JPH1081961A - Sputtering target - Google Patents
Sputtering targetInfo
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- JPH1081961A JPH1081961A JP23671996A JP23671996A JPH1081961A JP H1081961 A JPH1081961 A JP H1081961A JP 23671996 A JP23671996 A JP 23671996A JP 23671996 A JP23671996 A JP 23671996A JP H1081961 A JPH1081961 A JP H1081961A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はスパッタリングター
ゲットに関し、より詳しくは、目標組成に近い組成を有
する薄膜を容易に得ることができる、例えば情報記録薄
膜形成用に用いられるスパッタリングターゲットに関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering target, and more particularly to a sputtering target which can easily obtain a thin film having a composition close to a target composition, for example, used for forming an information recording thin film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｂを含む合金は、相変化
型光ディスクの記録媒体薄膜層に好適な素材として実用
化されており（特開昭６２−５３８８６号公報等）、通
常、その薄膜作製にはスパッタリング法が用いられる。2. Description of the Related Art Alloys containing Te, Ge, and Sb have been put to practical use as a material suitable for a recording medium thin film layer of a phase change optical disk (Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-53886). A sputtering method is used for fabrication.
【０００３】Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ系の薄膜をスパッタリン
グ法によって作製する場合、ターゲット組成と得られた
薄膜組成には「ずれ」が生じてしまう。例えば、特開昭
６４−６２４６６号公報によれば、長時間にわたって目
標とする薄膜組成を均一に得るためには、充填率が８０
％以上の成形体より成り、ターゲットにおけるＴｅ、Ｇ
ｅ、Ｓｂの含有率をＴｅｘＧｅｙＳｂｚ（ｘ、ｙ、ｚの
単位はａｔ％）とし、形成する薄膜の目標とする含有率
をＴｅｘ0Ｇｅｙ0Ｓｂｚ0（ｘ0、ｙ0、ｚ0の単位はａｔ
％）とするとき、以下の２式 ｙ＝Ａ・ｘ・ｙ0／ｘ0、 ｚ＝Ｂ・ｘ・ｚ0／ｘ0 において、Ａが１．０５〜１．１５、Ｂが０．９〜１．
０の範囲内にあることが好ましいとされていた。[0003] When a Te-Ge-Sb-based thin film is formed by a sputtering method, a "deviation" occurs between the target composition and the obtained thin film composition. For example, according to JP-A-64-62466, in order to obtain a target thin film composition uniformly over a long period of time, a filling rate of 80% is required.
% Of the compact, and Te, G in the target
The content of e and Sb is TexGeySbz (the unit of x, y and z is at%), and the target content of the thin film to be formed is Tex 0 Gey 0 Sbz 0 (x 0 , y 0 and z 0 are in units of at
%), When the following two expressions are used, y = A · x · y 0 / x 0 and z = B · x · z 0 / x 0 , A is 1.05 to 1.15, and B is 0.9 ~ 1.
It has been considered preferable to be within the range of 0.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、本発明者らの
研究の結果、特開昭６４−６２４６６号公報で示された
組成範囲でスパッタリングを行うと、目標とする薄膜組
成が得られないことが明らかになった。この原因は明ら
かではないが、ターゲットの作製条件によってターゲッ
ト表面からの原子の放出機構が異なる、あるいはＴｅの
蒸気圧がＧｅ、Ｓｂの蒸気圧よりも高いためスパッタリ
ング中にＴｅ原子がチェンバー側面へ拡散してしまうな
どが考えられる。However, as a result of the study of the present inventors, it has been found that a desired thin film composition cannot be obtained when sputtering is carried out in the composition range disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 64266/1988. Was revealed. Although the cause is not clear, the mechanism of releasing atoms from the target surface differs depending on the target manufacturing conditions, or Te atoms diffuse to the side of the chamber during sputtering because the vapor pressure of Te is higher than the vapor pressures of Ge and Sb. And so on.
【０００５】そこで本発明は、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ系薄膜
の作製において、目標の薄膜組成を容易に得ることがで
きるスパッタリングターゲットを提供することを目的と
する。Accordingly, an object of the present invention is to provide a sputtering target capable of easily obtaining a target thin film composition in producing a Te—Ge—Sb-based thin film.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
の本発明のスパッタリングターゲットは、少なくともＴ
ｅ、Ｇｅ、Ｓｂの元素からなる化合物または合金より構
成され、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｂの含有率をＴｅｘＧｅｙＳｂ
ｚ（ｘ、ｙ、ｚはａｔ％）として、形成する薄膜の目標
とする含有率Ｔｅｘ0Ｇｅｙ0Ｓｂｚ0（ｘ0、ｙ0、ｚ0は
ａｔ％）に対して、 ｙ＝Ａ・ｘ・ｙ0／ｘ0 ・・・式１ ｚ＝Ｂ・ｘ・ｚ0／ｘ0 ・・・式２ とするとき、Ａ、Ｂがともに０．８２〜０．９４の範囲
内にある関係を有して構成されることを特徴とする。ま
た、本発明の他のスパッタリングターゲットは、上記構
成で更に、成形体密度が真密度の８５％以上であること
を特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention provides a sputtering target having at least T
e, Ge, and Sb, which are composed of compounds or alloys. The content of Te, Ge, and Sb is determined by TexGeySb
As z (x, y, z are at%), a target content Tex 0 Gey 0 Sbz 0 (x 0 , y 0 , z 0 is at%) of a thin film to be formed, y = A · x · Y 0 / x 0 ··· Equation 1 z = B · x · z 0 / x 0 ··· Equation 2 When A and B are both within the range of 0.82 to 0.94, It is characterized by having it. Further, another sputtering target of the present invention is characterized in that, in the above configuration, the compact density is 85% or more of the true density.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】本発明の構成により、目標とする
薄膜組成を均一に得ることができる。式中のＡ、Ｂを
０．８２〜０．９４の範囲に規定したのは、この範囲外
であると得られるＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ系薄膜の組成が所望
の組成にならないからである。また、本発明でターゲッ
トの成形体密度を真密度の８５％以上とするのは、もし
８５％未満であるとスパッタリング中にターゲットが冷
却板（バッキングプレート）から脱落してしまう可能性
があるからである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS According to the constitution of the present invention, a target thin film composition can be obtained uniformly. The reason for defining A and B in the formula in the range of 0.82 to 0.94 is that the composition of the obtained Te—Ge—Sb-based thin film will not be a desired composition if it is outside this range. In addition, the reason why the target density is set to 85% or more of the true density in the present invention is that if the density is less than 85%, the target may fall off the cooling plate (backing plate) during sputtering. It is.
【０００８】[0008]
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 実施例１ ・・・ Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ薄膜の目標組成を
Ｔｅ５５．６Ｇｅ２２．２Ｓｂ２２．２とする場合（い
ずれもａｔ％、以下同じ。）、式１、式２において、ｘ
0＝５５．６、ｙ0＝２２．２、ｚ0＝２２．２であるの
で、ターゲットの組成ＴｅｘＧｅｙＳｂｚのｘ、ｙ、ｚ
を次のように決定した。Embodiments of the present invention will be described below. Example 1 When the target composition of the Te—Ge—Sb thin film is Te55.6Ge22.2Sb22.2 (all at%, the same applies hereinafter), x in Expressions 1 and 2
Since 0 = 55.6, y 0 = 22.2, and z 0 = 22.2, x, y, z of the target composition TexGeySbz
Was determined as follows.
【０００９】 ｙ＝０．９１・ｘ・ｙ0／ｘ0＝０．９１・２２．２ｘ／５５．６ ・・式３ ｚ＝０．８９・ｘ・ｚ0／ｘ0＝０．８９・２２．２ｘ／５５．６ ・・式４ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ ・・式５ 式３〜式５の連立方程式を解くと、ｘ＝５８．２ａｔ
％、ｙ＝２１．１ａｔ％、ｚ＝２０．７ａｔ％が得ら
れ、Ｔｅ５８．２Ｇｅ２１．１Ｓｂ２０．７（ａｔ％）
の組成であるターゲットを作製することになる。Y = 0.91 · x · y 0 / x 0 = 0.91 · 22.2x / 55.6 ··· Equation 3 z = 0.89 · x · z 0 / x 0 = 0.89 · 22.2x / 55.6 Expression 4 x + y + z = 100 Expression 5 When the simultaneous equations of Expressions 3 to 5 are solved, x = 58.2 at.
%, Y = 21.1 at%, z = 20.7 at%, and Te58.2Ge21.1Sb20.7 (at%)
Is produced.
【００１０】そこでまず、母合金として純度４Ｎ（９
９．９９ａｔ％）以上のＴｅ、Ｇｅ、Ｓｂの各純金属原
料を秤量し、それらの混合物をＡｒ雰囲気中で溶解鋳造
して、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金鋳塊を得た。この合金鋳塊
をＩＣＰで組成分析した結果、Ｔｅ５８．５Ｇｅ２１．
０Ｓｂ２０．５（ａｔ％）であった。この鋳塊をジョー
クラッシャー、及びアトライターで粉砕し、粒径数十μ
ｍの原料粉末とした。この原料粉末をφ１５４ｍｍ、厚
さ５ｍｍの成形体になるような黒鉛型に入れ、Ａｒ雰囲
気中で温度４５０℃、プレス圧力２００ｋｇｆ／ｃｍ2
にて２時間の加圧焼結を行った。得られた成形体をＩＣ
Ｐで組成分析した結果、目標とするターゲット組成とほ
ぼ同様な組成、つまりＴｅ５８．４Ｇｅ２１．３Ｓｂ２
０．３（ａｔ％）であった。また、この成形体密度は、
その体積と重量より算出した密度測定により、真密度の
８６％であった。この成形体を機械加工し、銅板のバッ
キングプレートにボンディングしてターゲットとした。Therefore, first, as a master alloy, a purity of 4N (9
Pure metal raw materials of not less than 9.99 at%) of Te, Ge, and Sb were weighed, and a mixture thereof was melt-cast in an Ar atmosphere to obtain a Te-Ge-Sb alloy ingot. As a result of composition analysis of this alloy ingot by ICP, Te58.5Ge21.
0Sb was 20.5 (at%). This ingot is pulverized with a jaw crusher and attritor, and the particle size is
m of the raw material powder. This raw material powder is placed in a graphite mold to form a compact having a diameter of 154 mm and a thickness of 5 mm, and a temperature of 450 ° C. and a pressure of 200 kgf / cm 2 in an Ar atmosphere.
For 2 hours under pressure. The obtained molded body is used as an IC
As a result of the composition analysis of P, the composition was substantially the same as the target composition, ie, Te58.4Ge21.3Sb2.
0.3 (at%). Also, the density of this compact is
Density measurement calculated from the volume and weight showed that it was 86% of the true density. This compact was machined and bonded to a copper backing plate to obtain a target.
【００１１】このターゲットを１時間プリスパッタした
後、Ａｒ雰囲気中で３ｍＴｏｒｒのスパッタ圧力でＤＣ
スパッタおよびＲＦスパッタを実施した。スパッタパワ
ーはいずれも１５０Ｗとした。５時間、１０時間および
１５時間のスパッタを行って形成した薄膜の組成の、Ｅ
ＰＭＡによる組成分析結果を表１に示す。これらの値
は、目標とした薄膜組成Ｔｅ５５．６Ｇｅ２２．２Ｓｂ
２２．２とほとんど一致している。After pre-sputtering the target for 1 hour, DC sputtering was performed at a sputtering pressure of 3 mTorr in an Ar atmosphere.
Sputtering and RF sputtering were performed. The sputtering power was 150 W in each case. E of the composition of the thin film formed by performing sputtering for 5 hours, 10 hours, and 15 hours
Table 1 shows the results of composition analysis by PMA. These values correspond to the target thin film composition Te55.6Ge22.2Sb.
Almost coincides with 22.2.
【００１２】[0012]
【表１】 スパッタ種 スパッタ時間 薄膜組成 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ＤＣスパッタ ５時間 Ｔｅ５５．５Ｇｅ２２．５Ｓｂ２２．０ １０時間 Ｔｅ５５．６Ｇｅ２２．３Ｓｂ２２．１ １５時間 Ｔｅ５５．８Ｇｅ２１．８Ｓｂ２２．４ ＲＦスパッタ ５時間 Ｔｅ５５．１Ｇｅ２２．４Ｓｂ２２．５ １０時間 Ｔｅ５５．３Ｇｅ２２．８Ｓｂ２１．９ １５時間 Ｔｅ５５．４Ｇｅ２２．３Ｓｂ２２．３Table 1 Sputter type Sputtering time Thin film composition 1.5Sb22.0 10 hours Te55.6Ge22.3Sb22.1 15 hours Te55.8Ge21.8Sb22.4 RF sputtering 5 hours Te55.1Ge22.4Sb22.5 10 hours Te55.3Ge22.8Sb21.9 15 hours Te55.4Ge22.8 3
【００１３】実施例２ ・・・ Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ薄膜
の目標組成をＴｅ５２Ｇｅ２１Ｓｂ２７とする場合、式
１、式２において、ｘ0＝５２、ｙ0＝２１、ｚ0＝２７
であるので、ターゲットの組成ＴｅｘＧｅｙＳｂｚの
ｘ、ｙ、ｚを次のように決定した。Example 2 When the target composition of the Te—Ge—Sb thin film is Te52Ge21Sb27, x 0 = 52, y 0 = 21, and z 0 = 27 in equations 1 and 2.
Therefore, x, y, and z of the composition TexGeySbz of the target were determined as follows.
【００１４】 ｙ＝０．８８・ｘ・ｙ0／ｘ0＝０．８８・２１ｘ／５２ ・・式６ ｚ＝０．９０・ｘ・ｚ0／ｘ0＝０．９０・２７ｘ／５２ ・・式７ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ ・・式８ 式６〜式８の連立方程式を解くと、ｘ＝５４．９ａｔ
％、ｙ＝１９．５ａｔ％、ｚ＝２５．６ａｔ％が得ら
れ、Ｔｅ５４．９Ｇｅ１９．５Ｓｂ２５．６（ａｔ％）
の組成であるターゲットを作製することになる。Y = 0.88 · x · y 0 / x 0 = 0.88 · 21x / 52 Equation 6 z = 0.90 · x · z 0 / x 0 = 0.90 · 27x / 52 Equation 7 x + y + z = 100 Equation 8 When solving the simultaneous equations of Equations 6 to 8, x = 54.9 at.
%, Y = 19.5 at%, z = 25.6 at%, and Te54.9Ge19.5Sb25.6 (at%).
Is produced.
【００１５】そこでまず、母合金として純度４Ｎ（９
９．９９ａｔ％）以上のＴｅ、Ｇｅ、Ｓｂの各純金属原
料を秤量し、それらの混合物をＡｒ雰囲気中で溶解鋳造
して、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金鋳塊を得た。この合金鋳塊
をＩＣＰで組成分析した結果、Ｔｅ５５．０Ｇｅ１９．
８Ｓｂ２５．２（ａｔ％）であった。この鋳塊をジョー
クラッシャー、及びアトライターで粉砕し、粒径数十μ
ｍの原料粉末とした。この原料粉末をφ１５４ｍｍ、厚
さ５ｍｍの成形体になるような黒鉛型に入れ、Ａｒ雰囲
気中で温度５３０℃、プレス圧力３００ｋｇｆ／ｃｍ2
にて２時間の加圧焼結を行った。得られた成形体をＩＣ
Ｐで組成分析した結果、目標とするターゲット組成とほ
ぼ同様な組成、つまりＴｅ５４．７Ｇｅ１９．２Ｓｂ２
６．１（ａｔ％）であった。また、この成形体密度は、
その体積と重量より算出した密度測定により、真密度の
９８％であった。この成形体を機械加工し、銅板のバッ
キングプレートにボンディングしてターゲットとした。Therefore, first, as a master alloy, a purity of 4N (9
Pure metal raw materials of not less than 9.99 at%) of Te, Ge, and Sb were weighed, and a mixture thereof was melt-cast in an Ar atmosphere to obtain a Te-Ge-Sb alloy ingot. As a result of composition analysis of this alloy ingot by ICP, Te55.0Ge19.
8Sb25.2 (at%). This ingot is pulverized with a jaw crusher and attritor, and the particle size is
m of the raw material powder. This raw material powder is placed in a graphite mold having a size of φ154 mm and a thickness of 5 mm, and the temperature is 530 ° C. and the pressing pressure is 300 kgf / cm 2 in an Ar atmosphere.
For 2 hours under pressure. The obtained molded body is used as an IC
As a result of the composition analysis of P, the composition was substantially the same as the target composition, ie, Te54.7Ge19.2Sb2.
6.1 (at%). Also, the density of this compact is
The density was calculated from the volume and weight, and was 98% of the true density. This compact was machined and bonded to a copper backing plate to obtain a target.
【００１６】このターゲットを１時間プリスパッタした
後、Ａｒ雰囲気中で３ｍＴｏｒｒのスパッタ圧力でＤＣ
スパッタおよびＲＦスパッタを実施した。スパッタパワ
ーはいずれも１５０Ｗとした。５時間、１０時間および
１５時間のスパッタを行って形成した薄膜の組成の、Ｅ
ＰＭＡによる組成分析結果を表２に示す。これらの値
は、目標とした薄膜組成Ｔｅ５２Ｇｅ２１Ｓｂ２７とほ
とんど一致している。After pre-sputtering the target for 1 hour, DC sputtering was performed at a sputtering pressure of 3 mTorr in an Ar atmosphere.
Sputtering and RF sputtering were performed. The sputtering power was 150 W in each case. E of the composition of the thin film formed by performing sputtering for 5 hours, 10 hours, and 15 hours
Table 2 shows the results of composition analysis by PMA. These values almost coincide with the target thin film composition Te52Ge21Sb27.
【００１７】[0017]
【表２】 スパッタ種 スパッタ時間 薄膜組成 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ＤＣスパッタ ５時間 Ｔｅ５２．１Ｇｅ２０．９Ｓｂ２７．０ １０時間 Ｔｅ５２．１Ｇｅ２０．９Ｓｂ２７．０ １５時間 Ｔｅ５２．０Ｇｅ２０．８Ｓｂ２７．２ ＲＦスパッタ ５時間 Ｔｅ５１．９Ｇｅ２１．０Ｓｂ２７．１ １０時間 Ｔｅ５２．１Ｇｅ２０．９Ｓｂ２７．０ １５時間 Ｔｅ５２．１Ｇｅ２０．９Ｓｂ２７．０[Table 2] Sputtering type Sputtering time Thin film composition---------------------------------------DC sputtering 5 hours Te52.1Ge20 9.9Sb27.0 10 hours Te52.1Ge20.9Sb27.0 15 hours Te52.0Ge20.8Sb27.2 RF sputtering 5 hours Te51.9Ge21.0Sb27.1 10 hours Te52.1Ge20.9Sb27.0 15 hours Te52.1Ge20.9Sb27. 0
【００１８】実施例３ ・・・ Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ薄膜
の目標組成をＴｅ６８．５Ｇｅ９．６Ｓｂ２１．９とす
る場合（いずれもａｔ％、以下同じ。）、式１、式２に
おいて、ｘ0＝６８．５、ｙ0＝９．６、ｚ0＝２１．９
であるので、ターゲットの組成ＴｅｘＧｅｙＳｂｚの
ｘ、ｙ、ｚを次のように決定した。Example 3 When the target composition of the Te—Ge—Sb thin film is Te68.5Ge9.6Sb21.9 (all at%, the same applies hereinafter), x 0 = Eq. 68.5, y 0 = 9.6, z 0 = 21.9
Therefore, x, y, and z of the composition TexGeySbz of the target were determined as follows.
【００１９】 ｙ＝０．８６・ｘ・ｙ0／ｘ0＝０．８６・９．６ｘ／６８．５ ・・式９ ｚ＝０．９１・ｘ・ｚ0／ｘ0＝０．９１・２１．９ｘ／６８．５ ・・式１０ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ ・・式１１ 式９〜式１１の連立方程式を解くと、ｘ＝７０．９ａｔ
％、ｙ＝８．５ａｔ％、ｚ＝２０．６ａｔ％が得られ、
Ｔｅ７０．９Ｇｅ８．５Ｓｂ２０．６（ａｔ％）の組成
であるターゲットを作製することになる。Y = 0.86 · x · y 0 / x 0 = 0.86 · 9.6x / 68.5 ··· Equation 9 z = 0.91 · x · z 0 / x 0 = 0.91 · 21.9x / 68.5 Equation 10 x + y + z = 100 Equation 11 When solving the simultaneous equations of Equations 9 to 11, x = 70.9 at.
%, Y = 8.5 at%, z = 20.6 at%,
A target having a composition of Te70.9Ge8.5Sb20.6 (at%) will be produced.
【００２０】そこでまず、母合金として純度４Ｎ（９
９．９９ａｔ％）以上、粒径数十μｍ程度のＴｅ、Ｇ
ｅ、Ｓｂの各純金属原料を秤量し、それらの混合物をＡ
ｒ雰囲気中で均一に混合して原料粉末とした。この原料
粉末をφ１５４ｍｍ、厚さ５ｍｍの成形体になるような
黒鉛型に入れ、Ａｒ雰囲気中で温度３５０℃、プレス圧
力２００ｋｇｆ／ｃｍ2にて２時間の加圧焼結を行っ
た。得られた成形体をＩＣＰで組成分析した結果、目標
とするターゲット組成とほぼ同様な組成、つまりＴｅ７
０．９Ｇｅ８．５Ｓｂ２０．６（ａｔ％）であった。ま
た、この成形体密度は、その体積と重量より算出した密
度測定により、真密度の９５％であった。この成形体を
機械加工し、銅板のバッキングプレートにボンディング
してターゲットとした。First, as a mother alloy, a purity of 4N (9
Te, G having a particle size of about tens μm or more
e, pure metal raw materials of Sb are weighed, and the mixture is
The mixture was uniformly mixed in an r atmosphere to obtain a raw material powder. This raw material powder was placed in a graphite mold to form a compact having a diameter of 154 mm and a thickness of 5 mm, and was subjected to pressure sintering in an Ar atmosphere at a temperature of 350 ° C. and a pressure of 200 kgf / cm 2 for 2 hours. As a result of composition analysis of the obtained molded body by ICP, a composition substantially similar to the target composition of the target, that is, Te7
0.9Ge8.5Sb20.6 (at%). The density of the molded product was 95% of the true density as determined by density measurement calculated from the volume and weight. This compact was machined and bonded to a copper backing plate to obtain a target.
【００２１】このターゲットを１時間プリスパッタした
後、Ａｒ雰囲気中で３ｍＴｏｒｒのスパッタ圧力でＤＣ
スパッタおよびＲＦスパッタを実施した。スパッタパワ
ーはいずれも２００Ｗとした。５時間、１０時間および
１５時間のスパッタを行って形成した薄膜の組成の、Ｅ
ＰＭＡによる組成分析結果を表１に示す。これらの値
は、目標とした薄膜組成Ｔｅ６８．５Ｇｅ９．６Ｓｂ２
１．９とほとんど一致している。After pre-sputtering this target for one hour, DC sputtering was performed at a sputtering pressure of 3 mTorr in an Ar atmosphere.
Sputtering and RF sputtering were performed. The sputtering power was set to 200 W in each case. E of the composition of the thin film formed by performing sputtering for 5 hours, 10 hours, and 15 hours
Table 1 shows the results of composition analysis by PMA. These values correspond to the target thin film composition Te68.5Ge9.6Sb2.
This is almost the same as 1.9.
【００２２】[0022]
【表３】 スパッタ種 スパッタ時間 薄膜組成 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ＤＣスパッタ ５時間 Ｔｅ６８．３Ｇｅ９．７Ｓｂ２２．０ １０時間 Ｔｅ６８．３Ｇｅ９．５Ｓｂ２２．２ １５時間 Ｔｅ６８．５Ｇｅ９．７Ｓｂ２１．８ ＲＦスパッタ ５時間 Ｔｅ６８．７Ｇｅ１０．０Ｓｂ２１．３ １０時間 Ｔｅ６８．５Ｇｅ９．５Ｓｂ２２．０ １５時間 Ｔｅ６８．３Ｇｅ９．６Ｓｂ２２．１[Table 3] Sputtering type Sputtering time Thin film composition----------------------------------------DC sputtering 5 hours Te68.3Ge9 0.7Sb22.0 10 hours Te68.3Ge9.5Sb22.2 15 hours Te68.5Ge9.7Sb21.8 RF sputtering 5 hours Te68.7Ge10.0Sb21.3 10 hours Te68.5Ge9.5Sb22.0 15 hours Te68.3Ge9.2. 1
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づいて
得られたスパッタリングターゲットを用いてＴｅ−Ｇｅ
−Ｓｂ系薄膜を形成することにより、目標組成に近い組
成の薄膜を得ることができる。As described above, Te-Ge is obtained by using the sputtering target obtained according to the present invention.
By forming the -Sb-based thin film, a thin film having a composition close to the target composition can be obtained.
Claims (2)
なる化合物または合金より構成され、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｂ
の含有率をＴｅｘＧｅｙＳｂｚ（ｘ、ｙ、ｚはａｔ％）
として、形成する薄膜の目標とする含有率Ｔｅｘ0Ｇｅ
ｙ0Ｓｂｚ0（ｘ0、ｙ0、ｚ0はａｔ％）に対して、 ｙ＝Ａ・ｘ・ｙ0／ｘ0 ｚ＝Ｂ・ｘ・ｚ0／ｘ0 とするとき、Ａ、Ｂがともに０．８２〜０．９４の範囲
内にある関係を有して構成されることを特徴とするスパ
ッタリングターゲット。1. A semiconductor device comprising a compound or an alloy composed of at least Te, Ge and Sb, and comprising Te, Ge and Sb.
Of TexGeySbz (x, y, z are at%)
As the target content Tex 0 Ge of the thin film to be formed
For y 0 Sbz 0 (x 0 , y 0 , z 0 is at%), when y = A · x · y 0 / x 0 z = B · x · z 0 / x 0 , A, B Have a relationship within the range of 0.82 to 0.94.
特許請求の範囲１に記載のスパッタリングターゲット。2. The sputtering target according to claim 1, wherein the density of the compact is 85% or more of the true density.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23671996A JPH1081961A (en) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | Sputtering target |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23671996A JPH1081961A (en) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | Sputtering target |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1081961A true JPH1081961A (en) | 1998-03-31 |
Family
ID=17004771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23671996A Pending JPH1081961A (en) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | Sputtering target |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1081961A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007131941A (en) * | 2006-05-26 | 2007-05-31 | Mitsubishi Materials Corp | Method for producing sputtering target for forming phase change film having reduced generation of particle |
| JP2010236095A (en) * | 2002-02-25 | 2010-10-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Method for producing sputtering target for phase change memory |
-
1996
- 1996-09-06 JP JP23671996A patent/JPH1081961A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010236095A (en) * | 2002-02-25 | 2010-10-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Method for producing sputtering target for phase change memory |
| JP2007131941A (en) * | 2006-05-26 | 2007-05-31 | Mitsubishi Materials Corp | Method for producing sputtering target for forming phase change film having reduced generation of particle |
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