KR100470228B1 - Carrier Head for Chemical Mechanical Polishing - Google Patents
Carrier Head for Chemical Mechanical Polishing Download PDFInfo
- Publication number
- KR100470228B1 KR100470228B1 KR10-2001-0088957A KR20010088957A KR100470228B1 KR 100470228 B1 KR100470228 B1 KR 100470228B1 KR 20010088957 A KR20010088957 A KR 20010088957A KR 100470228 B1 KR100470228 B1 KR 100470228B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- support assembly
- wafer support
- carrier
- ring
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼를 연마하여 평탄화하기 위한 화학기계적 연마장치의 캐리어 헤드에 관한 것으로서, 그 주요 구성은, 캐리어 하우징과; 상기 캐리어 하우징의 하부에 배치되어 수직 승강이 가능하고, 그 내부에는 내압 조정에 의해 웨이퍼를 흡착 또는 탈거할 수 있는 조정챔버가 형성된 웨이퍼 지지조립체와; 상기 웨이퍼 지지조립체의 외측에 설치되되 이와는 별도로 수직 이동이 가능하고, 상기 웨이퍼 지지조립체의 하면으로부터 웨이퍼가 이탈되지 않도록 웨이퍼의 수용공간을 형성하는 리테이너링과; 상기 리테이너링의 외측에 설치되는 컨디셔너링과; 상기 캐리어 하우징과 상기 바디에 의해서 한정되는 공간에 형성되어 상기 웨이퍼 지지조립체의 수직위치를 제어하기 위한 로딩챔버를 포함하여 이루어지며, 위와 같은 구성에 의하여 캐리어 헤드에 직접진공방법을 이용하여 웨이퍼를 흡착하게 되므로 웨이퍼의 흡착 불량이나 흡착실패의 가능성을 줄일 수가 있어 웨이퍼의 이동과정 또는 웨이퍼의 탈착과정 중에 캐리어 헤드로부터 웨이퍼가 떨어져 웨이퍼 패턴 상의 스크레칭 혹은 웨이퍼의 파손으로 이어지는 것을 사전에 방지할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a carrier head of a chemical mechanical polishing apparatus for polishing and planarizing a semiconductor wafer, the main configuration comprising: a carrier housing; A wafer support assembly disposed under the carrier housing and capable of vertical lifting and having an adjustment chamber therein configured to adsorb or remove the wafer by internal pressure adjustment; A retainer ring installed at an outer side of the wafer support assembly and capable of vertical movement separately from the wafer support assembly, the retainer ring forming a receiving space of the wafer to prevent the wafer from being separated from the lower surface of the wafer support assembly; A conditioner ring installed outside the retainer ring; It is formed in the space defined by the carrier housing and the body and comprises a loading chamber for controlling the vertical position of the wafer support assembly, by the above configuration to adsorb the wafer using a direct vacuum method to the carrier head As a result, it is possible to reduce the possibility of wafer adsorption failure or adsorption failure, thereby preventing the wafer from falling off from the carrier head during wafer movement or wafer desorption, leading to scratching on the wafer pattern or breakage of the wafer. .
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼를 연마하여 평탄화하기 위한 화학기계적 연마장치의 캐리어 헤드에 관한 것이다.The present invention relates to a carrier head of a chemical mechanical polishing apparatus for polishing and planarizing a semiconductor wafer.
화학기계적 연마장치는 반도체 웨이퍼 제조과정중의 마스킹, 에칭, 배선 공정 등의 반복으로 인하여 발생되는 웨이퍼 표면의 불균일함을 줄이기 위해 웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위한 장치이다.BACKGROUND A chemical mechanical polishing apparatus is a device for planarizing a wafer surface to reduce non-uniformity of the wafer surface caused by repetition of masking, etching, and wiring processes during semiconductor wafer manufacturing.
상기 화학기계적 연마장치에 사용되는 캐리어 헤드는 연마공정을 위해 연마를 시작하기 전에 연마를 위한 웨이퍼가 부착되는 곳이며, 또한 캐리어 헤드와 연마패드의 상대운동으로 연마가 일어나는 과정중에 웨이퍼를 수용하기 위해 사용되며, 연마패드와 캐리어의 상대운동을 거쳐 연마가 끝난 웨이퍼를 연마후 후속 과정을 위해 연마패드로부터 탈거하기 위해 사용된다.The carrier head used in the chemical mechanical polishing apparatus is a place where a wafer for polishing is attached before starting polishing for the polishing process, and also for accommodating the wafer during the polishing process due to the relative movement of the carrier head and the polishing pad. It is used to remove the polished wafer through the relative movement of the polishing pad and the carrier from the polishing pad for subsequent processing after polishing.
위와 같은 캐리어 헤드의 대표적인 것으로 한국특허공보 공개번호 2000-71788호에 개시된 것이 있다.Representative of such a carrier head is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2000-71788.
상기의 기술은 기판 지지조립체를 구성하는 지지플레이트에 다수의 흡착구멍을 형성하고, 상기 지지플레이트의 외면에 가요성 멤브레인을 부착하되, 상기 지지플레이트의 가장자리부에 위치하는 멤브레인부에 아래방향으로 돌출하는 가요성 립부를 일체로 형성함으로써 상기 흡착구멍을 통하여 멤브레인에 웨이퍼가 진공 흡착되었을 때 상기 멤브레인의 립부가 웨이퍼의 가장자리를 완전히 밀폐하도록 구성되어 있다.The above technique forms a plurality of suction holes in the support plate constituting the substrate support assembly, and attaches a flexible membrane to the outer surface of the support plate, but protrudes downward in the membrane portion located at the edge of the support plate. The lip portion of the membrane is completely sealed at the edge of the wafer when the wafer is vacuum-adsorbed to the membrane through the adsorption hole by integrally forming the flexible lip portion.
그러나, 상기와 같은 구조로 이루어지는 캐리어헤드는 웨이퍼에 전달되는 챔버의 진공압력이 멤브레인에 전달되는 압력에 비해 상대적으로 작기 때문에 웨이퍼의 흡착시 흡착오류를 일으킬 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼의 이동과정 또는 웨이퍼의 탈착과정 중에 캐리어 헤드로부터 웨이퍼가 떨어져 웨이퍼 패턴 상의 스크레칭 혹은 웨이퍼의 파손으로 이어질 수 있다.However, the carrier head having the above structure may cause an adsorption error during the adsorption of the wafer because the vacuum pressure of the chamber delivered to the wafer is relatively small compared to the pressure delivered to the membrane. During the desorption process, the wafer may fall from the carrier head, leading to scratching on the wafer pattern or breakage of the wafer.
또한 연마공정의 완료 후 웨이퍼를 연마패드로부터 떼어내어 캐리어에 부착시킬 경우에 연마패드 상에 존재하는 연마액 잔여분 또는 탈이온수로 인해 웨이퍼에 작용되는 표면장력을 깨뜨릴 만큼의 흡착력을 더 필요로 하게 되고, 따라서 상기 종래의 간접 진공 구조의 캐리어 헤드의 특성상 원하는 진공압력을 만들기 위해서는 가요성 립부 등에 상대적으로 더 큰 물리적 힘을 가하여 웨이퍼와 멤브레인 사이에 완전한 밀폐공간을 형성한 후 진공을 실시하여야 하므로 웨이퍼에 무리한 힘이 가해질 수 있으며, 웨이퍼의 손상을 일으킬 수 있다.In addition, when the wafer is detached from the polishing pad after the completion of the polishing process and adhered to the carrier, it requires more adsorptive force to break the surface tension applied to the wafer due to the residual liquid or deionized water present on the polishing pad. Therefore, in order to create a desired vacuum pressure due to the characteristics of the carrier head of the conventional indirect vacuum structure, a vacuum must be applied after forming a completely closed space between the wafer and the membrane by applying a relatively large physical force to the flexible lip and the like. Excessive force may be applied and may damage the wafer.
본 발명은 위와 같은 종래의 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 다음과 같은 목적을 갖는다.The present invention has been made to solve the above conventional problems, the present invention has the following object.
본 발명의 주목적은 캐리어 헤드에 직접 진공방법을 이용하여 작은 압력으로 웨이퍼를 부착하고, 웨이퍼의 연마시 웨이퍼 면에 고른 압력을 가하여 웨이퍼 면이 고르게 연마되도록 하는 캐리어 헤드를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a carrier head for attaching a wafer at a small pressure using a vacuum method directly to the carrier head and applying a uniform pressure to the wafer surface during polishing of the wafer so that the wafer surface is evenly polished.
본 발명의 다른 목적은 웨이퍼 감지장치를 설치할 필요없이 직접적으로 진공파이프의 진공압의 변화를 압력조절장치로부터 판독하여 웨이퍼의 부착여부를 판단할 수 있는 캐리어 헤드를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a carrier head capable of determining whether a wafer is attached by directly reading a change in vacuum pressure of a vacuum pipe from a pressure regulating device without installing a wafer sensing device.
본 발명의 다른 목적은 웨이퍼의 연마과정중에 캐리어 헤드에 침투되는 오염물질을 쉽게 제거할 수 있는 캐리어 헤드를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a carrier head capable of easily removing contaminants that penetrate the carrier head during the polishing of a wafer.
본 발명의 다른 목적은 연마공정의 완료 후 웨이퍼의 손상을 일으키지 않으면서도 웨이퍼를 연마패드로부터 쉽게 떼어내어 캐리어에 부착시킬 수 있는 캐리어 헤드를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a carrier head capable of easily detaching a wafer from a polishing pad and attaching it to a carrier without causing damage to the wafer after completion of the polishing process.
본 발명은 전술한 여러 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 캐리어 헤드는, 캐리어 구동샤프트에 의하여 구동되는 캐리어 하우징과; 상기 캐리어 하우징의 하부에 배치되어 수직으로 승하강 가능하고, 그 하부 표면은 소정 직경의 웨이퍼를 장착하기 위한 표면을 제공하며, 그 내부에는 조정챔버를 형성하여 상기 조정챔버 내부의 압력을 조정함에 의해서 웨이퍼를 흡착하거나 탈거할 수 있는 웨이퍼 지지조립체와; 상기 웨이퍼 지지조립체의 하면을 기준으로 하여 그 하면과 수직방향으로 이동이 가능하고, 상기 수직 방향으로의 이동이 상기 웨이퍼 지지조립체의 상하이동과는 별도로 이루어지도록 웨이퍼 지지조립체의 외측에 설치되어, 상기 웨이퍼 지지조립체의 하면으로부터 웨이퍼가 이탈되지 않도록 웨이퍼의 수용공간을 형성하는 리테이너링과; 상기 웨이퍼 지지조립체의 하면을 기준으로 하여 그 하면과 수직방향으로 이동이 가능하고, 상기 수직 방향으로의 이동은 상기 웨이퍼 지지조립체의 상하이동과는 별도로 이루어지도록 상기 리테이너링의 외측에 설치되는 컨디셔너링과; 상기 캐리어 하우징과 상기 바디에 의해서 한정되는 공간에 형성되어 상기 웨이퍼 지지조립체의 수직위치를 제어하기 위한 로딩챔버를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention provides a carrier head according to the present invention, the carrier housing is driven by a carrier drive shaft; Disposed on the lower portion of the carrier housing and capable of vertically descending, the lower surface of which provides a surface for mounting a wafer of a predetermined diameter, wherein an adjustment chamber is formed therein to adjust the pressure inside the adjustment chamber. A wafer support assembly capable of adsorbing or removing the wafer; The wafer support assembly may be moved in a vertical direction with respect to the bottom surface of the wafer support assembly. The wafer support assembly may be disposed outside the wafer support assembly so that the movement in the vertical direction is performed separately from the shanghai movement of the wafer support assembly. A retainer ring forming a receiving space of the wafer so that the wafer does not deviate from the lower surface of the support assembly; A conditioner ring disposed outside the retainer ring so as to be movable in a vertical direction with respect to the lower surface of the wafer support assembly, and the movement in the vertical direction is performed separately from the shandong of the wafer support assembly; ; And a loading chamber formed in a space defined by the carrier housing and the body to control a vertical position of the wafer support assembly.
또한, 본 발명에 의한 캐리어 헤드는 웨이퍼 지지조립체 내부에 형성되어 있는 조정챔버에 압력조절장치가 부착되어 있는 압력파이프가 연결되어 상기 압력조절장치의 압력을 측정함에 의해서 상기 웨이퍼 지지조립체의 하부 표면에 웨이퍼가 흡착되었는지의 여부를 확인할 수 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the carrier head according to the present invention is connected to a pressure pipe having a pressure regulator attached to an adjustment chamber formed inside the wafer support assembly, thereby measuring the pressure of the pressure regulator on the lower surface of the wafer support assembly. It is characterized in that whether or not the wafer is adsorbed.
도 1 은 본 발명에 따른 캐리어 헤드의 단면도로서 무부하 상태의 캐리어 헤드를 도시한 것이다.1 is a cross-sectional view of a carrier head according to the present invention, showing the carrier head in a no-load state.
도 2 는 본 발명에 따른 캐리어 헤드가 웨이퍼를 흡착하기 바로 직전의 상태를 도시한 것이다.2 shows a state immediately before the carrier head according to the present invention adsorbs a wafer.
도 3 는 본 발명에 따른 캐리어 헤드에서 웨이퍼를 연마하는 상태의 캐리어 헤드를 도시한 것이다.3 shows a carrier head in a state of polishing a wafer in a carrier head according to the present invention.
도 4 는 본 발명에 따른 캐리어 헤드에서 리테이너링을 이용하여 연마패드를 클리닝하는 상태의 캐리어 헤드를 도시한 것이다.Figure 4 shows the carrier head in a state of cleaning the polishing pad using the retainer ring in the carrier head according to the present invention.
도 5 는 본 발명에 따른 캐리어 헤드에서 컨디셔너링을 이용하여 연마패드를 컨디셔닝하는 상태의 캐리어 헤드를 도시한 것이다.Figure 5 shows a carrier head in a state in which the polishing pad is conditioned using conditioning in the carrier head according to the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명><Code Description of Main Parts of Drawing>
10 : 캐리어 하우징 20 : 환형 바디10 carrier carrier 20 annular body
30 : 웨이퍼 지지조립체 31 : 캐리어 플레이트30 wafer support assembly 31 carrier plate
33 : 조정챔버 34 : 캐리어필름33: adjustment chamber 34: carrier film
40 : 로딩챔버 50 : 링하우징40: loading chamber 50: ring housing
60 : 리테이너링조립체 61 : 리테이너링60: retainer ring assembly 61: retainer ring
70 : 컨디셔너링조립체 71 : 컨디셔너링70: conditioning ring assembly 71: conditioning
72 : 브러쉬72: brush
본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.Preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 캐리어 헤드의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a carrier head according to the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 캐리어 헤드는 캐리어 하우징 (10), 환형 바디(20), 웨이퍼 지지조립체(30), 로딩챔버(40), 링하우징(50), 리테이너링조립체(60), 컨디셔너링조립체(70)를 포함하여 이루어진다.As shown in FIG. 1, the carrier head of the present invention includes a carrier housing 10, an annular body 20, a wafer support assembly 30, a loading chamber 40, a ring housing 50, and a retaining ring assembly 60. ), The conditioning assembly 70 is made.
상기 캐리어 하우징(10)은 그 상면 중앙 부분에 형성된 회전연결부재에 의해서 도시되지 않은 캐리어 구동샤프트에 고정되며, 그 내부에는 캐리어 헤드의 공기작용 제어를 위하여 4개의 공기통로가 형성되어 있다. 캐리어 하우징(10)은 일반적으로 연마될 웨이퍼의 원형구성에 대응하는 모양의 원형일 수 있다.The carrier housing 10 is fixed to a carrier drive shaft (not shown) by a rotation connecting member formed at a central portion of the upper surface thereof, and four air passages are formed therein for aerodynamic control of the carrier head. The carrier housing 10 may generally be circular in shape corresponding to the circular configuration of the wafer to be polished.
상기 환형 바디(20)는 캐리어 하우징(10)의 하부 중심에 설치되며, 후술하는 웨이퍼 지지조립체(30)가 공압의 작용에 의해서 수직으로 승하강될 수 있도록 그 외부면이 원통형으로 형성되어 있고, 또 그 하부 외면에 형성되어 있는 돌출턱(21)에 의해서 웨이퍼 지지조립체(30)가 그 웨이퍼 지지조립체(30)의 자체 무게에 의해 아래로 처지게 될 때, 웨이퍼 지지조립체(30)의 최저위치를 결정케 하도록 한다.The annular body 20 is installed at the lower center of the carrier housing 10, the outer surface is formed in a cylindrical shape so that the wafer support assembly 30 to be described later can be raised and lowered vertically by the action of pneumatic, In addition, when the wafer support assembly 30 sags downward due to its own weight of the wafer support assembly 30 due to the protruding jaw 21 formed on the lower outer surface thereof, the lowest position of the wafer support assembly 30. Let's decide.
상기 웨이퍼 지지조립체(30)는 캐리어 하우징(10) 아래에 배치되어 후술하는 로딩챔버(40)의 압력을 변동함에 의해서 수직으로 이동가능한 조립체로서, 캐리어 플레이트(31), 캐리어 플레이트 홀더(32), 조정챔버(33), 캐리어필름(34), 및 블래더클램프(35)로 이루어진다.The wafer support assembly 30 is disposed below the carrier housing 10 and vertically movable by varying the pressure of the loading chamber 40 to be described later. The carrier plate 31, the carrier plate holder 32, The adjustment chamber 33, the carrier film 34, and the bladder clamp 35.
상기 캐리어 플레이트(31)는 웨이퍼 지지조립체(30)를 이루는 다수 부품중 하부쪽에 배치된 부품으로서, 그 내부에는 공압의 작용에 의해서 웨이퍼를 흡착하거나 탈거할 수 있는 공기통로(36)가 다수개 형성되어 있다.The carrier plate 31 is a lower part of the plurality of components constituting the wafer support assembly 30, and a plurality of air passages 36 are formed therein to adsorb or remove the wafer by the action of pneumatic pressure. It is.
상기 캐리어 플레이트 홀더(32)는 캐리어 플레이트(31)의 상부에 배치되어 캐리어 플레이트(31)를 수용하며, 그 내부에는 압력파이프(39)와 조정챔버(33)와의 사이에서 유체가 흐를 수 있는 공기통로(37)가 형성되어 있고, 외부 하면에는 돌출부(38)가 형성되어 후술하는 리테이너링조립체(60)가 그 리테이너링조립체(60)의 자체 무게에 의해 아래로 처지게 될 때, 리테이너링조립체(60)의 최저위치를 결정케 하도록 한다.The carrier plate holder 32 is disposed above the carrier plate 31 to accommodate the carrier plate 31, and therein an air reservoir through which a fluid can flow between the pressure pipe 39 and the adjustment chamber 33. The retainer ring assembly is formed when the retainer ring assembly 60, which will be described later, is formed to have a protrusion 38 formed on the outer lower surface of the furnace 37 to be described below. Let the bottom of (60) be determined.
상기 조정챔버(33)는 캐리어 플레이트 홀더(32)와 캐리어 플레이트(31)에 의해서 한정되는 공간에 형성되며, 상기 조정챔버(33) 내부의 압력을 변동함에 의해서 웨이퍼를 캐리어 필름(34)에 흡착하거나 탈거토록 할 수 있고, 또 연마작업 중에는 웨이퍼의 뒷면에 압력을 가하여 웨이퍼가 연마패드 상에 밀착토록 함으로서 연마작업시 웨이퍼의 뒷면이 미끄러지는 것을 방지하고 웨이퍼 면이 고르게 연마되도록 한다. 상기 조정챔버(33)에 연통되어 있는 압력파이프(39)에는 압력계의 기능을 구비한 압력조절장치(미도시)가 부착되어 있어 상기 압력조절장치에 의해서 웨이퍼의 유무에 의한 진공압력의 차이를 이용하여 웨이퍼가 캐리어 플레이트(31)에 흡착되었는지의 여부를 감시할 수가 있다.The adjustment chamber 33 is formed in a space defined by the carrier plate holder 32 and the carrier plate 31, and absorbs the wafer to the carrier film 34 by varying the pressure inside the adjustment chamber 33. In addition, during polishing, pressure is applied to the back side of the wafer so that the wafer adheres to the polishing pad to prevent the back side of the wafer from slipping during the polishing operation and to evenly polish the wafer surface. A pressure regulator (not shown) having a function of a pressure gauge is attached to the pressure pipe 39 communicating with the adjustment chamber 33 to utilize the difference in the vacuum pressure depending on the presence or absence of a wafer by the pressure regulator. Thus, it is possible to monitor whether or not the wafer is absorbed by the carrier plate 31.
상기 캐리어필름(34)은 캐리어 플레이트(31)의 하부에 배치되어 웨이퍼가 캐리어 플레이트(31)에 흡착될 때에 웨이퍼가 손상받는 것을 방지토록 하며, 캐리어 플레이트(31)에 형성된 공기통로와 연통될 수 있는 구멍이 형성되어 있다.The carrier film 34 is disposed under the carrier plate 31 to prevent the wafer from being damaged when the wafer is adsorbed onto the carrier plate 31, and may be in communication with an air passage formed in the carrier plate 31. A hole is formed.
상기 블래더클램프(35)는 캐리어 플레이트 홀더(32)의 상부에 배치되는 환형의 부재로서 후술하는 블래더(45)의 일단을 고정하며, 그 내부에는 압력파이프(39)와 캐리어 플레이트 홀더(32)와의 사이에서 유체가 흐를 수 있는 공기통로가 형성되어 있다.The bladder clamp 35 is an annular member disposed above the carrier plate holder 32 to fix one end of the bladder 45 to be described later, and a pressure pipe 39 and a carrier plate holder 32 therein. There is an air passage through which the fluid can flow.
상기 로딩챔버(40)는 웨이퍼 지지조립체(30)에 부하, 예를 들어 하향압력을 인가하도록 캐리어 하우징(10)과 웨이퍼 지지조립체(30)에 의해서 한정되는 공간에형성된다. 블래더(45)의 일단은 볼트에 의해 후술하는 링하우징(50)에 고정되고, 타단은 블래더클램프(35)에 의해서 캐리어 플레이트 홀더(32)에 고정된다. 그러므로 블래더(45)는 로딩챔버(40)를 한정하기 위해 캐리어 하우징(10)과 웨이퍼 지지조립체(30) 사이의 공간을 시일링한다. 외부의 공기공급원(미도시)이 로딩챔버(40)의 압력과 웨이퍼 지지조립체(30)의 수직위치를 제어하기 위하여 공기통로(11)에 의해 로딩챔버(40)에 연결될 수 있다.The loading chamber 40 is formed in a space defined by the carrier housing 10 and the wafer support assembly 30 to apply a load, for example downward pressure, to the wafer support assembly 30. One end of the bladder 45 is fixed to the ring housing 50 described later by bolts, and the other end is fixed to the carrier plate holder 32 by the bladder clamp 35. The bladder 45 therefore seals the space between the carrier housing 10 and the wafer support assembly 30 to define the loading chamber 40. An external air source (not shown) may be connected to the loading chamber 40 by the air passage 11 to control the pressure of the loading chamber 40 and the vertical position of the wafer support assembly 30.
상기 링하우징(50)은 캐리어 하우징(10)의 하부 바깥 쪽에 배치되어 후술하는 리테이너링조립체(60)와 컨디셔너링조립체(70)를 수용할 수 있으며, 그 내부에는 상기 리테이너링조립체(60)와 컨디셔너링조립체(70)에 공기를 공급하거나 배출할 수 있는 공기통로(51, 52)들이 형성되어 있다.The ring housing 50 may be disposed outside the lower portion of the carrier housing 10 to accommodate the retaining ring assembly 60 and the conditioner assembly 70, which will be described later, and the retaining ring assembly 60 therein. Air passages 51 and 52 are formed to supply or discharge air to the conditionering assembly 70.
상기 리테이너링조립체(60)는 링하우징(50)의 하면 내측에 형성된 홈부에 배치되며, 리테이너링(61)과 리테이너링홀더(62)와 리테이너링챔버(63)로 구성되어 있다.The retaining ring assembly 60 is disposed in the groove portion formed inside the lower surface of the ring housing 50 and includes a retaining ring 61, a retaining ring holder 62, and a retaining ring chamber 63.
상기 리테이너링(61)은 경질의 플라스틱 혹은 세라믹재료로 제조되며, 평평한 바닥면을 갖는 환형의 형상으로 구성된다. 상기 리테이너링(61)은 연마패드와 접촉되어 웨이퍼의 수용면인 캐리어 플레이트(31)로부터 웨이퍼가 이탈되지 않도록 웨이퍼의 수용공간을 형성하며, 리테이너링(61)의 외부 표면에서 웨이퍼로 슬러리의 공급을 용이하게 하기 위하여 다수의 홈(groove)을 가진다.The retaining ring 61 is made of a hard plastic or ceramic material, and is configured in an annular shape having a flat bottom surface. The retainer ring 61 is in contact with the polishing pad to form a receiving space of the wafer so that the wafer is not separated from the carrier plate 31, which is the receiving surface of the wafer, and the slurry is supplied to the wafer from the outer surface of the retainer ring 61. It has a plurality of grooves in order to facilitate this.
상기 리테이너링챔버(63)는 리테이너링조립체(60)에 부하, 예를 들어 하향압력을 인가하도록 링하우징(50)과 리테이너링홀더(62)에 의해서 한정되는 공간에 형성되며, 리테이너링챔버(63)내의 압력을 가변함에 의해서 웨이퍼 지지조립체(30)의 상하이동과는 별도로 리테이너링조립체(60)의 수직위치를 제어할 수 있다.The retaining ring chamber 63 is formed in a space defined by the ring housing 50 and the retaining ring holder 62 to apply a load, for example a downward pressure, to the retaining ring assembly 60. The vertical position of the retaining ring assembly 60 can be controlled separately from the shanghai copper of the wafer support assembly 30 by varying the pressure within 63.
상기 컨디셔너링조립체(70)는 링하우징(50)의 하면 외측에 형성된 홈부에 배치되며, 컨디셔너링(71)과 컨디셔너링홀더(73)와 컨디셔너링챔버(74)와 유연성 부재로 구성된 컨디셔너링튜브(75)로 구성되어 있다.The conditioning ring assembly 70 is disposed in the groove formed on the outer side of the lower surface of the ring housing 50, the conditioning ring tube consisting of the conditioning ring 71, the conditioning holder 73, the conditioning chamber 74 and the flexible member It consists of 75.
상기 컨디셔너링(71)은 연마패드위에 직접 접촉되며, 하부면에는 연마패드를 컨디셔닝하기 위한 브러쉬(72) 또는 다이아몬드가 장착되어 있다. 연마패드의 컨디셔닝은 연마패드의 종류, 표면성질에 따라 적합한 접촉력을 가하여 실시하며, 독립적으로 컨디셔너링챔버(74)의 공압에 의한 가변조절에 의해 상하운동이 이루어지므로 웨이퍼의 연마 중 또는 연마 후에도 연마패드의 컨디셔닝을 할 수 있다.The conditioner ring 71 is in direct contact with the polishing pad, and the lower surface is equipped with a brush 72 or diamond for conditioning the polishing pad. Conditioning of the polishing pad is carried out by applying a suitable contact force according to the type and surface property of the polishing pad, and the vertical movement is performed by the variable adjustment by the pneumatic pressure of the conditioning chamber 74 independently. Pad conditioning is possible.
상기 컨디셔너링챔버(74)는 컨디셔너링조립체(70)에 부하, 예를 들어 하향압력을 인가하도록 링하우징(50)과 컨디셔너링홀더(73)에 의해서 한정되는 공간에 형성되며, 컨디셔너링챔버(74)내의 압력을 가변함에 의해서 웨이퍼 지지조립체(30)나 리테이너링조립체(60)의 상하이동과는 별도로 컨디셔너링조립체(70)의 수직위치를 제어할 수 있다.The conditioning chamber 74 is formed in a space defined by the ring housing 50 and the conditioning holder 73 so as to apply a load, for example a downward pressure, to the conditioning assembly 70, and the conditioning chamber ( By varying the pressure in 74, the vertical position of the conditioning ring assembly 70 can be controlled separately from the shanghai copper of the wafer support assembly 30 or the retaining ring assembly 60.
위에서 설명한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 캐리어헤드의 동작에 대하여 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다.An operation of the carrier head according to the present invention having the configuration as described above will be described with reference to FIGS. 1 to 4.
도 1은 본 발명에 따른 캐리어 헤드의 단면도로서 캐리어 헤드의 각 구성부에 어떠한 압력도 작용하지 않는 상태를 도시한 것이다.1 is a cross-sectional view of a carrier head according to the present invention, showing a state in which no pressure is applied to each component of the carrier head.
도 1에서 캐리어 헤드는 각 구성부의 자체 무게에 의해서 각각 아래로 처져 있는데, 웨이퍼 지지조립체(30)는 환형 바디(20)의 돌출턱(21)과 블래더클램프(35)에 의해서 최저위치가 결정되며, 리테이너링(61)은 캐리어 플레이트 홀더(32)의 돌출부(38)에 의해 최저위치가 결정되며, 컨디셔너링(71)은 컨디셔너링튜브(75)의 처짐으로 그 최저위치가 결정된다.In Fig. 1, the carrier head is slumped down by the weight of each component, and the wafer support assembly 30 is determined by the protrusion jaw 21 and the bladder clamp 35 of the annular body 20. The retaining ring 61 is determined by the protrusion 38 of the carrier plate holder 32 and the lowest position is determined by the deflection of the conditioner ring tube 75.
도 2는 본 발명에 따른 캐리어 헤드가 웨이퍼를 흡착하기 바로 직전의 상태를 도시한 것이다.2 shows a state immediately before the carrier head according to the present invention adsorbs the wafer.
도 2에서 본 발명에 따른 캐리어 헤드는 웨이퍼가 캐리어필름(34)에 안정적으로 접근할 수 있도록 리테이너링(61)과 컨디셔너링(71)이 각각 상승하여 대기하고 있다. 이때에 캐리어 플레이트(31)는 웨이퍼를 흡착하기 위하여 최저위치에 그대로 위치하며, 리테이너링(61)은 리테이너링챔버(63)에 압력유체가 유체라인을 통하여 배출되면서 압력저하로 상승하게 되고, 컨디셔너링(71)은 컨디셔너링챔버(74)에 압력유체가 유체라인을 통하여 배출되면서 압력저하로 상승하게 된다.In FIG. 2, in the carrier head according to the present invention, the retainer ring 61 and the conditioner ring 71 are raised to stand by to allow the wafer to stably approach the carrier film 34. At this time, the carrier plate 31 is positioned as it is in the lowest position to suck the wafer, the retaining ring 61 is raised to the pressure drop while the pressure fluid is discharged through the fluid line to the retaining chamber 63, the conditioner The ring 71 rises to the pressure drop as the pressure fluid is discharged through the fluid line to the conditioning chamber 74.
위와 같은 상태에서 캐리어 플레이트(31)에 웨이퍼를 흡착하게 되며, 캐리어 플레이트(31)에 웨이퍼를 흡착토록 하기 위하여는 먼저 캐리어 플레이트(31)의 하부에 로딩 디바이스(미도시)를 위치시키고, 이어서 로딩 디바이스가 캐리어 플레이트(31)로 상승 근접하게 되면 조정챔버(33)와 캐리어 플레이트(31)에 형성되어 있는 각 공기통로(31)를 통하여 공기를 흡착시키는 과정에서 로딩 디바이스에 장착되어 있는 웨이퍼가 캐리어 플레이트(31)에 흡착되게 된다. 이때에 캐리어 플레이트(31)에 웨이퍼가 안정적으로 흡착되었는지의 여부는 압력파이프(39)에 부착되어 있는 압력조절장치에 의해서 웨이퍼의 유무에 의한 진공압력의 차이를 이용하여 웨이퍼가 캐리어 플레이트(31)에 흡착되었는지의 여부를 감시할 수가 있으며, 웨이퍼가 완전히 캐리어 플레이트(31)에 흡착되면 로딩 디바이스가 원래의 위치로 복귀하게 된다.In the above state, the wafer is adsorbed to the carrier plate 31, and in order to adsorb the wafer to the carrier plate 31, first, a loading device (not shown) is placed below the carrier plate 31, and then the loading is performed. When the device rises close to the carrier plate 31, the wafer mounted on the loading device is moved in the process of adsorbing air through each of the air passages 31 formed in the adjustment chamber 33 and the carrier plate 31. The plate 31 is to be adsorbed. At this time, whether or not the wafer is stably adsorbed to the carrier plate 31 is determined by the pressure adjusting device attached to the pressure pipe 39. Can be monitored whether the wafer is adsorbed on the substrate, and when the wafer is completely adsorbed on the carrier plate 31, the loading device returns to its original position.
상기와 같이 로딩 디바이스가 원래의 위치로 복귀하게 되면, 플래튼(미도시)이 상승하여 웨이퍼가 연마패드에 접촉되게 된다.When the loading device is returned to its original position as described above, the platen (not shown) is raised to bring the wafer into contact with the polishing pad.
도 3은 본 발명에 따른 캐리어 헤드에 웨이퍼가 흡착되어 웨이퍼가 연마되는 상태의 캐리어 헤드를 도시한 것이다.3 illustrates a carrier head in a state in which a wafer is adsorbed on the carrier head according to the present invention and the wafer is polished.
도 3에서 캐리어 헤드에 흡착된 웨이퍼는 리테이너링(61)과 컨디셔너링(71)과 동일한 기준면에 위치하게 된다. 위와 같은 상태에서 연마에 필요한 슬러리를 도시되지 않은 슬러리 공급원으로부터 슬러리를 공급받으면서 웨이퍼가 연마패드에 접촉하여 연마가 이루어지게 되며, 연마 중에는 로딩챔버(40) 내의 압력을 증가시켜 웨이퍼지지조립체(30)에 수직하향력을 가하고, 또 조정챔버(33)내의 압력을 증가시켜 웨이퍼의 뒷면에 수직하향력을 가하여 웨이퍼가 연마패드에 균일하게 접촉되어 연마되도록 함으로써 연마면의 품질을 더욱 향상시킬 수가 있다.In FIG. 3, the wafer adsorbed to the carrier head is positioned on the same reference plane as the retaining ring 61 and the conditioner ring 71. In the above state, while the slurry required for polishing is supplied from a slurry source not shown, the wafer contacts the polishing pad to polish the wafer. During polishing, the wafer support assembly 30 is increased by increasing the pressure in the loading chamber 40. The quality of the polished surface can be further improved by applying a vertical downward force to the back surface of the wafer by increasing the pressure in the adjusting chamber 33 and applying a vertical downward force to the back surface of the wafer.
리테이너링(61)은 리테이너링챔버(63) 내부에 압력유체가 공급되면서 압력이 상승하게 되므로 하강하게 되어 웨이퍼가 캐리어 플레이트(31)의 외부로 탈락하는 것을 방지하게 되며, 컨디셔너링(71)도 컨디셔너링챔버(74) 내부에 압력유체가 공급되면서 압력이 상승하게 되므로 하강하게 되어 연마패드의 컨디셔닝을 수행하게 된다The retaining ring 61 is lowered because the pressure is increased while the pressure fluid is supplied into the retaining ring 63 to prevent the wafer from falling out of the carrier plate 31, and the conditioner ring 71 is also provided. As the pressure fluid is supplied into the conditioning chamber 74, the pressure is increased so that the pressure is lowered to condition the polishing pad.
상기와 같이 하여 웨이퍼의 연마작업이 완료되면, 웨이퍼를 다시 로딩 디바이스에 안착시키기 위하여 먼저 조정챔버(33) 내부의 압력유체를 압력파이프(39)를 통하여 외부로 배출시켜 웨이퍼를 다시 캐리어 플레이트(31)에 진공 흡착시키며, 캐리어 플레이트(31)에 웨이퍼가 안정적으로 흡착되었는지의 여부는 압력파이프 (39)에 부착되어 있는 압력조절장치에 의해서 웨이퍼의 유무에 의한 진공압력의 차이를 이용하여 웨이퍼가 캐리어 플레이트(31)에 흡착되었는지의 여부를 확인할 수가 있다.When the polishing operation of the wafer is completed as described above, first, the pressure fluid inside the adjusting chamber 33 is discharged to the outside through the pressure pipe 39 so as to seat the wafer on the loading device again. ), And whether or not the wafer is stably adsorbed to the carrier plate 31 is determined by the pressure regulator attached to the pressure pipe 39, by using the difference in the vacuum pressure depending on the presence or absence of the wafer. Whether or not it is adsorbed by the plate 31 can be confirmed.
웨이퍼가 캐리어 플레이트(31)에 완전히 흡착되면 플래튼이 하강하여 로딩디바이스를 위한 공간을 확보하게 되며, 이때에 캐리어 플레이트(31)는, 이를 포함하는 웨이퍼 지지조립체(30)의 자체 무게에 의하거나 또는 로딩챔버(40) 내부에 압력을 가하는 강제적인 방식에 의하여, 최저위치로 다시 하강하고, 리테이너링(61)은 리테이너링 챔버(63) 내부의 압력유체를 유체라인을 통하여 배출되면서 압력저하로 상승하게 되고, 컨디셔너링(71)은 컨디셔너링 챔버(74) 내부의 압력유체를 유체라인을 통하여 배출되면서 압력저하로 상승하게 된다.When the wafer is completely adsorbed on the carrier plate 31, the platen is lowered to secure a space for the loading device, wherein the carrier plate 31 is based on the weight of the wafer support assembly 30 including the same. Alternatively, the pressure is applied to the inside of the loading chamber 40 and lowered back to the lowest position, and the retaining ring 61 discharges the pressure fluid inside the retaining chamber 63 through the fluid line to lower the pressure. The conditioner ring 71 rises to the pressure drop while discharging the pressure fluid inside the conditioning chamber 74 through the fluid line.
위와 같은 상태의 캐리어 헤드는 도 2에서 도시된 것과 같은 상태이다.The carrier head in the above state is as shown in FIG.
로딩 디바이스에 안착된 웨이퍼를 외부로 배출토록 하기 위해서는 먼저 로딩 디바이스를 웨이퍼의 하부에 위치시키고, 이어서 로딩 디바이스를 웨이퍼까지 상승 근접시킨 후에 조정챔버(33) 내부에 압력유체를 공급하면, 웨이퍼가 캐리어 플레이트(31)로부터 이탈하여 로딩 디바이스로 위치하게 되며, 웨이퍼가 안착된 로딩 디바이스는 하강하여 원위치로 복귀하게 된다.In order to discharge the wafer seated on the loading device to the outside, first, the loading device is placed at the bottom of the wafer, and then the loading device is brought up close to the wafer, and then a pressure fluid is supplied into the adjusting chamber 33 so that the wafer is carrier The plate 31 is removed from the plate 31 and placed in the loading device, and the loading device on which the wafer is seated is lowered and returned to its original position.
한편, 웨이퍼는 연마에 필요한 슬러리를 공급받으면서 연마패드에 접촉하여 연마가 이루어지게 되므로 연마작업 중에 연마패드에 생긴 잔류물이나 슬러리 등을제거할 필요가 있다.On the other hand, since the wafer is polished in contact with the polishing pad while receiving the slurry required for polishing, it is necessary to remove residues or slurry generated in the polishing pad during the polishing operation.
도 4는 본 발명에 따른 캐리어 헤드에서 리테이너링(61)과 컨디셔너링(71)을 이용하여 연마패드를 클리닝하는 상태의 캐리어 헤드를 도시한 것이다.Figure 4 shows the carrier head in a state of cleaning the polishing pad using the retaining ring 61 and the conditioner ring 71 in the carrier head according to the present invention.
도 4에서 보는 바와 같이 리테이너링(61)과 컨디셔너링(71)을 이용하여 연마패드를 클리닝할 때의 리테이너링(61)은 리테이너링챔버(63) 내부에 압력을 상승시키면 리테이너링(61)이 하강하여 연마패드와 접촉하여 연마패드에 압력을 가함으로써 패드 내로 침투한 슬러리(slurry), 불순물 등을 패드 위로 끌어내고, 컨디셔너링(71)은 컨디셔너링 챔버(74) 내부에 압력 유체 공급으로 컨디셔너링(71)이 리테이너링(61) 외부에서 연마패드와 접촉하여 외부로 나온 슬러리(slurry), 불순물 등을 제거하여 패드 클리닝을 하게 된다.As shown in FIG. 4, the retainer ring 61 when cleaning the polishing pad by using the retainer ring 61 and the conditioner ring 71 increases the pressure in the retainer chamber 63. The lowering is brought into contact with the polishing pad to apply pressure to the polishing pad to draw out slurry, impurities, and the like penetrated into the pad, and the conditioner ring 71 is supplied with a pressure fluid supply inside the conditioning chamber 74. The conditioner ring 71 contacts the polishing pad outside the retainer ring 61 to remove slurry, impurities, and the like from the outside to perform pad cleaning.
도 5는 본 발명에 따른 캐리어 헤드에서 컨디셔너링(71)을 이용하여 연마패드를 컨디셔닝하는 상태의 캐리어 헤드를 도시한 것이다.Fig. 5 shows the carrier head in a state in which the polishing pad is conditioned using the conditioning ring 71 in the carrier head according to the present invention.
도 5에 도시된 바와 같이 로딩챔버(40)와 리테이너링챔버(63) 내부의 압력유체를 배출시키면, 캐리어 플레이트(31)와 리테이너링(61)이 최고 상승위치로 유지되게 되고, 이 상태에서 컨디셔너링챔버(74) 내부의 압력을 상승시키면 유연성 소재인 컨디셔너링튜브(75)의 팽창이 이루어짐과 동시에 컨디셔너링(71)이 하강하여 연마패드에 밀착되게 된다.As shown in FIG. 5, when the pressure fluid in the loading chamber 40 and the retaining chamber 63 is discharged, the carrier plate 31 and the retaining ring 61 are maintained at the highest lifted position. When the pressure inside the conditioning chamber 74 is increased, the conditioner tube 75, which is a flexible material, is expanded, and the conditioner ring 71 is lowered to be in close contact with the polishing pad.
따라서, 위와 같은 상태에서는 연마작업을 수행하지 않으면서도 컨디셔너링 (71)만을 연마패드에 접촉시켜 연마패드의 컨디셔닝 작업을 수행할 수도 있다.Therefore, in the above state, it is also possible to perform the conditioning operation of the polishing pad by contacting only the conditioner ring 71 with the polishing pad without performing the polishing operation.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 화학기계적 연마장치의 캐리어 헤드는 직접진공방법을 이용하여 웨이퍼를 흡착하게 되므로 작은 압력으로 웨이퍼를 웨이퍼 지지조립체에 쉽게 부착할 수가 있으면서도, 웨이퍼의 연마시 웨이퍼 면에 고른 압력을 가하여 웨이퍼 면이 고르게 연마되도록 할 수가 있고, 또 압력파이프에 부착되어 있는 압력조절장치에 의해서 웨이퍼의 유무에 의한 진공압력의 차이를 이용하여 웨이퍼가 웨이퍼 지지조립체에 흡착되었는지의 여부를 쉽게 확인할 수가 있으므로 웨이퍼의 흡착 불량이나 흡착실패의 가능성을 줄일 수가 있어 웨이퍼의 이동과정 또는 웨이퍼의 탈착과정 중에 캐리어 헤드로부터 웨이퍼가 떨어져 웨이퍼 패턴 상의 스크레칭 혹은 웨이퍼의 파손으로 이어지는 것을 사전에 방지할 수가 있다.As described above, since the carrier head of the chemical mechanical polishing apparatus of the present invention adsorbs the wafer by using a direct vacuum method, the wafer can be easily attached to the wafer support assembly with a small pressure, and the wafer is evenly polished on the wafer surface during polishing. Pressure can be applied to smoothly polish the wafer surface, and the pressure regulator attached to the pressure pipe makes it easy to check whether the wafer is adsorbed to the wafer support assembly by using the difference in the vacuum pressure with or without the wafer. As a result, it is possible to reduce the possibility of wafer adsorption failure or adsorption failure, thereby preventing the wafer from falling off from the carrier head during wafer movement or wafer desorption, leading to scratching on the wafer pattern or wafer breakage. .
또한, 본 발명의 화학기계적 연마장치의 캐리어 헤드는 연마공정의 완료 후 조정챔버 내부의 압력유체를 압력파이프를 통하여 외부로 배출시켜 웨이퍼를 다시 웨이퍼 지지조립체에 진공 흡착시키게 되므로 웨이퍼의 손상을 일으키지 않으면서도 웨이퍼를 연마패드로부터 쉽게 떼어내어 웨이퍼 지지조립체에 부착시킬 수 있다.In addition, the carrier head of the chemical mechanical polishing apparatus of the present invention discharges the pressure fluid inside the adjusting chamber to the outside through the pressure pipe after completion of the polishing process, so that the wafer is vacuum-adsorbed to the wafer support assembly. The wafer can also be easily removed from the polishing pad and attached to the wafer support assembly.
Claims (11)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0088957A KR100470228B1 (en) | 2001-12-31 | 2001-12-31 | Carrier Head for Chemical Mechanical Polishing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0088957A KR100470228B1 (en) | 2001-12-31 | 2001-12-31 | Carrier Head for Chemical Mechanical Polishing |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030058501A KR20030058501A (en) | 2003-07-07 |
KR100470228B1 true KR100470228B1 (en) | 2005-02-05 |
Family
ID=32216405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0088957A KR100470228B1 (en) | 2001-12-31 | 2001-12-31 | Carrier Head for Chemical Mechanical Polishing |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100470228B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010098515A1 (en) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | 그린스펙 주식회사 | Carrier head for a bare silicon wafer polishing apparatus |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7530153B2 (en) | 2005-09-21 | 2009-05-12 | Applied Materials, Inc. | Attaching components of a carrier head |
CN114370964A (en) * | 2021-10-13 | 2022-04-19 | 苏州汇创芯精密智能装备有限公司 | Pressure maintaining detection device based on pressure compensation and detection method thereof |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06126615A (en) * | 1992-10-12 | 1994-05-10 | Fujikoshi Mach Corp | Polishing device for wafer |
JPH10180627A (en) * | 1996-11-08 | 1998-07-07 | Applied Materials Inc | Supporting head having flexible film for chemical and mechanical grinding system |
JPH10286769A (en) * | 1997-04-08 | 1998-10-27 | Ebara Corp | Polishing device |
US5906754A (en) * | 1995-10-23 | 1999-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus integrating pad conditioner with a wafer carrier for chemical-mechanical polishing applications |
US5916015A (en) * | 1997-07-25 | 1999-06-29 | Speedfam Corporation | Wafer carrier for semiconductor wafer polishing machine |
US6036587A (en) * | 1996-10-10 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system |
KR20010096967A (en) * | 2000-04-19 | 2001-11-08 | 윤종용 | Polishing head of chemical and mechanical apparatus for polishing wafer |
-
2001
- 2001-12-31 KR KR10-2001-0088957A patent/KR100470228B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06126615A (en) * | 1992-10-12 | 1994-05-10 | Fujikoshi Mach Corp | Polishing device for wafer |
US5906754A (en) * | 1995-10-23 | 1999-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus integrating pad conditioner with a wafer carrier for chemical-mechanical polishing applications |
US6036587A (en) * | 1996-10-10 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system |
JPH10180627A (en) * | 1996-11-08 | 1998-07-07 | Applied Materials Inc | Supporting head having flexible film for chemical and mechanical grinding system |
JPH10286769A (en) * | 1997-04-08 | 1998-10-27 | Ebara Corp | Polishing device |
US5916015A (en) * | 1997-07-25 | 1999-06-29 | Speedfam Corporation | Wafer carrier for semiconductor wafer polishing machine |
KR20010096967A (en) * | 2000-04-19 | 2001-11-08 | 윤종용 | Polishing head of chemical and mechanical apparatus for polishing wafer |
KR100349216B1 (en) * | 2000-04-19 | 2002-08-14 | 삼성전자 주식회사 | Polishing head of chemical and mechanical apparatus for polishing wafer |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010098515A1 (en) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | 그린스펙 주식회사 | Carrier head for a bare silicon wafer polishing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20030058501A (en) | 2003-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7121934B2 (en) | Carrier head for chemical mechanical polishing apparatus | |
US7445543B2 (en) | Polishing apparatus | |
US7850509B2 (en) | Substrate holding apparatus | |
US6872122B2 (en) | Apparatus and method of detecting a substrate in a carrier head | |
US5624299A (en) | Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use | |
US6755726B2 (en) | Polishing head with a floating knife-edge | |
JP2002280337A (en) | Substrate-holding apparatus, dresser, and polishing apparatus | |
KR20010014805A (en) | A carrier head with a compressible film | |
KR101044738B1 (en) | Substrate holding apparatus, polishing apparatus and a method for holding a substrate and pressing the substrate against a polishing surface by substrate holding apparatus | |
KR20000048476A (en) | Carrier head with controllable pressure and loading area for chemical mechanical polishing | |
US6244946B1 (en) | Polishing head with removable subcarrier | |
KR100470228B1 (en) | Carrier Head for Chemical Mechanical Polishing | |
US20060148384A1 (en) | Polishing apparatus, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device manufactured by this method | |
JP2004193289A (en) | Polishing method | |
KR100725923B1 (en) | Membrane for cmp head | |
KR20040074269A (en) | Chemical mechanical polishing apparatus | |
KR100511476B1 (en) | Wafer support assembly applied to polishing carrier head for CMP System | |
KR20040026501A (en) | chemical mechanical polishing apparatus for manufacturing semiconductor devices | |
KR20080036465A (en) | Adhering apparatus of polishing pad |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121206 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131115 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141215 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160122 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170125 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180116 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190103 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200115 Year of fee payment: 16 |