JPH11140674A - High efficiency working device by high density radical reaction using rotary electrode - Google Patents

High efficiency working device by high density radical reaction using rotary electrode

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JPH11140674A
JPH11140674A JP9267553A JP26755397A JPH11140674A JP H11140674 A JPH11140674 A JP H11140674A JP 9267553 A JP9267553 A JP 9267553A JP 26755397 A JP26755397 A JP 26755397A JP H11140674 A JPH11140674 A JP H11140674A
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Japan
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gas
electrode
rotary
processing
shaft
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Yuzo Mori
勇藏 森
Kozo Akata
浩三 赤田
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MEISHO KIKO KK
Japan Science and Technology Agency
Original Assignee
MEISHO KIKO KK
Research Development Corp of Japan
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To execute working with high precision and high efficiency without introducing defects and thermally affected layers into the material to be worked by supporting the rotary shaft of a rotary electrode by gaseous bearings, as the gas to be fed to the bearings, using the one same as the atmospheric gas in a chamber, feeding the atmospheric gas fed to the bearings toward the rotary electrode along the rotary shaft. SOLUTION: Working gas fed from the feed port 21 of gaseous bearings 16 and 17 is jetted from a blow-off port 23 in the radial direction and a blow-off port 26 in the shaft direction to rotatably float the edge part 15A of the rotary shaft in a gaseous manner, and, furthermore, the movement thereof in the shaft direction is regulated. In this way, the rotary electrode 14 can be rotated at about 10000 rpm maximum rotational frequency and about 1 μm rotary precision. Then, the working gas (atmospheric gases) is fed toward the rotary electrode 14 along the shaft direction of the rotary shaft 15 from the space between a bearing hole 20 and the edge part 15A of the rotary shaft and is made a gas flow crossing the working gap between the concentrated part of the electric field on the outer circumferential part of the rotary electrode 14 and the material 8 to be worked.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン単結晶等
の半導体若しくは金属等の導体又はガラスやセラミック
ス等の絶縁体に欠陥や熱的変質層を導入することなく高
精度且つ高能率で加工することができる回転電極を用い
た高密度ラジカル反応による高能率加工装置に係わり、
更に詳しくは高出力光用ミラーであるSR光用X線ミラ
ーやCO2レーザー用ミラー等の形状加工に特に適した
回転電極を用いた高密度ラジカル反応による高能率加工
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to processing a semiconductor such as silicon single crystal or a conductor such as a metal or an insulator such as glass or ceramics with high precision and efficiency without introducing a defect or a thermally deteriorated layer. Related to high-efficiency processing equipment by high-density radical reaction using rotating electrodes
More specifically, the present invention relates to a high-efficiency processing apparatus by a high-density radical reaction using a rotating electrode particularly suitable for shape processing of an SR light X-ray mirror or a CO 2 laser mirror which is a high output light mirror.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、本出願人は、特開平1−1258
29号公報にて開示される如く、高周波を印加した電極
によって発生させた高密度プラズマによる反応ガスの中
性ラジカルを被加工物の加工面に供給し、この中性ラジ
カルと加工面を構成する原子又は分子とのラジカル反応
によって生成した揮発性物質を気化させて除去し、シリ
コン単結晶等の半導体若しくは導体又はガラスやセラミ
ックス等の絶縁体に欠陥や熱的変質層を導入することな
く高精度に加工することが可能な無歪精密加工方法(プ
ラズマCVM法)を既に提案している。
2. Description of the Related Art Heretofore, the present applicant has disclosed Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-1258.
As disclosed in Japanese Patent Publication No. 29, neutral radicals of a reaction gas by high-density plasma generated by an electrode to which a high frequency is applied are supplied to a processing surface of a workpiece to form a processing surface with the neutral radicals. Volatile substances generated by radical reactions with atoms or molecules are vaporized and removed, and high precision is achieved without introducing defects or thermally altered layers in semiconductors such as silicon single crystals or conductors or insulators such as glass or ceramics. There has already been proposed a distortion-free precision processing method (plasma CVM method) capable of processing into a uniform shape.

【0003】この加工方法によって、数10μm/分の
最大加工速度が達成されている。この加工速度は、プラ
ズマプロセスを利用した従来のプラズマドライエッチン
グの常識を遙に越える値であるが、工業的に大きな面積
を数値制御加工したり、肉厚の大きな被加工物を切断加
工するには不十分である。ここで、加工速度は、被加工
物の加工進行部の近傍での中性ラジカルの密度、即ちそ
れを生成するための反応ガスの濃度及び投入電力に大き
く関係する。従来から反応ガスの供給と使用済みガスの
排気機構及び電極構造を種々工夫してきたが、何れの方
法でも加工速度の大幅な向上が図れなかった。反応ガス
の供給及び使用済みガスの排気が不十分である理由は、
プラズマCVMではガス雰囲気の圧力が通常のプラズマ
プロセスでは考えられないような高い圧力(大気圧近
傍)であり、しかも加工ギャップが通常は10〜200
μmと非常に狭いので、ガスの粘性抵抗が大きいためで
あると思われる。また、投入電力の限界値が低い原因
は、加工電極の電界集中部が加熱されて熱的なダメージ
を受けるからである。
With this processing method, a maximum processing speed of several tens μm / min has been achieved. Although this processing speed is a value far exceeding the common sense of conventional plasma dry etching using a plasma process, it is necessary to numerically control an industrially large area or cut a thick workpiece. Is not enough. Here, the processing speed is largely related to the density of neutral radicals in the vicinity of the processing progress portion of the workpiece, that is, the concentration of the reactive gas for generating the neutral radicals and the input power. Conventionally, various mechanisms have been devised for the supply mechanism of the reactive gas, the exhaust mechanism for the used gas, and the electrode structure, but none of these methods has been able to significantly improve the processing speed. The reason for insufficient supply of reactive gas and exhaust of used gas is
In the plasma CVM, the pressure of the gas atmosphere is a high pressure (near atmospheric pressure) that cannot be considered in a normal plasma process, and the processing gap is usually 10 to 200.
It is considered that this is because the gas has a very small viscous resistance because it is very narrow at μm. Further, the reason why the limit value of the input power is low is that the electric field concentrated portion of the processing electrode is heated and is thermally damaged.

【0004】そこで、本出願人は、特開平9−3167
0号公報にて開示される如く、加工電極として回転電極
を採用し、この回転電極を高速に回転させることで、該
回転電極表面で雰囲気ガスを巻き込んで加工ギャップを
横切るガス流を形成し、雰囲気ガスの高速度供給及び使
用済みガスの高速度排気を同時に達成し、しかも回転電
極の十分な冷却作用に基づく大電力の投入が図れ、これ
らが相乗して従来のプラズマCVMと比較して10〜1
00倍の加工速度の大幅な向上が実現できる回転電極を
用いた高密度ラジカル反応による高能率加工方法及び加
工装置を提供している。
Accordingly, the present applicant has disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-3167.
As disclosed in Japanese Patent Publication No. 0, a rotating electrode is employed as a working electrode, and by rotating the rotating electrode at a high speed, a gas flow is formed that entrains the atmosphere gas on the rotating electrode surface and crosses the working gap, High-speed supply of the atmosphere gas and high-speed exhaustion of the used gas can be achieved at the same time, and a large amount of electric power can be supplied based on a sufficient cooling action of the rotating electrode. ~ 1
The present invention provides a high-efficiency processing method and a processing apparatus by a high-density radical reaction using a rotating electrode capable of realizing a large improvement of a processing speed of 00 times.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ここで、前述の高速回
転する回転電極を用いたプラズマCVMは、雰囲気ガス
を回転電極の回転によって巻き込んで加工ギャップに供
給するものであるから、チャンバー内の雰囲気ガスは超
清浄でなければならない。雰囲気ガス中にパーティクル
等の不純物が含まれていると、この不純物が被加工物の
加工面にダメージを与えたり、加工の進行を妨げて表面
粗さを悪化させる原因となる。
Here, the above-mentioned plasma CVM using the rotating electrode rotating at a high speed rotates the atmosphere gas by rotation of the rotating electrode and supplies it to the processing gap. The gas must be ultra clean. If the atmosphere gas contains impurities such as particles, the impurities may damage the processed surface of the workpiece or hinder the progress of the processing, thereby deteriorating the surface roughness.

【0006】回転電極を高速に回転させる場合、回転軸
の軸受や駆動部が必要となるが、通常のボールベアリン
グやローラベアリングを用いた転がり軸受を使用する
と、接触部や摺動部で部材の摩耗によってパーティクル
の発生は避けられない。また、回転電極と被加工物を相
対的に移動させて加工を進行させるための駆動機構に転
がり軸受を用いた直線ガイドを使用すると、前記同様に
パーティクルが発生して問題となる。特に、ドライ潤滑
の転がり軸受からのパーティクルの発生は非常に多く、
摺動部材をフッ素樹脂でコーティングしたり、摺動部材
そのものをフッ素樹脂で形成することによってある程度
の発塵は抑制できるが十分でない。一方、オイル潤滑の
転がり軸受は、パーティクルの発生は少ないものの、潤
滑オイルが揮発して雰囲気ガスに混入することが避けら
れない。そこで、軸受や駆動部を密閉ケースの中に収容
し、回転軸をメカニカルシールで密閉することも考えら
れるが、このメカニカルシールの摺動部からの発塵も問
題となる。更に、別の観点から転がり軸受を見れば、振
動の発生源となるばかりでなく、チャンバー等の固定部
分から回転電極へ振動を伝達する媒体ともなるので、超
精密な加工には好ましくない。
When rotating the rotating electrode at a high speed, a bearing and a drive unit for the rotating shaft are required. However, when a normal ball bearing or a roller bearing using a roller bearing is used, the contact portion or the sliding portion has a problem in that the contact member or the sliding portion is used. Particle generation is inevitable due to wear. Further, if a linear guide using a rolling bearing is used as a drive mechanism for relatively moving the rotary electrode and the workpiece to advance the processing, particles are generated as described above, which is problematic. In particular, the generation of particles from dry lubricated rolling bearings is extremely large,
By coating the sliding member with a fluororesin or by forming the sliding member itself with a fluororesin, dust generation to some extent can be suppressed, but is not sufficient. On the other hand, in an oil-lubricated rolling bearing, although generation of particles is small, it is inevitable that the lubricating oil volatilizes and mixes with the ambient gas. Therefore, it is conceivable to house the bearing and the drive unit in a sealed case and seal the rotating shaft with a mechanical seal. However, dust generation from the sliding portion of the mechanical seal also poses a problem. Further, if a rolling bearing is viewed from another viewpoint, it is not only a source of vibration, but also a medium for transmitting vibration from a fixed portion such as a chamber to the rotating electrode, which is not preferable for ultra-precision machining.

【0007】そこで、本発明が前述の状況に鑑み、解決
しようとするところは、回転電極を高速に回転する方式
のプラズマCVMにおいて、回転電極の軸受及びその他
の駆動部から被加工物の加工面にダメージを与えたり、
加工の進行を妨げて表面粗さを悪化させる原因となるパ
ーティクルや潤滑オイル等を一切発生させず、しかも回
転電極の回転を安定化させ、更に雰囲気ガスの供給をも
同時に行える回転電極を用いた高密度ラジカル反応によ
る高能率加工装置を提供する点にある。
In view of the above situation, the present invention is to solve a problem in a plasma CVM of a type in which a rotating electrode is rotated at a high speed, from a bearing of the rotating electrode and other driving parts to a processing surface of a workpiece. Damage the
Using a rotating electrode that does not generate any particles or lubricating oil, etc., which may cause the processing to hinder the progress of the surface roughness and worsen the surface roughness, stabilizes the rotation of the rotating electrode, and simultaneously supplies the atmosphere gas. An object of the present invention is to provide a high-efficiency processing apparatus using a high-density radical reaction.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題解
決のために、チャンバー内の反応ガス及び不活性ガスか
らなる大気圧近傍のガス雰囲気中に、回転軸心に対して
回転対称形である回転電極と被加工物を配設し、該回転
電極と被加工物の加工進行部との間に加工ギャップを維
持しつつ、回転電極を高速に回転させて該回転電極表面
でガスを巻き込むことによって前記加工ギャップを横切
るガス流を形成するとともに、回転電極に高周波電力を
供給し、加工ギャップでプラズマを発生して反応ガスに
基づく中性ラジカルを生成し、該中性ラジカルと被加工
物の加工進行部を構成する原子又は分子とのラジカル反
応によって生成した揮発性物質を気化させて除去し且つ
回転電極と被加工物とを相対的に変移させて加工を進行
してなる回転電極を用いた高密度ラジカル反応による高
能率加工装置であって、前記回転電極の回転軸を気体軸
受にて浮上させて支持するとともに、該気体軸受に供給
する気体としてチャンバー内の雰囲気ガスと同じ気体を
用い、気体軸受に供給した雰囲気ガスを回転軸に沿って
回転電極に向けて供給してなる回転電極を用いた高密度
ラジカル反応による高能率加工装置を構成した。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a rotationally symmetric type with respect to a rotational axis in a gas atmosphere consisting of a reaction gas and an inert gas in a chamber near atmospheric pressure. A rotating electrode and a workpiece are disposed, and while maintaining a processing gap between the rotating electrode and a processing portion of the workpiece, the rotating electrode is rotated at a high speed to allow gas to flow on the surface of the rotating electrode. The entrainment forms a gas flow across the processing gap, supplies high-frequency power to the rotating electrode, generates plasma in the processing gap, generates neutral radicals based on the reaction gas, and generates A rotary electrode formed by evaporating and removing volatile substances generated by a radical reaction with atoms or molecules constituting a processing part of a workpiece, and moving the rotary electrode and the workpiece relatively to perform processing. A high-efficiency processing apparatus using a high-density radical reaction, wherein the rotating shaft of the rotary electrode is floated and supported by a gas bearing, and the same gas as the atmospheric gas in the chamber is supplied as a gas to be supplied to the gas bearing. A high-efficiency processing apparatus by a high-density radical reaction using a rotating electrode formed by supplying an atmosphere gas supplied to a gas bearing along a rotating shaft toward the rotating electrode was configured.

【0009】また、前記回転軸の中央部に前記回転電極
を設け、該回転軸の両端部又は片端部を気体軸受にて支
持すること、前記気体軸受に供給する気体としてチャン
バー内の雰囲気ガスを構成する不活性ガスを用いること
が好ましい。
Further, the rotating electrode is provided at the center of the rotating shaft, and both ends or one end of the rotating shaft are supported by gas bearings, and an atmosphere gas in a chamber is supplied as gas to the gas bearings. It is preferable to use a constituent inert gas.

【0010】更に、前記回転軸の一端に取付けた高周波
絶縁性を有する絶縁軸部と、気密ケース及び雰囲気ガス
に対して耐食性を有する磁性流体シールにより隔離され
た駆動用モータの駆動軸との間にマグネットカップリン
グを介在させ、該駆動軸の回転力を前記絶縁軸部及び回
転軸に非接触状態で伝達することも好ましい。
[0010] Further, between the insulating shaft portion having high-frequency insulation attached to one end of the rotary shaft and the drive shaft of the drive motor separated by an airtight case and a magnetic fluid seal having corrosion resistance to atmospheric gases. It is also preferable that a magnetic coupling is interposed in the motor shaft to transmit the rotational force of the drive shaft to the insulating shaft portion and the rotating shaft in a non-contact state.

【0011】本発明に係る回転電極を用いた高密度ラジ
カル反応による高能率加工装置の加工原理は、反応ガス
と不活性ガスからなるガス雰囲気中に回転電極と被加工
物とをその間に所定の加工ギャップを形成して配設し、
回転電極を高速に回転させて加工ギャップを横切るガス
流を形成しながら該回転電極に高周波電力を供給するこ
とによってその表面の近傍でプラズマを発生させ、その
プラズマ領域内で反応ガスを励起して反応性に富んだ中
性ラジカルを生成し、該中性ラジカルと被加工物を構成
する原子又は分子とのラジカル反応によって生じた揮発
性物質を気化させて加工進行部から除去するとともに、
所定の加工ギャップを維持しながら回転電極と被加工物
とを相対的に変移させて加工を進行させるのである。
尚、回転電極と被加工物の加工進行部との間の加工ギャ
ップでプラズマが発生維持されるのは、電界集中のため
である。
The processing principle of a high-efficiency processing apparatus by a high-density radical reaction using a rotating electrode according to the present invention is based on the principle that a rotating electrode and a workpiece are interposed between a rotating gas and an inert gas in a gas atmosphere comprising a reactive gas and an inert gas. Forming and arranging the processing gap,
By supplying high frequency power to the rotating electrode while rotating the rotating electrode at a high speed to form a gas flow across the processing gap, a plasma is generated in the vicinity of the surface, and the reaction gas is excited in the plasma region. A neutral radical rich in reactivity is generated, and a volatile substance generated by a radical reaction between the neutral radical and an atom or a molecule constituting a workpiece is vaporized and removed from a processing progress portion,
While maintaining a predetermined processing gap, the rotating electrode and the workpiece are relatively displaced to perform the processing.
The reason why plasma is generated and maintained in the processing gap between the rotating electrode and the processing portion of the workpiece is due to electric field concentration.

【0012】ここで、回転電極を高速で回転させる効果
は、反応ガスの高速度供給及び使用済みガスの高速度排
気による加工速度の大幅な向上、回転電極表面の高精度
な位置決め及び高精度なギャップ制御による大幅なガス
利用効率及び加工精度の向上、回転電極の十分な冷却効
果に基づく大電力の投入による加工能率の大幅な向上で
あり、具体的には回転電極を用いることにより、加工能
率を従来の方法に比べ10〜100倍に高め得ることが
できるとともに、加工精度も寸法精度及び表面粗さにつ
いても一桁向上させることができるのである。
Here, the effect of rotating the rotating electrode at a high speed is that the processing speed is greatly improved by supplying the reaction gas at a high speed and exhausting the used gas at a high speed, a highly accurate positioning of the rotating electrode surface, and a high accuracy. Significant improvement in gas use efficiency and processing accuracy by gap control, and significant improvement in processing efficiency by applying a large amount of power based on sufficient cooling effect of the rotating electrode. Can be increased 10 to 100 times as compared with the conventional method, and the processing accuracy, the dimensional accuracy and the surface roughness can be improved by an order of magnitude.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明は、不対電子を有する反応
性に富んだラジカル(遊離基)を被加工物の加工進行部
の近傍で発生させ、この中性ラジカルと被加工物を構成
する原子又は分子とのラジカル反応(遊離基反応)を利
用し、生成した揮発性物質を気化させて除去し、回転電
極と被加工物とを相対的に移動させて加工を進行させる
原理に基づき、回転電極の形状、特に直接加工に寄与す
る電界集中部の形状によって被加工物の切断加工、ポリ
ッシング加工、任意形状の数値制御加工、ダイシング加
工、更には形状転写加工、自由曲線切断加工を行うこと
ができるものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention generates a reactive radical (free radical) having an unpaired electron in the vicinity of a processing portion of a workpiece, thereby forming the neutral radical and the workpiece. Based on the principle of using a radical reaction (free radical reaction) with an atom or molecule to vaporize and remove the generated volatile substances, and moving the rotating electrode and the workpiece relatively to progress the processing. Depending on the shape of the rotating electrode, especially the shape of the electric field concentrating part that directly contributes to the processing, cutting work, polishing processing, numerical control processing of any shape, dicing processing, further shape transfer processing, and free curve cutting processing are performed. Is what you can do.

【0014】ここで、ラジカルを発生させる方法として
は、従来から1Torr以下(10-3〜1Torr)程度の真空
度で放電により容易に生成できるプラズマを利用するこ
とが、プラズマドライエッチングでは行われている。プ
ラズマドライエッチングは、その目的が被加工物の表層
部のみの除去であるため、加工速度は大して問題になら
ないが、本発明の目的とする加工では加工速度は非常に
重要であり、中性ラジカルの密度が低い前述のプラズマ
ドライエッチングのような低密度プラズマは利用できな
い。そのため、本発明ではプラズマプロセスでは類を見
ない大気圧近傍といった高い圧力で高周波電力(150
MHz)を投入して高密度のプラズマを発生し、高密度
の中性ラジカルを生成している。
Here, as a method of generating radicals, plasma dry etching is conventionally performed by utilizing plasma which can be easily generated by electric discharge at a vacuum of about 1 Torr or less (10 −3 to 1 Torr). I have. Since the purpose of plasma dry etching is to remove only the surface layer of the workpiece, the processing speed does not matter so much. However, the processing speed is very important in the processing intended for the present invention, and the neutral radical Low-density plasma such as the above-mentioned plasma dry etching with low density cannot be used. For this reason, in the present invention, high-frequency power (150
MHz) to generate high-density plasma and generate high-density neutral radicals.

【0015】加工速度は、中性ラジカルの種類、即ち反
応ガスの種類とそれを希釈する不活性ガスの種類及び被
加工物の材質に大きく依存するので、被加工物に応じて
最適な反応ガス及び不活性ガスを選択する必要がある。
この反応ガスは高周波電力の投入によって発生するプラ
ズマ中で励起されて中性ラジカルを生成するのである。
更に詳しくは、反応ガスと不活性ガスとからなる0.1
〜10気圧、好ましくは1気圧以上のガス雰囲気中に、
回転電極と被加工物とを所定の加工ギャップを設けて配
設し、回転電極に高周波電力を供給してプラズマを発生
させ、このプラズマ中で反応ガスに基づく中性ラジカル
を生成するのである。プラズマ中における反応ガスに基
づく中性ラジカルの生成効率は、プラズマを構成する不
活性ガスの種類にも依存する。例えば、被加工物をシリ
コン単結晶又は石英ガラスとした場合には、反応ガスは
SF6 が適し、不活性ガスはHeが適している。その他
の反応ガスとしては、フッ素系ではCF4 等があり、塩
素系ではCl2 ,CCl4,PCl5 等があり、その他
の不活性ガスとしては、Ne、Ar等がある。これらの
ガスはそれぞれ1種類のみ又は混合して用いることも可
能である。
Since the processing speed greatly depends on the type of neutral radical, ie, the type of reactive gas and the type of inert gas for diluting it, and the material of the workpiece, the optimum reactive gas is selected according to the workpiece. And an inert gas must be selected.
This reaction gas is excited in the plasma generated by the input of high-frequency power to generate neutral radicals.
More specifically, 0.1 g of a reaction gas and an inert gas
In a gas atmosphere of 10 to 10 atm, preferably 1 atm or more,
The rotating electrode and the workpiece are arranged with a predetermined processing gap, and high-frequency power is supplied to the rotating electrode to generate plasma, and neutral radicals based on the reaction gas are generated in the plasma. The generation efficiency of neutral radicals based on the reaction gas in the plasma also depends on the type of inert gas constituting the plasma. For example, when the workpiece is silicon single crystal or quartz glass, SF 6 is suitable for the reactive gas, and He is suitable for the inert gas. Other reactive gases include fluorine-based CF 4 and the like, chlorine-based gases include Cl 2 , CCl 4 and PCl 5 , and other inert gases include Ne and Ar. Each of these gases may be used alone or in combination.

【0016】従って、被加工物の材質に応じて最適な反
応ガス及び不活性ガスの種類が選択されていることを前
提とすれば、加工速度を大きくするためには加工領域に
いかに反応ガスを効率よく大量供給し且つ排気するかと
いうことと、いかに反応ガスに効率良くエネルギーを与
えるかということが現実問題として重要である。
Therefore, assuming that the optimum types of the reactive gas and the inert gas are selected in accordance with the material of the workpiece, in order to increase the processing speed, how the reactive gas should be introduced into the processing area. It is important as a practical matter how to efficiently supply and exhaust a large amount and how to efficiently supply energy to the reaction gas.

【0017】また、加工量(深さ)は、加工速度が一定
であるとした場合には、加工時間に比例するので、この
加工時間を制御することによって目的の加工量が得られ
る。加工時間は、被加工物の加工進行部に対する回転電
極の停止時間あるいは平均滞在時間によって決まる。
The processing amount (depth) is proportional to the processing time when the processing speed is constant, so that the desired processing amount can be obtained by controlling the processing time. The processing time is determined by the stop time or the average stay time of the rotating electrode with respect to the processing progress portion of the workpiece.

【0018】そこで、本発明の要旨とするところは、チ
ャンバー内の反応ガス及び不活性ガスからなる大気圧近
傍のガス雰囲気中に、回転軸心に対して回転対称形であ
る回転電極と被加工物を配設し、該回転電極と被加工物
の加工進行部との間に加工ギャップを維持しつつ、回転
電極を高速に回転させて該回転電極表面でガスを巻き込
むことによって前記加工ギャップを横切るガス流を形成
するとともに、回転電極に高周波電力を供給し、加工ギ
ャップでプラズマを発生して反応ガスに基づく中性ラジ
カルを生成し、該中性ラジカルと被加工物の加工進行部
を構成する原子又は分子とのラジカル反応によって生成
した揮発性物質を気化させて除去し且つ回転電極と被加
工物とを相対的に変移させて加工を進行してなる回転電
極を用いた高密度ラジカル反応による高能率加工装置で
あって、前記回転電極の回転軸を気体軸受にて浮上させ
て支持するとともに、該気体軸受に供給する気体として
チャンバー内の雰囲気ガスと同じ気体を用い、気体軸受
に供給した雰囲気ガスを回転軸に沿って回転電極に向け
て供給してなることにある。
Therefore, the gist of the present invention is that a rotating electrode, which is rotationally symmetric with respect to a rotation axis, is placed in a gas atmosphere consisting of a reaction gas and an inert gas in a chamber near the atmospheric pressure. An object is disposed, and while maintaining a processing gap between the rotary electrode and a processing progress portion of the workpiece, the rotary electrode is rotated at a high speed to entrain gas on the surface of the rotary electrode, thereby forming the processing gap. While forming a gas flow that crosses, high frequency power is supplied to the rotating electrode, plasma is generated in the processing gap to generate neutral radicals based on the reaction gas, and the neutral radicals and the processing progress part of the workpiece are formed. Volatile substances generated by the radical reaction with the atoms or molecules to be removed are vaporized and removed, and the rotating electrode and the workpiece are relatively displaced and processing is performed. A high-efficiency processing apparatus based on a Zical reaction, wherein the rotating shaft of the rotating electrode is floated and supported by a gas bearing, and the same gas as the atmospheric gas in the chamber is used as a gas supplied to the gas bearing. Is supplied to the rotating electrode along the rotation axis.

【0019】次に本発明の詳細を添付図面に示した実施
形態に基づいて更に説明する。図1及び図2は本発明の
加工装置の全体を示す概略説明図であり、図中1はチャ
ンバー、2は石定盤、3は回転電極ユニット、4はXY
軸駆動機構、5はZ軸駆動機構、6はθ軸駆動機構、7
は半同軸型空洞共振器、8は被加工物をそれぞれ示して
いる。以下に各部の詳細を説明する。
Next, the details of the present invention will be further described based on embodiments shown in the accompanying drawings. 1 and 2 are schematic explanatory views showing the entire processing apparatus of the present invention, in which 1 is a chamber, 2 is a stone surface plate, 3 is a rotating electrode unit, and 4 is XY.
Axis drive mechanism, 5 is a Z axis drive mechanism, 6 is a θ axis drive mechanism, 7
Denotes a semi-coaxial cavity resonator, and 8 denotes a workpiece. The details of each unit will be described below.

【0020】前記チャンバー1は、内面鏡面仕上げのア
ルミニウム合金製のものを用い、外側をSUS304製
の鏡面板で覆ったものであり、寸法は幅3100mm、
奥行1950mm、高さ1750mmである。反応ガス
として使用するフッ素系ガスに対する耐食性金属として
は、アルミニウム、SUS等があるが、軽量化のために
耐食アルミニウム合金であるA5052を採用した。ま
た、本装置のチャンバー1は、装置本体の駆動系から分
離させた単なる容器で、容器本体1Aの前面側に開閉扉
1Bを設け、気密状に密閉可能となっており、反応ガス
置換のための真空引きによる圧力変化に対しては耐えう
る強度を有している。そして、チャンバー1の内面は、
反応ガス置換の際の真空引き作業で、内面よりの放出ガ
ス特性向上及びパーティクル発生を防ぐため、バフ研磨
にて鏡面仕上げ(0.2μm程度の表面粗さ)としてい
る。また、容器本体1Aの上面中央部には、後述の半同
軸型空洞共振器7を取付けている。
The chamber 1 is made of an aluminum alloy with an internal mirror finish, and the outside is covered with a mirror plate made of SUS304.
It is 1950 mm in depth and 1750 mm in height. Aluminum, SUS, and the like are used as the corrosion-resistant metal against the fluorine-based gas used as the reaction gas. A5052, which is a corrosion-resistant aluminum alloy, is used for weight reduction. The chamber 1 of the present apparatus is a simple container separated from the drive system of the apparatus main body. An opening / closing door 1B is provided on the front side of the container main body 1A, and can be hermetically sealed. Has a strength that can withstand a pressure change due to vacuum evacuation. And the inner surface of the chamber 1
In order to improve the emission gas characteristics from the inner surface and to prevent the generation of particles in the evacuation work at the time of replacing the reaction gas, a mirror finish (surface roughness of about 0.2 μm) is performed by buffing. Further, a semi-coaxial cavity resonator 7 described later is attached to the center of the upper surface of the container body 1A.

【0021】前記石定盤2は、経年変化がなく、硬度が
大きく傷つき難く、しかも温度変化に対する寸法精度が
高い花崗岩(南アフリカ産ラステンバーグ)製とし、寸
法は幅2500mm、奥行1500mm、高さ250m
mであり、特に上面9は後述のXY軸駆動機構4の基準
面(スライド面)となることから高い表面精度に加工し
ている。また、石定盤2の上面9には、断面四角形で長
さ2000mmの花崗岩(南アフリカ産ラステンバー
グ)製のX軸ガイド10をX軸方向にに固定している。
このX軸ガイド10の長手方向に沿った両側面11,1
1は、後述のXY軸駆動機構4のストロークにおける基
準面となることから、高い寸法精度に加工している。オ
ートコリメータで測定した前記石定盤2の上面9の平面
度は3.7μmであり、X軸ガイド10の真直度は2.
3μmであった。
The stone platen 2 is made of granite (Rustenburg, South Africa) which has no aging, has high hardness, is hard to be damaged, and has high dimensional accuracy with respect to temperature change.
m, in particular, the upper surface 9 is processed with high surface accuracy because it serves as a reference surface (slide surface) of the XY-axis driving mechanism 4 described later. An X-axis guide 10 made of granite (Rustenberg, South Africa) having a square cross section and a length of 2000 mm is fixed to the upper surface 9 of the stone platen 2 in the X-axis direction.
Both sides 11, 1 along the longitudinal direction of this X-axis guide 10
1 is processed with high dimensional accuracy because it serves as a reference surface for a stroke of an XY-axis driving mechanism 4 described later. The flatness of the upper surface 9 of the stone surface plate 2 measured by an autocollimator is 3.7 μm, and the straightness of the X-axis guide 10 is 2.
It was 3 μm.

【0022】本実施形態では、回転電極ユニット3を含
む装置本体の駆動部を全て前記石定盤2の上面9に構成
し、装置本体の保守・点検、被加工物8のセッティング
と駆動系の調整時には、図2に示すようにチャンバー1
から引き出すことができるようになっている。そのた
め、チャンバー1の底面には奥行方向に延びた搬送用レ
ール12,12を設け、石定盤2をこの搬送用レール1
2,12に沿って移動可能にするとともに、チャンバー
1の外部に設置した石定盤搬送架台13に移し替えるる
ことができるようになっている。また、装置本体の全て
の構成要素は、3点支持された前記石定盤2の上面9に
構築されていることから、チャンバー1の変形や剛性の
影響を受けずに精度を維持することができる。
In the present embodiment, all the drive units of the apparatus main body including the rotary electrode unit 3 are formed on the upper surface 9 of the stone platen 2 for maintenance / inspection of the apparatus main body, setting of the workpiece 8 and control of the drive system. At the time of adjustment, as shown in FIG.
Can be withdrawn from For this purpose, transport rails 12, 12 extending in the depth direction are provided on the bottom surface of the chamber 1, and the stone platen 2 is mounted on the transport rail 1
2 and 12, and can be transferred to a stone platen carrier 13 installed outside the chamber 1. In addition, since all the components of the apparatus main body are constructed on the upper surface 9 of the stone platen 2 supported at three points, it is possible to maintain accuracy without being affected by the deformation or rigidity of the chamber 1. it can.

【0023】前記回転電極ユニット3は、図3に示すよ
うに回転軸心に対して回転対称形である回転電極14
を、回転軸15の中央部に設け、該回転軸15の両端部
を気体軸受16,17にて支持し、この気体軸受16,
17をそれぞれ高周波に対して絶縁した支持脚18,1
9を介して前記石定盤2の上面9に取付けている。ここ
で、軸受スパンは500mmであり、この回転電極ユニ
ット3は、後述のXY軸駆動機構4を跨ぐアーチ状とな
っており、回転軸15の向きはX軸と直交するように配
設している。
As shown in FIG. 3, the rotary electrode unit 3 has a rotary electrode 14 which is rotationally symmetric with respect to the rotation axis.
Is provided at the center of the rotating shaft 15, and both ends of the rotating shaft 15 are supported by gas bearings 16 and 17.
17 are insulated against high frequency.
9 is attached to the upper surface 9 of the stone surface plate 2. Here, the bearing span is 500 mm, and the rotating electrode unit 3 has an arch shape straddling an XY axis driving mechanism 4 described later, and the direction of the rotating shaft 15 is arranged so as to be orthogonal to the X axis. I have.

【0024】前記回転電極14は、図3及び図4に示す
ように、アルミニウム合金(A5052)で作製し、直
径300mmで、電極外周部はガス流の乱れを防ぐため
と、被加工物8の加工面の曲率より十分小さくするため
に半径25mmの曲率を持たせた形状とし、表面にはア
ーク放電を防ぐために絶縁体であるアルミナを約350
μm溶射し、Raで約1μmの表面粗さに研磨仕上げを
している。尚、前記回転軸15は、SUS304製であ
る。
The rotary electrode 14 is made of an aluminum alloy (A5052) as shown in FIGS. 3 and 4 and has a diameter of 300 mm. In order to make it smaller than the curvature of the machined surface, it has a curvature with a radius of 25 mm.
μm is sprayed and the surface is polished to a surface roughness of about 1 μm with Ra. The rotation shaft 15 is made of SUS304.

【0025】前記気体軸受16,17は、複数のブロッ
クを組み合わせて作製し、前記回転軸15の端部15A
を挿通する軸受孔20を有し、作動気体の供給口21か
らブロックの内部及びブロック間に複雑な流路22を形
成し、前記軸受孔20の内周面であって軸方向に離れた
2ヵ所に前記端部15Aの円周面に向けて気体を噴出す
る環状の吹出口23,23を形成してラジアル軸受を構
成している。また、一方の気体軸受16には、回転軸1
5の端部15Aに固定した円板24を受け入れる環状凹
部25を形成し、該環状凹部25の半径方向両面に前記
円板24に向けて気体を噴出する吹出口26,26を形
成してスラスト軸受を構成している。
The gas bearings 16 and 17 are manufactured by combining a plurality of blocks, and the end 15 A of the rotary shaft 15 is formed.
And a complicated flow path 22 is formed inside the block and between the blocks from the supply port 21 for the working gas, and the inner peripheral surface of the bearing hole 20 is separated from the working gas supply port 21 in the axial direction. At two locations, annular air outlets 23 for ejecting gas toward the circumferential surface of the end 15A are formed to form a radial bearing. Also, one of the gas bearings 16 has a rotating shaft 1.
5 is formed with an annular recess 25 for receiving the disk 24 fixed to the end portion 15A, and air outlets 26, 26 for discharging gas toward the disk 24 are formed on both radial sides of the annular recess 25, thereby forming a thrust. Make up the bearing.

【0026】前記気体軸受16,17に供給する作動気
体として、チャンバー1内の雰囲気ガスを構成する不活
性ガス(He)を選択する。また、本実施形態の具体的
な諸元において数値計算によって軸受剛性が最大となる
前記回転軸15の端部15Aと軸受孔20との隙間を見
出し、その値を10μmとした。そして、作動気体であ
るHeの供給圧力を5.033kg/cm2 とすれば、
回転電極14と回転軸15の合計重量約24kgを所定
の偏心率で浮上状態で支持することができる。ここで、
5kg/cm2 のHeを供給した場合の両気体軸受1
6,17による軸受剛性(静剛性)は、1.7kg/μ
mとなる。尚、気体軸受16,17に供給する作動気体
は、不活性ガスのみに限定されるものではなく、雰囲気
ガスを構成する反応ガス又はチャンバー1内の雰囲気ガ
スと同じ気体とすることも可能である。
As the working gas to be supplied to the gas bearings 16 and 17, an inert gas (He) constituting the atmospheric gas in the chamber 1 is selected. Further, a gap between the end 15A of the rotary shaft 15 and the bearing hole 20 at which the bearing rigidity is maximized was found by numerical calculation in the specific specifications of the present embodiment, and the value was set to 10 μm. If the supply pressure of the working gas He is 5.033 kg / cm 2 ,
A total weight of about 24 kg of the rotating electrode 14 and the rotating shaft 15 can be supported in a floating state at a predetermined eccentricity. here,
Double gas bearing 1 when 5 kg / cm 2 He is supplied
Bearing stiffness (static stiffness) according to 6, 17 is 1.7 kg / μ
m. The working gas supplied to the gas bearings 16 and 17 is not limited to the inert gas, but may be the same as the reaction gas forming the atmosphere gas or the atmosphere gas in the chamber 1. .

【0027】また、前記回転電極14を回転駆動する駆
動部は、図3に示すように、前記回転軸15の一端に取
付けた高周波絶縁性を有する絶縁軸部27と、気密ケー
ス28及び雰囲気ガスに対して耐食性を有する磁性流体
シールにより隔離された駆動用モータ29の駆動軸30
との間にマグネットカップリング31を介在させ、該駆
動軸30の回転力を前記絶縁軸部27及び回転軸15に
非接触状態で伝達する構造となっている。ここで、前記
駆動用モータ29を気密ケース28で覆い、更に好まし
くはこの気密ケース28の内部を排気し、摺動部でパー
ティクルが発生してもチャンバー1内に出ないようにし
ている。尚、後述の各モータも同様に気密ケースで覆
い、好ましくは内部を排気している。
As shown in FIG. 3, a driving part for rotating the rotary electrode 14 includes an insulating shaft part 27 having high-frequency insulation attached to one end of the rotary shaft 15, an airtight case 28 and an atmosphere gas. Drive shaft 30 of drive motor 29 isolated by a magnetic fluid seal having corrosion resistance to
A magnet coupling 31 is interposed between the drive shaft and the drive shaft 30, and the rotational force of the drive shaft 30 is transmitted to the insulating shaft 27 and the rotary shaft 15 in a non-contact state. Here, the drive motor 29 is covered with an airtight case 28, and more preferably, the inside of the airtight case 28 is evacuated so that even if particles are generated in the sliding portion, they do not enter the chamber 1. Each of the motors described later is similarly covered with an airtight case, and preferably the inside is exhausted.

【0028】前記気体軸受16,17の供給口21から
供給した作動気体は、半径方向の吹出口23,23及び
軸方向の吹出口26,26から噴出し、回転軸15の端
部15A,15Aを回転可能に気体浮上させるととも
に、軸方向の移動を規制している。この気体軸受16,
17によって、最高回転数10,000rpm、回転精
度1μmで回転電極14を回転させることが可能とな
る。そして、前述の作動気体(不活性ガス、反応ガス又
は雰囲気ガス)は、前記軸受孔20と回転軸15の端部
15Aの隙間から回転軸15の軸方向に沿って回転電極
14に向けて供給され、回転電極14の高速回転によっ
て巻き込まれ、回転電極14の外周部の電界集中部と被
加工物8との間の加工ギャップを横切るガス流となる。
The working gas supplied from the supply ports 21 of the gas bearings 16 and 17 is ejected from radial outlets 23 and 23 and axial outlets 26 and 26, and ends 15A and 15A of the rotary shaft 15 are provided. Is rotatably levitated and restricts axial movement. This gas bearing 16,
17 makes it possible to rotate the rotating electrode 14 with a maximum rotation speed of 10,000 rpm and a rotation accuracy of 1 μm. The aforementioned working gas (inert gas, reaction gas or atmospheric gas) is supplied to the rotating electrode 14 from the gap between the bearing hole 20 and the end 15A of the rotating shaft 15 along the axial direction of the rotating shaft 15. Then, the gas is caught by the high-speed rotation of the rotary electrode 14 and becomes a gas flow that crosses a processing gap between the electric field concentration portion on the outer peripheral portion of the rotary electrode 14 and the workpiece 8.

【0029】前記XY軸駆動機構4は、図6〜図8に詳
しく示すように、前記石定盤2の上面9に配設したX軸
ガイド10に沿った石定盤2の上面9に載置した長方形
枠体からなるXテーブル32と、該Xテーブル32の枠
内であって石定盤2に載置したYテーブル33と、それ
ぞれの駆動機構であるX軸モータ34とSUS製のベル
ト35及びY軸モータ36とSUS製のベルト37から
構成され、前記Xテーブル32は複数の気体軸受方式の
静圧パッド38,…によって石定盤2の上面9に浮上し
且つX軸ガイド10に沿って移動可能となし、前記Yテ
ーブル33は、同様に複数の静圧パッド38,…によっ
て石定盤2の上面9に浮上し且つXテーブル32の枠体
内をY軸方向に移動可能となっている。ここで、前記X
テーブル32とYテーブル33とは、それぞれX軸モー
タ34とY軸モータ36で駆動するSUSベルト35及
び37による牽引方式によって移動させている。この方
式は、テーブルの運動に与える外乱が少なく、また長距
離の移動に有利であり、高精度で長いストロークが達成
できる。
As shown in detail in FIGS. 6 to 8, the XY-axis driving mechanism 4 is mounted on the upper surface 9 of the stone surface plate 2 along the X-axis guide 10 provided on the upper surface 9 of the stone surface plate 2. An X table 32 composed of a rectangular frame placed, a Y table 33 placed in the frame of the X table 32 and placed on the stone platen 2, an X-axis motor 34 as a driving mechanism and a SUS belt 35, a Y-axis motor 36 and a belt 37 made of SUS. The X table 32 floats on the upper surface 9 of the stone platen 2 by a plurality of gas bearing type static pressure pads 38,. The Y table 33 is similarly floated on the upper surface 9 of the stone platen 2 by a plurality of static pressure pads 38,... And is movable in the Y axis direction within the frame of the X table 32. ing. Here, the X
The table 32 and the Y table 33 are moved by a traction system using SUS belts 35 and 37 driven by an X-axis motor 34 and a Y-axis motor 36, respectively. This method has little disturbance to the movement of the table, is advantageous for long distance movement, and can achieve a long stroke with high accuracy.

【0030】更に詳しくは、前記XY軸駆動機構4は、
Xテーブル32、Yテーブル33共に同一基準面となる
石定盤2の上面9をスライドする構造となっており、ス
ライド機構には気体軸受方式の静圧パッド38を採用し
て石定盤上に浮上し、Xテーブル32は平行度の取れた
前記X軸ガイド10の両側面11,11をX軸ガイド面
とし、またYテーブル33は枠状のXテーブル32の内
面に取付けられた石英ガラス39,39をY軸ガイド面
としてそれぞれスライドする構造である。各テーブル案
内の拘束形式には、外力をテーブルの自重と積載物(θ
軸駆動機構6、ワークテーブル、被加工物8)の重量で
与える重量バランス拘束型を採用している。本形式はテ
ーブルの面積を大きく取ることができ、また形状が単純
であるため部品精度が出し易いという利点を有する。
More specifically, the XY-axis driving mechanism 4
Both the X table 32 and the Y table 33 have a structure in which the upper surface 9 of the stone surface plate 2 serving as the same reference surface is slid. The X table 32 floats, and the X-axis guide 10 has both side surfaces 11 and 11 as the X-axis guide surfaces, and the Y table 33 is a quartz glass 39 attached to the inner surface of the frame-shaped X table 32. , 39 as a Y-axis guide surface. In the constraint type of each table guide, the external force is determined by the weight of the table and the load (θ
A weight balance constraint type that is given by the weight of the shaft drive mechanism 6, the work table, and the workpiece 8) is employed. This type has an advantage that a large area of the table can be taken, and since the shape is simple, the accuracy of parts can be easily obtained.

【0031】前記静圧パッド38は、図8に詳細に示す
ように、複数のブロックを組み合わせて構成し、長辺側
の一方の側面と短辺側の一方の側面にはそれぞれ作動気
体の供給口40,40を形成し、平滑となした一面には
隙間10μmの吹出口41,…を四ヶ所に形成し、前記
供給口40と吹出口41とを内部に形成した複雑な流路
42で連通させ、更に各吹出口41の周囲にエアポケッ
ト43を形成した構造である。前記吹出口41を有する
面は、120mm×150mmの寸法を有している。
尚、前記静圧パッド38を取付ける位置及び向きによっ
て、二つの供給口40,40の内の配管し易い方を使用
し、他方は塞ぐものとする。この静圧パッド38に供給
する作動気体としては、チャンバー1内の雰囲気ガスと
同じ種類の気体、即ち不活性ガス又は反応ガス又は雰囲
気ガスそのものを用いる。
As shown in detail in FIG. 8, the static pressure pad 38 is constituted by combining a plurality of blocks, and one side of the long side and one side of the short side are supplied with working gas, respectively. The openings 40, 40 are formed, and the outlets 41,... Having a gap of 10 μm are formed in four places on a smooth surface, and the supply port 40 and the outlet 41 are formed by a complicated flow path 42 formed inside. The air pocket 43 is formed around each of the air outlets 41. The surface having the outlet 41 has a size of 120 mm × 150 mm.
Depending on the position and the direction in which the static pressure pad 38 is to be mounted, one of the two supply ports 40, 40 which is easy to pipe is used, and the other is closed. As the working gas supplied to the static pressure pad 38, a gas of the same type as the atmosphere gas in the chamber 1, that is, an inert gas, a reaction gas, or an atmosphere gas itself is used.

【0032】そして、前記静圧パッド38は、Xテーブ
ル32の浮上用にXテーブル32の下面コーナー部に4
個、X軸ガイド用に一方のX軸ガイド10の両側面を挟
む位置に2対の合計4個、Yテーブル33の浮上用にY
テーブル33の下面に6個、Y軸ガイド用に前記石英ガ
ラス39,39に面したYテーブル33の両側面に2個
づつ合計4個使用した。Yテーブル33にθ軸駆動機構
6を含む合計重量280kgを積載した状態において、
作動気体として5kg/cm2 (絶対圧)のHeを各静
圧パッド38に供給したところ、約20μmの浮上量を
得た。
The static pressure pad 38 is provided at the lower corner of the X table 32 for floating the X table 32.
A total of four pairs at a position sandwiching both sides of one X-axis guide 10 for the X-axis guide,
Six pieces were used on the lower surface of the table 33, and two pieces were used on both sides of the Y table 33 facing the quartz glass 39 for the Y-axis guide, for a total of four pieces. In a state where a total weight of 280 kg including the θ-axis drive mechanism 6 is loaded on the Y table 33,
When He of 5 kg / cm 2 (absolute pressure) was supplied to each static pressure pad 38 as a working gas, a flying height of about 20 μm was obtained.

【0033】前記XY軸駆動機構4のストロークは、X
軸に関しては±275mm、Y軸に関しては±100m
mであり、図9に示すようにストロークの全長に渡り、
大ストロークにもかかわらず1μm以下の真直度が得ら
れた。ここで、図9において、Cの行欄は、Yテーブル
33がストロークの中心位置でのデータであり、R及び
Lの行欄は、Yテーブル33をそれぞれ中心から−10
0mm、+100mm偏位した位置でのデータであり、
θ軸回転角度の0°、−30°、+30°の各列欄は、
後述のθ軸駆動機構6の回転角度をそれぞれ0°、−3
0°、+30°に変化させた場合のデータである。
The stroke of the XY-axis driving mechanism 4 is X
± 275 mm for the axis, ± 100 m for the Y axis
m, over the entire length of the stroke as shown in FIG.
Despite the large stroke, straightness of 1 μm or less was obtained. Here, in FIG. 9, the row of C is the data at the center position of the stroke in the Y table 33, and the row of R and L is −10 from the center of the Y table 33, respectively.
0mm, + 100mm data at the position deviated,
The columns of 0 °, -30 °, and + 30 ° of the θ-axis rotation angle are as follows:
The rotation angles of the θ-axis drive mechanism 6 described later are 0 ° and −3, respectively.
This is data when the angle is changed to 0 ° and + 30 °.

【0034】前記Z軸駆動機構5は、厳密な意味でのZ
軸方向の駆動機構ではないが、実用上問題がない程度に
回転電極14の電界集中部と被加工物8の加工面間の加
工ギャップを調整できるものであり、具体的には図3に
示すように前記支持脚18,19に組み込まれている。
即ち、前記駆動用モータ29側の一方の支持脚18の固
定部18Aと可動部18Bの直交したコーナー部間を十
字バネ44で連結し、他方の支持脚19の固定部19A
にZ軸モータ45を垂直に取付け、該Z軸モータ45の
下部に連結したボールネジ機構部46から垂下したZ駆
動軸47に支持脚19の可動部19Bを連結し、前記可
動部18Bに窒化珪素からなる絶縁体48を介して前記
気体軸受16を載置固定するとともに、前記可動部19
Bに窒化珪素からなる絶縁体49を介して前記気体軸受
17を載置固定した構造である。従って、前記Z軸モー
タ45を駆動するとボールネジ機構部46によってZ駆
動軸47が上下変移し、前記十字バネ44を支点として
電極部全体を上下に変移させるのである。ここで、前記
ボールネジ機構部46は密閉され、好ましくは内部を排
気しており、またZ駆動軸47はベローズで覆われてい
る。尚、図中符号50は、両絶縁体48,49より上部
の回転電極14、回転軸15及び気体軸受16,17を
取り囲むように設けた電磁シールドカバーである。
The Z-axis drive mechanism 5 is a strictly Z
Although it is not an axial drive mechanism, it can adjust the processing gap between the electric field concentrated portion of the rotating electrode 14 and the processing surface of the workpiece 8 to such an extent that there is no practical problem. Specifically, FIG. Are incorporated into the support legs 18 and 19 as described above.
That is, the fixed portion 18A of the one support leg 18 on the drive motor 29 side and the orthogonal corner portion of the movable portion 18B are connected by the cross spring 44, and the fixed portion 19A of the other support leg 19 is connected.
, A movable portion 19B of the support leg 19 is connected to a Z drive shaft 47 which is suspended from a ball screw mechanism 46 connected to a lower portion of the Z-axis motor 45, and silicon nitride is connected to the movable portion 18B. The gas bearing 16 is mounted and fixed via an insulator 48 made of
This is a structure in which the gas bearing 17 is mounted and fixed on B via an insulator 49 made of silicon nitride. Therefore, when the Z-axis motor 45 is driven, the Z drive shaft 47 is moved up and down by the ball screw mechanism 46, and the entire electrode is moved up and down with the cross spring 44 as a fulcrum. Here, the ball screw mechanism 46 is hermetically sealed, preferably exhausting the inside, and the Z drive shaft 47 is covered with a bellows. Reference numeral 50 in the figure denotes an electromagnetic shield cover provided so as to surround the rotating electrode 14, the rotating shaft 15, and the gas bearings 16 and 17 above the insulators 48 and 49.

【0035】前記θ軸駆動機構6は、図1に示すよう
に、Yテーブル33の上面に構築し、前記被加工物8を
保持し、回転電極14の電界集中部に対して被加工物8
をθ軸回りに回転変移させ、被加工物8であるシリンド
リカルミラー等を加工する場合に用いるものである。具
体的には、Yテーブル33のX軸方向両端部に支持台5
1,51を立起固定し、一方の支持台51の上部にθ軸
モータ52の駆動軸部を貫通して取付け、他方の支持台
51の上部に従動軸部を貫通して設け、両軸部に吊下板
と両吊下板の下端間に渡設した連結板からなるワーク保
持部53を取付け、該ワーク保持部53に適宜な厚さの
スペーサ54を介して被加工物8を固定するようになっ
ている。また、図中符号55は、θ軸モータ52の回転
位置の変化に対するワーク保持部53のモーメントをな
くするために設けたカウンターウエイトである。
As shown in FIG. 1, the θ-axis drive mechanism 6 is constructed on the upper surface of a Y table 33, holds the workpiece 8, and holds the workpiece 8 against the electric field concentrated portion of the rotary electrode 14.
Is rotated around the θ axis to process a cylindrical mirror or the like 8 to be processed. Specifically, the support table 5 is provided at both ends in the X-axis direction of the Y table 33.
1 and 51 are fixed upright, mounted on the upper part of one support base 51 by penetrating the drive shaft part of the θ-axis motor 52, and provided on the upper part of the other support base 51 by penetrating the driven shaft part. A work holding portion 53 composed of a hanging plate and a connecting plate provided between the lower ends of both hanging plates is attached to the portion, and the workpiece 8 is fixed to the work holding portion 53 via a spacer 54 having an appropriate thickness. It is supposed to. Reference numeral 55 in the figure denotes a counterweight provided to eliminate the moment of the work holding unit 53 with respect to a change in the rotational position of the θ-axis motor 52.

【0036】前記半同軸型空洞共振器7は、高周波電源
から供給する高周波電力を回転電極14の電界集中部近
傍のプラズマに効率良く供給するために、電源側と負荷
側とのインピーダンスマッチングに用いるものである。
本実施形態で用いる150MHzのような高周波帯域に
おいては、電極やその他のチャンバー内部構造物によっ
て生じる各部の浮遊容量や小さなインダクタンスが無視
できなくなる。即ち、周波数が高くなればなるほど電荷
の移動の向きが頻繁に変わるため、小さな容量であって
も大きな高周波電流が流れたり、小さなインダクタンス
であっても高周波にとっては流れ難くなったりする。そ
のため、高周波電力をプラズマにまで効率良く伝えるた
めには、プラズマまでの電力の導入回路において、あら
ゆる断面のインピーダンスが整合していなければならな
い。本装置では、半同軸型空洞共振器7を用いてプラズ
マを含めたチャンバー内部のインピーダンスと電源のイ
ンピーダンス(50Ω)との整合をとっている。
The semi-coaxial cavity resonator 7 is used for impedance matching between the power supply side and the load side in order to efficiently supply the high frequency power supplied from the high frequency power supply to the plasma near the electric field concentrated portion of the rotating electrode 14. Things.
In a high-frequency band such as 150 MHz used in the present embodiment, the stray capacitance and small inductance of each part caused by electrodes and other internal structures of the chamber cannot be ignored. That is, the higher the frequency, the more frequently the direction of movement of charges changes, so that a large high-frequency current flows even with a small capacitance, and it becomes difficult for a high frequency to flow even with a small inductance. Therefore, in order to efficiently transmit the high-frequency power to the plasma, the impedance of every cross section must be matched in the circuit for introducing the power to the plasma. In this apparatus, the impedance inside the chamber including the plasma and the impedance of the power supply (50Ω) are matched using the semi-coaxial cavity resonator 7.

【0037】また、加工中にXY軸駆動機構4、Z軸駆
動機構5及びθ軸駆動機構6の変移によって、チャンバ
ー内部の浮遊容量(100〜数100pF)が変化する
が、浮遊容量が変化しても、インピーダンスの整合に影
響が少ない程度に半同軸型空洞共振器7を大容量(10
00pF)に設計している。また、半同軸型空洞共振器
7は、共振周波数を調整することができるように、容量
部にシリコンオイルを制御して注入するようになってい
る。
Also, the stray capacitance (100 to several hundred pF) inside the chamber changes due to the displacement of the XY-axis driving mechanism 4, the Z-axis driving mechanism 5, and the θ-axis driving mechanism 6 during the processing. However, the semi-coaxial cavity resonator 7 has a large capacity (10
00 pF). The semi-coaxial cavity resonator 7 is configured to controlly inject silicon oil into the capacitance portion so that the resonance frequency can be adjusted.

【0038】また、図3に示すように、前記半同軸型空
洞共振器7から高周波電力導入部56、容量結合部57
を介して回転電極14に高周波電力を供給するか、若し
くは直接容量結合部57に連結した伝導板58を介して
両気体軸受16,17から回転軸15へ高周波電力を供
給している。
As shown in FIG. 3, the semi-coaxial cavity resonator 7 includes a high-frequency power introducing section 56 and a capacitive coupling section 57.
The high-frequency power is supplied to the rotating electrode 14 via the rotary shaft 15, or the high-frequency power is supplied to the rotary shaft 15 from both the gas bearings 16 and 17 via the conductive plate 58 directly connected to the capacitive coupling portion 57.

【0039】本実施形態における本加工装置は、回転電
極ユニット3における軸受部及びXY軸駆動機構4、そ
の他の機構部からは、被加工物8の加工面にダメージを
与えたり、加工の進行を妨げて表面粗さを悪化させる原
因となるパーティクルや潤滑オイル等を一切発生させ
ず、また駆動部の各モータは完全に気密ケースで覆わ
れ、更に好ましくはその内部を排気していることから、
この駆動部からのパーティクルや潤滑オイルがチャンバ
ー1内に侵入することがないのである。また、機構部に
気体軸受方式を採用していることから、摩擦抵抗が極め
て小さいので、正確な位置決め精度が可能であり、また
XY軸駆動機構4においてはXテーブル32とYテーブ
ル33が直接石定盤2の上面9をスライドする機構であ
るから、従来のように軸の積み重ねによる精度劣化が無
く、高精度の移動ステージを実現でき、もって高精度の
加工が行えるのである。
In the present working apparatus in the present embodiment, the bearing portion of the rotary electrode unit 3, the XY-axis driving mechanism 4, and other mechanism parts damage the working surface of the workpiece 8 or control the progress of the working. Since it does not generate any particles or lubricating oil that may hinder the surface roughness, and each motor of the drive unit is completely covered with an airtight case, and more preferably, the inside is exhausted,
Particles and lubricating oil from the driving unit do not enter the chamber 1. In addition, since the gas bearing system is adopted for the mechanism, the frictional resistance is extremely small, so that accurate positioning accuracy is possible. In the XY axis drive mechanism 4, the X table 32 and the Y table 33 are directly Since the mechanism slides on the upper surface 9 of the surface plate 2, there is no deterioration in accuracy due to the stacking of the shafts as in the related art, and a high-precision moving stage can be realized, so that high-precision processing can be performed.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上にしてなる本発明の回転電極を用い
た高密度ラジカル反応による高能率加工装置は、回転電
極の軸受及びその他の駆動部から被加工物の加工面にダ
メージを与えたり、加工の進行を妨げて表面粗さを悪化
させる原因となるパーティクルや潤滑オイル等を一切発
生させず、しかも回転電極の回転を安定化させ、更に雰
囲気ガスの供給をも同時に行うことができるので、被加
工物を高精度且つ高能率で加工することができる。
As described above, the high-efficiency processing apparatus by the high-density radical reaction using the rotating electrode according to the present invention can damage the processing surface of the workpiece from the bearing and other driving parts of the rotating electrode, Since it does not generate any particles or lubricating oil that causes the surface roughness to worsen by hindering the progress of processing, stabilizes the rotation of the rotating electrode, and can simultaneously supply the atmosphere gas. The workpiece can be processed with high accuracy and high efficiency.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の加工装置を一部省略して示した全体説
明用斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view for general description in which a processing apparatus of the present invention is partially omitted.

【図2】同じく加工装置をチャンバー外に引き出した状
態を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a state where the processing apparatus is drawn out of a chamber.

【図3】回転電極ユニット及びZ軸駆動機構を示す断面
図である。
FIG. 3 is a sectional view showing a rotary electrode unit and a Z-axis drive mechanism.

【図4】回転電極ユニットの要部を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a main part of the rotating electrode unit.

【図5】気体軸受を1/4断面で示した斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing the gas bearing in a quarter section.

【図6】XY軸駆動機構を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing an XY-axis driving mechanism.

【図7】同じくXY軸駆動機構の一部省略した平面図で
ある。
FIG. 7 is a plan view of the XY-axis driving mechanism with a part thereof omitted.

【図8】静圧パッドを部分断面で示した斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing a static pressure pad in a partial cross section.

【図9】XY軸駆動機構の真直度の測定結果を示すグラ
フである。
FIG. 9 is a graph showing a measurement result of straightness of the XY-axis driving mechanism.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 チャンバー 2 石定盤 3 回転電極ユニット 4 XY軸駆動機構 5 Z軸駆動機構 6 θ軸駆動機構 7 半同軸型空洞共振器 8 被加工物 9 上面 10 X軸ガイド 11 側面 12 搬送用レール 13 石定盤搬送架台 14 回転電極 15 回転軸 16 気体軸受 17 気体軸受 18 支持脚 19 支持脚 20 軸受孔 21 供給口 22 流路 23 吹出口 24 円板 25 環状凹部 26 吹出口 27 絶縁軸部 28 気密ケース 29 駆動用モータ 30 駆動軸 31 マグネットカップリング 32 Xテーブル 33 Yテーブル 34 X軸モータ 35 ベルト 36 Y軸モータ 37 ベルト 38 静圧パッド 39 石英ガラス 40 供給口 41 吹出口 42 流路 43 エアポケット 44 十字バネ 45 Z軸モータ 46 ボールネジ機構部 47 Z駆動軸 48 絶縁体 49 絶縁体 50 電磁シールドカバー 51 支持台 52 θ軸モータ 53 ワーク保持部 54 スペーサ 55 カウンターウエイト 56 高周波電力導入部 57 容量結合部 58 伝導板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chamber 2 Stone surface plate 3 Rotating electrode unit 4 XY-axis drive mechanism 5 Z-axis drive mechanism 6 θ-axis drive mechanism 7 Semi-coaxial cavity resonator 8 Workpiece 9 Top surface 10 X-axis guide 11 Side surface 12 Transport rail 13 Stone Plate carrier 14 Rotating electrode 15 Rotating shaft 16 Gas bearing 17 Gas bearing 18 Support leg 19 Support leg 20 Bearing hole 21 Supply port 22 Flow path 23 Outlet 24 Disk 25 Annular recess 26 Outlet 27 Insulating shaft 28 Airtight case 29 Driving motor 30 Drive shaft 31 Magnet coupling 32 X table 33 Y table 34 X axis motor 35 Belt 36 Y axis motor 37 Belt 38 Static pressure pad 39 Quartz glass 40 Supply port 41 Air outlet 42 Flow path 43 Air pocket 44 Cross Spring 45 Z-axis motor 46 Ball screw mechanism 47 Z drive shaft 48 Insulator 9 insulator 50 electromagnetic shield cover 51 support stand 52 theta spacer-axis motor 53 work holder 54 55 counterweight 56 high-frequency power supply unit 57 capacitive coupling portion 58 conducting plate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI B23K 10/00 504 H01L 21/302 B ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI B23K 10/00 504 H01L 21/302 B

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 チャンバー内の反応ガス及び不活性ガス
からなる大気圧近傍のガス雰囲気中に、回転軸心に対し
て回転対称形である回転電極と被加工物を配設し、該回
転電極と被加工物の加工進行部との間に加工ギャップを
維持しつつ、回転電極を高速に回転させて該回転電極表
面でガスを巻き込むことによって前記加工ギャップを横
切るガス流を形成するとともに、回転電極に高周波電力
を供給し、加工ギャップでプラズマを発生して反応ガス
に基づく中性ラジカルを生成し、該中性ラジカルと被加
工物の加工進行部を構成する原子又は分子とのラジカル
反応によって生成した揮発性物質を気化させて除去し且
つ回転電極と被加工物とを相対的に変移させて加工を進
行してなる回転電極を用いた高密度ラジカル反応による
高能率加工装置であって、前記回転電極の回転軸を気体
軸受にて浮上させて支持するとともに、該気体軸受に供
給する気体としてチャンバー内の雰囲気ガスと同じ気体
を用い、気体軸受に供給した雰囲気ガスを回転軸に沿っ
て回転電極に向けて供給してなることを特徴とする回転
電極を用いた高密度ラジカル反応による高能率加工装
置。
1. A rotating electrode and a workpiece, which are rotationally symmetric with respect to a rotation axis, are disposed in a gas atmosphere near the atmospheric pressure comprising a reaction gas and an inert gas in a chamber. While maintaining a processing gap between the workpiece and the processing progress portion of the workpiece, the rotating electrode is rotated at a high speed to entrain gas on the rotating electrode surface, thereby forming a gas flow crossing the processing gap, and rotating the rotating electrode. A high-frequency power is supplied to the electrode, a plasma is generated in the processing gap to generate neutral radicals based on the reaction gas, and a radical reaction between the neutral radicals and atoms or molecules constituting the processing progress portion of the workpiece is performed. This is a high-efficiency processing apparatus by a high-density radical reaction using a rotating electrode formed by vaporizing and removing generated volatile substances and relatively rotating a rotating electrode and a workpiece to perform processing. Thus, the rotating shaft of the rotating electrode is floated and supported by a gas bearing, and the same gas as the atmosphere gas in the chamber is used as the gas supplied to the gas bearing. A high-efficiency processing apparatus by a high-density radical reaction using a rotating electrode, which is supplied to the rotating electrode along the axis.
【請求項2】 前記回転軸の中央部に前記回転電極を設
け、該回転軸の両端部又は片端部を気体軸受にて支持し
てなる請求項1記載の回転電極を用いた高密度ラジカル
反応による高能率加工装置。
2. A high-density radical reaction using a rotary electrode according to claim 1, wherein said rotary electrode is provided at a central portion of said rotary shaft, and both ends or one end of said rotary shaft are supported by gas bearings. High efficiency processing equipment.
【請求項3】 前記気体軸受に供給する気体としてチャ
ンバー内の雰囲気ガスを構成する不活性ガスを用いてな
る請求項1又は2記載の回転電極を用いた高密度ラジカ
ル反応による高能率加工装置。
3. The high-efficiency processing apparatus by a high-density radical reaction using a rotary electrode according to claim 1, wherein an inert gas constituting an atmospheric gas in a chamber is used as a gas supplied to the gas bearing.
【請求項4】 前記回転軸の一端に取付けた高周波絶縁
性を有する絶縁軸部と、気密ケース及び雰囲気ガスに対
して耐食性を有する磁性流体シールにより隔離された駆
動用モータの駆動軸との間にマグネットカップリングを
介在させ、該駆動軸の回転力を前記絶縁軸部及び回転軸
に非接触状態で伝達してなる請求項1又は2記載の回転
電極を用いた高密度ラジカル反応による高能率加工装
置。
4. An insulating shaft portion having high-frequency insulation attached to one end of the rotary shaft, and a drive shaft of a drive motor separated by a hermetic case and a magnetic fluid seal having corrosion resistance to atmospheric gases. 3. A high efficiency by high-density radical reaction using a rotary electrode according to claim 1 or 2, wherein a magnetic coupling is interposed between the rotary shaft and the rotary shaft to transmit the rotational force of the drive shaft to the insulating shaft portion and the rotary shaft in a non-contact state. Processing equipment.
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