JPH1116675A - High frequency heating device - Google Patents
High frequency heating deviceInfo
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- JPH1116675A JPH1116675A JP16692197A JP16692197A JPH1116675A JP H1116675 A JPH1116675 A JP H1116675A JP 16692197 A JP16692197 A JP 16692197A JP 16692197 A JP16692197 A JP 16692197A JP H1116675 A JPH1116675 A JP H1116675A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、被加熱物を加熱するの
に2個のマグネトロンを使用する高周波加熱装置に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency heating apparatus using two magnetrons for heating an object to be heated.
【0002】[0002]
【従来の技術】被加熱物を良好に加熱するための加熱手
法が進歩し、従来困難とされていた最適加熱が可能とな
りつつある。2. Description of the Related Art A heating technique for satisfactorily heating an object to be heated has been advanced, and optimal heating, which has been considered difficult in the past, is being enabled.
【0003】こうした状況において、加熱室内のマイク
ロ波電界の強度を増大させるために2個のマグネトロン
を使用した高周波加熱装置の例が見られる。たとえば実
開昭59−136194号公報のように、それぞれに1
個ずつマグネトロンを装着した2本の導波管を互いに直
交させて接続したものを加熱室内の天井部に取り付け
て、マイクロ波を加熱室の上部から被加熱物に対して放
射する高周波加熱装置が提案されている。In such a situation, there is an example of a high-frequency heating apparatus using two magnetrons to increase the intensity of a microwave electric field in a heating chamber. For example, as shown in Japanese Utility Model Laid-Open Publication No. 59-136194,
A high-frequency heating device that radiates microwaves from the upper part of the heating chamber to the object to be heated is mounted on a ceiling of the heating chamber by connecting two waveguides, each equipped with a magnetron, orthogonally to each other. Proposed.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述例の2個のマグネ
トロンを使用した高周波加熱装置では、加熱室内に大出
力のマイクロ波エネルギ−を供給することは出来るもの
の、被加熱物は概して外側部分だけが急激に加熱されて
しまい、内側の加熱が十分に出来ないという問題があっ
た。つまり、加熱室内に生成された電界の向きが一定で
あり回転していないために、その電界のマイクロ波エネ
ルギ−強度が加熱室内において均一でないという問題が
あった。さらに、各導波管がそれぞれのE面が直交する
ように接続するいわゆるHベンド接続されているため、
それらマグネトロンのそれぞれから放射されるマイクロ
波は導波管内を電播して合流する際に、それぞれのマイ
クロ波に位相ずれが生じていると、時として加熱出力が
低下してしまう場合があるという問題があった。In the high-frequency heating apparatus using two magnetrons of the above-described example, high-power microwave energy can be supplied to the heating chamber, but the object to be heated is generally only the outer portion. Was heated rapidly and there was a problem that the inside could not be heated sufficiently. That is, since the direction of the electric field generated in the heating chamber is constant and not rotating, there is a problem that the microwave energy intensity of the electric field is not uniform in the heating chamber. Further, since each waveguide is connected in a so-called H-bend manner in which the respective E-planes are connected at right angles,
When microwaves radiated from each of these magnetrons are merged by electro-seeding in the waveguide, if the respective microwaves have a phase shift, the heating output sometimes decreases. There was a problem.
【0005】また、導波管内を伝播するマイクロ波によ
る電界の強度は、導波管内の管壁に接触する箇所ではゼ
ロであり、その箇所から管壁に対して垂直方向に離れて
いく程強くなる特性があるため、加熱室に設置された被
加熱物は、加熱室の内壁付近と加熱室の中央付近とで、
均一な加熱がされにくいという問題があった。The intensity of the electric field due to the microwave propagating in the waveguide is zero at a portion of the waveguide that comes into contact with the tube wall, and becomes stronger as the distance from the portion in the direction perpendicular to the tube wall increases. Because of the following characteristics, the object to be heated placed in the heating chamber is near the inner wall of the heating chamber and near the center of the heating chamber,
There is a problem that uniform heating is difficult.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は上述の問題点を
解決するために、2個のマグネトロンから加熱室内に供
給されるマイクロ波の電界の向きに着目する。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention focuses on the direction of an electric field of a microwave supplied from two magnetrons into a heating chamber.
【0007】まず、マイクロ波を加熱室に対して90度
異なる方向から均一に電播させる必要がある。そのため
に、第1のマグネトロンを加熱室のたとえば縦方向部
に、第2のマグネトロンを加熱室の前述の縦方向とは異
なる横方向部に設置する。より詳しくいうと、第1のマ
グネトロンを第1の導波管の一端のH面壁に取り付け、
第2のマグネトロンを第2の導波管の一端のH面壁に取
り付けるとともに、その第2の導波管の他の一端を第1
の導波管における第1のマグネトロンが設置されていな
い端部においてお互いのH面が直交するようにいわゆる
Eベンド接続をさせる。そして、この接続部の各導波管
によって形成された空間を、被加熱物が収納される加熱
室とする。First, it is necessary to uniformly apply microwaves to the heating chamber from directions different by 90 degrees. For this purpose, the first magnetron is installed, for example, in a vertical portion of the heating chamber, and the second magnetron is installed in a horizontal portion of the heating chamber that is different from the above-described vertical direction. More specifically, a first magnetron is mounted on the H-plane wall at one end of the first waveguide,
A second magnetron is attached to the H-plane wall at one end of the second waveguide, and the other end of the second waveguide is connected to the first end.
A so-called E-bend connection is made so that the H planes are orthogonal to each other at the end of the waveguide where the first magnetron is not installed. The space formed by the waveguides at the connection portion is a heating chamber in which an object to be heated is stored.
【0008】その際、加熱室内につくられる電界の向き
を単に一定方向ではなく、時間的に変化させて回転させ
る必要がある。そのために、第1の導波管の管長と第2
の導波管の管長の差をλg/4とする。At this time, it is necessary to rotate the electric field generated in the heating chamber not only in a fixed direction but also in a temporal manner. Therefore, the length of the first waveguide and the second
Is set to λg / 4.
【0009】また、加熱室に設置される被加熱物がその
全体を均一に加熱が行われるようにするために、被加熱
物を電界のE面に直角な方向に対して前後に往復移動さ
せる被加熱物移動装置を加熱室内に装備することとす
る。Further, in order to uniformly heat the object to be heated placed in the heating chamber, the object to be heated is reciprocated back and forth in a direction perpendicular to the E plane of the electric field. The object-to-be-heated moving device is installed in the heating chamber.
【0010】[0010]
【発明の実施形態】第1のマグネトロンからマイクロ波
が放射され、第1の導波管内から加熱室内にかけて、第
1の導波管のH面と垂直な方向に第1の電界をつくる。
また、同じように第2のマグネトロンからマイクロ波が
放射され、第2の導波管内から加熱室内にかけて、第2
の導波管のH面と垂直な方向すなわち第1の導波管のH
面と平行な方向に電界をつくる。ここで、第1のマグネ
トロンのマイクロ波と第2のマグネトロンのマイクロ波
は出力が同じで位相が90度異なっており、その状況の
もとで、第1のマグネトロンの電界ベクトルと第2のマ
グネトロンの電界ベクトルの直交合成によって生成され
る電界ベクトルが向きを時間的に変化させることによ
り、回転電界となる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A microwave is radiated from a first magnetron to generate a first electric field in a direction perpendicular to the H plane of the first waveguide from inside the first waveguide to a heating chamber.
Similarly, microwaves are radiated from the second magnetron, and from the inside of the second waveguide to the inside of the heating chamber,
Perpendicular to the H-plane of the first waveguide, ie, H
Creates an electric field in a direction parallel to the plane. Here, the microwave of the first magnetron and the microwave of the second magnetron have the same output and a phase difference of 90 degrees, and under such circumstances, the electric field vector of the first magnetron and the second magnetron The electric field vector generated by the orthogonal combination of the electric field vectors changes the direction over time, and becomes a rotating electric field.
【0011】加熱室内における回転電界の強度は、各導
波管のH面に対しては一定であるが、各導波管のH面と
直角にあたるいわゆるE面に対しては加熱室内のE面壁
側を最小にして、そのE面壁側から垂直方向に離れるに
したがい強くなり加熱室中央部付近で最大となる。そこ
で、加熱室内に設置される被加熱物を加熱室内のE面壁
側に向けて往復移動させることの出来る移動装置を加熱
室底部に設けることで、被加熱物は一定な強度の電界内
に設置された状態と同様の作用を得て均一に加熱される
ようになる。The strength of the rotating electric field in the heating chamber is constant with respect to the H-plane of each waveguide, but the E-plane wall in the heating chamber with respect to the so-called E-plane perpendicular to the H-plane of each waveguide. The side is minimized, and becomes stronger as it goes away from the E-plane wall side in the vertical direction, and becomes maximum near the center of the heating chamber. Therefore, by providing a moving device at the bottom of the heating chamber, which can reciprocate the object to be heated installed in the heating chamber toward the E-face wall side in the heating chamber, the object to be heated is installed in an electric field having a constant strength. The same operation as in the state performed is obtained, and uniform heating is achieved.
【0012】[0012]
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【0013】図1は本発明の高周波発生装置の概念構成
図であり、図2、図3は本発明の高周波発生装置の断面
図である。これらの図において1は被加熱物にマイクロ
波を放射する第1のマグネトロンであり、2は第1のマ
グネトロン1と同じ出力のマイクロ波を放射する第2の
マグネトロンである。3は長手方向の一端のH面壁にこ
の第1のマグネトロン1を取り付けた第1の導波管であ
り、4は長手方向の一端のH面壁に第2のマグネトロン
を取り付け、もう一方の一端を第1の導波管3の第1の
マグネトロン1が装着されていない一端において直交さ
せいわゆるEベンド接続をした第2の導波管である。5
は第1の導波管3と第2の導波管4とのEベンド接続部
に設けられた、被加熱物を設置するための加熱室であ
る。6は電源制御装置であり、7はこの加熱室に被加熱
物を出し入れするための開口、8はこの開口7を開閉自
在に塞ぐためのドアである。9は第1のマグネトロン1
が装着される第1の導波管3のH面壁であり、10は第2
のマグネトロン2が装着される第2の導波管4のH面壁
である。11は加熱室5内に設置される被加熱物であり、
12は第1のマグネトロン1によるマイクロ波で、13は第
2のマグネトロン2によるマイクロ波である。14は第1
のマグネトロン1のマイクロ波12による電界であり、15
は第2のマグネトロン2のマイクロ波13による電界であ
る。16は第1のマグネトロン1のマイクロ波12による電
界14のベクトルであり、17は第2のマグネトロン2のマ
イクロ波13による電界15のベクトルである。18はそれら
電界ベクトル16、17による合成電界ベクトルである。FIG. 1 is a conceptual configuration diagram of a high frequency generator of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are cross-sectional views of the high frequency generator of the present invention. In these figures, reference numeral 1 denotes a first magnetron that radiates a microwave to an object to be heated, and reference numeral 2 denotes a second magnetron that radiates a microwave having the same output as the first magnetron 1. Reference numeral 3 denotes a first waveguide in which the first magnetron 1 is attached to an H-plane wall at one end in the longitudinal direction. Reference numeral 4 denotes a second magnetron attached to the H-plane wall at one end in the longitudinal direction. This is a second waveguide in which one end of the first waveguide 3 to which the first magnetron 1 is not mounted is orthogonally connected and is so-called E-bend connection. 5
Is a heating chamber provided at the E-bend connection portion between the first waveguide 3 and the second waveguide 4 for installing an object to be heated. Reference numeral 6 denotes a power supply control device, reference numeral 7 denotes an opening through which an object to be heated is taken in and out of the heating chamber, and reference numeral 8 denotes a door for closing the opening 7 so that it can be opened and closed. 9 is the first magnetron 1
Is the H-plane wall of the first waveguide 3 to be mounted, and 10 is the second wall.
Is the H-plane wall of the second waveguide 4 on which the magnetron 2 is mounted. Reference numeral 11 denotes an object to be heated set in the heating chamber 5,
Reference numeral 12 denotes a microwave generated by the first magnetron 1, and reference numeral 13 denotes a microwave generated by the second magnetron 2. 14 is the first
Is the electric field generated by the microwave 12 of the magnetron 1
Is an electric field generated by the microwave 13 of the second magnetron 2. 16 is a vector of the electric field 14 by the microwave 12 of the first magnetron 1, and 17 is a vector of the electric field 15 by the microwave 13 of the second magnetron 2. Reference numeral 18 denotes a combined electric field vector based on the electric field vectors 16 and 17.
【0014】図4は本発明の概念構成図である図1のA
−A′線における断面図であり、19は加熱室5内におい
て被加熱物11を開口7に対して前後に往復移動させるた
めの被加熱物移動装置である。FIG. 4 is a conceptual block diagram of the present invention.
FIG. 19 is a cross-sectional view taken along a line A-A ′, and reference numeral 19 denotes a heated object moving device for reciprocating the heated object 11 back and forth with respect to the opening 7 in the heating chamber 5.
【0015】次にこのように構成された実施例の動作を
説明する。図2において、まず、電源制御装置6を作動
させるとマグネトロン1に通電されてマイクロ波12を放
射し、また同じようにマグネトロン2もマイクロ波13を
放射する。マイクロ波12は加熱室5に向けてH面壁9と
垂直な向きに電界14をつくりながら電播し、マイクロ波
13も加熱室5に向けてH面壁10と垂直な向きに電界15を
つくりながら電播する。つまり電界14と電界15はお互い
の向きが直角になるようにつくられるわけである。電界
14のマイクロ波エネルギ−の強度は電界ベクトル16の矢
印の長さであり、この電界ベクトル16は加熱室5内にH
面壁9と垂直な方向で進入する。同じように電界15のマ
イクロ波エネルギ−の強度は電界ベクトル17の矢印の長
さであり、この電界ベクトル17はH面壁10と垂直な方
向、つまりH面壁9と平行な方向で加熱室5内に進入す
る。加熱室5内に電播したマイクロ波12およびマイクロ
波13は加熱室5内でお互いに合流し、電界ベクトル16と
電界ベクトル17がベクトル合成される。ここで合成され
た電界のマイクロ波エネルギ−の強度は、電界ベクトル
16がH面壁9に対して平行であり、また電界ベクトル17
がH面壁9に対して垂直であるのでそれぞれの電界ベク
トル16(垂直電界ベクトル)と電界ベクトル17(水平電
界ベクトル)との和になる。また、導波管3と導波管4
の管長差をλg/4としているので、加熱室5内のマイ
クロ波12とマイクロ波13はそれぞれの位相が異なる。そ
のため、図3に示すように加熱室5内の電界ベクトル16
(垂直電界ベクトル)と電界ベクトル17(水平電界ベク
トル)はお互いに向きが時々刻々と変化するため、合成
される電界ベクトル18に回転が生じる。したがって、加
熱室5内の合成電界は回転電界として、電界の強度を一
定に保持したままで回転するのである。それにより、加
熱室5内全体における電界の強度は回転電界の効果で導
波管3のH面壁9側に対して常に均一となり、加熱室5
内における導波管3のH面壁9側に対して被加熱物11を
均一に加熱することができる。Next, the operation of the embodiment configured as described above will be described. In FIG. 2, first, when the power supply control device 6 is operated, the magnetron 1 is energized and emits a microwave 12, and similarly, the magnetron 2 emits a microwave 13. The microwave 12 is electrosprayed toward the heating chamber 5 while creating an electric field 14 in a direction perpendicular to the H-plane wall 9.
13 is also seeded toward the heating chamber 5 while creating an electric field 15 in a direction perpendicular to the H-plane wall 10. That is, the electric field 14 and the electric field 15 are formed so that their directions are at right angles. electric field
The intensity of the microwave energy at 14 is the length of the arrow of the electric field vector 16, and this electric field vector 16
It enters in a direction perpendicular to the face wall 9. Similarly, the intensity of the microwave energy of the electric field 15 is the length of the arrow of the electric field vector 17, and the electric field vector 17 is set in the heating chamber 5 in a direction perpendicular to the H-plane wall 10, that is, in a direction parallel to the H-plane wall 9. To enter. The microwaves 12 and 13 electrosprayed in the heating chamber 5 merge with each other in the heating chamber 5, and the electric field vector 16 and the electric field vector 17 are synthesized. The intensity of the microwave energy of the synthesized electric field is represented by an electric field vector
16 is parallel to the H-plane wall 9 and the electric field vector 17
Is perpendicular to the H-plane wall 9, the sum of the respective electric field vectors 16 (vertical electric field vector) and electric field vector 17 (horizontal electric field vector) is obtained. Further, the waveguide 3 and the waveguide 4
Is set to λg / 4, the microwaves 12 and 13 in the heating chamber 5 have different phases. For this reason, as shown in FIG.
Since the directions of the (vertical electric field vector) and the electric field vector 17 (horizontal electric field vector) change with time, the electric field vector 18 to be synthesized rotates. Therefore, the combined electric field in the heating chamber 5 rotates as a rotating electric field while keeping the strength of the electric field constant. As a result, the intensity of the electric field in the entire heating chamber 5 is always uniform with respect to the H-plane wall 9 side of the waveguide 3 due to the effect of the rotating electric field.
The object 11 to be heated can be uniformly heated with respect to the H-plane wall 9 side of the waveguide 3 in the inside.
【0016】また、マイクロ波の特性により、加熱室5
内において導波管3のH面壁9側と直角なE面壁20に対
しては電界の強度が、E面壁20側を最小にしてE面壁側
から離れるにしたがい強くなり加熱室中央部付近で最大
になることから、加熱室内底部に設けた被加熱物移動装
置が被加熱物を各導波管のE面に対してすなわち開口に
向かって接近離反するよう往復移動させることにより、
被加熱物を均一に加熱することができるようになる。そ
の結果、加熱室5内に設置された被加熱物11は、その内
側、外側を一定なエネルギ−のマイクロ波で均一に加熱
されるわけである。さらにドア8が開かれた時には、被
加熱物11が加熱室5内のいかなる位置にあっても、ドア
8の手前つまり開口7際まで被加熱物は自動的に移動し
てくる。Further, due to the characteristics of the microwave, the heating chamber 5
The electric field strength of the E-plane wall 20 perpendicular to the H-plane wall 9 side of the waveguide 3 becomes stronger as the E-plane wall 20 side is minimized and becomes farther away from the E-plane wall side, and becomes maximum near the center of the heating chamber. Therefore, the heated object moving device provided at the bottom of the heating chamber reciprocates the heated object toward and away from the E surface of each waveguide, that is, toward the opening,
The object to be heated can be uniformly heated. As a result, the object to be heated 11 installed in the heating chamber 5 is uniformly heated inside and outside by the microwave having a constant energy. Further, when the door 8 is opened, the object to be heated automatically moves to the position before the door 8, that is, to the vicinity of the opening 7 regardless of the position of the object to be heated 11 in the heating chamber 5.
【0017】[0017]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、出力が同
じで位相のことなるそれぞれのマイクロ波を、両者の電
界ベクトルが直角に合成されるように加熱室内へ電播さ
せることにより、加熱室内に強度の一定なマイクロ波エ
ネルギ−の回転電界を発生させることができるととも
に、電界強度の小さい加熱室の内壁側に対して被加熱物
を往復移動させることができるので、被加熱物の均一な
加熱ができ、たとえばブロック状の冷凍食品を内側まで
均一な温度で解凍できるようになった。As described above, according to the present invention, microwaves having the same output but different phases are electrosprayed into the heating chamber so that the electric field vectors of the two are synthesized at a right angle. A rotating electric field of constant microwave energy can be generated in the heating chamber, and the object to be heated can be reciprocated with respect to the inner wall side of the heating chamber having a small electric field strength. Uniform heating can be performed, and for example, frozen food in a block shape can be thawed evenly to the inside at a uniform temperature.
【図1】本発明の一実施例の概念構成図である。FIG. 1 is a conceptual configuration diagram of an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の一実施例の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of one embodiment of the present invention.
【図3】本発明の一実施例の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of one embodiment of the present invention.
【図4】本発明の一実施例の図1のA−A′断面図であ
る。FIG. 4 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1 according to one embodiment of the present invention;
1 第1のマグネトロン 2 第2のマグネトロン 3 第1の導波管 4 第2の導波管 5 加熱室 6 電源制御装置 7 開口 8 ドア 9 第1の導波管のH面壁 10 第2の導波管のH面壁 11 被加熱物 12 第1のマグネトロンによるマイクロ波 13 第2のマグネトロンによるマイクロ波 14 第1のマグネトロンのマイクロ波による電界 15 第2のマグネトロンのマイクロ波による電界 16 第1のマグネトロンのマイクロ波による電界ベク
トル 17 第2のマグネトロンのマイクロ波による電界ベク
トル 18 第1のマグネトロンのマイクロ波と第2のマグネ
トロンのマイクロ波とによる合成電界ベクトル 19 被加熱物移動装置 20 第1の導波管のE面壁DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st magnetron 2 2nd magnetron 3 1st waveguide 4 2nd waveguide 5 Heating chamber 6 Power supply control device 7 Opening 8 Door 9 H plane wall of 1st waveguide 10 2nd conduction H-plane wall of wave tube 11 Heated object 12 Microwave by first magnetron 13 Microwave by second magnetron 14 Electric field by microwave of first magnetron 15 Electric field by microwave of second magnetron 16 First magnetron Electric field vector by microwave of 17 Electric field vector by microwave of second magnetron 18 Synthetic electric field vector by microwave of first magnetron and microwave of second magnetron 19 Heated object moving device 20 First waveguide E-plane wall of pipe
Claims (1)
の一端のH面壁にこの第1のマグネトロンを取り付けた
第1の導波管(3)と、第2のマグネトロン(2)と、
長手方向の一端のH面壁にこの第2のマグネトロンを取
り付けるとともに同他端を前記第1の導波管の前記第1
のマグネトロンの設けられた側とは反対側の端部におい
て互いのH面が直交するように接続した第2の導波管
(4)と、前記第1の導波管と前記第2の導波管の接続
部に形成された加熱室(5)と、この加熱室の内外に被
加熱物を出し入れするために前記第1の導波管と前記第
2の導波管の接続部の管壁に開設された開口(7)と、
前記加熱室内において被加熱物を電界のE面に対して直
角な方向に往復移動させるための被加熱物移動装置(1
9)とで構成されていることを特徴とする高周波加熱装
置。1. A first magnetron (1), a first waveguide (3) having the first magnetron attached to an H-plane wall at one longitudinal end, and a second magnetron (2).
The second magnetron is attached to the H-plane wall at one end in the longitudinal direction, and the other end is connected to the first waveguide of the first waveguide.
A second waveguide (4) connected at the end opposite to the side where the magnetrons are provided so that their H planes are orthogonal to each other; the first waveguide and the second waveguide. A heating chamber (5) formed at a connection part of the waveguide, and a pipe at a connection part between the first waveguide and the second waveguide for taking an object to be heated into and out of the heating chamber. An opening (7) opened in the wall,
A heating object moving device (1) for reciprocating the heating object in the heating chamber in a direction perpendicular to the E-plane of the electric field.
9).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16692197A JPH1116675A (en) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | High frequency heating device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16692197A JPH1116675A (en) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | High frequency heating device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1116675A true JPH1116675A (en) | 1999-01-22 |
Family
ID=15840131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16692197A Pending JPH1116675A (en) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | High frequency heating device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1116675A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010090120A3 (en) * | 2009-02-09 | 2010-09-30 | 株式会社サタケ | Microwave heating device |
JP2010540216A (en) * | 2007-09-21 | 2010-12-24 | アールエフ サミン テクノロジーズ,インコーポレイテッド | Method and apparatus for multi-resonant structure process / reaction chamber |
US9295968B2 (en) | 2010-03-17 | 2016-03-29 | Rf Thummim Technologies, Inc. | Method and apparatus for electromagnetically producing a disturbance in a medium with simultaneous resonance of acoustic waves created by the disturbance |
-
1997
- 1997-06-24 JP JP16692197A patent/JPH1116675A/en active Pending
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