JPH11123302A - Method and apparatus for melting and purifying crystal - Google Patents

Method and apparatus for melting and purifying crystal

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JPH11123302A
JPH11123302A JP29016397A JP29016397A JPH11123302A JP H11123302 A JPH11123302 A JP H11123302A JP 29016397 A JP29016397 A JP 29016397A JP 29016397 A JP29016397 A JP 29016397A JP H11123302 A JPH11123302 A JP H11123302A
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敬三 竹上
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和登 中丸
Hajime Nakajima
一 中嶋
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To melt and purify crystals efficiently by using a tower for melting and purifying crystals in an adductive crystals-forming system. SOLUTION: In a method for melting and purifying crystals, wherein raw liquid slurry is fed from one side of an upright tower 10, and the other side is allowed to be in a high-temperature range at higher temperature, and a crystal component of the raw material is transferred to the other side, and the transferred crystal component is allowed to be heated and melted in the high-temperature range, and a part of the molten solution is withdrawn as a product from the other side, and a remaining part is refluxed to the one side as reflux liquid, the same kind of solvent additive liquid as solvent of the raw liquid slurry is added to the high-temperature range, where an operating temperature is lower than the melting temperature of the crystals.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

〔発明の詳細な説明〕[Detailed description of the invention]

【0002】[0002]

【産業上の利用分野】本発明は精製ビスフェノールAの
製造方法に関し、詳しくは、原料となるフェノールとア
セトンより、強酸たまは強酸性イオン交換樹脂の触媒存
在下に、縮合反応により化学合成されるか、ないしは、
炭酸ジフェニルとのエステル交換反応によって製造され
る一般的な反応生成物より、反応により生成された水
や、残ったアセトンを蒸留して除き、得られた粗ビスフ
ェノールAのフェノール溶液より、冷却し、または濃縮
して、晶析操作を行って、アダクト結晶(分子附加体)
を得、このスラリーから塔型の結晶精製機により母液か
ら実質的には完全に分離し、精製ビスフェノールAのフ
ェノール溶液を得ると共に、異性体やその他の不純物を
含む母液は反応系プロセスに循環し、次いで、この純粋
にビスフェノールAとフェノールの混合液を、蒸留塔な
どに供給し、フェノールを実質的には完全に除き、非常
に高純度の精製ビスフェノールAを得る製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing purified bisphenol A. More specifically, the present invention relates to a method for chemically synthesizing phenol and acetone as raw materials in the presence of a strong acid or a strongly acidic ion exchange resin as a catalyst. Or not,
From a general reaction product produced by a transesterification reaction with diphenyl carbonate, water produced by the reaction and remaining acetone are removed by distillation, and the crude phenol solution of bisphenol A obtained is cooled, Or concentrate and conduct crystallization operation to obtain adduct crystals (molecular adducts)
The slurry is substantially completely separated from the mother liquor by a tower-type crystal refiner to obtain a purified phenol solution of bisphenol A, and the mother liquor containing isomers and other impurities is circulated to the reaction system process. Then, the pure bisphenol A and phenol mixture is supplied to a distillation column or the like, and phenol is substantially completely removed to obtain a very high-purity purified bisphenol A.

【0003】[0003]

【従来の技術】ビスフェノールA(2,2−ビス(P−
ヒドロキシフェニル)プロパン)は、ポリカーボネート
樹脂やエポキシ樹脂の合成原料となる。このビスフェノ
ールAは、2当量のフェノールと1当量のアセトンよ
り、強酸または強酸性イオン交換樹脂等の触媒、必要に
よりさらに助触媒の存在下に、縮合反応により、工業的
に大規模に製造されている。このようにして得られる粗
ビスフェノールAは、通常、相当量の不純物、たとえば
(o−,p−)異性体を始め、3量体などの線状や環状
オリゴマー、クロマン類などの不純物を含んでいるの
で、従来、これを晶析法などで精製した後、前記のプラ
スチック製造の原料とされている。
2. Description of the Related Art Bisphenol A (2,2-bis (P-
Hydroxyphenyl) propane) is a raw material for synthesizing polycarbonate resins and epoxy resins. This bisphenol A is industrially produced on a large scale by a condensation reaction from 2 equivalents of phenol and 1 equivalent of acetone in the presence of a catalyst such as a strong acid or a strongly acidic ion exchange resin and, if necessary, a cocatalyst. I have. The crude bisphenol A thus obtained usually contains a considerable amount of impurities such as (o-, p-) isomers, linear and cyclic oligomers such as trimers, and impurities such as chromans. Therefore, conventionally, after being purified by a crystallization method or the like, it has been used as a raw material for the plastic production.

【0004】粗ビスフェノールAの精製に際しては、代
表的には次の2つの方法がある。すなわち、第1の方法
として、まず蒸留塔において、縮合反応液から、縮合反
応により生成した水、未反応のアセトン、反応促進剤と
してのメルカプタン類などを除去した後、異性体や高沸
点不純物とビスフェノールAを含むフェノール溶液を濃
縮缶などにより濃度調整し、次に一連の晶析工程に供給
する。
In purifying crude bisphenol A, there are typically the following two methods. That is, as a first method, first, in a distillation column, water, unreacted acetone, mercaptans as a reaction accelerator, and the like generated from the condensation reaction solution are removed from the condensation reaction solution, and then the isomers and high-boiling impurities are removed. The concentration of the phenol solution containing bisphenol A is adjusted by a concentration can or the like, and then supplied to a series of crystallization steps.

【0005】晶析工程における晶析機では、前記溶液を
冷却し、ビスフェノールAとフェノールの付加体(アダ
クト)結晶を晶出させ、この結晶スラリーより、フィル
ターや遠心分離機などにより結晶を分離し、結晶ケーキ
は純粋なフェノール液にて良く洗浄した後、液分を再分
離し、加熱溶解し、この加熱溶解液を、次の二段目の精
製晶析工程に送る。
In the crystallizer in the crystallization step, the solution is cooled to crystallize an adduct crystal of bisphenol A and phenol, and the crystal is separated from the crystal slurry by a filter, a centrifuge, or the like. After the crystal cake is thoroughly washed with a pure phenol solution, the liquid component is separated again and dissolved by heating, and this heated solution is sent to the next second stage of purification and crystallization.

【0006】二段目の精製晶析工程では、加熱溶解液を
後方よりの分離母液等を循環使用して、濃度調整の後、
晶析機への供給液とする。これを冷却し、ビスフェノー
ルAとフェノールのアダクト結晶を晶出させ、その後、
この結晶スラリーから、フィルターや遠心分離機などに
より結晶を分離し、ケーキ洗浄を行って、二段目の精製
晶析工程を終える。この結晶ケーキは、加熱溶解後、フ
ェノール分離のため次の脱フェノール工程に送られる。
その脱フェノール工程では、フェノールを完全に分離、
除去して高純度精製ビスフェノールAを得るものであ
る。
[0006] In the second stage of purification and crystallization, the heated solution is circulated using a separated mother liquor from the rear, etc., and after concentration adjustment,
This is the liquid to be supplied to the crystallizer. This is cooled to crystallize adduct crystals of bisphenol A and phenol.
Crystals are separated from the crystal slurry by a filter, a centrifuge, or the like, and the cake is washed, thereby completing the second-stage purification and crystallization step. After dissolution by heating, the crystal cake is sent to the next phenol removal step for phenol separation.
In the dephenolization step, phenol is completely separated,
It is to obtain highly purified purified bisphenol A by removal.

【0007】また、第2の粗ビスフェノールAの精製晶
析法は、異性体や高沸点不純物とビスフェノールAを含
むフェノール溶液を、ほとんどのフェノールを蒸発させ
て濃縮した後、多量の温水中に導入し、冷却してビスフ
ェノールA(単体)結晶を得る晶析方法てある。
[0007] The second purification and crystallization method of crude bisphenol A involves a method in which a phenol solution containing an isomer or a high-boiling-point impurity and bisphenol A is concentrated by evaporating most of the phenol, and then introduced into a large amount of warm water. Then, cooling is performed to obtain bisphenol A (simple) crystals.

【0008】ビスフェノールAは、フェノール液には相
当の溶解度を持っているが、温水中ではほとんど溶解し
ない。したがって、大量の温水中にフェノールを少量含
む溶融液を混合することにより、ビスフェノールAを晶
出させる。
[0008] Bisphenol A has considerable solubility in phenol solutions, but hardly dissolves in warm water. Therefore, bisphenol A is crystallized by mixing a melt containing a small amount of phenol in a large amount of warm water.

【0009】この結晶スラリーから、フィルターや遠心
分離器などにより結晶を分離し、結晶ケーキは、残った
フェノールと水分を完全に除去して高純度精製ビスフェ
ノールAを得る方法である。
[0010] In this method, crystals are separated from the crystal slurry by a filter, a centrifugal separator or the like, and the crystal cake is completely removed from the remaining phenol and water to obtain highly purified bisphenol A.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の各粗ビ
スフェノールAの精製方法においては、第1の方法では
少なくても二段の晶析工程が必要である。また、さらに
第2の方法においては、精製ビスフェノールAを分離精
製するためには、多量の温水をプロセス内で循環させる
こととその温水の精製工程が必要となり、実質的にプロ
セスを簡素化できないという問題を有し、経済的ではな
い。
However, in the above-mentioned method for purifying crude bisphenol A, the first method requires at least two crystallization steps. Further, in the second method, in order to separate and purify the purified bisphenol A, it is necessary to circulate a large amount of hot water in the process and a purification step of the hot water is required, and the process cannot be substantially simplified. Has problems and is not economical.

【0011】一般に、晶析精製方法において、目的結晶
を分離した結晶ケーキは何らかの量の母液分(不純物を
多く含んでいる)を含んでおり、実際的には晶析と固液
分離とにより結晶単体のみとすることが難しく、高純度
の製品化のためにはこの母液分を完全に除去することが
必要となる。
Generally, in a crystallization purification method, a crystal cake from which a target crystal is separated contains a certain amount of a mother liquor (contains a large amount of impurities), and actually, the crystal cake is formed by crystallization and solid-liquid separation. It is difficult to use only a single substance, and it is necessary to completely remove the mother liquor for high-purity commercialization.

【0012】しかし、工業的に簡単な方法で効率的に、
実質的に母液分をゼロとすることができれば、非常に経
済的な晶析により分離精製法が構築できる。
However, efficiently in an industrially simple manner,
If the mother liquor content can be substantially reduced to zero, a separation and purification method can be constructed by very economical crystallization.

【0013】このために、塔型の結晶溶融精製塔を用い
て十分に向流置換洗浄を行えば、晶析により結晶単体の
みを得ることができる。
[0013] For this reason, if the countercurrent displacement washing is sufficiently performed using a tower-type crystal melting and refining tower, only a single crystal can be obtained by crystallization.

【0014】しかしながら、目的物質であるビスフェノ
ールAは、純品としてのメルティングポイントが比較的
高く(約158℃)、かつ、そのメルティングポイント
近傍の高温度に長時間晒されると、黄褐色に変着色し、
その後、最終製品化したとき着色が残る。前述のよう
に、ビスフェノールAは、これを重合反応によりポリマ
ー化してポリカーボネート樹脂やエポキシ樹脂の原料と
するので、この呈色成分により製品の透明度が下がり、
または色度の悪い樹脂となると、製品価値が無くなるの
で、一般的な塔型の結晶溶融精製塔を用いて溶融精製を
行う方法は採用されていない。
However, bisphenol A, which is the target substance, has a relatively high melting point as a pure product (about 158 ° C.) and becomes yellow-brown when exposed to a high temperature near the melting point for a long time. Discolored,
Thereafter, when the final product is obtained, coloring remains. As described above, bisphenol A is polymerized by a polymerization reaction and used as a raw material for a polycarbonate resin or an epoxy resin. Therefore, the color component reduces the transparency of the product,
Alternatively, since a resin having poor chromaticity loses its product value, a method of performing melting and refining using a general tower-type crystal melting and refining tower has not been adopted.

【0015】したがって、本発明の課題は、塔型の結晶
溶融精製塔を用いて、精製効率をおよび純度を著しく高
め、また、精製目的物質がビスフェノールAの場合に
は、着色がない製品を得ることにある。
Therefore, an object of the present invention is to remarkably increase the purification efficiency and purity by using a column-type crystal melting and refining tower, and to obtain a product without coloring when the purification target substance is bisphenol A. It is in.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決した本発
明の請求項1記載の発明は、竪型塔の一方側から原液ス
ラリーを供給し、他方側を温度がより高い高温域とし、
前記原料の結晶成分を他方側に移動させ、この移動した
結晶成分を前記高温域において加熱溶融させ、この溶融
液の一部を他方側から製品(この「製品」とは中間製品
および最終製品のいずれの場合も含む)として取出し、
残部を還流液として前記一方側に(結晶と向流に)還流
させる結晶の溶融精製方法において、前記高温域に対し
て前記原液スラリーの溶媒と同種の溶媒(添加)液を添
加し、前記高温域の操作温度を目的の結晶の融点より低
い温度で操作することを特徴とする結晶の溶融精製方法
である。
According to the first aspect of the present invention, which solves the above-mentioned problems, a stock solution slurry is supplied from one side of a vertical column, and the other side is set to a high-temperature region having a higher temperature.
The crystal component of the raw material is moved to the other side, and the moved crystal component is heated and melted in the high-temperature region, and a part of the melt is supplied from the other side to a product (the “product” is an intermediate product and a final product). Including both cases)
In the method of melting and refining a crystal in which the remainder is refluxed to one side (countercurrent to the crystal) as a reflux liquid, a solvent (addition) liquid of the same kind as the solvent of the stock solution slurry is added to the high temperature region, A method for melting and refining a crystal, characterized in that the operating temperature in the region is lower than the melting point of the target crystal.

【0017】請求項2記載の発明は、前記竪型塔から取
り出した製品から、前記溶媒添加液分を除去して製品化
を図る請求項1記載の結晶の溶融精製方法である。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the method for melting and refining a crystal according to the first aspect, wherein the solvent added component is removed from the product taken out of the vertical tower to produce the product.

【0018】請求項3記載の発明は、前記溶媒添加液の
添加量を制御する請求項1記載の結晶の溶融精製方法で
ある。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the method for melting and refining a crystal according to the first aspect, wherein the amount of the solvent addition liquid is controlled.

【0019】請求項4記載の発明は、竪型塔の一方側か
ら原液スラリーを供給し、他方側を温度がより高い高温
域とし、前記原料の結晶成分を他方側に移動させ、この
移動した結晶成分を前記高温域において加熱溶融させ、
この溶融液の一部を他方側から製品として取出し、残部
を還流液として前記一方側に還流させる結晶の溶融精製
方法において、前記他方側の内部から高温液を抜き出し
て他方側の内部に戻す外部循環ループを構成し、この外
部循環ループにおいて加熱を行い高温化することにより
結晶成分の加熱溶融を図り、外部循環ループ内に前記原
液スラリーの溶媒と同種の溶媒添加液を添加し、前記高
温域の操作温度を目的の結晶の融点より低い温度で操作
することを特徴とする結晶の溶融精製方法である。
According to a fourth aspect of the present invention, the stock slurry is supplied from one side of the vertical column, the other side is set to a high temperature region where the temperature is higher, and the crystal component of the raw material is moved to the other side. Heating and melting the crystal component in the high temperature range,
In a method for refining crystals in which a part of the melt is taken out as a product from the other side and the remainder is refluxed to the one side as a reflux liquid, the high temperature liquid is extracted from the inside of the other side and returned to the inside of the other side. Forming a circulation loop, heating and melting the crystal component by heating and raising the temperature in this external circulation loop, adding a solvent addition liquid of the same type as the solvent of the stock solution slurry into the external circulation loop, A melting and refining method for a crystal characterized by operating at a temperature lower than the melting point of the target crystal.

【0020】請求項5記載の発明は、竪型塔の一方側か
らビスフェノールAのアダクト結晶スラリーを供給し、
他方側を温度がより高い高温域とし、前記結晶スラリー
の結晶成分を他方側に移動させ、この移動した結晶成分
を前記高温域において加熱溶融させ、この溶融液の一部
を他方側から製品として取出し、残部を還流液として前
記一方側に還流させる結晶の溶融精製方法であり、前記
高温域に対して前記原液スラリーの溶媒と同種の溶媒添
加液を添加し、前記高温域の操作温度を目的の結晶の融
点より低い温度で操作することを特徴とする高純度ビス
フェノールA結晶の溶融精製方法である。
According to a fifth aspect of the present invention, an adduct crystal slurry of bisphenol A is supplied from one side of a vertical column,
The other side is a high temperature region where the temperature is higher, the crystal component of the crystal slurry is moved to the other side, and the moved crystal component is heated and melted in the high temperature region, and a part of the melt is made into a product from the other side. This is a method for melting and refining a crystal in which the remainder is refluxed to the one side as a reflux liquid, wherein a solvent addition liquid of the same kind as the solvent of the stock slurry is added to the high temperature area, and the operation temperature in the high temperature area is adjusted. A method for melting and refining high-purity bisphenol A crystals, characterized by operating at a temperature lower than the melting point of the crystals.

【0021】請求項6記載の発明は、竪型塔の一方側か
ら原液スラリーを供給し、他方側を温度がより高い高温
域とし、前記原料の結晶成分を他方側に移動させ、この
移動した結晶成分を前記高温域において加熱溶融させ、
この溶融液の一部を他方側から製品として取出し、残部
を還流液として前記一方側に還流させる結晶の溶融精製
装置において、前記高温域に対する前記原液スラリーの
溶媒と同種の溶媒添加液の添加手段が設けられているこ
とを特徴とする結晶の溶融精製装置である。
According to a sixth aspect of the present invention, the raw liquid slurry is supplied from one side of the vertical column, the other side is set to a high temperature region where the temperature is higher, and the crystal component of the raw material is moved to the other side. Heating and melting the crystal component in the high temperature range,
In a crystal melting and refining apparatus in which a part of the melt is taken out as a product from the other side and the remainder is refluxed to the one side as a reflux liquid, a means for adding a solvent addition liquid of the same kind as the solvent of the stock solution slurry to the high temperature region Which is a melting and refining apparatus for crystals.

【0022】請求項7記載の発明は、竪型塔の一方側か
ら原液スラリーを供給し、他方側を温度がより高い高温
域とし、前記原料の結晶成分を他方側に移動させ、この
移動した結晶成分を前記高温域において加熱溶融させ、
この溶融液の一部を他方側から製品として取出し、残部
を還流液として前記一方側に還流させる結晶の溶融精製
装置において、前記他方側の内部から高温液を抜き出し
て他方側の内部に戻す外部循環ループと、この外部循環
ループにおいて加熱を行い高温化することにより結晶成
分の加熱溶融を図る手段と、この外部循環ループ内に前
記原液スラリーの溶媒と同種の溶媒添加液を添加手段と
を有することを特徴とする結晶の溶融精製方法である。
According to a seventh aspect of the present invention, the raw liquid slurry is supplied from one side of the vertical column, the other side is set to a high temperature region where the temperature is higher, and the crystal component of the raw material is moved to the other side. Heating and melting the crystal component in the high temperature range,
In a crystal melting and refining apparatus in which a part of the melt is taken out as a product from the other side and the remainder is refluxed to the one side, a high temperature liquid is extracted from the inside of the other side and returned to the inside of the other side. A circulation loop, a means for heating and melting the crystal component by heating and increasing the temperature in the outer circulation loop, and a means for adding a solvent addition liquid of the same kind as the solvent of the stock slurry in the outer circulation loop A method for melting and refining crystals.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】次に本発明をさらに詳説する。Next, the present invention will be described in more detail.

【0024】ビスフェノールAの融点(メルティングポ
イント)は約158℃、フェノールの融点は40.75
℃、ビスフェノールAの1分子とフェノールの1分子が
会合した分子間付加物(アダクト)の転移点は98℃で
ある。また、結晶化におけるビスフェノールAとフェノ
ールの相図は図1に示すとおりである。
The melting point (melting point) of bisphenol A is about 158 ° C., and the melting point of phenol is 40.75.
The transition point of an intermolecular adduct (adduct) in which one molecule of bisphenol A and one molecule of phenol are associated is 98 ° C. The phase diagram of bisphenol A and phenol in crystallization is as shown in FIG.

【0025】塔型の結晶溶融精製機は公知である。従来
の塔型の結晶溶融精製機においては、塔内に第三物質的
溶媒を添加することを行うことなく、たとえば塔内に下
降する結晶を底部において加熱融解して、この加熱融解
液を上昇させて下降する結晶に対して向流洗浄するよう
にしている。したがって、高純度品を得るために、塔の
底部では結晶を加熱融解するためにその融点またはそれ
以上の温度に維持する必要がある。
[0025] Tower-type crystal melt refiners are known. In a conventional tower-type crystal melting and refining machine, without adding a third material solvent into the tower, for example, the crystals descending into the tower are heated and melted at the bottom, and the heated melt is raised. Then, the falling crystals are subjected to countercurrent cleaning. Therefore, in order to obtain a high-purity product, it is necessary to maintain the melting point or higher at the bottom of the column in order to heat and melt the crystal.

【0026】これをビスフェノールA結晶の溶融精製に
ついてみると、加熱融解部においては、前記の融点であ
る158℃またはそれ以上の温度での高温操作が必要と
なる。
As for the melting and refining of the bisphenol A crystal, a high-temperature operation at a temperature of 158 ° C. or higher, which is the above-mentioned melting point, is required in the heat melting section.

【0027】しかるに、前述のように、この操作では、
着色を生じるために、塔型の結晶溶融精製機を使用でき
ないでいた。この着色の原因として、確定的ではないが
種々のことが考えられている。たとえば、非常に微量に
含まれる不飽和結合を持った不純物が、高温により重合
を起こし、タール化して呈色する、あるいは、酸素の存
在により、酸化反応を受けてタール化して呈色すること
などが想定される。
However, as described above, in this operation,
In order to cause coloring, a tower-type crystal melting and refining machine could not be used. Various, though not conclusive, causes of this coloring have been considered. For example, a very small amount of impurities having an unsaturated bond contained therein can be polymerized at high temperatures and become tarred to form a color, or, due to the presence of oxygen, undergo an oxidation reaction to form a tar and become colored. Is assumed.

【0028】しかし、本発明に従って、高温域、たとえ
ば加熱融解部に対して原液スラリーの溶媒と同種の溶媒
添加液を添加し、高温域の操作温度を目的の結晶の融点
より低い温度で操作すると、実質的に着色がない高品質
の製品(製品)を塔型の結晶溶融精製機を使用して得る
ことができる。
However, according to the present invention, when a solvent addition liquid of the same kind as the solvent of the stock slurry is added to a high-temperature region, for example, a heating and melting portion, and the operation temperature in the high-temperature region is lower than the melting point of the target crystal, A high-quality product (product) having substantially no color can be obtained using a tower-type crystal melting and refining machine.

【0029】他方、結晶の融点より低い温度で加熱融解
させるシステムを構築することは、結晶溶融精製機の保
温のための設備的負担を低減させ、かつ、加熱融解用熱
媒の温度を低下させることによる必要ユーティリティー
(エネルギー)負担を低減させ、いずれにしても設備費
と運転費の低減を図ることができる。
On the other hand, the construction of a system that heats and melts at a temperature lower than the melting point of the crystal reduces the equipment load for keeping the heat of the crystal melting and refining machine and lowers the temperature of the heat medium for heating and melting. Accordingly, the required utility (energy) burden can be reduced, and in any case, the equipment cost and the operating cost can be reduced.

【0030】本発明は、加熱融解部を、目的の結晶の融
点より低い温度で操作することと、原液スラリーの溶媒
と同種の溶媒添加液を添加することとを有機的に組み合
わせたものである。これをアダクト結晶を晶出するビス
フェノールAを例に採り、図1の相図で説明すると、ビ
スフェノールAとフェノールとのアダクト母液中での共
融温度(共晶点)は98℃であり、通常では、この温度
で共融混合物が1:1モルで存在するところ、この系で
は、図示のように、結晶固体のビスフェノールAとフェ
ノールの1:1モルの点は、ビスフェノールA濃度とし
て58.0%から70.8%の点に移動している。その
結果、98℃近傍で加熱融解部を操作すると、ビスフェ
ノールAのアダクトでない単品の結晶が生じ、これが加
熱融解部において順次堆積してしまい、運転を阻害す
る。
The present invention is an organically combined operation of operating the heat-melting section at a temperature lower than the melting point of the target crystal and adding a solvent addition liquid of the same kind as the solvent of the stock slurry. . Taking this as an example using bisphenol A that crystallizes adduct crystals, and referring to the phase diagram of FIG. 1, the eutectic temperature (eutectic point) of bisphenol A and phenol in an adduct mother liquor is 98 ° C. In this system, the eutectic mixture is present at 1: 1 molar at this temperature. In this system, the point of 1: 1 molar between the crystalline solid bisphenol A and phenol is 58.0 as the bisphenol A concentration as shown in the figure. % To 70.8%. As a result, when the heating and melting part is operated at around 98 ° C., single crystals that are not adducts of bisphenol A are generated, and these crystals are sequentially deposited in the heating and melting part, which hinders operation.

【0031】しかるに、本発明に従って、加熱融解部に
対して原液スラリーの溶媒と同種の溶媒添加液を添加す
ると、この溶媒添加液により、この場合、フェノールに
よりアダクト結晶が分解して晶出しようとするビスフェ
ノールA結晶を溶解でき、もって、ビスフェノールAの
晶出を防止でき、加熱融解部において結晶が順次堆積し
てしまい運転を阻害することがなくなる。
However, according to the present invention, when a solvent addition liquid of the same kind as the solvent of the stock solution slurry is added to the heated and melted portion, the adduct crystal is decomposed by phenol in this case, and crystallization is attempted. Bisphenol A crystals can be dissolved, whereby crystallization of bisphenol A can be prevented, and the operation is not hindered due to the sequential deposition of crystals in the heated and melted portion.

【0032】図2に全体のビスフェノールAの製造フロ
ーを、図3に結晶溶融精製機の例を示したので、以下、
順次これについて説明する。
FIG. 2 shows an overall production flow of bisphenol A, and FIG. 3 shows an example of a crystal melting and refining machine.
This will be described sequentially.

【0033】図2において、前述のように、たとえば、
フェノールとアセトンとを原料として、反応工程1にお
いて、強酸または強酸性イオン交換樹脂の触媒、および
助触媒の存在下に、縮合反応により合成する。この場
合、フェノールは、反応熱を効果的に除くことや、異性
体の生成を押さえるなどの目的で、アセトンに比べ当量
的には過剰量で反応器に供給される。
In FIG. 2, as described above, for example,
In reaction step 1, phenol and acetone are used as raw materials, and are synthesized by a condensation reaction in the presence of a strong acid or strongly acidic ion exchange resin catalyst and a cocatalyst. In this case, phenol is supplied to the reactor in an equivalent amount as compared with acetone for the purpose of effectively removing heat of reaction and suppressing the formation of isomers.

【0034】次いで、一般的にはこの反応生成物より、
縮合反応により生成された水や、残ったアセトンや助触
媒を、蒸留工程2において蒸留により除去し、得られた
粗ビスフェノールAのフェノール溶液を濃縮缶などによ
り濃度調整の後、晶析工程3に供給する。
Next, generally, from this reaction product,
Water generated by the condensation reaction, remaining acetone and cocatalyst are removed by distillation in distillation step 2, and the obtained phenol solution of crude bisphenol A is subjected to concentration adjustment using a concentrator or the like, and then to crystallization step 3. Supply.

【0035】晶析工程3における晶析機内では、約98
〜35℃の温度範囲で晶析を行うが、経済的には、可能
な限りビスフェノールAを回収するため、可能な限り低
温まで冷却することが望ましく、好適には40〜60℃
の範囲に冷却し、図1の相図が参照されるように、ビス
フェノールAのアダクト結晶を得る。
In the crystallizer in the crystallization step 3, about 98
The crystallization is carried out in a temperature range of up to 35 ° C., but economically, it is desirable to cool down to as low a temperature as possible to recover bisphenol A as much as possible, preferably 40 to 60 ° C.
To obtain an adduct crystal of bisphenol A as shown in the phase diagram of FIG.

【0036】従来ならば、この結晶スラリーより、フィ
ルターや遠心分離器などにより結晶を分離し、結晶ケー
キはフェノールにて良く洗浄した後、再分離し、加熱溶
解するとともに、異性体やその他の不純物を含む分離母
液を反応系プロセスに返送循環する。結晶の加熱溶解液
は、次の二段目の精製晶析工程に送り、ここで、同様に
この加熱溶解液を後方よりの循環母液などにより濃度調
整の後、冷却し、前段と同様にビスフェノールAとフェ
ノールのアダクト結晶を晶出させ、この結晶スラリーよ
り、フィルターや遠心分離器などにより結晶を分離し、
ケーキ洗浄の後、二段目の精製晶析工程を終了する。こ
の結晶ケーキは、加熱溶解後、フェノール分離のため次
の脱フェノール工程に送る。
Conventionally, crystals are separated from the crystal slurry by a filter, a centrifugal separator, etc., and the crystal cake is thoroughly washed with phenol, separated again, heated and dissolved, and isomers and other impurities are removed. Is returned and circulated to the reaction system process. The heat-dissolved solution of the crystals is sent to the next second-stage purification crystallization step, where the heat-dissolved solution is similarly adjusted in concentration with a circulating mother liquor from the back, cooled, and bisphenol is added in the same manner as in the previous step. A and phenol adduct crystals are crystallized, and the crystals are separated from this crystal slurry using a filter or centrifuge,
After the cake washing, the second-stage purification crystallization step is completed. After dissolution by heating, the crystal cake is sent to the next phenol removal step for phenol separation.

【0037】しかるに、本発明においては、溶融精製工
程4に導き、ここで結晶の溶融精製を行い、高度に精製
されたアダクト結晶の溶融液を得て、この溶融液に含ま
れるフェノールを、脱フェノール工程5において除去す
る。フェノールを除去した製品は、そのまま製品とする
か、造粒工程6を経て粒状固体として製品化する。
In the present invention, however, the process is led to a melting and refining step 4, where the crystal is melt-refined to obtain a highly purified melt of the adduct crystal, and the phenol contained in the melt is removed. Removed in phenol step 5. The product from which phenol has been removed may be used as a product as it is or may be made into a granular solid through a granulation step 6.

【0038】溶融精製機10の例は、図3に示すもの
で、縦型の塔形式のもので、保温用トレース12などを
装備しており、下部に熱媒体を流通する加熱融解部14
を備えている。この加熱融解部14により生じた高温液
が溶融精製機10を還流する結果、溶融精製機10に
は、温度勾配が形成される。加熱融解部14の上方に
は、攪拌羽根16aを有する攪拌機16が設けられ、攪
拌駆動モータ16bにより結晶充填層をゆっくり攪拌す
るようにしてある。
An example of the melting and refining machine 10 is shown in FIG. 3 and is of a vertical tower type, equipped with a heat retaining trace 12 and the like, and a heating and melting section 14 for flowing a heat medium below.
It has. As a result of the high-temperature liquid generated by the heating and melting unit 14 flowing back through the melt purifier 10, a temperature gradient is formed in the melt purifier 10. A stirrer 16 having stirring blades 16a is provided above the heating and melting unit 14, and the crystal packed bed is slowly stirred by a stirring drive motor 16b.

【0039】晶析工程3からのビスフェノールAのアダ
クト結晶スラリーは、原料として、溶融精製機10の上
部から供給される。結晶スラリー中の結晶は、重力によ
り下方に沈降移動し、やがて、加熱融解部14に至る。
この加熱融解部14において結晶が融解され、一部は製
品として下部から抜き出され、図2に示すように、下流
の工程に供給される。残った融液は上昇し、下方に押し
込まれてくる結晶と置換するようにして、結晶ベッドの
間隙を通り抜けて行く。こうして、下降する結晶と還流
上昇する融液とが向流接触し、還流する融液により下降
する(もしくは下方に押し込まれる)結晶の粒子を十分
に洗浄して高純度の結晶体とする。このような溶融精製
においては、結晶が溶解する前に高温度に晒されるた
め、発汗現象を起こし純度が著しく高まるものである。
The adduct crystal slurry of bisphenol A from the crystallization step 3 is supplied as a raw material from the upper part of the melt refiner 10. The crystals in the crystal slurry settle and move downward due to gravity, and eventually reach the heating and melting unit 14.
The crystals are melted in the heating and melting section 14 and a part is extracted from the lower part as a product and supplied to a downstream process as shown in FIG. The remaining melt rises and passes through the gaps in the crystal bed, displacing the crystals pushed down. Thus, the descending crystal and the refluxing melt are brought into countercurrent contact, and the crystal particles descending (or pushed downward) by the refluxing melt are sufficiently washed to obtain a high-purity crystal. In such a melting and refining process, the crystals are exposed to a high temperature before melting, so that a sweating phenomenon occurs and the purity is remarkably increased.

【0040】かくして、溶融精製機10において結晶の
溶融精製操作を行うことにより、1段の工程で、きわめ
て純度の高い融液製品を得ることができる。
Thus, by performing the melting and refining operation of the crystal in the melting and refining machine 10, a very pure melt product can be obtained in one step.

【0041】ビスフェノールA結晶の溶融精製の場合
は、加熱融解部14を98℃近傍の温度、現実的には9
8℃±2℃、より好適には温度を正確にコントロールし
て98℃±1℃で操作するのが望ましい。溶融精製機1
0内の温度勾配は、適宜選択できるが、たとえば55℃
〜85℃の温度とすることができる。
In the case of melting and refining bisphenol A crystals, the heating and melting section 14 is heated to a temperature of about 98 ° C.,
It is preferable to operate at 8 ° C. ± 2 ° C., more preferably at 98 ° C. ± 1 ° C. with accurate temperature control. Melt refiner 1
The temperature gradient within 0 can be appropriately selected.
It can be a temperature of 8585 ° C.

【0042】一方、図3にも示されているように、本発
明の溶媒添加液として、フェールが加熱融解部14に添
加される。この添加の位置としては、好適には加熱融解
部14の高さ範囲内が望ましい。加熱融解部14より高
い位置(または離間する位置)とすると、ビスフェノー
ルAの結晶が溶解されないまま堆積する傾向にあるから
である。また、塔の底部からは製品を抜き出すので、こ
の位置に添加すると、ビスフェノールAの融液にフェノ
ールが混入してそのまま流出することになるので、かか
る添加は避けることが望ましい。
On the other hand, as shown in FIG. 3, fail is added to the heating and melting section 14 as a solvent addition liquid of the present invention. The position of this addition is desirably within the height range of the heating and melting portion 14. If the position is higher (or separated) than the heated and melted portion 14, the bisphenol A crystals tend to deposit without being dissolved. Further, since the product is withdrawn from the bottom of the column, if added to this position, phenol will be mixed into the melt of bisphenol A and will flow out as it is, so it is desirable to avoid such addition.

【0043】溶媒添加液、この場合には、フェノールの
添加量としては、ビスフェノールAの結晶を溶解するに
充分な量とされる。添加するフェノールの温度として
は、98℃±1℃程度の温度が望ましいけれども、充分
な添加量を確保すれば、50℃〜98℃の範囲の温度に
適宜選択できる。また、98℃以上の温度で添加するこ
とも可能である。98℃以上の温度で添加すると、加熱
融解部14に供給する熱媒体の量を低減することができ
る。さらに、結晶の溶融精製過程で、たとえば製品の性
状の観察に基づいて、経時的にフェノールの添加量を増
減する制御することができる。フェノールの添加量を増
減すると、加熱融解部14の温度を制御できるととも
に、塔内の温度勾配をコントロールできる。
The added amount of the solvent, in this case, phenol, is an amount sufficient to dissolve the bisphenol A crystals. Although the temperature of the phenol to be added is preferably about 98 ° C. ± 1 ° C., it can be appropriately selected from the range of 50 ° C. to 98 ° C. if a sufficient amount is added. It is also possible to add at a temperature of 98 ° C. or higher. When added at a temperature of 98 ° C. or higher, the amount of the heat medium supplied to the heating and melting unit 14 can be reduced. Furthermore, it is possible to control to increase or decrease the amount of phenol to be added over time in the course of crystal refining, for example, based on observation of the properties of the product. By increasing or decreasing the amount of phenol added, it is possible to control the temperature of the heating and melting section 14 and also control the temperature gradient in the tower.

【0044】さらに、フェノールの添加に際して、連続
的に添加するほか、間欠的もしくはバッチ的に添加する
ことができる。
In addition to the phenol addition, it can be added continuously or intermittently or batchwise.

【0045】加熱融解部は、適宜の伝熱媒体手段を用い
ることができる。この例としては、電熱ヒータなとがあ
るが、好適には、伝熱加熱管、特に本出願人の提案に係
る特開平9−85008号公報に示され、かつ、図4に
示された、縦向きに伝熱加熱管14A,14A…群を配
設したものが望ましい。この場合、熱媒体20は入口2
1から供給され、内管14aを通った後、外管14bと
の間から抜けて出口22から流出される。23は結晶の
分離用スクリーンである。
For the heating and melting portion, an appropriate heat transfer medium means can be used. As an example of this, there is an electric heater, and preferably, a heat transfer heating tube, particularly shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-85008 proposed by the present applicant, and shown in FIG. It is desirable that a group of heat transfer heating tubes 14A, 14A... In this case, the heating medium 20 is at the inlet 2
After passing through the inner tube 14a, it is supplied from the outer tube 14a and then flows out of the outlet 22 through the space between the outer tube 14b and the outer tube 14b. 23 is a crystal separation screen.

【0046】本発明においては、竪型塔の一方側から、
前記例のように上部からのほか、下部から原液スラリー
を供給し、他方側を温度がより高い高温域とし、前記原
料の結晶成分を他方側に移動させ、この移動した結晶成
分を前記高温域において加熱溶融させ、この溶融液の一
部を他方側から製品として取出し、残部を還流液として
前記一方側に還流させる結晶の溶融精製装置である限
り、種々の形式のものを取扱物質に応じて適宜採用でき
る。
In the present invention, from one side of the vertical tower,
As in the above example, in addition to the upper portion, the undiluted slurry is supplied from the lower portion, the other side is set to a high temperature region where the temperature is higher, the crystal component of the raw material is moved to the other side, and the moved crystal component is transferred to the high temperature region. In the melting and refining apparatus of the crystal, a part of the melt is taken out as a product from the other side and the remainder is refluxed to the one side as a reflux liquid. It can be adopted as appropriate.

【0047】竪型塔内は、結晶粒子を充填した部分をも
つが、この結晶充填層は最密充填であるほか、わずかに
流動するルーズな充填であってもよい。この結晶ベッド
を移動させるためのスクリューコンベアのような移送手
段を設けたもの(たとえば特開平9−85008号公報
などの例)のほか、この結晶ベッドを撹件するまたはほ
ぐす図3に示す攪拌機を有していてもよい。スクリュー
コンベアや攪拌機を内部に有しないものでもよい。前記
の結晶充填部はいわゆる満液状態のもののほか、いわゆ
る潅漑状態のものでもよい。
The inside of the vertical column has a portion filled with crystal grains, and this crystal packed layer may be a close packing or a loose packing with a slight flow. In addition to a device provided with a transfer means such as a screw conveyor for moving the crystal bed (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-85008), the stirrer shown in FIG. You may have. What does not have a screw conveyor or a stirrer inside may be used. The crystal filling part may be in a so-called irrigation state in addition to a so-called full state.

【0048】加熱融解部は、前述の実施例の示すよう
に、塔底部に設けるほか、対象物質によっては、逆に塔
頂部に設けるものでもよい。加熱融解部を溶融精製塔内
ではなく、外部に持って、結晶スラリーおよび融解液を
溶融精製塔内外で循環させているものでもよい。さら
に、塔内部に冷却晶析部も設けて、冷却晶析部と溶融精
製部とを繋げた形式のものでもよい。
The heat-melting section may be provided at the bottom of the column, depending on the target substance, in addition to being provided at the bottom of the column as shown in the above-described embodiment. The crystal melting slurry and the melt may be circulated inside and outside the melting and refining tower by holding the heating and melting unit outside the melting and refining tower, instead of inside. Further, a cooling crystallization section may be provided inside the tower, and the cooling crystallization section may be connected to the melting and refining section.

【0049】この種の溶融精製塔の形式もしくは運転形
態が種々存在することは、「アロマティクス」第37
巻、第7・8号(1985年)の109頁〜127頁に
詳述されている。
The existence of various types or operation modes of this type of melt purification column is described in "Aromatics" No. 37.
Vol., No. 7.8 (1985), pp. 109-127.

【0050】他方、図6に示す態様も採用できる。すな
わち、溶融精製機10の下部に、そのの内部から高温液
を抜き出して元の内部に戻すポンプ30も設けて外部循
環ループ32を構成し、この外部循環ループ32におい
て熱交換器31などにおいてスチームを加えて加熱を行
い高温化することにより結晶成分の加熱溶融を図る。
On the other hand, the embodiment shown in FIG. 6 can also be adopted. That is, a pump 30 for extracting a high-temperature liquid from the inside thereof and returning it to the original inside thereof is also provided at the lower portion of the melt refining machine 10 to form an external circulation loop 32. In the external circulation loop 32, a steam in the heat exchanger 31 and the like is formed. Is added and heated to raise the temperature, thereby heating and melting the crystal component.

【0051】この場合において、外部循環ループ32内
に前記原液スラリーの溶媒と同種の溶媒添加液、たとえ
ばフェノールを添加ライン33から添加することができ
る。
In this case, a solvent addition liquid of the same kind as the solvent of the stock slurry, for example, phenol, can be added from the addition line 33 into the external circulation loop 32.

【0052】この場合には、溶融精製機10の下部の内
部に加熱融解部を構成しないので、結晶の充填層をほぐ
すために、たとえばモータ駆動による掻きほぐし手段3
4を設けるのが望ましい。
In this case, since the heating and melting section is not formed inside the lower portion of the melt refining machine 10, in order to loosen the packed layer of crystals, for example, a scraping means 3 driven by a motor is used.
4 is desirably provided.

【0053】この例においても、前記高温域(溶融精製
機10の下部の内部および熱交換器31)の操作温度を
目的の結晶の融点より低い温度で操作するものである。
Also in this example, the operation temperature of the high-temperature region (the inside of the lower part of the melt refining machine 10 and the heat exchanger 31) is operated at a temperature lower than the melting point of the target crystal.

【0054】[0054]

【実施例】次に実施例を示し本発明の効果を説明する。
図2のフローで、ビスフェノールAを得た。すなわち、
縮合反応後の生成液から蒸留により、水分、アセトン、
メルカプタン等の軽沸点成分除去した。この液組成は、
BPA(ビスフェノールA)=18.0重量%(以下単
に断りのない限り%は重量%である)、異性体=0.9
%、他の不純物=1.2%であった。
EXAMPLES Next, the effects of the present invention will be described with reference to examples.
Bisphenol A was obtained according to the flow of FIG. That is,
From the product liquid after the condensation reaction, water, acetone,
Light boiling components such as mercaptan were removed. This liquid composition is
BPA (bisphenol A) = 18.0% by weight (% is% by weight unless otherwise noted), isomer = 0.9
%, Other impurities = 1.2%.

【0055】これをBPAが約30%になるまで濃縮
し、または、リサイクル戻り液で濃度を調整し、約95
℃で溶融状態に調整した後、結晶缶内にて温度45℃ま
で間接冷却、または断熱冷却し、アダクト結晶を晶出さ
せた。
This was concentrated until the BPA became about 30%, or the concentration was adjusted with a recycle liquid, and the concentration was adjusted to about 95%.
After adjusting to a molten state at ℃, indirect cooling or adiabatic cooling to a temperature of 45 ℃ in the crystal can to crystallize adduct crystals.

【0056】生成した結晶スラリーは、輸送やハンドリ
ング性、および経済的観点から、結晶濃度20〜35w
t%となるようにし、この結晶スラリーを図3に示す結
晶の溶融精製塔に供給した。用いた溶融精製塔は、10
0mmφ×1000mmHのものである。
The produced crystal slurry has a crystal concentration of 20 to 35 watts from the viewpoint of transportation, handling, and economy.
The crystal slurry was supplied to a crystal melting and refining tower shown in FIG. The melting and refining tower used was 10
0 mmφ × 1000 mmH.

【0057】加熱融解部の温度は、98℃±1℃とし、
かつ、フェノールを98℃±1℃で添加した。その結
果、1時間当たり11リットルのビスフェノールA製品
(フェノール溶解液)を得ることができた。この場合の
マスローを図5に示した。製品の純度は想像以上にきわ
めて高く、また着色が認められなかった。
The temperature of the heating and melting part is 98 ° C. ± 1 ° C.
In addition, phenol was added at 98 ° C. ± 1 ° C. As a result, 11 liters of bisphenol A product (phenol solution) per hour could be obtained. The maslow in this case is shown in FIG. The purity of the product was much higher than expected and no color was observed.

【0058】[0058]

【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、塔型の
結晶溶融精製塔を用いて、精製効率をおよび純度を著し
く高め、また、精製目的物質がビスフェノールAの場合
には、着色がないものとすることができるなどの利点が
もたらされる。
As described above, according to the present invention, the purification efficiency and the purity are remarkably increased by using a tower-type crystal melting and refining tower. There are advantages such as being able to be none.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】相図である。FIG. 1 is a phase diagram.

【図2】ビスフェノールAの製造過程例を示すフローで
ある。
FIG. 2 is a flow chart showing an example of a production process of bisphenol A.

【図3】結晶の溶融精製塔の例を示す概要図である。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example of a crystal refining tower.

【図4】加熱融解部例の部分説明図である。FIG. 4 is a partial explanatory view of an example of a heating and melting unit.

【図5】ビスフェノールAの実施例のマスフロー説明図
である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a mass flow of an example of bisphenol A.

【図6】他の例に従う結晶の溶融精製塔の概要図であ
る。
FIG. 6 is a schematic view of a crystal melting and refining tower according to another example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…反応工程、2…蒸留工程、3…晶析工程、4…溶融
精製工程、5…脱フェノール工程、6…造粒工程、10
…溶融精製機(溶融精製塔)、14…加熱融解部。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Reaction process, 2 ... Distillation process, 3 ... Crystallization process, 4 ... Melt purification process, 5 ... Dephenolization process, 6 ... Granulation process, 10
... Melt refining machine (melt refining tower), 14.

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成9年12月4日[Submission date] December 4, 1997

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing

【補正対象項目名】図1[Correction target item name] Fig. 1

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【図1】 FIG.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】竪型塔の一方側から原液スラリーを供給
し、他方側を温度がより高い高温域とし、前記原料の結
晶成分を他方側に移動させ、この移動した結晶成分を前
記高温域において加熱溶融させ、この溶融液の一部を他
方側から製品として取出し、残部を還流液として前記一
方側に還流させる結晶の溶融精製方法において、 前記高温域に対して前記原液スラリーの溶媒と同種の溶
媒添加液を添加し、前記高温域の操作温度を目的の結晶
の融点より低い温度で操作することを特徴とする結晶の
溶融精製方法。
1. An undiluted slurry is supplied from one side of a vertical tower, the other side is set to a high temperature region where the temperature is higher, and the crystal component of the raw material is moved to the other side. In the method of melting and refining a crystal in which a part of the melt is taken out as a product from the other side and the remainder is refluxed to the one side as a reflux liquid, the same kind of solvent as the stock slurry is used for the high temperature region. A method for melting and refining a crystal, comprising adding the solvent addition liquid of (1) and operating at an operating temperature in the high temperature range lower than the melting point of the target crystal.
【請求項2】前記竪型塔から取り出した製品から、前記
溶媒添加液分を除去して製品化を図る請求項1記載の結
晶の溶融精製方法。
2. The method for melting and refining crystals according to claim 1, wherein said solvent added liquid is removed from the product taken out of said vertical column to produce a product.
【請求項3】前記溶媒添加液の添加量を制御する請求項
1記載の結晶の溶融精製方法。
3. The method according to claim 1, wherein the amount of the solvent addition liquid is controlled.
【請求項4】竪型塔の一方側から原液スラリーを供給
し、他方側を温度がより高い高温域とし、前記原料の結
晶成分を他方側に移動させ、この移動した結晶成分を前
記高温域において加熱溶融させ、この溶融液の一部を他
方側から製品として取出し、残部を還流液として前記一
方側に還流させる結晶の溶融精製方法において、 前記他方側の内部から高温液を抜き出して他方側の内部
に戻す外部循環ループを構成し、この外部循環ループに
おいて加熱を行い高温化することにより結晶成分の加熱
溶融を図り、外部循環ループ内に前記原液スラリーの溶
媒と同種の溶媒添加液を添加し、前記高温域の操作温度
を目的の結晶の融点より低い温度で操作することを特徴
とする結晶の溶融精製方法。
4. A raw liquid slurry is supplied from one side of a vertical tower, and the other side is set to a high temperature region where the temperature is higher, and the crystal component of the raw material is moved to the other side. In a method for melting and refining a crystal in which a part of the melt is taken out as a product from the other side and the remainder is refluxed to the one side as a reflux liquid, a high-temperature liquid is extracted from the inside of the other side and An external circulation loop is formed to return to the inside, and heating and melting are performed in this external circulation loop to increase the temperature of the crystal component, and a solvent addition liquid of the same kind as the solvent of the stock solution is added to the external circulation loop. A method for melting and refining a crystal, wherein the operation temperature in the high temperature range is lower than the melting point of the target crystal.
【請求項5】竪型塔の一方側からビスフェノールAのア
ダクト結晶スラリーを供給し、他方側を温度がより高い
高温域とし、前記結晶スラリーの結晶成分を他方側に移
動させ、この移動した結晶成分を前記高温域において加
熱溶融させ、この溶融液の一部を他方側から製品として
取出し、残部を還流液として前記一方側に還流させる結
晶の溶融精製方法であり、 前記高温域に対して前記原液スラリーの溶媒と同種の溶
媒添加液を添加し、前記高温域の操作温度を目的の結晶
の融点より低い温度で操作することを特徴とする高純度
ビスフェノールA結晶の溶融精製方法。
5. An adduct crystal slurry of bisphenol A is supplied from one side of a vertical column, the other side is set to a high temperature region where the temperature is higher, and the crystal component of the crystal slurry is moved to the other side. A method for melting and refining a crystal in which components are heated and melted in the high-temperature range, a part of the melt is taken out as a product from the other side, and the remainder is refluxed to the one side as a reflux liquid. A method for melting and refining high-purity bisphenol A crystals, characterized by adding a solvent addition liquid of the same kind as the solvent of the stock slurry and operating the high-temperature region at a temperature lower than the melting point of the target crystals.
【請求項6】竪型塔の一方側から原液スラリーを供給
し、他方側を温度がより高い高温域とし、前記原料の結
晶成分を他方側に移動させ、この移動した結晶成分を前
記高温域において加熱溶融させ、この溶融液の一部を他
方側から製品として取出し、残部を還流液として前記一
方側に還流させる結晶の溶融精製装置において、 前記高温域に対する前記原液スラリーの溶媒と同種の溶
媒添加液の添加手段が設けられていることを特徴とする
結晶の溶融精製装置。
6. A raw liquid slurry is supplied from one side of a vertical column, the other side is set to a high temperature region where the temperature is higher, and the crystal component of the raw material is moved to the other side. In a crystal melting and refining apparatus in which a part of the melt is taken out as a product from the other side and the remainder is refluxed to the one side as a reflux liquid, a solvent of the same kind as the solvent of the stock slurry for the high temperature region An apparatus for melting and refining crystals, comprising means for adding an additive liquid.
【請求項7】竪型塔の一方側から原液スラリーを供給
し、他方側を温度がより高い高温域とし、前記原料の結
晶成分を他方側に移動させ、この移動した結晶成分を前
記高温域において加熱溶融させ、この溶融液の一部を他
方側から製品として取出し、残部を還流液として前記一
方側に還流させる結晶の溶融精製装置において、 前記他方側の内部から高温液を抜き出して他方側の内部
に戻す外部循環ループと、 この外部循環ループにおいて加熱を行い高温化すること
により結晶成分の加熱溶融を図る手段と、 この外部循環ループ内に前記原液スラリーの溶媒と同種
の溶媒添加液を添加手段とを有することを特徴とする結
晶の溶融精製方法。
7. An undiluted slurry is supplied from one side of a vertical column, the other side is set to a high temperature region where the temperature is higher, and the crystal component of the raw material is moved to the other side. In a crystal melting and refining apparatus in which a part of the melt is taken out as a product from the other side and the remainder is refluxed to the one side as a reflux liquid, a high-temperature liquid is extracted from the inside of the other side and An external circulation loop for returning to the inside of the device, a means for heating and melting the crystal component by heating and increasing the temperature in the external circulation loop, and a solvent addition liquid of the same kind as the solvent of the stock slurry in the external circulation loop. A method for melting and refining crystals.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002527499A (en) * 1998-10-20 2002-08-27 ビーエーエスエフ アクチェンゲゼルシャフト Method for drying phenoxymethyl benzoic acids
WO2016009793A1 (en) * 2014-07-14 2016-01-21 宇部興産株式会社 High-purity vinylene carbonate, nonaqueous electrolytic solution, and electricity storage device including same
WO2016039141A1 (en) * 2014-09-12 2016-03-17 竹上 敬三 Method for separating co-crystals
CN110559681A (en) * 2019-09-02 2019-12-13 湘潭大学 Device and method for preparing high-purity p-cresol
WO2022054841A1 (en) * 2020-09-11 2022-03-17 株式会社日本触媒 Method for producing compound
WO2022054842A1 (en) * 2020-09-11 2022-03-17 株式会社日本触媒 Method for producing compound

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002527499A (en) * 1998-10-20 2002-08-27 ビーエーエスエフ アクチェンゲゼルシャフト Method for drying phenoxymethyl benzoic acids
WO2016009793A1 (en) * 2014-07-14 2016-01-21 宇部興産株式会社 High-purity vinylene carbonate, nonaqueous electrolytic solution, and electricity storage device including same
WO2016039141A1 (en) * 2014-09-12 2016-03-17 竹上 敬三 Method for separating co-crystals
CN110559681A (en) * 2019-09-02 2019-12-13 湘潭大学 Device and method for preparing high-purity p-cresol
WO2022054841A1 (en) * 2020-09-11 2022-03-17 株式会社日本触媒 Method for producing compound
WO2022054842A1 (en) * 2020-09-11 2022-03-17 株式会社日本触媒 Method for producing compound
CN116057034A (en) * 2020-09-11 2023-05-02 株式会社日本触媒 Process for producing compound
CN116057033A (en) * 2020-09-11 2023-05-02 株式会社日本触媒 Process for producing compound

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