JPH11136049A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH11136049A
JPH11136049A JP9314573A JP31457397A JPH11136049A JP H11136049 A JPH11136049 A JP H11136049A JP 9314573 A JP9314573 A JP 9314573A JP 31457397 A JP31457397 A JP 31457397A JP H11136049 A JPH11136049 A JP H11136049A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor integrated circuit which does not need other circuit elements or external terminals in the case of externally connecting a transistor in parallel with an internal control transistor. SOLUTION: A transistor Q1 operates when voltage that exceeds the sum voltage of voltage that is generated by a diode which is connected to a base of a control transistor Q1 and voltage between the base and emitter of the transistor Q1 is applied to a connection point between the emitter of the transistor Q1 and a control circuit of the diode. Even when voltage between the base and emitter of a transistor Q2 that is externally connected disperses, because the voltage always becomes smaller than the voltage of the sum, it stops the operation of the transistor Q1 and can surely operate only the external transistor Q2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、大きな出力を得よ
うとする場合に、半導体集積回路の内部の制御トランジ
スタと並列に外部にトランジスタを接続するように構成
された半導体集積回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit configured to connect an external transistor in parallel with a control transistor inside a semiconductor integrated circuit when a large output is to be obtained.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えばシリーズレギュレータが形成され
た半導体集積回路では、集積回路内の制御トランジスタ
を制御して得られる出力よりも大きな出力を得るため
に、必要に応じて電流容量の大きなトランジスタを該制
御トランジスタと並列に外部に接続可能に構成される。
図3は、このような構成の従来の半導体集積回路の回路
図である。入力端子1と出力端子2間には、点線で示す
半導体集積回路6の内部で制御トランジスタQ1が直列
接続されており、トランジスタQ1はベースに接続する
制御回路5により制御される。トランジスタQ1のベー
スは端子3に導出されている。大きな出力を得るために
集積回路6の外部に別のトランジスタQ2を接続する場
合には、入力端子1と出力端子2間にトランジスタQ1
と並列に接続される。そして、トランジスタQ2を接続
する場合には、そのベースは端子3によりトランジスタ
Q1のベースと共に制御回路5に接続される。そして、
集積回路6の内部のトランジスタQ1の動作を停止さ
せ、外部のトランジスタQ2だけを制御トランジスタと
して動作させる。
2. Description of the Related Art For example, in a semiconductor integrated circuit in which a series regulator is formed, a transistor having a large current capacity is provided as necessary in order to obtain an output larger than an output obtained by controlling a control transistor in the integrated circuit. It is configured to be connectable to the outside in parallel with the control transistor.
FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional semiconductor integrated circuit having such a configuration. Between the input terminal 1 and the output terminal 2, a control transistor Q1 is connected in series inside a semiconductor integrated circuit 6 indicated by a dotted line, and the transistor Q1 is controlled by a control circuit 5 connected to the base. The base of the transistor Q1 is led out to the terminal 3. When another transistor Q2 is connected outside the integrated circuit 6 to obtain a large output, the transistor Q1 is connected between the input terminal 1 and the output terminal 2.
And connected in parallel. When the transistor Q2 is connected, its base is connected to the control circuit 5 through the terminal 3 together with the base of the transistor Q1. And
The operation of the transistor Q1 inside the integrated circuit 6 is stopped, and only the external transistor Q2 is operated as a control transistor.

【0003】ところが、外部のトランジスタQ2のベー
ス・エミッタ間電圧VBE2 が内部のトランジスタQ1の
ベース・エミッタ間電圧VBE1 よりも大きい場合には、
トランジスタQ2が動作することなくトランジスタQ1
だけが依然として動作し、過負荷の状態が発生する。そ
して、温度が上昇してベース・エミッタ間電圧VBE1
さらに下がり、発振を生じたり、破損する状態が発生し
やすい。いずれにせよ、トランジスタQ2が動作しない
場合には、目的とする大きな出力は得られない。
However, when the base-emitter voltage V BE2 of the external transistor Q2 is higher than the base-emitter voltage V BE1 of the internal transistor Q1,
The transistor Q1 operates without the transistor Q2 operating.
Only still works and an overload condition occurs. Then, the temperature rises, and the base-emitter voltage V BE1 further falls, so that oscillation or damage is likely to occur. In any case, if the transistor Q2 does not operate, the intended large output cannot be obtained.

【0004】図4は、内部の制御トランジスタQ1の動
作を停止させ、外部に接続されるトランジスタQ2を確
実に動作させることのできる従来の半導体集積回路の回
路図である。集積回路6の外側に外部端子7を設け、ト
ランジスタQ2は外部端子7と出力端子2間に接続され
ている。外部端子7と集積回路6の入力端子1間には抵
抗R3が接続し、抵抗R3の両端には片側を接地された
コンデンサC1、C2が夫々接続している。集積回路6
の内部は図3と同様に形成され、制御トランジスタQ1
とトランジスタQ2のベースは集積回路6の端子3によ
り制御回路5に共通に接続される。入力は、外部端子7
に供給される。
FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional semiconductor integrated circuit capable of stopping operation of an internal control transistor Q1 and reliably operating an externally connected transistor Q2. An external terminal 7 is provided outside the integrated circuit 6, and the transistor Q2 is connected between the external terminal 7 and the output terminal 2. A resistor R3 is connected between the external terminal 7 and the input terminal 1 of the integrated circuit 6, and capacitors C1 and C2 each having one side grounded are connected to both ends of the resistor R3. Integrated circuit 6
Are formed in the same manner as in FIG.
And the base of transistor Q2 are commonly connected to control circuit 5 by terminal 3 of integrated circuit 6. The input is external terminal 7
Supplied to

【0005】図4においては、抵抗R3によりトランジ
スタQ1のエミッタ電圧をトランジスタQ2のエミッタ
電圧よりも低くすることにより、トランジスタQ1のベ
ース・エミッタ間に加わる電圧がトランジスタQ2のベ
ース・エミッタ間に加わる電圧よりも小さくなるように
してある。このようにすれば、外部にトランジスタQ2
を接続する場合には、そのベース・エミッタ間電圧V
BE2 がばらついても常に外部のトランジスタQ2を動作
させて出力を増すという初期の目的を達成できる。しか
し、トランジスタQ2の他に抵抗R3を外部に接続する
必要があり、また抵抗R3の接続による入力インピーダ
ンスの増加を防ぐためのコンデンサC1、C2の接続も
必要になる。さらに、外部端子7も必要になる。集積回
路6の外側に外部端子を設け、その外側に接続するトラ
ンジスタの他に複数の回路素子の接続を必要とすること
は、集積回路で目的を達成できない場合に最低限の回路
素子だけを外部に接続するという見地から望ましくな
い。
In FIG. 4, by making the emitter voltage of the transistor Q1 lower than the emitter voltage of the transistor Q2 by the resistor R3, the voltage applied between the base and the emitter of the transistor Q1 becomes the voltage applied between the base and the emitter of the transistor Q2. It is made to be smaller than that. By doing so, the transistor Q2
Is connected, the base-emitter voltage V
Even if BE2 varies, the initial purpose of always operating the external transistor Q2 to increase the output can be achieved. However, it is necessary to connect the resistor R3 to the outside in addition to the transistor Q2, and it is also necessary to connect the capacitors C1 and C2 to prevent the input impedance from increasing due to the connection of the resistor R3. Further, an external terminal 7 is required. Providing an external terminal outside the integrated circuit 6 and requiring a plurality of circuit elements to be connected in addition to the transistor connected to the outside of the integrated circuit 6 means that only a minimum number of circuit elements can be externally connected when the purpose of the integrated circuit cannot be achieved. This is undesirable from the point of view of connecting to

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、内部
の制御トランジスタと並列に外部にトランジスタを接続
する場合、他の回路素子や外部端子を必要としない半導
体集積回路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit which does not require other circuit elements or external terminals when an external transistor is connected in parallel with an internal control transistor. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、入力端子と出
力端子間に制御トランジスタが直列接続され、該トラン
ジスタにより出力が制御される半導体集積回路におい
て、該トランジスタのベースには半導体回路素子のPN
接合の一端が接続されており、該PN接合の他端は該ト
ランジスタの制御回路に接続されると共に端子に導出さ
れていることを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit in which a control transistor is connected in series between an input terminal and an output terminal and whose output is controlled by the transistor. PN
One end of the junction is connected, and the other end of the PN junction is connected to a control circuit of the transistor and is led out to a terminal.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明の半導体集積回路では、制
御トランジスタのベースに接続するPN接合により発生
する電圧と該トランジスタのベース・エミッタ間電圧の
和の電圧を越えた電圧が、該トランジスタのエミッタと
PN接合の制御回路との接続点間に加えられた場合に、
該トランジスタが動作するように形成される。外部に接
続するトランジスタのベース・エミッタ間電圧がばらつ
いても、その電圧は該和の電圧よりも常に小さくなるか
ら制御トランジスタの動作は停止し、外部のトランジス
タだけを確実に動作させることができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a semiconductor integrated circuit according to the present invention, a voltage exceeding a sum of a voltage generated by a PN junction connected to a base of a control transistor and a base-emitter voltage of the transistor is applied to the control transistor. When applied between the connection point of the emitter and the control circuit of the PN junction,
The transistor is formed to operate. Even if the voltage between the base and the emitter of the transistor connected to the outside varies, the voltage always becomes smaller than the sum voltage, so that the operation of the control transistor is stopped and only the external transistor can be reliably operated.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の半導体集積回路の実施例を示
す回路図である図1を参照しながら説明する。なお、図
4、図5と同一部分は同じ符号を付与してある。図1に
おいて、半導体集積回路6の入力端子1と出力端子2間
にはPNP形の制御トランジスタQ1が直列接続されて
いる。トランジスタQ1のベースにはダイオードD1の
アノードが接続し、カソードはトランジスタQ3のコレ
クタに接続すると共に半導体集積回路6の外部に露呈す
る入力端子1、出力端子2とは別の端子3に接続する。
なお、ダイオードD1はコレクタ・ベース間を接続され
た、いわゆるダイオード接続されたトランジスタにより
一般に形成される。NPN形のトランジスタQ3のベー
スは、誤差増幅器4の出力側に接続し、エミッタは接地
される。抵抗R1と抵抗R2の直列回路が出力端子2と
接地間に接続し、抵抗R1、R2の接続点は誤差増幅器
4の非反転入力端子に接続する。誤差増幅器4の反転入
力端子には基準電圧VREが加えられる。トランジスタQ
1は、そのベース・エミッタ間電圧VBE1 とダイオード
D1のPN接合により発生する電圧の和の電圧以上の電
圧がダイオードD1のカソードとトランジスタQ1のエ
ミッタ間に加えられた時に動作する。夫々の電圧は0.6V
程度であるから和の電圧は、1.2V程度になる。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a semiconductor integrated circuit according to the present invention. 4 and 5 are denoted by the same reference numerals. In FIG. 1, a PNP-type control transistor Q1 is connected in series between an input terminal 1 and an output terminal 2 of a semiconductor integrated circuit 6. The base of the transistor Q1 is connected to the anode of the diode D1, and the cathode is connected to the collector of the transistor Q3 and to the terminal 3 different from the input terminal 1 and the output terminal 2 exposed outside the semiconductor integrated circuit 6.
Note that the diode D1 is generally formed by a so-called diode-connected transistor connected between the collector and the base. The base of the NPN transistor Q3 is connected to the output side of the error amplifier 4, and the emitter is grounded. A series circuit of the resistors R1 and R2 is connected between the output terminal 2 and the ground, and the connection point between the resistors R1 and R2 is connected to the non-inverting input terminal of the error amplifier 4. A reference voltage V RE is applied to the inverting input terminal of the error amplifier 4. Transistor Q
1 operates when a voltage equal to or higher than the sum of the base-emitter voltage V BE1 and the voltage generated by the PN junction of the diode D1 is applied between the cathode of the diode D1 and the emitter of the transistor Q1. Each voltage is 0.6V
Therefore, the sum voltage is about 1.2V.

【0010】この半導体集積回路6は、出力端子2の出
力電圧に対応する電圧を抵抗R1、R2の直列回路によ
り検出する。誤差増幅器4は、検出した電圧と基準電圧
REを比較し、トランジスタQ3のコレクタ電流を増減
する。出力端子2に得られる出力電圧が設定された値よ
り低ければ、トランジスタQ3のコレクタ電流が増加
し、またトランジスタQ1のベース電流も増加する。出
力電圧が設定された値より高ければ、トランジスタQ3
のコレクタ電流とトランジスタQ1のベース電流は減少
する。このように誤差増幅器4とトランジスタQ3が制
御回路を形成し、制御トランジスタQ1のベース電流を
制御することにより、出力端子1に設定された出力電圧
が得られる。
The semiconductor integrated circuit 6 detects a voltage corresponding to the output voltage of the output terminal 2 by a series circuit of resistors R1 and R2. Error amplifier 4 compares the detected voltage with reference voltage V RE to increase or decrease the collector current of transistor Q3. If the output voltage obtained at output terminal 2 is lower than the set value, the collector current of transistor Q3 increases, and the base current of transistor Q1 also increases. If the output voltage is higher than the set value, the transistor Q3
And the base current of the transistor Q1 decreases. As described above, the error amplifier 4 and the transistor Q3 form a control circuit, and control the base current of the control transistor Q1 to obtain the output voltage set at the output terminal 1.

【0011】電流容量の大きなトランジスタQ2を外部
に接続する場合には、そのエミッタを入力端子1、コレ
クタを出力端子2に接続し、さらにベースをダイオード
D1のカソードとトランジスタQ3のコレクタの接続点
に接続する端子3に接続することにより、トランジスタ
Q2はトランジスタQ1と並列接続される。この場合、
トランジスタQ2はベース・エミッタ間電圧VBE2 によ
り動作するが、トランジスタQ1は前記したように和の
電圧により動作する。トランジスタQ2のベース・エミ
ッタ間電圧VBE2 がばらついても、1.2V程度の和の電圧
よりも小さいことは明らかであり、外部に接続されたト
ランジスタQ2が確実に動作し、集積回路6の内部のト
ランジスタQ1は動作しない。したがって、電流容量の
大きなトランジスタQ2を制御回路で制御することによ
り、大きな出力を出力端子2に得ることができる。
When the transistor Q2 having a large current capacity is externally connected, its emitter is connected to the input terminal 1, its collector is connected to the output terminal 2, and its base is connected to the connection point between the cathode of the diode D1 and the collector of the transistor Q3. By connecting to the connecting terminal 3, the transistor Q2 is connected in parallel with the transistor Q1. in this case,
The transistor Q2 operates with the base-emitter voltage V BE2 , while the transistor Q1 operates with the sum voltage as described above. Even if the base-emitter voltage V BE2 of the transistor Q2 varies, it is apparent that the voltage is smaller than the sum of about 1.2V, so that the externally connected transistor Q2 operates reliably and the internal The transistor Q1 does not operate. Therefore, a large output can be obtained at the output terminal 2 by controlling the transistor Q2 having a large current capacity by the control circuit.

【0012】図2は、本発明の半導体集積回路の他の実
施例を示す回路図である。入力端子1と出力端子2間に
制御トランジスタQ1が直列接続されているが、トラン
ジスタQ1は別のトランジスタQ4と共にダーリントン
回路を形成している。そして、トランジスタQ4のベー
スが、制御回路を形成するトランジスタQ3のコレクタ
に接続すると共に端子3に接続する。トランジスタQ2
に接続するPN接合は、トランジスタQ4のベース・エ
ミッタ間接合により形成される。外部のトランジスタQ
2は図1の場合と同様に入力端子1、出力端子2、端子
3に接続される。
FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of the semiconductor integrated circuit of the present invention. The control transistor Q1 is connected in series between the input terminal 1 and the output terminal 2, and the transistor Q1 forms a Darlington circuit with another transistor Q4. The base of the transistor Q4 is connected to the collector of the transistor Q3 forming the control circuit and to the terminal 3. Transistor Q2
Is formed by the base-emitter junction of the transistor Q4. External transistor Q
2 is connected to the input terminal 1, the output terminal 2, and the terminal 3 as in the case of FIG.

【0013】図2の場合、トランジスタQ1のベース・
エミッタ間電圧VBE1 とトランジスタQ4のベース・エ
ミッタ間電圧VBE4 の和以上の電圧が、トランジスタQ
1のエミッタとトランジスタQ4のベース間に加えられ
た時にトランジスタQ1とトランジスタQ4は動作す
る。トランジスタQ2が並列接続された場合、そのベー
ス・エミッタ間電圧VBE2は和の電圧よりも明らかに小
さいから外部に接続されたトランジスタQ2が確実に動
作する。なお、実施例ではシリーズレギュレータを例に
とり説明したが、電流を制御する他の一般的な回路にも
応用できる。ダイオードは一般のダイオードの他に、シ
ョットキーダイオード等の種々のダイオードを使用でき
る。
In the case of FIG. 2, the base of the transistor Q1
A voltage equal to or higher than the sum of the emitter-to-emitter voltage V BE1 and the base-emitter voltage V BE4 of the transistor Q4
The transistor Q1 and the transistor Q4 operate when applied between the emitter of one and the base of the transistor Q4. When the transistor Q2 is connected in parallel, its base-emitter voltage V BE2 is clearly smaller than the sum voltage, so that the externally connected transistor Q2 operates reliably. Although the series regulator has been described as an example in the embodiment, the present invention can be applied to other general circuits for controlling current. As the diode, various diodes such as a Schottky diode can be used in addition to a general diode.

【0014】[0014]

【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体集積
回路は内部の制御トランジスタのベースに半導体回路素
子のPN接合の一端を接続してあり、その他端を制御回
路に接続すると共に端子に導出してあり、外部に別のト
ランジスタが接続される場合には、その別のトランジス
タのベースが端子を介して制御回路に接続される。制御
トランジスタのベースと制御回路間にはPN接合による
電圧降下による電圧が発生するが、外部に接続されたト
ランジスタには発生しない。したがって、外部に接続さ
れたトランジスタを確実に動作させ、内部の制御トラン
ジスタの動作を停止させることができる。このことによ
り、外部に接続されるトランジスタの制御による大きな
出力が確実に出力端子に得られる。しかも、トランジス
タを除き外部端子や他の回路素子の接続は全く不要であ
り、必要に応じて最低限の回路素子だけを集積回路の外
部に接続するという見地から実用的な発明である。
As described above, in the semiconductor integrated circuit of the present invention, one end of the PN junction of the semiconductor circuit element is connected to the base of the internal control transistor, and the other end is connected to the control circuit and to the terminal. If another transistor is externally connected, the base of the other transistor is connected to the control circuit via the terminal. A voltage is generated between the base of the control transistor and the control circuit due to a voltage drop due to the PN junction, but is not generated in an externally connected transistor. Therefore, the externally connected transistor can be reliably operated, and the operation of the internal control transistor can be stopped. As a result, a large output by the control of the transistor connected to the outside can be reliably obtained at the output terminal. In addition, there is no need to connect external terminals or other circuit elements except for transistors, and this is a practical invention from the viewpoint of connecting only the minimum number of circuit elements to the outside of the integrated circuit as necessary.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の半導体集積回路の実施例を示す回路
図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a semiconductor integrated circuit of the present invention.

【図2】 本発明の半導体集積回路の他の実施例を示す
回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of the semiconductor integrated circuit of the present invention.

【図3】 従来の半導体集積回路の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional semiconductor integrated circuit.

【図4】 従来の半導体集積回路の他の回路図である。FIG. 4 is another circuit diagram of a conventional semiconductor integrated circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 入力端子 2 出力端子 3 端子 Q1 制御トランジスタ 1 input terminal 2 output terminal 3 terminal Q1 control transistor

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力端子と出力端子間に制御トランジス
タが直列接続され、該トランジスタにより出力が制御さ
れる半導体集積回路において、該トランジスタのベース
には半導体回路素子のPN接合の一端が接続されてお
り、該PN接合の他端は該トランジスタの制御回路に接
続されると共に半導体集積回路の外側に露呈する端子に
導出されていることを特徴とする半導体集積回路。
1. A semiconductor integrated circuit in which a control transistor is connected in series between an input terminal and an output terminal and whose output is controlled by the transistor, one end of a PN junction of a semiconductor circuit element is connected to a base of the transistor. The other end of the PN junction is connected to a control circuit of the transistor and is led to a terminal exposed outside the semiconductor integrated circuit.
【請求項2】 該PN接合は、ダイオードにより形成さ
れている請求項1の半導体集積回路。
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein said PN junction is formed by a diode.
【請求項3】 該PN接合は、制御トランジスタと共に
ダーリントン回路を形成する別のトランジスタにより形
成されている請求項1の半導体集積回路。
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein said PN junction is formed by another transistor forming a Darlington circuit together with a control transistor.
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