JPH1074924A - Solid-state image pickup element and its manufacturing method - Google Patents
Solid-state image pickup element and its manufacturing methodInfo
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- JPH1074924A JPH1074924A JP8229851A JP22985196A JPH1074924A JP H1074924 A JPH1074924 A JP H1074924A JP 8229851 A JP8229851 A JP 8229851A JP 22985196 A JP22985196 A JP 22985196A JP H1074924 A JPH1074924 A JP H1074924A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子およ
びその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state imaging device and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の固体撮像素子では、シリコン基板
に形成したセンサ部、ゲート電極等を覆う状態に酸化シ
リコンからなる層間絶縁膜を形成した後、さらに窒化シ
リコン系膜（窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜）
を形成し、その上に金属遮光膜を形成していた。そして
センサ部上の金属遮光膜と窒化シリコン系膜を除去して
開口部を形成していた。2. Description of the Related Art In a conventional solid-state imaging device, an interlayer insulating film made of silicon oxide is formed so as to cover a sensor portion, a gate electrode, and the like formed on a silicon substrate, and then a silicon nitride-based film (silicon nitride film or oxide film) is formed. Silicon nitride film)
Was formed, and a metal light shielding film was formed thereon. Then, the metal light-shielding film and the silicon nitride-based film on the sensor section are removed to form an opening.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、固体撮
像素子のセンサ部上の金属遮光膜と窒化シリコン系膜と
を除去する際に、オーバエッチングを行う。その結果、
図４に示すように、シリコン基板１１に形成したセンサ
部１２上の金属遮光膜２０と窒化シリコン系膜１９との
みを除去して開口部２１を形成することができず、その
下層の層間絶縁膜１８の上層も除去されていた。それに
よって、センサ部１２上における層間絶縁膜１８の膜厚
が薄くなるので、エッチングの際に、センサ部１２上に
おける、シリコン基板１１とゲート絶縁膜１６との界面
およびシリコン基板１１の内部にダメージが入り易くな
る。そのため、いわゆる白キズが発生していた。However, when the metal light-shielding film and the silicon nitride-based film on the sensor section of the solid-state imaging device are removed, over-etching is performed. as a result,
As shown in FIG. 4, the opening 21 cannot be formed by removing only the metal light-shielding film 20 and the silicon nitride-based film 19 on the sensor unit 12 formed on the silicon substrate 11, and the interlayer insulating film below the opening 21 cannot be formed. The upper layer of the film 18 was also removed. As a result, the thickness of the interlayer insulating film 18 on the sensor section 12 is reduced, so that the interface between the silicon substrate 11 and the gate insulating film 16 and the inside of the silicon substrate 11 on the sensor section 12 are damaged during etching. Is easy to enter. Therefore, so-called white scratches have occurred.
【０００４】一方、白キズの発生を防止するために、図
５に示すように、層間絶縁膜１８をその膜厚Ｂ〔図５の
（１）参照）〕からＢ’〔図５の（２）参照）〕になる
ように厚く形成した場合には、金属遮光膜２０をエッチ
ングして開口部２１を形成した際に、センサ部１２上の
層間絶縁膜１８の膜厚Ａ〔図５の（１）参照）〕が白キ
ズを発生しない膜厚Ａ’〔図５の（２）参照）〕にな
る。そのため、開口部２１を形成するエッチングの際
に、シリコン基板１１側にダメージが入らない。そのた
め、白キズの発生はなくなる。しかしながら、層間絶縁
膜１８の膜厚が厚くなるため、センサ部１２から金属遮
光膜２０までの高さが、層間絶縁膜１８を厚くした分
（Ｂ’−Ｂ）だけ高くなる。その結果、センサ部１２の
側部に読み出しゲート１３を介して形成されている垂直
転送部１４に窒化シリコン系膜１９と層間絶縁膜１８と
を通して斜め光Ｌが入射するようになるので、いわゆる
スミアが発生する。一方、層間絶縁膜１８を厚く形成し
ない場合には、斜め光Ｌは金属遮光膜２０によってセン
サ部１２側に反射されるため、垂直転送部１４に入射し
ない。しかしながら、前記図４によって説明したよう
に、白キズが発生する。On the other hand, in order to prevent the occurrence of white flaws, as shown in FIG. 5, the interlayer insulating film 18 is changed from its film thickness B (see FIG. 5 (1)) to B '[FIG. ))), When the metal light-shielding film 20 is etched to form the opening 21, the film thickness A of the interlayer insulating film 18 on the sensor unit 12 [(FIG. 1)) is the film thickness A ′ [see FIG. 5 (2)]] in which white flaws do not occur. Therefore, the silicon substrate 11 is not damaged during the etching for forming the opening 21. Therefore, the occurrence of white scratches is eliminated. However, since the thickness of the interlayer insulating film 18 is increased, the height from the sensor section 12 to the metal light-shielding film 20 is increased by the thickness (B′-B) of the interlayer insulating film 18. As a result, oblique light L enters the vertical transfer unit 14 formed on the side of the sensor unit 12 via the readout gate 13 through the silicon nitride-based film 19 and the interlayer insulating film 18, so-called smear. Occurs. On the other hand, when the interlayer insulating film 18 is not formed thick, the oblique light L is reflected by the metal light-shielding film 20 toward the sensor unit 12 and does not enter the vertical transfer unit 14. However, as described with reference to FIG. 4, white scratches occur.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた固体撮像素子および固体撮像素子
の製造方法である。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to a solid-state image pickup device and a method of manufacturing the solid-state image pickup device to solve the above-mentioned problems.
【０００６】固体撮像素子は、固体撮像素子のゲート電
極上を覆う金属遮光膜とその下層に形成した窒化シリコ
ン系膜とを備えたものであって、この固体撮像素子のセ
ンサ部上を上記窒化シリコン系膜で覆うとともに、上記
センサ部上における上記金属遮光膜に開口部を設けたも
のである。The solid-state imaging device includes a metal light-shielding film that covers a gate electrode of the solid-state imaging device and a silicon nitride-based film formed thereunder. An opening is provided in the metal light-shielding film on the sensor unit while being covered with a silicon-based film.
【０００７】上記固体撮像素子では、センサ部上を窒化
シリコン系膜で覆うことから、シリコン基板とゲート絶
縁膜との界面およびシリコン基板の内部にダメージが入
り難くなる。そのため、いわゆる白キズの発生が低減さ
れる。また、窒化シリコン系膜を形成したことから、白
キズの発生を防止するために層間絶縁膜を厚く形成する
必要がなくなる。そのため、層間絶縁膜を厚くする前の
状態と同様に、すなわち、センサ部表面から金属遮光膜
までの高さが、窒化シリコン系膜と層間絶縁膜とを通し
て垂直転送部に斜め光が到達しない高さになる。そのた
め、スミアの発生がなくなる。In the solid-state imaging device, the sensor portion is covered with the silicon nitride-based film, so that the interface between the silicon substrate and the gate insulating film and the inside of the silicon substrate are hardly damaged. Therefore, the occurrence of so-called white flaws is reduced. In addition, since the silicon nitride-based film is formed, it is not necessary to form a thick interlayer insulating film in order to prevent white scratches. Therefore, similar to the state before the thickening of the interlayer insulating film, that is, the height from the sensor unit surface to the metal light-shielding film is high so that oblique light does not reach the vertical transfer unit through the silicon nitride-based film and the interlayer insulating film. It will be. Therefore, generation of smear is eliminated.
【０００８】固体撮像素子の製造方法は、基板に形成し
たゲート電極上およびセンサ部上を覆う状態に窒化シリ
コン系膜を形成した後、その窒化シリコン膜上に金属遮
光膜を形成する工程を備えた製造方法であって、固体撮
像素子のセンサ部上に窒化シリコン系膜を残す状態に上
記センサ部上の金属遮光膜を除去して開口部を形成する
という製造方法である。A method for manufacturing a solid-state image pickup device includes a step of forming a silicon nitride-based film so as to cover a gate electrode and a sensor portion formed on a substrate, and then forming a metal light shielding film on the silicon nitride film. The solid-state imaging device, wherein the metal light-shielding film on the sensor unit is removed to form an opening while the silicon nitride-based film remains on the sensor unit.
【０００９】上記製造方法では、固体撮像素子のセンサ
部上に窒化シリコン系膜を残す状態に上記センサ部上の
金属遮光膜を除去して開口部を形成することから、この
金属遮光膜を除去するエッチングの際に、窒化シリコン
系膜の下層の層間絶縁膜が除去されることはない。その
ため、このエッチング時に、センサ部が形成されている
シリコン基板とセンサ部上に形成されているゲート絶縁
膜との界面およびこのシリコン基板の内部にダメージが
入ることがなくなるので、白キズが発生しなくなる。ま
たセンサ部上に窒化シリコン系膜を残しても、センサ部
上におけるこのセンサ部表面から金属遮光膜までの高さ
は、変化しない。すなわち、センサ部に入射される斜め
光は、金属遮光膜によってセンサ方向に反射されるの
で、窒化シリコン系膜と層間絶縁膜とを通して垂直転送
部に達することはない。そのため、いわゆるスミアの発
生がない。In the above manufacturing method, the metal light-shielding film on the sensor portion is removed to form an opening in a state where the silicon nitride-based film remains on the sensor portion of the solid-state imaging device. In this etching, the interlayer insulating film below the silicon nitride-based film is not removed. Therefore, at the time of this etching, the interface between the silicon substrate on which the sensor portion is formed and the gate insulating film formed on the sensor portion and the inside of the silicon substrate are not damaged. Disappears. Even if the silicon nitride-based film is left on the sensor unit, the height from the surface of the sensor unit to the metal light-shielding film on the sensor unit does not change. That is, the oblique light incident on the sensor unit is reflected in the sensor direction by the metal light shielding film, and does not reach the vertical transfer unit through the silicon nitride-based film and the interlayer insulating film. Therefore, there is no generation of so-called smear.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】本発明に係わる固体撮像素子の実
施形態の一例を、図１の概略構成断面図によって説明す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of a solid-state imaging device according to the present invention will be described with reference to the schematic sectional view of FIG.
【００１１】図１に示すように、固体撮像素子１は以下
のような構成をなす。すなわち、シリコン基板１１には
センサ部１２が形成され、このセンサ部１２の一方の側
部には読み出しゲート１３を介して垂直転送部１４が形
成され、さらにチャネルストップ１５が形成されてい
る。またセンサ部１２の他方側にはチャネルストップ１
５を介して別のセルの垂直転送部１４、読み出しゲート
１３が形成されている。As shown in FIG. 1, the solid-state imaging device 1 has the following configuration. That is, a sensor section 12 is formed on the silicon substrate 11, a vertical transfer section 14 is formed on one side of the sensor section 12 via a readout gate 13, and a channel stop 15 is further formed. A channel stop 1 is provided on the other side of the sensor unit 12.
5, a vertical transfer section 14 and a read gate 13 of another cell are formed.
【００１２】またシリコン基板１１の表面にはゲート絶
縁膜１６が形成され、上記読み出しゲート１３、垂直転
送部１４およびチャネルストップ１５の上方におけるゲ
ート絶縁膜１６上にはゲート電極１７が形成されてい
る。そしてセンサ部１２上およびゲート絶縁膜１６上を
覆う状態に層間絶縁膜１８が形成されている。この層間
絶縁膜１８は、例えば酸化シリコン膜で形成される。A gate insulating film 16 is formed on the surface of the silicon substrate 11, and a gate electrode 17 is formed on the gate insulating film 16 above the read gate 13, the vertical transfer section 14, and the channel stop 15. . Then, an interlayer insulating film 18 is formed so as to cover the sensor section 12 and the gate insulating film 16. This interlayer insulating film 18 is formed of, for example, a silicon oxide film.
【００１３】上記層間絶縁膜１８上には窒化シリコン系
膜１９が形成されている。この窒化シリコン系膜１９
は、例えば窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜で形
成されている。上記窒化シリコン系膜１９上には、金属
遮光膜２０が形成されている。この金属遮光膜２０は、
例えばアルミニウム膜で形成されている。この金属遮光
膜２０には、上記センサ部１２上に開口部２１が形成さ
れている。図示した固体撮像素子１では、上記開口部２
１を形成する際にいわゆるオーバエッチングを行ったた
めに、センサ部１２上窒化シリコン系膜１９の上層が除
去されている。さらに上記開口部２１を埋め込む状態に
して上記金属遮光膜２０上にパッシベーション膜２２が
形成されている。A silicon nitride-based film 19 is formed on the interlayer insulating film 18. This silicon nitride film 19
Is formed of, for example, a silicon nitride film or a silicon oxynitride film. On the silicon nitride-based film 19, a metal light shielding film 20 is formed. This metal light shielding film 20
For example, it is formed of an aluminum film. An opening 21 is formed in the metal light-shielding film 20 above the sensor section 12. In the illustrated solid-state imaging device 1, the opening 2
Since the so-called over-etching was performed when forming No. 1, the upper layer of the silicon nitride-based film 19 on the sensor section 12 was removed. Further, a passivation film 22 is formed on the metal light shielding film 20 so as to fill the opening 21.
【００１４】上記固体撮像素子１では、センサ部１２上
を窒化シリコン系膜１９で覆うことから、シリコン基板
１１とゲート絶縁膜１６との界面およびシリコン基板１
１の内部にダメージが入り難くなる。そのため、白キズ
の発生が低減される。また、センサ部１２上方に窒化シ
リコン系膜１９を形成したことから、白キズの発生を防
止するために層間絶縁膜１８を厚く形成する必要がなく
なる。そのため、金属遮光膜２０の下部における層間絶
縁膜１８の膜厚とセンサ部１２上における層間絶縁膜１
８の膜厚とを同一の膜厚とすることが可能になる。した
がって、層間絶縁膜１８の厚さを厚くする前の状態と同
様に、すなわち、センサ部１２の表面から金属遮光膜２
０までの高さが、窒化シリコン系膜１９と層間絶縁膜１
８とを通して垂直転送部１４に斜め光が到達しない高さ
になる。よって、スミアを悪化させずに白キズの低減を
図ることが可能になる。In the solid-state imaging device 1, since the sensor section 12 is covered with the silicon nitride film 19, the interface between the silicon substrate 11 and the gate insulating film 16 and the silicon substrate 1 are formed.
1 is less likely to be damaged. Therefore, the occurrence of white scratches is reduced. In addition, since the silicon nitride-based film 19 is formed above the sensor section 12, it is not necessary to form the interlayer insulating film 18 thick in order to prevent white scratches. Therefore, the thickness of the interlayer insulating film 18 below the metal light shielding film 20 and the thickness of the interlayer insulating film 1
8 can be made the same thickness. Therefore, the state before the thickness of the interlayer insulating film 18 is increased, that is, the metal light shielding film 2 is removed from the surface of the sensor unit 12.
The height up to 0 indicates that the silicon nitride-based film 19 and the interlayer insulating film 1
8 and the height is such that oblique light does not reach the vertical transfer unit 14. Therefore, it is possible to reduce white spots without deteriorating smear.
【００１５】次に本発明の固体撮像素子の製造方法に係
わる実施形態の一例を、図２および図３の製造工程図に
よって説明する。Next, an example of an embodiment relating to a method of manufacturing a solid-state image sensor according to the present invention will be described with reference to manufacturing process diagrams shown in FIGS.
【００１６】図２の（１）に示すように、シリコン基板
１１にはセンサ部１２が形成され、このセンサ部１２の
一方の側部には読み出しゲート１３を介して垂直転送部
１４が形成され、さらにチャネルストップ１５が形成さ
れている。またセンサ部１２の他方側にはチャネルスト
ップ１５を介して別のセルの垂直転送部１４、読み出し
ゲート１３が形成されている。またシリコン基板１１の
表面にはゲート絶縁膜１６が形成され、上記読み出しゲ
ート１３、垂直転送部１４およびチャネルストップ１５
の上方におけるゲート絶縁膜１６上にはゲート電極１７
が形成されている。As shown in FIG. 2A, a sensor section 12 is formed on a silicon substrate 11, and a vertical transfer section 14 is formed on one side of the sensor section 12 via a read gate 13. , And a channel stop 15 are formed. On the other side of the sensor section 12, a vertical transfer section 14 and a read gate 13 of another cell are formed via a channel stop 15. A gate insulating film 16 is formed on the surface of the silicon substrate 11, and the read gate 13, the vertical transfer unit 14, and the channel stop 15 are formed.
A gate electrode 17 is formed on the gate insulating film 16 above the gate electrode 17.
Are formed.
【００１７】そして上記のようにシリコン基板１１に形
成されているゲート絶縁膜１６上に上記ゲート電極１７
を覆う層間絶縁膜１８を形成する。この層間絶縁膜１８
は、例えば化学的気相成長〔ＣＶＤ（Chemical Vapour
Deposition）〕法によって酸化シリコン膜で形成する。The gate electrode 17 is formed on the gate insulating film 16 formed on the silicon substrate 11 as described above.
Is formed. This interlayer insulating film 18
Is, for example, a chemical vapor deposition [CVD (Chemical Vapor)
Deposition)] method.
【００１８】次いで図２の（２）に示すように、層間絶
縁膜１８上に窒化シリコン系膜１９を形成する。この窒
化シリコン系膜１９は、例えばＣＶＤ法によって窒化シ
リコン膜または酸窒化シリコン膜で形成する。Next, as shown in FIG. 2B, a silicon nitride based film 19 is formed on the interlayer insulating film 18. The silicon nitride-based film 19 is formed of, for example, a silicon nitride film or a silicon oxynitride film by a CVD method.
【００１９】さらに図２の（３）に示すように、窒化シ
リコン系膜１９上に金属遮光膜２０を形成する。この金
属遮光膜２０は、例えばスパッタリングによってアルミ
ニウム膜で形成する。Further, as shown in FIG. 2C, a metal light shielding film 20 is formed on the silicon nitride film 19. The metal light shielding film 20 is formed of, for example, an aluminum film by sputtering.
【００２０】次いで図３の（１）に示すように、リソグ
ラフィー技術によって、金属遮光膜２０上にレジスト膜
３１を形成する。そしてセンサ部１２上に開口部３２を
形成する。Next, as shown in FIG. 3A, a resist film 31 is formed on the metal light-shielding film 20 by a lithography technique. Then, an opening 32 is formed on the sensor unit 12.
【００２１】次いで上記レジスト膜３１をマスクにした
エッチングによって、図３の（２）に示すように、上記
センサ部１２上の金属遮光膜２０に開口部２１を形成す
る。その際、オーバエッチングを行ってセンサ部１２上
の金属遮光膜２０を完全に除去するために、センサ部１
２上の窒化シリコン系膜１９の上層も除去される。Next, as shown in FIG. 3 (2), an opening 21 is formed in the metal light-shielding film 20 on the sensor section 12 by etching using the resist film 31 as a mask. At this time, in order to completely remove the metal light shielding film 20 on the sensor unit 12 by performing over-etching, the sensor unit 1
2 is also removed.
【００２２】その後上記レジスト膜３１〔図３の（１）
参照〕を除去する。そして図３の（３）に示すように、
上記開口部２１を埋め込む状態にして上記金属遮光膜２
０上にパッシベーション膜２２を形成する。このように
して、固体撮像素子１が完成する。Thereafter, the resist film 31 [(1) in FIG.
Reference] is removed. And as shown in (3) of FIG.
With the opening 21 buried, the metal light shielding film 2
A passivation film 22 is formed on 0. Thus, the solid-state imaging device 1 is completed.
【００２３】[0023]
【発明の効果】上記製造方法では、固体撮像素子１のセ
ンサ部１２上に窒化シリコン系膜１９を残す状態に上記
センサ部１２上の金属遮光膜２０を除去して開口部２１
を形成することから、この金属遮光膜２０を除去するエ
ッチングの際に、窒化シリコン系膜１９の下部の層間絶
縁膜１８は除去されることはない。そのため、このエッ
チング時に、センサ部１２が形成されているシリコン基
板１１とセンサ部１２上に形成されているゲート絶縁膜
１６との界面およびこのシリコン基板１１の内部にダメ
ージが入ることがなくなるので、白キズは発生しなくな
る。またセンサ部１２上に窒化シリコン系膜１９を残し
ても、センサ部１２上におけるこのセンサ部１２表面か
ら金属遮光膜２０までの高さは変化しない。すなわち、
センサ部１２に入射される斜め光は、金属遮光膜２０に
よってセンサ方向に反射されるので、窒化シリコン系膜
１９と層間絶縁膜１８とを通して垂直転送部１４に達す
ることはない。そのため、いわゆるスミアの発生はな
い。According to the above-described manufacturing method, the metal light-shielding film 20 on the sensor section 12 is removed so that the silicon nitride-based film 19 is left on the sensor section 12 of the solid-state imaging device 1, and the opening 21
Is formed, the interlayer insulating film 18 below the silicon nitride-based film 19 is not removed during the etching for removing the metal light shielding film 20. Therefore, at the time of this etching, the interface between the silicon substrate 11 on which the sensor section 12 is formed and the gate insulating film 16 formed on the sensor section 12 and the inside of the silicon substrate 11 are not damaged. No white scratches occur. Also, even if the silicon nitride film 19 is left on the sensor section 12, the height from the surface of the sensor section 12 to the metal light-shielding film 20 on the sensor section 12 does not change. That is,
Since the oblique light incident on the sensor unit 12 is reflected in the sensor direction by the metal light shielding film 20, it does not reach the vertical transfer unit 14 through the silicon nitride based film 19 and the interlayer insulating film 18. Therefore, there is no generation of so-called smear.
【図１】本発明の固体撮像素子に係わる実施形態の概略
構成断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の製造方法に係わる実施形態の製造工程
図（その１）である。FIG. 2 is a manufacturing process diagram (part 1) of the embodiment according to the manufacturing method of the present invention.
【図３】本発明の製造方法に係わる実施形態の製造工程
図（その２）である。FIG. 3 is a manufacturing process diagram (part 2) of the embodiment according to the manufacturing method of the present invention.
【図４】白キズに係わる課題の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a problem relating to white flaws.
【図５】スミアに係わる課題の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a problem relating to smear.
１ 固体撮像素子 １２ センサ部 １７ ゲート
電極 １９ 窒化シリコン系膜 ２０ 金属遮光膜 ２１
開口部DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Solid-state image sensor 12 Sensor part 17 Gate electrode 19 Silicon nitride film 20 Metal light shielding film 21
Aperture
Claims (2)
遮光膜と該金属遮光膜の下層に形成した窒化シリコン系
膜を備えた固体撮像素子において、 前記固体撮像素子のセンサ部上を前記窒化シリコン系膜
で覆うとともに、 前記センサ部上における前記金属遮光膜に開口部を設け
たことを特徴とする固体撮像素子。1. A solid-state imaging device comprising: a metal light-shielding film covering a gate electrode of the solid-state imaging device; and a silicon nitride-based film formed under the metal light-shielding film. A solid-state imaging device, wherein the solid-state imaging device is covered with a silicon-based film and an opening is provided in the metal light-shielding film on the sensor unit.
ンサ部上を覆う状態に窒化シリコン系膜を形成した後、
該窒化シリコン膜上に金属遮光膜を形成する工程を備え
た固体撮像素子の製造方法において、 前記固体撮像素子のセンサ部上に前記窒化シリコン系膜
を残す状態にして該センサ部上の前記金属遮光膜を除去
して開口部を形成することを特徴とする固体撮像素子の
製造方法。2. After forming a silicon nitride based film so as to cover a gate electrode and a sensor portion formed on a substrate,
A method for manufacturing a solid-state imaging device comprising a step of forming a metal light-shielding film on the silicon nitride film, wherein the metal on the sensor unit is left in a state where the silicon nitride-based film is left on a sensor unit of the solid-state imaging device. A method for manufacturing a solid-state imaging device, comprising forming an opening by removing a light-shielding film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8229851A JPH1074924A (en) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Solid-state image pickup element and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8229851A JPH1074924A (en) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Solid-state image pickup element and its manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074924A true JPH1074924A (en) | 1998-03-17 |
Family
ID=16898688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8229851A Pending JPH1074924A (en) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Solid-state image pickup element and its manufacturing method |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH1074924A (en) |
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| CN111326534A (en) * | 2018-12-17 | 2020-06-23 | 佳能株式会社 | Photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion system, and movable body |
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1996
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