JPH11121587A - Board processor - Google Patents

Board processor

Info

Publication number
JPH11121587A
JPH11121587A JP28692297A JP28692297A JPH11121587A JP H11121587 A JPH11121587 A JP H11121587A JP 28692297 A JP28692297 A JP 28692297A JP 28692297 A JP28692297 A JP 28692297A JP H11121587 A JPH11121587 A JP H11121587A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
dummy wafer
wafer
dummy
control data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28692297A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naoki Tagashira
直樹 田頭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Priority to JP28692297A priority Critical patent/JPH11121587A/en
Publication of JPH11121587A publication Critical patent/JPH11121587A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the generation of particles due to falling off of a dummy board, breakage of a board transfer machine, separation of a film, etc., without increasing the burden on an operator. SOLUTION: A data displaying and an input module part 201 are used for inputting the control data, etc., for controlling the processing for a dummy wafer. A processing control data holder 204 for a dummy wafer holds the inputted processing control data for a dummy wafer. A counter 205 counts the accumulated film growth time of the dummy wafers for each unit time. A processing control module 206 for a dummy wafer discriminates whether or not the conditions for executing the processing for a dummy wafer has materialized, based on the processing control data for a dummy wafer, etc. When it has materialized, it creates a command C2 for instructing the execution of processing. A transfer apparatus control module 204 executes the processing for a dummy wafer by properly controlling a wafer transfer machine 105, etc., based on this command C2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の基板を基板
保持具によって保持した状態で処理室まで搬送し、この
処理室で処理する装置であって、基板保持具に処理室の
内部状態を安定化するのに必要な基板数と実際に一度に
処理すべき基板数との差を解消するための疑似基板が保
持されている基板処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for transferring a plurality of substrates to a processing chamber while holding the substrates by a substrate holder, and processing the substrates in the processing chamber. The present invention relates to a substrate processing apparatus that holds a pseudo substrate for eliminating a difference between the number of substrates required for stabilization and the number of substrates to be processed at once.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体装置のウェーハに薄膜を
形成する成膜装置においては、成膜すべき複数のウェー
ハをカセットと呼ばれるウェーハ収納具に収納した状態
で装置内に搬入するようになっている。
2. Description of the Related Art Generally, in a film forming apparatus for forming a thin film on a wafer of a semiconductor device, a plurality of wafers to be formed are loaded into a wafer storage device called a cassette and loaded into the device. I have.

【0003】また、このような成膜装置においては、カ
セットに収納された状態で搬入された複数のウェーハ
を、ボートと呼ばれる基板保持具に移載し、このボート
で保持した状態で成膜用の反応室に搬入するようになっ
ている。
In such a film forming apparatus, a plurality of wafers carried in a cassette are transferred to a substrate holder called a boat, and the wafers are held in the boat to form a film. To the reaction chamber.

【0004】さらに、このような成膜装置においては、
ボートにサイド疑似ウェーハ(以下、単に、「ダミーウ
ェーハ」という。)を保持するようになっている。ここ
で、ダミーウェーハとは、反応室の内部状態(雰囲気や
温度等)を安定化するのに必要なウェーハ数と実際に一
度に成膜すべきウェーハ数との差を解消するためのウェ
ーハである。
Further, in such a film forming apparatus,
The boat holds side dummy wafers (hereinafter, simply referred to as “dummy wafers”). Here, the dummy wafer is a wafer for eliminating the difference between the number of wafers necessary for stabilizing the internal state (atmosphere, temperature, etc.) of the reaction chamber and the number of wafers to be actually formed at once. is there.

【0005】このダミーウェーハは、通常、成膜処理ご
とに回収せず、常時、ボートに保持されるようになって
いる。これは、次のような3つの理由による。
[0005] The dummy wafer is not normally collected for each film forming process, but is always held in a boat. This is for the following three reasons.

【0006】第1の理由は、ウェーハの移載によるパー
ティクルの発生を抑制するためである。すなわち、カセ
ットとボートとの間で、ウェーハの移載を行うと、通
常、この移載によってパーティクルが発生する。このパ
ーティクルの量は、通常、移載するウェーハの数に比例
する。そこで、成膜装置においては、通常、ダミーウェ
ーハを常時ボートで保持するようになっている。このよ
うな構成によれば、ウェーハの移載数を減らすことがで
きるので、ウェーハの移載によるパーティクルの発生を
抑制することができる。
The first reason is to suppress generation of particles due to wafer transfer. That is, when a wafer is transferred between the cassette and the boat, particles are usually generated by the transfer. The amount of the particles is usually proportional to the number of transferred wafers. Therefore, in a film forming apparatus, usually, a dummy wafer is always held by a boat. According to such a configuration, the number of transferred wafers can be reduced, so that generation of particles due to the transfer of wafers can be suppressed.

【0007】第2の理由は、ウェーハの汚染による薄膜
への悪影響を抑制するためである。すなわち、ダミーウ
ェーハは、そのままにしておくと水分を吸着する。ダミ
ーウェーハが水分を吸着すると、いっしょに成膜処理に
供されるウェーハの薄膜が悪影響を受ける。そこで、成
膜装置においては、通常、ダミーウェーハを常時ボート
で保持するようになっている。このような構成によれ
ば、ボートは、装置を使用しない場合、通常、反応室に
搬入される。これにより、ダミーウェーハの水分吸着が
抑制される。その結果、ウェーハ汚染による薄膜への悪
影響が抑制される。
The second reason is to suppress adverse effects on the thin film due to wafer contamination. That is, the dummy wafer adsorbs moisture if left as it is. When the dummy wafer absorbs moisture, the thin film of the wafer that is provided for the film formation process is adversely affected. Therefore, in a film forming apparatus, usually, a dummy wafer is always held by a boat. According to such a configuration, the boat is usually carried into the reaction chamber when the apparatus is not used. Thereby, moisture adsorption on the dummy wafer is suppressed. As a result, adverse effects on the thin film due to wafer contamination are suppressed.

【0008】第3の理由は、ウェーハの移載時間を短縮
するためである。すなわち、カセットとボートとの間で
ウェーハを移載する場合は、通常、1つまたは数枚ずつ
移載される。したがって、移載すべきウェーハの枚数が
多くなると、それだけ移載時間が長くなる。そこで、成
膜装置においては、通常、ダミーウェーハを常時ボート
で保持するようになっている。このような構成によれ
ば、ウェーハの移載枚数を減らすことができるので、ウ
ェーハの移載時間を短縮することができる。
[0008] The third reason is to shorten the wafer transfer time. That is, when transferring wafers between the cassette and the boat, usually, one or several wafers are transferred. Therefore, as the number of wafers to be transferred increases, the transfer time increases accordingly. Therefore, in a film forming apparatus, usually, a dummy wafer is always held by a boat. According to such a configuration, the number of wafers to be transferred can be reduced, so that the wafer transfer time can be shortened.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ダミー
ウェーハを常時ボートで保持する構成の場合、従来、次
のような2つの問題があった。
However, in the case where the dummy wafer is always held by the boat, there have conventionally been the following two problems.

【0010】第1の問題は、ダミーウェーハが落下した
り、ウェーハ移載機が破壊される可能性があるという問
題である。すなわち、ボートを反応室に出し入れする
と、ボートの振動により、ダミーウェーハの位置がずれ
る。したがって、ボートを反応室に何回も出し入れする
と、ダミーウェーハの位置ずれが累積され、最悪の場
合、ダミーウェーハが落下したり、ウェーハ移載機が破
壊されてしまうことがある。
The first problem is that there is a possibility that the dummy wafer may fall or the wafer transfer device may be destroyed. That is, when the boat is moved in and out of the reaction chamber, the position of the dummy wafer is shifted due to the vibration of the boat. Therefore, if the boat is moved in and out of the reaction chamber many times, the positional shift of the dummy wafer is accumulated, and in the worst case, the dummy wafer may drop or the wafer transfer device may be broken.

【0011】第2の問題は、ダミーウェーハに形成され
た薄膜の剥がれ等によってパーティクルが発生する危険
性があるという問題である。すなわち、ダミーウェーハ
を常時ボートで保持する構成の場合、同一のダミーウェ
ーハが何度も成膜処理に供される。その結果、このダミ
ーウェーハに形成される薄膜が厚くなる。薄膜が厚くな
ると、この薄膜は剥がれやすくなったり、欠けやすくな
ったりする。その結果、薄膜が厚くなると、パーティク
ルが発生する危険性がある。
The second problem is that there is a risk that particles will be generated due to peeling of the thin film formed on the dummy wafer or the like. That is, in the case of a configuration in which the dummy wafer is always held by the boat, the same dummy wafer is subjected to the film forming process many times. As a result, the thin film formed on the dummy wafer becomes thick. As the thickness of the thin film increases, the thin film is easily peeled or chipped. As a result, when the thin film becomes thicker, there is a risk that particles are generated.

【0012】このような問題は、成膜装置のオペレータ
が装置状態(同一ダミーウェーハにおける成膜処理の実
行回数や累積膜厚等)を管理し、ダミーウェーハに所定
の処理(ダミーウェーハの再移載処理や交換処理等)の
施すようにすれば解決することができる。
Such a problem arises because the operator of the film forming apparatus manages the state of the apparatus (the number of executions of the film forming process on the same dummy wafer, the accumulated film thickness, etc.), and performs predetermined processing (removal of the dummy wafer) on the dummy wafer. (E.g., loading processing and replacement processing).

【0013】しかしながら、このような構成では、次の
ような2つの問題が生じる。
However, such a configuration has the following two problems.

【0014】第1の問題は、オペレータが装置状態を管
理しなければならないことにより、オペレータの負担が
増大するという問題である。
The first problem is that the burden on the operator increases because the operator must manage the state of the apparatus.

【0015】第2の問題は、管理ミス(成膜処理の実行
回数のカウントミスやダミーウェーハの交換忘れ等)が
発生する可能性が高く、上述した2つの問題が十分に解
決されないという問題である。
The second problem is that there is a high possibility that a management mistake (miscount of the number of executions of the film formation process, forgetting to replace the dummy wafer, etc.) is high, and the above two problems are not sufficiently solved. is there.

【0016】そこで、本発明は、オペレータの負担を増
大させることなく、疑似基板の落下、基板移載機の破
壊、薄膜の剥がれ等によるパーティクルの発生を防止可
能な基板処理装置を提供することを目的とする。
Accordingly, the present invention provides a substrate processing apparatus capable of preventing generation of particles due to dropping of a pseudo substrate, destruction of a substrate transfer machine, peeling of a thin film, etc., without increasing the burden on an operator. Aim.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の基板処理装置は、複数の基板を基板保持具に
よって保持した状態で処理室まで搬送し、この処理室で
複数の基板に所定の処理を施すものであって、基板保持
具に処理室の内部状態を安定化するのに必要な基板数と
実際に一度に処理すべき基板数との差を解消するための
疑似基板が保持されている装置において、疑似基板に対
して所定の疑似基板用処理を施すための条件が成立した
か否かを判定する条件判定手段と、この条件判定手段に
より条件が成立したと判定されると、疑似基板に対し所
定の疑似基板用処理を施す処理手段とを設けるようにし
たものである。
In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to the present invention transports a plurality of substrates to a processing chamber while holding the plurality of substrates by a substrate holder. A quasi-substrate for performing a predetermined process and eliminating the difference between the number of substrates required to stabilize the internal state of the processing chamber and the number of substrates to be processed at once at the substrate holder. A condition determination unit that determines whether a condition for performing a predetermined pseudo-substrate process on the pseudo substrate is held in the held device, and the condition determination unit determines that the condition is satisfied. And processing means for performing a predetermined pseudo substrate processing on the pseudo substrate.

【0018】上記構成においては、まず、処理条件判定
手段により、疑似基板に対して所定の疑似基板用処理を
施すための条件が成立したか否かが判定される。この判
定処理により、条件が成立したと判定されると、処理手
段により疑似基板に対し所定の疑似基板用処理、例え
ば、疑似基板を再移載する処理や交換する処理等が施さ
れる。これにより、オペレータの負担を増大させること
なく、疑似基板の落下、基板移載機の破壊、薄膜の剥が
れ等によるパーティクルの発生を防止することができ
る。
In the above arrangement, first, the processing condition determining means determines whether or not a condition for performing a predetermined pseudo substrate processing on the pseudo substrate is satisfied. If it is determined that the condition is satisfied by the determination process, the processing unit performs a predetermined process for the pseudo substrate on the pseudo substrate, for example, a process of re-transferring or replacing the pseudo substrate. Accordingly, it is possible to prevent the generation of particles due to the drop of the pseudo substrate, the destruction of the substrate transfer device, the peeling of the thin film, and the like without increasing the burden on the operator.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態を詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0020】図1及び図2は、本発明に係る基板処理装
置の一実施の形態の構成を示すブロック図である。な
お、図には、基板処理装置として、半導体装置のウェー
ハに薄膜を形成する成膜装置を代表として示す。また、
図には、この成膜装置として、縦型のCVD(Chem
ical Vapor Deposition)装置を
代表として示す。
FIGS. 1 and 2 are block diagrams showing the configuration of an embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. In the drawings, a film forming apparatus for forming a thin film on a semiconductor device wafer is shown as a representative example of a substrate processing apparatus. Also,
In the figure, a vertical CVD (Chem) is used as this film forming apparatus.
The following is a representative example of an Ionic Vapor Deposition apparatus.

【0021】本実施の形態に係る成膜装置は、例えば、
機構部と制御部とを有する。ここで、機構部とは、カセ
ットに収納されているウェーハを反応室に搬送し、この
反応室で薄膜を形成する部分である。これに対し、制御
部とは、機構部の動作を制御する部分である。図1は、
制御部の構成を示し、図2は、機構部の構成を示す。
The film forming apparatus according to the present embodiment
It has a mechanism unit and a control unit. Here, the mechanism section is a section for transferring a wafer stored in a cassette to a reaction chamber and forming a thin film in the reaction chamber. On the other hand, the control unit controls the operation of the mechanism unit. FIG.
FIG. 2 shows the configuration of the control unit, and FIG. 2 shows the configuration of the mechanism unit.

【0022】まず、図1に示す制御部の構成を分かりや
すくするために、図2に示す機構部の構成を示す。図に
おいて、100が機構部を示す。この機構部100は、
反応炉101と、ボート102と、ボートエレベータ1
03と、カセット棚104と、ウェーハ移載機105と
を有する。
First, in order to make the configuration of the control unit shown in FIG. 1 easy to understand, the configuration of the mechanical unit shown in FIG. 2 will be described. In the figure, reference numeral 100 denotes a mechanism. This mechanism section 100
Reactor 101, boat 102, boat elevator 1
03, a cassette shelf 104, and a wafer transfer machine 105.

【0023】ここで、反応炉101は、ウェーハに薄膜
を形成するための反応室を形成する炉である。ボート1
02は、ウェーハに薄膜を形成する場合にこのウェーハ
を保持する機能を有する。このボート102は、一度に
複数のウェーハを保持可能となっている。このボート1
02において、R1は処理すべきウェーハW1を保持す
る領域を示し、R2,R3はダミーウェーハW2を保持
する領域を示す。図示のごとく、ダミーウェーハW2
は、処理すべきウェーハW1の保持領域R1の上下に配
設されるようになっている。ボートエレベータ103
は、ボート102を反応室に搬入したり、反応室から搬
出したりする機能を有する。
Here, the reaction furnace 101 is a furnace for forming a reaction chamber for forming a thin film on a wafer. Boat 1
02 has a function of holding the wafer when a thin film is formed on the wafer. The boat 102 can hold a plurality of wafers at a time. This boat 1
In 02, R1 indicates a region holding the wafer W1 to be processed, and R2 and R3 indicate regions holding the dummy wafer W2. As shown, the dummy wafer W2
Are arranged above and below the holding region R1 of the wafer W1 to be processed. Boat elevator 103
Has a function of carrying the boat 102 into and out of the reaction chamber.

【0024】また、カセット棚104は、装置にカセッ
トを搬入したり、装置からカセットを搬出したりする場
合に、カセットを一時的に収納する機能を有する。ウェ
ーハ移載機105は、カセット棚104に収納されてい
るカセットとボート102との間でウェーハW1を移載
する機能を有する。以上が図2に示す機構部100の構
成である。
The cassette shelf 104 has a function of temporarily storing a cassette when a cassette is carried in or out of the apparatus. The wafer transfer device 105 has a function of transferring the wafer W1 between the cassette stored in the cassette shelf 104 and the boat 102. The above is the configuration of the mechanism section 100 shown in FIG.

【0025】次に、図1に示す制御部200の構成を説
明する。図示の制御部200は、データ表示・入力モジ
ュール201と、成膜シーケンス制御データ保持部20
2と、成膜シーケンス制御モジュール203と、ダミー
ウェーハ用処理制御データ保持部204と、ダミーウェ
ーハ用処理制御モジュール205と、カウンタ206
と、移載機器制御モジュール207とを有する。
Next, the configuration of the control unit 200 shown in FIG. 1 will be described. The illustrated control unit 200 includes a data display / input module 201 and a film formation sequence control data holding unit 20.
2, a film formation sequence control module 203, a dummy wafer processing control data holding unit 204, a dummy wafer processing control module 205, and a counter 206.
And a transfer equipment control module 207.

【0026】ここで、データ表示・入力モジュール部2
01は、データ入力部とデータ表示部とを有する。デー
タ入力部は、オペレータが成膜シーケンス制御データD
1やダミーウェーハ用処理制御データD2等を入力する
のに使用される。このデータ入力部は、例えば、キーボ
ードやボタン等の入力デバイスによって構成されてい
る。データ表示部は、データ入力部から入力されたデー
タや成膜処理の処理結果を示すデータ、ダミーウェーハ
用処理の処理結果等を示すデータ等を表示する機能を有
する。このデータ表示部は、例えば、受像管表示装置や
液晶表示装置等の出力デバイスによって構成されてい
る。
Here, the data display / input module unit 2
01 has a data input unit and a data display unit. The data input unit allows the operator to control the film forming sequence control data D
1 and processing control data D2 for dummy wafers. The data input unit is configured by, for example, an input device such as a keyboard and buttons. The data display unit has a function of displaying data input from the data input unit, data indicating a processing result of the film forming process, data indicating a processing result of the dummy wafer process, and the like. The data display unit is configured by an output device such as a picture tube display or a liquid crystal display.

【0027】上記成膜シーケンス制御データD1は、成
膜シーケンスを制御するためのデータである。ここで、
成膜シーケンスとは、ウェーハW1に薄膜を形成するた
めのシーケンスである。なお、以下の説明では、この成
膜シーケンスとして、広義のシーケンスを説明する。す
なわち、装置にウェーハW1を搬入してから薄膜を形成
し、この薄膜が形成されたウェーハW1を装置から搬出
するまでのシーケンスを説明する。
The film forming sequence control data D1 is data for controlling a film forming sequence. here,
The film forming sequence is a sequence for forming a thin film on the wafer W1. In the following description, a sequence in a broad sense will be described as the film forming sequence. That is, a sequence from the loading of the wafer W1 into the apparatus to the formation of a thin film and the unloading of the wafer W1 on which the thin film is formed from the apparatus will be described.

【0028】上記ダミーウェーハ用処理制御データD2
は、ダミーウェーハ用処理を制御するためのデータであ
る。ここで、ダミーウェーハ用処理とは、ダミーウェー
ハW2の落下等を防止するための処理をいう。このダミ
ーウェーハ用処理としては、例えば、ダミーウェーハW
2を再載置する処理や交換する処理がある。また、これ
ら以外にも、例えば、レシピ等のシーケンシャルな処理
もある。
The dummy wafer processing control data D2
Is data for controlling the processing for the dummy wafer. Here, the dummy wafer process refers to a process for preventing the dummy wafer W2 from falling or the like. As the processing for the dummy wafer, for example, the dummy wafer W
There is a process of re-mounting 2 and a process of replacing it. In addition to these, for example, there are also sequential processes such as recipes.

【0029】このダミーウェーハ用処理は、予め定めた
条件が成立した段階で実行される。予め定めた条件とし
ては、例えば、ダミーウェーハW2の累積成膜時間が予
め定めた時間に達したという条件が用いられる。ダミー
ウェーハW2の累積成膜時間が予め定めた時間に達した
か否かは、例えば、ダミーウェーハW2の累積成膜時間
を予め定めた単位時間ごとにカウントし、このカウント
値が予め定めた閾値に達したか否かを判定することによ
り判定される。
This dummy wafer processing is executed when a predetermined condition is satisfied. As the predetermined condition, for example, a condition that the cumulative film forming time of the dummy wafer W2 has reached a predetermined time is used. Whether or not the cumulative film formation time of the dummy wafer W2 has reached a predetermined time is determined, for example, by counting the cumulative film formation time of the dummy wafer W2 for each predetermined unit time, and this count value is determined by a predetermined threshold value. It is determined by determining whether or not the number has reached.

【0030】このような構成の場合、ダミーウェーハ用
処理制御データD2としては、ダミーウェーハ用処理を
示す処理表示データD21と、カウント用の単位時間を
示す単位時間表示データD22と、判定用の閾値を示す
閾値表示データD23とがある。
In such a configuration, the processing control data D2 for the dummy wafer includes processing display data D21 indicating the processing for the dummy wafer, unit time display data D22 indicating the unit time for counting, and a threshold value for determination. And threshold display data D23 indicating the threshold value.

【0031】成膜シーケンス制御データ保持部202
は、データ表示・入力モジュール201から入力された
成膜シーケンス制御データD1を保持する機能を有す
る。成膜シーケンス制御モジュール203は、成膜シー
ケンス制御データ保持部202に保持されている成膜シ
ーケンス制御データD1に基づいて、成膜シーケンスを
制御するためのコマンドC1を生成し、移載機器制御モ
ジュール204に供給する機能を有する。
Film formation sequence control data holding unit 202
Has a function of holding the film formation sequence control data D1 input from the data display / input module 201. The film formation sequence control module 203 generates a command C1 for controlling the film formation sequence based on the film formation sequence control data D1 held in the film formation sequence control data holding unit 202, and 204 is provided.

【0032】ダミーウェーハ用処理制御データ保持部2
04は、データ表示・入力モジュール201から入力さ
れたダミーウェーハ用処理制御データD1を保持する機
能を有する。カウンタ205は、ダミーウェーハW2の
累積成膜時間を単位時間ごとにカウントする機能を有す
る。このカウンタ205は、例えば、ダミーウェーハ用
処理制御モジュール206の内部メモリ上に構成されて
いる。ダミーウェーハ用処理制御モジュール206は、
ダミーウェーハ用処理制御データ保持部204に保持さ
れているダミーウェーハ用処理制御データD2等に基づ
いて、ダミーウェーハ用処理の実行を指示するコマンド
C2を生成し、移載機器制御モジュール207に供給す
る機能を有する。
Dummy wafer processing control data holding unit 2
Reference numeral 04 has a function of holding the dummy wafer processing control data D1 input from the data display / input module 201. The counter 205 has a function of counting the cumulative film formation time of the dummy wafer W2 for each unit time. The counter 205 is configured on an internal memory of the dummy wafer processing control module 206, for example. The dummy wafer processing control module 206 includes:
On the basis of the dummy wafer processing control data D2 and the like held in the dummy wafer processing control data holding unit 204, a command C2 for instructing execution of the dummy wafer processing is generated and supplied to the transfer equipment control module 207. Has functions.

【0033】移載機器制御モジュール207は、成膜シ
ーケンス制御モジュール203またはダミーウェーハ用
処理制御モジュール206から供給されるコマンドC1
またはC2に基づいて、ボートエレベータ103、カセ
ット棚104、ウェーハ移載機105等を適宜制御する
ことにより、成膜シーケンスやダミーウェーハ用処理を
制御する機能を有する。
The transfer equipment control module 207 is a command C1 supplied from the film formation sequence control module 203 or the dummy wafer processing control module 206.
Alternatively, it has a function of controlling the film forming sequence and processing for dummy wafers by appropriately controlling the boat elevator 103, the cassette shelf 104, the wafer transfer device 105, and the like based on C2.

【0034】上記構成において、動作を説明する。ま
ず、図2を参照しながら、成膜シーケンスを説明する。
The operation of the above configuration will be described. First, a film forming sequence will be described with reference to FIG.

【0035】成膜すべき複数のウェーハW1を収納した
カセットは、人手または図示しないカセット搬送装置に
よりカセット棚104に搬入される。この搬入処理が終
了すると、カセットに収納されている複数のウェーハW
1が1枚または数枚ずつウェーハ移載機105によりボ
ート102の領域R1に移載される。この移載処理が終
了すると、ボートエレベータ103が上昇し、ボート1
02が反応炉101に搬入される。この搬入処理が終了
すると、ボート102に保持されているウェーハW1と
ダミーウェーハW2とに薄膜を形成する成膜処理が実行
される。
The cassette accommodating a plurality of wafers W1 to be formed is carried into the cassette shelf 104 manually or by a cassette transport device (not shown). When the loading process is completed, the plurality of wafers W stored in the cassette
1 is transferred to the region R1 of the boat 102 by one or several wafers by the wafer transfer machine 105. When this transfer processing is completed, the boat elevator 103 is raised and the boat 1
02 is carried into the reaction furnace 101. When the loading process is completed, a film forming process for forming a thin film on the wafer W1 and the dummy wafer W2 held in the boat 102 is performed.

【0036】この成膜処理が終了すると、カセットエレ
ベータ103が下降し、ボート102が反応炉101か
ら搬出される。この搬出処理が終了すると、ボート10
2に保持されているウェーハW1がウェーハ移載機10
5によりカセット棚104のカセットに移載される。こ
の移載処理が終了すると、ウェーハW1が収納されたカ
セットがカセット棚104から人手またはカセット搬送
装置により装置外部に搬出される。以下、同様の動作が
繰り返される。以上が、成膜シーケンスである。
When the film forming process is completed, the cassette elevator 103 descends, and the boat 102 is carried out of the reaction furnace 101. When the unloading process is completed, the boat 10
Wafer W1 held in wafer transfer device 10
5 is transferred to the cassette on the cassette shelf 104. When the transfer processing is completed, the cassette containing the wafer W1 is unloaded from the cassette shelf 104 to the outside of the apparatus manually or by a cassette transfer device. Hereinafter, the same operation is repeated. The above is the film forming sequence.

【0037】次に、図1を参照しながら、成膜シーケン
スを制御する動作を説明する。
Next, the operation for controlling the film forming sequence will be described with reference to FIG.

【0038】この場合、まず、成膜シーケンスを制御す
るための成膜シーケンス制御データD1を設定する処理
が実行される。この処理は、オペレータが成膜シーケン
ス制御データD1を入力することにより行われる。この
入力操作は、データ表示・入力モジュール201のデー
タ入力部を使って行われる。入力された成膜シーケンス
制御データD1は、成膜シーケンス制御データ保持部2
02に保持される。
In this case, first, processing for setting the film forming sequence control data D1 for controlling the film forming sequence is executed. This process is performed by the operator inputting the film forming sequence control data D1. This input operation is performed using the data input unit of the data display / input module 201. The input film formation sequence control data D1 is stored in the film formation sequence control data
02 is held.

【0039】この設定処理が終了すると、成膜シーケン
ス制御データ保持部202に保持されている成膜シーケ
ンス制御データD1に基づいて、成膜シーケンスモジュ
ール203により成膜シーケンスを制御するためのコマ
ンドC1が生成される。このコマンドC1は、移載機器
制御モジュール207に供給される。
When the setting process is completed, a command C1 for controlling the film forming sequence by the film forming sequence module 203 is issued based on the film forming sequence control data D1 held in the film forming sequence control data holding unit 202. Generated. This command C1 is supplied to the transfer equipment control module 207.

【0040】移載機器制御モジュール207は、このコ
マンドC1に基づいて、ボートエレベータ103、カセ
ット棚104、ウェーハ移載機105等を適宜制御す
る。これにより、成膜シーケンス制御データD1に基づ
いて、成膜シーケンスが制御されたことになる。以上が
成膜シーケンスを制御する動作である。
The transfer equipment control module 207 appropriately controls the boat elevator 103, the cassette shelf 104, the wafer transfer machine 105 and the like based on the command C1. As a result, the film forming sequence is controlled based on the film forming sequence control data D1. The above is the operation for controlling the film forming sequence.

【0041】次に、図1及び図3を参照しながら、ダミ
ーウェーハ用処理を制御する動作を説明する。ここで、
図3は、この制御を示すフローチャートである。
Next, the operation of controlling the processing for the dummy wafer will be described with reference to FIGS. here,
FIG. 3 is a flowchart showing this control.

【0042】この場合、まず、ダミーウェーハ用処理制
御データD2を設定する処理が行われる(ステップS1
1)。この処理は、オペレータがダミーウェーハ用処理
制御データD2を入力することにより行われる。この入
力操作は、データ表示・入力モジュール201のデータ
入力部を使って行われる。入力されたダミーウェーハ用
処理制御データD2は、ダミーウェーハ用処理制御デー
タ保持部204に保持される。この設定処理により、ダ
ミーウェーハ用処理を示す処理表示データD21と、カ
ウント用の単位時間を示す単位時間表示データD22
と、カウント用の閾値を示す閾値表示データD23が設
定される。
In this case, first, processing for setting processing control data D2 for a dummy wafer is performed (step S1).
1). This process is performed by the operator inputting the dummy wafer process control data D2. This input operation is performed using the data input unit of the data display / input module 201. The input dummy wafer processing control data D2 is held in the dummy wafer processing control data holding unit 204. By this setting process, the process display data D21 indicating the process for the dummy wafer and the unit time display data D22 indicating the unit time for the count.
And threshold display data D23 indicating a threshold for counting are set.

【0043】この設定処理が終了すると、ダミーウェー
ハ用処理制御モジュール206により、ダミーウェーハ
の累積成膜時間のカウント条件が成立したか否かが判定
される(ステップS12)。すなわち、ダミーウェーハ
の累積成膜時間が前回のカウント時から予め定めた単位
時間だけ経過したか否かが判定される。ここで、ダミー
ウェーハの累積成膜時間は、例えば、成膜シーケンス制
御モジュール203の動作を監視することにより判定さ
れる。また、予め定めた単位時間は、ダミーウェーハ用
処理制御データ保持部204に保持されている単位時間
表示データD22に基づいて判定される。
When the setting process is completed, the dummy wafer process control module 206 determines whether or not the condition for counting the cumulative film forming time of the dummy wafer is satisfied (step S12). That is, it is determined whether or not the cumulative film formation time of the dummy wafer has elapsed by a predetermined unit time from the previous count time. Here, the cumulative film formation time of the dummy wafer is determined by monitoring the operation of the film formation sequence control module 203, for example. The predetermined unit time is determined based on the unit time display data D22 held in the dummy wafer processing control data holding unit 204.

【0044】カウント条件が成立しなければ、そのまま
判定処理が続行される。これに対し、カウント条件が成
立すると、ダミーウェーハ処理制御モジュール206に
より、カウンタ205のカウント値がインクリメントさ
れる(ステップS13)。
If the count condition is not satisfied, the determination process is continued. On the other hand, when the count condition is satisfied, the count value of the counter 205 is incremented by the dummy wafer processing control module 206 (step S13).

【0045】このインクリメント処理が終了すると、ダ
ミーウェーハ用処理制御モジュール206により、カウ
ンタ205のカウント値が予め定めた閾値に達したか否
かが判定される(ステップS14)。すなわち、ダミー
ウェーハ用処理を実行すべき条件が成立したか否かが判
定される。ここで、閾値は、ダミーウェーハ用処理制御
データ保持部204に保持されている閾値表示データD
23に基づいて判定される。
When the increment processing is completed, the dummy wafer processing control module 206 determines whether or not the count value of the counter 205 has reached a predetermined threshold (step S14). That is, it is determined whether or not the condition for executing the processing for the dummy wafer is satisfied. Here, the threshold is the threshold display data D held in the processing control data holding unit 204 for the dummy wafer.
23 is determined.

【0046】カウント値が閾値に達しなければ、ステッ
プS12に戻り、再び、上述したカウント動作が実行さ
れる。これに対し、カウント値が閾値に達すると、ダミ
ーウェーハ用処理制御モジュール206により、ダミー
ウェーハ用処理の実行を指示するためのコマンドC2が
生成される(ステップS15)。ここで、ダミーウェー
ハ用処理は、ダミーウェーハ用処理制御データ保持部2
05に保持されている処理表示データD21に基づいて
判定される。
If the count value has not reached the threshold value, the process returns to step S12, and the above-described counting operation is performed again. On the other hand, when the count value reaches the threshold value, the command C2 for instructing execution of the dummy wafer processing is generated by the dummy wafer processing control module 206 (step S15). Here, the processing for the dummy wafer is performed by the processing control data holding unit 2 for the dummy wafer.
The determination is made based on the processing display data D21 stored in the storage unit 05.

【0047】ダミーウェーハ用処理制御モジュール20
6により生成されたコマンドC2は、移載機器制御モジ
ュール207に供給される。移載機器制御モジュール2
07では、このコマンドC2に基づいて、ウェーハ移載
機105等を適宜制御する。これにより、予め定めたダ
ミーウェーハ用処理が実行される。すなわち、ダミーウ
ェーハW2の再移載処理や交換処理等が実行される。
Processing control module 20 for dummy wafer
6 is supplied to the transfer equipment control module 207. Transfer equipment control module 2
At 07, the wafer transfer device 105 and the like are appropriately controlled based on the command C2. Thus, a predetermined dummy wafer process is performed. That is, re-transfer processing, replacement processing, and the like of the dummy wafer W2 are executed.

【0048】なお、ダミーウェーハW2の再移載処理
は、例えば、ボート102に保持されているダミーウェ
ーハW2をウェーハ移載機105でボート102に入れ
直すことにより行われる。また、ダミーウェーハW2の
交換処理は、例えば、ボート102に保持されている古
いダミーウェーハW2をウェーハ移載機105により取
り出し、新しいダミーウェーハW2をウェーハ移載機1
05により挿入することにより行われる。
The process of re-transferring the dummy wafer W2 is performed, for example, by re-transferring the dummy wafer W2 held in the boat 102 to the boat 102 by the wafer transfer machine 105. In the replacement process of the dummy wafer W2, for example, the old dummy wafer W2 held in the boat 102 is taken out by the wafer transfer device 105, and the new dummy wafer W2 is replaced with the wafer transfer device 1
05.

【0049】コマンドC2の生成処理が終了すると、ダ
ミーウェーハ用処理制御モジュール206により、カウ
ンタ205のカウント値がクリアされる(ステップS1
6)。このあと、ステップS12に戻り、再び、カウン
タ205のカウント動作が実行される。以下、同様に、
ダミーウェーハ用処理制御データD2を変更しない限
り、ステップS12〜S16の処理シーケンスが通常の
処理シーケンスとして繰り返される。これに対し、ダミ
ーウェーハ用処理制御データD2を変更する場合は、ス
テップS11から処理が開始される。
When the command C2 generation processing is completed, the count value of the counter 205 is cleared by the dummy wafer processing control module 206 (step S1).
6). Thereafter, the process returns to step S12, and the counting operation of the counter 205 is performed again. Hereinafter, similarly,
Unless the dummy wafer processing control data D2 is changed, the processing sequence of steps S12 to S16 is repeated as a normal processing sequence. On the other hand, when the processing control data D2 for the dummy wafer is changed, the processing is started from step S11.

【0050】以上が、ダミーウェーハ用処理の制御動作
である。なお、この制御動作においては、ダミーウェー
ハ用処理を実行するための閾値は、各ダミーウェーハ処
理(ダミーウェーハW2の再移載処理や交換処理等)ご
とに異なる値に設定される。例えば、ダミーウェーハW
2の再移載処理を実行するための閾値は、交換処理を実
行するための閾値より小さな値に設定される。これは、
ダミーウェーハW2の再移載処理は、交換処理より先に
行う必要があるからである。
The above is the control operation of the dummy wafer processing. In this control operation, the threshold value for executing the processing for the dummy wafer is set to a different value for each dummy wafer processing (re-transfer processing or replacement processing of the dummy wafer W2). For example, dummy wafer W
The threshold value for executing the second re-transfer process is set to a value smaller than the threshold value for executing the replacement process. this is,
This is because the re-transfer processing of the dummy wafer W2 needs to be performed before the replacement processing.

【0051】以上詳述した本実施の形態によれば、ダミ
ーウェーハW2に対しダミーウェーハ用処理を施すため
の条件が成立したか否かを自動的に判定し、条件が成立
すると、ダミーウェーハW2に対し自動的にダミーウェ
ーハ用処理を施すようにしたので、オペレータの負担を
増大させることなく、ダミーウェーハW2の落下やウェ
ーハ移載機105の破壊、薄膜の剥がれ等によるパーテ
ィクルの発生を防止することができる。
According to the present embodiment described above, it is automatically determined whether or not the condition for performing the dummy wafer processing on the dummy wafer W2 is satisfied. Automatically performs dummy wafer processing, thereby preventing generation of particles due to dropping of the dummy wafer W2, destruction of the wafer transfer device 105, peeling of the thin film, and the like without increasing the burden on the operator. be able to.

【0052】以上、本発明の一実施の形態を詳細に説明
したが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるも
のではない。
As described above, one embodiment of the present invention has been described in detail, but the present invention is not limited to the above-described embodiment.

【0053】例えば、先の実施の形態では、ダミーウェ
ーハW2の累積成膜時間が予め定めた時間に達したか否
かを判定することにより、ダミーウェーハW2に対して
ダミーウェーハ用処理を施すための条件が成立したか否
かを判定する場合を説明した。しかしながら、本発明
は、例えば、ダミーウェーハW2の累積膜厚または成膜
実行回数が予め定めた膜厚または回数に達したか否かを
判定することにより、ダミーウェーハW2に対してダミ
ーウェーハ用処理を施すための条件が成立したか否かを
判定するようにしてもよい。
For example, in the above embodiment, it is determined whether or not the cumulative film formation time of the dummy wafer W2 has reached a predetermined time, thereby performing the dummy wafer processing on the dummy wafer W2. A case has been described in which it is determined whether or not the condition (1) is satisfied. However, the present invention determines whether the cumulative thickness of the dummy wafer W2 or the number of executions of the film formation has reached a predetermined thickness or the number of times, and thereby performs processing for the dummy wafer W2 on the dummy wafer W2. It may be determined whether or not a condition for applying is fulfilled.

【0054】また、先の実施の形態では、本発明を、ウ
ェーハ上に所定の薄膜を形成するための成膜装置に適用
する場合を説明した。しかしながら、本発明は、成膜装
置以外のウェーハ処理装置にも適用することができる。
例えば、本発明は、ウェーハに酸化膜を形成するための
酸化膜形成装置やウェーハ中に不純物原子を添加するた
めの不純物ドーピング処理装置にも適用することができ
る。
In the above embodiment, the case where the present invention is applied to a film forming apparatus for forming a predetermined thin film on a wafer has been described. However, the present invention can be applied to a wafer processing apparatus other than the film forming apparatus.
For example, the present invention can be applied to an oxide film forming apparatus for forming an oxide film on a wafer or an impurity doping apparatus for adding impurity atoms to a wafer.

【0055】また、先の実施の形態では、本発明を、ウ
ェーハ処理装置に適用する場合を説明した。しかしなが
ら、本発明は、ウェーハ以外の基板を処理する基板処理
装置にも適用することができる。例えば、本発明は、液
晶表示装置のガラス基板を処理するガラス基板処理装置
にも適用することができる。
In the above embodiment, the case where the present invention is applied to a wafer processing apparatus has been described. However, the present invention can also be applied to a substrate processing apparatus that processes a substrate other than a wafer. For example, the present invention can be applied to a glass substrate processing apparatus for processing a glass substrate of a liquid crystal display device.

【0056】このほかにも、本発明は、その要旨を逸脱
しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論であ
る。
In addition, it goes without saying that the present invention can be variously modified and implemented without departing from the scope of the invention.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、疑
似基板に対して疑似基板用処理を施すための条件が成立
したか否かを自動的に判定し、この条件が成立すると、
自動的に疑似基板に対して疑似基板用処理を施すように
したので、オペレータの負担を増大させることなく、疑
似基板の落下、基板移載機の破壊、薄膜の剥がれ等によ
るパーティクルの発生を防止することができる。
As described above in detail, according to the present invention, it is automatically determined whether or not a condition for performing the pseudo substrate processing on the pseudo substrate is satisfied.
Precise substrate processing is automatically performed on the pseudo substrate, preventing the occurrence of particles due to dropping of the pseudo substrate, destruction of the substrate transfer machine, peeling of the thin film, etc. without increasing the burden on the operator can do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る基板処理装置の一実施の形態の制
御部の構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of a control unit of an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】本発明に係る基板処理装置の一実施の形態の機
構部の構成を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a mechanical unit of the substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図3】本発明に係る基板処理装置の一実施の形態の動
作を示すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing an operation of the embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100…機構部、101…反応炉、102…ボート、1
03…ボートエレベータ、104…カセット棚、105
…ウェーハ移載機、200…制御部、201…データ表
示・入力モジュール、202…成膜シーケンス制御デー
タ保持部、203…成膜シーケンス制御モジュール、2
04…ダミーウェーハ用処理制御データ保持部、205
…カウンタ、206…ダミーウェーハ用処理制御モジュ
ール、207…移載機器制御モジュール。
100: mechanical unit, 101: reaction furnace, 102: boat, 1
03: boat elevator, 104: cassette shelf, 105
... Wafer transfer machine, 200 ... Control unit, 201 ... Data display / input module, 202 ... Film formation sequence control data holding unit, 203 ... Film formation sequence control module, 2
04 ... Dummy wafer processing control data holding unit, 205
... Counter, 206 ... Dummy wafer processing control module, 207 ... Transfer equipment control module.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の基板を基板保持具によって保持し
た状態で処理室まで搬送し、この処理室で前記複数の基
板に所定の処理を施す装置であって、前記基板保持具に
前記処理室の内部状態を安定化するのに必要な基板数と
実際に一度に処理すべき基板数との差を解消するための
疑似基板が保持されている基板処理装置において、 前記疑似基板に対して所定の疑似基板用処理を施すため
の条件が成立したか否かを判定する条件判定手段と、 この条件判定手段により前記条件が成立したと判定され
ると、前記疑似基板に対し前記所定の疑似基板用処理を
施す処理手段とを備えたことを特徴とする基板処理装
置。
1. An apparatus for transporting a plurality of substrates to a processing chamber while holding the substrates by a substrate holder, and performing predetermined processing on the plurality of substrates in the processing chamber. In a substrate processing apparatus holding a pseudo substrate for eliminating a difference between the number of substrates necessary for stabilizing the internal state of the substrate and the number of substrates to be actually processed at once, Condition determining means for determining whether a condition for performing the pseudo substrate processing is satisfied; and when the condition determining means determines that the condition is satisfied, the predetermined pseudo substrate A substrate processing apparatus, comprising: processing means for performing a process for use.
JP28692297A 1997-10-20 1997-10-20 Board processor Pending JPH11121587A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28692297A JPH11121587A (en) 1997-10-20 1997-10-20 Board processor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28692297A JPH11121587A (en) 1997-10-20 1997-10-20 Board processor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11121587A true JPH11121587A (en) 1999-04-30

Family

ID=17710708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28692297A Pending JPH11121587A (en) 1997-10-20 1997-10-20 Board processor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11121587A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003073840A (en) * 2001-09-06 2003-03-12 Tokyo Electron Ltd Film forming apparatus, and method for controlling cumulative film thickness therein
JP2007258396A (en) * 2006-03-23 2007-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma treatment apparatus and method
JP2010159441A (en) * 2009-01-06 2010-07-22 Shimadzu Corp Film deposition apparatus and film deposition method
JP2015106575A (en) * 2013-11-28 2015-06-08 株式会社日立国際電気 Substrate processing device, method of controlling the same, control program, and method of manufacturing semiconductor device
CN111933541A (en) * 2020-08-10 2020-11-13 北京北方华创微电子装备有限公司 Method and system for processing wafer in semiconductor equipment
CN113436991A (en) * 2021-05-28 2021-09-24 北京北方华创微电子装备有限公司 Wafer scheduling method and system for batch processing of semiconductor equipment

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003073840A (en) * 2001-09-06 2003-03-12 Tokyo Electron Ltd Film forming apparatus, and method for controlling cumulative film thickness therein
JP2007258396A (en) * 2006-03-23 2007-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma treatment apparatus and method
JP2010159441A (en) * 2009-01-06 2010-07-22 Shimadzu Corp Film deposition apparatus and film deposition method
JP2015106575A (en) * 2013-11-28 2015-06-08 株式会社日立国際電気 Substrate processing device, method of controlling the same, control program, and method of manufacturing semiconductor device
CN111933541A (en) * 2020-08-10 2020-11-13 北京北方华创微电子装备有限公司 Method and system for processing wafer in semiconductor equipment
CN113436991A (en) * 2021-05-28 2021-09-24 北京北方华创微电子装备有限公司 Wafer scheduling method and system for batch processing of semiconductor equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI453853B (en) A control device for a processing system, a control method for a processing system, and a memory medium for a memory control program
US8443484B2 (en) Substrate processing apparatus
US9437465B2 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP5463066B2 (en) Lot processing start determination method and control device
JP2009087972A (en) Substrate-storing structure and semiconductor manufacturing apparatus
KR20190035523A (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
US20040129300A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate transporting device mounted thereto
US20110132465A1 (en) Method of replacing liquid of circulation line in substrate liquid processing apparatus of single-wafer type
JP6115291B2 (en) Load port device and EFEM system
JP2012109333A (en) Substrate processing apparatus
US8904955B2 (en) Substrate processing apparatus
JPH11121587A (en) Board processor
JP6842828B2 (en) Processing system and processing program
KR20180020902A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6363929B2 (en) Processing apparatus and processing method
TW200834713A (en) Substrate processing method and storage medium having program stored therein
JP2011054679A (en) Substrate processor
JP5997542B2 (en) Vacuum processing apparatus and vacuum processing method
JPH1079412A (en) Apparatus for manufacturing semiconductor
JP2006165174A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing apparatus's substrate transferring method
JP2014120618A (en) Vacuum processing apparatus and vacuum processing method
JP2005101320A (en) Substrate processing apparatus
TW201719797A (en) Substrate housing method and substrate processing device
JP6262020B2 (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and program
JP2834970B2 (en) Substrate storage device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040929

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20060620

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20061011