JPH1083751A

JPH1083751A - 逆電力保護回路及びリレー

Info

Publication number: JPH1083751A
Application number: JP9044515A
Authority: JP
Inventors: Roger R Graeber; ロジャー・アール・グレーバー; Grant D Marr; グラント・ディー・マール; Darrell H Richardson; ダレル・エイチ・リチャードソン
Original assignee: Hewlett Packard Co
Current assignee: HP Inc
Priority date: 1996-02-29
Filing date: 1997-02-28
Publication date: 1998-03-31
Also published as: US5861787A; US5684441A

Abstract

(57)【要約】【課題】４GHzを越える周波数で良好に動作する一
方、かかる高周波数で確実な電力保護を提供する、低コ
ストの逆電力保護回路を提供すること。【解決手段】高周波機器用のリレー及び高周波機器用
の逆電力保護回路。リレー(10)は、安価で構成可能であ
り、約５GHzまで良好なインピーダンス整合を可能と
し、共面導波管伝送ライン上に容易に取り付け可能なも
のとなる。この回路は８μsecという短い時間にわたる
逆電力条件に応じてリレー(10)を開放させることがで
き、良好な接地及び機能を４GHzまで確実に提供するも
のとなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、無線周波数（Ｒ
Ｆ）機器を高電力ＲＦ信号の偶発的な注入から保護する
回路及び装置に関し、特に逆電力保護用（ＲＰＰ）制限
／検出回路及びリレーに関し、そのリレーは、プリント
回路基板（ＰＣＢ）上に容易に取り付け可能で約５GHz
まで確実に動作し、前記ＲＰＰ制限／検出器回路は４GH
zまで良好に動作するものである。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】信号生
成器、スペクトル分析器、ネットワークアナライザ、及
び測定受信器等のＲＦ機器は、50Ｗまたはそれ以上の高
電力ＲＦ信号が機器の外部信号ポートに偶発的に加えら
れた場合にかかる高電力ＲＦ信号にさらされることがあ
る。これらの機器の敏感な内部回路は、かかる高電力信
号にさらされた際に損傷する可能性がある。この内部回
路を保護するために、ＲＰＰ制限／検出回路及びリレー
が使用されている。

【０００３】典型的には、所定バイアス電圧を有する分
路として外部信号ポートに接続された制限ダイオード
が、順方向の正常信号レベルを許容する一方、逆方向信
号入力を所定電圧レベルに制限する。ダイオードのサイ
ズは、信号経路に沿ってインピーダンス整合を行うこと
により信号反射及びその結果として生じる信号劣化を動
作周波数範囲にわたり最小限にするという必要性によっ
て制限される。小さいダイオードは小さい静電容量しか
有しておらず、したがって回路の全体のインピーダンス
にはあまり影響しない。このようにサイズが小さい場
合、かかるダイオードは内部回路を高電力信号から短時
間しか保護することができない。かかる短時間後にダイ
オードは故障し、機器が高電力ＲＦ信号にさらされるこ
とになる。

【０００４】ＲＦ機器の内部回路の保護を強化するため
に、ＲＦ出力コネクタと制限ダイオードとの間の信号経
路にリレーが設置される。通常はリレーは閉じていて信
号をいずれかの方向に流すことができる。所定のしきい
値を越える逆電力信号の注入に応じてリレーがＲＰＰ制
限／検出回路によりトリガされて開放する。このリレー
の開放によって、制限ダイオード及び内部回路が損傷か
ら保護される。

【０００５】制限ダイオードが内部回路を保護するため
の一時的時間を与える一方、逆電力サージがＲＰＰ制限
／検出回路により検出されてリレーが開放状態へと切り
替えられる。ダイオード、リレー及びその結合コンデン
サ、及びＲＰＰ制限／検出回路は、通常動作時における
信号反射及びそれに関連する信号劣化を回避するために
共にＲＦ機器と厳密にインピーダンス整合していなけれ
ばならない。

【０００６】既知のＲＰＰ制限／検出回路及びリレー
は、ダイオード及び伝送ラインの構造の双方についてマ
イクロストリップ伝送ラインを使用している。表面実装
ダイオードと接地平面との間の長い接続によって生じる
直列インダクタンスにより、これらプリント回路のマイ
クロストリップ構成の周波数上限がほぼ3.5GHzになる。
４GHzを越える周波数で良好に動作するＲＰＰ制限／検
出回路を製作するには、接地までの経路長を短縮しなけ
ればならない。これは、従来は、薄い回路材料とマイク
ロストリップ上にダイオードチップが接合されたマイク
ロ回路構成とを使用することにより行なわれている。か
かるマイクロ回路は、典型的には、ＰＣＢより高価なも
のであり、所望の性能を他の方法で達成することができ
ない場合にしか使用されていない。厚膜マイクロ回路及
びワイヤボンディングを使用した最も良く知られている
ＲＰＰ制限／検出回路及びリレーでさえ、２GHzより上
で行なう動作は比較的不満足なものであり、かかる高周
波数で提供可能な電力保護が低下し、しかもその実施の
ためのコストは比較的高いものとなる。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の好適実施
例は、低コストの同軸リレー及び非常に高速のＲＰＰ制
限／検出回路を備えている。当該リレーは、ガラスリー
ドスイッチ、エラストマ導電管、外側金属接地シール
ド、磁気コイル−ボビンセンブリ、及び外側ハウジング
を備えている。前記接地シールドは、本発明で使用され
る接地平面との極めて低インピーダンスの接続をもたら
し、リレー全体を既知の同軸リレーよりはるかに低コス
トで組み立て可能なものである。このリレーが接続され
るＲＰＰ制限／検出回路は、逆電力信号を極めて迅速に
検知することができ、その逆電力信号が印加されてから
８〜10μsec以内に同軸リレーを開放させることができ
る。高電圧ツェナーダイオード及び高電圧トランジスタ
をＲＰＰ制限／検出回路に使用することにより、この高
速の応答時間が可能になる。

【０００８】以下、本発明を図面を参照して説明する。

【０００９】

【発明の実施の形態】

リレーここで説明する同軸リレー10（図３を参照）は、４GHz
を超えるまで20dＢの反射減衰量及び 1.22:1のＶＳＷＲ
を有する低コストのリレーである。このリレー10は、Ｐ
ＣＢに表面実装された際に４GHzを超えるまで50Ωの伝
送ラインの特性を維持する。リレー10は、ＲＰＰ制限／
検出回路100（図６を参照）に接続されると、６μsecも
の短い時間で開放することが可能となる。

【００１０】これらの性能特性を得るために、リレー10
の外側シールド接続をＰＣＢと慎重に整合させなければ
ならない。リレー10の外側シールド12（図１(a)を参
照）の両端から２つのシールド接点14を伸張させること
により、外側シールド12との間の低インダクタンス接続
が可能となる。それらシールド接点14は、ＰＣＢに直接
はんだ付けされる。

【００１１】少なくとも一つの既知のリレーは、そのリ
レーを開閉させるために使用されるガラスリードスイッ
チの周りを箔シールドで覆ったものである。その箔は、
ガラスリードスイッチの固体ガラス端の周りに空隙を残
すものであり、その結果、異なるリレー間でインピーダ
ンス変動が生じることになる。これは、米国特許第5,25
8,731号で教示されているように、箔シールドの代わり
にエラストマ導電管を使用することにより部分的に解決
される。また、以前に既知であったＰＣＢリレーは、同
軸接地接続のために両端に長いリードを備えている。こ
の長いリードに起因する接地インピーダンスの増大によ
り、２GHzより上で性能の劣化が生じることになる。

【００１２】リレー10（図３を参照）は、階段状インピ
ーダンスのローパスフィルタ構造を作ることにより形成
される。リードスイッチ16は、リードスイッチ・ワイヤ
18がリードスイッチ16の両端でガラス中に完全に収容さ
れるように形成されている。リードスイッチ16の中間で
は、接点が空気で取り囲まれている。リードスイッチワ
イヤ18がガラス中に収容されている区画21は、低インピ
ーダンス伝送ラインを形成する。リードスイッチワイヤ
18が空気で取り囲まれている区画23は、高インピーダン
ス伝送ラインを形成する。したがって、リードスイッチ
16は、第１の低インピーダンス区画21、高インピーダン
ス区画23、及び第２の低インピーダンス区画21を有して
いる。この一連の区画によりローパスフィルタが形成さ
れる。

【００１３】低インピーダンス区画21のインピーダンス
値は、リレーが変わっても一貫していなければならな
い。このため、上述の米国特許第5,258,731号の場合の
ように、エラストマ導電管25を用いてガラスリードスイ
ッチ16が覆われている。エラストマ導電管25は、スイッ
チ16に形状的に適応して考え得る空隙を最小限にし、こ
れにより一貫した外側シールド直径を生成し、その結果
として一貫したインピーダンス値が得られることにな
る。

【００１４】リレーを組み立てるために、金属管12（図
１(a),(b)を参照）が、両端に二つの接地接点14を有す
るスズメッキが施された真鍮から形成される。この金属
管12の全長にわたりスロット35が形成され、これにより
金属管12が短絡巻(shorted turn)にならないようにし、
金属管12中に電流が流れるのを防止して、完成したリレ
ーの開路時間を短縮させる。電流が存在しない場合に
は、接点ワイヤを１つにまとめて保持する磁界を維持す
ることができなくなってリレーが開く。エラストマ導電
管25（図３を参照）は、上述の米国特許第5,258,731号
で説明されているものと実質的に同一であり、管12の内
部に設置される。次いで、ガラスリードスイッチ16が、
金属管12とエラストマ導電管25とを組み合わせたアセン
ブリ内に押し込まれる。次いで、磁気コイル−ボビンア
センブリ41（図２及び図３を参照）がプラスチック製ハ
ウジング51の内側に設置される。リードスイッチ16、エ
ラストマ導電管25、及び金属管25の組み合わせ体は、ハ
ウジング／ボビンアセンブリの中心にくるまでプラスチ
ック製ハウジング51の穴53及びボビン41の穴43を通過さ
せられる。このようにして完成されたアセンブリは、次
いで既知のエポキシ組成物を使用してカプセル化され、
これにより、各種構成要素の正規位置からのずれが防止
される。リレーアセンブリを完成するために、カプトン
から作られた薄い絶縁ワッシャー55がエラストマ管25の
両端に設置され、これにより、ＰＣＢの共面導体の中心
導体への金属管25の短絡が防止される（図４を参照）。
かかる中心導体は、その中心導体とリレーとの間の接続
のインダクタンスを最小限にするために、可能な限りリ
レーの近くまで延びていなければならない。

【００１５】完成したリレー10は、大量生産時のコスト
がほぼ＄7.00であり（これは上述の米国特許第5,258,73
1号のリレーのコスト＄130.00と大きく異なる）、少な
くとも最高５GHzまで20dＢの反射減衰量で極めて良好な
50Ωのインピーダンス整合をもたらし、またＰＣＢに表
面実装可能なものとなる。完成したリレーのパッケージ
高さも、その正しい機能にとって決定的なものとなる。
かかるパッケージ高さをＰＣＢの上下で所定の高さ以内
に保つことにより、リレーの通過帯域内における望まし
くないモードの発生が排除される。二つの接地接点14
は、良好な接地接触及びＰＣＢとリレー10との間の良好
なインピーダンス整合を可能とする。これと同等に重要
なのは、それらによって共面導波管のいずれの側でも電
磁界の平衡化が容易になることである。

【００１６】逆電力保護用制限／検出回路図４は２つの接地平面73によって囲まれた中心導体71で
構成された共面導波管伝送ライン70の側面図である。同
図に示す共面導波管伝送ラインは既知のものであり、本
発明に使用されているものと同様のものである。

【００１７】図５は、本発明で使用する共面導波管伝送
ライン及びＲＰＰ制限／検出回路を示す平面図である。
既知のＰＣＢ製作プロセスでは、導電材料をエッチした
後にメッキしている。本発明で所望の性能を得るため
に、ＰＣＢの製作でこれまで典型的に行なわれてきたも
のより遙かに厳密なプロセス制御が行なわれる。これに
より遙かに厳密な公差が可能になる。好適実施例では、
導体及び接地平面の幅を±1／2ミル以内に制御し、また
トレースの厚さ及び接地平面とトレースとの間隔を±3
／10ミル以内に制御することが可能となる。導体81は、
その各端部にＲＦコネクタ87,89を備えている。接地平
面83と導体81との距離は、その長さ方向に沿って変化す
る。この接地平面83と導体81との距離は、コネクタ87と
リレー10との間で、コネクタ87の部分における19ミルか
らリレー10の部分における12ミルへと狭くなっている。
また、接地パッチ82と導体81との間では、接地平面83と
導体81との距離は11.5ミルとなっている。

【００１８】ダイオード85は、中心導体81と接地平面83
との間に逆バイアス構成で接続されており、通常の条件
下では導通せず信号出力に影響を与えないようになって
いる。適切なインピーダンス整合を維持するために、ダ
イオード85の静電容量を伝送ラインの静電容量と整合さ
せなければならない。ダイオードの静電容量をローパス
フィルタ構造の一部にすることは、この整合プロセスを
容易にする一つの方法である。また、ダイオード経路長
を含む導体と接地との間の接続の長さを可能な限り短く
保って、寄生インピーダンスを最小限にしなければなら
ない。これらの制約がある場合、ダイオード85は接地平
面83にＡＣ接続されなければならない。このＡＣ接続
は、少なくとも４GHzまで、好適には５GHzまで良好な接
地接続をもたらすものでなければならない。

【００１９】導体81の両側にある接地パッチ82は、接地
平面83の残りの部分から絶縁されている。パツチ82は、
望ましくないモードの伝播を回避するために、可能な限
り小さく保たなければならない。異なる値を有する複数
のコンデンサ86が接地パッチ82と接地平面83との間に接
続される。コンデンサ86の値は、51〜680pＦまで変化す
る。各接地パッチも、それを接地平面83に接続する僅か
に異なる総静電容量値を有しており、これにより、コン
デンサに関連する共振及び望ましくないモードの伝播が
最小限になる。一層小さい値を有するコンデンサは高周
波接地を行い、一層大きい値を有するコンデンサは低周
波接地を行なうものとなる。コンデンサの正確な値は、
異なる周波数範囲について必要に応じて変更することが
できる。また、接地パッチ82は互いに直接交差しないも
のである。必要となる横方向距離を計算するには既知の
方法を使用する。また、接地パッチ自身がＲＰＰ回路に
共振を付与するので、接地パッチ82は可能な限り小さく
する。

【００２０】接地パッチ82と接地平面83との間の付加的
なＡＣ接地は、ＰＣＢの他の内層に接地層（図示せず）
を追加することにより得られる。全ての追加接地層及び
接地平面83を共に接続するために多数のバイアが付加さ
れる。その接続が行われた後、接地パッチ82は、ＰＣＢ
の第２の層上の接地平面83と共に形成された平行平面コ
ンデンサを備えたものとなる。この接地平面とバイアと
の組み合わせにより、４GHzまでの周波数で優れた接地
が得られる。

【００２１】リレー10の接地接点14（図１(a)及び図５
を参照）は、バイアを使用しないで接地平面83に直接取
り付けられる。既知の逆電力保護回路では、幅の狭い接
触ストリップがリレーの接地接続をマイクロストリップ
伝送ラインに接続している。かかる接触ストリップは、
インダクタンスを付加し、回路の高周波性能を制限する
ものとなる。本発明では、接地平面に対するリレーの直
接接続により、発生するインダクタンスが小さくなり、
高周波性能が改善される。

【００２２】共面導波管伝送ラインの接地平面間に生じ
る接地不平衡及びモードを防止するために、回路基板の
背面の幅の狭いストリップ（図示せず）によって接地平
面が共に接続される。

【００２３】ＳＭＡ同軸コネクタ87,89と本発明のＰＣ
Ｂとの間の接続もまた、既知の技術と比較してインダク
タンスを低減させるものとなる。これは、同軸コネクタ
の外側導体が接地平面に直接接続されるからである。図
５及び図６に示したように、コンデンサ91は、リレー10
とダイオード85との間の導体81の区画を共に接続するも
のである。これらのコンデンサ91は、ＤＣブロックコン
デンサとして働き、回路をトリップさせることなく高い
ＤＣ電圧をＲＰＰ制限／検出回路の入力に加えることを
可能にする。本実施例では、コンデンサ91は、適切なイ
ンピーダンス整合を得るためそれらの側面に取り付けら
れている。

【００２４】ここで図６を参照する。通常の動作時には
リレー10は閉じており、出力信号はRF_INからRF_OUTま
で伝わる。逆電力状況では、ラインRF_OUT上の信号レベ
ルが6.2Ｖに達した際に、ピークダイオード85が導通し
始め、これにより過渡吸収器(transient absorber)92,9
3の両端の電圧が上昇する。過渡吸収器92,93及びダイオ
ード85は、到来する逆電力波形を±7.7Ｖに制限する。
これらは、１msec間で最大600Ｗを吸収することができ
る。過渡吸収器92,93のバイアス点は可能な限り高く設
定される。これにより、回路が高速化し、過渡吸収器9
2,93の静電容量の事前充電による保護レベルが増大す
る。

【００２５】過渡吸収器92,93の両端の電圧が上昇する
際に、抵抗器103,104,105からなる分圧器101が出力電圧
信号を生成し、この信号が比較器110の負入力に加えら
れる。この実施例では、逆電力信号の正の側だけを使用
してＲＰＰ制限／検出回路への入力を供給する。別の実
施例では、同様のピーク検出器を使用して逆電力信号の
負側のみを検出することが可能であり、または、正及び
負のピーク検出器を両方とも設けることにより逆電力信
号の正負両側を検出することができる。回路120は、温
度補償が行われた極めて安定した電圧しきい値信号を比
較器110の正入力に供給する。分圧器101からの出力電圧
信号が回路120により供給されるしきい値電圧を越えて
上昇する際に、比較器110は、その上昇を検知し、それ
がしきい値電圧を超えた際に低レベル出力を発生する。
比較器110のしきい値電圧は、過渡吸収器92,93のバイア
ス電圧よりも高く設定される。過渡吸収器92,93のバイ
アス電圧が高くなるほど、それらを事前充電を一層多く
行うことが可能となり、これにより、一層良好な静電放
電（ＥＳＤ）保護が得られる。比較器110の出力は、Ｎ
ＡＮＤゲート130,140からなるセット-リセットフリップ
フロップに加えられる。このフリップ-フロップの出力
が高くなると、ＮＡＮＤゲート141の出力が低くなる。
これにより、トランジスタ151がターンオンし、これに
より、トランジスタ153がターンオフする。トランジス
タ153のターンオフによってリレー10のコイルを流れる
電流が止まり、リレー10が開く。ツェナーダイオード17
1は、160Ｖという非常に高いしきい値電圧を有するもの
であり、これによりリレー10の極めて急速な開放が可能
となる。ダイオード171の電界に吸収されるエネルギー
が多くなればなるほどリレー10の磁気コイルに流入する
利用可能な電流が減少していく。この電流が減少するに
つれて磁界が弱くなり、接点を一層速く開放させること
が可能となる。信号レベルが上昇してからリレー接点が
開放するまでの過程全体に８〜10μsecを要する。リレ
ーを開放させるために要する時間中、過渡吸収器92,93
は、逆電力信号の振幅を制限する。ワンショットリセッ
ト回路160は、比較器161,163から構成される。リレー10
が一旦開放してしまうと、そのリレー10を再び閉じるた
めにＲＰＰ制限／検出回路がリセットライン170上でリ
セット信号を受信しなければならない。リレー10を開放
させた逆電力信号が依然として存在する場合には、たと
えリセット信号が連続して表明されている場合であって
も、ワンショットリセット回路160は、ＲＰＰ制限／検
出回路がリレー10を再び開放させることを許容する。ワ
ンショットリセット回路160は、リセット信号が表明さ
れる度に、幅の狭いパルスを１つだけＲＰＰ制限／検出
回路のセット-リセットフリップフロップに供給する。

【００２６】本発明は、既知のマイクロストリップ伝送
ラインを有する印刷回路装置と比較して、一層低い挿入
損失、一層高い周波数応答、及び一層良好なインピーダ
ンス整合を呈するものである。本発明はまた、既知の回
路よりも高レベルの逆電力に対しても保護をもたらすも
のとなる。本発明は、４GHzまでの周波数で20dＢよりも
良好な反射減衰量（1.22:1ＶＳＷＲ）を呈するものとな
った。

【００２７】以下においては、本発明の種々の構成要件
の組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。

【００２８】１．スイッチリードを有する円筒形状のガ
ラスリードスイッチと、そのガラスリードスイッチを取
り囲むエラストマ導電管と、そのエラストマ導電管を取
り囲む導電性金属接地シールドであって、長手方向に延
びるスロットと、両端における２つの伸張された接地接
点とを備えている、導電性金属接地シールドと、中央に
軸方向開口を有する電磁コイルアセンブリであって、前
記ガラスリードスイッチと前記エラストマ導電管と前記
導電性金属接地シールドとを組み合わせたものが前記軸
方向開口を通して挿入されて当該電磁コイルアセンブリ
の両端を越えて延びることになる、電磁コイルアセンブ
リと、前記電磁コイルアセンブリと前記ガラスリードス
イッチと前記エラストマ導電管と前記導電性金属接地シ
ールドとを組み合わせたものが挿入される外側ハウジン
グであって、その挿入物が埋込用材料により内部に固定
されて前記接地接点及び前記スイッチリードが当該外側
ハウジングから突出することになる、外側ハウジングと
を備えていることを特徴とする、高周波機器用のリレ
ー。

【００２９】２．前記接地接点が、中間にバイアを用い
ることなく共面伝送導波管の接地平面に直接接続されて
いる、前項１に記載のリレー。

【００３０】３．信号ラインと第１及び第２のＡＣ接地
パッチとの間にそれぞれ接続された第１及び第２の逆バ
イアスダイオードと、前記ＡＣ接地パッチと第１及び第
２の接地平面との間に接続された第１及び第２の複数の
コンデンサと、前記ＡＣ接地パッチと前記第１及び第２
の接地平面との間に接続された第１及び第２の過渡吸収
器と、前記ＡＣ接地パッチ及び所定の電圧トリガしきい
値を有する第１の比較器の少なくとも一方に接続された
抵抗性分圧回路網と、前記第１の比較器のしきい値を超
えた際に所定の論理信号出力を生成するフリップフロッ
プ回路と、インバータを介して前記フリップフロップ回
路に接続された第１のトランジスタであって、スイッチ
として作用し、前記フリップフロップ回路の前記論理信
号出力に応じて状態を変える、第１のトランジスタと、
その第１のトランジスタに接続された第２のトランジス
タであって、スイッチとして作用し、前記第１のトラン
ジスタの状態変化に応じて状態を変える、第２のトラン
ジスタと、入力及び出力を有するリレーであって、その
リレーにおける電磁コイルの除勢及び付勢によって開放
及び閉鎖し、前記第２のトランジスタがその状態を変え
る際に前記電磁コイルが除勢される、リレーとを備えて
いることを特徴とする、逆電力保護回路。

【００３１】４．ワンショット回路が前記フリップフロ
ップ回路に接続され、リセット信号が当該逆電力保護回
路に加えられたとき逆電力信号を受信中である場合にフ
リップフロップ回路がその最初のトリガ後に発振するの
を前記ワンショット回路により防止する、前項３に記載
の逆電力保護回路。

【００３２】５．スイッチリードを有する円筒形状のガ
ラスリードスイッチと、そのガラスリードスイッチを取
り囲むエラストマ導電管と、そのエラストマ導電管を取
り囲む導電性金属接地シールドであって、その両端に２
つの伸張された接地接点を有している、導電性金属接地
シールドと、中央に軸方向開口を有する電磁コイルアセ
ンブリであって、前記ガラスリードスイッチと前記エラ
ストマ導電管と前記導電性金属接地シールドとを組み合
わせたものが前記軸方向開口を通して挿入されて当該電
磁コイルアセンブリの両端を越えて延びることになる、
電磁コイルアセンブリと、前記電磁コイルアセンブリと
前記ガラスリードスイッチと前記エラストマ導電管と前
記導電性金属接地シールドとを組み合わせたものが挿入
される外側ハウジングであって、その挿入物が埋込用(p
otting)材料により内部に固定されて前記接地接点及び
前記スイッチリードが当該外側ハウジングから突出する
ことになる、外側ハウジングとを備えていることを特徴
とする、高周波機器用のリレー。

【００３３】６．前記接地接点が、中間にバイアを用い
ることなく共面伝送導波管の接地平面に直接接続されて
いる、前項５に記載のリレー。

【００３４】７．前記第２のトランジスタが、高電圧ト
ランジスタとその高電圧トランジスタと並列に接続され
た高電圧ツェナーダイオードとからなり、この組み合わ
せによってリレーを開放させるのに必要な時間を短縮さ
せる、前項３に記載の逆電力保護回路。

【図面の簡単な説明】

【図１】(a)は本発明のリレーに使用する金属管を示す
側面図、(b)はその断面図である。

【図２】本発明のリレーに使用するボビンを示す側面図
である。

【図３】本発明のリレーを完成状態で示す側方断面図で
ある。

【図４】共面導波管の伝送ラインを示す断面図である。

【図５】本発明で使用する共面導波管−ＰＣＢアセンブ
リを示す平面図である。

【図６】本発明で使用するＲＰＰ回路の概要を示す回路
図である（1/2）。

【図７】本発明で使用するＲＰＰ回路の概要を示す回路
図である（2/2）。

【符号の説明】

10 同軸リレー 12 外側シールド（金属管） 14 シールド接点（接地接点） 16 リードスイッチ 18 リードスイッチ・ワイヤ 21 低インピーダンス区画 23 高インピーダンス区画 25 エラストマ導電管 41 磁気コイル−ボビンアセンブリ 51 プラスチック製ハウジング 43,53 穴 55 絶縁ワッシャー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ダレル・エイチ・リチャードソンアメリカ合衆国アイダホ州83869，スピリット・レイク，ノース・タホー・ドライヴ・31955

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】スイッチリードを有する円筒形状のガラス
リードスイッチと、そのガラスリードスイッチを取り囲むエラストマ導電管
と、そのエラストマ導電管を取り囲む導電性金属接地シール
ドであって、長手方向に延びるスロットと、両端におけ
る２つの伸張された接地接点とを備えている、導電性金
属接地シールドと、中央に軸方向開口を有する電磁コイルアセンブリであっ
て、前記ガラスリードスイッチと前記エラストマ導電管
と前記導電性金属接地シールドとを組み合わせたものが
前記軸方向開口を通して挿入されて当該電磁コイルアセ
ンブリの両端を越えて延びることになる、電磁コイルア
センブリと、前記電磁コイルアセンブリと前記ガラスリードスイッチ
と前記エラストマ導電管と前記導電性金属接地シールド
とを組み合わせたものが挿入される外側ハウジングであ
って、その挿入物が埋込用材料により内部に固定されて
前記接地接点及び前記スイッチリードが当該外側ハウジ
ングから突出することになる、外側ハウジングとを備え
ていることを特徴とする、高周波機器用のリレー。