JPH11166182A - Antiferroelectric liquid crystal composition excellent in low-temperature-side quality assurance temperature - Google Patents

Antiferroelectric liquid crystal composition excellent in low-temperature-side quality assurance temperature

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Publication number
JPH11166182A
JPH11166182A JP34717097A JP34717097A JPH11166182A JP H11166182 A JPH11166182 A JP H11166182A JP 34717097 A JP34717097 A JP 34717097A JP 34717097 A JP34717097 A JP 34717097A JP H11166182 A JPH11166182 A JP H11166182A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal composition
group
temperature
antiferroelectric
Prior art date
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Pending
Application number
JP34717097A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeji Hashimoto
茂治 橋本
Yoshihiko Aihara
良彦 相原
Ichiro Kobayashi
一郎 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Shell Sekiyu KK
Original Assignee
Showa Shell Sekiyu KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Showa Shell Sekiyu KK filed Critical Showa Shell Sekiyu KK
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Publication of JPH11166182A publication Critical patent/JPH11166182A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an antiferroelectric liq. crystal compsn. which is excellent in low-temp.-side quality assurance temp. by specifying the ratio of the alignment darkness at a specified temp. of an antiferroelectric liq. crystal compsn. having no cooling hysteresis to the alignment darkness of the compsn. after being cooled to a specified temp. and the heated to another specified temp. to a specified value or higher. SOLUTION: This compsn. contains a compd. of formula I. Pref. this compsn. is a compsn. contg. 70-100 wt.% at least one compd. selected from compds. of formulas II, III, and IV, a compsn. contg. a compd. of formula I, II, or IV and 10-30 wt.% compd of formula V, a compsn. contg. a compd. of formula II, III, or IV and 30-40 wt.% compd. of formula V or VI, or a compsn. contg. a compd. of formula II, III, or IV, a compd. of formula V or VI, and a compd. of formula VII. The ratio (D1 /D20 ) of the alignment shadow (D1 ) of this compsn. at 40 deg.C to the alignment shadow (D20 ) of the compsn. at 40 deg.C after being cooled to -20 deg.C and then heated to 40 deg.C is 0.9 or higher. In the formulas, R<1> is 7-11C alkyl; R<2> is 2-6C alkyl; X is a single bond or the like; Y<1> to Y<3> are each H or F; Cf is CH3 or the like; m and v are each 6-9; and n, p, r, t, and a are each 7-11 or the like.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、反強誘電性液晶材
料を利用したディスプレーに不可欠な、温度変化したと
きの配向劣化に対する復帰率の高い反強誘電性液晶組成
物に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an antiferroelectric liquid crystal composition which is indispensable for a display using an antiferroelectric liquid crystal material and has a high rate of recovery from alignment deterioration when temperature changes.

【0002】[0002]

【従来技術】液晶表示素子は、1)低電圧作動性、2)
低消費電力性、3)薄形表示、4)受光型などの優れた
特徴を有するため、現在まで、TN方式、STN方式、
ゲスト−ホスト(Gest−Host)方式などが開発
され実用化されている。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices are 1) low-voltage operable 2).
Since it has excellent features such as low power consumption, 3) thin display, and 4) light receiving type, TN method, STN method,
A guest-host method has been developed and put into practical use.

【0003】しかし、現在広く利用されているネマチッ
ク液晶を用いたものは、応答速度が数msec〜数十m
secと遅い欠点があり、応用上種々の制約を受けてい
る。
However, those using nematic liquid crystals which are widely used at present have a response speed of several msec to several tens m.
There is a drawback of as slow as sec, and there are various restrictions in application.

【0004】これらの問題を解決するため、STN方式
や薄層トランジスタ方式などを用いたアクティブマトリ
ックス方式などが開発されたが、STN型表示素子は、
表示コントラストや視野角などの表示品位は優れたもの
となったが、セルギャップやチルト角の制御に高い精度
を必要とすることや応答がやや遅いことなどが問題とな
っている。
[0004] In order to solve these problems, an active matrix system using an STN system or a thin-layer transistor system has been developed.
Although the display quality such as the display contrast and the viewing angle has become excellent, there are problems such as the need for high accuracy in controlling the cell gap and the tilt angle and the slow response.

【0005】このため、応答性のすぐれた新しい液晶表
示方式の開発が要望されており、光学応答時間がμse
cオーダーと極めて短かい超高速デバイスが可能になる
強誘電性液晶の開発が試みられていた。
For this reason, there is a demand for the development of a new liquid crystal display system having excellent responsiveness, and the optical response time is μs
Attempts have been made to develop ferroelectric liquid crystals capable of realizing ultra-high-speed devices as short as c-orders.

【0006】強誘電性液晶は、1975年、Meyer
等によりDOBAMBC(p−デシルオキシベンジリデ
ン−p−アミノ−2−メチルブチルシンナメート)が初
めて合成された(Le Journal de Phy
sique,36巻1975,L−69)。さらに、1
980年、ClarkとLagawallによりDOB
AMBCのサブマイクロ秒の高速応答、メモリー特性な
ど表示デバイス上の特性が報告されて以来、強誘電性液
晶が大きな注目を集めるようになった〔N.A.Cla
rk,etal.,Appl.Phys.Lett.3
6.899(1980)〕。しかし、彼らの方式には、
実用化に向けて多くの技術的課題があり、特に室温でデ
ィスプレーに要求される実用特性を満足する強誘電性液
晶はほとんど無く、表示ディスプレーに不可欠な液晶分
子の配列制御に有効かつ実用的な方法も確立されていな
かった。
[0006] Ferroelectric liquid crystals were introduced in 1975 by Meyer.
DOBMMBC (p-decyloxybenzylidene-p-amino-2-methylbutylcinnamate) was synthesized for the first time (Le Journal de Phys).
sque, 36, 1975, L-69). In addition, 1
DOB by Clark and Lagwall in 980
Ferroelectric liquid crystals have attracted much attention since properties on display devices such as high-speed response of submicroseconds of AMBC and memory characteristics have been reported [N. A. Cla
rk, et al. , Appl. Phys. Lett. 3
6.899 (1980)]. However, their scheme includes
There are many technical issues for practical use, and there is almost no ferroelectric liquid crystal that satisfies the practical characteristics required for displays at room temperature, and it is effective and practical for controlling the alignment of liquid crystal molecules indispensable for display displays. The method was not well established.

【0007】この報告以来、液晶材料/デバイス両面か
らの様々な試みがなされ、図2に示すようなツイスト二
状態間のスイッチングを利用した表示デバイスが試作さ
れ、それを用いた高速電気光学装置も例えば特開昭56
−107216号などで提案されているが、高いコント
ラストや適正なしきい値特性は得られていない。
Since this report, various attempts have been made from both sides of the liquid crystal material / device, and a display device utilizing switching between two twisted states as shown in FIG. 2 has been prototyped, and a high-speed electro-optical device using the same has also been developed. For example, JP-A-56
Although it is proposed in, for example, -107216, high contrast and proper threshold characteristics have not been obtained.

【0008】このような視点から他のスイッチング方式
についても探索され、過渡的な散乱方式が提案された。
その後、1988年に本発明者らによる三安定状態を有
する液晶の三状態スイッチング方式が報告された〔A.
D.L.Chandani,T.Hagiwara,
Y.Suzuki etal.,Japan.J.of
Appl.Phys.,27,(5),L729−L7
32(1988)〕。
[0008] From such a viewpoint, other switching methods have been searched, and a transient scattering method has been proposed.
Then, in 1988, the present inventors reported a three-state switching method of a liquid crystal having a tristable state [A.
D. L. Chandani, T .; Hagiwara,
Y. Suzuki et al. , Japan. J. of
Appl. Phys. , 27, (5), L729-L7
32 (1988)].

【0009】前記「三安定状態を有する」とは、第一の
電極基板と所定の間隙を隔てて配置されている第二の電
極基板との間に反強誘電性液晶が挟まれてなる液晶電気
光学装置において、前記第一及び第二の電極基板に電界
形成用の電圧が印加されるよう構成されており、図1
(A)で示される三角波として電圧を印加したとき、図
1(D)のように前記強誘電性液晶が、無電界時に分子
配向が第一の安定状態〔図3(a)〕になり、液晶電気
光学装置の透過率が第一の安定状態〔図1(D)の2〕
を示し、かつ、電界印加時に一方の電界方向に対し分子
配向が前記第一の安定状態とは異なる第二の安定状態
〔図3(b)〕になり液晶電気光学装置の透過率が第2
の安定状態〔図1(D)の3〕を示し、さらに他方の電
界方向に対し前記第一及び第二の安定状態とは異なる第
三の分子配向安定状態〔図3(c)〕になり液晶電気光
学装置の透過率が第三の安定状態〔図1(D)の1〕を
示すことを意味する。なお、この三安定状態を利用する
液晶電気光学装置については、本出願人は特願昭63−
70212号として出願し、特開平2−153322号
として公開されている。
The above-mentioned "having a tristable state" refers to a liquid crystal in which an antiferroelectric liquid crystal is sandwiched between a first electrode substrate and a second electrode substrate disposed with a predetermined gap. In the electro-optical device, a voltage for forming an electric field is applied to the first and second electrode substrates.
When a voltage is applied as a triangular wave shown in (A), the molecular orientation of the ferroelectric liquid crystal becomes a first stable state (FIG. 3 (a)) when no electric field is applied, as shown in FIG. The transmittance of the liquid crystal electro-optical device is in the first stable state [2 in FIG. 1 (D)].
In addition, when an electric field is applied, the molecular orientation becomes the second stable state (FIG. 3B) different from the first stable state in one electric field direction, and the transmittance of the liquid crystal electro-optical device becomes the second stable state.
1 (D), and a third molecular orientation stable state (FIG. 3 (c)) different from the first and second stable states with respect to the other electric field direction. This means that the transmittance of the liquid crystal electro-optical device shows a third stable state [1 in FIG. 1 (D)]. The applicant of the present invention has disclosed a liquid crystal electro-optical device utilizing this tristable state in Japanese Patent Application No.
No. 70212 and published as JP-A-2-153322.

【0010】三安定状態を示す反強誘電性液晶の特徴を
さらに詳しく説明する。クラーク/ラーガーバァル(C
lark−Lagawall)により提案された表面安
定化強誘電性液晶素子では、S*C相において強誘電性液
晶分子が図2(a)および(b)のように一方向に均一
配向した2つの安定状態を示し、印加電界の方向によ
り、どちらか一方の状態に安定化され、電界を切っても
その状態が保持される。
The characteristics of the antiferroelectric liquid crystal exhibiting a tristable state will be described in more detail. Clark / Lagerval (C
In the surface-stabilized ferroelectric liquid crystal device proposed by L.Lark-Lagawall, two stable alignments in which ferroelectric liquid crystal molecules are uniformly aligned in one direction in the S * C phase as shown in FIGS. A state is shown, and the state is stabilized to one of the states depending on the direction of the applied electric field, and the state is maintained even when the electric field is cut off.

【0011】しかしながら実際には、強誘電性液晶分子
の配向状態は、液晶分子のダイレクターが捩れたツイス
ト二状態を示したり、層がくの字に折れ曲ったシエブロ
ン構造を示す。シエブロン層構造では、スイッチング角
が小さくなり低コントラストの原因になるなど、実用化
へ向けて大きな障害になっている。一方、“反”強誘電
性液晶は三安定状態を示すSmC*A相では、上記液晶電
気光学装置において、無電界時には、図3(a)に示す
ごとく隣り合う層毎に分子は逆方向に傾き反平行に配列
し、液晶分子の双極子はお互に打ち消し合っている。し
たがって、液晶層全体として自発分極は打ち消されてい
る。この分子配列を示す液晶相は、図1(D)の2に対
応している。
However, in practice, the orientation state of the ferroelectric liquid crystal molecules shows a twisted two state in which the director of the liquid crystal molecules is twisted, or shows a Chevron structure in which the layer is bent in a square shape. In the case of the Chevron layer structure, the switching angle becomes small and causes a low contrast, which is a major obstacle for practical use. On the other hand, in the SmC * A phase in which the “anti” ferroelectric liquid crystal shows a tristable state, in the above-mentioned liquid crystal electro-optical device, when there is no electric field, as shown in FIG. The dipoles of the liquid crystal molecules are arranged to be antiparallel to each other and cancel each other. Therefore, the spontaneous polarization is canceled in the entire liquid crystal layer. The liquid crystal phase showing this molecular arrangement corresponds to 2 in FIG.

【0012】さらに、(+)又は(−)のしきい値より
充分大きい電圧を印加すると、図3(b)および(c)
に示す液晶分子が同一方向に傾き、平行に配列する。こ
の状態では、分子の双極子も同一方向に揃うため自発分
極が発生し、強誘電相となる。
Further, when a voltage sufficiently higher than the threshold value of (+) or (-) is applied, FIGS.
Are tilted in the same direction and arranged in parallel. In this state, the dipoles of the molecules are also aligned in the same direction, so that spontaneous polarization occurs and a ferroelectric phase is formed.

【0013】すなわち、“反”強誘電性液晶のSmC*A
相においては、無電界時の“反”強誘電相と印加電界の
極性による2つの強誘電相が安定になり、“反”強誘電
相と2つの強誘電相間を直流的しきい値をもって三安定
状態間を行うものである。このスイッチングに伴う液晶
分子配列の変化により図4に示すダブル・ヒステリシス
を描いて光透過率が変化する。このダブル・ヒステリシ
スに、図4の(A)に示すようにバイアス電圧を印加し
て、さらにパルス電圧を重畳することによりメモリー効
果を実現できる特徴を有する。
That is, SmC * A of the “anti” ferroelectric liquid crystal
In the phase, the “anti” ferroelectric phase in the absence of an electric field and the two ferroelectric phases due to the polarity of the applied electric field are stabilized, and the “anti” ferroelectric phase and the two ferroelectric phases are separated by a DC threshold value. The operation is performed between stable states. Due to the change in the liquid crystal molecule arrangement accompanying the switching, the light transmittance changes in a double hysteresis shown in FIG. As shown in FIG. 4A, a memory effect can be realized by applying a bias voltage to this double hysteresis and further superimposing a pulse voltage.

【0014】そして、“反”強誘電性液晶では、プラス
側とマイナス側の両方のヒステリシスを交互に使い画像
表示を行なうことができるため、自発分極に基づく内部
電界の蓄積による画像の残像現象を防止することができ
る。さらに、電界印加により強誘電相は層がストレッチ
され、ブックシエルフ構造となる。一方、第三安定状態
の“反”強誘電相では類似ブックシエルフ構造となる。
この電界印加による層構造スイッチングが液晶層に動的
シエアーを与えるため駆動中に配向欠陥が改善され、良
好な分子配向が実現できる。
In the "anti" ferroelectric liquid crystal, an image can be displayed by alternately using both the positive side and the negative side of the hysteresis. Can be prevented. Further, the layer of the ferroelectric phase is stretched by the application of an electric field, and a bookshelf structure is formed. On the other hand, the "anti" ferroelectric phase in the third stable state has a similar bookshelf structure.
Since the layer structure switching by the application of the electric field gives dynamic shear to the liquid crystal layer, alignment defects are improved during driving, and good molecular alignment can be realized.

【0015】以上のように、“反”強誘電性液晶は、
1)高速応答が可能で、2)高いコントラストと広い視
野角および3)良好な配向特性とメモリー効果が実現で
きる、非常に有用な液晶化合物と言える。
As described above, the "anti" ferroelectric liquid crystal is
It can be said that this is a very useful liquid crystal compound capable of 1) high-speed response, 2) high contrast and a wide viewing angle, and 3) excellent alignment characteristics and a memory effect.

【0016】“反”強誘電性液晶の三安定状態を示す液
晶相については、1)A.D.L.Chandani
etal.,Japan J.Appl.Phys.,2
8,L−1265(1989)、2)H.Orihar
a etal.,JapanJ.Appl.Phys.,
29,L−333(1990)に報告されており、
“反”強誘電的性質にちなみS*C A相(Antife
rroelectric Smectic C*相)と
命名しているが本発明者らは、この液晶相が三安定状態
間のスイッチングを行なうためS*(3)相と定義した。
The liquid crystal phase showing a tristable state of the "anti" ferroelectric liquid crystal is described in 1) A. D. L. Chandani
et al., Japan J. et al. Appl. Phys., 2
8, L-1265 (1989); Orihar
a et al., JapanJ. Appl. Phys.,
29, L-333 (1990),
The S * CA phase (Antife) for its “anti” ferroelectric properties
rroelectric Smectic C * phase) to be named but the present inventors have found that this crystal phase is defined as S * (3) phase for performing switching among the three stable states.

【0017】三安定状態を示す“反”強誘電相S*(3)を
相系列に有する液晶化合物は、本発明者の出願した特開
平1−316367号、特開平1−316372号、特
開平1−316339号、特開平2−28128号及び
市橋等の特開平1−213390号公報があり、また三
安定状態を利用した液晶電気光学装置としては本出願人
は特開平2−40625号、特開平2−153322
号、特開平2−173724号において新しい提案を行
っている。
Liquid crystal compounds having an "anti" ferroelectric phase S * (3) exhibiting a tristable state in a phase series are disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. Hei 1-331667, Hei 1-316372 and Hei 1-3316372, filed by the present inventors. There are JP-A-1-316339, JP-A-2-28128 and JP-A-1-213390 such as Ichihashi. As a liquid crystal electro-optical device utilizing a tristable state, the applicant of the present invention has disclosed JP-A-2-40625. Kaihei 2-153322
And Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-173724.

【0018】“反”強誘電性液晶を液晶ディスプレーへ
応用する場合、1)動作温度範囲、2)応答速度、3)
自発分極、4)ヒステリシス特性、5)初期配向等を単
一液晶で全て満足させることは困難であり、通常十数種
類の混合液晶として調製される。
When an "anti" ferroelectric liquid crystal is applied to a liquid crystal display, 1) operating temperature range, 2) response speed, 3).
It is difficult to satisfy all of spontaneous polarization, 4) hysteresis characteristics, 5) initial alignment, etc. with a single liquid crystal, and usually prepared as a dozen or more types of mixed liquid crystal.

【0019】現在、反強誘電性液晶組成物の初期配向を
向上させるため、不斉炭素に結合しているCF3基を有
する液晶化合物とCH3基を有する液晶化合物との混合
比をおよそ7:3にしたときに、他の割合と比べて相対
的に良好な初期配向が得られることが知られている(第
20回液晶討論会講演予稿集P.272)。しかし、こ
の良好な配向が恒常的に保持されるわけではなく、熱履
歴を受けることにより劣化してしまう現象が知られてい
る。この理由は、スメクチック相において形成されてい
る層構造の層間隔が、温度の変化により伸び縮みする際
に生じる欠陥によるものであると理解されている。欠陥
が生じることによる配向状態の乱れが原因で、液晶の光
軸と偏光板の角度がずれてしまい、暗状態における光洩
れが起こる。これにより、明状態と暗状態の光透過光量
の比で表されるコントラストの値が小さくなってしま
い、実際のディスプレーとしてみた場合、表示する画像
の鮮明さが損なわれることになるのである。われわれは
この問題を解決するために、層間隔の温度依存性が極め
て小さい組成を提案しているが、ディスプレーに利用し
たときに、このような材料が必ずしも良好な表示性能を
示すわけではなく、現実的には使用可能な液晶の種類が
かなり限定されている。
At present, in order to improve the initial alignment of an antiferroelectric liquid crystal composition, the mixing ratio of a liquid crystal compound having a CF 3 group bonded to asymmetric carbon to a liquid crystal compound having a CH 3 group is about 7%. : 3, it is known that relatively good initial orientation can be obtained as compared with other ratios (Preliminary proceedings of the 20th Liquid Crystal Symposium, P.272). However, it is known that such a good orientation is not always maintained, but deteriorates due to heat history. It is understood that the reason for this is due to a defect that occurs when the layer structure formed in the smectic phase expands and contracts due to a change in temperature. Due to the disorder of the alignment state due to the defect, the angle between the optical axis of the liquid crystal and the polarizing plate is shifted, and light leakage occurs in the dark state. As a result, the value of the contrast represented by the ratio of the amount of light transmitted between the bright state and the dark state decreases, and when viewed as an actual display, the sharpness of the displayed image is impaired. To solve this problem, we have proposed a composition in which the temperature dependence of the layer spacing is extremely small.However, such a material does not necessarily show good display performance when used for a display. In practice, the types of liquid crystals that can be used are considerably limited.

【0020】[0020]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、スメ
クチック層間隔の温度変化に関係なく、良好な配向を維
持できる低温側品質保証温度に優れた反強誘電性液晶組
成物を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an antiferroelectric liquid crystal composition which can maintain good alignment regardless of the temperature change of the smectic layer interval and which has an excellent quality assurance temperature on the low temperature side. With the goal.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】本発明の第一は冷却履歴
のない反強誘電性液晶組成物の40℃における配向暗を
1とし、反強誘電性液晶組成物を−20℃まで冷却し
た後40℃まで温めその40℃における配向暗をD20
したとき、
First A solution for the present invention is a dark oriented at 40 ° C. of no antiferroelectric liquid crystal composition cooled history and D 1, cooling the antiferroelectric liquid crystal composition to -20 ° C. when the dark orientation was D 20 at the 40 ° C. warmed to up to 40 ° C. after,

【数3】D(−20℃)=D1/D20 が0.9以上であることを特徴とする低温側品質保証温
度に優れた反強誘電性液晶組成物に関する。
## EQU3 ## The present invention relates to an antiferroelectric liquid crystal composition having an excellent low temperature side quality assurance temperature, wherein D (−20 ° C.) = D 1 / D 20 is 0.9 or more.

【0022】本発明の第二は冷却履歴のない反強誘電性
液晶組成物の40℃における配向暗をD1とし、反強誘
電性液晶組成物を−40℃まで冷却した後40℃まで温
めその40℃における配向暗をD40としたとき、
The second aspect of the present invention is that the darkness of orientation of the antiferroelectric liquid crystal composition having no cooling history at 40 ° C. is D 1, and the antiferroelectric liquid crystal composition is cooled to −40 ° C. and then heated to 40 ° C. When the orientation dark at 40 ° C. is D 40 ,

【数4】D(−40℃)=D1/D40 が0.9以上であることを特徴とする低温側品質保証温
度に優れた反強誘電性液晶組成物に関する。
## EQU4 ## The present invention relates to an antiferroelectric liquid crystal composition having an excellent low-temperature-side quality assurance temperature, wherein D (−40 ° C.) = D 1 / D 40 is 0.9 or more.

【0023】前記配向暗の測定方法は以下のとおりであ
る。すなわち、ポリイミド膜を形成し、ラビング処理を
施した透明電極付きガラスからなる厚さ2μmの液晶セ
ルに、被測定物である液晶組成物を等方相において充填
する。次に、反強誘電性相の上限温度から30℃低い温
度において電界を印加してエージングする。このセルを
2.0℃/minの温度勾配で徐冷し、40℃における
配向暗D1を測定する。次に−T℃まで2.0℃/mi
nの温度勾配で徐冷し、40℃まで急加熱し電界を印加
してエージングした後、再び40℃における配向暗DT
を測定する。
The method for measuring the orientation darkness is as follows. That is, a 2 μm-thick liquid crystal cell formed of a glass with a transparent electrode and having a polyimide film formed thereon and subjected to a rubbing treatment is filled with a liquid crystal composition to be measured in an isotropic phase. Next, aging is performed by applying an electric field at a temperature 30 ° C. lower than the upper limit temperature of the antiferroelectric phase. The cell is gradually cooled at a temperature gradient of 2.0 ° C./min, and the orientation dark D 1 at 40 ° C. is measured. Next up to -T ° C 2.0 ° C / mi
n, gradually heated to 40 ° C., applied an electric field, aged, and again oriented dark D T at 40 ° C.
Is measured.

【0024】前記T℃が−20℃であり、このときのD
1/D20が0.9以上であれば、この反強誘電性液晶組
成物はほぼ−20℃まで冷却されることがあり得る雰囲
気で使用しても、その品質を保証することができること
が判った。また、前記T℃が−40℃であり、このとき
のD1/D40が0.9以上であれば、この反強誘電性液
晶組成物はほぼ−40℃まで冷却されることがあり得る
雰囲気で使用しても、その品質を保証することができる
ことが判った。
The T ° C. is −20 ° C.
If 1 / D 20 is 0.9 or more, even when used in this antiferroelectric liquid crystal composition obtained it may be cooled to approximately -20 ° C. atmosphere, to be able to guarantee the quality understood. Further, the T ° C. is -40 ℃, if D 1 / D 40 at this time is 0.9 or more, this antiferroelectric liquid crystal composition obtained may be cooled to approximately -40 ℃ It was found that the quality could be guaranteed even when used in an atmosphere.

【0025】本発明において冷却履歴がないとは、その
液晶組成物がセルに注入された後、一度も40℃より低
温に冷却された履歴がないことを意味している。
In the present invention, the expression that there is no cooling history means that there is no history of cooling to a temperature lower than 40 ° C. after the liquid crystal composition was injected into the cell.

【0026】このような反強誘電性液晶組成物は、具体
的には下記一般式(1)
The antiferroelectric liquid crystal composition is specifically represented by the following general formula (1)

【化5】 (式中、R1は炭素数7〜11のアルキル基であり、こ
のアルキル基は二重結合を含んでいてもよく、R2は炭
素数2〜6のアルキル基であり、Xは単結合、O、CO
Oおよび、OCOよりなる群から選ばれた基であり、Y
1、Y2、Y3は、水素およびフッ素原子よりなる群から
それぞれ独立して選ばれたものであり、CfはCH3
またはCF3基であり、*は不斉炭素を示す。)で示さ
れる化合物を用いることにより達成できる。
Embedded image (Wherein, R 1 is an alkyl group having 7 to 11 carbon atoms, the alkyl group may contain a double bond, R 2 is an alkyl group having 2 to 6 carbon atoms, and X is a single bond. , O, CO
A group selected from the group consisting of O and OCO;
1 , Y 2 and Y 3 are each independently selected from the group consisting of hydrogen and fluorine atoms, Cf is a CH 3 group or a CF 3 group, and * represents an asymmetric carbon. ) Can be achieved.

【0027】前記一般式(1)の化合物は、全反強誘電
性液晶組成物中70〜100重量%存在させることが好
ましい。
The compound of the general formula (1) is preferably present in an amount of 70 to 100% by weight in the total antiferroelectric liquid crystal composition.

【0028】また、この反強誘電性液晶組成物には、ラ
セミ体の液晶化合物が3〜15重量%含まれていてもよ
い。さらにこれら反強誘電性液晶組成物には、例えば特
願平6−248649号、6−277110号、6−2
77111号、6−277113号、6−277114
号、6−287399号、7−146862号、8−1
27788号、8−143642号、8−320947
号、9−242143号、整理番号HP0002251
−1に記載した液晶特性改善剤を3〜10重量%加える
こともできる。
The antiferroelectric liquid crystal composition may contain a racemic liquid crystal compound in an amount of 3 to 15% by weight. Further, these antiferroelectric liquid crystal compositions include, for example, Japanese Patent Application Nos. 6-248649, 6-277110, and 6-2.
No. 77111, No. 6-277113, No. 6-277114
No., 6-287399, 7-148662, 8-1
27788, 8-143642, 8-320947
No., 9-242143, reference number HP0002251
1 to 3% by weight of the liquid crystal property improver described in -1.

【0029】本発明の反強誘電性液晶組成物は、前記一
般式(1)で示される化合物としては、好ましくは下記
一般式(5)、
In the antiferroelectric liquid crystal composition of the present invention, the compound represented by the general formula (1) is preferably a compound represented by the following general formula (5):

【化6】 (式中、tは7〜11の整数よりなる群から選ばれた数
であり、uは2〜6の整数よりなる群から選ばれた数で
ある。)で示される化合物、一般式(6)、
Embedded image Wherein t is a number selected from the group consisting of integers from 7 to 11, and u is a number selected from the group consisting of integers from 2 to 6. ),

【化7】 (式中、vは6〜9の整数よりなる群から選ばれた数で
あり、wは2〜6の整数よりなる群から選ばれた数であ
る。)で示される化合物、および一般式(7)
Embedded image (Wherein v is a number selected from the group consisting of integers from 6 to 9, w is a number selected from the group consisting of integers from 2 to 6), and a compound represented by the general formula ( 7)

【化8】 (式中、aは7〜11の整数よりなる群から選ばれた数
であり、bは2〜6の整数よりなる群から選ばれた数で
ある。)で示される化合物、からなる化合物群から選ば
れた化合物、少なくとも1種を用いることができる。
Embedded image (Where a is a number selected from the group consisting of integers from 7 to 11 and b is a number selected from the group consisting of integers from 2 to 6). And at least one compound selected from the group consisting of:

【0030】本発明の反強誘電性液晶組成物としては、
前記一般式(1)で示される化合物、好ましくは前記一
般式(5)、(6)、(7)のいずれかで示される化合
物に、下記一般式(2)
The antiferroelectric liquid crystal composition of the present invention includes:
The compound represented by the general formula (1), preferably the compound represented by any of the general formulas (5), (6) and (7) is added to the compound represented by the following general formula (2)

【化9】 (式中、mは6〜9の整数からなる群から選ばれた数で
あり、nは2〜6の整数からなる群から選ばれた数であ
る。)で示される化合物少なくとも1種とを含有させる
ことによって、一層復帰率の高い反強誘電性液晶組成物
とすることができる。
Embedded image (Wherein, m is a number selected from the group consisting of integers from 6 to 9, and n is a number selected from the group consisting of integers from 2 to 6). By containing it, an antiferroelectric liquid crystal composition having a higher recovery rate can be obtained.

【0031】さらに本発明においては、(イ)一般式
(1)で示される化合物好ましくは前記一般式(5)、
(6)、(7)のいずれかで示される化合物少なくとも
1種を含有する液晶組成物または(ロ)一般式(1)で
示される化合物好ましくは前記一般式(5)、(6)、
(7)のいずれかで示される化合物少なくとも1種と一
般式(2)で示される化合物少なくとも1種とを含有す
る液晶組成物、に下記一般式(3)
Furthermore, in the present invention, (a) a compound represented by the general formula (1), preferably the aforementioned general formula (5),
A liquid crystal composition containing at least one compound represented by any of (6) and (7) or (b) a compound represented by the general formula (1), preferably the above-mentioned general formulas (5), (6),
A liquid crystal composition containing at least one compound represented by any of (7) and at least one compound represented by the general formula (2) is added to a liquid crystal composition represented by the following general formula (3)

【化10】 (式中、pは7〜11の整数よりなる群から選ばれた数
であり、qは2〜6の整数よりなる群から選ばれた数で
ある。)で示される化合物少なくとも1種を配合させる
ことによりさらに一層復帰率の高い反強誘電性液晶組成
物とすることができる。
Embedded image (Wherein, p is a number selected from the group consisting of integers from 7 to 11 and q is a number selected from the group consisting of integers from 2 to 6). By doing so, an antiferroelectric liquid crystal composition having an even higher recovery rate can be obtained.

【0032】前記一般式(2)で示される化合物は、全
反強誘電性液晶組成物に対して10〜30重量%、好ま
しくは12〜28重量%含有させることができる。また
前記一般式(3)で示される化合物は、全反強誘電性液
晶組成物に対して、30〜40重量%、好ましくは31
〜34重量%含有させることができる。
The compound represented by the general formula (2) can be contained in an amount of 10 to 30% by weight, preferably 12 to 28% by weight based on the whole antiferroelectric liquid crystal composition. The compound represented by the general formula (3) is used in an amount of 30 to 40% by weight, preferably 31 to 40% by weight based on the total antiferroelectric liquid crystal composition.
3434% by weight.

【0033】さらにまた本発明においては、(イ)前記
一般式(1)で示される化合物、好ましくは前記下記一
般式(5)、(6)、(7)のいずれかで示される化合
物少なくとも1種とを含有する液晶組成物に、(ロ)前
記一般式(1)で示される化合物、好ましくは前記一般
式(5)、(6)、(7)のいずれかで示される化合物
少なくとも1種と一般式(2)で示される化合物少なく
とも1種とを含有する液晶組成物に、または(ハ)前記
一般式(1)で示される化合物、好ましくは前記一般式
(5)、(6)、(7)のいずれかで示される化合物少
なくとも1種と一般式(2)で示される化合物少なくと
も1種および一般式(3)で示される化合物少なくとも
1種とを含有する液晶組成物に、下記一般式(4)
Furthermore, in the present invention, (a) a compound represented by the above general formula (1), preferably at least one compound represented by any of the following general formulas (5), (6) and (7) (B) a compound represented by the general formula (1), preferably at least one compound represented by any of the general formulas (5), (6) and (7) Or a liquid crystal composition containing at least one compound represented by the general formula (2), or (c) a compound represented by the general formula (1), preferably the general formulas (5), (6), A liquid crystal composition containing at least one compound represented by any one of (7) and at least one compound represented by the general formula (2) and at least one compound represented by the general formula (3) has the following general formula Equation (4)

【化11】 (式中、rは7〜11の整数よりなる群から選ばれた数
であり、sは2〜6の整数よりなる群から選ばれた数で
ある。)で示される化合物少なくとも1種を配合させる
ことにより極めて復帰率の高い反強誘電性液晶組成物と
することができる。
Embedded image (Wherein, r is a number selected from the group consisting of integers from 7 to 11 and s is a number selected from the group consisting of integers from 2 to 6). By doing so, an antiferroelectric liquid crystal composition having an extremely high recovery rate can be obtained.

【0034】前記一般式(4)で示される化合物は、全
反強誘電性液晶組成物に対して、10〜30重量%、好
ましくは13〜28重量%含有させることができる。前
記一般式(7)で示される化合物が全反強誘電性液晶組
成物に対して3〜15重量%である場合には、前記一般
式(7)の化合物はラセミ体であってもよい。
The compound represented by the general formula (4) can be contained in an amount of 10 to 30% by weight, preferably 13 to 28% by weight based on the whole antiferroelectric liquid crystal composition. When the compound represented by the general formula (7) accounts for 3 to 15% by weight based on the total antiferroelectric liquid crystal composition, the compound represented by the general formula (7) may be in a racemic form.

【0035】また本発明の反強誘電性液晶組成物の組成
は、不斉炭素の側鎖がトリフルオロメチル基である反強
誘電性液晶化合物と不斉炭素の側鎖がメチル基である反
強誘電性液晶化合物との混合物であることが配向暗の点
から望ましく、その好ましい比率は6:4から7:3で
ある。
The composition of the antiferroelectric liquid crystal composition of the present invention comprises an antiferroelectric liquid crystal compound in which the side chain of the asymmetric carbon is a trifluoromethyl group and an antiferroelectric liquid crystal compound in which the side chain of the asymmetric carbon is a methyl group. A mixture with a ferroelectric liquid crystal compound is desirable from the viewpoint of alignment darkness, and the preferable ratio is 6: 4 to 7: 3.

【0036】[0036]

【実施例】以下に、実施例と比較例を挙げて本発明を説
明するが、本発明はこれにより限定されるものではな
い。
The present invention will be described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0037】実施例1 下記の組成の反強誘電性液晶組成物を調製した。Example 1 An antiferroelectric liquid crystal composition having the following composition was prepared.

【化12】 この組成物の反強誘電性相の上限温度は99.2℃であ
り、配向暗D1は69、配向暗D40は71であり、D1
40=0.97である。したがって、この反強誘電性液
晶組成物は−40℃までの環境下で使用可能であること
を保証できる。
Embedded image The maximum temperature of the antiferroelectric phase of this composition is 99.2 ° C., the orientation dark D 1 is 69, the orientation dark D 40 is 71, and D 1 /
D 40 = 0.97. Therefore, it can be guaranteed that the antiferroelectric liquid crystal composition can be used in an environment up to −40 ° C.

【0038】実施例2 下記の組成の反強誘電性液晶組成物を調製した。Example 2 An antiferroelectric liquid crystal composition having the following composition was prepared.

【化13】 この組成物の反強誘電性相の上限温度は95.5℃であ
り、配向暗D1は80、−40℃のときの配向暗D40
84であるため、D1/D40=0.93である。
Embedded image The maximum temperature of the antiferroelectric phase of this composition is 95.5 ° C., the orientation dark D 1 is 80, and the orientation dark D 40 at −40 ° C. is 84, so that D 1 / D 40 = 0. .93.

【0039】実施例3 下記の組成の反強誘電性液晶組成物を調製した。Example 3 An antiferroelectric liquid crystal composition having the following composition was prepared.

【化14】 この組成物の反強誘電性相の上限温度は95.7℃であ
り、配向暗D1は80、−40℃のときの配向暗D40
83であるため、D1/D40=0.96である。
Embedded image The maximum temperature of the antiferroelectric phase of this composition is 95.7 ° C., the orientation dark D 1 is 80, and the orientation dark D 40 at −40 ° C. is 83, so that D 1 / D 40 = 0. .96.

【0040】実施例4 実施例2の反強誘電性液晶組成物に対して、下記化学構
造式
Example 4 The following chemical structural formula was applied to the antiferroelectric liquid crystal composition of Example 2.

【化15】 からなる液晶化合物を、重量分率10:1の割合で混合
した新たな反強誘電性液晶組成物を調整した。この組成
物の反強誘電相の上限温度は94.1℃であり配向暗D
1は79、−40℃における配向暗D40=85であるた
め、D1/D40=0.93である。
Embedded image A new antiferroelectric liquid crystal composition was prepared by mixing a liquid crystal compound of the formula (1) with a weight fraction of 10: 1. The maximum temperature of the antiferroelectric phase of this composition is 94.1 ° C.
1 is 79, the orientation darkness at −40 ° C. is D 40 = 85, so D 1 / D 40 = 0.93.

【0041】実施例5 下記の組成の反強誘電性液晶組成物を調製した。Example 5 An antiferroelectric liquid crystal composition having the following composition was prepared.

【化16】 この組成物の反強誘電性相の上限温度は94.1℃であ
り、配向暗D1は90、−40℃のときの配向暗D40
92であるため、D1/D40=0.98である。
Embedded image The maximum temperature of the antiferroelectric phase of this composition is 94.1 ° C., the orientation dark D 1 is 90, and the orientation dark D 40 at −40 ° C. is 92, so that D 1 / D 40 = 0. .98.

【0042】実施例6 下記の組成の反強誘電性液晶組成物を調製した。Example 6 An antiferroelectric liquid crystal composition having the following composition was prepared.

【化17】 この組成物の反強誘電性相の上限温度は90.1℃であ
り、配向暗D1は76、−40℃のときの配向暗D40
101であり、D1/D40=0.75である。また、配
向暗の測定方法において、最低冷却温度を−40℃では
なく、−20℃とし、40℃まで温めて、40℃で測定
した配向暗D20は84であり、このときのD1/D20
0.9である。したがって、この反強誘電性液晶組成物
は−20℃までの環境下で使用可能であることを保証で
きる。
Embedded image The upper limit temperature of the antiferroelectric phase of this composition is 90.1 ° C., the orientation dark D 1 is 76, the orientation dark D 40 at −40 ° C. is 101, and D 1 / D 40 = 0. 75. Further, in the method of measuring the dark orientation, rather than the -40 ℃ minimum cooling temperature, and -20 ° C., warmed to 40 ° C., orientation dark D 20 measured at 40 ° C. is 84, this time D 1 / D 20 =
0.9. Therefore, it can be guaranteed that the antiferroelectric liquid crystal composition can be used in an environment up to −20 ° C.

【0043】[0043]

【効果】本発明によって、熱履歴を受けて配向状態が変
化した場合でも電気信号を印加することによって良好な
配向を回復できる反強誘電性液晶組成物を提供すること
ができた。
According to the present invention, it is possible to provide an antiferroelectric liquid crystal composition capable of recovering good alignment by applying an electric signal even when the alignment state changes due to heat history.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(A)は印加される三角波を、(B)は市販の
ネマチック液晶の、(C)は二状態液晶の、(D)は三
安定状態液晶の、それぞれの光学応答特性を示す。
1 (A) shows an applied triangular wave, (B) shows a commercially available nematic liquid crystal, (C) shows a two-state liquid crystal, and (D) shows a tristable state liquid crystal. .

【図2】クラーク/ラーガーバァルにより提案された強
誘電性液晶分子の二つの安定した配向状態を示す。
FIG. 2 shows two stable alignment states of ferroelectric liquid crystal molecules proposed by Clark / Lagerval.

【図3】(A)は、本発明の“反”強誘電性液晶分子の
三つの安定した配向状態を示す。(B)は、Aの各
(a)、(b)、(c)に対応した三状態スイッチング
と液晶分子配列の変化を示す。
FIG. 3A shows three stable alignment states of the “anti” ferroelectric liquid crystal molecules of the present invention. (B) shows the three-state switching and the change of the liquid crystal molecular arrangement corresponding to each of (a), (b), and (c) of A.

【図4】“反”強誘電性液晶分子が印加電圧に対してダ
ブルヒステリシスを描いて光透過率が変化することを示
す印加電圧−光透過率特性図である。
FIG. 4 is an applied voltage-light transmittance characteristic diagram showing that the “anti” ferroelectric liquid crystal molecules change their light transmittance by drawing a double hysteresis with respect to an applied voltage.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 冷却履歴のない反強誘電性液晶組成物の
40℃における配向暗をD1とし、反強誘電性液晶組成
物を−20℃まで冷却した後40℃まで温めその40℃
における配向暗をD20としたとき、 【数1】D(−20℃)=D1/D20 が0.9以上であることを特徴とする低温側品質保証温
度に優れた反強誘電性液晶組成物。
An anti-ferroelectric liquid crystal composition having no cooling history has a darkness of orientation at 40 ° C., D 1 , and the anti-ferroelectric liquid crystal composition is cooled to −20 ° C. and then heated to 40 ° C.
When the dark orientation was D 20 at ## EQU1 ## D (-20 ℃) = antiferroelectric superior in low temperature side quality assurance temperature D 1 / D 20 is equal to or less than 0.9 Liquid crystal composition.
【請求項2】 冷却履歴のない反強誘電性液晶組成物の
40℃における配向暗をD1とし、反強誘電性液晶組成
物を−40℃まで冷却した後40℃まで温めその40℃
における配向暗をD40としたとき、 【数2】D(−40℃)=D1/D40 が0.9以上であることを特徴とする低温側品質保証温
度に優れた反強誘電性液晶組成物。
Wherein the dark orientation in 40 ° C. with no cooling history antiferroelectric liquid crystal composition as D 1, the anti-ferroelectric liquid crystal composition warmed to 40 ° C. After cooling to -40 ℃ its 40 ° C.
When the dark orientation was D 40 at ## EQU2 ## D (-40 ℃) = antiferroelectric superior in low temperature side quality assurance temperature D 1 / D 40 is equal to or less than 0.9 Liquid crystal composition.
【請求項3】 前記反強誘電性液晶組成物が、下記一般
式(1) 【化1】 (式中、R1は炭素数7〜11のアルキル基であり、こ
のアルキル基は二重結合を含んでいてもよく、R2は炭
素数2〜6のアルキル基であり、Xは単結合、O、CO
Oおよび、OCOよりなる群から選ばれた基であり、Y
1、Y2、Y3は、水素およびフッ素原子よりなる群から
それぞれ独立して選ばれたものであり、CfはCH3
またはCF3基であり、*は不斉炭素を示す。)で示さ
れる化合物少なくとも1種を含有するものである請求項
1または2記載の低温側品質保証温度に優れた反強誘電
性液晶組成物。
3. The antiferroelectric liquid crystal composition according to the following general formula (1): (Wherein, R 1 is an alkyl group having 7 to 11 carbon atoms, the alkyl group may contain a double bond, R 2 is an alkyl group having 2 to 6 carbon atoms, and X is a single bond. , O, CO
A group selected from the group consisting of O and OCO;
1 , Y 2 and Y 3 are each independently selected from the group consisting of hydrogen and fluorine atoms, Cf is a CH 3 group or a CF 3 group, and * represents an asymmetric carbon. 3. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, which comprises at least one compound represented by the formula (1).
【請求項4】 下記一般式(2) 【化2】 (式中、mは6〜9の整数からなる群から選ばれた数で
あり、nは2〜6の整数からなる群から選ばれた数であ
る。)で示される化合物少なくとも1種を含有するもの
である請求項3記載の低温側品質保証温度に優れた反強
誘電性液晶組成物。
4. The following general formula (2): (Wherein, m is a number selected from the group consisting of integers of 6 to 9, and n is a number selected from the group consisting of integers of 2 to 6). 4. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 3, which has an excellent low-temperature-side quality assurance temperature.
【請求項5】 下記一般式(3) 【化3】 (式中、pは7〜11の整数よりなる群から選ばれた数
であり、qは2〜6の整数よりなる群から選ばれた数で
ある。)で示される化合物少なくとも1種を含有するも
のである請求項3または4記載の低温側品質保証温度に
優れた反強誘電性液晶組成物。
5. The following general formula (3): (Wherein p is a number selected from the group consisting of integers from 7 to 11, and q is a number selected from the group consisting of integers from 2 to 6). 5. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 3, wherein the composition has an excellent low-temperature-side quality assurance temperature.
【請求項6】 下記一般式(4) 【化4】 (式中、rは7〜11の整数よりなる群から選ばれた数
であり、sは2〜6の整数よりなる群から選ばれた数で
ある。)で示される化合物少なくとも1種を含有するも
のである請求項3、4または5記載の低温側品質保証温
度に優れた反強誘電性液晶組成物。
6. The following general formula (4): (Wherein, r is a number selected from the group consisting of integers from 7 to 11 and s is a number selected from the group consisting of integers from 2 to 6). 6. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 3, wherein the composition has an excellent low temperature side quality assurance temperature.
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