JPH11123655A - Manufacturing device and manufacture of semiconductor device - Google Patents

Manufacturing device and manufacture of semiconductor device

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JPH11123655A
JPH11123655A JP28870897A JP28870897A JPH11123655A JP H11123655 A JPH11123655 A JP H11123655A JP 28870897 A JP28870897 A JP 28870897A JP 28870897 A JP28870897 A JP 28870897A JP H11123655 A JPH11123655 A JP H11123655A
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inclination
spindle
semiconductor substrate
grinding
displacement sensor
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Yoshinori Akiyama
由則 秋山
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NEC Yamagata Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To automatically adjust a spindle to a required inclination with high accuracy by suspending the spindle by a plurality of screws, and automatically adjusting the inclination of the spindle by controlling rotation of the screws. SOLUTION: A spindle 3 is suspended, for example, by four ball screws 5, and an exclusive jig having four displacement sensors 1 is arranged on a chuck table 6 to place a semiconductor substrate under a mount disk 7. After adjusting this inclination, an exclusive member of the displacement sensors 1 containing a disk member is removed from above the chuck table 6, and the semiconductor substrate is horizontally vacuum-sucked to the chuck table 6 for grinding. In adjusting inclination, signals from the displacement sensors 1 are sent to a control circuit 2, and a difference from a display of the inclination is automatically calculated by the control circuit 2, and a correction signal is sent to stepping motors 4 (M1 to M4). Then, rotation of stepping motors 4 is transmitted to the ball screws 5, and is automatically adjusted to an inclination of an inclination preset value 8.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造装
置および製造方法に係わり、特に半導体基板の研削装置
および研削方法に関する。
The present invention relates to an apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to an apparatus and a method for grinding a semiconductor substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】まず図4を参照して半導体基板の研磨方
法の一般的な技術を簡単に説明する。スピンドル17に
マウントディスク7が結合し、マウントディスク7の下
面に研削砥石16が固定されている。スピンドル17が
傾いた状態で矢印18に示すように回転させることによ
りマウントディスク7、研削砥石16も傾いた状態で回
転させ、そこにチャックテーブル(図示省略)の上面に
真空吸着された半導体基板(半導体ウエハ)15をIN
側からOUT側に水平方向19にチャックテーブルとと
もに移動させる。これにより、半導体基板15の主表面
を研削砥石16により研削していく。そして、望まれる
半導体基板の研削を行う為に必要な荒さや硬さの研削砥
石が取り付けられている。
2. Description of the Related Art First, a general technique of a method for polishing a semiconductor substrate will be briefly described with reference to FIG. The mount disk 7 is coupled to the spindle 17, and the grinding wheel 16 is fixed to the lower surface of the mount disk 7. By rotating the spindle 17 in a tilted state as shown by an arrow 18, the mount disk 7 and the grinding wheel 16 are also rotated in a tilted state, and the semiconductor substrate (not shown) vacuum-adsorbed on the upper surface of a chuck table (not shown). (Semiconductor wafer) 15 IN
From the side to the OUT side in the horizontal direction 19 together with the chuck table. Thus, the main surface of the semiconductor substrate 15 is ground by the grinding wheel 16. Then, a grinding wheel having a roughness and a hardness necessary for grinding a desired semiconductor substrate is attached.

【0003】例えば3軸研削装置では図4に示すような
研削機構が3種類、すなわち3軸設けられておりそれぞ
れがその研削に適合した研削砥石を備えている。このよ
うに複数の軸(複数の研削機構)を用いる理由は、1軸
だけで望まれる厚さに研削すると砥石、半導体基板に加
わる負荷が大となり破損(ワレ)が生じる恐れがあるか
らであり、そのために段階的に第1軸では荒削り、第2
軸では中削り、第3軸では仕上げ削りを行い荒さや研削
量のばらつきRmaxを1.0μm以下に研削する。
For example, a three-axis grinding apparatus is provided with three types of grinding mechanisms as shown in FIG. 4, that is, three axes, each of which has a grinding wheel suitable for the grinding. The reason why a plurality of axes (a plurality of grinding mechanisms) are used in this way is that if only one axis is ground to a desired thickness, the load applied to the grindstone and the semiconductor substrate becomes large, which may cause breakage (crack). For this purpose, rough cutting is performed stepwise on the first axis,
Medium grinding is performed on the shaft, and finish grinding is performed on the third shaft, and the roughness Rmax of the roughness and the amount of grinding is reduced to 1.0 μm or less.

【0004】このような半導体基板の研削は、半導体基
板を研削砥石の周辺先端部で研削を行う為、スピンドル
の傾きの調整はかかす事が出来ない重要な項目である。
In the grinding of such a semiconductor substrate, since the semiconductor substrate is ground at the peripheral tip of the grinding wheel, the adjustment of the inclination of the spindle is an important item that cannot be suppressed.

【0005】次に、従来技術のスピンドルの傾き調整方
法とその手順について図5乃至図8を参照して説明す
る。
Next, a conventional method of adjusting the inclination of the spindle and its procedure will be described with reference to FIGS.

【0006】図5は従来の研削装置の構成図であり、図
6はスピンドルの傾き測定方法を示す図、図7はスピン
ドルの傾きを目安化した値を示す図、図8は傾き調整を
フローチャート化した図である。
FIG. 5 is a configuration diagram of a conventional grinding apparatus, FIG. 6 is a diagram showing a method of measuring the inclination of the spindle, FIG. 7 is a diagram showing a value obtained by standardizing the inclination of the spindle, and FIG. FIG.

【0007】まず傾き調整のフローを図8を用いて説明
する。フロー20のステップにおいて半導体基板を研削
する。フロー30のステップにおいて荒さ、研削量が規
格のRmax以内か確認する。規格以内であれば傾き調
整は不要である。フロー40のステップにおいて規格外
れであれば規格を満たす様な傾きに調整する。
First, the flow of tilt adjustment will be described with reference to FIG. In the step of the flow 20, the semiconductor substrate is ground. In the step of flow 30, it is checked whether the roughness and the amount of grinding are within the standard Rmax. If it is within the standard, no tilt adjustment is required. If it is out of the standard in the step of the flow 40, the inclination is adjusted so as to satisfy the standard.

【0008】次に具体的な調整方法を図5,図7を参照
に説明する。
Next, a specific adjusting method will be described with reference to FIGS.

【0009】図5において、シム11を装置ベース10
と固定ガイド12の間に挟み固定ボルト13で締める。
これによりスピンドル3およびそれに結合しているマウ
ントディスク7が傾き、その傾きは、例えば図7に示す
ようにO点を基準にA点が−20μm程度、B点が−4
0μm程度、C点が−20μm程度となる様に調整す
る。尚、図6に示すダイヤルゲージ9をマウントデスク
7側の下面7Aに固定しO点を基準にしているので、O
点よりも半導体基板を設置するチャックテーブル6から
の高さがより高ければ−(マイナス)の絶対値が大きく
表示されている。
In FIG. 5, the shim 11 is connected to the device base 10.
And the fixing guide 12, and tightened with the fixing bolt 13.
As a result, the spindle 3 and the mount disk 7 coupled thereto are tilted. The tilt is, for example, as shown in FIG.
Adjust so that the point C is about 0 μm and the point C is about −20 μm. Since the dial gauge 9 shown in FIG. 6 is fixed to the lower surface 7A on the side of the mount desk 7 and is based on the point O,
If the height from the chuck table 6 where the semiconductor substrate is set is higher than the point, the absolute value of-(minus) is displayed larger.

【0010】特にA点とC点に関しては、半導体基板の
外周部の厚さの差が大きくなる為、精度良く調整する必
要がある。例えばIN側から見た場合にC点側にスピン
ドルが傾いていると、半導体基板はC点側での研削量が
大きく、A点側での研削量が小さくなり、外周部のA点
側とC点側ではその研削量が異なるため両者間で半導体
基板の厚さに大きな差が生じてしまう。
In particular, at point A and point C, the difference in the thickness of the outer peripheral portion of the semiconductor substrate becomes large, so that it is necessary to adjust it with high accuracy. For example, if the spindle is tilted to the point C side when viewed from the IN side, the grinding amount of the semiconductor substrate at the point C side is large, the grinding amount at the point A side is small, Since the grinding amount is different on the point C side, a great difference occurs in the thickness of the semiconductor substrate between the two.

【0011】又、B点を−40μm→−10μmの様に
小さな傾きに変化させると半導体基板に接する角度が小
さくなるため荒さの度合いは小さくなるが、1回の研削
量が少量になるから、本来1回の研削(一方向)でよい
ものが2回の研削(往復方向)が必要になる。逆にB点
を−40μm→−60μmの様に変化させると半導体基
板に接する角度が大きくなるから1回の研削で厚い研削
が可能になるが、荒さの度合いが大きくなりまた研削砥
石や半導体基板が破損する恐れがある。
When the point B is changed to a small inclination such as −40 μm → −10 μm, the angle of contact with the semiconductor substrate becomes small, so that the degree of roughness becomes small. What should originally be able to be ground once (one direction) requires two times grinding (reciprocation direction). Conversely, if the point B is changed from −40 μm to −60 μm, the angle in contact with the semiconductor substrate increases, so that a single grinding enables a thick grinding, but the degree of roughness increases, and a grinding wheel or a semiconductor substrate May be damaged.

【0012】この為、荒さ、厚さの規格を満たし、且つ
上記問題点が発生しない様にするには、図8のフロー2
0からフロー40の作業を何度も繰り返し調整しなけれ
ばならない。そこで、これら一連作業には熟練技能が必
要であった。特に前述の3軸方式では、3カ所の研削機
構について調整作業が必要であるから、多くの工数を費
やすことになる。
For this reason, in order to satisfy the specifications of roughness and thickness and to prevent the above-mentioned problem from occurring, the flow 2 shown in FIG.
From 0, the operation of the flow 40 must be adjusted many times. Therefore, these series of operations required skilled skills. In particular, in the above-described three-axis system, since adjustment work is required for three grinding mechanisms, many man-hours are required.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】このような従来技術で
は、傾きの調整作業が長時間となる事である。
In such a conventional technique, the work of adjusting the inclination takes a long time.

【0014】その理由は、スピンドルの傾き調整をする
には熟練を要し、人の手による1μm単位の合わせ込み
は繰り返し調整作業を強いられるからである。
The reason for this is that skill is required to adjust the inclination of the spindle, and manual adjustment in units of 1 μm requires repeated adjustment work.

【0015】したがって本発明の目的は、スピンドルの
傾きが必要とする値に高精度でかつ自動調整が可能にな
り、もって半導体基板の研削厚、表面荒さ等により決定
されるように任意の傾きに調整出来る可変設定方式の半
導体装置の製造装置および製造方法を提供することであ
る。
Accordingly, an object of the present invention is to make it possible to highly accurately and automatically adjust a value required for the inclination of a spindle, and to set an arbitrary inclination as determined by the grinding thickness and surface roughness of a semiconductor substrate. An object of the present invention is to provide an apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device of a variable setting system that can be adjusted.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、回転す
る研削砥石と対面して移動する半導体基板を研削する製
造装置に於いて、スピンドルと、前記スピンドルを懸垂
する複数のスクリュウーと、前記スクリュウーのそれぞ
れの回転を制御する制御部とを有し、前記スクリュウー
のそれぞれの回転により前記スピンドルの傾きの自動調
整を可能にした半導体装置の製造装置にある。ここで、
前記スピンドルの傾きを検出する変位センサーを設け、
前記変位センサーからの傾きに関する信号を前記制御部
に送る手段を有することが好ましい。さらに、前記スク
リュウーは、前記制御部からの補正信号により駆動する
ステッピングモーターにより所定の回転を行うボールス
クリュウーであることが好ましい。さらに、前記変位セ
ンサーは渦電流式のセンサーであり、研削砥石を装着す
る面と半導体基板を装着するマウントディスクとの間隔
を複数箇所で測定するようにすることができる。また、
前記研削砥石を装着する面は前記スピンドルに結合して
いるマウントディスクの下面であることができる。
SUMMARY OF THE INVENTION A feature of the present invention is a manufacturing apparatus for grinding a semiconductor substrate which moves while facing a rotating grinding wheel, comprising: a spindle; a plurality of screws suspending the spindle; A control unit for controlling the rotation of each screw; and a semiconductor device manufacturing apparatus capable of automatically adjusting the inclination of the spindle by each rotation of the screw. here,
Providing a displacement sensor for detecting the inclination of the spindle,
Preferably, there is provided means for sending a signal regarding the inclination from the displacement sensor to the control unit. Further, it is preferable that the screw is a ball screw that performs a predetermined rotation by a stepping motor driven by a correction signal from the control unit. Further, the displacement sensor is an eddy current sensor, and the distance between the surface on which the grinding wheel is mounted and the mount disk on which the semiconductor substrate is mounted can be measured at a plurality of locations. Also,
The surface on which the grinding wheel is mounted may be a lower surface of a mount disk connected to the spindle.

【0017】本発明の他の特徴は、上記したいずれかの
半導体装置の製造装置を用いて、スピンドルを所定の傾
きに設定した後に半導体基板の主面を研削する半導体装
置の製造方法にある。
Another feature of the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device in which the spindle is set at a predetermined inclination and the main surface of the semiconductor substrate is ground using any of the above-described semiconductor device manufacturing apparatuses.

【0018】このように本発明は、例えば、変位センサ
ーによりスピンドルの傾きを検出し制御回路によって現
在の傾きを表示すると共に、研削砥石を装着する面と半
導体基板を装着するマウントディスクの上面との周辺の
4カ所(4点)の間隔のずれ量を瞬時に算出し表示する
ことができる。そして傾き設定とのずれ量は制御回路か
ら調整機構部であるステッピングモーター4調整信号
(補正信号)として伝達し、ボールスクリューを駆動し
スピンドルの傾きを調整するものである。
As described above, according to the present invention, for example, the inclination of the spindle is detected by the displacement sensor, the current inclination is displayed by the control circuit, and the difference between the surface on which the grinding wheel is mounted and the upper surface of the mount disk on which the semiconductor substrate is mounted is provided. It is possible to instantaneously calculate and display the amount of deviation of the interval between four peripheral points (four points). The deviation from the inclination setting is transmitted from the control circuit as an adjustment signal (correction signal) for the stepping motor 4 as an adjustment mechanism, and the ball screw is driven to adjust the inclination of the spindle.

【0019】このような本発明によればスピンドルの傾
きを変位センサーにより検出しているから、0.3μm
以下と言う高精度な傾き検出が可能である。また、変位
センサーの信号と傾き設定値を制御回路に入力する手段
により、現在の傾き状態とずれ量をすぐに把握すること
ができる。さらに、ステッピングモーターとボールスク
リューとを有する傾きを調整する手段により従来の方法
では不可能な1μm以下と言う微調な傾き調整も可能に
なる。
According to the present invention, the inclination of the spindle is detected by the displacement sensor.
The following highly accurate tilt detection is possible. Also, the means for inputting the signal of the displacement sensor and the inclination set value to the control circuit makes it possible to immediately grasp the current inclination state and the deviation amount. Further, the means for adjusting the inclination having the stepping motor and the ball screw enables a fine adjustment of the inclination of 1 μm or less, which is impossible with the conventional method.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】次に本発明を図面を参照して説明
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0021】図1乃至図3は本発明の実施の形態を示す
図であり、図1は研削装置の構成図、図2は高さHの検
出方法を示す側面図、図3は変位センサーを示す平面図
である。
FIGS. 1 to 3 are views showing an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a configuration diagram of a grinding device, FIG. 2 is a side view showing a method of detecting a height H, and FIG. FIG.

【0022】図1において、高さ930mm、幅380
mm、奥行き390mmの装置ベース10の側面に固定
された固定ガイド10Aが横方向に張り出している。固
定ガイド10Aの中央にはスピンドル3が自由に動くこ
とが可能なようにスピンドル3に対して大きな開口が形
成され、その周囲に4本のボールスクリュー5が結合し
て下方向に延在している。それぞれのボールスクリュー
5は超低速比のギヤ(図示省略)を介してステッピング
モータ4(M1,M2,M3,M4)により回転され
る。
In FIG. 1, the height is 930 mm and the width is 380
A fixed guide 10A fixed to a side surface of the device base 10 having a depth of 390 mm and a depth of 390 mm projects laterally. At the center of the fixed guide 10A, a large opening is formed for the spindle 3 so that the spindle 3 can move freely, and four ball screws 5 are connected therearound to extend downward. I have. Each ball screw 5 is rotated by a stepping motor 4 (M1, M2, M3, M4) via a gear (not shown) having an ultra-low speed ratio.

【0023】スピンドル3の下部に結合したマウントデ
ィスク7の下面7Aは研削砥石を装着する面であり、ス
ピンドル3の傾き、すなわち下面7Aの傾きを所定の値
に設定した後にここに研削砥石を装着して半導体基板
(半導体ウエハ)の主表面の研削を行う。
The lower surface 7A of the mount disk 7 connected to the lower portion of the spindle 3 is a surface on which a grinding wheel is mounted. Then, the main surface of the semiconductor substrate (semiconductor wafer) is ground.

【0024】このスピンドル3は4本のボールスクリュ
ー5のそれぞれに対応する箇所に上下2カ所の雌ねじ部
により結合している。これにより、スピンドル3は4本
のボールスクリュー5により懸垂されている。
The spindle 3 is connected to the positions corresponding to the four ball screws 5 by two upper and lower female screw portions. Thereby, the spindle 3 is suspended by the four ball screws 5.

【0025】マウントディスク7下の半導体基板を載置
するチャックテーブル6上には4個の変位センサー1を
設けた専用治具が設けられている。
A dedicated jig provided with four displacement sensors 1 is provided on the chuck table 6 on which the semiconductor substrate under the mount disk 7 is placed.

【0026】すなわち専用治具は研削する半導体基板と
同じ面積、例えば直径200mmの円盤部材1Aの表面
の周辺4カ所に互いに等間隔にそれぞれ変位センサー1
が設けられており、この円盤部材1Aはチャックテーブ
ル6に真空吸着されて、水平になっている。尚、この傾
きの調整後に、円盤部材を含む変位センサーの専用部材
がチャックテーブル6上から取り除かれ、チャックテー
ブル6に半導体基板が水平に真空吸着されて、図4に示
すようにその主面の研削が行われる。
That is, the dedicated jigs have the same area as the semiconductor substrate to be ground, for example, the displacement sensors 1 are equally spaced from each other at four places around the surface of the disk member 1A having a diameter of 200 mm.
The disk member 1A is horizontally attracted to the chuck table 6 by vacuum suction. After the adjustment of the inclination, the dedicated member of the displacement sensor including the disk member is removed from the chuck table 6, and the semiconductor substrate is horizontally vacuum-sucked to the chuck table 6, and as shown in FIG. Grinding is performed.

【0027】そしてこの傾き調整において、それぞれの
変位センサー1からの信号が制御回路2に送られ、制御
回路2からの補正信号がそれぞれのステッピングモータ
4(M1,M2,M3,M4)に送られるようになって
いる。
In this tilt adjustment, a signal from each displacement sensor 1 is sent to the control circuit 2, and a correction signal from the control circuit 2 is sent to each stepping motor 4 (M1, M2, M3, M4). It has become.

【0028】このように図1の研削装置では、スピンド
ル3の傾きを検出する変位センサー1と、傾きの表示と
のずれ量を自動で算出する制御回路2と、スピンドル3
の傾きを調整する機構部であるステッピングモーター4
とボールスクリュー5をそれぞれ有している事を特徴と
する。
As described above, in the grinding apparatus of FIG. 1, the displacement sensor 1 for detecting the inclination of the spindle 3, the control circuit 2 for automatically calculating the amount of deviation from the display of the inclination, and the spindle 3
Stepping motor 4 which is a mechanism to adjust the inclination of
And a ball screw 5 respectively.

【0029】次に図1の研削装置の傾き設定方法につい
て説明する。スピンドル3を適正な傾きにする為、制御
回路2に傾き設定値8として入力する。チャックテーブ
ル6上には変位センサー付専用治具をセットし検出可能
な高さHである1μmまでスピンドル3を下降させてマ
ウントディスク7の下面7Aとの高さH4点を測定し、
現在のスピンドル3の傾きを表示すると同時に傾き設定
値8までのずれ量も表示する。これによりオペレーター
は現在の傾きとずれ量を同時に確認する事が出来る。
又、ずれ量の補正信号が調整機構部であるステッピング
モーター4に送られてその回転が同部のボールスクリュ
ー5へ伝達され傾き設定値8の傾きへと自動調整され
る。
Next, a method of setting the inclination of the grinding apparatus shown in FIG. 1 will be described. In order to make the spindle 3 have an appropriate inclination, it is input to the control circuit 2 as an inclination set value 8. A dedicated jig with a displacement sensor is set on the chuck table 6, the spindle 3 is lowered to a detectable height H of 1 μm, and a height H4 point with the lower surface 7A of the mount disk 7 is measured.
The present inclination of the spindle 3 is displayed, and at the same time, the deviation amount up to the inclination set value 8 is also displayed. This allows the operator to simultaneously check the current inclination and the amount of deviation.
Further, a correction signal for the deviation amount is sent to a stepping motor 4 which is an adjusting mechanism, and its rotation is transmitted to a ball screw 5 of the same, and is automatically adjusted to the inclination of the inclination set value 8.

【0030】次に図2に示す実施の形態の変位センサー
1について説明する。この変位センサーは例えばキーエ
ンス社製のEXシリーズの変位センサーであり、検出方
式は過電流式である。原理はセンサヘッド内部のコイル
に高周波電流を流して点線で示す高周波磁界14を発生
させる。この高周波磁界内に測定対象物(下面7A)が
あると、電磁誘導作用によって対象物表面に磁束の通過
と垂直方向の過電流が流れてセンサコイルのインピーダ
ンスが変化する。この現象による発振状態により距離を
測定する。
Next, the displacement sensor 1 of the embodiment shown in FIG. 2 will be described. This displacement sensor is, for example, an EX series displacement sensor manufactured by Keyence Corporation, and the detection method is an overcurrent type. The principle is that a high-frequency current flows through a coil inside the sensor head to generate a high-frequency magnetic field 14 indicated by a dotted line. If there is an object to be measured (the lower surface 7A) in the high-frequency magnetic field, the passage of the magnetic flux and the overcurrent in the vertical direction flow on the surface of the object due to the electromagnetic induction, and the impedance of the sensor coil changes. The distance is measured by the oscillation state due to this phenomenon.

【0031】本発明の実施の形態の動作について説明す
る。
The operation of the embodiment of the present invention will be described.

【0032】制御回路2には傾き設定値8として先ず目
安となるO点を0μm、A点を−20μm、B点を−4
0μm、C点を−20μmをそれぞれ入力する。制御回
路2には変位センサー1で検出されたHの値も同時に入
力され、傾き設定値8との比較を行う。各ステッピング
モーターは傾き設定値8の±2μm以内の範囲に収まる
様、自動的に動作する。
In the control circuit 2, first, the reference point O is set to 0 μm, the point A is set to −20 μm, and the point B is set to −4.
Input 0 μm and -20 μm at point C. The value of H detected by the displacement sensor 1 is also input to the control circuit 2 at the same time, and is compared with the inclination setting value 8. Each stepping motor automatically operates so as to fall within a range of ± 2 μm of the inclination setting value 8.

【0033】すなわち4個の変位センサ1ーからの測定
値Hがそれぞれ自動的に制御回路2に送られ、傾き設定
値8とのずれを自動的に算定し、それによる補正信号を
それぞれのステッピングモータ4(M1,M2,M3,
M4)に自動的に送られ、それぞれのステッピングモー
タ4が自動的に回転することにより傾きの補正が自動的
に行われる。
That is, the measured values H from the four displacement sensors 1 are automatically sent to the control circuit 2, respectively, and the deviation from the inclination set value 8 is automatically calculated. Motor 4 (M1, M2, M3,
M4), and the inclination is automatically corrected by automatically rotating the respective stepping motors 4.

【0034】スピンドルの傾斜調整、すなわちある所定
の傾きからの調整値Δはせいぜい50μm程度であるか
ら、図1のようにボールスクリューと超低速比のギヤを
用いた機構によりμmの調整をするのが最適である。
Since the inclination adjustment of the spindle, that is, the adjustment value Δ from a predetermined inclination is about 50 μm at most, the μm is adjusted by a mechanism using a ball screw and a gear having an ultra low speed ratio as shown in FIG. Is optimal.

【0035】また、上記実施の形態では、図1の研削装
置を用いて、変位センサーにより距離Hを測定して傾き
を調整する方法を説明した。しかし、距離Hの測定を省
略して、過去のデーターのみで傾きを調整することもで
きる。すなわちこの方法は、制御回路2に過去のデータ
ーを保存しておき、砥石の種類、研削厚、研削後の半導
体基板の厚さ等を入力する事で最適な傾きを自動選択出
来る機能も有する事である。
In the above-described embodiment, the method of measuring the distance H by the displacement sensor and adjusting the inclination using the grinding device of FIG. 1 has been described. However, it is also possible to omit the measurement of the distance H and adjust the inclination using only past data. That is, this method has a function of storing the past data in the control circuit 2 and automatically selecting the optimum inclination by inputting the type of the grinding wheel, the grinding thickness, the thickness of the semiconductor substrate after grinding, and the like. It is.

【0036】[0036]

【発明の効果】第1の効果は、ウェーハ研削面の仕上げ
精度が飛躍的に向上すると言う事である。
The first effect is that the finishing accuracy of the ground surface of the wafer is greatly improved.

【0037】その理由は、調整起因による傾きのばらつ
きが無くなり、研削の状態に合わせて要求される傾きが
常に維持出来るからである。
The reason for this is that there is no variation in inclination due to adjustment, and the required inclination can always be maintained in accordance with the state of grinding.

【0038】第2の効果は、従来の方法では不可能だっ
た1μm以下と言う微調な傾き調整が可能になり、熟練
技術が不要となる事である。その為、誰にでも、簡単
に、より早く、しかも正確に作業が出来る様になる。
The second effect is that a fine adjustment of the inclination of 1 μm or less, which was impossible with the conventional method, becomes possible, and no skill is required. Therefore, anyone can work easily, faster and more accurately.

【0039】その理由は、スピンドルの周囲にステッピ
ングモーターとボールスクリューを有する事で精度の高
い微調整が可能になったからである。
The reason is that the provision of a stepping motor and a ball screw around the spindle makes it possible to perform fine adjustment with high accuracy.

【0040】第3の効果は、生産性向上が図れると言う
事である。これにより、製品の停滞時間が短縮され、増
産対応も可能となる。
A third effect is that productivity can be improved. As a result, the stagnation time of the product is shortened, and it is possible to increase production.

【0041】その理由は、前述の理由により保守時間が
従来の約1/10以下に短縮される事によって稼働時間
の向上が図れるからである。
The reason is that the maintenance time can be reduced to about 1/10 or less of the conventional one for the above-mentioned reason, so that the operation time can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態の研磨装置の構成を示す図
である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態において高さHの検出方法
を示す側面図である。
FIG. 2 is a side view showing a method for detecting a height H in the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態における変位センサーを示
す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a displacement sensor according to the embodiment of the present invention.

【図4】半導体基板の研削を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing grinding of a semiconductor substrate.

【図5】従来技術の研磨装置の構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a conventional polishing apparatus.

【図6】従来技術において高さの検出方法を示す側面図
である。
FIG. 6 is a side view showing a height detection method in the related art.

【図7】従来技術においてスピンドルの目安となる傾き
設定値を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing an inclination setting value serving as a guide of a spindle in the related art.

【図8】従来技術において傾き調整のフローを示す図面
である。
FIG. 8 is a diagram showing a flow of tilt adjustment in the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 変位センサー 1A 変位センサー専用治具の円盤部材 2 制御回路 3 スピンドル 4 ステッピングモーター 5 ボールスクリュー 6 チャックテーブル 7 マウントディスク 8 傾き設定 9 ダイヤルゲージ(ダイヤルゲージ付専用治具) 10 装置ベース 10A 固定ガイド 11 シム 12 固定ガイド 13 固定ボルト 14 高周波磁界 15 半導体基板 16 研削砥石 17 スピンドル 18 回転方向 19 半導体基板の水平移動方向 20 研削フロー 30 研削量、荒さの判定フロー 40 傾き調整フロー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Displacement sensor 1A Disk member of jig for exclusive use of displacement sensor 2 Control circuit 3 Spindle 4 Stepping motor 5 Ball screw 6 Chuck table 7 Mount disk 8 Tilt setting 9 Dial gauge (Exclusive jig with dial gauge) 10 Device base 10A Fixed guide 11 Shim 12 Fixing guide 13 Fixing bolt 14 High-frequency magnetic field 15 Semiconductor substrate 16 Grinding wheel 17 Spindle 18 Rotation direction 19 Horizontal movement direction of semiconductor substrate 20 Grinding flow 30 Grinding amount / roughness judgment flow 40 Tilt adjustment flow

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 回転する研削砥石と対面して移動する半
導体基板を研削する製造装置に於いて、スピンドルと、
前記スピンドルを懸垂する複数のスクリュウーと、前記
スクリュウーのそれぞれの回転を制御する制御部とを有
し、前記スクリュウーのそれぞれの回転により前記スピ
ンドルの傾きの自動調整を可能にしたことを特徴とする
半導体装置の製造装置。
1. A manufacturing apparatus for grinding a semiconductor substrate moving while facing a rotating grinding wheel, comprising: a spindle;
A semiconductor, comprising: a plurality of screws for suspending the spindle; and a control unit for controlling the rotation of each of the screws, and the inclination of the spindle can be automatically adjusted by the rotation of each of the screws. Equipment manufacturing equipment.
【請求項2】 前記スピンドルの傾きを検出する変位セ
ンサーを設け、前記変位センサーからの傾きに関する信
号を前記制御部に送る手段を有することを特徴とする請
求項1記載の半導体装置の製造装置。
2. The apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, further comprising a displacement sensor for detecting a tilt of the spindle, and a unit for sending a signal relating to the tilt from the displacement sensor to the control unit.
【請求項3】 前記スクリュウーは、前記制御部からの
補正信号により駆動するステッピングモーターにより所
定の回転を行うボールスクリュウーであることを特徴と
する請求項1記載の半導体装置の製造装置。
3. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein said screw is a ball screw which performs a predetermined rotation by a stepping motor driven by a correction signal from said control unit.
【請求項4】 前記変位センサーは渦電流式のセンサー
であり、研削砥石を装着する面と半導体基板を装着する
マウントディスクとの間隔を複数箇所で測定することを
特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造装置。
4. The displacement sensor according to claim 2, wherein the displacement sensor is an eddy current sensor, and measures a distance between a surface on which a grinding wheel is mounted and a mount disk on which a semiconductor substrate is mounted at a plurality of locations. Equipment for manufacturing semiconductor devices.
【請求項5】 前記研削砥石を装着する面は前記スピン
ドルに結合しているマウントディスクの下面であること
を特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造装置。
5. The apparatus according to claim 4, wherein the surface on which the grinding wheel is mounted is a lower surface of a mount disk coupled to the spindle.
【請求項6】 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載
の半導体装置の製造装置を用いて、スピンドルを所定の
傾きに設定した後に半導体基板の主面を研削することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
6. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the main surface of the semiconductor substrate is ground after setting the spindle at a predetermined inclination. Device manufacturing method.
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