JPH1079296A - El display device and its driving circuit - Google Patents

El display device and its driving circuit

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JPH1079296A
JPH1079296A JP9038856A JP3885697A JPH1079296A JP H1079296 A JPH1079296 A JP H1079296A JP 9038856 A JP9038856 A JP 9038856A JP 3885697 A JP3885697 A JP 3885697A JP H1079296 A JPH1079296 A JP H1079296A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To decrease a luminance unevenness of electroluminescence device, protect the destruction of inner transistor device or the like in such a case that the connection of electroluminescence device is put into release condition, and reduce a noise caused by vibration which electroluminescence device emits. SOLUTION: An electroluminescence display device is provided with a step-up circuit 10 stepping up a voltage of a direct current power source 2 by accepting a pulse signal generated as an output by an oscillation circuit 6; switching means 20 consisting of first - fourth MOSFETs 21-24 and a turnover voltage equipment 25 while being connected with the set-up circuit 10; an electroluminescence device 1 connected with output terminals X, Y of the switching means 20; and a voltage detection circuit transmitting a control signal which indicates the switching procedure to the switching means 20. The step-up circuit 10 comprises a series circuit in which a coil 11 and a diode 12 are connected in series with each other, and a step-up transistor 13 in which a control electrode accepts a pulse signal and a principal electrode is connected with a common connector of the series circuit.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス(以下、ELと略記する。)素子の駆動回路及
び該駆動回路を用いたEL表示装置に関し、特に、昇圧
コイル等と半導体集積回路装置とを組み合わせた表示装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a drive circuit for an electroluminescence (hereinafter abbreviated as EL) element and an EL display device using the drive circuit, and more particularly to a booster coil and a semiconductor integrated circuit device. It relates to a combined display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、腕時計の文字盤や携帯情報機器の
表示板には、バックライト用又は文字等の表示用として
EL素子を用いたEL表示装置が用いられるようになっ
てきている。
2. Description of the Related Art In recent years, an EL display device using an EL element for a backlight or for displaying characters or the like has been used for a dial of a wristwatch or a display plate of a portable information device.

【0003】以下、従来のEL表示装置を図面に基づい
て説明する。
Hereinafter, a conventional EL display device will be described with reference to the drawings.

【0004】図10は従来のEL素子の駆動回路を用い
たEL表示装置を示す回路図である。図10において、
51は表示板を発光させるEL素子、52は直流電圧
源、53は直流電圧源52を昇圧してEL素子51に印
加する印加電圧を生成するコイル、54はコイル53に
対して逆方向の電圧が印加されるのを阻止するためのダ
イオードである。半導体基板上に集積化される領域10
0において、55はソース電極が接地されたNチャンネ
ル型MOSよりなる昇圧トランジスタ、56はその出力
端が昇圧トランジスタ55のゲート電極に接続され、該
昇圧トランジスタ55のスイッチング周波数を決める発
振回路、57はEL素子51に対する印加電圧の極性を
反転させて交流信号を生成する際の該交流信号の周波数
を決める分周回路、60はEL素子51に対する印加電
圧の極性を反転させて該交流信号を生成するスイッチン
グ回路である。
FIG. 10 is a circuit diagram showing an EL display device using a conventional EL element driving circuit. In FIG.
Reference numeral 51 denotes an EL element for causing the display panel to emit light; 52, a DC voltage source; 53, a coil for boosting the DC voltage source 52 to generate an applied voltage to be applied to the EL element 51; Is a diode for preventing the application of a voltage. Region 10 integrated on semiconductor substrate
At 0, reference numeral 55 denotes a boosting transistor composed of an N-channel type MOS whose source electrode is grounded, reference numeral 56 denotes an oscillation circuit whose output terminal is connected to the gate electrode of the boosting transistor 55, and which determines the switching frequency of the boosting transistor 55, and reference numeral 57 denotes A frequency dividing circuit 60 for inverting the polarity of the voltage applied to the EL element 51 and determining the frequency of the AC signal when generating the AC signal, and inverting the polarity of the voltage applied to the EL element 51 to generate the AC signal It is a switching circuit.

【0005】スイッチング回路60は、ドレイン電極が
ダイオード54のカソードに互いに接続され、各ソース
電極が第1の出力端子X又は第2の出力端子Yにそれぞ
れ接続され、EL素子51の印加電圧の極性を反転させ
るスイッチである第1のNチャンネル型MOSトランジ
スタ61及び第2のNチャンネル型MOSトランジスタ
62と、ソース電極が接地され、ドレイン電極が第1の
Nチャンネル型MOSトランジスタ61のソース電極に
接続され、ゲート電極が第2のNチャンネル型MOSト
ランジスタ62のゲート電極と共通に接続されている第
3のNチャンネル型MOSトランジスタ63と、ソース
電極が接地され、ドレイン電極が第2のNチャンネル型
MOSトランジスタ62のソース電極に接続され、ゲー
ト電極が第1のNチャンネル型MOSトランジスタ61
のゲート電極と共通に接続されている第4のNチャンネ
ル型MOSトランジスタ64と、第1及び第3のNチャ
ンネル型MOSトランジスタ61,63のゲート電極に
それぞれ印加される信号と、第2及び第4のNチャンネ
ル型MOSトランジスタ62,64のゲート電極にそれ
ぞれ印加される信号との極性を互いに反転させる反転器
65とから構成されている。
The switching circuit 60 has a drain electrode connected to the cathode of the diode 54, a source electrode connected to the first output terminal X or the second output terminal Y, and a polarity of the voltage applied to the EL element 51. A first N-channel MOS transistor 61 and a second N-channel MOS transistor 62, which are switches for inverting the gate, a source electrode is grounded, and a drain electrode is connected to a source electrode of the first N-channel MOS transistor 61. A third N-channel MOS transistor 63 having a gate electrode commonly connected to the gate electrode of the second N-channel MOS transistor 62; a source electrode grounded; and a drain electrode connected to the second N-channel MOS transistor 62. The MOS transistor 62 is connected to the source electrode and the gate electrode is connected to the first N Yan'neru type MOS transistor 61
A fourth N-channel MOS transistor 64 connected in common with the gate electrode of the first and third N-channel MOS transistors 61 and 63; a signal applied to the gate electrodes of the first and third N-channel MOS transistors 61 and 63; And an inverter 65 for inverting the polarities of signals applied to the gate electrodes of the four N-channel MOS transistors 62 and 64, respectively.

【0006】なお、図10において、Nチャンネル型M
OSトランジスタ61等を表わす記号に付加されている
矢印はソース電極を表わしており、他の図面においても
同様の矢印を付加している。
In FIG. 10, an N-channel type M
Arrows added to symbols representing OS transistors 61 and the like indicate source electrodes, and similar arrows are added in other drawings.

【0007】以下、前記のように構成されたEL表示装
置の動作を説明する。図10に示すように、昇圧トラン
ジスタ55のゲート電極に印加されるゲート電圧V56
の周波数は発振回路56により決定され、該ゲート電圧
V56の時間変化を図11に示す。図11において、T
はゲート電圧V56の周期を示し、V65は発振回路5
6の発振周波数と分周回路57の分周比とにより決定さ
れる反転器65の出力電圧を示す。ここで、出力電圧V
65の周波数は400Hz程度である。このとき、分周
回路57の分周比を例えば1/16に設定したすると、
出力電圧V65の周期は16Tとなる。図11に示すt
=0〜8Tの期間(図中の期間a)において、出力電圧
V65はローレベルであるため、第2及び第3のNチャ
ンネルMOS型トランジスタ62,63はオフとなり、
第1及び第4のNチャンネルMOS型トランジスタ6
1,64はオンとなる。このとき、EL素子51への第
2の出力端子YがGNDとなり、第1の出力端子Xがコ
イル53と昇圧トランジスタ55とにより、例えば、5
0〜80V程度にまで昇圧される。
[0007] The operation of the EL display device configured as described above will be described below. As shown in FIG. 10, the gate voltage V56 applied to the gate electrode of the boost transistor 55
Is determined by the oscillation circuit 56, and the time change of the gate voltage V56 is shown in FIG. In FIG. 11, T
Indicates the cycle of the gate voltage V56, and V65 indicates the oscillation circuit 5
6 shows the output voltage of the inverter 65 determined by the oscillation frequency of No. 6 and the frequency division ratio of the frequency dividing circuit 57. Here, the output voltage V
The frequency of 65 is about 400 Hz. At this time, if the dividing ratio of the dividing circuit 57 is set to, for example, 1/16,
The cycle of the output voltage V65 is 16T. T shown in FIG.
= 0 to 8T (period a in the figure), the output voltage V65 is at a low level, and the second and third N-channel MOS transistors 62 and 63 are turned off.
First and fourth N-channel MOS transistors 6
1, 64 are turned on. At this time, the second output terminal Y to the EL element 51 becomes GND, and the first output terminal X becomes, for example, 5
The voltage is boosted to about 0 to 80V.

【0008】図11に示すV51は、第2の出力端子Y
を基準とした場合のEL素子51に対する印加電圧を示
す。t=8T〜16Tの期間(図中の期間b)におい
て、反転器65の出力電圧V65はハイレベルであるた
め、第2及び第3のNチャンネルMOS型トランジスタ
62,63はオンとなり、第1及び第4のNチャンネル
MOS型トランジスタ61,64はオフとなる。このと
き、EL素子51の印加電圧V51は第3のNチャンネ
ルMOS型トランジスタ63のドレイン・ソース導電路
を介して放電され、期間aとは逆に、EL素子51への
第1の出力端子XがGNDとなり、第2の出力端子Yが
昇圧されることになる。
V51 shown in FIG. 11 is a second output terminal Y
Shows the voltage applied to the EL element 51 on the basis of. During the period of t = 8T to 16T (period b in the figure), the output voltage V65 of the inverter 65 is at a high level, so that the second and third N-channel MOS transistors 62 and 63 are turned on, and the first And the fourth N-channel MOS transistors 61 and 64 are turned off. At this time, the applied voltage V51 of the EL element 51 is discharged through the drain-source conductive path of the third N-channel MOS transistor 63, and, contrary to the period a, the first output terminal X to the EL element 51 Becomes GND, and the second output terminal Y is boosted.

【0009】このように、従来のEL表示装置は、発振
回路56と分周回路57とを用いて決定される周期によ
り、EL素子51に対する印加電圧を昇圧し、且つ、極
性を反転させるEL駆動回路により構成されている。
As described above, the conventional EL display device raises the voltage applied to the EL element 51 and inverts the polarity in accordance with the cycle determined by using the oscillation circuit 56 and the frequency dividing circuit 57. It is composed of a circuit.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のEL表示装置の駆動回路は、EL素子に対する印加
電圧の極性を所定周期(=8T)で反転しているため、
以下に示す3点の問題を有している。
However, the driving circuit of the conventional EL display device inverts the polarity of the voltage applied to the EL element at a predetermined cycle (= 8T).
It has the following three problems.

【0011】まず、第1に、表示装置に複数のEL素子
を用いる場合には、各EL素子の容量のばらつきに伴っ
て各EL素子の印加電圧が変動するため、表示装置全体
の輝度にむらが生じるという問題を有している。この従
来の輝度むらを図面に基づいて説明する。図12は従来
のEL素子自体の容量のばらつきに伴うEL素子の印加
電圧の変動を表わしている。図12において、実線はE
L素子の容量値が相対的に小さい場合のEL素子に対す
る印加電圧を示し、破線はEL素子の容量値が相対的に
大きい場合のEL素子に対する印加電圧を示している。
図12に示すように、従来の駆動回路によると、複数の
EL素子を用いて構成される表示装置において、各EL
素子の容量のばらつきに伴って、EL素子に対する印加
電圧が±20%程度ばらつくため、各EL素子の輝度が
同一でなくなるので、装置の表示面全体に輝度むらが生
じることになる。
First, when a plurality of EL elements are used in a display device, the voltage applied to each EL element fluctuates in accordance with the variation in the capacitance of each EL element. Has the problem that This conventional luminance unevenness will be described with reference to the drawings. FIG. 12 shows a change in the voltage applied to the EL element due to a variation in the capacitance of the conventional EL element itself. In FIG. 12, the solid line is E
The voltage applied to the EL element when the capacitance value of the L element is relatively small is shown, and the broken line shows the voltage applied to the EL element when the capacitance value of the EL element is relatively large.
As shown in FIG. 12, according to a conventional driving circuit, in a display device including a plurality of EL elements,
The voltage applied to the EL elements varies by about ± 20% due to the variation in the capacitance of the elements, so that the luminance of each EL element is not the same, and the luminance unevenness occurs on the entire display surface of the device.

【0012】第2に、EL素子を交換する場合やEL素
子の接続が何らかの理由で外れた場合には、トランジス
タの容量よりも圧倒的に大きな容量が失われ、容量と電
圧とは反比例するため、トランジスタのドレイン電圧が
該トランジスタの耐圧を越える程に上昇するので、該ト
ランジスタが破壊してしまうという問題を有している。
すなわち、EL素子の交換時又はEL素子の接続が何ら
かの原因で外れた場合には、図10に示す駆動回路の負
荷として、スイッチング回路60における第1〜第4の
Nチャンネル型MOSトランジスタ61〜64のドレイ
ン電極の容量のみとなり、該容量値が数pF〜数10p
Fであって、EL素子51の1000pF以上の容量値
と比べると極端に小さいので、コイル53によって昇圧
される印加電圧により各Nチャンネル型MOSトランジ
スタ61〜64のドレイン電圧がそのドレイン耐圧以上
にまで昇圧されることになる。
Second, when the EL element is exchanged or the connection of the EL element is disconnected for some reason, the capacitance which is much larger than the transistor is lost, and the capacitance is inversely proportional to the voltage. Further, since the drain voltage of the transistor rises so as to exceed the withstand voltage of the transistor, the transistor is broken.
That is, when the EL element is replaced or when the connection of the EL element is disconnected for some reason, the first to fourth N-channel MOS transistors 61 to 64 in the switching circuit 60 are set as loads on the drive circuit shown in FIG. And only the capacitance of the drain electrode is several pF to several tens of pF.
F, which is extremely small as compared with the capacitance value of the EL element 51 of 1000 pF or more, the drain voltage of each of the N-channel MOS transistors 61 to 64 exceeds the drain withstand voltage by the applied voltage boosted by the coil 53. It will be boosted.

【0013】第3に、図12に示すように、EL素子に
対する印加電圧の波形は、極性の切り替え時に昇圧電圧
から0Vまでの立ち下がり部分が急峻となっている。従
って、極性が切り替わる周波数が400Hz付近である
ため、この印加電圧の波形の急峻な立ち下がり部分がE
L素子に振動を与え、ノイズを発生させるという問題を
有している。殊に、使用時にノイズが発生すると不具合
な携帯電話等の移動体通信機器やその他の電子装置にお
いて、EL素子の振動音の低減が望まれており、EL素
子に対する印加電圧の波形の改善が不可欠となってい
る。
Third, as shown in FIG. 12, the waveform of the applied voltage to the EL element has a steep falling portion from the boosted voltage to 0 V when the polarity is switched. Therefore, since the frequency at which the polarity is switched is around 400 Hz, the steep falling portion of the waveform of the applied voltage is E
There is a problem that vibration is applied to the L element to generate noise. In particular, in mobile communication devices such as mobile phones and other electronic devices that are defective when noise occurs during use, reduction of the vibration sound of the EL element is desired, and improvement of the waveform of the voltage applied to the EL element is indispensable. It has become.

【0014】本発明は、EL素子の輝度むらを低減する
ことを第1の目的とし、EL素子の接続が解放状態にお
かれた場合における内部のトランジスタ等の素子の破壊
を防止することを第2の目的とし、EL素子が発する振
動によるノイズを低減することを第3の目的とする。
A first object of the present invention is to reduce luminance unevenness of an EL element, and to prevent destruction of an element such as an internal transistor when the connection of the EL element is left open. A third object is to reduce noise due to vibration generated by the EL element.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】前記第1又は第2の目的
を達成するため、請求項1の発明は、EL表示装置を、
パルス信号に応じて電源電圧を昇圧して昇圧信号を生成
する昇圧信号生成手段と、前記昇圧信号が入力される
と、第1の出力信号を出力すると共に、前記昇圧信号の
極性を反転させて第2の出力信号を出力するスイッチン
グ手段と、前記スイッチング手段の出力側に接続された
EL素子と、前記スイッチング手段から第1の出力信号
の入力を受け、入力された第1の出力信号の所定電圧に
基づいて前記スイッチング手段に制御信号を出力するこ
とにより、前記スイッチング手段の第2の出力信号の極
性を反転させる電圧検出回路とを備えている構成とする
ものである。
In order to achieve the first or second object, the invention according to claim 1 provides an EL display device,
Boosting signal generating means for boosting a power supply voltage in response to a pulse signal to generate a boosting signal; and, when the boosting signal is input, outputting a first output signal and inverting the polarity of the boosting signal. A switching means for outputting a second output signal; an EL element connected to an output side of the switching means; a first output signal received from the switching means; A voltage detection circuit that outputs a control signal to the switching means based on a voltage to invert the polarity of a second output signal of the switching means.

【0016】請求項1の構成により、EL素子駆動用の
交流信号を生成するスイッチング手段には、電圧検出手
段が接続されており、該電圧検出手段はスイッチング手
段からの第1の出力信号を受け、該第1の出力信号の所
定電圧に基づいてスイッチング手段を制御するため、ス
イッチング手段の第2の出力信号の極性が時間に依らず
所定電圧に達した時点で反転されるので、EL素子駆動
用の印加電圧の大きさのばらつきが抑制される。
According to the structure of the first aspect, the voltage detecting means is connected to the switching means for generating an AC signal for driving the EL element, and the voltage detecting means receives the first output signal from the switching means. Since the switching means is controlled based on the predetermined voltage of the first output signal, the polarity of the second output signal of the switching means is inverted when the predetermined voltage is reached regardless of time. The variation in the magnitude of the application voltage is suppressed.

【0017】請求項2の発明は、請求項1の構成に、前
記昇圧信号生成手段は、コイルとダイオードとが接続部
において直列に接続されてなる直列回路と、主電極が前
記直列回路の接続部に接続され、制御電極が前記パルス
信号の入力を受ける昇圧トランジスタとからなる構成を
付加するものである。
According to a second aspect of the present invention, in the configuration of the first aspect, the step-up signal generating means includes a series circuit in which a coil and a diode are connected in series at a connection portion, and a main electrode connected to the series circuit. And a control electrode connected to the booster transistor and having a control electrode receiving the pulse signal.

【0018】請求項3の発明は、請求項1の構成に、前
記昇圧信号生成手段に前記パルス信号を出力する発振回
路をさらに備えており、前記スイッチング手段はトラン
ジスタを有しており、前記昇圧信号生成手段は、カソー
ドが前記スイッチング手段のトランジスタの主電極に接
続されたダイオードと、一端が電圧源に接続されている
と共に他端が前記ダイオードのアノードと接続部におい
て接続されたコイルとからなる直列回路と、主電極が前
記直列回路の接続部に接続され、制御電極が前記パルス
信号を受ける昇圧トランジスタとを有し、前記電圧検出
回路が出力する制御信号は前記スイッチング手段のトラ
ンジスタの制御電極に入力される構成を付加するもので
ある。
According to a third aspect of the present invention, in the configuration of the first aspect, an oscillation circuit for outputting the pulse signal to the boosting signal generating means is further provided, and the switching means has a transistor. The signal generating means includes a diode having a cathode connected to the main electrode of the transistor of the switching means, and a coil having one end connected to the voltage source and the other end connected to the anode of the diode at a connection portion. A series circuit, a main electrode connected to a connection portion of the series circuit, a control electrode including a boosting transistor receiving the pulse signal, and a control signal output by the voltage detection circuit is a control electrode of a transistor of the switching means. Is added.

【0019】第3の目的を達成するため、請求項4の発
明は、請求項1〜3の構成に、前記スイッチング手段の
第2の出力信号は、その出力波形が鈍化されている構成
を付加するものである。
In order to achieve the third object, the invention according to claim 4 is characterized in that the second output signal of the switching means has a configuration in which the output waveform is dulled to the configuration of claims 1 to 3. Is what you do.

【0020】請求項4の構成により、EL素子駆動用の
交流信号を生成するスイッチング手段の第2の出力信号
は、その出力波形が鈍化されているため、印加電圧の急
峻な立ち下がりがなだらかになる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the output waveform of the second output signal of the switching means for generating the AC signal for driving the EL element is dull, the steep fall of the applied voltage is gentle. Become.

【0021】第3の目的を達成するため、請求項5の発
明は、請求項1〜3の構成に、前記スイッチング手段と
前記EL素子との間に直列に接続され、前記スイッチン
グ手段から放電される電荷の放電時間を遅延させる抵抗
器をさらに備えている構成を付加するものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in order to achieve the third object, the switching means is connected in series between the switching means and the EL element and discharged from the switching means. And a configuration further including a resistor for delaying the discharge time of the electric charge.

【0022】請求項5の構成により、EL素子駆動用の
交流信号を生成するスイッチング手段は、スイッチング
手段とEL素子との間に直列に接続された抵抗器を介し
てEL素子に充電された電荷を放電するため、その放電
時の出力波形が抵抗器の抵抗成分により遅延が生じて鈍
化するので、印加電圧の急峻な立ち下がりがなだらかに
なる。
According to the fifth aspect of the present invention, the switching means for generating an AC signal for driving the EL element comprises a charge connected to the EL element via a resistor connected in series between the switching means and the EL element. Is discharged, the output waveform at the time of the discharge is slowed down due to the delay caused by the resistance component of the resistor, so that the steep fall of the applied voltage becomes gentle.

【0023】前記第1又は第2の目的を達成するため、
請求項6の発明は、表示装置の駆動回路を、ドレイン電
極同士が互いに接続された第1のNチャンネル型MOS
トランジスタ及び第2のNチャンネル型MOSトランジ
スタと、ソース電極が接地され、ドレイン電極が前記第
1のNチャンネルMOS型トランジスタのソース電極と
接続され、ゲート電極が前記第2のNチャンネル型MO
Sトランジスタのゲート電極と接続された第3のNチャ
ンネル型MOSトランジスタと、ソース電極が接地さ
れ、ドレイン電極が前記第2のNチャンネル型MOSト
ランジスタのソース電極と接続され、ゲート電極が前記
第1のNチャンネル型MOSトランジスタのゲート電極
と接続された第4のNチャンネル型MOSトランジスタ
と、前記第3のNチャンネル型MOSトランジスタのド
レイン電極に接続された第1の出力端子と、前記第4の
Nチャンネル型MOSトランジスタのドレイン電極に接
続された第2の出力端子とを有するスイッチング回路
と、前記スイッチング回路の第1の出力端子及び第2の
出力端子からの出力信号の入力を受け、前記スイッチン
グ回路における前記第1及び第4のNチャンネル型MO
Sトランジスタの共通のゲート電極と前記第2及び第3
のNチャンネル型MOSトランジスタの共通のゲート電
極とに互いに逆相の制御信号を送出する電圧検出回路と
を備えている構成とするものである。
In order to achieve the first or second object,
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a driving circuit for a display device, comprising: a first N-channel MOS having drain electrodes connected to each other
A transistor and a second N-channel MOS transistor, a source electrode is grounded, a drain electrode is connected to a source electrode of the first N-channel MOS transistor, and a gate electrode is the second N-channel MOS transistor.
A third N-channel MOS transistor connected to the gate electrode of the S transistor; a source electrode grounded; a drain electrode connected to the source electrode of the second N-channel MOS transistor; and a gate electrode connected to the first N-channel MOS transistor. A fourth N-channel MOS transistor connected to the gate electrode of the N-channel MOS transistor, a first output terminal connected to the drain electrode of the third N-channel MOS transistor, A switching circuit having a second output terminal connected to the drain electrode of the N-channel MOS transistor; and receiving the input of output signals from the first output terminal and the second output terminal of the switching circuit; The first and fourth N-channel type MOs in a circuit
A common gate electrode of the S transistor and the second and third
And a voltage detection circuit for transmitting control signals having phases opposite to each other to a common gate electrode of the N-channel MOS transistor.

【0024】請求項6の構成により、EL素子駆動用の
交流信号を生成するスイッチング回路には、該スイッチ
ング回路の出力信号を受け、該スイッチング回路に制御
信号を出力する電圧検出回路が接続されているため、ス
イッチング回路の出力信号の極性が時間に依らず該スイ
ッチング回路の出力信号に基づいて反転されるので、E
L素子駆動用の交流電圧の大きさのばらつきが抑制され
る。
According to the configuration of claim 6, the switching circuit for generating an AC signal for driving the EL element is connected to a voltage detection circuit for receiving an output signal of the switching circuit and outputting a control signal to the switching circuit. Therefore, since the polarity of the output signal of the switching circuit is inverted based on the output signal of the switching circuit regardless of time, E
Variations in the magnitude of the AC voltage for driving the L element are suppressed.

【0025】請求項7の発明は、請求項6の構成に、前
記電圧検出回路において、前記スイッチング回路の出力
信号が所定電圧を超えたときに、前記制御信号の電圧極
性が反転される構成を付加するものである。
According to a seventh aspect of the present invention, in the configuration of the sixth aspect, in the voltage detection circuit, the voltage polarity of the control signal is inverted when an output signal of the switching circuit exceeds a predetermined voltage. It is to be added.

【0026】第3の目的を達成するため、請求項8の発
明は、請求項6又は7の構成に、前記スイッチング回路
の出力信号は、その出力波形が鈍化されている構成を付
加するものである。
In order to achieve the third object, an eighth aspect of the present invention is to add a configuration in which the output signal of the switching circuit has a dull output waveform to the configuration of the sixth or seventh aspect. is there.

【0027】請求項8の構成により、EL素子駆動用の
交流信号を生成するスイッチング回路の出力信号は、そ
の出力波形が鈍化されているため、印加電圧の急峻な立
ち下がりがなだらかになる。
According to the eighth aspect of the present invention, the output signal of the switching circuit for generating the AC signal for driving the EL element has a slowed output waveform, so that the steep fall of the applied voltage becomes gentle.

【0028】第3の目的を達成するため、請求項9の発
明は、請求項6又は7の構成に、前記スイッチング回路
と前記第1及び第2の出力端子のうちの少なくとも一方
との間に直列に接続され、前記スイッチング回路から放
電される電荷の放電時間を遅延させる抵抗器をさらに備
えている構成を付加するものである。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a power supply apparatus according to the sixth or seventh aspect, further comprising a circuit between the switching circuit and at least one of the first and second output terminals. A configuration is further added that further includes a resistor connected in series and delaying a discharge time of the electric charge discharged from the switching circuit.

【0029】請求項9の構成により、EL素子駆動用の
交流信号を生成するスイッチング回路は、スイッチング
回路とEL素子との間に直列に接続された抵抗器を介し
て放電されるため、その放電時の出力波形が抵抗器の抵
抗成分により遅延が生じて鈍化するので、印加電圧の急
峻な立ち下がりがなだらかになる。
According to the ninth aspect of the present invention, the switching circuit for generating the AC signal for driving the EL element is discharged through the resistor connected in series between the switching circuit and the EL element. The output waveform at that time is delayed due to the resistance component of the resistor and becomes dull, so that the steep fall of the applied voltage becomes gentle.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】本発明の第1の実施形態を図面を
参照しながら説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0031】図1は本発明の第1の実施形態に係るEL
駆動回路を用いたEL表示装置を示す回路図である。図
1において、1は表示板を発光させるEL素子、2は直
流電圧源、10は直流電圧源2を昇圧してEL素子1に
印加する印加電圧を生成する昇圧信号生成手段としての
昇圧回路、20はEL素子1に対する印加電圧の極性を
反転させて交流信号を生成するスイッチング手段として
のスイッチング回路、30は半導体基板上に集積化され
る領域を示している。
FIG. 1 shows an EL according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a circuit diagram illustrating an EL display device using a driving circuit. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an EL element that causes a display panel to emit light, 2 denotes a DC voltage source, 10 denotes a booster circuit as a booster signal generating unit that boosts the DC voltage source 2 and generates an applied voltage to be applied to the EL element 1. Reference numeral 20 denotes a switching circuit as switching means for generating an AC signal by inverting the polarity of the voltage applied to the EL element 1, and 30 denotes a region integrated on a semiconductor substrate.

【0032】昇圧回路10は、一端が直流電圧源2に接
続されたコイルと、アノードがコイル11の他端に接続
され、カソードがスイッチング回路20に接続され、コ
イル11に対して逆方向の電圧が印加されるのを阻止す
るためのダイオード12と、ソース電極が接地され、主
電極としてのドレイン電極がコイル11とダイオード1
2の共通接続部に接続されたNチャンネル型MOSより
なる昇圧トランジスタ13とから構成されている。
The booster circuit 10 includes a coil having one end connected to the DC voltage source 2, an anode connected to the other end of the coil 11, a cathode connected to the switching circuit 20, and an opposite voltage to the coil 11. , A source electrode is grounded, and a drain electrode as a main electrode is connected to the coil 11 and the diode 1.
And a step-up transistor 13 made of an N-channel MOS connected to the common connection of the two.

【0033】6は出力側が昇圧トランジスタ13の制御
電極としてのゲート電極に接続され、入力側が直流電圧
源2に接続され、昇圧トランジスタ13のスイッチング
周波数を決める発振回路であり、7は一方の入力端が直
流電圧源2に接続され、他方の入力端がEL素子1接続
用の第1の出力端子X及び第2の出力端子Yに接続さ
れ、出力端がスイッチング回路20に接続され、EL素
子1に対する印加電圧の極性を反転させる第1の出力信
号としての所定電圧を検出する電圧検出回路である。
Reference numeral 6 denotes an oscillating circuit whose output side is connected to a gate electrode as a control electrode of the boosting transistor 13, whose input side is connected to the DC voltage source 2, and which determines the switching frequency of the boosting transistor 13. Is connected to the DC voltage source 2, the other input terminal is connected to the first output terminal X and the second output terminal Y for connection of the EL element 1, the output terminal is connected to the switching circuit 20, and the EL element 1 Is a voltage detection circuit for detecting a predetermined voltage as a first output signal for inverting the polarity of an applied voltage with respect to.

【0034】スイッチング回路20は、ドレイン電極が
昇圧回路10におけるダイオード12のカソードに互い
に接続され、各ソース電極が第1の出力端子X又は第2
の出力端子Yにそれぞれ接続され、EL素子1の印加電
圧の極性を反転させるスイッチである第1のNチャンネ
ル型MOSトランジスタ21及び第2のNチャンネル型
MOSトランジスタ22と、ソース電極が接地され、ド
レイン電極が第1のNチャンネル型MOSトランジスタ
21のソース電極に接続され、ゲート電極が第2のNチ
ャンネル型MOSトランジスタ22のゲート電極と共通
に接続されている第3のNチャンネル型MOSトランジ
スタ23と、ソース電極が接地され、ドレイン電極が第
2のNチャンネル型MOSトランジスタ22のソース電
極に接続され、ゲート電極が第1のNチャンネル型MO
Sトランジスタ21のゲート電極と共通に接続されてい
る第4のNチャンネル型MOSトランジスタ24と、電
圧検出回路7が出力する制御信号が入力され、第1及び
第3のNチャンネル型MOSトランジスタ21,23の
ゲート電極にそれぞれ印加される制御信号と、第2及び
第4のNチャンネル型MOSトランジスタ22,24の
ゲート電極にそれぞれ印加される制御信号との極性を互
いに反転させる反転器25とから構成されている。な
お、第1の出力端子X及び第2の出力端子Yの端子間に
生じる電位差が第2の出力信号に相当する。
The switching circuit 20 has a drain electrode connected to the cathode of the diode 12 in the booster circuit 10 and a source electrode connected to the first output terminal X or the second output terminal X.
, A first N-channel MOS transistor 21 and a second N-channel MOS transistor 22 which are switches for inverting the polarity of the voltage applied to the EL element 1 and a source electrode are grounded, A third N-channel MOS transistor 23 having a drain electrode connected to the source electrode of the first N-channel MOS transistor 21 and a gate electrode commonly connected to the gate electrode of the second N-channel MOS transistor 22 And the source electrode is grounded, the drain electrode is connected to the source electrode of the second N-channel MOS transistor 22, and the gate electrode is connected to the first N-channel MOS transistor 22.
A fourth N-channel MOS transistor 24 commonly connected to the gate electrode of the S transistor 21 and a control signal output from the voltage detection circuit 7 are input, and the first and third N-channel MOS transistors 21, An inverter 25 for inverting the polarities of the control signal applied to the gate electrode 23 and the control signals applied to the gate electrodes of the second and fourth N-channel MOS transistors 22 and 24, respectively. Have been. Note that a potential difference generated between the first output terminal X and the second output terminal Y corresponds to a second output signal.

【0035】また、本実施形態においては、EL表示装
置の駆動回路はすくなくともスイッチング回路20と電
圧検出回路7とを含むものとする。
In this embodiment, the drive circuit of the EL display device includes at least the switching circuit 20 and the voltage detection circuit 7.

【0036】以下、前記のように構成された駆動回路を
有するEL表示装置の動作を説明する。
Hereinafter, the operation of the EL display device having the driving circuit configured as described above will be described.

【0037】図2は本発明の第1の実施形態に係る駆動
回路のタイミングチャートであって、V6は発振回路6
の出力信号を示し、V7は電圧検出回路7の出力信号を
示し、V1はEL素子1への第2の出力端子Yを基準と
した場合のEL素子1に対する印加電圧を示す。図2に
示すように、電圧検出回路7の出力信号V7がハイレベ
ルの期間(図中の期間a)において、第1及び第4のN
チャンネル型MOSトランジスタ21,24はオンとな
り、第2及び第3のNチャンネル型MOSトランジスタ
22,23はオフとなる。このとき、図1に示すEL素
子1への2つの出力端子のうち第2の出力端子YがGN
Dとなり、第1の出力端子Xがコイル11と昇圧トラン
ジスタ13とにより昇圧され、例えば、50〜80Vの
印加電圧となる。印加電圧V1は、所定電圧+VPに達
すると、電圧検出回路7がその電圧を検出し、今度は電
圧検出回路7が所定電圧(−VP)を検出するまでの期
間(図中の期間b)ローレベルの信号V7を出力する。
このときは、期間aとは逆に、第1及び第4のNチャネ
ルMOS型トランジスタ21,24がオフとなり、EL
素子1に蓄積された電荷は第3のNチャネル型MOSト
ランジスタ23を通って放電され、EL素子1への第1
の出力端子XがGNDとなり、第2の出力端子Yがコイ
ル11と昇圧トランジスタ13により昇圧された電圧が
現われる。
FIG. 2 is a timing chart of the driving circuit according to the first embodiment of the present invention.
V7 indicates an output signal of the voltage detection circuit 7, and V1 indicates a voltage applied to the EL element 1 with reference to the second output terminal Y to the EL element 1. As shown in FIG. 2, during a period in which the output signal V7 of the voltage detection circuit 7 is at a high level (period a in the drawing), the first and fourth N
The channel type MOS transistors 21 and 24 are turned on, and the second and third N-channel type MOS transistors 22 and 23 are turned off. At this time, the second output terminal Y of the two output terminals to the EL element 1 shown in FIG.
D, the first output terminal X is boosted by the coil 11 and the boosting transistor 13, and has an applied voltage of, for example, 50 to 80 V. When the applied voltage V1 reaches the predetermined voltage + VP, the voltage detection circuit 7 detects the voltage, and this time is low until the voltage detection circuit 7 detects the predetermined voltage (-VP) (period b in the figure). A level signal V7 is output.
At this time, contrary to the period a, the first and fourth N-channel MOS transistors 21 and 24 are turned off, and EL
The electric charge accumulated in the element 1 is discharged through the third N-channel MOS transistor 23, and the first
Output terminal X becomes GND, and the voltage output from the second output terminal Y by the coil 11 and the boost transistor 13 appears.

【0038】なお、所定電圧VPを、NチャンネルMO
S型トランジスタ21〜24の各ドレイン耐圧以下で且
つEL素子1の耐圧以下に設定する。
The predetermined voltage VP is applied to the N-channel MO
It is set to be equal to or less than the withstand voltage of each drain of the S-type transistors 21 to 24 and equal to or less than the withstand voltage of the EL element 1.

【0039】また、電圧検出回路としては、ツェナーダ
イオードを用いた回路、抵抗分割を用いた回路又はコン
パレータ等が考えられるが、高精度で且つ安価なツェナ
ーダイオードを用いた回路が好ましい。この場合には、
EL素子1に対する印加電圧V1のばらつきはツェナー
ダイオード自体の特性のばらつきにまで抑えることがで
きる。
As the voltage detection circuit, a circuit using a Zener diode, a circuit using resistance division, a comparator, or the like can be considered, but a circuit using a high-precision and inexpensive Zener diode is preferable. In this case,
Variations in the applied voltage V1 to the EL element 1 can be suppressed to variations in the characteristics of the Zener diode itself.

【0040】このように、本実施形態によると、電圧検
出回路7においてEL素子1に対する印加電圧が、時間
に依存することなく、所定電圧VPまで昇圧されるのを
モニターし、該所定電圧VPを検出したときにEL素子
1の印加電圧V1の極性を反転するため、図3における
実線に示す容量が相対的に大きなEL素子と、破線に示
す容量が相対的に小さなEL素子とが混在したとして
も、各EL素子の印加電圧V1の絶対値の最大値がほぼ
同一となるので、複数個のEL素子で構成される表示装
置に輝度むらが生じなくなる。ここで、各素子の容量の
ばらつきが時間軸方向に現われるが、400Hz程度の
交流であるため、この時間軸方向のばらつきが表示に影
響を与えることはない。
As described above, according to the present embodiment, it is monitored that the voltage applied to the EL element 1 in the voltage detection circuit 7 is raised to the predetermined voltage VP without depending on time, and the predetermined voltage VP is monitored. Since the polarity of the applied voltage V1 of the EL element 1 is inverted when detected, it is assumed that an EL element having a relatively large capacitance indicated by a solid line and an EL element having a relatively small capacitance indicated by a broken line in FIG. Also, since the maximum value of the absolute value of the applied voltage V1 of each EL element is substantially the same, uneven brightness does not occur in a display device including a plurality of EL elements. Here, the variation in the capacitance of each element appears in the time axis direction, but since the alternating current is about 400 Hz, the variation in the time axis direction does not affect the display.

【0041】また、電圧検出回路7が検出する所定電圧
VPは、NチャンネルMOS型トランジスタ21〜24
の各ドレイン耐圧以下で且つEL素子1の耐圧以下に設
定されているため、EL素子1を交換する場合やEL素
子1の接続が何らかの理由で外れた場合においても、駆
動回路を構成する各トランジスタには、所定電圧VP以
上の電圧が印加されないので、該各トランジスタが破壊
されることがない。
The predetermined voltage VP detected by the voltage detection circuit 7 is equal to N-channel MOS transistors 21 to 24.
Are set to be equal to or less than the drain withstand voltage of the EL element 1 and to be equal to or less than the withstand voltage of the EL element 1. Therefore, even when the EL element 1 is replaced or the connection of the EL element 1 is disconnected for some reason, each transistor constituting the drive circuit Is not applied with a voltage equal to or higher than the predetermined voltage VP, the transistors are not destroyed.

【0042】なお、昇圧トランジスタ13にMOS型ト
ランジスタを用いたが、これに限らず、バイポーラトラ
ンジスタであってもよい。
Although a MOS transistor is used as the boosting transistor 13, the present invention is not limited to this, and may be a bipolar transistor.

【0043】以下、本発明の第2の実施形態を図面を参
照しながら説明する。
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0044】図4は本発明の第2の実施形態に係るEL
駆動回路を用いたEL表示装置を示す回路図である。図
4において、図1に示すEL表示装置と同一の構成要素
には同一の符号を付すことにより説明を省略する。新た
な構成要素として図4に示すように、スイッチング回路
20における第1のNチャンネル型MOSトランジスタ
21のソース電極及び第3のNチャンネル型MOSトラ
ンジスタ23のドレイン電極の共通接続点と第1の出力
端子Xとの間には、抵抗器8が直列に接続されている。
図4において、V4Aは第1のNチャンネル型MOSト
ランジスタ21のソース電極及び第3のNチャンネル型
MOSトランジスタ23のドレイン電極の共通接続点の
電圧を表わし、V4Bは第1の出力端子Xの電圧を表わ
し、V4Cは第2のNチャンネル型MOSトランジスタ
22のソース電極及び第4のNチャンネル型MOSトラ
ンジスタ24のドレイン電極の共通接続点の電圧、すな
わち、第2の出力端子Yの電圧を表わし、V4DはEL
素子1の印加電圧である第1の出力端子Xと第2の出力
端子Yとの電位差、すなわち、V4BとV4Cとの差を
表わしている。
FIG. 4 shows an EL device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a circuit diagram illustrating an EL display device using a driving circuit. In FIG. 4, the same components as those of the EL display device shown in FIG. As a new component, as shown in FIG. 4, a common connection point between the source electrode of the first N-channel MOS transistor 21 and the drain electrode of the third N-channel MOS transistor 23 in the switching circuit 20 and the first output A resistor 8 is connected in series with the terminal X.
In FIG. 4, V4A represents the voltage at the common connection point between the source electrode of the first N-channel MOS transistor 21 and the drain electrode of the third N-channel MOS transistor 23, and V4B represents the voltage at the first output terminal X. V4C represents the voltage at the common connection point between the source electrode of the second N-channel MOS transistor 22 and the drain electrode of the fourth N-channel MOS transistor 24, that is, the voltage of the second output terminal Y; V4D is EL
It represents the potential difference between the first output terminal X and the second output terminal Y, which is the applied voltage of the element 1, that is, the difference between V4B and V4C.

【0045】以下、前記のように構成されたEL表示装
置の動作を説明する。前述の第1の実施形態において説
明したように、図4において、昇圧回路10の昇圧トラ
ンジスタ13のゲート電圧の周波数は発信回路6の出力
信号に依存している。従って、第1及び第4のNチャン
ネル型MOSトランジスタ21,24がオンで、第2及
び第3のNチャンネル型MOSトランジスタ22,23
がオフの状態の場合は、昇圧回路10のコイル11と昇
圧トランジスタ13とによって第1のNチャンネル型M
OSトランジスタ21のソース電極の電圧V4Aが昇圧
され、第2の出力端子Yの電圧V4Cは0Vとなる。
Hereinafter, the operation of the EL display device configured as described above will be described. As described in the first embodiment, in FIG. 4, the frequency of the gate voltage of the boosting transistor 13 of the boosting circuit 10 depends on the output signal of the oscillation circuit 6. Therefore, the first and fourth N-channel MOS transistors 21 and 24 are turned on, and the second and third N-channel MOS transistors 22 and 23 are turned on.
Is in the off state, the first N-channel type M is provided by the coil 11 of the booster circuit 10 and the booster transistor 13.
The voltage V4A of the source electrode of the OS transistor 21 is boosted, and the voltage V4C of the second output terminal Y becomes 0V.

【0046】この様子を具体的に図面を用いて説明す
る。図5(a)に示す電圧V4Aが昇圧されている間
は、図5(c)に示す電圧V4Cは0Vのままである。
また、図5(b)に示すように、抵抗器8を通過した後
の電圧V4Bは該抵抗器8によって電圧降下を生じてお
り、さらに、電圧V4Bが所定電圧VPにまで昇圧され
ると、図3に示す電圧検出回路7は該所定電圧VPを検
出し、制御信号を反転させる。該制御信号を受け、第1
及び第4のNチャンネル型MOSトランジスタ21,2
4がオフとなり、第2及び第3のNチャンネル型MOS
トランジスタ22,23がオンとなるため、図5(c)
に示す電圧V4Cが昇圧され、図5(a)に示すV4A
は0Vとなる。このとき、図5(b)に示すように、電
圧V4Bは抵抗器8を介して放電されるため、EL素子
1の容量成分と抵抗器8の抵抗成分との積で積分される
ので、立ち下がり波形は鈍化する。
This situation will be specifically described with reference to the drawings. While the voltage V4A shown in FIG. 5A is being boosted, the voltage V4C shown in FIG. 5C remains at 0V.
Further, as shown in FIG. 5B, the voltage V4B after passing through the resistor 8 causes a voltage drop by the resistor 8, and when the voltage V4B is further increased to a predetermined voltage VP, The voltage detection circuit 7 shown in FIG. 3 detects the predetermined voltage VP and inverts the control signal. Receiving the control signal,
And fourth N-channel MOS transistors 21 and 21
4 is turned off, and the second and third N-channel type MOS
Since the transistors 22 and 23 are turned on, FIG.
The voltage V4C shown in FIG. 5A is boosted, and the voltage V4A shown in FIG.
Becomes 0V. At this time, as shown in FIG. 5B, since the voltage V4B is discharged through the resistor 8, the voltage V4B is integrated by the product of the capacitance component of the EL element 1 and the resistance component of the resistor 8, so that the voltage V4B rises. The falling waveform slows down.

【0047】次に、図5(c)に示す電圧V4Cが所定
電圧VPにまで昇圧されると、再び各トランジスタのオ
ン、オフが反転し、図5(a)に示す電圧V4Aが昇圧
される。このとき、電圧V4Cが0Vに立ち下がり、電
圧V4Bは瞬間的に電圧V4Cの電圧降下分だけマイナ
ス電位に降下した後、昇圧し始める。
Next, when the voltage V4C shown in FIG. 5 (c) is boosted to the predetermined voltage VP, the ON / OFF of each transistor is reversed again, and the voltage V4A shown in FIG. 5 (a) is boosted. . At this time, the voltage V4C falls to 0V, and the voltage V4B instantaneously drops to the minus potential by the voltage drop of the voltage V4C, and then starts increasing.

【0048】図5(d)に示すように、EL素子1に印
加される印加電圧V4Dは電圧V4Bと電圧V4Cとの
差であり、従って、印加電圧V4Dの電圧波形は昇圧電
圧VPから0Vまでの立ち下がり部分が鈍化される。さ
らに、EL素子1の印加電圧V4Dの絶対値の最大値V
Pは、抵抗器8が設けられない場合と同一であり、EL
素子1の輝度を低下させることがない。
As shown in FIG. 5D, the applied voltage V4D applied to the EL element 1 is the difference between the voltages V4B and V4C. Therefore, the voltage waveform of the applied voltage V4D changes from the boosted voltage VP to 0V. The falling part of is blunted. Further, the maximum value V of the absolute value of the applied voltage V4D of the EL element 1 is obtained.
P is the same as when the resistor 8 is not provided, and EL
The luminance of the element 1 is not reduced.

【0049】このように、本実施形態によると、電圧検
出回路7を備え、該電圧検出回路7はEL素子1に対す
る印加電圧が所定電圧VPまで昇圧されるのをモニター
し、該所定電圧VPを検出したときにEL素子1の印加
電圧V4Dの極性を反転させるため、容量が相対的に大
きなEL素子と、容量が相対的に小さなEL素子とが混
在したとしても、各EL素子の印加電圧V4Dの絶対値
の最大値がほぼ同一となるので、複数個のEL素子で構
成される表示装置に輝度むらが生じなくなる。
As described above, according to the present embodiment, the voltage detection circuit 7 is provided, and the voltage detection circuit 7 monitors that the voltage applied to the EL element 1 is raised to the predetermined voltage VP, and detects the predetermined voltage VP. When the detection is performed, the polarity of the applied voltage V4D of the EL element 1 is reversed. Therefore, even if the EL element having a relatively large capacity and the EL element having a relatively small capacity are mixed, the applied voltage V4D of each EL element is mixed. Are substantially the same, and thus a display device including a plurality of EL elements does not have luminance unevenness.

【0050】また、所定電圧VPがNチャンネルMOS
型トランジスタ21〜24の各ドレイン耐圧以下で且つ
EL素子1の耐圧以下に設定されており、電圧検出回路
7はこの印加電圧V4Dの最大値である所定電圧VPを
モニターしているため、EL素子1を交換する場合やE
L素子1の接続が何らかの理由で外れた場合において
も、駆動回路を構成する各トランジスタには、所定電圧
VP以上の電圧が印加されないので、該各トランジスタ
は破壊されることがない。
The predetermined voltage VP is an N-channel MOS.
It is set to be equal to or less than the withstand voltage of each drain of the type transistors 21 to 24 and equal to or less than the withstand voltage of the EL element 1, and the voltage detection circuit 7 monitors the predetermined voltage VP which is the maximum value of the applied voltage V4D. When replacing 1 or E
Even if the connection of the L element 1 is disconnected for some reason, a voltage equal to or higher than the predetermined voltage VP is not applied to each transistor constituting the drive circuit, so that each transistor is not destroyed.

【0051】また、スイッチング回路20と第1の出力
端子Xとの間に直列に抵抗器8を設けているため、交流
信号を生成することから生じる印加電圧V4Dの急峻な
立ち下がり波形を遅延させることにより鈍化させること
ができるので、EL素子が生ずる振動を緩和することが
できる。これにより、振動によるノイズが抑制されるこ
とになる。
Further, since the resistor 8 is provided in series between the switching circuit 20 and the first output terminal X, a steep falling waveform of the applied voltage V4D caused by generating an AC signal is delayed. Accordingly, the vibration can be reduced, so that the vibration generated by the EL element can be reduced. As a result, noise due to vibration is suppressed.

【0052】また、所定電圧VPのままで遅延させるこ
とができるので、EL素子の輝度を低下させることな
く、ノイズの低減化を図ることができる。
Further, since the delay can be performed while maintaining the predetermined voltage VP, noise can be reduced without lowering the luminance of the EL element.

【0053】なお、EL素子の振動音、すなわち駆動音
を低減するには、抵抗器8の抵抗値を数kΩとして、E
L素子1に印加する電圧波形における昇圧電圧から0V
までの立ち下がり時間を数十μsecとなるようにすれ
ばよい。
To reduce the vibration sound of the EL element, that is, the driving sound, the resistance of the resistor 8 is set to several kΩ,
0 V from the boosted voltage in the voltage waveform applied to L element 1
The fall time up to the above may be set to several tens μsec.

【0054】図6は第2の実施形態の第1の変形例に係
るEL表示装置を示す回路図であって、スイッチング回
路20と第1の出力端子Xとの間の代わりに抵抗器8を
スイッチング回路20と第2の出力端子Yとの間に直列
に接続した場合の回路図である。図6に示す電圧V4A
は第2のNチャンネル型MOSトランジスタ22のソー
ス電極の電圧を示す。この場合は、図7(b)の出力信
号波形図に示すように、抵抗器8を通過した後の電圧V
4Cは該抵抗器8によって電圧降下を生じると共に抵抗
器8を介して放電されるため、立ち下がり波形が鈍化す
るので、図7(d)に示すように、電圧V4Bと電圧V
4Cとの差であり、EL素子1の印加電圧V4Dの電圧
波形は昇圧電圧VPから0Vまでの立ち下がり部分が鈍
化する。これにより、前記第2の実施形態と同様の効果
が得られる。
FIG. 6 is a circuit diagram showing an EL display device according to a first modification of the second embodiment, in which a resistor 8 is connected between the switching circuit 20 and the first output terminal X instead. FIG. 4 is a circuit diagram in a case where the switching circuit is connected in series between a switching circuit and a second output terminal. Voltage V4A shown in FIG.
Indicates the voltage of the source electrode of the second N-channel MOS transistor 22. In this case, as shown in the output signal waveform diagram of FIG.
4C causes a voltage drop by the resistor 8 and is discharged through the resistor 8, so that the falling waveform is slowed down. Therefore, as shown in FIG.
4C, and the voltage waveform of the applied voltage V4D of the EL element 1 has a blunted falling portion from the boosted voltage VP to 0V. Thereby, the same effect as that of the second embodiment can be obtained.

【0055】図8は第2の実施形態の第2の変形例に係
るEL表示装置を示す回路図であって、スイッチング回
路20と第1の出力端子Xとの間に第1の抵抗器8Aを
直列に接続すると共に、スイッチング回路20と第2の
出力端子Yとの間に第2の抵抗器8Bを直列に接続した
場合の回路図である。図8に示す電圧V4Aは第1のN
チャンネル型MOSトランジスタ21のソース電極の電
圧を示し、電圧V4Eは第2のNチャンネル型MOSト
ランジスタ22のソース電極の電圧を示す。この場合
は、図9(b)の出力信号波形図に示すように、第1の
抵抗器8Aを通過した後の電圧V4Bは該第1の抵抗器
8Aを介して放電され、且つ、図9(c)の出力信号波
形図に示すように第2の抵抗器8Bを通過した後の電圧
V4Cは該第2の抵抗器8Bを介して放電されるため、
立ち下がり波形はそれぞれ鈍化するので、図9(e)に
示すように、EL素子1の印加電圧V4Dの電圧波形は
昇圧電圧VPから0Vまでの立ち下がり部分が鈍化す
る。これにより、前記第2の実施形態と同様の効果が得
られる。なお、図9(b),(c)の各出力信号波形図
に示すように、昇圧時には瞬間的に電圧が降下した後に
それぞれ昇圧し始める。
FIG. 8 is a circuit diagram showing an EL display device according to a second modification of the second embodiment, in which a first resistor 8A is connected between a switching circuit 20 and a first output terminal X. Are connected in series, and a second resistor 8B is connected in series between the switching circuit 20 and the second output terminal Y. FIG. The voltage V4A shown in FIG.
The voltage of the source electrode of the channel type MOS transistor 21 is shown, and the voltage V4E is the voltage of the source electrode of the second N-channel type MOS transistor 22. In this case, as shown in the output signal waveform diagram of FIG. 9B, the voltage V4B after passing through the first resistor 8A is discharged through the first resistor 8A, and As shown in the output signal waveform diagram of (c), the voltage V4C after passing through the second resistor 8B is discharged through the second resistor 8B.
Since the falling waveforms respectively become dull, as shown in FIG. 9E, the voltage waveform of the applied voltage V4D of the EL element 1 becomes dull at the falling portion from the boosted voltage VP to 0V. Thereby, the same effect as that of the second embodiment can be obtained. As shown in the output signal waveform diagrams of FIGS. 9B and 9C, when the voltage is boosted, the voltage starts dropping after the voltage instantaneously drops.

【0056】ところで、従来のEL表示装置における駆
動回路と出力端子との間に抵抗器を挿入した場合には、
以下に説明するような不具合が生じる。
By the way, when a resistor is inserted between the driving circuit and the output terminal in the conventional EL display device,
The following problems occur.

【0057】図13は従来の駆動回路にノイズ低減用の
抵抗器を設けたEL表示装置を示す回路である。図13
において、図10に示すEL表示装置と同一の構成要素
には同一の符号を付すことにより説明を省略する。新た
な構成要素として図13に示すように、スイッチング回
路60における第1のNチャンネル型MOSトランジス
タ61のソース電極及び第3のNチャンネル型MOSト
ランジスタ63のドレイン電極の共通接続点と第1の出
力端子Xとの間には、抵抗器58が直列に接続されてい
る。図13において、V5Aは第1のNチャンネル型M
OSトランジスタ61のソース電極及び第3のNチャン
ネル型MOSトランジスタ63のドレイン電極の共通接
続点の電圧を表わし、V5Bは第1の出力端子Xの電圧
を表わし、V5Cは第2のNチャンネル型MOSトラン
ジスタ62のソース電極及び第4のNチャンネル型MO
Sトランジスタ64のドレイン電極の共通接続点の電
圧、すなわち、第2の出力端子Yの電圧を表わし、V5
DはEL素子1の印加電圧である第1の出力端子Xと第
2の出力端子Yとの電位差、すなわち、V5BとV5C
との差を表わしている。
FIG. 13 is a circuit diagram showing an EL display device in which a conventional driving circuit is provided with a resistor for reducing noise. FIG.
In the figure, the same components as those of the EL display device shown in FIG. As a new component, as shown in FIG. 13, a common connection point between the source electrode of the first N-channel MOS transistor 61 and the drain electrode of the third N-channel MOS transistor 63 in the switching circuit 60 and the first output A resistor 58 is connected in series with the terminal X. In FIG. 13, V5A is a first N-channel type M
The voltage at the common connection point between the source electrode of the OS transistor 61 and the drain electrode of the third N-channel MOS transistor 63 is shown, V5B is the voltage of the first output terminal X, and V5C is the second N-channel MOS transistor. Source electrode of transistor 62 and fourth N-channel type MO
V5 represents the voltage at the common connection point of the drain electrodes of the S transistors 64, that is, the voltage of the second output terminal Y;
D is a potential difference between the first output terminal X and the second output terminal Y, which is the applied voltage of the EL element 1, that is, V5B and V5C
And the difference between the two.

【0058】このような構成の従来のEL表示装置の動
作を説明する。まず、図13において、第1及び第4の
Nチャンネル型MOSトランジスタ61,64がオン
で、第2及び第3のNチャンネル型MOSトランジスタ
62,63がオフの状態の場合は、昇圧回路10のコイ
ル53と昇圧トランジスタ55とによって第1のNチャ
ンネル型MOSトランジスタ61のソース電極の電圧V
5Aが昇圧され、第2の出力端子Yの電圧V5Cは0V
となる。
The operation of the conventional EL display device having such a configuration will be described. First, in FIG. 13, when the first and fourth N-channel MOS transistors 61 and 64 are on and the second and third N-channel MOS transistors 62 and 63 are off, the booster circuit 10 The voltage V of the source electrode of the first N-channel MOS transistor 61 is determined by the coil 53 and the boost transistor 55.
5A is boosted, and the voltage V5C of the second output terminal Y is 0 V
Becomes

【0059】この様子を図面を用いて説明する。図14
(a)に示す電圧V5Aが昇圧されている間は、図14
(c)に示す電圧V5Cは0Vのままである。また、図
14(b)に示すように、抵抗器58を通過した後の電
圧V5Bは該抵抗器58によって電圧降下を生じるた
め、電圧V5Aと比較すると電圧V5Bは(Va−V
b)だけ電圧が低下する。
This will be described with reference to the drawings. FIG.
While the voltage V5A shown in FIG.
The voltage V5C shown in (c) remains at 0V. Further, as shown in FIG. 14B, the voltage V5B after passing through the resistor 58 causes a voltage drop due to the resistor 58, so that the voltage V5B is (Va−V
The voltage drops by b).

【0060】次に、分周回路57で決定される所定時間
t1後に、第1及び第4のNチャンネル型MOSトラン
ジスタ61,64がオフとなり、第2及び第3のNチャ
ンネル型MOSトランジスタ62,63がオンとなるた
め、図14(c)に示す電圧V5Cが昇圧され、図14
(a)に示すV5Aは0Vとなる。このとき、図14
(b)に示すように、電圧V5Bは抵抗器58を介して
放電されるため、EL素子51の容量成分と抵抗器58
の抵抗成分との積で積分されるので、立ち下がり波形は
鈍化する。
Next, after a predetermined time t1 determined by the frequency dividing circuit 57, the first and fourth N-channel MOS transistors 61 and 64 are turned off, and the second and third N-channel MOS transistors 62 and 62 are turned off. Since the switch 63 is turned on, the voltage V5C shown in FIG.
V5A shown in (a) becomes 0V. At this time, FIG.
As shown in (b), since the voltage V5B is discharged through the resistor 58, the capacitance component of the EL element 51 and the resistor 58
, The falling waveform is dull.

【0061】次に、図14(a)及び(c)に示すよう
に、次の所定時間t1の経過後に、再度各トランジスタ
のオン,オフが反転し、電圧V5Aが昇圧され、且つ、
電圧V5Cが0Vに立ち下がり、図14(b)に示すV
5Bは瞬間的にV5Cの電圧降下分だけマイナス電位に
降下した後昇圧し始める。
Next, as shown in FIGS. 14A and 14C, after a lapse of the next predetermined time t1, the on / off of each transistor is reversed again, the voltage V5A is boosted, and
The voltage V5C falls to 0V, and the voltage V5C shown in FIG.
5B instantaneously drops to a negative potential by the voltage drop of V5C and then starts to boost.

【0062】図14(d)に示すように、EL素子51
に印加される印加電圧V5Dは電圧V5B、電圧V5C
の差であり、印加電圧V5Dの電圧波形は昇圧電圧から
0Vまでの立ち下がり部分が鈍化される。
As shown in FIG. 14D, the EL element 51
Applied voltage V5D is voltage V5B, voltage V5C
In the voltage waveform of the applied voltage V5D, the falling portion from the boosted voltage to 0V is blunted.

【0063】このように、従来からのEL素子51の駆
動音の原因となっている立ち下がり部分の急峻な電圧波
形を遅延させることができるため、ノイズが低減される
ことになる。
As described above, since the sharp voltage waveform at the falling portion which causes the conventional driving noise of the EL element 51 can be delayed, noise is reduced.

【0064】しかしながら、図14(d)に示すよう
に、EL素子51の印加電圧V5Dは、抵抗器58を設
けたことにより生じる電圧降下分(Va−Vb)だけ、
抵抗器58を設けない従来のEL表示装置と比べて低下
するため、表示の輝度が下がるという欠点がある。
However, as shown in FIG. 14D, the voltage V5D applied to the EL element 51 is reduced by the voltage drop (Va-Vb) caused by the provision of the resistor 58.
Since it is lower than that of a conventional EL display device in which the resistor 58 is not provided, there is a disadvantage that the display brightness is reduced.

【0065】なお、図15のEL表示装置を示す回路図
に示すように、抵抗器58を第1の出力端子X側でなく
第2の出力端子Y側に直列に接続した場合であっても、
図16(d)に示すように、EL素子51の印加電圧V
5Dは、抵抗器58を設けない従来のEL表示装置と比
べて、抵抗器58による電圧降下分(Va−Vb)だけ
低下することが分かる。
As shown in the circuit diagram of the EL display device in FIG. 15, even when the resistor 58 is connected in series to the second output terminal Y side instead of the first output terminal X side. ,
As shown in FIG. 16D, the applied voltage V
It can be seen that 5D is reduced by the voltage drop (Va−Vb) due to the resistor 58, as compared with the conventional EL display device without the resistor 58.

【0066】また、図17のEL表示装置を示す回路図
に示すように、第1の抵抗器58Aを第1の出力端子X
側に直列に接続すると共に、第2の抵抗器58Bを第2
の出力端子Y側に直列に接続した場合には、図18
(e)に示すように、EL素子51の印加電圧V5D
は、第1の抵抗器58A及び第2の抵抗器58Bを設け
ない従来のEL表示装置と比べて、両抵抗器58A,5
8Bによる電圧降下分2×(Va−Vb)だけ低下する
ことが分かる。
As shown in the circuit diagram of the EL display device shown in FIG. 17, the first resistor 58A is connected to the first output terminal X.
Side, and the second resistor 58B is connected to the second
18 is connected in series to the output terminal Y side of FIG.
As shown in (e), the applied voltage V5D of the EL element 51
Are compared with a conventional EL display device in which the first resistor 58A and the second resistor 58B are not provided.
It can be seen that the voltage drops by 2 × (Va−Vb) by 8B.

【0067】これに対して、前記第1の実施形態のEL
表示装置に抵抗器を付加した構成の前記第2の実施形態
のEL表示装置によると、所定の昇圧電圧が低下しない
ため、EL素子の輝度が低下することなくノイズの低減
化を図ることができる。
On the other hand, the EL of the first embodiment
According to the EL display device of the second embodiment in which a resistor is added to the display device, since the predetermined boosted voltage does not decrease, noise can be reduced without lowering the luminance of the EL element. .

【0068】[0068]

【発明の効果】請求項1の発明に係るEL表示装置によ
ると、電圧検出手段は、スイッチング手段の第1の出力
信号が時間に依らず所定電圧に達した時点で第2の出力
信号の極性を反転させるため、EL素子駆動用の印加電
圧の大きさのばらつきが抑制されるので、表示面の輝度
むらが抑制される。
According to the EL display device of the first aspect, the voltage detecting means determines the polarity of the second output signal when the first output signal of the switching means reaches a predetermined voltage regardless of time. Is inverted, the variation in the magnitude of the applied voltage for driving the EL element is suppressed, so that the luminance unevenness on the display surface is suppressed.

【0069】また、印加電圧が所定電圧に達した時点で
反転されるため、EL素子への出力端子が解放状態にな
った場合でも、スイッチング手段を構成するトランジス
タの耐圧以下に該所定電圧を設定すれば、該トランジス
タが破壊されることがない。
Since the voltage is inverted when the applied voltage reaches a predetermined voltage, even when the output terminal to the EL element is released, the predetermined voltage is set to be equal to or less than the withstand voltage of the transistor constituting the switching means. Then, the transistor is not destroyed.

【0070】請求項2の発明に係るEL表示装置による
と、昇圧信号生成手段は、コイルとダイオードとが接続
部において直列に接続されてなる直列回路と、主電極が
直列回路の接続部に接続され、制御電極がパルス信号の
入力を受ける昇圧トランジスタとから構成されているた
め、直流電圧源の電圧を確実に昇圧することができる。
According to the EL display device of the second aspect, the boosting signal generating means includes a series circuit in which a coil and a diode are connected in series at a connection portion, and a main electrode connected to a connection portion of the series circuit. Since the control electrode is constituted by the boosting transistor receiving the input of the pulse signal, the voltage of the DC voltage source can be surely boosted.

【0071】請求項3の発明に係るEL表示装置による
と、昇圧信号生成手段にパルス信号を出力する発振回路
と、コイルとダイオードのアノードとが接続部において
直列に接続されてなる直列回路及びドレイン電極が接続
部に接続された昇圧トランジスタからなる昇圧信号生成
手段とを備えているため、直流電圧源の電圧を確実に昇
圧することができる。
According to the EL display device of the third aspect, an oscillation circuit for outputting a pulse signal to the boost signal generation means, a series circuit and a drain in which a coil and an anode of a diode are connected in series at a connection portion. Since the electrode is provided with the boost signal generating means including the boost transistor connected to the connection portion, the voltage of the DC voltage source can be reliably boosted.

【0072】また、電圧検出回路の入力側には、スイッ
チング手段が出力する第1の出力信号が入力され、電圧
検出回路が出力する制御信号はスイッチング手段のトラ
ンジスタの制御電極に入力されるため、該電圧検出回路
は第1の出力信号の電圧を確実に検出することができる
と共に、スイッチング手段からの第2の出力信号の極性
を確実に反転させることができる。
The first output signal output from the switching means is input to the input side of the voltage detection circuit, and the control signal output from the voltage detection circuit is input to the control electrode of the transistor of the switching means. The voltage detection circuit can reliably detect the voltage of the first output signal and can reliably invert the polarity of the second output signal from the switching means.

【0073】請求項4の発明に係るEL表示装置による
と、EL素子駆動用の交流信号を生成するスイッチング
手段の第2の出力信号は、その出力波形が鈍化されてい
るため、印加電圧の急峻な立ち下がりがなだらかになる
ので、印加電圧の交流成分に起因するEL素子の振動を
緩和することができる。その結果、振動によるノイズが
抑制されることになる。
According to the EL display device of the present invention, since the output waveform of the second output signal of the switching means for generating an AC signal for driving the EL element is dull, the applied voltage is steep. Since the gentle fall becomes gentle, vibration of the EL element caused by the AC component of the applied voltage can be reduced. As a result, noise due to vibration is suppressed.

【0074】請求項5の発明に係るEL表示装置による
と、スイッチング手段とEL素子との間に接続され、ス
イッチング手段から放電される電荷の放電時間を遅延さ
せる抵抗器を備えているため、スイッチング手段におけ
る第2の出力信号の放電時の出力波形を抵抗器の抵抗成
分から生じる信号遅延により容易に且つ確実に鈍化させ
ることができる。
According to the EL display device of the present invention, since the resistor is connected between the switching means and the EL element and delays the discharge time of the electric charge discharged from the switching means, the switching is provided. The output waveform at the time of discharging the second output signal in the means can be easily and reliably blunted by the signal delay generated from the resistance component of the resistor.

【0075】請求項6の発明に係る表示装置の駆動回路
によると、スイッチング回路の出力信号の極性が時間に
依らず該スイッチング回路の出力信号に基づいて反転さ
れるため、EL素子駆動用の交流電圧の大きさのばらつ
きが抑制されるので、表示面の輝度むらが抑制される。
According to the driving circuit of the display device of the present invention, since the polarity of the output signal of the switching circuit is inverted based on the output signal of the switching circuit irrespective of time, the alternating current for driving the EL element is obtained. Since the variation in the magnitude of the voltage is suppressed, the uneven brightness on the display surface is suppressed.

【0076】請求項7の発明に係る表示装置の駆動回路
によると、電圧検出回路において、スイッチング回路の
出力信号が所定電圧を超えたときに、制御信号の電圧極
性が反転されるため、スイッチング回路はEL素子に対
して所定電圧の交流信号を確実に出力することができ
る。
According to the drive circuit of the display device of the present invention, when the output signal of the switching circuit exceeds a predetermined voltage in the voltage detection circuit, the voltage polarity of the control signal is inverted, so that the switching circuit Can reliably output an AC signal of a predetermined voltage to the EL element.

【0077】また、印加電圧は所定電圧を超えたときに
反転されるため、EL素子への出力端子が解放状態にな
ったときでも、該所定電圧をスイッチング手段を構成す
るトランジスタの耐圧以下に設定すれば、該トランジス
タが破壊されることがない。
Further, since the applied voltage is inverted when it exceeds a predetermined voltage, even when the output terminal to the EL element is opened, the predetermined voltage is set to be equal to or less than the withstand voltage of the transistor constituting the switching means. Then, the transistor is not destroyed.

【0078】請求項8の発明に係る表示装置の駆動回路
によると、EL素子駆動用の交流信号を生成するスイッ
チング回路の出力信号は、その出力波形が鈍化されてい
るため、印加電圧の急峻な立ち下がりがなだらかになる
ので、印加電圧の交流成分に起因するEL素子の振動が
緩和することになり、その結果、振動によるノイズが抑
制される。
According to the display device driving circuit of the eighth aspect of the present invention, the output signal of the switching circuit for generating an AC signal for driving the EL element has a steep output waveform, so that the applied voltage is steep. Since the fall becomes gentle, the vibration of the EL element caused by the AC component of the applied voltage is reduced, and as a result, noise due to the vibration is suppressed.

【0079】請求項9の発明に係る表示装置の駆動回路
によると、スイッチング回路とEL素子との間に接続さ
れ、スイッチング回路から放電される電荷の放電時間を
遅延させる抵抗器をさらに備えているため、スイッチン
グ回路における放電時の出力信号の出力波形を抵抗器の
抵抗成分から生じる信号遅延により容易に且つ確実に鈍
化させることができる。
According to a ninth aspect of the present invention, the display device driving circuit further includes a resistor connected between the switching circuit and the EL element for delaying a discharge time of the electric charge discharged from the switching circuit. Therefore, the output waveform of the output signal at the time of discharge in the switching circuit can be easily and reliably blunted by a signal delay generated from the resistance component of the resistor.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係るEL駆動回路を
用いたEL表示装置を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an EL display device using an EL drive circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施形態に係るEL表示装置の
発振回路、出力端子及び電圧検出回路の各出力信号のタ
イミングチャートである。
FIG. 2 is a timing chart of output signals of an oscillation circuit, an output terminal, and a voltage detection circuit of the EL display device according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施形態に係る駆動回路のEL
素子に印加する出力信号を示すグラフである。
FIG. 3 is a diagram illustrating the EL of the driving circuit according to the first embodiment of the present invention.
4 is a graph showing an output signal applied to the device.

【図4】本発明の第2の実施形態に係るEL駆動回路を
用いたEL表示装置を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing an EL display device using an EL drive circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2の実施形態に係るEL駆動回路の
出力信号の信号波形を示し、(a)はスイッチング回路
と抵抗器との間の電圧波形を表わすグラフであり、
(b)は抵抗器が接続された第1の出力端子の電圧波形
を表わすグラフであり、(c)は抵抗器が接続されない
第2の出力端子の電圧波形を表わすグラフであり、
(d)は第1の出力端子と第2の出力端子との差よりな
る信号波形を表わすグラフである。
FIG. 5 shows a signal waveform of an output signal of an EL drive circuit according to a second embodiment of the present invention, and (a) is a graph showing a voltage waveform between a switching circuit and a resistor;
(B) is a graph showing a voltage waveform of a first output terminal to which a resistor is connected, (c) is a graph showing a voltage waveform of a second output terminal to which no resistor is connected,
(D) is a graph showing a signal waveform composed of a difference between the first output terminal and the second output terminal.

【図6】本発明の第2の実施形態の第1の変形例に係る
EL駆動回路を用いたEL表示装置を示す回路図であ
る。
FIG. 6 is a circuit diagram showing an EL display device using an EL drive circuit according to a first modification of the second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第2の実施形態の第1の変形例に係る
EL駆動回路の出力信号の信号波形を示し、(a)はス
イッチング回路と抵抗器との間の電圧波形を表わすグラ
フであり、(b)は抵抗器が接続された第2の出力端子
の電圧波形を表わすグラフであり、(c)は抵抗器が接
続されない第1の出力端子の電圧波形を表わすグラフで
あり、(d)は第1の出力端子と第2の出力端子との差
よりなる信号波形を表わすグラフである。
FIG. 7 shows a signal waveform of an output signal of an EL drive circuit according to a first modification of the second embodiment of the present invention, and (a) is a graph showing a voltage waveform between a switching circuit and a resistor. (B) is a graph showing a voltage waveform at a second output terminal to which a resistor is connected, (c) is a graph showing a voltage waveform at a first output terminal to which no resistor is connected, (D) is a graph showing a signal waveform composed of a difference between the first output terminal and the second output terminal.

【図8】本発明の第2の実施形態の第2の変形例に係る
EL駆動回路を用いたEL表示装置を示す回路図であ
る。
FIG. 8 is a circuit diagram showing an EL display device using an EL drive circuit according to a second modification of the second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第2の実施形態の第2の変形例に係る
EL駆動回路の出力信号の信号波形を示し、(a)はス
イッチング回路と第1の抵抗器との間の電圧波形を表わ
すグラフであり、(b)は第1の抵抗器が接続された第
1の出力端子の電圧波形を表わすグラフであり、(c)
は第2の抵抗器が接続された第2の出力端子の電圧波形
を表わすグラフであり、(d)はスイッチング回路と第
2の抵抗器との間の電圧波形を表わすグラフであり、
(e)は第1の出力端子と第2の出力端子との差よりな
る信号波形を表わすグラフである。
FIG. 9 shows a signal waveform of an output signal of an EL drive circuit according to a second modification of the second embodiment of the present invention, wherein (a) shows a voltage waveform between a switching circuit and a first resistor; (B) is a graph showing the voltage waveform of the first output terminal to which the first resistor is connected, and (c) is a graph showing
Is a graph showing a voltage waveform at a second output terminal to which the second resistor is connected, (d) is a graph showing a voltage waveform between the switching circuit and the second resistor,
(E) is a graph showing a signal waveform composed of a difference between the first output terminal and the second output terminal.

【図10】従来のEL駆動回路を用いたEL表示装置を
示す回路図である。
FIG. 10 is a circuit diagram showing an EL display device using a conventional EL drive circuit.

【図11】従来のEL表示装置の発振回路、分周回路及
び出力端子の各出力信号のタイミングチャートである。
FIG. 11 is a timing chart of output signals of an oscillation circuit, a frequency divider, and an output terminal of a conventional EL display device.

【図12】従来の駆動回路のEL素子に印加する出力信
号を示すグラフである。
FIG. 12 is a graph showing an output signal applied to an EL element of a conventional driving circuit.

【図13】従来のEL駆動回路に抵抗器を設けたEL表
示装置を示す回路図である。
FIG. 13 is a circuit diagram showing an EL display device in which a resistor is provided in a conventional EL drive circuit.

【図14】従来のEL駆動回路に抵抗器を設けた場合の
出力信号の信号波形を示し、(a)はスイッチング回路
と抵抗器との間の電圧波形を表わすグラフであり、
(b)は抵抗器が接続された第1の出力端子の電圧波形
を表わすグラフであり、(c)は抵抗器が接続されない
第2の出力端子の電圧波形を表わすグラフであり、
(d)は第1の出力端子と第2の出力端子との差よりな
る信号波形を表わすグラフである。
14 shows a signal waveform of an output signal when a resistor is provided in a conventional EL drive circuit, and FIG. 14 (a) is a graph showing a voltage waveform between a switching circuit and a resistor;
(B) is a graph showing a voltage waveform of a first output terminal to which a resistor is connected, (c) is a graph showing a voltage waveform of a second output terminal to which no resistor is connected,
(D) is a graph showing a signal waveform composed of a difference between the first output terminal and the second output terminal.

【図15】従来のEL駆動回路に抵抗器を設けたEL表
示装置を示す回路図である。
FIG. 15 is a circuit diagram showing an EL display device in which a resistor is provided in a conventional EL drive circuit.

【図16】従来のEL駆動回路に抵抗器を設けた場合の
出力信号の信号波形を示し、(a)はスイッチング回路
と抵抗器との間の電圧波形を表わすグラフであり、
(b)は抵抗器が接続された第2の出力端子の電圧波形
を表わすグラフであり、(c)は抵抗器が接続されない
第1の出力端子の電圧波形を表わすグラフであり、
(d)は第1の出力端子と第2の出力端子との差よりな
る信号波形を表わすグラフである。
FIG. 16 shows a signal waveform of an output signal when a resistor is provided in a conventional EL drive circuit, and (a) is a graph showing a voltage waveform between the switching circuit and the resistor;
(B) is a graph showing a voltage waveform of a second output terminal to which a resistor is connected, (c) is a graph showing a voltage waveform of a first output terminal to which no resistor is connected,
(D) is a graph showing a signal waveform composed of a difference between the first output terminal and the second output terminal.

【図17】従来のEL駆動回路に第1の抵抗器及び第2
の抵抗器を設けたEL表示装置を示す回路図である。
FIG. 17 shows a conventional EL drive circuit including a first resistor and a second resistor.
FIG. 2 is a circuit diagram showing an EL display device provided with the resistor of FIG.

【図18】従来のEL駆動回路に第1の抵抗器及び第2
の抵抗器を設けた場合の出力信号の信号波形を示し、
(a)はスイッチング回路と第1の抵抗器との間の電圧
波形を表わすグラフであり、(b)は第1の抵抗器が接
続された第1の出力端子の電圧波形を表わすグラフであ
り、(c)は第2の抵抗器が接続された第2の出力端子
の電圧波形を表わすグラフであり、(d)はスイッチン
グ回路と第2の抵抗器との間の電圧波形を表わすグラフ
であり、(e)は第1の出力端子と第2の出力端子との
差よりなる信号波形を表わすグラフである。
FIG. 18 shows a conventional EL drive circuit including a first resistor and a second resistor.
Shows the signal waveform of the output signal when the resistor of
(A) is a graph showing a voltage waveform between a switching circuit and a first resistor, and (b) is a graph showing a voltage waveform at a first output terminal to which the first resistor is connected. , (C) is a graph showing a voltage waveform of a second output terminal to which the second resistor is connected, and (d) is a graph showing a voltage waveform between the switching circuit and the second resistor. FIG. 7E is a graph showing a signal waveform composed of a difference between the first output terminal and the second output terminal.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 EL素子 2 直流電圧源 6 発振回路 7 電圧検出回路 8 抵抗器 8A 第1の抵抗器 8B 第2の抵抗器 10 昇圧回路(昇圧信号生成手段) 11 コイル 12 ダイオード 13 昇圧トランジスタ 20 スイッチング回路(スイッチング手段) 21 第1のNチャンネル型MOSトランジスタ 22 第2のNチャンネル型MOSトランジスタ 23 第3のNチャンネル型MOSトランジスタ 24 第4のNチャンネル型MOSトランジスタ 25 反転器 30 半導体基板上に集積化される領域 X 第1の出力端子 Y 第2の出力端子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 EL element 2 DC voltage source 6 Oscillation circuit 7 Voltage detection circuit 8 Resistor 8A 1st resistor 8B 2nd resistor 10 Boost circuit (boost signal generation means) 11 Coil 12 Diode 13 Boost transistor 20 Switching circuit (switching) Means 21 first N-channel MOS transistor 22 second N-channel MOS transistor 23 third N-channel MOS transistor 24 fourth N-channel MOS transistor 25 inverter 30 integrated on a semiconductor substrate Area X First output terminal Y Second output terminal

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 パルス信号に応じて電源電圧を昇圧して
昇圧信号を生成する昇圧信号生成手段と、 前記昇圧信号が入力されると、第1の出力信号を出力す
ると共に、前記昇圧信号の極性を反転させて第2の出力
信号を出力するスイッチング手段と、 前記スイッチング手段の出力側に接続されたEL素子
と、 前記スイッチング手段から第1の出力信号の入力を受
け、入力された第1の出力信号の所定電圧に基づいて前
記スイッチング手段に制御信号を出力することにより、
前記スイッチング手段の第2の出力信号の極性を反転さ
せる電圧検出回路とを備えていることを特徴とするEL
表示装置。
A boosting signal generating means for boosting a power supply voltage in response to a pulse signal to generate a boosting signal; receiving the boosting signal, outputting a first output signal; A switching unit for inverting the polarity and outputting a second output signal; an EL element connected to an output side of the switching unit; a first output signal received from the switching unit when the first output signal is input; By outputting a control signal to the switching means based on a predetermined voltage of the output signal of
And a voltage detection circuit for inverting the polarity of the second output signal of the switching means.
Display device.
【請求項2】 前記昇圧信号生成手段は、 コイルとダイオードとが接続部において直列に接続され
てなる直列回路と、 主電極が前記直列回路の接続部に接続され、制御電極が
前記パルス信号の入力を受ける昇圧トランジスタとから
なることを特徴とする請求項1に記載のEL表示装置。
2. The boosting signal generating means includes: a series circuit in which a coil and a diode are connected in series at a connection portion; a main electrode connected to a connection portion of the series circuit; 2. The EL display device according to claim 1, comprising a boosting transistor receiving an input.
【請求項3】 前記昇圧信号生成手段に前記パルス信号
を出力する発振回路をさらに備えており、 前記スイッチング手段はトランジスタを有しており、 前記昇圧信号生成手段は、 カソードが前記スイッチング手段のトランジスタの主電
極に接続されたダイオードと、一端が電圧源に接続され
ていると共に他端が前記ダイオードのアノードと接続部
において接続されたコイルとからなる直列回路と、 主電極が前記直列回路の接続部に接続され、制御電極が
前記パルス信号を受ける昇圧トランジスタとを有し、 前記電圧検出回路が出力する制御信号は前記スイッチン
グ手段のトランジスタの制御電極に入力されることを特
徴とする請求項1に記載のEL表示装置。
3. An oscillator circuit for outputting the pulse signal to the boosting signal generating means, wherein the switching means has a transistor, wherein the boosting signal generating means has a cathode which is a transistor of the switching means. A series circuit consisting of a diode connected to the main electrode of the first circuit, a coil having one end connected to the voltage source and the other end connected to the anode of the diode at a connection portion, and a main electrode connected to the series circuit. And a control electrode having a boosting transistor receiving the pulse signal, wherein a control signal output from the voltage detection circuit is input to a control electrode of a transistor of the switching means. 3. The EL display device according to claim 1.
【請求項4】 前記スイッチング手段の第2の出力信号
は、その出力波形が鈍化されていることを特徴とする請
求項1〜3のいずれか1項に記載のEL表示装置。
4. The EL display device according to claim 1, wherein an output waveform of the second output signal of the switching means is blunted.
【請求項5】 前記スイッチング手段と前記EL素子と
の間に直列に接続され、前記スイッチング手段から放電
される電荷の放電時間を遅延させる抵抗器をさらに備え
ていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に
記載のEL表示装置。
5. The semiconductor device according to claim 1, further comprising a resistor connected in series between said switching means and said EL element, for delaying a discharge time of a charge discharged from said switching means. 4. The EL display device according to any one of claims 1 to 3.
【請求項6】 ドレイン電極同士が互いに接続された第
1のNチャンネル型MOSトランジスタ及び第2のNチ
ャンネル型MOSトランジスタと、ソース電極が接地さ
れ、ドレイン電極が前記第1のNチャンネルMOS型ト
ランジスタのソース電極と接続され、ゲート電極が前記
第2のNチャンネル型MOSトランジスタのゲート電極
と接続された第3のNチャンネル型MOSトランジスタ
と、ソース電極が接地され、ドレイン電極が前記第2の
Nチャンネル型MOSトランジスタのソース電極と接続
され、ゲート電極が前記第1のNチャンネル型MOSト
ランジスタのゲート電極と接続された第4のNチャンネ
ル型MOSトランジスタと、前記第3のNチャンネル型
MOSトランジスタのドレイン電極に接続された第1の
出力端子と、前記第4のNチャンネル型MOSトランジ
スタのドレイン電極に接続された第2の出力端子とを有
するスイッチング回路と、 前記スイッチング回路の第1の出力端子及び第2の出力
端子からの出力信号の入力を受け、前記スイッチング回
路における前記第1及び第4のNチャンネル型MOSト
ランジスタの共通のゲート電極と前記第2及び第3のN
チャンネル型MOSトランジスタの共通のゲート電極と
に互いに逆相の制御信号を送出する電圧検出回路とを備
えていることを特徴とする表示装置の駆動回路。
6. A first N-channel MOS transistor and a second N-channel MOS transistor having drain electrodes connected to each other, a source electrode grounded, and a drain electrode connected to said first N-channel MOS transistor. A third N-channel MOS transistor having a gate electrode connected to the gate electrode of the second N-channel MOS transistor, a source electrode grounded, and a drain electrode connected to the second N-channel MOS transistor. A fourth N-channel MOS transistor having a gate electrode connected to the source electrode of the channel-type MOS transistor and a gate electrode connected to the gate electrode of the first N-channel MOS transistor; A first output terminal connected to the drain electrode; 4, a switching circuit having a second output terminal connected to the drain electrode of the N-channel MOS transistor, and receiving input of output signals from the first output terminal and the second output terminal of the switching circuit; A common gate electrode of the first and fourth N-channel MOS transistors in the switching circuit and the second and third N-channel MOS transistors;
A drive circuit for a display device, comprising: a common gate electrode of a channel type MOS transistor; and a voltage detection circuit for transmitting control signals of opposite phases to each other.
【請求項7】 前記電圧検出回路において、前記スイッ
チング回路の出力信号が所定電圧を超えたときに、前記
制御信号の電圧極性が反転されることを特徴とする請求
項6に記載の表示装置の駆動回路。
7. The display device according to claim 6, wherein in the voltage detection circuit, when an output signal of the switching circuit exceeds a predetermined voltage, a voltage polarity of the control signal is inverted. Drive circuit.
【請求項8】 前記スイッチング回路の出力信号は、そ
の出力波形が鈍化されていることを特徴とする請求項6
又は7に記載の表示装置の駆動回路。
8. The output signal of the switching circuit, the output waveform of which is dulled.
Or the driving circuit of the display device according to 7.
【請求項9】 前記スイッチング回路と前記第1及び第
2の出力端子のうちの少なくとも一方との間に直列に接
続され、前記スイッチング回路から放電される電荷の放
電時間を遅延させる抵抗器をさらに備えていることを特
徴とする請求項6又は7に記載の表示装置の駆動回路。
9. A resistor connected in series between the switching circuit and at least one of the first and second output terminals for delaying a discharge time of charges discharged from the switching circuit. The driving circuit for a display device according to claim 6, wherein the driving circuit is provided.
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