JPH11148055A - Lead frame for semiconductor device and its production - Google Patents
Lead frame for semiconductor device and its productionInfo
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- JPH11148055A JPH11148055A JP31813097A JP31813097A JPH11148055A JP H11148055 A JPH11148055 A JP H11148055A JP 31813097 A JP31813097 A JP 31813097A JP 31813097 A JP31813097 A JP 31813097A JP H11148055 A JPH11148055 A JP H11148055A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用リー
ドフレーム及びその製造方法に関する。The present invention relates to a lead frame for a semiconductor device and a method for manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置に用いられるリードフレーム
は図1(a)を参照して説明すると、基本的に半導体素
子搭載用のアイランド6と、アイランド6を支持する吊
りリード8と、アイランド6の周囲に配置して設けた複
数の内部リード2と、内部リード2に接続する外部リー
ド7と、樹脂封止時に流出する樹脂を防止するために外
部リード7、7相互間を凍結するタイバー4と、これら
を支持するフレーム5とから構成されている。2. Description of the Related Art A lead frame used in a semiconductor device will be described with reference to FIG. 1A. Basically, an island 6 for mounting a semiconductor element, a suspension lead 8 for supporting the island 6, A plurality of internal leads 2 disposed in the periphery, an external lead 7 connected to the internal lead 2, and a tie bar 4 for freezing between the external leads 7, 7 in order to prevent resin flowing out during resin sealing. And a frame 5 for supporting these.
【0003】近年、半導体装置の多ピン化に対応して、
半導体装置用リードフレームの内部リード2が非常に微
細化されてきており、その先端幅が100μm以下のも
のも生産されている。In recent years, in response to the increase in the number of pins in semiconductor devices,
The internal leads 2 of the lead frame for semiconductor devices have been extremely miniaturized, and those having a tip width of 100 μm or less have been produced.
【0004】このため、半導体装置用リードフレームの
取り扱い時に生じる内部リード2の変形や、半導体素子
の組立時の熱変形を防止して良好なボンディングを得る
ように、ポリイミド等の絶縁フィルムに接着剤3を設け
た二層構造の絶縁テープ1を用い、複数の内部リード2
を横断して互いに絶縁テープ1で連結するように接着し
固定している。For this reason, an adhesive is applied to an insulating film made of polyimide or the like so as to prevent deformation of the internal leads 2 generated when handling a lead frame for a semiconductor device and thermal deformation at the time of assembling a semiconductor element to obtain good bonding. And a plurality of internal leads 2 using a two-layer insulating tape 1 provided with
Are adhered and fixed so that they are connected to each other by the insulating tape 1 across the cross section.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置用リードフレームは図3(a)のように、内部リー
ド2の相互間を連結する絶縁テープ1として厚さ約50
μmのポリイミド等の樹脂フィルムをベースとし、リー
ドフレームとの接着剤3として用いる厚さ約20μmの
アクリル系樹脂層などを積層している。これを所定の形
状に切断して内部リードに熱圧着し内部リードを固定す
る。As shown in FIG. 3A, the above-mentioned conventional lead frame for a semiconductor device has a thickness of about 50 as an insulating tape 1 connecting the internal leads 2 to each other.
A resin film such as polyimide having a thickness of μm is used as a base, and an acrylic resin layer or the like having a thickness of about 20 μm used as an adhesive 3 with a lead frame is laminated. This is cut into a predetermined shape and thermocompression-bonded to the internal lead to fix the internal lead.
【0006】このように絶縁テープ1で内部リード2を
固定したリードフレームは、半導体素子の組立工程中で
高温に加熱される際に熱分解を起こし、イオン性不純物
が遊離することがある。また接着剤3の原料の精製不足
や半導体素子組立工程内での汚れによってイオン性の不
純物が生じる。特に、半導体素子の樹脂が水分を吸収し
ている場合やリードフレームと樹脂界面から水分が侵入
する場合は、内部リード2、2間のリーク電流がこれら
のイオン性不純物が接着剤3上に析出することによって
生じるという問題があった。The lead frame to which the internal leads 2 are fixed by the insulating tape 1 as described above may be thermally decomposed when heated to a high temperature in the process of assembling the semiconductor element, and ionic impurities may be released. In addition, ionic impurities are generated due to insufficient purification of the raw material of the adhesive 3 and contamination in the semiconductor element assembling process. In particular, when the resin of the semiconductor element absorbs moisture or when moisture invades from the interface between the lead frame and the resin, the leakage current between the internal leads 2 and 2 causes these ionic impurities to deposit on the adhesive 3. There is a problem that is caused by doing.
【0007】この問題を解決する技術が、特開平4−1
33459号公報に開示されている。特開平4−133
459号公報に開示された技術は図3(b)に示すよう
に、内部リード2の一面に接着剤3を塗布し、その後、
接着剤3により内部リード2を絶縁テープ1に張り付け
るため、内部リード2に接着剤3を塗布する工程では、
内部リード2がフリーの状態であり、接着剤3を塗布す
る際に脆弱なリード2に曲がり等が発生する可能性が高
く、リードフレームの製造歩留まりを低下させてしまう
という問題がある。A technique for solving this problem is disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No.
No. 33459. JP-A-4-133
In the technique disclosed in Japanese Patent No. 459, an adhesive 3 is applied to one surface of an inner lead 2 as shown in FIG.
In order to adhere the internal lead 2 to the insulating tape 1 with the adhesive 3, in the step of applying the adhesive 3 to the internal lead 2,
Since the internal leads 2 are in a free state, there is a high possibility that the fragile leads 2 will bend when the adhesive 3 is applied, and the production yield of the lead frame will be reduced.
【0008】さらに、図3(b)に示す従来例では、各
内部リード2の1本ずつに接着剤3を塗布しており、そ
の接着剤3を塗布する範囲は、内部リード2の横幅全体
に渡っているため、絶縁テープ1に張付けた際に接着剤
3の盛付け量によっては、内部リード2の横幅の範囲か
ら脇に漏れ出して隣接する内部リード2上の接着剤3と
結合し、図3(a)に示すものと同じような問題が生じ
てしまう可能性があった。Further, in the conventional example shown in FIG. 3 (b), the adhesive 3 is applied to each of the internal leads 2 one by one. Depending on the amount of the adhesive 3 applied on the insulating tape 1, it leaks aside from the range of the width of the internal lead 2 and is bonded to the adhesive 3 on the adjacent internal lead 2. However, there is a possibility that a problem similar to that shown in FIG.
【0009】本発明の目的は、前記課題を解決した半導
体装置用リードフレーム及びその製造方法を提供するこ
とにある。An object of the present invention is to provide a lead frame for a semiconductor device which solves the above-mentioned problems, and a method of manufacturing the same.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置用リードフレームは、アイ
ランドの周囲に設けた複数本の内部リードを絶縁テープ
に接着剤により接着固定する半導体装置用リードフレー
ムであって、前記接着剤は、前記絶縁テープ上に細粒状
に塗布されたものであり、前記内部リードは、前記細粒
状な接着剤により前記絶縁テープに接着固定されるもの
である。In order to achieve the above-mentioned object, a semiconductor device lead frame according to the present invention comprises a semiconductor device in which a plurality of internal leads provided around an island are bonded and fixed to an insulating tape with an adhesive. A lead frame, wherein the adhesive is applied on the insulating tape in a fine-grained manner, and the internal lead is adhered and fixed to the insulating tape by the fine-grained adhesive. .
【0011】また前記細粒状の接着剤は、隣接する内部
リード相互間の寸法より小さい寸法で絶縁テープに塗布
されたものである。The fine-grained adhesive is applied to an insulating tape with a size smaller than a size between adjacent internal leads.
【0012】また本発明に係る半導体装置用リードフレ
ームの製造方法は、アイランドの周囲に設けた複数本の
内部リードを、これらを横切る絶縁テープに接着剤によ
り接着固定する半導体装置用リードフレームの製造方法
であって、前記接着剤を細粒状態で前記絶縁テープ上に
塗布し、その塗布後に、前記細粒状の接着剤を使用して
前記内部リードを前記絶縁テープ上に接着固定するもの
である。Further, the method of manufacturing a lead frame for a semiconductor device according to the present invention is a method of manufacturing a lead frame for a semiconductor device in which a plurality of internal leads provided around an island are adhered and fixed to an insulating tape passing therethrough with an adhesive. A method of applying the adhesive in a fine-grained state on the insulating tape, and after applying the adhesive, adhesively fixing the internal lead on the insulating tape using the fine-grained adhesive. .
【0013】また転写法を用いて、前記接着剤を細粒状
態で前記絶縁テープ上に塗布するものである。Further, the adhesive is applied on the insulating tape in a fine-grained state by using a transfer method.
【0014】また前記接着剤を前記絶縁テープの全面に
塗布し、前記絶縁テープの接着剤塗布面に切削跡を付し
て前記接着剤を細粒状態にするものである。Further, the adhesive is applied to the entire surface of the insulating tape, and a cut mark is formed on the adhesive applied surface of the insulating tape to make the adhesive fine.
【0015】本発明によれば、接着剤を細粒状にして絶
縁テープ上に塗布し、その細粒な接着剤を使用して内部
リードを絶縁テープ上に接着し固定する。According to the present invention, the adhesive is made into fine particles and applied on the insulating tape, and the internal leads are bonded and fixed on the insulating tape using the fine adhesive.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
により説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0017】(実施形態1)図1(a)は、本発明の実
施形態1に係る半導体装置用リードフレームを示す平面
図、(b)は図1(a)のA−A’線断面図、(c)は
絶縁テープ上に塗布した接着剤を示す平面図である。(Embodiment 1) FIG. 1A is a plan view showing a lead frame for a semiconductor device according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view taken along line AA 'of FIG. 1A. (C) is a plan view showing the adhesive applied on the insulating tape.
【0018】図1(a)に示すように、半導体装置用リ
ードフレームは、半導体素子搭載用のアイランド6を有
しており、アイランド6は、吊りリード8によりフレー
ム5に支持されている。またアイランド6の周囲には、
複数本の内部リード2が設けられ内部リード2のアイラ
ンド6から離間側に外部リード7が一体に形成されてい
る。また外部リード7相互間は、タイバー4にて連結さ
れ、横桟としてのタイバー4は、樹脂封止時に樹脂が流
出するのを防止している。As shown in FIG. 1A, the lead frame for a semiconductor device has an island 6 for mounting a semiconductor element, and the island 6 is supported on the frame 5 by suspension leads 8. Also, around the island 6,
A plurality of internal leads 2 are provided, and external leads 7 are formed integrally with the internal leads 2 on the side away from the island 6. The external leads 7 are connected to each other by tie bars 4, and the tie bars 4 as horizontal rails prevent the resin from flowing out at the time of resin sealing.
【0019】吊りリード8、内部リード2、外部リード
7、タイバー4等は、樹脂封止されるまではフレーム5
に取付いているが、樹脂封止後にフレーム5から個々に
切り出し、かつタイバー4を外部リード7相互間から切
り取り、隣接するリード2、7間を電気的に切り離すた
めの成形加工が行なわれる。The suspension leads 8, internal leads 2, external leads 7, tie bars 4, etc.
However, after resin sealing, molding is performed to individually cut out from the frame 5, cut out the tie bar 4 from between the external leads 7, and electrically separate the adjacent leads 2, 7.
【0020】さらに本発明は図1(b)、(c)に示す
ように、接着剤3を細粒状にして絶縁テープ1上に塗布
しておき、その細粒な接着剤3を使用して内部リード2
を絶縁テープ1上に接着固定し、内部リード2の曲がり
を防止するようにしたものである。Further, according to the present invention, as shown in FIGS. 1 (b) and 1 (c), the adhesive 3 is formed into fine particles and applied on the insulating tape 1, and the fine adhesive 3 is used. Internal lead 2
Are fixed on the insulating tape 1 to prevent the internal leads 2 from bending.
【0021】細粒状な接着剤3は、図1(c)に示す場
合には、円形に塗布して規則正しく配列されており、そ
の直径は隣接する内部リード2の相互間隔(例えば10
0μm)よりも小さく設定されており(例えば80μ
m)、内部リード2を絶縁テープ1上に接着した際に、
隣接する内部リード2を接着する細粒な接着剤3同士が
相互に接合しないようになっている。In the case shown in FIG. 1 (c), the fine-grained adhesive 3 is applied in a circular shape and is regularly arranged.
0 μm) (for example, 80 μm).
m), when the internal leads 2 are bonded onto the insulating tape 1,
Fine-grained adhesives 3 for bonding adjacent internal leads 2 are not bonded to each other.
【0022】次に、本発明の実施形態1に係る半導体装
置用リードフレームの製造方法について説明する。図1
に示す本発明の実施形態1に係る半導体装置用リードフ
レームの製造方法は、アイランド6の周囲に設けた複数
本の内部リード2を、これらを横切る絶縁テープ1に接
着剤3により接着固定するものであり、以下、具体的に
説明する。Next, a method of manufacturing a lead frame for a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG.
In the method for manufacturing a lead frame for a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention, a plurality of internal leads 2 provided around an island 6 are adhered and fixed to an insulating tape 1 that crosses these using an adhesive 3. This will be specifically described below.
【0023】まず図1(c)に示すように、絶縁テープ
1上に接着剤3をスクリーン印刷による転写法を用いて
細粒な状態で塗布する。細粒状の接着剤3は、絶縁テー
プ1上に規則正しく配列して塗布する。First, as shown in FIG. 1C, an adhesive 3 is applied on the insulating tape 1 in a fine state by using a transfer method by screen printing. The fine-grained adhesive 3 is applied on the insulating tape 1 in a regular array.
【0024】次に図1(a)、(b)に示すように、絶
縁テープ1の接着剤3を塗布した面を上向きにし、或い
は接着剤3を塗布した面を下向きにし、絶縁テープ1
を、アイランド6の各辺に設けた複数本の内部リード2
を横切る方向に配置し、内部リード2に絶縁テープ1を
熱圧着法等により圧着し、内部リード2が接触する細粒
な接着剤3を使用して、内部リード2を絶縁テープ1上
に接着固定する。Next, as shown in FIGS. 1A and 1B, the surface of the insulating tape 1 coated with the adhesive 3 is turned upward, or the surface coated with the adhesive 3 is turned downward.
Are connected to a plurality of internal leads 2 provided on each side of the island 6.
The inner lead 2 is bonded on the insulating tape 1 by using a fine adhesive 3 with which the inner lead 2 comes in contact with the inner lead 2 by pressing the insulating tape 1 on the inner lead 2 by thermocompression bonding or the like. Fix it.
【0025】以上のように本願発明の実施形態1によれ
ば、接着剤3は絶縁テープ1上に予め塗布し、その接着
剤3を使用して内部リード2を絶縁テープ1上に接着す
るため、内部リード2に接着剤を塗布した後に、その内
部リード2を絶縁テープ1に接着する場合と比較して、
内部リード2の曲がり発生を大幅に削減することができ
る。As described above, according to the first embodiment of the present invention, the adhesive 3 is applied to the insulating tape 1 in advance, and the internal lead 2 is adhered to the insulating tape 1 using the adhesive 3. After the adhesive is applied to the inner leads 2, the inner leads 2 are bonded to the insulating tape 1,
The bending of the internal leads 2 can be greatly reduced.
【0026】さらに、接着剤3は細粒状に塗布され、そ
の直径が隣接する内部リード2,2相互間の寸法より小
さく設定することにより、隣接する内部リード2を個別
に接着する接着剤3同士が漏れ出て一体に接合すること
を回避でき、絶縁テープ1から遊離するイオン性不純物
に起因して隣接する内部リード2,2相互間にリーク電
流が生じることを防止することができる。Further, the adhesive 3 is applied in the form of fine particles, and the diameter of the adhesive 3 is set smaller than the dimension between the adjacent internal leads 2, so that the adhesives 3 for individually adhering the adjacent internal leads 2 to each other. Can be prevented from leaking and joining together, and it is possible to prevent a leak current from being generated between the adjacent internal leads 2 and 2 due to ionic impurities released from the insulating tape 1.
【0027】(実施形態2)図2(a)は、本発明の実
施形態2に係る半導体装置用リードフレームを示す断面
図、(b)は同平面図である。(Embodiment 2) FIG. 2A is a sectional view showing a semiconductor device lead frame according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 2B is a plan view of the same.
【0028】図1に示す本発明の実施形態1では、スク
リーン印刷による転写法を利用して接着剤3を細粒状態
に塗布したが、図2に示す本発明の実施形態2では、接
着剤3を絶縁テープ1の全面に塗布した後に、その塗布
面に例えばダイシング装置等を用いて機械的に切削跡9
を刻設することにより、絶縁テープ1上での接着剤3を
細粒状態とするものである。In the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1, the adhesive 3 is applied in a fine-grained state by using a transfer method by screen printing. In the second embodiment of the present invention shown in FIG. 3 is applied to the entire surface of the insulating tape 1 and then the cutting marks 9 are mechanically applied to the applied surface using, for example, a dicing device.
Is formed to make the adhesive 3 on the insulating tape 1 into a fine-grained state.
【0029】本発明の実施形態1では、転写を行うにあ
たってマスクを用いる必要があるが、本発明の実施形態
2によれば、機械的に切削跡9を刻設することにより、
絶縁テープ1上での接着剤3が細粒状態となるため、マ
スク等を用いる必要がなく、製造工程を簡素化すること
ができるという利点を有している。In the first embodiment of the present invention, it is necessary to use a mask when performing the transfer. However, according to the second embodiment of the present invention, by mechanically engraving the cutting trace 9,
Since the adhesive 3 on the insulating tape 1 is in a fine-grain state, there is no need to use a mask or the like, which has an advantage that the manufacturing process can be simplified.
【0030】尚、実施形態1では接着剤3を円形に、ま
た実施形態1では接着剤3を菱形とすることにより細粒
状態としたが、接着剤3の細粒状態の形状は、これらの
ものに限定されるものではない。In the first embodiment, the adhesive 3 is formed in a circular shape, and in the embodiment 1, the adhesive 3 is formed in a diamond shape by forming a diamond shape. It is not limited to one.
【0031】また実施形態1ではスクリーン印刷による
転写法を用いたが、転写法はスクリーン印刷に限定され
るものではなく、接着剤3を細粒状態で絶縁テープ1上
に塗布することが可能な転写法であれば、いずれの転写
法を用いてもよい。In the first embodiment, the transfer method by screen printing is used. However, the transfer method is not limited to screen printing, and the adhesive 3 can be applied on the insulating tape 1 in a fine grain state. Any transfer method may be used as long as it is a transfer method.
【0032】[0032]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、接
着剤を絶縁テープ上に細粒状態に塗布し、その塗布後
に、細粒状の接着剤を使用して内部リードを絶縁テープ
に接着固定するため、内部リードに直接接着剤を塗布す
る場合と比較して内部リードの曲がり発生率を低く抑え
ることができる。As described above, according to the present invention, the adhesive is applied to the insulating tape in the form of fine particles, and after the application, the internal leads are bonded to the insulating tape using the fine-grain adhesive. Since the fixing is performed, the occurrence rate of bending of the internal leads can be suppressed lower than in the case where the adhesive is directly applied to the internal leads.
【0033】さらに接着剤の塗布寸法を、隣接する内部
リード相互間の寸法より小さくすることにより、隣接す
る内部リードを個々に接着する接着剤同士が漏れ出して
接合するのを防止することができる。Furthermore, by making the application size of the adhesive smaller than the size between the adjacent internal leads, it is possible to prevent the adhesives that individually bond the adjacent internal leads from leaking out and joining. .
【図1】(a)は、本発明の実施形態1に係る半導体装
置用リードフレームを示す平面図、(b)は(a)のA
−A’線断面図、(c)は、本発明の実施形態1におい
て絶縁テープ上に塗布された接着剤を示す平面図であ
る。FIG. 1A is a plan view showing a lead frame for a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 4C is a cross-sectional view taken along line A ′, and FIG. 4C is a plan view illustrating the adhesive applied on the insulating tape in the first embodiment of the present invention.
【図2】(a)は、本発明の実施形態2に係る半導体装
置用リードフレームを示す断面図、(b)は、本発明の
実施形態2において絶縁テープ上に塗布された接着剤を
示す平面図である。2A is a cross-sectional view illustrating a lead frame for a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 2B illustrates an adhesive applied on an insulating tape in the second embodiment of the present invention; It is a top view.
【図3】(a)は、従来例に係る半導体装置用リードフ
レームを示す断面図、(b)は、別の従来例に係る半導
体装置用リードフレームを示す断面図である。FIG. 3A is a cross-sectional view showing a semiconductor device lead frame according to a conventional example, and FIG. 3B is a cross-sectional view showing another conventional semiconductor device lead frame.
1 絶縁テープ 2 内部リード 3 接着剤 9 切削跡 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulation tape 2 Internal lead 3 Adhesive 9 Cutting trace
Claims (5)
リードを絶縁テープに接着剤により接着固定する半導体
装置用リードフレームであって、 前記接着剤は、前記絶縁テープ上に細粒状に塗布された
ものであり、 前記内部リードは、前記細粒状な接着剤により前記絶縁
テープに接着固定されるものであることを特徴とする半
導体装置用リードフレーム。1. A lead frame for a semiconductor device, wherein a plurality of internal leads provided around an island are bonded and fixed to an insulating tape with an adhesive, wherein the adhesive is applied on the insulating tape in the form of fine particles. A lead frame for a semiconductor device, wherein the internal lead is adhered and fixed to the insulating tape with the fine-grained adhesive.
ード相互間の寸法より小さい寸法で絶縁テープに塗布さ
れたものであることを特徴とする請求項1に記載の半導
体装置用リードフレーム。2. The lead frame for a semiconductor device according to claim 1, wherein the fine-grained adhesive is applied to an insulating tape with a size smaller than a size between adjacent internal leads. .
リードを、これらを横切る絶縁テープに接着剤により接
着固定する半導体装置用リードフレームの製造方法であ
って、 前記接着剤を細粒状態で前記絶縁テープ上に塗布し、 その塗布後に、前記細粒状の接着剤を使用して前記内部
リードを前記絶縁テープ上に接着固定することを特徴と
する半導体装置用リードフレームの製造方法。3. A method for manufacturing a lead frame for a semiconductor device, wherein a plurality of internal leads provided around an island are bonded and fixed to an insulating tape passing therethrough with an adhesive, wherein the adhesive is in a fine-grained state. A method of manufacturing a lead frame for a semiconductor device, comprising: applying the internal leads onto the insulating tape using the fine-granular adhesive after the application onto the insulating tape.
で前記絶縁テープ上に塗布することを特徴とする請求項
3に記載の半導体装置用リードフレームの製造方法。4. The method for manufacturing a lead frame for a semiconductor device according to claim 3, wherein the adhesive is applied in a fine-grained state on the insulating tape by using a transfer method.
布し、 前記絶縁テープの接着剤塗布面に切削跡を付して前記接
着剤を細粒状態にすることを特徴とする請求項3に記載
の半導体装置用リードフレームの製造方法。5. The method according to claim 3, wherein the adhesive is applied to the entire surface of the insulating tape, and a cut mark is formed on the adhesive applied surface of the insulating tape to make the adhesive fine. 5. The method for manufacturing a lead frame for a semiconductor device according to claim 1.
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JP9318130A JP3019046B2 (en) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing the same |
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- 1997-11-19 JP JP9318130A patent/JP3019046B2/en not_active Expired - Fee Related
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Date | Code | Title | Description |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |