JPH1112728A - Sputtering device - Google Patents

Sputtering device

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JPH1112728A
JPH1112728A JP16474497A JP16474497A JPH1112728A JP H1112728 A JPH1112728 A JP H1112728A JP 16474497 A JP16474497 A JP 16474497A JP 16474497 A JP16474497 A JP 16474497A JP H1112728 A JPH1112728 A JP H1112728A
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JP
Japan
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stage
terminal
sputtering apparatus
stage part
insulation
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JP16474497A
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Japanese (ja)
Inventor
Takehiro Taketomi
雄大 武富
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NEC Kyushu Ltd
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NEC Kyushu Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering device capable of suppressing the damage of products when the insulation condition of a stage part is deteriorated to a minimum by monitoring the insulation condition of the stage part. SOLUTION: In a sputtering device provided with a stage part 41 on which a sample 3 is placed and a target for sputtering are provided in a vacuum vessel 1, a thin film is formed on the sample 3 in a condition where the stage part 41 is insulated from the grounding voltage. An elevating/lowering mechanism 42 to elevate/lower the stage part 41 is provided on the stage part 41, a first terminal 46a to be electrically connected is provided thereon, a second terminal 46b which can be connected/separated to/from the first terminal 46a as the stage part 41 is elevated/lowered is provided on a bottom part 1a of the vacuum vessel 1, and a detecting means 47 to detect the insulation condition of the stage part 41 is provided on the second terminal 46b.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜を作製する際
に用いて好適なスパッタ装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering apparatus suitable for producing a thin film.

【0002】[0002]

【従来の技術】図2は、従来のスパッタ装置の一例を示
す概略構成図であり、このスパッタ装置は、アース電位
に接続した真空容器1内にターゲット2と基板3を対向
して配置し、ターゲット2にはターゲットホルダー4を
通して直流電源5により負電圧が印加されている。基板
3は金属性のホルダー6を介して真空容器1と電気的に
接触しており、マスク7とともにこれらホルダー部(ス
テージ部)はアース電位になっている。なお、図2にお
いて、8は絶縁材、9はアルゴンガスの導入口、10は
アルゴンガスの排気口、11はプラズマである。
2. Description of the Related Art FIG. 2 is a schematic structural view showing an example of a conventional sputtering apparatus. In this sputtering apparatus, a target 2 and a substrate 3 are arranged opposite to each other in a vacuum vessel 1 connected to a ground potential. A negative voltage is applied to the target 2 by a DC power supply 5 through a target holder 4. The substrate 3 is in electrical contact with the vacuum vessel 1 via a metallic holder 6, and these holders (stages) together with the mask 7 are at ground potential. In FIG. 2, reference numeral 8 denotes an insulating material, 9 denotes an inlet for an argon gas, 10 denotes an outlet for an argon gas, and 11 denotes a plasma.

【0003】また、ホルダー部をアース電位から電気的
に絶縁したものとしては、例えば、特開昭63−312
962号公報に開示されているスパッタ装置がある。図
3は、このスパッタ装置のホルダー部を示す概略構成図
であり、このホルダー部は、絶縁物であるテフロン15
を介して真空容器1に接触固定したものである。なお、
16は基板冷却水系であり、冷却水入口管17と、冷却
水出口管18と、放熱器19と、水循環ポンプ20によ
り構成されている。
[0003] Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 63-312 discloses an example in which the holder is electrically insulated from ground potential.
There is a sputtering apparatus disclosed in Japanese Patent Application Publication No. 962. FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a holder portion of the sputtering apparatus. The holder portion is made of Teflon 15 which is an insulator.
Is fixed to the vacuum container 1 through the contact. In addition,
Reference numeral 16 denotes a substrate cooling water system, which includes a cooling water inlet pipe 17, a cooling water outlet pipe 18, a radiator 19, and a water circulation pump 20.

【0004】このように、ホルダー部をアース電位から
電気的に絶縁することにより、マスク7、基板3、基板
3上に形成される薄膜等を同一の浮動電位に保ってい
る。そして、このホルダー部の絶縁状態を、様々な方法
を用いて監視している。
As described above, by electrically insulating the holder from the ground potential, the mask 7, the substrate 3, the thin film formed on the substrate 3, and the like are maintained at the same floating potential. The insulation state of the holder is monitored using various methods.

【0005】ホルダー部の絶縁状態を監視する方法とし
ては、例えば、特開平8−170180号公報に開示さ
れているプラズマ処理装置のモニター方法がある。図4
は、このプラズマ処理装置の監視装置の構成を示すブロ
ック図であり、基板3と下部電極31との間に介在する
絶縁物32の劣化により、絶縁物32にリーク電流が流
れ、また、絶縁物32内でパルス性の放電が生じる。
As a method of monitoring the insulating state of the holder, there is, for example, a method of monitoring a plasma processing apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-170180. FIG.
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a monitoring device of the plasma processing apparatus. A leak current flows through the insulator 32 due to deterioration of the insulator 32 interposed between the substrate 3 and the lower electrode 31. A pulsating discharge is generated in 32.

【0006】直流電源33に流入したリーク電流及び放
電によるパルス信号を、それぞれリーク電流計測部34
とパルス成分計測部35とにより計測する。リーク電流
量が所定値以上になった場合、リーク電流計測部34で
そのことを検知してリレー36をONさせる。一方、パ
ルス信号の単位時間当たりのパルス数(放電回数)が所
定値以上になった場合、パルス成分計測部35でそのこ
とを検知してラッチ回路37を介してリレー36をON
させる。いずれの場合も、制御装置38がリレー36の
ONによりプラズマ処理を停止させる。
A leak current flowing into the DC power supply 33 and a pulse signal due to the discharge are respectively supplied to a leak current measuring unit 34.
And the pulse component measuring unit 35. When the amount of leak current becomes equal to or more than a predetermined value, the leak current measuring unit 34 detects the fact and turns on the relay 36. On the other hand, when the number of pulses (the number of discharges) per unit time of the pulse signal becomes equal to or more than a predetermined value, the pulse component measuring unit 35 detects this and turns on the relay 36 via the latch circuit 37.
Let it. In any case, the control device 38 stops the plasma processing by turning on the relay 36.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来のスパッタ装置の
問題点は、アース電位から電気的に絶縁したステージ部
(ホルダー部)の場合、ステージ部が何らかの原因でア
ース電位と導通状態になると、このステージ部に固定さ
れた基板上の絶縁膜等が破壊されてしまい、製品の歩止
まりの低下を引き起こすという点である。また、プラズ
マ処理装置のモニター方法の問題点は、絶縁物32の劣
化を検知することによりモニターしているが、絶縁物3
2の絶縁状態のモニターだけでは基板3の絶縁状態がわ
からず、不十分であるという点である。
The problem with the conventional sputtering apparatus is that, in the case of a stage section (holder section) electrically insulated from the ground potential, if the stage section becomes conductive with the ground potential for some reason, this problem occurs. This is because the insulating film and the like on the substrate fixed to the stage portion are destroyed, and the yield of the product is reduced. The problem of the monitoring method of the plasma processing apparatus is that the monitoring is performed by detecting the deterioration of the insulator 32.
The point is that the insulation state of the substrate 3 cannot be determined simply by monitoring the insulation state of No. 2 and is insufficient.

【0008】特に、半導体装置の生産ラインでは、多数
の基板が連続的に流れているために、ステージ部がアー
ス電位と導通状態になった場合、歩止低下を引き起こし
た基板の被害数は1枚に留まらず、場合によっては多数
の基板が歩止まり低下を引き起こす虞がある。また、ア
ース電位から電気的に絶縁したステージ部の直下に冷却
水管やガス管が配管されている場合、何らかの原因でス
テージ部と冷却水管やガス管とが接触してしまい、ステ
ージ部がアース電位と導通状態になる事例もある。
Particularly, in a semiconductor device production line, since a large number of substrates are continuously flowing, when the stage section is brought into a conductive state with the ground potential, the number of substrate damages that cause a reduction in yield is one. In some cases, not only the number of substrates but also a number of substrates may cause a reduction in yield. In addition, if a cooling water pipe or gas pipe is provided immediately below the stage electrically insulated from the ground potential, the stage may come into contact with the cooling water pipe or gas pipe for some reason, and the stage may become ground potential. In some cases, it becomes conductive.

【0009】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であって、ステージ部の絶縁状態を監視することによ
り、ステージ部の絶縁状態が低下した場合の製品被害を
最小限度に抑えることのできるスパッタ装置を提供する
ことにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and by monitoring the insulation state of a stage, it is possible to minimize product damage when the insulation state of the stage is reduced. An object of the present invention is to provide a sputtering apparatus.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様なスパッタ装置を採用した。すなわ
ち、請求項1記載のスパッタ装置は、真空容器内に、試
料を載置するステージ部及びスパッタ用ターゲットを設
け、前記ステージ部をアース電位から絶縁した状態で前
記試料上に薄膜を形成するスパッタ装置であり、前記ス
テージ部に、該ステージ部を昇降させる昇降機構を設け
るとともに、電気的に接続される第1の端子を設け、前
記真空容器の底部に、前記ステージ部の昇降に伴い前記
第1の端子と離間/接続可能な第2の端子を設け、該第
2の端子に前記ステージ部の絶縁状態を検出する検出手
段を設けたものである。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention employs the following sputtering apparatus. That is, a sputtering apparatus according to claim 1 is provided with a stage portion for mounting a sample and a sputtering target in a vacuum vessel, and a sputtering device for forming a thin film on the sample while the stage portion is insulated from a ground potential. An elevating mechanism for elevating and lowering the stage portion, and a first terminal electrically connected to the stage portion, wherein the first terminal is provided at the bottom of the vacuum vessel along with the elevating of the stage portion. A second terminal which can be separated / connected to the first terminal is provided, and the second terminal is provided with a detecting means for detecting an insulation state of the stage section.

【0011】請求項2記載のスパッタ装置は、前記検出
手段を、前記ステージ部の絶縁抵抗を測定し、該ステー
ジ部の絶縁状態を監視する検出器としたものである。
According to a second aspect of the present invention, in the sputtering apparatus, the detecting means is a detector that measures an insulation resistance of the stage and monitors an insulation state of the stage.

【0012】請求項3記載のスパッタ装置は、前記検出
手段に、前記ステージ部の絶縁状態の良否を判定し、そ
の結果を知らせる告知手段を設けたものである。
According to a third aspect of the present invention, in the sputter apparatus, the detecting means is provided with a notifying means for judging whether or not the insulating state of the stage portion is good or not and informing the result of the judgment.

【0013】本発明のスパッタ装置では、昇降機構によ
りステージ部を上昇させる際には、該ステージ部の上昇
とともに第1の端子も上昇し、真空容器の底部に設けら
れた第2の端子と離間し、電気的接続が断線した状態と
なる。一方、昇降機構によりステージ部を下降させる際
には、該ステージ部の下降とともに第1の端子も下降し
て前記第2の端子と接続し、前記ステージ部の絶縁状態
が検出可能な状態となる。
In the sputtering apparatus of the present invention, when the stage is raised by the lifting mechanism, the first terminal also rises with the rise of the stage, and is separated from the second terminal provided at the bottom of the vacuum vessel. As a result, the electrical connection is broken. On the other hand, when the stage is lowered by the elevating mechanism, the first terminal is also lowered and connected to the second terminal with the lowering of the stage, so that the insulation state of the stage becomes detectable. .

【0014】そこで、検出手段により前記ステージ部の
絶縁状態を検出する。これにより、前記ステージ部の絶
縁状態を監視することが可能になり、該ステージ部の絶
縁状態が低下した場合の製品被害を最小限度に抑えるこ
とが可能になる。
Therefore, the insulating state of the stage is detected by the detecting means. This makes it possible to monitor the insulation state of the stage, and to minimize product damage when the insulation state of the stage decreases.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明のスパッタ装置の一
実施形態について図面に基づき説明する。図1は本発明
の一実施形態に係るスパッタ装置を示す部分縦断面図で
あり、図において、41は真空容器1内に設けられたス
テージ、42はステージ41を昇降させるシャフト(昇
降機構)、43はシャフトガイド、44、45は基板3
及びステージ41をアース電位から絶縁する絶縁板であ
る。前記ステージ41は、真空容器1に接続されたアー
ス電位から絶縁した状態で設けられており、その上面に
は基板(試料)3が載置されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the sputtering apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a partial longitudinal sectional view showing a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 41 denotes a stage provided in the vacuum vessel 1, reference numeral 42 denotes a shaft (elevation mechanism) for elevating the stage 41, 43 is a shaft guide, 44 and 45 are substrates 3
And an insulating plate for insulating the stage 41 from the ground potential. The stage 41 is provided in a state insulated from a ground potential connected to the vacuum vessel 1, and a substrate (sample) 3 is mounted on an upper surface thereof.

【0016】また、46はコネクタ、47はテスター
(検出器)である。コネクタ46は、ステージ41が降
下した際に、ステージ41とテスター47とを接続する
ためのもので、ステージ41の下部に設けられた端子
(第1の端子)46aと、真空容器1の底部1aに設け
られた端子(第2の端子)46bとにより構成されてい
る。
Reference numeral 46 denotes a connector, and 47 denotes a tester (detector). The connector 46 is for connecting the stage 41 and the tester 47 when the stage 41 is lowered, and a terminal (first terminal) 46 a provided at a lower portion of the stage 41 and a bottom 1 a of the vacuum vessel 1. (A second terminal) 46b provided at the second position.

【0017】この端子46aはステージ41と電気的に
接続されており、端子46bとは、ステージ41の上昇
するにつれて離間して電気的に断線された状態となり、
ステージ41の下降するにつれて接触し電気的に接続さ
れた状態となる。また、テスター47は、ステージ41
の絶縁抵抗を測定することにより該ステージ41の絶縁
状態を監視するためのものである。
The terminal 46a is electrically connected to the stage 41, and the terminal 46b is separated from the terminal 46b as the stage 41 rises and becomes electrically disconnected.
As the stage 41 descends, it comes into contact and becomes electrically connected. In addition, the tester 47
This is for monitoring the insulation state of the stage 41 by measuring the insulation resistance of the stage 41.

【0018】次に、このスパッタ装置の動作を説明す
る。ステージ41は、基板3が載置された状態では、ス
パッタリングに最適な位置まで上昇し静止した状態にあ
るから、コネクタ46の端子46a、46b同士は接続
されておらず、絶縁状態を保持している。
Next, the operation of the sputtering apparatus will be described. When the substrate 3 is placed on the stage 41, the stage is raised to an optimal position for sputtering and is in a stationary state. Therefore, the terminals 46a and 46b of the connector 46 are not connected to each other, and the insulating state is maintained. I have.

【0019】一方、基板3が載置されていない状態で
は、真空容器1の底部1aに最も近い位置まで下降し静
止しているので、コネクタ46の端子46a、46b同
士も接続されている。この状態では、ステージ41とテ
スター47は、コネクタ46を介して接続されているの
で、ステージ41が何等かの原因で導通している場合
は、その絶縁抵抗が数Ω〜数十Ωと非常に小さくなり、
ステージ41が絶縁状態を保持している場合は、その絶
縁抵抗が数MΩと非常に大きくなる。これらの抵抗値は
テスター47に表示されるので、その場で確認すること
ができる。
On the other hand, when the substrate 3 is not placed, the terminal 46a and 46b of the connector 46 are connected to each other because the substrate 3 descends to the position closest to the bottom 1a of the vacuum vessel 1 and stands still. In this state, the stage 41 and the tester 47 are connected via the connector 46. Therefore, when the stage 41 is conducting for some reason, the insulation resistance is very few Ω to several tens Ω. Smaller,
When the stage 41 keeps the insulation state, the insulation resistance is as large as several MΩ. Since these resistance values are displayed on the tester 47, they can be confirmed on the spot.

【0020】また、テスター47に、ステージ41の絶
縁抵抗の大きさにより異なった色表示をする表示器や、
絶縁抵抗の大きさが所定値より低下した場合に警告ブザ
ーを発する警報機等の告知手段を接続すれば、テスター
47の表示を目視により確認するまでもなく、速やかに
ステージ41の絶縁抵抗の低下を知ることができる。更
に、テスター47及び前記告知手段をスパッタ装置の制
御部に接続すれば、表示や警告ブザーとともに該スパッ
タ装置を即座に停止することも可能である。
The tester 47 has an indicator for displaying different colors depending on the magnitude of the insulation resistance of the stage 41,
If notification means such as an alarm which issues a warning buzzer when the magnitude of the insulation resistance falls below a predetermined value is connected, the insulation resistance of the stage 41 can be quickly reduced without visually confirming the display of the tester 47. You can know. Further, if the tester 47 and the notification means are connected to the control unit of the sputtering apparatus, the sputtering apparatus can be immediately stopped together with the display and the warning buzzer.

【0021】本実施形態のスパッタ装置の効果は、ステ
ージ41が絶縁不良になっても、それを一速く検出する
ことができ、製品への被害を最小限度、すなわち基板3
の被害枚数を僅か1枚に抑えることができることであ
る。その理由は、ステージ41の絶縁抵抗を常に監視し
ているため、絶縁抵抗の低下、すなわち異常事態を早期
に発見することが可能になるからである。
The effect of the sputtering apparatus of this embodiment is that even if the stage 41 becomes defective in insulation, it can be detected quickly and the damage to the product is minimized, that is, the substrate 3
Can be reduced to only one. The reason is that since the insulation resistance of the stage 41 is constantly monitored, a decrease in the insulation resistance, that is, an abnormal situation can be detected at an early stage.

【0022】なお、前記ステージ41は、真空容器1に
接続されたアース電位から絶縁した状態で昇降可能に設
けられているものであれば良く、上記の実施形態に限定
されることなく様々な構成の形態が可能である。
The stage 41 may be of any type as long as it can be moved up and down while being insulated from the ground potential connected to the vacuum vessel 1, and is not limited to the above-described embodiment. Is possible.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明した様に、本発明のスパッタ装
置によれば、前記ステージ部に、該ステージ部を昇降さ
せる昇降機構を設けるとともに、電気的に接続される第
1の端子を設け、前記真空容器の底部に、前記ステージ
部の昇降に伴い前記第1の端子と離間/接続可能な第2
の端子を設け、該第2の端子に前記ステージ部の絶縁状
態を検出する検出手段を設けたので、前記昇降機構によ
りステージ部を下降させるにしたがって第1の端子も下
降して前記第2の端子と接続し、前記ステージ部の絶縁
状態を検出可能とすることにより、検出手段により前記
ステージ部の絶縁状態を検出することができる。したが
って、前記ステージ部の絶縁状態を常に監視することが
でき、該ステージ部の絶縁状態が低下した場合の製品被
害を最小限度に抑えることが可能になる。
As described above, according to the sputtering apparatus of the present invention, the stage section is provided with an elevating mechanism for elevating and lowering the stage section, and the first terminal electrically connected is provided. A second terminal which can be separated / connected to the first terminal at the bottom of the vacuum vessel as the stage moves up and down.
And the second terminal is provided with a detecting means for detecting the insulating state of the stage unit. Therefore, as the stage unit is lowered by the lifting mechanism, the first terminal is also lowered and the second terminal is lowered. By connecting to a terminal and enabling the insulation state of the stage unit to be detected, the insulation state of the stage unit can be detected by the detection means. Therefore, it is possible to constantly monitor the insulation state of the stage section, and it is possible to minimize damage to the product when the insulation state of the stage section is reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施形態に係るスパッタ装置を示
す部分縦断面図である。
FIG. 1 is a partial longitudinal sectional view showing a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 従来のスパッタ装置の一例を示す概略構成図
である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a conventional sputtering apparatus.

【図3】 従来のスパッタ装置のホルダー部の一例を示
す概略構成図である。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a holder section of a conventional sputtering apparatus.

【図4】 従来のプラズマ処理装置の監視装置の構成を
示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a monitoring apparatus of a conventional plasma processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 真空容器 1a 底部 2 ターゲット 3 基板(試料) 4 ターゲットホルダー 5 直流電源 6 ホルダー 7 マスク 8 絶縁材 9 アルゴンガスの導入口 10 アルゴンガスの排気口 11 プラズマ 15 テフロン 16 基板冷却水系 17 冷却水入口管 18 冷却水出口管 19 放熱器 20 水循環ポンプ 31 下部電極 32 絶縁物 33 直流電源 34 リーク電流計測部 35 パルス成分計測部 36 リレー 37 ラッチ回路 38 制御装置 41 ステージ 42 シャフト(昇降機構) 43 シャフトガイド 44、45 絶縁板 46 コネクタ 46a 端子(第1の端子) 46b 端子(第2の端子) 47 テスター(検出器) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum container 1a Bottom part 2 Target 3 Substrate (sample) 4 Target holder 5 DC power supply 6 Holder 7 Mask 8 Insulating material 9 Argon gas inlet 10 Argon gas exhaust 11 Plasma 15 Teflon 16 Substrate cooling water system 17 Cooling water inlet pipe Reference Signs List 18 cooling water outlet pipe 19 radiator 20 water circulation pump 31 lower electrode 32 insulator 33 DC power supply 34 leak current measuring unit 35 pulse component measuring unit 36 relay 37 latch circuit 38 controller 41 stage 42 shaft (elevating mechanism) 43 shaft guide 44 , 45 Insulating plate 46 Connector 46a Terminal (first terminal) 46b Terminal (second terminal) 47 Tester (detector)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空容器内に、試料を載置するステージ
部及びスパッタ用ターゲットを設け、前記ステージ部を
アース電位から絶縁した状態で前記試料上に薄膜を形成
するスパッタ装置において、 前記ステージ部に、該ステージ部を昇降させる昇降機構
を設けるとともに、電気的に接続される第1の端子を設
け、前記真空容器の底部に、前記ステージ部の昇降に伴
い前記第1の端子と離間/接続可能な第2の端子を設
け、該第2の端子に前記ステージ部の絶縁状態を検出す
る検出手段を設けたことを特徴とするスパッタ装置。
1. A sputtering apparatus for providing a stage portion on which a sample is placed and a sputtering target in a vacuum vessel, and forming a thin film on the sample in a state where the stage portion is insulated from a ground potential. And a first terminal that is electrically connected to the first terminal. The first terminal is electrically connected to the first terminal. The first terminal is separated / connected to the first terminal at the bottom of the vacuum vessel as the stage moves up and down. A sputter apparatus comprising: a second terminal capable of being provided; and a detecting means for detecting an insulation state of the stage unit at the second terminal.
【請求項2】 前記検出手段は、前記ステージ部の絶縁
抵抗を測定し、該ステージ部の絶縁状態を監視する検出
器であることを特徴とする請求項1記載のスパッタ装
置。
2. The sputtering apparatus according to claim 1, wherein said detecting means is a detector for measuring an insulation resistance of said stage section and monitoring an insulation state of said stage section.
【請求項3】 前記検出手段に、前記ステージ部の絶縁
状態の良否を判定し、その結果を知らせる告知手段を設
けたことを特徴とする請求項1または2記載のスパッタ
装置。
3. The sputtering apparatus according to claim 1, wherein said detecting means is provided with a notifying means for judging whether the insulation state of said stage portion is good or not, and informing the result of the judgment.
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