JPH11136047A - High frequency power amplifier - Google Patents
High frequency power amplifierInfo
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- JPH11136047A JPH11136047A JP9314223A JP31422397A JPH11136047A JP H11136047 A JPH11136047 A JP H11136047A JP 9314223 A JP9314223 A JP 9314223A JP 31422397 A JP31422397 A JP 31422397A JP H11136047 A JPH11136047 A JP H11136047A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波増幅素子と
してGaAsFETを含むGaAsMMICと、該Ga
AsMMIC用の付随回路を含むシリコンICとからな
る高周波電力増幅器に関する。The present invention relates to a GaAs MMIC including a GaAs FET as a high-frequency amplifier,
The present invention relates to a high-frequency power amplifier including a silicon IC including an associated circuit for AsMMIC.
【0002】[0002]
【従来の技術】図2に、従来用いられているGaAsF
ETを含む高周波電力増幅器の一例を示す。2. Description of the Related Art FIG.
1 shows an example of a high-frequency power amplifier including an ET.
【0003】本例は、FET2段構成のGaAsMMI
Cチップ1と、その付随回路としてDC/DCコンバー
タ23を含むシリコンICチップ2を、同一パッケージ
内に収めた例である。In this example, a GaAs MMI having a two-stage FET configuration is used.
This is an example in which a C chip 1 and a silicon IC chip 2 including a DC / DC converter 23 as an associated circuit are housed in the same package.
【0004】DC/DCコンバータ23は、正電圧を負
電圧に変換しGaAsFETのゲート電圧を得るために
設けられる。A DC / DC converter 23 is provided for converting a positive voltage to a negative voltage and obtaining a gate voltage of the GaAs FET.
【0005】高周波入力信号は、GaAsMMICチッ
プ1内の信号入力端子3より、入力整合回路4を介して
初段のFET5のゲートに接続され、FET5のドレイ
ンはDCカット用コンデンサ6を介して更に後段のFE
T7のゲートに接続され、FET7のドレインは出力整
合回路8を介して信号出力端子9に接続される。A high-frequency input signal is connected from a signal input terminal 3 in the GaAs MMIC chip 1 to the gate of the first-stage FET 5 via an input matching circuit 4, and the drain of the FET 5 is further connected via a DC cut capacitor 6 to a subsequent stage. FE
The drain of the FET 7 is connected to the signal output terminal 9 via the output matching circuit 8.
【0006】各FETのドレイン電圧は、ドレイン電圧
給電端子19、21から入力され、それぞれチョークコ
イル11、13を介してFET5、7の各ドレインに供
給される。The drain voltage of each FET is input from drain voltage supply terminals 19 and 21 and supplied to the drains of FETs 5 and 7 via choke coils 11 and 13, respectively.
【0007】一方、各FETのゲート電圧については、
電圧入力端子22から給電される電圧+VGGが、シリ
コンIC2内のDC/DCコンバータ23で電圧−VG
Gに変換されて電圧出力端子24から出力され、ゲート
電圧給電端子18、20を介し、更にチョークコイル1
0、12を介して、それぞれFET5、7のゲートに供
給される。On the other hand, regarding the gate voltage of each FET,
The voltage + VGG supplied from the voltage input terminal 22 is converted into a voltage −VG by the DC / DC converter 23 in the silicon IC 2.
G is output from the voltage output terminal 24 and is output through the gate voltage supply terminals 18 and 20 to the choke coil 1.
The signals are supplied to the gates of FETs 5 and 7 via 0 and 12, respectively.
【0008】また、GaAsMMICチップ1内には、
FET5、7のバイアス回路として、上記チョークコイ
ル10、11、12、13と共に、発振防止用のバイパ
スコンデンサ14、15、16、17が設けられる。In the GaAs MMIC chip 1,
As the bias circuits for the FETs 5 and 7, bypass capacitors 14, 15, 16 and 17 for preventing oscillation are provided together with the choke coils 10, 11, 12 and 13.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】高周波電力増幅器に
は、多くのコンデンサが設けられるが、発振防止用に用
いられるバイパスコンデンサは大容量のものを必要とす
る。The high-frequency power amplifier is provided with many capacitors, but a large-capacity bypass capacitor for preventing oscillation is required.
【0010】上記のような従来の高周波電力増幅器にお
いては、これらバイパスコンデンサが高価なGaAsチ
ップ内に形成されるため、GaAsチップ面積が増大し
コストを押し上げる一因となっている。In the conventional high-frequency power amplifier as described above, since these bypass capacitors are formed in an expensive GaAs chip, the area of the GaAs chip is increased, which is one of the factors that raises the cost.
【0011】本発明は、上記問題点を解消したコスト低
減が可能な高周波電力増幅器を提供しようとするもので
ある。An object of the present invention is to provide a high-frequency power amplifier which can solve the above problems and can reduce the cost.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は高周波増幅素子としてGaAsFETを含
むGaAsMMICと、該GaAsMMIC用の付随回
路を含むシリコンICとからなる高周波電力増幅器にお
いて、前記GaAsFETのドレインバイアス回路及び
ゲートバイアス回路に用いる各バイパスコンデンサを、
前記シリコンICの内部に設け、前記各バイアス回路に
接続した。In order to achieve the above object, the present invention relates to a high frequency power amplifier comprising a GaAs MMIC including a GaAs FET as a high frequency amplifying element and a silicon IC including an associated circuit for the GaAs MMIC. Each bypass capacitor used for the drain bias circuit and the gate bias circuit,
It was provided inside the silicon IC and connected to each of the bias circuits.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】図1は、本発明の高周波電力増幅
器の一実施例の回路図であり、本例は図2に示した従来
例と同等な電力増幅器に本発明の構成を適用したもので
ある。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a high-frequency power amplifier according to the present invention. In this embodiment, the configuration of the present invention is applied to a power amplifier equivalent to the conventional example shown in FIG. Things.
【0014】本実施例では、シリコンICチップ2内に
は、DC/DCコンバータ23と共に、バイパスコンデ
ンサ14、15、16、17が作り込まれ、これらコン
デンサはそれぞれ端子24、25、26、27を介し
て、GaAsチップ1側に接続される。In this embodiment, bypass capacitors 14, 15, 16, 17 are built in the silicon IC chip 2 together with the DC / DC converter 23, and these capacitors have terminals 24, 25, 26, 27, respectively. Through the GaAs chip 1 side.
【0015】電圧入力端子22から給電され、DC/D
Cコンバータ23により極性変換された出力電圧−VG
Gは、電圧出力端子24及び26から出力される。Power is supplied from the voltage input terminal 22 and the DC / D
Output voltage -VG whose polarity has been converted by C converter 23
G is output from the voltage output terminals 24 and 26.
【0016】また、電圧出力端子24、26には、それ
ぞれバイパスコンデンサ14、16が接続され、コンデ
ンサ端子25、27には、それぞれバイパスコンデンサ
15、17が接続される。The voltage output terminals 24 and 26 are connected to bypass capacitors 14 and 16, respectively, and the capacitor terminals 25 and 27 are connected to bypass capacitors 15 and 17, respectively.
【0017】電圧出力端子24、26は、それぞれゲー
ト電圧圧給電端子18、20に接続され、チョークコイ
ル10、12を介してFET5、7にそれぞれゲートバ
イアス電圧を供給する。The voltage output terminals 24 and 26 are connected to gate voltage and voltage supply terminals 18 and 20, respectively, and supply gate bias voltages to the FETs 5 and 7 via the choke coils 10 and 12, respectively.
【0018】また、コンデンサ端子25、27は、それ
ぞれドレイン電圧給電端子19、21(外部回路からド
レイン電圧が供給される。)に接続され、これら端子1
9、21はチョークコイル11、13を介してFET
5、7にそれぞれドレインバイアス電圧を供給する。The capacitor terminals 25 and 27 are connected to drain voltage supply terminals 19 and 21 (a drain voltage is supplied from an external circuit), respectively.
9 and 21 are FETs via the choke coils 11 and 13
Drain bias voltages are supplied to 5 and 7, respectively.
【0019】上述したように、本実施例では大容量のバ
イパスコンデンサ14、15、1617が付随回路のD
C/DCコンバータ23と共に、シリコンICチップ2
内に作り込まれるので、高価なGaAsチップ面積を減
らすことができ、コスト低減が可能となる。As described above, in this embodiment, the large-capacity bypass capacitors 14, 15, 1617 are connected to the D of the associated circuit.
Silicon IC chip 2 together with C / DC converter 23
Since it is built in the GaAs chip, the area of the expensive GaAs chip can be reduced and the cost can be reduced.
【0020】[0020]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の高周波電
力増幅器においては、GaAsFETのドレインバイア
ス回路及びゲートバイアス回路に用いる各バイパスコン
デンサを、GaAsMMICチップ内でなく、付随回路
を含むシリコンICチップ内に設けたことにより、高価
なGaAsチップの面積を減らすことができ、高周波電
力増幅器の低コスト化が図れる。As described above, in the high-frequency power amplifier of the present invention, each bypass capacitor used for the drain bias circuit and the gate bias circuit of the GaAs FET is provided not in the GaAs MMIC chip but in the silicon IC chip including the associated circuit. , The area of the expensive GaAs chip can be reduced, and the cost of the high-frequency power amplifier can be reduced.
【0021】また、実施例として示したように、シリコ
ンICチップ内にDC/DCコンバータのようなバイア
ス電源に直結する付随回路が内蔵されている場合は、同
一チップ内でバイパスコンデンサとの配線接続ができ、
チップ間の接続が簡略化できる。Further, as shown in the embodiment, when a silicon IC chip has a built-in accessory circuit such as a DC / DC converter directly connected to a bias power supply, a wiring connection with a bypass capacitor in the same chip. Can be
Connection between chips can be simplified.
【図1】本発明の高周波電力増幅器の一実施例の回路図
である。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a high-frequency power amplifier according to the present invention.
【図2】高周波電力増幅器の従来例の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional example of a high-frequency power amplifier.
1:GaAsMMICチップ 2:シリコンICチップ 3:信号入力端子 4:入力整合回路 5、7:FET 6:DCカット用コンデンサ 8:出力整合回路 9:信号出力端子 10、11、12、13:チョークコイル 14、15、16、17:バイパスコンデンサ 18、20:ゲート電圧給電端子 19、21:ドレイン電圧給電端子 22:電圧入力端子 23:DC/DCコンバータ 24、26:電圧出力端子 25、27:コンデンサ用端子。 1: GaAs MMIC chip 2: silicon IC chip 3: signal input terminal 4: input matching circuit 5, 7: FET 6: DC cut capacitor 8: output matching circuit 9: signal output terminal 10, 11, 12, 13: choke coil 14, 15, 16, 17: bypass capacitors 18, 20: gate voltage supply terminals 19, 21: drain voltage supply terminals 22: voltage input terminals 23: DC / DC converters 24, 26: voltage output terminals 25, 27: for capacitors Terminal.
Claims (1)
含むGaAsMMICと、該GaAsMMIC用の付随
回路を含むシリコンICとからなる高周波電力増幅器に
おいて、前記GaAsFETのドレインバイアス回路及
びゲートバイアス回路に用いる各バイパスコンデンサ
を、前記シリコンICの内部に設け、前記各バイアス回
路に接続してなることを特徴とする高周波電力増幅器。1. A high frequency power amplifier comprising a GaAs MMIC including a GaAs FET as a high frequency amplifying element and a silicon IC including an auxiliary circuit for the GaAs MMIC, wherein each bypass capacitor used for a drain bias circuit and a gate bias circuit of the GaAs FET is provided. A high frequency power amplifier provided inside the silicon IC and connected to each of the bias circuits.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9314223A JPH11136047A (en) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | High frequency power amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9314223A JPH11136047A (en) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | High frequency power amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11136047A true JPH11136047A (en) | 1999-05-21 |
Family
ID=18050774
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9314223A Pending JPH11136047A (en) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | High frequency power amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11136047A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009527963A (en) * | 2006-02-22 | 2009-07-30 | キネティック リミテッド | Apparatus and method for generating random numbers |
-
1997
- 1997-10-30 JP JP9314223A patent/JPH11136047A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009527963A (en) * | 2006-02-22 | 2009-07-30 | キネティック リミテッド | Apparatus and method for generating random numbers |
US8768992B2 (en) | 2006-02-22 | 2014-07-01 | Qinetiq Limited | Apparatus and method for generating random numbers |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050309 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050802 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051129 |