JPH1076168A - Pipette and its production as well as production of capillary - Google Patents

Pipette and its production as well as production of capillary

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JPH1076168A
JPH1076168A JP8252504A JP25250496A JPH1076168A JP H1076168 A JPH1076168 A JP H1076168A JP 8252504 A JP8252504 A JP 8252504A JP 25250496 A JP25250496 A JP 25250496A JP H1076168 A JPH1076168 A JP H1076168A
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JP
Japan
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pipette
thin tube
silicon substrate
silicon
recess
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Application number
JP8252504A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiko Suzuki
美彦 鈴木
Shinya Hara
信也 原
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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Publication of JPH1076168A publication Critical patent/JPH1076168A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pipette with which the deformation of an operation object by operation may be lessened even if the operability of the operation object is good and the operation object is easily deformable. SOLUTION: This pipette has a capillary part 10 having the opening at the front end to be used as a suction port 10a and a cup-shaped housing part 11. The housing part 11 is formed integrally with the capillary part 10 at the front end of the capillary part 10 and forms the housing space 11a of the operation object 1 by enclosing the circumference of the operation object 1 sucked and held at the suction port 10a from the lateral side with respect to the suction direction of the operation object 1 by the suction port 10a.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、細胞等の微小粒子
や微小機械部品などの微小物の操作を行うピペットに関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pipette for manipulating minute objects such as minute particles such as cells and minute mechanical parts.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、原生動物、卵細胞等の微小物の操
作には、保持道具としてのガラス製のピペットを使用し
ている。図10は、この従来のピペットの要部を示す断
面図である。この従来のピペットは、図10に示すよう
に、外部に開口して細胞等の操作対象1を吸引保持する
吸引口2と、外部に開口して負圧に引くための接続口
(図示せず)と、吸引ロ2と前記接続口との間を連通さ
せる内部通路3とを有するガラス管4で構成されてい
る。なお、前記接続口は、ガラス管4における吸引口2
とは反対側の内部通路3の開口となっている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a glass pipette as a holding tool has been used for manipulating minute objects such as protozoa and egg cells. FIG. 10 is a sectional view showing a main part of this conventional pipette. As shown in FIG. 10, this conventional pipette has a suction port 2 opened to the outside to suck and hold an operation target 1 such as a cell, and a connection port opened to the outside to draw a negative pressure (not shown). ) And an internal passage 3 for communicating between the suction tube 2 and the connection port. Note that the connection port is a suction port 2 in the glass tube 4.
The opening of the internal passage 3 on the opposite side from the opening.

【0003】このピペットによれば、ガラス管4の前記
接続口側部分を例えばいわゆるインジェクタ(注射器の
ように構成されたもの)に接続し、該インジエクタを操
作して前記接続口を介して内部通路3内を負圧に引く。
その結果、図10に示すように、細胞等の操作対象1が
吸引口2に吸引保特される。そして、この状態におい
て、例えば、操作対象1が卵細胞である場合には該卵細
胞にガラス細管(精子注入用ガラス管)5を差し込んで
精子を注入して受精を行ったり、操作対象1が種々の細
胞などである場合に操作対象1に針などで穴をあけた
り、切刃(図示せず)で切断したりするなどの、種々の
操作を行う。なお、このような操作の終了後には、前記
インジエクタを操作して前記接続口を介して内部通路3
内を正圧にし、前記吸引口2による操作対象1の吸引保
持の状態を解除する。
According to this pipette, the connection port side portion of the glass tube 4 is connected to, for example, a so-called injector (configured like a syringe), and the injector is operated to operate the internal passage through the connection port. A negative pressure is applied to 3.
As a result, as shown in FIG. 10, the operation target 1 such as a cell is suction-held at the suction port 2. In this state, for example, when the operation target 1 is an egg cell, a glass capillary (glass tube for injecting sperm) 5 is inserted into the egg cell to inject sperm to perform fertilization. In the case of a cell or the like, various operations such as making a hole in the operation target 1 with a needle or cutting with a cutting blade (not shown) are performed. After such an operation is completed, the injector is operated to operate the internal passage 3 through the connection port.
The inside is made to have a positive pressure, and the suction holding state of the operation target 1 by the suction port 2 is released.

【0004】前記従来のピペットの製造方法について説
明すると、例えば直径1〜2mmのガラス管を、ニード
ルプラー装置(図示せず)で加熱しながら引き伸ばして
いく。これにより、管が細くなって切断され、2本のガ
ラス管4を得ることができる。その切断された先端の開
口がピペットの吸引口2となる。ただし、通常、ピペッ
トの先端は切断されたままでは鋭利であることからその
まま使用すると操作対象1に傷が付くため、マイクロフ
ォージ等の装置(図示せず)でガラス管4の先端を加熱
し、縁を丸める加工を施す。
The conventional method for manufacturing a pipette will be described. For example, a glass tube having a diameter of 1 to 2 mm is stretched while being heated by a needle puller (not shown). Thereby, the tube is thinned and cut, and two glass tubes 4 can be obtained. The opening at the cut end becomes the suction port 2 of the pipette. However, since the tip of the pipette is usually sharp as it is when cut, the operation target 1 is damaged if used as it is. Therefore, the tip of the glass tube 4 is heated by a device such as a microforge (not shown), Apply rounding process.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のピペットでは操作対象1の操作性が著しく悪い欠点
がある。すなわち、例えば、図10に示すように、前記
従来のピペット4で操作対象1である細胞を保持し、細
胞にガラス細管5を差し込んで受精を行ったり細胞に針
を刺して穴を開けたり、切刃で細胞を切断又は切開する
などの操作を行う場合に、吸引口2の1点のみで細胞が
保持されているため、この点を中心に細胞が揺動してし
まい、したがって、操作対象1の操作には多大な労力を
要する欠点がある。また、操作対象1が細胞である場合
には、細胞は粘弾性物質であることから外力による変形
が大きく、その変形により細胞の活性状態等に影響を与
えてしまうおそれがある。さらに、切刃で細胞を切断又
は切開する場合には、前述したように細胞が揺動してし
まうばかりでなく、切刃としては、例えば、金属刃や、
特開平8−85018号公報に開示されている、半導体
製造技術を用いて形成された薄膜プレートなどのように
極めて薄い板状のものが用いられるので、切刃はその厚
み方向にぶれ易いことから、細胞等を所望の平面に沿っ
て切断又は切開することは極めて困難である。
However, the conventional pipette has a drawback that the operability of the operation target 1 is extremely poor. That is, for example, as shown in FIG. 10, the cell to be operated 1 is held by the conventional pipette 4, fertilization is performed by inserting a glass capillary 5 into the cell, or a hole is formed by piercing the cell with a needle, When an operation such as cutting or incising a cell with a cutting blade is performed, the cell is held at only one point of the suction port 2, and the cell swings around this point. The first operation has a drawback that requires a great deal of labor. When the operation target 1 is a cell, since the cell is a viscoelastic substance, the cell is greatly deformed by an external force, and the deformation may affect the active state of the cell. Furthermore, when cutting or incising cells with a cutting blade, not only the cells swing as described above, but also as a cutting blade, for example, a metal blade,
Since a very thin plate-shaped material such as a thin film plate formed by using a semiconductor manufacturing technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-85018 is used, the cutting blade is liable to move in the thickness direction. It is extremely difficult to cut or incise cells and the like along a desired plane.

【0006】また、前記従来のピペットは前述した製造
方法により製造されていたので、前記従来のピペットを
製造するには個人の経験によるガラス管の引き方及び加
熱のし方によって、製造されるピペットの形状が異な
り、同じ形状のピペットを製造するには熟練した技術を
要する。また、前記従来のピペットでは、製造に手数を
要し、コストアップを免れない。さらに、前記従来のピ
ペットの吸引口2の大きさに関しては、ガラス管が切れ
たところで決まるため、所望の大きさを持つ吸引口2を
有するピペットを得ることが非常に困難であるという問
題を抱えている。なお、吸引口2の所望の大きさは、種
々の操作対象1に応じて異なるものである。
Further, since the conventional pipette is manufactured by the above-described manufacturing method, the conventional pipette is manufactured by pulling and heating a glass tube according to personal experience. The skilled artisan is required to produce pipettes of the same shape. In addition, the conventional pipette requires a lot of trouble in manufacturing, and the cost is unavoidable. Further, since the size of the suction port 2 of the conventional pipette is determined when the glass tube is cut, there is a problem that it is very difficult to obtain a pipette having the suction port 2 having a desired size. ing. Note that the desired size of the suction port 2 is different depending on various operation targets 1.

【0007】本発明は、前記事情に鑑みてなされたもの
で、操作対象の操作性が良いとともに操作対象が変形し
易いものであっても操作による操作対象の変形を軽減さ
せることができるピペットを提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a pipette capable of reducing the deformation of the operation target due to the operation even if the operation target is easily deformable even if the operation target is easy to deform. The purpose is to provide.

【0008】また、本発明は、任意の大きさでかつ精度
の良い吸引口を有するとともに製造が容易で安価なピペ
ット及びその製造方法を提供することを目的とする。
It is another object of the present invention to provide an inexpensive pipette having an arbitrary size and a high-precision suction port, which is easy and inexpensive to manufacture, and a method for manufacturing the pipette.

【0009】さらに、本発明は、操作対象を所望の平面
に沿って容易に切断又は切開することができるピペット
を提供することを目的とする。
Another object of the present invention is to provide a pipette that can easily cut or incise an operation target along a desired plane.

【0010】さらにまた、本発明は、このようなピペッ
トの製造方法等において用いることができる細管の製造
方法を提供することを目的とする。
Still another object of the present invention is to provide a method for producing a thin tube which can be used in such a method for producing a pipette.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の第1の態様によるピペットは、先端の開口
が吸引口となる細管部と、前記細管部の前記先端に前記
細管部と一体に形成され、前記吸引口に吸引保持された
操作対象の周囲を前記吸引口による前記操作対象の吸引
方向に対する側方から取り囲んで前記操作対象の収容空
間を形成するカップ状の収容部と、を備えたものであ
る。なお、前記収容部が形成する収容空間は、必ずしも
操作対象の全てを収容するものでなくてもよく、例え
ば、操作対象の半分程度を収容するものであってもよ
い。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a pipette according to a first aspect of the present invention, comprising: a thin tube having an opening at a distal end serving as a suction port; A cup-shaped housing portion integrally formed and surrounding the operation target sucked and held by the suction port from a side in a suction direction of the operation target by the suction port to form a storage space for the operation target, It is provided with. The accommodation space formed by the accommodation section does not necessarily need to accommodate all of the operation objects, and may accommodate, for example, about half of the operation objects.

【0012】この第1の態様によれば、吸引口に吸引保
持された操作対象が外力により吸引口を中心にして揺動
しようとしても、操作対象の周囲が前記収容部の内壁に
より拘束され、その揺動がほとんど抑制され、操作対象
の操作が容易となり、操作対象の操作性が向上する。ま
た、吸引口に吸引保持された操作対象が外力により変形
しようとしても、操作対象の周囲が前記収容部の内壁に
より拘束され、その変形もほとんど抑制される。
According to the first aspect, even if the operation target sucked and held by the suction port attempts to swing around the suction port due to an external force, the periphery of the operation target is restrained by the inner wall of the housing, The swing is almost suppressed, the operation of the operation target is facilitated, and the operability of the operation target is improved. Further, even if the operation target sucked and held by the suction port is about to be deformed by an external force, the periphery of the operation target is restrained by the inner wall of the housing portion, and the deformation is almost suppressed.

【0013】本発明の第2の態様によるピペットは、前
記第1の態様によるピペットにおいて、前記細管部及び
前記収容部が酸化珪素で一体に形成されたものである。
[0013] A pipette according to a second aspect of the present invention is the pipette according to the first aspect, wherein the thin tube portion and the housing portion are integrally formed of silicon oxide.

【0014】この第2の態様によるピペットは、細管部
及び収容部が酸化珪素で一体に形成されているので、後
述する第6乃至第8の態様のような方法で製造すること
ができ、任意の大きさでかつ精度の良い吸引口を有する
とともに製造が容易で安価となる。また、酸化珪素は透
明であることから、細管部及び収容部が透明となる。し
たがって、収容部が透明であることから、吸引口及びこ
れに吸引保持された状態の操作対象を、反射光や透過光
により、顕微鏡下等において観察することができ、操作
対象の操作が容易になる。また、細管部も透明であるこ
とから、その観察の際に細管部が観察光を妨げるような
ことがなく、観察し易くなる。
In the pipette according to the second aspect, since the thin tube portion and the housing portion are integrally formed of silicon oxide, the pipette can be manufactured by a method as described later in sixth to eighth aspects. In addition to having a suction port with a size of high accuracy and high precision, it is easy and inexpensive to manufacture. Further, since silicon oxide is transparent, the thin tube portion and the housing portion become transparent. Therefore, since the housing portion is transparent, the suction port and the operation target sucked and held by the suction port can be observed under reflected light or transmitted light under a microscope or the like, and the operation of the operation target can be easily performed. Become. Further, since the thin tube portion is also transparent, the thin tube portion does not obstruct the observation light at the time of the observation, and the observation becomes easy.

【0015】本発明の第3の態様によるピペットは、前
記第1又は第2の態様によるピペットにおいて、前記細
管部の基端を支持する支持体であって、外部に開口して
負圧に引くための接続口と、前記細管部の内部と前記接
続口との間を連通させる内部通路とを有する支持体を、
更に備えたものである。
A pipette according to a third aspect of the present invention is the pipette according to the first or second aspect, wherein the pipette is a support for supporting a base end of the thin tube portion, and is opened to the outside to draw a negative pressure. A support having a connection port for, and an internal passage communicating between the inside of the thin tube portion and the connection port,
It is further provided.

【0016】この第3の態様によれば、支持体により細
管部の基端が支持されているので、使用に際して細管部
ではなく支持体を保持することができる。このため、ピ
ペットの保持が容易となり、細管部を破損するおそれも
なくなる。
According to the third aspect, since the base end of the thin tube is supported by the support, the support can be held instead of the thin tube in use. For this reason, holding of the pipette is facilitated, and there is no possibility of damaging the thin tube portion.

【0017】本発明の第4の態様によるピペットは、前
記第1乃至第3のいずれかの態様によるピペットにおい
て、前記収容空間内に前記操作対象を切るための切刃を
案内するとともに前記切刃の動きを実質的に所定面内に
規制するガイドスリットが、前記収容部に形成されたも
のである。
A pipette according to a fourth aspect of the present invention is the pipette according to any one of the first to third aspects, wherein a guide blade for cutting the object to be operated is introduced into the housing space and the cutting edge is provided. A guide slit for restricting the movement of the guide member substantially within a predetermined plane is formed in the housing portion.

【0018】この第4の態様によれば、前記吸引口に吸
引保持された操作対象としての細胞等を切断又は切開す
る場合には、前記収容部に前記ガイドスリットが形成さ
れているので、前記ガイドスリットに切刃を挿入するこ
とにより、前記切刃が前記ガイドスリットにより案内さ
れて前記保持された細胞等を切断又は切開することが可
能となる。そして、前述したように細胞等の揺動等が抑
制されるのみならず、前記切刃の動きは前記ガイドスリ
ットにより実質的に所定平面内に規制されることから切
刃のぶれも抑制されるので、細胞等を所望の平面に沿っ
て容易に切断又は切開することができる。
According to the fourth aspect, when cutting or incising a cell or the like as an operation target sucked and held by the suction port, the guide slit is formed in the housing portion. By inserting a cutting blade into the guide slit, the cutting blade can be guided or guided by the guide slit to cut or cut the held cells or the like. As described above, not only the swing of the cells and the like is suppressed, but also the movement of the cutting edge is substantially restricted to a predetermined plane by the guide slit, so that the deflection of the cutting edge is also suppressed. Therefore, cells or the like can be easily cut or incised along a desired plane.

【0019】なお、前記切刃は、例えば、金属刃等でも
よいし、特開平8−85018号公報に開示されている
マイクロ切開装置の薄膜プレートなどでもよい。
The cutting blade may be, for example, a metal blade or a thin plate of a micro-cutting device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-85018.

【0020】本発明の第5の態様によるピペットは、前
記第4の態様によるピペットにおいて、前記ガイドスリ
ットは、前記切刃が前記収容空間を跨いで同時に挿入さ
れ得るように、前記収容部における前記収容空間の両側
位置に形成されたものである。
The pipette according to a fifth aspect of the present invention is the pipette according to the fourth aspect, wherein the guide slit is provided in the housing section so that the cutting blade can be inserted simultaneously across the housing space. It is formed on both sides of the accommodation space.

【0021】この第5の態様によれば、前記切刃を前記
収容空間を跨がせて前記収容空間の両側のガイドスリッ
トに同時に挿入すれば、前記収容空間の両側のガイドス
リットにより前記切刃の動きが規制されるので、前記切
刃のぶれが一層確実に抑制され、細胞等を所望の平面に
沿って一層容易に切断又は切開することができる。もっ
とも、前記第1乃至第4の態様では、前記ガイドスリッ
トは、前記収容部における前記収容空間の片側にのみ形
成してもよい。
According to the fifth aspect, if the cutting blade is inserted into the guide slits on both sides of the accommodation space while straddling the accommodation space, the cutting edges are formed by the guide slits on both sides of the accommodation space. Of the cutting blade is more reliably suppressed, and cells or the like can be more easily cut or incised along a desired plane. However, in the first to fourth aspects, the guide slit may be formed only on one side of the accommodation space in the accommodation part.

【0022】本発明の第6の態様によるピペット製造方
法は、前記第1乃至第5のいずれかの態様によるピペッ
トを製造するピペット製造方法であって、第1及び第2
のシリコン基板であって、該第1及び第2のシリコン基
板の両方又は一方の表面に、凹所であって少なくとも前
記細管部に対応する部分及び前記収容部に対応する部分
を含む凹所が形成された第1及び第2のシリコン基板を
用意する段階と、前記第1のシリコン基板と前記第2の
シリコン基板との接合体の内部に前記凹所による空洞部
が形成されるように、前記第1のシリコン基板と前記第
2のシリコン基板とを接合する段階と、前記空洞部の壁
面を熱酸化させる段階と、前記第1及び第2のシリコン
基板における熱酸化されていない部分の少なくとも一部
をエッチングにより除去する段階と、を備えたものであ
る。
A pipette manufacturing method according to a sixth aspect of the present invention is a pipette manufacturing method for manufacturing the pipette according to any one of the first to fifth aspects, wherein the first and second pipettes are manufactured.
A silicon substrate, wherein at least one surface of the first and second silicon substrates has a recess including a portion corresponding to at least the capillary portion and a portion corresponding to the housing portion. Preparing the formed first and second silicon substrates, and forming a cavity by the recess in a joined body of the first silicon substrate and the second silicon substrate; Bonding the first silicon substrate and the second silicon substrate, thermally oxidizing a wall surface of the cavity, and at least a portion of the first and second silicon substrates that is not thermally oxidized. And removing a portion by etching.

【0023】この第6の態様によれば、半導体製造技術
を用いることによりピペットを製造することができるの
で、任意の形状でかつ精度の良い吸引口を有するピペッ
トを容易に製造することができるとともに、複数のピペ
ットを一括して同時に製造することも可能となり、より
一層安価にピペットを製造することができる。
According to the sixth aspect, since a pipette can be manufactured by using a semiconductor manufacturing technique, a pipette having an arbitrary shape and a highly accurate suction port can be easily manufactured. It is also possible to manufacture a plurality of pipettes simultaneously and collectively, and it is possible to manufacture pipettes at a lower cost.

【0024】本発明の第7の態様によるピペット製造方
法は、前記第6の態様によるピペット製造方法におい
て、前記接合する段階の後であって前記熱酸化させる段
階の前に、前記空洞部を外部に連通させる溝を前記接合
体に形成する段階を更に含むものである。
In a pipette manufacturing method according to a seventh aspect of the present invention, in the pipette manufacturing method according to the sixth aspect, after the joining step and before the thermal oxidation step, the hollow portion is externally mounted. And forming a groove in the joined body communicating with the joint.

【0025】この第7の態様によれば、前記溝によって
前記空洞部が外部に連通することから、熱酸化時に酸素
が前記空洞部内に供給され易くなるので、前記空洞部の
内壁の熱酸化が促進され、好ましい。もっとも、前記空
洞部がそもそも外部に連通するように前記凹所をシリコ
ン基板に予め形成しておき、当該空洞部内へ酸素が十分
に供給されるようにしておけば、必ずしも、第7の態様
のように空洞部を外部に連通させる溝を形成する必要は
ない。
According to the seventh aspect, since the cavity communicates with the outside by the groove, oxygen is easily supplied into the cavity at the time of thermal oxidation. Therefore, thermal oxidation of the inner wall of the cavity is prevented. Accelerated and preferred. However, if the recess is formed in advance in the silicon substrate so that the cavity communicates with the outside in the first place, and oxygen is sufficiently supplied into the cavity, the recess is not necessarily required. It is not necessary to form a groove for communicating the cavity with the outside as in the case of the first embodiment.

【0026】本発明の第8の態様によるピペット製造方
法は、前記第6又は第7の態様によるピペット製造方法
において、前記熱酸化させる段階の後に、前記第1及び
第2のシリコン基板における熱酸化されている部分のう
ちの前記細管部及び前記収容部に相当しない部分の少な
くとも一部を、除去するかあるいは前記第1及び第2の
シリコン基板における熱酸化されている部分のうちの前
記細管部及び前記収容部に相当する部分に対して不連続
にさせる段階を、更に備えたものである。シリコン基板
に対する前記凹所の形成の状況によって、前記第1及び
第2のシリコン基板における熱酸化されている部分に
は、細管部及び収容部に相当せずに無駄又は邪魔な部分
が存在することがある。このような場合には、第8の態
様のように当該無駄又は邪魔な部分を細管部及び収容部
に相当する部分から除去するか不連続にさせておくこと
が好ましい。なお、この除去や不連続は、例えば、熱酸
化後の第1及び第2のシリコン基板の接合体をダイシン
グソー等で所定箇所に切り込みを入れる(すなわち、溝
を形成する)ことにより、達成することができる。な
お、不連続にした場合、両者の間がシリコンの部分を介
して連結されていても、前記エッチングにより除去する
段階等において、分離されるようにすればよい。
The pipette manufacturing method according to an eighth aspect of the present invention is the pipette manufacturing method according to the sixth or seventh aspect, wherein the thermal oxidation in the first and second silicon substrates is performed after the thermal oxidation step. At least a part of the portion that does not correspond to the thin tube portion and the housing portion of the portion that has been removed is removed or the thin tube portion of the thermally oxidized portion of the first and second silicon substrates is removed. And a step of making the portion corresponding to the storage portion discontinuous. Depending on the condition of the formation of the recess in the silicon substrate, there is a wasteful or obstructive portion in the thermally oxidized portions of the first and second silicon substrates, which does not correspond to the thin tube portion and the accommodating portion. There is. In such a case, it is preferable to remove or discontinue the wasteful or obstructive portion from the portion corresponding to the thin tube portion and the housing portion as in the eighth aspect. Note that this removal or discontinuity is achieved by, for example, making a cut in a predetermined portion of the bonded body of the first and second silicon substrates after the thermal oxidation using a dicing saw or the like (that is, forming a groove). be able to. In the case of discontinuity, even if both are connected via a silicon portion, they may be separated at the stage of removing by etching or the like.

【0027】本発明の第9の態様による細管の製造方法
は、第1及び第2のシリコン基板であって、該第1及び
第2のシリコン基板の両方又は一方の表面に、凹所であ
って少なくとも前記細管に対応する部分を含む凹所が、
形成された第1及び第2のシリコン基板を用意する段階
と、前記第1のシリコン基板と前記第2のシリコン基板
との接合体の内部に前記凹所による空洞部が形成される
ように、前記第1のシリコン基板と前記第2のシリコン
基板とを接合する段階と、前記空洞部の壁面を熱酸化さ
せる段階と、前記第1及び第2のシリコン基板における
熱酸化されていない部分の少なくとも一部をエッチング
により除去する段階と、を備えたものである。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a thin tube, comprising: a first and a second silicon substrate; and a concave portion formed on at least one surface of the first and the second silicon substrate. And a recess including at least a portion corresponding to the capillary,
Preparing the formed first and second silicon substrates, and forming a cavity by the recess in a joined body of the first silicon substrate and the second silicon substrate; Bonding the first silicon substrate and the second silicon substrate, thermally oxidizing a wall surface of the cavity, and at least a portion of the first and second silicon substrates that is not thermally oxidized. And removing a portion by etching.

【0028】この第9の態様による細管の製造方法は、
前記6乃至第8の態様によるピペット製造方法において
(特に細管部の形成に際して)用いられているものであ
る。もっとも、第9の態様により製造された細管は、マ
イクロマシンなど他の用途においても用いることができ
る。第9の態様によれば、半導体製造技術を用いること
により細管を製造することができるので、精度の良い微
小細管を一括して同時に複数製造することができる。
The method for producing a thin tube according to the ninth aspect is as follows.
It is used in the pipette manufacturing method according to the sixth to eighth aspects (particularly when forming a thin tube portion). However, the thin tube manufactured according to the ninth aspect can be used for other applications such as a micromachine. According to the ninth aspect, since a thin tube can be manufactured by using a semiconductor manufacturing technology, a plurality of high-precision fine thin tubes can be simultaneously manufactured at once.

【0029】[0029]

【実施の形態】以下、本発明によるピペット及びその製
造方法並びに細管の製造方法について、図面を参照して
詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a pipette according to the present invention, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a thin tube will be described in detail with reference to the drawings.

【0030】まず、本発明の一実施の形態によるピペッ
トについて、図1を参照して説明する。図1は本実施の
形態によるピペットを模式的に示す図であり、図1
(a)はその概略斜視図、図1(b)はその要部概略断
面図である。なお、説明の便宜上、図1(a)に示すよ
うに示す互いに直交するX,Y,Z座標系を定義する。
First, a pipette according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram schematically showing a pipette according to the present embodiment.
1A is a schematic perspective view thereof, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of a main part thereof. For convenience of explanation, X, Y, and Z coordinate systems orthogonal to each other are defined as shown in FIG.

【0031】本実施の形態によるピペットは、図1に示
すように、先端の開口10aが吸引口となる細管部10
と、該細管部10の前記先端に細管部10と一体に形成
され、吸引口10aに吸引保持された操作対象1の周囲
を吸引口10aによる操作対象の吸引方向(図1(b)
中の右方向)に対する側方から取り囲んで操作対象1の
収容空間11aを形成するカップ状の収容部11と、を
備えている。収容部11は所望の操作対象1を収容する
に足る大きさ(操作対象1の全体を若干余裕を持って収
容し得る大きさでもよいし、例えば操作対象1の半分程
度を若干余裕を持って収容し得る大きさでもよい)に形
成されている。
As shown in FIG. 1, the pipette according to the present embodiment has a thin tube portion 10 in which an opening 10a at the distal end serves as a suction port.
And the direction of suction of the operation target by the suction port 10a around the operation target 1 formed integrally with the thin tube portion 10 at the tip of the thin tube portion 10 and suction-held by the suction port 10a (FIG. 1B).
(A right direction in the middle) from the side to form a housing space 11a for the operation target 1 and a cup-shaped housing portion 11. The accommodating portion 11 has a size enough to accommodate the desired operation target 1 (a size enough to accommodate the entire operation target 1 with some margin, for example, a half of the operation object 1 with some margin). It may be of a size that can be accommodated).

【0032】そして、本実施の形態では、細管部10及
び収容部11が酸化珪素で一体に形成されている。
In this embodiment, the thin tube portion 10 and the housing portion 11 are integrally formed of silicon oxide.

【0033】また、本実施の形態によるピペットは、図
1に示すように、細管部10の基端を支持する支持体1
2を備えている。支持体12は、外部に開口して負圧に
引くための接続口12aと、細管部10の内部と接続口
12aとの間を連通させる内部通路12bとを有してい
る。
Further, as shown in FIG. 1, the pipette according to the present embodiment has a support 1 for supporting the proximal end of the thin tube portion 10.
2 is provided. The support 12 has a connection port 12a that opens to the outside to draw a negative pressure, and an internal passage 12b that allows communication between the inside of the thin tube portion 10 and the connection port 12a.

【0034】本実施の形態によるピペットによれば、支
持体12の接続口12a側部分を例えばインジェクタに
接続し、該インジェクタを操作して接続口12aを介し
て内部通路12a及び細管部10の内部を負圧に引く。
その結果、図1(b)に示すように、細胞等の操作対象
1が、吸引口10aに吸引保持され、収容部11が形成
している収容空間11a内に収容される。そして、この
状態において、例えば、操作対象1が卵子である場合に
は該卵子にガラス細管(精子注入用ガラス管)5を差し
込んで精子を注入して受精を行ったり、操作対象1が種
々の細胞などである場合に操作対象1に針などを刺して
穴を開けたりするなどの、種々の操作を行う。このと
き、吸引口10aに吸引保持された操作対象1が外力に
より吸引口10aを中心にして揺動しようとしても、操
作対象1の周囲が収容部11の内壁により拘束され、そ
の揺動がほとんど抑制され、操作対象1の操作が容易と
なり、操作対象1の操作性が向上する。また、吸引口1
0aに吸引保持された操作対象1が外力により変形しよ
うとしても、操作対象1の周囲が収容部11の内壁によ
り拘束され、その変形もほとんど抑制される。なお、こ
のような操作の終了後には、前記インジェクタを操作し
て接続口12aを介して内部通路12b及び細管部10
の内部を正圧にし、吸引口10aによる操作対象1の吸
引保持の状態を解除する。
According to the pipette according to the present embodiment, the portion of the support 12 on the side of the connection port 12a is connected to, for example, an injector, and the injector is operated to operate the inside of the internal passage 12a and the inside of the thin tube section 10 through the connection port 12a. To a negative pressure.
As a result, as shown in FIG. 1B, the operation target 1 such as a cell is sucked and held by the suction port 10a, and is housed in the housing space 11a formed by the housing unit 11. In this state, for example, when the operation target 1 is an egg, a glass capillary (glass tube for injecting sperm) 5 is inserted into the egg to inject sperm to perform fertilization. In the case of a cell or the like, various operations are performed, such as making a hole in the operation target 1 with a needle or the like. At this time, even if the operation target 1 sucked and held by the suction port 10a attempts to swing around the suction port 10a due to an external force, the periphery of the operation target 1 is restrained by the inner wall of the housing portion 11, and the swing is hardly caused. It is suppressed, the operation of the operation target 1 is facilitated, and the operability of the operation target 1 is improved. In addition, suction port 1
Even if the operation target 1 sucked and held at 0a attempts to deform due to an external force, the periphery of the operation target 1 is restrained by the inner wall of the housing 11, and the deformation is almost suppressed. After such an operation is completed, the injector is operated to operate the internal passage 12b and the thin tube section 10 through the connection port 12a.
Is set to a positive pressure, and the suction holding state of the operation target 1 by the suction port 10a is released.

【0035】また、本実施の形態によるピペットによれ
ば、細管部10及び収容部11が酸化珪素で構成されて
おり、酸化珪素は透明であることから、細管部10及び
収容部11が透明となる。したがって、収容部11が透
明であることから、吸引口10a及びこれに吸引保持さ
れた状態の操作対象1を、反射光や透過光により、顕微
鏡下等において観察することができ、操作対象1の操作
が容易になる。また、細管部10aも透明であることか
ら、その観察の際に細管部10が観察光を妨げるような
ことがなく、観察し易くなる。もっとも、本発明では、
細管部10及び収容部11を構成する材料は必ずしも酸
化珪素に限定されるものではない。
Further, according to the pipette according to the present embodiment, since the thin tube portion 10 and the housing portion 11 are made of silicon oxide, and the silicon oxide is transparent, the thin tube portion 10 and the housing portion 11 are made transparent. Become. Therefore, since the housing portion 11 is transparent, the suction port 10a and the operation target 1 held by the suction port 10a can be observed under reflected light or transmitted light under a microscope or the like. Operation becomes easy. Further, since the thin tube portion 10a is also transparent, the thin tube portion 10 does not obstruct the observation light at the time of the observation, and the observation becomes easy. However, in the present invention,
The material forming the thin tube portion 10 and the housing portion 11 is not necessarily limited to silicon oxide.

【0036】さらに、本実施の形態では、支持体12に
より細管部10の基端が支持されているので、使用に際
して細管部10ではなく支持体12を保持することがで
きる。このため、ピペットの保持やインジェクタとの接
続等が容易となり、細管部10を破損するおそれもなく
なる。もっとも、本発明では、支持体12は必ずしも必
要ではない。
Further, in the present embodiment, since the base end of the thin tube portion 10 is supported by the support 12, the support 12 can be held instead of the thin tube 10 in use. For this reason, holding of the pipette, connection with the injector, and the like are facilitated, and there is no possibility of damaging the thin tube portion 10. However, in the present invention, the support 12 is not always necessary.

【0037】次に、前述した図1に示すピペットの製造
方法の一例について、図2乃至図4を参照して説明す
る。図2は、図1に示すピペットの製造方法の各工程を
示す断面図である。図3は、図1に示すピペットの製造
方法の図2に示す工程に引き続く各工程を示す断面図で
ある。図2及び図3に示す断面は、図1(a)中のYZ
断面に対応している。図4は図2に示す所定の工程を示
す平面図であり、図4(a)は図2(a)中のA−A’
矢視図、図4(b)は図2(b)中のB−B’矢視図、
図4(c)は図2(d)中のC−C’矢視図である。
Next, an example of a method of manufacturing the pipette shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a cross-sectional view showing each step of the method for manufacturing the pipette shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing each step following the step shown in FIG. 2 of the method for manufacturing the pipette shown in FIG. The cross sections shown in FIGS. 2 and 3 correspond to YZ in FIG.
Corresponds to the cross section. FIG. 4 is a plan view showing a predetermined step shown in FIG. 2, and FIG. 4 (a) is AA ′ in FIG. 2 (a).
FIG. 4B is an arrow view, FIG. 4B is an arrow view taken along the line BB ′ in FIG.
FIG. 4C is a view taken along the line CC ′ in FIG. 2D.

【0038】まず、基板材料として直径3インチで厚さ
400μmの(100)面方位のシリコン基板20を用
い、該基板20の両面にマスク材料として、低圧気相成
長法によりジクロルシランとアンモニアガスを原料とし
て、窒化珪素膜21,22を100nm成膜する。さら
に、基板20の上面の窒化珪素膜21をフォトリソグラ
フィ法及びドライエッチング法によりパターニングする
ことによって、基板20の上面の窒化珪素膜21の所定
箇所に、基板20の上面を露出させる開口21aを複数
形成する。開口21のサイズは、例えば150μm×2
50μmとする。その後、この基板を、水酸化カリウム
(KOH)水溶液又はテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド(TMAH)水溶液等のシリコン用のエッ
チング液に浸漬し、窒化珪素膜21,22をマスクと
し、開口21aから露出した基板20の部分をエッチン
グして、深さ50μmの凹所23を基板20の上面に同
時に複数形成する。(図2(a)、図4(a))。な
お、基板20として(100)面方位のものが用いられ
ているので、周知のようにエッチングがシリコンの(1
11)面で自動的に停止するため、凹所23の面は所定
角度のテーパ面となる。本実施の形態では、1つの凹所
23は、2つのピペットの分である2つの収容部11に
対応する部分を含んでいる。
First, a silicon substrate 20 having a diameter of 3 inches and a thickness of 400 μm and having a (100) plane orientation was used as a substrate material, and dichlorosilane and ammonia gas were used as mask materials on both surfaces of the substrate 20 by low-pressure vapor deposition. Then, silicon nitride films 21 and 22 are formed to a thickness of 100 nm. Further, by patterning the silicon nitride film 21 on the upper surface of the substrate 20 by a photolithography method and a dry etching method, a plurality of openings 21a for exposing the upper surface of the substrate 20 are formed at predetermined positions of the silicon nitride film 21 on the upper surface of the substrate 20. Form. The size of the opening 21 is, for example, 150 μm × 2
It is 50 μm. Thereafter, the substrate is immersed in an etching solution for silicon such as an aqueous solution of potassium hydroxide (KOH) or an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH), and the substrate exposed from the opening 21a using the silicon nitride films 21 and 22 as masks. By etching the portion 20, a plurality of recesses 23 having a depth of 50 μm are simultaneously formed on the upper surface of the substrate 20. (FIG. 2 (a), FIG. 4 (a)). Since the substrate 20 has a (100) plane orientation, as is well known, etching is performed on silicon (1).
11) Since the surface of the recess 23 is automatically stopped at the surface, the surface of the recess 23 becomes a taper surface having a predetermined angle. In the present embodiment, one recess 23 includes a portion corresponding to two storage portions 11 corresponding to two pipettes.

【0039】次に、一旦窒化珪素膜21,22を除去し
た後に、凹所23を形成したのと同様の方法で、細管部
10に対応する部分を含む深さ10μmの凹所(本実施
の形態では溝)24を基板20の上面に複数形成する
(図2(b)、図4(b))。凹所23と、対応する凹
所24とは連続している。なお、この場合、基板20の
両面には窒化珪素膜が残ることになるが、上面の窒化珪
素膜(図示せず)は除去され、下面の窒化珪素膜25の
みが残される。図2(b)及び図4(b)はこの状態を
示している。
Next, a recess having a depth of 10 μm including a portion corresponding to the narrow tube portion 10 (this embodiment) is formed in the same manner as the recess 23 is formed after the silicon nitride films 21 and 22 are once removed. In the embodiment, a plurality of grooves 24 are formed on the upper surface of the substrate 20 (FIGS. 2B and 4B). The recess 23 and the corresponding recess 24 are continuous. In this case, the silicon nitride film remains on both surfaces of the substrate 20, but the silicon nitride film (not shown) on the upper surface is removed, and only the silicon nitride film 25 on the lower surface remains. FIGS. 2B and 4B show this state.

【0040】なお、収容部11に対応する部分を含む凹
所23や細管部10に対応する部分を含む凹所24は、
湿式エッチングによらずにドライエッチング等によって
形成してもよいし、ダイシング加工(ダイシングソー又
はこれと同様の加工機械等による機械加工)によって形
成してもよい。
The recess 23 including the portion corresponding to the housing portion 11 and the recess 24 including the portion corresponding to the thin tube portion 10 are
It may be formed by dry etching or the like instead of wet etching, or may be formed by dicing (mechanical processing using a dicing saw or a processing machine similar thereto).

【0041】図2(b)及び図4(b)に示す状態のシ
リコン基板20が2枚用意され、一方の基板と他方の基
板との接合体の内部に前記凹所23,24による空洞部
が形成されるように、両者の基板を互いに接合する(図
2(c))。本実施の形態では、2枚のシリコン基板2
0の凹所23,24が形成されている面同士が、接合さ
れている。この接合は、例えば、直接接合法により約1
200℃の温度下で行われる。
Two silicon substrates 20 in the state shown in FIGS. 2 (b) and 4 (b) are prepared, and a cavity formed by the recesses 23 and 24 is provided inside a joined body of one substrate and the other substrate. Then, the two substrates are joined to each other so as to form (FIG. 2C). In the present embodiment, two silicon substrates 2
The surfaces on which the 0 recesses 23 and 24 are formed are joined. This bonding is performed by, for example, about 1
It is performed at a temperature of 200 ° C.

【0042】その後、図2(c)に示す接合体に、凹所
23,24による空洞部を外部に連通させる溝26を形
成する(図2(d)、図4(c))。本実施の形態で
は、前記接合体の上面から凹所23に届くように、ダイ
シング加工によって、幅が30μmの溝26を形成す
る。この溝26は、図4(c)に示すように、直線的に
加工されるが、一回の加工により、複数の凹所23に貫
通するようにアライメントされている。この溝26は、
前記空洞部の内壁の後述する熱酸化処理において、前記
空洞部内に酸素が十分に供給されるようにするために形
成するものである。もっとも、前記空洞部がそもそも外
部に連通するように前記凹所23,24をシリコン基板
20に予め形成しておき、当該空洞部内へ酸素が十分に
供給されるようにしておけば、必ずしも、溝26を形成
する必要はない。
Thereafter, a groove 26 is formed in the joined body shown in FIG. 2C so that the cavity formed by the recesses 23 and 24 communicates with the outside (FIGS. 2D and 4C). In the present embodiment, a groove 26 having a width of 30 μm is formed by dicing to reach the recess 23 from the upper surface of the joined body. The groove 26 is processed linearly as shown in FIG. 4C, but is aligned so as to penetrate the plurality of recesses 23 by one processing. This groove 26
It is formed in order to sufficiently supply oxygen into the cavity in a later-described thermal oxidation treatment of the inner wall of the cavity. However, if the recesses 23 and 24 are previously formed in the silicon substrate 20 so that the cavity communicates with the outside in the first place, and oxygen is sufficiently supplied into the cavity, the groove is not necessarily required. It is not necessary to form 26.

【0043】次いで、図2(d)及び図4(c)に示す
状態の接合体を電気炉に設置し、凹所23,24による
空洞部の内壁(シリコン部分)を熱酸化させる(図3
(a))。このとき、同時に、溝26の内壁も熱酸化さ
れることになる。図3(a)中の27は熱酸化により形
成された酸化珪素膜を示す。酸化珪素膜27の膜厚は、
例えば約2μmとする。
Next, the joined body in the state shown in FIG. 2D and FIG. 4C is placed in an electric furnace, and the inner wall (silicon portion) of the cavity formed by the recesses 23 and 24 is thermally oxidized (FIG. 3).
(A)). At this time, the inner wall of the groove 26 is also thermally oxidized. Reference numeral 27 in FIG. 3A indicates a silicon oxide film formed by thermal oxidation. The thickness of the silicon oxide film 27 is
For example, it is about 2 μm.

【0044】次に、前述の溝26を形成するためのダイ
シング加工に用いた加工用ブレードより幅の広いブレー
ドを用いて溝26に沿って、凹所23の中央部を分離す
る幅100μmの溝28を形成する(図3(b))。こ
れによって、1つの凹所23の内壁に形成された酸化珪
素膜27が個々のピペットに対応するものに分離される
とともに、酸化珪素膜27のうちの細管部10及び収容
部11に相当しない部分であって不要な部分である溝2
6の内壁に形成された部分が除去される。
Next, a groove having a width of 100 μm is used to separate the central portion of the recess 23 along the groove 26 by using a blade wider than the processing blade used for dicing for forming the above-described groove 26. 28 are formed (FIG. 3B). As a result, the silicon oxide film 27 formed on the inner wall of one recess 23 is separated into ones corresponding to individual pipettes, and portions of the silicon oxide film 27 that do not correspond to the thin tube portion 10 and the housing portion 11. Groove 2 which is unnecessary part
The portion formed on the inner wall of No. 6 is removed.

【0045】その後、接合体の上下面の窒化珪素膜25
に対して、支持体12の所望の形状に合わせて、フォト
リソグラフィ法及びドライエッチング法によりパターニ
ングを施す(図3(c))。
Thereafter, the silicon nitride films 25 on the upper and lower surfaces of the joined body are formed.
Is patterned according to a desired shape of the support 12 by a photolithography method and a dry etching method (FIG. 3C).

【0046】最後に、図3(c)に示す状態の接合体を
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMA
H)水溶液(この水溶液は酸化珪素膜をほとんどエッチ
ングしない)に浸漬し、不要なシリコン部分(支持体2
を構成しないシリコン基板20の部分)をエッチング除
去する(図3(d))。これにより、図1に示すピペッ
トが一括して複数完成する。
Finally, the conjugate in the state shown in FIG. 3C was replaced with tetramethylammonium hydroxide (TMA).
H) Immerse in an aqueous solution (this aqueous solution hardly etches the silicon oxide film) and remove unnecessary silicon portions (support 2
Is removed by etching (FIG. 3D). Thereby, a plurality of pipettes shown in FIG. 1 are completed collectively.

【0047】また、本実施の形態によるピペットは、前
述したようにして半導体製造技術を用いることにより製
造することができるので、任意の形状でかつ精度の良い
吸入口10aを得ることができるとともに、複数のピペ
ットを一括して同時に製造することも可能となり、より
一層安価にピペットを製造することができる。
Further, since the pipette according to the present embodiment can be manufactured by using the semiconductor manufacturing technique as described above, it is possible to obtain the suction port 10a having an arbitrary shape and high accuracy, and It is also possible to manufacture a plurality of pipettes simultaneously and collectively, and it is possible to manufacture pipettes at a lower cost.

【0048】なお、前述した製造方法では、接合する2
枚のシリコン基板20の両方に細管部に対応する部分及
び前記収容部に対応する部分を含む凹所が形成されてい
たが、本発明では、一方の基板のみに当該凹所を形成し
てもよい。この場合であっても、2枚の基板の接合体内
に内壁をシリコンとする空洞部を形成し得る。
In the above-described manufacturing method, the bonding 2
Although the recess including the portion corresponding to the thin tube portion and the portion corresponding to the housing portion is formed on both of the two silicon substrates 20, in the present invention, the recess may be formed only on one substrate. Good. Even in this case, a cavity having an inner wall of silicon can be formed in the joined body of the two substrates.

【0049】なお、前記ピペットの細管部10のみに着
目すれば、前述した製造方法は、細管の製造方法を含む
ものであり、前述した製造方法に準じて任意の細管を製
造することができることは明らかである。
If attention is paid only to the thin tube portion 10 of the pipette, the above-described manufacturing method includes a method of manufacturing a thin tube, and it is difficult to manufacture an arbitrary thin tube according to the above-described manufacturing method. it is obvious.

【0050】次に、本発明の他の実施の形態によるピペ
ットについて、図5を参照して説明する。図5は本実施
の形態によるピペットを模式的に示す図であり、図5
(a)はその概略斜視図、図5(b)はその要部概略断
面図である。なお、説明の便宜上、図5(a)に示すよ
うに示す互いに直交するX,Y,Z座標系を定義する。
Next, a pipette according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 schematically shows a pipette according to the present embodiment.
FIG. 5A is a schematic perspective view, and FIG. 5B is a schematic sectional view of a main part thereof. For convenience of explanation, X, Y, and Z coordinate systems orthogonal to each other are defined as shown in FIG.

【0051】図5において、図1中の要素と同一又は対
応する要素には同一符号を付し、その説明は省略する。
In FIG. 5, the same or corresponding elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0052】本実施の形態によるピペットが前述した図
1に示すピペットと異なる所は、収容空間11a内に操
作対象1を切るための切刃30を案内するとともに切刃
30の動きを実質的に所定面(本実施の形態では、図1
(b)における紙面の法線と図1中の収容部11及び細
管部10の中心軸線とを含む平面)内に規制するガイド
スリット31が、収容部11に形成されている点と、支
持体12が幅狭に構成されている点のみである。
The point that the pipette according to the present embodiment is different from the pipette shown in FIG. 1 described above is to guide the cutting blade 30 for cutting the operation target 1 into the accommodation space 11a and to substantially move the cutting blade 30. A predetermined surface (in the present embodiment, FIG. 1
(B) a guide slit 31 that is regulated in a plane including the normal to the paper surface and the central axis of the housing 11 and the thin tube 10 in FIG. 1). 12 is only configured to be narrow.

【0053】ガイドスリット31のスリット幅は使用す
る切刃30の厚さに応じて定められ、ガイドスリット3
1の長さは細胞等の操作対象1に対する所望の切り込み
量に応じて定められる。なお、細胞を切る場合には、細
胞を完全に切断する場合と、細胞を途中まで切って細胞
の外皮等を切り離さない場合とがある。
The slit width of the guide slit 31 is determined according to the thickness of the cutting blade 30 to be used.
The length of 1 is determined according to a desired cutting amount for the operation target 1 such as a cell. When cutting cells, there are a case where cells are completely cut and a case where cells are cut halfway and the outer skin of the cells is not separated.

【0054】本実施の形態では、ガイドスリット31
は、切刃30が収容空間11aを跨いで同時に挿入され
得るように、収容空間11aの両側に形成されている。
したがって、切刃30を収容空間11aを跨がせて収容
空間11aの両側のガイドスリット31に同時に挿入す
れば、収容空間11aの両側のガイドスリット31によ
り切刃30の動きが規制されるので、切刃30のぶれが
確実に抑制される。もっとも、この場合に比べれば切刃
30の動きの規制の程度は劣るが、ガイドスリット31
は、収容空間11aの片側にのみ形成してもよい。
In the present embodiment, the guide slit 31
Are formed on both sides of the housing space 11a so that the cutting blade 30 can be inserted simultaneously across the housing space 11a.
Therefore, if the cutting blade 30 is inserted into the guide slits 31 on both sides of the housing space 11a while straddling the housing space 11a, the movement of the cutting blade 30 is regulated by the guide slits 31 on both sides of the housing space 11a. Deflection of the cutting blade 30 is reliably suppressed. Although the degree of regulation of the movement of the cutting blade 30 is inferior to this case, the guide slit 31
May be formed only on one side of the accommodation space 11a.

【0055】本実施の形態によるピペットによれば、前
述した図1に示すピペットと同様の利点が得られる他、
次の利点が得られる。すなわち、吸引口10aに吸引保
持された操作対象1としての細胞等を切断又は切開する
場合には、収容部11にガイドスリット31形成されて
いるので、ガイドスリット31に切刃30を挿入するこ
とにより、切刃30がガイドスリット31により案内さ
れて前記保持された細胞等を切断することが可能とな
る。そして、前述したように細胞等の揺動等が抑制され
るのみならず、切刃30の動きはガイドスリット31に
より実質的に所定平面内に規制されることから切刃30
のぶれも抑制されるので、細胞等を所望の平面に沿って
容易に切断又は切開することができる。なお、図1に示
すピペットでは、切刃30が収容部11の端縁とぶつか
って収容空間11a内に進入し得ないので、操作対象1
における収容空間11aから突出した部分しか切開する
ことができない。
According to the pipette according to the present embodiment, the same advantages as those of the pipette shown in FIG.
The following advantages are obtained. That is, when cutting or incising a cell or the like as the operation target 1 sucked and held by the suction port 10a, since the guide slit 31 is formed in the accommodation portion 11, the cutting blade 30 is inserted into the guide slit 31. Thereby, the cutting blade 30 can be guided by the guide slit 31 to cut the held cells and the like. As described above, not only the swing of the cells and the like is suppressed, but also the movement of the cutting blade 30 is substantially restricted to a predetermined plane by the guide slit 31, so that the cutting blade 30
Since blurring is also suppressed, cells or the like can be easily cut or incised along a desired plane. In the pipette shown in FIG. 1, since the cutting blade 30 cannot hit the edge of the housing 11 and enter the housing space 11 a, the operation target 1
In this case, only the portion protruding from the accommodation space 11a can be cut.

【0056】なお、切刃30としては、薄板状のものが
用いられ、例えば、金属刃等でもよいし、特開平8−8
5018号公報に開示されているマイクロ切開装置の薄
膜プレートなどでもよい。このマイクロ切開装置は、薄
膜プレート(切刃)を支持する支持体と、該支持体から
突出しており半導体製造技術を用いて形成された前記薄
膜プレートと、からなるものであり、使用に際してはマ
ニピュレータ等に取り付けられ、必要に応じて圧電アク
チュエータにより高周波で振動させながら、操作対象
(加工対象)を切断又は切開するものである。なお、前
記薄膜プレートにこれを補強する薄膜補強部材が設けら
れたり、前記薄膜プレートにのこぎり刃が形成された
り、薄膜プレートの両端部が図5(b)に示すようにテ
ーパ状にされたり、前記薄膜プレートの中央部近傍が波
形の形状を有していたりすることもある。
As the cutting blade 30, a thin plate is used, for example, a metal blade or the like may be used.
It may be a thin film plate or the like of a microdissector disclosed in Japanese Patent No. 5018. The micro-cutting device comprises a support for supporting a thin-film plate (cutting blade) and the thin-film plate protruding from the support and formed by using a semiconductor manufacturing technique. And the like, and cuts or cuts an operation target (processing target) while vibrating at a high frequency by a piezoelectric actuator as needed. In addition, a thin film reinforcing member for reinforcing the thin film plate is provided, a saw blade is formed on the thin film plate, both ends of the thin film plate are tapered as shown in FIG. The vicinity of the center of the thin film plate may have a waveform shape.

【0057】次に、前述した図5に示すピペットの製造
方法の一例について、図6乃至図9を参照して説明す
る。図6は、図5に示すピペットの製造方法の各工程を
示す断面図である。図7は、図5に示すピペットの製造
方法の図6に示す工程に引き続く各工程を示す断面図で
ある。図6及び図7に示す断面は、図5(a)中のYZ
断面に対応している。図8は図6に示す所定の工程を示
す平面図であり、図8(a)は図6(a)中のD−D’
矢視図、図8(b)は図6(b)中のE−E’矢視図で
ある。図9は図6及び図7に示す所定の工程を示す図で
あり、図9(a)は図6(d)中のF−F’矢視図、図
9(b)は図7(b)中のG−G’矢視図、図9(c)
は図9(b)中のH−H’矢視図である。なお、図6乃
至図9において、図2乃至図4中の要素と同一又は対応
する要素には同一符号を付している。
Next, an example of a method for manufacturing the pipette shown in FIG. 5 will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a cross-sectional view showing each step of the method for manufacturing the pipette shown in FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view showing each step following the step shown in FIG. 6 in the method of manufacturing the pipette shown in FIG. The cross sections shown in FIGS. 6 and 7 correspond to YZ in FIG.
Corresponds to the cross section. FIG. 8 is a plan view showing a predetermined step shown in FIG. 6, and FIG. 8 (a) is DD ′ in FIG. 6 (a).
FIG. 8B is an arrow view, and FIG. 8B is an EE ′ arrow view in FIG. 9A and 9B are views showing the predetermined steps shown in FIGS. 6 and 7, wherein FIG. 9A is a view taken along the line FF ′ in FIG. 6D, and FIG. ), GG ′ arrow view, FIG.
FIG. 10 is a view taken along the line HH ′ in FIG. 6 to 9, the same or corresponding elements as those in FIGS. 2 to 4 are denoted by the same reference numerals.

【0058】まず、基板材料として直径3インチで厚さ
400μmの(100)面方位のシリコン基板20を用
い、該基板20の両面にマスク材料として、低圧気相成
長法によりジクロルシランとアンモニアガスを原料とし
て、窒化珪素膜21,22を100nm成膜する。さら
に、基板20の上面の窒化珪素膜21をフォトリソグラ
フィ法及びドライエッチング法によりパターニングする
ことによって、基板20の上面の窒化珪素膜21の所定
箇所に、基板20の上面を露出させる開口21aを複数
形成する。開口21のサイズは、例えば150μm×2
50μmとする。その後、この基板を、水酸化カリウム
(KOH)水溶液又はテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド(TMAH)水溶液等のシリコン用のエッ
チング液に浸漬し、窒化珪素膜21,22をマスクと
し、開口21aから露出した基板20の部分をエッチン
グして、深さ50μmの凹所23を基板20の上面に同
時に複数形成する。(図6(a)、図8(a))。な
お、基板20として(100)面方位のものが用いられ
ているので、周知のようにエッチングがシリコンの(1
11)面で自動的に停止するため、凹所23の面は所定
角度のテーパ面となる。本実施の形態では、1つの凹所
23は、2つのピペットの分である2つの収容部11に
対応する部分を含んでいる。
First, a silicon substrate 20 having a diameter of 3 inches and a thickness of 400 μm and having a (100) plane orientation was used as a substrate material. Dichlorosilane and ammonia gas were used as mask materials on both surfaces of the substrate 20 by low-pressure vapor deposition. Then, silicon nitride films 21 and 22 are formed to a thickness of 100 nm. Further, by patterning the silicon nitride film 21 on the upper surface of the substrate 20 by a photolithography method and a dry etching method, a plurality of openings 21a for exposing the upper surface of the substrate 20 are formed at predetermined positions of the silicon nitride film 21 on the upper surface of the substrate 20. Form. The size of the opening 21 is, for example, 150 μm × 2
It is 50 μm. Thereafter, the substrate is immersed in an etching solution for silicon such as an aqueous solution of potassium hydroxide (KOH) or an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH), and the substrate exposed from the opening 21a using the silicon nitride films 21 and 22 as masks. By etching the portion 20, a plurality of recesses 23 having a depth of 50 μm are simultaneously formed on the upper surface of the substrate 20. (FIGS. 6A and 8A). Since the substrate 20 has a (100) plane orientation, as is well known, etching is performed on silicon (1).
11) Since the surface of the recess 23 is automatically stopped at the surface, the surface of the recess 23 becomes a taper surface having a predetermined angle. In the present embodiment, one recess 23 includes a portion corresponding to two storage portions 11 corresponding to two pipettes.

【0059】次に、一旦窒化珪素膜21,22を除去し
た後に、凹所23を形成したのと同様の方法で、細管部
10に対応する部分を含む深さ10μmの凹所(本実施
の形態では溝)24を基板20の上面に複数形成する。
凹所23と、対応する凹所24とは連続している。さら
に、その際に形成された上下面の窒化珪素膜(図示せ
ず)を一旦除去した後に、収容部11のガイドスリット
31に対応する部分を含む深さ1μmの凹所40を基板
20の上面に複数形成する(図6(b)、図8
(b))。凹所23と、対応する凹所40とは連続して
いる。なお、この場合、基板20の両面には窒化珪素膜
が残ることになるが、上面の窒化珪素膜(図示せず)は
除去され、下面の窒化珪素膜25のみが残される。図6
(b)及び図8(b)はこの状態を示している。
Next, a recess having a depth of 10 μm including a portion corresponding to the thin tube portion 10 is formed in the same manner as the recess 23 is formed after the silicon nitride films 21 and 22 are once removed. In the embodiment, a plurality of grooves 24 are formed on the upper surface of the substrate 20.
The recess 23 and the corresponding recess 24 are continuous. Further, after the silicon nitride films (not shown) on the upper and lower surfaces formed at that time are once removed, a recess 40 having a depth of 1 μm including a portion corresponding to the guide slit 31 of the housing portion 11 is formed on the upper surface of the substrate 20. (FIG. 6B, FIG. 8)
(B)). The recess 23 and the corresponding recess 40 are continuous. In this case, the silicon nitride film remains on both surfaces of the substrate 20, but the silicon nitride film (not shown) on the upper surface is removed, leaving only the silicon nitride film 25 on the lower surface. FIG.
FIG. 8B and FIG. 8B show this state.

【0060】なお、収容部11に対応する部分を含む凹
所23,40や細管部10に対応する部分を含む凹所2
4は、湿式エッチングによらずにドライエッチング等に
よって形成してもよいし、ダイシング加工(ダイシング
ソー又はこれと同様の加工機械等による機械加工)によ
って形成してもよい。
The recesses 23 and 40 including the portion corresponding to the housing 11 and the recess 2 including the portion corresponding to the thin tube portion 10 are provided.
4 may be formed by dry etching or the like without using wet etching, or may be formed by dicing (mechanical processing using a dicing saw or a processing machine similar thereto).

【0061】図6(b)及び図8(b)に示す状態のシ
リコン基板20が2枚用意され、一方の基板と他方の基
板との接合体の内部に前記凹所23,24,40による
空洞部が形成されるように、両者の基板を互いに接合す
る(図6(c))。本実施の形態では、2枚のシリコン
基板20の凹所23,24,40が形成されている面同
士が、接合されている。この接合は、例えば、直接接合
法により約1200℃の温度下で行われる。
Two silicon substrates 20 in the state shown in FIG. 6B and FIG. 8B are prepared, and the recesses 23, 24, and 40 are provided inside the joined body of one substrate and the other substrate. The two substrates are joined together so that a cavity is formed (FIG. 6C). In the present embodiment, the surfaces of the two silicon substrates 20 where the recesses 23, 24, and 40 are formed are joined. This bonding is performed at a temperature of about 1200 ° C. by, for example, a direct bonding method.

【0062】その後、図6(c)に示す接合体に、凹所
23,24,40による空洞部を外部に連通させる溝2
6を形成する(図6(d)、図9(a))。本実施の形
態では、前記接合体の上面から凹所23に届くように、
ダイシング加工によって、幅が30μmの溝26を形成
する。この溝26は、図9(a)に示すように、直線的
に加工されるが、一回の加工により、複数の凹所23に
貫通するようにアライメントされている。この溝26
は、前記空洞部の内壁の後述する熱酸化処理において、
前記空洞部内に酸素が十分に供給されるようにするため
に形成するものである。もっとも、前記空洞部がそもそ
も外部に連通するように前記凹所23,24,40をシ
リコン基板20に予め形成しておき、当該空洞部内へ酸
素が十分に供給されるようにしておけば、必ずしも、溝
26を形成する必要はない。
Then, a groove 2 is formed in the joined body shown in FIG.
6 (FIGS. 6D and 9A). In the present embodiment, so as to reach the recess 23 from the upper surface of the joined body,
A groove 26 having a width of 30 μm is formed by dicing. As shown in FIG. 9A, the groove 26 is processed linearly, but is aligned so as to penetrate the plurality of recesses 23 by one processing. This groove 26
In the thermal oxidation treatment of the inner wall of the cavity described below,
It is formed so that oxygen is sufficiently supplied into the cavity. However, if the recesses 23, 24, and 40 are previously formed in the silicon substrate 20 so that the cavity communicates with the outside in the first place, and oxygen is sufficiently supplied into the cavity, it is not always necessary. , Need not be formed.

【0063】次いで、図6(d)及び図9(a)に示す
状態の接合体を電気炉に設置し、凹所23,24による
空洞部の内壁(シリコン部分)を熱酸化させる(図7
(a))。このとき、同時に、溝26の内壁及び凹所4
0の内壁も熱酸化されることになる。図7(a)中の2
7は熱酸化により形成された酸化珪素膜を示す。酸化珪
素膜27の膜厚は、例えば約2μmとする。
Next, the joined body in the state shown in FIG. 6D and FIG. 9A is placed in an electric furnace, and the inner wall (silicon portion) of the cavity formed by the recesses 23 and 24 is thermally oxidized (FIG. 7).
(A)). At this time, at the same time, the inner wall of the groove 26 and the recess 4
0 inner wall is also thermally oxidized. 2 in FIG.
Reference numeral 7 denotes a silicon oxide film formed by thermal oxidation. The thickness of the silicon oxide film 27 is, for example, about 2 μm.

【0064】次に、前述の溝26を形成するためのダイ
シング加工に用いた加工用ブレードより幅の広いブレー
ドを用いて溝26に沿って、凹所23の中央部を分離す
る幅100μmの溝28を形成する(図7(b)、図9
(b))。これによって、1つの凹所23の内壁に形成
された酸化珪素膜27が個々のピペットに対応するもの
に分離されるとともに、酸化珪素膜27のうちの細管部
10及び収容部11に相当しない部分であって不要な部
分である溝26の内壁に形成された部分が除去される。
さらに、ダイシング加工により接合体に溝41を溝28
と直交する方向に形成することによって、酸化珪素膜2
7のうちの細管部10及び収容部11に相当しない部分
であって不要な部分である溝40の内壁に形成された部
分を、酸化珪素膜27のうちの細管部10及び収容部1
1に相当する部分に対して不連続にさせる(図9(b)
(c))。
Next, a groove having a width of 100 μm is used to separate the central portion of the recess 23 along the groove 26 by using a blade wider than the processing blade used for dicing for forming the groove 26. 28 (FIGS. 7B and 9).
(B)). As a result, the silicon oxide film 27 formed on the inner wall of one recess 23 is separated into ones corresponding to individual pipettes, and portions of the silicon oxide film 27 that do not correspond to the thin tube portion 10 and the housing portion 11. Then, the unnecessary portion formed on the inner wall of the groove 26 is removed.
Further, a groove 41 is formed in the bonded body by dicing.
Is formed in a direction perpendicular to the silicon oxide film 2.
The portion formed on the inner wall of the groove 40, which is a portion that does not correspond to the narrow tube portion 10 and the housing portion 11 of the silicon oxide film 7 and is unnecessary, is replaced with the thin tube portion 10 and the housing portion 1
The portion corresponding to 1 is made discontinuous (FIG. 9B)
(C)).

【0065】その後、接合体の上下面の窒化珪素膜25
に対して、支持体12の所望の形状に合わせて、フォト
リソグラフィ法及びドライエッチング法によりパターニ
ングを施す(図7(c))。
Thereafter, the silicon nitride films 25 on the upper and lower surfaces of the joined body are formed.
Is patterned by photolithography and dry etching in accordance with the desired shape of the support 12 (FIG. 7C).

【0066】最後に、図7(c)に示す状態の接合体を
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMA
H)水溶液(この水溶液は酸化珪素膜をほとんどエッチ
ングしない)に浸漬し、不要なシリコン部分(支持体2
を構成しないシリコン基板20の部分)をエッチング除
去する(図7(d))。これにより、図5に示すピペッ
トが一括して複数完成する。なお、このとき、溝41の
深さによっては、このエッチングによっては支持体12
における溝41に対する両側の部分が分離されない場合
があるが、その場合には、当該溝41の箇所に力を加え
て破断させて両者を分離させてもよい。もっとも、その
場合においても必ずしも破断させなくてもよい。
Finally, the conjugate in the state shown in FIG. 7C was replaced with tetramethylammonium hydroxide (TMA).
H) Immerse in an aqueous solution (this aqueous solution hardly etches the silicon oxide film) and remove unnecessary silicon portions (support 2
Is removed by etching (FIG. 7D). Thereby, a plurality of pipettes shown in FIG. 5 are completed collectively. At this time, depending on the depth of the groove 41, the support 12
In some cases, the portions on both sides of the groove 41 may not be separated. In such a case, a force may be applied to the portion of the groove 41 to break it, thereby separating the two. However, even in such a case, it is not always necessary to break.

【0067】また、本実施の形態によるピペットは、前
述したようにして半導体製造技術を用いることにより製
造することができるので、任意の形状でかつ精度の良い
吸入口10aを得ることができるとともに、複数のピペ
ットを一括して同時に製造することも可能となり、より
一層安価にピペットを製造することができる。
Further, since the pipette according to the present embodiment can be manufactured by using the semiconductor manufacturing technique as described above, it is possible to obtain the suction port 10a having an arbitrary shape and high accuracy, and It is also possible to manufacture a plurality of pipettes simultaneously and collectively, and it is possible to manufacture pipettes at a lower cost.

【0068】なお、前述した製造方法では、接合する2
枚のシリコン基板20の両方に細管部10に対応する部
分及び収容部11に対応する部分を含む凹所が形成され
ていたが、本発明では、一方の基板のみに当該凹所を形
成してもよい。この場合であっても、2枚の基板の接合
体内に内壁をシリコンとする空洞部を形成し得る。
In the above-described manufacturing method, the bonding 2
Although a recess including a portion corresponding to the thin tube portion 10 and a portion corresponding to the housing portion 11 is formed on both of the two silicon substrates 20, in the present invention, the recess is formed only on one of the substrates. Is also good. Even in this case, a cavity having an inner wall of silicon can be formed in the joined body of the two substrates.

【0069】以上、本発明の各実施の形態について説明
したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるもの
ではない。
While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments.

【0070】[0070]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
操作対象の操作性が良いとともに操作対象が変形し易い
ものであっても操作による操作対象の変形を軽減させる
ことができるピペットを提供することができる。
As described above, according to the present invention,
It is possible to provide a pipette capable of reducing the deformation of the operation target due to the operation even if the operation target has good operability and the operation target is easily deformed.

【0071】また、本発明によれば、任意の大きさでか
つ精度の良い吸引口を有するとともに製造が容易で安価
なピペット及びその製造方法を提供することができる。
Further, according to the present invention, it is possible to provide an inexpensive pipette having an arbitrary size and a high-precision suction port, easy to manufacture, and inexpensive, and a method for manufacturing the same.

【0072】さらに、本発明は、操作対象を所望の平面
に沿って容易に切断又は切開することができるピペット
を提供することができる。
Further, the present invention can provide a pipette capable of easily cutting or incising an operation target along a desired plane.

【0073】さらにまた、本発明によれば、精度の良い
微小細管を一括して同時に複数製造することができる。
Further, according to the present invention, a plurality of high-precision micro-capillaries can be simultaneously manufactured at once.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態によるピペットを模式的
に示す図であり、図1(a)はその概略斜視図、図1
(b)はその要部概略断面図である。
FIG. 1 is a diagram schematically showing a pipette according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1 (a) is a schematic perspective view thereof, FIG.
(B) is a schematic sectional view of a main part thereof.

【図2】図1に示すピペットの製造方法の各工程を示す
断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing each step of the method for manufacturing the pipette shown in FIG.

【図3】図1に示すピペットの製造方法の図2に示す工
程に引き続く各工程を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing each step of the method of manufacturing the pipette shown in FIG. 1 subsequent to the step shown in FIG. 2;

【図4】図2に示す所定の工程を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a predetermined step shown in FIG. 2;

【図5】本発明の他の実施の形態によるピペットを模式
的に示す図であり、図5(a)はその概略斜視図、図5
(b)はその要部概略断面図である。
FIG. 5 is a view schematically showing a pipette according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 (a) is a schematic perspective view thereof, FIG.
(B) is a schematic sectional view of a main part thereof.

【図6】図5に示すピペットの製造方法の各工程を示す
断面図である。
6 is a cross-sectional view showing each step of the method for manufacturing the pipette shown in FIG.

【図7】図5に示すピペットの製造方法の図6に示す工
程に引き続く各工程を示す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing each step following the step shown in FIG. 6 of the method of manufacturing the pipette shown in FIG.

【図8】図6に示す所定の工程を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a predetermined step shown in FIG.

【図9】図6及び図7に示す所定の工程を示す図であ
る。
FIG. 9 is a view showing a predetermined step shown in FIGS. 6 and 7;

【図10】従来のピペットの要部を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a main part of a conventional pipette.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 操作対象 5 精子注入用ガラス管 10 細管部 10a 吸引口 11 収容部 11a 収容空間 12 支持体 12a 接続口 12b 内部通路 20 シリコン基板 23,24,40 凹所 26,28,41 溝 27 酸化珪素膜 30 切刃 31 ガイドスリット DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Operation target 5 Sperm injection glass tube 10 Thin tube part 10a Suction port 11 Storage part 11a Storage space 12 Support body 12a Connection opening 12b Internal passage 20 Silicon substrate 23,24,40 Recess 26,28,41 Groove 27 Silicon oxide film 30 cutting blade 31 guide slit

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 先端の開口が吸引口となる細管部と、 前記細管部の前記先端に前記細管部と一体に形成され、
前記吸引口に吸引保持された操作対象の周囲を前記吸引
口による前記操作対象の吸引方向に対する側方から取り
囲んで前記操作対象の収容空間を形成するカップ状の収
容部と、 を備えたことを特徴とするピペット。
A thin tube portion having an opening at a distal end serving as a suction port; and a thin tube portion integrally formed at the distal end of the thin tube portion,
A cup-shaped housing portion that surrounds the periphery of the operation target sucked and held by the suction port from a side in the suction direction of the operation target by the suction port to form a storage space for the operation target. Features pipette.
【請求項2】 前記細管部及び前記収容部が酸化珪素で
一体に形成されたことを特徴とする請求項1記載のピペ
ット。
2. The pipette according to claim 1, wherein said thin tube portion and said housing portion are integrally formed of silicon oxide.
【請求項3】 前記細管部の基端を支持する支持体であ
って、外部に開口して負圧に引くための接続口と、前記
細管部の内部と前記接続口との間を連通させる内部通路
とを有する支持体を、更に備えたことを特徴とする請求
項1又は2記載のピペット。
3. A support for supporting a proximal end of the thin tube portion, the connection opening being open to the outside and drawing a negative pressure, and communicating between the inside of the thin tube portion and the connection port. The pipette according to claim 1, further comprising a support having an internal passage.
【請求項4】 前記収容空間内に前記操作対象を切るた
めの切刃を案内するとともに前記切刃の動きを実質的に
所定面内に規制するガイドスリットが、前記収容部に形
成されたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに
記載のピペット。
4. A guide slit, which guides a cutting blade for cutting the operation target into the housing space and regulates the movement of the cutting blade substantially within a predetermined plane, is formed in the housing portion. The pipette according to any one of claims 1 to 3, wherein
【請求項5】 前記ガイドスリットは、前記切刃が前記
収容空間を跨いで同時に挿入され得るように、前記収容
部における前記収容空間の両側位置に形成されたことを
特徴とする請求項4記載のピペット。
5. The storage device according to claim 4, wherein the guide slits are formed at both sides of the housing space in the housing so that the cutting blades can be inserted simultaneously across the housing space. Pipette.
【請求項6】 請求項1乃至5のいずれかに記載のピペ
ットを製造するピペット製造方法であって、 第1及び第2のシリコン基板であって、該第1及び第2
のシリコン基板の両方又は一方の表面に、凹所であって
少なくとも前記細管部に対応する部分及び前記収容部に
対応する部分を含む凹所が形成された第1及び第2のシ
リコン基板を用意する段階と、 前記第1のシリコン基板と前記第2のシリコン基板との
接合体の内部に前記凹所による空洞部が形成されるよう
に、前記第1のシリコン基板と前記第2のシリコン基板
とを接合する段階と、 前記空洞部の壁面を熱酸化させる段階と、 前記第1及び第2のシリコン基板における熱酸化されて
いない部分の少なくとも一部をエッチングにより除去す
る段階と、 を備えたことを特徴とするピペット製造方法。
6. A pipette manufacturing method for manufacturing the pipette according to claim 1, wherein the first and second silicon substrates are provided.
Preparing a first and second silicon substrate in which a recess is formed on both or one surface of the silicon substrate, the recess including at least a portion corresponding to the capillary portion and a portion corresponding to the housing portion; And forming the first silicon substrate and the second silicon substrate so that a cavity is formed by the recess inside the joined body of the first silicon substrate and the second silicon substrate. Bonding, a step of thermally oxidizing a wall surface of the cavity, and a step of etching at least a part of a portion of the first and second silicon substrates that is not thermally oxidized. A method for producing a pipette.
【請求項7】 前記接合する段階の後であって前記熱酸
化させる段階の前に、前記空洞部を外部に連通させる溝
を前記接合体に形成する段階を更に含むことを特徴とす
る請求項6記載のピペット製造方法。
7. The method according to claim 1, further comprising, after the joining step and before the thermal oxidation step, a step of forming a groove in the joined body for communicating the cavity with the outside. 7. The method for producing a pipette according to 6.
【請求項8】 前記熱酸化させる段階の後に、前記第1
及び第2のシリコン基板における熱酸化されている部分
のうちの前記細管部及び前記収容部に相当しない部分の
少なくとも一部を、除去するかあるいは前記第1及び第
2のシリコン基板における熱酸化されている部分のうち
の前記細管部及び前記収容部に相当する部分に対して不
連続にさせる段階を、更に備えたことを特徴とする請求
項6又は7記載のピペット製造方法。
8. The method according to claim 1, further comprising the step of:
And removing at least a part of the portion of the thermally oxidized portion of the second silicon substrate that does not correspond to the thin tube portion and the housing portion, or removing the thermally oxidized portion of the first and second silicon substrates. The pipette manufacturing method according to claim 6, further comprising the step of discontinuing a portion corresponding to the thin tube portion and the storage portion of the portion that is formed.
【請求項9】 細管を製造する方法において、 第1及び第2のシリコン基板であって、該第1及び第2
のシリコン基板の両方又は一方の表面に、凹所であって
少なくとも前記細管に対応する部分を含む凹所が、形成
された第1及び第2のシリコン基板を用意する段階と、 前記第1のシリコン基板と前記第2のシリコン基板との
接合体の内部に前記凹所による空洞部が形成されるよう
に、前記第1のシリコン基板と前記第2のシリコン基板
とを接合する段階と、 前記空洞部の壁面を熱酸化させる段階と、 前記第1及び第2のシリコン基板における熱酸化されて
いない部分の少なくとも一部をエッチングにより除去す
る段階と、 を備えたことを特徴とする細管の製造方法。
9. A method for manufacturing a thin tube, comprising: first and second silicon substrates, wherein the first and second silicon substrates are provided.
Providing a first and a second silicon substrate having a recess formed on both or one surface of the silicon substrate, the recess including at least a portion corresponding to the capillary; and Bonding the first silicon substrate and the second silicon substrate such that a cavity is formed by the recess inside a bonded body of the silicon substrate and the second silicon substrate; Producing a thin tube, comprising: thermally oxidizing a wall surface of a cavity; and removing at least a part of a portion of the first and second silicon substrates that is not thermally oxidized by etching. Method.
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JP2006292468A (en) * 2005-04-07 2006-10-26 Univ Of Electro-Communications Specimen movement controller and method

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