JPH08113784A - Improver for liquid crystal characteristic - Google Patents
Improver for liquid crystal characteristicInfo
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- JPH08113784A JPH08113784A JP27711394A JP27711394A JPH08113784A JP H08113784 A JPH08113784 A JP H08113784A JP 27711394 A JP27711394 A JP 27711394A JP 27711394 A JP27711394 A JP 27711394A JP H08113784 A JPH08113784 A JP H08113784A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶特性改善剤に関す
る。とくに本発明は、反強誘電性液晶の特性を改善する
のに適した液晶特性改善剤に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a liquid crystal property improving agent. In particular, the present invention relates to a liquid crystal property improving agent suitable for improving the properties of antiferroelectric liquid crystals.
【0002】[0002]
【従来技術】液晶表示素子は、1)低電圧作動性、2)
低消費電力性、3)薄形表示、4)受光型などの優れた
特徴を有するため、現在まで、TN方式、STN方式、
ゲスト−ホスト(Gest−Host)方式などが開発
され実用化されている。2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices have 1) low voltage operability and 2)
It has excellent features such as low power consumption, 3) thin display, 4) light receiving type, etc., so far, TN method, STN method,
A guest-host method has been developed and put to practical use.
【0003】しかし、現在広く利用されているネマチッ
ク液晶を用いたものは、応答速度が数msec〜数十m
secと遅い欠点があり、応用上種々の制約を受けてい
る。However, a nematic liquid crystal that is widely used at present has a response speed of several msec to several tens m.
However, it has a drawback of being slow and has various restrictions in application.
【0004】これらの問題を解決するため、STN方式
や薄層トランジスタ方式などを用いたアクティブマトリ
ックス方式などが開発されたが、STN型表示素子は、
表示コントラストや視野角などの表示品位は優れたもの
となったが、セルギャップやチルト角の制御に高い精度
を必要とすることや応答がやや遅いことなどが問題とな
っている。薄膜トランジスタ方式は構造が複雑で製造時
の歩留りが低く、結果的に高価につく。[0004] In order to solve these problems, an active matrix system using an STN system or a thin-layer transistor system has been developed.
Although display qualities such as display contrast and viewing angle have been improved, problems such as high precision required for control of the cell gap and tilt angle and a rather slow response have become problems. The thin film transistor method has a complicated structure, has a low manufacturing yield, and is consequently expensive.
【0005】このため、応答性のすぐれた新しい液晶表
示方式の開発が要望されており、光学応答時間がμse
cオーダーと極めて短かい超高速デバイスが可能になる
強誘電性液晶の開発が試みられていた。For this reason, there is a demand for the development of a new liquid crystal display system having excellent responsiveness, and the optical response time is μs
Attempts have been made to develop a ferroelectric liquid crystal that enables an extremely high speed device that is as short as c order.
【0006】強誘電性液晶は、1975年、Meyor
等によりDOBAMBC(p−デシルオキシベンジリデ
ン−p−アミノ−2−メチルブチルシンナメート)が初
めて合成された(Le Journal de Phy
sique,36巻1975,L−69)。さらに、1
980年、ClarkとLagawallによりDOB
AMBCのサブマイクロ秒の高速応答、メモリー特性な
ど表示デバイス上の特性が報告されて以来、強誘電性液
晶が大きな注目を集めるようになった〔N.A.Cla
rk,etal.,Appl.Phys.Lett.3
6.899(1980)〕。しかし、彼らの方式には、
実用化に向けて多くの技術的課題があり、特に室温でデ
ィスプレーに要求される実用特性を満足する強誘電性液
晶はほとんど無く、表示ディスプレーに不可欠な液晶分
子の配列制御に有効かつ実用的な方法も確立されていな
かった。Ferroelectric liquid crystals were first described in 1975 by Meyor.
DOBAMBC (p-decyloxybenzylidene-p-amino-2-methylbutyl cinnamate) was synthesized for the first time by (Le Journal de Phy).
sique, vol. 36, 1975, L-69). In addition, 1
DOB by Clark and Lagwall 980
Ferroelectric liquid crystal has become a focus of attention since the characteristics of display devices such as submicrosecond fast response of AMBC and memory characteristics have been reported [N. A. Cla
rk, et al. , Appl. Phys. Lett. Three
6.899 (1980)]. However, their scheme includes
There are many technical issues toward practical use, and there is almost no ferroelectric liquid crystal that satisfies the practical characteristics required for displays at room temperature. The method was not well established.
【0007】この報告以来、液晶材料/デバイス両面か
らの様々な試みがなされ、ツイスト二状態間のスイッチ
ングを利用した表示デバイスが試作され、それを用いた
高速電気光学装置も例えば特開昭56−107216号
などで提案されているが、高いコントラストや適正なし
きい値特性は得られていない。Since this report, various attempts have been made from both sides of liquid crystal materials / devices, prototype display devices utilizing switching between twisted two states have been manufactured, and high-speed electro-optical devices using the same have been disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 56-56. No. 107216, etc., but high contrast and proper threshold characteristics have not been obtained.
【0008】このような視点から他のスイッチング方式
についても探索され、過渡的な散乱方式が提案された。
その後、1988年に本発明者らによる三安定状態を有
する液晶の三状態スイッチング方式が報告された〔A.
D.L.Chandani,T.Hagiwara,
Y.Suzuki etal.,Japan.J.of
Appl.Phys.,27,(5),L729−L7
32(1988)〕。[0008] From such a viewpoint, other switching methods have been searched, and a transient scattering method has been proposed.
Then, in 1988, the inventors of the present invention reported a three-state switching method for a liquid crystal having three stable states [A.
D. L. Chandani, T .; Hagiwara,
Y. Suzuki et al. , Japan. J. of
Appl. Phys. , 27, (5), L729-L7
32 (1988)].
【0009】前記「三安定状態を有する」とは、第一の
電極基板と所定の間隙を隔てて配置されている第二の電
極基板との間に反強誘電性液晶が挟まれてなる液晶電気
光学装置において、前記第一及び第二の電極基板に電界
形成用の電圧が印加されるよう構成されており、図1A
で示される三角波として電圧を印加したとき、前記反強
誘電性液晶が、無電界時に分子配向が第一の安定状態
〔図3(a)〕になり、液晶電気光学装置の透過率が第
一の安定状態(図1Dの)を示し、かつ、電界印加時
に一方の電界方向に対し分子配向が前記第一の安定状態
とは異なる第二の安定状態〔図3(b)〕になり液晶電
気光学装置の透過率が第2の安定状態(図1Dの)を
示し、さらに他方の電界方向に対し前記第一及び第二の
安定状態とは異なる第三の分子配向安定状態〔図3
(c)〕になり液晶電気光学装置の透過率が第三の安定
状態(図1Dの)を示すことを意味する。なお、この
三安定状態を利用する液晶電気光学装置については、本
出願人は特願昭63−70212号として出願し、特開
平2−153322号として公開されている。The above-mentioned "having a tristable state" means a liquid crystal in which an antiferroelectric liquid crystal is sandwiched between a first electrode substrate and a second electrode substrate which is arranged with a predetermined gap. In the electro-optical device, a voltage for forming an electric field is applied to the first and second electrode substrates.
When a voltage is applied as a triangular wave indicated by, the molecular orientation of the antiferroelectric liquid crystal becomes the first stable state [Fig. 3 (a)] when there is no electric field, and the transmittance of the liquid crystal electro-optical device is the first. 1D), and when an electric field is applied, the molecular orientation becomes a second stable state [FIG. 3 (b)] different from the first stable state in one electric field direction. The transmittance of the optical device shows the second stable state (of FIG. 1D), and the third molecular alignment stable state different from the first and second stable states with respect to the other electric field direction [FIG.
(C)] means that the transmittance of the liquid crystal electro-optical device shows the third stable state (in FIG. 1D). Regarding the liquid crystal electro-optical device utilizing the tri-stable state, the present applicant has filed as Japanese Patent Application No. Sho 63-70212 and is disclosed as Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-153322.
【0010】三安定状態を示す反強誘電性液晶の特徴を
さらに詳しく説明する。クラーク/ラガウェル(Cla
rk−Lagawall)により提案された表面安定化
強誘電性液晶素子では、S*C相において強誘電性液晶
分子が図2(a)および(b)のように一方向に均一配
向した2つの安定状態を持ち、印加電界の方向により、
どちらか一方の状態に安定化され、電界を切ってもその
状態が保持される。The characteristics of the antiferroelectric liquid crystal exhibiting a tristable state will be described in more detail. Clark / Ragawell (Cla
In the surface-stabilized ferroelectric liquid crystal device proposed by rk-Lagawall, two stable liquid crystal molecules in which ferroelectric liquid crystal molecules are uniformly oriented in one direction as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b) in the S * C phase. State, and depending on the direction of the applied electric field,
It is stabilized in one of the states, and that state is maintained even when the electric field is cut off.
【0011】しかしながら実際には、強誘電性液晶分子
の配向状態は、液晶分子のダイレクターが捩れたツイス
ト二状態を示したり、層がくの字に折れ曲ったシエブロ
ン構造を示す。シエブロン層構造では、スイッチング角
が小さくなり低コントラストの原因になるなど、実用化
へ向けて大きな障害になっている。一方、“反”強誘電
性液晶は三安定状態を示すSmC*A相では、上記液晶
電気光学装置において、無電界時には、図3(a)に示
すごとく隣り合う層毎に分子は逆方向に傾き反平行に配
列し、液晶分子の双極子はお互に打ち消し合っている。
したがって、液晶層全体として自発分極は打ち消されて
いる。この分子配列を示す液晶相は、図1Dのに対応
している。However, in reality, the alignment state of the ferroelectric liquid crystal molecules shows a twisted two-state in which the director of the liquid crystal molecules is twisted or a chevron structure in which the layers are bent in a V shape. With the Sieblon layer structure, the switching angle becomes small, which causes low contrast, which is a major obstacle to practical use. On the other hand, in the SmC * A phase in which the "anti" ferroelectric liquid crystal shows a tristable state, in the liquid crystal electro-optical device, when there is no electric field, the molecules in the adjacent layers move in opposite directions as shown in FIG. The tilts are arranged antiparallel, and the dipoles of the liquid crystal molecules cancel each other out.
Therefore, the spontaneous polarization is canceled in the entire liquid crystal layer. The liquid crystal phase showing this molecular arrangement corresponds to that in FIG. 1D.
【0012】さらに、(+)又は(−)のしきい値より
充分大きい電圧を印加すると、図3(b)および(c)
に示すごとく液晶分子が同一方向に傾き、平行に配列す
る。この状態では、分子の双極子も同一方向に揃うため
自発分極が発生し、強誘電相となる。Further, when a voltage sufficiently higher than the threshold value of (+) or (-) is applied, FIGS.
Liquid crystal molecules are tilted in the same direction and arranged in parallel as shown in FIG. In this state, the dipoles of the molecules are also aligned in the same direction, so spontaneous polarization occurs and a ferroelectric phase is formed.
【0013】“反”強誘電性液晶のSmC*A相におい
ては、無電界時の“反”強誘電相と印加電界の極性によ
る2つの強誘電相が安定になり、“反”強誘電相と2つ
の強誘電相間を直流的しきい値をもって三安定状態間を
マイクロセカンドオーダーの高速スイッチングを行うも
のである。すなわち、印加電界の極性と大きさにより液
晶の分子配列が変化して、液晶の光学軸を三状態に変化
させることができ、このような液晶の三状態を一対の偏
光板にはさみ込むことにより電気光学的表示装置として
用いることができる。交流三角波の印加電圧に対して光
透過率をプロットすると図4のようなダブル・ヒステリ
シスを示す。このダブル・ヒステリシスに、図4の
(A)に示すようにバイアス電圧を印加して、さらにパ
ルス電圧を重畳することによりメモリー効果を実現でき
る特徴を有する。In the SmC * A phase of the "anti" ferroelectric liquid crystal, the "anti" ferroelectric phase when there is no electric field and the two ferroelectric phases depending on the polarity of the applied electric field are stable, and the "anti" ferroelectric phase And high-speed switching in the microsecond order between the three stable states with a DC threshold value between the two ferroelectric phases. That is, the molecular alignment of the liquid crystal changes depending on the polarity and magnitude of the applied electric field, and the optical axis of the liquid crystal can be changed into three states. It can be used as an electro-optical display device. When the light transmittance is plotted against the applied voltage of the AC triangular wave, the double hysteresis as shown in FIG. 4 is shown. As shown in FIG. 4A, a memory effect can be realized by applying a bias voltage to this double hysteresis and further superimposing a pulse voltage.
【0014】そして、“反”強誘電性液晶では、プラス
側とマイナス側の両方のヒステリシスを交互に使い画像
表示を行なうことができるため、自発分極に基づく内部
電界の蓄積による画像の残像現象を防止することができ
る。さらに、電界印加により強誘電相は層がストレッチ
され、ブックシエルフ構造となる。一方、第一安定状態
の“反”強誘電相では類似ブックシエルフ構造となる。
この電界印加による層構造スイッチングが液晶層に動的
シエアーを与えるため駆動中に配向欠陥が改善され、良
好な分子配向が実現できる。In the "anti" ferroelectric liquid crystal, an image can be displayed by alternately using both the positive side and the negative side of the hysteresis. Can be prevented. Further, by applying an electric field, the layer of the ferroelectric phase is stretched to form a Bookshelf structure. On the other hand, the first stable state “anti” ferroelectric phase has a similar Bookshelf structure.
Since the layer structure switching by the application of the electric field gives a dynamic shear to the liquid crystal layer, alignment defects are improved during driving, and good molecular alignment can be realized.
【0015】以上のように、“反”強誘電性液晶は、
1)高速応答が可能で、2)高いコントラストと広い視
野角および3)良好な配向特性とメモリー効果が実現で
きる、非常に有用な液晶化合物と言える。As described above, the "anti" ferroelectric liquid crystal is
It can be said that it is a very useful liquid crystal compound that can realize 1) high-speed response, 2) high contrast and wide viewing angle, and 3) good alignment characteristics and memory effect.
【0016】“反”強誘電性液晶の三安定状態を示す液
晶相については、1)A.D.L.Chandani
etal.,Japan J.Appl.Phys.,2
8,L−1265(1989)および2)H.Orih
ara etal.,Japan J.Appl.Ph
ys.,29,L−333(1990)に報告されてお
り、“反”強誘電的性質にちなみS*C A相(Anti
ferroelectric Smectic C*
相)と命名しているが本発明者らは、この液晶相が三安
定状態間のスイッチングを行なうためS*(3)相(本明
細書ではSmC*A相と表示)と定義した。The liquid crystal phase showing a tristable state of the "anti" ferroelectric liquid crystal is described in 1) A. D. L. Chandani
et al., Japan J. Appl. Phys., 2
8, L-1265 (1989) and 2) H. Orih
ara et al., Japan J. et al. Appl. Ph
Ys., 29, L-333 (1990), the S * CA phase (Anti) associated with the "anti" ferroelectric property.
ferroelectric Smatic C *
The present inventors defined the liquid crystal phase as S * (3) phase (referred to as SmC * A phase in this specification) because the liquid crystal phase switches between tristable states.
【0017】三安定状態を示す“反”強誘電相SmC*
Aを相系列に有する液晶化合物は、本発明者の出願した
特開平1−316367号、特開平1−316372
号、特開平1−316339号、特開平2−28128
号及び市橋等の特開平1−213390号公報があり、
また三安定状態を利用した液晶電気光学装置としては本
出願人は特開平2−40625号、特開平2−1533
22号、特開平2−173724号において新しい提案
を行っている。"Anti" ferroelectric phase SmC * showing tri-stable state
Liquid crystal compounds having A in the phase series are disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 1-331667 and 1-316372 filed by the present inventor.
JP-A-1-316339, JP-A-2-28128
And Japanese Patent Laid-Open No. 1-213390, such as Ichihashi,
Further, regarding the liquid crystal electro-optical device utilizing the tristable state, the present applicant has disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2-40625 and 2-1533.
No. 22, JP-A-2-173724, and new proposals are made.
【0018】前述した表示装置に用いられる反強誘電性
液晶に要求される材料特性は、主として 1)動作温度
範囲、2)応答速度、3)ヒステリシス特性、4)表示
コントラスト等が挙げられる。3)のヒステリシス特性
については、ヒステリシスの幅を示す目安としてメモリ
ーマージンを定義している。このメモリーマージンが大
きい方がディスプレイに適している。The material characteristics required for the antiferroelectric liquid crystal used in the above-mentioned display device are mainly 1) operating temperature range, 2) response speed, 3) hysteresis characteristic, and 4) display contrast. Regarding the hysteresis characteristic of 3), the memory margin is defined as a standard showing the width of the hysteresis. The larger the memory margin, the more suitable for the display.
【0019】現在、開発されている反強誘電性ディスプ
レイでは、TFTディスプレイの表示性能に比較して、
高精細、高品位という点で表示品位が充分でなく、前記
の重要な駆動特性の改善方法が強く求められている。そ
して、これらの性能を満たすには、単一化合物の反強誘
電性液晶化合物では非常に困難であることがわかってき
た。In the currently developed antiferroelectric display, compared with the display performance of the TFT display,
The display quality is not sufficient in terms of high definition and high quality, and there is a strong demand for a method for improving the above-mentioned important drive characteristics. It has been found that it is extremely difficult to satisfy these performances with a single compound antiferroelectric liquid crystal compound.
【0020】[0020]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ディ
スプレイに充分使用できるメモリーマージンに優れた液
晶組成物、とくに反強誘電性液晶組成物を作成するため
の新規な液晶特性改善剤を提供する点にある。DISCLOSURE OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a novel liquid crystal property improving agent for preparing a liquid crystal composition having a sufficient memory margin which can be sufficiently used for a display, particularly an antiferroelectric liquid crystal composition. There is a point to do.
【0021】[0021]
【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式
〔I〕The present invention has the following general formula [I]:
【化2】 (式中、mは1〜14の整数、nは0〜13の整数、X
は単結合、O、COOおよびOCOよりなる群から選ば
れた基、rは1または2、pは2〜12の整数、ZはC
H3またはCF3である)で示される化合物よりなること
を特徴とする液晶特性改善剤に関する。Embedded image (In the formula, m is an integer of 1 to 14, n is an integer of 0 to 13, X is
Is a single bond, a group selected from the group consisting of O, COO and OCO, r is 1 or 2, p is an integer of 2 to 12, and Z is C.
H 3 or CF 3 ) is contained in the liquid crystal property improving agent.
【0022】本発明の液晶特性改善剤は、液晶組成物、
とくに反強誘電性液晶組成物に対して、通常0.1〜4
0wt%、好ましくは1〜20wt%を添加することに
より、メモリーマージンを改善することができる。The liquid crystal characteristic improving agent of the present invention is a liquid crystal composition,
Especially for antiferroelectric liquid crystal compositions, it is usually 0.1 to 4
The memory margin can be improved by adding 0 wt%, preferably 1 to 20 wt%.
【0023】本発明におけるメモリーマージンはつぎの
ようにして測定した。ラビング処理したポリイミド配向
膜を透明電極基板上に有するセル厚2.0μmの液晶セ
ルに、実施例で得られた液晶化合物または液晶組成物を
等方相において充填し、液晶薄膜セルを作製した。作製
した液晶セルを0.1〜1.0℃/min.の温度勾配
で徐冷して析出させた。この液晶セルを2枚の偏光板を
直交させた、光電子増倍管付き偏光顕微鏡に電圧0Vの
状態で暗視野となるように配置した。液晶が反強誘電相
であるときに、セルに±40V、1Hzの三角波電圧を
印加したときの光の相対透過率を、印加した電圧に対し
てグラフ化すると図5のようになる。図に示すようにプ
ラス電圧を印加したときと、マイナス電圧を印加したと
きとでほぼ左右対称な二つのヒステリシスを有すること
が特徴である。図中に示すように、印加するプラス電圧
(マイナス電圧)を大きくしていく(小さくしていく)
過程で相対透過率が10%になる電圧をV1、印加する
プラス電圧(マイナス電圧)を大きくしていく(小さく
していく)過程で相対透過率が90%になる電圧を
V2、さらに、印加するプラス電圧(マイナス電圧)を
大きくしていく(小さくしていく)過程で相対透過率が
90%になる電圧をV3と定義することにする。また、
ヒステリシスの幅をメモリーマージンM1とよび次式で
定義する。The memory margin in the present invention was measured as follows. A liquid crystal cell having a cell thickness of 2.0 μm and having a rubbing-treated polyimide alignment film on a transparent electrode substrate was filled with the liquid crystal compound or the liquid crystal composition obtained in Example in an isotropic phase to prepare a liquid crystal thin film cell. The prepared liquid crystal cell was charged at 0.1 to 1.0 ° C./min. The mixture was gradually cooled with a temperature gradient of 2 to deposit. This liquid crystal cell was placed in a polarizing microscope with a photomultiplier tube in which two polarizing plates were orthogonal to each other so as to provide a dark field at a voltage of 0V. When the liquid crystal is in the antiferroelectric phase, the relative transmittance of light when a triangular wave voltage of ± 40 V and 1 Hz is applied to the cell is plotted against the applied voltage as shown in FIG. As shown in the figure, it is characterized by having two hysteresis which are substantially symmetrical when a positive voltage is applied and when a negative voltage is applied. As shown in the figure, increase (decrease) the applied positive voltage (minus voltage).
In the process, the voltage at which the relative transmittance becomes 10% is V 1 , and the voltage at which the relative transmittance becomes 90% is V 2 at the process of increasing (decreasing) the applied positive voltage (minus voltage). The voltage at which the relative transmittance becomes 90% in the process of increasing (decreasing) the applied positive voltage (negative voltage) is defined as V 3 . Also,
The width of hysteresis is defined as the memory margin M 1 and the following equation.
【数1】 メモリーマージンの数値が大きい方がディスプレイには
適している。[Equation 1] The larger the memory margin value, the better the display.
【0024】本発明の液晶特性改善剤の例をつぎに示
す。Examples of the liquid crystal characteristic improving agent of the present invention are shown below.
【表1】 [Table 1]
【表2】 [Table 2]
【0025】[0025]
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れにより限定されるものではない。EXAMPLES Examples of the present invention will be shown below, but the present invention is not limited thereto.
【0026】比較例1 下記に示す液晶化合物を各々下記に示す割合にて配合し
て反強誘電性液晶組成物を作成した。Comparative Example 1 An antiferroelectric liquid crystal composition was prepared by mixing the liquid crystal compounds shown below in the respective proportions shown below.
【化3】 これにより得られた反強誘電性液晶組成物のデータを表
3に示す。Embedded image Table 3 shows the data of the antiferroelectric liquid crystal composition thus obtained.
【0027】実施例1Example 1
【化4】 この両者をブレンドして得た反強誘電性液晶組成物のデ
ータを表3に示す。[Chemical 4] Table 3 shows data of the antiferroelectric liquid crystal composition obtained by blending the both.
【0028】実施例2Example 2
【化5】 この両者をブレンドして得た反強誘電性液晶組成物のデ
ータを表3に示す。Embedded image Table 3 shows data of the antiferroelectric liquid crystal composition obtained by blending the both.
【0029】前述の測定方法によって物性を測定した3
0℃、40℃におけるメモリーマージンを表3に示す。Physical properties were measured by the above-mentioned measuring method 3.
Table 3 shows the memory margins at 0 ° C and 40 ° C.
【表3】 [Table 3]
【0030】[0030]
【効果】本発明の液晶特性改善剤の使用により、液晶組
成物、とくに反強誘電性液晶組成物のメモリーマージン
を大幅に向上することができた。[Effect] By using the liquid crystal property improving agent of the present invention, the memory margin of the liquid crystal composition, particularly the antiferroelectric liquid crystal composition, can be significantly improved.
【図1】Aは印加される三角波を、Bは市販のネマチッ
ク液晶の、Cは二状態液晶の、Dは三安定状態液晶の、
それぞれの光学応答特性を示す。FIG. 1A is an applied triangular wave, B is a commercially available nematic liquid crystal, C is a two-state liquid crystal, and D is a three-stable state liquid crystal.
The respective optical response characteristics are shown.
【図2】クラーク/ラガウェルにより提案された強誘電
性液晶分子の二つの安定した配向状態を示す。FIG. 2 shows two stable alignment states of a ferroelectric liquid crystal molecule proposed by Clark / Ragawell.
【図3】Aは、本発明の“反”強誘電性液晶分子の三つ
の安定した配向状態を示す。Bは、Aの各(a)、
(b)、(c)に対応した三状態スイッチングと液晶分
子配列の変化を示す。FIG. 3A shows three stable alignment states of the “anti” ferroelectric liquid crystal molecule of the present invention. B is each (a) of A,
The three-state switching corresponding to (b) and (c) and the change of the liquid crystal molecular alignment are shown.
【図4】“反”強誘電性液晶分子が印加電圧に対してダ
ブルヒステリシスを描いて光透過率が変化することを示
す印加電圧−光透過率特性図である。FIG. 4 is an applied voltage-light transmittance characteristic diagram showing that the “anti” ferroelectric liquid crystal molecule draws double hysteresis with respect to the applied voltage and the light transmittance changes.
【図5】三角波印加電圧に対する相対透過率のヒステリ
シス曲線のモデルを示す。FIG. 5 shows a model of a hysteresis curve of relative transmittance with respect to a triangular wave applied voltage.
Claims (1)
は単結合、O、COOおよびOCOよりなる群から選ば
れた基、rは1または2、pは2〜12の整数、ZはC
H3またはCF3である)で示される化合物よりなること
を特徴とする液晶特性改善剤。1. The following general formula [I]: (In the formula, m is an integer of 1 to 14, n is an integer of 0 to 13, X is
Is a single bond, a group selected from the group consisting of O, COO and OCO, r is 1 or 2, p is an integer of 2 to 12, and Z is C.
H 3 or CF 3 ). A liquid crystal property improving agent.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27711394A JPH08113784A (en) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | Improver for liquid crystal characteristic |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27711394A JPH08113784A (en) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | Improver for liquid crystal characteristic |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08113784A true JPH08113784A (en) | 1996-05-07 |
Family
ID=17578968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27711394A Pending JPH08113784A (en) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | Improver for liquid crystal characteristic |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08113784A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7083832B2 (en) * | 2000-09-01 | 2006-08-01 | Displaytech, Inc. | Partially fluorinated liquid crystal material |
-
1994
- 1994-10-17 JP JP27711394A patent/JPH08113784A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7083832B2 (en) * | 2000-09-01 | 2006-08-01 | Displaytech, Inc. | Partially fluorinated liquid crystal material |
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