JPH11111703A - Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体のエッチング方法 - Google Patents
Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体のエッチング方法Info
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- JPH11111703A JPH11111703A JP26603597A JP26603597A JPH11111703A JP H11111703 A JPH11111703 A JP H11111703A JP 26603597 A JP26603597 A JP 26603597A JP 26603597 A JP26603597 A JP 26603597A JP H11111703 A JPH11111703 A JP H11111703A
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Abstract
(57)【要約】
II-VI族化合物半導体のエッチング方法
【課題】 Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅ
のうち少なくとも２つの元素を含むII-VI族化合物半導
体のエッチングを容易に行い、その結果、スムーズな表
面を得る。 【解決手段】 Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｓ、Ｓｅ及び
Ｔｅからなる群から選択される少なくとも２つの元素を
含むII-VI族化合物半導体を有機酸を含む混合液と接触
させてエッチングすることを特徴とするII-VI族化合物
半導体のエッチング方法。
のうち少なくとも２つの元素を含むII-VI族化合物半導
体のエッチングを容易に行い、その結果、スムーズな表
面を得る。 【解決手段】 Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｓ、Ｓｅ及び
Ｔｅからなる群から選択される少なくとも２つの元素を
含むII-VI族化合物半導体を有機酸を含む混合液と接触
させてエッチングすることを特徴とするII-VI族化合物
半導体のエッチング方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、II-VI族半導体の
エッチングを行う方法に係わり、特にＺｎ、Ｍｇ、Ｃ
ｄ、Ｂｅ、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅからなる群から選択される
少なくとも２つの元素を含むII-VI族化合物半導体をエ
ッチングする方法に関するものである。
エッチングを行う方法に係わり、特にＺｎ、Ｍｇ、Ｃ
ｄ、Ｂｅ、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅからなる群から選択される
少なくとも２つの元素を含むII-VI族化合物半導体をエ
ッチングする方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、II-VI族化合物半導体のエッチン
グには、Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7、ＫＭｎＯ4、Ｈ2ＳＯ4、Ｈ2Ｏ2、
ＨＣｌやＨＢｒ等、もしくはこれらを含む混合液が多く
用いられている。
グには、Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7、ＫＭｎＯ4、Ｈ2ＳＯ4、Ｈ2Ｏ2、
ＨＣｌやＨＢｒ等、もしくはこれらを含む混合液が多く
用いられている。
【０００３】ところが、これらのエッチング液を用いた
場合は表面が平坦にならなかったり表面にエッチング残
さが厚く堆積し、後処理では除去出来ないという問題が
あった。さらに重金属を含んだエッチング液ではこれら
重金属が表面に残るという問題も含んでいた。
場合は表面が平坦にならなかったり表面にエッチング残
さが厚く堆積し、後処理では除去出来ないという問題が
あった。さらに重金属を含んだエッチング液ではこれら
重金属が表面に残るという問題も含んでいた。
【０００４】このような問題を解決するために、様々な
エッチャントが提案されているが、いずれも平坦なエッ
チング面であり、かつ、プロセスなどを行う場合に使用
可能なエッチングスピードを得ることは困難であった。
例えば、Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7、Ｈ2ＳＯ4及びＨ2Ｏの混合液でエ
ッチングを行うと、早めのエッチングレートを得ること
は出来るが、表面が白濁するといった問題があった。
エッチャントが提案されているが、いずれも平坦なエッ
チング面であり、かつ、プロセスなどを行う場合に使用
可能なエッチングスピードを得ることは困難であった。
例えば、Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7、Ｈ2ＳＯ4及びＨ2Ｏの混合液でエ
ッチングを行うと、早めのエッチングレートを得ること
は出来るが、表面が白濁するといった問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のエッ
チング液は表面の平坦性、表面残さ、エッチングスピー
ド等の問題で基板の前処理やプロセス中のエッチングな
どの制御が十分に出来ない場合があった。
チング液は表面の平坦性、表面残さ、エッチングスピー
ド等の問題で基板の前処理やプロセス中のエッチングな
どの制御が十分に出来ない場合があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の課
題を解決すべく鋭意検討した結果、有機酸を含んだ混合
液でエッチングを行うことにより、表面の平坦性や表面
残さの問題なく、十分なエッチングスピードで、II-VI
族化合物半導体のエッチングが行えることを見出し、本
発明に到達した。
題を解決すべく鋭意検討した結果、有機酸を含んだ混合
液でエッチングを行うことにより、表面の平坦性や表面
残さの問題なく、十分なエッチングスピードで、II-VI
族化合物半導体のエッチングが行えることを見出し、本
発明に到達した。
【０００７】即ち、本発明の要旨は、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃ
ｄ、Ｂｅ、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅからなる群から選択される
少なくとも２つの元素を含むII-VI族化合物半導体を有
機酸を含む混合液と接触させてエッチングすることを特
徴とするII-VI族化合物半導体のエッチング方法に存す
る。
ｄ、Ｂｅ、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅからなる群から選択される
少なくとも２つの元素を含むII-VI族化合物半導体を有
機酸を含む混合液と接触させてエッチングすることを特
徴とするII-VI族化合物半導体のエッチング方法に存す
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明はII-VI族化合物半導体のエッチング方法に関す
るものであり、エッチング前の表面の加工は任意の形状
でよい。すなわち、エピタキシャル成長を行う前処理と
して基板のエッチングに用いても良いし、半導体デバイ
スの構造を作製するためのエッチングマスク等を作製し
た処理を行ってあるものでリッジやグルーブ等を作るの
に使っても差し支えない。
本発明はII-VI族化合物半導体のエッチング方法に関す
るものであり、エッチング前の表面の加工は任意の形状
でよい。すなわち、エピタキシャル成長を行う前処理と
して基板のエッチングに用いても良いし、半導体デバイ
スの構造を作製するためのエッチングマスク等を作製し
た処理を行ってあるものでリッジやグルーブ等を作るの
に使っても差し支えない。
【０００９】また、エッチングを行う対象はII-VI族の
化合物半導体であればよく、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｂｅ、
Ｓ、Ｓｅ及びＴｅからなる群から選択される少なくとも
２つの元素を含むII-VI族化合物半導体が対象になる。
このうち特にII族元素としてＺｎ及び／又はＭｇを含む
もの、VI族元素としてＳ及び／又はＳｅを含むものがエ
ッチングを行いやすい。また、これらの半導体の生成方
法についても規定するものではなく、エピタキシーを行
ってもバルクとして成長したものであっても問題はな
い。また、半導体の導電型についても特に限定するもの
ではない。
化合物半導体であればよく、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｂｅ、
Ｓ、Ｓｅ及びＴｅからなる群から選択される少なくとも
２つの元素を含むII-VI族化合物半導体が対象になる。
このうち特にII族元素としてＺｎ及び／又はＭｇを含む
もの、VI族元素としてＳ及び／又はＳｅを含むものがエ
ッチングを行いやすい。また、これらの半導体の生成方
法についても規定するものではなく、エピタキシーを行
ってもバルクとして成長したものであっても問題はな
い。また、半導体の導電型についても特に限定するもの
ではない。
【００１０】エッチング液としては有機酸を含む混合液
を用いるが、有機酸としてはカルボン酸を用いるのが好
ましい。また、有機酸のほかに酸化剤（過酸化物やオキ
ソ酸）を混合することが好ましく、これらを水で希釈し
た混合液が好ましい。ここで、カルボン酸の主なものと
しては蟻酸（ＨＣＯＯＨ）、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）、
コハク酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）2ＣＯＯＨ）、クエン酸
（（ＣＨ2ＣＯＯＨ）−（Ｃ（ＯＨ）ＣＯＯＨ）−（Ｃ
Ｈ2ＣＯＯＨ））、安息香酸（Ｃ6Ｈ5ＣＯＯＨ）、シュ
ウ酸（ＨＯＯＣ−ＣＯＯＨ）、アクリル酸（ＣＨ2＝Ｃ
ＨＣＯＯＨ）、酒石酸（（ＣＯＯＨ）−（ＣＨＯＨ）2
−（ＣＯＯＨ））等がある。また、酸化剤としては、過
酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、硝酸（ＨＮＯ3）、次亜塩素酸
（ＨＣｌＯ）、二酸化マンガン（ＭｎＯ2）、酸化クロ
ム（ＶＩＩ）（Ｃｒ2Ｏ7）等があるが、ここでは金属が
半導体表面に残る可能性があるため金属を含む酸化剤は
あまり望ましくない。この混合液が良い理由は、これら
の酸が、使いやすくまたｐＨを７近辺に調整しやすい事
にある。さらに望ましくは、クエン酸、過酸化水素、水
の混合液がよい。このときのクエン酸と過酸化水素と水
のモル比率は１〜１０：１〜２０：１００、望ましくは
２〜７：２〜１０：１００、さらに望ましくは４〜６：
４〜６：１００である。
を用いるが、有機酸としてはカルボン酸を用いるのが好
ましい。また、有機酸のほかに酸化剤（過酸化物やオキ
ソ酸）を混合することが好ましく、これらを水で希釈し
た混合液が好ましい。ここで、カルボン酸の主なものと
しては蟻酸（ＨＣＯＯＨ）、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）、
コハク酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）2ＣＯＯＨ）、クエン酸
（（ＣＨ2ＣＯＯＨ）−（Ｃ（ＯＨ）ＣＯＯＨ）−（Ｃ
Ｈ2ＣＯＯＨ））、安息香酸（Ｃ6Ｈ5ＣＯＯＨ）、シュ
ウ酸（ＨＯＯＣ−ＣＯＯＨ）、アクリル酸（ＣＨ2＝Ｃ
ＨＣＯＯＨ）、酒石酸（（ＣＯＯＨ）−（ＣＨＯＨ）2
−（ＣＯＯＨ））等がある。また、酸化剤としては、過
酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、硝酸（ＨＮＯ3）、次亜塩素酸
（ＨＣｌＯ）、二酸化マンガン（ＭｎＯ2）、酸化クロ
ム（ＶＩＩ）（Ｃｒ2Ｏ7）等があるが、ここでは金属が
半導体表面に残る可能性があるため金属を含む酸化剤は
あまり望ましくない。この混合液が良い理由は、これら
の酸が、使いやすくまたｐＨを７近辺に調整しやすい事
にある。さらに望ましくは、クエン酸、過酸化水素、水
の混合液がよい。このときのクエン酸と過酸化水素と水
のモル比率は１〜１０：１〜２０：１００、望ましくは
２〜７：２〜１０：１００、さらに望ましくは４〜６：
４〜６：１００である。
【００１１】エッチングを行うときの温度は０〜５０℃
が良く、望ましくは２０〜３０℃の範囲がよい。このエ
ッチング液は温度によりエッチングレートが急激に変化
するためエッチング液の温度は一定に保つことが重要で
ある。エッチング液の温度が低い場合にはエッチングレ
ートが遅くなる代わりに、エッチング後の表面は比較的
スムーズに保てるという特徴がある。この結果も踏まえ
ると、ここでのエッチングレートは１０〜１００ｎｍ／
ｍｉｎの範囲に制御するのが良く、望ましくは２０〜５
０ｎｍ／ｍｉｎの範囲であると現実的に使いやすい。
が良く、望ましくは２０〜３０℃の範囲がよい。このエ
ッチング液は温度によりエッチングレートが急激に変化
するためエッチング液の温度は一定に保つことが重要で
ある。エッチング液の温度が低い場合にはエッチングレ
ートが遅くなる代わりに、エッチング後の表面は比較的
スムーズに保てるという特徴がある。この結果も踏まえ
ると、ここでのエッチングレートは１０〜１００ｎｍ／
ｍｉｎの範囲に制御するのが良く、望ましくは２０〜５
０ｎｍ／ｍｉｎの範囲であると現実的に使いやすい。
【００１２】さらに、このエッチングに続いて、表面に
残った残さを処理する工程を行うと、より平坦で残さの
ない表面が得られる。この処理は二硫化炭素（ＣＳ2）
や０．１〜１０Ｎの亜硫酸ナトリウム（Ｎａ2ＳＯ3）水
溶液を用いて０〜５０℃の範囲で、望ましくは室温付近
にて行うのがよい。
残った残さを処理する工程を行うと、より平坦で残さの
ない表面が得られる。この処理は二硫化炭素（ＣＳ2）
や０．１〜１０Ｎの亜硫酸ナトリウム（Ｎａ2ＳＯ3）水
溶液を用いて０〜５０℃の範囲で、望ましくは室温付近
にて行うのがよい。
【００１３】また、エッチングのみを長時間続けて行う
とエッチング表面が荒れて表面残さが残る傾向にあるた
め、エッチングに続いて表面処理を行う工程を１サイク
ルとし、このサイクルを単位として繰り返すことにより
エッチングを深く行っていくのがスムーズなエッチング
表面を得るためにはもっとも効果的である。
とエッチング表面が荒れて表面残さが残る傾向にあるた
め、エッチングに続いて表面処理を行う工程を１サイク
ルとし、このサイクルを単位として繰り返すことにより
エッチングを深く行っていくのがスムーズなエッチング
表面を得るためにはもっとも効果的である。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明は、その要旨を越えない限り、下記実施
例により限定されるものではない。 （実施例１）ＧａＡｓ基板上にＭＢＥで成長したＺｎＳ
ｅ膜を作成しそのＭＢＥ成長ＺｎＳｅ膜のエッチングを
試みた。クエン酸と水を１：１重量比で混合したクエン
酸水溶液、３０重量％の過酸化水素水を用いており、こ
れを３：１で混合した液（モル比は、クエン酸：過酸化
水素：水＝５：５：１００）を用いて、３０℃にてエッ
チングした結果、３０ｎｍ／ｍｉｎのエッチングレート
を得ることが出来た。６０秒エッチングを行った後、表
面を光学顕微鏡で観察したが、際だった表面荒れは見ら
れず、またＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて表面の観
察を行っても表面の凹凸の状況はエッチング前と同じで
あった。 （実施例２）ＧａＡｓ基板上にＭＢＥで成長したＺｎＳ
ｅ膜を実施例１と同様にエッチングした後に水洗し乾燥
させた後、室温のＣＳ2により６０秒の表面処理を行
い、水洗し乾燥を行った。このエッチングと表面処理か
らなる工程を、一つのサイクルとして、このサイクルを
５回繰り返して行った。このエッチングを行った場合、
２００ｎｍエッチングすることが出来た。表面を光学顕
微鏡で観察したが、際だった表面荒れは見られず、また
ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて表面の観察を行って
も表面の凹凸の状況はエッチング前と同じであった。 （比較例）エッチング液として、Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7：Ｈ2ＳＯ
4：Ｈ2Ｏ＝５ｇ：５０ｍｌ：１００ｍｌ（Ｈ2ＳＯ4は市
販の濃硫酸を用いた。）という比率の混合液で室温にて
エッチングを行なった以外、前記実施例１と全く同様に
したところ、３００ｎｍ／ｍｉｎのエッチングレートを
得ることは出来るが、表面が白濁してしまった。 （参考例１）クエン酸水溶液と過酸化水素水の混合比率
をふった以外、実施例１と全く同様にした場合の、エッ
チングレートの変化を図１に示す。図１において、横軸
は、３０重量％過酸化水素水の体積を１としたときの、
クエン酸と水を１：１重量比で混合したクエン酸水溶液
の体積比率を表している。 （参考例２）クエン酸水溶液と過酸化水素水の混合比率
を１：１とし、エッチング温度を振った以外、実施例１
と全く同様にした場合のエッチングレートの変化を図２
に示す。 （参考例３）エッチング温度を２０℃とし、エッチング
時間をふった以外は、実施例１と全く同様にした場合の
エッチング時間とエッチング深さの関係を図３に示す。
するが、本発明は、その要旨を越えない限り、下記実施
例により限定されるものではない。 （実施例１）ＧａＡｓ基板上にＭＢＥで成長したＺｎＳ
ｅ膜を作成しそのＭＢＥ成長ＺｎＳｅ膜のエッチングを
試みた。クエン酸と水を１：１重量比で混合したクエン
酸水溶液、３０重量％の過酸化水素水を用いており、こ
れを３：１で混合した液（モル比は、クエン酸：過酸化
水素：水＝５：５：１００）を用いて、３０℃にてエッ
チングした結果、３０ｎｍ／ｍｉｎのエッチングレート
を得ることが出来た。６０秒エッチングを行った後、表
面を光学顕微鏡で観察したが、際だった表面荒れは見ら
れず、またＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて表面の観
察を行っても表面の凹凸の状況はエッチング前と同じで
あった。 （実施例２）ＧａＡｓ基板上にＭＢＥで成長したＺｎＳ
ｅ膜を実施例１と同様にエッチングした後に水洗し乾燥
させた後、室温のＣＳ2により６０秒の表面処理を行
い、水洗し乾燥を行った。このエッチングと表面処理か
らなる工程を、一つのサイクルとして、このサイクルを
５回繰り返して行った。このエッチングを行った場合、
２００ｎｍエッチングすることが出来た。表面を光学顕
微鏡で観察したが、際だった表面荒れは見られず、また
ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて表面の観察を行って
も表面の凹凸の状況はエッチング前と同じであった。 （比較例）エッチング液として、Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7：Ｈ2ＳＯ
4：Ｈ2Ｏ＝５ｇ：５０ｍｌ：１００ｍｌ（Ｈ2ＳＯ4は市
販の濃硫酸を用いた。）という比率の混合液で室温にて
エッチングを行なった以外、前記実施例１と全く同様に
したところ、３００ｎｍ／ｍｉｎのエッチングレートを
得ることは出来るが、表面が白濁してしまった。 （参考例１）クエン酸水溶液と過酸化水素水の混合比率
をふった以外、実施例１と全く同様にした場合の、エッ
チングレートの変化を図１に示す。図１において、横軸
は、３０重量％過酸化水素水の体積を１としたときの、
クエン酸と水を１：１重量比で混合したクエン酸水溶液
の体積比率を表している。 （参考例２）クエン酸水溶液と過酸化水素水の混合比率
を１：１とし、エッチング温度を振った以外、実施例１
と全く同様にした場合のエッチングレートの変化を図２
に示す。 （参考例３）エッチング温度を２０℃とし、エッチング
時間をふった以外は、実施例１と全く同様にした場合の
エッチング時間とエッチング深さの関係を図３に示す。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｂ
ｅ、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅのうち少なくとも２つの元素を含
むII-VI族化合物半導体のエッチングを容易に行うこと
が出来、またその結果、スムーズな表面を得ることが出
来る。
ｅ、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅのうち少なくとも２つの元素を含
むII-VI族化合物半導体のエッチングを容易に行うこと
が出来、またその結果、スムーズな表面を得ることが出
来る。
【図１】 本発明エッチング方法におけるエッチング液
の組成とエッチングレートの関係を示すグラフ。
の組成とエッチングレートの関係を示すグラフ。
【図２】 本発明エッチング方法におけるエッチング温
度とエッチングレートの関係を示すグラフ。
度とエッチングレートの関係を示すグラフ。
【図３】 本発明エッチング方法におけるエッチング時
間とエッチング深さの関係を示すグラフ。
間とエッチング深さの関係を示すグラフ。
Claims (14)
- 【請求項１】 Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｓ、Ｓｅ及び
Ｔｅからなる群から選択される少なくとも２つの元素を
含むII-VI族化合物半導体を有機酸を含む混合液と接触
させてエッチングすることを特徴とするII-VI族化合物
半導体のエッチング方法。 - 【請求項２】 エッチングに用いる混合液が、酸化剤を
含むことを特徴とする請求項１記載のII-VI族化合物半
導体のエッチング方法。 - 【請求項３】 前記有機酸がカルボン酸であることを特
徴とする請求項１又は２記載のII-VI族化合物半導体の
エッチング方法。 - 【請求項４】 前記カルボン酸が蟻酸、酢酸、コハク
酸、クエン酸、安息香酸、シュウ酸、アクリル酸及び酒
石酸からなる群から選択される１種以上のカルボン酸で
あることを特徴とする請求項３記載のII-VI族化合物半
導体のエッチング方法。 - 【請求項５】 前記酸化剤が過酸化物又はオキソ酸であ
ることを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載
のII-VI族化合物半導体のエッチング方法。 - 【請求項６】 前記酸化剤が過酸化水素、硝酸、次亜塩
素酸、二酸化マンガン及び酸化クロム(VII)からなる群
から選択される１種以上であることを特徴とする請求項
５に記載のII-VI族化合物半導体のエッチング方法。 - 【請求項７】 エッチングに用いる混合液が、水を含む
ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の
II-VI族化合物半導体のエッチング方法。 - 【請求項８】 エッチングに用いる混合液中の有機酸、
酸化剤及び水の混合比が、モル比で１〜１０：１〜２
０：１００であることを特徴とする請求項２ないし７の
いずれかに記載のII-VI族化合物半導体のエッチング方
法。 - 【請求項９】 ０〜５０℃でエッチングを行うことを特
徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載のII-VI族
化合物半導体のエッチング方法。 - 【請求項１０】 II-VI族化合物半導体を有機酸を含む
混合液と接触させた後、更に二硫化炭素又は亜硫酸ナト
リウム水溶液と接触させて表面処理することを特徴とす
る請求項１ないし９のいずれかに記載のII-VI族化合物
半導体のエッチング方法。 - 【請求項１１】 ０．５〜３規定の亜硫酸ナトリウム水
溶液を用いて表面処理することを特徴とする請求項１０
記載のII-VI族化合物半導体のエッチング方法。 - 【請求項１２】 表面処理を０〜５０℃で行うことを特
徴とする請求項１１記載のII-VI族化合物半導体のエッ
チング方法。 - 【請求項１３】 II-VI族化合物半導体を有機酸を含む
混合液と６〜６００秒接触させた後、更に二硫化炭素又
は亜硫酸ナトリウム水溶液と６〜６００秒接触させて表
面処理することを特徴とする請求項１０ないし２のいず
れかに記載のII-VI族化合物半導体のエッチング方法。 - 【請求項１４】 II-VI族化合物半導体を有機酸を含む
混合液と接触させた後、更に二硫化炭素又は亜硫酸ナト
リウム水溶液と接触させて表面処理するまでを１つのサ
イクルとして、当該サイクルを少なくとも２回以上繰り
返して行うことを特徴とする請求項１０ないし１３のい
ずれかに記載のII-VI族化合物半導体のエッチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26603597A JPH11111703A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26603597A JPH11111703A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111703A true JPH11111703A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17425491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26603597A Pending JPH11111703A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111703A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007005472A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板の表面処理方法およびｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法 |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP26603597A patent/JPH11111703A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007005472A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板の表面処理方法およびｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法 |
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