JPH11150254A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH11150254A JPH11150254A JP9332419A JP33241997A JPH11150254A JP H11150254 A JPH11150254 A JP H11150254A JP 9332419 A JP9332419 A JP 9332419A JP 33241997 A JP33241997 A JP 33241997A JP H11150254 A JPH11150254 A JP H11150254A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
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- 238000007496 glass forming Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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- 238000003705 background correction Methods 0.000 description 2
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- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 固体撮像素子の受光面に結像される画像にお
いて、その周辺部に生じる信号レベルの落ち込み(シェ
ーディング)の発生を抑える。 【解決手段】 固体撮像素子10は半導体基板11と、
半導体基板11の上面に積層されたカバーガラス13と
を有する。半導体基板11の上面に多数にフォトダイオ
ード12を設ける。カバーガラス13は各フォトダイオ
ード12上に設けられたマイクロレンズ14を有する。
光軸方向から見たマイクロレンズ14の大きさは、受光
面の中央部から周辺部に近づくに従い大きくなる。マイ
クロレンズ14の作用により、フォトダイオード12へ
の入射光を集光し、シェーディングを防止する。
いて、その周辺部に生じる信号レベルの落ち込み(シェ
ーディング)の発生を抑える。 【解決手段】 固体撮像素子10は半導体基板11と、
半導体基板11の上面に積層されたカバーガラス13と
を有する。半導体基板11の上面に多数にフォトダイオ
ード12を設ける。カバーガラス13は各フォトダイオ
ード12上に設けられたマイクロレンズ14を有する。
光軸方向から見たマイクロレンズ14の大きさは、受光
面の中央部から周辺部に近づくに従い大きくなる。マイ
クロレンズ14の作用により、フォトダイオード12へ
の入射光を集光し、シェーディングを防止する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子カメラ等に設
けられる固体撮像素子に関する。
けられる固体撮像素子に関する。
【0002】
【従来の技術】従来電子カメラ等として、撮影光学系の
光軸上にCCD等の固体撮像素子が設けられたものが知
られている。固体撮像素子には多数のフォトダイオード
が配置されており、撮影光学系によって固体撮像素子の
受光面に結像された画像は、フォトダイオードによって
光電変換される。電気信号に変換された画像信号は画像
処理を施されて、ICカード等の記録媒体に格納され、
あるいはモニタ装置に表示される。
光軸上にCCD等の固体撮像素子が設けられたものが知
られている。固体撮像素子には多数のフォトダイオード
が配置されており、撮影光学系によって固体撮像素子の
受光面に結像された画像は、フォトダイオードによって
光電変換される。電気信号に変換された画像信号は画像
処理を施されて、ICカード等の記録媒体に格納され、
あるいはモニタ装置に表示される。
【0003】撮影光学系から固体撮像素子に導かれる光
は受光面の全体にわたって均一ではなく、撮影光学系の
影響等のため、受光面上の画像には、受光面の中央部よ
りも周辺部において暗くなるシェーディングが発生す
る。このため固体撮像素子から出力された画像信号のレ
ベルは画像の周辺部において低くなり、画像処理のひと
つとして、シェーディング補正が必要となる。
は受光面の全体にわたって均一ではなく、撮影光学系の
影響等のため、受光面上の画像には、受光面の中央部よ
りも周辺部において暗くなるシェーディングが発生す
る。このため固体撮像素子から出力された画像信号のレ
ベルは画像の周辺部において低くなり、画像処理のひと
つとして、シェーディング補正が必要となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、固体撮像素
子の受光面に結像される画像において、その周辺部に生
じる信号レベルの落ち込み、すなわちシェーディングの
発生を抑えることができる固体撮像素子を提供すること
を目的としている。
子の受光面に結像される画像において、その周辺部に生
じる信号レベルの落ち込み、すなわちシェーディングの
発生を抑えることができる固体撮像素子を提供すること
を目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係る第1の固体
撮像素子は、受光面に配置された複数のフォトダイオー
ドと、これらのフォトダイオード上に設けられたマイク
ロレンズとを備え、マイクロレンズの光軸方向から見た
大きさが、受光面の中央部から周辺部に近づくに従い大
きくなることを特徴としている。
撮像素子は、受光面に配置された複数のフォトダイオー
ドと、これらのフォトダイオード上に設けられたマイク
ロレンズとを備え、マイクロレンズの光軸方向から見た
大きさが、受光面の中央部から周辺部に近づくに従い大
きくなることを特徴としている。
【0006】マイクロレンズは例えば、その周囲に形成
された非レンズ面よりも突出している。
された非レンズ面よりも突出している。
【0007】マイクロレンズの表面形状は、例えば球面
の一部である。この場合、球面の曲率半径が全てのマイ
クロレンズに関して同じであってもよい。非レンズ面
は、固体撮像素子の基板に平行な平面であってもよい
し、また固体撮像素子の基板に対して、受光面の中央部
側が突出する傾斜面であってもよい。
の一部である。この場合、球面の曲率半径が全てのマイ
クロレンズに関して同じであってもよい。非レンズ面
は、固体撮像素子の基板に平行な平面であってもよい
し、また固体撮像素子の基板に対して、受光面の中央部
側が突出する傾斜面であってもよい。
【0008】マイクロレンズの突出量は、受光面の全体
にわたって均一であってもよいし、また受光面の周辺部
において最大になるように構成されてもよい。
にわたって均一であってもよいし、また受光面の周辺部
において最大になるように構成されてもよい。
【0009】マイクロレンズと非レンズ面を構成するカ
バーガラスは一体的に成形されることが好ましい。
バーガラスは一体的に成形されることが好ましい。
【0010】マイクロレンズの光軸に垂直な断面形状は
例えば円形である。その断面形状は受光面の中心からの
距離が大きくなるほど大きくなることが好ましい。
例えば円形である。その断面形状は受光面の中心からの
距離が大きくなるほど大きくなることが好ましい。
【0011】マイクロレンズの先端とフォトダイオード
との距離は、受光面の周辺部において最大となるように
定められてもよく、あるいは受光面の全体にわたって均
一となるように定められてもよい。
との距離は、受光面の周辺部において最大となるように
定められてもよく、あるいは受光面の全体にわたって均
一となるように定められてもよい。
【0012】本発明に係る第2の固体撮像素子は、受光
面に配置された複数のフォトダイオードと、これらのフ
ォトダイオード上に設けられたマイクロレンズとを備
え、マイクロレンズの大きさが、受光面の周辺部の近傍
において最大であることを特徴としている。
面に配置された複数のフォトダイオードと、これらのフ
ォトダイオード上に設けられたマイクロレンズとを備
え、マイクロレンズの大きさが、受光面の周辺部の近傍
において最大であることを特徴としている。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図1は本発明の第1の実施形態で
ある固体撮像素子10を受光面側から見た図である。図
2は図1のII−II線に沿って示す断面図であり、固
体撮像素子10の断面形状を誇張して示している。
を参照して説明する。図1は本発明の第1の実施形態で
ある固体撮像素子10を受光面側から見た図である。図
2は図1のII−II線に沿って示す断面図であり、固
体撮像素子10の断面形状を誇張して示している。
【0014】固体撮像素子10は概略的に、半導体基板
11の上面に多数のフォトダイオード12を配設して構
成される。半導体基板11の上面にはカバーガラス13
が積層される。カバーガラス13はプラスチックから一
体的に成形された透明な部材であり、フォトダイオード
12の位置に形成されたマイクロレンズ14と、マイク
ロレンズ14の周囲に形成された非レンズ面15とから
成る。非レンズ面15は半導体基板11に平行な平面で
ある。マイクロレンズ14は非レンズ面15よりも突出
している。マイクロレンズ14の表面形状は球面の一部
であり、マイクロレンズ14と非レンズ面15との境界
の形状、すなわちマイクロレンズ14の光軸に垂直な断
面形状は円形である。なお各マイクロレンズ14の光軸
同士は相互に平行である。
11の上面に多数のフォトダイオード12を配設して構
成される。半導体基板11の上面にはカバーガラス13
が積層される。カバーガラス13はプラスチックから一
体的に成形された透明な部材であり、フォトダイオード
12の位置に形成されたマイクロレンズ14と、マイク
ロレンズ14の周囲に形成された非レンズ面15とから
成る。非レンズ面15は半導体基板11に平行な平面で
ある。マイクロレンズ14は非レンズ面15よりも突出
している。マイクロレンズ14の表面形状は球面の一部
であり、マイクロレンズ14と非レンズ面15との境界
の形状、すなわちマイクロレンズ14の光軸に垂直な断
面形状は円形である。なお各マイクロレンズ14の光軸
同士は相互に平行である。
【0015】固体撮像素子10は受光面側から見て矩形
を呈し、フォトダイオード11は格子状に配置されてい
る。図1においてフォトダイオード11は、横方向に1
0個、縦方向に8個並んでいるが、実際にはもっと多数
設けられている。
を呈し、フォトダイオード11は格子状に配置されてい
る。図1においてフォトダイオード11は、横方向に1
0個、縦方向に8個並んでいるが、実際にはもっと多数
設けられている。
【0016】図2に示されるようにマイクロレンズ14
の非レンズ面15からの突出量は、固体撮像素子10の
中央部において相対的に小さく、周辺部ほど大きい。図
示例では、周辺部近傍のマイクロレンズ14は半球状で
あり、その曲率中心は非レンズ面15の近傍に位置して
いるが、中央部に近づくほどマイクロレンズ14の曲率
中心は半導体基板11の底面16側に位置している。
の非レンズ面15からの突出量は、固体撮像素子10の
中央部において相対的に小さく、周辺部ほど大きい。図
示例では、周辺部近傍のマイクロレンズ14は半球状で
あり、その曲率中心は非レンズ面15の近傍に位置して
いるが、中央部に近づくほどマイクロレンズ14の曲率
中心は半導体基板11の底面16側に位置している。
【0017】図3および図4を参照してマイクロレンズ
14の大きさについて説明する。レンズLを結像面から
その焦点距離fだけ離れた所に配置したとき、レンズL
の光軸上(符号0)における結像面での単位面積当たり
の受光量をE0 とする。このときレンズLの光軸上から
距離Rだけ離れた部位における結像面での単位面積当た
りの受光量E(R)は、コサイン4乗則により、 E(R)=E0 ・cos4θ =E0 ・(f/(f2 +R2 )1/2 )4 ・・・(1) である。ただしθは、距離Rだけ離れた部位とレンズL
の中心を結んだ線と、光軸とのなす角である。
14の大きさについて説明する。レンズLを結像面から
その焦点距離fだけ離れた所に配置したとき、レンズL
の光軸上(符号0)における結像面での単位面積当たり
の受光量をE0 とする。このときレンズLの光軸上から
距離Rだけ離れた部位における結像面での単位面積当た
りの受光量E(R)は、コサイン4乗則により、 E(R)=E0 ・cos4θ =E0 ・(f/(f2 +R2 )1/2 )4 ・・・(1) である。ただしθは、距離Rだけ離れた部位とレンズL
の中心を結んだ線と、光軸とのなす角である。
【0018】(1)式に示されるように結像面での単位
面積当たりの受光量E(R)は、レンズLの光軸から離
れるほど小さくなり、このため、固体撮像素子10の受
光面の周辺部では中央部と比較して少なくなる。そこで
本実施形態では、次に述べるように、受光面の周辺部に
おけるフォトダイオード12に入射する光量を補正すべ
く、マイクロレンズ14の光軸方向から見た大きさが周
辺部の近傍において最大になるように定めている。
面積当たりの受光量E(R)は、レンズLの光軸から離
れるほど小さくなり、このため、固体撮像素子10の受
光面の周辺部では中央部と比較して少なくなる。そこで
本実施形態では、次に述べるように、受光面の周辺部に
おけるフォトダイオード12に入射する光量を補正すべ
く、マイクロレンズ14の光軸方向から見た大きさが周
辺部の近傍において最大になるように定めている。
【0019】受光面の中央部におけるマイクロレンズ1
4aの半径をr0 とし、中央部から距離Rだけ離れた部
位に設けられたマイクロレンズ14bの半径をrとする
と、マイクロレンズ14a、14bの面積はそれぞれπ
r0 2、πr2 である。したがって中央部のマイクロレン
ズ14aにより集光される光量はE0 ・πr0 2であり、
周辺部のマイクロレンズ14bにより集光される光量は
E(R)・πr2 である。
4aの半径をr0 とし、中央部から距離Rだけ離れた部
位に設けられたマイクロレンズ14bの半径をrとする
と、マイクロレンズ14a、14bの面積はそれぞれπ
r0 2、πr2 である。したがって中央部のマイクロレン
ズ14aにより集光される光量はE0 ・πr0 2であり、
周辺部のマイクロレンズ14bにより集光される光量は
E(R)・πr2 である。
【0020】周辺部における受光量を増加させて中央部
における受光量に等しくするには、 E(R)・πr2 =E0 ・πr0 2 とすればよい。したがって中央部のマイクロレンズ14
aの半径r0 と周辺部のマイクロレンズ14bの半径r
との関係は r=r0 (1+(R/f)2 ) ・・・(2) となるように定められてもよいが、これによると、コサ
イン4乗則による周辺部のシェーディングの補正しか考
慮されない。しかし実際には、口径蝕等に基づくシェー
ディングも存在するので、実験によってマイクロレンズ
の半径を定めることが好ましい。
における受光量に等しくするには、 E(R)・πr2 =E0 ・πr0 2 とすればよい。したがって中央部のマイクロレンズ14
aの半径r0 と周辺部のマイクロレンズ14bの半径r
との関係は r=r0 (1+(R/f)2 ) ・・・(2) となるように定められてもよいが、これによると、コサ
イン4乗則による周辺部のシェーディングの補正しか考
慮されない。しかし実際には、口径蝕等に基づくシェー
ディングも存在するので、実験によってマイクロレンズ
の半径を定めることが好ましい。
【0021】図5は、中央部のマイクロレンズ14aと
周辺部のマイクロレンズ14bを示す断面図である。上
述したようにマイクロレンズ14a、14bの表面形状
は球面の一部であり、その曲率半径は全てのマイクロレ
ンズに関して同じである。またマイクロレンズの非レン
ズ面15からの突出量は、受光面の中央部から周辺部に
向かって大きくなり、周辺部において最大である。すな
わち、マイクロレンズの先端とフォトダイオード12と
の距離は受光面の周辺部において最大である。
周辺部のマイクロレンズ14bを示す断面図である。上
述したようにマイクロレンズ14a、14bの表面形状
は球面の一部であり、その曲率半径は全てのマイクロレ
ンズに関して同じである。またマイクロレンズの非レン
ズ面15からの突出量は、受光面の中央部から周辺部に
向かって大きくなり、周辺部において最大である。すな
わち、マイクロレンズの先端とフォトダイオード12と
の距離は受光面の周辺部において最大である。
【0022】換言すれば、球面の中心の深さ位置は、受
光面の中央部のマイクロレンズ14aにおいて相対的に
下方(半導体基板11の底面16側)にあり、受光面の
周辺部のマイクロレンズ14bにおいて相対的に上方
(非レンズ面15側)にある。このようなマイクロレン
ズの突出量の変化は、例えば実験結果に基づいて、シェ
ーディングが最小になるように定められる。
光面の中央部のマイクロレンズ14aにおいて相対的に
下方(半導体基板11の底面16側)にあり、受光面の
周辺部のマイクロレンズ14bにおいて相対的に上方
(非レンズ面15側)にある。このようなマイクロレン
ズの突出量の変化は、例えば実験結果に基づいて、シェ
ーディングが最小になるように定められる。
【0023】以上のように第1の実施形態は、固体撮像
素子10の各フォトダイオード12の上側に設けられた
マイクロレンズ14の大きさが、受光面の周辺部ほど大
きくなるように構成されている。これにより、周辺部の
フォトダイオード12による受光量の低下が防止され、
シェーディング補正を省略することが可能となる。
素子10の各フォトダイオード12の上側に設けられた
マイクロレンズ14の大きさが、受光面の周辺部ほど大
きくなるように構成されている。これにより、周辺部の
フォトダイオード12による受光量の低下が防止され、
シェーディング補正を省略することが可能となる。
【0024】第1の実施形態において、マイクロレンズ
の球面の中心の深さ位置は、そのマイクロレンズの受光
面上における中央部からの距離Rによって異なってい
る。すなわち、各マイクロレンズの焦点は中央部からの
距離Rによって異なっている。しかしマイクロレンズの
機能は単なる集光であり、画像を結像させるものではな
い。したがって、各マイクロレンズ毎に焦点位置がずれ
ていても大きな問題は生じない。
の球面の中心の深さ位置は、そのマイクロレンズの受光
面上における中央部からの距離Rによって異なってい
る。すなわち、各マイクロレンズの焦点は中央部からの
距離Rによって異なっている。しかしマイクロレンズの
機能は単なる集光であり、画像を結像させるものではな
い。したがって、各マイクロレンズ毎に焦点位置がずれ
ていても大きな問題は生じない。
【0025】図6および図7は第2の実施形態における
固体撮像素子20を示している。図6は、第1の実施形
態における図2と同様な断面図であり、図7はひとつの
マイクロレンズを拡大して示す断面図である。
固体撮像素子20を示している。図6は、第1の実施形
態における図2と同様な断面図であり、図7はひとつの
マイクロレンズを拡大して示す断面図である。
【0026】非レンズ面25は、固体撮像素子20の半
導体基板21に対して、受光面の中央部側が突出する傾
斜面である。マイクロレンズ24の突出量は、受光面の
中央部から周辺部に向かって大きくなり、周辺部におい
て最大である。すなわちマイクロレンズ24の先端とフ
ォトダイオード22との距離は受光面の全体にわたって
均一である。換言すれば、マイクロレンズ24の表面の
球形の中心の深さ位置は、受光面の全体にわたって同じ
であり、全てのマイクロレンズ24の焦点はフォトダイ
オード22に一致している。
導体基板21に対して、受光面の中央部側が突出する傾
斜面である。マイクロレンズ24の突出量は、受光面の
中央部から周辺部に向かって大きくなり、周辺部におい
て最大である。すなわちマイクロレンズ24の先端とフ
ォトダイオード22との距離は受光面の全体にわたって
均一である。換言すれば、マイクロレンズ24の表面の
球形の中心の深さ位置は、受光面の全体にわたって同じ
であり、全てのマイクロレンズ24の焦点はフォトダイ
オード22に一致している。
【0027】その他の構成は第1の実施形態と同様であ
り、マイクロレンズ24の半径rは、受光面の周辺部ほ
ど大きくなるように構成されている。なお図6において
は、説明上、非レンズ面25の部分のみの形状は比較的
大きな傾斜で描かれているが、実際には、中央部から周
辺部へ向けて、その厚みがごく緩やかに減少していく傾
斜面であり、この傾斜面による集光作用は無視できるほ
ど小さく、マイクロレンズ24による集光作用に影響を
及ぼすものではない。
り、マイクロレンズ24の半径rは、受光面の周辺部ほ
ど大きくなるように構成されている。なお図6において
は、説明上、非レンズ面25の部分のみの形状は比較的
大きな傾斜で描かれているが、実際には、中央部から周
辺部へ向けて、その厚みがごく緩やかに減少していく傾
斜面であり、この傾斜面による集光作用は無視できるほ
ど小さく、マイクロレンズ24による集光作用に影響を
及ぼすものではない。
【0028】したがって第2の実施形態によれば、第1
の実施形態と同様な効果が得られるのに加え、各マイク
ロレンズ24の焦点位置が均一であるため、フォトダイ
オード22によって検出される画像はマイクロレンズ2
4によって全く影響を受けない。
の実施形態と同様な効果が得られるのに加え、各マイク
ロレンズ24の焦点位置が均一であるため、フォトダイ
オード22によって検出される画像はマイクロレンズ2
4によって全く影響を受けない。
【0029】図8および図9は、第3の実施形態におけ
る固体撮像素子30を示している。図8と図9は、第2
の実施形態における図6と図7にそれぞれ対応する。
る固体撮像素子30を示している。図8と図9は、第2
の実施形態における図6と図7にそれぞれ対応する。
【0030】非レンズ面35は、固体撮像素子30の半
導体基板31に平行な平面である。マイクロレンズ34
の非レンズ面35からの突出量は、受光面の全体にわた
って均一であり、マイクロレンズ34の先端とフォトダ
イオード32との距離も受光面の全体にわたって均一で
ある。受光面の周辺部近傍のマイクロレンズ34は半球
状であるが、それよりも中央部側に位置するマイクロレ
ンズ34の側面37は光軸を軸心とする円柱面状であ
り、例えば(2)式に従った半径r、あるいは実験によ
って決定された半径rを有している。すなわち第1およ
び第2の実施形態と同様に、光軸方向から見たマイクロ
レンズ34の大きさは、中央部から周辺部に近づくに従
い大きくなっている。
導体基板31に平行な平面である。マイクロレンズ34
の非レンズ面35からの突出量は、受光面の全体にわた
って均一であり、マイクロレンズ34の先端とフォトダ
イオード32との距離も受光面の全体にわたって均一で
ある。受光面の周辺部近傍のマイクロレンズ34は半球
状であるが、それよりも中央部側に位置するマイクロレ
ンズ34の側面37は光軸を軸心とする円柱面状であ
り、例えば(2)式に従った半径r、あるいは実験によ
って決定された半径rを有している。すなわち第1およ
び第2の実施形態と同様に、光軸方向から見たマイクロ
レンズ34の大きさは、中央部から周辺部に近づくに従
い大きくなっている。
【0031】一方、マイクロレンズ34の球面の曲率中
心の位置は、受光面の全体にわたって同じであり、非レ
ンズ面35と同一の面上に位置している。すなわち、全
てのマイクロレンズ34の焦点はフォトダイオード32
に一致している。その他の構成は第1および第2の実施
形態と同様である。
心の位置は、受光面の全体にわたって同じであり、非レ
ンズ面35と同一の面上に位置している。すなわち、全
てのマイクロレンズ34の焦点はフォトダイオード32
に一致している。その他の構成は第1および第2の実施
形態と同様である。
【0032】したがって第3の実施形態によれば、第2
の実施形態と同様な効果が得られる。
の実施形態と同様な効果が得られる。
【0033】図10および図11は、第4の実施形態に
おける固体撮像素子40を示している。図10と図11
は、第2の実施形態における図6と図7にそれぞれ対応
する。
おける固体撮像素子40を示している。図10と図11
は、第2の実施形態における図6と図7にそれぞれ対応
する。
【0034】非レンズ面45は、固体撮像素子40の半
導体基板41に平行な平面である。マイクロレンズ44
の非レンズ面45からの突出量は、受光面の中央部から
周辺部に向かって大きくなり、周辺部において最大であ
る。一方フォトダイオードに関しては、第1〜第3の実
施形態では、非レンズ面11、21、31に平行に設け
られているが、第4の実施形態では、固体撮像素子40
の周辺部から中央部に近づくほど半導体基板41の底面
46に近づくように配設されている。すなわち、マイク
ロレンズ44の先端とフォトダイオード42との距離は
受光面の全体にわたって均一であり、フォトダイオード
42はマイクロレンズ44の焦点位置に配置されてい
る。換言すれば、半導体基板41とカバーガラス43の
境界面47は、受光面の周辺部から中央部に近づくに従
って底面41に近接するように傾斜しており、また各マ
イクロレンズ34の球面の曲率中心の位置は、境界面4
7に沿っている。
導体基板41に平行な平面である。マイクロレンズ44
の非レンズ面45からの突出量は、受光面の中央部から
周辺部に向かって大きくなり、周辺部において最大であ
る。一方フォトダイオードに関しては、第1〜第3の実
施形態では、非レンズ面11、21、31に平行に設け
られているが、第4の実施形態では、固体撮像素子40
の周辺部から中央部に近づくほど半導体基板41の底面
46に近づくように配設されている。すなわち、マイク
ロレンズ44の先端とフォトダイオード42との距離は
受光面の全体にわたって均一であり、フォトダイオード
42はマイクロレンズ44の焦点位置に配置されてい
る。換言すれば、半導体基板41とカバーガラス43の
境界面47は、受光面の周辺部から中央部に近づくに従
って底面41に近接するように傾斜しており、また各マ
イクロレンズ34の球面の曲率中心の位置は、境界面4
7に沿っている。
【0035】その他の構成は第1〜第3の実施形態と同
様であり、第4の実施形態によれば、半導体基板41と
カバーガラス43の成形工程が複雑になるが、シェーデ
ィングを抑制する効果に関しては、第1〜第3の実施形
態と同様である。
様であり、第4の実施形態によれば、半導体基板41と
カバーガラス43の成形工程が複雑になるが、シェーデ
ィングを抑制する効果に関しては、第1〜第3の実施形
態と同様である。
【0036】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、固体撮像
素子の受光面に結像される画像において、その周辺部に
生じる信号レベルの落ち込み、すなわちシェーディング
の発生を抑えることができる。
素子の受光面に結像される画像において、その周辺部に
生じる信号レベルの落ち込み、すなわちシェーディング
の発生を抑えることができる。
【図1】本発明の第1の実施形態である固体撮像素子を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図2】図1のII−II線に沿って示す断面図であ
る。
る。
【図3】コサイン4乗則を説明するための図である。
【図4】固体撮像素子の受光面上における各マイクロレ
ンズの大きさの関係を示す図である。
ンズの大きさの関係を示す図である。
【図5】受光面の中央部と周辺部におけるマイクロレン
ズの形状を示す断面図である。
ズの形状を示す断面図である。
【図6】第2の実施形態における固体撮像素子を示す断
面図である。
面図である。
【図7】第2の実施形態のマイクロレンズを拡大して示
す断面図である。
す断面図である。
【図8】第3の実施形態における固体撮像素子を示す断
面図である。
面図である。
【図9】第3の実施形態のマイクロレンズを拡大して示
す断面図である。
す断面図である。
【図10】第4の実施形態における固体撮像素子を示す
断面図である。
断面図である。
【図11】第4の実施形態のマイクロレンズを拡大して
示す断面図である。
示す断面図である。
10 固体撮像素子 11、21、31、41 半導体基板 12、22、32、42 フォトダイオード 13、43 カバーガラス 14、24、34、44 マイクロレンズ
Claims (14)
- 【請求項1】 受光面に配置された複数のフォトダイオ
ードと、これらのフォトダイオード上に設けられたマイ
クロレンズとを備え、前記マイクロレンズの光軸方向か
ら見た大きさが、前記受光面の中央部から周辺部に近づ
くに従い大きくなることを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項2】 前記マイクロレンズが、その周囲に形成
された非レンズ面よりも突出していることを特徴とする
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 【請求項3】 前記マイクロレンズの表面形状が球面の
一部であることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像
素子。 - 【請求項4】 前記球面の曲率半径が全てのマイクロレ
ンズに関して同じであることを特徴とする請求項3に記
載の固体撮像素子。 - 【請求項5】 前記非レンズ面が固体撮像素子の基板に
平行な平面であることを特徴とする請求項2に記載の固
体撮像素子。 - 【請求項6】 前記非レンズ面が、固体撮像素子の基板
に対して、前記受光面の中央部側が突出する傾斜面であ
ることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像素子。 - 【請求項7】 前記マイクロレンズの突出量が前記受光
面の全体にわたって均一であることを特徴とする請求項
2に記載の固体撮像素子。 - 【請求項8】 前記マイクロレンズの突出量が前記受光
面の周辺部において最大であることを特徴とする請求項
2に記載の固体撮像素子。 - 【請求項9】 前記マイクロレンズと非レンズ面を構成
するカバーガラスが一体的に成形されることを特徴とす
る請求項2に記載の固体撮像素子。 - 【請求項10】 前記マイクロレンズの光軸に垂直な断
面形状が円形であることを特徴とする請求項1に記載の
固体撮像素子。 - 【請求項11】 前記断面形状が、前記受光面の中心か
らの距離が大きくなるほど大きくなることを特徴とする
請求項10に記載の固体撮像素子。 - 【請求項12】 前記マイクロレンズの先端とフォトダ
イオードとの距離が前記受光面の周辺部において最大で
あることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。 - 【請求項13】 前記マイクロレンズの先端とフォトダ
イオードとの距離が前記受光面の全体にわたって均一で
あることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。 - 【請求項14】 受光面に配置された複数のフォトダイ
オードと、これらのフォトダイオード上に設けられたマ
イクロレンズとを備え、前記マイクロレンズの光軸方向
から見た大きさが、前記受光面の周辺部の近傍において
最大であることを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33241997A JP3462736B2 (ja) | 1997-11-17 | 1997-11-17 | 固体撮像素子 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP33241997A JP3462736B2 (ja) | 1997-11-17 | 1997-11-17 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH11150254A true JPH11150254A (ja) | 1999-06-02 |
JP3462736B2 JP3462736B2 (ja) | 2003-11-05 |
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ID=18254765
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP33241997A Expired - Fee Related JP3462736B2 (ja) | 1997-11-17 | 1997-11-17 | 固体撮像素子 |
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-
1997
- 1997-11-17 JP JP33241997A patent/JP3462736B2/ja not_active Expired - Fee Related
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