JPH11136258A - Cell read synchronization control method - Google Patents

Cell read synchronization control method

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JPH11136258A
JPH11136258A JP9301540A JP30154097A JPH11136258A JP H11136258 A JPH11136258 A JP H11136258A JP 9301540 A JP9301540 A JP 9301540A JP 30154097 A JP30154097 A JP 30154097A JP H11136258 A JPH11136258 A JP H11136258A
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JP
Japan
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cells
common buffer
cell
pseudo
stored
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Withdrawn
Application number
JP9301540A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masanobu Furukoshi
正信 古越
Shiro Uryu
士郎 瓜生
Kazumasa Sonoda
和雅 園田
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To synchronize cell reading from both ATM switch systems quickly regardless of a band of an arrived cell group and its band change with respect to a cell read synchronization control method in the duplexed ATM switches. SOLUTION: In duplexed ATM switches 1 each provided with a common buffer memory 2 in which one of the buffer memories is made to an active system and the the is made to a standby system, cells arrived from an input highway 5 are stored to the common buffer memories of both the systems in parallel and then, extracted and only the cell extracted from the common buffer memory of the active system is sent to an output highway 6, after each ATM switch sets a pseudo cell as if the cells of a same amt. are stored respectively to the buffer memories of both the systems in the case of revising the system configuration (e.g. arranging storage area sections or the like), the cells and the pseudo cells during being stored in the common buffer memories of both the systems are synchronized and extracted and at the stage of ending the extraction of the cells and the pseudo cells of the same amt., the reading of cells from both the systems is synchronized.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は二重化されたATM
スイッチにおけるセル読出同期制御方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a duplicated ATM
The present invention relates to a cell read synchronization control method in a switch.

【0002】[0002]

【従来の技術】図9は従来あるATMスイッチ装置を例
示する図であり、図10は従来あるセル読出同期制御方
法を例示する図である。
FIG. 9 is a diagram illustrating a conventional ATM switch device, and FIG. 10 is a diagram illustrating a conventional cell readout synchronization control method.

【0003】図9に示されるATMスイッチ装置は、二
重化されたATMスイッチ(1)〔個々のATMスイッ
チ(1)を0系ATMスイッチ(10 )および1系AT
Mスイッチ(11 )と称する、以下同様〕から構成され
ており、一方〔例えば0系ATMスイッチ(10 )〕を
現用系として稼働させ、他方〔例えば1系ATMスイッ
チ(11 )〕を予備系として待機させる。
The ATM switch device shown in FIG. 9 comprises a duplicated ATM switch (1) [each ATM switch (1) is a 0-system ATM switch (1 0 ) and a 1-system AT switch.
M switch (1 1 ), the same applies hereinafter). One of the switches (for example, the 0-system ATM switch (1 0 )) is operated as the active system, and the other (for example, the 1-system ATM switch (1 1 )) is operated. Stand by as a standby system.

【0004】各ATMスイッチ(1)は、共通バッファ
形の自己ルーティング形式スイッチであり、それぞれ共
通バッファメモリ(CBM)(2)、書込制御部(W
C)(3)および読出制御部(RC)(4)から構成さ
れている。
Each ATM switch (1) is a common buffer type self-routing type switch, and has a common buffer memory (CBM) (2) and a write control unit (W
C) (3) and a read control unit (RC) (4).

【0005】共通バッファメモリ(CBM)(2)はF
IFO(First In First Out)形式の記憶装置であり、
入力ハイウェイ(5)から到着するATMセル(C)
を、書込制御部(WC)(3)の制御により格納し、ま
た読出制御部(RC)(4)の制御により抽出し、出力
ハイウェイ(6)に送出する。
[0005] The common buffer memory (CBM) (2)
IFO (First In First Out) storage device,
ATM cell (C) arriving from input highway (5)
Is stored under the control of the write control unit (WC) (3), extracted under the control of the read control unit (RC) (4), and sent to the output highway (6).

【0006】各入力ハイウェイ(5)からATMセル
(C)が到着すると、ATMスイッチの前段に設けられ
ている装置〔以後前段装置(X)(7)と称する〕が、
ATMスイッチ(1)に自己ルーティング動作を実行さ
せる為に必要な経路情報(rt)と、当該ATMセル
(C)が受けるサービス品質等級を表すquality contro
lpathクラス〔以後QCPクラスと称する〕を識別する
QCPクラス情報(qcp)とをセルヘッダ部(HD)
に付加した後、有効セルであるか否かを示すセル有効性
情報(eiC )、出力ハイウェイ(6)、QCPクラス情
報(qcp)を含むセル情報(iC )を作成し、ATM
セル(C)は両系の共通バッファメモリ(CBM)(2
0 )および(21 )に伝達し、セル情報(iC )は両系
ATMスイッチ(10 )および(11 )内の書込制御部
(WC)(30 )および(31 )に伝達する。
When an ATM cell (C) arrives from each input highway (5), a device (hereinafter referred to as a preceding device (X) (7)) provided in a preceding stage of the ATM switch becomes:
Path information (rt) necessary for causing the ATM switch (1) to execute a self-routing operation, and a quality control indicating a service quality class received by the ATM cell (C).
QCP class information (qcp) for identifying an lpath class [hereinafter referred to as a QCP class] and a cell header part (HD)
After that, cell validity information (ei C ) indicating whether or not the cell is a valid cell, output highway (6), and cell information (i C ) including QCP class information (qcp) are created, and ATM is generated.
Cell (C) is a common buffer memory (CBM) (2
0 ) and (2 1 ), and the cell information (i C ) is sent to the write control units (WC) (3 0 ) and (3 1 ) in both ATM switches (1 0 ) and (1 1 ). introduce.

【0007】各書込制御部(WC)(30 )および(3
1 )は、前段装置(X)(7)から伝達されたセル情報
(iC )内のセル有効性情報(eiC )をそれぞれ分析
し、セル情報(iC )が抽出されたATMセル(C)
を、それぞれ対応する共通バッファメモリ(CBM)
(20 )または(21 )に書込むか否かをそれぞれ判断
し、書込むと判定した場合には書込アドレス(wa)
を、それぞれ対応する共通バッファメモリ(CBM)
(20 )または(21 )と、それぞれ対応する読出制御
部(RC)(40 )または(41 )とに発行すると共
に、発行済の書込アドレス(wa)をそれぞれ閉塞し、
以後到着するATMセル(C)に対する発行を阻止す
る。
The write control units (WC) (3 0 ) and (3)
1), the preceding apparatus (X) (cell information transmitted from 7) (i C) cells validity information in the (ei C) were analyzed respectively, cell information (i C) is extracted ATM cells ( C)
To the corresponding common buffer memory (CBM)
It is determined whether or not to write to (2 0 ) or (2 1 ), and if it is determined to write, the write address (wa)
To the corresponding common buffer memory (CBM)
(2 0 ) or (2 1 ) and the corresponding read control unit (RC) (4 0 ) or (4 1 ), and the issued write address (wa) is closed.
The issuing of the ATM cell (C) arriving thereafter is prevented.

【0008】各共通バッファメモリ(CBM)(20
および(21 )は、前段装置(X)(7)から伝達され
たATMセル(C)を、それぞれ対応する書込制御部
(WC)(30 )または(31 )から発行される書込ア
ドレス(wa)に格納する。
Each common buffer memory (CBM) (2 0 )
And (2 1 ) write the ATM cell (C) transmitted from the preceding-stage device (X) (7) to the write control unit (WC) (3 0 ) or (3 1 ). At the address (wa).

【0009】また各読出制御部(RC)(40 )および
(41 )は、それぞれ対応する書込制御部(WC)(3
0 )または(31 )から発行される書込アドレス(w
a)に基づき、それぞれ読出アドレス(ra)を、それ
ぞれ対応する共通バッファメモリ(CBM)(20 )ま
たは(21 )に発行する。
Each of the read control units (RC) (4 0 ) and (4 1 ) has a corresponding write control unit (WC) (3).
0) or (3: 1) issued the write address from the (w
Based on a), each read address (ra) is issued to the corresponding common buffer memory (CBM) (2 0 ) or (2 1 ).

【0010】各共通バッファメモリ(CBM)(20
および(21 )は、それぞれ対応する読出制御部(R
C)(40 )または(41 )から発行される読出アドレ
ス(ra)に格納済のATMセル(C)をそれぞれ抽出
するが、現用系の共通バッファメモリ(CBM)
(20 )のみが抽出したATMセル(C)を対応する出
力ハイウェイ(6)に送出する。
Each common buffer memory (CBM) (2 0 )
And (2 1 ) correspond to the corresponding read control units (R
C) The ATM cell (C) stored at the read address (ra) issued from (4 0 ) or (4 1 ) is extracted, respectively, and the active common buffer memory (CBM) is extracted.
(2 0 ) sends the extracted ATM cell (C) to the corresponding output highway (6).

【0011】なお各読出制御部(RC)(40 )および
(41 )は、それぞれ対応する共通バッファメモリ(C
BM)(20 )または(21 )からそれぞれATMセル
(C)を抽出し終わると、それぞれ読出アドレス(r
a)の発行に使用した各書込アドレス(wa)を、それ
ぞれ対応する書込制御部(WC)(30 )または
(31)に返送する。
Each of the read control units (RC) (4 0 ) and (4 1 ) has a corresponding common buffer memory (C
BM) After the ATM cells (C) have been extracted from (2 0 ) or (2 1 ), respectively, the read addresses (r
Each write address (wa) used to issue a) is returned to the corresponding write control unit (WC) (3 0 ) or (3 1 ).

【0012】各書込制御部(WC)(30 )および(3
1 )は、それぞれ対応する読出制御部(RC)(40
または(41 )から書込アドレス(wa)を返送される
と、それぞれ返送された書込アドレス(wa)の閉塞を
解除し、以後到着するATMセル(C)に対して発行可
能とする。
Each of the write control units (WC) (3 0 ) and (3)
1 ) is the corresponding read control unit (RC) (4 0 )
Alternatively, when the write address (wa) is returned from (4 1 ), the blockade of the returned write address (wa) is released, and the write address (wa) can be issued to the subsequently arriving ATM cell (C).

【0013】ATMスイッチ装置が上記の如く動作中
に、現用系のATMスイッチ(10 )に障害が発生して
稼働を続行不可能となると、待機中の1系ATMスイッ
チ(1 1 )が新たに現用系として稼働を開始し、0系の
ATMスイッチ(10 )はATMスイッチ装置から切離
され、点検・修復処理を受ける。
[0013] The ATM switch device is operating as described above.
The current ATM switch (10) Has failed
If the operation cannot be continued, the standby 1-system ATM switch is
Chi (1 1) Newly started operation as the active system,
ATM switch (10) Is disconnected from the ATM switch device
And undergo inspection and repair processing.

【0014】かかる系切替時点において、0系共通バッ
ファメモリ(CBM)(20 )に格納中のATMセル
(C)群と、1系共通バッファメモリ(CBM)
(21 )に格納中のATMセル(C)群とが完全に一致
する、即ち両系からのATMセル(C)の読出しが同期
していないと、系切替時点の前後において、出力ハイウ
ェイ(6)に送信されるATMセル(C)群に不連続が
生ずることとなる。
At the time of the system switching, the ATM cells (C) being stored in the 0-system common buffer memory (CBM) (2 0 ) and the 1-system common buffer memory (CBM)
If the group of ATM cells (C) stored in (2 1 ) completely matches, that is, if the reading of the ATM cells (C) from both systems is not synchronized, the output highway () is output before and after the system switching time. Discontinuities occur in the group of ATM cells (C) transmitted to 6).

【0015】然し、両系のATMスイッチ(10 )およ
び(11 )は、入力ハイウェイ(5)から到着するAT
Mセル(C)を、それぞれ独立して共通バッファメモリ
(CBM)(20 )または(21 )に格納し、それぞれ
独立して共通バッファメモリ(CBM)(20 )または
(21 )から抽出している為、両共通バッファメモリ
(CBM)(20 )および(21 )に格納中のセル
(C)群と、1系共通バッファメモリ(CBM)
(21 )に格納中のATMセル(C)群とが必ずしも一
致している保証は無い。
However, the ATM switches (1 0 ) and (1 1 ) of both systems are connected to the AT switch arriving from the input highway (5).
The M cells (C) are independently stored in the common buffer memory (CBM) (2 0 ) or (2 1 ), and are independently stored in the common buffer memory (CBM) (2 0 ) or (2 1 ). The cells (C) being stored in both common buffer memories (CBM) (2 0 ) and (2 1 ) and the 1-system common buffer memory (CBM)
There is no guarantee that the ATM cell (C) group stored in (2 1 ) always matches.

【0016】従来あるATMスイッチ装置においては、
以上の点を考慮し、図10に示される如く、系切替要因
が発生した後も、両系のATMスイッチ(10 )および
(1 1 )に入力ハイウェイ(5)から到着するATMセ
ル(C)の書込動作、並びに格納済ATMセル(C)の
読出動作を継続させ、両共通バッファメモリ(CBM)
(20 )および(21 )に格納中のATMセル(C)が
皆無となった時点、即ち入力ハイウェイ(5)から到着
し、両共通バッファメモリ(CBM)(20 )および
(21 )に格納済のATMセル(C)が総て抽出され終
わった時点で、両系からのATMセル(C)の読出しを
同期化していた。
In a conventional ATM switch device,
In consideration of the above points, as shown in FIG.
After the occurrence of the error, the ATM switches (10)and
(1 1ATM cell arriving from input highway (5)
(C) write operation and stored ATM cell (C)
Read operation is continued and both common buffer memories (CBM)
(20) And (2)1ATM cell (C) stored in
Arriving at the time when there is nothing left, that is, from the input highway (5)
And both common buffer memories (CBM) (20)and
(21All ATM cells (C) stored in () are extracted and
At that point, the ATM cells (C) are read from both systems.
Had been synchronized.

【0017】なお入力ハイウェイ(5)から到着するA
TMセル(C)の、単位時間当たりの到着個数〔所謂帯
域〕が少なく、且つ到着間隔の変動〔所謂帯域変化〕が
僅少の場合には、両共通バッファメモリ(CBM)(2
0 )および(21 )に格納中のATMセル(C)が皆無
となることも少なくないが、入力ハイウェイ(5)から
到着するATMセル(C)が広帯域であり、且つ帯域変
化が大きい場合には、両共通バッファメモリ(CBM)
(20 )および(21 )に格納中のATMセル(C)が
皆無となることが殆ど無く、系切替を実行可能とする機
会が中々得られなかった。
Note that A arriving from the input highway (5)
If the number of TM cells (C) arriving per unit time (so-called band) is small and the variation of the arrival interval (so-called band change) is small, both common buffer memories (CBM) (2)
0 ) and (2 1 ) often have no ATM cell (C) stored therein, but the ATM cell (C) arriving from the input highway (5) has a wide band and a large band change. Has a common buffer memory (CBM)
The ATM cells (C) stored in (2 0 ) and (2 1 ) hardly disappeared, and there was no chance of making the system switching executable.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】以上の説明から明らか
な如く、従来あるATMスイッチ装置においては、系切
替を実行可能とする機会を、両系の共通バッファメモリ
(CBM)(20 )および(21 )に格納中のATMセ
ル(C)が皆無となる時点としていた為、入力ハイウェ
イ(5)から到着するATMセル(C)が広帯域、且つ
帯域変化の大きい場合には、両系の共通バッファメモリ
(CBM)(20 )および(21 )に格納中のATMセ
ル(C)が皆無となることが殆ど無く、系切替を実行可
能とする機会を失う問題があった。
As is apparent from the above description, in the conventional ATM switch device, the opportunity to execute the system switching is provided by the common buffer memories (CBM) (2 0 ) and (2 0 ) of both systems. At the time when there is no ATM cell (C) stored in 2 1 ), when the ATM cell (C) arriving from the input highway (5) has a wide band and a large band change, it is common to both systems. The ATM cells (C) currently stored in the buffer memories (CBM) (2 0 ) and (2 1 ) hardly run out, and there is a problem that the opportunity to perform system switching is lost.

【0019】本発明は、到着セル群の帯域および帯域変
化に拘らず、両系からのセル読出しを迅速に同期化する
ことを目的とする。
It is an object of the present invention to quickly synchronize cell reading from both systems irrespective of the band of the arriving cell group and band changes.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理図で
ある。図1において、1は二重化されたATMスイッ
チ、2は各ATMスイッチ(1)に設けられた共通バッ
ファメモリ、5は入力ハイウェイ、6は出力ハイウェイ
である。
FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention. In FIG. 1, 1 is a duplicated ATM switch, 2 is a common buffer memory provided in each ATM switch (1), 5 is an input highway, and 6 is an output highway.

【0021】各ATMスイッチ(1)は、一方を現用
系、他方を予備系として運用し、入力ハイウェイ(5)
から到着するセルを並行して両系の共通バッファメモリ
(2)に一旦格納した後抽出し、現用系の共通バッファ
メモリ(2)から抽出したセルのみを出力ハイウェイ
(6)に送出する。
Each of the ATM switches (1) operates as a working system and the other as a standby system.
The cells arriving from the common buffer memories (2) of the two systems are once stored in parallel and extracted, and only the cells extracted from the common buffer memory (2) of the active system are sent to the output highway (6).

【0022】各ATMスイッチ(1)は、系構成を変更
する場合に、両系の共通バッファメモリ(CBM)
(2)にそれぞれ同量のセルが格納される如く、擬似セ
ルを設定した後、両系の共通バッファメモリ(2)に格
納中のセルおよび擬似セルを同期して抽出し、両系の共
通バッファメモリ(2)からそれぞれ前述の同量のセル
および擬似セルを抽出終わった段階で、両系からのセル
読出しを同期化する。〔以上、本発明(請求項1)関
連〕 なお各ATMスイッチ(1)は、各共通バッファメモリ
(2)の記憶領域をそれぞれ同一形式で複数の記憶領域
に区分し、系構成を変更する場合に、各共通バッファメ
モリ(2)の同一の記憶領域区分が総て格納中となる如
く擬似セルを設定することが考慮される。〔以上、本発
明(請求項2)関連〕 また現用系のATMスイッチ(10 )は、系構成を変更
する場合に、現在入力ハイウェイ(5)からの到着セル
を格納中の現用系の共通バッファメモリ(20)の記憶
領域区分を予備系のATMスイッチ(11 )に通知する
と共に、予備系のATMスイッチ(11 )に通知した記
憶領域区分が総て格納中となる如く、擬似セルを設定
し、また予備系のATMスイッチ(11 )は、予備系の
共通バッファメモリ(21 )の、現用系のATMスイッ
チ(10 )から通知された記憶領域区分と同一の記憶領
域区分が総て格納中となる如く、擬似セルを設定するこ
とが考慮される。〔以上、本発明(請求項3)関連〕 更に各ATMスイッチ(1)は、それぞれ同量のセルお
よび擬似セルを、各共通バッファメモリ(2)から抽出
し終わる迄に、入力ハイウェイ(5)から新たに到着す
るセルに所定の識別情報を付加してそれぞれ共通バッフ
ァメモリ(2)に格納し、前述の同量のセルおよび擬似
セルを、各共通バッファメモリ(2)から抽出し終わっ
た後に、識別情報を付加したセルを読出し可能とするこ
とが考慮される。〔以上、本発明(請求項4)関連〕 従って、二重化されたATMスイッチにおいて、両系の
共通バッファメモリに格納中のセルを総て抽出し終わ
り、各共通バッファメモリ内に記憶中のセルが皆無とす
る必要が無くなり、共通バッファメモリの記憶容量およ
び到着セルの帯域および帯域変化に拘らず、両系からの
セル読出しを迅速に同期化することとなる。
When changing the system configuration, each ATM switch (1) is provided with a common buffer memory (CBM) for both systems.
After setting pseudo cells so that the same amount of cells are stored in (2), the cells and pseudo cells stored in the common buffer memories (2) of both systems are synchronously extracted, and the common cells of both systems are extracted. When the same amount of cells and pseudo cells have been extracted from the buffer memory (2), cell reading from both systems is synchronized. [Regarding the Present Invention (Claim 1)] When each ATM switch (1) divides the storage area of each common buffer memory (2) into a plurality of storage areas in the same format, and changes the system configuration. In addition, it is considered that the pseudo cells are set so that the same storage area section of each common buffer memory (2) is all stored. [Regarding the Present Invention (Claim 2)] When the system configuration is changed, the active ATM switch (1 0 ) is used in common with the active system currently storing cells arriving from the input highway (5). a storage area segment of the buffer memory (2 0) and notifies the spare system ATM switch (1 1), as the storage area segment which notifies the ATM switch (1 1) of the standby is being stored all the pseudo A cell is set, and the standby ATM switch (1 1 ) has the same storage area as that of the storage area section notified from the active ATM switch (1 0 ) of the standby common buffer memory (2 1 ). It is considered to set a pseudo cell so that all sections are being stored. [Regarding the Present Invention (Claim 3)] Further, each ATM switch (1) has an input highway (5) before extracting the same amount of cells and pseudo cells from each common buffer memory (2). After adding predetermined identification information to cells newly arriving from, and storing them in the common buffer memory (2), after the same amount of cells and pseudo cells have been extracted from each common buffer memory (2), It is considered that the cell to which the identification information is added can be read. [As above, the present invention (claim 4)] Accordingly, in the duplicated ATM switch, all the cells stored in the common buffer memories of both systems have been completely extracted, and the cells stored in each of the common buffer memories have been extracted. There is no need to eliminate them, and cell reading from both systems is quickly synchronized irrespective of the storage capacity of the common buffer memory and the band of the arriving cell and band changes.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
より説明する。図2は本発明の実施形態によるATMス
イッチ装置を示す図であり、図3は図2における共通バ
ッファメモリを例示する図であり、図4は図2における
読出制御部を例示する図であり、図5は図4における読
出制御レジスタを例示する図であり、図6は図4におけ
る読出制御テーブルを例示する図であり、図7は図4に
おける読出制御レジスタ、読出制御テーブルの更新処理
を例示する図であり、図8は図4における読出アドレス
発行処理を例示する図である。なお、全図を通じて同一
符号は同一対象物を示す。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 2 is a diagram illustrating an ATM switch device according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a diagram illustrating a common buffer memory in FIG. 2, FIG. 4 is a diagram illustrating a read control unit in FIG. FIG. 5 is a diagram illustrating the read control register in FIG. 4, FIG. 6 is a diagram illustrating the read control table in FIG. 4, and FIG. 7 is a diagram illustrating the read control register and the update process of the read control table in FIG. FIG. 8 is a diagram exemplifying the read address issuing process in FIG. The same reference numerals indicate the same objects throughout the drawings.

【0024】図2に示されるATMスイッチ装置には、
図9に示される従来あるATMスイッチ装置に設けられ
ていた共通バッファメモリ(CBM)(2)および読出
制御部(RC)(4)の代わりに、図3に示される構成
を有する共通バッファメモリ(CBM)(2A )と、図
3に示される構成を有する読出制御部(RC)(4A
とが、両系のATMスイッチ(1)に設けられている。
The ATM switch device shown in FIG.
Instead of the common buffer memory (CBM) (2) and the read control unit (RC) (4) provided in the conventional ATM switch device shown in FIG. 9, a common buffer memory ( CBM) (2 A ) and a read controller (RC) (4 A ) having the configuration shown in FIG.
Are provided in both systems of ATM switch (1).

【0025】共通バッファメモリ(CBM)(2A
は、図3に示される如く、全記憶領域が、予め定められ
た記憶容量〔例えば4キロ語〕を有する記憶領域に区分
されている。
Common buffer memory (CBM) (2 A )
As shown in FIG. 3, the entire storage area is divided into storage areas having a predetermined storage capacity (for example, 4 kilowords).

【0026】図3においては、各記憶領域の境界にレベ
ル番号(Lvn)〔先頭記憶領域から順に(Lv0)、
(Lv1)、……、(LvN)〕が付与されており、現
在有効ATMセル(C)がレベル(Lv1)乃至(Lv
2)の間の記憶領域迄格納中である。
In FIG. 3, a level number (Lvn) [Lv0) in order from the head storage area
(Lv1),..., (LvN)], and the currently valid ATM cell (C) is assigned a level (Lv1) to (LvN).
It is being stored up to the storage area during 2).

【0027】以後共通バッファメモリ(CBM)
(2A )に格納中のATMセル(C)の量をセル格納量
(nC )と称し、またセル格納量(nC )により使用さ
れているレベル(Lv2)迄の記憶領域をバッファ使用
レベル(blv)と称する。
Thereafter, a common buffer memory (CBM)
The amount of the called cell storage amount (n C), also the buffer using the storage area up to the level (Lv2) being used by the cell storage amount (n C) of (2 A) into ATM cells in storage (C) This is referred to as a level (blv).

【0028】読出制御部(RC)(4A )には、図4に
示される如く、読出アドレス制御部(RAC)(4
1)、読出アドレスバッファ部(ABMR)(42)お
よびQCPスケジューラ(QRS)(43)が設けられ
ている。
As shown in FIG. 4, the read control unit (RC) (4 A ) includes the read address control unit (RAC) (4 A ).
1) A read address buffer (ABMR) (42) and a QCP scheduler (QRS) (43) are provided.

【0029】読出アドレス制御部(RAC)(41)
は、同一系内の書込制御部(WC)(3)と、読出制御
部(RC)(4A )内の読出アドレスバッファ部(AB
MR)(42)およびQCPスケジューラ(QRS)
(43)との間で各種情報を授受する仲介の役割を果た
し、また同一系内のQCPスケジューラ(QRS)(4
3)からの指示に従い、同一系内の共通バッファメモリ
(CBM)(2A )への読出アドレス(ra)の発行、
および同一系内の書込制御部(WC)(3)への書込ア
ドレス(wa)の返送を行う。
Read address control unit (RAC) (41)
Are the write control unit (WC) (3) in the same system and the read address buffer unit (AB) in the read control unit (RC) (4 A ).
MR) (42) and QCP scheduler (QRS)
It acts as an intermediary for exchanging various information with (43), and has a QCP scheduler (QRS) (4) in the same system.
Issue a read address (ra) to the common buffer memory (CBM) (2 A ) in the same system in accordance with the instruction from 3);
The write address (wa) is returned to the write controller (WC) (3) in the same system.

【0030】また読出アドレスバッファ部(ABMR)
(42)は、各出力ハイウェイ(6)毎の各QCPクラ
ス毎に一個宛設けられた読出制御レジスタ(RCR)
(421)と、各出力ハイウェイ(6)毎に設けられた
読出制御テーブル(RT)(422)とを具備してい
る。
Read address buffer section (ABMR)
(42) a read control register (RCR) provided for each QCP class for each output highway (6)
(421) and a read control table (RT) (422) provided for each output highway (6).

【0031】読出制御テーブル(RT)(422)は、
それぞれ図5に示される如き構成を有し、対応する出力
ハイウェイ(6)に出力されるべきATMセル(C)
の、同一系内の共通バッファメモリ(CBM)(2A
からの読出アドレス(ra)が、QCPクラス毎に連鎖
形式で保存されている。
The read control table (RT) (422)
ATM cells (C) each having a configuration as shown in FIG. 5 and to be output to the corresponding output highway (6)
Common buffer memory (CBM) in the same system (2 A )
Is stored in a chain format for each QCP class.

【0032】また読出制御レジスタ(RCR)(42
1)は、それぞれ図4に示される如き構成を有し、対応
するQCPクラスで同一系内の共通バッファメモリ(C
BM)(2A )から抽出すべきATMセル(C)の読出
アドレス(ra)が格納されている読出制御テーブル
(RT)(422)の先頭および最後を表示すると共
に、擬似セル量(nCD)を保持する。
The read control register (RCR) (42)
1) each have a configuration as shown in FIG. 4 and have a common buffer memory (C
BM) (2 A ), the start and end of the read control table (RT) (422) storing the read address (ra) of the ATM cell (C) to be extracted, and the pseudo cell amount (n CD) ) Hold.

【0033】QCPスケジューラ(QRS)(43)
は、各出力ハイウェイ(6)の各QCPクラスに対応し
て、読出帯域演算用カウンタ〔以後QCPカウンタ(C
NT)(431)と称する〕を具備している。
The QCP scheduler (QRS) (43)
Is a read band calculation counter [hereinafter referred to as a QCP counter (C), corresponding to each QCP class of each output highway (6).
NT) (431)].

【0034】なおATMスイッチ(10 )および
(11 )を系切替実行可能とする為には、各読出制御部
(RC)(4A0)および(4A1)内の各QCPスケジュ
ーラ(QRS)(430 )および(431 )内の指定さ
れたQCPカウンタ(CNT)(4310 )および(4
311 )をそれぞれ初期設定〔即ち計数値を0に設定〕
することに帰着するので、以後本発明においては、系切
替実行可能とすることを「スケジューラリセット」と称
することとする。
In order to enable the ATM switches (1 0 ) and (1 1 ) to execute system switching, each QCP scheduler (QRS) in each read control unit (RC) (4 A0 ) and (4 A1 ) (43 0) and (43 1) QCP counter (CNT) (431 0) as specified in and (4
31 1 ) is initialized (that is, the count value is set to 0).
Therefore, in the present invention, enabling the system switching will be referred to as “scheduler reset” in the present invention.

【0035】次に、読出アドレス制御部(RAC)(4
1)の具備機能を説明する。なお以下の説明において
は、主として0系ATMスイッチ(10 )内に就いての
み説明し、1系ATMスイッチ(11 )と連携する場合
に就いてのみ1系ATMスイッチ(11 )に就いて触れ
ることとする。
Next, the read address control unit (RAC) (4)
The function 1) will be described. In the following description, only the inside of the 0-system ATM switch (1 0 ) will be mainly described, and the 1-system ATM switch (1 1 ) will be used only in cooperation with the 1-system ATM switch (1 1 ). And touch it.

【0036】読出アドレス制御部(RAC)(410
は、読出アドレスバッファ部(ABMR)(420 )に
設けられている読出制御レジスタ(RCR)(42
0 )および読出制御テーブル(RT)(4220 )の
管理機能と、共通バッファメモリ(CBM)(2A0)お
よび書込制御部(WC)(30 )に対する読出アドレス
(ra)または書込アドレス(wa)の発行/返送機能
と、所謂「スケジューラリセット」機能と、格納ATM
セル(C)皆無監視機能とを具備している。
Read address control unit (RAC) (41 0 )
Is a read control register (RCR) (42) provided in a read address buffer (ABMR) (42 0 ).
10 0 ) and the read control table (RT) (422 0 ) management function, and the read address (ra) or write to the common buffer memory (CBM) (2 A0 ) and the write control unit (WC) (3 0 ). Address (wa) issue / return function, so-called "scheduler reset" function, and stored ATM
The cell (C) has a no-monitoring function.

【0037】先ず読出制御レジスタ(RCR)(421
0 )および読出制御テーブル(RT)(4220 )の管
理機能に就いて説明する。読出アドレス制御部(RA
C)(410 )は、共通バッファメモリ(CBM)(2
A0)にATMセル(C)が格納または抽出された場合
に、読出アドレスバッファ部(ABMR)(420 )に
設けられている読出制御レジスタ(RCR)(42
0 )および読出制御テーブル(RT)(4220 )の
更新処理を実行する。
First, the read control register (RCR) (421)
0 ) and the management function of the read control table (RT) (422 0 ) will be described. Read address control unit (RA
C) (41 0 ) is a common buffer memory (CBM) (2
When the ATM cell (C) is stored or extracted in ( A0 ), the read control register (RCR) (42) provided in the read address buffer (ABMR) (42 0 ).
10 0 ) and the read control table (RT) (422 0 ) are updated.

【0038】先ず、共通バッファメモリ(CBM)(2
A0)に対してATMセル(C)の格納処理が行われた場
合に、読出アドレス制御部(RAC)(410 )は、各
入力ハイウェイ(5)毎に、書込アドレス有効情報(e
WA)、書込アドレス(wa)、出力先情報〔同報通信を
考慮し、8ビットから成るビットマップで表示〕、QC
Pクラス情報(qcp)、同報識別情報(c)、セル損
失優先表示(cLp )を、書込制御部(WC)(30 )か
ら受信する。
First, the common buffer memory (CBM) (2
When the ATM cell (C) is stored in A0 ), the read address control unit (RAC) (41 0 ) writes the write address valid information (e) for each input highway (5).
WA ), write address (wa), output destination information (displayed as an 8-bit bitmap in consideration of broadcasting), QC
P class information (qcp), broadcast identification information (c), a cell loss priority of (CLP), receives from the write controller (WC) (3 0).

【0039】読出アドレス制御部(RAC)(410
は、受信した書込アドレス有効情報(eWA)に基づき、
書込アドレス(wa)の有効性を分析し、有効と判定さ
れた場合には、出力先情報を分析して出力ハイウェイ
(6)を識別し、更にQCPクラス情報(qcp)を分
析してQCPクラスを認識し、対応する読出制御レジス
タ(RCR)(4210 )および読出制御テーブル(R
T)(4220 )を更新する。
Read address control unit (RAC) (41 0 )
Is based on the received write address valid information (e WA )
The validity of the write address (wa) is analyzed. If it is determined that the write address (wa) is valid, the output destination information is analyzed to identify the output highway (6), and the QCP class information (qcp) is analyzed. The class is recognized, and the corresponding read control register (RCR) (421 0 ) and read control table (R
T) (422 0 ) is updated.

【0040】なお読出制御レジスタ(RCR)(421
0 )の更新処理は、更新処理前の状態により下記の通り
異なる。先ず更新処理前の該当QCPクラスが空きの場
合〔即ち該当QCPクラスを有するATMセル(C)の
セル格納量(nC )が0の場合〕には、読出制御レジス
タ(RCR)(4210 )の先頭アドレス(aP )およ
び末尾アドレス(aL )を、書込アドレス(wa)に更
新する。
The read control register (RCR) (421)
The update process 0 ) differs as follows depending on the state before the update process. First, when the corresponding QCP class before the update process is empty (that is, when the cell storage amount (n C ) of the ATM cell (C) having the corresponding QCP class is 0), the read control register (RCR) (421 0 ) The start address (a P ) and the end address (a L ) are updated to the write address (wa).

【0041】また更新処理前の該当QCPクラスが空き
では無い場合〔即ち該当QCPクラスを有するATMセ
ル(C)のセル格納量(nC )が0では無い場合〕に
は、更新前の読出制御レジスタ(RCR)(4210
の末尾アドレス(aL )を検索し、読出制御テーブル
(RT)(4220 )の末尾アドレス(aL )に格納済
の次アドレス(aN )を受信した書込アドレス(wa)
および前述の出力先情報に更新し、また次アドレス(a
N )と共に格納済のセル損失優先表示(cLp )、同報識
別情報(c)、スケジューラリセット中到着フラグ(ar
vf)を、それぞれ受信した情報に更新する。
If the corresponding QCP class before the update processing is not empty (ie, if the cell storage amount (n C ) of the ATM cell (C) having the corresponding QCP class is not 0), the read control before the update is performed. Register (RCR) (421 0 )
The end address searching (a L), the read control table (RT) (422 0) of the tail address (a L) for storing already follows the address (a N) write address that received the (wa)
And the output destination information described above, and the next address (a
N ), cell loss priority indication (cLp), broadcast identification information (c), scheduler reset arrival flag (ar
vf) is updated with the received information.

【0042】また読出制御レジスタ(RCR)(421
0 )に就いては、末尾アドレス(a L )を書込アドレス
(wa)に更新する。但し、所謂「スケジューラリセッ
ト」中に到着した有効書込アドレス(wa)に対して
は、読出制御レジスタ(RCR)(4210 )に格納す
る際に、スケジューラリセット中到着フラグ(arvf)を
論理“1”に設定して格納する。
The read control register (RCR) (421)
0), The ending address (a L) Is the write address
(Wa). However, the so-called “scheduler reset”
To the effective write address (wa) arrived during
Is a read control register (RCR) (421).0)
The arrival flag (arvf) during scheduler reset
Set to logic "1" and stored.

【0043】以上の処理過程は、図7に示される。次
に、共通バッファメモリ(CBM)(2A0)からATM
セル(C)の抽出処理が行われる場合に、読出アドレス
制御部(RAC)(410 )は、各出力ハイウェイ
(6)毎にQCPスケジューラ(QRS)(430 )か
ら読出指示クラス情報若しくは無効セル出力指示を受信
する。
The above process is shown in FIG. Next, from the common buffer memory (CBM) (2 A0 ) to the ATM
When the cell (C) extraction process is performed, the read address control unit (RAC) (41 0 ) sends the read instruction class information or invalidity from the QCP scheduler (QRS) (43 0 ) for each output highway (6). A cell output instruction is received.

【0044】QCPスケジューラ(QRS)(430
から読出指示クラスが通知された場合には、読出アドレ
ス制御部(RAC)(410 )は、各出力ハイウェイ
(6)対応に該当QCPクラスの読出アドレス(ra)
の出力処理と、読出制御レジスタ(RCR)(42
0 )および読出制御テーブル(RT)(4220 )の
更新処理を実行する。
The QCP scheduler (QRS) (43 0 )
, The read address control unit (RAC) (41 0 ) reads the read address (ra) of the corresponding QCP class corresponding to each output highway (6).
Output processing and the read control register (RCR) (42)
10 0 ) and the read control table (RT) (422 0 ) are updated.

【0045】またQCPスケジューラ(QRS)(43
0 )から無効セル出力指示が通知された場合には、読出
アドレス有効情報(eRA)を無効に設定し、読出制御レ
ジスタ(RCR)(4210 )へのアクセスは行わな
い。
The QCP scheduler (QRS) (43)
When the invalid cell output instruction is notified from ( 0 ), the read address valid information (e RA ) is set to invalid, and the read control register (RCR) (421 0 ) is not accessed.

【0046】読出アドレス(ra)に就いては、その時
点での読出制御レジスタ(RCR)(4210 )の先頭
アドレス(aP )、同報識別情報(c)、セル損失優先
表示(cLp )を発行する。
Regarding the read address (ra), the head address (a P ) of the read control register (RCR) (421 0 ) at that time, broadcast identification information (c), cell loss priority display (cLp) Issue

【0047】但し、該当の読出制御レジスタ(RCR)
(4210 )に格納されている擬似セル量(nCD)が0
ではない場合には、所謂「スケシューラリセット」中で
あり、この場合には読出アドレス(ra)として発行す
べき読出制御レジスタ(RCR)(4210 )内の先頭
アドレス(aP )に付与されているスケジューラリセッ
ト中到着フラグ(arvf)を参照し、スケジューラリセッ
ト中到着フラグ(arvf)が論理“1”に設定されていな
ければ、発行可能なアドレスとして読出アドレス(r
a)の発行を行って擬似セル量(nCD)から1を減算す
る。
However, the corresponding read control register (RCR)
The pseudo cell amount (n CD ) stored in (421 0 ) is 0
If not, it is in a so-called "scheme scheduler reset", and in this case, it is added to the head address (a P ) in the read control register (RCR) (421 0 ) to be issued as the read address (ra). The scheduler reset arrival flag (arvf) is referred to, and if the scheduler reset arrival flag (arvf) is not set to logic “1”, the read address (r
a) is issued, and 1 is subtracted from the pseudo cell amount (n CD ).

【0048】またスケジューラリセット中到着フラグ
(arvf)が論理“1”に設定されている場合には、その
アドレスは発行出来ず、読出アドレス(ra)の発行は
行わないが、擬似セル量(nCD)からは1を減算する。
If the scheduler reset arrival flag (arvf) is set to logic "1", the address cannot be issued and the read address (ra) is not issued, but the pseudo cell amount (n Subtract 1 from CD ).

【0049】読出制御レジスタ(RCR)(4210
の更新処理は、読出アドレス(ra)発行後の状態によ
り次の様に異なる。先ず読出アドレス(ra)の発行に
よりセル格納量(nC )が0になった場合は、更新処理
は行わない。
Read control register (RCR) (421 0 )
Update processing differs as follows depending on the state after the issuance of the read address (ra). First, when the cell storage amount (n C ) becomes 0 by issuing the read address (ra), the update processing is not performed.

【0050】また読出アドレス(ra)の発行後もセル
格納量(nC )が0にならない場合には、読出制御テー
ブル(RT)(4220 )から次アドレス(aN )、セ
ル損失優先表示(cLp )、同報識別情報(c)およびス
ケジューラリセット中到着フラグ(arvf)を抽出し、先
頭アドレス(aP )領域に設定して更新する。
If the cell storage amount (n C ) does not become 0 even after the issuance of the read address (ra), the next address (a N ) and the cell loss priority display from the read control table (RT) (422 0 ). (CLp), the broadcast identification information (c) and the scheduler reset arrival flag (arvf) are extracted and set in the start address (a P ) area and updated.

【0051】以上の処理過程は、図8に示される。次に
QCPスケジューラ(QRS)(430 )からの読出指
示、および前述の読出制御レジスタ(RCR)(421
0 )および読出制御テーブル(RT)(4220 )の更
新処理により、或るセル時間に各出力ハイウェイ(6)
で読出すべきATMセル(C)の格納アドレスが決定さ
れ、これを読出アドレス(ra)として発行するが、ア
ドレス解放の為の書込制御部(WC)(3)への発行の
場合には、読出アドレス有効情報(eRA)と、読出アド
レス(ra)と、格納されているATMセル(C)のQ
CPクラス情報(qcp)と、格納されているATMセ
ル(C)のセル損失優先表示(cLp )と、同報識別情報
(c)とが書込制御部(WC)(30 )に発行され、上
記情報を受信した書込制御部(WC)(30 )は、アド
レスの解放返却処理を実行し、また共通バッファメモリ
(CBM)(2 A )への発行の場合には、読出制御部
(RC)(4A0)は、書込制御部(WC)(30 )から
受信する書込アドレス(wa)の情報の内、書込アドレ
ス(wa)と書込アドレス有効情報(eWA)とだけを選
択し、読出アドレス(ra)と併せて発行する。
The above process is shown in FIG. next
QCP scheduler (QRS) (430Read finger from)
And the aforementioned read control register (RCR) (421)
0) And read control table (RT) (422)0)
New processing allows each output highway (6) at a certain cell time
Determines the storage address of the ATM cell (C) to be read.
This is issued as a read address (ra).
Issue to write control unit (WC) (3) for dress release
In this case, the read address valid information (eRA) And the read address
Address (ra) and Q of the stored ATM cell (C).
CP class information (qcp) and the stored ATM cell
(C) cell loss priority indication (cLp) and broadcast identification information
(C) is the write control unit (WC) (3)0) Issued on
Control unit (WC) (3)0) The ad
Executes the release return process of the
(CBM) (2 A), The read control unit
(RC) (4A0) Is a write control unit (WC) (3)0From)
Among the information of the write address (wa) to be received, the write address
(Wa) and write address valid information (eWA) And just choose
And issues it together with the read address (ra).

【0052】かかる状態で、所謂「スケジューラリセッ
ト」を実行する場合には、現用系の書込制御部(WC)
(30 )が現用系の読出制御部(RC)(4A0)に、ス
ケジューラリセット開始指示(srs)と、バッファ使
用レベル(blv)とを伝達する。
In this state, when executing a so-called “scheduler reset”, the active write control unit (WC)
(3 0 ) transmits the scheduler reset start instruction (srs) and the buffer use level (blv) to the read control unit (RC) (4 A0 ) of the active system.

【0053】現用系の読出制御部(RC)(4A0)にお
いては、読出アドレス制御部(RAC)(410 )が、
書込制御部(WC)(30 )からスケジューラリセット
開始指示(srs)を受信すると、受信したバッファ使
用レベル(blv)を保持した後、予備系の読出制御部
(RC)(4A1)に対してスケジューラリセット開始指
示(srs)と、バッファ使用レベル(blv)とを伝
達する。
In the active read control unit (RC) (4 A0 ), the read address control unit (RAC) (41 0 )
When the write controller (WC) (3 0) for receiving a scheduler reset start instruction (srs), after holding the received buffer usage level (blv), the read control unit of the standby system (RC) (4 A1) In response, a scheduler reset start instruction (srs) and a buffer use level (blv) are transmitted.

【0054】次に読出制御部(RC)(4A0)は、書込
制御部(WC)(30 )から通知されるスケジューラリ
セットを実行するQCPクラス情報(qcp)を参照
し、総ての出力ハイウェイ(6)の、それぞれQCPク
ラスに対応する読出制御レジスタ(RCR)(421)
内の擬似セル量(nCD)を設定する。
Next, the read control unit (RC) (4 A0 ) refers to the QCP class information (qcp) for executing the scheduler reset notified from the write control unit (WC) (3 0 ), and Read control register (RCR) (421) of output highway (6) corresponding to each QCP class
Is set to the pseudo cell amount (n CD ) in the above.

【0055】なお設定する擬似セル量(nCD)は、共通
バッファメモリ(CBM)(2A0)の、保持済のバッフ
ァ使用レベル(blv)迄の記憶容量に相当する。図3
に示される共通バッファメモリ(CBM)(2A )によ
れば、バッファ使用レベル(blv)はレベル(Lv
2)であり、擬似セル量(nCD)はレベル(Lv)によ
り区分された記憶領域3個分に相当する。
The set pseudo cell amount (n CD ) corresponds to the storage capacity of the common buffer memory (CBM) (2 A0 ) up to the held buffer use level (blv). FIG.
According to the common buffer memory (CBM) (2 A ), the buffer use level (blv) is the level (Lv
2), and the pseudo cell amount (n CD ) corresponds to three storage areas divided by the level (Lv).

【0056】読出制御レジスタ(RCR)(4210
内の擬似セル量(nCD)を設定した読出制御部(RC)
(4A0)は、QCPスケジューラ(QRS)(430
内の、スケジューラリセットの対象とするQCPカウン
タ(CNT)(4310 )のリセット指示を設定し、リ
セット処理状態に入る。
Read control register (RCR) (421 0 )
Control unit (RC) which sets the number of pseudo cells (n CD )
(4 A0 ) is a QCP scheduler (QRS) (43 0 )
Of the QCP counter (CNT) (431 0 ) to be the target of the scheduler reset, and enters a reset processing state.

【0057】スケジューラリセット処理状態に入った
後、擬似セル量(nCD)を設定した総ての読出制御レジ
スタ(RCR)(4210 )において擬似セル量
(nCD)=0となると、読出制御部(RC)(4A0
は、リセット処理状態を解除し、書込制御部(WC)
(30 )に対してスケジューラリセット完了通知(sr
f)を返送する。
[0057] After entering the scheduler reset processing state, when the pseudo-cell volume (n CD) = 0 in all the read control register set the pseudo cell amount (n CD) (RCR) ( 421 0), the read control Part (RC) (4 A0 )
Releases the reset processing state, and the write control unit (WC)
(3 0 ) scheduler reset completion notification (sr
f) is returned.

【0058】一方、予備系の読出制御部(RC)
(4A1)においては、現用系の読出制御部(RC)(4
A0)からスケジューラリセット開始指示(srs)およ
びバッファ使用レベル(blv)を受信すると、受信し
たバッファ使用レベル(blv)を保持した後、予備系
の書込制御部(WC)(31 )から通知されるスケジュ
ーラリセットを実行するQCPクラス情報(qcp)を
参照し、総ての出力ハイウェイ(6)の、それぞれQC
Pクラスに対応する読出制御レジスタ(RCR)(42
1)内の擬似セル量(nCD)を設定する。
On the other hand, the readout control unit (RC) of the standby system
In (4 A1 ), the active read control unit (RC) (4)
Upon receiving the scheduler reset start instruction (srs) and the buffer use levels (blv) from A0), after holding the received buffer usage level (blv), notifies the write control unit of the standby system (WC) (3 1) Refer to the QCP class information (qcp) that executes the scheduler reset to be performed, and check the QC of each output highway (6).
Read control register (RCR) (42) corresponding to P class
The pseudo cell amount (n CD ) in 1) is set.

【0059】なお設定する擬似セル量(nCD)は、現用
系の読出制御部(RC)(4A0)が設定した擬似セル量
(nCD)と同じとする。読出制御レジスタ(RCR)
(4211 )内の擬似セル量(nCD)を設定した読出制
御部(RC)(4A1)は、QCPスケジューラ(QR
S)(431 )内の、スケジューラリセットの対象とす
るQCPカウンタ(CNT)(4311 )のリセット指
示を設定し、リセット処理状態に入る。
The pseudo cell amount (n CD ) to be set is the same as the pseudo cell amount (n CD ) set by the read control unit (RC) (4 A0 ) of the active system. Read control register (RCR)
The read control unit (RC) (4 A1 ) that has set the pseudo cell amount (n CD ) in (421 1 ) is the QCP scheduler (QR
S) (43 1) within, to set a reset instruction QCP counter of interest scheduler reset (CNT) (431 1), enters a reset processing state.

【0060】リセット処理状態に入った後、擬似セル量
(nCD)を設定した総ての読出制御レジスタ(RCR)
(4211 )において擬似セル量(nCD)=0となる
と、読出制御部(RC)(4A1)は、リセット処理状態
を解除し、予備系の書込制御部(WC)(31 )に対し
てスケジューラリセット完了通知(srf)を返送す
る。
After entering the reset processing state, all the read control registers (RCR) in which the pseudo cell amount (n CD ) is set.
When the pseudo cell amount (n CD ) becomes equal to 0 in (421 1 ), the read control unit (RC) (4 A1 ) cancels the reset processing state, and the standby write control unit (WC) (3 1 ). , A scheduler reset completion notification (srf) is returned.

【0061】また読出アドレス制御部(RAC)(41
0 )は、QCPスケジューラ(QRS)(430 )にお
ける現在の各QCPカウンタ(CNT)(4310 )の
読出すべきATMセル(C)の有無を認識しておく為
に、皆無監視機能を具備する。
The read address control unit (RAC) (41)
0 ) has a no-monitoring function in order to recognize the presence / absence of an ATM cell (C) to be read from each QCP counter (CNT) (431 0 ) in the QCP scheduler (QRS) (43 0 ). I do.

【0062】特定のQCPカウンタ(CNT)(431
0 )における皆無状態は、読出すべきATMセル(C)
のセル格納量(nC )と、擬似セル量(nCD)とが何れ
も0であることにより判定する。
A specific QCP counter (CNT) (431)
The zero state at 0 ) indicates that the ATM cell (C) to be read
Is determined by the fact that both the cell storage amount (n C ) and the pseudo cell amount (n CD ) are 0.

【0063】なおセル格納量(nC )が0であること
は、読出アドレス(ra)発行後に、発行した読出アド
レス(ra)と、読出制御レジスタ(RCR)(421
0 )内の末尾アドレス(aL )とが一致することにより
判定する。
The fact that the cell storage amount (n C ) is 0 means that the read address (ra) issued and the read control register (RCR) (421) are issued after the read address (ra) is issued.
The determination is made based on a match with the end address (a L ) in ( 0 ).

【0064】なお皆無状態は、それ以降のセル時間にお
いて、有効書込アドレス(wa)を受信し、先頭アドレ
ス(aP )および末尾アドレス(aL )に設定した場合
に解除する。
The blank state is canceled when the effective write address (wa) is received and the start address (a P ) and the end address (a L ) are set in the subsequent cell time.

【0065】以上の説明から明らかな如く、本発明の実
施形態によれば、各共通バッファメモリ(CBM)(2
A0)および(2A1)を複数のレベルに区分し、スケジュ
ーラリセットを実行する場合には、現在のバッファ使用
レベル(blv)迄の記憶領域〔即ち擬似セル量
(nCD)〕を対象として、現用系および予備系で同時に
スケジューラリセットを開始することにより、当然現用
系および予備系の共通バッファメモリ(CBM)
(2A0)および(2A1)が同期して皆無状態となること
によりスケジューラリセットを完了可能となり、従来あ
るセル読出同期制御方法の如く、共通バッファメモリ
(CBM)(20 )および(21 )の全記憶領域を皆無
状態とする必要が無くなり、共通バッファメモリ(CB
M)(2A0)および(2 A1)の記憶容量および到着する
ATMセル(C)の帯域および帯域変化に拘らず、スケ
ジューラリセットを速やかに実行可能となる。
As is clear from the above description, the present invention
According to the embodiment, each common buffer memory (CBM) (2
A0) And (2)A1) Is divided into multiple levels,
When executing a reset, the current buffer is used.
Storage area up to level (blv) [ie, pseudo cell amount
(NCD)] For the working system and the standby system at the same time.
By initiating a scheduler reset, of course
System and standby system common buffer memory (CBM)
(2A0) And (2)A1) Are synchronized and have no state
Allows the scheduler reset to be completed.
Cell buffer synchronous control method
(CBM) (20) And (2)1) No storage space
There is no need to set the state, and the common buffer memory (CB
M) (2A0) And (2) A1) Storage capacity and arrive
Regardless of the band of ATM cell (C) and band change, schedule
The joule reset can be executed promptly.

【0066】なお、図2乃至図8はあく迄本発明の一実
施形態に過ぎず、例えばATMスイッチの構成は図示さ
れるものに限定されることは無く、他に幾多の変形が考
慮されるが、何れの場合にも本発明の効果は変わらな
い。
FIGS. 2 to 8 are merely one embodiment of the present invention. For example, the configuration of the ATM switch is not limited to the illustrated one, and various other modifications may be considered. However, the effect of the present invention does not change in any case.

【0067】[0067]

【発明の効果】以上、本発明によれば、前記二重化され
たATMスイッチにおいて、両系の共通バッファメモリ
に格納中のセルを総て抽出し終わり、各共通バッファメ
モリ内に記憶中のセルが皆無とする必要が無くなり、共
通バッファメモリの記憶容量および到着セルの帯域およ
び帯域変化に拘らず、両系からのセル読出しを迅速に同
期化することとなる。
As described above, according to the present invention, in the duplicated ATM switch, all the cells stored in the common buffer memories of both systems have been completely extracted, and the cells stored in each of the common buffer memories have been extracted. There is no need to eliminate them, and cell reading from both systems is quickly synchronized irrespective of the storage capacity of the common buffer memory and the band of the arriving cell and band changes.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の原理図FIG. 1 is a principle diagram of the present invention.

【図2】 本発明の実施形態によるATMスイッチ装置FIG. 2 is an ATM switch device according to an embodiment of the present invention;

【図3】 図2における共通バッファメモリFIG. 3 shows a common buffer memory in FIG. 2;

【図4】 図2における読出制御部FIG. 4 is a read control unit in FIG. 2;

【図5】 図4における読出制御レジスタFIG. 5 is a read control register in FIG. 4;

【図6】 図4における読出制御テーブルFIG. 6 is a read control table in FIG. 4;

【図7】 図4における読出制御レジスタ、読出制御テ
ーブルの更新処理
7 is a process of updating a read control register and a read control table in FIG.

【図8】 図4における読出アドレス発行処理FIG. 8 is a read address issuing process in FIG. 4;

【図9】 従来あるATMスイッチ装置FIG. 9 shows a conventional ATM switch device.

【図10】 従来あるセル読出同期制御方法FIG. 10 shows a conventional cell read synchronization control method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ATMスイッチ 2、2A 共通バッファメモリ(CBM) 3 書込制御部(WC) 4、4A 読出制御部(RC) 5 入力ハイウェイ 6 出力ハイウェイ 7 前段装置(X) 41 読出アドレス制御部(RAC) 42 読出アドレスバッファ部(ABMR) 43 QCPスケジューラ(QRS) 421 読出制御レジスタ(RCR) 422 読出制御テーブル(RT) 431 QCPカウンタ(CNT)1 ATM switch 2, 2 A shared buffer memory (CBM) 3 write controller (WC) 4,4 A read controller (RC) 5 input highways 6 output highways 7 preceding apparatus (X) 41 read address controller (RAC ) 42 Read address buffer (ABMR) 43 QCP scheduler (QRS) 421 Read control register (RCR) 422 Read control table (RT) 431 QCP counter (CNT)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 それぞれ共通バッファメモリを具備し、
一方を現用系、他方を予備系として運用し、入力ハイウ
ェイから到着するセルを並行して前記両系の共通バッフ
ァメモリに一旦格納した後抽出し、前記現用系の共通バ
ッファメモリから抽出したセルのみを出力ハイウェイに
送出する二重化されたATMスイッチにおいて、 前記各ATMスイッチは、前記系構成を変更する場合
に、前記両系の共通バッファメモリにそれぞれ同量のセ
ルが格納される如く、擬似セルを設定した後、前記両系
の共通バッファメモリに格納中のセルおよび前記擬似セ
ルを同期して抽出し、前記両系の共通バッファメモリか
らそれぞれ前記同量のセルおよび擬似セルを抽出終わっ
た段階で、前記両系からのセル読出しを同期化すること
を特徴とするセル読出同期制御方法。
Claims: 1. Each comprises a common buffer memory,
One is operated as the active system and the other is operated as the standby system, and cells arriving from the input highway are stored in parallel in the common buffer memories of the two systems and then extracted, and only the cells extracted from the common buffer memory of the active system are extracted. Are output to the output highway. Each of the ATM switches, when changing the system configuration, stores pseudo cells such that the same amount of cells are stored in the common buffer memories of both systems. After the setting, the cells and the pseudo cells stored in the common buffer memories of the two systems are synchronously extracted, and at the stage where the same amount of cells and pseudo cells are respectively extracted from the common buffer memories of the two systems. And synchronizing the cell readings from the two systems.
【請求項2】 前記各ATMスイッチは、前記各共通バ
ッファメモリの記憶領域をそれぞれ同一形式で複数の記
憶領域に区分し、前記系構成を変更する場合に、前記各
共通バッファメモリの同一の記憶領域区分が総て格納中
となる如く前記擬似セルを設定することを特徴とする請
求項1記載のセル読出同期制御方法。
2. Each of the ATM switches divides a storage area of each of the common buffer memories into a plurality of storage areas in the same format, and when changing the system configuration, stores the same storage area of each of the common buffer memories. 2. The method according to claim 1, wherein the pseudo cells are set such that all the area divisions are being stored.
【請求項3】 前記現用系のATMスイッチは、前記系
構成を変更する場合に、現在前記入力ハイウェイからの
到着セルを格納中の前記現用系の共通バッファメモリの
記憶領域区分を前記予備系のATMスイッチに通知する
と共に、前記予備系のATMスイッチに通知した記憶領
域区分が総て格納中となる如く前記擬似セルを設定し、 前記予備系のATMスイッチは、前記予備系の共通バッ
ファメモリの、前記現用系のATMスイッチから通知さ
れた前記記憶領域区分と同一の記憶領域区分が総て格納
中となる如く前記擬似セルを設定することを特徴とする
請求項2記載のセル読出同期制御方法。
3. The working ATM switch, when changing the system configuration, changes the storage area division of the working common buffer memory, which is currently storing cells arriving from the input highway, of the protection system. At the same time as notifying the ATM switch, the pseudo cell is set so that the storage area divisions notified to the standby ATM switch are all stored. 3. The cell read synchronization control method according to claim 2, wherein the pseudo cell is set such that all storage area sections identical to the storage area section notified from the active ATM switch are being stored. .
【請求項4】 前記各ATMスイッチは、それぞれ前記
同量のセルおよび擬似セルを、前記各共通バッファメモ
リから抽出し終わる迄に、前記入力ハイウェイから新た
に到着するセルに所定の識別情報を付加してそれぞれ共
通バッファメモリに格納し、前記同量のセルおよび擬似
セルを、前記各共通バッファメモリから抽出し終わった
後に、前記識別情報を付加したセルを読出し可能とする
ことを特徴とする請求項1記載のセル読出同期制御方
法。
4. The ATM switch adds predetermined identification information to cells newly arriving from the input highway until the same amount of cells and pseudo cells have been extracted from the respective common buffer memories. And storing the cells in the common buffer memory, and after extracting the same amount of cells and pseudo cells from each of the common buffer memories, reading the cells to which the identification information is added can be read out. Item 2. The cell reading synchronization control method according to Item 1.
JP9301540A 1997-11-04 1997-11-04 Cell read synchronization control method Withdrawn JPH11136258A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009539305A (en) * 2006-05-30 2009-11-12 アルカテル−ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド Uninterrupted network control message generation during local node outage

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