JPH11104957A - Wafer polishing device - Google Patents

Wafer polishing device

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Publication number
JPH11104957A
JPH11104957A JP26886497A JP26886497A JPH11104957A JP H11104957 A JPH11104957 A JP H11104957A JP 26886497 A JP26886497 A JP 26886497A JP 26886497 A JP26886497 A JP 26886497A JP H11104957 A JPH11104957 A JP H11104957A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
air
polishing
suction member
head
Prior art date
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Pending
Application number
JP26886497A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minoru Numamoto
実 沼本
Hisashi Terashita
久志 寺下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP26886497A priority Critical patent/JPH11104957A/en
Publication of JPH11104957A publication Critical patent/JPH11104957A/en
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suck a wafer to a carrier without sucking a dust to the carrier of the wafer and polish the wafer, while forming the pressurized air layer with a stable pressure between the carrier and wafer. SOLUTION: A porous plate 28 for sucking a wafer 38 is provided on a head main body 24 so as to be projected/sunk freely. The porous plate 28 is energized in a direction projected from the head main body 24 by springs 30 and sucked by driving a suction pump 48 and sunk to the head main body 24. At the sinking time, the wafer 38 sucked by the porous plate 28 is separated from the porous plate 28 and placed on a polish cloth by being contacted to the head main body 24. A pressurized air layer is formed by supplying the air from the blow out port 52 of the head main body 24 and a push-press force is transmitted to the wafer 38 through the pressurized air layer and the wafer 38 is polished.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はウェーハ研磨装置に
係り、特に化学的機械研磨法(CMP:ChemicalMechan
ical Polishing )によるウェーハ研磨装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer polishing apparatus, and more particularly, to a chemical mechanical polishing method (CMP).
ical Polishing).

【0002】[0002]

【従来の技術】特開平8-339979号公報に開示されたウェ
ーハ研磨装置はウェーハ保持ヘッド、及び研磨布を備え
ている。前記ウェーハ保持ヘッドに設けられたキャリア
には、エア吹出口が形成され、このエア吹出口からキャ
リアとウェーハとの間に加圧エアを供給して圧力エア層
を形成し、この圧力エア層の圧力によってウェーハを研
磨布に押し付けて研磨している。
2. Description of the Related Art A wafer polishing apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-339979 has a wafer holding head and a polishing cloth. An air outlet is formed in the carrier provided in the wafer holding head, and pressurized air is supplied between the carrier and the wafer from the air outlet to form a pressure air layer. The wafer is polished by pressing the wafer against the polishing cloth by pressure.

【0003】また、最近では、前述した構成のキャリア
にウェーハの吸着部材を設けたウェーハ研磨装置が提案
されている。このウェーハ研磨装置によれば、前記吸着
部材でウェーハを吸着して研磨布に搬入することがで
き、研磨終了したウェーハを吸着部材で再度吸着して研
磨布から搬出することができるので、ウェーハの取り扱
いが容易になる。
Recently, there has been proposed a wafer polishing apparatus in which a carrier having the above-mentioned structure is provided with a wafer suction member. According to this wafer polishing apparatus, the wafer can be suctioned by the suction member and carried into the polishing cloth, and the polished wafer can be suctioned again by the suction member and carried out of the polishing cloth. Handling becomes easy.

【0004】ところで、キャリアに吸着部材を設ける
と、ウェーハの吸着時にスラリーや研磨屑等の塵が吸着
部材に一緒に吸着されて吸着力が低下する場合があるの
で、塵の吸着を防止する構造が要求される。そこで、従
来では、キャリアの周囲に多数のエア吹出口を形成し、
これらのエア吹出口からエアを弱い圧力で吹き出して、
吸着部材の周囲にエアカーテンを形成することにより、
塵の吸着を防止することが提案されている。
When a carrier is provided with a suction member, dust such as slurry or polishing debris may be sucked together with the suction member when the wafer is suctioned, and the suction force may be reduced. Is required. Therefore, conventionally, a number of air outlets are formed around the carrier,
Air is blown out from these air outlets with weak pressure,
By forming an air curtain around the adsorption member,
It has been proposed to prevent dust adsorption.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ウ
ェーハ研磨装置は、吸着部材とエア吹出口とがキャリア
の同一平面内に形成されているため、ウェーハの吸着が
難しいという欠点がある。このような不具合は、吸着部
材をエア吹出口から突出した位置に設け、エア吹出口と
の高さ位置をずらすことによって解消できる。しかし、
吸着部材を突出させると、キャリアとウェーハとの間に
段差が生じるので、安定した圧力の圧力エア層を形成す
ることが難しいという欠点がある。
However, the above-mentioned wafer polishing apparatus has a drawback that it is difficult to suck a wafer because the suction member and the air outlet are formed on the same plane of the carrier. Such a problem can be solved by providing the suction member at a position protruding from the air outlet and shifting the height position from the air outlet. But,
When the suction member is protruded, a step is generated between the carrier and the wafer, so that it is difficult to form a pressure air layer with a stable pressure.

【0006】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、塵を吸着することなくウェーハをキャリアの
吸着部材に吸着することができ、且つ、キャリアとウェ
ーハとの間に安定した圧力の圧力エア層を形成すること
ができるウェーハ研磨装置を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is possible to adsorb a wafer to an adsorption member of a carrier without adsorbing dust, and to provide a stable pressure between the carrier and the wafer. It is an object of the present invention to provide a wafer polishing apparatus capable of forming a pressurized air layer.

【0007】[0007]

【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
するために、ウェーハを回転する研磨布に押し付けて、
ウェーハの表面を研磨するウェーハ研磨装置において、
ウェーハ保持ヘッドと、前記ウェーハ保持ヘッドに突没
自在に設けられると共に前記ウェーハの裏面を吸着する
吸着部材と、前記吸着部材を前記ウェーハ保持ヘッドか
ら突出する方向に付勢する付勢部材と、前記吸着部材を
介してウェーハを吸引し該ウェーハを吸着部材に吸着さ
せると共に、ウェーハを吸着した吸着部材を吸引して前
記ウェーハ保持ヘッドに没入させることにより、ウェー
ハを吸着部材から離脱させるエア吸引手段と、前記吸着
部材を前記研磨布に向けて押圧する押圧手段と、前記ウ
ェーハ保持ヘッドに形成されたエア吹出口から前記吸着
部材と前記ウェーハとの間にエアを供給して圧力エア層
を形成し、前記押圧手段からの押圧力を圧力エア層を介
してウェーハに伝達させるエア供給手段と、から成るこ
とを特徴としている。
According to the present invention, in order to achieve the above object, a wafer is pressed against a rotating polishing cloth,
In a wafer polishing apparatus for polishing the surface of a wafer,
A wafer holding head, a suction member that is provided to be able to protrude and retract from the wafer holding head and suctions the back surface of the wafer, an urging member that urges the suction member in a direction to protrude from the wafer holding head, Air suction means for sucking the wafer through the suction member and sucking the wafer to the suction member, and sucking the suction member that sucked the wafer to be immersed in the wafer holding head, thereby detaching the wafer from the suction member; Pressing means for pressing the suction member toward the polishing cloth; and supplying air between the suction member and the wafer from an air outlet formed in the wafer holding head to form a pressure air layer. Air supply means for transmitting the pressing force from the pressing means to the wafer via a pressure air layer. .

【0008】本発明によれば、ウェーハを吸着する時の
吸着部材の位置は、付勢部材の付勢力でウェーハ保持ヘ
ッドから突出した位置にあり、即ち、エア吹出口との高
さ位置がずれた位置にあるので、エア吹出口から塵侵入
防止用のエアを吹き出しながらでも、ウェーハを吸着部
材で容易に吸着することができる。したがって、本発明
は、塵を吸着することなくウェーハを吸着部材に吸着す
ることができる。
According to the present invention, the position of the suction member when suctioning the wafer is at a position protruding from the wafer holding head by the urging force of the urging member, that is, the height position with respect to the air outlet is shifted. The wafer can be easily suctioned by the suction member even while blowing air for preventing dust intrusion from the air blowout port. Therefore, according to the present invention, the wafer can be sucked to the suction member without sucking the dust.

【0009】そして、ウェーハを研磨布上に載置する場
合には、エア吸引手段でキャリアを吸引してウェーハ保
持ヘッドに没入させる。これにより、吸着部材に吸着さ
れているウェーハが、ウェーハ保持ヘッドに当接して吸
着部材から離脱するので、ウェーハを研磨布上に載置す
ることができる。そして、ウェーハを研磨する場合に
は、エア供給手段から吸着部材とウェーハとの間にエア
を供給して圧力エア層を形成し、押圧手段からの押圧力
を圧力エア層を介してウェーハに伝達させてウェーハを
研磨する。この時、吸着部材は、前記圧力エア層のエア
圧で前記没入した位置に保持されるため、吸着部材とウ
ェーハとの間に安定した圧力の圧力エア層を形成するこ
とができる。
When the wafer is placed on the polishing pad, the carrier is sucked by the air suction means and immersed in the wafer holding head. Thus, the wafer sucked by the suction member comes into contact with the wafer holding head and separates from the suction member, so that the wafer can be placed on the polishing pad. When polishing the wafer, air is supplied between the suction member and the wafer from the air supply means to form a pressure air layer, and the pressing force from the pressing means is transmitted to the wafer via the pressure air layer. Then, the wafer is polished. At this time, the suction member is held at the immersed position by the air pressure of the pressure air layer, so that a pressure air layer having a stable pressure can be formed between the suction member and the wafer.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
るウェーハ研磨装置の好ましい実施の形態について詳説
する。図1は、本発明の実施の形態のウェーハ研磨装置
の全体構成図である。同図に示すウェーハ研磨装置10
は、主として研磨定盤12とウェーハ保持ヘッド14と
から構成される。研磨定盤12は円盤状に形成され、そ
の上面に研磨布16が設けられている。また、研磨定盤
12の下部には、スピンドル18が連結され、このスピ
ンドル18はモータ20の図示しない出力軸に連結され
ている。したがって、モータ20が駆動されると、前記
研磨定盤12は矢印A方向に回転される。また、回転中
の研磨布16上には、図示しないノズルからスラリーが
供給される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a wafer polishing apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an overall configuration diagram of a wafer polishing apparatus according to an embodiment of the present invention. Wafer polishing apparatus 10 shown in FIG.
Is mainly composed of a polishing table 12 and a wafer holding head 14. The polishing platen 12 is formed in a disk shape, and a polishing cloth 16 is provided on an upper surface thereof. In addition, a spindle 18 is connected to a lower portion of the polishing table 12, and the spindle 18 is connected to an output shaft (not shown) of a motor 20. Therefore, when the motor 20 is driven, the polishing platen 12 is rotated in the direction of arrow A. Slurry is supplied from a nozzle (not shown) onto the rotating polishing pad 16.

【0011】前記ウェーハ保持ヘッド14は、回転軸2
2を介して連結された図示しない昇降押圧装置(押圧手
段)によって上下移動自在に設けられている。この昇降
押圧装置によってウェーハ保持ヘッド14は、研磨対象
のウェーハをウェーハ保持ヘッド14にセットする際に
上昇移動され、また、ウェーハを研磨する際に下降移動
されて研磨布16に所定の押圧力で押圧当接される。
The wafer holding head 14 has a rotating shaft 2
It is provided movably up and down by an elevating and lowering pressing device (pressing means) (not shown) that is connected through the two. The wafer holding head 14 is moved upward by the lifting / lowering device when the wafer to be polished is set on the wafer holding head 14, and is moved downward when polishing the wafer, and is pressed against the polishing pad 16 with a predetermined pressing force. It is pressed and contacted.

【0012】図2は前記ウェーハ保持ヘッド14の縦断
面図で、ウェーハを保持する前の状態を示した図であ
る。同図に示すウェーハ保持ヘッド14は、ヘッド本体
24、キャリア26、多孔質板(吸着部材)28、及び
スプリング30等から構成されている。前記ヘッド本体
24は、カップ状に形成された第1ヘッド31、第2ヘ
ッド32、及び第2ヘッド32の内部に固定された筒状
の第3ヘッド34とから構成される。前記第1ヘッド3
1は、複数本のスプリング33、33…を介して第2ヘ
ッド32が連結され、この第1ヘッド31と第2ヘッド
32とは、第1ヘッド31の上面に連結された回転軸2
2からの回転力によって図2上矢印B方向に回転され
る。また、第2ヘッド32の外周部には、研磨面調整リ
ング36が一体に形成されている。この研磨面調整リン
グ36は図3、図4に示すように、ウェーハ38の研磨
時にウェーハ38と共に研磨布16に押し付けられて、
ウェーハ38のエッジに研磨布16からの応力が集中す
るのを防止している。また、研磨面調整リング36の下
部内周部には、リテーナリング40が取り付けられてい
る。このリテーナリング40で研磨中のウェーハ38が
包囲されることにより、ウェーハ保持ヘッド14からの
ウェーハ38の飛び出しが防止されている。
FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the wafer holding head 14, showing a state before the wafer is held. The wafer holding head 14 shown in FIG. 1 includes a head main body 24, a carrier 26, a porous plate (suction member) 28, a spring 30, and the like. The head main body 24 includes a first head 31, a second head 32 formed in a cup shape, and a cylindrical third head 34 fixed inside the second head 32. The first head 3
The first head 31 and the second head 32 are connected to a rotating shaft 2 connected to the upper surface of the first head 31 via a plurality of springs 33, 33.
2 is rotated in the direction of arrow B in FIG. A polishing surface adjusting ring 36 is formed integrally with the outer peripheral portion of the second head 32. As shown in FIGS. 3 and 4, the polishing surface adjusting ring 36 is pressed against the polishing pad 16 together with the wafer 38 when the wafer 38 is polished.
The stress from the polishing pad 16 is prevented from being concentrated on the edge of the wafer 38. A retainer ring 40 is attached to a lower inner peripheral portion of the polishing surface adjusting ring 36. Since the wafer 38 being polished is surrounded by the retainer ring 40, the wafer 38 is prevented from jumping out of the wafer holding head 14.

【0013】前記第2ヘッド32には、エア吸引路42
が形成されている。このエア吸引路42の吸引口44
は、第2ヘッド32の下面に形成されており、第2ヘッ
ド32と第3ヘッド34とキャリア26とによって囲ま
れた空間部46に連通されている。また、前記エア吸引
路42は、図2中二点鎖線で示すようにウェーハ保持ヘ
ッド14の外部に延設され、サクションポンプ(SP:
suction pump:エア吸引手段) 48に接続されている。
したがって、サクションポンプ48を駆動すると、ウェ
ーハ38が多孔質板28に吸引されて、多孔質板28の
下面に吸着保持される。また、サクションポンプ48を
継続して駆動すると、前記空間部46がウェーハ38に
密閉されているので、キャリア26がヘッド本体24に
対して上昇される(図3、図4参照)。多孔質板28
は、内部に多数の通気路を有するものであり、例えば、
セラミック材料の焼結体よりなるものが用いられてい
る。
The second head 32 has an air suction passage 42
Are formed. Suction port 44 of this air suction path 42
Is formed on the lower surface of the second head 32 and communicates with a space 46 surrounded by the second head 32, the third head 34, and the carrier 26. The air suction passage 42 extends outside the wafer holding head 14 as shown by a two-dot chain line in FIG.
suction pump: air suction means)
Therefore, when the suction pump 48 is driven, the wafer 38 is sucked by the porous plate 28 and held by suction on the lower surface of the porous plate 28. When the suction pump 48 is continuously driven, the carrier 26 is raised with respect to the head main body 24 because the space 46 is sealed by the wafer 38 (see FIGS. 3 and 4). Porous plate 28
Has a number of ventilation paths inside, for example,
What consists of a sintered body of a ceramic material is used.

【0014】前記第3ヘッド34には図2に示すよう
に、複数のエア供給路50(図2上では2本のみ図示)
が形成されている。これらのエア供給路50は、多孔質
板28を囲むように所定の間隔で形成され、また、これ
らのエア供給路50の吹出口52は、第3ヘッド34の
下面に形成されている。前記エア供給路50は、図2中
二点鎖線で示すように、第2ヘッド32を介してウェー
ハ保持ヘッド14の外部に延設され、エアポンプ(A
P:air pump:エア供給手段)54に接続される。した
がって、エアポンプ54を駆動すると、ポンプ54から
の加圧エアが図4に示すように、吹出口52、52…を
介して多孔質板28、第3ヘッド34とウェーハ38と
の間の空間部56に噴き出される。これにより、空間部
56に圧力エア層が形成され、図4上矢印で示す方向の
押圧力がこの圧力エア層を介してウェーハ38に伝達さ
れる。ウェーハ38は、前記圧力エア層を介して伝達さ
れる前記押圧力によって研磨布16に押し付けられて研
磨される。
As shown in FIG. 2, the third head 34 has a plurality of air supply passages 50 (only two are shown in FIG. 2).
Are formed. These air supply paths 50 are formed at predetermined intervals so as to surround the porous plate 28, and the outlets 52 of these air supply paths 50 are formed on the lower surface of the third head 34. The air supply path 50 extends outside the wafer holding head 14 via the second head 32 as shown by a two-dot chain line in FIG.
P: air pump: air supply means). Therefore, when the air pump 54 is driven, pressurized air from the pump 54 is supplied to the space between the porous plate 28, the third head 34 and the wafer 38 through the outlets 52, 52, as shown in FIG. Spouted at 56. Thus, a pressure air layer is formed in the space 56, and the pressing force in the direction indicated by the upper arrow in FIG. 4 is transmitted to the wafer 38 via the pressure air layer. The wafer 38 is pressed against the polishing pad 16 by the pressing force transmitted through the pressure air layer and polished.

【0015】図2に示すように前記キャリア26は、略
円柱状に形成されると共に、ヘッド本体24の下部にヘ
ッド本体24と同軸上に配置されている。また、キャリ
ア26の下面には凹部27が形成され、この凹部27に
前記多孔質板28が設けられている。多孔質板28に
は、キャリア26に形成されたエア通路58が連通され
ており、このエア通路58はキャリア26を貫通して前
記空気室46に連通されている。これにより、サクショ
ンポンプ48を駆動すれば、図3に示すようにウェーハ
38を多孔質板28で吸着保持することができる。
As shown in FIG. 2, the carrier 26 is formed in a substantially columnar shape, and is disposed coaxially with the head main body 24 below the head main body 24. A concave portion 27 is formed on the lower surface of the carrier 26, and the porous plate 28 is provided in the concave portion 27. An air passage 58 formed in the carrier 26 communicates with the porous plate 28, and the air passage 58 penetrates the carrier 26 and communicates with the air chamber 46. Thus, when the suction pump 48 is driven, the wafer 38 can be suction-held by the porous plate 28 as shown in FIG.

【0016】図2に示すように前記キャリア26には、
その上部にフランジ60が形成されている。このフラン
ジ60が前記空気室46を画成する第3ヘッド34の内
周面35に上下方向に摺動自在に支持されている。前記
フランジ60の外周縁にはOリング62が装着され、こ
のOリング62によって空気室46が密閉されている。
また、キャリア26と第2ヘッド32との間にはスプリ
ング30、30が設けられている。このスプリング3
0、30の付勢力によってキャリア26は、多孔質板2
8がヘッド本体24の下部から突出するように付勢され
ている。前記スプリング30、30は、その位置がずれ
ないように、キャリア26に形成された凹部27、27
に挿入されている。なお、前記スプリング30は、Oリ
ング62の摺動抵抗に抗して多孔質板28をヘッド本体
24の下部から突出させるだけの力があれば十分であ
り、即ち、キャリア26を弱い力でも上方に移動させる
ことができるばね定数のものが適用されている。
As shown in FIG. 2, the carrier 26 includes:
A flange 60 is formed on the upper part. The flange 60 is vertically slidably supported on the inner peripheral surface 35 of the third head 34 that defines the air chamber 46. An O-ring 62 is attached to the outer peripheral edge of the flange 60, and the O-ring 62 seals the air chamber 46.
Further, springs 30 are provided between the carrier 26 and the second head 32. This spring 3
The carrier 26 is pressed by the porous plate 2 by the urging force of 0, 30.
8 is urged to protrude from the lower portion of the head main body 24. The springs 30, 30 are provided with recesses 27, 27 formed in the carrier 26 so that their positions do not shift.
Has been inserted. It is sufficient that the spring 30 has enough force to protrude the porous plate 28 from the lower portion of the head main body 24 against the sliding resistance of the O-ring 62. The spring constant which can be moved to the above is applied.

【0017】次に、前記の如く構成されたウェーハ研磨
装置10の作用について説明する。まず、ウェーハ保持
ヘッド14を上昇させた後、エアポンプ54を駆動して
吹出口52から弱い圧力のエアを吹き出すことにより、
塵侵入防止用のエアカーテンを多孔質板28の回りに形
成する。続いて、サクションポンプ48を駆動して研磨
対象のウェーハ38を多孔質板28に吸着保持させる。
ウェーハ38の吸着時において、多孔質板28は図2に
示したように、スプリング30、30の付勢力でヘッド
本体24から突出した位置にある。即ち、多孔質板28
は、吹出口52との高さ位置が下方にずれた位置にある
ので、吹出口52からエアを吹き出しながらでも、ウェ
ーハ38を多孔質板28で容易に吸着することができ
る。したがって、本実施の形態は、塵を吸着することな
くウェーハ38を多孔質板28に吸着することができ
る。
Next, the operation of the wafer polishing apparatus 10 configured as described above will be described. First, after raising the wafer holding head 14, the air pump 54 is driven to blow out weak pressure air from the outlet 52,
An air curtain for preventing dust intrusion is formed around the porous plate 28. Subsequently, the suction pump 48 is driven to suck and hold the wafer 38 to be polished on the porous plate 28.
When the wafer 38 is sucked, the porous plate 28 is at a position protruding from the head main body 24 by the urging force of the springs 30, 30, as shown in FIG. That is, the porous plate 28
The wafer 38 can be easily sucked by the porous plate 28 while blowing air from the outlet 52 because the height of the wafer 38 is shifted downward from the outlet 52. Therefore, in the present embodiment, the wafer 38 can be adsorbed on the porous plate 28 without adsorbing dust.

【0018】次に、ウェーハ保持ヘッド14を下降させ
て、ウェーハ保持ヘッド14の研磨面調整リング36が
研磨布16に当接した位置で下降移動を停止する。そし
て、サクションポンプ48による吸引力を上げると、図
3に示したように空気室46がウェーハ38によって密
閉されているので、キャリア26が吸引されてヘッド本
体24に没入していく。キャリア26が没入していく
と、多孔質板28に吸着されているウェーハ38の裏面
が第3ヘッド34の下面に当接し、そして、キャリア2
6の継続する没入動作によってウェーハ38が第3ヘッ
ド34に押されて多孔質板28から離脱する。これによ
り、ウェーハ38を図4に示したように研磨布16上に
載置することができる。
Next, the wafer holding head 14 is lowered, and the lowering movement is stopped at a position where the polishing surface adjusting ring 36 of the wafer holding head 14 contacts the polishing pad 16. When the suction force of the suction pump 48 is increased, the carrier 26 is sucked and immersed in the head main body 24 because the air chamber 46 is sealed by the wafer 38 as shown in FIG. When the carrier 26 is immersed, the back surface of the wafer 38 adsorbed on the porous plate 28 contacts the lower surface of the third head 34, and the carrier 2
The wafer 38 is pushed by the third head 34 and detached from the porous plate 28 by the continuous immersion operation 6. Thus, the wafer 38 can be placed on the polishing pad 16 as shown in FIG.

【0019】ウェーハ38が研磨布16上に載置される
と、サクションポンプ48を停止する前にエアポンプ5
4を駆動して加圧エアを吹出口52から空気室56に供
給し、圧力エア層を空気室56に形成して押圧力を圧力
エア層を介してウェーハ38に伝達する。この時、多孔
質板28は、前記圧力エア層のエア圧で前記没入した位
置に保持されるため、多孔質板28とウェーハ38との
間に安定した圧力の圧力エア層を形成することができ
る。なお、多孔質板28を前記没入した位置に保持させ
るエア圧力は、多孔質板28に直接かかるエア圧力、及
び第3ヘッド34に形成されたエア通路35、35…と
空気室46とを介してキャリア26のフランジ60にか
かるエア圧力の2つの圧力がある。
When the wafer 38 is placed on the polishing pad 16, the air pump 5 is turned off before the suction pump 48 is stopped.
4 is driven to supply pressurized air from the outlet 52 to the air chamber 56, form a pressurized air layer in the air chamber 56, and transmit the pressing force to the wafer 38 via the pressurized air layer. At this time, since the porous plate 28 is held at the immersed position by the air pressure of the pressure air layer, it is possible to form a stable pressure air layer between the porous plate 28 and the wafer 38. it can. Incidentally, the air pressure for holding the porous plate 28 in the immersed position is controlled by the air pressure directly applied to the porous plate 28 and the air passages 35 formed in the third head 34 and the air chamber 46. There are two pressures, air pressure on the flange 60 of the carrier 26.

【0020】この後、研磨定盤12及びウェーハ保持ヘ
ッド14を回転させてウェーハ38の研磨を開始する。
そして、ウェーハ38の研磨量が、予め設定された研磨
目標値に達した時にウェーハ研磨装置10を停止する。
これにより、1枚のウェーハ38の研磨が終了する。研
磨終了したウェーハ38をウェーハ研磨装置10から搬
出する際には、まず、空気室56に形成されている圧力
エア層の圧力を徐々に弱めていく。これにより、キャリ
ア26がスプリング30の付勢力で下降しはじめ、そし
て、多孔質板28がウェーハ38の裏面に密着する。次
に、サクションポンプ48を駆動してウェーハ38を多
孔質板28で吸着保持した後、ウェーハ保持ヘッド14
を上昇させて、搬出部に向けて移動させる。これによ
り、研磨終了したウェーハ38の搬出が終了する。継続
して2枚目以降のウェーハ38を研磨する場合には、前
述した工程を繰り返す。
Thereafter, the polishing platen 12 and the wafer holding head 14 are rotated to start polishing the wafer 38.
Then, when the polishing amount of the wafer 38 reaches a preset polishing target value, the wafer polishing apparatus 10 is stopped.
Thus, polishing of one wafer 38 is completed. When carrying out the polished wafer 38 from the wafer polishing apparatus 10, first, the pressure of the pressure air layer formed in the air chamber 56 is gradually reduced. As a result, the carrier 26 starts to descend by the urging force of the spring 30, and the porous plate 28 comes into close contact with the back surface of the wafer 38. Next, after the suction pump 48 is driven to suction-hold the wafer 38 with the porous plate 28, the wafer holding head 14
And move it toward the unloading section. Thus, the unloading of the polished wafer 38 ends. When polishing the second and subsequent wafers 38 continuously, the above-described steps are repeated.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係るウェー
ハ研磨装置によれば、ウェーハの吸着時に吸着部材は、
ウェーハ保持ヘッドから突出した位置に保持されるの
で、塵を吸着することなくウェーハを吸着部材に吸着す
ることができる。また、ウェーハの研磨時に吸着部材
は、ウェーハ保持ヘッドに没入した位置に保持されるの
で、吸着部材とウェーハとの間に安定した圧力の圧力エ
ア層を形成することができる。
As described above, according to the wafer polishing apparatus of the present invention, when the wafer is suctioned, the suction member is
Since the wafer is held at a position protruding from the wafer holding head, the wafer can be sucked to the suction member without sucking dust. In addition, since the suction member is held at a position immersed in the wafer holding head when polishing the wafer, a pressure air layer having a stable pressure can be formed between the suction member and the wafer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係るウェーハ研磨装置の
全体構造図
FIG. 1 is an overall structural diagram of a wafer polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のウェーハ研磨装置に適用されたウェーハ
保持ヘッドの縦断面図でウェーハを保持する前の状態を
示す図
FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a wafer holding head applied to the wafer polishing apparatus of FIG. 1, showing a state before holding a wafer;

【図3】ウェーハ保持ヘッドの縦断面図でウェーハを保
持した状態を示す図
FIG. 3 is a view showing a state in which a wafer is held in a vertical sectional view of the wafer holding head.

【図4】ウェーハ保持ヘッドの縦断面図でウェーハ研磨
中の状態を示す図
FIG. 4 is a longitudinal sectional view of the wafer holding head showing a state during wafer polishing.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…ウェーハ研磨装置 12…研磨定盤 14…ウェーハ保持ヘッド 16…研磨布 24…ヘッド本体 26…キャリア 28…多孔質板 30…スプリング 48…サクションポンプ 54…エアポンプ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Wafer polishing apparatus 12 ... Polishing plate 14 ... Wafer holding head 16 ... Polishing cloth 24 ... Head main body 26 ... Carrier 28 ... Porous plate 30 ... Spring 48 ... Suction pump 54 ... Air pump

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ウェーハを回転する研磨布に押し付けて、
ウェーハの表面を研磨するウェーハ研磨装置において、 ウェーハ保持ヘッドと、 前記ウェーハ保持ヘッドに突没自在に設けられると共に
前記ウェーハの裏面を吸着する吸着部材と、 前記吸着部材を前記ウェーハ保持ヘッドから突出する方
向に付勢する付勢部材と、 前記吸着部材を介してウェーハを吸引し該ウェーハを吸
着部材に吸着させると共に、ウェーハを吸着した吸着部
材を吸引して前記ウェーハ保持ヘッドに没入させること
により、ウェーハを吸着部材から離脱させるエア吸引手
段と、 前記吸着部材を前記研磨布に向けて押圧する押圧手段
と、 前記ウェーハ保持ヘッドに形成されたエア吹出口から前
記吸着部材と前記ウェーハとの間にエアを供給して圧力
エア層を形成し、前記押圧手段からの押圧力を圧力エア
層を介してウェーハに伝達させるエア供給手段と、 から成ることを特徴とするウェーハ研磨装置。
1. A wafer is pressed against a rotating polishing cloth,
In a wafer polishing apparatus for polishing a front surface of a wafer, a wafer holding head, a suction member provided to be capable of protruding and retracting on the wafer holding head and suctioning a back surface of the wafer, and projecting the suction member from the wafer holding head An urging member for urging in the direction, by suctioning the wafer via the suction member and adsorbing the wafer to the suction member, and by suctioning the suction member that sucked the wafer and immersing it in the wafer holding head, Air suction means for detaching the wafer from the suction member, pressing means for pressing the suction member toward the polishing cloth, and between the suction member and the wafer from an air outlet formed in the wafer holding head. A pressure air layer is formed by supplying air, and the pressing force from the pressing means is applied to the wafer via the pressure air layer. Wafer polishing apparatus characterized by comprising a an air supply means for transmission.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009107334A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 信越半導体株式会社 Polishing head, and polishing device and polishing method
CN103481187A (en) * 2013-09-17 2014-01-01 浙江工业大学 Automatic pressurizing method of grinding equipment
CN103537977A (en) * 2013-09-17 2014-01-29 浙江工业大学 Automatic pressure device for grinding equipment
CN111730437A (en) * 2020-06-29 2020-10-02 广州佳优华信息科技有限公司 Numerical control lathe

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009107334A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 信越半導体株式会社 Polishing head, and polishing device and polishing method
CN103481187A (en) * 2013-09-17 2014-01-01 浙江工业大学 Automatic pressurizing method of grinding equipment
CN103537977A (en) * 2013-09-17 2014-01-29 浙江工业大学 Automatic pressure device for grinding equipment
CN103537977B (en) * 2013-09-17 2017-01-04 浙江工业大学 A kind of automatic pressurizing device of milling apparatus
CN111730437A (en) * 2020-06-29 2020-10-02 广州佳优华信息科技有限公司 Numerical control lathe

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