JPH11109415A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH11109415A JPH11109415A JP27165097A JP27165097A JPH11109415A JP H11109415 A JPH11109415 A JP H11109415A JP 27165097 A JP27165097 A JP 27165097A JP 27165097 A JP27165097 A JP 27165097A JP H11109415 A JPH11109415 A JP H11109415A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 不純物イオンによる焼き付きを防止できる液
晶表示装置を提供する。 【解決手段】 対向して設置された一対の透明基板１，
２と、前記一対の基板１，２間に封入された液晶３と、
前記一対の基板１，２のうち一方の基板２上に形成され
た複数のバスライン８と、少なくとも１本のバスライン
８の上方に形成された第一の配向膜６，７と、前記一方
の基板上の第一の配向膜６，７が形成された領域以外の
領域に形成された第二の配向膜１０，１１とを有し、前
記第一の配向膜６，７及び第二の配向膜１０，１１のい
ずれか一方が、オフセット電圧と同極性の残留ＤＣを発
生する材料からなり、他方がオフセット電圧と逆極性の
残留ＤＣを発生する材料からなる。
晶表示装置を提供する。 【解決手段】 対向して設置された一対の透明基板１，
２と、前記一対の基板１，２間に封入された液晶３と、
前記一対の基板１，２のうち一方の基板２上に形成され
た複数のバスライン８と、少なくとも１本のバスライン
８の上方に形成された第一の配向膜６，７と、前記一方
の基板上の第一の配向膜６，７が形成された領域以外の
領域に形成された第二の配向膜１０，１１とを有し、前
記第一の配向膜６，７及び第二の配向膜１０，１１のい
ずれか一方が、オフセット電圧と同極性の残留ＤＣを発
生する材料からなり、他方がオフセット電圧と逆極性の
残留ＤＣを発生する材料からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング素子
を使用したアクティブマトリックス型液晶表示装置に関
する。
を使用したアクティブマトリックス型液晶表示装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図１２は、従来の液晶表示装置の一例を
示す断面図である。液晶表示装置は、相互に対向して設
置された一対のガラス基板１１１，１１２の間に液晶１
１３を封入した構造となっている。一方のガラス基板１
１１の基板１１２側の面上には、ＩＴＯ（インジウム酸
化すず）からなる対向電極１１４が形成されている。こ
の対向電極１１４の表面上には、配向膜１１６が形成さ
れている。この配向膜１１６の表面には、液晶１１３を
一方向に配向させるためのラビング処理が施されてい
る。
示す断面図である。液晶表示装置は、相互に対向して設
置された一対のガラス基板１１１，１１２の間に液晶１
１３を封入した構造となっている。一方のガラス基板１
１１の基板１１２側の面上には、ＩＴＯ（インジウム酸
化すず）からなる対向電極１１４が形成されている。こ
の対向電極１１４の表面上には、配向膜１１６が形成さ
れている。この配向膜１１６の表面には、液晶１１３を
一方向に配向させるためのラビング処理が施されてい
る。
【０００３】他方のガラス基板１１２のガラス基板１１
１側の面上には、複数本のゲ─トバスライン１１８及び
複数本のデ─タバスライン（図示せず）が形成されてい
る。各ゲ─トバスライン１１８は相互に平行に配置され
ており、各デ─タバスラインはゲ─トバスライン１１８
に直角に立体交差して形成されている。そして、ガラス
基板１１２上には、透明絶縁膜１１９が、ゲ─トバスラ
イン１１８及びデ─タバスラインを覆うようにして形成
されている。絶縁膜１１９上のゲ─トバスライン１１８
とデ─タバスラインで区切られるそれぞれの領域には画
素電極１１５が形成されている。また、ゲ─トバスライ
ン１１８とデ─タバスラインとの交差部分の近傍にはＴ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）が形成されており、そのＴＦ
Ｔのゲ─トはゲ─トバスライン１１８に接続され、ドレ
インはデ─タバスラインに接続され、ソ─スは画素電極
１１５に接続されている。さらに、絶縁膜１１９上に
は、配向膜１１７が、画素電極１１５を覆うように形成
されている。この配向膜１１７の表面もラビング処理が
施されている。この配向膜１１７のラビングの方向は、
配向膜１１６のラビングの方向と直角になっている。液
晶分子は配向膜のラビング方向に従って配向する。その
ため液晶分子は配向膜１１６側から配向膜１１７側に向
かうにつれて旋回状に配向方向を変えていき、配向膜１
１６側と配向膜１１７側では、液晶分子の配向方向は９
０度ずれている。
１側の面上には、複数本のゲ─トバスライン１１８及び
複数本のデ─タバスライン（図示せず）が形成されてい
る。各ゲ─トバスライン１１８は相互に平行に配置され
ており、各デ─タバスラインはゲ─トバスライン１１８
に直角に立体交差して形成されている。そして、ガラス
基板１１２上には、透明絶縁膜１１９が、ゲ─トバスラ
イン１１８及びデ─タバスラインを覆うようにして形成
されている。絶縁膜１１９上のゲ─トバスライン１１８
とデ─タバスラインで区切られるそれぞれの領域には画
素電極１１５が形成されている。また、ゲ─トバスライ
ン１１８とデ─タバスラインとの交差部分の近傍にはＴ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）が形成されており、そのＴＦ
Ｔのゲ─トはゲ─トバスライン１１８に接続され、ドレ
インはデ─タバスラインに接続され、ソ─スは画素電極
１１５に接続されている。さらに、絶縁膜１１９上に
は、配向膜１１７が、画素電極１１５を覆うように形成
されている。この配向膜１１７の表面もラビング処理が
施されている。この配向膜１１７のラビングの方向は、
配向膜１１６のラビングの方向と直角になっている。液
晶分子は配向膜のラビング方向に従って配向する。その
ため液晶分子は配向膜１１６側から配向膜１１７側に向
かうにつれて旋回状に配向方向を変えていき、配向膜１
１６側と配向膜１１７側では、液晶分子の配向方向は９
０度ずれている。
【０００４】そして、図には示してはいないが、一対の
ガラス基板１１１，１１２の対向し合わない側の面に
は、一対の偏光板が配置されている。この一対の偏光板
の偏光軸の互いの向きによりノ─マリ─ホワイトモ─ド
及びノ─マリ─ブラックモ─ドの２種のモ─ドがある。
ノ─マリ─ホワイトモ─ドは一対の偏光板の偏光軸の互
いの向きが垂直で、ノ─マリ─ブラックモ─ドは平行で
ある。
ガラス基板１１１，１１２の対向し合わない側の面に
は、一対の偏光板が配置されている。この一対の偏光板
の偏光軸の互いの向きによりノ─マリ─ホワイトモ─ド
及びノ─マリ─ブラックモ─ドの２種のモ─ドがある。
ノ─マリ─ホワイトモ─ドは一対の偏光板の偏光軸の互
いの向きが垂直で、ノ─マリ─ブラックモ─ドは平行で
ある。
【０００５】以下では、ノ─マリ─ホワイトモ─ドの液
晶表示装置の表示の動作について説明する。画素電極１
１５と対向電極１１４との間に電圧を印加していないと
きは、ガラス基板１１２側の偏光板を通過した光が液晶
１１３に入ると、液晶分子のねじれに従って、その偏波
面方向がねじれる。液晶１１３を出たとき、光の偏波面
方向は、９０度ねじれている。そして、光はガラス基板
１１１側の偏光板に達するが、その光の偏波面方向はガ
ラス基板１１１側の偏光板の偏光軸と同じとなっている
ため、光はこの偏光板を通過する。
晶表示装置の表示の動作について説明する。画素電極１
１５と対向電極１１４との間に電圧を印加していないと
きは、ガラス基板１１２側の偏光板を通過した光が液晶
１１３に入ると、液晶分子のねじれに従って、その偏波
面方向がねじれる。液晶１１３を出たとき、光の偏波面
方向は、９０度ねじれている。そして、光はガラス基板
１１１側の偏光板に達するが、その光の偏波面方向はガ
ラス基板１１１側の偏光板の偏光軸と同じとなっている
ため、光はこの偏光板を通過する。
【０００６】画素電極１１５と対向電極１１４との間に
電圧を印加すると、液晶分子は画素電極１１５と対向電
極１１４との間の電場の方向を向くため、液晶１１３に
入った光は、その偏波面方向がねじられずに進み、液晶
１１３を出る。そして、光はガラス基板１１１側の偏光
板に達するが、その光の偏波面方向はガラス基板１１１
の偏光板の偏光軸と直角になっているため、光はこの偏
光板を通過することができない。
電圧を印加すると、液晶分子は画素電極１１５と対向電
極１１４との間の電場の方向を向くため、液晶１１３に
入った光は、その偏波面方向がねじられずに進み、液晶
１１３を出る。そして、光はガラス基板１１１側の偏光
板に達するが、その光の偏波面方向はガラス基板１１１
の偏光板の偏光軸と直角になっているため、光はこの偏
光板を通過することができない。
【０００７】このように、各画素電極１１５と対向電極
１１４との間の電圧を制御することにより、所望の画像
の表示をすることができる。
１１４との間の電圧を制御することにより、所望の画像
の表示をすることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１２
に示した液晶表示装置では、長時間同一の画像を表示し
た後、表示を変えても前の表示が薄く残るという線焼き
付きの問題がある。すなわち、図８のような白表示と黒
表示のタイルパタ─ンを長時間表示した後に、全面黒表
示したとき、白表示を行っていたところと黒表示を行っ
ていたところとの境界に図９のような線焼き付きといわ
れる現象が発生することがある。
に示した液晶表示装置では、長時間同一の画像を表示し
た後、表示を変えても前の表示が薄く残るという線焼き
付きの問題がある。すなわち、図８のような白表示と黒
表示のタイルパタ─ンを長時間表示した後に、全面黒表
示したとき、白表示を行っていたところと黒表示を行っ
ていたところとの境界に図９のような線焼き付きといわ
れる現象が発生することがある。
【０００９】この線焼き付きが発生する原因は次のよう
に考えられる。液晶中には、液晶中にもともと存在する
不純物イオンや配向膜又はシ─ル材から溶け込んだ不純
物イオン等が存在する。この不純物イオンは、配向膜の
ラビングの方向に従って、徐々に液晶中を移動する性質
がある。図８に示すようなパタ─ンを表示すると、白表
示部と黒表示部との境界では電界強度が異なるため、不
純物イオンの移動速度が異なる。その結果、白表示部と
黒表示部との境界部分に不純物イオンが蓄積される。す
べての画素電極と対向電極との間の電圧をＯＦＦにして
も、不純物イオンは蓄積されたままになっており、蓄積
されている正，負の不純物イオン間に電場が発生する。
この不純物イオンによる電場が線焼き付きの原因と考え
られる。
に考えられる。液晶中には、液晶中にもともと存在する
不純物イオンや配向膜又はシ─ル材から溶け込んだ不純
物イオン等が存在する。この不純物イオンは、配向膜の
ラビングの方向に従って、徐々に液晶中を移動する性質
がある。図８に示すようなパタ─ンを表示すると、白表
示部と黒表示部との境界では電界強度が異なるため、不
純物イオンの移動速度が異なる。その結果、白表示部と
黒表示部との境界部分に不純物イオンが蓄積される。す
べての画素電極と対向電極との間の電圧をＯＦＦにして
も、不純物イオンは蓄積されたままになっており、蓄積
されている正，負の不純物イオン間に電場が発生する。
この不純物イオンによる電場が線焼き付きの原因と考え
られる。
【００１０】本発明では、不純物イオンによる線焼き付
きを防止できる液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
きを防止できる液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、対向し
て設置された一対の透明基板と、前記一対の基板間に封
入された液晶と、前記一対の基板のうち一方の基板上に
形成された複数のバスラインと、前記複数のバスライン
のうち少なくとも１本のバスラインの上方に形成された
第一の配向膜と、前記一方の基板上の領域のうち前記第
一の配向膜が形成された領域以外の領域に形成された第
二の配向膜とを有し、前記第一の配向膜及び第二の配向
膜のいずれか一方が、オフセット電圧と同極性の残留Ｄ
Ｃを発生する材料からなり、他方がオフセット電圧と逆
極性の残留ＤＣを発生する材料からなることを特徴とす
る液晶表示装置により解決する。
て設置された一対の透明基板と、前記一対の基板間に封
入された液晶と、前記一対の基板のうち一方の基板上に
形成された複数のバスラインと、前記複数のバスライン
のうち少なくとも１本のバスラインの上方に形成された
第一の配向膜と、前記一方の基板上の領域のうち前記第
一の配向膜が形成された領域以外の領域に形成された第
二の配向膜とを有し、前記第一の配向膜及び第二の配向
膜のいずれか一方が、オフセット電圧と同極性の残留Ｄ
Ｃを発生する材料からなり、他方がオフセット電圧と逆
極性の残留ＤＣを発生する材料からなることを特徴とす
る液晶表示装置により解決する。
【００１２】以下、本発明の作用について説明する。本
発明の液晶表示装置においては、一方の基板上に形成さ
れた複数のバスラインのうち少なくとも１本のバスライ
ンの上方に形成された第一の配向膜と、一方の基板上の
前記第一の配向膜が形成された領域以外の領域に形成さ
れた第二の配向膜とを有している。そして、前記第一の
配向膜及び第二の配向膜のいずれか一方が、オフセット
電圧と同極性の残留ＤＣを発生する材料からなり、他方
がオフセット電圧と逆極性の残留ＤＣを発生する材料か
らなる。なお、オフセット電圧とは、画素電極と対向電
極との間に絶対値が同一の正及び負の駆動パルスを交互
に印加したときに中心電圧がシフトする現象を打ち消す
ために印加する電圧をいう。
発明の液晶表示装置においては、一方の基板上に形成さ
れた複数のバスラインのうち少なくとも１本のバスライ
ンの上方に形成された第一の配向膜と、一方の基板上の
前記第一の配向膜が形成された領域以外の領域に形成さ
れた第二の配向膜とを有している。そして、前記第一の
配向膜及び第二の配向膜のいずれか一方が、オフセット
電圧と同極性の残留ＤＣを発生する材料からなり、他方
がオフセット電圧と逆極性の残留ＤＣを発生する材料か
らなる。なお、オフセット電圧とは、画素電極と対向電
極との間に絶対値が同一の正及び負の駆動パルスを交互
に印加したときに中心電圧がシフトする現象を打ち消す
ために印加する電圧をいう。
【００１３】液晶表示装置は、液晶，配向膜，画素電極
及び対向電極等の層構造になっているが、オフセット電
圧の加わった矩形波電圧を印加すると、各層の境界に電
荷が蓄積され、オフセット電圧がなくなっても蓄積され
た電荷が残留する現象が発生する。この残留電荷による
電圧を残留ＤＣという。残留ＤＣの極性は、配向膜及び
液晶の導電率と誘電率の比によって決まるため、配向膜
には、オフセット電圧と同極性の残留ＤＣを発生するも
のと逆極性の残留ＤＣを発生するものとが存在する。通
常、画素電極は、対向電極との間にオフセット電圧がな
いが、バスラインと対向電極との間にはオフセット電圧
が発生している。
及び対向電極等の層構造になっているが、オフセット電
圧の加わった矩形波電圧を印加すると、各層の境界に電
荷が蓄積され、オフセット電圧がなくなっても蓄積され
た電荷が残留する現象が発生する。この残留電荷による
電圧を残留ＤＣという。残留ＤＣの極性は、配向膜及び
液晶の導電率と誘電率の比によって決まるため、配向膜
には、オフセット電圧と同極性の残留ＤＣを発生するも
のと逆極性の残留ＤＣを発生するものとが存在する。通
常、画素電極は、対向電極との間にオフセット電圧がな
いが、バスラインと対向電極との間にはオフセット電圧
が発生している。
【００１４】液晶中の正，負の不純物イオンは、オフセ
ット電圧と同極性又は逆極性の残留ＤＣを発生する第一
の配向膜又は第二の配向膜にそれぞれ捉えられる。よっ
て、不純物イオンは、移動する領域が限定されて、ある
領域に存在する不純物イオンの密度を表示に現れない程
度の密度にすることができ、線焼きつきを防止すること
ができる。
ット電圧と同極性又は逆極性の残留ＤＣを発生する第一
の配向膜又は第二の配向膜にそれぞれ捉えられる。よっ
て、不純物イオンは、移動する領域が限定されて、ある
領域に存在する不純物イオンの密度を表示に現れない程
度の密度にすることができ、線焼きつきを防止すること
ができる。
【００１５】また、前記バスラインを複数のゲ─トバス
ラインと該ゲ─トバスラインに直交する複数のデ─タバ
スラインとからなる構成とし、前記ゲ─トバスラインの
うち一本おきのゲ─トバスラインの上方及び前記デ─タ
バスラインのうち一本おきのデ─タバスラインの上方に
前記第一の配向膜及び第二の配向膜のいずれか一方の配
向膜を形成し、その他の領域には他方の配向膜を形成す
る構成とすると、線焼きつきを防止する効果がより一層
大きくなる。
ラインと該ゲ─トバスラインに直交する複数のデ─タバ
スラインとからなる構成とし、前記ゲ─トバスラインの
うち一本おきのゲ─トバスラインの上方及び前記デ─タ
バスラインのうち一本おきのデ─タバスラインの上方に
前記第一の配向膜及び第二の配向膜のいずれか一方の配
向膜を形成し、その他の領域には他方の配向膜を形成す
る構成とすると、線焼きつきを防止する効果がより一層
大きくなる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を用いて説明する。図１は本発明の実施
の形態の液晶表示装置の断面図、図２は同じくその液晶
表示装置の一方の基板２の平面図である。なお、本実施
の形態は、ノ─マリ─ホワイトモ─ドの液晶表示装置に
本発明を適用した例について説明する。
て、添付の図面を用いて説明する。図１は本発明の実施
の形態の液晶表示装置の断面図、図２は同じくその液晶
表示装置の一方の基板２の平面図である。なお、本実施
の形態は、ノ─マリ─ホワイトモ─ドの液晶表示装置に
本発明を適用した例について説明する。
【００１７】本実施の形態の液晶表示装置は、相互に対
向して設置された一対のガラス基板１，２と、これらの
ガラス基板１，２の間に封入された液晶３とにより構成
されている。一方のガラス基板２上には、複数本のゲ─
トバスライン８及び複数本のデ─タバスライン２１が形
成されている。各ゲ─トバスライン８は相互に平行に配
置されており、各デ─タバスライン２１はゲ─トバスラ
イン８に直角に立体交差して形成されている。そして、
ガラス基板２上には、透明絶縁膜９が、ゲ─トバスライ
ン８及びデ─タバスライン２１を覆うようにして形成さ
れている。絶縁膜９上のゲ─トバスライン８とデ─タバ
スライン２１で区切られるそれぞれの領域には、ＩＴＯ
からなる画素電極５が形成されている。また、ゲ─トバ
スライン８とデ─タバスライン２１との交差部分の近傍
にはＴＦＴ２２が形成されており、そのＴＦＴ２２のゲ
─トはゲ─トバスライン８に接続され、ドレインはデ─
タバスライン２１に接続され、ソ─スは画素電極５に接
続されている。
向して設置された一対のガラス基板１，２と、これらの
ガラス基板１，２の間に封入された液晶３とにより構成
されている。一方のガラス基板２上には、複数本のゲ─
トバスライン８及び複数本のデ─タバスライン２１が形
成されている。各ゲ─トバスライン８は相互に平行に配
置されており、各デ─タバスライン２１はゲ─トバスラ
イン８に直角に立体交差して形成されている。そして、
ガラス基板２上には、透明絶縁膜９が、ゲ─トバスライ
ン８及びデ─タバスライン２１を覆うようにして形成さ
れている。絶縁膜９上のゲ─トバスライン８とデ─タバ
スライン２１で区切られるそれぞれの領域には、ＩＴＯ
からなる画素電極５が形成されている。また、ゲ─トバ
スライン８とデ─タバスライン２１との交差部分の近傍
にはＴＦＴ２２が形成されており、そのＴＦＴ２２のゲ
─トはゲ─トバスライン８に接続され、ドレインはデ─
タバスライン２１に接続され、ソ─スは画素電極５に接
続されている。
【００１８】さらに、図２に示すように、絶縁膜９上の
領域のうち、ゲ─トバスライン８一本おきの領域には配
向膜７が形成され、その他の領域には配向膜１１が形成
されている。この配向膜７及び配向膜１１の表面は、液
晶分子を一方向に配向させるためのラビング処理が施さ
れている。配向膜７は、オフセット電圧と同極性の残留
ＤＣを発生する材料からなり、配向膜１１は、オフセッ
ト電圧と逆極性の残留ＤＣを発生する材料からなる。
領域のうち、ゲ─トバスライン８一本おきの領域には配
向膜７が形成され、その他の領域には配向膜１１が形成
されている。この配向膜７及び配向膜１１の表面は、液
晶分子を一方向に配向させるためのラビング処理が施さ
れている。配向膜７は、オフセット電圧と同極性の残留
ＤＣを発生する材料からなり、配向膜１１は、オフセッ
ト電圧と逆極性の残留ＤＣを発生する材料からなる。
【００１９】他方のガラス基板１の面上には、ＩＴＯか
らなる対向電極４が形成されている。そして、基板１の
面上の領域のうち配向膜７に対向する領域には配向膜６
が形成され、基板１の面上のその他の領域には配向膜１
０が形成されている。この配向膜６及び配向膜１０の表
面も、ラビング処理が施されている。配向膜６はオフセ
ット電圧と同極性の残留ＤＣを発生する材料からなり、
配向膜１０はオフセット電圧と逆極性の残留ＤＣを発生
する材料からなる。この配向膜６及び配向膜１０のラビ
ングの方向は、配向膜７及び配向膜１１のラビングの方
向と直角になっている。
らなる対向電極４が形成されている。そして、基板１の
面上の領域のうち配向膜７に対向する領域には配向膜６
が形成され、基板１の面上のその他の領域には配向膜１
０が形成されている。この配向膜６及び配向膜１０の表
面も、ラビング処理が施されている。配向膜６はオフセ
ット電圧と同極性の残留ＤＣを発生する材料からなり、
配向膜１０はオフセット電圧と逆極性の残留ＤＣを発生
する材料からなる。この配向膜６及び配向膜１０のラビ
ングの方向は、配向膜７及び配向膜１１のラビングの方
向と直角になっている。
【００２０】そして、図１には示してはいないが、一対
のガラス基板の対向し合わない側の面には、一対の偏光
板が配置されている。この一対の偏光板の偏光軸の互い
の向きは垂直である。次に、配向膜６，７及び配向膜１
０，１１について更に詳細に説明する。上述の如く、配
向膜６，７は、オフセット電圧と同極性の残留ＤＣを発
生する材料からなり、配向膜１０，１１は、オフセット
電圧と逆極性の残留ＤＣを発生する材料からなる。以下
に、配向膜に発生する残留ＤＣの測定方法について図３
を用いて説明する。
のガラス基板の対向し合わない側の面には、一対の偏光
板が配置されている。この一対の偏光板の偏光軸の互い
の向きは垂直である。次に、配向膜６，７及び配向膜１
０，１１について更に詳細に説明する。上述の如く、配
向膜６，７は、オフセット電圧と同極性の残留ＤＣを発
生する材料からなり、配向膜１０，１１は、オフセット
電圧と逆極性の残留ＤＣを発生する材料からなる。以下
に、配向膜に発生する残留ＤＣの測定方法について図３
を用いて説明する。
【００２１】測定に用いる測定素子３０は、残留ＤＣを
測定しようとする配向膜が被覆された画素電極３１と対
向電極３２との間に液晶３３を封入した構造となってい
る。測定素子３０の画素電極３１に図４のような中間調
を表示する振幅の矩形波を印加し、対向電極３２に図５
に示す任意の大きさの直流一定電圧を印加する。一定時
間経過すると対向電極３２に印加した電圧によって焼き
付きが発生し、対向電極３２に電圧を印加しなくても表
示にフリッカ─（画面のちらつき）が観測される。この
時、対向電極３２に印加した電圧を図６のように変化さ
せながら測定素子３０の透過光の強度を測定する。対向
電極３２に印加した電圧に応じて、透過光強度は図７の
ように変化する。図７で透過光強度の振幅が最小になっ
た時点での図６における対向電極４に印加した電圧が残
留ＤＣである。
測定しようとする配向膜が被覆された画素電極３１と対
向電極３２との間に液晶３３を封入した構造となってい
る。測定素子３０の画素電極３１に図４のような中間調
を表示する振幅の矩形波を印加し、対向電極３２に図５
に示す任意の大きさの直流一定電圧を印加する。一定時
間経過すると対向電極３２に印加した電圧によって焼き
付きが発生し、対向電極３２に電圧を印加しなくても表
示にフリッカ─（画面のちらつき）が観測される。この
時、対向電極３２に印加した電圧を図６のように変化さ
せながら測定素子３０の透過光の強度を測定する。対向
電極３２に印加した電圧に応じて、透過光強度は図７の
ように変化する。図７で透過光強度の振幅が最小になっ
た時点での図６における対向電極４に印加した電圧が残
留ＤＣである。
【００２２】本実施の形態においては、オフセット電圧
と同極性の残留ＤＣを発生する材料（例えば、ＡＬ３５
０６Ｌ：日本合成ゴム（株）製）により配向膜６，７を
形成し、オフセット電圧と逆極性の残留ＤＣを発生する
材料（例えば、ＳＥ７７９２：日産化学工業（株）製）
により配向膜１０，１１を形成している。また、液晶３
としては、比誘電率異方性Δε＝８．７のものを使用す
る。
と同極性の残留ＤＣを発生する材料（例えば、ＡＬ３５
０６Ｌ：日本合成ゴム（株）製）により配向膜６，７を
形成し、オフセット電圧と逆極性の残留ＤＣを発生する
材料（例えば、ＳＥ７７９２：日産化学工業（株）製）
により配向膜１０，１１を形成している。また、液晶３
としては、比誘電率異方性Δε＝８．７のものを使用す
る。
【００２３】本発明の実施の形態の液晶表示装置の表示
の動作について説明する。画素電極５と対向電極４との
間に電圧を印加していないときは、入射した光は液晶３
中で液晶分子のねじれに従ってその偏波面方向が９０度
ねじられる。そのため、その光の偏波面方向はガラス基
板１側の偏光板の偏光軸と同じとなり、この偏光板を通
過する。
の動作について説明する。画素電極５と対向電極４との
間に電圧を印加していないときは、入射した光は液晶３
中で液晶分子のねじれに従ってその偏波面方向が９０度
ねじられる。そのため、その光の偏波面方向はガラス基
板１側の偏光板の偏光軸と同じとなり、この偏光板を通
過する。
【００２４】逆に、画素電極５と対向電極４との間に電
圧を印加すると、入射した光は、液晶３中でその偏波面
方向がねじられずに進むため、ガラス基板１側の偏光板
を通過することができない。このように、各画素電極５
と対向電極４の電極間の電圧を制御することにより、所
望の画像の表示をすることができる。
圧を印加すると、入射した光は、液晶３中でその偏波面
方向がねじられずに進むため、ガラス基板１側の偏光板
を通過することができない。このように、各画素電極５
と対向電極４の電極間の電圧を制御することにより、所
望の画像の表示をすることができる。
【００２５】本発明の実施の形態の液晶表示装置の形態
における不純物イオンの動作について図１を用いて説明
する。例えば、図８に示すようなパタ─ンを長時間表示
したとすると、液晶３中に存在する正，負の不純物イオ
ン１２，１３は、基板１上の配向膜６，１０及び基板２
上の配向膜７，１１のラビングの方向に従って移動す
る。本実施の形態においては、配向膜６，７はオフセッ
ト電圧と同極性の残留ＤＣを発生する材料からなり、配
向膜１０，１１はオフセット電圧と逆極性の残留ＤＣを
発生する材料からなるので、正の不純物イオン１２は、
ゲ─トバスライン８の上方の配向膜７，１０に捉えら
れ、負の不純物イオン１３は、ゲ─トバスライン８の上
方の配向膜６，１１に捉えられる。従って、正の不純物
イオン１２は配向膜７を超えて他の画素領域に移動する
ことがなく、負の不純物イオン１３は配向膜６を超えて
他の画素領域に移動することがない。これにより、本実
施の形態の液晶表示において、不純物イオン１２，１３
の移動を２画素以内に留めることができて、不純物イオ
ン１２，１３が白表示と黒表示との境界部分に集中する
ことが防止される。これにより、本実施の形態の液晶表
示装置は、線焼き付きが防止される。
における不純物イオンの動作について図１を用いて説明
する。例えば、図８に示すようなパタ─ンを長時間表示
したとすると、液晶３中に存在する正，負の不純物イオ
ン１２，１３は、基板１上の配向膜６，１０及び基板２
上の配向膜７，１１のラビングの方向に従って移動す
る。本実施の形態においては、配向膜６，７はオフセッ
ト電圧と同極性の残留ＤＣを発生する材料からなり、配
向膜１０，１１はオフセット電圧と逆極性の残留ＤＣを
発生する材料からなるので、正の不純物イオン１２は、
ゲ─トバスライン８の上方の配向膜７，１０に捉えら
れ、負の不純物イオン１３は、ゲ─トバスライン８の上
方の配向膜６，１１に捉えられる。従って、正の不純物
イオン１２は配向膜７を超えて他の画素領域に移動する
ことがなく、負の不純物イオン１３は配向膜６を超えて
他の画素領域に移動することがない。これにより、本実
施の形態の液晶表示において、不純物イオン１２，１３
の移動を２画素以内に留めることができて、不純物イオ
ン１２，１３が白表示と黒表示との境界部分に集中する
ことが防止される。これにより、本実施の形態の液晶表
示装置は、線焼き付きが防止される。
【００２６】なお、上述の実施の形態においては、絶縁
膜９上のゲ─トバスライン８一本おきの領域に対応する
領域のみに、オフセット電圧と同極性の残留ＤＣを発生
する材料からなる配向膜７を形成した場合について説明
したが、さらに、絶縁膜９上のデータバスライン一本お
きの領域に対応する領域に、オフセット電圧と同極性の
残留ＤＣを発生する材料からなる配向膜７を形成しても
よい。その場合、線焼き付きを防止する効果がより一層
大きい。
膜９上のゲ─トバスライン８一本おきの領域に対応する
領域のみに、オフセット電圧と同極性の残留ＤＣを発生
する材料からなる配向膜７を形成した場合について説明
したが、さらに、絶縁膜９上のデータバスライン一本お
きの領域に対応する領域に、オフセット電圧と同極性の
残留ＤＣを発生する材料からなる配向膜７を形成しても
よい。その場合、線焼き付きを防止する効果がより一層
大きい。
【００２７】また、配向膜７の配置間隔を更に広くし、
例えば、絶縁膜９上の領域のうちゲートバスライン数本
おきの領域上に、オフセット電圧と同極性の残留ＤＣを
発生する材料からなる配向膜７を形成してもよい。さら
に、配向膜６，７をオフセット電圧と逆極性の残留ＤＣ
を発生する材料により形成し、配向膜１０，１１をオフ
セット電圧と同極性の残留ＤＣを発生する材料により形
成しても、上記実施の形態と同様の効果が得られる。
例えば、絶縁膜９上の領域のうちゲートバスライン数本
おきの領域上に、オフセット電圧と同極性の残留ＤＣを
発生する材料からなる配向膜７を形成してもよい。さら
に、配向膜６，７をオフセット電圧と逆極性の残留ＤＣ
を発生する材料により形成し、配向膜１０，１１をオフ
セット電圧と同極性の残留ＤＣを発生する材料により形
成しても、上記実施の形態と同様の効果が得られる。
【００２８】さらにまた、オフセット電圧と逆極性の残
留ＤＣを発生する配向膜をデ─タバスライン上に同様に
形成し、その他の領域にオフセット電圧と同極性の残留
ＤＣを発生する配向膜を形成した場合も、上記実施の形
態と同様の効果が得られる。以下、本発明の液晶表示装
置を実際に製造して、その焼き付きの程度を調べた結果
について説明する。
留ＤＣを発生する配向膜をデ─タバスライン上に同様に
形成し、その他の領域にオフセット電圧と同極性の残留
ＤＣを発生する配向膜を形成した場合も、上記実施の形
態と同様の効果が得られる。以下、本発明の液晶表示装
置を実際に製造して、その焼き付きの程度を調べた結果
について説明する。
【００２９】（従来例）図１２に示す構造を有し、サイ
ズが１２．１型のＳＶＧＡ液晶表示装置を製造した。配
向膜１１６，１１７は、１種類のものを用い、電極１１
４上及び絶縁膜１１９上に全面に形成したものである。
配向膜材料としては、配向膜１１６，１１７はいずれ
も、オフセット電圧と逆極性の残留ＤＣを発生する材料
からなる配向膜を用いた。そして、この液晶表示装置に
図８のような白表示と黒表示のタイルパタ−ンを２４時
間連続表示した後に、全面黒表示した。その結果、白表
示を行っていたところと黒表示を行っていたところとの
境界に図９のような線焼き付きが発生した。
ズが１２．１型のＳＶＧＡ液晶表示装置を製造した。配
向膜１１６，１１７は、１種類のものを用い、電極１１
４上及び絶縁膜１１９上に全面に形成したものである。
配向膜材料としては、配向膜１１６，１１７はいずれ
も、オフセット電圧と逆極性の残留ＤＣを発生する材料
からなる配向膜を用いた。そして、この液晶表示装置に
図８のような白表示と黒表示のタイルパタ−ンを２４時
間連続表示した後に、全面黒表示した。その結果、白表
示を行っていたところと黒表示を行っていたところとの
境界に図９のような線焼き付きが発生した。
【００３０】（実施例１）図１に示す構造を有し、サイ
ズが１２．１型のＳＶＧＡ液晶表示装置を製造した。す
なわち、基板２上のゲ─トバスライン８の一本おきの上
方に配向膜７を形成し、その他の領域は配向膜１１を形
成した。また、基板１の面上のうち配向膜７に対向する
領域には配向膜６を形成し、配向膜１１に対向する領域
には配向膜１０を形成した。配向膜１０，１１はオフセ
ット電圧と逆極性の残留ＤＣを発生する材料により形成
し、配向膜６，７は、オフセット電圧と同極性の残留Ｄ
Ｃを発生する材料により形成した。そして、図８のよう
な白表示と黒表示のタイルパタ−ンを２４時間連続表示
した結果、焼き付きは発生しなかった。また、４８時間
後に図１０のような焼き付きがわずかしか発生しなかっ
た。
ズが１２．１型のＳＶＧＡ液晶表示装置を製造した。す
なわち、基板２上のゲ─トバスライン８の一本おきの上
方に配向膜７を形成し、その他の領域は配向膜１１を形
成した。また、基板１の面上のうち配向膜７に対向する
領域には配向膜６を形成し、配向膜１１に対向する領域
には配向膜１０を形成した。配向膜１０，１１はオフセ
ット電圧と逆極性の残留ＤＣを発生する材料により形成
し、配向膜６，７は、オフセット電圧と同極性の残留Ｄ
Ｃを発生する材料により形成した。そして、図８のよう
な白表示と黒表示のタイルパタ−ンを２４時間連続表示
した結果、焼き付きは発生しなかった。また、４８時間
後に図１０のような焼き付きがわずかしか発生しなかっ
た。
【００３１】（実施例２）図１１に示す構造を有し、サ
イズが１２．１型のＳＶＧＡ液晶表示装置を製造した。
すなわち、一方の基板の面上のゲ─トバスライン８及び
デ−タバスライン２１の各バスライン８，２１の一本お
きの領域上にオフセット電圧と逆極性の残留ＤＣを発生
する材料からなる配向膜７を形成し、その他の領域には
オフセット電圧と同極性の残留ＤＣを発生する材料から
なる配向膜１１を形成した。他方の基板の面上のうち配
向膜７に対向する領域にはオフセット電圧と逆極性の残
留ＤＣを発生する材料からなる配向膜を形成し、配向膜
１１に対向する領域にはオフセット電圧と同極性の残留
ＤＣを発生する材料からなる配向膜を形成した。そし
て、図８のような白表示と黒表示のタイルパタ−ンを２
４時間連続表示した結果、焼き付きは発生しなかった。
また、４８時間後にも焼き付きは発生しなかった。
イズが１２．１型のＳＶＧＡ液晶表示装置を製造した。
すなわち、一方の基板の面上のゲ─トバスライン８及び
デ−タバスライン２１の各バスライン８，２１の一本お
きの領域上にオフセット電圧と逆極性の残留ＤＣを発生
する材料からなる配向膜７を形成し、その他の領域には
オフセット電圧と同極性の残留ＤＣを発生する材料から
なる配向膜１１を形成した。他方の基板の面上のうち配
向膜７に対向する領域にはオフセット電圧と逆極性の残
留ＤＣを発生する材料からなる配向膜を形成し、配向膜
１１に対向する領域にはオフセット電圧と同極性の残留
ＤＣを発生する材料からなる配向膜を形成した。そし
て、図８のような白表示と黒表示のタイルパタ−ンを２
４時間連続表示した結果、焼き付きは発生しなかった。
また、４８時間後にも焼き付きは発生しなかった。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、本発明の液晶表示装置に
よれば、一方の基板上に形成された複数のバスラインの
うち少なくとも１本のバスラインの上方に形成された第
一の配向膜と、一方の基板上の前記第一の配向膜が形成
された領域以外の領域に形成された第二の配向膜とを有
しているため、液晶中の正，負の不純物イオンは、オフ
セット電圧と同極性又は逆極性の残留ＤＣを発生する第
一の配向膜又は第二の配向膜にそれぞれ捉えられる。こ
れにより、不純物イオンは、移動する領域が限定され
て、ある領域に存在する不純物イオンの密度を表示に現
れない程度の密度にすることができ、線焼きつきを防止
することができる。
よれば、一方の基板上に形成された複数のバスラインの
うち少なくとも１本のバスラインの上方に形成された第
一の配向膜と、一方の基板上の前記第一の配向膜が形成
された領域以外の領域に形成された第二の配向膜とを有
しているため、液晶中の正，負の不純物イオンは、オフ
セット電圧と同極性又は逆極性の残留ＤＣを発生する第
一の配向膜又は第二の配向膜にそれぞれ捉えられる。こ
れにより、不純物イオンは、移動する領域が限定され
て、ある領域に存在する不純物イオンの密度を表示に現
れない程度の密度にすることができ、線焼きつきを防止
することができる。
【図１】本発明の実施の形態の液晶表示装置のを示す模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の液晶表示装置の一方の基
板の平面図である。
板の平面図である。
【図３】配向膜に発生する残留ＤＣの測定方法を説明す
る図である。
る図である。
【図４】配向膜に発生する残留ＤＣの測定方法におい
て、画素電極に印加する電圧を示す図である。
て、画素電極に印加する電圧を示す図である。
【図５】同じく対向電極に印加する電圧を示す図であ
る。
る。
【図６】同じく対向電極に印加する電圧の変化を示す図
である。
である。
【図７】同じく対向電極に印加する電圧を変化させたと
きの透過光強度の変化を示す図である。
きの透過光強度の変化を示す図である。
【図８】白表示と黒表示のタイルパタ−ンを示す図であ
る。
る。
【図９】従来例の実験結果を示す図である。
【図１０】本発明の実施例１の実験結果を示す図であ
る。
る。
【図１１】本発明の実施例２の液晶表示装置の一方の基
板の平面図である。
板の平面図である。
【図１２】従来の液晶表示装置の一例を示す模式的断面
図である。
図である。
１，２，１１１，１１２ ガラス基板 ３，１１３，３３ 液晶 ４，３２，１１４ 対向電極 ５，３１，１１５ 画素電極 ６，７ オフセット電圧と同極性の残留ＤＣを発生す
る材料からなる配向膜 １０，１１ オフセット電圧と逆極性の残留ＤＣを発
生する材料からなる配向膜 ８，２３，１１８ ゲ─トバスライン ９，１１９ 絶縁膜 １２，１２０ 正の不純物イオン １３，１２１ 負の不純物イオン ２１ デ─タバスライン ２２ ＴＦＴ ３０ 測定素子 １１６，１１７ 配向膜
る材料からなる配向膜 １０，１１ オフセット電圧と逆極性の残留ＤＣを発
生する材料からなる配向膜 ８，２３，１１８ ゲ─トバスライン ９，１１９ 絶縁膜 １２，１２０ 正の不純物イオン １３，１２１ 負の不純物イオン ２１ デ─タバスライン ２２ ＴＦＴ ３０ 測定素子 １１６，１１７ 配向膜
Claims (6)
- 【請求項１】 対向して設置された一対の透明基板と、 前記一対の基板間に封入された液晶と、 前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された複数の
バスラインと、 前記複数のバスラインのうち少なくとも１本のバスライ
ンの上方に形成された第一の配向膜と、 前記一方の基板上の領域のうち前記第一の配向膜が形成
された領域以外の領域に形成された第二の配向膜とを有
し、 前記第一の配向膜及び第二の配向膜のいずれか一方が、
オフセット電圧と同極性の残留ＤＣを発生する材料から
なり、他方がオフセット電圧と逆極性の残留ＤＣを発生
する材料からなることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記バスラインは、複数のゲ─トバスラ
インと該ゲ─トバスラインに直交する複数のデ─タバス
ラインとからなり、前記ゲ─トバスラインのうち一本お
きのゲ─トバスラインの上方及び前記デ─タバスライン
のうち一本おきのデ─タバスラインの上方に前記第一の
配向膜及び第二の配向膜のいずれか一方の配向膜が形成
され、その他の領域には他方の配向膜が形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記バスラインは、複数のゲ─トバスラ
インと該ゲ─トバスラインに直交する複数のデ─タバス
ラインとからなり、前記ゲ─トバスラインのうち一本お
きのゲ─トバスラインの上方に前記第一の配向膜が形成
され、その他の領域には前記第二の配向膜が形成されて
いることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記バスラインは、複数のゲ─トバスラ
インと該ゲ─トバスラインに直交する複数のデ─タバス
ラインとからなり、前記ゲ─トバスラインのうち一本お
きのゲ─トバスラインの上方に前記第二の配向膜が形成
され、その他の領域には前記第一の配向膜が形成されて
いることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記バスラインは、複数のゲ─トバスラ
インと該ゲ─トバスラインに直交する複数のデ─タバス
ラインとからなり、前記デ─タバスラインのうち一本お
きのデ─タバスラインの上方に前記第一の配向膜が形成
され、その他の領域には前記第二の配向膜が形成されて
いることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記バスラインは、複数のゲ─トバスラ
インと該ゲ─トバスラインに直交する複数のデ─タバス
ラインとからなり、前記デ─タバスラインのうち一本お
きのデ─タバスラインの上方に前記第二の配向膜が形成
され、その他の領域には前記第一の配向膜が形成されて
いることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27165097A JPH11109415A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27165097A JPH11109415A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11109415A true JPH11109415A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17503004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27165097A Withdrawn JPH11109415A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11109415A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008020725A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Sony Corp | 液晶表示装置及び映像表示装置 |
-
1997
- 1997-10-03 JP JP27165097A patent/JPH11109415A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008020725A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Sony Corp | 液晶表示装置及び映像表示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041207 |