JPH1092683A - Manufacturing method of magnetic recording medium - Google Patents
Manufacturing method of magnetic recording mediumInfo
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- JPH1092683A JPH1092683A JP24657696A JP24657696A JPH1092683A JP H1092683 A JPH1092683 A JP H1092683A JP 24657696 A JP24657696 A JP 24657696A JP 24657696 A JP24657696 A JP 24657696A JP H1092683 A JPH1092683 A JP H1092683A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｆｅ−Ｘ−Ｏ（Ｘ
＝Ｃ，Ｓｉ，Ｐ又はＢ）系磁性膜を有する磁気記録媒体
の製造方法に関する。The present invention relates to Fe-X-O (X
= C, Si, P or B) to a method of manufacturing a magnetic recording medium having a magnetic film.
【０００２】[0002]
【発明が解決しようとする課題】磁性膜を蒸着やスパッ
タ等で構成した金属薄膜型の磁気記録媒体が知られてい
る。この磁性膜を構成する材料として、例えばＣｏ−Ｎ
ｉやＣｏ−Ｃｒ系の磁性合金が用いられている。しか
し、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ等は価格が高い。この為、Ｆｅが
注目された。There is known a metal thin film type magnetic recording medium in which a magnetic film is formed by vapor deposition or sputtering. As a material constituting this magnetic film, for example, Co-N
i or a Co—Cr-based magnetic alloy is used. However, Co, Ni, Cr and the like are expensive. For this reason, attention was paid to Fe.
【０００３】しかし、Ｆｅは耐蝕性に劣る等の理由か
ら、磁性膜をＦｅ−Ｘ−Ｏ（Ｘ＝Ｃ，Ｓｉ，Ｐ又はＢ）
とすることが提案（特開平６−１０４１１４号、特開平
６−１０４１１５号、特開平６−１０４１１６号、特開
平６−１０４１１７号）されている。これらの提案の磁
気記録媒体は、Ｆｅ粒子を蒸発させると共に、イオンガ
ンを用いてＸ（Ｘ＝Ｃ，Ｓｉ，Ｐ又はＢ）イオンを蒸着
Ｆｅ膜に照射し、又、蒸着Ｆｅ膜に酸素ガスを照射する
ことで製造される。However, since Fe is inferior in corrosion resistance, the magnetic film is made of Fe—X—O (X = C, Si, P or B).
(JP-A-6-104114, JP-A-6-104115, JP-A-6-104116, and JP-A-6-104117) have been proposed. These proposed magnetic recording media evaporate Fe particles, irradiate the deposited Fe film with X (X = C, Si, P or B) ions using an ion gun, and apply oxygen gas to the deposited Fe film. Manufactured by irradiation.
【０００４】しかし、Ｓｉイオン、Ｐイオン、あるいは
Ｂイオンを蒸着Ｆｅ膜に照射する為、イオンガンにはＳ
ｉＨ4 ，ＰＨ3 ，Ｂ2 Ｈ6 等の危険なガスを供給しなけ
ればならない。実験室段階での取扱いであれば、高度な
研究者によることから、危険性は低い。しかし、工業的
な大量生産の段階では、研究者でない現場作業員が取り
扱うことも有り、それだけ危険性は高くなる。However, since the deposited Fe film is irradiated with Si ions, P ions, or B ions, the ion gun has S ions.
Dangerous gases such as iH 4 , PH 3 , B 2 H 6 must be supplied. If handled at the laboratory stage, the risk is low because of advanced researchers. However, at the stage of industrial mass production, non-researchers are sometimes handled by field workers, which increases the danger.
【０００５】更には、イオンガンは高価である。かつ、
ランニングコストも高い。従って、Ｃイオン、Ｓｉイオ
ン、Ｐイオン、あるいはＢイオンを使わない手法が待た
れる。又、今後、展開されるであろう狭トラック化、短
波長記録化に対応する為には、一層の高出力が求められ
る。つまり、上記提案で得た特性を越えたものが求めら
れ、その為の技術開発が待たれた。Furthermore, ion guns are expensive. And,
Running costs are high. Therefore, there is a need for a method that does not use C ions, Si ions, P ions, or B ions. Further, in order to cope with a narrow track and a short wavelength recording which will be developed in the future, further higher output is required. In other words, a material that exceeds the characteristics obtained by the above-mentioned proposal is required, and technical development for that purpose has been awaited.
【０００６】従って、本発明が解決しようとする課題
は、より一層の電磁変換特性に優れたＦｅ−Ｘ−Ｏ系磁
性膜を有する磁気記録媒体を提供することである。又、
本発明が解決しようとするその他の課題は、イオンガン
を用いることなく、より一層の電磁変換特性に優れたＦ
ｅ−Ｘ−Ｏ系磁性膜を有する磁気記録媒体を提供するこ
とである。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a magnetic recording medium having an Fe-XO-based magnetic film having more excellent electromagnetic conversion characteristics. or,
Another problem to be solved by the present invention is that the use of F which is more excellent in electromagnetic conversion characteristics without using an ion gun.
An object of the present invention is to provide a magnetic recording medium having an eXO-based magnetic film.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】前記の課題は、支持体上
にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造
方法であって、Ｆｅ：Ｃ＝９８：２〜６５：３５（原子
比）のＦｅ及びＣ系材料を配置する工程と、前記配置さ
れた材料のＦｅ及びＣを飛散させ、前記支持体上に堆積
させて磁性膜を成膜する工程と、前記磁性膜の成膜時に
酸化性物質を供給する工程とを具備することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法によって解決される。An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a magnetic recording medium having a Fe--CO--based magnetic film on a support, wherein Fe: C = 98: 2 to 65:35. (Atomic ratio) arranging Fe and C-based materials, scattering Fe and C of the arranged materials, depositing them on the support to form a magnetic film, A step of supplying an oxidizing substance during film formation.
【０００８】又、支持体上にＦｅ−Ｓｉ−Ｏ系の磁性膜
を有する磁気記録媒体の製造方法であって、Ｆｅ：Ｓｉ
＝９８：２〜６５：３５（原子比）のＦｅ及びＳｉ系材
料を配置する工程と、前記配置された材料のＦｅ及びＳ
ｉを飛散させ、前記支持体上に堆積させて磁性膜を成膜
する工程と、前記磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給す
る工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法によって解決される。A method of manufacturing a magnetic recording medium having a Fe—Si—O-based magnetic film on a support, comprising:
= 98: 2 to 65:35 (atomic ratio) of arranging Fe and Si-based materials, and Fe and S of the arranged materials
manufacturing a magnetic recording medium, comprising: forming a magnetic film by scattering i and depositing the magnetic film on the support; and supplying an oxidizing substance during the formation of the magnetic film. Solved by the method.
【０００９】又、支持体上にＦｅ−Ｐ−Ｏ系の磁性膜を
有する磁気記録媒体の製造方法であって、Ｆｅ：Ｐ＝９
８：２〜６５：３５（原子比）のＦｅ及びＰ系材料を配
置する工程と、前記配置された材料のＦｅ及びＰを飛散
させ、前記支持体上に堆積させて磁性膜を成膜する工程
と、前記磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程と
を具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法に
よって解決される。A method for manufacturing a magnetic recording medium having a Fe—PO—based magnetic film on a support, wherein Fe: P = 9
A step of arranging Fe and P-based materials of 8: 2 to 65:35 (atomic ratio), and scattering Fe and P of the arranged materials and depositing them on the support to form a magnetic film. And a step of supplying an oxidizing substance during the formation of the magnetic film.
【００１０】又、支持体上にＦｅ−Ｂ−Ｏ系の磁性膜を
有する磁気記録媒体の製造方法であって、Ｆｅ：Ｂ＝９
８：２〜６５：３５（原子比）のＦｅ及びＢ系材料を配
置する工程と、前記配置された材料のＦｅ及びＢを飛散
させ、前記支持体上に堆積させて磁性膜を成膜する工程
と、前記磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程と
を具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法に
よって解決される。A method for manufacturing a magnetic recording medium having a Fe—BO—based magnetic film on a support, wherein Fe: B = 9
A step of arranging Fe and B-based materials of 8: 2 to 65:35 (atomic ratio), scattering Fe and B of the arranged materials and depositing them on the support to form a magnetic film And a step of supplying an oxidizing substance during the formation of the magnetic film.
【００１１】尚、上記発明において、磁性膜の成膜工程
は、蒸着手段による成膜工程である。特に、ＦｅにＸ
（ＸはＣ，Ｓｉ，Ｐ又はＢ）が混ざった混合部から粒子
が飛散し、支持体上に堆積して磁性膜が成膜される成膜
工程である。更には、別体で供給されたＦｅとＸ（Ｘは
Ｃ，Ｓｉ，Ｐ又はＢ）とにエネルギーが印加され、これ
により溶融Ｆｅ中にＸが混ざった混合溶融部から粒子が
飛散し、支持体上に堆積して磁性膜が成膜される成膜工
程である。In the above invention, the step of forming a magnetic film is a step of forming a film by means of vapor deposition. In particular, X
(X is C, Si, P or B) is a film forming process in which particles are scattered from a mixed portion where the particles are scattered and deposited on a support to form a magnetic film. Further, energy is applied to Fe and X (X is C, Si, P or B) supplied separately, whereby particles are scattered from a mixed and molten portion where X is mixed in the molten Fe, and This is a film forming process in which a magnetic film is formed by depositing on a body.
【００１２】そして、成膜時には、酸素ガスが吹き付け
られる。上記のようにすれば、高価なイオンガンを用い
ずとも、Ｆｅ−Ｘ−Ｏ系磁性膜を成膜できる。しかも、
危険なガスを取り扱わなくて済む。この結果、コストも
低廉になる。更には、イオンガンを用いてＦｅ−Ｘ−Ｏ
系磁性膜を成膜した場合よりも結晶性が良く、かつ、緻
密な膜が得られる。この結果、飽和磁束密度Ｂｓが向上
し、高出力なものが得られる。又、耐久性も良い。At the time of film formation, oxygen gas is blown. According to the above, the Fe—X—O-based magnetic film can be formed without using an expensive ion gun. Moreover,
No need to handle dangerous gas. As a result, the cost is reduced. Further, the Fe-X-O was prepared using an ion gun.
Crystallinity is better than when a magnetic film is formed, and a dense film can be obtained. As a result, the saturation magnetic flux density Bs is improved, and a high output is obtained. Also, the durability is good.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】本発明になる磁気記録媒体の製造
方法は、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を有する磁
気記録媒体の製造方法であって、Ｆｅ：Ｃ＝９８：２〜
６５：３５（特に、９５：５〜７０：３０）（原子比）
のＦｅ及びＣ系材料を配置する工程と、前記配置された
材料のＦｅ及びＣを飛散させ、前記支持体上に堆積させ
て磁性膜を成膜する工程と、前記磁性膜の成膜時に酸化
性物質を供給する工程とを具備する。又、支持体上にＦ
ｅ−Ｓｉ−Ｏ系の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方
法であって、Ｆｅ：Ｓｉ＝９８：２〜６５：３５（特
に、９５：５〜７０：３０）（原子比）のＦｅ及びＳｉ
系材料を配置する工程と、前記配置された材料のＦｅ及
びＳｉを飛散させ、前記支持体上に堆積させて磁性膜を
成膜する工程と、前記磁性膜の成膜時に酸化性物質を供
給する工程とを具備する。又、支持体上にＦｅ−Ｐ−Ｏ
系の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
Ｆｅ：Ｐ＝９８：２〜６５：３５（特に、９５：５〜７
０：３０）（原子比）のＦｅ及びＰ系材料を配置する工
程と、前記配置された材料のＦｅ及びＰを飛散させ、前
記支持体上に堆積させて磁性膜を成膜する工程と、前記
磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを具備す
る。又、支持体上にＦｅ−Ｂ−Ｏ系の磁性膜を有する磁
気記録媒体の製造方法であって、Ｆｅ：Ｂ＝９８：２〜
６５：３５（特に、９５：５〜７０：３０）（原子比）
のＦｅ及びＢ系材料を配置する工程と、前記配置された
材料のＦｅ及びＢを飛散させ、前記支持体上に堆積させ
て磁性膜を成膜する工程と、前記磁性膜の成膜時に酸化
性物質を供給する工程とを具備する。尚、磁性膜の成膜
工程は、蒸着手段による成膜工程である。特に、Ｆｅに
Ｘ（ＸはＣ，Ｓｉ，Ｐ又はＢ）が混ざった混合部から粒
子が飛散し、支持体上に堆積して磁性膜が成膜される成
膜工程である。更には、別体で供給されたＦｅとＸ（Ｘ
はＣ，Ｓｉ，Ｐ又はＢ）とにエネルギーが印加され、こ
れにより溶融Ｆｅ中にＸが混ざった混合溶融部から粒子
が飛散し、支持体上に堆積して磁性膜が成膜される成膜
工程である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The method for producing a magnetic recording medium according to the present invention is a method for producing a magnetic recording medium having a Fe--CO--based magnetic film on a support, wherein Fe: C = 98: Two
65:35 (particularly, 95: 5 to 70:30) (atomic ratio)
Disposing the Fe and C-based materials, scattering Fe and C of the disposed materials, depositing them on the support to form a magnetic film, and oxidizing at the time of forming the magnetic film. Supplying a conductive substance. Also, F
A method for producing a magnetic recording medium having an e-Si-O-based magnetic film, comprising Fe: Si = 98: 2 to 65:35 (particularly, 95: 5 to 70:30) (atomic ratio) of Fe and Si
A step of arranging a system material, a step of scattering Fe and Si of the arranged material and depositing the magnetic film on the support, and supplying an oxidizing substance when the magnetic film is formed. And a step of performing In addition, Fe-PO-
A method for producing a magnetic recording medium having a magnetic film based on
Fe: P = 98: 2 to 65:35 (particularly 95: 5 to 7:
0:30) (atomic ratio) Fe and P-based materials are arranged, and Fe and P of the arranged materials are scattered and deposited on the support to form a magnetic film. Supplying an oxidizing substance during the formation of the magnetic film. A method for producing a magnetic recording medium having a Fe-BO-based magnetic film on a support, wherein Fe: B = 98: 2-
65:35 (particularly, 95: 5 to 70:30) (atomic ratio)
Disposing Fe and B-based materials, scattering Fe and B of the disposed materials, depositing them on the support to form a magnetic film, and oxidizing at the time of forming the magnetic film. Supplying a conductive substance. Note that the film forming process of the magnetic film is a film forming process using a vapor deposition unit. In particular, this is a film forming step in which particles are scattered from a mixed portion where X (X is C, Si, P or B) is mixed with Fe and deposited on a support to form a magnetic film. Further, Fe and X (X
Is applied to C, Si, P or B), whereby particles are scattered from a mixed and fused portion in which X is mixed in the molten Fe and deposited on the support to form a magnetic film. This is a film process.
【００１４】以下、更に詳しく説明する。図１は、本発
明の実施に用いる成膜装置（斜め蒸着装置）の概略図で
ある。同図中、１は冷却キャンロール、２ａは支持体３
の供給側ロール、２ｂは支持体３の巻取側ロールであ
る。支持体３は、供給側ロール２ａから冷却キャンロー
ル１を経て巻取側ロール２ｂに巻き取られて行く。支持
体３は、磁性あるいは非磁性いずれのものでも良い。一
般的には、非磁性である。支持体としては、ＰＥＴ等の
ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン
系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂等
の有機材料が用いられる。尚、支持体３の表面には、磁
性膜との密着性を向上させる為のアンダーコート層が必
要に応じて設けられる。又、必要に応じて、支持体３の
表面はイオンボンバード処理される。The details will be described below. FIG. 1 is a schematic diagram of a film forming apparatus (oblique deposition apparatus) used for carrying out the present invention. In the figure, 1 is a cooling can roll, 2a is a support 3
Is a roll on the supply side and 2b is a roll on the winding side of the support 3. The support 3 is wound from the supply roll 2a to the take-up roll 2b via the cooling can roll 1. The support 3 may be either magnetic or non-magnetic. Generally, it is non-magnetic. As the support, organic materials such as olefin-based resins such as polyester, polyamide, polyimide, polysulfone, polycarbonate and polypropylene such as PET, cellulose-based resins, and vinyl chloride-based resins are used. An undercoat layer for improving the adhesion to the magnetic film is provided on the surface of the support 3 as necessary. If necessary, the surface of the support 3 is subjected to ion bombardment.
【００１５】４はルツボ、５はルツボ４に充填された材
料である。この材料５は、Ｆｅ−Ｘ合金（Ｘ＝Ｃ，Ｓ
ｉ，Ｐ又はＢ）であっても良く、又、金属Ｆｅと単体Ｘ
との混合物であっても良い。材料はペレットやワイヤー
の形態で供給しても良く、又、粒体（粒子や粉末）の形
態で供給しても良い。供給方法としては、例えば特願平
７−１６０８９に開示の技術を採用することも出来る。Reference numeral 4 denotes a crucible, and reference numeral 5 denotes a material filled in the crucible 4. This material 5 is made of an Fe—X alloy (X = C, S
i, P or B), metal Fe and simple substance X
And a mixture thereof. The material may be supplied in the form of pellets or wires, or may be supplied in the form of granules (particles or powder). As a supply method, for example, a technique disclosed in Japanese Patent Application No. 7-16089 can be adopted.
【００１６】供給するＦｅとＸとの割合（原子比）を次
のようにしておくのが大事である。 Ｘ＝Ｃの時、 Ｆｅ：Ｃ＝９８：２〜６５：３５ 特に、Ｆｅ：Ｃ＝９５：５〜７０：３０ Ｘ＝Ｓｉの時、 Ｆｅ：Ｓｉ＝９８：２〜６５：３５ 特に、Ｆｅ：Ｓｉ＝９５：５〜７０：３０ Ｘ＝Ｐの時、 Ｆｅ：Ｐ＝９８：２〜６５：３５ 特に、Ｆｅ：Ｐ＝９５：５〜７０：３０ Ｘ＝Ｂの時、 Ｆｅ：Ｂ＝９８：２〜６５：３５ 特に、Ｆｅ：Ｂ＝９５：５〜７０：３０ 以下では、金属Ｆｅ粒体と単体Ｘ粒体の場合で主として
述べる。従って、ルツボ４には金属Ｆｅ粒体と単体Ｘ粒
体との混合物からなる材料５が充填されている。It is important to keep the ratio (atomic ratio) between Fe and X to be supplied as follows. When X = C, Fe: C = 98: 2 to 65:35 In particular, when Fe: C = 95: 5 to 70:30, when X = Si, Fe: Si = 98: 2 to 65:35 In particular, Fe : Si = 95: 5 to 70:30 When X = P, Fe: P = 98: 2 to 65:35 In particular, when Fe: P = 95: 5 to 70:30 X = B, Fe: B = 98: 2 to 65:35 In particular, in the case of Fe: B = 95: 5 to 70:30 or less, description will be made mainly in the case of metallic Fe particles and simple X particles. Therefore, the crucible 4 is filled with the material 5 composed of a mixture of the metallic Fe particles and the simple X particles.
【００１７】６は、冷却キャンロール１の下方位置に設
けられた遮蔽板である。尚、遮蔽板６は、支持体３に対
して蒸着が行われた後段階の位置に対応する部分に設け
られたものである。又、遮蔽板６は、ルツボ４からの蒸
発粒子が支持体３に蒸着する時の最小入射角θ1 が５０
°〜７０°となるよう設定されている。７は、遮蔽板６
と冷却キャンロール１との間の位置に配設された酸素ガ
ス供給ノズルである。このノズル７より供給される酸素
の供給方向は、図１中、左から右であり、支持体３の走
行方向は、図１中、右から左であり、従って酸素ガスの
供給方向と支持体１の走行方向とは逆方向である。Reference numeral 6 denotes a shielding plate provided below the cooling can roll 1. The shielding plate 6 is provided at a portion corresponding to a position after the vapor deposition is performed on the support 3. The shielding plate 6 has a minimum incident angle θ 1 of 50 when vaporized particles from the crucible 4 are deposited on the support 3.
° to 70 °. 7 is a shielding plate 6
And an oxygen gas supply nozzle disposed at a position between the cooling gas and the cooling can roll 1. The supply direction of oxygen supplied from the nozzle 7 is from left to right in FIG. 1, and the traveling direction of the support 3 is from right to left in FIG. 1 is a direction opposite to the traveling direction.
【００１８】８は電子銃であり、電子銃８からの電子ビ
ームはルツボ４内の材料５目掛けて照射される。従っ
て、ルツボ４内の材料５は溶融し、溶融Ｆｅ中にＸが混
じり合ったものとなる。９は真空槽である。上記装置に
おいて、先ず、真空槽９内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒの
真空度に排気する。そして、電子銃８からの電子ビーム
を材料５に照射し、蒸発させる。尚、電子ビーム照射の
代わりに、抵抗加熱や高周波加熱などの手段を採用する
ことも出来る。これにより、Ｆｅ粒子、Ｘ粒子、あるい
はＦｅ−Ｘ合金粒子が、最小入射角θ1 は５０°〜７０
°でもって、走行する支持体３上に斜め蒸着する。この
斜め蒸着に際して、ノズル７から酸素ガスが１０〜１０
０ｓｃｃｍ供給され、磁性膜の表面酸化が行われる。そ
して、厚さが８００〜５０００Å（特に、１０００〜２
５００Å）のＦｅ−Ｘ−Ｏ系磁性膜が設けられる。Reference numeral 8 denotes an electron gun, and the electron beam from the electron gun 8 is applied to the material 5 in the crucible 4. Therefore, the material 5 in the crucible 4 is melted, and X is mixed in the molten Fe. 9 is a vacuum chamber. In the above apparatus, first, the inside of the vacuum chamber 9 is evacuated to a degree of vacuum of 10 -4 to 10 -6 Torr. Then, the material 5 is irradiated with an electron beam from the electron gun 8 and evaporated. Incidentally, instead of the electron beam irradiation, a means such as resistance heating or high frequency heating can be adopted. As a result, the minimum incident angle θ 1 of the Fe particles, X particles, or Fe—X alloy particles is 50 ° to 70 °.
, And is obliquely deposited on the running support 3. At the time of this oblique deposition, oxygen gas is supplied from the nozzle 7 to 10 to 10
At 0 sccm, the surface of the magnetic film is oxidized. And the thickness is 800-5000cm (especially 1000-2
500 °) Fe—X—O-based magnetic film is provided.
【００１９】Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は、Ｆｅが５０〜９
０原子％（特に、６０〜８５原子％）、Ｃが３〜３５原
子％（特に、５〜３０原子％）、Ｏが５〜２５原子％
（特に、７〜１５原子％）の組成割合からなるものが好
ましい。このような組成のものとすることによって、保
磁力Ｈｃが１１００Ｏｅ以上も有り、かつ、飽和磁束密
度Ｂｓが４０００Ｇ以上も有り、しかも耐蝕性にも優
れ、硬度は高く、更には緻密な膜である。The Fe—CO—based magnetic film contains 50 to 9 Fe.
0 atomic% (particularly, 60 to 85 atomic%), C is 3 to 35 atomic% (particularly, 5 to 30 atomic%), and O is 5 to 25 atomic%.
(Especially, 7 to 15 atomic%). With such a composition, a coercive force Hc of 1100 Oe or more, a saturation magnetic flux density Bs of 4000 G or more, excellent corrosion resistance, high hardness, and a dense film are obtained. .
【００２０】Ｆｅ−Ｓｉ−Ｏ系磁性膜は、Ｆｅが５０〜
９０原子％（特に、６０〜８５原子％）、Ｓｉが３〜３
５原子％（特に、５〜３０原子％）、Ｏが５〜２５原子
％（特に、７〜１５原子％）の組成割合からなるものが
好ましい。このような組成のものとすることによって、
保磁力Ｈｃが１１００Ｏｅ以上も有り、かつ、飽和磁束
密度Ｂｓが４０００Ｇ以上も有り、しかも耐蝕性にも優
れ、硬度は高く、更には緻密な膜である。The Fe—Si—O based magnetic film contains 50 to 50% Fe.
90 atomic% (especially, 60 to 85 atomic%), Si is 3 to 3
Those having a composition ratio of 5 atomic% (particularly, 5 to 30 atomic%) and O of 5 to 25 atomic% (particularly, 7 to 15 atomic%) are preferable. By having such a composition,
The film has a coercive force Hc of 1100 Oe or more, a saturation magnetic flux density Bs of 4000 G or more, has excellent corrosion resistance, high hardness, and is a dense film.
【００２１】Ｆｅ−Ｐ−Ｏ系磁性膜は、Ｆｅが５０〜９
０原子％（特に、６０〜８５原子％）、Ｐが３〜３５原
子％（特に、５〜３０原子％）、Ｏが５〜２５原子％
（特に、７〜１５原子％）の組成割合からなるものが好
ましい。このような組成のものとすることによって、保
磁力Ｈｃが１１００Ｏｅ以上も有り、かつ、飽和磁束密
度Ｂｓが４０００Ｇ以上も有り、しかも耐蝕性にも優
れ、硬度は高く、更には緻密な膜である。The Fe—PO—based magnetic film contains 50 to 9 Fe.
0 atomic% (particularly 60 to 85 atomic%), P is 3 to 35 atomic% (particularly 5 to 30 atomic%), and O is 5 to 25 atomic%.
(Especially, 7 to 15 atomic%). With such a composition, a coercive force Hc of 1100 Oe or more, a saturation magnetic flux density Bs of 4000 G or more, excellent corrosion resistance, high hardness, and a dense film are obtained. .
【００２２】Ｆｅ−Ｂ−Ｏ系磁性膜は、Ｆｅが５０〜９
０原子％（特に、６０〜８５原子％）、Ｂが３〜３５原
子％（特に、５〜３０原子％）、Ｏが５〜２５原子％
（特に、７〜１５原子％）の組成割合からなるものが好
ましい。このような組成のものとすることによって、保
磁力Ｈｃが１１００Ｏｅ以上も有り、かつ、飽和磁束密
度Ｂｓが４０００Ｇ以上も有り、しかも耐蝕性にも優
れ、硬度は高く、更には緻密な膜である。The Fe—BO—based magnetic film contains 50 to 9 Fe.
0 atomic% (particularly, 60 to 85 atomic%), B is 3 to 35 atomic% (particularly, 5 to 30 atomic%), and O is 5 to 25 atomic%.
(Especially, 7 to 15 atomic%). With such a composition, a coercive force Hc of 1100 Oe or more, a saturation magnetic flux density Bs of 4000 G or more, excellent corrosion resistance, high hardness, and a dense film are obtained. .
【００２３】Ｆｅ−Ｘ−Ｏ系磁性膜の表面には厚さが１
０〜５００Åの保護膜が設けられる。保護膜を構成する
材料として、Ａｌ等の金属の酸化物、窒化物、あるいは
炭化物などがある。特に、ダイヤモンドライクカーボン
は好ましいものである。ダイヤモンドライクカーボンよ
りなる保護膜はケミカルベーパーデポジション（ＣＶ
Ｄ）法により成膜される。特に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置により成膜される。すなわち、真空槽内に配設され
た支持体上の磁性膜に対してＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
を作動させ、磁性膜に炭化水素系ガスのプラズマを吹き
付ける。これにより、磁性膜表面に保護膜（ダイヤモン
ドライクカーボン膜）が成膜される。The surface of the Fe—X—O based magnetic film has a thickness of 1
A 0-500 ° protective film is provided. Examples of a material forming the protective film include oxides, nitrides, and carbides of metals such as Al. Particularly, diamond-like carbon is preferable. The protective film made of diamond-like carbon is a chemical vapor deposition (CV)
The film is formed by the method D). In particular, ECR plasma CVD
The film is formed by the device. That is, the ECR plasma CVD apparatus is operated on the magnetic film on the support provided in the vacuum chamber, and plasma of the hydrocarbon gas is blown on the magnetic film. Thus, a protective film (diamond-like carbon film) is formed on the surface of the magnetic film.
【００２４】支持体３の他面（裏面）には、バックコー
ト膜が設けられる。例えば、蒸着法、直流スパッタ法、
交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流マグネトロン
スパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ法、イオンビ
ームスパッタ法などのメッキ手段によりバックコート膜
が設けられる。又、カーボンブラック及びバインダを含
有する塗料を塗布することによってもバックコート膜は
設けられる。On the other surface (back surface) of the support 3, a back coat film is provided. For example, vapor deposition, DC sputtering,
The back coat film is provided by a plating method such as an AC sputtering method, a high frequency sputtering method, a DC magnetron sputtering method, a high frequency magnetron sputtering method, and an ion beam sputtering method. The back coat film is also provided by applying a paint containing carbon black and a binder.
【００２５】そして、表面には、潤滑剤、特にパーフル
オロポリエーテル等のフッ素系の潤滑剤の塗料が塗布さ
れ、厚さが１０〜２００Åの潤滑剤の膜が設けられる。
尚、潤滑剤としては、例えば-(C(R)F-CF2-O)p - （但
し、ＲはＦ，ＣＦ3 ，ＣＨ3 などの基）、特にHOOC-CF2
(O-C2F4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -C
F2CF2COOH 等のカルボキシル基変性パーフロオロポリエ
ーテル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OH，
HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -OCH2-(OCH2
CH2)n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH等のアルコ
ール変性パーフロオロポリエーテルが挙げられる。分子
量は５００〜５００００のものが好ましい。具体的に
は、モンテカチーニ社のＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＩＡＣ
やＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダイキン工業社のデム
ナムＳＡ等がある。The surface is coated with a lubricant, particularly a fluorine-based lubricant such as perfluoropolyether, to form a lubricant film having a thickness of 10 to 200 °.
As the lubricant, for example, - (C (R) F- CF 2 -O) p - ( where group such as R is F, CF 3, CH 3) , in particular HOOC-CF 2
(OC 2 F 4 ) p (OCF 2 ) q -OCF 2 -COOH, F- (CF 2 CF 2 CF 2 O) n -C
Carboxyl group-modified perfluoropolyether such as F 2 CF 2 COOH, HOCH 2 -CF 2 (OC 2 F 4 ) p (OCF 2 ) q -OCF 2 -CH 2 OH,
HO- (C 2 H 4 -O) m -CH 2- (OC 2 F 4 ) p (OCF 2 ) q -OCH 2- (OCH 2
And alcohol-modified perfluoropolyethers such as CH 2 ) n -OH and F- (CF 2 CF 2 CF 2 O) n -CF 2 CF 2 CH 2 OH. The molecular weight is preferably from 500 to 50,000. Specifically, FOMBLIN Z DIAC of Montecatini
And FOMBLIN Z DOL, Demnum SA of Daikin Industries, and the like.
【００２６】[0026]
【実施例１】図１に示す装置を用いた。支持体３は６．
３μｍ厚のＰＥＴフィルムである。そして、２０〜３０
ｎｍφのカーボンブラック及びバインダ樹脂を含むバッ
クコート塗料をＰＥＴフィルムの裏面に塗布し、乾燥厚
さが０．５μｍのバックコート膜を設けた。支持体３を
装置に装填した時、バックコート膜が冷却キャンロール
１に接している。Example 1 The apparatus shown in FIG. 1 was used. Support 3 is 6.
It is a 3 μm thick PET film. And 20-30
A back coat paint containing carbon black having a diameter of nm and a binder resin was applied to the back surface of the PET film, and a back coat film having a dry thickness of 0.5 μm was provided. When the support 3 is loaded in the apparatus, the back coat film is in contact with the cooling can roll 1.
【００２７】そして、下記の条件で１８４０Å厚のＦｅ
−Ｃ−Ｏ（Ｆｅ：Ｃ：Ｏ＝８３：７：１０（原子比））
系磁性膜を成膜した。冷却キャンロール１の温度は−１
０℃に制御されている。支持体３の走行速度は２ｍ／分
である。ノズル７からの酸素供給量は３０ｓｃｃｍであ
る。ルツボ４には、純度が９９．９％で３〜７ｍｍφの
Ｆｅ粒体と、１８ｎｍφのカーボン粉末を２〜５ｍｍφ
に造粒した粒体とが充填された。尚、Ｆｅ：Ｃ＝８５：
１５（原子比）である。Then, under the following conditions, a 1840 ° thick Fe
—CO (Fe: C: O = 83: 7: 10 (atomic ratio))
A system magnetic film was formed. The temperature of the cooling can roll 1 is -1
It is controlled at 0 ° C. The traveling speed of the support 3 is 2 m / min. The supply amount of oxygen from the nozzle 7 is 30 sccm. The crucible 4 contains Fe particles having a purity of 99.9% and a diameter of 3 to 7 mmφ and carbon powder having a diameter of 18 nmφ of 2 to 5 mmφ.
And the granulated granules were filled. In addition, Fe: C = 85:
15 (atomic ratio).
【００２８】電子銃８により電子ビームをルツボ４内の
混合粒体５目掛けて照射し、Ｃが混じった溶融Ｆｅから
蒸発させた。支持体３に斜め蒸着する時の最小入射角は
５５°である。次に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置にベン
ゼンを供給し、８５Å厚のダイヤモンドライクカーボン
膜を磁性膜の上に設けた。An electron beam was applied to the mixed granules 5 in the crucible 4 by the electron gun 8 to irradiate the mixed particles to evaporate the molten Fe mixed with C. The minimum incident angle for oblique deposition on the support 3 is 55 °. Next, benzene was supplied to the ECR plasma CVD apparatus, and a diamond-like carbon film having a thickness of 85 mm was provided on the magnetic film.
【００２９】又、表面に潤滑剤（デムナムＳＡ）の膜を
２０Å厚設け、この後通常の工程を経てＨｉ８ｍｍＶＴ
Ｒ用磁気テープを得た。A lubricant (Demnum SA) film having a thickness of 20 mm is provided on the surface.
A magnetic tape for R was obtained.
【００３０】[0030]
【実施例２】実施例１において、ルツボ４に充填した混
合粒体としてＦｅ：Ｃ＝９０：１０（原子比）のものを
用い、厚さ１８３０ÅのＦｅ−Ｃ−Ｏ（Ｆｅ：Ｃ：Ｏ＝
８５：５：１０（原子比））系磁性膜を成膜した以外は
実施例１に準じて行った。Example 2 In Example 1, a mixture of particles of Fe: C = 90: 10 (atomic ratio) was used as the mixed granules filled in the crucible 4, and a Fe--C--O (Fe: C: O) having a thickness of 1830.degree. =
85: 5: 10 (atomic ratio)) A magnetic film was formed in the same manner as in Example 1 except that a magnetic film was formed.
【００３１】[0031]
【実施例３】実施例１において、ルツボ４に充填した混
合粒体としてＦｅ：Ｃ＝８０：２０（原子比）のものを
用い、厚さ１８５０ÅのＦｅ−Ｃ−Ｏ（Ｆｅ：Ｃ：Ｏ＝
８１：１０：９（原子比））系磁性膜を成膜した以外は
実施例１に準じて行った。Example 3 In Example 1, a mixture of Fe: C = 80: 20 (atomic ratio) was used as the mixed granules filled in the crucible 4, and a 1850 ° thick Fe—C—O (Fe: C: O) =
81: 10: 9 (atomic ratio)) A magnetic film was formed in the same manner as in Example 1 except that a magnetic film was formed.
【００３２】[0032]
【実施例４】図１に示す装置を用いた。支持体３は６．
３μｍ厚のＰＥＴフィルムである。そして、２０〜３０
ｎｍφのカーボンブラック及びバインダ樹脂を含むバッ
クコート塗料をＰＥＴフィルムの裏面に塗布し、乾燥厚
さが０．５μｍのバックコート膜を設けた。支持体３を
装置に装填した時、バックコート膜が冷却キャンロール
１に接している。Embodiment 4 The apparatus shown in FIG. 1 was used. Support 3 is 6.
It is a 3 μm thick PET film. And 20-30
A back coat paint containing carbon black having a diameter of nm and a binder resin was applied to the back surface of the PET film, and a back coat film having a dry thickness of 0.5 μm was provided. When the support 3 is loaded in the apparatus, the back coat film is in contact with the cooling can roll 1.
【００３３】そして、下記の条件で１８５０Å厚のＦｅ
−Ｓｉ−Ｏ（Ｆｅ：Ｓｉ：Ｏ＝８５：６：９（原子
比））系磁性膜を成膜した。冷却キャンロール１の温度
は−２０℃に制御されている。支持体３の走行速度は２
ｍ／分である。ノズル７からの酸素供給量は２８ｓｃｃ
ｍである。ルツボ４には、純度が９９．９％で３〜７ｍ
ｍφのＦｅ粒体と、２〜５ｍｍφのシリコン粒体とが充
填された。尚、Ｆｅ：Ｓｉ＝８５：１５（原子比）であ
る。Then, under the following conditions, a 1850 mm thick Fe
A -Si-O (Fe: Si: O = 85: 6: 9 (atomic ratio)) based magnetic film was formed. The temperature of the cooling can roll 1 is controlled at -20 ° C. The traveling speed of the support 3 is 2
m / min. The oxygen supply from the nozzle 7 is 28 scc
m. Crucible 4 has a purity of 99.9% and 3-7m
mφ Fe particles and 2 to 5 mmφ silicon particles were filled. Note that Fe: Si = 85: 15 (atomic ratio).
【００３４】電子銃８により電子ビームをルツボ４内の
混合粒体５目掛けて照射し、Ｓｉが混じった溶融Ｆｅか
ら蒸発させた。支持体３に斜め蒸着する時の最小入射角
は５５°である。次に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置にベ
ンゼンを供給し、８５Å厚のダイヤモンドライクカーボ
ン膜を磁性膜の上に設けた。An electron beam was applied to the mixed particles 5 in the crucible 4 from the electron gun 8 to irradiate the mixed particles 5 to evaporate the molten Fe mixed with Si. The minimum incident angle for oblique deposition on the support 3 is 55 °. Next, benzene was supplied to the ECR plasma CVD apparatus, and a diamond-like carbon film having a thickness of 85 mm was provided on the magnetic film.
【００３５】又、表面に潤滑剤（デムナムＳＡ）の膜を
２０Å厚設け、この後通常の工程を経てＨｉ８ｍｍＶＴ
Ｒ用磁気テープを得た。Further, a lubricant (Demnum SA) film having a thickness of 20 mm is provided on the surface, and a Hi8 mm VT
A magnetic tape for R was obtained.
【００３６】[0036]
【実施例５】実施例４において、ルツボ４に充填した混
合粒体としてＦｅ：Ｓｉ＝９０：１０（原子比）のもの
を用い、厚さ１８２０ÅのＦｅ−Ｓｉ−Ｏ（Ｆｅ：Ｓ
ｉ：Ｏ＝８５：５：１０（原子比））系磁性膜を成膜し
た以外は実施例４に準じて行った。Fifth Embodiment In the fourth embodiment, a mixture of Fe: Si = 90: 10 (atomic ratio) was used as the mixed granules filled in the crucible 4, and the Fe--Si--O (Fe: S
i: O = 85: 5: 10 (atomic ratio)) A magnetic film was formed in the same manner as in Example 4 except that a magnetic film was formed.
【００３７】[0037]
【実施例６】実施例４において、ルツボ４に充填した混
合粒体としてＦｅ：Ｓｉ＝８０：２０（原子比）のもの
を用い、厚さ１８４０ÅのＦｅ−Ｓｉ−Ｏ（Ｆｅ：Ｓ
ｉ：Ｏ＝８０：１１：９（原子比））系磁性膜を成膜し
た以外は実施例４に準じて行った。Embodiment 6 In Embodiment 4, a mixture of Fe: Si = 80: 20 (atomic ratio) was used as the mixed granules filled in the crucible 4, and a 1840 ° thick Fe—Si—O (Fe: S
i: O = 80: 11: 9 (atomic ratio)) A magnetic film was formed according to Example 4 except that a magnetic film was formed.
【００３８】[0038]
【実施例７】図１に示す装置を用いた。支持体３は６．
３μｍ厚のＰＥＴフィルムである。そして、２０〜３０
ｎｍφのカーボンブラック及びバインダ樹脂を含むバッ
クコート塗料をＰＥＴフィルムの裏面に塗布し、乾燥厚
さが０．５μｍのバックコート膜を設けた。支持体３を
装置に装填した時、バックコート膜が冷却キャンロール
１に接している。Embodiment 7 The apparatus shown in FIG. 1 was used. Support 3 is 6.
It is a 3 μm thick PET film. And 20-30
A back coat paint containing carbon black having a diameter of nm and a binder resin was applied to the back surface of the PET film, and a back coat film having a dry thickness of 0.5 μm was provided. When the support 3 is loaded in the apparatus, the back coat film is in contact with the cooling can roll 1.
【００３９】そして、下記の条件で１８６０Å厚のＦｅ
−Ｐ−Ｏ（Ｆｅ：Ｐ：Ｏ＝８４：７：９（原子比））系
磁性膜を成膜した。冷却キャンロール１の温度は−２０
℃に制御されている。支持体３の走行速度は１０ｍ／分
である。ノズル７からの酸素供給量は２６ｓｃｃｍであ
る。ルツボ４には、純度が９９．９％で３〜７ｍｍφの
Ｆｅ粒体と、２〜５ｍｍφのリン粒体とが充填された。
尚、Ｆｅ：Ｐ＝８５：１５（原子比）である。Then, under the following conditions, a 1860 ° thick Fe
A -PO (Fe: P: O = 84: 7: 9 (atomic ratio)) based magnetic film was formed. The temperature of the cooling can roll 1 is -20.
℃ controlled. The traveling speed of the support 3 is 10 m / min. The supply amount of oxygen from the nozzle 7 is 26 sccm. The crucible 4 was filled with Fe particles having a purity of 99.9% and having a diameter of 3 to 7 mmφ and phosphorus particles having a purity of 2 to 5 mmφ.
Note that Fe: P = 85: 15 (atomic ratio).
【００４０】電子銃８により電子ビームをルツボ４内の
混合粒体５目掛けて照射し、Ｐが混じった溶融Ｆｅから
蒸発させた。支持体３に斜め蒸着する時の最小入射角は
５５°である。次に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置にベン
ゼンを供給し、８５Å厚のダイヤモンドライクカーボン
膜を磁性膜の上に設けた。An electron beam was applied to the mixed particles 5 in the crucible 4 from the electron gun 8 to irradiate the mixed particles 5 to evaporate the molten Fe mixed with P. The minimum incident angle for oblique deposition on the support 3 is 55 °. Next, benzene was supplied to the ECR plasma CVD apparatus, and a diamond-like carbon film having a thickness of 85 mm was provided on the magnetic film.
【００４１】又、表面に潤滑剤（デムナムＳＡ）の膜を
２０Å厚設け、この後通常の工程を経てＨｉ８ｍｍＶＴ
Ｒ用磁気テープを得た。Further, a film of a lubricant (Demnum SA) having a thickness of 20 mm is provided on the surface, and thereafter, a Hi8 mm VT
A magnetic tape for R was obtained.
【００４２】[0042]
【実施例８】実施例７において、ルツボ４に充填した混
合粒体としてＦｅ：Ｐ＝９０：１０（原子比）のものを
用い、厚さ１８３０ÅのＦｅ−Ｐ−Ｏ（Ｆｅ：Ｐ：Ｏ＝
８７：４：９（原子比））系磁性膜を成膜した以外は実
施例７に準じて行った。Example 8 In Example 7, a mixture of Fe: P = 90: 10 (atomic ratio) was used as the mixed granules filled in the crucible 4, and Fe--P--O (Fe: P: O =
87: 4: 9 (atomic ratio)) A magnetic film was formed according to Example 7, except that a magnetic film was formed.
【００４３】[0043]
【実施例９】実施例７において、ルツボ４に充填した混
合粒体としてＦｅ：Ｐ＝８０：２０（原子比）のものを
用い、厚さ１８５０ÅのＦｅ−Ｐ−Ｏ（Ｆｅ：Ｐ：Ｏ＝
７９：１１：１０（原子比））系磁性膜を成膜した以外
は実施例７に準じて行った。Embodiment 9 In Embodiment 7, a mixture of Fe: P = 80: 20 (atomic ratio) was used as the mixed granules filled in the crucible 4, and a Fe-P-O (Fe: P: O) having a thickness of 1850 ° was used. =
79:11:10 (atomic ratio)) A magnetic film was formed in the same manner as in Example 7 except that a magnetic film was formed.
【００４４】[0044]
【実施例１０】図１に示す装置を用いた。支持体３は
６．３μｍ厚のＰＥＴフィルムである。そして、２０〜
３０ｎｍφのカーボンブラック及びバインダ樹脂を含む
バックコート塗料をＰＥＴフィルムの裏面に塗布し、乾
燥厚さが０．５μｍのバックコート膜を設けた。支持体
３を装置に装填した時、バックコート膜が冷却キャンロ
ール１に接している。Embodiment 10 The apparatus shown in FIG. 1 was used. The support 3 is a PET film having a thickness of 6.3 μm. And 20
A back coat paint containing 30 nmφ carbon black and a binder resin was applied to the back surface of the PET film, and a back coat film having a dry thickness of 0.5 μm was provided. When the support 3 is loaded in the apparatus, the back coat film is in contact with the cooling can roll 1.
【００４５】そして、下記の条件で１８３０Å厚のＦｅ
−Ｂ−Ｏ（Ｆｅ：Ｂ：Ｏ＝８４：８：８（原子比））系
磁性膜を成膜した。冷却キャンロール１の温度は−２０
℃に制御されている。支持体３の走行速度は２ｍ／分で
ある。ノズル７からの酸素供給量は３２ｓｃｃｍであ
る。ルツボ４には、純度が９９．９％で３〜７ｍｍφの
Ｆｅ粒体と、２〜５ｍｍφのホウ素粒体とが充填され
た。尚、Ｆｅ：Ｂ＝８５：１５（原子比）である。Then, under the following conditions, an 1830 mm thick Fe
A -BO (Fe: B: O = 84: 8: 8 (atomic ratio)) based magnetic film was formed. The temperature of the cooling can roll 1 is -20.
℃ controlled. The traveling speed of the support 3 is 2 m / min. The supply amount of oxygen from the nozzle 7 is 32 sccm. The crucible 4 was filled with Fe particles having a purity of 99.9% and having a diameter of 3 to 7 mmφ and boron particles having a purity of 2 to 5 mmφ. Note that Fe: B = 85: 15 (atomic ratio).
【００４６】電子銃８により電子ビームをルツボ４内の
混合粒体５目掛けて照射し、Ｂが混じった溶融Ｆｅから
蒸発させた。支持体３に斜め蒸着する時の最小入射角は
５５°である。次に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置にベン
ゼンを供給し、８５Å厚のダイヤモンドライクカーボン
膜を磁性膜の上に設けた。An electron beam was applied to the mixed particles 5 in the crucible 4 from the electron gun 8 to irradiate the mixed particles 5 to evaporate the molten Fe mixed with B. The minimum incident angle for oblique deposition on the support 3 is 55 °. Next, benzene was supplied to the ECR plasma CVD apparatus, and a diamond-like carbon film having a thickness of 85 mm was provided on the magnetic film.
【００４７】又、表面に潤滑剤（デムナムＳＡ）の膜を
２０Å厚設け、この後通常の工程を経てＨｉ８ｍｍＶＴ
Ｒ用磁気テープを得た。Further, a film of a lubricant (Demnum SA) having a thickness of 20 mm is provided on the surface, and thereafter, Hi8 mmVT
A magnetic tape for R was obtained.
【００４８】[0048]
【実施例１１】実施例１０において、ルツボ４に充填し
た混合粒体としてＦｅ：Ｂ＝９０：１０（原子比）のも
のを用い、厚さ１８６０ÅのＦｅ−Ｂ−Ｏ（Ｆｅ：Ｂ：
Ｏ＝８６：６：８（原子比））系磁性膜を成膜した以外
は実施例１０に準じて行った。Embodiment 11 In the tenth embodiment, a mixture of Fe: B = 90: 10 (atomic ratio) was used as the mixed granules filled in the crucible 4, and a 1860 ° thick Fe—B—O (Fe: B:
O = 86: 6: 8 (atomic ratio) A magnetic film was formed according to Example 10 except that a magnetic film was formed.
【００４９】[0049]
【実施例１２】実施例１０において、ルツボ４に充填し
た混合粒体としてＦｅ：Ｂ＝８０：２０（原子比）のも
のを用い、厚さ１８４０ÅのＦｅ−Ｂ−Ｏ（Ｆｅ：Ｂ：
Ｏ＝８０：１０：１０（原子比））系磁性膜を成膜した
以外は実施例１０に準じて行った。Embodiment 12 In Embodiment 10, a mixture of Fe: B = 80: 20 (atomic ratio) was used as the mixed granules filled in the crucible 4, and Fe-BO (Fe: B:
O = 80: 10: 10 (atomic ratio)) A magnetic film was formed according to Example 10 except that a magnetic film was formed.
【００５０】[0050]
【比較例１】実施例１において、ルツボ４には純度が９
９．９％のＦｅのみを入れ、かつ、イオンガンにＣＨ4
を供給してＣイオンを照射し、厚さ１８５０ÅのＦｅ−
Ｃ−Ｏ（Ｆｅ：Ｃ：Ｏ＝８３：７：１０（原子比））系
磁性膜を成膜した以外は実施例１に準じて行った。Comparative Example 1 In Example 1, the crucible 4 had a purity of 9
Only 9.9% Fe was added, and CH 4 was added to the ion gun.
And irradiate C ions to obtain a 1850 ° thick Fe-
The procedure was performed in the same manner as in Example 1 except that a C—O (Fe: C: O = 83: 7: 10 (atomic ratio)) based magnetic film was formed.
【００５１】[0051]
【比較例２】実施例４において、ルツボ４には純度が９
９．９％のＦｅのみを入れ、かつ、イオンガンにＳｉＨ
4 を供給してＳｉイオンを照射し、厚さ１８３０ÅのＦ
ｅ−Ｓｉ−Ｏ（Ｆｅ：Ｓｉ：Ｏ＝８５：６：９（原子
比））系磁性膜を成膜した以外は実施例４に準じて行っ
た。Comparative Example 2 In Example 4, the crucible 4 had a purity of 9
Only 9.9% Fe is added and the ion gun is SiH
4 is supplied and irradiated with Si ions, and the F
Example 4 was repeated except that an e-Si-O (Fe: Si: O = 85: 6: 9 (atomic ratio)) based magnetic film was formed.
【００５２】[0052]
【比較例３】実施例７において、ルツボ４には純度が９
９．９％のＦｅのみを入れ、かつ、イオンガンにＰＨ3
を供給してＰイオンを照射し、厚さ１８７０ÅのＦｅ−
Ｐ−Ｏ（Ｆｅ：Ｐ：Ｏ＝８４：７：９（原子比））系磁
性膜を成膜した以外は実施例７に準じて行った。Comparative Example 3 In Example 7, the crucible 4 had a purity of 9
Only 9.9% Fe is added, and PH 3 is added to the ion gun.
To irradiate P ions to obtain a 1870 ° thick Fe-
Example 7 was repeated except that a PO (Fe: P: O = 84: 7: 9 (atomic ratio)) magnetic film was formed.
【００５３】[0053]
【比較例４】実施例１０において、ルツボ４には純度が
９９．９％のＦｅのみを入れ、かつ、イオンガンにＢ2
Ｈ6 を供給してＢイオンを照射し、厚さ１８６０ÅのＦ
ｅ−Ｂ−Ｏ（Ｆｅ：Ｂ：Ｏ＝８４：８：８（原子比））
系磁性膜を成膜した以外は実施例１０に準じて行った。Comparative Example 4 In Example 10, crucible 4 contained only Fe having a purity of 99.9%, and B 2 was added to the ion gun.
By supplying H 6 and irradiating B ions, a 1860 ° thick F
e-BO (Fe: B: O = 84: 8: 8 (atomic ratio))
The procedure was performed in the same manner as in Example 10 except that a system magnetic film was formed.
【００５４】[0054]
【特性】上記各例で得たＨｉ８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ
について、磁気特性（飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力Ｈｃ）
及び電磁変換特性（出力）を調べたので、その結果を表
−１に示す。 表−１ 磁気特性 出力(dB) Bs(G) Hc(Oe) １MHz ５MHz 10MHz 20MHz 実施例１ 5800 1580 +0.8 +1.2 +1.5 +1.8 実施例２ 6200 1530 +1.2 +1.4 +1.7 +2.0 実施例３ 5500 1600 +0.5 +0.8 +1.1 +1.3 比較例１ 5300 1550 ０ ０ ０ ０ 実施例４ 5750 1590 +1.1 +1.3 +1.7 +1.9 実施例５ 6100 1540 +1.3 +1.5 +1.8 +2.0 実施例６ 5500 1580 +0.6 +0.8 +1.1 +1.2 比較例２ 5250 1570 ０ ０ ０ ０ 実施例７ 5600 1570 +0.9 +1.1 +1.6 +1.9 実施例８ 6000 1510 +1.2 +1.3 +1.8 +2.2 実施例９ 5300 1530 +0.8 +0.9 +1.1 +1.2 比較例３ 5100 1550 ０ ０ ０ ０ 実施例10 5700 1560 +0.9 +1.2 +1.4 +1.8 実施例11 6050 1500 +1.2 +1.5 +1.6 +2.1 実施例12 5400 1540 +0.8 +0.9 +1.2 +1.4 比較例４ 5150 1540 ０ ０ ０ ０ ＊磁気特性はＶＳＭ（理学電子製の振動試料型磁力計）により求めた。[Characteristics] Magnetic properties (saturation magnetic flux density Bs, coercive force Hc) of the magnetic tape for Hi8mm VTR obtained in each of the above examples.
And the electromagnetic conversion characteristics (output) were examined. The results are shown in Table 1. Table 1 Magnetic characteristic output (dB) Bs (G) Hc (Oe) 1MHz 5MHz 10MHz 20MHz Example 1 5800 1580 +0.8 +1.2 +1.5 +1.8 Example 2 6200 1530 +1.2 +1.4 +1.7 +2.0 Example 3 5500 1600 +0.5 +0.8 +1.1 +1.3 Comparative Example 1 5300 1550 0000 0 Example 4 5750 1590 +1.1 +1.3 +1.7 +1.9 Example 5 6100 1540 +1.3 +1.5 +1.8 +2.0 Example 6 5500 1580 +0.6 +0.8 +1.1 +1.2 Comparative Example 2 5250 1570 000 0 Example 7 5600 1570 +0.9 +1.1 +1.6 +1.9 Example 8 6000 1510 +1.2 +1.3 +1.8 +2.2 Example 9 5300 1530 +0.8 +0.9 +1.1 +1.2 Comparative Example 3 5100 1550 000 0 Example 10 5700 1560 +0.9 +1.2 +1.4 +1.8 Example 11 6050 1500 +1.2 +1.5 +1.6 +2.1 Example 12 5400 1540 +0.8 +0.9 +1.2 +1.4 Comparative Example 4 5150 1540 000 * Magnetic properties were determined by a VSM (vibrating sample magnetometer manufactured by Rigaku Denshi).
【００５５】＊出力は、市販のＨｉ８ＶＴＲを改造し、
１〜２０ＭＨｚでの出力をスペクトルアナライザを用い
て測定。値は比較例を基準（０ｄＢ）。これによれば、
本発明の方法により得られる磁性膜は磁気特性に優れ、
かつ、出力の高いものが得られている。* The output is modified from a commercially available Hi8 VTR,
The output at 1 to 20 MHz was measured using a spectrum analyzer. The value is based on the comparative example (0 dB). According to this,
The magnetic film obtained by the method of the present invention has excellent magnetic properties,
In addition, a high output is obtained.
【００５６】[0056]
【発明の効果】磁気特性、及び電磁変換特性に優れた磁
性膜を有する磁気記録媒体が低廉なコストで得られる。As described above, a magnetic recording medium having a magnetic film having excellent magnetic characteristics and electromagnetic conversion characteristics can be obtained at low cost.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】磁気記録媒体の製造装置の概略図FIG. 1 is a schematic diagram of an apparatus for manufacturing a magnetic recording medium.
１ 冷却キャンロール ３ 支持体 ４ ルツボ ５ 材料 ７ ノズル ８ 電子銃 Reference Signs List 1 cooling can roll 3 support 4 crucible 5 material 7 nozzle 8 electron gun
フロントページの続き (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 宮村 猛史 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内Continued on the front page (72) Inventor Katsumi Endo 2606 Akabane, Kaigai, Haga-gun, Tochigi Prefecture Kao Co., Ltd. (72) Inventor Takeshi Miyamura 2606 Akabane, Kaigamachi, Haga-gun, Tochigi Prefecture Kao Corporation Information Science Laboratory
Claims (8)
する磁気記録媒体の製造方法であって、 Ｆｅ：Ｃ＝９８：２〜６５：３５（原子比）のＦｅ及び
Ｃ系材料を配置する工程と、 前記配置された材料のＦｅ及びＣを飛散させ、前記支持
体上に堆積させて磁性膜を成膜する工程と、 前記磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを具
備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。1. A method for producing a magnetic recording medium having a Fe—CO—based magnetic film on a support, comprising: Fe: C = 98: 2 to 65:35 (atomic ratio) Fe and C based A step of disposing a material; a step of scattering Fe and C of the disposed material to deposit on the support to form a magnetic film; and supplying an oxidizing substance when the magnetic film is formed. And a method for manufacturing a magnetic recording medium.
有する磁気記録媒体の製造方法であって、 Ｆｅ：Ｓｉ＝９８：２〜６５：３５（原子比）のＦｅ及
びＳｉ系材料を配置する工程と、 前記配置された材料のＦｅ及びＳｉを飛散させ、前記支
持体上に堆積させて磁性膜を成膜する工程と、 前記磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを具
備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。2. A method for producing a magnetic recording medium having a Fe—Si—O-based magnetic film on a support, wherein Fe: Si = 98: 2 to 65:35 (atomic ratio) Fe and Si-based A step of disposing a material, a step of scattering Fe and Si of the disposed material and depositing the Fe and Si on the support to form a magnetic film, and supplying an oxidizing substance when the magnetic film is formed. And a method for manufacturing a magnetic recording medium.
する磁気記録媒体の製造方法であって、 Ｆｅ：Ｐ＝９８：２〜６５：３５（原子比）のＦｅ及び
Ｐ系材料を配置する工程と、 前記配置された材料のＦｅ及びＰを飛散させ、前記支持
体上に堆積させて磁性膜を成膜する工程と、 前記磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを具
備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。3. A method for producing a magnetic recording medium having a Fe—PO—based magnetic film on a support, comprising: Fe: P = 98: 2 to 65:35 (atomic ratio) Fe and P-based A step of disposing a material; a step of scattering Fe and P of the disposed material to deposit on the support to form a magnetic film; and supplying an oxidizing substance when forming the magnetic film. And a method for manufacturing a magnetic recording medium.
する磁気記録媒体の製造方法であって、 Ｆｅ：Ｂ＝９８：２〜６５：３５（原子比）のＦｅ及び
Ｂ系材料を配置する工程と、 前記配置された材料のＦｅ及びＢを飛散させ、前記支持
体上に堆積させて磁性膜を成膜する工程と、 前記磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを具
備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。4. A method of manufacturing a magnetic recording medium having a Fe—BO—based magnetic film on a support, comprising: Fe: B = 98: 2 to 65:35 (atomic ratio) Fe and B-based A step of disposing a material; a step of scattering Fe and B of the disposed material to deposit on the support to form a magnetic film; and supplying an oxidizing substance when the magnetic film is formed. And a method for manufacturing a magnetic recording medium.
膜工程であることを特徴とする請求項１〜請求項４いず
れかの磁気記録媒体の製造方法。5. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the step of forming the magnetic film is a step of forming a film by a vapor deposition unit.
Ｃ，Ｓｉ，Ｐ又はＢ）が混ざった混合部から粒子が飛散
し、支持体上に堆積して磁性膜が成膜されるものである
ことを特徴とする請求項１〜請求項５いずれかの磁気記
録媒体の製造方法。6. A step of forming a magnetic film, wherein particles are scattered from a mixed portion in which X is mixed with X (X is C, Si, P or B) and deposited on a support to form a magnetic film. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein
ＦｅとＸ（ＸはＣ，Ｓｉ，Ｐ又はＢ）とにエネルギーが
印加され、これにより溶融Ｆｅ中にＸが混ざった混合溶
融部から粒子が飛散し、支持体上に堆積して磁性膜が成
膜されるものであることを特徴とする請求項１〜請求項
６いずれかの磁気記録媒体の製造方法。7. In the step of forming a magnetic film, energy is applied to Fe and X (X is C, Si, P or B) supplied separately, whereby X is mixed in molten Fe. 7. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein particles are scattered from the mixed and melted portion and deposited on the support to form a magnetic film.
酸素ガスを吹き付ける工程であることを特徴とする請求
項１〜請求項４いずれかの磁気記録媒体の製造方法。8. The step of supplying an oxidizing substance during film formation,
5. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the step of blowing oxygen gas is performed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24657696A JPH1092683A (en) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | Manufacturing method of magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24657696A JPH1092683A (en) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | Manufacturing method of magnetic recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092683A true JPH1092683A (en) | 1998-04-10 |
Family
ID=17150482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24657696A Pending JPH1092683A (en) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | Manufacturing method of magnetic recording medium |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JPH1092683A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008093777A1 (en) | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Panasonic Corporation | Lithium cell electrode, and method for manufacturing the lithium cell electrode |
-
1996
- 1996-09-18 JP JP24657696A patent/JPH1092683A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008093777A1 (en) | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Panasonic Corporation | Lithium cell electrode, and method for manufacturing the lithium cell electrode |
| US8129076B2 (en) | 2007-02-02 | 2012-03-06 | Panasonic Corporation | Electrode for lithium batteries and method of manufacturing electrode for lithium batteries |
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