポリ
アミド・ポリエステル、または、フェノール・ガラスエ
ポキシ樹脂等と紙・ガラス基板の複合基板からなる。ま
た、透光性基板72の厚さは、例えば25〜100μm
程度のフィルム状をなしている。
That is, in this photoelectric conversion device,
A light-transmitting substrate 72 is bonded to the insulating base 14 via a light-transmitting resin film 73. The translucent resin film 73 is a double-sided adhesive sheet having a thickness of, for example, 25 to 100 μm. As a material of the translucent resin film 71, for example, an acrylic resin is suitable. Since the light-transmitting resin film 71 has a light-transmitting property, the light-transmitting resin film 71 does not block light even when it covers the light-transmitting substrate 72, and does not need to be processed into a frame shape in order to transmit light. . On the other hand, the translucent substrate 72 is made of a composite substrate of polyimide, polyamide, polyester, phenol, glass epoxy resin or the like and a paper / glass substrate. The thickness of the light-transmitting substrate 72 is, for example, 25 to 100 μm.
It is in the form of a film.

【0055】しかして、第5の実施形態の光電変換装置
は、透光性樹脂膜73が介挿されていることにより、絶
縁基材14と透光性基板72を機械的に接合するととも
に、開口部16等により生じた中空部を完全に封止する
ことができ装置としての信頼性向上に役立つ。また、光
学ガラス板11を使用しないので、装置全体の軽量化に
役立つ。
In the photoelectric conversion device according to the fifth embodiment, the insulating base material 14 and the light-transmitting substrate 72 are mechanically joined by the light-transmitting resin film 73 interposed therebetween. The hollow portion created by the opening 16 or the like can be completely sealed, which contributes to the improvement of the reliability of the device. Further, since the optical glass plate 11 is not used, it is useful for reducing the weight of the entire apparatus.

【0056】さらに、第5の実施形態の光電変換装置の
製造方法について述べる。すなわち、第5の実施形態の
光電変換装置の製造方法は、透光性基板72の一方の主
面に透光性樹脂膜71を貼り合せる透光性樹脂膜接着工
程(図15のS21及び図16(a)参照)と、この透
光性樹脂膜71を介して透光性基板72と配線基板12
とを位置決め・接着する配線基板積層工程(図15のS
22及び図16(b)参照)と、この配線基板積層工程
後に異方性導電膜17を配線基板12の開口部16の周
縁部に沿って塗布する異方性導電膜塗布工程(図15の
S23及び図16(c)参照)と、この異方性導電膜塗
布工程後に光電変換素子13をそのバンプ19が絶縁基
材14の対応する電極パターン15位置にくるよう位置
決め・搭載する光電変換素子搭載工程(図15のS24
及び図16(d)参照)と、この光電変換素子搭載工程
後に加圧ツールにより光電変換素子13を例えば150
〜170°Cにて20〜100秒程度熱圧着し熱硬化型
樹脂からなる異方性導電膜17により光電変換素子13
のバンプ19を絶縁基材14の対応する電極パターン1
5に電気的及び機械的に接続するとともに絶縁基材14
を透光性基板72に接着する熱圧着工程(図15のS2
5及び図16(e)参照)とからなっている。なお、透
光性基板72と透光性樹脂膜71とが一体化した市販品
を用いれば、透光性樹脂膜接着工程は省略することがで
きる。
Further, a method of manufacturing the photoelectric conversion device according to the fifth embodiment will be described. That is, in the method of manufacturing the photoelectric conversion device according to the fifth embodiment, the light-transmitting resin film bonding step of bonding the light-transmitting resin film 71 to one main surface of the light-transmitting substrate 72 (see S21 in FIG. 15 and FIG. 16 (a)), the light-transmitting substrate 72 and the wiring substrate 12 with the light-transmitting resin film 71 interposed therebetween.
Wiring board laminating step of positioning and bonding
22 and FIG. 16B), and an anisotropic conductive film applying step of applying an anisotropic conductive film 17 along the periphery of the opening 16 of the wiring board 12 after the wiring board laminating step (see FIG. S23 and FIG. 16 (c)), and the photoelectric conversion element 13 is positioned and mounted such that the bump 19 is located at the position of the corresponding electrode pattern 15 of the insulating base material 14 after the anisotropic conductive film coating step. Mounting process (S24 in FIG. 15)
And FIG. 16D). After the photoelectric conversion element mounting step, the photoelectric conversion element 13 is, for example, 150
Thermocompression bonding at about 170 ° C. for about 20 to 100 seconds and an anisotropic conductive film 17 made of a thermosetting resin;
Of the corresponding electrode pattern 1 on the insulating base material 14
5, electrically and mechanically connected to the insulating substrate 14
Is bonded to the translucent substrate 72 by a thermocompression bonding process (S2 in FIG.
5 and FIG. 16 (e)). When a commercially available product in which the light-transmitting substrate 72 and the light-transmitting resin film 71 are integrated is used, the light-transmitting resin film bonding step can be omitted.

【0057】このような第5の実施形態の光電変換装置
の製造方法は、従来のように、接着剤を配線基板12の
開口部16の周縁部に沿って塗布(例えばポッティング
法,スクリーン印刷法などにより)する段取りの手間が
なくなり、生産性向上に役立つ。さらに、透光性基板7
2と透光性樹脂膜71とは、通常、一体で市販されてい
るので、透光性樹脂膜接着工程をも省略可能であり、こ
の点からも生産性を大幅に向上させることができる。
In the method of manufacturing the photoelectric conversion device according to the fifth embodiment, an adhesive is applied along the periphery of the opening 16 of the wiring board 12 (for example, a potting method, a screen printing method) as in the related art. This eliminates the hassle of setting up and helps to improve productivity. Further, the translucent substrate 7
Since the light-transmitting resin film 71 and the light-transmitting resin film 71 are usually sold as a single unit, the step of bonding the light-transmitting resin film can be omitted, and the productivity can be greatly improved from this point as well.

【0058】なお、第1の実施形態の光電変換装置の製
造方法で説明した製造プロセスは、図12に示す従来構
造の光電変換装置の製造に適用することも可能である。
この場合、熱圧着工程の後に、異方性導電膜の外側にフ
ェノール系やエポキシ系の熱硬化型若しくは紫外線硬化
型の封止樹脂を塗布する封止樹脂塗布工程を附加するよ
うにしてもよい。こうすることにより、異方性導電膜に
よる接着を補強することができる。
The manufacturing process described in the method of manufacturing the photoelectric conversion device according to the first embodiment can be applied to the manufacturing of the photoelectric conversion device having the conventional structure shown in FIG.
In this case, after the thermocompression bonding step, a sealing resin application step of applying a phenol-based or epoxy-based thermosetting or ultraviolet-curing sealing resin to the outside of the anisotropic conductive film may be added. . By doing so, the adhesion by the anisotropic conductive film can be reinforced.

【0059】さらに、上記各実施形態において用いてい
る異方性導電膜の代わりに、導電性を付与する金属粒子
を含有しない、絶縁性の樹脂(接合材)を用いて、バン
プ19と電極パターン15とのメカニカル接合(電気的
にも接続可能)、並びに、絶縁基材14と光学ガラス板
11との接着を同時に行うようにしてもよい。
Further, instead of the anisotropic conductive film used in each of the above embodiments, an insulating resin (joining material) containing no metal particles for imparting conductivity is used to form the bump 19 and the electrode pattern. The mechanical bonding with the optical substrate 15 (electrically connectable) and the bonding between the insulating substrate 14 and the optical glass plate 11 may be performed simultaneously.

【0060】さらにまた、上記実施形態の異方性導電膜
は、熱硬化型としたが、前記絶縁性の樹脂を接合材とし
て用いる場合を含めて、熱可塑性樹脂又は紫外線硬化型
樹脂を用いるようにしてもよい。この場合は、必ずしも
加熱・加圧の必要はなく、単に加圧のみでよい。
Furthermore, although the anisotropic conductive film of the above embodiment is of a thermosetting type, a thermoplastic resin or an ultraviolet curable resin may be used, including the case where the insulating resin is used as a bonding material. It may be. In this case, heating and pressing are not necessarily required, but only pressing is required.

【0061】[0061]

【発明の効果】請求項1の光電変換装置は、一方の主面
に受光面が形成され且つ前記受光面の周辺部に沿って突
設された突起電極を有する板状の光電変換素子と、開口
部が形成された絶縁基材と、前記絶縁基材の一方の主面
に被着され前記突起電極が接続されるリード状の電極パ
ターンと、前記絶縁基材の他方の主面の前記開口部を覆
う位置に接着され且つ前記開口部を介して前記受光面に
て受光される光を透過する透光板と、前記突起電極と前
記電極パターンを接続するとともに前記透光板と前記絶
縁基材とを接着する接合膜と、前記透光板と前記絶縁基
材との間に設けられ前記接合膜が充填されるギャップを
形成するスペーサとを具備するので、絶縁基材と透光板
との間には、このスペーサに対応したギャップが形成さ
れ、このギャップ中に適量の接合膜が確実に充填される
結果、絶縁基材と透光板との機械的接合強度の信頼性を
著しく高めることができる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a photoelectric conversion device having a plate-shaped photoelectric conversion element having a light receiving surface formed on one main surface and having a protruding electrode protruding along a peripheral portion of the light receiving surface. An insulating base having an opening formed therein, a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base and connected to the protruding electrode, and the opening on the other main surface of the insulating base. A light-transmitting plate adhered to a position covering the portion and transmitting light received on the light-receiving surface through the opening; connecting the protruding electrode to the electrode pattern; Since there are provided a bonding film for bonding a material and a spacer provided between the light transmitting plate and the insulating base material to form a gap filled with the bonding film, the insulating base material and the light transmitting plate are provided. A gap corresponding to this spacer is formed between An appropriate amount of the bonding film results to be reliably filled, it is possible to significantly increase the reliability of the mechanical bonding strength between the insulating substrate and the transparent plate.

【0062】請求項2の光電変換装置は、一方の主面に
受光面が形成され且つ前記受光面の周辺部に沿って突設
された突起電極を有する板状の光電変換素子と、開口部
が形成された絶縁基材と、前記絶縁基材の一方の主面に
被着され前記突起電極が接続されるリード状の電極パタ
ーンと、前記絶縁基材の他方の主面の前記開口部を覆う
位置に接着され且つ前記開口部を介して前記受光面にて
受光される光を透過する透光板と、前記突起電極と前記
電極パターンを接続するとともに前記透光板と前記絶縁
基材とを接着する接合膜とを具備し、前記透光板には前
記絶縁基材との間に前記接合膜が充填されるギャップを
形成する段差が形成されているので、このギャップ中に
適量の接合膜が確実に充填される結果、絶縁基材と透光
板との機械的接合強度の信頼性を著しく高めることがで
きる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a photoelectric conversion device having a plate-shaped photoelectric conversion element having a light receiving surface formed on one main surface and having a projecting electrode protruding along a peripheral portion of the light receiving surface. Formed on the insulating base material, a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base material and connected to the protruding electrode, and the opening on the other main surface of the insulating base material. A light-transmitting plate that is adhered to a covering position and transmits light received on the light-receiving surface through the opening, and that connects the protruding electrode and the electrode pattern and that the light-transmitting plate and the insulating base material And a bonding film that adheres the bonding film, and a step that forms a gap filled with the bonding film is formed between the light-transmitting plate and the insulating base material. Mechanical bonding between the insulating substrate and the translucent plate as a result of the film being reliably filled It can significantly enhance the degree of reliability.

【0063】請求項3の光電変換装置は、一方の主面に
受光面が形成され且つ前記受光面の周辺部に沿って突設
された突起電極を有する板状の光電変換素子と、開口部
が形成された絶縁基材と、、前記絶縁基材の一方の主面
に被着され前記突起電極が接続されるリード状の電極パ
ターンと、前記絶縁基材の他方の主面の前記開口部を覆
う位置に接着され且つ前記開口部を介して前記受光面に
て受光される光を透過する透光板と、前記突起電極と前
記電極パターンを接続するとともに前記透光板と前記絶
縁基材とを接着する接合膜とを具備し、前記絶縁基材の
前記透光板への接着部位には前記透光板との間に前記接
合膜が充填されるギャップを形成する通孔が穿設されて
いるので、このギャップ中に適量の接合膜が確実に充填
される結果、絶縁基材と透光板との機械的接合強度の信
頼性を著しく高めることができる。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a photoelectric conversion device comprising: a plate-shaped photoelectric conversion element having a light receiving surface formed on one main surface and having a protruding electrode protruding along a peripheral portion of the light receiving surface; Formed on the insulating base material, a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base material and connected to the protruding electrode, and the opening on the other main surface of the insulating base material A light-transmitting plate adhered to a position covering the light-receiving surface and transmitting light received on the light-receiving surface through the opening, connecting the protruding electrode and the electrode pattern, and connecting the light-transmitting plate and the insulating base material And a bonding film for bonding the insulating film to the light-transmitting plate, and a through-hole forming a gap filled with the bonding film between the insulating substrate and the light-transmitting plate is formed. As a result, the gap is filled with an appropriate amount of bonding film, It can significantly increase the reliability of the mechanical bonding strength between the wood and the transparent plate.

【0064】請求項4の光電変換装置は、一方の主面に
受光面が形成され且つ前記受光面の周辺部に沿って突設
された突起電極を有する板状の光電変換素子と、開口部
が形成された絶縁基材と、前記絶縁基材の一方の主面に
被着され前記突起電極が接続されるリード状の電極パタ
ーンと、前記絶縁基材の他方の主面の前記開口部を覆う
位置に接着され且つ前記開口部を介して前記受光面にて
受光される光を透過する透光板と、前記突起電極と前記
電極パターンを接続する接合膜と、前記透光板と前記絶
縁基材との間に介挿され且つ前記透光板の一方の主面全
体を被覆するシート状の透光性接着膜とを具備するもの
で、透光性樹脂膜が介挿されていることにより、絶縁基
材と透光板を機械的に接合するとともに、開口部等によ
り生じた中空部を完全に封止することができ、装置とし
ての信頼性向上に役立つ。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a photoelectric conversion device having a plate-like photoelectric conversion element having a light receiving surface formed on one main surface and having a protruding electrode protruding along the periphery of the light receiving surface. Formed on the insulating base material, a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base material and connected to the protruding electrode, and the opening on the other main surface of the insulating base material. A light-transmitting plate adhered to the covering position and transmitting light received on the light-receiving surface through the opening, a bonding film connecting the protruding electrode and the electrode pattern, the light-transmitting plate and the insulation A sheet-shaped translucent adhesive film interposed between the base material and the entire one main surface of the translucent plate, wherein the translucent resin film is interposed. By mechanically joining the insulating base and the light-transmitting plate, the hollow part created by the opening It can be sealed to all, to secure reliable as devices.

【0065】請求項7の光電変換装置の製造方法は、一
方の主面に受光面が形成され且つ前記受光面の周辺部に
沿って突設された突起電極を有する板状の光電変換素子
と、開口部が形成された絶縁基材と、前記絶縁基材の一
方の主面に被着され前記突起電極が接続されるリード状
の電極パターンと、前記絶縁基材の他方の主面の前記開
口部を覆う位置に接着され且つ前記開口部を介して前記
受光面にて受光される光を透過する透光板と、前記突起
電極と前記電極パターンを接続するとともに前記透光板
と前記絶縁基材とを接着する接合膜とを具備する光電変
換装置の製造方法において、前記接合膜を介して前記突
起電極を対応する前記電極パターンに接続すると同時
に、前記絶縁基材を前記透光板に接着するもので、電極
パターンと突起電極との電気的且つ機械的接続工程、並
びに、絶縁基材と透光板との機械的接合工程を同時に行
うようにした結果、生産性が飛躍的に向上する。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a photoelectric conversion device, comprising: a plate-shaped photoelectric conversion element having a light receiving surface formed on one main surface and having a projecting electrode protruding along a peripheral portion of the light receiving surface; An insulating base having an opening formed therein, a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base and connected to the protruding electrode, and the other main surface of the insulating base. A light-transmitting plate adhered to a position covering the opening and transmitting light received on the light-receiving surface through the opening; connecting the protruding electrode to the electrode pattern; In a method for manufacturing a photoelectric conversion device, comprising: a bonding film for bonding a base material; and connecting the projecting electrodes to the corresponding electrode patterns via the bonding film, and simultaneously connecting the insulating base material to the light-transmitting plate. Adhesive, electrode pattern and protruding electrode Electrically and mechanically connecting process, as well as a result of to perform mechanical bonding process between the insulating substrate and the transparent plate at the same time, the productivity is remarkably improved.

【0066】請求項8の光電変換装置の製造方法は、一
方の主面に受光面が形成され且つ前記受光面の周辺部に
沿って突設された突起電極を有する板状の光電変換素子
と、開口部が形成された絶縁基材と、前記絶縁基材の一
方の主面に被着され前記突起電極が接続されるリード状
の電極パターンと、前記絶縁基材の他方の主面の前記開
口部を覆う位置に接着され且つ前記開口部を介して前記
受光面にて受光される光を透過する透光板と、前記突起
電極と前記電極パターンを接続する接合膜と、前記透光
板と前記絶縁基材との間に介挿され且つ前記透光板の一
方の主面全体を被覆するシート状の透光性接着膜とを具
備する光電変換装置の製造方法において、前記透光性接
着膜が接着された前記透光板を前記絶縁基材に前記透光
性接着膜を介して接着もので、従来のように、接着剤を
絶縁基材の開口部の周縁部に沿って塗布(例えばポッテ
ィング法,スクリーン印刷法などにより)する段取りの
手間がなくなり、生産性向上に役立つ。
According to a eighth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a photoelectric conversion device, comprising: a plate-shaped photoelectric conversion element having a light receiving surface formed on one main surface and having a projecting electrode protruding along a peripheral portion of the light receiving surface; An insulating base having an opening formed therein, a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base and connected to the protruding electrode, and the other main surface of the insulating base. A light-transmitting plate adhered to a position covering the opening and transmitting light received on the light-receiving surface through the opening, a bonding film connecting the protruding electrode and the electrode pattern, and the light-transmitting plate And a sheet-shaped light-transmitting adhesive film interposed between the light-transmitting plate and one of the main surfaces of the light-transmitting plate. The light-transmitting plate to which the adhesive film is adhered is provided on the insulating base material through the light-transmitting adhesive film. In wearing things, as in the prior art, coating (e.g. potting method, or a screen printing method) along the periphery of the opening of the adhesive insulating base material to eliminate the trouble of setup, help improve productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態の光電変換装置の断面正面
図である。
FIG. 1 is a sectional front view of a photoelectric conversion device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の光電変換装置の配線基板の斜視図であ
る。
FIG. 2 is a perspective view of a wiring board of the photoelectric conversion device of FIG.

【図3】図1の光電変換装置の電極パッドの説明図であ
る。
FIG. 3 is an explanatory diagram of an electrode pad of the photoelectric conversion device of FIG.

【図4】本発明の一実施形態の光電変換装置の製造方法
を説明するためのフローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a photoelectric conversion device according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施形態の光電変換装置の製造方法
の説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a method for manufacturing a photoelectric conversion device according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第2の実施形態の光電変換装置の断面
正面図である。
FIG. 6 is a sectional front view of a photoelectric conversion device according to a second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第2の実施形態の光電変換装置の変形
例の断面正面図である。
FIG. 7 is a sectional front view of a modification of the photoelectric conversion device according to the second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第3の実施形態の光電変換装置の断面
正面図である。
FIG. 8 is a sectional front view of a photoelectric conversion device according to a third embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第3の実施形態の光電変換装置の分解
斜視図である。
FIG. 9 is an exploded perspective view of a photoelectric conversion device according to a third embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第3の実施形態の光電変換装置の変
形例を示す分解斜視図である。
FIG. 10 is an exploded perspective view showing a modification of the photoelectric conversion device according to the third embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第4の実施形態の光電変換装置の断
面正面図である。
FIG. 11 is a sectional front view of a photoelectric conversion device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第4の実施形態の光電変換装置の製
造方法を説明するためのフローチャートである。
FIG. 12 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a photoelectric conversion device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第4の実施形態の光電変換装置の製
造方法を示す分解斜視図である。
FIG. 13 is an exploded perspective view illustrating a method for manufacturing a photoelectric conversion device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第5の実施形態の光電変換装置の断
面正面図である。
FIG. 14 is a sectional front view of a photoelectric conversion device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第5の実施形態の光電変換装置の製
造方法を説明するためのフローチャートである。
FIG. 15 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a photoelectric conversion device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図16】本発明の第5の実施形態の光電変換装置の製
造方法を示す分解斜視図である。
FIG. 16 is an exploded perspective view illustrating a method for manufacturing a photoelectric conversion device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図17】従来技術を示す分解斜視図である。FIG. 17 is an exploded perspective view showing a conventional technique.

【図18】従来技術を示す断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view showing a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11:光学ガラス板(透明板),12:配線基板,1
3:光電変換素子,14:絶縁基材,15:電極パター
ン,17:異方性導電膜,18:電極パッド,19:バ
ンプ(突起電極),21:スペーサ,25:フィレッ
ト,32:第1ギャップ形成部,33:第2ギャップ形
成部,41,52:ギャップ形成溝。
11: optical glass plate (transparent plate), 12: wiring board, 1
3: photoelectric conversion element, 14: insulating substrate, 15: electrode pattern, 17: anisotropic conductive film, 18: electrode pad, 19: bump (protruding electrode), 21: spacer, 25: fillet, 32: first Gap forming portion, 33: second gap forming portion, 41, 52: gap forming groove.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一方の主面に受光面が形成され且つ前記受
光面の周辺部に沿って突設された突起電極を有する板状
の光電変換素子と、開口部が形成された絶縁基材と、前
記絶縁基材の一方の主面に被着され前記突起電極が接続
されるリード状の電極パターンと、前記絶縁基材の他方
の主面の前記開口部を覆う位置に接着され且つ前記開口
部を介して前記受光面にて受光される光を透過する透光
板と、前記突起電極と前記電極パターンを接続するとと
もに前記透光板と前記絶縁基材とを接着する接合膜と、
前記透光板と前記絶縁基材との間に設けられ前記接合膜
が充填されるギャップを形成するスペーサとを具備する
ことを特徴とする光電変換装置。
1. A plate-shaped photoelectric conversion element having a light-receiving surface formed on one main surface and having a protruding electrode protruding along a peripheral portion of the light-receiving surface, and an insulating substrate having an opening formed therein And a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base material and connected to the protruding electrode, and adhered to a position covering the opening on the other main surface of the insulating base material, and A light-transmitting plate that transmits light received on the light-receiving surface through the opening, and a bonding film that connects the protruding electrode and the electrode pattern and bonds the light-transmitting plate and the insulating base material,
A photoelectric conversion device, comprising: a spacer provided between the light transmitting plate and the insulating base to form a gap filled with the bonding film.
【請求項2】一方の主面に受光面が形成され且つ前記受
光面の周辺部に沿って突設された突起電極を有する板状
の光電変換素子と、開口部が形成された絶縁基材と、前
記絶縁基材の一方の主面に被着され前記突起電極が接続
されるリード状の電極パターンと、前記絶縁基材の他方
の主面の前記開口部を覆う位置に接着され且つ前記開口
部を介して前記受光面にて受光される光を透過する透光
板と、前記突起電極と前記電極パターンを接続するとと
もに前記透光板と前記絶縁基材とを接着する接合膜と、
前記透光板には前記絶縁基材との間に前記接合膜が充填
されるギャップを形成する段差が形成されていることを
特徴とする光電変換装置。
2. A plate-shaped photoelectric conversion element having a light-receiving surface formed on one main surface and having a projecting electrode protruding along a peripheral portion of the light-receiving surface, and an insulating substrate having an opening formed therein. And a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base material and connected to the protruding electrode, and adhered to a position covering the opening on the other main surface of the insulating base material, and A light-transmitting plate that transmits light received on the light-receiving surface through the opening, and a bonding film that connects the protruding electrode and the electrode pattern and bonds the light-transmitting plate and the insulating base material,
A photoelectric conversion device, wherein a step is formed between the transparent plate and the insulating base to form a gap for filling the bonding film.
【請求項3】一方の主面に受光面が形成され且つ前記受
光面の周辺部に沿って突設された突起電極を有する板状
の光電変換素子と、開口部が形成された絶縁基材と、前
記絶縁基材の一方の主面に被着され前記突起電極が接続
されるリード状の電極パターンと、前記絶縁基材の他方
の主面の前記開口部を覆う位置に接着され且つ前記開口
部を介して前記受光面にて受光される光を透過する透光
板と、前記突起電極と前記電極パターンを接続するとと
もに前記透光板と前記絶縁基材とを接着する接合膜とを
具備し、前記絶縁基材の前記透光板への接着部位には前
記透光板との間に前記接合膜が充填されるギャップを形
成する通孔が穿設されていることを特徴とする光電変換
装置。
3. A plate-shaped photoelectric conversion element having a light-receiving surface formed on one main surface and having a protruding electrode protruding along a peripheral portion of the light-receiving surface, and an insulating base material having an opening formed therein. And a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base material and connected to the protruding electrode, and adhered to a position covering the opening on the other main surface of the insulating base material, and A light-transmitting plate that transmits light received on the light-receiving surface through an opening, and a bonding film that connects the protruding electrode and the electrode pattern and that bonds the light-transmitting plate and the insulating base material. And a through hole for forming a gap filled with the bonding film between the insulating substrate and the light transmitting plate is formed in a bonding portion of the insulating base to the light transmitting plate. Photoelectric conversion device.
【請求項4】一方の主面に受光面が形成され且つ前記受
光面の周辺部に沿って突設された突起電極を有する板状
の光電変換素子と、開口部が形成された絶縁基材と、前
記絶縁基材の一方の主面に被着され前記突起電極が接続
されるリード状の電極パターンと、前記絶縁基材の他方
の主面の前記開口部を覆う位置に接着され且つ前記開口
部を介して前記受光面にて受光される光を透過する透光
板と、前記突起電極と前記電極パターンを接続する接合
膜と、前記透光板と前記絶縁基材との間に介挿され且つ
前記透光板の一方の主面全体を被覆するシート状の透光
性接着膜とを具備することを特徴とする光電変換装置。
4. A plate-shaped photoelectric conversion element having a light-receiving surface formed on one main surface and having a protruding electrode protruding along a peripheral portion of the light-receiving surface, and an insulating base material having an opening formed therein. And a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base material and connected to the protruding electrode, and adhered to a position covering the opening on the other main surface of the insulating base material, and A light-transmitting plate that transmits light received on the light-receiving surface through the opening, a bonding film that connects the protruding electrode and the electrode pattern, and a light-transmitting plate between the light-transmitting plate and the insulating base material. And a sheet-shaped translucent adhesive film that is inserted and covers one entire main surface of the translucent plate.
【請求項5】前記接合膜は、異方性導電膜であることを
特徴とする請求項1乃至請求項4記載の光電変換装置。
5. The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein said bonding film is an anisotropic conductive film.
【請求項6】前記透光板はフィルム状をなすことを特徴
とする請求項4記載の光電変換装置。
6. The photoelectric conversion device according to claim 4, wherein said light-transmitting plate has a film shape.
【請求項7】一方の主面に受光面が形成され且つ前記受
光面の周辺部に沿って突設された突起電極を有する板状
の光電変換素子と、開口部が形成された絶縁基材と、前
記絶縁基材の一方の主面に被着され前記突起電極が接続
されるリード状の電極パターンと、前記絶縁基材の他方
の主面の前記開口部を覆う位置に接着され且つ前記開口
部を介して前記受光面にて受光される光を透過する透光
板と、前記突起電極と前記電極パターンを接続するとと
もに前記透光板と前記絶縁基材とを接着する接合膜とを
具備する光電変換装置の製造方法において、前記接合膜
を介して前記突起電極を対応する前記電極パターンに接
続すると同時に、前記絶縁基材を前記透光板に接着する
ことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
7. A plate-shaped photoelectric conversion element having a light-receiving surface formed on one main surface and having a protruding electrode protruding along the periphery of the light-receiving surface, and an insulating substrate having an opening formed therein And a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base material and connected to the protruding electrode, and adhered to a position covering the opening on the other main surface of the insulating base material, and A light-transmitting plate that transmits light received on the light-receiving surface through an opening; and a bonding film that connects the protruding electrode and the electrode pattern and that bonds the light-transmitting plate and the insulating base material. A method for manufacturing a photoelectric conversion device, comprising: connecting the protruding electrode to the corresponding electrode pattern via the bonding film, and simultaneously bonding the insulating base material to the light transmitting plate. Manufacturing method.
【請求項8】一方の主面に受光面が形成され且つ前記受
光面の周辺部に沿って突設された突起電極を有する板状
の光電変換素子と、開口部が形成された絶縁基材と、前
記絶縁基材の一方の主面に被着され前記突起電極が接続
されるリード状の電極パターンと、前記絶縁基材の他方
の主面の前記開口部を覆う位置に接着され且つ前記開口
部を介して前記受光面にて受光される光を透過する透光
板と、前記突起電極と前記電極パターンを接続する接合
膜と、前記透光板と前記絶縁基材との間に介挿され且つ
前記透光板の一方の主面全体を被覆するシート状の透光
性接着膜とを具備する光電変換装置の製造方法におい
て、前記透光性接着膜が接着された前記透光板を前記絶
縁基材に前記透光性接着膜を介して接着することを特徴
とする光電変換装置の製造方法。
8. A plate-shaped photoelectric conversion element having a light-receiving surface formed on one main surface and having a protruding electrode protruding along the periphery of the light-receiving surface, and an insulating substrate having an opening formed therein. And a lead-shaped electrode pattern attached to one main surface of the insulating base material and connected to the protruding electrode, and adhered to a position covering the opening on the other main surface of the insulating base material, and A light-transmitting plate that transmits light received on the light-receiving surface through the opening, a bonding film that connects the protruding electrode and the electrode pattern, and a light-transmitting plate between the light-transmitting plate and the insulating base material. And a sheet-shaped translucent adhesive film that is inserted and covers the entire one main surface of the translucent plate, wherein the translucent plate to which the translucent adhesive film is adhered is provided. Is adhered to the insulating base material via the translucent adhesive film. Manufacturing method.
【請求項9】前記接合膜が、異方性導電膜であることを
特徴とする請求7記載又は請求項8記載の光電変換装置
の製造方法。
9. The method according to claim 7, wherein said bonding film is an anisotropic conductive film.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002334999A (en) * 2001-05-08 2002-11-22 Aoi Electronics Co Ltd Optical semiconductor device
JP2006344903A (en) * 2005-06-10 2006-12-21 Fujifilm Holdings Corp Semiconductor module

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