JPH11174122A - Method for boundary scan test - Google Patents
Method for boundary scan testInfo
- Publication number
- JPH11174122A JPH11174122A JP9341381A JP34138197A JPH11174122A JP H11174122 A JPH11174122 A JP H11174122A JP 9341381 A JP9341381 A JP 9341381A JP 34138197 A JP34138197 A JP 34138197A JP H11174122 A JPH11174122 A JP H11174122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scan
- semiconductor device
- test
- boundary scan
- boundary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の半導体デバ
イスを実装した基板上における半導体デバイス相互間の
インターコネクトテスト、クラスターテストに有効なバ
ウンダリスキャンテスト方法に関する。The present invention relates to a boundary scan test method effective for an interconnect test and a cluster test between semiconductor devices on a substrate on which a plurality of semiconductor devices are mounted.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、バウンダリスキャン用のセル
(バウンダリスキャンテスト用のデータを保持するレジ
スタ)を持った半導体デバイスが実装された基板では、
バウンダリスキャン用のセルを持った半導体デバイス間
を繋ぐ接続ライン(ネット)についてインターコネクト
テスト、クラスターテストをバウンダリスキャン方式に
て行っていた。2. Description of the Related Art Conventionally, on a substrate on which a semiconductor device having cells for boundary scan (registers holding data for boundary scan test) is mounted,
An interconnect test and a cluster test are performed on a connection line (net) connecting semiconductor devices having cells for boundary scan by a boundary scan method.
【0003】図9はバウンダリスキャン用のセルを持っ
た半導体デバイスの実装されたプリント回路基板(PC
B)を示している。PCB1上にバウンダリスキャン対
応の複数の半導体デバイス2a〜2cがはめ込まれてい
る。バウンダリスキャン対応の半導体デバイス2a〜2
cは、本来の機能を作り込んだコア回路3を内部に備え
ており、コア回路3の入出力端とデバイス自体の入出力
ピン4とを結ぶ線路上に個々の入出力ピン4に対応して
複数のレジスタ5を設けている。FIG. 9 shows a printed circuit board (PC) on which a semiconductor device having cells for boundary scan is mounted.
B) is shown. A plurality of semiconductor devices 2a to 2c corresponding to the boundary scan are fitted on the PCB 1. Semiconductor devices 2a to 2 compatible with boundary scan
c has a core circuit 3 having an original function built therein, and corresponds to each input / output pin 4 on a line connecting the input / output end of the core circuit 3 and the input / output pin 4 of the device itself. Thus, a plurality of registers 5 are provided.
【0004】各半導体デバイス2a〜2cに接続したバ
ウンダリスキャン用コントローラ6から半導体デバイス
2a〜2c内の命令レジスタ7へ命令をセットし、その
命令にしたがって半導体デバイス2a〜2cの内部コン
トローラ8がバウンダリスキャンテスト用のデータを各
レジスタ5にセットする。An instruction is set from a boundary scan controller 6 connected to each of the semiconductor devices 2a to 2c to an instruction register 7 in the semiconductor device 2a to 2c, and the internal controller 8 of the semiconductor device 2a to 2c follows the instruction. Test data is set in each register 5.
【0005】例えば、半導体デバイス2aと2bとの間
を繋ぐネット10をテストする場合であれば、半導体デ
バイス2aの命令レジスタ7aへ命令をセットし、その
命令にしたがってネット10の入出力ピンに対応した各
レジスタにテスト用データをセットする。一方で、半導
体デバイス2bの命令用レジスタ7bに命令をセットし
て内部コントローラ8bに半導体デバイス2aのレジス
タから上記テスト用データを取り込んで半導体デバイス
2bの対応するレジスタに保持させる。半導体デバイス
2bのレジスタに保持したテスト用データを転送用のレ
ジスタ9bに書き込んでバウンダリスキャン用コントロ
ーラ6へ転送する。バウンダリスキャン用コントローラ
6に取り込んだテスト用データをチェックすることによ
り半導体デバイス2aと2bとの間を繋ぐネット10が
正常かどうか判定することができる。For example, when testing the net 10 connecting the semiconductor devices 2a and 2b, an instruction is set in an instruction register 7a of the semiconductor device 2a, and the instruction corresponding to the input / output pins of the net 10 is set according to the instruction. The test data is set in each of the registered registers. On the other hand, an instruction is set in the instruction register 7b of the semiconductor device 2b, and the internal controller 8b fetches the test data from the register of the semiconductor device 2a and stores it in the corresponding register of the semiconductor device 2b. The test data held in the register of the semiconductor device 2b is written to the transfer register 9b and transferred to the boundary scan controller 6. By checking the test data taken into the boundary scan controller 6, it can be determined whether the net 10 connecting the semiconductor devices 2a and 2b is normal.
【0006】PCB1上に実装した複数の半導体デバイ
ス2a〜2c間で回路機能に応じてネットが形成されて
いるので、バウンダリスキャン用コントローラ6の管理
下で各ネットのインターコネクトテストまたはクラスタ
ーテストを順次実行することにより(スキャンチェーン
の形成)、半導体デバイス2a〜2c間の接続をテスト
することができる。Since a plurality of semiconductor devices 2a to 2c mounted on the PCB 1 form nets according to circuit functions, an interconnect test or a cluster test of each net is sequentially executed under the control of the boundary scan controller 6. Then, the connection between the semiconductor devices 2a to 2c can be tested.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たバウンダリスキャンテストはバウンダリスキャン用の
セルを持った半導体デバイス間を繋ぐネットに限定され
るので、PCB1上に実装した半導体デバイスであって
もバウンダリスキャン非対応(バウンダリスキャン用の
セルを持たない意)のデバイスとの間を繋ぐネットにつ
いては別の方法でテストしなければならなかった。However, since the above-described boundary scan test is limited to a net connecting semiconductor devices having cells for boundary scan, even if the semiconductor device is mounted on the PCB 1, the boundary scan test is performed. The nets connecting to non-compliant (no boundary scan cells) devices had to be tested differently.
【0008】本発明は、以上のような実情に鑑みてなさ
れたもので、バウンダリスキャン非対応のデバイスとの
間を繋ぐネットであってもスキャンチェーンの一部に組
み込むことができ、バウンダリスキャン非対応のデバイ
スにまでテスト領域を拡大できるバウンダリスキャンテ
スト方法及び装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above situation, and can be incorporated in a part of a scan chain even if the net is connected to a device that does not support boundary scan. An object of the present invention is to provide a boundary scan test method and apparatus capable of expanding a test area to a corresponding device.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために以下のような手段を講じた。本発明は、バ
ウンダリスキャン用のセルを備えたスキャン対応の半導
体デバイスとバウンダリスキャンに対応していないスキ
ャン非対応の半導体デバイスとが実装され、前記スキャ
ン対応半導体デバイスと前記スキャン非対応半導体デバ
イスとの間を接続ラインを介して電気的に接続する被試
験用基板において前記スキャン対応半導体デバイスと前
記スキャン非対応半導体デバイスとの間の接続ラインを
バウンダリスキャン方式でテストする方法であり、前記
スキャン対応半導体デバイスのテストアクセスポートを
制御して、前記スキャン非対応半導体デバイスにテスト
パターンデータを与え、当該スキャン非対応半導体デバ
イスから前記テストパターン自体または前記テストパタ
ーンに対して予め決められている出力パターンを前記接
続ラインを通して前記スキャン対応半導体デバイスに取
り込み、その後、このスキャン対応半導体デバイスのバ
ウンダリスキャンを実行することにより前記接続ライン
をテストする。In order to achieve the above object, the present invention takes the following measures. According to the present invention, a scan-compatible semiconductor device including a cell for boundary scan and a non-scan-compatible semiconductor device not supporting boundary scan are mounted, and the scan-compatible semiconductor device and the non-scan-compatible semiconductor device are mounted. A method of testing a connection line between the scan-compatible semiconductor device and the non-scan-compatible semiconductor device by a boundary scan method on a substrate under test electrically connected between the scan-compatible semiconductor devices. Controlling a test access port of the device to give test pattern data to the scan-incompatible semiconductor device, and output a predetermined output pattern from the scan-incompatible semiconductor device to the test pattern itself or the test pattern; Connection la Uptake to the scan corresponding semiconductor device through emissions, then testing the connection line by executing a boundary scan of the scan corresponding semiconductor device.
【0010】スキャン非対応半導体デバイスであって
も、テストパターンデータの書込み、そのテストパター
ン自体またはテストパターンに対して予め決められてい
る出力パターンの取り出しは可能であるので、スキャン
非対応半導体デバイスからスキャン対応半導体デバイス
に取り込んだテストパターン自体または出力パターンを
バウンダリスキャンによって収集してチェックすれば結
果としてスキャン対応半導体デバイスとスキャン非対応
半導体デバイスとの間の接続ラインをチェックしたこと
になる。[0010] Even in a non-scan-compatible semiconductor device, it is possible to write test pattern data and to extract an output pattern predetermined for the test pattern itself or the test pattern. If the test pattern itself or the output pattern taken into the scan-compatible semiconductor device is collected and checked by the boundary scan, as a result, the connection line between the scan-compatible semiconductor device and the non-scan-compatible semiconductor device is checked.
【0011】本発明は、被試験用基板に実装された複数
のスキャン対応半導体デバイス全体に対するバウンダリ
スキャンと前記スキャン非対応半導体デバイスに対して
接続ラインを介して接続されたスキャン対応半導体デバ
イス単体のバウンダリスキャンとを別々のテストアクセ
スポートを制御することにより実行し、前記スキャン非
対応半導体デバイスからスキャン対応半導体デバイスに
取り込んだテストパターンまたは出力パターンを前記ス
キャン対応半導体デバイス全体に対するバウンダリスキ
ャンで当該スキャン対応半導体デバイスが対象となった
ときテスト結果情報として収集する。The present invention relates to a boundary scan of a plurality of scan-compatible semiconductor devices mounted on a substrate under test and a boundary of a single scan-compatible semiconductor device connected via a connection line to the non-scan-compatible semiconductor device. Scan and scan control by controlling separate test access ports, and a test pattern or an output pattern taken into the scan-compatible semiconductor device from the non-scan-compatible semiconductor device by a boundary scan of the entire scan-compatible semiconductor device. Collect as test result information when a device is targeted.
【0012】本発明は、バウンダリスキャン用のセルを
備えたスキャン対応の半導体デバイスとバウンダリスキ
ャンに対応していないスキャン非対応の半導体デバイス
とが実装され、前記スキャン対応半導体デバイスと前記
スキャン非対応半導体デバイスとの間を接続ラインを介
して電気的に接続する被試験用基板において前記スキャ
ン対応半導体デバイスと前記スキャン非対応半導体デバ
イスとの間の接続ラインをバウンダリスキャン方式でテ
ストする方法であり、前記スキャン対応半導体デバイス
をバウンダリスキャンするコントローラから前記スキャ
ン対応半導体デバイスを制御して、前記スキャン非対応
半導体デバイスにテストパターンデータを与えると共
に、当該スキャン非対応半導体デバイスから前記テスト
パターン自体または前記テストパターンに対して予め決
められている出力パターンを前記接続ラインを通して前
記スキャン対応半導体デバイスに取り込み、その後、こ
のスキャン対応半導体デバイスのバウンダリスキャンを
実行することにより前記接続ラインをテストする。According to the present invention, a scan-compatible semiconductor device provided with a boundary scan cell and a non-scan-compatible semiconductor device not supporting the boundary scan are mounted, and the scan-compatible semiconductor device and the scan-non-compliant semiconductor device are mounted. A method of testing a connection line between the scan-capable semiconductor device and the non-scan-capable semiconductor device by a boundary scan method on a substrate under test electrically connected to a device via a connection line, Controlling the scan-compatible semiconductor device from a controller that performs a boundary scan of the scan-compatible semiconductor device, and applying test pattern data to the non-scan-compatible semiconductor device, and the test pattern itself or the test pattern from the non-scan-compatible semiconductor device. An output pattern that is predetermined for serial test pattern uptake to the scan corresponding semiconductor device through said connection line, then testing the connection line by executing a boundary scan of the scan corresponding semiconductor device.
【0013】本発明は、被試験用基板に実装された複数
のスキャン対応半導体デバイス全体に対するバウンダリ
スキャンをテストアクセスポートを制御することにより
実行し、前記コントローラからの制御によりスキャン非
対応半導体デバイスからスキャン対応半導体デバイスに
前記テストパターンまたは出力パターンを取り込み、こ
のテストパターンまたは出力パターンを前記スキャン対
応半導体デバイス全体に対するバウンダリスキャンで当
該スキャン対応半導体デバイスが対象となったときテス
ト結果情報として収集する。According to the present invention, a boundary scan of a plurality of scan-compatible semiconductor devices mounted on a substrate under test is executed by controlling a test access port, and a scan is performed from a scan-incompatible semiconductor device by control of the controller. The test pattern or the output pattern is fetched into a corresponding semiconductor device, and the test pattern or the output pattern is collected as test result information when the scan-compatible semiconductor device is targeted by a boundary scan of the entire scan-compatible semiconductor device.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。 (第1の実施の形態)図1には本発明の第1の実施の形
態を示している。被試験用のPCB11に実装された半
導体デバイスには、複数のバウンダリスキャン対応の半
導体デバイス12−1〜12−n(メモリ制御用デバイ
ス13を含む)と、バウンダリスキャン非対応でメモリ
制御用デバイス13から書込み/読出しが制御されるメ
モリ14とが混在している。バウンダリスキャン対応の
各半導体デバイス12−1〜12−nでメインのバウン
ダリスキャンチェーン(メインスキャンチェーン)を形
成する。Embodiments of the present invention will be described below. (First Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention. The semiconductor devices mounted on the PCB under test 11 include a plurality of semiconductor devices 12-1 to 12-n that support boundary scan (including the memory control device 13) and a memory control device 13 that does not support boundary scan. And a memory 14 whose writing / reading is controlled from the memory. Each of the semiconductor devices 12-1 to 12-n corresponding to the boundary scan forms a main boundary scan chain (main scan chain).
【0015】半導体デバイス12−1〜12−n及びバ
ウンダリスキャン非対応メモリ14を繋ぐ各ネットをテ
ストするため制御用CPU15が制御コードを生成して
バウンダリスキャンコントローラ16へ与える。バウン
ダリスキャンコントローラ16は制御用CPU15より
送られた制御コードからスキャン信号、クロックなどを
生成してテストアクセスポート(TAP)17又は18
を制御する。The control CPU 15 generates a control code to test each net connecting the semiconductor devices 12-1 to 12-n and the memory 14 not supporting boundary scan and supplies the control code to the boundary scan controller 16. The boundary scan controller 16 generates a scan signal, a clock, and the like from the control code sent from the control CPU 15 to generate a test access port (TAP) 17 or 18.
Control.
【0016】一方のテストアクセスポート17は、バウ
ンダリスキャン対応の各半導体デバイス12−1〜12
−nでメインスキャンチェーンを形成するメインスキャ
ンチェーンブロック19へスキャン信号を送出してメイ
ンスキャンチェーンのバウンダリスキャン制御を行うの
に用いられる。もう一方のテストアクセスポート18
は、メモリ制御用デバイス13とバウンダリスキャン非
対応メモリ14との間を繋ぐネットをテストするために
メモリ制御用デバイス13をメインスキャンチェーンか
ら独立して制御を行うのに用いられる。メモリ制御用デ
バイス13はメモリ14に接続される入出力ピンに対応
して設けられたレジスタ20−1〜20−mにセットし
たテスト用データをメモリ制御信号にしたがってバウン
ダリスキャン非対応のメモリ14との間でやり取りす
る。One test access port 17 is connected to each of the semiconductor devices 12-1 to 12-12 corresponding to the boundary scan.
The scan signal is sent to the main scan chain block 19 forming the main scan chain at -n to control the boundary scan of the main scan chain. The other test access port 18
Is used to control the memory control device 13 independently of the main scan chain in order to test a net connecting the memory control device 13 and the memory 14 not supporting boundary scan. The memory control device 13 transmits the test data set in the registers 20-1 to 20-m provided corresponding to the input / output pins connected to the memory 14 according to the memory control signal to the memory 14 not supporting boundary scan. Interact between
【0017】テストアクセスポート17とメインスキャ
ンチェーンブロック19とはバウンダリスキャン制御信
号ライン21で接続され、テストアクセスポート18と
メモリ制御用デバイス13とはバウンダリスキャン制御
信号ライン22で接続されている。これらバウンダリス
キャン制御信号ライン21,22は、テストクロック
(TCLK)、テストモードセット(TMS)、テスト
データインプット(TDI)、テストデータアウトプッ
ト(TDO)の各ラインで構成される。The test access port 17 and the main scan chain block 19 are connected by a boundary scan control signal line 21, and the test access port 18 and the memory control device 13 are connected by a boundary scan control signal line 22. These boundary scan control signal lines 21 and 22 are composed of test clock (TCLK), test mode set (TMS), test data input (TDI), and test data output (TDO) lines.
【0018】次に、上記被試験用のPCB11に実装し
た半導体デバイス12−1〜12−n及びバウンダリス
キャン非対応のメモリ14についてのバウンダリスキャ
ンテストの詳細について説明する。Next, the details of the boundary scan test for the semiconductor devices 12-1 to 12-n mounted on the PCB 11 to be tested and the memory 14 that does not support boundary scan will be described.
【0019】図2はバウンダリスキャンテスト全体の処
理のフローチャートである。制御用CPU15からバウ
ンダリスキャンコントローラ16に制御コードを与え
る。バウンダリスキャンコントローラ16が制御コード
にしたがって生成したスキャン信号でテストアクセスポ
ート18を制御してメモリ制御用デバイス13のバウン
ダリスキャンセルにテスト用データを書込み、そのテス
ト用データをバウンダリスキャン非対応メモリ14との
間を繋ぐネットを通してバウンダリスキャン非対応メモ
リ14の所定アドレスへ書込む。FIG. 2 is a flowchart of the entire process of the boundary scan test. A control code is provided from the control CPU 15 to the boundary scan controller 16. The scan data generated by the boundary scan controller 16 according to the control code controls the test access port 18 to write test data to the boundary scan cell of the memory control device 13, and stores the test data in the boundary scan non-compatible memory 14. The data is written to a predetermined address of the boundary scan non-compliant memory 14 through a network connecting between.
【0020】図3にバウンダリスキャン非対応メモリ1
4へテスト用データを書込むときの信号状態が示されて
いる。テストアクセスポート18からメモリ制御用デバ
イス13に信号を与える制御ライン22のTDIにてテ
スト用データを入力し、TMSにてテスト用データの書
込み命令を入力している。FIG. 3 shows a memory 1 not supporting boundary scan.
4 shows a signal state when the test data is written to No. 4. The test data is input by the TDI of the control line 22 for giving a signal from the test access port 18 to the memory control device 13, and the test data write command is input by the TMS.
【0021】このとき、バウンダリスキャンコントロー
ラ16がもう一方のテストアクセスポート17の制御信
号ライン21のTMS、TCLKの状態がHレベルに維
持されるように制御する。これにより、ポート選択部2
3のANDゲートを介してテストアクセスポート18か
らTMSで送られてくる命令及びTCLKで送られてく
るクロックがメモリ制御用デバイス13へ与えられる。
また、もう一方のテストアクセスポート17の制御信号
ライン21のTDIをLレベル(入力データのない状
態)に維持することにより、ポート選択部24のORゲ
ートを介してテストアクセスポート18からTDIで送
られてくるテスト用データがメモリ制御用デバイス13
へ与えられる。At this time, the boundary scan controller 16 controls so that the states of TMS and TCLK on the control signal line 21 of the other test access port 17 are maintained at the H level. Thereby, the port selection unit 2
The command transmitted by TMS and the clock transmitted by TCLK from the test access port 18 via the AND gate of No. 3 are supplied to the memory control device 13.
Also, by maintaining the TDI of the control signal line 21 of the other test access port 17 at L level (a state without input data), the TDI is transmitted from the test access port 18 via the OR gate of the port selection unit 24 by TDI. The received test data is stored in the memory control device 13.
Given to.
【0022】メモリ制御用デバイス13はテストアクセ
スポート18からの命令を受けてテスト用データをバウ
ンダリスキャンセルであるレジスタ20−1〜2−mに
セットし、メモリ制御信号でバウンダリスキャン非対応
メモリ14を制御して当該テスト用データをバウンダリ
スキャン非対応メモリ14へ書込む。The memory control device 13 receives a command from the test access port 18 and sets test data in the registers 20-1 to 2-m, which are boundary scan cells. And writes the test data to the memory 14 not supporting boundary scan.
【0023】なお、図3にはテストアクセスポート18
からTDIを介してメモリ制御用デバイス13に入力し
たテスト用データが、メモリ制御用デバイス13のバウ
ンダリスキャンに用いられた後、TDOを介してテスト
アクセスポート18へ戻ることが示されている。メモリ
制御用デバイス13についてだけバウンダリスキャンテ
ストを実施する場合には、図3に示すようにバウンダリ
スキャンに用いられたテスト用データをメモリ制御用デ
バイス13からTDOを介してテストアクセスポート1
8へ戻す。FIG. 3 shows the test access port 18.
, The test data input to the memory control device 13 via the TDI is used for the boundary scan of the memory control device 13, and then returns to the test access port 18 via the TDO. When the boundary scan test is performed only on the memory control device 13, as shown in FIG. 3, the test data used for the boundary scan is transferred from the memory control device 13 to the test access port 1 via the TDO.
Return to 8.
【0024】テストアクセスポート18からの制御でバ
ウンダリスキャン非対応メモリ14へテスト用データを
書込んだならば、バウンダリスキャンコントローラ16
からテストアクセスポート17にスキャン信号等を与え
てメインスキャンチェーンのバウンダリスキャンテスト
を実施する。When the test data is written into the memory 14 not supporting the boundary scan under the control of the test access port 18, the boundary scan controller 16
To a test access port 17 to perform a boundary scan test of the main scan chain.
【0025】図4はメインスキャンチェーンのバウンダ
リスキャンテストを実施したときの信号状態を示してい
る。メインスキャンチェーンブロック19を形成する個
々の半導体デバイス12−1〜12−nに対してテスト
アクセスポート17からバウンダリスキャン制御信号ラ
イン21を介して命令(TMS)、テスト用データ(T
DI)、クロック(TCLK)が与えられる。個々の半
導体デバイス12−1〜12−nについてのバウンダリ
スキャンテストは前述した通りである。FIG. 4 shows signal states when a boundary scan test of the main scan chain is performed. Instructions (TMS) and test data (T) from the test access port 17 to the individual semiconductor devices 12-1 to 12-n forming the main scan chain block 19 via the boundary scan control signal line 21.
DI) and a clock (TCLK). The boundary scan test for each of the semiconductor devices 12-1 to 12-n is as described above.
【0026】ここで、メモリ制御用デバイス13はバウ
ンダリスキャン非対応メモリ14との間を繋ぐネットを
テストするため、前述した書込み処理でメモリ14に書
込んだテスト用データを読み出してレジスタ20−1〜
20−nに保持する。そして、レジスタ20−1〜20
−nに保持したテスト用データを前述したバウンダリス
キャンテストと同様にメモリ制御用デバイス13の転送
レジスタに書込む。メモリ制御用デバイス13にバウン
ダリスキャン非対応メモリ14から読み込んだテスト用
データは、メモリ制御用デバイス13のスキャン時にT
DOを介してテストアクセスポート17へ転送する。Here, the memory control device 13 reads out the test data written in the memory 14 in the above-described write processing and tests the net connected to the non-boundary scan non-compatible memory 14 to register 20-1. ~
20-n. Then, the registers 20-1 to 20
The test data held at −n is written to the transfer register of the memory control device 13 in the same manner as in the above-described boundary scan test. The test data read from the memory 14 that does not support boundary scan into the memory control device 13
Transfer to the test access port 17 via DO.
【0027】メモリ制御用デバイス13とバウンダリス
キャン非対応メモリ14との間を繋ぐネットを往復した
テスト用データをテストアクセスポート17から取り込
んで当該ネットの健全性を他のネットと同様にチェック
する。The test data that has reciprocated on the net connecting the memory control device 13 and the memory 14 not supporting boundary scan is taken in from the test access port 17 and the soundness of the net is checked in the same manner as the other nets.
【0028】また、スキャンの途中でメモリ制御用デバ
イス13とバウンダリスキャン非対応メモリ14との間
を繋ぐネットを検証するテスト用データを書き換える必
要がある場合は、図3に示すような信号状態に変化させ
てメモリ制御用デバイス13に新しいテスト用データを
与えてバウンダリスキャン非対応メモリ14への書込み
を命令する。このようにバウンダリスキャン非対応メモ
リ14へ書込むテスト用データを変化させてスキャンす
ることにより、複数のテストパターンでのチェックが可
能になる。If it is necessary to rewrite the test data for verifying the net connecting the memory control device 13 and the memory 14 not supporting boundary scan during the scan, the signal state as shown in FIG. By changing the data, the new test data is given to the memory control device 13 to instruct the memory control device 13 to write to the memory 14 not supporting boundary scan. In this way, by changing the test data to be written to the non-boundary scan-compatible memory 14 and performing scanning, it is possible to check a plurality of test patterns.
【0029】また、メモリ制御用デバイス13からバウ
ンダリスキャン非対応メモリ14にテスト用データを書
き込むのではなく、バウンダリスキャン非対応メモリ1
4をリフレッシュし、当該リフレッシュ後のバウンダリ
スキャン非対応メモリ14に対してメモリ制御用デバイ
ス13からデータ読み出しを掛けてメモリ制御用デバイ
ス13のスキャン時にTDOを介してテストアクセスポ
ート17へ転送する。リフレッシュ後のバウンダリスキ
ャン非対応メモリ14の記憶内容は「データ無し」の状
態であるので、リフレッシュ後にテストアクセスポート
17へ転送されたデータが「データ無し」の状態であれ
ばメモリ制御用デバイス13とバウンダリスキャン非対
応メモリ14とを繋ぐネットが健全であると判定する。Further, instead of writing the test data from the memory control device 13 to the memory 14 not supporting boundary scan, the memory 1 not supporting boundary scan 1
4 is refreshed, data is read from the memory control device 13 to the boundary scan non-compliant memory 14 after the refresh, and the data is transferred to the test access port 17 via the TDO when the memory control device 13 scans. Since the memory content of the boundary scan non-compliant memory 14 after the refresh is in the "no data" state, if the data transferred to the test access port 17 after the refresh is in the "no data" state, the memory control device 13 It is determined that the net connecting the boundary scan non-compliant memory 14 is sound.
【0030】このような実施の形態によれば、メインス
キャンチェーンブロック19に対するバウンダリスキャ
ンテストを制御するテストアクセスポート17と、バウ
ンダリスキャン非対応の半導体デバイス14を制御しメ
インスキャンチェーンブロック19に含まれる制御デバ
イス13を制御するテストアクセスポート18とを備え
たので、バウンダリスキャン非対応の半導体デバイス1
4との間を繋ぐネットについてまでバウンダリスキャン
テストを行うことができる。According to such an embodiment, the test access port 17 for controlling the boundary scan test for the main scan chain block 19 and the semiconductor device 14 that does not support the boundary scan are included in the main scan chain block 19. Since the semiconductor device 1 includes the test access port 18 for controlling the control device 13, the semiconductor device 1 does not support the boundary scan.
Boundary scan test can be performed up to the net connecting to the network 4.
【0031】(第2の実施の形態)メインスキャンチェ
ーンブロックとバウンダリスキャン非対応の半導体デバ
イスとに対応して各々設けたテストアクセスポートのう
ちバウンダリスキャン非対応の半導体デバイスのテスト
アクセスポートに代えてそれと同等の機能を持ったコン
トローラを被試験用のPCB側に持たせる。(Second Embodiment) Of the test access ports provided respectively corresponding to the main scan chain block and the semiconductor device that does not support boundary scan, the test access port of the semiconductor device that does not support boundary scan is used. A controller having the same function is provided on the PCB under test.
【0032】図5は本発明の第2の実施の形態を示して
いる。被試験用のPCB30に実装された半導体デバイ
スには、複数のバウンダリスキャン対応の半導体デバイ
ス12−1〜12−n(メモリ制御用デバイス13を含
む)と、バウンダリスキャン非対応でメモリ制御用デバ
イス13から書込み/読出しが制御されるメモリ14と
が混在している。さらに、メモリ制御用デバイス13に
メモリ14への書込み/読み出しを制御するコントロー
ラ31がPCB30に実装されている。FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention. The semiconductor devices mounted on the PCB under test 30 include a plurality of semiconductor devices 12-1 to 12-n that support boundary scan (including the memory control device 13) and a memory control device 13 that does not support boundary scan. And a memory 14 whose writing / reading is controlled from the memory. Further, a controller 31 for controlling writing / reading to / from the memory 14 in the memory control device 13 is mounted on the PCB 30.
【0033】コントローラ31が、TCLK,TMS,
TDO,TDIの制御信号ラインを介してメモリ制御用
デバイス13を制御するのは第1の実施の形態における
テストアクセスポート18と同じであるが、メインスキ
ャン途中での書込み/リフレッシュのタイミングはバウ
ンダリスキャンコントローラ32から与えられるのでは
なく自身で判断する。すなわち、メインスキャンチェー
ンブロック19を制御するテストアクセスポート17の
TMSをモニタすることによりバウンダリスキャン非対
応メモリ14への書込み/読出しのタイミングを取得す
る。また、バウンダリスキャンの途中でメモリ14のリ
フレッシュが必要なときはバウンダリスキャンコントロ
ーラ32に対して割り込みを出してスキャンを停止させ
る。The controller 31 controls TCLK, TMS,
The control of the memory control device 13 through the control signal lines of TDO and TDI is the same as that of the test access port 18 in the first embodiment, but the timing of writing / refreshing during the main scan is the boundary scan. It is not determined by the controller 32 but determined by itself. That is, by monitoring the TMS of the test access port 17 that controls the main scan chain block 19, the timing of writing / reading to / from the memory 14 not supporting boundary scan is acquired. If the memory 14 needs to be refreshed during the boundary scan, an interrupt is issued to the boundary scan controller 32 to stop the scan.
【0034】次に、上記被試験用のPCB30に実装し
た半導体デバイス12−1〜12−n及びバウンダリス
キャン非対応のメモリ14についてのバウンダリスキャ
ンテストの詳細について説明する。Next, the details of the boundary scan test for the semiconductor devices 12-1 to 12-n and the memory 14 not compatible with the boundary scan mounted on the PCB under test 30 will be described.
【0035】図6はバウンダリスキャンテスト全体の処
理のフローチャートである。制御用CPU15からスキ
ャンコントローラ32へ制御コードを与えてコントロー
ラ31からメモリ制御デバイス13にテスト用データを
入力してバウンダリスキャン非対応メモリ14にそのテ
スト用データを書込む初期設定処理を実施する。FIG. 6 is a flowchart of the entire process of the boundary scan test. The control CPU 15 supplies a control code to the scan controller 32, inputs test data from the controller 31 to the memory control device 13, and performs an initial setting process of writing the test data to the boundary scan non-compliant memory 14.
【0036】図7はバウンダリスキャン非対応メモリ1
4へテスト用データを書込むときの信号状態が示されて
いる。コントローラ31は、メモリ制御用デバイス13
に対してTDIの信号をORゲート24を介して入力
し、かつ、TMS及びTCLKの信号を入力ポート選択
部23のANDゲートを介して入力する。FIG. 7 shows a memory 1 not supporting boundary scan.
4 shows a signal state when the test data is written to No. 4. The controller 31 includes the memory control device 13
, A TDI signal is input through an OR gate 24, and a TMS and TCLK signal are input through an AND gate of the input port selection unit 23.
【0037】メモリ制御用デバイス13はコントローラ
31から入力するメモリ制御信号(TMS,TCLK,
TDIの各信号)に基づいてテスト用データをバウンダ
リスキャンセルにセットとしてバウンダリスキャン非対
応メモリ14に書込むことで初期設定を終了する。初期
設定が完了すると、コントローラ31からバウンダリス
キャンコントローラ32へ初期設定完了の通知を出す。The memory control device 13 receives a memory control signal (TMS, TCLK,
The initial setting is completed by writing the test data to the boundary scan non-compliant memory 14 as a set in the boundary scan cell based on the TDI signals). When the initialization is completed, the controller 31 sends a notification of the completion of the initialization to the boundary scan controller 32.
【0038】コントローラ31からの通知でバウンダリ
スキャン非対応メモリ14へテスト用データを書込んだ
ことを確認したバウンダリスキャンコントローラ32
は、テストアクセスポート17にスキャン信号等を与え
てメインスキャンチェーンのバウンダリスキャンテスト
を実施する。The boundary scan controller 32 confirms that the test data has been written to the memory 14 not supporting boundary scan by a notification from the controller 31.
Supplies a scan signal or the like to the test access port 17 to perform a boundary scan test of the main scan chain.
【0039】図8はメインスキャンチェーンのバウンダ
リスキャンテストを実施したときの信号状態を示してい
る。メインスキャンチェーンブロック19を形成する個
々の半導体デバイス12−1〜12−nに対してテスト
アクセスポート17からバウンダリスキャン制御信号ラ
イン21を介して命令(TMS)、テスト用データ(T
DI)、クロック(TCLK)が与えられる。個々の半
導体デバイス12−1〜12−nについてのバウンダリ
スキャンテストは前述した通りである。FIG. 8 shows signal states when a boundary scan test of the main scan chain is performed. Instructions (TMS) and test data (T) from the test access port 17 to the individual semiconductor devices 12-1 to 12-n forming the main scan chain block 19 via the boundary scan control signal line 21.
DI) and a clock (TCLK). The boundary scan test for each of the semiconductor devices 12-1 to 12-n is as described above.
【0040】1回のバウンダリスキャンが終了するごと
に、コントローラ31がバウンダリスキャン非対応メモ
リ14へ新たなテスト用データの書込みを行う。そのと
きのタイミングはテストアクセスポート17から出力さ
れるTMSのSAMPLE/PRELOAD信号をモニ
タして取得する。Each time one boundary scan is completed, the controller 31 writes new test data into the memory 14 not supporting boundary scan. The timing at that time is obtained by monitoring the SAMPLE / PRELOAD signal of TMS output from the test access port 17.
【0041】また、メインスキャンの途中でバウンダリ
スキャン非対応メモリ14のリフレッシュが必要な時
は、コントローラ31からバウンダリスキャンコントロ
ーラ32に割り込み信号を出してスキャンを中断させ
る。メモリ14のリフレッシュ後に再びテストアクセス
ポート17からメインスキャンチェーンブロック19の
バウンダリスキャンを行う。When refresh of the memory 14 not supporting boundary scan is required during the main scan, the controller 31 issues an interrupt signal to the boundary scan controller 32 to interrupt the scan. After the memory 14 is refreshed, the boundary scan of the main scan chain block 19 is performed again from the test access port 17.
【0042】なお、図7に示すようにメモリ制御用デバ
イス13とバウンダリスキャン非対応メモリ14との間
を繋ぐネットを含んでメモリ制御用デバイス13のスキ
ャンを単独で実施してTDOからコントローラ31にス
キャン結果を転送しても良い。As shown in FIG. 7, a scan of the memory control device 13 including a net connecting the memory control device 13 and the boundary scan non-compatible memory 14 is independently performed, and the TDO is sent to the controller 31 from the TDO. The scan result may be transferred.
【0043】このような実施の形態によれば、第1の実
施の形態と同様にメモリ制御用デバイス13とバウンダ
リスキャン非対応メモリ14との間を繋ぐネットについ
てのバウンダリスキャンテストを実施することができ
る。According to such an embodiment, similarly to the first embodiment, it is possible to execute a boundary scan test on a net connecting between the memory control device 13 and the boundary scan non-compliant memory 14. it can.
【0044】以上の説明では、バウンダリスキャン非対
応の半導体デバイスとしてメモリを例に挙げたが、メモ
リ以外の素子であってもよい。例えば、バウンダリスキ
ャン対応の半導体デバイスから所定パターンのデータを
与えると決まったデータパターンを出力するようなもの
にも適用できる。本発明は上記実施形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変
形実施可能である。In the above description, a memory is taken as an example of a semiconductor device that does not support boundary scan, but an element other than a memory may be used. For example, the present invention can be applied to a device that outputs a data pattern determined to be given a predetermined pattern of data from a semiconductor device that supports boundary scan. The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
【0045】[0045]
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、バ
ウンダリスキャン非対応のデバイスとの間を繋ぐネット
であってもスキャンチェーンの一部に組み込むことがで
き、バウンダリスキャン非対応のデバイスにまでテスト
領域を拡大できるバウンダリスキャンテスト方法を提供
できる。As described above in detail, according to the present invention, even a net connecting to a device which does not support boundary scan can be incorporated in a part of the scan chain, and a device which does not support boundary scan. The present invention can provide a boundary scan test method capable of expanding the test area up to.
【図1】本発明の第1の実施の形態の全体構成図であ
る。FIG. 1 is an overall configuration diagram of a first embodiment of the present invention.
【図2】第1の実施の形態でのバウンダリスキャンテス
トのフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart of a boundary scan test according to the first embodiment.
【図3】第1の実施の形態でメモリへテスト用データを
書込むときの信号状態図である。FIG. 3 is a signal state diagram when writing test data to a memory according to the first embodiment;
【図4】第1の実施の形態でメインスキャンチェーンを
実行したときの信号状態図である。FIG. 4 is a signal state diagram when a main scan chain is executed in the first embodiment.
【図5】本発明の第2の実施の形態の全体構成図であ
る。FIG. 5 is an overall configuration diagram of a second embodiment of the present invention.
【図6】第2の実施の形態でのバウンダリスキャンテス
トのフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart of a boundary scan test according to the second embodiment.
【図7】第2の実施の形態でメモリへテスト用データを
書込むときの信号状態図である。FIG. 7 is a signal state diagram when writing test data to a memory according to the second embodiment.
【図8】第2の実施の形態でメインスキャンチェーンを
実行したときの信号状態図である。FIG. 8 is a signal state diagram when a main scan chain is executed in the second embodiment.
【図9】従来のバウンダリスキャンセルを備えたPCB
の平面図である。FIG. 9: Conventional PCB with boundary scan cell
FIG.
11…被試験用PCB 12−1〜12−n…バウンダリスキャン対応の半導体
デバイス 13…メモリ制御用デバイス 14…バウンダリスキャン非対応メモリ 15…制御用CPU 16…バウンダリスキャンコントローラ 17、18…テストアクセスポート 19…メインスキャンチェーンブロック 21,22…バウンダリスキャン制御信号ラインDESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... PCB under test 12-1-12-n ... Semiconductor device corresponding to boundary scan 13 ... Memory control device 14 ... Non-boundary scan compatible memory 15 ... Control CPU 16 ... Boundary scan controller 17, 18 ... Test access port 19: Main scan chain block 21, 22 ... Boundary scan control signal line
Claims (4)
キャン対応の半導体デバイスとバウンダリスキャンに対
応していないスキャン非対応の半導体デバイスとが実装
され、前記スキャン対応半導体デバイスと前記スキャン
非対応半導体デバイスとの間を接続ラインを介して電気
的に接続する被試験用基板において前記スキャン対応半
導体デバイスと前記スキャン非対応半導体デバイスとの
間の接続ラインをバウンダリスキャン方式でテストする
方法であり、 前記スキャン対応半導体デバイスのテストアクセスポー
トを制御して、前記スキャン非対応半導体デバイスにテ
ストパターンデータを与えると共に、当該スキャン非対
応半導体デバイスから前記テストパターン自体または前
記テストパターンに対して予め決められている出力パタ
ーンを前記接続ラインを通して前記スキャン対応半導体
デバイスに取り込み、その後、このスキャン対応半導体
デバイスのバウンダリスキャンを実行することにより前
記接続ラインをテストすることを特徴とするバウンダリ
スキャンテスト方法。A scan-compatible semiconductor device including cells for boundary scan and a scan-non-compliant semiconductor device not supporting boundary-scan are mounted, and the scan-compatible semiconductor device and the scan-non-compliant semiconductor device are provided. A method of testing a connection line between the scan-compatible semiconductor device and the non-scan-compatible semiconductor device by a boundary scan method on a substrate under test electrically connected between the scan-compatible semiconductor device and the scan-compatible semiconductor device. A test access port of the semiconductor device is controlled to supply test pattern data to the scan-incompatible semiconductor device, and an output pattern predetermined for the test pattern itself or the test pattern from the scan-incompatible semiconductor device. Uptake to the scan corresponding semiconductor device through said connection line, then the boundary scan test method characterized by testing the connection line by executing a boundary scan of the scan corresponding semiconductor device.
ト方法において、 被試験用基板に実装された複数のスキャン対応半導体デ
バイス全体に対するバウンダリスキャンと前記スキャン
非対応半導体デバイスに対して接続ラインを介して接続
されたスキャン対応半導体デバイス単体のバウンダリス
キャンとを別々のテストアクセスポートを制御すること
により実行し、前記スキャン非対応半導体デバイスから
スキャン対応半導体デバイスに取り込んだテストパター
ンまたは出力パターンを前記スキャン対応半導体デバイ
ス全体に対するバウンダリスキャンで当該スキャン対応
半導体デバイスが対象となったときテスト結果情報とし
て収集することを特徴とするバウンダリスキャンテスト
方法。2. The boundary scan test method according to claim 1, wherein a plurality of boundary scan semiconductor devices mounted on the substrate under test are connected via a connection line to the boundary scan of the plurality of scan-compatible semiconductor devices as a whole. The boundary scan of a single scan-compatible semiconductor device by controlling a separate test access port, and the test pattern or output pattern taken into the scan-compatible semiconductor device from the non-scan-compatible semiconductor device. A boundary scan test method comprising: collecting as a test result information when a semiconductor device corresponding to the scan is a target in a boundary scan of the whole.
キャン対応の半導体デバイスとバウンダリスキャンに対
応していないスキャン非対応の半導体デバイスとが実装
され、前記スキャン対応半導体デバイスと前記スキャン
非対応半導体デバイスとの間を接続ラインを介して電気
的に接続する被試験用基板において前記スキャン対応半
導体デバイスと前記スキャン非対応半導体デバイスとの
間の接続ラインをバウンダリスキャン方式でテストする
方法であり、 前記スキャン対応半導体デバイスをバウンダリスキャン
するコントローラから前記スキャン対応半導体デバイス
を制御して、前記スキャン非対応半導体デバイスにテス
トパターンデータを与えると共に、当該スキャン非対応
半導体デバイスから前記テストパターン自体または前記
テストパターンに対して予め決められている出力パター
ンを前記接続ラインを通して前記スキャン対応半導体デ
バイスに取り込み、その後、このスキャン対応半導体デ
バイスのバウンダリスキャンを実行することにより前記
接続ラインをテストすることを特徴とするバウンダリス
キャンテスト方法。3. A scan-compatible semiconductor device having a cell for boundary scan and a non-scan-compatible semiconductor device not supporting boundary scan are mounted, and the scan-compatible semiconductor device and the non-scan-compatible semiconductor device are mounted. A method of testing a connection line between the scan-compatible semiconductor device and the non-scan-compatible semiconductor device by a boundary scan method on a substrate under test electrically connected between the scan-compatible semiconductor device and the scan-compatible semiconductor device. A controller that performs a boundary scan of the semiconductor device controls the scan-compatible semiconductor device to supply test pattern data to the non-scan-compatible semiconductor device, and the test pattern itself or the test pattern from the non-scan-compatible semiconductor device. A predetermined output pattern for the pattern is taken into the scan-compatible semiconductor device through the connection line, and thereafter, the connection line is tested by performing a boundary scan of the scan-compatible semiconductor device. Boundary scan test method.
ト方法において、 被試験用基板に実装された複数のスキャン対応半導体デ
バイス全体に対するバウンダリスキャンをテストアクセ
スポートを制御することにより実行し、前記コントロー
ラからの制御によりスキャン非対応半導体デバイスから
スキャン対応半導体デバイスに前記テストパターンまた
は出力パターンを取り込み、このテストパターンまたは
出力パターンを前記スキャン対応半導体デバイス全体に
対するバウンダリスキャンで当該スキャン対応半導体デ
バイスが対象となったときテスト結果情報として収集す
ることを特徴とするバウンダリスキャンテスト方法。4. The boundary scan test method according to claim 3, wherein a boundary scan is performed on all of the plurality of scan-compatible semiconductor devices mounted on the substrate under test by controlling a test access port, and the controller receives a signal from the controller. When the test pattern or the output pattern is fetched from the scan-incompatible semiconductor device to the scan-compatible semiconductor device by the control, and the test pattern or the output pattern is targeted for the scan-compatible semiconductor device in the boundary scan of the entire scan-compatible semiconductor device A boundary scan test method, which is collected as test result information.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9341381A JPH11174122A (en) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | Method for boundary scan test |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9341381A JPH11174122A (en) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | Method for boundary scan test |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11174122A true JPH11174122A (en) | 1999-07-02 |
Family
ID=18345629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9341381A Pending JPH11174122A (en) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | Method for boundary scan test |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11174122A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6826101B2 (en) | 2002-05-28 | 2004-11-30 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method for testing the same |
US7970569B2 (en) | 2006-10-31 | 2011-06-28 | Fujitsu Limited | Apparatus and method for connection test on printed circuit board |
WO2011114428A1 (en) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | 株式会社日立製作所 | Semiconductor device, and test method for same |
-
1997
- 1997-12-11 JP JP9341381A patent/JPH11174122A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6826101B2 (en) | 2002-05-28 | 2004-11-30 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method for testing the same |
US7363558B2 (en) | 2002-05-28 | 2008-04-22 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method for testing the same |
US7970569B2 (en) | 2006-10-31 | 2011-06-28 | Fujitsu Limited | Apparatus and method for connection test on printed circuit board |
WO2011114428A1 (en) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | 株式会社日立製作所 | Semiconductor device, and test method for same |
US8698140B2 (en) | 2010-03-15 | 2014-04-15 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, and test method for same |
JP5629309B2 (en) * | 2010-03-15 | 2014-11-19 | 株式会社日立製作所 | Semiconductor device and test method thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4335999B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device with built-in processor | |
US7536597B2 (en) | Apparatus and method for controlling power, clock, and reset during test and debug procedures for a plurality of processor/cores | |
US6665817B1 (en) | Apparatus and method for implementing a wireless system-on-a-chip with a reprogrammable tester, debugger, and bus monitor | |
US6493839B1 (en) | Apparatus and method for testing memory in a microprocessor | |
JP3610095B2 (en) | Streamlined simultaneous test method and apparatus for electric circuit | |
US5274648A (en) | Memory card resident diagnostic testing | |
US7844867B1 (en) | Combined processor access and built in self test in hierarchical memory systems | |
JPH06348867A (en) | Microcomputer | |
KR20010072036A (en) | Integrated circuit comprising a self-test device for executing a self-test of the integrated circuit | |
JPH10134597A (en) | Sdram circuit test method by jtag and device therefor | |
US20060277436A1 (en) | Apparatus and method for coupling a plurality of test access ports to external test and debug facility | |
US6862704B1 (en) | Apparatus and method for testing memory in a microprocessor | |
US20040039967A1 (en) | Embedded controller for real-time backup of operation states of peripheral devices | |
US6427216B1 (en) | Integrated circuit testing using a high speed data interface bus | |
US5898858A (en) | Method and apparatus for providing emulator overlay memory support for ball grid array microprocessor packages | |
KR940002904B1 (en) | Memory card resident diagnostic testing | |
JPH11174122A (en) | Method for boundary scan test | |
JP2000131389A (en) | System for controlling module test in ic chip | |
JP3479653B2 (en) | Test equipment | |
Andrews | Roadmap for extending IEEE 1149.1 for hierarchical control of locally-stored, standardized command set, test programs | |
JP2004094451A (en) | On-chip jtag interface circuit and system lsi | |
US7673206B2 (en) | Method and system for routing scan chains in an array of processor resources | |
KR100511893B1 (en) | Chip test circuit | |
JP2877505B2 (en) | LSI mounting board and data processing device | |
JPS62150181A (en) | Test system for large-scale integrated circuit |