JPH11140568A - Production of brass, brass, production of metallic material, and metallic material - Google Patents

Production of brass, brass, production of metallic material, and metallic material

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JPH11140568A
JPH11140568A JP32699797A JP32699797A JPH11140568A JP H11140568 A JPH11140568 A JP H11140568A JP 32699797 A JP32699797 A JP 32699797A JP 32699797 A JP32699797 A JP 32699797A JP H11140568 A JPH11140568 A JP H11140568A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
brass
less
phase
producing
grain size
Prior art date
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Application number
JP32699797A
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Japanese (ja)
Inventor
Ryuji Matsubara
隆二 松原
Nobuyuki Ashie
伸之 芦江
Katsuaki Nakamura
克昭 中村
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Toto Ltd
Original Assignee
Toto Ltd
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Publication date
Application filed by Toto Ltd filed Critical Toto Ltd
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Publication of JPH11140568A publication Critical patent/JPH11140568A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To refine grain size by applying extrusion in two times to a brass rod stock of specific composition and also regulating reduction of area to a specific value or above. SOLUTION: Dynamic recrystallization is allowed to occur in a brass rod stock having 37-46 wt.% apparent Zn content by means of extrusion to refine grain size. Then, dynamic recrystallization is allowed to occur by similar extrusion to refine grain size. The reduction of area by the two-time extrusion is regulated to >=90%. Resultantly, extrusion pressure per time can be minimized. It is preferable to perform extrusion at 400-650 deg.C. As to the time interval between the first extrusion and the second extrusion, a time not shorter than that capable of covering a slight time lag until the above dynamic recrystallization is completed suffices, and it must not be longer than is needed in order to prevent the occurrence of grain growth. When the average grain size of the brass rod stock is <=50 μm, the brass having <=15 μm average grain size can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は金属材料の製造方
法、金属材料、特に黄銅の製造方法、黄銅に関る。
The present invention relates to a method for producing a metal material, a method for producing a metal material, particularly brass, and brass.

【0002】[0002]

【従来の技術】本出願人は、加工時の特性である熱間延
性、切削性に優れた黄銅材料、製品使用時の特性である
耐食性、耐SCC性、強度に優れた黄銅材料について、
PCT/JP97/03152にて先に提案している。
2. Description of the Related Art The applicant of the present invention has developed brass materials having excellent hot ductility and machinability, which are properties at the time of processing, and corrosion resistance, SCC resistance, and brass materials having excellent strength at the time of using products.
It has been previously proposed in PCT / JP97 / 03152.

【0003】そして、このような特性を得るための実施
形態としては、結晶粒径の適正化、α、β、γ相の面積
比率、配置の適正化等の緻密な制御を行っており、結晶
粒径の適正化のための実現手段として、押し出し成形時
の断面減少率制御を提案している。
As an embodiment for obtaining such characteristics, precise control such as optimizing the crystal grain size, optimizing the area ratio and arrangement of α, β, and γ phases is performed. As a means for realizing an appropriate particle size, a cross-section reduction rate control during extrusion molding is proposed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、結晶粒径微
細化のための押し出し成形方法を改良するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is to improve an extrusion molding method for refining a crystal grain size.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段およびその作用・効果】本
発明に従う黄銅の製造方法は、見掛け上のZn含有量が
37〜46wt%の黄銅棒材を準備する第1の工程と、
この第1の工程で準備された黄銅棒材に対して、押し出
し成形により動的再結晶を生じさせ、結晶粒径を微細化
する第2の工程と、この第2の工程を経た黄銅棒材を準
備する第3の工程と、この第3の工程で準備された黄銅
棒材に対して、押し出し成形により動的再結晶を生じさ
せ、結晶粒径を微細化する第4の工程とを有するととも
に、第2、第4の工程を併せた断面減少率が90%以上
であることを特徴とし、1回の押し出し成型工程にて断
面減少率が90%以上にする場合に比べて、以下の長所
を有する。
The method for producing brass according to the present invention comprises: a first step of preparing a brass rod having an apparent Zn content of 37 to 46 wt%;
A second step of subjecting the brass bar prepared in the first step to dynamic recrystallization by extrusion molding to reduce the crystal grain size, and a brass bar passed through the second step And a fourth step of subjecting the brass bar material prepared in the third step to dynamic recrystallization by extrusion to reduce the crystal grain size. In addition, the cross-sectional reduction rate obtained by combining the second and fourth steps is 90% or more, and the following reduction is made as compared with the case where the cross-section reduction rate is made 90% or more in one extrusion molding step. Has advantages.

【0006】すなわち、1回の押し出し成型工程で断面
減少率を90%以上にするには、かなりの押し出し圧力
が必要であるが、本発明のように2回の押し出し工程に
分ければ、1回あたりの押し出し圧力は小さくて済むの
である。
That is, in order to reduce the cross-sectional reduction rate to 90% or more in one extrusion molding process, a considerable extrusion pressure is required. However, if the extrusion process is divided into two as in the present invention, one extrusion process is required. The extrusion pressure per unit can be small.

【0007】また、押し出し成形時の結晶粒径微細化の
原理は、外力を受けた結晶組織の動的再結晶を利用した
ものであるが、外力を受けてから動的再結晶が完了する
まで若干の時間遅れがあるため、実際には押し出し後も
再結晶は継続している。本発明では、これに着目し、押
し出し成形工程を2回にすることにより、押し出し後に
再結晶を継続する機会を2回に増やしているのである。
これによって結果的に小さい押し出し圧力での結晶粒径
微細化が実現できる。
[0007] The principle of refining the crystal grain size during extrusion molding is based on the use of dynamic recrystallization of a crystal structure subjected to an external force. Since there is a slight time delay, the recrystallization actually continues after the extrusion. In the present invention, paying attention to this, by increasing the number of extrusion molding steps to two, the chance of continuing recrystallization after extrusion is increased to twice.
As a result, the crystal grain size can be reduced with a small extrusion pressure.

【0008】ここで、「見掛け上のZn含有量」という
用語は、AをCu含有量〔wt%〕、BをZn含有量
〔wt%〕、tを添加した第3元素(例えばSn)のZ
n当量、Qをその第3元素の含有量〔wt%〕としたと
き、「{(B+t・Q)/(A+B+t・Q)}×10
0」の意味で用いる。
Here, the term "apparent Zn content" means that A is Cu content [wt%], B is Zn content [wt%], and t is the third element (for example, Sn). Z
When n equivalents and Q are the content of the third element [wt%], “{(B + t · Q) / (A + B + t · Q)} × 10
0 ”is used.

【0009】尚、第2、第4の工程では、400〜65
0℃の温度範囲で押し出し成形することが望ましい。こ
れより高温度域では、一旦微細化した結晶が押し出し成
形後に粒成長を起こす可能性が高いからである。
In the second and fourth steps, 400 to 65
It is desirable to perform extrusion molding in a temperature range of 0 ° C. This is because in a higher temperature range, there is a high possibility that the crystal once refined will cause grain growth after extrusion molding.

【0010】第3の工程の実施形態としては、第2の工
程から第4の工程にかけて400〜650℃の温度範囲
を維持することにより、1つの製造設備内で第2、第4
の工程の2回の押し出し成形を引き続いて行うことがで
きる。この場合、第2、第4の工程間の時間は、前述し
た動的再結晶が完了するまでの若干の時間遅れ以上を満
たしておけばよく、粒成長を防止するため必要以上に長
い時間を空ける必要はない。
[0010] As an embodiment of the third step, by maintaining the temperature range of 400 to 650 ° C from the second step to the fourth step, the second and fourth steps can be performed in one manufacturing facility.
The two extrusions in the step can be performed successively. In this case, the time between the second and fourth steps should satisfy at least a slight time delay until the completion of the dynamic recrystallization described above, and an unnecessarily long time is required to prevent grain growth. No need to empty.

【0011】第3の工程の他の実施形態としては、第2
の工程終了後400〜650℃の温度範囲以下の温度ま
で冷却し、その後この温度範囲まで加熱することもでき
るが、これは異なる設備で2回押し出し成形を行う場合
や、異なるメーカーにて各々押し出し成形を行う場合に
好適である。
As another embodiment of the third step, the second step
After completion of the step, it can be cooled to a temperature below the temperature range of 400 to 650 ° C. and then heated to this temperature range. However, this can be carried out by extruding twice with different equipment or extruding by different manufacturers. It is suitable for molding.

【0012】このように第2の工程後に冷却する場合
は、第2の工程終了後の400℃以下になるまでの冷却
速度が、0.4K/sec以上であることが望ましい。
なぜならば、冷却速度が遅いと冷却中に結晶粒径が粗大
化するからである。同様に第4の工程後は、第4の工程
終了後の400℃以下になるまでの冷却速度が、0.4
K/sec以上であることが望ましい。
In the case where cooling is performed after the second step as described above, it is desirable that the cooling rate after the completion of the second step until the temperature becomes 400 ° C. or less is 0.4 K / sec or more.
This is because if the cooling rate is low, the crystal grain size becomes coarse during cooling. Similarly, after the fourth step, the cooling rate until the temperature becomes 400 ° C. or less after the end of the fourth step is 0.4
It is desirably at least K / sec.

【0013】以上示した黄銅の製造方法を用いると、第
1の工程で準備した黄銅棒材の平均結晶粒径が50μm
以下の場合は、平均結晶粒径が15μm以下の黄銅を得
ることができるが、第2、第4の工程を併せた断面減少
率を97%以上にすると、平均結晶粒径が10μm以下
の黄銅を得ることができる。
According to the method for producing brass described above, the brass bar prepared in the first step has an average crystal grain size of 50 μm.
In the following cases, brass having an average crystal grain size of 15 μm or less can be obtained. However, when the cross-sectional reduction rate combining the second and fourth steps is 97% or more, brass having an average crystal grain size of 10 μm or less is obtained. Can be obtained.

【0014】具体的な結晶構造としては、再加熱後の熱
間又は温間加工の温度域で、α+β相、β相の面積比率
が30〜80%、平均結晶粒径が15μm以下、好まし
くは10μm以下であって、α、β相が均一に分散して
いる結晶構造を実現することができる。この結晶構造に
よれば、熱間又は温間加工の温度域、好ましくは480
〜750℃の温度域で、0.00083/secの歪み
速度で160%の歪みを与えて破損の無いこと、0.0
083/secの歪み速度で50%の歪みを与えて破損
の無いこと、0.083/secの歪み速度で30%の
歪みを与えて破損の無いこと、の少なくとも一つの特性
を満たすことができる。
As a specific crystal structure, in the hot or warm working temperature range after reheating, the area ratio of α + β phase and β phase is 30 to 80%, and the average crystal grain size is 15 μm or less, preferably A crystal structure of 10 μm or less and in which α and β phases are uniformly dispersed can be realized. According to this crystal structure, hot or warm working temperature range, preferably 480
In a temperature range of 7750 ° C., a strain of 160% is given at a strain rate of 0.00083 / sec and there is no breakage.
At least one of the following characteristics can be satisfied: 50% strain at a strain rate of 083 / sec, no breakage, and 30% strain at a strain rate of 0.083 / sec, no breakage. .

【0015】具体的な結晶構造の他の実施形態として
は、α+β相、β相の面積比率が15%以上、好ましく
は20%以上であるとともに、α、β相の平均結晶粒径
が15μm以下、好ましくは10μm以下の結晶構造を
実現することができる。この結晶構造によれば、円筒形
試料を14%アンモニア水溶液上のアンモニア雰囲気中
に荷重を加えながら24時間暴露したとき、前記試料が
割れない最大応力が180N/mm2以上の特性、日本
工業規格JIS C−3604に従う快削黄銅棒を基準
とした切削抵抗指数が80以上、かつ0.2%耐力又は
降伏応力が250N/mm2以上の特性、の2つの特性
のうち、少なくとも1つの特性を満たすことができる。
In another embodiment of the specific crystal structure, the area ratio of the α + β phase and the β phase is 15% or more, preferably 20% or more, and the average crystal grain size of the α and β phases is 15 μm or less. Preferably, a crystal structure of 10 μm or less can be realized. According to this crystal structure, when a cylindrical sample is exposed to an ammonia atmosphere on a 14% aqueous ammonia solution for 24 hours while applying a load, the maximum stress at which the sample does not crack is 180 N / mm 2 or more. Satisfies at least one of the following two characteristics: a cutting resistance index based on a free-cutting brass bar according to C-3604 of 80 or more and a 0.2% proof stress or a yield stress of 250 N / mm2 or more. Can be.

【0016】また、以上の黄銅の製造方法にて、第1の
工程で準備した黄銅棒材がSnを0.9〜7wt%含有
する場合には、再加熱後の熱間又は温間加工の温度域、
又は300〜500℃、好ましくは400〜500℃の
温度域で、α+β+γ相、α相の面積比率が44〜65
%、β相の面積比率が10〜55%、γ相の面積比率が
1〜25%、α、β、γ相の平均結晶粒径が15μm以
下、好ましくは10μm以下であって、α、β、γ相が
分散して存在する結晶構造を実現することができる。こ
の結晶構造によれば、450℃において、0.0008
3/secの歪み速度で50%の歪みを与えて破損の無
いこと、0.0083/secの歪み速度で25%の歪
みを与えて破損の無いこと、0.083/secの歪み
速度で30%の歪みを与えて破損の無いこと、の少なく
とも一つの特性を満たすことができる。
In the above brass manufacturing method, when the brass rod prepared in the first step contains 0.9 to 7 wt% of Sn, hot or warm working after reheating is performed. Temperature range,
Alternatively, in the temperature range of 300 to 500 ° C., preferably 400 to 500 ° C., the area ratio of α + β + γ phase and α phase is 44 to 65.
%, The area ratio of the β phase is 10 to 55%, the area ratio of the γ phase is 1 to 25%, and the average crystal grain size of the α, β, and γ phases is 15 μm or less, preferably 10 μm or less. , Γ phase can be realized. According to this crystal structure, at 450 ° C., 0.0008
No damage at 50% strain at 3 / sec strain rate, no damage at 25% strain at 0.0083 / sec strain rate, 30 at 0.083 / sec strain rate. % At least one of the following characteristics can be satisfied.

【0017】特に、第4の工程終了後の400℃以下に
なるまでの冷却速度が5〜1000K/secである場
合には、α+β相、β相の面積比率が15%以上、好ま
しくは20%以上であるとともに、α、β相の平均結晶
粒径が15μm以下、好ましくは10μm以下であっ
て、β相中のSn濃度が1.5wt%以上の結晶構造を
実現できる。
In particular, when the cooling rate after completion of the fourth step until the temperature falls to 400 ° C. or lower is 5 to 1000 K / sec, the area ratio of α + β phase and β phase is 15% or more, preferably 20% or more. As described above, it is possible to realize a crystal structure in which the average crystal grain size of the α and β phases is 15 μm or less, preferably 10 μm or less, and the Sn concentration in the β phase is 1.5 wt% or more.

【0018】また、第4の工程終了後の400℃以下に
なるまでの冷却速度が0.4〜5K/secの場合に
は、α+γ相、γ相の面積比率が3〜30%、好ましく
は5〜30%であるとともに、α相の平均結晶粒径が1
5μm以下、好ましくは10μm以下、γ相の平均結晶
粒径(短径)が8μm以下、好ましくは5μm以下であ
って、さらにはγ相中のSn濃度が8wt%以上であっ
て、α相の粒界にγ相が散在している結晶構造を実現で
きる。
When the cooling rate after the completion of the fourth step until the temperature becomes 400 ° C. or less is 0.4 to 5 K / sec, the area ratio of the α + γ phase and the γ phase is 3 to 30%, preferably 5 to 30%, and the average crystal grain size of the α phase is 1
5 μm or less, preferably 10 μm or less, the average crystal grain size (minor diameter) of the γ phase is 8 μm or less, preferably 5 μm or less, and further, the Sn concentration in the γ phase is 8 wt% or more, A crystal structure in which a γ phase is scattered at the grain boundaries can be realized.

【0019】さらに、第4の工程終了後の400℃以下
になるまでの冷却速度が0.4〜10K/secである
場合には、α+β+γ相、α相の面積比率が40〜94
%、β、γ相の面積比率が共に3〜30%であるととも
に、α、β相の平均結晶粒径が15μm以下、好ましく
は10μm以下、γ相の平均結晶粒径(短径)が8μm
以下、好ましくは5μm以下であって、さらにはγ相中
のSn濃度が8wt%以上であって、γ相がβ相を包囲
している結晶構造を実現できる。
Further, when the cooling rate until the temperature becomes 400 ° C. or less after completion of the fourth step is 0.4 to 10 K / sec, the area ratio of α + β + γ phase and α phase is 40 to 94.
%, Β, and γ phase have an area ratio of 3 to 30%, the α, β phase has an average crystal grain size of 15 μm or less, preferably 10 μm or less, and the γ phase has an average crystal grain size (minor axis) of 8 μm.
Hereafter, a crystal structure in which the Sn concentration is preferably 5 μm or less, the Sn concentration in the γ phase is 8 wt% or more, and the γ phase surrounds the β phase can be realized.

【0020】以上の結晶構造によれば、円筒形試料を1
4%アンモニア水溶液上のアンモニア雰囲気中に荷重を
加えながら24時間暴露したとき、前記試料が割れない
最大応力が180N/mm2以上の特性を満たすことが
できる。
According to the above crystal structure, one cylindrical sample is
When exposed to an ammonia atmosphere over a 4% aqueous ammonia solution for 24 hours while applying a load, the maximum stress that does not crack the sample can satisfy the characteristic of 180 N / mm 2 or more.

【0021】また、0.2%耐力又は降伏応力が250
N/mm2以上の特性、日本工業規格JIS C−36
04に従う快削黄銅棒を基準とした切削抵抗指数が80
以上の特性、日本伸銅協会技術標準JBMA T−30
3に従う脱亜鉛腐食試験を行なったとき、最大脱亜鉛浸
透深さ方向が加工方向と平行な場合には最大脱亜鉛深さ
100μm以下又は最大脱亜鉛浸透深さ方向が加工方向
と直角な場合には最大脱亜鉛深さ70μm以下の耐食性
を満たす特性、の3つの特性のうち、少なくとも2つの
特性を満たすこともできる。
The 0.2% proof stress or the yield stress is 250
Characteristics of N / mm2 or more, Japanese Industrial Standard JIS C-36
The cutting resistance index based on a free-cutting brass bar according to No. 04 is 80
The above characteristics, Japan Copper and Brass Association Technical Standard JBMA T-30
When performing the dezincification corrosion test according to 3, when the maximum dezincification depth direction is parallel to the processing direction, the maximum dezincification depth is 100 μm or less, or when the maximum dezincification depth direction is perpendicular to the processing direction. Can satisfy at least two of the three properties of the properties satisfying the corrosion resistance having a maximum dezincing depth of 70 μm or less.

【0022】本発明は、また、動的再結晶を生じさせて
結晶粒径を微細化する複数の押し出し工程を有し、この
複数の押し出し工程を併せた断面減少率が90%以上で
ある金属材料の製造方法を提供する。
The present invention also includes a plurality of extrusion steps for reducing the crystal grain size by causing dynamic recrystallization, and a metal having a cross-sectional reduction rate of 90% or more obtained by combining the plurality of extrusion steps. A method for producing a material is provided.

【0023】これによると、押し出し工程分割により1
回あたりの押し出し圧力を可及的に小さくするばかり
か、押し出し後に動的再結晶を継続する機会を複数回に
増やして、押し出し成形時の結晶粒径微細化を効率良く
行うことができる。
According to this, 1 is obtained by dividing the extrusion process.
Not only can the extrusion pressure per operation be reduced as much as possible, but also the chance of continuing dynamic recrystallization after the extrusion is increased to a plurality of times, so that the crystal grain size can be efficiently reduced at the time of extrusion.

【0024】好適な実施形態としては、複数の押し出し
工程間の工程では、複数の押し出し工程時の温度範囲を
維持することにより、単一の設備で効率良く押し出し工
程を行うことができる。
In a preferred embodiment, in a step between a plurality of extrusion steps, by maintaining a temperature range during the plurality of extrusion steps, the extrusion step can be efficiently performed by a single facility.

【0025】他の実施形態としては、複数の押し出し工
程間の工程では、複数の押し出し工程時の温度範囲以下
の温度まで冷却し、その後この温度範囲まで加熱するこ
とにより、異なる設備で2回押し出し成形を行う場合
や、異なるメーカーにて各々押し出し成形を行う場合に
好適である。
According to another embodiment, in a step between a plurality of extrusion steps, the material is cooled to a temperature lower than the temperature range of the plurality of extrusion steps, and then heated to this temperature range, thereby extruding twice with different equipment. It is suitable when performing molding or when performing extrusion molding by different manufacturers.

【0026】金属材料の実施形態としては、銅合金、特
に黄銅が好適であるが、さらには見掛け上のZn含有量
が37〜46wt%の黄銅が好適である。
As an embodiment of the metal material, a copper alloy, particularly brass, is preferable, and further, a brass having an apparent Zn content of 37 to 46 wt% is preferable.

【0027】金属材料が黄銅の場合には、具体的には、
複数の押し出し工程前に準備した金属材料の平均結晶粒
径が50μm以下である場合には、平均結晶粒径が15
μm以下の結晶構造が実現でき、複数の押し出し工程を
併せた断面減少率が97%以上にすると、平均結晶粒径
が10μm以下の結晶構造が実現できるのである。
When the metal material is brass, specifically,
When the average grain size of the metal material prepared before the plurality of extrusion steps is 50 μm or less, the average grain size is 15 μm or less.
A crystal structure of not more than μm can be realized, and when the cross-sectional reduction rate of a plurality of extrusion steps is 97% or more, a crystal structure having an average crystal grain size of not more than 10 μm can be realized.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】本発明の実施形態を以下詳説す
る。図1は、実施例1〜4を2段階に押し出し成形する
場合の断面減少率に対する平均結晶粒径の関係を示して
いる。実施例1〜4全てについて、組成比は、Cu…5
8.3wt%、Sn…1.87wt%、Pb…1.91
wt%、Zn…残部であり、押し出し成形前の平均結晶
粒径は50μmである。また、2段階の押し出し成形中
は400〜650℃の温度範囲に維持した。
Embodiments of the present invention will be described in detail below. FIG. 1 shows the relationship between the cross-sectional reduction rate and the average crystal grain size when Examples 1 to 4 are extruded in two stages. In all of Examples 1 to 4, the composition ratio was Cu ... 5
8.3 wt%, Sn: 1.87 wt%, Pb: 1.91
wt%, Zn ... remainder, and the average crystal grain size before extrusion molding is 50 μm. During the two-stage extrusion, the temperature was maintained at 400 to 650 ° C.

【0029】以上の実施例1〜4について、断面減少率
に対する平均結晶粒径の関係は、1回の押し出し成形で
行ったものと変わりがないが、異なるのは、1段目の押
し出し時の断面減少率が66%、1段目の押し出し時の
断面減少率が75〜85%と1回あたりの断面減少率が
小さい点である。
In the above Examples 1 to 4, the relationship between the cross-sectional reduction rate and the average crystal grain size is the same as that obtained by the single extrusion, except that the difference in the first stage of the extrusion. The cross-sectional reduction rate is 66%, the cross-sectional reduction rate at the time of the first extrusion is 75 to 85%, and the cross-sectional reduction rate per operation is small.

【0030】これによると、押し出し工程分割により1
回あたりの押し出し圧力を可及的に小さくするばかり
か、押し出し後に動的再結晶を継続する機会を複数回に
増やして、押し出し成形時の結晶粒径微細化を効率良く
行うことができるのである。
According to this, 1 is obtained by dividing the extrusion process.
Not only can the extrusion pressure per operation be reduced as much as possible, but also the opportunity to continue dynamic recrystallization after the extrusion is increased to a plurality of times, and the crystal grain size can be efficiently refined during extrusion molding. .

【0031】尚、2段目の押し出し後には、400℃以
下になるまでの冷却速度が0.4K/sec以上で冷却
することが望ましい。なぜならば、冷却速度が遅いと冷
却中に結晶粒径が粗大化するからである。
After the second stage extrusion, it is desirable to cool at a cooling rate of 0.4 K / sec or more until the temperature becomes 400 ° C. or less. This is because if the cooling rate is low, the crystal grain size becomes coarse during cooling.

【0032】また、各実施例では冷却による結晶粒径微
細化の際、同時にα、β、γ相の結晶比率制御や、β、
γ相中のSn濃度制御を行うことにより、切削性、耐食
性、耐SCC性、強度等に優れた結晶構造を実現でき
る。このような結晶構造のいくつかの例を以下に示す。
In each embodiment, when the crystal grain size is reduced by cooling, the crystal ratio control of the α, β, and γ phases,
By controlling the Sn concentration in the γ phase, a crystal structure excellent in machinability, corrosion resistance, SCC resistance, strength and the like can be realized. Some examples of such a crystal structure are shown below.

【0033】尚、組成比は、上記具体的数値に限定され
ず、見掛け上のZn含有量が37〜46wt%の黄銅を
用いた例を示す。ここで、「見掛け上のZn含有量」と
いう用語は、AをCu含有量〔wt%〕、BをZn含有
量〔wt%〕、tを添加した第3元素(例えばSn)の
Zn当量、Qをその第3元素の含有量〔wt%〕とした
とき、「{(B+t・Q)/(A+B+t・Q)}×1
00」の意味で用いる。
The composition ratio is not limited to the above specific values, and an example using brass having an apparent Zn content of 37 to 46 wt% is shown. Here, the term "apparent Zn content" means that A is Cu content [wt%], B is Zn content [wt%], Zn equivalent of a third element (for example, Sn) to which t is added, When Q is the content of the third element [wt%], “{(B + t · Q) / (A + B + t · Q)} × 1
00 ”.

【0034】[結晶構造1] 再加熱後の熱間又は温間
加工の温度域で、α+β相、β相の面積比率が30〜8
0%、平均結晶粒径が15μm以下、好ましくは10μ
m以下であって、α、β相が均一に分散している結晶構
造を実現することができる。この結晶構造によれば、熱
間又は温間加工の温度域、好ましくは480〜750℃
の温度域で、0.00083/secの歪み速度で16
0%の歪みを与えて破損の無いこと、0.0083/s
ecの歪み速度で50%の歪みを与えて破損の無いこ
と、0.083/secの歪み速度で30%の歪みを与
えて破損の無いこと、の少なくとも一つの特性を満たす
ことができる。尚、この特性についての試験片の形状、
寸法(標点間距離12mm、外径φ2.5mm)を図2
に、試験条件を図3に示す。使用した引っ張り試験機は
機械式を用い、加熱は電気ヒータで、雰囲気は大気中と
した。
[Crystal structure 1] In the temperature range of hot or warm working after reheating, the area ratio of α + β phase and β phase is 30 to 8
0%, average crystal grain size is 15 μm or less, preferably 10 μm
m or less, and a crystal structure in which α and β phases are uniformly dispersed can be realized. According to this crystal structure, hot or warm working temperature range, preferably 480 to 750 ° C.
At a strain rate of 0.00083 / sec.
No damage by giving 0% strain, 0.0083 / s
At least one of the following characteristics can be satisfied: applying 50% strain at an ec strain rate and giving no damage, and applying 30% strain at a 0.083 / sec strain rate and giving no damage. The shape of the test piece for this property,
Figure 2 shows the dimensions (distance between gauges 12 mm, outer diameter φ2.5 mm)
FIG. 3 shows the test conditions. The tensile tester used was a mechanical type, the heating was an electric heater, and the atmosphere was air.

【0035】[結晶構造2] α+β相、β相の面積比
率が15%以上、好ましくは20%以上であるととも
に、α、β相の平均結晶粒径が15μm以下、好ましく
は10μm以下の結晶構造を実現することができる。こ
の結晶構造によれば、(1)円筒形試料を14%アンモ
ニア水溶液上のアンモニア雰囲気中に荷重を加えながら
24時間暴露したとき、前記試料が割れない最大応力が
180N/mm2以上の特性、(2)日本工業規格JI
S C−3604に従う快削黄銅棒を基準とした切削抵
抗指数が80以上、かつ0.2%耐力又は降伏応力が2
50N/mm2以上の特性、の2つの特性のうち少なく
とも1つの特性を満たすことができる。
[Crystal Structure 2] A crystal structure in which the area ratio of the α + β phase and the β phase is 15% or more, preferably 20% or more, and the average crystal grain size of the α and β phases is 15 μm or less, preferably 10 μm or less. Can be realized. According to this crystal structure, (1) when a cylindrical sample is exposed to an ammonia atmosphere on a 14% aqueous ammonia solution for 24 hours while applying a load, the maximum stress that the sample does not crack is 180 N / mm 2 or more; 2) Japanese Industrial Standard JI
A cutting resistance index based on a free-cutting brass bar according to SC-3604 is 80 or more, and a 0.2% proof stress or a yield stress is 2
At least one of the two characteristics of 50 N / mm2 or more can be satisfied.

【0036】このうち切削抵抗指数について図4を用い
て詳説すると、切削試験では、旋盤で丸棒状の試料1の
周面を100〔m/min〕と400〔m/min〕の
2つの異なる速度で切削しつつ、主分力Fvを測定し
た。切削抵抗指数は、主分力に対する切削性が最も良い
といわれる快削黄銅棒(日本工業規格JIS C−36
04)の主分力の百分率である。(切削速度毎の切削抵
抗指数を平均した。)
The cutting resistance index will be described in detail with reference to FIG. 4. In the cutting test, the peripheral surface of the round bar-shaped sample 1 is turned on a lathe at two different speeds of 100 [m / min] and 400 [m / min]. , And the main component force Fv was measured. The cutting resistance index is a free-cutting brass rod (Japanese Industrial Standard JIS C-36), which is said to have the best machinability for the main component force.
04) is the percentage of the main component. (The cutting resistance index for each cutting speed was averaged.)

【0037】続いて、組成比として、見掛け上のZn含
有量が37〜46wt%で、Snを0.9〜7wt%含
有する黄銅を用いた例を示す。
Next, an example using brass having an apparent Zn content of 37 to 46 wt% and an Sn content of 0.9 to 7 wt% as a composition ratio will be described.

【0038】[結晶構造3] 再加熱後の熱間又は温間
加工の温度域、又は300〜500℃、好ましくは40
0〜500℃の温度域で、α+β+γ相、α相の面積比
率が44〜65%、β相の面積比率が10〜55%、γ
相の面積比率が1〜25%、α、β、γ相の平均結晶粒
径が15μm以下、好ましくは10μm以下であって、
α、β、γ相が分散して存在する結晶構造を実現するこ
とができる。この結晶構造によれば、450℃におい
て、0.00083/secの歪み速度で50%の歪み
を与えて破損の無いこと、0.0083/secの歪み
速度で25%の歪みを与えて破損の無いこと、0.08
3/secの歪み速度で30%の歪みを与えて破損の無
いこと、の少なくとも一つの特性を満たすことができ
る。尚、この特性についての試験方法は、図2、図3に
示したものと同じである。
[Crystal Structure 3] Temperature range of hot or warm working after reheating, or 300 to 500 ° C., preferably 40 ° C.
In the temperature range of 0 to 500 ° C., the area ratio of α + β + γ phase and α phase is 44 to 65%, the area ratio of β phase is 10 to 55%, γ
The phase area ratio is 1 to 25%, and the average crystal grain size of the α, β, and γ phases is 15 μm or less, preferably 10 μm or less,
A crystal structure in which α, β, and γ phases are dispersed can be realized. According to this crystal structure, at 450 ° C., 50% strain was given at a strain rate of 0.0008 / sec to give no damage, and 25% strain was given at a strain rate of 0.0083 / sec to give a breakage. Nothing, 0.08
It is possible to satisfy at least one of the characteristics of giving a 30% strain at a strain rate of 3 / sec and not causing breakage. The test method for this characteristic is the same as that shown in FIGS.

【0039】[結晶構造4] 2段目の押し出し成形後
の400℃以下になるまでの冷却速度が5〜1000K
/secである場合には、α+β相、β相の面積比率が
15%以上、好ましくは20%以上であるとともに、
α、β相の平均結晶粒径が15μm以下、好ましくは1
0μm以下であって、β相中のSn濃度が1.5wt%
以上の結晶構造を実現できる。
[Crystal structure 4] The cooling rate until the temperature becomes 400 ° C. or less after the second stage extrusion molding is 5 to 1000 K.
/ Sec, the area ratio of α + β phase and β phase is 15% or more, preferably 20% or more.
The average crystal grain size of the α and β phases is 15 μm or less, preferably 1 μm or less.
0 μm or less, and the Sn concentration in the β phase is 1.5 wt%
The above crystal structure can be realized.

【0040】[結晶構造5] 2段目の押し出し成形後
の400℃以下になるまでの冷却速度が0.4〜5K/
secの場合には、α+γ相、γ相の面積比率が3〜3
0%、好ましくは5〜30%であるとともに、α相の平
均結晶粒径が15μm以下、好ましくは10μm以下、
γ相の平均結晶粒径(短径)が8μm以下、好ましくは
5μm以下であって、さらにはγ相中のSn濃度が8w
t%以上であって、α相の粒界にγ相が散在している結
晶構造を実現できる。
[Crystal Structure 5] The cooling rate until the temperature becomes 400 ° C. or lower after the second stage extrusion molding is 0.4 to 5 K /
In the case of sec, the area ratio of the α + γ phase and the γ phase is 3 to 3
0%, preferably 5 to 30%, and the average crystal grain size of the α phase is 15 μm or less, preferably 10 μm or less,
The average crystal grain size (minor diameter) of the γ phase is 8 μm or less, preferably 5 μm or less, and the Sn concentration in the γ phase is 8 w
At least t%, it is possible to realize a crystal structure in which the γ phase is scattered at the grain boundary of the α phase.

【0041】[結晶構造6] 2段目の押し出し成形後
の400℃以下になるまでの冷却速度が0.4〜10K
/secである場合には、α+β+γ相、α相の面積比
率が40〜94%、β、γ相の面積比率が共に3〜30
%であるとともに、α、β相の平均結晶粒径が15μm
以下、好ましくは10μm以下、γ相の平均結晶粒径
(短径)が8μm以下、好ましくは5μm以下であっ
て、さらにはγ相中のSn濃度が8wt%以上であっ
て、γ相がβ相を包囲している結晶構造を実現できる。
[Crystal structure 6] The cooling rate until the temperature becomes 400 ° C. or less after the second stage extrusion molding is 0.4 to 10 K
/ Sec, the area ratio of the α + β + γ phase and the α phase is 40 to 94%, and the area ratio of both the β and γ phases is 3 to 30.
% And the average grain size of the α and β phases is 15 μm
Or less, preferably 10 μm or less, the average crystal grain size (minor axis) of the γ phase is 8 μm or less, preferably 5 μm or less, furthermore, the Sn concentration in the γ phase is 8 wt% or more, and the γ phase is β A crystal structure surrounding the phase can be realized.

【0042】以上の結晶構造4〜6によれば、円筒形試
料を14%アンモニア水溶液上のアンモニア雰囲気中に
荷重を加えながら24時間暴露したとき、前記試料が割
れない最大応力が180N/mm2以上の耐SCC性に
優れた特性を満たすことができる。この耐SCC性試験
は、図5に示すように、ガラスデジケータ2内で円筒状
の試料3に垂直に荷重を加えた状態で、NH3蒸気雰囲
気中に24時間暴露した後、割れの発生を調査した。
According to the above crystal structures 4 to 6, when the cylindrical sample was exposed to an ammonia atmosphere on a 14% aqueous ammonia solution for 24 hours while applying a load, the maximum stress at which the sample was not cracked was 180 N / mm 2 or more. Can satisfy the characteristics excellent in SCC resistance. In this SCC resistance test, as shown in FIG. 5, after the cylindrical sample 3 was exposed to an NH 3 vapor atmosphere for 24 hours in a state where a load was applied vertically to the cylindrical sample 3, cracks were generated. investigated.

【0043】また、(1)0.2%耐力又は降伏応力が
250N/mm2以上の特性、(2)日本工業規格JI
S C−3604に従う快削黄銅棒を基準とした切削抵
抗指数が80以上の特性、(3)日本伸銅協会技術標準
JBMA T−303に従う脱亜鉛腐食試験を行なった
とき、最大脱亜鉛浸透深さ方向が加工方向と平行な場合
には最大脱亜鉛深さ100μm以下又は最大脱亜鉛浸透
深さ方向が加工方向と直角な場合には最大脱亜鉛深さ7
0μm以下の耐食性を満たす特性、の3つの特性のう
ち、少なくとも2つの特性を満たすこともできる。
Also, (1) the characteristic that the 0.2% proof stress or the yield stress is 250 N / mm 2 or more; (2) the Japanese Industrial Standard JI
A characteristic in which a cutting resistance index based on a free-cutting brass bar in accordance with SC-3604 is 80 or more. When the depth direction is parallel to the processing direction, the maximum dezincing depth is 100 μm or less, or when the maximum dezincing penetration depth direction is perpendicular to the processing direction, the maximum dezincing depth is 7
Of the three characteristics of satisfying the corrosion resistance of 0 μm or less, at least two characteristics can be satisfied.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態に係る断面減少率に対する平
均結晶粒径の関係
FIG. 1 shows a relationship between an average crystal grain size and a cross-sectional reduction rate according to an embodiment of the present invention.

【図2】同実施形態の高温引張り試験片形状FIG. 2 shows the shape of a high-temperature tensile test piece of the embodiment.

【図3】同実施形態の高温引張り試験条件FIG. 3 is a high-temperature tensile test condition of the embodiment.

【図4】同実施形態の切削試験の説明図FIG. 4 is an explanatory diagram of a cutting test of the embodiment.

【図5】同実施形態の耐応力腐食割れ性試験の説明図FIG. 5 is an explanatory view of a stress corrosion cracking resistance test of the same embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…切削性試験用の試料 2…ガラスデジケータ 3…耐応力腐食割れ性試験用の試料 1: Sample for cutting property test 2: Glass digitizer 3: Sample for stress corrosion cracking resistance test

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C22F 1/00 640 C22F 1/00 640A 683 683 684 684A 684C 685 685A 686 686Z 692 692A 694 694B 694A ────────────────────────────────────────────────── ─── front page continued (51) Int.Cl. 6 identifications FI C22F 1/00 640 C22F 1/00 640A 683 683 684 684A 684C 685 685A 686 686Z 692 692A 694 694B 694A

Claims (31)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 見掛け上のZn含有量が37〜46wt
%の黄銅棒材を準備する第1の工程と、 この第1の工程で準備された黄銅棒材に対して、押し出
し成形により動的再結晶を生じさせ、結晶粒径を微細化
する第2の工程と、 この第2の工程を経た黄銅棒材を準備する第3の工程
と、 この第3の工程で準備された黄銅棒材に対して、押し出
し成形により動的再結晶を生じさせ、結晶粒径を微細化
する第4の工程とを有するとともに、 前記第2、第4の工程を併せた断面減少率が90%以上
である黄銅の製造方法。
1. An apparent Zn content of 37 to 46 wt.
% Of a brass rod prepared in the first step, and a second step of subjecting the brass rod prepared in the first step to dynamic recrystallization by extrusion to reduce the crystal grain size. And a third step of preparing a brass rod that has passed through the second step; and causing the brass rod prepared in the third step to undergo dynamic recrystallization by extrusion. A method for producing brass, comprising: a fourth step of refining the crystal grain size; and a cross-sectional reduction rate of 90% or more, combining the second and fourth steps.
【請求項2】 前記第2、第4の工程では、400〜6
50度の温度範囲で押し出し成形してなる請求項1記載
の黄銅の製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the second and fourth steps are performed in a range of 400 to 6 times.
The method for producing brass according to claim 1, wherein the brass is extruded in a temperature range of 50 degrees.
【請求項3】 前記第3の工程では、前記第2の工程か
ら前記第4の工程にかけて前記温度範囲を維持してなる
請求項2記載の黄銅の製造方法。
3. The method for producing brass according to claim 2, wherein, in the third step, the temperature range is maintained from the second step to the fourth step.
【請求項4】 前記第3の工程では、前記第2の工程終
了後、前記温度範囲以下の温度まで冷却し、その後前記
温度範囲まで加熱してなる請求項2記載の黄銅の製造方
法。
4. The method for producing brass according to claim 2, wherein, in the third step, after the second step is completed, the brass is cooled to a temperature lower than the temperature range and then heated to the temperature range.
【請求項5】 前記第2の工程終了後の400℃以下に
なるまでの冷却速度が、0.4K/sec以上である請
求項4記載の黄銅の製造方法。
5. The method for producing brass according to claim 4, wherein a cooling rate until the temperature becomes 400 ° C. or less after completion of the second step is 0.4 K / sec or more.
【請求項6】 前記第4の工程終了後の400℃以下に
なるまでの冷却速度が、0.4K/sec以上である請
求項1〜5の何れか記載の黄銅の製造方法。
6. The method for producing brass according to claim 1, wherein a cooling rate until the temperature becomes 400 ° C. or less after completion of the fourth step is 0.4 K / sec or more.
【請求項7】 前記第1の工程で準備した前記黄銅棒材
の平均結晶粒径が50μm以下である請求項1〜6の何
れか記載の黄銅の製造方法を経た黄銅であって、平均結
晶粒径が15μm以下である黄銅。
7. The brass produced by the method for producing brass according to claim 1, wherein the brass rod prepared in the first step has an average crystal grain size of 50 μm or less. Brass having a particle size of 15 μm or less.
【請求項8】 前記第2、第4の工程を併せた断面減少
率が97%以上であって、平均結晶粒径が10μm以下
である請求項7記載の黄銅。
8. The brass according to claim 7, wherein a cross-sectional reduction rate obtained by combining the second and fourth steps is 97% or more and an average crystal grain size is 10 μm or less.
【請求項9】 請求項6記載の黄銅の製造方法を経た黄
銅であって、熱間又は温間加工の温度域で、α+β相、
β相の面積比率が30〜80%、平均結晶粒径が15μ
m以下、好ましくは10μm以下であって、α、β相が
均一に分散している結晶構造を有する黄銅。
9. A brass produced by the method for producing brass according to claim 6, wherein in a temperature range of hot or warm working, α + β phase,
β-phase area ratio is 30-80%, average crystal grain size is 15μ
m or less, preferably 10 μm or less, having a crystal structure in which α and β phases are uniformly dispersed.
【請求項10】 請求項6記載の黄銅の製造方法を経た
黄銅であって、 熱間又は温間加工の温度域、好ましくは480〜750
℃の温度域で、 0.00083/secの歪み速度で160%の歪みを
与えて破損の無いこと、 0.0083/secの歪み速度で50%の歪みを与え
て破損の無いこと、 0.083/secの歪み速度で30%の歪みを与えて
破損の無いこと、 の少なくとも一つの特性を満たす黄銅。
10. Brass produced by the method for producing brass according to claim 6, wherein the temperature range is hot or warm working, preferably 480 to 750.
In a temperature range of ° C., no damage is caused by giving 160% strain at a strain rate of 0.0008 / sec, and no damage is caused by giving 50% strain at a strain rate of 0.0083 / sec. A brass that satisfies at least one of the following characteristics: a 30% strain at a strain rate of 083 / sec, and no breakage.
【請求項11】 請求項6記載の黄銅の製造方法を経た
黄銅であって、α+β相、β相の面積比率が15%以
上、好ましくは20%以上であるとともに、α、β相の
平均結晶粒径が15μm以下、好ましくは10μm以下
の結晶構造を有する黄銅。
11. Brass produced by the method for producing brass according to claim 6, wherein the area ratio of the α + β phase and the β phase is 15% or more, preferably 20% or more, and the average crystal of the α and β phases. Brass having a crystal structure with a particle size of 15 μm or less, preferably 10 μm or less.
【請求項12】 請求項6記載の黄銅の製造方法を経た
黄銅であって、 円筒形試料を14%アンモニア水溶液上のアンモニア雰
囲気中に荷重を加えながら24時間暴露したとき、前記
試料が割れない最大応力が180N/mm2以上の特
性、 日本工業規格JIS C−3604に従う快削黄銅棒を
基準とした切削抵抗指数が80以上、かつ0.2%耐力
又は降伏応力が250N/mm2以上の特性、の2つの
特性のうち、少なくとも1つの特性を満たす黄銅。
12. A brass produced by the method for producing brass according to claim 6, wherein the cylindrical sample is not cracked when exposed to an ammonia atmosphere on a 14% aqueous ammonia solution for 24 hours while applying a load. A maximum stress of 180 N / mm2 or more; a characteristic of a cutting resistance index of 80 or more based on a free-cutting brass bar according to Japanese Industrial Standard JIS C-3604 and a 0.2% proof stress or a yield stress of 250 N / mm2 or more; Brass that satisfies at least one of the two properties described above.
【請求項13】 前記第1の工程で準備した黄銅棒材
が、Snを0.9〜7wt%含有してなる請求項1〜6
の何れか記載の黄銅の製造方法。
13. The brass bar prepared in the first step contains Sn in an amount of 0.9 to 7% by weight.
The method for producing brass according to any one of the above.
【請求項14】 請求項6かつ13記載の黄銅の製造方
法を経た黄銅であって、 熱間又は温間加工の温度域、又は300〜500℃、好
ましくは400〜500℃の温度域で、 α+β+γ相、α相の面積比率が44〜65%、β相の
面積比率が10〜55%、γ相の面積比率が1〜25
%、α、β、γ相の平均結晶粒径が15μm以下、好ま
しくは10μm以下であって、α、β、γ相が分散して
存在する結晶構造を有する黄銅。
14. Brass which has been subjected to the method for producing brass according to claim 6 and 13, wherein the temperature is in a hot or warm working temperature range, or in a temperature range of 300 to 500 ° C., preferably 400 to 500 ° C., α + β + γ phase, α phase area ratio is 44 to 65%, β phase area ratio is 10 to 55%, γ phase area ratio is 1 to 25
%, The average grain size of the α, β, and γ phases is 15 μm or less, preferably 10 μm or less, and brass having a crystal structure in which α, β, and γ phases are dispersed.
【請求項15】 請求項6かつ13記載の黄銅の製造方
法を経た黄銅であって、 450℃において、 0.00083/secの歪み速度で50%の歪みを与
えて破損の無いこと、 0.0083/secの歪み速度で25%の歪みを与え
て破損の無いこと、 0.083/secの歪み速度で30%の歪みを与えて
破損の無いこと、 の少なくとも一つの特性を満たす黄銅。
15. A brass produced by the method for producing brass according to claim 6 or 13, wherein at 450 ° C., a strain of 50% is given at a strain rate of 0.00083 / sec and there is no breakage. Brass that satisfies at least one of the following characteristics: 25% strain at a strain rate of 0083 / sec, no breakage, and 30% strain at a strain rate of 0.083 / sec, no breakage.
【請求項16】 前記第4の工程終了後の400℃以下
になるまでの冷却速度が、5〜1000K/secであ
る請求項13記載の黄銅の製造方法。
16. The method for producing brass according to claim 13, wherein a cooling rate until the temperature becomes 400 ° C. or less after the completion of the fourth step is 5 to 1000 K / sec.
【請求項17】 請求項16記載の黄銅の製造方法を経
た黄銅であって、α+β相、β相の面積比率が15%以
上、好ましくは20%以上であるとともに、α、β相の
平均結晶粒径が15μm以下、好ましくは10μm以下
であって、β相中のSn濃度が1.5wt%以上の結晶
構造を有する黄銅。
17. Brass produced by the method for producing brass according to claim 16, wherein the area ratio of the α + β phase and the β phase is 15% or more, preferably 20% or more, and the average crystal of the α and β phases. Brass having a crystal structure with a particle size of 15 μm or less, preferably 10 μm or less, and a Sn concentration in the β phase of 1.5 wt% or more.
【請求項18】 前記第4の工程終了後の400℃以下
になるまでの冷却速度が、0.4〜5K/secである
請求項13記載の黄銅の製造方法。
18. The method for producing brass according to claim 13, wherein a cooling rate until the temperature becomes 400 ° C. or less after the fourth step is 0.4 to 5 K / sec.
【請求項19】 請求項18記載の黄銅の製造方法を経
た黄銅であって、α+γ相、γ相の面積比率が3〜30
%、好ましくは5〜30%であるとともに、α相の平均
結晶粒径が15μm以下、好ましくは10μm以下、γ
相の平均結晶粒径(短径)が8μm以下、好ましくは5
μm以下であって、さらにはγ相中のSn濃度が8wt
%以上であって、α相の粒界にγ相が散在している結晶
構造を有する黄銅。
19. Brass produced by the method for producing brass according to claim 18, wherein the area ratio of the α + γ phase and the γ phase is 3 to 30.
%, Preferably 5 to 30%, and the average crystal grain size of the α phase is 15 μm or less, preferably 10 μm or less, γ
The average crystal grain size (minor diameter) of the phase is 8 μm or less, preferably 5 μm or less.
μm or less, and the Sn concentration in the γ phase is 8 wt.
% Or more, and a brass having a crystal structure in which a γ phase is scattered at a grain boundary of an α phase.
【請求項20】 前記第4の工程終了後の400℃以下
になるまでの冷却速度が、0.4〜10K/secであ
る請求項13記載の黄銅の製造方法。
20. The method for producing brass according to claim 13, wherein a cooling rate until the temperature becomes 400 ° C. or less after the fourth step is 0.4 to 10 K / sec.
【請求項21】 請求項20記載の黄銅の製造方法を経
た黄銅であって、α+β+γ相、α相の面積比率が40
〜94%、β、γ相の面積比率が共に3〜30%である
とともに、α、β相の平均結晶粒径が15μm以下、好
ましくは10μm以下、γ相の平均結晶粒径(短径)が
8μm以下、好ましくは5μm以下であって、さらには
γ相中のSn濃度が8wt%以上であって、γ相がβ相
を包囲している結晶構造を有する黄銅。
21. Brass produced by the method for producing brass according to claim 20, wherein the area ratio of α + β + γ phase and α phase is 40.
9494%, the area ratio of β and γ phases are both 3 to 30%, the average crystal grain size of α and β phases is 15 μm or less, preferably 10 μm or less, and the average crystal grain size (minor axis) of γ phase Is 8 μm or less, preferably 5 μm or less, further has a Sn structure in the γ phase of 8 wt% or more, and has a crystal structure in which the γ phase surrounds the β phase.
【請求項22】 請求項6かつ13記載の黄銅の製造方
法を経た黄銅であって、 円筒形試料を14%アンモニア水溶液上のアンモニア雰
囲気中に荷重を加えながら24時間暴露したとき、前記
試料が割れない最大応力が180N/mm2以上の特性
を満たす黄銅。
22. Brass produced by the method for producing brass according to claim 6 or 13, wherein when the cylindrical sample is exposed to an ammonia atmosphere on a 14% aqueous ammonia solution for 24 hours while applying a load, the sample becomes: Brass that satisfies the characteristic that the maximum stress that does not crack is 180 N / mm2 or more.
【請求項23】 請求項6かつ13記載の黄銅の製造方
法を経た黄銅であって、 0.2%耐力又は降伏応力が250N/mm2以上の特
性、 日本工業規格JIS C−3604に従う快削黄銅棒を
基準とした切削抵抗指数が80以上の特性、 日本伸銅協会技術標準JBMA T−303に従う脱亜
鉛腐食試験を行なったとき、最大脱亜鉛浸透深さ方向が
加工方向と平行な場合には最大脱亜鉛深さ100μm以
下又は最大脱亜鉛浸透深さ方向が加工方向と直角な場合
には最大脱亜鉛深さ70μm以下の耐食性を満たす特
性、 の3つの特性のうち、少なくとも2つの特性を満たす黄
銅。
23. Brass produced by the method for producing brass according to claim 6 or 13, wherein 0.2% proof stress or yield stress is 250 N / mm2 or more, free-cutting brass according to Japanese Industrial Standard JIS C-3604. When the dezincification corrosion test according to the Japan Copper and Brass Association Technical Standard JBMA T-303 is performed and the maximum dezincing penetration depth direction is parallel to the processing direction, When the maximum dezincing depth is 100 μm or less or the maximum dezincing penetration depth direction is perpendicular to the processing direction, the property satisfies the corrosion resistance of the maximum dezincing depth of 70 μm or less. brass.
【請求項24】 動的再結晶を生じさせて結晶粒径を微
細化する複数の押し出し工程を有し、この複数の押し出
し工程を併せた断面減少率が90%以上である金属材料
の製造方法。
24. A method for producing a metal material having a plurality of extrusion steps for causing dynamic recrystallization to reduce the crystal grain size, and combining the plurality of extrusion steps with a cross-sectional reduction rate of 90% or more. .
【請求項25】 前記複数の押し出し工程間の工程で
は、前記複数の押し出し工程時の温度範囲を維持してな
る請求項24記載の金属材料の製造方法。
25. The method for manufacturing a metal material according to claim 24, wherein in the step between the plurality of extrusion steps, a temperature range during the plurality of extrusion steps is maintained.
【請求項26】 前記複数の押し出し工程間の工程で
は、前記複数の押し出し工程時の温度範囲以下の温度ま
で冷却し、その後前記温度範囲まで加熱してなる請求項
24記載の金属材料の製造方法。
26. The method for producing a metal material according to claim 24, wherein in the step between the plurality of extrusion steps, the metal material is cooled to a temperature lower than a temperature range of the plurality of extrusion steps, and then heated to the temperature range. .
【請求項27】 金属材料が銅合金である請求項24〜
26の何れか記載の金属材料の製造方法。
27. The metal material is a copper alloy.
27. The method for producing a metal material according to any one of items 26.
【請求項28】 金属材料が黄銅である請求項27記載
の金属材料の製造方法。
28. The method according to claim 27, wherein the metal material is brass.
【請求項29】 金属材料が、見掛け上のZn含有量が
37〜46wt%の黄銅である請求項28記載の金属材
料の製造方法。
29. The method according to claim 28, wherein the metal material is brass having an apparent Zn content of 37 to 46 wt%.
【請求項30】 前記複数の押し出し工程前に準備した
金属材料の平均結晶粒径が50μm以下である請求項2
9記載の金属材料の製造方法を経た金属材料であって、
平均結晶粒径が15μm以下である金属材料。
30. The metal material prepared before the plurality of extrusion steps has an average crystal grain size of 50 μm or less.
9. A metal material obtained through the method for producing a metal material according to item 9,
A metal material having an average crystal grain size of 15 μm or less.
【請求項31】 前記複数の押し出し工程を併せた断面
減少率が97%以上であって、平均結晶粒径が10μm
以下である請求項30記載の金属材料。
31. A cross-sectional reduction rate obtained by combining the plurality of extrusion steps is 97% or more, and an average crystal grain size is 10 μm.
31. The metal material according to claim 30, wherein:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008108795A (en) * 2006-10-23 2008-05-08 Yamaha Corp Method of manufacturing thermoelectric material, thermoelectric material and thermoelectric conversion module
US7544259B2 (en) 2002-07-18 2009-06-09 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Copper alloy, copper alloy producing method, copper complex material, and copper complex material producing method

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