JPH11121312A - Silicon carbide wafer - Google Patents
Silicon carbide waferInfo
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- JPH11121312A JPH11121312A JP9294841A JP29484197A JPH11121312A JP H11121312 A JPH11121312 A JP H11121312A JP 9294841 A JP9294841 A JP 9294841A JP 29484197 A JP29484197 A JP 29484197A JP H11121312 A JPH11121312 A JP H11121312A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、炭化ケイ素により
形成したウエハに係り、特に半導体デバイスの製造工程
に用いられるダミーウエハとして好適な炭化ケイ素ウエ
ハに関する。The present invention relates to a wafer formed of silicon carbide and, more particularly, to a silicon carbide wafer suitable as a dummy wafer used in a semiconductor device manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】シリコン単結晶を基板とする半導体デバ
イスは、シリコン基板（シリコンウエハ）の表面に酸化
膜を形成する酸化工程や不純物を拡散する拡散工程、さ
らには減圧下で窒化ケイ素膜、多結晶シリコン膜（ポリ
シリコン膜）などを形成する減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）
工程等を経て、シリコンウエハ上に微細な回路が形成さ
れる。これらの工程には、拡散装置、ＬＰＣＶＤ装置な
どと呼ばれる半導体製造装置が使用される。そして、こ
れらの装置は、いずれも複数のシリコンウエハを炉内に
挿入し、シリコンウエハ本体を高温に加熱する炉体部分
と、反応性ガスを炉内に供給するガス導入部、排気部な
どからなっており、多数枚のシリコンウエハを同時処理
（バッチ処理）できるようになっている。図３は、縦型
ＬＰＣＶＤ装置の一例を示したものである。2. Description of the Related Art A semiconductor device using a silicon single crystal as a substrate includes an oxidation step of forming an oxide film on the surface of a silicon substrate (silicon wafer), a diffusion step of diffusing impurities, and a silicon nitride film under reduced pressure. Low pressure CVD (LPCVD) for forming crystalline silicon film (polysilicon film)
Through a process and the like, a fine circuit is formed on the silicon wafer. In these steps, a semiconductor manufacturing apparatus called a diffusion apparatus, an LPCVD apparatus, or the like is used. Each of these devices inserts a plurality of silicon wafers into a furnace, heats the silicon wafer main body to a high temperature, a gas introduction unit that supplies a reactive gas into the furnace, and an exhaust unit. Thus, a large number of silicon wafers can be processed simultaneously (batch processing). FIG. 3 shows an example of a vertical LPCVD apparatus.
【０００３】図３において、ＣＶＤ装置１０は、炉本体
１２の内周面に図示しないヒータが配設してあって内部
を高温に加熱、維持できるようになっているとともに、
図示しない真空ポンプに接続してあり、内部を１０Ｔｏ
ｒｒ以下に減圧できるようにしてある。また、炉本体１
２の内部には、高純度石英や炭化ケイ素（ＳｉＣ）によ
って形成したプロセスチューブ１４が設けてある。In FIG. 3, a CVD apparatus 10 is provided with a heater (not shown) on the inner peripheral surface of a furnace main body 12 so that the inside can be heated and maintained at a high temperature.
Connected to a vacuum pump (not shown).
The pressure can be reduced to rr or less. Furnace body 1
Inside 2, a process tube 14 made of high-purity quartz or silicon carbide (SiC) is provided.
【０００４】プロセスチューブ１４によって覆われるベ
ース１６の中央部には、ボート受け１８が設けてあっ
て、このボート受け１８上にＳｉＣや石英などから形成
した縦型ラック状のウエハボート２０が配置してある。
そして、ウエハボート２０の上下方向には、大規模集積
回路（ＬＳＩ）などの半導デバイスを形成するための多
数のシリコンウエハ２２が適宜の間隔をあけて保持させ
てある。また、ウエハボート２０の側部には、反応ガス
を炉内に導入するためのガス導入管２４が配設してある
とともに、炉内温度を測定する熱電対を内蔵した熱電対
保護管２６が設けてある。A boat receiver 18 is provided at the center of the base 16 covered by the process tube 14, and a vertical rack-shaped wafer boat 20 made of SiC or quartz is arranged on the boat receiver 18. It is.
In the vertical direction of the wafer boat 20, a large number of silicon wafers 22 for forming semiconductor devices such as large-scale integrated circuits (LSI) are held at appropriate intervals. A gas introduction pipe 24 for introducing a reaction gas into the furnace is provided on the side of the wafer boat 20, and a thermocouple protection pipe 26 having a built-in thermocouple for measuring the temperature in the furnace is provided. It is provided.
【０００５】このように構成したＣＶＤ装置１０は、ウ
エハボート２０を介して多数のシリコンウエハ２２が炉
内に配置される。そして、炉内を１００Ｔｏｒｒ以下に
減圧するとともに、例えば８００〜１２００℃の高温に
加熱し、ガス導入管２４を介してＨ2 などのキャリアガ
スとともに四塩化ケイ素ＳｉＣｌ4 などの反応性ガス
（原料ガス）を炉内に導入し、シリコンウエハ２２の表
面に多結晶シリコン膜（ポリシリコン膜）やシリコン酸
化膜（ＳｉＯ2 ）の形成などが行われる。In the CVD apparatus 10 configured as described above, a large number of silicon wafers 22 are placed in a furnace via a wafer boat 20. Then, the pressure inside the furnace is reduced to 100 Torr or less, and the furnace is heated to a high temperature of, for example, 800 to 1200 ° C., and a reactive gas such as silicon tetrachloride SiCl 4 (source gas) together with a carrier gas such as H 2 via a gas introduction pipe 24. ) Is introduced into the furnace, and a polycrystalline silicon film (polysilicon film) or a silicon oxide film (SiO 2 ) is formed on the surface of the silicon wafer 22.
【０００６】ところで、このようなＣＶＤ装置１０にお
いては、炉内全体を均一な状態にすることは困難であ
る。そこで、従来からウエハボート２０の上下部には、
炉内のガスの流れや温度の均一性を保持すること等を目
的として、シリコンウエハ２２と同一形状のダミーウエ
ハ２０と称するウエハを数枚ずつ配置している。また、
シリコンウエハ２２に付着するパーティクルの状態や、
シリコンウエハ２２に所定の膜厚が形成されているか等
を調べるために、ウエハボート２０の上下方向の複数の
適宜の位置に、ダミーウエハの一種であるモニタウエハ
３０をシリコンウエハ２２と混在させて配置している。
これらのダミーウエハ（モニタウエハを含む）は、従
来、シリコン単結晶や高純度石英によって形成した厚さ
が０．５〜１ｍｍ程度のものを使用してきた。[0006] In such a CVD apparatus 10, it is difficult to make the entire inside of the furnace uniform. Therefore, conventionally, the upper and lower portions of the wafer boat 20 include:
For the purpose of maintaining the uniformity of gas flow and temperature in the furnace, several wafers called dummy wafers 20 having the same shape as the silicon wafer 22 are arranged. Also,
The state of particles adhering to the silicon wafer 22,
In order to check whether or not a predetermined film thickness is formed on the silicon wafer 22, a monitor wafer 30, which is a kind of a dummy wafer, is arranged at a plurality of appropriate positions in the vertical direction of the wafer boat 20 while being mixed with the silicon wafer 22. doing.
Conventionally, these dummy wafers (including monitor wafers) have been formed of silicon single crystal or high-purity quartz and have a thickness of about 0.5 to 1 mm.
【０００７】ところが、シリコン単結晶や高純度石英に
よって形成した従来のダミーウエハは、熱膨張係数がポ
リシリコン膜やＳｉ3Ｎ4膜などと大きく異なるため、ダ
ミーウエハに成膜されたポリシリコン膜やＳｉ3Ｎ4膜な
どが容易に剥離して炉内を汚染するばかりでなく、耐熱
性や耐蝕性の問題から短期間の使用で廃棄しなければな
らず、経済性が悪いという問題がある。かかるところか
ら、近年、炭化ケイ素からなるダミーウエハが業界の注
目を集めている。この炭化ケイ素ウエハ（ＳｉＣウエ
ハ）は、黒鉛からなる円板状の基材の表面にＬＰＣＶＤ
などによって炭化ケイ素の膜を厚さ０．３〜１ｍｍ程度
成膜し、その後、黒鉛基材を酸化雰囲気中で酸化除去す
ることによって得られる。そして、ＳｉＣウエハは、従
来のシリコン単結晶や高純度石英からなるダミーウエハ
と比較して、 （イ）硝酸などに対する耐蝕性に優れているため、エッ
チングによる付着物の除去が容易に行え、長期間の繰返
し使用が可能である。 （ロ）熱膨張係数が窒化ケイ素膜、ポリシリコン膜の熱
膨張係数に近いところから、ダミーウエハ上に付着した
これらの膜が剥離しにくく、成膜工程途中におけるパー
ティクルの大幅な増加を抑制することができる。 （ハ）高温での重金属などの不純物の拡散係数が極めて
低いため、ＳｉＣウエハに含有されている不純物による
炉内汚染の懸念が少ない。 （ニ）耐熱変形性に優れているため、ロボットによる搬
送などの自動移載が容易である。 等の多くの利点を有しており、経済的効果が大きいとこ
ろから実用化が促進されている。However, a conventional dummy wafer formed of silicon single crystal or high-purity quartz has a significantly different coefficient of thermal expansion from a polysilicon film, Si 3 N 4 film, or the like. 3 N 4 film not only such contaminates easily peeled to the furnace, must be disposed of in short-term use of a heat-resistant and corrosion resistance issues, it is poor economy. For this reason, in recent years, dummy wafers made of silicon carbide have attracted attention in the industry. This silicon carbide wafer (SiC wafer) is formed on a disc-shaped substrate made of graphite by LPCVD.
It is obtained by forming a film of silicon carbide to a thickness of about 0.3 to 1 mm by, for example, and then oxidizing and removing the graphite substrate in an oxidizing atmosphere. The SiC wafer is superior to the conventional dummy wafer made of silicon single crystal or high-purity quartz in that (a) it is superior in corrosion resistance to nitric acid and the like, so that it is easy to remove deposits by etching, Can be used repeatedly. (B) Since the coefficient of thermal expansion is close to the coefficient of thermal expansion of the silicon nitride film and the polysilicon film, these films adhered on the dummy wafer are not easily separated, and a large increase in particles during the film forming process is suppressed. Can be. (C) Since the diffusion coefficient of impurities such as heavy metals at high temperatures is extremely low, there is little concern about furnace contamination due to impurities contained in the SiC wafer. (D) Since it is excellent in heat deformation resistance, automatic transfer such as transfer by a robot is easy. Practical application is promoted because of its great economic effect.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところで、炭化ケイ素
ウエハは、両面（板面）を研磨して所定の粗さに調整す
る際に、両板面の周縁部を面取り加工し、周側面に丸み
をつけている。そして、炭化ケイ素ウエハは、搬送や保
管等の際にポリプロピレンやフッ素樹脂のプラスチック
容器に収容するようにしている。ところが、従来の炭化
ケイ素ウエハは、周側面部に面取り加工を施している
が、特に研磨していないために粗面となっており、プラ
スチック容器からの出し入れに際し、周側面がプラスチ
ック容器と接触してこれを削り、削られたプラスチック
（有機物）が付着した状態でＣＶＤ装置などに搬入さ
せ、これが高温の炉内で炭化されたり燃焼されたりして
炉内を汚染し、シリコンウエハにパーティクルとして付
着するなどの悪影響を与える。When the silicon carbide wafer is polished on both sides (plate surfaces) and adjusted to a predetermined roughness, the peripheral edges of both plate surfaces are chamfered to form rounded peripheral surfaces. Is attached. The silicon carbide wafer is accommodated in a plastic container made of polypropylene or fluororesin during transportation or storage. However, conventional silicon carbide wafers are chamfered on the peripheral side surface, but are roughened because they are not particularly polished, and the peripheral side comes into contact with the plastic container when taking it in and out of the plastic container. This is scraped and transported to a CVD device or the like with the shaved plastic (organic matter) attached, which is carbonized or burned in a high-temperature furnace, contaminating the furnace and attaching to silicon wafers as particles. And adverse effects.
【０００９】本発明は、前記従来技術の欠点を解消する
ためになされたもので、プラスチック容器を削ることが
ない炭化ケイ素ウエハを提供することを目的としてい
る。また、本発明は、炉内の汚染原因となる物質の持ち
込み量を低減できる炭化ケイ素ウエハを提供することを
目的としている。The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art, and has as its object to provide a silicon carbide wafer without shaving a plastic container. Another object of the present invention is to provide a silicon carbide wafer that can reduce the amount of a substance that causes contamination in a furnace.
【０００１０】[00010]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る炭化ケイ素ウエハは、炭化ケイ素か
らなるウエハであって、両板面周縁部を面取りするとと
もに、周側面を鏡面仕上げしてあることを特徴としてい
る。また、本発明に係るた炭化ケイ素ウエハは、粗面に
仕上げた板面と鏡面に仕上げた周側面との境界部の粗さ
が、半径方向外方に向けて漸次小さくしてあることを特
徴としている。In order to achieve the above object, a silicon carbide wafer according to the present invention is a wafer made of silicon carbide, wherein both peripheral surfaces of the wafer are chamfered and the peripheral surfaces are mirror-finished. It is characterized by being finished. Further, the silicon carbide wafer according to the present invention is characterized in that the roughness of the boundary between the plate surface finished to a rough surface and the peripheral side surface finished to a mirror surface is gradually reduced radially outward. And
【００１１】周側面は、平均粗さを０．０２μｍ以下に
することが望ましい。容器を構成するプラスチックの種
類によって削れ易さが異なるので、ウエハを収納する容
器を形成しているプラスチックの種類に応じて粗さを調
整してもよい。すなわち、削れにくい材質の容器であれ
ば粗さをやや粗く、削れやすい材質の容器であれば粗さ
をより細かく滑らかにする。It is desirable that the peripheral surface has an average roughness of 0.02 μm or less. Since the easiness of shaving differs depending on the type of plastic constituting the container, the roughness may be adjusted according to the type of plastic forming the container for accommodating the wafer. That is, if the container is made of a material that is not easily shaved, the roughness is slightly rough, and if the container is made of a material that is easily shaved, the roughness is made finer and smoother.
【００１２】[0012]
【作用】上記のごとく構成した本発明は、周側面が滑ら
かな鏡面に仕上げてあるため、プラスチック容器と接触
したとしても容器を削るようなことがないため、有機物
の成膜装置内などへの持込みが防止され、有機物による
炉内の汚染を防止することができる。According to the present invention constructed as described above, since the peripheral side surface is finished to a smooth mirror surface, even if it comes into contact with a plastic container, it does not scrape the container. Carry-in is prevented, and contamination of the furnace by organic matter can be prevented.
【００１３】そして、粗面に仕上げた板面と鏡面に仕上
げた周側面との境界部を、半径方向外方に向けて、すな
わち粗面側から鏡面側になるに従って粗さを漸次小さく
なるようにすると、鏡面仕上げした周側面に成膜された
膜が容易に剥離するのを防止でき、ダミーウエハとして
使用した場合に、連続使用回数の増大が図れてランニン
グコストを低減することができる。また、鏡面である周
側面は、滑らかであればあるぼど好ましく、平均粗さが
０．０２μｍより大きくなると、プラスチック容器と接
触した際にこれをを削るおそれがあるので、０．０２μ
ｍより小さくすることが望ましい。The boundary between the roughened plate surface and the mirror-finished peripheral side surface is formed such that the roughness gradually decreases outward in the radial direction, that is, from the rough surface side to the mirror surface side. By doing so, it is possible to prevent the film formed on the mirror-finished peripheral side surface from easily peeling off, and when used as a dummy wafer, it is possible to increase the number of continuous uses and reduce the running cost. Further, if the average roughness is more than 0.02 μm, there is a possibility that the peripheral surface which is a mirror surface is shaved when coming into contact with a plastic container.
It is desirable to be smaller than m.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】本発明に係る炭化ケイ素ウエハの
好ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明す
る。図１は、本発明の実施の形態に係る炭化ケイ素ウエ
ハの一部側面図を模式的に示したものである。図１にお
いて、炭化ケイ素ウエハ４０は、厚さが０．３〜１ｍｍ
の薄い円板状炭化ケイ素からなっている。この炭化ケイ
素ウエハ４０は、通常の炭化ケイ素ウエハと同様に、図
示しない円板状黒鉛基材の表面に減圧ＣＶＤ方によって
炭化ケイ素を成膜し、その後、黒鉛基材を酸化燃焼して
除去することによりえられる。そして、炭化ケイ素ウエ
ハ４０は、両板面４２、４４が所定の粗さ、例えば平均
粗さＲａが０．１〜０．２μｍとなるように研磨してあ
る。また、炭化ケイ素ウエハ４０は、両板面４２、４４
の周縁部が面取りしてあるとともに、周側面４６が円弧
状をなしている。そして、面取りした部分を含む周側面
４６は、平均粗さＲａが板面４２、４４より１桁小さい
０．０１〜０．０２μｍ程度の鏡面に仕上げてある。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a silicon carbide wafer according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 schematically shows a partial side view of a silicon carbide wafer according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, silicon carbide wafer 40 has a thickness of 0.3 to 1 mm.
Made of thin disk-shaped silicon carbide. The silicon carbide wafer 40 is formed by depositing silicon carbide on the surface of a disc-shaped graphite base (not shown) by a low-pressure CVD method, and then removing the graphite base by oxidizing and burning in the same manner as a normal silicon carbide wafer. Obtained by The silicon carbide wafer 40 is polished so that both plate surfaces 42 and 44 have a predetermined roughness, for example, an average roughness Ra of 0.1 to 0.2 μm. Further, the silicon carbide wafer 40 has both plate surfaces 42 and 44.
Is chamfered, and the peripheral side surface 46 has an arc shape. The peripheral side surface 46 including the chamfered portion is finished to a mirror surface having an average roughness Ra of about 0.01 to 0.02 μm, which is one digit smaller than the plate surfaces 42 and 44.
【００１５】このように構成した実施形態の炭化ケイ素
ウエハ４０は、周側面４６が滑らかな鏡面に仕上げてあ
るため、プラスチック容器からの出し入れの際に、周側
面４６がプラスチック容器と接触したとしても容器を削
るようなことがない。このため、プラスチック容器を削
ることのよる有機物の炉内の持込みが防止され、ダミー
ウエハ、モニタウエハとして使用したとしても、炉内を
汚染してシリコンウエハにパーティクルが付着するなど
の悪影響を与えるのを防ぐことができる。なお、周側面
４６は、円弧状に面取りしてあることが望ましいが、円
弧状でなく、断面が台形状などとなるように面取りして
あってもよい。In the silicon carbide wafer 40 of the embodiment configured as described above, since the peripheral side surface 46 is finished to a smooth mirror surface, even when the peripheral side surface 46 comes into contact with the plastic container when taking in and out of the plastic container. No scraping of containers. This prevents organic substances from being brought into the furnace by scraping the plastic container, and prevents the furnace from contaminating the furnace and causing adverse effects such as particles adhering to silicon wafers even when used as dummy wafers and monitor wafers. Can be prevented. The peripheral side surface 46 is desirably chamfered in an arc shape, but may be chamfered not in an arc shape but in a trapezoidal cross section.
【００１６】図２は、他の実施形態を示したものであ
る。この実施の形態に係る炭化ケイ素ウエハ５０は、両
板面４２、４４がＲａ＝０．１〜０．２μｍ程度の粗面
に形成してあり、周側面４６がＲａ＝０．０１〜０．０
２μｍ程度の鏡面にしてある。そして、粗面仕上げした
両板面４２、４４と鏡面仕上げした周側面４６との間の
境界部５２、５４は、炭化ケイ素ウエハ５０の半径方向
外方、すなわち粗面の板面４２、４４から鏡面の周側面
４６に向けて粗さが漸次小さくなるようにしてある。こ
のように粗さを変えることは、例えば粗さの異なる砥石
を用いることなどにより形成することができる。FIG. 2 shows another embodiment. In silicon carbide wafer 50 according to the present embodiment, both plate surfaces 42 and 44 are formed with a rough surface having a Ra of about 0.1 to 0.2 μm, and peripheral side surface 46 has a Ra of 0.01 to 0. 0
The mirror surface is about 2 μm. The boundaries 52, 54 between the rough-finished plate surfaces 42, 44 and the mirror-finished peripheral side surface 46 are radially outward of the silicon carbide wafer 50, that is, from the rough plate surfaces 42, 44. The roughness is gradually reduced toward the peripheral side surface 46 of the mirror surface. Changing the roughness in this manner can be achieved by using, for example, whetstones having different roughnesses.
【００１７】このように構成した本実施形態の炭化ケイ
素ウエハ５０は、前記実施形態の炭化ウエハ４０と同様
に、プラスチック容器を削るのを防止できるとともに、
境界部５２、５４の粗さが鏡面側になるに従って漸次小
さく（細かく）なっているため、鏡面部分に成膜された
膜が剥離しにくく、ダミーウエハとして使用した場合
に、連続使用回数を増加することができ、交換間隔が長
くなって洗浄等の回数が減少するため、ランニングコス
トを低減することができる。The silicon carbide wafer 50 of the present embodiment having the above-described structure can prevent the plastic container from being cut down, like the carbonized wafer 40 of the above-described embodiment.
Since the roughness of the boundary portions 52 and 54 becomes gradually smaller (finer) toward the mirror surface side, the film formed on the mirror surface portion is hardly peeled off, and the number of continuous use increases when used as a dummy wafer. Since the replacement interval becomes longer and the number of times of washing and the like is reduced, the running cost can be reduced.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、周側面が滑らかな鏡面に仕上げてあるため、プラス
チック容器と接触しても容器を削るようなことがなく、
有機物の成膜装置内などへの持込みが防止され、有機物
による炉内を汚染を防止することができる。そして、粗
面に仕上げた板面と鏡面に仕上げた周側面との境界部
を、半径方向外方に向けて、すなわち粗面側から鏡面側
になるに従って粗さが漸次小さくなるようにしているた
め、鏡面の周側面に成膜された膜が容易に剥離するのを
防止でき、ダミーウエハとして使用した場合に、連続使
用回数の増大が図れてランニングコストを低減すること
ができる。また、周側面の平均粗さを０．０２μｍ以下
としているため、周側面を鏡面にすることができ、プラ
スチック容器と接触した際にこれを削るおそれがない。As described above, according to the present invention, since the peripheral side surface is finished to a smooth mirror surface, the container does not scrape even when it comes into contact with the plastic container.
Organic substances are prevented from being carried into a film forming apparatus or the like, and contamination of the furnace with organic substances can be prevented. The boundary between the rough finished plate surface and the mirror finished peripheral side surface is directed outward in the radial direction, that is, the roughness is gradually reduced from the rough surface side to the mirror surface side. Therefore, the film formed on the peripheral side surface of the mirror surface can be prevented from easily peeling off, and when used as a dummy wafer, the number of continuous uses can be increased and the running cost can be reduced. In addition, since the average roughness of the peripheral side surface is set to 0.02 μm or less, the peripheral side surface can be made a mirror surface, and there is no possibility that the peripheral side surface is scraped when it comes into contact with the plastic container.
【図１】本発明の実施の形態に係る炭化ケイ素ウエハを
模式的に示した一部側面図である。FIG. 1 is a partial side view schematically showing a silicon carbide wafer according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の他の実施の形態に係る炭化ケイ素ウエ
ハを模式的に示した一部側面図である。FIG. 2 is a partial side view schematically showing a silicon carbide wafer according to another embodiment of the present invention.
【図３】減圧ＣＶＤ装置の概略説明図である。FIG. 3 is a schematic explanatory view of a low pressure CVD apparatus.
４０、５０ 炭化ケイ素ウエハ ４２、４４ 板面 ４６ 周側面 ５２、５４ 境界部 40, 50 Silicon carbide wafer 42, 44 Plate surface 46 Peripheral side surface 52, 54 Boundary part
Claims (3)
板面周縁部を面取りするとともに、周側面を鏡面仕上げ
してあることを特徴とする炭化ケイ素ウエハ。1. A wafer made of silicon carbide, wherein the peripheral edges of both plate surfaces are chamfered and the peripheral side surfaces are mirror-finished.
側面との境界部の粗さが、半径方向外方に向けて漸次小
さくしてあることを特徴とする炭化ケイ素ウエハ。2. A silicon carbide wafer characterized in that the roughness of the boundary between the plate surface finished to a rough surface and the peripheral side surface finished to a mirror surface gradually decreases outward in the radial direction.
以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の
炭化ケイ素ウエハ。3. The peripheral side surface has an average roughness of 0.02 μm.
The silicon carbide wafer according to claim 1, wherein:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9294841A JPH11121312A (en) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | Silicon carbide wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9294841A JPH11121312A (en) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | Silicon carbide wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121312A true JPH11121312A (en) | 1999-04-30 |
Family
ID=17812954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9294841A Pending JPH11121312A (en) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | Silicon carbide wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11121312A (en) |
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