JPH1097982A - Aligner - Google Patents
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- JPH1097982A JPH1097982A JP26773196A JP26773196A JPH1097982A JP H1097982 A JPH1097982 A JP H1097982A JP 26773196 A JP26773196 A JP 26773196A JP 26773196 A JP26773196 A JP 26773196A JP H1097982 A JPH1097982 A JP H1097982A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、IC,LSI等の
半導体デバイス、液晶デバイス、CCD等の撮像デバイ
ス、磁気ヘッド等のデバイスを製造する際に用いる露光
装置に関し、特に、原版を保持する原版ステージの軽量
化を図り、もってスループットの向上を図った露光装置
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus used for manufacturing semiconductor devices such as ICs and LSIs, liquid crystal devices, imaging devices such as CCDs, and devices such as magnetic heads. The present invention relates to an exposure apparatus that reduces the weight of a stage and thereby improves throughput.
【0002】[0002]
【従来の技術】一括露光方式の露光装置(ステッパ)で
は、投影光学系がレンズによって構成されている場合、
結像領域は円形状となる。しかしながら、半導体集積回
路は一般的に矩形形状であるため、一括露光の場合の転
写領域は、投影光学系の有する円の結像領域に内接する
矩形の領域となる。従って、最も大きな転写領域でも円
の直径の1/√2の辺の正方形である。これに対して、
投影光学系の有する円形状の結像領域のほぼ直径の寸法
を有するスリット形状の露光領域を用いて、レチクルと
ウエハとを同期させながら走査移動させることによっ
て、転写領域を拡大させる走査露光方式(ステップアン
ドスキャン方式)が提案されている。この方式では、同
一の大きさの結像領域を有する投影光学系を用いた場
合、投影レンズを用いて各転写領域ごとに一括露光を行
なうステップアンドリピート方式に比べてより大きな転
写領域を確保することができる。すなわち、走査方向に
対しては光学系による制限がなくなるので走査ステージ
のストローク分だけ確保することができ、走査方向に対
して直角な方向には概ね√2倍の転写領域を確保するこ
とができる。2. Description of the Related Art In a batch exposure type exposure apparatus (stepper), when a projection optical system is constituted by a lens,
The imaging region has a circular shape. However, since the semiconductor integrated circuit generally has a rectangular shape, the transfer area in the case of batch exposure is a rectangular area inscribed in a circular imaging area of the projection optical system. Therefore, even the largest transfer area is a square of 1 / √2 of the diameter of the circle. On the contrary,
A scanning exposure method in which a transfer area is enlarged by moving a reticle and a wafer synchronously using a slit-shaped exposure area having a diameter substantially equal to the diameter of a circular imaging area of the projection optical system ( Step-and-scan method) has been proposed. In this method, when a projection optical system having an imaging area of the same size is used, a larger transfer area is secured as compared with the step-and-repeat method in which collective exposure is performed for each transfer area using a projection lens. be able to. That is, since there is no restriction by the optical system in the scanning direction, it is possible to secure only the stroke of the scanning stage, and it is possible to secure approximately √2 times the transfer area in the direction perpendicular to the scanning direction. .
【0003】半導体集積回路を製造するための露光装置
は、高い集積度のチップの製造に対応するために、転写
領域の拡大と解像力の向上が望まれている。より小さい
投影光学系を採用できることは、光学性能上からも、コ
スト的にも有利であり、ステップアンドスキャン方式の
露光方法は、今後の露光装置の主流として注目されてい
る。An exposure apparatus for manufacturing a semiconductor integrated circuit is required to have an enlarged transfer area and an improved resolution in order to cope with the manufacture of a chip having a high degree of integration. The fact that a smaller projection optical system can be employed is advantageous from the viewpoint of optical performance and cost, and the exposure method of the step-and-scan method is attracting attention as a mainstream of future exposure apparatuses.
【0004】このようなステップアンドスキャン方式の
露光装置においては、レチクルとウエハを高精度に位置
合わせする必要があり、例えば、レチクル交換等でレチ
クルステージ上に載置されたレチクルはレチクルアライ
メントスコープによりレチクルステージの基準マークに
対する位置を高精度に計測される。このレチクルスコー
プは、精度が高ければ高いほど、計測範囲が狭くなり、
本発明者らが目指している256M対応の露光装置にお
けるレチクルアライメントスコープの計測範囲は2μm
角程度である。In such a step-and-scan type exposure apparatus, it is necessary to align a reticle and a wafer with high accuracy. For example, a reticle placed on a reticle stage by reticle exchange or the like is controlled by a reticle alignment scope. The position of the reticle stage with respect to the reference mark is measured with high accuracy. In this reticle scope, the higher the accuracy, the narrower the measurement range,
The measurement range of the reticle alignment scope in the 256M-compatible exposure apparatus aimed at by the present inventors is 2 μm
It is about the corner.
【0005】従来のレチクルハンドでは、レチクルを2
μm程度の誤差でレチクルステージに載置することはま
ず不可能である。そこで、レチクルステージ上にXYθ
微動機構を設け、レチクルアライメントスコープを低倍
率に切り換えてレチクルの位置ずれを2μm以内に追い
込むことが考えられる。しかし、レチクルステージ上に
XYθ微動機構を設けると、レチクルステージが重くな
り、特にレチクルをスキャンさせる走査型の露光装置で
はステージの移動速度が遅くなってスループットが低下
したり、レチクルステージの重量によりステージ定盤が
撓んで露光精度が低下する等の問題が生じる。In a conventional reticle hand, a reticle is
It is firstly impossible to mount on a reticle stage with an error of about μm. Therefore, XYθ is placed on the reticle stage.
It is conceivable to provide a fine movement mechanism and switch the reticle alignment scope to a low magnification to drive the reticle displacement to within 2 μm. However, when the XYθ fine movement mechanism is provided on the reticle stage, the reticle stage becomes heavy, and in particular, in a scanning type exposure apparatus that scans the reticle, the moving speed of the stage becomes slow and the throughput decreases. Problems such as a decrease in exposure accuracy due to bending of the surface plate occur.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の従来
例における問題点に鑑みてなされたもので、露光装置に
おいて、原版ステージの軽量化を図り、スループットや
露光精度を向上させることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in the prior art, and has as its object to reduce the weight of an original stage in an exposure apparatus and improve throughput and exposure accuracy. And
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明では、原版のパターンの一部を投影光学系を
介して基板に投影し、該投影光学系に対し相対的に前記
原版と基板を共に走査することにより前記原版のパター
ンを前記基板に露光する露光装置において、第1のエア
ーパッドを備え該エアーパッド上に載置された原版を実
質水平に吸着保持する原版ステージと、前記原版ステー
ジ上の原版の該原版ステージに対する位置ずれを所定の
原版アライメント位置で検出する手段と、該原版アライ
メント位置で実質垂直に昇降する昇降軸と、該昇降軸に
板ばねを介して取り付けられ前記原版ステージ上の原版
を吸着保持可能な第2のエアーパッドと、第2のエアー
パッドにより吸着保持された原版を前記昇降軸を介して
該原版のパターン描画平面内と該平面に垂直な軸回りと
に微動させる手段と、前記原版ステージを前記原版アラ
イメント位置に送り込み、前記昇降軸を下降させて該原
版ステージ上の原版を第2のエアーパッドにより吸着さ
せ、第1のエアーパッドからエアーを吹き出させて該原
版を微少量浮上させ、前記検出手段で前記位置ずれを検
出させ、この位置ずれ検出結果に応じて前記微動手段に
より該原版を微動させる制御手段とを具備することを特
徴とする。In order to achieve the above object, according to the present invention, a part of an original pattern is projected onto a substrate via a projection optical system, and the original is relatively moved with respect to the projection optical system. An exposure apparatus for exposing the pattern of the original onto the substrate by scanning the substrate together with the original, and an original stage having a first air pad and holding the original placed on the air pad by suction substantially horizontally, A means for detecting a positional shift of the original on the original stage with respect to the original stage at a predetermined original alignment position, an elevating shaft vertically moving up and down at the original alignment position, and being attached to the elevating shaft via a leaf spring. A second air pad capable of adsorbing and holding the original on the original stage, and a pattern of the original adsorbed and held by the second air pad via the elevating shaft. Means for finely moving within the image plane and around an axis perpendicular to the plane, and feeding the original stage to the original alignment position, lowering the elevating shaft, and adsorbing the original on the original stage by the second air pad. Then, air is blown out from the first air pad to float the original slightly, and the detecting means detects the positional deviation, and the fine moving means is finely moved by the fine moving means according to a result of the positional deviation detection. Means.
【0008】本発明の好ましい実施の形態においては、
前記原版ステージ上の原版を露光領域外の所定の原版交
換位置で交換する原版交換手段をさらに備え、前記原版
アライメント位置が前記原版交換位置とは異なる前記原
版交換手段の動作と干渉しない位置に設定されているこ
とを特徴とする。この場合、前記原版アライメント位置
は第1ショットの露光待機位置に設定することができ
る。[0008] In a preferred embodiment of the present invention,
The apparatus further comprises an original exchanging means for exchanging the original on the original stage at a predetermined original exchanging position outside the exposure area, wherein the original alignment position is set at a position different from the original exchanging position so as not to interfere with the operation of the original exchanging means. It is characterized by having been done. In this case, the original plate alignment position can be set to the exposure standby position of the first shot.
【0009】[0009]
【作用】本発明によれば、原版位置合わせのための微動
機構を原版ステージ上に載せない、すなわち別置きにし
て原版ステージを軽量化したため、スループットの向上
(スキャン速度アップ)および露光精度の向上を図るこ
とが可能になる。According to the present invention, the fine movement mechanism for aligning the original is not mounted on the original stage, that is, the original stage is reduced in weight, so that the throughput (scan speed) and the exposure accuracy are improved. Can be achieved.
【0010】[0010]
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図1は本発明の一実施例に係る露光装置を側方から
見た様子を模式的に示す図であり、図2は、その露光装
置の外観を示す斜視図である。これらの図に示すよう
に、この露光装置は、レチクルステージ1上の原版のパ
ターンの一部を投影光学系2を介してウエハステージ3
上のウエハに投影し、投影光学系2に対し相対的にレチ
クルとウエハをY方向に同期走査することによりレチク
ルのパターンをウエハに露光するとともに、この走査露
光を、ウエハ上の複数の転写領域(ショット)に対し
て、繰り返し行なうためのステップ移動を介在させなが
ら行なうステップ・アンド・スキャン型の露光装置であ
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram schematically showing a state of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention as viewed from the side, and FIG. 2 is a perspective view showing an appearance of the exposure apparatus. As shown in these drawings, this exposure apparatus uses a projection optical system 2 to project a part of an original pattern on a reticle stage 1 through a wafer stage 3.
The reticle and the wafer are synchronously scanned in the Y direction relative to the projection optical system 2 to expose the reticle pattern to the wafer, and this scanning exposure is performed on a plurality of transfer areas on the wafer. (Shot) is a step-and-scan type exposure apparatus which performs step movement for repeated execution.
【0011】レチクルステージ1はリニアモータ4によ
ってY方向へ駆動し、ウエハステージ3のXステージ3
aはリニアモータ5によってX方向に駆動し、Yステー
ジ3bはリニアモータ6によってY方向へ駆動するよう
になっている。レチクルおよびウエハの同期走査は、レ
チクルステージ1およびYステージ3bをY方向へ一定
の速度比率(例えば4:−1、なお、「−」は向きが逆
であることを示す)で駆動させることにより行なう。ま
た、X方向へのステップ移動はXステージ3aにより行
なう。Xステージ3aには不図示のZ−チルトステージ
が搭載され、その上にはウエハを保持する不図示のウエ
ハチャックが取り付けられている。The reticle stage 1 is driven by a linear motor 4 in the Y direction,
a is driven in the X direction by the linear motor 5, and the Y stage 3 b is driven in the Y direction by the linear motor 6. The synchronous scanning of the reticle and the wafer is performed by driving the reticle stage 1 and the Y stage 3b at a constant speed ratio in the Y direction (for example, 4: -1, where "-" indicates that the directions are opposite). Do. The step movement in the X direction is performed by the X stage 3a. A Z-tilt stage (not shown) is mounted on the X stage 3a, and a wafer chuck (not shown) for holding a wafer is mounted thereon.
【0012】ウエハステージ3は、ステージ定盤7上に
設けられ、ステージ定盤7は3つのダンパ8を介して3
点で床等の上に支持されている。レチクルステージ1お
よび投影光学系2は鏡筒定盤9上に設けられ、鏡筒定盤
9は床等に載置されたベースフレーム10上に3つのダ
ンパ11および支柱12を介して支持されている。ダン
パ8は6軸方向にアクティブに制振もしくは除振するア
クティブダンパであるが、パッシブダンパを用いてもよ
く、あるいはダンパを介せずに支持してもよい。The wafer stage 3 is provided on a stage base 7, and the stage base 7 is connected via three dampers 8.
It is supported on a floor at a point. The reticle stage 1 and the projection optical system 2 are provided on a barrel base 9, and the barrel base 9 is supported on a base frame 10 mounted on a floor or the like via three dampers 11 and columns 12. I have. The damper 8 is an active damper for actively damping or removing vibrations in six axial directions. However, a passive damper may be used, or the damper 8 may be supported without a damper.
【0013】また、この露光装置は、鏡筒定盤9とステ
ージ定盤7との間の距離を3点において測定するレーザ
干渉計、マイクロエンコーダ等の距離測定手段13を備
えている。The exposure apparatus further includes a distance measuring means 13 such as a laser interferometer or a micro encoder for measuring the distance between the lens barrel base 9 and the stage base 7 at three points.
【0014】投光手段21と受光手段22は、ウエハス
テージ3上のウエハが投影光学系2のフォーカス面に位
置しているか否かを検出するためのフォーカスセンサを
構成している。すなわち、鏡筒定盤9に固定された投光
手段21によりウエハに対して斜め方向から光を照射
し、その反射光の位置を受光手段22によって検出する
ことにより投影光学系2の光軸方向のウエハ表面の位置
が検出される。The light projecting means 21 and the light receiving means 22 constitute a focus sensor for detecting whether or not the wafer on the wafer stage 3 is located on the focus surface of the projection optical system 2. That is, the wafer is irradiated with light from an oblique direction by the light projecting means 21 fixed to the lens barrel base 9, and the position of the reflected light is detected by the light receiving means 22, whereby the direction of the optical axis of the projection optical system 2 is adjusted. Of the wafer surface is detected.
【0015】図1の装置においては、図示しないレーザ
干渉計光源から発せられた光がレチクルステージ用Y方
向レーザ干渉計24に導入される。そして、Y方向レー
ザ干渉計24に導入された光は、レーザ干渉計24内の
ビームスプリッタ(不図示)によってレーザ干渉計24
内の固定鏡(不図示)に向かう光とY方向移動鏡26に
向かう光とに分けられる。Y方向移動鏡26に向かう光
は、Y方向測長光路25を通ってレチクルステージ4に
固設されたY方向移動鏡26に入射する。ここで反射さ
れた光は再びY方向測長光路25を通ってレーザ干渉計
24内のビームスプリッタに戻り、固定鏡で反射された
光と重ね合わされる。このときの光の干渉の変化を検出
することによりY方向の移動距離を測定する。このよう
にして計測された移動距離情報は、図示しない走査制御
装置にフィードバックされ、レチクルステージ4の走査
位置の位置決め制御がなされる。Yステージ3bも、同
様に、ウエハステージ用Y方向レーザ干渉計23による
測長結果に基づいて走査位置の位置決め制御がなされ
る。In the apparatus shown in FIG. 1, light emitted from a laser interferometer light source (not shown) is introduced into a reticle stage Y-direction laser interferometer 24. The light introduced into the Y-direction laser interferometer 24 is transmitted to the laser interferometer 24 by a beam splitter (not shown) in the laser interferometer 24.
The light is divided into light directed toward a fixed mirror (not shown) and light directed toward the Y-direction movable mirror 26. The light traveling to the Y-direction moving mirror 26 passes through the Y-direction length measuring optical path 25 and enters the Y-direction moving mirror 26 fixed to the reticle stage 4. The light reflected here returns to the beam splitter in the laser interferometer 24 through the Y-direction length measuring optical path 25 again, and is superimposed on the light reflected by the fixed mirror. The movement distance in the Y direction is measured by detecting a change in light interference at this time. The movement distance information measured in this way is fed back to a scanning controller (not shown), and positioning control of the scanning position of the reticle stage 4 is performed. Similarly, the Y stage 3b controls the scanning position based on the length measurement result by the wafer stage Y direction laser interferometer 23.
【0016】この構成において、不図示の搬送手段によ
り、装置前部の2つの支柱12間の搬送経路を経てウエ
ハステージ3上にウエハが搬入され、所定の位置合せが
終了すると、露光装置は、走査露光およびステップ移動
を繰り返しながら、ウエハ上の複数の露光領域に対して
レチクルのパターンを露光転写する。走査露光に際して
は、レチクルステージ1およびYステージ3bをY方向
(走査方向)へ、所定の速度比で移動させて、スリット
状の露光光でレチクル上のパターンを走査するととも
に、その投影像でウエハを走査することにより、ウエハ
上の所定の露光領域に対してレチクル上のパターンを露
光する。走査露光中、ウエハ表面の高さは前記フォーカ
スセンサで計測され、その計測値に基づきウエハステー
ジ3の高さとチルトがリアルタイムで制御され、フォー
カス補正が行なわれる。1つの露光領域に対する走査露
光が終了したら、Xステージ3aをX方向へ駆動してウ
エハをステップ移動させることにより、他の露光領域を
走査露光の開始位置に対して位置決めし、走査露光を行
なう。なお、このX方向へのステップ移動と、Y方向へ
の走査露光のための移動との組合せにより、ウエハ上の
複数の露光領域に対して、順次効率良く露光が行なえる
ように、各露光領域の配置、Yの正または負のいずれか
への走査方向、各露光領域への露光順等が設定されてい
る。In this configuration, when the wafer is loaded onto the wafer stage 3 via the transport path between the two columns 12 at the front of the apparatus by the transport means (not shown) and the predetermined alignment is completed, the exposure apparatus While repeating the scanning exposure and the step movement, the reticle pattern is exposed and transferred to a plurality of exposure regions on the wafer. At the time of scanning exposure, the reticle stage 1 and the Y stage 3b are moved at a predetermined speed ratio in the Y direction (scanning direction) to scan a pattern on the reticle with slit-like exposure light, and to project a wafer with the projected image. To expose a pattern on the reticle to a predetermined exposure area on the wafer. During the scanning exposure, the height of the wafer surface is measured by the focus sensor, and the height and tilt of the wafer stage 3 are controlled in real time based on the measured values, and focus correction is performed. When the scanning exposure for one exposure region is completed, the X stage 3a is driven in the X direction to move the wafer stepwise, thereby positioning the other exposure region with respect to the start position of the scanning exposure and performing the scanning exposure. The combination of the step movement in the X direction and the movement for scanning exposure in the Y direction allows each of the exposure areas to be sequentially and efficiently exposed to a plurality of exposure areas on the wafer. , The scanning direction of either positive or negative Y, the order of exposure to each exposure area, and the like are set.
【0017】レチクル交換時、レチクルステージ1は露
光領域外側のレチクル交換位置に移動して不図示のレチ
クルチェンジャからレチクルを受け取る。受け取ったレ
チクルは真空吸着パッドによりレチクルステージ1上に
保持される。次にレチクルステージ1がレチクルアライ
メント位置に移動してレチクルアライメントが行なわれ
る。レチクルアライメント時は、不図示のレチクルハン
ドラがレチクルステージ1上に下降してレチクルを掴
み、不図示のレチクルアライメントステージを駆動して
レチクルをレチクルステージ1上の基準マークに対して
位置合わせを行なう。レチクルハンドラの下端には真空
吸着パッドが板ばねを介して取り付けられており、位置
合わせ時はレチクルを真空吸着パッドで保持し、かつレ
チクルステージ1の真空吸着パッドからはエアーを吹き
出してレチクルをレチクルステージ1から浮上させた状
態でレチクルアライメントステージを駆動する。At the time of reticle exchange, the reticle stage 1 moves to a reticle exchange position outside the exposure area and receives a reticle from a reticle changer (not shown). The received reticle is held on the reticle stage 1 by the vacuum suction pad. Next, reticle stage 1 moves to the reticle alignment position, and reticle alignment is performed. At the time of reticle alignment, a reticle handler (not shown) descends onto the reticle stage 1 to grasp the reticle, and drives a reticle alignment stage (not shown) to align the reticle with a reference mark on the reticle stage 1. A vacuum suction pad is attached to the lower end of the reticle handler via a leaf spring. When positioning, the reticle is held by the vacuum suction pad, and air is blown out of the vacuum suction pad of the reticle stage 1 to hold the reticle. The reticle alignment stage is driven while floating from the stage 1.
【0018】図3は、図1の装置におけるレチクルアラ
イメント機構の構成を示す。この装置はレチクルアライ
メント機構をレチクルステージ上に載せないで、別置き
にすることにより、レチクルステージの軽量化を行なっ
てそのスキャン速度アップを図り、スループットの向上
を図ったものである。同図において、1はレチクルステ
ージであり、実線はレチクルアライメント位置に来た状
態を示し、2点鎖線はレチクル交換位置(図内左側)ま
たは露光領域(図内右側)に来たときの状態を示す。2
は投影光学系(投影レンズ)、3はウエハステージ、3
1は照明光学系、32はレチクルチェンジャ、33は基
板位置検出顕微鏡(レチクルアライメントスコープ)、
34はレチクル、35はレチクルステージ1に設けられ
ている基準マーク、36はレチクルハンドラ、37はレ
チクルアライメントステージ、38はレチクルアライメ
ントステージ支持部材、39はレチクルステージガイ
ド、40はウエハ、41はウエハステージガイドであ
る。FIG. 3 shows the configuration of the reticle alignment mechanism in the apparatus shown in FIG. In this apparatus, the reticle alignment mechanism is not mounted on the reticle stage, but is separately provided, thereby reducing the weight of the reticle stage, increasing the scanning speed, and improving the throughput. In the figure, reference numeral 1 denotes a reticle stage, a solid line indicates a state at a reticle alignment position, and a two-dot chain line indicates a state at a reticle exchange position (left side in the figure) or an exposure area (right side in the figure). Show. 2
Is a projection optical system (projection lens), 3 is a wafer stage, 3
1 is an illumination optical system, 32 is a reticle changer, 33 is a substrate position detection microscope (reticle alignment scope),
34 is a reticle, 35 is a reference mark provided on the reticle stage 1, 36 is a reticle handler, 37 is a reticle alignment stage support, 38 is a reticle alignment stage support member, 39 is a reticle stage guide, 40 is a wafer, and 41 is a wafer stage It is a guide.
【0019】図4は、レチクル交換およびレチクルアラ
イメント時の各部の動作を示す。すなわち、レチクル交
換時、レチクルステージ1はレチクル交換位置(図4
(a)に示す位置)に位置決めされる。同時に、新たな
レチクル34が不図示の搬送手段により不図示のレチク
ルライブラリ等から搬送されてレチクルチェンジャ32
に引き渡され、レチクルチェンジャ32によってレチク
ル交換位置に来たレチクルステージ1上に載置される。
レチクルステージ1には、図5に示すように、レチクル
チャック56が設けられており、載置されたレチクル3
4をレチクルチャック56で真空吸着し、レチクルステ
ージ1上に保持する。図5において、54はレチクルス
テージ天板である。FIG. 4 shows the operation of each unit during reticle exchange and reticle alignment. That is, when the reticle is replaced, the reticle stage 1 is in the reticle replacement position (FIG. 4).
(A position shown in (a)). At the same time, a new reticle 34 is transported from a reticle library or the like (not shown) by a transport unit (not shown), and the reticle changer 32
The reticle changer 32 places the reticle on the reticle stage 1 at the reticle exchange position.
The reticle stage 1 is provided with a reticle chuck 56, as shown in FIG.
4 is sucked in vacuum by a reticle chuck 56 and held on the reticle stage 1. In FIG. 5, reference numeral 54 denotes a reticle stage top plate.
【0020】レチクルアライメント時、レチクルステー
ジ1はレチクルアライメント位置(図4(b)に示す位
置)に移動する。図5は、このレチクルアライメント位
置におけるレチクルアライメント動作の詳細を示す。レ
チクルステージ1がレチクルアライメント位置に来る
(図5(a))と、レチクルハンドラ36が下降してレ
チクルハンドラ36の昇降軸51の下端に板ばね52を
介して取り付けられたレチクル吸着パッド53によりレ
チクル34を真空吸着する(図5(b))。次に、レチ
クルステージ1上のレチクルチャック56の真空を空気
吹き出しに切り換えてそのエアーフローによりレチクル
34をレチクルチャック56より微少量(例えばレチク
ルアライメントスコープ33の焦点深度を10μmとす
ると、レチクル34がその焦点深度を外れない2〜数μ
m程度)浮上させる(図5(c))。At the time of reticle alignment, reticle stage 1 moves to a reticle alignment position (a position shown in FIG. 4B). FIG. 5 shows details of the reticle alignment operation at this reticle alignment position. When the reticle stage 1 comes to the reticle alignment position (FIG. 5A), the reticle handler 36 descends and the reticle is attracted by the reticle suction pad 53 attached to the lower end of the lifting shaft 51 of the reticle handler 36 via the leaf spring 52. 34 is vacuum-adsorbed (FIG. 5B). Next, the vacuum of the reticle chuck 56 on the reticle stage 1 is switched to air blowing, and the reticle 34 is slightly smaller than the reticle chuck 56 by the air flow (for example, if the focal depth of the reticle alignment scope 33 is 10 μm, the reticle 34 2 to several μ that does not deviate from the depth of focus
m) (FIG. 5 (c)).
【0021】この状態で、レチクルアライメントスコー
プ33により基準マーク35とレチクル34上に形成さ
れている不図示の位置合わせマークとの位置ずれを検出
し、この位置ずれを補正するようにレチクルアライメン
トステージ37を駆動する。さらに、レチクルチャック
56の空気吹き出しをオフに、真空をオンに切り換えて
レチクル34をレチクルチャック56に真空吸着する。
次いで、レチクルハンドラ36のレチクル吸着パッド5
3の真空をオフして位置合わせしたレチクル34をレチ
クルステージ1に引き渡し、レチクルハンドラ36を上
昇する(図4(c))。In this state, the reticle alignment scope 33 detects a position shift between the reference mark 35 and an alignment mark (not shown) formed on the reticle 34, and corrects the position shift so as to correct the position shift. Drive. Further, the air blowing of the reticle chuck 56 is turned off and the vacuum is turned on, and the reticle 34 is vacuum-sucked to the reticle chuck 56.
Next, the reticle suction pad 5 of the reticle handler 36
The reticle 34 aligned with the vacuum of 3 is turned off and transferred to the reticle stage 1, and the reticle handler 36 is raised (FIG. 4C).
【0022】レチクルアライメントを終了すると、レチ
クルアライメントスコープ33によりレチクル34上の
位置合わせマークとレチクルステージ1の基準マーク3
5との位置ずれ量を計測し、その計測値とウエハのアラ
イメント残留誤差とに基づいてウエハステージ3上のウ
エハのXYθを設定して走査露光を行なう。When the reticle alignment is completed, the alignment marks on the reticle 34 and the reference marks 3 on the reticle stage 1 are
5 is measured, and XYθ of the wafer on the wafer stage 3 is set based on the measured value and the remaining alignment error of the wafer, and scanning exposure is performed.
【0023】なお、レチクルアライメントはレチクル交
換時以外にも適宜行なうことができる。Note that the reticle alignment can be appropriately performed other than when the reticle is replaced.
【0024】また、上記の位置ずれ検出に際しては、レ
チクルハンドラ36を下降する前に、先ず、レチクル3
4の表面をレチクルアライメントスコープ33で観察
し、レチクル34の位置合わせマークがレチクルアライ
メントスコープ33の計測範囲内にあった場合は、上記
位置決め処理をすることなく上記の位置ずれ量計測およ
び走査露光を行なうようにすることもできる。この場
合、レチクル34の位置合わせマークがレチクルアライ
メントスコープ33の計測範囲内にはないが該レチクル
アライメントスコープ33の視野内にあった場合は、レ
チクルアライメントスコープ33の倍率を切り換えるこ
となく、前記レチクル34の位置ずれ検出を行ない、レ
チクル34の位置合わせマークがレチクルアライメント
スコープ33の視野内にない場合は、レチクルアライメ
ントスコープ33の倍率を低倍率に切り換えて、視野を
拡大した状態で、前記位置合わせマークの位置ずれ検出
を行なうようにする。この倍率切り換えはレチクルハン
ドラ36の下降と並行して行なう。また、倍率を切り換
えた場合はレチクルハンドラ36の上昇と並行して倍率
をもとに戻す。In detecting the above-mentioned positional deviation, before lowering the reticle handler 36, first, the reticle 3
4 is observed with a reticle alignment scope 33, and if the alignment mark of the reticle 34 is within the measurement range of the reticle alignment scope 33, the above-described position shift amount measurement and scanning exposure are performed without performing the above-described positioning processing. You can also do it. In this case, when the alignment mark of the reticle 34 is not within the measurement range of the reticle alignment scope 33 but is within the field of view of the reticle alignment scope 33, the reticle 34 is not changed without changing the magnification of the reticle alignment scope 33. Is detected, and if the alignment mark of the reticle 34 is not within the field of view of the reticle alignment scope 33, the magnification of the reticle alignment scope 33 is switched to a low magnification, and the alignment mark is Is detected. This magnification switching is performed in parallel with the lowering of the reticle handler 36. When the magnification is changed, the magnification is returned to the original state in parallel with the rise of the reticle handler 36.
【0025】[微小デバイスの製造の実施例]図6は微
小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネ
ル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製
造のフローを示す。ステップ1(回路設計)では半導体
デバイスの回路設計を行なう。ステップ2(マスク製
作)では設計した回路パターンを形成したマスクを製作
する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等
の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハ
プロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウ
エハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実
際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後
工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程
(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)で
はステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テ
スト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を
経て半導体デバイスが完成し、これを出荷(ステップ
7)する。FIG. 6 shows a flow chart of manufacturing a microdevice (a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin-film magnetic head, a micromachine, etc.). In step 1 (circuit design), the circuit of the semiconductor device is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the circuit pattern design. On the other hand, in step 3 (wafer manufacturing), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). including. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).
【0026】図7は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ
18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。FIG. 7 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 15
In (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the above-described exposure apparatus to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
【0027】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。By using the manufacturing method of this embodiment, a highly integrated semiconductor device, which was conventionally difficult to manufacture, can be manufactured at low cost.
【0028】[0028]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、原
版のアライメント機構を原版ステージ上には載せない
で、別置きにしたため、原版ステージを軽量化し、原版
ステージの走査速度を上げてスループットを向上させる
ことができる。また、原版ステージの重量によるステー
ジ定盤等の撓みを少なくすることができ、露光精度を向
上させることができる。As described above, according to the present invention, the original plate alignment mechanism is not mounted on the original plate stage, but is separately provided. Therefore, the original plate stage is reduced in weight, the scanning speed of the original plate stage is increased, and the throughput is improved. Can be improved. In addition, the deflection of the stage base and the like due to the weight of the original stage can be reduced, and the exposure accuracy can be improved.
【0029】また、アライメント機構の原版吸着部を弾
性支持したため、原版吸着部の下降量の誤差許容量をよ
り大きく取ることができ、アライメント機構内に微動Z
機構を設ける必要がなく、原版を高速に位置決めするこ
とが可能になる。Further, since the original adsorbing portion of the alignment mechanism is elastically supported, it is possible to increase the allowable error of the amount of descent of the original adsorbing portion.
There is no need to provide a mechanism, and the original can be positioned at high speed.
【図1】 本発明の一実施例に係る露光装置を側方から
見た様子を模式的に示す図である。FIG. 1 is a view schematically showing a state of an exposure apparatus according to one embodiment of the present invention when viewed from a side.
【図2】 図1の露光装置の外観を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing an appearance of the exposure apparatus of FIG.
【図3】 図1の装置におけるレチクルアライメント機
構の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a reticle alignment mechanism in the apparatus of FIG.
【図4】 図1の装置におけるレチクル交換およびアラ
イメント処理の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a reticle exchange and alignment process in the apparatus of FIG. 1;
【図5】 図4に示すレチクルアライメント処理のより
詳細な説明図である。FIG. 5 is a more detailed explanatory diagram of a reticle alignment process shown in FIG. 4;
【図6】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a flow of manufacturing a micro device.
【図7】 図6におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a detailed flow of a wafer process in FIG. 6;
1:レチクルステージ、1a:貫通穴、2:投影光学
系、3:ウエハステージ、3a:Xステージ、3b:Y
ステージ、4,5,6:リニアモータ、7:ステージ定
盤、8:ダンパ、9:鏡筒定盤、10:ベースフレー
ム、11:ダンパ、12:支柱、13:距離測定手段、
21:投光手段、22:受光手段、23,24:レーザ
干渉計、25:レーザ測長光路、26,27:移動鏡、
31:照明光学系、32:レチクルチェンジャ、33:
レチクルアライメントスコープ、34:レチクル、3
5:基準マーク、36:レチクルハンドラ、37:レチ
クルアライメントステージ、38:レチクルアライメン
トステージ支持部材、39:レチクルステージガイド、
40:ウエハ、41:ウエハステージガイド、51:昇
降軸(Z軸)、52:板ばね、53:レチクル吸着パッ
ド、54:レチクルステージ天板、56:レチクルチャ
ック。1: reticle stage, 1a: through hole, 2: projection optical system, 3: wafer stage, 3a: X stage, 3b: Y
Stage, 4, 5, 6: linear motor, 7: stage base, 8: damper, 9: lens barrel base, 10: base frame, 11: damper, 12: support, 13: distance measuring means,
21: light emitting means, 22: light receiving means, 23, 24: laser interferometer, 25: laser measuring optical path, 26, 27: moving mirror,
31: illumination optical system, 32: reticle changer, 33:
Reticle alignment scope, 34: reticle, 3
5: fiducial mark, 36: reticle handler, 37: reticle alignment stage, 38: reticle alignment stage support member, 39: reticle stage guide,
40: wafer, 41: wafer stage guide, 51: elevating axis (Z axis), 52: leaf spring, 53: reticle suction pad, 54: reticle stage top plate, 56: reticle chuck.
Claims (4)
して基板に投影し、該投影光学系に対し相対的に前記原
版と基板を共に走査することにより前記原版のパターン
を前記基板に露光する露光装置において、 第1のエアーパッドを備え、該エアーパッド上に載置さ
れた原版を実質水平に吸着保持する原版ステージと、 前記原版ステージ上の原版の該原版ステージに対する位
置ずれを所定の原版アライメント位置で検出する手段
と、 該原版アライメント位置で実質垂直に昇降する昇降軸
と、 該昇降軸に板ばねを介して取り付けられ前記原版ステー
ジ上の原版を吸着保持可能な第2のエアーパッドと、 第2のエアーパッドにより吸着保持された原版を前記昇
降軸を介して該原版のパターン描画平面内と該平面に垂
直な軸回りとに微動させる手段と、 前記原版ステージを前記原版アライメント位置に送り込
み、前記昇降軸を下降させて該原版ステージ上の原版を
第2のエアーパッドにより吸着させ、第1のエアーパッ
ドからエアーを吹き出させて該原版を微少量浮上させ、
前記検出手段で前記位置ずれを検出させ、この位置ずれ
検出結果に応じて前記微動手段により該原版を微動させ
る制御手段とを具備することを特徴とする露光装置。1. A pattern of an original is projected onto a substrate by projecting a part of the pattern of the original onto a substrate via a projection optical system and scanning the original and the substrate together with respect to the projection optical system. An exposure apparatus for exposing, comprising: a first air pad, a master stage for holding a master placed on the air pad in a substantially horizontal suction state, and determining a positional shift of the master on the master stage with respect to the master stage. Means for detecting at the original plate alignment position, an elevating shaft which rises and falls substantially vertically at the original plate alignment position, and a second air which is attached to the elevating shaft via a leaf spring and which can hold the original plate on the original plate stage by suction. A pad and a hand for finely moving the original sucked and held by the second air pad in the pattern drawing plane of the original and around an axis perpendicular to the plane via the elevating shaft. Sending the original stage to the original alignment position, lowering the elevating shaft, adsorbing the original on the original stage with the second air pad, and blowing air from the first air pad to remove the original. Float a small amount,
An exposure apparatus, comprising: a control means for causing the detecting means to detect the position shift, and finely moving the original by the fine moving means in accordance with the result of the position shift detection.
の所定の原版交換位置で交換する原版交換手段をさらに
備え、前記原版アライメント位置が前記原版交換位置と
は異なる前記原版交換手段の動作と干渉しない位置に設
定されていることを特徴とする請求項1記載の露光装
置。2. An original exchanging means for exchanging an original on the original stage at a predetermined original exchanging position outside an exposure area, wherein the operation of the original exchanging means in which the original alignment position is different from the original exchanging position. 2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus is set at a position where no interference occurs.
トの露光待機位置であることを特徴とする請求項2記載
の露光装置。3. The exposure apparatus according to claim 2, wherein the original plate alignment position is a first shot exposure standby position.
ことを特徴とするデバイス製造方法。4. A device manufacturing method using the apparatus according to claim 1.
Priority Applications (2)
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---|---|---|---|
JP26773196A JP3624057B2 (en) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | Exposure equipment |
US08/925,137 US6307616B1 (en) | 1996-09-09 | 1997-09-08 | Exposure apparatus and substrate handling system therefor |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7382468B2 (en) | 2003-04-23 | 2008-06-03 | Nikon Corporation | Interferometer system, signal processing method in interferometer system, and stage using signal processing |
KR100875863B1 (en) | 2006-07-10 | 2008-12-24 | 닛본 세이고 가부시끼가이샤 | Exposure apparatus and exposure method |
JP2009051672A (en) * | 2002-04-18 | 2009-03-12 | Olympus Corp | Substrate conveying device |
KR101300573B1 (en) * | 2010-11-22 | 2013-08-27 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Die transferring device for TCNCP |
-
1996
- 1996-09-19 JP JP26773196A patent/JP3624057B2/en not_active Expired - Fee Related
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KR101300573B1 (en) * | 2010-11-22 | 2013-08-27 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Die transferring device for TCNCP |
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