JPH1092724A - Load lock chamber - Google Patents

Load lock chamber

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Publication number
JPH1092724A
JPH1092724A JP8246200A JP24620096A JPH1092724A JP H1092724 A JPH1092724 A JP H1092724A JP 8246200 A JP8246200 A JP 8246200A JP 24620096 A JP24620096 A JP 24620096A JP H1092724 A JPH1092724 A JP H1092724A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
load lock
lock chamber
sample
cover
vacuum
Prior art date
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Pending
Application number
JP8246200A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Morita
憲司 守田
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP8246200A priority Critical patent/JPH1092724A/en
Publication of JPH1092724A publication Critical patent/JPH1092724A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus

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  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent dust particles remaining within a load lock chamber from being blown up and deposited on the surface of a sample by providing a dustproof cover for covering the sample which is inside of the load lock chamber set between a vacuum device and outside with an ambient atmosphere and adapted for transporting the sample to and from the vacuum device. SOLUTION: Vacuum exhaust or leakage of a load lock chamber 33 is carried out. A sample stage 37 is raised. At this point, the sample stage 37 and a wafer 7 have their upper surfaces, lateral surfaces and lower surfaces covered with dustproof covers 35, 41. Only a slight gap is opened between a lower edge of a side plate 35b of the upper and side cover 35 and an outer peripheral edge of the lower cover 41. The dustproof covers 35, 41 themselves are made of aluminum or steel with inner surfaces thereof polished to be mirror finished surfaces, and these dustproof covers are detachable. Thus, the dustproof covers may be kept clean by periodical cleaning or replacement.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、真空下で試料を露
光処理する半導体の荷電ビーム(EB等)露光装置やプ
ロセス装置、あるいは検査装置用に試料を搬出入するロ
ードロック室に関する。特には、ロードロック室内の排
気及び注気(リークともいう)時に、ロードロック室内
に残留しているゴミが舞って試料表面に載ることがない
ように改良を加えたロードロック室に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a load lock chamber for loading and unloading a sample for use in a semiconductor charged beam (EB or the like) exposure apparatus or a process apparatus for exposing a sample under vacuum, or an inspection apparatus. In particular, the present invention relates to a load lock chamber which has been improved so that dust remaining in the load lock chamber does not fly on the sample surface when exhausting and injecting air (also referred to as leakage) in the load lock chamber.

【0002】[0002]

【従来の技術】荷電ビーム等を用いて半導体を製造、検
査する工程の多くは、真空中で行われる。この場合、大
気中にある試料を真空装置内に直接搬入したり、試料交
換毎に真空装置内を毎回真空排気することは少ない。大
半の場合は、真空装置内は常に真空状態となっており、
試料を搬入する際には、試料を一度大気状態のロードロ
ック室の中に入れ、このロードロック室内を真空引きし
大気から真空状態にし、その後ロードロック室と真空装
置内とを連通状態とした後、真空状態にある装置内に試
料を搬入する方法がとられている。
2. Description of the Related Art Many processes for manufacturing and inspecting a semiconductor using a charged beam or the like are performed in a vacuum. In this case, it is rare that the sample in the atmosphere is directly carried into the vacuum device or the inside of the vacuum device is evacuated every time the sample is replaced. In most cases, the vacuum is always in a vacuum state,
When loading the sample, the sample is once put into the atmospheric load lock chamber, the load lock chamber is evacuated to a vacuum state from the atmosphere, and then the load lock chamber and the vacuum device are connected. Thereafter, a method of carrying a sample into a device in a vacuum state is adopted.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ロードロック室内に試
料がある状態で真空排気やリークを行う過程において、
チリやホコリ等微細なダスト粒子が試料表面に付着して
汚染されるという問題があった。これは、真空排気やリ
ークされる際に室内の気体の流れによってロードロック
室の床面や壁に溜っているダスト粒子が舞い上がり、試
料に付着することによる。このダスト粒子の舞い上がり
を防ぐため、気体の流れを抑えるように、真空排気やリ
ーク時には時間をかけてゆっくり排気やリークを行うこ
とをしていたので、スループットが低下するという問題
があった。
In the process of evacuating and leaking while a sample is in a load lock chamber,
There is a problem that fine dust particles such as dust and dust adhere to the sample surface and become contaminated. This is because dust particles accumulated on the floor and walls of the load lock chamber soar up due to the flow of gas inside the chamber when the chamber is evacuated or leaked, and adhere to the sample. In order to prevent the dust particles from rising, exhausting and leaking are performed slowly over time during vacuum evacuation and leaking so as to suppress the flow of gas, so that there is a problem that throughput is reduced.

【0004】本発明は、このような問題点を解消すべく
なされたもので、真空装置に試料を搬出入するロードロ
ック室であって、室内の排気及び注気(リークともい
う)時に、室内に残留しているゴミが舞って試料表面に
載ることがないように改良を加えたロードロック室を提
供することを目的とする。また、高歩留りかつ高スルー
プットの真空装置の実現に寄与できるロードロック室を
提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve such a problem, and is directed to a load lock chamber for carrying a sample into and out of a vacuum apparatus, and when the chamber is evacuated and insufflated (also referred to as a leak), the chamber is closed. It is an object of the present invention to provide a load lock chamber improved so that dust remaining on the sample does not fly on the sample surface. It is another object of the present invention to provide a load lock chamber that can contribute to the realization of a vacuum device with high yield and high throughput.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のロードロック室は、 真空下で試料を処理
する真空装置と大気雰囲気の外部との間に置かれ該真空
装置に試料を搬出入するためのロードロック室であっ
て; 該室内に、試料を覆う防塵カバーが設けられてい
ることを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, a load lock chamber of the present invention is provided between a vacuum device for processing a sample under vacuum and the outside of the atmosphere, and the sample is placed in the vacuum device. A load lock chamber for carrying in and out, wherein a dustproof cover for covering the sample is provided in the chamber.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の1実施例に係る
ロードロック室を含む半導体ウエハ電子ビーム露光装置
の全体図である。図2は、ウエハの搬出入状態における
図1のロードロック室の詳細を示す図である。
FIG. 1 is an overall view of a semiconductor wafer electron beam exposure apparatus including a load lock chamber according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing details of the load lock chamber of FIG. 1 in a state where a wafer is carried in and out.

【0007】図1の露光装置は、真空装置本体1とロー
ドロック室3、大気室5が直列に連結されている。
In the exposure apparatus shown in FIG. 1, a vacuum apparatus main body 1, a load lock chamber 3, and an atmosphere chamber 5 are connected in series.

【0008】真空装置本体1は、この場合は半導体ウエ
ハの露光装置であり、荷電ビーム露光装置11と試料室
13を備えている。試料室13内には、ウエハ7aを載
置してX、Y軸上で走行するステージ15が置かれてい
る。試料室13の下部には真空排気口17が開口してお
り、同口17から、弁19を介して真空ポンプ21によ
り、試料室13内が真空排気される。試料室13内の真
空度は一例として10−6Torrである。
In this case, the vacuum apparatus main body 1 is an exposure apparatus for a semiconductor wafer, and includes a charged beam exposure apparatus 11 and a sample chamber 13. In the sample chamber 13, a stage 15 on which the wafer 7a is mounted and travels on the X and Y axes is placed. A vacuum exhaust port 17 is opened at a lower portion of the sample chamber 13, and the inside of the sample chamber 13 is evacuated from the port 17 by a vacuum pump 21 via a valve 19. The degree of vacuum in the sample chamber 13 is, for example, 10 −6 Torr.

【0009】真空装置本体1には、仕切弁2を介してロ
ードロック室3が接続されている。ロードロック室3は
真空容器であるロードロック室本体31を備える。ロー
ドロック室本体31内には、ウエハ7bを置く試料台3
7が置かれている。この台37は昇降式(図2、3参
照)である。試料台37の上方には、上・側カバー35
が設けられている。上・側部カバー35は、試料台37
の上面を覆う天板35aと、この天板35aの周縁から
垂下する円筒状の側板35bからなる。試料台37の下
方には、円板状に外側に張り出す下部カバー41が設け
られている。
A load lock chamber 3 is connected to the vacuum apparatus main body 1 via a gate valve 2. The load lock chamber 3 includes a load lock chamber main body 31 that is a vacuum container. The sample stage 3 on which the wafer 7b is placed is placed in the load lock chamber main body 31.
7 is placed. The table 37 is of an elevating type (see FIGS. 2 and 3). Above the sample table 37, an upper / side cover 35
Is provided. The upper / side cover 35 is provided with a sample table 37.
And a cylindrical side plate 35b hanging down from the periphery of the top plate 35a. Below the sample table 37, a lower cover 41 that protrudes outward in a disk shape is provided.

【0010】試料台37の側面には、リーク口39が開
口している。このリーク口39は、台37内に形成され
たリーク管路43に通じており、バルブ45を介してリ
ークガス源(図示されず、N2 ボンベ等)に接続され
ている。ロードロック室本体31の下部には真空排気口
47が開口しており、同口47から、弁48を介して真
空ポンプ49により、ロードロック室内33が真空排気
される。ロードロック室内33の真空排気後の真空度
は、一例として10−5Torrに到達する。
On the side surface of the sample table 37, a leak port 39 is opened. The leak port 39 communicates with a leak pipe 43 formed in the base 37, and is connected to a leak gas source (not shown, an N2 cylinder or the like) via a valve 45. A vacuum exhaust port 47 is opened at the lower part of the load lock chamber main body 31, and the load lock chamber 33 is evacuated from the port 47 by a vacuum pump 49 via a valve 48. The degree of vacuum after evacuation of the load lock chamber 33 reaches 10-5 Torr as an example.

【0011】ロードロック室本体31には、仕切弁4を
介して大気室51が接続されている。大気室51内に
は、ウエハ7cを載せるキャリア53が置かれている。
An atmosphere chamber 51 is connected to the load lock chamber main body 31 through a gate valve 4. In the atmosphere chamber 51, a carrier 53 on which the wafer 7c is placed is placed.

【0012】ロードロック室3の動作について図2、3
を参照しつつ説明する。図2は、ウエハ7の搬出入状態
を示すものであって、ロードロック室3内の試料台37
は下に下がっている。同台37の側縁に付設されている
下部カバー41も下に下がっている。上・側部カバー3
5は、ロードロック室本体31の上部に固定されてい
る。したがって、上・側部カバー35の下端と、試料台
37の上面との間には、十分な間隔が開いている。この
間隔に、図の右側から、アーム61によりウエハ7が搬
入される。その後、台37が上昇してウエハ7を受け取
り、アーム61はロードロック室本体31外に後退す
る。
The operation of the load lock chamber 3 is shown in FIGS.
This will be described with reference to FIG. FIG. 2 shows the loading / unloading state of the wafer 7, and shows the sample table 37 in the load lock chamber 3.
Is falling down. The lower cover 41 attached to the side edge of the base 37 is also lowered. Top / side cover 3
5 is fixed to the upper part of the load lock chamber main body 31. Therefore, a sufficient space is provided between the lower end of the upper / side cover 35 and the upper surface of the sample table 37. At this interval, the arm 7 carries in the wafer 7 from the right side of the figure. Thereafter, the table 37 is raised to receive the wafer 7, and the arm 61 is retracted outside the load lock chamber main body 31.

【0013】図3は、ロードロック室内33を真空排気
又はリークしている状態であって、試料台37は上昇し
ている。このとき、試料台37及びウエハ7は、その上
面、側面、下面が防塵カバー35、41に覆われてい
る。そして、上・側部カバー35の側板35bの下縁と
下部カバー41の外周縁との間にはわずかな隙間36
(例えば約1mm)が開いているのみである。
FIG. 3 shows a state where the load lock chamber 33 is evacuated or leaked, and the sample table 37 is raised. At this time, the upper surface, side surfaces, and lower surface of the sample table 37 and the wafer 7 are covered with the dustproof covers 35 and 41. A slight gap 36 is formed between the lower edge of the side plate 35 b of the upper / side cover 35 and the outer edge of the lower cover 41.
(For example, about 1 mm) is only open.

【0014】図3の状態で真空排気するときは、室内3
3の雰囲気は、下部の真空排気口47からロードロック
室外に排気される。このとき、カバー内33bの空気
は、上、下カバーの隙間36からカバー外33aに出、
その後真空排気口から排気される。また、リーク(外気
導入)するときは、カバー内33bのリーク口39から
カバー内33bにリークガス(N2 )が供給され、カ
バー間の隙間36を通ってカバー外33aに出る。重要
なことは、真空排気の場合もリークの場合も、いずれ
も、気流の方向はカバー内33bからカバー外33aに
出る方向である。したがって、ロードロック室内33の
天井や底に残留していたダスト粒子が気流で舞い上がっ
てカバー内33bに入るようなことがない。
When vacuum evacuation is performed in the state shown in FIG.
The atmosphere of No. 3 is exhausted from the lower vacuum exhaust port 47 to the outside of the load lock chamber. At this time, the air inside the cover 33b flows out of the cover 33a through the gap 36 between the upper and lower covers,
Thereafter, the air is exhausted from the vacuum exhaust port. When a leak (introduction of outside air) occurs, a leak gas (N2) is supplied to the inside 33b of the cover from the leak port 39 of the inside 33b of the cover, and exits outside the cover 33a through the gap 36 between the covers. What is important is that the direction of the air flow in both the case of evacuation and the case of a leak is the direction from the inside 33b of the cover to the outside 33a of the cover. Therefore, the dust particles remaining on the ceiling or bottom of the load lock chamber 33 do not soar by the airflow and enter the inside 33b of the cover.

【0015】防塵カバーそのものは、内面が鏡面研磨さ
れたアルミ又は銅製(一例)であり、取り外し可能とな
っている。したがって、定期的に洗浄するか交換するこ
とにより、清潔に保つことができる。また、鏡面研磨さ
れているため、洗浄によりきわめて清潔にできるので、
カバーそのものが汚れの原因となることはほとんどな
い。
The dust cover itself is made of aluminum or copper (an example) whose inner surface is mirror-polished, and is removable. Therefore, it can be kept clean by washing or replacing it regularly. In addition, because it is mirror polished, it can be made extremely clean by washing,
The cover itself rarely causes dirt.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、防塵カバーをロードロック室内に備えるの
で、スループットを低下させることなく、ロードロック
室に搬出入する半導体試料にダスト粒子が付着して生じ
る汚染の問題を効果的に解決できる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, since the dust-proof cover is provided in the load lock chamber, dust particles are contained in the semiconductor sample carried into and out of the load lock chamber without lowering the throughput. The problem of contamination caused by adhesion can be effectively solved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の1実施例に係るロードロック室を含む
半導体ウエハ電子ビーム露光装置の全体図である。
FIG. 1 is an overall view of a semiconductor wafer electron beam exposure apparatus including a load lock chamber according to one embodiment of the present invention.

【図2】ウエハの搬出入状態における図1のロードロッ
ク室の詳細を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing details of a load lock chamber of FIG. 1 in a state where a wafer is carried in and out;

【図3】ロードロック室内を真空排気又はリークしてい
る状態を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a state where the load lock chamber is evacuated or leaking.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 真空装置本体 2 仕切弁 3 ロードロック室 4 仕切弁 5 大気室 7 試料(ウエ
ハ) 11 荷電ビーム露光装置 13 試料室 15 ステージ 17 真空排気口 19 弁 21 真空ポンプ 31 ロードロック室本体 32 搬出入口 33 室内 33a カバー外 33b カバー内 35 上・側部カ
バー 35a 天板 35b 側板 36 隙間 37 試料台 39 リーク口 41 下部カバー 42 試料台上下動機構 43 リーク管路 45 リーク弁 47 真空排気口 48 弁 49 真空ポンプ 51 大気室本体 53 試料キャリ
ア 61 アーム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum apparatus main body 2 Gate valve 3 Load lock chamber 4 Gate valve 5 Atmosphere chamber 7 Sample (wafer) 11 Charge beam exposure apparatus 13 Sample chamber 15 Stage 17 Vacuum exhaust port 19 Valve 21 Vacuum pump 31 Load lock chamber main body 32 Loading / unloading port 33 Room 33a Outside cover 33b Inside cover 35 Top / side cover 35a Top plate 35b Side plate 36 Gap 37 Sample table 39 Leak port 41 Lower cover 42 Sample table vertical movement mechanism 43 Leak line 45 Leak valve 47 Vacuum exhaust port 48 Valve 49 Vacuum Pump 51 Atmospheric chamber main body 53 Sample carrier 61 Arm

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空下で試料を処理する真空装置と大気
雰囲気の外部との間に置かれ、該真空装置に試料を搬出
入するためのロードロック室であって;該室内に、試料
を覆う防塵カバーが設けられていることを特徴とするロ
ードロック室。
1. A load lock chamber which is placed between a vacuum device for processing a sample under a vacuum and the outside of the atmosphere, and carries a sample into and out of the vacuum device; A load lock chamber provided with a dustproof cover for covering.
【請求項2】 上記防塵カバーが、上記試料の上面及び
側面を覆うように設けられている請求項1記載のロード
ロック室。
2. The load lock chamber according to claim 1, wherein said dustproof cover is provided so as to cover an upper surface and side surfaces of said sample.
【請求項3】 上記防塵カバーが、さらに上記試料又は
試料を載置する台の下をも覆うように設けられている請
求項2記載のロードロック室。
3. The load lock chamber according to claim 2, wherein said dustproof cover is further provided so as to cover the sample or a base under which the sample is mounted.
【請求項4】 上記カバーに覆われた空間外に真空排気
口が設けられており、該空間内にリーク口が設けられて
いる請求項1〜3いずれか1項記載のロードロック室。
4. The load lock chamber according to claim 1, wherein a vacuum exhaust port is provided outside the space covered by the cover, and a leak port is provided in the space.
JP8246200A 1996-09-18 1996-09-18 Load lock chamber Pending JPH1092724A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8246200A JPH1092724A (en) 1996-09-18 1996-09-18 Load lock chamber

Applications Claiming Priority (1)

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JP8246200A JPH1092724A (en) 1996-09-18 1996-09-18 Load lock chamber

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JPH1092724A true JPH1092724A (en) 1998-04-10

Family

ID=17145008

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8246200A Pending JPH1092724A (en) 1996-09-18 1996-09-18 Load lock chamber

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JP (1) JPH1092724A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009124142A (en) * 2007-11-15 2009-06-04 Asml Netherlands Bv Substrate treatment device and device manufacturing method
US7656507B2 (en) 2005-03-03 2010-02-02 Canon Kabushiki Kaisha Processing unit, exposure apparatus having the processing unit, and protection unit
US7670754B2 (en) 2003-12-03 2010-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus having a processing chamber, a vacuum chamber and first and second load lock chambers

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